JP2001316890A - Method and equipment for plating - Google Patents

Method and equipment for plating

Info

Publication number
JP2001316890A
JP2001316890A JP2000174448A JP2000174448A JP2001316890A JP 2001316890 A JP2001316890 A JP 2001316890A JP 2000174448 A JP2000174448 A JP 2000174448A JP 2000174448 A JP2000174448 A JP 2000174448A JP 2001316890 A JP2001316890 A JP 2001316890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
wafer
processed
substrate
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000174448A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Wataru Okase
亘 大加瀬
Takenobu Matsuo
剛伸 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000174448A priority Critical patent/JP2001316890A/en
Publication of JP2001316890A publication Critical patent/JP2001316890A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating method and a plating liquid treating equipment which can surely remove bubbles formed between a treating liquid and a surface to be treated of a substrate to be treated. SOLUTION: In a plating unit M1, a driver 61 is arranged to keep a wafer W right over a plating liquid tank 42 and rotate the wafer W in an approximately horizontal plane, and a cylinder 67 for moving the driver 61 approximately horizontally is attached to the driver 61. Bubbles attached to a surface to be plated of a wafer W are removed, by means of rotating the wafer W along with moving the wafer W from the plating position (IV) above a central axis of a plating liquid tank 42 to a decentered position (V) from a center of the plating liquid tank approximately horizontally, by means of driving the cylinder 67 in a contacted condition for the surface to be plated of the wafer W with a liquid surface of the plating liquid.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板のメッキ処理に係り、更に詳細には被処理基
板をメッキ処理液に略水平に接触させて被処理基板の被
処理面に液処理を施すメッキ処理方法、及びメッキ処理
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating process for a substrate to be processed such as a semiconductor wafer, and more particularly, to a process for bringing a substrate to be processed into contact with a plating solution substantially horizontally so as to contact the surface of the substrate to be processed. The present invention relates to a plating method for performing a liquid treatment and a plating apparatus.

【従来の技術】従来より、半導体ウエハＷ（以下、単に
「ウエハ」という。）等の被処理基板の表面に金属層を
形成する処理装置としては、例えば、気相で金属層を形
成するスパッタリング処理装置が用いられてきたが、半
導体デバイスの集積度の向上に伴い、埋め込み性の問題
から液相で金属層を形成するメッキ処理装置を用いるこ
とが主流となってきている。図３２は代表的なメッキ処
理装置の概略斜視図である。図３２に示すように、この
メッキ処理装置ではメッキ液を収容する略円筒形のメッ
キ液槽２０１と、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液
面に接触するようにウエハＷを保持するウエハホルダ２
０２が設けられている。ウエハホルダ２０２が昇降して
ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接触させてウ
エハＷの被メッキ面に金属層を形成する。2. Description of the Related Art Conventionally, as a processing apparatus for forming a metal layer on a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as a "wafer"), for example, a sputtering apparatus for forming a metal layer in a vapor phase Processing apparatuses have been used, but with the improvement in the degree of integration of semiconductor devices, the use of plating apparatuses that form a metal layer in a liquid phase due to the problem of embedding has become mainstream. FIG. 32 is a schematic perspective view of a typical plating apparatus. As shown in FIG. 32, in this plating apparatus, a substantially cylindrical plating solution tank 201 for storing a plating solution, and a wafer holder for holding the wafer W so that the surface to be plated of the wafer W contacts the surface of the plating solution. 2
02 is provided. The wafer holder 202 moves up and down to bring the surface to be plated of the wafer W into contact with the surface of the plating solution to form a metal layer on the surface to be plated of the wafer W.

【発明が解決しようとする課題】ところで、メッキ処理
工程では、メッキ液中のイオン等がウエハＷの被メッキ
面に付着することによりウエハＷの被メッキ面に金属層
を形成するためメッキ液の液面とウエハＷの被メッキ面
は完全に接触していなければならない。しかし、メッキ
液の液面にウエハＷの被メッキ面を接触させる際、メッ
キ液の液面とウエハＷの被メッキ面との間に空気が入り
込み、空気の泡がウエハＷの被メッキ面に付着して均一
な金属層が形成できないという問題がある。また、メッ
キ液槽２０１内にある電極２０３とウエハＷとの間に電
界を形成してウエハＷの被メッキ面に金属層を形成する
電解メッキ工程においては、メッキ液が化学反応を起こ
すことによりウエハＷの被メッキ面に金属層が形成され
るとともに例えば水素や酸素の泡が発生して、その泡が
ウエハＷの被メッキ面に付着して均一な金属層が形成で
きないという問題がある。この問題を解決するため、メ
ッキ液の液面に接触させたウエハＷをメッキ液槽２０１
の中心と同軸的に回転させることによりウエハＷの被メ
ッキ面に付着している泡を泡抜きする装置が提案されて
いる。また、泡抜き終了後、ウエハＷをメッキ液槽２０
１の中心と同軸的に回転させながらウエハＷの被メッキ
面に金属層を形成することによりウエハＷの被メッキ面
に付着している電解メッキ工程中に発生した泡を泡抜き
する装置が提案されている。しかし、従来のような装置
ではウエハＷをメッキ液槽２０１の中心と同軸的に回転
させて、泡抜きが行われていたので、ウエハＷの回転に
伴うメッキ液の層流の回転によりメッキ液槽２０１の中
心に渦流が生じてしまい泡がメッキ液槽２０１の中心に
集まり泡が抜け難いという問題がある。本発明は上記従
来の問題を解決するためになされたものである。即ち、
本発明は被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際
に処理液と被処理基板の被処理面との間に形成される泡
を確実に泡抜きすることができるメッキ処理方法、及び
メッキ処理装置を提供することを目的とする。更に、本
発明は被処理基板の被処理面に付着している電界を形成
したときに発生した泡を確実に泡抜きすることができる
メッキ処理方法、及びメッキ処理装置を提供することを
目的とする。In the plating step, ions and the like in the plating solution adhere to the surface to be plated of the wafer W to form a metal layer on the surface of the wafer W to be plated. The liquid surface and the surface to be plated of the wafer W must be completely in contact. However, when the surface to be plated of the wafer W is brought into contact with the liquid surface of the plating solution, air enters between the liquid surface of the plating solution and the surface to be plated of the wafer W, and air bubbles are generated on the surface of the wafer W to be plated. There is a problem that a uniform metal layer cannot be formed due to adhesion. Further, in the electrolytic plating step of forming an electric field between the electrode 203 in the plating solution tank 201 and the wafer W to form a metal layer on the surface to be plated of the wafer W, the plating solution causes a chemical reaction. There is a problem that a metal layer is formed on the surface to be plated of the wafer W and bubbles of, for example, hydrogen and oxygen are generated, and the bubbles adhere to the surface to be plated of the wafer W, so that a uniform metal layer cannot be formed. In order to solve this problem, the wafer W that has been brought into contact with the surface of the plating solution is placed in a plating solution tank 201
A device that removes bubbles attached to the surface to be plated of the wafer W by rotating coaxially with the center of the wafer W has been proposed. After the bubble removal, the wafer W is removed from the plating solution tank 20.
A device for removing bubbles generated during the electroplating process attached to the surface to be plated of the wafer W by forming a metal layer on the surface to be plated of the wafer W while rotating coaxially with the center of the wafer W is proposed. Have been. However, in the conventional apparatus, the wafer W is rotated coaxially with the center of the plating solution tank 201 to remove bubbles. Therefore, the plating solution is rotated by the laminar flow of the plating solution accompanying the rotation of the wafer W. There is a problem that a vortex is generated at the center of the tank 201, and bubbles are collected at the center of the plating solution tank 201, so that the bubbles are hardly removed. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. That is,
The present invention provides a plating method capable of reliably removing bubbles formed between the processing liquid and the processing surface of the processing substrate when the processing surface of the processing substrate is brought into contact with the processing liquid, and An object of the present invention is to provide a plating apparatus. Still another object of the present invention is to provide a plating method and a plating apparatus capable of reliably removing bubbles generated when an electric field adhered to a surface to be processed of a substrate to be processed is formed. I do.

【課題を解決しようとする手段】請求項１のメッキ処理
方法は、被処理基板に対して所定の電解メッキ処理を可
能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に構成された処理
槽と、前記被処理基板に対して接触するように構成され
たカソード電極と、前記処理槽内に配置されたアノード
電極と、を備えたメッキ処理装置を用いてメッキ処理を
施すメッキ処理方法であって、前記処理槽内に収容され
た処理液の液面に、被処理基板の被処理面を接触させた
状態で、かつ、前記被処理基板を前記処理槽の中心軸か
ら偏心した位置で、被処理基板を第１の回転速度で回転
させる工程と、前記被処理基板の被処理面にメッキ処理
を施す工程と、を具備することを特徴とする。請求項１
のメッキ処理方法では、被処理基板の被処理面を処理液
に接触させる際に処理液と被処理基板の被処理面との間
に形成される泡を処理液槽の中心から偏心した位置で泡
抜きするので、確実に泡抜きすることができる。請求項
２のメッキ処理方法は、被処理基板に対して所定の電解
メッキ処理を可能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に
構成された処理槽と、前記被処理基板に対して接触する
ように構成されたカソード電極と、前記処理槽内に配置
されたアノード電極と、を備えたメッキ処理装置を用い
てメッキ処理を施すメッキ処理方法であって、前記処理
槽内に収容された処理液の液面に、被処理基板の被処理
面を接触させた状態で、かつ、前記被処理基板を前記処
理槽の中心軸から偏心した位置で、被処理基板を第１の
回転速度で回転させる工程と、前記被処理基板を、前記
アノード電極の中心軸と略同軸とした位置で前記被処理
基板の被処理面にメッキ処理を施す工程と、を具備する
ことを特徴とする。請求項２のメッキ処理方法では、前
記処理槽の中心軸から偏心した位置で被処理基板を処理
液の液面に接触させて第１の回転速度で回転させた後、
前記被処理基板を前記アノード電極の中心軸と略同軸の
位置に戻してメッキ処理を行なうので、被処理基板の下
面側に均一な電界が形成され、均一なメッキ層を形成す
ることが出来る。請求項３のメッキ処理方法は、上記請
求項１又は２に記載のメッキ処理方法であって、前記メ
ッキ処理を施す工程が、前記被処理基板を第２の回転速
度で回転させる工程であることを特徴とする。請求項３
のメッキ処理方法では、上記請求項１又は２のメッキ処
理方法において、前記メッキ処理を行なう際に、前記被
処理基板を第２の回転速度で回転させながら行なうの
で、メッキ処理時に発生する泡をも効果的に泡抜きする
ことができると共に均一な電界の形成により均一なメッ
キ層を得ることができる。請求項４のメッキ処理方法
は、上記請求項３に記載のメッキ処理方法であって、前
記第２の回転速度が、前記第１の回転速度と等しい、又
は小さい回転速度であることを特徴とする。請求項４の
メッキ処理方法では、上記請求項３に記載のメッキ処理
方法において、前記第２の回転速度として、前記第１の
回転速度と等しいか、又は小さい回転速度を採用したの
で、メッキ処理時に発生する泡をも効果的に泡抜きする
ことができると共に均一な電界の形成により均一なメッ
キ層を得ることができる。請求項５のメッキ処理方法
は、上記請求項１〜４に記載のメッキ処理方法であっ
て、前記メッキ処理方法が、１枚の被処理基板に対して
行なわれる方法であることを特徴とする。請求項５のメ
ッキ処理方法では、上記請求項１〜４に記載のメッキ処
理方法において、前記メッキ処理方法を１枚の被処理基
板に対して行なうので、被処理基板をメッキ液に接触さ
せる際には処理槽から偏心した位置で接触させ、メッキ
処理時には処理槽と略同軸上の位置に戻してメッキ処理
を行なうことができ、メッキ液接触時の泡抜きと、メッ
キ処理時の均一な電界による均一なメッキ層の形成とを
両立することが出来る。請求項６のメッキ処理方法は、
上記請求項１〜４に記載のメッキ処理方法であって、前
記メッキ処理方法が、複数枚の被処理基板に対して同時
に行なわれる方法であることを特徴とする。請求項６の
メッキ処理方法では、上記請求項１〜４に記載のメッキ
処理方法において、前記メッキ処理方法を複数枚の被処
理基板に対して同時に行なうので、処理速度を向上させ
ることか出来る。請求項７のメッキ処理装置は、処理基
板に対して所定の電解メッキ処理を可能に、かつ、メッ
キ処理液を貯留可能に構成された処理槽と、前記被処理
基板に対して接触するように構成されたカソード電極
と、前記処理槽内に配置されたアノード電極と、前記被
処理基板を、少なくとも前記処理槽の中心軸上位置、及
び前記中心軸上から偏心した位置とに移動可能に、かつ
夫々の位置において前記被処理基板を回転可能に構成さ
れた基板保持手段と、を具備することを特徴とする。請
求項７のメッキ処理装置は、被処理基板を、少なくとも
前記処理槽の中心軸上位置、及び前記中心軸上から偏心
した位置とに移動可能に保持し、かつ夫々の位置におい
て前記被処理基板を回転可能に保持する基板保持手段を
具備しているので、処理槽の中心軸から偏心した位置で
被処理基板を回転させながら処理液に接触させ、しかる
後に前記中心軸上の位置に戻してメッキ処理を施すこと
が出来る。その結果、泡抜きと均一なメッキ層の形成と
を行なうことが出来る。請求項８のメッキ処理装置は、
被処理基板に対して所定の電解メッキ処理を可能に、か
つ、メッキ処理液を貯留可能に構成された処理槽と、前
記夫々の被処理基板に対して接触するように構成された
カソード電極と、前記処理槽内に配置されたアノード電
極と、前記複数枚の被処理基板を、前記処理槽の中心軸
から偏心した位置において回転可能に構成された基板保
持手段と、を具備することを特徴とする。請求項８のメ
ッキ処理装置では、複数枚の被処理基板を、前記処理槽
の中心軸から偏心した位置において回転可能に保持する
基板保持手段を備えているので複数枚の被処理基板を一
度に処理することができ、処理速度を向上することが出
来る。請求項９のメッキ処理装置は、請求項８に記載の
メッキ処理装置であって、前記アノード電極が、前記複
数枚の被処理基板と同数配設され、かつ前記処理槽の中
心軸から偏心した位置と略同軸上に配設されていること
を特徴とする。請求項９のメッキ処理装置では、請求項
８に記載のメッキ処理装置において、前記アノード電極
が、前記複数枚の被処理基板と同数配設され、かつ前記
処理槽の中心軸から偏心した位置と略同軸上に配設され
ているので、偏心した位置で着水することにより泡抜き
を効率的に行なえる。更に、被処理基板と同軸上にアノ
ード電極が配設されているので、被処理基板とアノード
電極との間に均一な電界が形成され、均一なメッキ層を
得ることが出来る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a plating method, comprising: a processing tank configured to perform a predetermined electrolytic plating process on a substrate to be processed and to store a plating solution; A cathode electrode configured to be in contact with the substrate to be processed, and an anode electrode disposed in the processing bath, a plating method that performs plating using a plating apparatus including: In a state where the surface of the substrate to be processed is brought into contact with the surface of the processing liquid contained in the processing tank, and the substrate to be processed is eccentric from the central axis of the processing tank, Rotating the substrate at a first rotation speed, and performing a plating process on the surface to be processed of the substrate to be processed. Claim 1
In the plating method, when the surface to be processed of the substrate to be processed is brought into contact with the processing solution, bubbles formed between the processing solution and the surface to be processed of the substrate to be processed are eccentric from the center of the processing solution tank. Since the bubble is removed, the bubble can be reliably removed. In the plating method according to the second aspect, a predetermined electrolytic plating process can be performed on a substrate to be processed, and a processing tank configured to store a plating solution can be brought into contact with the substrate to be processed. A plating method for performing plating using a plating apparatus having a cathode electrode configured as described above and an anode electrode disposed in the processing tank, wherein the processing solution contained in the processing tank is provided. The substrate to be processed is rotated at a first rotation speed in a state where the surface of the substrate to be processed is in contact with the liquid surface of the substrate and the substrate is eccentric from the central axis of the processing bath. And plating the processing target surface of the processing target substrate at a position substantially coaxial with the central axis of the anode electrode. In the plating method according to claim 2, after the substrate to be processed is brought into contact with the surface of the processing liquid at a position eccentric from the central axis of the processing tank and rotated at the first rotation speed,
Since the plating process is performed by returning the substrate to be processed to a position substantially coaxial with the central axis of the anode electrode, a uniform electric field is formed on the lower surface side of the substrate, and a uniform plating layer can be formed. The plating method according to claim 3 is the plating method according to claim 1 or 2, wherein the step of performing the plating is a step of rotating the substrate to be processed at a second rotation speed. It is characterized by. Claim 3
In the plating method according to claim 1, in the plating method according to claim 1 or 2, the plating is performed while rotating the substrate to be processed at a second rotation speed. Can be effectively removed and a uniform plating layer can be obtained by forming a uniform electric field. The plating method according to claim 4 is the plating method according to claim 3, wherein the second rotation speed is equal to or smaller than the first rotation speed. I do. According to a fourth aspect of the present invention, in the plating method according to the third aspect, the second rotation speed is equal to or smaller than the first rotation speed. Bubbles generated at the time can be effectively removed, and a uniform plating layer can be obtained by forming a uniform electric field. A plating method according to a fifth aspect is the plating method according to the first to fourth aspects, wherein the plating method is performed on one substrate to be processed. . In the plating method according to the fifth aspect, in the plating method according to any one of the first to fourth aspects, the plating method is performed on one substrate to be processed. Can be contacted at a position eccentric from the processing tank, and can be returned to a position substantially coaxial with the processing tank during plating processing to perform plating. And the formation of a uniform plating layer can be achieved at the same time. The plating method of claim 6 is
The plating method according to any one of claims 1 to 4, wherein the plating method is a method that is performed simultaneously on a plurality of substrates to be processed. In the plating method according to the sixth aspect, in the plating method according to any one of the first to fourth aspects, since the plating method is performed on a plurality of substrates to be processed simultaneously, the processing speed can be improved. The plating apparatus according to claim 7 is capable of performing a predetermined electrolytic plating process on a processing substrate and contacting a processing tank configured to be capable of storing a plating solution and the processing target substrate. The configured cathode electrode, the anode electrode disposed in the processing tank, and the substrate to be processed, at least a position on the central axis of the processing tank, and movably to a position eccentric from the central axis, And substrate holding means configured to rotate the substrate to be processed at each position. 8. The plating apparatus according to claim 7, wherein the substrate to be processed is movably held at least at a position on the central axis of the processing tank and at a position eccentric from the central axis, and at each position, the substrate to be processed is provided. Is provided with a substrate holding means for rotatably holding the substrate, so that the substrate to be processed is brought into contact with the processing liquid while being rotated at a position eccentric from the central axis of the processing tank, and then returned to a position on the central axis. A plating process can be performed. As a result, it is possible to remove bubbles and form a uniform plating layer. The plating apparatus of claim 8 is
A processing tank configured to be capable of performing a predetermined electrolytic plating process on the substrate to be processed, and capable of storing a plating solution, and a cathode electrode configured to be in contact with each of the substrates to be processed. An anode electrode disposed in the processing bath, and a substrate holding unit configured to be rotatable at a position eccentric from the central axis of the processing bath. And In the plating apparatus according to the eighth aspect, since the substrate holding means for rotatably holding a plurality of substrates to be processed at a position eccentric from the center axis of the processing tank is provided, the plurality of substrates to be processed can be held at one time. The processing can be performed, and the processing speed can be improved. The plating apparatus according to claim 9 is the plating apparatus according to claim 8, wherein the anode electrodes are arranged in the same number as the plurality of substrates to be processed, and are eccentric from a central axis of the processing tank. It is characterized by being arranged substantially coaxially with the position. In the plating apparatus according to the ninth aspect, in the plating apparatus according to the eighth aspect, the anode electrodes are disposed in the same number as the plurality of substrates to be processed, and are eccentric from a center axis of the processing bath. Since it is disposed substantially coaxially, it is possible to efficiently remove bubbles by arranging water at an eccentric position. Further, since the anode electrode is provided coaxially with the substrate to be processed, a uniform electric field is formed between the substrate to be processed and the anode electrode, and a uniform plating layer can be obtained.

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の第一の実施の形態に係るメッキ処理システムについ
て説明する。図１は本実施の形態に係るメッキ処理シス
テムの斜視図であり、図２は同メッキ処理システムの平
面図であり、図３は同メッキ処理システムの正面図であ
り、図４は同メッキ処理システムの側面図である。図１
〜図４に示すように、このメッキ処理システム１はウエ
ハＷを出し入れしたり運搬するキャリアステーション２
とウエハＷに実際に処理を施すプロセスステーション３
とから構成されている。キャリアステーション２はウエ
ハＷを収容する載置台２１と載置台２１上に載置された
キャリアカセットＣにアクセスしてその中に収容された
ウエハＷを取り出したり、処理が完了したウエハＷを収
容したりするサブアーム２２とから構成されている。キ
ャリアカセットＣ内には複数枚、例えば２５枚のウエハ
Ｗを等間隔毎に水平に保った状態で垂直方向に収容され
るようになっている。載置台２１上には図中Ｘ方向に例
えば４個のキャリアカセットＣが配設されるようになっ
ている。サブアーム２２は図２中Ｘ方向に配設されたレ
ール上を移動するとともに鉛直方向（Ｚ方向）即ち図２
中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ水平面内で回転可能
な構造を備えている。このサブアーム２２は略水平面内
で伸縮可能なウエハ保持部材２３を備えており、これら
のウエハ保持部材２３を伸縮させることにより載置台２
１上に載置されたキャリアカセットＣの未処理のウエハ
ＷをキャリアカセットＣから取り出したり、処理が完了
したウエハＷをキャリアカセットＣ内に収納するように
なっている。またこのサブアーム２２は後述するプロセ
スステーション３との間でも、処理前後のウエハＷを受
け渡しするようになっている。プロセスステーション３
は図１〜図４に示すように直方体又は立方体の箱型の外
観を備えており、その周囲全体は耐食性の材料、例えば
樹脂や表面を樹脂でコーティングした金属板などででき
たハウジング３１で覆われている。プロセスステーショ
ン３の内部は図１〜図４に示すように略立方形或いは直
方形の箱型の構成となっており、内部には処理空間Ｓが
形成されている。処理空間Ｓは図１及び図４に示すよう
に直方体型の処理室であり、処理空間Ｓの底部には底板
３３が取り付けられている。処理空間Ｓには、複数の処
理ユニット、例えば４基のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ
４が例えば処理空間Ｓ内の、以下に説明するメインアー
ム３５の周囲にそれぞれ配設されている。図１及び図２
に示すように底板３３のほぼ中央にはウエハＷを搬送す
るためのメインアーム３５が配設されている。このメイ
ンアーム３５は昇降可能かつ略水平面内で回転可能にな
っており、更に略水平面内で伸縮可能な上下二本のウエ
ハ保持部材３６を備えており、これらのウエハ保持部材
３６を伸縮させることによりメインアーム３５の周囲に
配設された処理ユニットに対して処理前後のウエハＷを
出し入れできるようになっている。またメインアーム３
５は垂直方向に移動して上段側の処理ユニットへもアク
セス可能に構成されており、下段側の処理ユニットから
上段側の処理ユニットへウエハＷを搬送したり、その逆
に上段側の処理ユニットから下段側の処理ユニットへウ
エハＷを搬送するようになっている。更にこのメインア
ーム３５は保持したウエハＷを上下反転させる機構を備
えており、一の処理ユニットから他の処理ユニットへウ
エハＷを搬送する間にウエハＷを上下反転できる構造を
備えている。なお、このウエハＷを反転する機能はメイ
ンアーム３５に必須の機能ではない。上段側には他の処
理ユニット、例えば洗浄処理ユニット１００が例えば２
基キャリアステーションに近い側、即ち前記メッキ処理
ユニットＭ１、Ｍ２の上側にそれぞれ配設されている。
また、アニーリング処理ユニットが例えば２基キャリア
ステーションに遠い側、即ち前記メッキ処理メッキユニ
ットＭ３〜Ｍ４の上側にぞれぞれ配設されることも可能
である。プロセスステーション３のハウジング３１のう
ち、キャリアステーション２に対面する位置に配設され
たハウジング３１ａには、図３に示すように３つの開閉
可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が配設されている。これらのう
ちＧ１は下段側に配設されたメッキ処理ユニットＭ１と
Ｍ２との間に配設された中継載置台３７の位置に対応す
る開口部であり、キャリアカセットＣからサブアーム２
２が取り出した未処理のウエハＷをプロセスステーショ
ン３内に搬入する際に用いられる。搬入の際には開口部
Ｇ１が開かれ、未処理ウエハＷを保持したサブアーム２
２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材２３を伸長させて中
継載置台３７上にウエハＷを置く。この中継載置台３７
にメインアーム３５がウエハ保持部材３６を伸長させて
中継載置台３７上に載置されたウエハＷを保持してメッ
キ処理ユニットＭ１〜Ｍ４などの処理ユニット内まで運
ぶ。残りの開口部Ｇ２及びＧ３は処理空間Ｓのキャリア
ステーション２に近い側に配設された洗浄処理ユニット
１００に対応する位置に配設されており、これらの開口
部Ｇ２、Ｇ３を介してサブアーム２２が処理空間Ｓ内の
上段側に配設された洗浄処理ユニット１００に直接ウエ
ハ保持部材２３を伸長させて処理が完了したウエハＷを
受け取ることができるようになっている。また、処理空
間Ｓ内には図４中上から下向きのエアフローが形成され
ており、システム外から供給された清浄なエアが処理空
間Ｓの上部から供給され、洗浄処理ユニット１００、メ
ッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４に向けて流下し、処理空間
Ｓの底部から排気されてシステム外に排出されるように
なっている。このように処理空間Ｓ内を上から下に清浄
な空気を流すことにより、下段側のメッキ処理ユニット
Ｍ１〜Ｍ４から上段側の洗浄ユニット１００の方には空
気が流れないようになっている。そのため、常に洗浄処
理ユニット側は洗浄な雰囲気に保たれている。更に、メ
ッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４や洗浄処理ユニット１００
等の各処理ユニット内はシステムの処理空間Ｓよりも陰
圧に維持されており、空気の流れは処理空間Ｓ側から各
処理ユニット内に向って流れ、各処理ユニットからシス
テム外に排気される。そのため、処理ユニット側から処
理空間Ｓ側に汚れが拡散するのが防止される。次に、本
実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１について説明
する。図５は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ
１の概略斜視図であり、図６は同メッキ処理ユニットの
一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図であり、図７は
同メッキ処理ユニットの概略平面図である。図５及び図
６に示すように、このメッキ処理ユニットＭ１では、ユ
ニット全体が密閉構造のハウジング４１で覆われてい
る。このハウジング４１も樹脂等の耐食性の材料で構成
されている。ハウジング４１の内部は上下２段、即ち下
段に位置する第１の処理部Ａと上段に位置する第２の処
理部Ｂとに分かれた構造になっている。第１の処理部Ａ
の内部にはメッキ液槽４２が配設されている。このメッ
キ液槽４２は内槽４２ａと内槽４２ａの外側に内槽４２
ａと同心的に配設された外槽４２ｂの２重槽から構成さ
れており、メッキ液で内槽４２ａを満たしたときにメッ
キ液の液面が後述するメッキ位置（ＩＶ）で停止させた
ドライバ６１に保持されたウエハＷの被メッキ面より高
い位置にくるように内槽４２ａが固定されている。内槽
４２ａは有底の略円筒形に形成されており、内槽４２ａ
の開口面は略水平に維持されている。内槽４２ａの内部
には内槽４２ａの底面側から上面に向けてメッキ液を噴
出させる噴出管４３が内槽４２ａの底面の略中心から内
槽４２ａの深さ方向略中間付近まで突出している。噴出
管４３の周囲には例えば複数の銅球を集めて形成された
略円盤状のアノード電極としての電極４４が内槽４２ａ
と同心的に配設されており、電極４４として機能する銅
球を例えば硫酸銅を含んだメッキ液中に溶解させること
によりメッキ液中の銅イオンの減少を防止している。ま
た、この電極４４には導線が外槽４２ｂの外部にある図
示しない電源まで延設されており、この電源を投入する
ことにより電極４４とウエハＷを保持する後述するドラ
イバ６１に設けられた凸形コンタクト６４との間に電界
を形成するようになっている。噴出管４３の端部外周と
内槽４２ａとの間には内槽４２ａを上下に仕切り分ける
隔膜４５が電極４４の上方に設けられており、隔膜４５
で仕切られた内槽４２ａの上側（以下「内槽の上側」と
いう。）には噴出管４３からメッキ液が供給され、隔膜
４５で仕切られた内槽４２ａの下側（以下「内槽の下
側」という。）には後述する循環配管４６からメッキ液
が供給されるようになっている。また、この隔膜４５は
イオンを透過するが、電極４４としての銅球を溶解させ
たときに生じる不純物及びウエハＷの被メッキ面にメッ
キ層を形成する工程中に発生する例えば酸素及び水素の
ような泡を透過させないように構成されている。また、
内槽４２ａの底面の中心から偏心した位置には循環配管
４６，４７が設けられており、この循環配管４６，４７
の間には図示しないポンプが配設されている。このポン
プを作動させて内槽４２ａの下側にメッキ液を循環させ
るようになっている。外槽４２ｂは、内槽４２ａと同様
に有底の略円筒形に形成されており、外槽４２ｂの開口
面は略水平に維持されている。外槽４２ｂの底部には排
出口が２箇所設けられており、この排出口には配管４８
が接続されている。この配管４８と噴出管４３との間に
はポンプ４９が配設されており、このポンプ４９を作動
させて内槽４２ａからオーバーフローして外槽４２ｂに
溜められたメッキ液を再び内槽４２ａの上側に供給する
ようになっている。また、配管４８にはメッキ液を収容
したタンク５０がポンプ５１とバルブ５２を介して接続
されており、ポンプ５１を作動させるとともにバルブ５
２を開くことによりタンク５０内のメッキ液を内４２ａ
槽に供給するようになっている。第２の処理部Ｂにはウ
エハＷを保持する保持機構としてのドライバ６１がメッ
キ液槽４２の中心の真上に配設されている。またドライ
バ６１はウエハＷを保持する保持部６２と、この保持部
６２ごとウエハＷを略水平面内で回転させるモータ６３
とから構成されている。保持部６２は１枚のウエハＷを
略水平に収容可能な有底の略円筒形に形成されている。
図６中の一部拡大図に示すように保持部６２底面の側上
には例えば１２８等分された位置にウエハＷに電圧を印
加するための凸形コンタクト６４が配設されている。こ
の凸形コンタクト６４は図示しない電源と導線を介し電
気的に接触している。凸形コンタクト６４上にはウエハ
Ｗの被メッキ面に例えばスパッタリングにより予め銅の
薄膜を形成したウエハＷを載置するので、凸形コンタク
ト６４に印加された電圧がウエハＷの被メッキ面にも印
加される。さらに、保持部６２の底面内側にはシール部
材６５が同心的に設けられており、ウエハＷの被メッキ
面をメッキ液に接触させた際にメッキ液が保持部６２内
に浸入するのを防止している。モータ６３の外側容器に
はドライバ６１を支持する支持梁６６が取り付けられて
いる。支持梁６６には水平方向に伸縮自在なシリンダ６
７が内蔵されており、このシリンダ６７を駆動させるこ
とにより支持梁６６に支持されたドライバ６１を略水平
に移動させるようになっている。支持梁６６の端はハウ
ジング４１の内壁に対してガイドレール６８を介して昇
降可能に取り付けられている。支持梁６６は更に上下方
向に伸縮自在なシリンダ６９を介してハウジング４１に
取り付けられており、このシリンダ６９を駆動させるこ
とにより支持梁６６に支持されたドライバ６１をガイド
レール６８に沿って昇降させるようになっている。具体
的には図６に示すように、ドライバ６１はウエハＷを搬
送するための搬送位置（Ｉ）と、ウエハＷのメッキ形成
面を洗浄処理する洗浄位置（ＩＩ）と、ウエハＷの被メ
ッキ面の水切り（液切り）を行なうためのスピンドライ
位置（ＩＩＩ）と、メッキ液中に浸漬させた状態で電圧
を印加してメッキ層を形成するメッキ位置（ＩＶ）の、
メッキ液槽４２の中心軸上にある主に４つの異なる高さ
の位置との間で昇降する。また、ドライバ６１はメッキ
液槽４２の中心と、メッキ位置（ＩＶ）と同一の高さに
あり後述する泡抜きをするメッキ液槽４２の中心から偏
心した位置（Ｖ）との主に２つの異なる位置との間で略
水平に移動する。このメッキ位置（ＩＶ）と偏心した位
置（Ｖ）との距離は、メッキ液中に浸漬したウエハＷを
回転させたときにメッキ液槽４２の中心を軸とする渦流
が発生せずに、乱流が生じるような距離であり、具体的
には例えばウエハＷの直径の１／２〜１／４の範囲が好
ましい。ここで、メッキ位置（ＩＶ）と偏心した位置
（Ｖ）との距離の好ましい範囲を上記範囲としたのは、
上記範囲以上或いは以下であると十分に泡抜きすること
ができないという弊害が生じるからである。第１の処理
部Ａと第２の処理部Ｂとの間には洗浄ノズル７０及びそ
の下側に配設された排気口７１を内蔵したセパレータ７
２が配設されている。このセパレータ７２の中央には、
ドライバ６１に保持されたウエハＷが第１の処理部Ａと
第２の処理部Ｂとの間を行き来できるように貫通孔が設
けられている。また、第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂ
との境界にあたる部分のハウジングにはウエハＷをメッ
キ処理ユニットＭ１内に搬出入するゲートバルブ７３が
設けられている。このゲートバルブ７３を閉じるとメッ
キ処理ユニットＭ１内はその外側の処理空間Ｓとは隔絶
された空間となるので、メッキ処理ユニットＭ１から外
側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防止される。また、
メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ２はそれぞれ別個独立に運
転することができ、処理システムに対してそれぞれが着
脱可能に構成されている。そのため、一つのメッキ処理
ユニットを代替使用することができ、保守管理が容易に
行える。次にウエハＷの被メッキ面にメッキを施すメッ
キ処理システムについて説明する。図８は本実施の形態
に係るメッキ処理システム全体のフローを示すフローチ
ャートである。図８に示すように、電源を投入してこの
メッキ処理システムを立ち上げ、ウエハＷを１ロット、
例えば２５枚収容したキャリアカセットＣを図示しない
搬送ロボットにより載置台２１に載置する。キャリアカ
セットＣが載置されると、サブアーム２２がキャリアカ
セットＣの前まで移動し、載置台２１上に載置されたキ
ャリアカセットＣ内にウエハ保持部材２３を差し込ませ
キャリアカセットＣから未処理のウエハＷを取り出す。
さらにサブアーム２２が回転するとともにウエハＷを保
持したウエハ保持部材２３が伸長して、開口部Ｇ１を介
し第１の処理室内にある中継載置台３７上にウエハＷを
一旦載置する。中継載置台３７上にウエハＷが載置され
ると、メインアーム３５のウエハ保持部材３６が伸長し
て中継載置台３７の未処理のウエハＷを受け取る。未処
理のウエハＷを受け取った後メインアーム３５がウエハ
Ｗの上下を反転させるとともに回転して、ウエハ保持部
材３６が伸長して例えばメッキ処理ユニットＭ１内にウ
エハＷを搬入する（ステップ１）。以下、メッキ処理ユ
ニットＭ１のメッキ処理（ステップ２）のフローについ
て図９及び図１０〜図１３に沿って説明する。図９は本
実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行われるメッキ
処理のフローを示したフローチャートであり、図１０〜
図１３は本実施の形態に係るメッキ処理の各工程を模式
的に示した垂直断面図である。中継載置台３７からウエ
ハＷを受け取ったメインアーム３５がウエハＷの上下を
反転させてメッキ処理ユニットＭ１にアクセスする。即
ちメッキ処理ユニットＭ１の側壁に設けられたゲートバ
ルブ７３が開かれて、未処理のウエハＷを保持したまま
ウエハ保持部材３６が伸長して図１０（ａ）に示すよう
にウエハ保持部３６から前記搬送位置（Ｉ）に待機して
いるドライバ６１の保持部６２にウエハＷの被メッキ面
をメッキ液の液面に向けて略水平に載置するようにウエ
ハＷを引き渡す（ステップ２（１ａ））。ウエハ保持部
材３６がドライバ６１の保持部６２にウエハＷを引き渡
した後、ウエハ保持部材３６が縮退してゲートバルブ７
３を閉じる。なお、このときメッキ液槽４２の内槽４２
ａ内にはメッキ液を一杯にさせておく。ゲートバルブ７
３を閉じた後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図
１０（ｂ）に示すようにメッキ位置（ＩＶ）まで下降し
てウエハＷの被メッキ面をメッキ液中に浸漬する（ステ
ップ２（２ａ））。ここで、ウエハＷの被メッキ面がメ
ッキ液液面に接触する際にウエハＷの被メッキ面とメッ
キ液の液面との間には空気が入り込んでしまうので被メ
ッキ面に均一なメッキ層を形成するには被メッキ面に付
着した空気の泡を泡抜きする必要がある。そこで、ウエ
ハＷの被メッキ面がメッキ液の液面に接触している状態
でドライバ６１がシリンダ６７の駆動で図１０（ｃ）に
示すようにメッキ液槽４２の中心から偏心した位置
（Ｖ）に略水平に移動する（ステップ２（３ａ））。こ
の状態でウエハＷを保持した保持部６２がドライバ６１
のモータ６３の駆動で図１０（ｄ）に示すように略水平
面内で回転してウエハＷの被メッキ面に付着している空
気の泡を被メッキ面から泡抜きする（ステップ２（４
ａ））。ここでウエハＷを回転するときの回転速度、即
ち第１の回転速度Ｒ１はウエハＷ下面側に付着した泡を
除去しやすい回転速度であり、メッキ液槽４２中のメッ
キ液上部に、処理液槽４２の中心に略固定された回転軸
の回りにメッキ液が回転してできる渦流ではなく、回転
軸が固定されない乱流が生じるような回転速度である。
具体的な数値はいわゆる設計事項であり、一義的に特定
することはできないが、第１の回転速度Ｒ１は、例え
ば、１００〜３００ｒ．ｐ．ｍが好ましい範囲として挙
げられる。ここで、第１の回転速度Ｒ１の好ましい範囲
を上記範囲としたのは、上記範囲を下回ると、泡が十分
に抜けないという弊害が生じるからであり、反対に、上
記範囲を上回るとメッキ液を攪拌しすぎて渦流が生じて
しまいメッキ液に流れる電流の値である電流濃度が不均
一なるという弊害及びハウジング４１にメッキ液が飛散
するという弊害が生じるからである。十分に泡抜きが行
われた後、ウエハＷの被メッキ面がメッキ液の液面に接
触した状態でドライバ６１がシリンダ６７の駆動で図１
１（ａ）に示すように再びメッキ液槽４２の中心にある
メッキ位置（ＩＶ）に移動する（ステップ２（５
ａ））。ドライバ６１がメッキ位置（ＩＶ）に移動した
後、保持部６２がモータ６３の駆動で図１１（ｂ）に示
すように略水平面内で回転するとともに電極４４と凸形
コンタクト６４に接触しているウエハＷとの間に電圧が
印加されてウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開
始する（ステップ２（６ａ））。ここで、メッキ時にウ
エハＷを回転するときの回転速度、即ち第２の回転速度
Ｒ２はメッキ時にウエハＷ下面側に発生した泡を除去し
やすい回転速度であり、しかも、メッキ液を循環させて
ウエハＷ下面側に均一なメッキ層を形成させるような回
転速度である。具体的な数値はいわゆる設計事項であ
り、一義的に特定することはできないが、第２の回転速
度Ｒ２は、例えば、１０〜２００ｒ．ｐ．ｍが好ましい
範囲として挙げられる。ここで、第２の回転速度Ｒ２の
好ましい範囲を上記範囲としたのは、上記範囲を下回る
と、面内均一性が低下するという弊害が生じるからであ
り、反対に、上記範囲を上回るとメッキ液を攪拌しすぎ
て渦流が生じてしまいメッキ液の電流濃度が不均一なる
という弊害が生じるからである。ウエハＷの被メッキ面
に十分な厚さのメッキ層を形成した後、図１１（ｃ）に
示すように電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了
する（ステップ２（７ａ））。続いて所定量のメッキ液
がポンプ５１の作動及びバルブ５２の開放でメッキ液槽
４２からタンク５０に戻され、図１１（ｄ）に示すよう
にメッキ液槽４２のメッキ液の液面が低下する（ステッ
プ２（８ａ））。それと同時にドライバ６１を上昇させ
てスピンドライ位置（ＩＩＩ）に移動させ、この高さで
保持部６２がモータ６３の駆動で図１２（ａ）に示すよ
うに略水平面内で回転してスピンドライを行いウエハＷ
のメッキ形成面に付着している余分なメッキ液を取り除
く（ステップ２（９ａ））。十分にスピンドライを行っ
た後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１２
（ｂ）に示すように洗浄位置（ＩＩ）に上昇する（ステ
ップ２（１０ａ））。洗浄位置（ＩＩ）で保持部６２が
モータ６３の駆動で図１２（ｃ）に示すように回転する
とともにセパレータ７２に内蔵されている洗浄ノズル７
０から純水がウエハＷのメッキ層形成面に向けて噴射さ
れて、ウエハＷのメッキ層形成面が洗浄される（ステッ
プ２（１１ａ））。ウエハＷのメッキ層形成面の洗浄が
終了した後、ドライバ６１を洗浄位置（ＩＩ）に維持し
たまま例えばウエハＷを昇降させる図示しないリフタに
よりウエハＷを少し上昇させる。この状態で保持部６２
がモータ６３の駆動で図１２（ｄ）に示すように回転す
るとともにセパレータ７３に内蔵された洗浄ノズル７０
から純水が保持部６１の凸形コンタクト６４に向けて噴
射されて凸形コンタクト６４を洗浄する（ステップ２
（１２ａ））。凸形コンタクト６４の洗浄が終了した
後、図示しないリフタによりウエハＷを下降させて保持
部６２に載置させる。この状態でドライバ６１がシリン
ダ６９の駆動で図１３（ａ）に示すようにスピンドライ
位置（ＩＩＩ）まで下降する（ステップ２（１３
ａ））。更に保持部６２がモータ６３の駆動で図１３
（ｂ）に示すように回転してスピンドライを行い、洗浄
された凸形コンタクト６４に付着されている水分を取り
除く（ステップ２（１４ａ））。その後、ドライバ６１
がシリンダ６９の駆動で図１３（ｃ）に示すように搬送
位置（Ｉ）まで上昇する（ステップ２（１５ａ））。こ
の状態でゲートバルブ７３を開きメインアーム３５のウ
エハ保持部材３６が伸長して保持部６２に保持されたウ
エハＷを受け取り、図１３（ｄ）に示すようにメッキ処
理ユニットＭ１での処理が完了したウエハＷが搬出され
る（ステップ２（１６ａ））。メッキ処理ユニットＭ１
での処理が完了した後、ウエハ保持部材３６に保持され
たウエハＷは必要に応じて組成の異なるメッキ液が収容
された他のメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４に搬送され
て、他のメッキ処理が行われる。同様にして次々に組成
の異なるメッキ液が収容されたメッキ処理ユニットＭ２
〜Ｍ４にウエハＷが搬送されて、メッキ処理が行われ
る。一連のメッキ処理が終了した後、メインアーム３５
のウエハＷを保持したウエハ保持部材３６を上昇させて
洗浄処理ユニット１００内にウエハＷを搬送し、洗浄処
理を行う（ステップ３）。洗浄処理ユニット１００によ
る洗浄処理が完了したら、後続の処理、例えば、アニー
リング処理を行なう。このアニーリング処理はいわゆる
熱盤上にウエハＷを所定時間載置して行う（ステップ
４）。アニーリングが完了すると、再びメインアーム３
５が処理後のウエハＷを受け取り、サブアーム２２にウ
エハＷを引き渡す（ステップ５）。その後、サブアーム
２２がウエハ保持部材２３を伸長させて処理済のウエハ
ＷをキャリアカセットＣ内に戻す。このように、本実施
の形態のメッキ処理ユニットＭ１では、メッキ液槽４２
の中心から偏心した位置（Ｖ）でウエハＷを回転させる
のでウエハＷの被メッキ面とメッキ液の液面との間に生
ずる空気の泡を確実に泡抜きすることができる。即ち、
メッキ液槽４２の中心で保持部６２を回転させた場合と
同様に保持部６２の回転に伴いこの回転に引きずられて
メッキ液の回転も起こるが、メッキ液槽４２の中心から
偏心した位置（Ｖ）で保持部６２を回転させた場合に
は、メッキ液の回転が起きてもメッキ液の回転が層流に
はならず、保持部６２の回転の中心に渦流が生じなくな
る。その結果、ウエハＷの被メッキ面の中心に泡が集ま
ることがなく、ウエハＷの回転によりウエハＷの外側方
向に泡が移動して泡をウエハＷの被メッキ面から確実に
取り除くことができる。また、ウエハＷと電極４４との
間に電圧を印加してメッキ層を形成するので電圧を印加
しない泡抜きする工程ではウエハＷの被メッキ面にメッ
キ層が形成されることがない。即ち、泡がウエハＷの被
メッキ面に付着したままウエハＷの被メッキ面にメッキ
層を形成しないので、より均一にメッキ層を形成するこ
とができる。更に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４と洗
浄処理ユニット１００を多段に配設するのでメッキ処理
システムにおけるフットプリントを小さく抑えることが
できる。 （第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態
について説明する。なお、以下本実施の形態以降の実施
の形態のうち先行する実施の形態と重複する内容につい
ては説明を省略する。本実施の形態ではメッキ層を形成
するメッキ工程よりも大きい流量のメッキ液を供給しな
がら泡抜きする泡抜き工程を行う構成とした。噴出管４
３にメッキ液を供給するポンプ４９には図示しない制御
装置が接続されている。この制御装置にはポンプ４９の
作動を制御するプログラムが入力されており、ポンプ４
９の作動を制御することにより噴出管４３から噴出され
るメッキ液の流量を調節するようになっている。ここ
で、メッキ工程でのメッキ液の流量は予め実験等で把握
したメッキ層を形成するのに適した流量に設定され、泡
抜き工程でのメッキ液の流量はメッキ液の噴出によりウ
エハＷの被メッキ面とメッキ液の液面との間に形成され
た泡をウエハＷの外周縁方向に追い出すためにメッキ工
程での流量よりも大きい流量に設定されている。以下、
メッキ処理ユニット内でのメッキ処理のフローについて
図１４〜図１７に沿って説明する。図１４は本実施の形
態に係るメッキ処理ユニットＭ１で行われるメッキ処理
のフローを示したフローチャートであり、図１５は本実
施の形態に係る泡抜き工程の状態を模式的に示した垂直
断面図であり、図１６は本実施の形態に係るメッキ工程
の状態を模式的に示した垂直断面図であり、図１７は本
実施の形態に係るメッキ処理工程のタイミングチャート
である。第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニット
Ｍ１内に未処理のウエハＷが搬入され、ウエハＷを保持
したドライバ６１がメッキ液槽４２の中心から偏心した
位置（ＩＶ）に移動する（ステップ２（１ｂ）〜ステッ
プ２（３ｂ））。その後、ドライバ６１の保持部６２が
回転するとともに制御装置がポンプ４９の作動を制御し
図１５に示すように流量Ｑ１のメッキ液がメッキ液槽４
２に供給され泡抜きが行われる。即ち、図１７に示すよ
うに流量Ｑ１のメッキ液が泡抜き開始時期ｔ０から泡抜
き終了時期ｔ１までの間メッキ液槽４２に供給される
（ステップ２（４ｂ））。ここで流量Ｑ１の値は、ウエ
ハＷ着水時にウエハＷ下面側に付着した泡を効果的に除
去できる流量である。Ｑ１の具体的な数値はいわゆる設
計事項であり、一義的に特定することはできないが、流
量Ｑ１の値は、例えば、５．０〜３０ ｌ／ｍｉｎが好
ましい範囲として挙げられる。ここで、Ｑ１の好ましい
範囲を上記範囲としたのは、上記範囲を下回ると、十分
に泡を除去できないという弊害が生じるからであり、反
対に、上記範囲を上回ると電流濃度が低下するという弊
害が生じるからである。泡抜き終了後、ドライバ６１が
メッキ液槽４２の中心と同軸上にあるメッキ位置（Ｉ
Ｖ）に移動（ステップ２（５ｂ））する。その後、保持
部６２が回転し電圧が印加されるとともに制御装置がポ
ンプ４９の作動を制御し図１６に示すように流量Ｑ１よ
りも小さい流量Ｑ２のメッキ液がメッキ液槽４２に供給
されてメッキ層の形成が開始される（ステップ２（６
ｂ））。ここで流量Ｑ２の値は、メッキ時にウエハＷ下
面側に発生した泡を効果的に除去できる流量であり、か
つ、メッキ液を循環させてウエハＷ下面側に均一なメッ
キ層を形成させるような流量である。具体的な数値はい
わゆる設計事項であり、一義的に特定することはできな
いが、流量Ｑ２は、例えば、１．０〜１０ ｌ／ｍｉｎ
が好ましい範囲として挙げられる。ここで、流量Ｑ２の
好ましい範囲を上記範囲としたのは、上記範囲を下回る
と、面内均一性が低下するという弊害が生じるからであ
り、反対に、上記範囲を上回ると再現性及び安定性が低
下するという弊害が生じるからである。図１７に示すよ
うに流量Ｑ２のメッキ液がメッキ層の形成開始時期ｔ２
からメッキ層の形成終了時期ｔ３までの間メッキ液槽４
２に供給されウエハＷの被メッキ面にメッキ層が形成さ
れる。十分にウエハＷの被メッキ面にメッキ層が形成さ
れた後、電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了す
る（ステップ２（７ｂ））。その後、第１の実施の形態
と同様に所定の処理が行われ、処理済みのウエハがメッ
キ処理ユニットＭ１から搬出される（ステップ２（８
ｂ）〜ステップ２（１６ｂ））。このように、本実施の
形態に係るメッキ処理ユニットＭ１では、制御装置がポ
ンプ４９の作動を制御しメッキ工程より大きい流量でメ
ッキ液を供給しながら泡抜き工程を行うので泡がメッキ
液の噴出でウエハＷの外周縁方向に移動し易くなり、よ
り効率的に泡抜きできる。 （第３の実施の形態）以下、本発明の第３の実施の形態
について説明する。本実施の形態ではメッキ工程よりも
ウエハＷの回転速度を上げて泡抜き工程を行う構成とし
た。ドライバ６１のモータ６３には図示しない制御装置
が接続されている。この制御装置にはモータ６３の駆動
を制御するプログラムが入力されており、モータ６３の
駆動を制御することによりウエハＷの回転速度を調節す
るようになっている。ここで、メッキ工程でのウエハＷ
の回転速度は予め実験等で把握したメッキ層を形成する
のに適した回転速度に設定され、泡抜き工程でのウエハ
Ｗの回転速度はウエハＷの回転によりウエハＷの被メッ
キ面とメッキ液の液面との間に形成された泡をウエハＷ
の外周縁方向に追い出すためにメッキ工程での回転速度
よりも高く設定されている。以下、メッキ処理ユニット
Ｍ１内でのメッキ処理のフローについて図１８〜図２１
に沿って説明する。図１８は本実施の形態に係るメッキ
処理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示し
たフローチャートであり、図１９は本実施の形態に係る
泡抜き工程の状態を模式的に示した垂直断面図であり、
図２０は本実施の形態に係るメッキ工程の状態を模式的
に示した垂直断面図であり、図２１は本実施の形態に係
るメッキ処理工程のタイミングチャートである。第１の
実施の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に未処理
のウエハＷが搬入され、ウエハＷを保持したドライバ６
１がメッキ液槽４２の中心から偏心した位置（Ｖ）に移
動する（ステップ２（１ｃ）〜ステップ２（３ｃ））。
その後、制御装置がドライバ６１のモータ６３の駆動を
制御して図１９に示すようにドライバ６１の保持部６２
を回転速度ｖ１で回転させて泡抜きが行われる。即ち、
図２１に示すように保持部６３に保持されたウエハＷは
泡抜き開始時期ｔ０から泡抜き終了時期ｔ１までの間回
転速度ｖ１で回転する（ステップ２（４ｃ））。泡抜き
終了後、ドライバ６１がメッキ液槽４２の中心と同軸上
にあるメッキ位置（ＩＶ）に移動（ステップ２（５
ｃ））する。その後、制御装置がモータ６３の作動を制
御して図２０に示すように保持部６２を回転速度ｖ１よ
りも低い回転速度ｖ２で回転させ電圧を印加してメッキ
層の形成が開始される（ステップ２（６ｃ））。図２１
に示すように保持部６２に保持されたウエハＷがメッキ
層の形成開始時期ｔ２からメッキ層の形成終了時期ｔ３
までの間回転速度ｖ２で回転してウエハＷの被メッキ面
にメッキ層が形成される。十分にウエハＷの被メッキ面
にメッキ層が形成された後、電圧の印加を停止してメッ
キ層の形成を終了する（ステップ２（７ｃ））。その
後、第１の実施の形態と同様に所定の処理が行われ、処
理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ１から搬出さ
れる（ステップ２（８ｃ）〜ステップ２（１６ｃ））。
このように、本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ
１では、制御装置がモータ６３の駆動を制御しメッキ工
程よりウエハＷの回転速度を上げて泡抜き工程を行うの
で泡がウエハＷの回転でウエハＷの外周縁方向に移動し
易くなり、より効率的に泡抜きできる。 （第４の実施の形態）以下、本発明の第４の実施の形態
について説明する。本実施の形態では泡抜き工程又はメ
ッキ工程を２回以上行う構成とした。即ち、本実施の形
態のメッキ処理ユニットＭ１はメッキ工程中にウエハＷ
の被メッキ面とメッキ液の液面との間に形成される例え
ばメッキ液の電気分解で発生する水素や酸素のような泡
がウエハＷの被メッキ面に付着するとメッキ工程を中断
してドライバ６１をメッキ液槽４２の中心軸上にあるメ
ッキ位置（ＩＶ）からメッキ液槽４２の中心から偏心し
た位置（Ｖ）に移動させて泡抜きを行い、泡抜き終了後
にドライバ６１をメッキ位置（ＩＶ）に移動させて再び
メッキ工程を開始するように構成されている。以下、メ
ッキ処理ユニットＭ１内でのメッキ処理のフローについ
て図２７〜図２４に沿って説明する。図２７は本実施の
形態に係るメッキ処理ユニットＭ１で行われるメッキ処
理のフローを示したフローチャートであり、図２３
（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態に係るメッキ処理工程の
模式的に示した垂直断面図であり、図２４は本実施の形
態に係るメッキ処理工程のタイミングチャートである。
第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に
未処理のウエハＷが搬入され、ウエハＷを保持したドラ
イバ６１がメッキ液槽４２の中心から偏心した位置
（Ｖ）に移動するとともにウエハＷが回転し泡抜きが行
われる（ステップ２（１ｄ）〜ステップ２（４ｄ））。
泡抜き終了後、ドライバ６１がメッキ液槽４２の中心と
同軸上にあるメッキ位置（ＩＶ）に移動するとともにウ
エハＷが回転し、電圧を印加してウエハＷの被メッキ面
にメッキ層の形成が開始される（ステップ２（５ｄ）〜
ステップ２（６ｄ））。メッキ工程ではメッキ工程で発
生した泡がウエハＷの被メッキ面に付着する場合があ
る。そのため、この泡が図２３（ａ）に示すようにウエ
ハＷの被メッキ面に付着する（ステップ２（７ｄ））と
電圧の印加を停止してメッキ層の形成を中断させる（ス
テップ２（８ｄ））。その後、シリンダ６７の駆動で図
２３（ｂ）に示すようにドライバ６１が再びメッキ液槽
４２の中心からメッキ液槽４２の中心から偏心した位置
（Ｖ）に移動するとともに回転し、再び泡抜きする（ス
テップ２（９ｄ））。泡抜き終了後、シリンダ６７の駆
動で図２３（ｃ）に示すようにドライバ６１が再びメッ
キ液槽４２の中心軸上にあるメッキ位置（ＩＶ）に移動
するとともに回転し、電圧が印加され再びウエハＷの被
メッキ面にメッキ層の形成が開始される（ステップ２
（１０ｄ））。即ち、図２４に示すようにウエハＷは、
メッキ層形成開始時期ｔ０からウエハＷの被メッキ面に
泡が付着してメッキ層の形成を中断するメッキ層形成中
断時期ｔ１まではメッキ位置（ＩＶ）にあり、ウエハＷ
の被メッキ面の泡を泡抜きする泡抜き開始時期ｔ２から
泡抜き終了時期ｔ３まではメッキ液槽４２の中心から偏
心した位置（Ｖ）にあり、再びウエハＷの被メッキ面に
メッキ層の形成を開始するメッキ層形成開始時期ｔ４で
はメッキ位置（ＩＶ）にある。十分にウエハＷの被メッ
キ面にメッキ層が形成された後、電圧の印加を停止して
メッキ層の形成を終了する（ステップ２（１１ｄ））。
その後、第１の実施の形態と同様に所定の処理が行わ
れ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ１から
搬出される（ステップ２（１２ｄ）〜ステップ２（２０
ｄ））。このように、本実施の形態に係るメッキ処理ユ
ニットＭ１では、メッキ工程中に発生する泡がウエハＷ
の被メッキ面に付着しても再びメッキ液槽４２の中心か
ら偏心した位置（Ｖ）で泡抜きするのでより均一にウエ
ハＷの被メッキ面にメッキ層を形成することができる。 （第５の実施の形態）以下、本発明の第５の実施の形態
について説明する。本実施の形態では、メッキ液槽４２
の中心から偏心した位置（Ｖ）に保持機構としてのドラ
イバ６１を複数基配設する構成とした。図２５は本実施
の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１の概略斜視図であ
り、図２６は同メッキ処理ユニットＭ１の概略平面図で
ある。図２５および図２６に示すように、メッキ液槽４
２の真上にはメッキ液槽４２の中心から偏心した位置
（Ｖ）にドライバ６１が複数基、例えば４基配設されて
いる。各ドライバ６１はウエハＷを保持する保持部６２
と保持部６２ごと回転させるモータ６３から構成されて
いる。また、各ドライバ６１には図示しないシリンダが
取りつけられており、各ドライバ６１を図示しないガイ
ドレールに沿わせて昇降させるようになっている。ここ
で、本実施の形態では各ドライバ６１が昇降する際の停
止位置である搬送位置（ＶＩ）、洗浄位置（ＶＩＩ）お
よびメッキ位置（ＶＩＩＩ）はメッキ槽４２の中心から
偏心した位置（ＩＶ）の軸上にあるものとする。メッキ
液槽４２の内槽４２ａ内には各ドライバ６１と対向する
位置にアノードとしての電極４４がそれぞれ配設されて
いる。また内槽４２ａの中心にはメッキ液を噴出させる
噴出管４３が貫通しており、その周囲を電極４４が取り
囲んでいる。以下、メッキ処理ユニットＭ１内での処理
のフローについて図２７および図２８（ａ）〜（ｄ）に
沿って説明する。図２７は本実施の形態に係るメッキ処
理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示した
フローチャートであり、図２８（ａ）〜（ｄ）は本実施
の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面
図である。ウエハＷを保持したメインアーム３５がウエ
ハ保持部材３６を伸長させて図２８（ａ）に示すように
搬送位置（ＶＩ）にある４基の各ドライバ６１の保持部
にウエハＷを一枚ずつ載置する（ステップ２（１
ｅ））。その後、各保持部６１がモータ６３の駆動で図
２８（ｂ）に示すようにメッキ液槽４２の中心から偏心
した位置（ＩＶ）にあるメッキ位置（ＶＩＩＩ）まで下
降して各ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接触
させる（ステップ２（２ｅ））。各ドライバ６１がメッ
キ位置（ＶＩＩＩ）に停止している状態で各保持部６２
がモータ６３の駆動で図２８（ｃ）に示すように回転し
てウエハＷの被メッキ面に付着している空気の泡を泡抜
きする（ステップ２（３ｅ））。十分に泡抜きが行われ
た後、各ドライバ６１がメッキ位置（ＶＩＩＩ）に停止
している状態で各保持部６２がモータ６３の駆動で図２
８（ｄ）に示すように回転するとともに電圧が印加され
てウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開始する
（ステップ２（４ｅ））。各ウエハＷの被メッキ面に十
分な厚さのメッキ層を形成した後、電圧の印加を停止し
てメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５ｅ））。
その後、第１の実施の形態と同様に各ウエハＷに対し所
定の処理が行われ、処理済みの各ウエハＷがメッキ処理
ユニットＭ１から搬出される。（ステップ２（６ｅ）〜
ステップ２（１４ｅ））。このように、本実施の形態に
係るメッキ処理ユニットＭ１では、ドライバ６１をメッ
キ液槽４２の中心から偏心した位置（Ｖ）に予め配設す
るのでより効率的に泡抜きできるのに加え、ドライバ６
１を複数基配設し一度に複数枚のウエハＷを処理するの
で処理速度が向上するという特有の効果が得られる。 （第６の実施の形態）以下、本発明の第６の実施の形態
について説明する。本実施の形態では、泡抜き工程中に
ウエハＷを自転させるとともにメッキ液槽４２の中心を
軸に公転させる構成とした。図２９は本実施の形態に係
るメッキ処理ユニットＭ１の概略斜視図である。図２９
に示すようにドライバ６１のモータ６３の外側容器には
Ｌ字状の支持部材８１が取り付けられている。この支持
部材８１は伸縮自在なアーム８２と軸支部８３とから構
成されていており、このアーム８２の伸縮によりメッキ
液槽４２の中心とメッキ液槽４２の中心から偏心した位
置（Ｖ）との間でドライバ６１が略水平に移動するよう
になっている。また、軸支部８３の上端にはメッキ液槽
４２の中心軸上に配設された図示しないモータが取り付
けられている。このモータを駆動することによりメッキ
液槽４２の中心を軸にドライバ６１が略水平面内で回転
するようになっている。以下、メッキ処理ユニットＭ１
内でのメッキ処理のフローについて図３０および図３１
に沿って説明する。図３０は本実施の形態に係るメッキ
処理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示し
たフローチャートであり、図３１は本実施の形態に係る
泡抜き工程を模式的に示した平面図である。第１の実施
の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に未処理のウ
エハＷが搬入され、ウエハＷを保持したドライバ６１が
メッキ液槽４２の中心から偏心した位置（Ｖ）に移動す
る（ステップ２（１ｆ）〜ステップ２（３ｆ））。その
後、図３１に示すようにドライバ６１のモータ６３の駆
動でウエハＷが自転するとともに図示しないモータ６３
の駆動でウエハＷが公転して泡抜きが行われる（ステッ
プ２（４ｆ））。泡抜き終了後、ドライバ６１がメッキ
液槽４２の中心と同軸上にあるメッキ位置（ＩＶ）に移
動しウエハＷを回転させてウエハＷの被メッキ面にメッ
キ層が形成される（ステップ２（５ｆ）〜ステップ２
（７ｆ））。その後、第１の実施の形態と同様に所定の
処理が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニッ
トＭ１から搬出される（ステップ２（８ｆ）〜ステップ
２（１６ｆ））。このように、本実施の形態に係るメッ
キ処理ユニットＭ１では、ウエハＷを自転させるととも
に公転させて泡抜きしているので泡がウエハＷの外周縁
方向に移動し易くなり、より効率的に泡抜きできるとい
う特有の効果が得られる。なお、本発明は上記第１〜第
６の実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、
構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記第１〜第
６の実施の形態では、ウエハＷと内槽４２ａの内部にあ
る電極４４との間に電圧を印加してウエハＷの被メッキ
面にメッキ層を形成しているが、電極４４を設けない
で、つまり電圧を印加しないで例えば硫酸銅を溶解した
強塩基性の還元作用を有するメッキ液の液面にウエハＷ
の被メッキ面を接触させて還元析出反応によりウエハＷ
の被メッキ面にメッキ層を形成することも可能である。
また、上記第１〜第６の実施の形態ではウエハＷの一面
にのみメッキ処理を施す構成としたが、複数の異なる液
処理槽を配設しておき、反転させながら処理し、ウエハ
Ｗの表面と裏面とで異なる処理を施すようにすることも
できる。また、上記第１〜第６の実施の形態ではメッキ
処理ユニットを下段側に配設した構造としたが、液相で
の処理を施す処理ユニットであれば、メッキ処理ユニッ
ト以外の処理ユニットも使用できることはいうまでもな
い。また、上記第１〜第６の実施の形態では、被処理基
板としてウエハＷを使用しているが液晶用のＬＣＤガラ
ス基板を使用することも可能である。また、上記第２〜
第４或いは第６の実施の形態では、メッキ処理ユニット
Ｍ１内にドライバ６１が１基配設されているが、第５の
実施の形態のようにメッキ処理ユニットＭ１内にドライ
バ６１を複数基配設することも可能である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment)
About the plating system according to the first embodiment of the present invention,
Will be explained. FIG. 1 shows a plating system according to the present embodiment.
FIG. 2 is a perspective view of the plating system, and FIG.
FIG. 3 is a front view of the plating system.
FIG. 4 is a side view of the plating system. FIG.
As shown in FIG. 4 to FIG.
Carrier station 2 for loading / unloading / transporting W
And process station 3 for actually processing wafers W
It is composed of Carrier station 2
The mounting table 21 accommodating the wafer W and the mounting table 21
Accessed the carrier cassette C and housed in it
Take out the wafer W or collect the processed wafer W
And a sub-arm 22 for holding. Ki
The carrier cassette C contains a plurality of wafers, for example, 25 wafers.
W is stored vertically at equal intervals with horizontal
It has become so. Example on the mounting table 21 in the X direction in the figure
For example, four carrier cassettes C are provided.
ing. The sub-arm 22 is a laser disposed in the X direction in FIG.
While moving on the vertical axis (Z direction), that is, FIG.
Can move up and down in the direction perpendicular to the paper surface and can rotate in the horizontal plane
It has a simple structure. This sub arm 22 is substantially in a horizontal plane
And a wafer holding member 23 which can be extended and contracted.
The mounting table 2 is expanded and contracted by
1 unprocessed wafers of the carrier cassette C placed on 1
W is removed from carrier cassette C or processing is completed.
So that the wafer W is stored in the carrier cassette C.
Has become. The sub arm 22 is connected to a
The wafer W before and after processing is also received between the
It is designed to be handed over. Process station 3
Is outside of a rectangular or cubic box as shown in FIGS.
The entire perimeter is a corrosion resistant material, such as
Can be made of resin or a metal plate whose surface is coated with resin
The housing 31 is covered. Process station
The interior of the housing 3 is substantially cubic or straight as shown in FIGS.
It has a rectangular box-shaped configuration, and a processing space S is inside.
Is formed. The processing space S is as shown in FIGS.
And a bottom plate at the bottom of the processing space S.
33 are attached. The processing space S includes a plurality of processes.
Processing units, for example, four plating units M1 to M
4 is, for example, a main arc described below in the processing space S.
Each of them is arranged around the system 35. 1 and 2
The wafer W is transported to almost the center of the bottom plate 33 as shown in FIG.
Main arm 35 is provided. This May
Arm 35 can be raised and lowered and rotatable in a substantially horizontal plane.
In addition, two upper and lower
The wafer holding member 36 is provided.
36 around the main arm 35 by expanding and contracting
The wafers W before and after the processing are disposed in the disposed processing unit.
It can be taken in and out. Also the main arm 3
5 moves vertically to access the upper processing unit.
It is configured to be accessible from the lower processing unit.
The wafer W is transferred to the upper processing unit or vice versa.
From the upper processing unit to the lower processing unit.
Eha W is transported. In addition,
The arm 35 has a mechanism for turning the held wafer W upside down.
From one processing unit to another
A structure that allows the wafer W to be turned upside down while transferring the wafer W
Have. Note that the function of reversing the wafer W is
This is not an essential function of the arm 35. There are other processes on the upper side
Processing unit, for example, the cleaning unit 100
The side close to the base carrier station, that is, the plating process
They are arranged above the units M1 and M2, respectively.
Also, the annealing processing unit is, for example, a two-carrier
Station far side, that is, the plating unit
It is also possible to arrange each above the M3 ~ M4
It is. Housing 31 of process station 3
And is disposed at a position facing the carrier station 2.
The housing 31a has three open / close ports as shown in FIG.
Possible openings G1 to G3 are provided. These
G1 is a plating unit M1 disposed on the lower side.
M2 and the position of the intermediate mounting table 37
Opening from the carrier cassette C to the sub arm 2
2 removes the unprocessed wafer W from the process station
It is used when carrying in the car 3. Opening when loading
G1 is opened and the sub arm 2 holding the unprocessed wafer W
2 extends the wafer holding member 23 into the processing space S and
The wafer W is placed on the transfer table 37. This relay mounting table 37
The main arm 35 extends the wafer holding member 36
While holding the wafer W placed on the
Operate into processing units such as processing units M1 to M4
Huh. The remaining openings G2 and G3 are carriers in the processing space S.
Cleaning processing unit arranged near station 2
100, and these openings are provided.
The sub-arm 22 in the processing space S is connected via the sections G2 and G3.
The wafer is directly transferred to the cleaning unit 100 disposed on the upper side.
The wafer W that has been processed by extending the holding member 23 is
You can receive it. Also processing empty
In the interval S, a downward airflow is formed from above in FIG.
Clean air supplied from outside the system
Supplied from the upper part of the space S,
Flowing down to the processing units M1 to M4, the processing space
So that it is exhausted from the bottom of the S and out of the system
Has become. Thus, the inside of the processing space S is cleaned from top to bottom.
The lower plating process unit
Empty from M1 to M4 toward the upper cleaning unit 100
I don't want to go. Therefore, always
The processing unit side is kept in a clean atmosphere. In addition,
The stick processing units M1 to M4 and the cleaning processing unit 100
Inside each processing unit is smaller than the processing space S of the system.
Pressure, and the air flow is
Flows into the processing units, and the system
It is exhausted outside the system. Therefore, processing from the processing unit side
Dirt is prevented from being diffused to the physical space S side. Next, the book
Description of Plating Unit M1 According to Embodiment
I do. FIG. 5 shows a plating unit M according to the present embodiment.
FIG. 6 is a schematic perspective view of FIG. 1, and FIG.
FIG. 7 is a schematic vertical sectional view including a partially enlarged view, and FIG.
It is a schematic plan view of the plating unit. FIG. 5 and FIG.
As shown in FIG. 6, in the plating unit M1,
The entire knit is covered by a closed housing 41
You. The housing 41 is also made of a corrosion-resistant material such as resin.
Have been. The inside of the housing 41 is two steps up and down,
The first processing unit A located at the upper level and the second processing unit A located at the upper level
The structure is divided into the main part B. First processing unit A
Is provided with a plating solution tank. This message
The liquid tank 42 has an inner tank 42a and an inner tank 42 outside the inner tank 42a.
and a double tank of an outer tank 42b arranged concentrically with
When the inner bath 42a is filled with the plating solution.
The liquid level of the liquid was stopped at a plating position (IV) described later.
Higher than the plating surface of the wafer W held by the driver 61
The inner tank 42a is fixed so as to come to the right position. Inner tank
42a is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom, and the inner tank 42a
Is kept substantially horizontal. Inside of the inner tank 42a
Is sprayed with a plating solution from the bottom to the top of the inner tank 42a.
The ejection pipe 43 to be ejected is set inward from substantially the center of the bottom of the inner tank 42a.
The tank 42a protrudes to near the center in the depth direction. Eruption
Around the tube 43, for example, a plurality of copper balls are collected and formed.
The electrode 44 as a substantially disc-shaped anode electrode is formed in the inner tank 42a.
Copper concentrically arranged and functioning as an electrode 44
Dissolving the spheres in a plating solution containing, for example, copper sulfate
This prevents a decrease in copper ions in the plating solution. Ma
The electrode 44 has a lead wire outside the outer tank 42b.
Power supply is extended to the power supply not shown
As a result, a later-described driver for holding the electrode 44 and the wafer W is formed.
Electric field between the convex contact 64 provided on the
Is formed. With the outer periphery of the end of the ejection pipe 43
The inner tank 42a is vertically divided between the inner tank 42a and the inner tank 42a.
A diaphragm 45 is provided above the electrode 44.
Above the inner tank 42a (hereinafter referred to as "upper of the inner tank")
Say. ) Is supplied with a plating solution from the ejection pipe 43,
45, below the inner tank 42a (hereinafter referred to as "under the inner tank").
Side. ) Includes a plating solution from a circulation pipe 46 described later.
Is supplied. Also, this diaphragm 45
Permeates ions, but dissolves copper spheres as electrodes 44
Impurities and the surface of the wafer W to be plated
For example, oxygen and hydrogen generated during the process of forming
It is configured not to allow such bubbles to pass through. Also,
A circulation pipe is located at a position eccentric from the center of the bottom of the inner tank 42a.
46, 47 are provided, and the circulation pipes 46, 47 are provided.
Between them, a pump (not shown) is provided. This pong
Activate the pump to circulate the plating solution under the inner tank 42a.
It has become so. The outer tank 42b is similar to the inner tank 42a.
The outer tank 42b is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom.
The surface is maintained substantially horizontal. The bottom of the outer tank 42b is
There are two outlets, and this outlet has a pipe 48
Is connected. Between this pipe 48 and the ejection pipe 43
Is provided with a pump 49, and operates the pump 49
And overflow from the inner tank 42a to the outer tank 42b.
The stored plating solution is supplied again to the upper side of the inner tank 42a.
It has become. Also, a plating solution is stored in the pipe 48.
Tank 50 is connected to pump 51 via valve 52
The pump 51 is operated and the valve 5 is operated.
2 to open the plating solution in the tank 50 into the inner 42a.
It is designed to be supplied to the tank. The second processing unit B has c
The driver 61 as a holding mechanism for holding
It is arranged right above the center of the liquid tank 42. Also dry
A holder 61 holds a wafer W, and a holder 62 for holding the wafer W.
A motor 63 for rotating the wafer W in a substantially horizontal plane together with 62
It is composed of The holding unit 62 holds one wafer W
It is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom that can be stored substantially horizontally.
As shown in a partially enlarged view of FIG.
A voltage is applied to the wafer W at, for example, 128 equally divided positions.
An additional convex contact 64 is provided. This
Is connected to a power source (not shown) through a conducting wire.
I'm in contact with me. Wafer on convex contact 64
The surface to be plated with W
Since the wafer W on which the thin film is formed is placed, the convex contact
The voltage applied to the plate 64 is also marked on the plating surface of the wafer W.
Be added. Further, a seal portion is provided on the inside of the bottom surface of the holding portion 62.
The material 65 is provided concentrically, and the wafer W is plated.
When the surface is brought into contact with the plating solution, the plating solution
To prevent infiltration into In the outer container of the motor 63
Has a support beam 66 for supporting the driver 61
I have. The support beam 66 has a horizontally expandable and contractable cylinder 6.
7 for driving the cylinder 67.
The driver 61 supported by the support beam 66 is substantially horizontal.
To be moved. The end of the support beam 66 is
Ascending with respect to the inner wall of the jing 41 via the guide rail 68
It is attached so that it can descend. Support beam 66 is further up and down
To the housing 41 via a cylinder 69
The cylinder 69 is
Guides the driver 61 supported by the support beam 66
It is moved up and down along the rail 68. Concrete
Specifically, as shown in FIG. 6, the driver 61 carries the wafer W.
Transfer position (I) for transfer and plating of wafer W
Cleaning position (II) for cleaning the surface,
Spin dry for draining (draining) the stick surface
Position (III) and the voltage while immersed in the plating solution
At the plating position (IV) where a plating layer is formed by applying
Mainly four different heights on the central axis of the plating bath 42
To go up and down between the positions. The driver 61 is plated
At the same height as the center of the liquid tank 42 and the plating position (IV)
There is a deviation from the center of the plating solution tank 42 for removing bubbles described later.
Between the centered position (V) and mainly two different positions
Move horizontally. This plating position (IV) and eccentric position
The distance between the wafer (W) and the wafer W immersed in the plating solution
Vortex around the center of plating bath 42 when rotated
The distance is such that turbulence will occur without
For example, the range of 1/2 to 1/4 of the diameter of the wafer W is preferable.
Good. Here, the position eccentric to the plating position (IV)
The reason why the preferable range of the distance to (V) is the above range is as follows.
Above or below the above range, remove bubbles sufficiently
This is because there is an adverse effect that it cannot be performed. First processing
Between the section A and the second processing section B, the cleaning nozzle 70 and the
7 having a built-in exhaust port 71 disposed below
2 are provided. In the center of this separator 72,
The wafer W held by the driver 61 and the first processing unit A
A through-hole is provided so as to be able to move back and forth between the second processing section B.
Have been killed. Further, a first processing unit A and a second processing unit B
The wafer W is placed on the housing at the
The gate valve 73 that carries in and out of the processing unit M1
Is provided. When this gate valve 73 is closed,
The processing unit M1 is isolated from the processing space S outside it.
Outside the plating unit M1
The diffusion of dirt into the processing space S on the side is prevented. Also,
Each of the plating units M1 and M2 operates independently and independently.
Each of which can be
It is configured to be removable. Therefore, one plating process
Units can be used alternately, making maintenance easier
I can do it. Next, a plate for plating the surface to be plated of the wafer W is formed.
The key processing system will be described. FIG. 8 shows the present embodiment.
Showing the flow of the entire plating system according to
It is a chart. As shown in FIG.
Set up a plating system and load one lot of wafers W
For example, a carrier cassette C containing 25 sheets is not shown.
It is mounted on the mounting table 21 by the transfer robot. Carrier
When the set C is placed, the sub arm 22 is
Move to the position before set C, and place the key
The wafer holding member 23 is inserted into the carrier cassette C.
An unprocessed wafer W is taken out of the carrier cassette C.
Further, as the sub arm 22 rotates, the wafer W is held.
The held wafer holding member 23 extends, and passes through the opening G1.
Then, the wafer W is placed on the relay mounting table 37 in the first processing chamber.
Place it once. The wafer W is mounted on the relay mounting table 37
Then, the wafer holding member 36 of the main arm 35 extends.
And receives the unprocessed wafer W on the relay mounting table 37. Unprocessed
The main arm 35 receives the wafer W
W is turned upside down and rotated, and the wafer holding unit is rotated.
The material 36 elongates and enters, for example, the plating unit M1.
Eha W is carried in (step 1). Hereafter, plating
About the flow of the plating process (step 2) of the knit M1
9 and FIGS. 10 to 13. Figure 9 is a book
Plating performed by the plating unit according to the embodiment
10 is a flowchart showing a processing flow, and FIGS.
FIG. 13 schematically illustrates each step of the plating process according to the present embodiment.
FIG. 3 is a vertical sectional view schematically shown. From the relay mounting table 37
The main arm 35 that has received the W moves the wafer W up and down.
The plating process unit M1 is accessed after being reversed. Immediately
A gate bar provided on the side wall of the plating unit M1;
The lube 73 is opened and the unprocessed wafer W is held.
The wafer holding member 36 expands as shown in FIG.
At the transfer position (I) from the wafer holding unit 36
Surface of the wafer W on the holding portion 62 of the driver 61
The wafer so that it is placed almost horizontally on the surface of the plating solution.
Deliver C (Step 2 (1a)). Wafer holder
Material 36 delivers wafer W to holding portion 62 of driver 61
After that, the wafer holding member 36 contracts and the gate valve 7
Close 3. At this time, the inner tank 42 of the plating solution tank 42
The inside of a is filled with the plating solution. Gate valve 7
3 is closed, and the driver 61 drives the cylinder 69 as shown in FIG.
As shown in FIG. 10 (b), it descends to the plating position (IV).
Dipping the surface to be plated of the wafer W into a plating solution (step
Step 2 (2a)). Here, the surface of the wafer W to be plated is
When the wafer W comes into contact with the liquid surface,
Air enters between the liquid and the liquid surface.
To form a uniform plating layer on the surface of the
It is necessary to defoam the air bubbles that have arrived. So, Ue
(C) The plating surface of W is in contact with the plating liquid surface
Then, the driver 61 drives the cylinder 67, as shown in FIG.
As shown, a position eccentric from the center of the plating solution tank 42
It moves substantially horizontally to (V) (step 2 (3a)). This
The holding unit 62 holding the wafer W in the state of FIG.
When the motor 63 is driven, as shown in FIG.
The air rotating on the surface and adhering to the surface to be plated of the wafer W
Air bubbles are removed from the surface to be plated (Step 2 (4)
a)). Here, the rotation speed when rotating the wafer W,
In addition, the first rotation speed R1 is for removing bubbles adhering to the lower surface side of the wafer W.
The rotation speed is easy to remove.
A rotary shaft substantially fixed at the center of the processing liquid tank 42 above the liquid tank
Rotation, not vortex created by rotation of plating solution around
The rotational speed is such that turbulence with an unfixed shaft occurs.
Specific numerical values are so-called design items and are uniquely specified
Although the first rotation speed R1 cannot be
If 100 to 300 r. p. m is a preferred range.
I can do it. Here, a preferable range of the first rotation speed R1
Is set to the above range.
Because it has the adverse effect of not
If the above range is exceeded, the plating solution will be agitated too much and eddy will occur.
The current concentration, which is the value of the current flowing through the plating solution, is uneven.
And the plating solution scatters on the housing 41
This is because there is an adverse effect of doing so. Defoaming is enough
Then, the surface to be plated of the wafer W comes into contact with the surface of the plating solution.
When the driver 61 drives the cylinder 67 in the state of being touched,
As shown in FIG. 1 (a), it is located again in the center of the plating solution tank 42.
Move to plating position (IV) (Step 2 (5)
a)). Driver 61 has moved to plating position (IV)
After that, the holding unit 62 is driven by the motor 63 as shown in FIG.
Rotate in a substantially horizontal plane as shown in FIG.
A voltage is applied between the contact W and the wafer W in contact therewith.
Is applied to open a plating layer on the surface to be plated of the wafer W.
The process starts (step 2 (6a)). Here, when plating,
The rotation speed when rotating the Eha W, that is, the second rotation speed
R2 removes bubbles generated on the lower surface side of the wafer W during plating.
Easy rotation speed and circulation of plating solution
In order to form a uniform plating layer on the lower surface of the wafer W,
Rolling speed. Specific figures are so-called design items.
Although it cannot be uniquely specified, the second rotation speed
The degree R2 is, for example, 10 to 200 r. p. m is preferred
Range. Here, the second rotation speed R2
The reason why the preferable range is set to the above range is lower than the above range.
Adversely affects the in-plane uniformity.
Conversely, if it exceeds the above range, the plating solution will be stirred too much.
And eddy currents occur, resulting in uneven current density of the plating solution
This is because such an adverse effect occurs. Plated surface of wafer W
After a plating layer having a sufficient thickness is formed, as shown in FIG.
Stop applying voltage as shown, and finish forming plating layer
(Step 2 (7a)). Next, a predetermined amount of plating solution
When the pump 51 is operated and the valve 52 is opened, the plating solution tank
From 42, it is returned to the tank 50, as shown in FIG.
The level of the plating solution in the plating solution tank 42 drops during
Step 2 (8a)). At the same time, raise the driver 61
To the spin dry position (III), and at this height
The holding unit 62 is driven by a motor 63 as shown in FIG.
The wafer W is rotated in a substantially horizontal plane and spin-dried.
Removes excess plating solution adhering to the plating surface of the
(Step 2 (9a)). Spin dry enough
After that, the driver 61 drives the cylinder 69 to
As shown in (b), it is raised to the cleaning position (II) (step
Step 2 (10a)). At the cleaning position (II), the holding unit 62
The motor 63 rotates as shown in FIG.
And the cleaning nozzle 7 built in the separator 72
0 to pure water is sprayed toward the plating layer forming surface of the wafer W.
To clean the plating layer forming surface of the wafer W (step
Step 2 (11a)). Cleaning of the plating layer forming surface of wafer W
After the completion, the driver 61 is maintained at the cleaning position (II).
For example, a lifter (not shown) that raises and lowers the wafer W
The wafer W is slightly raised. In this state, the holding section 62
Is driven by the motor 63 to rotate as shown in FIG.
And the cleaning nozzle 70 built in the separator 73
Pure water is sprayed toward the convex contact 64 of the holding portion 61 from the
The convex contact 64 is washed by being irradiated (step 2).
(12a)). Cleaning of the convex contact 64 has been completed.
Thereafter, the wafer W is lowered and held by a lifter (not shown).
It is placed on the section 62. In this state, the driver 61
As shown in FIG.
It descends to the position (III) (Step 2 (13
a)). Further, when the holding unit 62 is driven by the motor 63, FIG.
Spin dry as shown in (b) and wash
To remove the moisture adhering to the convex contact 64
Excluded (step 2 (14a)). Then, the driver 61
Is driven by driving the cylinder 69, as shown in FIG.
It rises to the position (I) (step 2 (15a)). This
The gate valve 73 is opened in the state of
The e-ha holding member 36 is extended to hold the c
After receiving Eha W, the plating process is performed as shown in FIG.
The wafer W that has been processed in the processing unit M1 is unloaded.
(Step 2 (16a)). Plating unit M1
Is completed, the wafer is held by the wafer holding member 36.
Wafer W contains a plating solution with a different composition if necessary
Transported to the other plating units M2 to M4
Then, another plating process is performed. Similar composition one after another
Plating unit M2 containing different plating solutions
~ M4, the wafer W is transferred and the plating process is performed.
You. After a series of plating processes is completed, the main arm 35
The wafer holding member 36 holding the wafer W
The wafer W is transferred into the cleaning processing unit 100,
(Step 3). By the cleaning unit 100
After the cleaning process is completed, the subsequent processes, for example, annealing
Perform ring processing. This annealing process is called
The process is carried out by placing the wafer W on the hot plate for a predetermined time (step
4). When annealing is completed, the main arm 3
5 receives the processed wafer W, and
Hand over Eha W (step 5). Then the sub arm
22 is a wafer that has been processed by extending the wafer holding member 23.
W is returned into the carrier cassette C. Thus, this implementation
In the plating unit M1 of the embodiment, the plating solution tank 42
The wafer W at a position (V) eccentric from the center of the wafer
Therefore, there is a gap between the surface to be plated of the wafer W and the surface of the plating solution.
It is possible to reliably remove the bubbles of the sneaking air. That is,
When the holding part 62 is rotated at the center of the plating solution tank 42 and
Similarly, with the rotation of the holding portion 62,
The rotation of the plating solution also occurs, but from the center of the plating solution tank 42.
When the holding part 62 is rotated at the eccentric position (V)
Is that even if the plating solution rotates, the rotation of the plating solution becomes laminar.
Vortex does not occur at the center of rotation of the holding portion 62.
You. As a result, bubbles collect at the center of the surface of the wafer W to be plated.
The outside of the wafer W due to the rotation of the wafer W
Bubbles move in the direction of the
Can be removed. Also, the wafer W and the electrode 44
Apply a voltage between them to form a plating layer, so apply a voltage
In the process of removing bubbles, the surface of the wafer W to be plated is
No key layer is formed. That is, bubbles are formed on the wafer W.
Plating on the surface to be plated of wafer W while adhering to the plating surface
Since a layer is not formed, a more uniform plating layer can be formed.
Can be. Further, washing with the plating units M1 to M4
Plating processing because the purification processing units 100 are arranged in multiple stages
Keeping the system footprint small
it can. (Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.
Will be described. In the following, this embodiment and subsequent
Some of the features of the
Explanation is omitted. In this embodiment, a plating layer is formed.
Do not supply a plating solution with a larger flow rate than the plating process
The structure was such that a bubble removing step of removing bubbles was performed. Squirt pipe 4
A control (not shown) for the pump 49 for supplying the plating solution to
The device is connected. This control device includes a pump 49
A program for controlling the operation is input, and the pump 4
9 by controlling the operation of
The flow rate of the plating solution is adjusted. here
Therefore, the flow rate of the plating solution in the plating process is determined in advance by experiments, etc.
Is set to a flow rate suitable for forming a plated layer
The flow rate of the plating solution in the punching process is
Formed between the plating surface of Eha W and the plating solution level
In order to expel the bubbles that have formed toward the outer peripheral edge of the wafer W, a plating process
The flow rate is set to be larger than the flow rate in the step. Less than,
About the plating process flow in the plating unit
This will be described with reference to FIGS. FIG. 14 shows the embodiment.
Processing performed by the plating unit M1 according to the embodiment
15 is a flowchart showing the flow of FIG.
A vertical diagram schematically showing the state of the bubble removing step according to the embodiment.
FIG. 16 is a sectional view, and FIG. 16 is a plating step according to the present embodiment.
FIG. 17 is a vertical sectional view schematically showing the state of FIG.
Timing chart of a plating process according to the embodiment
It is. Plating unit similar to the first embodiment
An unprocessed wafer W is loaded into M1, and the wafer W is held.
Driver 61 is eccentric from the center of plating solution tank 42
Move to position (IV) (step 2 (1b)-step
Step 2 (3b)). After that, the holding unit 62 of the driver 61
While rotating, the control device controls the operation of the pump 49.
As shown in FIG. 15, the plating solution having the flow rate Q1 is applied to the plating solution tank 4.
2 and defoaming is performed. That is, as shown in FIG.
The plating solution of the flow rate Q1 is bubble removed from the bubble removal start time t0.
Until the end time t1 is reached.
(Step 2 (4b)). Here, the value of the flow rate Q1 is
C. Effectively removes bubbles adhering to the lower surface of the wafer W when the W is landed.
This is the flow rate that can be removed. The specific value of Q1 is a so-called
It is a matter of measurement and cannot be uniquely identified.
The value of the amount Q1 is preferably, for example, 5.0 to 30 l / min.
It is listed as a preferable range. Here, Q1 is preferable.
The range is set to the above range.
This is because the adverse effect that bubbles cannot be removed occurs.
On the other hand, if it exceeds the above range, the current density will decrease.
This is because harm will occur. After the bubble removal, the driver 61
A plating position (I) coaxial with the center of the plating solution tank 42
V) (Step 2 (5b)). Then hold
When the unit 62 rotates and voltage is applied, the control device
The operation of the pump 49 is controlled, and as shown in FIG.
The plating solution with the flow rate Q2 smaller than that supplied to the plating solution tank 42
Then, the formation of the plating layer is started (Step 2 (6)
b)). Here, the value of the flow rate Q2 is below the wafer W during plating.
The flow rate can effectively remove bubbles generated on the surface side.
Then, the plating solution is circulated so that a uniform
The flow rate is such that a layer is formed. Specific numbers yes
This is a design item and cannot be uniquely identified.
However, the flow rate Q2 is, for example, 1.0 to 10 l / min.
Is a preferred range. Here, the flow rate Q2
The reason why the preferable range is set to the above range is lower than the above range.
Adversely affects the in-plane uniformity.
Conversely, above the above range, the reproducibility and stability are low.
This is because there is an adverse effect of dropping. As shown in FIG.
As described above, the plating solution having the flow rate Q2 is changed to the plating layer formation start time t2.
Until the plating layer formation end time t3.
2 and a plating layer is formed on the surface of the wafer W to be plated.
It is. The plating layer is sufficiently formed on the surface to be plated of the wafer W.
After the voltage is applied, the application of the voltage is stopped to complete the formation of the plating layer.
(Step 2 (7b)). Then, the first embodiment
A predetermined process is performed in the same manner as
(Step 2 (8)
b) to Step 2 (16b)). As described above, the present embodiment
In the plating unit M1 according to the embodiment, the control device
The operation of the pump 49 is controlled so that the flow rate is larger than the plating process.
Bubbles are plated as the bubble removal process is performed while supplying the liquid
The ejection of the liquid facilitates movement toward the outer peripheral edge of the wafer W.
It can remove bubbles efficiently. (Third Embodiment) Hereinafter, a third embodiment of the present invention.
Will be described. In this embodiment, the plating process is
A configuration in which the bubble removal process is performed by increasing the rotation speed of the wafer W
Was. A control device (not shown) for the motor 63 of the driver 61
Is connected. This control device has a motor 63
Program for controlling the motor 63
Adjusting the rotation speed of the wafer W by controlling the driving
It has become so. Here, the wafer W in the plating process
Rotation speed forms a plating layer that has been grasped in advance through experiments, etc.
The rotation speed is set to a value suitable for
The rotation speed of W is determined by the rotation of wafer W.
The bubbles formed between the plate surface and the liquid surface of the plating solution
Speed in the plating process to drive out the outer periphery
Is set higher. Below, plating unit
FIGS. 18 to 21 show the flow of the plating process in M1.
It is explained along. FIG. 18 shows the plating according to the present embodiment.
4 shows a flow of a plating process performed in the processing unit M1.
FIG. 19 is a flowchart according to the present embodiment.
It is a vertical cross-sectional view schematically showing the state of the defoaming step,
FIG. 20 schematically shows the state of the plating step according to the present embodiment.
FIG. 21 is a vertical sectional view shown in FIG.
5 is a timing chart of a plating process. First
Unprocessed in the plating unit M1 as in the embodiment.
Is loaded, and the driver 6 holding the wafer W
1 moves to a position (V) eccentric from the center of the plating solution tank 42.
(Step 2 (1c) to Step 2 (3c)).
Thereafter, the control device controls the driving of the motor 63 of the driver 61.
By controlling the holding unit 62 of the driver 61 as shown in FIG.
Is rotated at a rotation speed v1 to remove bubbles. That is,
As shown in FIG. 21, the wafer W held by the holder 63 is
Round from bubble removal start time t0 to bubble removal end time t1
It rotates at the rotation speed v1 (step 2 (4c)). Defoamer
After completion, the driver 61 is coaxial with the center of the plating solution tank 42.
To the plating position (IV) at step 2 (5
c)). Thereafter, the control device controls the operation of the motor 63.
As shown in FIG. 20, the holding unit 62 is controlled to the rotation speed v1.
Plating by applying a voltage while rotating at a lower rotation speed v2
The formation of the layer is started (step 2 (6c)). FIG.
The wafer W held by the holding section 62 is plated as shown in FIG.
From the start of the formation of the layer t2 to the end of the formation of the plating layer t3
Rotating at the rotation speed v2 until the surface to be plated of the wafer W
A plating layer is formed. Sufficiently plated surface of wafer W
After the plating layer is formed on the
The formation of the key layer is completed (step 2 (7c)). That
Thereafter, predetermined processing is performed in the same manner as in the first embodiment, and the processing is performed.
The processed wafer W is unloaded from the plating unit M1.
(Step 2 (8c) to Step 2 (16c)).
Thus, the plating unit M according to the present embodiment
In 1, the controller controls the driving of the motor 63 and
The bubble removal process by increasing the rotation speed of the wafer W
Bubbles move toward the outer peripheral edge of the wafer W by the rotation of the wafer W.
Easier and more efficient defoaming. (Fourth Embodiment) Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention.
Will be described. In the present embodiment, the bubble removing step or the
The configuration is such that the sticking step is performed twice or more. That is, the form of the present embodiment
The plating unit M1 is in a state in which the wafer W
Formed between the surface to be plated and the surface of the plating solution
Bubbles such as hydrogen and oxygen generated by electrolysis of plating solution
Plating process is interrupted when wafer adheres to the surface to be plated of wafer W
Driver 61 on the center axis of the plating bath 42.
Eccentric from the center of the plating solution tank 42 from the pin position (IV)
Moved to the position (V),
The driver 61 is moved to the plating position (IV)
It is configured to start a plating process. Below,
About the plating process flow in the
27 will be described with reference to FIGS. FIG. 27 shows the present embodiment.
Plating process performed in the plating unit M1 according to the embodiment
FIG. 23 is a flowchart showing the flow of
(A) to (c) show the plating process steps according to the present embodiment.
FIG. 24 is a schematic vertical cross-sectional view, and FIG.
6 is a timing chart of a plating process according to an embodiment.
As in the first embodiment, the plating unit M1
An unprocessed wafer W is loaded, and a
Position where eva 61 is eccentric from the center of plating solution tank 42
(V) and the wafer W rotates to remove bubbles.
(Step 2 (1d) to Step 2 (4d)).
After the defoaming is completed, the driver 61 moves to the center of the plating solution tank 42.
Move to the plating position (IV) on the same axis and
The wafer W is rotated and a voltage is applied to the surface of the wafer W to be plated.
The formation of the plating layer is started (step 2 (5d)-).
Step 2 (6d)). In the plating process, it starts in the plating process
The generated bubbles may adhere to the surface of the wafer W to be plated.
You. As a result, the bubbles are removed as shown in FIG.
C adheres to the surface to be plated of W (Step 2 (7d))
Stop applying the voltage to interrupt the formation of the plating layer
Step 2 (8d)). Then, by driving the cylinder 67,
As shown in FIG. 23 (b), the driver 61 is again brought into the plating solution tank.
Position eccentric from the center of plating solution tank 42 from the center of 42
Move to (V) and rotate to remove bubbles again.
Step 2 (9d)). After defoaming, drive the cylinder 67
As shown in FIG. 23 (c), the driver 61
Move to plating position (IV) on the central axis of liquid tank 42
And rotate, and the voltage is applied to the wafer W again.
The formation of a plating layer on the plating surface is started (Step 2)
(10d)). That is, as shown in FIG.
From the plating layer formation start time t0 to the plating surface of the wafer W
During plating layer formation where bubbles adhere and interrupt plating layer formation
The wafer W is at the plating position (IV) until the cutting time t1.
From bubble removal start time t2 to remove bubbles from the surface to be plated
Until the bubble removal end time t3, the center of the plating solution tank 42 is shifted from the center.
At the centered position (V) and again on the surface to be plated of the wafer W
At the plating layer formation start time t4 when the formation of the plating layer is started
Is at the plating position (IV). If the wafer W
After the plating layer is formed on the
The formation of the plating layer is completed (step 2 (11d)).
After that, predetermined processing is performed in the same manner as in the first embodiment.
And the processed wafer W is transferred from the plating unit M1.
It is carried out (Step 2 (12d) to Step 2 (20
d)). Thus, the plating unit according to the present embodiment is
In the knit M1, bubbles generated during the plating process cause the wafer W
Of the plating solution tank 42 even if it adheres to the surface to be plated
Bubble is removed at the position (V) eccentric from the
A plating layer can be formed on the surface to be plated of CW. (Fifth Embodiment) Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described.
Will be described. In the present embodiment, the plating solution tank 42
At the position (V) eccentric from the center of the
A plurality of ivas 61 are provided. FIG. 25 shows the present embodiment.
FIG. 4 is a schematic perspective view of a plating unit M1 according to the embodiment.
FIG. 26 is a schematic plan view of the plating unit M1.
is there. As shown in FIG. 25 and FIG.
Immediately above 2 is a position eccentric from the center of the plating solution tank 42
In (V), a plurality of drivers 61, for example, four drivers 61 are provided.
I have. Each driver 61 includes a holding unit 62 that holds the wafer W.
And a motor 63 that rotates the holder 62 together.
I have. Each driver 61 has a cylinder (not shown).
Guides (not shown) for each driver 61
It is designed to move up and down along the drain. here
Therefore, in the present embodiment, the stop when each driver 61 moves up and down is stopped.
Transport position (VI), cleaning position (VII) and stop position.
And the plating position (VIII) from the center of the plating tank 42
It is assumed that it is on the axis of the eccentric position (IV). plating
In the inner tank 42a of the liquid tank 42, each driver 61 is opposed.
An electrode 44 as an anode is provided at each position.
I have. Also, a plating solution is jetted to the center of the inner tank 42a.
An ejection tube 43 penetrates, and an electrode 44 takes
Surrounding. Hereinafter, processing in the plating unit M1
27 and FIGS. 28 (a) to 28 (d)
It is explained along. FIG. 27 shows a plating process according to the present embodiment.
The flow of the plating process performed in the processing unit M1 was shown.
FIG. 28 is a flowchart, and FIGS.
Vertical section schematically showing the plating process according to the embodiment of FIG.
FIG. The main arm 35 holding the wafer W is
The holding member 36 is extended, as shown in FIG.
Holder of each of four drivers 61 at transport position (VI)
Wafers W are placed one by one (Step 2 (1)
e)). After that, each holding unit 61 is driven by the motor 63.
Eccentricity from the center of the plating solution tank 42 as shown in FIG.
Down to the plating position (VIII) at the position (IV)
To bring the surface to be plated of each wafer W into contact with the surface of the plating solution
(Step 2 (2e)). Each driver 61
Each holding unit 62 stops at the key position (VIII).
Is driven by the motor 63 to rotate as shown in FIG.
To remove air bubbles adhering to the surface to be plated of the wafer W
(Step 2 (3e)). The foam is well removed
After that, each driver 61 stops at the plating position (VIII)
In this state, each holding unit 62 is driven by the motor 63 and FIG.
As shown in FIG.
To start forming a plating layer on the surface to be plated of the wafer W
(Step 2 (4e)). Make sure that the surface to be plated of each wafer W
After forming an adequately thick plating layer, stop applying voltage.
Thus, the formation of the plating layer is completed (step 2 (5e)).
Thereafter, similar to the first embodiment, each wafer W is
A fixed process is performed, and each processed wafer W is plated.
It is carried out of the unit M1. (Step 2 (6e)-
Step 2 (14e)). Thus, in the present embodiment,
In the plating unit M1, the driver 61 is turned on.
Pre-arranged at a position (V) eccentric from the center of the liquid tank 42
Therefore, in addition to being able to remove bubbles more efficiently, the driver 6
1 to process a plurality of wafers W at a time.
Thus, a specific effect that the processing speed is improved can be obtained. (Sixth Embodiment) Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention will be described.
Will be described. In the present embodiment, during the defoaming step,
While rotating the wafer W, the center of the plating solution tank 42 is
It was configured to revolve around a shaft. FIG. 29 relates to the present embodiment.
FIG. 3 is a schematic perspective view of a plating unit M1. FIG.
As shown in the figure, the outer container of the motor 63 of the driver 61
An L-shaped support member 81 is attached. This support
The member 81 is composed of a telescopic arm 82 and a shaft support 83.
It is plated by the expansion and contraction of this arm 82
A position eccentric from the center of the liquid bath 42 and the center of the plating bath 42
(V) so that the driver 61 moves substantially horizontally.
It has become. A plating solution tank is provided at the upper end of the shaft support 83.
A motor (not shown) arranged on the central axis of 42 is attached.
Have been killed. Plating by driving this motor
The driver 61 rotates in a substantially horizontal plane around the center of the liquid tank 42
It is supposed to. Hereinafter, the plating unit M1
30 and 31 for the flow of the plating process in the inside
It is explained along. FIG. 30 shows plating according to the present embodiment.
4 shows a flow of a plating process performed in the processing unit M1.
FIG. 31 is a flowchart according to the present embodiment.
It is the top view which showed the bubble removal process typically. First implementation
In the same manner as in the above embodiment, the unprocessed
Eha W is carried in, and driver 61 holding wafer W is
Move to a position (V) eccentric from the center of the plating solution tank 42
(Step 2 (1f) to Step 2 (3f)). That
Thereafter, as shown in FIG.
When the wafer W rotates, the motor 63 (not shown) rotates.
The wafer W revolves to remove bubbles (step
Step 2 (4f)). After bubble removal, driver 61 plating
Move to plating position (IV) which is coaxial with the center of liquid tank 42
The wafer W is rotated and the surface of the wafer W to be plated is
A key layer is formed (Step 2 (5f) to Step 2)
(7f)). After that, as in the first embodiment, the predetermined
Processing is performed, and the processed wafer W is
(Step 2 (8f)-Step)
2 (16f)). Thus, the message according to the present embodiment is
In the processing unit M1, the wafer W is rotated.
The bubble is removed by revolving around the periphery of the wafer W.
It is easier to move in the direction, and it is possible to remove bubbles more efficiently
A unique effect is obtained. In addition, the present invention provides
It is not limited to the description of the sixth embodiment,
The structure, material and arrangement of each member deviate from the gist of the present invention.
It can be changed as appropriate within the range that does not exist. For example, the first to the first
In the sixth embodiment, the wafer W and the inner tank 42a are
Plating on the wafer W by applying a voltage between the
A plating layer is formed on the surface, but no electrode 44 is provided.
In other words, copper sulfate was dissolved without applying voltage
The wafer W is placed on the surface of the plating solution having a strong basic reducing action.
The surface to be plated is brought into contact with the wafer W by a reductive deposition reaction.
It is also possible to form a plating layer on the surface to be plated.
In the first to sixth embodiments, one surface of the wafer W is used.
The plating process is applied only to the
A processing tank is provided, and processing is performed while reversing
Different treatments may be applied to the front and back surfaces of W
it can. In the first to sixth embodiments, the plating is performed.
Although the processing unit is arranged on the lower side,
If it is a processing unit that performs
It goes without saying that processing units other than
No. In the first to sixth embodiments, the processing target
LCD glass for liquid crystal using wafer W as plate
It is also possible to use a substrate. In addition, the second
In the fourth or sixth embodiment, a plating unit
One driver 61 is provided in M1.
As in the embodiment, the dry processing is performed in the plating unit M1.
It is also possible to arrange a plurality of buses 61.

【発明の効果】本発明によれば、被処理基板の被処理面
を処理液に接触させる際に処理液と被処理基板の被処理
面との間に形成される泡を処理液槽の中心から偏心した
位置で泡抜きするので、処理槽の軸部に集中せず、処理
液上部に乱流が形成されて泡が散乱されるので、確実に
泡抜きすることができる。According to the present invention, when the surface to be processed of the substrate to be processed is brought into contact with the processing solution, bubbles formed between the processing solution and the surface to be processed of the substrate are removed from the center of the processing solution tank. Since the bubble is removed at a position eccentric from, the turbulence is formed on the upper portion of the processing liquid without scattering on the shaft portion of the processing tank, and the bubbles are scattered, so that the bubbles can be reliably removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a plating system according to a first embodiment.

【図２】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
平面図である。FIG. 2 is a plan view of the plating system according to the first embodiment.

【図３】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
側面図である。FIG. 3 is a side view of the plating system according to the first embodiment.

【図４】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
正面図である。FIG. 4 is a front view of the plating system according to the first embodiment.

【図５】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view of a plating unit according to the first embodiment.

【図６】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図である。FIG. 6 is a schematic vertical sectional view including a partially enlarged view of the plating unit according to the first embodiment.

【図７】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of a plating unit according to the first embodiment.

【図８】第１の実施の形態に係るメッキ処理システム全
体のフローを示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a flow of the entire plating system according to the first embodiment.

【図９】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで
行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートで
ある。FIG. 9 is a flowchart illustrating a flow of a plating process performed by the plating unit according to the first embodiment.

【図１０】第１の実施の形態に係るメッキ処理の各工程
を模式的に示した図である。FIG. 10 is a diagram schematically showing each step of a plating process according to the first embodiment.

【図１１】第１の実施の形態に係るメッキ処理の各工程
を模式的に示した図である。FIG. 11 is a diagram schematically showing each step of a plating process according to the first embodiment.

【図１２】第１の実施の形態に係るメッキ処理の各工程
を模式的に示した図である。FIG. 12 is a view schematically showing each step of a plating process according to the first embodiment.

【図１３】第１の実施の形態に係るメッキ処理の各工程
を模式的に示した図である。FIG. 13 is a diagram schematically showing each step of a plating process according to the first embodiment.

【図１４】第２の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。FIG. 14 is a flowchart illustrating a flow of a plating process performed by a plating unit according to a second embodiment.

【図１５】第２の実施の形態に係る泡抜き工程の状態を
模式的に示した垂直断面図である。FIG. 15 is a vertical sectional view schematically showing a state of a bubble removing step according to the second embodiment.

【図１６】第２の実施の形態に係るメッキ工程の状態を
模式的に示した垂直断面図である。FIG. 16 is a vertical sectional view schematically showing a state of a plating step according to a second embodiment.

【図１７】第２の実施の形態に係るメッキ処理工程のタ
イミングチャートである。FIG. 17 is a timing chart of a plating process according to the second embodiment.

【図１８】第３の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。FIG. 18 is a flowchart illustrating a flow of a plating process performed by a plating unit according to a third embodiment.

【図１９】第３の実施の形態に係る泡抜き工程の状態を
模式的に示した垂直断面図である。FIG. 19 is a vertical cross-sectional view schematically showing a state of a bubble removing step according to the third embodiment.

【図２０】第３の実施の形態に係るメッキ工程の状態を
模式的に示した垂直断面図である。FIG. 20 is a vertical sectional view schematically showing a state of a plating step according to a third embodiment.

【図２１】第３の実施の形態に係るメッキ処理工程のタ
イミングチャートである。FIG. 21 is a timing chart of a plating process according to a third embodiment.

【図２２】第４の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。FIG. 22 is a flowchart illustrating a flow of a plating process performed by a plating unit according to a fourth embodiment.

【図２３】第４の実施の形態に係るメッキ処理工程の模
式的に示した垂直断面図である。FIG. 23 is a vertical cross-sectional view schematically showing a plating step according to a fourth embodiment.

【図２４】第４の実施の形態に係るメッキ処理工程のタ
イミングチャートである。FIG. 24 is a timing chart of a plating process according to a fourth embodiment.

【図２５】第５の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
の概略斜視図である。FIG. 25 is a schematic perspective view of a plating unit according to a fifth embodiment.

【図２６】第５の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
の概略平面図である。FIG. 26 is a schematic plan view of a plating unit according to a fifth embodiment.

【図２７】第５の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。FIG. 27 is a flowchart illustrating a flow of a plating process performed by a plating unit according to a fifth embodiment.

【図２８】第５の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。FIG. 28 is a vertical sectional view schematically showing a plating step according to a fifth embodiment.

【図２９】第６の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
の概略斜視図である。FIG. 29 is a schematic perspective view of a plating unit according to a sixth embodiment.

【図３０】第６の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
であるFIG. 30 is a flowchart showing a flow of a plating process performed by a plating unit according to a sixth embodiment.

【図３１】第６の実施の形態に係る泡抜き工程を模式的
に示した平面図である。FIG. 31 is a plan view schematically showing a bubble removing step according to a sixth embodiment.

【図３２】従来のメッキ処理装置の概略斜視図である。FIG. 32 is a schematic perspective view of a conventional plating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ…ウエハ（被処理基板） Ｓ…処理空間 Ｍ１〜Ｍ４…メッキ処理ユニット（第１の液処理装置） ３５…メインアーム（第１の搬送手段） ４２…メッキ液槽 ４３…噴出管 ４４…電極 ６１…ドライバ ６２…保持部 ６３…モータ ６４…凸形コンタクト ６７、６９…シリンダ １００…洗浄処理ユニット（第２の液処理装置） W: Wafer (substrate to be processed) S: Processing space M1 to M4: Plating unit (first liquid processing unit) 35: Main arm (first transfer means) 42: Plating liquid tank 43: Spout tube 44: Electrode 61 driver 62 holding part 63 motor 64 convex contact 67, 69 cylinder 100 cleaning unit (second liquid processing unit)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 BC06 CA15 CA16 CB13 CB26 DB10 GA16 4M104 DD52 HH20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/288 H01L 21/288 EF term (Reference) 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 BC06 CA15 CA16 CB13 CB26 DB10 GA16 4M104 DD52 HH20

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 被処理基板に対して所定の電解メッキ処
理を可能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に構成され
た処理槽と、 前記被処理基板に対して接触するように構成されたカソ
ード電極と、 前記処理槽内に配置されたアノード電極と、 を備えたメッキ処理装置を用いてメッキ処理を施すメッ
キ処理方法であって、 前記処理槽内に収容された処理液の液面に、被処理基板
の被処理面を接触させた状態で、かつ、前記被処理基板
を前記処理槽の中心軸から偏心した位置で、被処理基板
を第１の回転速度で回転させる工程と、 前記被処理基板の被処理面にメッキ処理を施す工程と、 を具備することを特徴とするメッキ処理方法。1. A processing tank configured to enable a predetermined electrolytic plating process on a substrate to be processed and to store a plating solution, and to be in contact with the substrate to be processed. A plating method using a plating apparatus comprising: a cathode electrode; and an anode electrode disposed in the processing tank. Rotating the substrate to be processed at a first rotation speed in a state where the surface to be processed of the substrate to be processed is in contact with the substrate to be processed and at a position eccentric from the central axis of the processing bath; Performing a plating process on the surface to be processed of the substrate to be processed. 【請求項２】 被処理基板に対して所定の電解メッキ処
理を可能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に構成され
た処理槽と、 前記被処理基板に対して接触するように構成されたカソ
ード電極と、 前記処理槽内に配置されたアノード電極と、 を備えたメッキ処理装置を用いてメッキ処理を施すメッ
キ処理方法であって、 前記処理槽内に収容された処理液の液面に、被処理基板
の被処理面を接触させた状態で、かつ、前記被処理基板
を前記処理槽の中心軸から偏心した位置で、被処理基板
を第１の回転速度で回転させる工程と、 前記被処理基板を、前記アノード電極の中心軸と略同軸
とした位置で前記被処理基板の被処理面にメッキ処理を
施す工程と、を具備することを特徴とするメッキ処理方
法。2. A processing tank configured to be capable of performing a predetermined electrolytic plating process on a substrate to be processed and storing a plating solution, and being configured to be in contact with the substrate to be processed. A plating method using a plating apparatus comprising: a cathode electrode; and an anode electrode disposed in the processing tank, wherein a plating process is performed on the surface of the processing solution contained in the processing tank. Rotating the substrate to be processed at a first rotation speed in a state where the surface to be processed of the substrate to be processed is in contact with the substrate to be processed and at a position eccentric from the central axis of the processing bath; Performing a plating process on the surface of the substrate to be processed at a position where the substrate to be processed is substantially coaxial with the central axis of the anode electrode. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のメッキ処理方法
であって、前記メッキ処理を施す工程が、前記被処理基
板を第２の回転速度で回転させる工程であることを特徴
とするメッキ処理方法。3. The plating method according to claim 1, wherein the step of performing the plating is a step of rotating the substrate to be processed at a second rotation speed. Processing method. 【請求項４】 請求項３に記載のメッキ処理方法であっ
て、前記第２の回転速度が、前記第１の回転速度と等し
い、又は小さい回転速度であることを特徴とするメッキ
処理方法。4. The plating method according to claim 3, wherein the second rotation speed is equal to or smaller than the first rotation speed. 【請求項５】 請求項１〜４の何れか１項に記載のメッ
キ処理方法であって、前記メッキ処理方法が、１枚の被
処理基板に対して行なわれる方法であることを特徴とす
るメッキ処理方法。5. The plating method according to claim 1, wherein the plating method is performed on one substrate to be processed. Plating method. 【請求項６】 請求項１〜４の何れか１項に記載のメッ
キ処理方法であって、前記メッキ処理方法が、複数枚の
被処理基板に対して同時に行なわれる方法であることを
特徴とするメッキ処理方法。6. The plating method according to claim 1, wherein the plating method is performed on a plurality of substrates to be processed at the same time. The plating method. 【請求項７】 被処理基板に対して所定の電解メッキ処
理を可能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に構成され
た処理槽と、 前記被処理基板に対して接触するように構成されたカソ
ード電極と、 前記処理槽内に配置されたアノード電極と、 前記被処理基板を、少なくとも前記処理槽の中心軸上位
置、及び前記中心軸上から偏心した位置とに移動可能
に、かつ夫々の位置において前記被処理基板を回転可能
に構成された基板保持手段と、を具備することを特徴と
するメッキ処理装置。7. A processing tank configured to allow a predetermined electrolytic plating process on a substrate to be processed and to store a plating solution, and to be in contact with the substrate to be processed. A cathode electrode, an anode electrode arranged in the processing bath, and the substrate to be processed movably at least to a position on the center axis of the processing bath and a position eccentric from the center axis, and A substrate holding means configured to rotate the substrate to be processed at a position. 【請求項８】 被処理基板に対して所定の電解メッキ処
理を可能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に構成され
た処理槽と、 前記夫々の被処理基板に対して接触するように構成され
たカソード電極と、 前記処理槽内に配置されたアノード電極と、 前記複数枚の被処理基板を、前記処理槽の中心軸から偏
心した位置において回転可能に構成された基板保持手段
と、を具備することを特徴とするメッキ処理装置。8. A processing tank configured to be capable of performing a predetermined electrolytic plating process on a substrate to be processed and storing a plating solution, and configured to be in contact with each of the substrates to be processed. A cathode electrode, an anode electrode disposed in the processing bath, and a substrate holding unit configured to be rotatable at a position eccentric from the center axis of the processing bath. A plating apparatus comprising: a plating apparatus; 【請求項９】 請求項８に記載のメッキ処理装置であっ
て、前記アノード電極が、前記複数枚の被処理基板と同
数配設され、かつ前記処理槽の中心軸から偏心した位置
と略同軸上に配設されていることを特徴とするメッキ処
理装置。9. The plating apparatus according to claim 8, wherein the anode electrodes are arranged in the same number as the plurality of substrates to be processed, and are substantially coaxial with a position eccentric from a center axis of the processing tank. A plating apparatus, which is provided on the upper side.
JP2000174448A 2000-05-08 2000-05-08 Method and equipment for plating Withdrawn JP2001316890A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000174448A JP2001316890A (en) 2000-05-08 2000-05-08 Method and equipment for plating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000174448A JP2001316890A (en) 2000-05-08 2000-05-08 Method and equipment for plating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001316890A true JP2001316890A (en) 2001-11-16

Family

ID=18676485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000174448A Withdrawn JP2001316890A (en) 2000-05-08 2000-05-08 Method and equipment for plating

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001316890A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056609A2 (en) * 2001-12-24 2003-07-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus and method for electroplating a wafer surface
JP2004068151A (en) * 2002-07-25 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plating method of substrate and plating device
JP6911220B1 (en) * 2020-12-23 2021-07-28 株式会社荏原製作所 Plating equipment and plating method
TWI746334B (en) * 2020-12-31 2021-11-11 日商荏原製作所股份有限公司 Plating device and plating treatment method
JP7081058B1 (en) * 2021-06-11 2022-06-06 株式会社荏原製作所 Plating equipment
KR102404457B1 (en) * 2021-01-20 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating apparatus and method of measuring film thickness of substrate
CN114867892A (en) * 2020-12-28 2022-08-05 株式会社荏原制作所 Plating device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056609A2 (en) * 2001-12-24 2003-07-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus and method for electroplating a wafer surface
WO2003056609A3 (en) * 2001-12-24 2005-03-10 Koninkl Philips Electronics Nv Apparatus and method for electroplating a wafer surface
JP2004068151A (en) * 2002-07-25 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plating method of substrate and plating device
JP6911220B1 (en) * 2020-12-23 2021-07-28 株式会社荏原製作所 Plating equipment and plating method
KR102404458B1 (en) * 2020-12-23 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating apparatus and plating processing method
CN114981484A (en) * 2020-12-23 2022-08-30 株式会社荏原制作所 Plating apparatus and plating method
CN114867892A (en) * 2020-12-28 2022-08-05 株式会社荏原制作所 Plating device
CN114867892B (en) * 2020-12-28 2024-03-15 株式会社荏原制作所 Plating apparatus
TWI746334B (en) * 2020-12-31 2021-11-11 日商荏原製作所股份有限公司 Plating device and plating treatment method
KR102404457B1 (en) * 2021-01-20 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating apparatus and method of measuring film thickness of substrate
JP7081058B1 (en) * 2021-06-11 2022-06-06 株式会社荏原製作所 Plating equipment
WO2022259506A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 株式会社荏原製作所 Plating apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4067307B2 (en) Rotation holding device
KR100824759B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate plating apparatus
JP4425801B2 (en) Substrate processing equipment
US6969456B2 (en) Method of using vertically configured chamber used for multiple processes
US7171973B2 (en) Substrate processing apparatus
WO2001048800A1 (en) Semiconductor wafer processing apparatus and processing method
EP1252650A1 (en) Substrate processing apparatus
JP5588418B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008077764A (en) Method of cleaning magnetic head slider, manufacturing method, and cleaning device
US6824613B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2008013851A (en) Rotary holding apparatus and semiconductor substrate-processing apparatus
JP2005264245A (en) Wet treatment method and wet treatment apparatus for substrate
JP2001316890A (en) Method and equipment for plating
JP2005317907A (en) Substrate processing apparatus
JP4064132B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005194613A (en) Method for treating substrate in wet process and treatment apparatus therefor
JP4509968B2 (en) Plating equipment
JP2001316871A (en) Method and equipment for liquid treatment
JP2002336761A (en) Substrate rotation type treatment apparatus
JP2001316871A5 (en)
JP3393316B2 (en) Electrolytic cleaning equipment
JP3874609B2 (en) Plating method
JP2001316882A (en) Equipment and method for liquid treatment
JP2001319919A5 (en)
JP2001319915A (en) System and method for liquid treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070807