JP2001316882A

JP2001316882A - Equipment and method for liquid treatment

Info

Publication number: JP2001316882A
Application number: JP2000174445A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Kato; 善規加藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2000-05-08
Publication date: 2001-11-16

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid treating equipment which can surely remove bubbles by absorbing the formed bubbles between a treating liquid and a surface to be treated of a substrate to be treated when the surface is contacted with a treating liquid, and the generating bubbles when an electric field is formed between a substrate to be treated and a liquid treating tank, and to provide the liquid treating method. SOLUTION: The liquid equipment comprises a Venturi tube 80 which is formed in a holding part 62 of a driver 61 and extending from inside of the holding part 62 to outside. The Venturi tube 80 is composed of a suction tube 81 for sucking bubbles and impurities and an injection pipe 84 for injecting sucked bubbles and impurities as mist, sucks the bubbles and impurities stuck in a surface to be plated of a wafer W by taking advantage of difference in pressure between an open end 82 located in the outside of the holding part 62 of the suction tube 81 and an open end 83 located in the inside of the holding part 62, and then, ejects the sucked bubbles and impurities towards an exhaust port 71 through the injection pipe 84.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板の液処理に係り、更に詳細には被処理基板の
被処理面に液相で金属層を形成する液処理装置及び液処
理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to liquid processing of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer, and more particularly, to a liquid processing apparatus and a liquid processing apparatus for forming a metal layer in a liquid phase on a surface of a substrate to be processed. About the method.

【従来の技術】従来より、半導体ウエハＷ（以下、単に
「ウエハ」という。）等の被処理基板の表面に金属層を
形成する処理装置としては、例えば、気相で金属層を形
成するスパッタリング処理装置が用いられてきたが、半
導体デバイスの集積度の向上に伴い、埋め込み性の問題
から液相で金属層を形成するメッキ処理装置を用いるこ
とが主流になりつつある。図１９は代表的なメッキ処理
装置の概略垂直断面図である。図１９に示すように、こ
のメッキ処理装置では処理の効率上の問題からウエハＷ
の被メッキ面を下方に向けてウエハＷを載置する、いわ
ゆるフェイスダウン方式でウエハＷの被メッキ面にメッ
キ層を形成する。即ち、ウエハホルダ２０１にウエハＷ
の被メッキ面を下方に向けて載置した後、ウエハホルダ
２０１が下降してメッキ液槽２０２内のメッキ液液面に
ウエハＷの被メッキ面を接液させてウエハＷの被メッキ
面にメッキ層を形成する。2. Description of the Related Art Conventionally, as a processing apparatus for forming a metal layer on a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as a "wafer"), for example, a sputtering apparatus for forming a metal layer in a vapor phase Processing apparatuses have been used, but with the improvement in the degree of integration of semiconductor devices, the use of plating apparatuses that form a metal layer in a liquid phase due to the problem of embedding is becoming mainstream. FIG. 19 is a schematic vertical sectional view of a typical plating apparatus. As shown in FIG. 19, in this plating apparatus, the wafer W
The plating layer is formed on the plating surface of the wafer W by a so-called face-down method in which the wafer W is placed with the plating surface facing downward. That is, the wafer W is
After the surface to be plated is placed downward, the wafer holder 201 is lowered and the surface to be plated of the wafer W is brought into contact with the surface of the plating solution in the plating solution tank 202 to perform plating on the surface to be plated of the wafer W. Form a layer.

【発明が解決しようとする課題】ところで、フェイスダ
ウン方式でウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する
場合には、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液液面に接液
させる際にウエハＷの被メッキ面とメッキ液液面との間
に空気が入り込み、空気の泡がウエハＷの被メッキ面に
付着して均一なメッキ層を形成することができないとい
う問題がある。また、ウエハＷと電極２０３との間に電
界を形成してウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成さ
せる電解メッキ工程をフェイスダウン方式で行う場合に
は、メッキ液の電気分解により発生する酸素や水素のよ
うな泡がウエハＷの被メッキ面に付着して均一なメッキ
層を形成することができないという問題がある。さら
に、ウエハＷの被メッキ面にパーティクルのような不純
物が付着して均一なメッキ層を形成することができない
という問題がある。そのため、メッキ液液面にウエハＷ
を接液させた状態でメッキ工程以前或いは同時にウエハ
Ｗを回転させて泡抜きする装置が提案されている。しか
し、上記のような装置ではメッキ液液面にウエハＷを接
液させた状態でウエハＷを回転させて、ウエハＷをメッ
キ液槽２０２内に浸漬する際に形成される泡や電解メッ
キ工程中に発生する泡を泡抜きしているのでウエハＷの
被メッキ面に付着している泡が十分に泡抜きできないと
いう問題がある。また、上記のような装置でウエハＷを
回転させるだけではウエハＷの被メッキ面に付着するパ
ーティクルのような不純物を取り除くことができないと
いう問題がある。本発明は上記従来の問題を解決するた
めになされたものである。即ち、本発明は被処理基板の
被処理面を処理液に接液させる際に被処理基板の被処理
面と処理液の液面との間に形成される泡を確実に泡抜き
することができる液処理装置及び液処理方法を提供する
ことを目的とする。また、本発明は被処理基板と液処理
槽との間に電界を形成したときに発生する泡を被処理基
板の被処理面から確実に泡抜きすることができる液処理
装置及び液処理方法を提供することを目的とする。さら
に、本発明は被処理基板の被処理面に付着する不純物を
被処理基板の被処理面から確実に取り除くことができる
液処理装置及び液処理方法を提供することを目的とす
る。When a plating layer is formed on the surface to be plated of the wafer W by the face-down method, when the surface to be plated of the wafer W is brought into contact with the liquid surface of the plating solution, the wafer W There is a problem that air enters between the surface to be plated and the liquid surface of the plating solution, and air bubbles adhere to the surface to be plated of the wafer W, so that a uniform plating layer cannot be formed. When an electrolytic plating process for forming a plating layer on the surface to be plated of the wafer W by forming an electric field between the wafer W and the electrode 203 is performed by a face-down method, oxygen generated by electrolysis of a plating solution is used. There is a problem that bubbles such as hydrogen and hydrogen adhere to the surface to be plated of the wafer W and cannot form a uniform plating layer. Further, there is a problem in that impurities such as particles adhere to the surface to be plated of the wafer W, so that a uniform plating layer cannot be formed. Therefore, the wafer W
A device has been proposed in which the wafer W is rotated before or at the same time as the plating step in a state where the wafer W is in contact with the liquid to remove bubbles. However, in the apparatus as described above, the wafer W is rotated while the wafer W is in contact with the surface of the plating solution, and bubbles formed when the wafer W is immersed in the plating solution tank 202 or the electrolytic plating process are performed. Since bubbles generated therein are removed, there is a problem that bubbles attached to the surface to be plated of the wafer W cannot be removed sufficiently. Further, there is a problem that impurities such as particles adhering to the surface to be plated of the wafer W cannot be removed only by rotating the wafer W by the above-described apparatus. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. That is, the present invention can reliably remove bubbles formed between the surface of the substrate to be processed and the surface of the processing liquid when the surface of the substrate to be processed is brought into contact with the processing liquid. It is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method that can perform the processing. Further, the present invention provides a liquid processing apparatus and a liquid processing method capable of reliably removing bubbles generated when an electric field is formed between a substrate to be processed and a liquid processing tank from a surface of the substrate to be processed. The purpose is to provide. Still another object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method capable of reliably removing impurities adhering to a processing surface of a processing substrate from the processing surface of the processing substrate.

【課題を解決しようとする手段】請求項１の液処理装置
は、処理液を収容する処理液槽と、被処理基板の被処理
面を下にして保持する保持機構と、前記保持機構に配設
された吸引手段と、第１の電極と、第２の電極とを具備
することを特徴とする。請求項１の液処理装置では、前
記保持機構に配設された吸引手段を備えるので被処理基
板の被処理面を処理液に接液させる際に被処理基板の被
処理面と処理液の液面との間に形成される泡や第１の電
極と第２の電極との間に電界を形成したときに発生する
泡を吸引することができ確実に泡を取り除くことができ
る。また、被処理基板の被処理面に付着する不純物を確
実に取り除くことができる。請求項２の液処理装置は、
請求項１記載の液処理装置であって、前記吸引手段はベ
ンチュリー管及び前記ベンチュリー管に気体を供給する
供給手段とから構成されていることを特徴とする。請求
項２の液処理装置では、ベンチュリー管及び前記ベンチ
ュリー管に気体を供給する供給手段により泡及び不純物
を吸引するので簡易な構造で効率良く泡及び不純物を取
り除くことができる。請求項３の液処理装置は、請求項
２記載の液処理装置であって、前記ベンチュリー管はダ
ブルベンチュリー管であることを特徴とする。請求項３
の液処理装置では、ダブルベンチュリー管を使用するの
で吸引力が増大するとともに泡及び不純物を含んだ処理
液がダブルベンチュリー管の中心付近を通過させること
ができダブルベンチュリー管の側壁に処理液の付着を防
ぐことができる。請求項４の液処理方法は、被処理基板
の被処理面を下にして保持し、処理液に浸漬させながら
液処理を施す液処理方法であって、前記被処理基板の下
方の処理液若しくは気体の少なくとも一方を吸引するこ
とを特徴とする。請求項４の液処理方法では、被処理基
板の下方の処理液若しくは気体の少なくとも一方を吸引
するので被処理基板の被処理面に均一に液処理を施すこ
とができる。請求項５の液処理方法は、請求項４記載の
液処理方法であって、前記吸引は着液前から行うことを
特徴とする。請求項５の液処理方法では、着液前から処
理液若しくは気体の少なくとも一方を吸引するので被処
理基板の着液際、被処理基板の被処理面に気体が付着し
ても気体を取り除くことができる。請求項６の液処理方
法は、請求項４又は５記載の液処理方法であって、前記
吸引は着液後に行うことを特徴とする。請求項６の液処
理方法では、着液後に処理液若しくは気体の少なくとも
一方を吸引するので着液後に被処理基板の被処理面に付
着する気体を取り除くことができる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus comprising: a processing liquid tank for storing a processing liquid; a holding mechanism for holding a substrate to be processed with a surface to be processed facing downward; It is provided with the provided suction means, the first electrode, and the second electrode. The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a suction unit provided in the holding mechanism, so that when the processing target surface of the processing target substrate is brought into contact with the processing liquid, the processing target liquid of the processing target substrate and the processing liquid Bubbles formed between the surface and the bubbles generated when an electric field is formed between the first electrode and the second electrode can be sucked, and the bubbles can be reliably removed. Further, impurities attached to the surface of the substrate to be processed can be reliably removed. The liquid processing apparatus of claim 2 is
2. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the suction unit includes a venturi tube and a supply unit that supplies gas to the venturi tube. In the liquid processing apparatus according to the second aspect, since bubbles and impurities are sucked by the venturi tube and the supply means for supplying gas to the venturi tube, the bubbles and impurities can be efficiently removed with a simple structure. A liquid processing apparatus according to a third aspect is the liquid processing apparatus according to the second aspect, wherein the venturi pipe is a double venturi pipe. Claim 3
Since the liquid processing apparatus uses a double venturi tube, the suction force increases, and the processing liquid containing bubbles and impurities can pass near the center of the double venturi tube, and the processing liquid adheres to the side wall of the double venturi tube. Can be prevented. The liquid processing method according to claim 4, wherein the processing surface of the substrate to be processed is held down, and the liquid processing is performed while being immersed in the processing solution. It is characterized in that at least one of the gases is sucked. In the liquid processing method according to the fourth aspect, at least one of the processing liquid and the gas below the substrate to be processed is sucked, so that the surface of the substrate to be processed can be uniformly subjected to the liquid processing. A liquid processing method according to a fifth aspect of the present invention is the liquid processing method according to the fourth aspect, wherein the suction is performed before liquid landing. In the liquid processing method according to the fifth aspect, since at least one of the processing liquid and the gas is sucked before the liquid is applied, even when the gas adheres to the surface to be processed of the substrate to be processed, the gas is removed. Can be. A liquid processing method according to a sixth aspect is the liquid processing method according to the fourth or fifth aspect, wherein the suction is performed after the liquid is deposited. In the liquid processing method according to the sixth aspect, at least one of the processing liquid and the gas is sucked after the liquid is applied, so that the gas adhering to the surface of the substrate to be processed after the liquid can be removed.

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の第１の実施の形態に係るメッキ処理システムについ
て説明する。図１は本実施の形態に係るメッキ処理シス
テムの斜視図であり、図２は同メッキ処理システムの平
面図であり、図３は同メッキ処理システムの正面図であ
り、図４は同メッキ処理システムの側面図である。図１
〜図４に示すように、このメッキ処理システム１はウエ
ハＷを出し入れしたり運搬するキャリアステーション２
とウエハＷに実際に処理を施すプロセスステーション３
とから構成されている。キャリアステーション２はウエ
ハＷを収容する載置台２１と載置台２１上に載置された
キャリアカセットＣにアクセスしてその中に収容された
ウエハＷを取り出したり、処理が完了したウエハＷを収
容したりするサブアーム２２とから構成されている。キ
ャリアカセットＣ内には複数枚、例えば２５枚のウエハ
Ｗを等間隔毎に水平に保った状態で垂直方向に収容され
るようになっている。載置台２１上には図中Ｘ方向に例
えば４個のキャリアカセットＣが配設されるようになっ
ている。サブアーム２２は図２中Ｘ方向に配設されたレ
ール上を移動するとともに鉛直方向（Ｚ方向）即ち図２
中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ水平面内で回転可能
な構造を備えている。このサブアーム２２は略水平面内
で伸縮可能なウエハ保持部２３材を備えており、これら
のウエハ保持部材２３を伸縮させることにより載置台２
１上に載置されたキャリアカセットＣの未処理のウエハ
ＷをキャリアカセットＣから取り出したり、処理が完了
したウエハＷをキャリアカセットＣ内に収納するように
なっている。またこのサブアーム２２は後述するプロセ
スステーション３との間でも、処理前後のウエハＷを受
け渡しするようになっている。プロセスステーション３
は図１〜図４に示すように直方体又は立方体の箱型の外
観を備えており、その周囲全体は耐食性の材料、例えば
樹脂や表面を樹脂でコーティングした金属板などででき
たハウジング３１で覆われている。プロセスステーショ
ン３の内部は図１〜図４に示すように略立方形或いは直
方形の箱型の構成となっており、内部には処理空間Ｓが
形成されている。処理空間Ｓは図１及び図４に示すよう
に直方体型の処理室であり、処理空間Ｓの底部には底板
３３が取り付けられている。処理空間Ｓには、複数の処
理ユニット、例えば４基のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ
４が例えば処理空間Ｓ内の、次に説明するメインアーム
３５の周囲にそれぞれ配設されている。図１及び図２に
示すように底板３３のほぼ中央にはウエハＷを搬送する
ためのメインアーム３５が配設されている。このメイン
アーム３５は昇降可能かつ略水平面内で回転可能になっ
ており、更に略水平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ
保持部材３６を備えており、これらのウエハ保持部材３
６を伸縮させることによりメインアーム３５の周囲に配
設された処理ユニットに対して処理前後のウエハＷを出
し入れできるようになっている。またメインアーム３５
は垂直方向に移動して上段側の処理ユニットへもアクセ
ス可能に構成されており、下段側の処理ユニットから上
段側の処理ユニットへウエハＷを搬送したり、その逆に
上段側の処理ユニットから下段側の処理ユニットへウエ
ハＷを搬送するようになっている。更にこのメインアー
ム３５は保持したウエハＷを上下反転させる機構を備え
ており、一の処理ユニットから他の処理ユニットへウエ
ハＷを搬送する間にウエハＷを上下反転できる構造を備
えている。なお、このウエハＷを反転する機能はメイン
アーム３５に必須の機能ではない。上段側には他の処理
ユニット、例えば洗浄処理ユニット１００が例えば２基
キャリアステーションに近い側、即ち前記メッキ処理ユ
ニットＭ１、Ｍ２の上側にそれぞれ配設されている。ま
た、例えばアニーリング処理ユニットが例えば２基キャ
リアステーションに遠い側、即ち前記メッキ処理メッキ
ユニットＭ３〜Ｍ４の上側にそれぞれ配設されている。
このメッキ処理システムは、メッキ処理ユニットＭ１〜
Ｍ４上に洗浄処理ユニット１００及びアニーリング処理
ユニットを配設するのでフットプリントを小さく抑える
ことができる。プロセスステーション３のハウジング３
１のうち、キャリアステーション２に対面する位置に配
設されたハウジング３１ａには、図３に示すように３つ
の開閉可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が配設されている。これ
らのうちＧ１は下段側に配設されたメッキ処理ユニット
Ｍ１とＭ２との間に配設された中継載置台３７の位置に
対応する開口部であり、キャリアカセットＣからサブア
ーム２２が取り出した未処理のウエハＷをプロセスステ
ーション３内に搬入する際に用いられる。搬入の際には
開口部Ｇ１が開かれ、未処理ウエハＷを保持したサブア
ーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材２３を伸長さ
せて中継載置台３７上にウエハＷを置く。この中継載置
台３７にメインアーム３５がウエハ保持部材３６を伸長
させて中継載置台３７上に載置されたウエハＷを保持し
てメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４などの処理ユニット内
まで運ぶ。残りの開口部Ｇ２及びＧ３は処理空間Ｓのキ
ャリアステーション２に近い側に配設された洗浄処理ユ
ニット１００に対応する位置に配設されており、これら
の開口部Ｇ２、Ｇ３を介してサブアーム２２が処理空間
Ｓ内の上段側に配設された洗浄処理ユニット１００に直
接ウエハ保持部材２３を伸長させて処理が完了したウエ
ハＷを受け取ることができるようになっている。また、
処理空間Ｓ内には図４中上から下向きのエアフローが形
成されており、システム外から供給された清浄なエアが
処理空間Ｓの上部から供給され、洗浄処理ユニット１０
０、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４に向けて流下し、処
理空間Ｓの底部から排気されてシステム外に排出される
ようになっている。このように処理空間Ｓ内を上から下
に清浄なＮ２を流すことにより、下段側のメッキ処理ユ
ニットＭ１〜Ｍ４から上段側の洗浄ユニット１００の方
にはＮ２が流れないようになっている。そのため、常に
洗浄処理ユニット側は洗浄な雰囲気に保たれている。更
に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４や洗浄処理ユニット
１００等の各処理ユニット内はシステムの処理空間Ｓよ
りも陰圧に維持されており、Ｎ２の流れは処理空間Ｓ側
から各処理ユニット内に向って流れ、各処理ユニットか
らシステム外に排気される。そのため、処理ユニット側
から処理空間Ｓ側に汚れが拡散するのが防止される。次
に、本実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１につい
て説明する。図５は本実施の形態に係るメッキ処理ユニ
ットＭ１の模式的な垂直断面図である。図５に示すよう
に、このメッキ処理ユニットＭ１では、ユニット全体が
密閉構造のハウジング４１で覆われている。このハウジ
ング４１も樹脂等の耐食性の材料で構成されている。ハ
ウジング４１の内部は上下２段、即ち下段に位置する第
１の処理部Ａと上段に位置する第２の処理部Ｂとに分か
れた構造になっている。この第１の処理部Ａと第２の処
理部Ｂは、排気路を内蔵したセパレータ７２により仕切
られている。そのため、第２の処理部Ｂ側から上段の第
１の処理部Ａ側に汚れが拡散するのが防止される。セパ
レータ７２の中央には貫通孔が設けられており、この貫
通孔を介して後述するドライバ６１に保持されたウエハ
Ｗが第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの間を行き来で
きるようになっている。また、第１の処理部Ａと第２の
処理部Ｂとの境界にあたる部分のハウジングにはウエハ
Ｗをメッキ処理ユニットＭ１内に搬出入するゲートバル
ブ７８が設けられている。このゲートバルブ７８を閉じ
るとメッキ処理ユニットＭ１内はその外側の処理空間Ｓ
とは隔絶された空間となるので、メッキ処理ユニットＭ
１から外側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防止され
る。さらに、メッキ処理ユニットＭ１及びＭ２はそれぞ
れ別個独立に運転することができ、処理システムに対し
てそれぞれが着脱可能に構成されている。そのため、一
つメッキ処理ユニットについて保守管理など運転できな
い場合には、他のメッキ処理ユニットを代替使用するこ
とができ、保守管理が容易に行える。第１の処理部Ａの
内部にはメッキ液槽４２が配設されている。このメッキ
液槽４２は内槽４２ａと内槽４２ａの外側に内槽４２ａ
と同心的に配設された外槽４２ｂの２重槽から構成され
ている。メッキ液で内槽４２ａを満たしたときに後述す
るメッキ位置（Ｖ）にあるウエハＷの被メッキ面がメッ
キ液液面よりも低くなるように内槽４２ａが固定されて
いる。内槽４２ａは有底の略円筒形に形成されており、
内槽４２ａの開口面は略水平に維持されている。内槽４
２ａの内部には内槽４２ａの底面側から上面に向けてメ
ッキ液を噴出させる噴出管４３が内槽４２ａの底面の略
中心から内槽４２ａの深さ方向略中間付近まで突出して
いる。噴出管４３の周囲には例えば複数の銅球を集めて
形成された略円盤状の第１の電極としてのアノードとし
ての電極４４が内槽４２ａと同心的に配設されており、
電極４４としての銅球を例えば硫酸銅を含んだメッキ液
中に溶解させることによりメッキ液中の銅イオンの減少
を防止している。また、この電極４４には導線が外槽４
２ｂの外部にある図示しない電源まで延設されており、
この電源を投入することにより電極４４と後述するドラ
イバ６１に設けられた凸形コンタクト６４を介してウエ
ハＷとの間に電界を形成するようになっている。噴出管
４３の端部外周と内槽４２ａとの間には内槽４２ａを上
下に仕切り分ける隔膜４５が電極４４の上方に設けられ
ており、隔膜４５で仕切られた内槽４２ａの上側（以下
「内槽の上側」という。）には噴出管４３からメッキ液
が供給され、隔膜４５で仕切られた内槽４２ａの下側
（以下「内槽の下側」という。）には後述する循環配管
４６からメッキ液が供給されるようになっている。ま
た、この隔膜４５はイオンを透過するが、電極４４とし
ての銅球を溶解させたときに生じる不純物及びウエハＷ
の被メッキ面にメッキ工程中に発生する例えば酸素及び
水素のような泡を透過させないように構成されている。
また、内槽４２ａの底面の中心から偏心した位置には循
環配管４６，４７が設けられており、この循環配管４
６，４７の間には図示しないポンプが配設されている。
このポンプを作動させて内槽４２ａの下側にメッキ液を
循環させるようになっている。外槽４２ｂは、内槽４２
ａと同様に有底の略円筒形に形成されており、外槽４２
ｂの開口面は略水平に維持されている。外槽４２ｂの底
部には排出口が２箇所設けられており、この排出口には
配管４８が接続されている。この配管４８と噴出管４３
との間にはポンプ４９が配設されている。また、配管４
８にはメッキ液を収容したタンク５０がポンプ５１とバ
ルブ５２を介して接続されており、ポンプ５１を作動さ
せるとともにバルブ５２を開くことによりタンク５０内
のメッキ液を内４２ａ槽に供給するようになっている。
また、第１の処理部Ａにはクリーンルームのように清浄
なＮ_２の流れを循環させる機構が配設されている。即
ち、ハウジング４１の最上部には第１の処理部Ａに向け
てＮ_２を下向きに流すためのＮ_２吹出口７３が配設され
ており、このＮ_２吹出口７３にはＮ_２を供給するための
Ｎ_２供給配管７４が接続されている。Ｎ_２供給配管７４
のＮ_２移動方向上流側は前記セパレータ７２内の最上部
側に埋設されたＮ_２路と繋がっている。セパレータの上
面にはＮ_２を取り込むためのＮ_２取込口７５が形成され
ており、第１の処理部Ａを流下してきたＮ_２を取り込む
ようになっている。またＮ_２供給配管７４の途中にはＮ
_２を移動させるためのファン（図示省略）やコンプレッ
サ７６が配設されており、Ｎ_２取込口７５で取り込んだ
Ｎ_２をＮ_２供給配管７４を経由させてＮ_２吹出口７５に
送る。Ｎ_２吹出口７５にはＮ_２中の埃や塵などを除去す
るためのフィルタ７７が配設されており、Ｎ_２吹出口７
３からセパレータ７２のＮ_２取込口７５に向けて第１の
処理部Ａ内を下向きに流れる清浄なＮ_２のダウンフロー
を形成している。ここで、Ｎ_２吹出口７３から吹出され
るＮ_２の流速は上記コンプレッサ７６に接続されている
図示しない制御装置を制御することにより調節できるよ
うになっている。このように内部でＮ_２を清浄化し、こ
の清浄化されたＮ_２を図中下向きに流すことで処理部Ａ
内を清浄な雰囲気に保っている。一方、セパレータ７２
の下方には第２の処理部Ｂが形成されている。この第２
の処理部Ｂは前記第１の処理部Ａとは別個独立に形成さ
れた空間であり、第１の処理部Ａを流れるＮ_２が第２の
処理部Ｂに流れ込んだり、第２の処理部Ｂの空気が第１
の処理部Ａに流れ込むことはない。このように処理部Ｂ
側から処理部Ａ側に空気が流れないようにすることで処
理部Ａ内を清浄雰囲気に保っている。セパレータの下側
には排気手段としての排気口７１が配設されている。こ
の排気口７１は図示しない排気系に繋がれており、第２
の処理部ＢのＮ_２中に飛散したメッキ液の微粒子等をこ
の排気口７１で吸い込んで排気とともにメッキ処理シス
テム１外へ排出する。このように処理部ＢのＮ_２中に含
まれる微粒子をメッキ処理システム１外へ排出すること
によりメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４内やメッキ処理シ
ステム１内を清浄な雰囲気に維持している。セパレータ
７２のうち、ドライバ６１が出入りする貫通口の内壁下
部には複数の洗浄ノズル７０が配設されており、後述す
る洗浄位置（ＩＩ）で停止したウエハＷの下面に向けて
例えば純水を噴出して洗浄するようになっている。な
お、この貫通口の部分に水平方向のエアカーテンを形成
することも可能である。例えば、セパレータ７２の一方
から清浄なＮ_２を平面状に吹き出す一方、吹出口の反対
側に吸気口を設けてメッキ液槽４２の上部を通過してき
たＮ_２を吸引しメッキ処理システム１外へ排気する方法
などが挙げられる。このように処理部Ａと処理部Ｂとの
境界にエアカーテンを形成することにより、メッキ液槽
４２からのメッキ液を含んだミストが第１の処理部Ａ側
に拡散するのを防止することができる。また、このメッ
キ処理ユニットＭ１内には温度調節装置や湿度調節装置
を配設することも可能である。その場合にはメッキ処理
ユニットＭ１内を所定の温度や湿度を維持するように制
御されるので、メッキ液などのミストの発生を防止する
ことができ、メッキ処理ユニットＭ１内のＮ_２が汚染さ
れるのを防止している。第２の処理部Ｂの内部にはウエ
ハＷを保持する保持機構としてのドライバ６１がメッキ
液槽４２の中心の真上に配設されている。またドライバ
６１はウエハＷを保持する保持部６２と、この保持部６
２ごとウエハＷを略水平面内で回転させるモータ６３と
から構成されている。モータ６３は樹脂等の耐食性の材
料で形成されたカバー６６で覆われており、後述するメ
ッキ位置（Ｖ）でウエハＷを保持する際にメッキ液が及
び蒸発したミスト、飛散したミストがモータ６３内に浸
入するのを防止している。また、モータ６３の外側容器
にはドライバ６１を支持する支持梁６７が取り付けられ
ている。支持梁６７の端はハウジング４１の内壁に対し
てガイドレール６８を介して昇降可能に取り付けられて
いる。支持梁６７は更に上下方向に伸縮自在なシリンダ
６９を介してハウジング４１に取り付けられており、こ
のシリンダ６９を駆動させることにより支持梁６７に支
持されたドライバ６１がガイドレール６８に沿って上下
動してウエハＷを昇降させるようになっている。具体的
には図５に示すように、ドライバ６１の保持部６２に載
置されたウエハＷは、搬送のための搬送位置（Ｉ）と、
ウエハＷのメッキ形成面を洗浄処理するための洗浄位置
（ＩＩ）と、後述する凸形コンタクト６４を洗浄処理す
るための洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）
と、後述するスピンドライを行うためのスピンドライ位
置（ＩＶ）と、ウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成
するためのメッキ（Ｖ）とのメッキ液槽４２の中心軸上
にある主に５つの異なる高さの位置との間で昇降する。
また、搬送位置（Ｉ）、洗浄位置（ＩＩ）及び洗浄位置
（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）はメッキ液槽４２
の内槽４２ａ内にメッキ液を一杯にしたときのメッキ液
液面より上方にあり、スピンドライ位置（ＩＶ）及びメ
ッキ（Ｖ）はメッキ液液面より下方にある。次に本実施
の形態に係る保持部６２について説明する。図６は本実
施の形態に係る保持部６２の模式的な平面断面図であ
り、図７は本実施の形態に係るベンチュリー管を備えた
保持部６２の模式的な垂直断面図である。図６及び図７
に示すように保持部６２は１枚のウエハＷを略水平に収
容可能な有底の略円筒形に形成されている。保持部６２
底面内側上には例えば１２８等分された位置にウエハＷ
に電圧を印加するための第２の電極としての凸形コンタ
クト６４が配設されている。この凸形コンタクト６４は
図示しない電源と導線を介し電気的に接触している。凸
形コンタクト６４上にはウエハＷの被メッキ面に例えば
スパッタリングにより予め銅の薄膜を形成したウエハＷ
を載置するので、凸形コンタクト６４に印加された電圧
がウエハＷの被メッキ面にも印加される。また、保持部
６２の底面内側にはシール部材６５が同心的に設けられ
ており、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液液面より下方
の後述するメッキ位置（Ｖ）で保持する際にメッキ液が
保持部６２内に浸入するのを防止している。さらに、保
持部６２には図示しない押圧機能が備えられており、保
持部６２にウエハＷを載置するとウエハＷのメッキ層を
形成しない面に対して押圧するので後述するメッキ位置
（Ｖ）までウエハＷを下降させてもウエハＷの被メッキ
面以外の部分にメッキ液が接液するのを防止している。
また、保持部６２には保持部６２の内側から外側に渡っ
て例えば４等分された位置に泡及び不純物を吸引する吸
引手段としての例えばベンチュリー管８０が配設されて
いる。このベンチュリー管は樹脂等の耐食性の材料で構
成されている。図７に示すように、このベンチュリー管
８０は保持部６２の内側から外側に渡って配設された吸
引管８１と、吸引管８１の保持部６２外側の開口部８２
（以下「外側開口部」という。）に略水平に接続された
噴射管８４とから構成されている。吸引管８１の保持部
６２内側の開口部８３（以下「内側開口部」という。）
は保持部６２に載置されるウエハＷの被メッキ面より下
側、即ちメッキ液側に位置しているとともに泡やパーテ
ィクルのような不純物を取り除き易い位置に位置してい
る。好ましくは保持部６２とウエハＷとが接触するシー
ル部材６５の近傍に位置している。吸引管８１の内側開
口部８３をシール部材６５の近傍に位置させることが好
ましいとしたのは、噴出管４３から供給されるメッキ液
の流れによりウエハＷの被メッキ面に付着した泡やパー
ティクルのような不純物がウエハＷの中心から外周縁に
向かって移動し、シール部材６５とウエハＷとの間に特
に溜まり易いからである。また、噴射管８４には保持部
６２側の開口部８５から排気口７１側の開口部８６に向
けて上記したＮ_２吹出口７３から吹出されるＮ_２が入り
込むようになっている。このＮ_２が噴射管８４内に入り
込み噴射管８４内を通過することにより噴射管８４に接
続された吸引管８１の外側開口部８２付近と内側開口部
８３付近との間に圧力差が生じる。即ち、吸引管８１の
外側開口部８２付近の圧力が内側開口部８３付近の圧力
より高くなる。そのため、吸引管８１の外側開口部８２
付近から内側開口部８３付近にある泡やパーティクルの
ような不純物をメッキ液とともに吸引する。さらに、こ
の吸引により噴射管内に引き込まれた泡やパーティクル
のような不純物は噴射管内のＮ_２の流れに沿ってメッキ
液ごと噴射管８４の排気口７１側の開口部８６からミス
ト状に噴射される。また、このベンチュリー管８０は上
下方向に伸縮自在に構成されており、図示しない制御装
置によりベンチュリー管８０の高さを調節できるように
なっている。この制御装置でベンチュリー管８０の高さ
を調節することによりドライバ６１を昇降させても噴射
管８４の高さを常に排出口７１の高さにすることがで
き、噴射管８４から噴射された泡やパーティクルのよう
な不純物を含んだミスト状のメッキ液を排気口７１を介
して確実にメッキ処理システム１外へ排出することがで
きる。次にウエハＷの被メッキ面にメッキを施すメッキ
処理システムのフローについて説明する。図８は本実施
の形態に係るメッキ処理システム全体のフローを示すフ
ローチャートである。図８に示すように、電源を投入し
てこのメッキ処理システムを立ち上げ、ウエハＷを１ロ
ット、例えば２５枚収容したキャリアカセットＣを図示
しない搬送ロボットにより載置台２１に載置する。キャ
リアカセットＣが載置されると、サブアーム２２がキャ
リアカセットＣの前まで移動し、載置台２１上に載置さ
れたキャリアカセットＣ内にウエハ保持部材２３を差し
込ませキャリアカセットＣから未処理のウエハＷを取り
出す。さらにサブアーム２２が回転するとともにウエハ
Ｗを保持したウエハ保持部材２３が伸長して、開口部Ｇ
１を介し第１の処理室内にある中継載置台３７上にウエ
ハＷを一旦載置する。中継載置台３７上にウエハＷが載
置されると、メインアーム３５のウエハ保持部材３６が
伸長して中継載置台３７の未処理のウエハＷを受け取
る。未処理のウエハＷを受け取った後メインアーム３５
がウエハＷの上下を反転させるとともに回転して、ウエ
ハ保持部材３６が伸長して例えばメッキ処理ユニットＭ
１内にウエハＷを搬入する（ステップ１）。以下、メッ
キ処理ユニットＭ１のメッキ処理（ステップ２）のフロ
ーについて図９及び図１０〜図１４に沿って説明する。
図９は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行われ
るメッキ処理のフローを示したフローチャートであり、
図１０〜図１３は本実施の形態に係るメッキ処理工程を
模式的に示した垂直断面図である。図１４は本実施の形
態に係るベンチュリー管８０での泡抜き状態を模式的に
示した垂直断面図である。中継載置台３７からウエハＷ
を受け取ったメインアーム３５がウエハＷの上下を反転
させてメッキ処理ユニットＭ１にアクセスする。即ちメ
ッキ処理ユニットＭ１の側壁に設けられたゲートバルブ
７８が開かれて、未処理のウエハＷを保持したままウエ
ハ保持部材３６が伸長して図１０（ａ）に示すようにウ
エハＷを搬送位置（Ｉ）に保持する位置に待機している
ドライバ６１の保持部６２にウエハＷの被メッキ面を例
えば硫酸銅含んだメッキ液液面に向けて略水平に載置す
る（ステップ２（１））。ウエハＷが保持部６２に載置
されると保持部６２に備えられた図示しない押圧機能に
よりウエハＷのメッキ層を形成しない面に対して押圧す
る。この押圧によりメッキ液のウエハの裏面へ回り込み
を防止することができる。また、ウエハ保持部材３６が
ドライバ６１の保持部６２にウエハＷを引き渡した後、
ウエハ保持部材３６が縮退してゲートバルブ７８を閉じ
る。なお、このときメッキ液槽４２の内槽４２ａ内には
メッキ液を一杯にさせておく。ゲートバルブ７８を閉じ
た後、Ｎ_２吹出口７３からＮ_２が吹出されるとともにド
ライバ６１がシリンダ６９の駆動でウエハＷをメッキ位
置（Ｖ）に下降させる。ここで、ウエハＷをメッキ位置
（Ｖ）に下降させる途中でウエハＷの被メッキ面がメッ
キ液液面に接触する。この接触によりウエハＷの被メッ
キ面とメッキ液液面との間には空気の泡が形成される。
しかし、Ｎ_２吹出口７３から吹出されるＮ_２がベンチュ
リー管８０の噴射管８４内に入り込み噴射管８４内を通
過することにより噴射管８４に接続された吸引管８１の
外側開口部８２付近と内側開口部８３付近との間に圧力
差が生じる。この圧力差によりウエハＷの被メッキ面が
メッキ液液面に接触すると同時に吸引管８１の外側開口
部８２付近から内側開口部８３付近にある泡やパーティ
クルのような不純物をメッキ液とともに吸引する。さら
に、この吸引により噴射管８４内に引き込まれた泡は噴
射管８４内のＮ_２の流れに沿ってメッキ液ごと噴射管８
４の排気口７１側の開口部８６からミスト状に噴射され
る（ステップ２（２））。従って、ウエハＷの被メッキ
面とメッキ液液面との接触により形成される泡をベンチ
ュリー管８０でメッキ液とともに吸引して噴射すること
により泡を確実に取り除くことができる。また、空気の
泡だけではなくウエハＷの被メッキ面に付着するパーテ
ィクルのような不純物も泡とともに取り除くことができ
る。また、図示しない制御装置の制御によりベンチュリ
ー管８０を伸縮させウエハＷの噴出管８４の高さを常に
排気口７１の高さにするのでドライバ６１を下降させて
も噴射管８４から噴射されるメッキ液は排気口７１を介
して確実にメッキ処理システム１外へ排出される。ま
た、上記Ｎ_２吹出口７３から吹出すＮ_２の流速ｗはウエ
ハＷの被メッキ面とメッキ液液面との接触により形成さ
れる泡及びパーティクルのような不純物を確実に取り除
くことができる速度である。メッキ位置（Ｖ）までウエ
ハＷを下降させた後、図１０（ｃ）に示すように電極４
４と凸形コンタクト６４に接触しているウエハＷとの間
に電圧が印加されてウエハＷの被メッキ面に例えば銅の
メッキ層の形成を開始する（ステップ２（３））。ここ
で、上記ベンチュリー管８０による吸引及び噴射はウエ
ハＷの被メッキ面がメッキ液液面と接触すると同時に開
始され、Ｎ_２吹出口からＮ_２が吹出している限り自動的
に続くものであるのでウエハＷの被メッキ面がメッキ液
中に位置している場合であっても上記吸引及び噴射が行
われる。即ち、電圧が印加されウエハＷの被メッキ面に
メッキ層を形成しているときに発生する泡や不純物もベ
ンチュリー管８０で吸引し噴射することにより確実に取
り除くことができる。ウエハＷの被メッキ面に十分な厚
さのメッキ層を形成した後、図１０（ｄ）に示すように
電圧の印加を停止してメッキ層の形成を終了する（ステ
ップ２（４））。続いてポンプ５１の作動及びバルブ５
２の開放で所定量のメッキ液をタンク５０に戻し、図１
１（ａ）に示すようにメッキ液槽４２内のメッキ液液面
を低下させる（ステップ２（５））。メッキ液液面を低
下させた後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１
１（ｂ）に示すようにウエハＷをスピンドライ（ＩＶ）
に上昇させる（ステップ２（６））。この状態で保持部
６２がモータ６３の駆動で図１１（ｃ）に示すように略
水平面内で回転してスピンドライを行いウエハＷのメッ
キ形成面に付着している余分なメッキ液を取り除く（ス
テップ２（７））。十分にスピンドライを行った後、ド
ライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１１（ｄ）に示す
ようにウエハＷを洗浄位置（ＩＩ）に上昇させる（ステ
ップ２（８））。この位置で保持部６２がモータ６３の
駆動で図１２（ａ）に示すように略水平面内で回転する
とともにセパレータ７２に内蔵されている洗浄ノズル７
０から純水をウエハＷのメッキ層形成面に向けて噴射さ
せて、ウエハＷのメッキ層形成面を洗浄する（ステップ
２（９））。ウエハＷのメッキ層形成面の洗浄が終了し
た後、ドライバ６１をその位置に維持したままウエハＷ
の押圧を停止して例えばウエハＷを昇降させる図示しな
いチャックによりウエハＷを洗浄位置（ＩＩ）より少し
高い位置（ＩＩＩ）に上昇させる。この状態で保持部６
２のみがモータ６３の駆動で図１２（ｂ）に示すように
回転するとともにセパレータ７３に内蔵された洗浄ノズ
ル７０から純水が保持部６１の凸形コンタクト６４に向
けて噴射して凸形コンタクト６４を洗浄する（ステップ
２（１０））。凸形コンタクト６４の洗浄が終了した
後、図示しないチャックによりウエハＷを洗浄位置（Ｉ
Ｉ）に下降させて保持部６２に載置する。この状態でド
ライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１２（ｃ）に示す
ようにウエハＷをスピンドライ位置（ＩＶ）まで下降さ
せる（ステップ２（１１））。ウエハＷをスピンドライ
位置（ＩＶ）まで下降させた後、図１２（ｄ）に示すよ
うにウエハＷを回転させてスピンドライを行い、洗浄さ
れた凸形コンタクト６４に付着されている水分を取り除
く（ステップ２（１２））。その後、ドライバ６１がシ
リンダ６９の駆動で図１３（ａ）に示すようにウエハＷ
を搬送位置（Ｉ）まで上昇させる（ステップ２（１
３））。この状態でゲートバルブ７８を開きメインアー
ム３５のウエハ保持部材３６が伸長して保持部６２に保
持されたウエハＷを受け取り、図１３（ｂ）に示すよう
にメッキ処理ユニットＭ１での処理が完了したウエハＷ
が搬出される（ステップ２（１４））。メッキ処理ユニ
ットＭ１での処理が完了した後、ウエハ保持部材３６に
保持されたウエハＷは必要に応じて組成の異なるメッキ
液が収容された他のメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４に搬
送されて、メッキ処理が行われる。同様にして次々に組
成の異なるメッキ液が収容されたメッキ処理ユニットＭ
２〜Ｍ４にウエハＷが搬送されて、メッキ処理が行われ
る。一連のメッキ処理が終了した後、メインアーム３５
のウエハＷを保持したウエハ保持部材３６が上昇して洗
浄処理ユニット１００内にウエハＷを搬送し、洗浄処理
が行われる（ステップ３）。洗浄処理ユニット１００に
よる洗浄処理が完了したら、後続の処理、例えば、アニ
ーリング処理を行なう（ステップ４）。アニーリングが
完了すると、再びサブアーム２２がプロセスステーショ
ン３の前まで移動するとともに開口部Ｇ２又はＧ３の高
さまで上昇するとともに再びメインアーム３５が処理後
のウエハＷを受け取り、中継載置台３７を経由して、或
いは洗浄ユニット１００内を経由してメインアーム３５
からサブアーム２２へウエハＷが引き渡される（ステッ
プ５）。その後、ウエハＷを保持したサブアーム２２
は、キャリアカセットＣの高さまで下降するとともにキ
ャリアカセットＣの前に移動してウエハ保持部材２３を
伸長させて処理済のウエハＷをキャリアカセットＣ内に
収容して一連のメッキ処理が終了する。（第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態
について説明する。なお、本実施の形態のうち第１の実
施の形態と重複する内容については説明を省略する。本
実施の形態ではベンチュリー管にダブルベンチュリー管
を用いる構成とした。即ち、噴射管内のＮ_２の流速を高
めるために噴射管を２重管とする構成とした。図１５は
本実施の形態に係るダブルベンチュリー管を備えた保持
部６２の模式的な垂直断面図である。図１５示すように
本実施の形態に係るダブルベンチュリー管９０の噴射管
９１は２重管から構成されており、具体的には内側に配
設された噴射内管９２と、噴射内管９２の外側に同心的
に配設された噴射外管９３とから構成されている。噴射
内管９２は噴射外管９３より短くなっており、噴射内管
９２には吸引管９４の外側開口部９５が接続されてい
る。この噴射内管９２内にＮ_２吹出口７３から吹出され
るＮ_２が入り込み噴射内管９２内を通過することにより
Ｎ_２の流速が高めることができ、より強力な吸引をする
ことができる。また、噴射外管９３の側壁には噴射内管
９２を取り囲むように環状の突起物９６が形成されてい
る。この環状の突起物９６を形成することにより噴射外
管９３の側壁付近を通過するＮ_２の流速を高めることが
できる。ここで、噴射内管９２を通過するＮ_２の流速は
噴射外管９３の側壁付近を通過するＮ_２の流速より高い
ので噴射内管９２を通過したＮ_２は噴射外管９３の中心
付近に流出しても側壁付近のＮ_２と混ざることがなく噴
射外管９３の中心付近を流れ続けるようになっている。
次に本実施の形態に係るダブルベンチュリー管９０を使
用したときの泡抜き状態について説明する。図１６は本
実施の形態に係るダブルベンチュリー管９０での泡抜き
状態を模式的に示した垂直断面図である。図１６に示す
ように、Ｎ_２吹出口７３から吹出されるＮ_２はダブルベ
ンチュリー管９０の噴射内管９２及び噴射外管９３内に
それぞれ入り込む。噴射外管９３の側壁付近に入り込ん
だＮ_２は突起物９６で流速が高められる。また、噴射内
管９２に入り込んだＮ_２は噴射内管９２内で流速が高め
られる。この噴射内管９２で流速の高められるＮ_２によ
り吸引管９４の外側開口部９５付近の吸引力が増大し、
吸引管９４の内側開口部９７付近に形成されたより多く
の泡や不純物をメッキ液ごと吸引する。この吸引により
噴射内管９２内に引き込まれた泡や不純物はＮ_２の流れ
に沿ってメッキ液ごと噴射内管９２から噴射外管９３の
中心付近に流出する。その後、噴射外管９３の中心付近
から排気口７１に向けてミスト状に噴射され、排気口７
１を介してメッキ処理システム１外へ排出される。ここ
で、噴射内管９２を通過して噴射外管９３の中心付近に
流出するＮ_２が噴射外管９３の側壁付近のＮ_２と混ざる
ことがなく噴射外管９３の中心付近を流れ続けるので、
噴射外管９３の中心付近にＮ_２とともに流出するメッキ
液が噴射外管９３の側壁付近に付着することがなく、メ
ッキ液が析出することにより発生するパーティクルを防
ぐことができる。このように、本実施の形態に係るメッ
キ処理ユニットＭ１では、ベンチュリー管をダブルベン
チュリー管９０としたので、泡やパーティクルのような
不純物を吸引する吸引力が増大し、より効率良く泡や不
純物をウエハＷの被メッキ面から取り除くことができ
る。なお、本発明は上記第１及び第２の実施の形態の記
載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材
の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更
可能である。例えば図１７は変形例に係るシングルーベ
ンチュリー管を備えた保持部６２の模式的な垂直断面図
であり、図１８は同シングルベンチュリー管での泡抜き
状態を模式的に示した垂直断面図である。上記第１又は
第２の実施の形態では、突起物の形成されていないベン
チュリー管８０又は突起物と２重管で構成されているダ
ブルベンチュリー管９０を使用しているが、図１７及び
図１８に示すように噴射管１０１に突起物１０２のみ形
成されているシングルベンチュリー管１０３を使用して
もよい。また、上記第１及び第２の実施の形態では吸引
手段としてベンチュリー管及びダブルベンチュリー管を
用いているが、泡や不純物を吸引できるものであれば用
いることができる。具体的にはアスピレータやバキュー
ム等を用いることも可能である。また、上記第１及び第
２の実施の形態では、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液
液面に接触させる前及び後にベンチュリー管８０で吸引
しているが、接触させる前又は後のどちらか一方でもよ
い。また、上記第１及び第２の実施の形態では、ベンチ
ュリー管にＮ_２を供給しているが、空気を供給してもよ
い。さらに、上記第１及び第２の実施の形態では、被処
理基板としてウエハＷを用いているが液晶用のＬＣＤガ
ラス基板を用いることも可能である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment)
About the plating system according to the first embodiment of the present invention,
Will be explained. FIG. 1 shows a plating system according to the present embodiment.
FIG. 2 is a perspective view of the plating system, and FIG.
FIG. 3 is a front view of the plating system.
FIG. 4 is a side view of the plating system. FIG.
As shown in FIG. 4 to FIG.
Carrier station 2 for loading / unloading / transporting W
And process station 3 for actually processing wafers W
It is composed of Carrier station 2
The mounting table 21 accommodating the wafer W and the mounting table 21
Accessed the carrier cassette C and housed in it
Take out the wafer W or collect the processed wafer W
And a sub-arm 22 for holding. Ki
The carrier cassette C contains a plurality of wafers, for example, 25 wafers.
W is stored vertically at equal intervals with horizontal
It has become so. Example on the mounting table 21 in the X direction in the figure
For example, four carrier cassettes C are provided.
ing. The sub-arm 22 is a laser disposed in the X direction in FIG.
While moving on the vertical axis (Z direction), that is, FIG.
Can move up and down in the direction perpendicular to the paper surface and can rotate in the horizontal plane
It has a simple structure. This sub arm 22 is substantially in a horizontal plane
And a wafer holding portion 23 which can be extended and contracted.
The mounting table 2 is expanded and contracted by
1 unprocessed wafers of the carrier cassette C placed on 1
W is removed from carrier cassette C or processing is completed.
So that the wafer W is stored in the carrier cassette C.
Has become. The sub arm 22 is connected to a
The wafer W before and after processing is also received between the
It is designed to be handed over. Process station 3
Is outside of a rectangular or cubic box as shown in FIGS.
The entire perimeter is a corrosion resistant material, such as
Can be made of resin or a metal plate whose surface is coated with resin
The housing 31 is covered. Process station
The interior of the housing 3 is substantially cubic or straight as shown in FIGS.
It has a rectangular box-shaped configuration, and a processing space S is inside.
Is formed. The processing space S is as shown in FIGS.
And a bottom plate at the bottom of the processing space S.
33 are attached. The processing space S includes a plurality of processes.
Processing units, for example, four plating units M1 to M
4 is, for example, a main arm described below in the processing space S.
35 are provided around each other. 1 and 2
As shown, the wafer W is transferred to substantially the center of the bottom plate 33.
Arm 35 is provided. This main
The arm 35 can move up and down and rotate in a substantially horizontal plane.
Two upper and lower wafers that can expand and contract in a substantially horizontal plane
A holding member 36 is provided.
6 around the main arm 35 by expanding and contracting.
The wafers W before and after processing are output to the installed processing unit.
It can be inserted. Also the main arm 35
Moves vertically to access the upper processing unit.
From the lower processing unit.
The wafer W is transferred to the processing unit on the stage side, and vice versa.
The wafer is transferred from the upper processing unit to the lower processing unit.
C is conveyed. Furthermore, this main arm
Is equipped with a mechanism for turning the held wafer W upside down.
From one processing unit to another processing unit.
A structure that allows the wafer W to be turned upside down while transferring the wafer W
I have. The function of reversing the wafer W is mainly
This is not an essential function of the arm 35. Other processing on the upper side
Unit, for example, two cleaning processing units 100
The side close to the carrier station, that is, the plating unit
They are arranged above the knits M1 and M2, respectively. Ma
In addition, for example, the annealing processing unit has two
The side far from the rear station, that is, the plating plating
They are arranged above the units M3 and M4, respectively.
This plating system includes plating units M1 to M1.
Cleaning unit 100 and annealing on M4
The unit is arranged, so the footprint is kept small
be able to. Housing 3 for process station 3
1 is located at a position facing carrier station 2.
As shown in FIG. 3, three housings 31a are provided.
Openable and closable openings G1 to G3 are provided. this
Among them, G1 is a plating unit arranged on the lower side
At the position of the relay mounting table 37 disposed between M1 and M2.
It is a corresponding opening.
The unprocessed wafer W taken out by the
It is used when carrying into the station 3. When carrying in
The opening G1 is opened and the sub-aperture holding the unprocessed wafer W is opened.
Arm 22 extends the wafer holding member 23 into the processing space S.
Then, the wafer W is placed on the relay mounting table 37. This relay placement
Main arm 35 extends wafer holding member 36 to table 37
Then, the wafer W mounted on the relay mounting table 37 is held.
In the processing units such as the plating units M1 to M4
Carry up to. The remaining openings G2 and G3 are keyed to the processing space S.
Cleaning unit provided on the side close to the carrier station 2.
It is arranged at the position corresponding to the knit 100,
Sub-arm 22 through the openings G2, G3 of the processing space
S directly into the cleaning unit 100
The wafer that has been processed by extending the contact wafer holding member 23 is
C can be received. Also,
In the processing space S, a downward airflow is formed from above in FIG.
Clean air supplied from outside the system
The cleaning unit 10 is supplied from the upper part of the processing space S,
0, flow down to the plating units M1 to M4
Exhausted from the bottom of the physical space S and discharged out of the system
It has become. In this manner, the processing space S is moved from top to bottom.
By flowing clean N2 through the plating
From the knits M1 to M4 to the upper cleaning unit 100
N2 is prevented from flowing through. Therefore, always
The cleaning processing unit side is maintained in a cleaning atmosphere. Change
And a plating unit M1 to M4 and a cleaning unit
Inside each processing unit such as 100 is the processing space S of the system.
Is maintained at a negative pressure, and the flow of N2 is in the processing space S side.
Flows into each processing unit from
Exhausted from the system. Therefore, the processing unit side
Is prevented from spreading to the processing space S side. Next
Next, the plating unit M1 according to the present embodiment will be described.
Will be explained. FIG. 5 shows a plating unit according to the present embodiment.
FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view of the socket M1. As shown in FIG.
In the plating unit M1, the entire unit is
It is covered with a housing 41 having a closed structure. This house
The ring 41 is also made of a corrosion-resistant material such as a resin. C
The inside of the housing 41 is the upper and lower two stages, that is, the lower stage.
1 processing unit A and the second processing unit B located in the upper stage.
The structure has been changed. The first processing unit A and the second processing unit
The processing section B is separated by a separator 72 having a built-in exhaust path.
Have been. Therefore, the second processing unit B side
Dirt is prevented from being diffused to the first processing unit A side. Sepa
A through hole is provided at the center of the
Wafer held by driver 61 to be described later through through hole
W moves between the first processing unit A and the second processing unit B
I am able to do it. Also, the first processing unit A and the second processing unit A
The wafer at the part corresponding to the boundary with the processing unit B
Gate valve for carrying W in and out of plating unit M1
A valve 78 is provided. Close this gate valve 78
Then, the inside of the plating processing unit M1 is the processing space S outside thereof.
And the plating unit M
The diffusion of dirt from 1 into the outer processing space S is prevented.
You. Further, the plating units M1 and M2 are respectively
And can operate independently and independently for processing systems.
Each is configured to be detachable. Therefore, one
Can not operate such as maintenance management
Use a different plating unit.
And maintenance can be easily performed. Of the first processing unit A
A plating solution tank 42 is provided inside. This plating
The liquid tank 42 has an inner tank 42a and an inner tank 42a outside the inner tank 42a.
And a double tank of an outer tank 42b concentrically arranged.
ing. It will be described later when the inner bath 42a is filled with the plating solution.
The plating surface of the wafer W at the plating position (V)
The inner tank 42a is fixed so as to be lower than the liquid level.
I have. The inner tank 42a is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom,
The opening surface of the inner tank 42a is maintained substantially horizontal. Inner tank 4
The inside of the inner tank 2a faces from the bottom to the top of the inner tank 42a.
The ejection pipe 43 for ejecting the stick liquid is substantially at the bottom of the inner tank 42a.
Projecting from the center to near the middle of the inner tank 42a in the depth direction
I have. For example, a plurality of copper balls are collected around the ejection pipe 43.
An anode as a substantially disk-shaped first electrode formed
Electrodes 44 are arranged concentrically with the inner tank 42a,
A copper ball as the electrode 44 is plated with a plating solution containing, for example, copper sulfate.
Of copper ions in plating solution by dissolving
Has been prevented. In addition, a lead wire is connected to the electrode 44 by the outer bath 4.
2b is extended to a power source (not shown) outside the
When the power is turned on, the electrode 44 and a drive described later are turned on.
Via a convex contact 64 provided on the
An electric field is formed between the first and second electrodes. Spout tube
The inner tank 42a is located between the outer periphery of the end of the inner tank 43 and the inner tank 42a.
A diaphragm 45 for partitioning below is provided above the electrode 44.
Above the inner tank 42a partitioned by the diaphragm 45 (hereinafter referred to as the inner tank 42a).
It is referred to as "above the inner tank". ) Is a plating solution from the ejection pipe 43.
Is supplied to the lower side of the inner tank 42a partitioned by the diaphragm 45.
(Hereinafter referred to as “the lower side of the inner tank”.)
A plating solution is supplied from 46. Ma
In addition, although this diaphragm 45 transmits ions, it serves as an electrode 44.
And wafer W generated when all copper balls are dissolved
For example, oxygen and oxygen generated during the plating process on the surface to be plated
It is configured not to allow bubbles such as hydrogen to permeate.
In addition, at a position eccentric from the center of the bottom surface of the inner tank 42a,
Ring pipes 46 and 47 are provided.
A pump (not shown) is disposed between the pumps 6 and 47.
By operating this pump, the plating solution is placed under the inner tank 42a.
It is designed to circulate. The outer tank 42b is
a, and is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom.
The opening surface of b is maintained substantially horizontal. The bottom of the outer tank 42b
Section has two outlets, which are
A pipe 48 is connected. The pipe 48 and the ejection pipe 43
A pump 49 is provided between the two. In addition, piping 4
8, a tank 50 containing a plating solution is connected to a pump 51 and a pump.
The pump 51 is connected via the
The tank 50 by opening the valve 52
Is supplied to the inner 42a tank.
Also, the first processing section A is clean as in a clean room.
N ₂ A mechanism for circulating the flow of water is provided. Immediately
That is, the uppermost part of the housing 41 faces the first processing unit A.
And N ₂ N for flowing water downward ₂ The outlet 73 is provided
And this N ₂ N at outlet 73 ₂ To supply
N ₂ The supply pipe 74 is connected. N ₂ Supply piping 74
N ₂ The upstream side in the moving direction is the uppermost part in the separator 72.
N buried on the side ₂ It is connected to the road. Above the separator
N on the surface ₂ N to capture ₂ An intake 75 is formed
N that has flowed down the first processing unit A ₂ Capture
It has become. Also N ₂ N in the supply pipe 74
₂ Fan (not shown) or compressor
A 76 is provided and N ₂ Captured at intake 75
N ₂ To N ₂ N via supply pipe 74 ₂ To outlet 75
send. N ₂ N at outlet 75 ₂ Remove dust and dust inside
Filter 77 is provided for ₂ Outlet 7
3 to N of the separator 72 ₂ First toward intake 75
Clean N flowing downward in processing section A ₂ Downflow
Is formed. Where N ₂ Blown out from the outlet 73
N ₂ Is connected to the compressor 76
It can be adjusted by controlling a control device (not shown).
Swelling. Thus, internally N ₂ Clean
Cleaned N ₂ Flows downward in the figure to
The inside is kept in a clean atmosphere. On the other hand, the separator 72
A second processing unit B is formed below the first processing unit. This second
Is formed separately and independently from the first processing unit A.
Space flowing through the first processing unit A ₂ Is the second
When the air flows into the processing unit B or the air in the second processing unit B
Does not flow into the processing unit A. Thus, the processing unit B
By preventing air from flowing from the side to the processing section A side.
The inside of the control section A is kept in a clean atmosphere. Under the separator
Is provided with an exhaust port 71 as exhaust means. This
Exhaust port 71 is connected to an exhaust system (not shown).
N of the processing unit B of ₂ Remove fine particles of plating solution scattered inside
Through the exhaust port 71 of the
Discharge out of system 1. Thus, N of the processing unit B ₂ Included in
Discharging the fine particles out of the plating system 1
The inside of the plating units M1 to M4 and the plating system
The inside of the stem 1 is maintained in a clean atmosphere. Separator
72, below the inner wall of the through-hole through which the driver 61 enters and exits
A plurality of cleaning nozzles 70 are provided in the section, and will be described later.
To the lower surface of the wafer W stopped at the cleaning position (II)
For example, cleaning is performed by jetting pure water. What
A horizontal air curtain is formed at this through hole
It is also possible. For example, one of the separators 72
From clean N ₂ Blows out in a plane while the outlet is
Side of the plating solution tank 42
N ₂ For sucking air and exhausting it out of the plating system 1
And the like. Thus, the processing unit A and the processing unit B
By forming an air curtain at the boundary, the plating solution tank
The mist containing the plating solution from the first processing unit A side
Can be prevented. Also, this message
Temperature control device and humidity control device in the processing unit M1
It is also possible to arrange. In that case plating treatment
The inside of the unit M1 is controlled to maintain a predetermined temperature and humidity.
Control to prevent the generation of mist such as plating solution
And N in the plating unit M1 ₂ Is contaminated
Is prevented. The wafer is inside the second processing section B.
The driver 61 as a holding mechanism for holding the W is plated.
It is arranged right above the center of the liquid tank 42. Also driver
Reference numeral 61 denotes a holding unit 62 for holding the wafer W, and the holding unit 6
A motor 63 for rotating the wafer W in a substantially horizontal plane,
It is composed of The motor 63 is made of a corrosion-resistant material such as resin.
Is covered with a cover 66 formed of a material.
When holding the wafer W at the hook position (V), the plating solution
The mist that has evaporated and scattered is immersed in the motor 63.
To prevent entry. Also, the outer container of the motor 63
A support beam 67 for supporting the driver 61 is attached to
ing. The end of the support beam 67 is
Is mounted so that it can move up and down via the guide rail 68
I have. The support beam 67 is a cylinder that can be further expanded and contracted in the vertical direction.
It is attached to the housing 41 through 69.
By driving the cylinder 69, the support beam 67 is supported.
The held driver 61 moves up and down along the guide rail 68
The wafer W is moved up and down. concrete
5 is mounted on the holding portion 62 of the driver 61 as shown in FIG.
The placed wafer W has a transfer position (I) for transfer,
Cleaning position for cleaning the plating surface of wafer W
(II) and cleaning processing of a convex contact 64 described later.
(III) slightly higher than the cleaning position (II)
And a spin dry position for performing the spin dry described later.
(IV) and forming a plating layer on the surface to be plated of the wafer W
On the central axis of plating solution tank 42 with plating (V)
In 5 different height positions.
In addition, the transport position (I), the cleaning position (II), and the cleaning position
The position (III) slightly higher than (II) is the plating solution tank 42.
Plating solution when the plating solution is filled in the inner tank 42a
Above the liquid level, the spin dry position (IV)
The pin (V) is below the level of the plating solution. Next, this implementation
The holding section 62 according to the embodiment will be described. Figure 6 is the real
FIG. 9 is a schematic plan cross-sectional view of a holding unit 62 according to the embodiment.
FIG. 7 shows a venturi tube according to the present embodiment.
FIG. 7 is a schematic vertical cross-sectional view of a holding unit 62. 6 and 7
As shown in FIG. 7, the holding unit 62 holds one wafer W substantially horizontally.
It is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom that can be accommodated. Holder 62
On the inner side of the bottom surface, for example, the wafer W
Contour as a second electrode for applying a voltage to the
The project 64 is provided. This convex contact 64
It is in electrical contact with a power source (not shown) via a conductor. Convex
For example, on the surface to be plated of the wafer W,
Wafer W on which a thin copper film is formed in advance by sputtering
, The voltage applied to the convex contact 64
Is also applied to the surface of the wafer W to be plated. Also, the holding part
A seal member 65 is provided concentrically inside the bottom surface of 62.
So that the surface to be plated of the wafer W is below the surface of the plating solution.
When the plating solution is held at the plating position (V) described later,
It is prevented from entering the holding portion 62. In addition,
The holding portion 62 has a pressing function (not shown),
When the wafer W is placed on the holding portion 62, the plating layer of the wafer W
Pressing on the surface not to be formed, so the plating position described later
(V) Plated wafer W even if wafer W is lowered to
The plating solution is prevented from coming into contact with parts other than the surface.
The holding portion 62 extends from the inside to the outside of the holding portion 62.
For example, suction is performed to suck bubbles and impurities
For example, a venturi tube 80 is provided as pulling means.
I have. This venturi tube is made of a corrosion-resistant material such as resin.
Has been established. As shown in FIG. 7, this Venturi tube
Reference numeral 80 denotes a suction member disposed from the inside to the outside of the holding portion 62.
Pull tube 81 and opening 82 outside holding portion 62 of suction tube 81
(Hereinafter referred to as “outer opening”).
And an injection pipe 84. Holding part of suction tube 81
Opening 83 inside 62 (hereinafter referred to as “inner opening”).
Is lower than the surface to be plated of the wafer W placed on the holding portion 62.
Side, that is, the plating solution side,
In a position where impurities such as
You. Preferably, a sheet in which the holding portion 62 and the wafer W are in contact with each other.
Is located in the vicinity of the screw member 65. Open inside suction tube 81
It is preferable that the opening 83 is located near the sealing member 65.
The most preferable is the plating solution supplied from the ejection pipe 43.
Bubbles and particles adhering to the plating surface of the wafer W due to the flow of
Impurities such as tickles extend from the center of the wafer W to the outer periphery.
And moves between the seal member 65 and the wafer W.
This is because they tend to accumulate in the water. Further, the injection pipe 84 has a holding portion.
From the opening 85 on the 62 side to the opening 86 on the exhaust port 71 side
N ₂ N blown out from outlet 73 ₂ Enters
It is designed to fit. This N ₂ Enters the injection pipe 84
Through the injection pipe 84 to contact the injection pipe 84.
Near the outer opening 82 and the inner opening of the suction pipe 81
A pressure difference is generated between around 83. That is, the suction tube 81
The pressure near the outer opening 82 is the pressure near the inner opening 83
Higher. Therefore, the outer opening 82 of the suction tube 81
Of bubbles and particles near the inner opening 83
Such impurities are sucked together with the plating solution. In addition,
Bubbles and particles drawn into the injection tube by suction
Impurities such as N ₂ Plating along the flow
Mistake from the opening 86 on the exhaust port 71 side of the injection pipe 84 with the liquid
It is injected in the shape of Also, this venturi tube 80
A control device (not shown)
Can adjust the height of Venturi tube 80
Has become. With this control device, the height of the Venturi tube 80
By adjusting the driver, the driver 61 can be raised and lowered
The height of the pipe 84 can always be the height of the outlet 71.
Like bubbles and particles injected from the injection pipe 84
A mist-like plating solution containing various impurities is exhausted through an exhaust port 71.
And reliably discharge it out of the plating system 1.
Wear. Next, plating for plating the surface to be plated of the wafer W
The flow of the processing system will be described. FIG. 8 shows this implementation
Showing the flow of the entire plating system according to the first embodiment.
It is a low chart. As shown in FIG.
The plating system is started up and the wafer W is
, For example, a carrier cassette C containing 25 sheets is illustrated.
Is mounted on the mounting table 21 by a transfer robot which is not used. Cap
When the rear cassette C is placed, the sub arm 22
It moves to the front of the rear cassette C and is placed on the mounting table 21.
Insert the wafer holding member 23 into the carrier cassette C
Unprocessed wafer W is taken out of carrier cassette C
put out. When the sub arm 22 rotates further, the wafer
The wafer holding member 23 holding W extends and the opening G
1 on a relay mounting table 37 in the first processing chamber.
(C) Place W once. The wafer W is mounted on the relay mounting table 37
When placed, the wafer holding member 36 of the main arm 35 is
Extends to receive unprocessed wafer W on relay mounting table 37
You. After receiving the unprocessed wafer W, the main arm 35
Is rotated while turning the wafer W upside down.
The holding member 36 is extended, for example, the plating unit M
The wafer W is loaded into the wafer 1 (step 1). Below,
Flow of plating process (step 2) of processing unit M1
Will be described with reference to FIGS. 9 and 10 to 14.
FIG. 9 shows the operation performed by the plating unit according to the present embodiment.
It is a flowchart showing the flow of the plating process,
FIG. 10 to FIG. 13 show a plating process according to the present embodiment.
FIG. 2 is a schematic vertical sectional view. FIG. 14 shows the embodiment.
Schematically shows a bubble-free state in the venturi tube 80 according to the state.
FIG. Wafer W from relay mounting table 37
Arm 35 that has received the data turns the wafer W up and down
Then, the plating unit M1 is accessed. That is,
Gate valve provided on the side wall of the stick processing unit M1
78 is opened and the wafer is held while holding the unprocessed wafer W.
The holding member 36 is extended, as shown in FIG.
Waiting at the position where EHA W is held at the transport position (I)
An example of the surface to be plated of the wafer W for the holding portion 62 of the driver 61
For example, place it horizontally almost toward the surface of the plating solution containing copper sulfate.
(Step 2 (1)). The wafer W is placed on the holding unit 62
Then, the pressing function (not shown) provided in the holding portion 62
Press against the surface of the wafer W where the plating layer is not formed.
You. This pressure causes the plating solution to wrap around the back of the wafer.
Can be prevented. Also, the wafer holding member 36
After delivering the wafer W to the holding portion 62 of the driver 61,
The wafer holding member 36 contracts to close the gate valve 78.
You. At this time, in the inner tank 42a of the plating solution tank 42,
Keep the plating solution full. Close gate valve 78
After N ₂ N from outlet 73 ₂ Is blown out
The driver 61 drives the cylinder 69 to place the wafer W in a plating position.
(V). Here, the wafer W is placed at the plating position.
The surface to be plated of the wafer W is
Contact the liquid surface. Due to this contact, the wafer W
Air bubbles are formed between the contact surface and the plating solution surface.
But N ₂ N blown out from outlet 73 ₂ But ventu
And enters the injection pipe 84 of the leaky pipe 80 and passes through the injection pipe 84.
Of the suction pipe 81 connected to the injection pipe 84
Pressure between the vicinity of the outer opening 82 and the vicinity of the inner opening 83
There is a difference. Due to this pressure difference, the surface to be plated of the wafer W is
Opening the outside of the suction tube 81 at the same time as contacting the plating liquid surface
Bubbles and parties near the inside opening 83 from around the part 82
Impurities such as vesicles are sucked together with the plating solution. Further
At the same time, the bubbles drawn into the injection pipe 84 by this suction
N in launch tube 84 ₂ Injection tube 8 with plating solution along the flow of
4 is ejected in a mist form from the opening 86 on the exhaust port 71 side.
(Step 2 (2)). Therefore, the plating of the wafer W
The bubbles formed by the contact between the surface and the plating liquid surface
Sucking and spraying together with the plating solution through the Curie tube 80
Can reliably remove bubbles. Also in the air
Not only bubbles but also particles that adhere to the plating surface of the wafer W
Impurities such as dust can be removed together with the bubbles.
You. Venturi is controlled by a control device (not shown).
The height of the ejection pipe 84 of the wafer W
Since the height of the exhaust port 71 is set, the driver 61 is lowered.
Also, the plating solution injected from the injection pipe 84 passes through the exhaust port 71.
Then, it is surely discharged out of the plating system 1. Ma
The above N ₂ N blown out from outlet 73 ₂ Flow velocity w
C formed by contact between the plating surface of W and the plating liquid surface
Ensures removal of impurities such as foam and particles
It is the speed that can be reached. Wait until plating position (V)
After lowering c W, as shown in FIG.
4 and the wafer W in contact with the convex contact 64
Is applied to the surface to be plated of the wafer W, for example, copper
The formation of the plating layer is started (step 2 (3)). here
The suction and injection by the venturi tube 80
C Open simultaneously when the plating surface of W contacts the plating liquid surface.
Started, N ₂ N from outlet ₂ Automatically as long as it is blowing
Since the surface to be plated of the wafer W is a plating solution
The above suction and injection are performed even if the
Will be That is, a voltage is applied to the surface of the wafer W to be plated.
Bubbles and impurities generated when the plating layer is formed
Suction and injection with the centuries 80 ensure reliable removal.
Can be removed. Sufficient thickness on the surface to be plated of wafer W
After the formation of the plating layer, as shown in FIG.
The application of the voltage is stopped to terminate the formation of the plating layer (step
Step 2 (4)). Subsequently, the operation of the pump 51 and the valve 5
2 returns a predetermined amount of plating solution to the tank 50 by opening
As shown in FIG. 1A, the plating solution level in the plating solution tank 42
Is reduced (step 2 (5)). Low plating liquid level
After lowering, the driver 61 drives the cylinder 69 to
The wafer W is spin-dried (IV) as shown in FIG.
(Step 2 (6)). In this state the holding part
Reference numeral 62 denotes a drive of the motor 63, which is substantially as shown in FIG.
Spin in a horizontal plane to spin dry, and
Remove the excess plating solution adhering to the
Step 2 (7)). After spin-drying thoroughly,
The driver 61 drives the cylinder 69, as shown in FIG.
The wafer W to the cleaning position (II)
Step 2 (8)). At this position, the holding portion 62
When driven, it rotates in a substantially horizontal plane as shown in FIG.
And the cleaning nozzle 7 built in the separator 72
Pure water is sprayed from 0 toward the plating layer forming surface of the wafer W.
To clean the plating layer forming surface of the wafer W (step
2 (9)). Cleaning of the plating layer forming surface of the wafer W is completed.
After that, while maintaining the driver 61 at that position, the wafer W
Is not shown in FIG.
The wafer W is slightly moved from the cleaning position (II)
It is raised to a higher position (III). In this state, the holding unit 6
Only 2 is driven by the motor 63 as shown in FIG.
The cleaning nozzle that rotates and is built into the separator 73
From the nozzle 70 toward the convex contact 64 of the holding portion 61.
To clean the convex contact 64 (step
2 (10)). Cleaning of the convex contact 64 has been completed.
Thereafter, the wafer W is moved to the cleaning position (I
It is lowered to I) and placed on the holding part 62. In this state
The driver 61 drives the cylinder 69, as shown in FIG.
Lowers the wafer W to the spin dry position (IV).
(Step 2 (11)). Spin dry wafer W
After lowering to the position (IV), as shown in FIG.
Spin dry the wafer W to clean
To remove moisture adhering to the convex contact 64
(Step 2 (12)). After that, the driver 61
As shown in FIG.
Is raised to the transport position (I) (Step 2 (1)
3)). In this state, open the gate valve 78 and
The wafer holding member 36 of the program 35
The received wafer W is received, and as shown in FIG.
Wafer W which has been processed by the plating unit M1
Is carried out (step 2 (14)). Plating treatment uni
After the processing in the slot M1 is completed, the wafer holding member 36
The held wafer W is plated with a different composition if necessary
Transfer to other plating units M2 to M4 containing liquid
Then, the plating process is performed. Similarly, one after another
Plating unit M containing plating solutions of different compositions
The wafer W is transferred to 2 to M4, and a plating process is performed.
You. After a series of plating processes is completed, the main arm 35
The wafer holding member 36 holding the wafer W rises and is washed.
The wafer W is transferred into the cleaning unit 100, and the cleaning process is performed.
Is performed (step 3). For the cleaning unit 100
When the cleaning process is completed, the subsequent processes, for example,
A cooling process is performed (step 4). Annealing
Upon completion, the sub arm 22 is again moved to the process station.
To the front of the opening 3 and the height of the opening G2 or G3.
And the main arm 35 is processed again
Is received via the relay mounting table 37 or
Or the main arm 35 via the cleaning unit 100.
Is transferred from the wafer to the sub arm 22 (step
5). After that, the sub arm 22 holding the wafer W
Is lowered to the height of the carrier cassette C and
The wafer holding member 23 is moved in front of the carrier cassette C and
Extend the processed wafer W into the carrier cassette C
Then, a series of plating processes are completed. (Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.
Will be described. The first embodiment of the present embodiment
The description of the contents overlapping with the embodiment is omitted. Book
In the embodiment, a double venturi tube is used for the venturi tube.
Was used. That is, N in the injection pipe ₂ High flow velocity
In this case, the injection pipe is configured to be a double pipe. FIG.
Holding with double venturi tube according to the present embodiment
It is a typical vertical sectional view of part 62. As shown in FIG.
Injection tube of double venturi tube 90 according to the present embodiment
Reference numeral 91 denotes a double pipe, which is specifically arranged inside.
The converging inner pipe 92 and the outer side of the inner pipe 92
And an outer injection pipe 93 disposed in the outer pipe. injection
The inner pipe 92 is shorter than the outer pipe 93,
An outer opening 95 of a suction tube 94 is connected to 92.
You. In this injection inner pipe 92, N ₂ Blown out from the outlet 73
N ₂ Penetrates and passes through the inner pipe 92.
N ₂ Can increase the flow rate and make stronger suction
be able to. In addition, the inner pipe of the injection
An annular protrusion 96 is formed so as to surround 92.
You. By forming this annular projection 96,
N passing near the side wall of pipe 93 ₂ Can increase the flow velocity of
it can. Here, N passing through the injection inner pipe 92 ₂ The flow velocity of
N passing near the side wall of the injection outer tube 93 ₂ Higher than the flow velocity
Therefore, N passing through the inner pipe 92 ₂ Is the center of the outer pipe 93
N near the side wall even if it flows out near ₂ Spray without mixing with
It continues to flow near the center of the outer tube 93.
Next, the double venturi tube 90 according to the present embodiment is used.
The bubble removal state when used will be described. Figure 16 is a book
Bubble removal in double venturi tube 90 according to the embodiment
It is the vertical cross section which showed the state typically. Shown in FIG.
So, N ₂ N blown out from outlet 73 ₂ Is a double
In the injection inner pipe 92 and the injection outer pipe 93 of the century tube 90
Enter each. Enters near the side wall of the injection outer tube 93
N ₂ The flow rate is increased by the projection 96. Also in the injection
N in tube 92 ₂ Increases the flow velocity in the injection inner pipe 92
Can be N whose flow velocity is increased by this injection inner pipe 92 ₂ By
The suction force near the outer opening 95 of the suction pipe 94 increases,
More formed near the inner opening 97 of the suction tube 94
Vacuum bubbles and impurities with the plating solution. With this suction
Bubbles and impurities drawn into the injection inner pipe 92 are N ₂ Flow of
Along with the plating solution from the inner pipe 92 to the outer pipe 93
Spills near the center. Then, near the center of the injection outer tube 93
Is sprayed in a mist from the exhaust port 71 to the exhaust port 7.
1 and is discharged out of the plating system 1. here
In the vicinity of the center of the injection outer tube 93 after passing through the injection inner tube 92
N flowing out ₂ Is N near the side wall of the injection outer tube 93. ₂ Mix with
Flow around the center of the outer tube 93 without any
N near the center of the outer pipe 93 ₂ Plating flowing out
The liquid does not adhere to the vicinity of the side wall of the outer pipe 93, and
Prevents particles generated by precipitation of the stick liquid
Can be passed. Thus, the message according to the present embodiment is
In processing unit M1, double venturi
Since it is a Chury tube 90, it looks like bubbles or particles
The suction power for sucking impurities increases, and bubbles and
Pure material can be removed from the surface to be plated of wafer W
You. Note that the present invention describes the first and second embodiments.
It is not limited to the content listed, but the structure, material,
The arrangement and the like of are appropriately changed without departing from the gist of the present invention.
It is possible. For example, FIG.
Schematic vertical cross-sectional view of the holding section 62 provided with a Century tube
FIG. 18 shows the defoaming with the single venturi tube.
It is the vertical cross section which showed the state typically. The first or
In the second embodiment, a vent having no protrusion is formed.
A tuly tube 80 or a tube composed of a projection and a double tube
FIG. 17 and FIG.
As shown in FIG. 18, only the projection 102 is formed on the injection pipe 101.
Using a single venturi tube 103
Is also good. In the first and second embodiments, suction is performed.
Venturi tube and double venturi tube as means
It is used if it can suck bubbles and impurities.
Can be. Specifically, aspirators and vacuums
It is also possible to use a system or the like. In addition, the first and the second
In the second embodiment, the plating surface of the wafer W is
Suction with venturi tube 80 before and after contact with liquid surface
But either before or after contact
No. Also, in the first and second embodiments, the bench
N ₂ Is supplied, but air may be supplied.
No. Further, in the first and second embodiments, the processing
Although a wafer W is used as a processing substrate, an LCD
A lath substrate can also be used.

【発明の効果】以上、詳説したように、本発明によれ
ば、保持機構に配設された吸引手段を備えるので被処理
基板の被処理面を処理液に接液させる際に被処理基板の
被処理面と処理液の液面との間に形成される泡や被処理
基板と液処理槽との間に電界を形成したときに発生する
泡を吸引することができ、確実に泡抜きすることができ
る。また、被処理基板の被処理面に付着する不純物を確
実に取り除くことができる。As described above in detail, according to the present invention, since the suction means provided on the holding mechanism is provided, when the surface of the substrate to be processed is brought into contact with the processing solution, Bubbles formed between the surface to be processed and the liquid surface of the processing liquid and bubbles generated when an electric field is formed between the substrate to be processed and the liquid processing tank can be sucked, and the bubbles can be reliably removed. be able to. Further, impurities attached to the surface of the substrate to be processed can be reliably removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a plating system according to a first embodiment.

【図２】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
平面図である。FIG. 2 is a plan view of the plating system according to the first embodiment.

【図３】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
正面図である。FIG. 3 is a front view of the plating system according to the first embodiment.

【図４】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
側面図である。FIG. 4 is a side view of the plating system according to the first embodiment.

【図５】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ
１の模式的な垂直断面図である。FIG. 5 is a plating unit M according to the first embodiment.
1 is a schematic vertical sectional view of FIG.

【図６】第１の実施の形態に係る保持部の模式的な平面
断面図である。FIG. 6 is a schematic plan cross-sectional view of the holding unit according to the first embodiment.

【図７】第１の実施の形態に係るベンチュリー管を備え
た保持部の模式的な垂直断面図である。FIG. 7 is a schematic vertical cross-sectional view of a holding unit including the venturi tube according to the first embodiment.

【図８】第１の実施の形態に係るメッキ処理システム全
体のフローを示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a flow of the entire plating system according to the first embodiment.

【図９】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで
行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートで
ある。FIG. 9 is a flowchart illustrating a flow of a plating process performed by the plating unit according to the first embodiment.

【図１０】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。FIG. 10 is a vertical sectional view schematically showing a plating process according to the first embodiment.

【図１１】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。FIG. 11 is a vertical cross-sectional view schematically showing a plating process according to the first embodiment.

【図１２】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。FIG. 12 is a vertical cross-sectional view schematically showing a plating step according to the first embodiment.

【図１３】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。FIG. 13 is a vertical sectional view schematically showing a plating process according to the first embodiment.

【図１４】第１の実施の形態に係るベンチュリー管での
泡抜き状態を模式的に示した垂直断面図である。FIG. 14 is a vertical cross-sectional view schematically showing a bubble removal state in the venturi tube according to the first embodiment.

【図１５】第２の実施の形態に係るダブルベンチュリー
管を備えた保持部の模式的な垂直断面図である。FIG. 15 is a schematic vertical sectional view of a holding portion provided with a double venturi tube according to the second embodiment.

【図１６】第２の実施の形態に係るダブルベンチュリー
管での泡抜き状態を模式的に示した垂直断面図である。FIG. 16 is a vertical cross-sectional view schematically showing a state in which bubbles are removed from the double venturi tube according to the second embodiment.

【図１７】変形例に係るシングルーベンチュリー管を備
えた保持部の模式的な垂直断面図である。FIG. 17 is a schematic vertical sectional view of a holding portion provided with a single-Venturi tube according to a modification.

【図１８】変形例に係るシングルベンチュリー管での泡
抜き状態を模式的に示した垂直断面図である。FIG. 18 is a vertical cross-sectional view schematically showing a bubble-free state in a single venturi tube according to a modification.

【図１９】従来のメッキ処理装置の概略垂直断面図であ
る。FIG. 19 is a schematic vertical sectional view of a conventional plating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ…ウエハ４１…ハウジング４２…メッキ液槽６１…ドライバ６２…保持部６９…シリンダ７１…排気口７６…コンプレッサ８０…ベンチュリー管９０…ダブルベンチュリー管 W ... Wafer 41 ... Housing 42 ... Plating solution tank 61 ... Driver 62 ... Holder 69 ... Cylinder 71 ... Exhaust port 76 ... Compressor 80 ... Venturi tube 90 ... Double venturi tube

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】処理液を収容する処理液槽と、被処理基板の被処理面を下にして保持する保持機構と、前記保持機構に配設された吸引手段と、第１の電極と、第２の電極と、を具備することを特徴とする液処理装
置。1. A processing liquid tank for storing a processing liquid, a holding mechanism for holding a processing target surface of a processing target facing down, a suction unit provided in the holding mechanism, a first electrode, And a second electrode.

【請求項２】請求項１記載の液処理装置であって、前
記吸引手段はベンチュリー管及び前記ベンチュリー管に
気体を供給する供給手段とから構成されていることを特
徴とする液処理装置。2. A liquid processing apparatus according to claim 1, wherein said suction means comprises a venturi tube and a supply means for supplying gas to said venturi tube.

【請求項３】請求項２記載の液処理装置であって、前記ベンチュリー管はダブルベンチュリー管であること
を特徴とする液処理装置。3. The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the Venturi pipe is a double Venturi pipe.

【請求項４】被処理基板の被処理面を下にして保持
し、処理液に浸漬させながら液処理を施す液処理方法で
あって、前記被処理基板の下方の処理液若しくは気体の少なくと
も一方を吸引することを特徴とする液処理方法。4. A liquid processing method for performing liquid processing while holding a processing surface of a substrate to be processed downward and immersing the processing substrate in a processing liquid, wherein at least one of a processing liquid or a gas below the processing substrate. A liquid processing method, wherein a liquid is sucked.

【請求項５】請求項４記載の液処理方法であって、前記吸引は着液前から行うことを特徴とする液処理方
法。5. The liquid processing method according to claim 4, wherein the suction is performed before landing.

【請求項６】請求項４又は５記載の液処理方法であっ
て、前記吸引は着液後に行うことを特徴とする液処理方法。6. The liquid processing method according to claim 4, wherein the suction is performed after landing.