JP2001316878A - Equipment, system and method for liquid treatment - Google Patents
Equipment, system and method for liquid treatmentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハやLCD
基板等の各種基板、被処理体に対して施す所定の液処理
装置および液処理システムならびに液処理方法に関す
る。The present invention relates to a semiconductor wafer and an LCD.
The present invention relates to a predetermined liquid processing apparatus, a liquid processing system, and a liquid processing method to be applied to various substrates such as substrates and a target object.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化に伴い、
半導体デバイスの配線材料の低抵抗化が強く望まれてい
る。低抵抗の配線材料としては銅（Ｃｕ）が知られてお
り、その配線形成手法にＣｕめっき方法がある。このＣ
ｕめっき方法は、Ｃｕや種々の添加物を含んだ酸性溶液
であるめっき液に、半導体ウエハを接触させ、所定の電
界を供給することで、基板上にＣｕ層を形成するという
ものである。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices,
There is a strong demand for lower resistance wiring materials for semiconductor devices. Copper (Cu) is known as a low-resistance wiring material, and there is a Cu plating method as a wiring forming technique. This C
The u plating method is to form a Cu layer on a substrate by bringing a semiconductor wafer into contact with a plating solution that is an acidic solution containing Cu and various additives and supplying a predetermined electric field.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ようにめっき液は、Ｃｕ等の重金属物質を含んでいる点
や、化学的性質が酸性である点等から半導体製造におい
ての汚染源となる場合が多かった。特にめっき処理後の
洗浄や乾燥、そしてその後の搬送、といった工程におい
て、上述の様な汚染源が周囲に飛散し、半導体製造にお
ける歩留まりの低下、半導体製造装置の汚染や腐食、半
導体製造ラインへの汚染や腐食等の問題を引き起こして
いた。However, as described above, the plating solution may become a source of contamination in semiconductor manufacturing due to the fact that the plating solution contains a heavy metal substance such as Cu, or that the chemical properties are acidic. There were many. In particular, in the processes such as cleaning and drying after plating, and subsequent transportation, the above-described contamination source scatters around, lowering the yield in semiconductor manufacturing, contamination and corrosion of semiconductor manufacturing equipment, and contamination of semiconductor manufacturing lines. And cause problems such as corrosion.
【０００４】めっき処理後に洗浄を行う装置として特開
平２−３１０３９３号公報があるが、上述のような汚染
に関しては何ら示唆されていない。[0004] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-310393 discloses an apparatus for cleaning after plating, but does not suggest any of the above-mentioned contamination.
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、めっき処理後の工程におけるめっき液によ
る汚染を抑制でき、安定した半導体装置の製造を実現す
ることができる液処理装置および液処理システムならび
に液処理方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and a liquid processing apparatus and a liquid processing apparatus capable of suppressing contamination by a plating solution in a process after a plating process and realizing stable production of a semiconductor device. It is an object to provide a processing system and a liquid processing method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、処理
液を収容して被処理体を液処理可能に構成した液処理槽
と、液処理した被処理体を洗浄するための洗浄手段とを
備え、前記洗浄手段が、前記被処理体の下方側から洗浄
液を供給可能に構成されていることを特徴とする液処理
装置が提供される。これにより液処理後の被処理体に残
る処理液を取り除くことができるため、処理液の拡散を
抑制することができる。また、被処理体に衝突した洗浄
液は下方へ拡散するため、洗浄液のミストが液処理槽の
上方へ拡散することを抑制できる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid processing tank configured to accommodate a processing liquid so that an object to be processed can be subjected to liquid processing, and a cleaning unit for cleaning the object that has been subjected to the liquid processing. Wherein the cleaning means is configured to be able to supply a cleaning liquid from below the object to be processed. This makes it possible to remove the processing liquid remaining on the object after the liquid processing, thereby suppressing the diffusion of the processing liquid. Further, since the cleaning liquid that has collided with the object to be processed is diffused downward, it is possible to suppress the mist of the cleaning liquid from being diffused above the liquid processing tank.
【０００７】請求項１記載の液処理装置において、請求
項２のように前記被処理体を保持し、液処理位置、およ
び洗浄位置に移動可能に構成した保持手段をさらに備え
てもよい。これにより被処理体を所望の位置へ素早く移
動させることができる。The liquid processing apparatus according to the first aspect may further include a holding unit configured to hold the object to be processed and to be movable to a liquid processing position and a cleaning position. Thus, the object can be quickly moved to a desired position.
【０００８】請求項３によれば、処理液を収容可能に構
成し、所定の液処理を被処理体に対して施す液処理槽
と、前記被処理体を保持可能に構成した保持手段と、液
処理後の被処理体に洗浄液を供給して洗浄処理を施す洗
浄手段と、前記液処理槽の雰囲気を排気可能に構成した
排気手段とを備えたことを特徴とする液処理装置が提供
される。これにより処理液および洗浄液のミストを除去
できるため、ミストの拡散を抑制することができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid processing tank configured to be capable of storing a processing liquid and performing predetermined liquid processing on a target object, and a holding unit configured to hold the target object. A liquid processing apparatus is provided, comprising: a cleaning unit that supplies a cleaning liquid to a target object after the liquid processing to perform a cleaning process; and an exhaust unit configured to exhaust an atmosphere of the liquid processing tank. You. As a result, the mist of the processing liquid and the cleaning liquid can be removed, so that the diffusion of the mist can be suppressed.
【０００９】請求項３の液処理装置において、請求項４
のように前記排気手段にトラップを備えてもよい。これ
により、排気手段によって除去する処理液および洗浄液
のミストを回収することができるため、排気手段の腐食
を抑制することができる。In the liquid processing apparatus according to a third aspect, in the fourth aspect,
The exhaust means may be provided with a trap as described above. This makes it possible to collect the mist of the processing liquid and the cleaning liquid to be removed by the exhaust unit, so that corrosion of the exhaust unit can be suppressed.
【００１０】請求項５によれば、液処理槽と、被処理体
の処理面を下にして保持可能に構成した保持手段と、被
処理体を洗浄する洗浄手段と、を備えることを特徴とす
る液処理装置が提供される。これにより液処理後の被処
理体に残る処理液を取り除くことができるため、処理液
の拡散を抑制することができる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid processing tank, a holding means configured to be capable of holding the processing object with the processing surface down, and a cleaning means for cleaning the processing object. A liquid processing apparatus is provided. This makes it possible to remove the processing liquid remaining on the object after the liquid processing, thereby suppressing the diffusion of the processing liquid.
【００１１】請求項５記載の液処理装置において、請求
項６のように前記洗浄手段は、前記被処理体より下方か
ら洗浄液を供給するよう構成してもよい。これにより被
処理体に衝突した洗浄液は下方へ拡散するため、洗浄液
のミストが液処理槽の上方へ拡散することを抑制でき
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the liquid processing apparatus, the cleaning means may supply the cleaning liquid from below the object to be processed. As a result, the cleaning liquid that has collided with the object to be processed is diffused downward, so that the mist of the cleaning liquid can be prevented from diffusing above the liquid processing tank.
【００１２】請求項５あるいは６記載の液処理装置にお
いて、請求項７のように前記洗浄手段は、被処理体に対
し、５°から７０°の仰角θで洗浄液を供給するよう構
成してもよい。これにより洗浄液が被処理体に均一に供
給され、上方へ拡散することを抑制できる。In the liquid processing apparatus according to the fifth or sixth aspect, the cleaning means may supply the cleaning liquid to the object to be processed at an elevation angle θ of 5 ° to 70 °. Good. This makes it possible to uniformly supply the cleaning liquid to the object to be processed and prevent the cleaning liquid from diffusing upward.
【００１３】請求項５から７記載の液処理装置におい
て、請求項８のように前記洗浄手段は、被処理体に対
し、３°から３０°の分散角ωで洗浄液を供給するよう
構成してもよい。これにより洗浄液が被処理体に均一に
供給される。According to a fifth aspect of the present invention, in the liquid processing apparatus, the cleaning means is configured to supply the cleaning liquid to the object at a dispersion angle ω of 3 ° to 30 °. Is also good. Thus, the cleaning liquid is uniformly supplied to the object.
【００１４】請求項５から８の液処理装置において、請
求項９のように前記保持手段は、上下移動可能に構成
し、被処理体を回転可能に構成するようにしてもよい。
これにより、被処理体を所定の位置に素早く移動させる
ことができ、また均一な液処理および洗浄ができる。In the liquid processing apparatus according to any one of the fifth to eighth aspects, the holding means may be configured to be vertically movable and the object to be processed may be configured to be rotatable.
Thereby, the object to be processed can be quickly moved to a predetermined position, and uniform liquid processing and cleaning can be performed.
【００１５】請求項1から９の液処理装置において、請
求項１０のように前記被処理体の洗浄液を取り除く乾燥
手段を備えてもよい。これにより、洗浄後の被処理体表
面に残る洗浄液を取り除くことができるため、洗浄液の
液だれおよび拡散を抑制することができる。In the liquid processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, a drying means for removing the cleaning liquid for the object to be processed may be provided as in the tenth aspect. Thus, the cleaning liquid remaining on the surface of the object after cleaning can be removed, so that dripping and diffusion of the cleaning liquid can be suppressed.
【００１６】請求項１から１０の液処理装置において、
請求項１１のように洗浄手段と前記乾燥手段と一体に構
成し、洗浄液および乾燥ガスを交互に供給できるように
してもよい。これにより、洗浄手段に残る洗浄液を除く
ことができるため、洗浄手段の劣化を抑制できる。In the liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 10,
As in the eleventh aspect, the cleaning means and the drying means may be integrally formed so that the cleaning liquid and the drying gas can be supplied alternately. This makes it possible to remove the cleaning liquid remaining in the cleaning means, thereby suppressing deterioration of the cleaning means.
【００１７】請求項１から１１の液処理装置において、
請求項１２の液処理装置のように、前記洗浄手段は洗浄
液に酸またはアルカリ溶液を用いてもよい。これによ
り、被処理体に洗浄だけでなく、酸またはアルカリ溶液
による液処理を行うことができる。The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 11,
As in the twelfth aspect of the present invention, the cleaning means may use an acid or alkali solution as the cleaning liquid. Thus, not only the object to be processed can be subjected to liquid treatment with an acid or alkali solution, but also with cleaning.
【００１８】請求項1から１２の液処理装置において、
液処理槽はめっき処理槽であってよい。これにより被処
理体に対してめっき処理ができる。In the liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 12,
The solution treatment tank may be a plating treatment tank. Thereby, a plating process can be performed on the object to be processed.
【００１９】請求項１４によれば、請求項１から１３の
液処理装置と、キャリアカセットステーションと、搬送
部と、洗浄部と、からなることを特徴とする液処理シス
テムが提供される。これにより、上記のような汚染およ
び拡散を抑制できる液処理装置を備えているため、安定
した被処理物の製造を行うことができる。According to a fourteenth aspect, there is provided a liquid processing system comprising the liquid processing apparatus according to the first to thirteenth aspects, a carrier cassette station, a transport section, and a cleaning section. Accordingly, since the liquid processing apparatus capable of suppressing the above-described contamination and diffusion is provided, it is possible to stably manufacture an object to be processed.
【００２０】請求項１５によれば、被処理体を処理液に
接触させ、被処理体に所定の液処理を行う液処理工程
と、被処理体と処理液を離間させる工程と、被処理体の
下方から洗浄液を供給し、被処理体の洗浄を行う工程
と、からなることを特徴とする液処理方法を提供され
る。これにより液処理後の被処理体に残る処理液を取り
除くことができるため、処理液の拡散を抑制できる。ま
た、被処理体に衝突した洗浄液は下方へ拡散するため、
洗浄液のミストが液処理槽の上方へ拡散することを抑制
できる。According to a fifteenth aspect, a liquid processing step of bringing a processing object into contact with a processing liquid to perform predetermined liquid processing on the processing object, a step of separating the processing object from the processing liquid, And a step of supplying a cleaning liquid from underneath to clean the object to be processed. This makes it possible to remove the processing liquid remaining on the object after the liquid processing, thereby suppressing the diffusion of the processing liquid. Also, since the cleaning liquid that has collided with the object to be processed is diffused downward,
The mist of the cleaning liquid can be suppressed from diffusing above the liquid processing tank.
【００２１】請求項１６によれば、被処理体を処理液に
接触させ、被処理体に所定の液処理を行う液処理工程
と、洗浄液により洗浄を行う工程と、洗浄工程と同時ま
たは洗浄工程の後、液処理装置内の雰囲気を排気する工
程と、からなることを特徴とする液処理方法を提供され
る。これにより、洗浄工程に発生する洗浄液のミストを
効果的に除去できるため、ミストの拡散を抑制できる。According to the sixteenth aspect, the object to be processed is brought into contact with the processing liquid to perform a predetermined liquid treatment on the object to be processed, a step of cleaning with the cleaning liquid, a step of performing the cleaning step simultaneously or simultaneously with the cleaning step. And evacuation of the atmosphere in the liquid processing apparatus. Thereby, since the mist of the cleaning liquid generated in the cleaning step can be effectively removed, the diffusion of the mist can be suppressed.
【００２２】請求項１７によれば、被処理体を保持する
工程と、被処理体を処理液に接触させ、被処理体に所定
の液処理を行う液処理工程と、被処理体と処理液を離間
させる工程と、被処理体表面の処理液を取り除く工程
と、被処理体の下方から洗浄液を供給し被処理体の洗浄
を行う工程と、からなることを特徴とする液処理方法を
提供される。これにより液処理後の被処理体に残る処理
液を取り除くことができるため、処理液の拡散を抑制で
きる。また、被処理体に衝突した洗浄液は下方へ拡散す
るため、洗浄液のミストが液処理槽の上方へ拡散するこ
とを抑制できる。According to the seventeenth aspect, a step of holding the object to be processed, a liquid processing step of bringing the object to be processed into contact with the processing liquid, and performing a predetermined liquid treatment on the object to be processed, , A step of removing the treatment liquid from the surface of the object, and a step of supplying a cleaning liquid from below the object to clean the object. Is done. This makes it possible to remove the processing liquid remaining on the object after the liquid processing, thereby suppressing the diffusion of the processing liquid. Further, since the cleaning liquid that has collided with the object to be processed is diffused downward, it is possible to suppress the mist of the cleaning liquid from being diffused above the liquid processing tank.
【００２３】請求項１５から１７の液処理方法におい
て、請求項１８の液処理方法により、前記被処理体を保
持する工程が、被処理体の処理面を下にして保持するよ
うにしてもよい。これにより、被処理体に衝突した洗浄
液は下方へ拡散するため、洗浄液のミストが液処理槽の
上方へ拡散することを抑制できる。In the liquid processing method according to any one of the fifteenth to seventeenth aspects, in the liquid processing method according to the eighteenth aspect, the step of holding the object may be performed with the processing surface of the object facing down. . Accordingly, the cleaning liquid that has collided with the object to be processed is diffused downward, so that the mist of the cleaning liquid can be suppressed from being diffused above the liquid processing tank.
【００２４】請求項１９によれば、被処理体の処理面を
下にした被処理体を処理液に接触させ被処理体に所定の
液処理を行う液処理工程と、被処理体と処理液を離間さ
せる工程と、被処理体の下方から洗浄液を供給し、被処
理体の洗浄を行う工程とからなることを特徴とする液処
理方法が提供される。これにより液処理後の被処理体に
残る処理液を取り除くことができるため、処理液の拡散
を抑制できる。また、被処理体に衝突した洗浄液は下方
へ拡散するため、洗浄液のミストが液処理槽の上方へ拡
散することを抑制できる。According to the nineteenth aspect, a liquid processing step of contacting a processing object with a processing surface of the processing object facing down with a processing liquid to perform predetermined liquid processing on the processing object; Are separated from each other, and a step of supplying a cleaning liquid from below the object to be cleaned and cleaning the object to be processed is provided. This makes it possible to remove the processing liquid remaining on the object after the liquid processing, thereby suppressing the diffusion of the processing liquid. Further, since the cleaning liquid that has collided with the object to be processed is diffused downward, it is possible to suppress the mist of the cleaning liquid from being diffused above the liquid processing tank.
【００２５】請求項２０によれば、請求項１５から１９
の液処理方法において、前記洗浄工程の後に、被処理体
の洗浄液を取り除く乾燥工程を含むことを特徴とする液
処理方法が提供される。これにより、洗浄後の被処理体
表面に残る洗浄液を取り除くことができる。According to claim 20, claims 15 to 19 are provided.
The liquid processing method according to the above, further comprising, after the cleaning step, a drying step of removing a cleaning liquid of the object to be processed. Thus, the cleaning liquid remaining on the surface of the object after cleaning can be removed.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
例と共に説明する。図１および図２は本発明のめっき処
理システム１０の全体構成を表す側面図および平面図で
ある。このめっき処理システム１０は各処理部が多段配
置された構成となっている。図１はめっき処理システム
１０を側面から見た図であり、図２はめっき処理システ
ム１０の１階部分を上方から見た図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are a side view and a plan view showing the overall configuration of a plating system 10 of the present invention. The plating system 10 has a configuration in which processing units are arranged in multiple stages. FIG. 1 is a diagram of the plating system 10 viewed from a side, and FIG. 2 is a diagram of a first floor portion of the plating system 10 viewed from above.
【００２７】このめっき処理システム１０は、キャリア
カセットステーション２０と、搬送部３０と、めっき処
理部４０と、洗浄部５０と、バッファ部６０と、搬送ア
ーム７０とで構成してある。めっき処理システム１０の
１段目にはめっき処理部４０を例えば４ユニット配置し
ており、２段目にはめっき処理部４０を２ユニット、洗
浄部５０を２ユニット配置してある。洗浄部５０は搬送
部に隣接する位置に配置してある。The plating system 10 includes a carrier cassette station 20, a transport section 30, a plating section 40, a cleaning section 50, a buffer section 60, and a transport arm 70. In the first stage of the plating system 10, for example, four units of the plating unit 40 are arranged, and in the second stage, two units of the plating unit 40 and two units of the cleaning unit 50 are arranged. The cleaning unit 50 is arranged at a position adjacent to the transport unit.
【００２８】キャリアカセットステーション２０では、
被処理体、ここではウエハＷ、を複数枚、例えば２５枚
単位で、キャリアカセット２１に収納し、キャリアカセ
ット２１を外部から搬入または搬出可能に構成してあ
る。搬送部３０では、搬送ロボット３１を備え、キャリ
アカセット２１のウエハＷを搬送可能に構成してある。
めっき処理部４０では、ウエハＷにめっき処理可能に、
また、洗浄部５０では、めっき処理後のウエハ表面全体
を洗浄可能に構成してある。バッファ部６０では、搬送
部から搬送してきたウエハＷを一時的に載置可能に、ま
た、搬送アーム７０では、ウエハＷをめっき処理部４０
および洗浄部５０に搬送し、かつウエハＷを反転可能に
構成してある。At the carrier cassette station 20,
A plurality of objects to be processed, here, wafers W, are stored in the carrier cassette 21 in units of, for example, 25 wafers, and the carrier cassette 21 can be loaded or unloaded from outside. The transfer unit 30 includes a transfer robot 31 and is configured to be able to transfer the wafer W in the carrier cassette 21.
In the plating section 40, the wafer W can be plated.
The cleaning unit 50 is configured to be able to clean the entire wafer surface after the plating process. In the buffer unit 60, the wafer W transferred from the transfer unit can be temporarily placed, and in the transfer arm 70, the wafer W is transferred to the plating unit 40.
The wafer W is transported to the cleaning unit 50, and the wafer W can be inverted.
【００２９】図３および図４は本発明の液処理装置の実
施の形態にかかる、めっき処理部４０を構成するめっき
処理装置の一実施例を示した模式的断面図である。めっ
き処理部４０はファンフィルターユニット（ＦＦＵ）８
０と、保持手段９０と、液処理槽１００とで構成してあ
る。FIGS. 3 and 4 are schematic sectional views showing one embodiment of the plating apparatus constituting the plating section 40 according to the embodiment of the liquid processing apparatus of the present invention. The plating section 40 is a fan filter unit (FFU) 8
0, holding means 90, and a liquid processing tank 100.
【００３０】ＦＦＵ８０は粒子または特定の化学物質を
捕集可能なフィルター（図示せず）と、気体を送り込む
ためのファン（図示せず）とで構成してある。このＦＦ
Ｕ８０により清浄な空気または窒素（Ｎ2）ガスをめっ
き処理部４０に供給するように構成してある。The FFU 80 includes a filter (not shown) capable of trapping particles or specific chemical substances, and a fan (not shown) for sending gas. This FF
U80 is configured to supply clean air or nitrogen (N 2 ) gas to the plating section 40.
【００３１】保時手段９０はカソード電極９１と、シー
ルド部９５と、ウエハＷを回転させる回転機構９２と、
ウエハＷを上下方向に移動させる上下移動機構９３と、
支持部９４とから構成してある。この保時手段９０は、
ウエハＷ処理面を下にして保持し、ウエハＷの処理面の
みと、めっき液とを接触させるように構成してある。The time keeping means 90 includes a cathode electrode 91, a shield part 95, a rotating mechanism 92 for rotating the wafer W,
A vertical moving mechanism 93 for moving the wafer W in the vertical direction;
And a support portion 94. This time keeping means 90
The processing surface of the wafer W is held down, and only the processing surface of the wafer W is brought into contact with the plating solution.
【００３２】液処理槽１００はめっき内槽１３０とめっ
き外槽１４０とで構成してある。めっき内槽１３０は、
めっき液に電流を流すためのアノード電極１１０と、め
っき液を供給するめっき液供給口１２０とを備えてい
る。めっき外槽１４０は、めっき内槽１３０からオーバ
ーフローしためっき液が流れ込むように構成してある。
排出ライン１５０はめっき外槽１４０に流れ込んだめっ
き液を排出するように構成してある。液管理部１６０は
排出させためっき液を一定の組成および一定の温度に保
ち、泡を取り除くように構成してある。ポンプ１７０は
めっき液をめっき液供給口１２０にめっき液を送りこ
み、めっき液を循環させるように構成してある。The solution processing tank 100 is composed of an inner plating tank 130 and an outer plating tank 140. The plating inner tank 130
An anode electrode 110 for passing a current through the plating solution, and a plating solution supply port 120 for supplying the plating solution are provided. The outer plating bath 140 is configured such that the plating solution overflowing from the inner plating bath 130 flows in.
The discharge line 150 is configured to discharge the plating solution flowing into the outer plating bath 140. The liquid management unit 160 is configured to keep the discharged plating liquid at a constant composition and a constant temperature to remove bubbles. The pump 170 is configured to send the plating solution to the plating solution supply port 120 and circulate the plating solution.
【００３３】また、めっき外槽１４０内に第１の排気手
段１８０を、めっき外槽１４０の上部に第２の排気手段
１８１を設けてある。また、第１の排気手段１８０には
液体および気体を回収可能なトラップ１８７を設けてあ
る。Further, a first exhaust unit 180 is provided in the outer plating bath 140, and a second exhaust unit 181 is provided above the outer plating bath 140. Further, the first exhaust unit 180 is provided with a trap 187 capable of collecting a liquid and a gas.
【００３４】第１の排気手段１８０はめっき外槽１４０
内の雰囲気を排気ポンプ１８５により排気可能に構成し
てある。第１の排気手段１８０により、めっき外槽１４
０内の雰囲気に多く含まれるめっき液や洗浄液などのミ
ストを排出し、めっき液や洗浄液などのミストの拡散に
よる汚染を抑制することができる。The first exhaust means 180 is an outer plating tank 140
The inside atmosphere can be exhausted by an exhaust pump 185. By the first exhaust means 180, the outer plating bath 14
Mist such as a plating solution or a cleaning solution, which is contained in a large amount in the atmosphere of 0, is discharged, and contamination due to diffusion of the mist such as the plating solution or the cleaning solution can be suppressed.
【００３５】第２の排気手段１８１は、めっき処理部４
０の上部にあるＦＦＵ８０から供給する空気またはＮ2
ガスを排気ポンプ１８５により排気することによりめっ
き処理部４０内に一定の気体の流れを形成させる。第２
の排気手段１８１により、めっき処理部４０内の雰囲気
に多く含まれるめっき液や洗浄液などのミストを排出
し、めっき液や洗浄液などのミストの拡散による汚染を
抑制することができる。The second exhaust means 181 is provided in the plating section 4.
Air or N 2 supplied from FFU 80 at the top of
The gas is exhausted by the exhaust pump 185 to form a constant gas flow in the plating section 40. Second
By means of the exhaust means 181, mist such as a plating solution and a cleaning liquid, which are largely contained in the atmosphere in the plating section 40, can be discharged, and contamination due to diffusion of the mist such as the plating solution and the cleaning liquid can be suppressed.
【００３６】第１の排気手段１８０に設けたトラップ１
８７は、トラップ１８７内で一定方向の水流を形成する
よう構成し、この水流にミストまたはガスを衝突させ
て、ミストまたはガスを回収する。これによって酸性の
ミストによる排気ライン１８３および排気ポンプ１８５
の腐食を防止することができる。The trap 1 provided in the first exhaust means 180
87 is configured to form a water flow in a certain direction in the trap 187, and mist or gas is made to collide with the water flow to collect the mist or gas. Thus, the exhaust line 183 and the exhaust pump 185 by the acidic mist
Corrosion can be prevented.
【００３７】本発明の洗浄手段である洗浄ノズル２０
０、および乾燥手段である乾燥ノズル２１０について図
３、図４および図５に示し、以下に説明する。まず図３
と図４にあるように、洗浄液である純水を噴射可能に構
成された洗浄ノズル２００をめっき外槽１４０に設けて
ある。洗浄ノズル２００はウエハＷの処理面に対して、
ウエハＷの位置よりも下方から洗浄液を一定の噴射角度
(仰角θ）、噴射範囲（分散角ω）で噴射するよう調整
してある。下方から噴射した洗浄液は被処理体に衝突
し、下方へ拡散するため、洗浄液のミストが液処理槽の
上方へ拡散することを抑制できる。噴射角度（仰角θ）
はめっき処理面に対して、斜め下方向から５°〜７０°
にすることが好ましい。また、噴射範囲（分散角ω）は
３°〜３０°にすることが好ましい。これにより処理面
に均一な洗浄液を供給でき、均一な洗浄ができる。この
洗浄手段により、めっき処理後のウエハＷに残る処理液
を取り除くことができるため、処理液の拡散を抑制でき
る。The cleaning nozzle 20 as the cleaning means of the present invention
0, and the drying nozzle 210 as a drying means are shown in FIGS. 3, 4 and 5, and will be described below. First, FIG.
As shown in FIG. 4 and FIG. 4, a cleaning nozzle 200 configured to spray pure water as a cleaning liquid is provided in the outer plating bath 140. The cleaning nozzle 200 moves the processing surface of the wafer W
A constant spray angle of the cleaning liquid from below the position of the wafer W
(Elevation angle θ) and ejection range (dispersion angle ω). Since the cleaning liquid sprayed from below collides with the object to be processed and diffuses downward, the mist of the cleaning liquid can be suppressed from diffusing above the liquid processing tank. Injection angle (elevation angle θ)
Is 5 ° to 70 ° obliquely downward from the plating surface
Is preferable. Further, the injection range (dispersion angle ω) is preferably set to 3 ° to 30 °. As a result, a uniform cleaning liquid can be supplied to the processing surface, and uniform cleaning can be performed. With this cleaning means, the processing liquid remaining on the wafer W after the plating processing can be removed, so that the diffusion of the processing liquid can be suppressed.
【００３８】本発明では洗浄液に純水を用いるが、純水
を用いれば洗浄後の排液はめっき液と純水が混合された
ものとなり、たとえ洗浄液の排液がめっき内槽１３０お
よびめっき外槽１４０にあるめっき液と混ざった場合で
も、めっき液の組成の変化は少ない。そのため、洗浄液
の排液をめっき内槽１３０もしくはめっき外槽１４０に
流し込むことができる。In the present invention, pure water is used as the cleaning solution. However, if pure water is used, the drainage after cleaning is a mixture of the plating solution and pure water. Even when mixed with the plating solution in the tank 140, the composition of the plating solution does not change much. Therefore, the drainage of the cleaning liquid can be poured into the inner plating bath 130 or the outer plating bath 140.
【００３９】図５は、めっき外槽１４０を上方から見た
模式図である。乾燥用ガスであるＮ 2を噴射可能に構成
された乾燥ノズル２１０をめっき外槽１４０に設けてい
る。乾燥ノズル２１０から乾燥用ガスをウエハＷの位置
より下方から噴射するように調整してある。この乾燥手
段により、洗浄後のウエハ表面に残っている洗浄液を取
り除くことができるため、洗浄液の拡散を抑制できる。
また、強制的に乾燥させるため、自然乾燥よりも短時間
で乾燥でき、スループットの向上につながる。FIG. 5 shows the outer plating bath 140 viewed from above.
It is a schematic diagram. N which is a drying gas TwoCan be sprayed
Drying nozzle 210 is provided in the outer plating bath 140.
You. The drying gas is supplied from the drying nozzle 210 to the position of the wafer W.
It has been adjusted to inject from below. This dry hand
The step removes the cleaning liquid remaining on the wafer surface after cleaning.
The diffusion of the cleaning liquid can be suppressed.
Also, forcibly drying, shorter than natural drying
Drying, leading to an improvement in throughput.
【００４０】洗浄ノズル２００および乾燥ノズル２１０
は、環状のめっき処理外槽１４０を取り囲むように配置
してある。洗浄ノズル２００および乾燥ノズル２１０の
位置は、洗浄液または乾燥用ガスがウエハの表面に均一
に噴射可能な位置に配置してあるため、より均一な洗浄
および乾燥が可能となっている。Washing nozzle 200 and drying nozzle 210
Are arranged so as to surround the annular plating outer tank 140. Since the positions of the cleaning nozzle 200 and the drying nozzle 210 are arranged at positions where the cleaning liquid or the drying gas can be uniformly sprayed on the surface of the wafer, more uniform cleaning and drying can be performed.
【００４１】以上のめっき処理部４０を供えためっき処
理システム１０では、めっき液および洗浄液のミスト拡
散を抑制することができる構成となる。これにより、安
定した半導体装置の製造が可能となる。In the plating system 10 provided with the plating section 40, the mist diffusion of the plating solution and the cleaning solution can be suppressed. As a result, a stable semiconductor device can be manufactured.
【００４２】次に、上記図示した実施例の動作を説明す
る。図１に示したキャリアカセットステーション２０に
ウエハＷを複数枚収納したキャリアカセット２１を載置
する。搬送ロボット３１によってキャリアカセット２１
からウエハＷを取り出す。取り出したウエハＷをバッフ
ァ部６０へ搬送し、載置する。載置されたウエハＷを搬
送アーム７０によって反転させウエハＷの処理面を下に
した後、めっき処理部４０に搬送する。Next, the operation of the illustrated embodiment will be described. A carrier cassette 21 containing a plurality of wafers W is placed on the carrier cassette station 20 shown in FIG. The carrier cassette 21 is moved by the transfer robot 31.
The wafer W is taken out. The taken-out wafer W is transferred to the buffer unit 60 and placed thereon. The mounted wafer W is inverted by the transfer arm 70 so that the processing surface of the wafer W is turned down, and then transferred to the plating unit 40.
【００４３】図３に示した保持手段９０をウエハＷの搬
送位置（図６（ａ）参照）に移動させた後、搬送アーム
７０によって反転させ、搬送してきたウエハＷを、処理
面を下にて保持手段９０に保持させる。次にめっき液を
ポンプ１７０により、めっき液供給口１２０を通じてめ
っき内槽１３０に送りこみ、オーバーフローさせる。保
持手段９０をめっき処理位置（図６（ｂ）参照）まで移
動させ、ウエハ処理面と、めっき液とを接触させる。カ
ソード電極９１とアノード電極１１０との間に電流を流
し、ウエハＷを０ｒｐｍから３００ｒｐｍで回転させな
がらウエハ処理面にめっき処理を行う。めっき処理後、
めっき液をオーバーフローさせながら、またはめっき液
をめっき内槽１３０から抜き取る。めっき液をオーバー
フローさせながら、またはめっき液を抜き取った後、ま
たはめっき液を抜き取っている間に、めっき処理位置
（図６（ｂ）参照）で、ウエハＷを０ｒｐｍから２００
ｒｐｍで回転させ、ウエハ処理面に残っているめっき液
を取り除く。After the holding means 90 shown in FIG. 3 is moved to the transfer position of the wafer W (see FIG. 6A), it is turned over by the transfer arm 70, and the transferred wafer W is placed with the processing surface down. To be held by the holding means 90. Next, the plating solution is sent to the plating inner tank 130 through the plating solution supply port 120 by the pump 170 to overflow. The holding means 90 is moved to the plating position (see FIG. 6B) to bring the wafer processing surface into contact with the plating solution. A current is passed between the cathode electrode 91 and the anode electrode 110, and the plating process is performed on the wafer processing surface while rotating the wafer W from 0 rpm to 300 rpm. After plating,
The plating solution is withdrawn from the inner plating bath 130 while the plating solution overflows. While overflowing the plating solution, after extracting the plating solution, or while extracting the plating solution, the wafer W is moved from 0 rpm to 200 at the plating position (see FIG. 6B).
Rotate at rpm to remove plating solution remaining on the wafer processing surface.
【００４４】次に保持手段９０を洗浄位置（図６（ｃ）
参照）に移動させ、洗浄ノズル２００から洗浄液である
純水をウエハ処理面に向けて下方側から噴射し、ウエハ
Ｗを０ｒｐｍから２００ｒｐｍで回転させながら洗浄を
行う。この洗浄により、ウエハＷ表面のめっき液が取り
除かれるため、その後の搬送途中に起こるめっき液の液
だれ、拡散によるめっき処理システム内の汚染を防ぐこ
とができる。Next, the holding means 90 is moved to the cleaning position (FIG. 6C).
), And pure water as a cleaning liquid is sprayed from below onto the wafer processing surface from the cleaning nozzle 200, and cleaning is performed while rotating the wafer W from 0 rpm to 200 rpm. By this cleaning, the plating solution on the surface of the wafer W is removed, so that it is possible to prevent contamination in the plating system due to dripping and diffusion of the plating solution occurring during the subsequent transfer.
【００４５】洗浄後、乾燥ノズル２１０から乾燥用ガス
であるＮ2ガスをウエハ処理面に噴射し、ウエハ処理面
に残っている洗浄液を取り除く。この乾燥によりウエハ
処理面に残っている洗浄液を取り除かれるため、その後
の搬送途中に起こるめっき液の液だれ、拡散によるめっ
き処理システム内の汚染を防ぐことができる。また、こ
の時のウエハ処理面は完全に乾燥させず、洗浄液の層を
わずかに残しておくのが好ましい。これによりウエハ処
理面に成膜したＣｕ層の酸化が進行するのを抑制でき
る。この乾燥工程の後、保持手段９０を搬送位置（図６
（ａ）参照）に移動させ、搬送アーム７０によりウエハ
Ｗを搬出する。After the cleaning, N 2 gas as a drying gas is jetted from the drying nozzle 210 to the wafer processing surface to remove the cleaning liquid remaining on the wafer processing surface. Since the cleaning liquid remaining on the wafer processing surface is removed by the drying, contamination of the plating processing system due to dripping and diffusion of the plating liquid occurring during the subsequent transfer can be prevented. At this time, it is preferable that the wafer processing surface is not completely dried, and a slight layer of the cleaning liquid is left. This can suppress the progress of oxidation of the Cu layer formed on the wafer processing surface. After this drying step, the holding means 90 is moved to the transport position (FIG. 6).
(See (a)), and the transfer arm 70 unloads the wafer W.
【００４６】図１および図２に示すように、めっき処理
部４０から搬出したウエハＷは搬送アーム７０により、
洗浄部５０へ搬送する。洗浄部５０ではウエハ表面全体
を洗浄、乾燥させる。洗浄、乾燥したウエハＷは搬送ロ
ボット３１により、キャリアカセットステーション２０
のキャリアカセット２１まで搬送させる。以上の動作に
より、ウエハＷにめっき処理がなされる。めっき処理さ
れたウエハＷは次の工程に搬送される。As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer W unloaded from the plating section 40 is transferred by the transfer arm 70.
It is transported to the cleaning unit 50. In the cleaning section 50, the entire wafer surface is cleaned and dried. The washed and dried wafer W is transferred by the transfer robot 31 to the carrier cassette station 20.
To the carrier cassette 21. By the above operation, the plating process is performed on the wafer W. The plated wafer W is transferred to the next step.
【００４７】以下に本発明液処理装置の洗浄手段におけ
る第２実施例を図７に示す。図７の洗浄ノズル２０１
は、めっき外槽から進退可能に構成し、洗浄液の噴射角
度（仰角θ）および噴射範囲（分散角ω）を可変にでき
る。これにより、より均一な洗浄を行うことができる。FIG. 7 shows a second embodiment of the cleaning means of the liquid processing apparatus of the present invention. Cleaning nozzle 201 of FIG.
Is configured to be able to advance and retreat from the outer plating bath, and the spray angle (elevation angle θ) and spray range (dispersion angle ω) of the cleaning liquid can be made variable. Thereby, more uniform cleaning can be performed.
【００４８】次に本発明の液処理装置の洗浄手段におけ
る第３実施例を図８に示す。図８の実施例ではノズル３
００から洗浄液および乾燥用ガスの両方を噴射可能な構
成としてある。ノズル３００から洗浄液を噴射するとき
は、洗浄液を洗浄液供給部３１０から供給管３３０を通
じて供給する。乾燥用ガスを噴射するときは、乾燥用ガ
スを乾燥用ガス供給部３２０から供給管３３０を通じて
供給する。このノズルを用いる場合、洗浄液を噴射する
時には洗浄液供給部３１０から洗浄液を供給し、乾燥用
ガスを噴射する時にはラインを切り替え、乾燥用ガス供
給部３２０から乾燥用ガスを供給する。これにより、一
つのノズルで洗浄および乾燥を行うことができる。供給
管３３０に留まる洗浄液は乾燥用ガスによって押し出さ
れ、除去できるため、配管の劣化を防ぐことができ、メ
ンテナンスが容易となる。Next, a third embodiment of the cleaning means of the liquid processing apparatus of the present invention is shown in FIG. In the embodiment of FIG.
From 00, both cleaning liquid and drying gas can be ejected. When the cleaning liquid is injected from the nozzle 300, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit 310 through the supply pipe 330. When injecting the drying gas, the drying gas is supplied from the drying gas supply unit 320 through the supply pipe 330. When this nozzle is used, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit 310 when the cleaning liquid is injected, the line is switched when the drying gas is injected, and the drying gas is supplied from the drying gas supply unit 320. Thus, cleaning and drying can be performed with one nozzle. Since the cleaning liquid remaining in the supply pipe 330 is pushed out by the drying gas and can be removed, deterioration of the pipe can be prevented, and maintenance becomes easy.
【００４９】なお、本発明の第１実施例では、図５に示
すように、めっき外槽上部１４０の円周上に、洗浄ノズ
ル２００および乾燥ノズル２１０を複数配置したが、洗
浄ノズル２００および乾燥ノズル２１０は複数である必
要はなく、洗浄液および乾燥用ガスがウエハ表面に均一
に噴射されれば、ノズルを少なくとも一つ設けていれば
所望の洗浄および乾燥を達成できる。In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, a plurality of washing nozzles 200 and drying nozzles 210 are arranged on the circumference of the outer plating upper part 140. There is no need to provide a plurality of nozzles 210. If the cleaning liquid and the drying gas are uniformly sprayed on the wafer surface, desired cleaning and drying can be achieved if at least one nozzle is provided.
【００５０】また、本発明の第１実施例では噴射角度お
よび噴射範囲が同様のノズルを用いていたが、噴射角度
および噴射範囲の異なるノズルを複数用いて、ウエハＷ
の異なる部位に噴射してもよい。Further, in the first embodiment of the present invention, the nozzles having the same ejection angle and the same ejection range are used.
May be sprayed at different locations.
【００５１】第１実施例では、図３、図４、および図５
に示すように、めっき外槽１４０に洗浄ノズル２００お
よび乾燥ノズル２１０を設けているが、洗浄ノズル２０
０および乾燥ノズル２１０をめっき内槽１３０に設けて
もよい。洗浄ノズル２００および乾燥ノズル２１０は必
ずしも同じ部位にある必要はなく、一方はめっき内槽１
３０に他方はめっき外槽１４０に設けてもよい。In the first embodiment, FIGS. 3, 4 and 5
As shown in the figure, the cleaning nozzle 200 and the drying nozzle 210 are provided in the outer plating tank 140,
0 and the drying nozzle 210 may be provided in the inner plating bath 130. The cleaning nozzle 200 and the drying nozzle 210 do not necessarily need to be at the same site,
30 may be provided in the outer plating bath 140.
【００５２】第１実施例では洗浄液に純水を用いている
が、洗浄液は純水に限らず、酸およびアルカリ溶液のよ
うな洗浄液を用いることができる。これらの洗浄液を用
いることにより、めっき処理後のウエハＷを保持手段９
０により保持したまま、成膜されためっき処理膜に対
し、酸およびアルカリ溶液を用いたエッチング等の液処
理をさらに行うことができる。これにより、めっき処理
部４０が洗浄部の機能の一部を兼ね備えることができ、
スループットの向上に寄与する。In the first embodiment, pure water is used as the cleaning liquid. However, the cleaning liquid is not limited to pure water, and a cleaning liquid such as an acid or alkali solution can be used. By using these cleaning liquids, the wafer W after the plating process can be held by the holding means 9.
With the value held at 0, the formed plating film can be further subjected to a liquid treatment such as etching using an acid and alkali solution. Thereby, the plating section 40 can have a part of the function of the cleaning section,
This contributes to an improvement in throughput.
【００５３】また第１実施例では乾燥用ガスにＮ2を用
いているが、乾燥用ガスは洗浄液を取り除けるものであ
れば、例えばイソプロピルアルコール、アルゴンガス、
ヘリウムガス、クリーンエアー等その他のガスまたは液
体でもよい。In the first embodiment, N 2 is used as the drying gas. However, as long as the drying gas can remove the cleaning liquid, for example, isopropyl alcohol, argon gas,
Other gases or liquids such as helium gas and clean air may be used.
【００５４】処理動作において、本発明の第１実施例で
は、めっき処理後、めっき内槽１３０およびめっき外槽
１４０からめっき液を抜き取った後に洗浄を行っている
が、洗浄液の排液を排出するときに洗浄液排液とめっき
液とを分けるため、液体流路をめっき液供給路、めっき
液排出路、洗浄液排液排出路に分けることがより好まし
い。これにより、洗浄液の排液とめっき液との混合を防
止し、めっき液を一定の組成に保つことができるため、
安定した処理を繰り返すことが可能となる。In the processing operation, in the first embodiment of the present invention, after the plating treatment, the plating solution is extracted from the inner plating bath 130 and the outer plating bath 140, and then the cleaning is performed. In order to sometimes separate the cleaning liquid drainage from the plating liquid, it is more preferable to divide the liquid flow path into a plating liquid supply path, a plating liquid discharge path, and a cleaning liquid drainage discharge path. As a result, it is possible to prevent mixing of the cleaning solution drainage and the plating solution, and to maintain the plating solution at a constant composition.
Stable processing can be repeated.
【００５５】また、洗浄中および乾燥中のウエハＷは回
転（自転）だけでなく公転、上下動、揺動をさせてもよ
い。特に乾燥用ガスをウエハの回転中心に噴射させるこ
とにより、遠心力が作用しないウエハの回転中心に残る
洗浄液を取り除くことができるため、ウエハＷを均一に
洗浄および乾燥させることができる。In addition, the wafer W during cleaning and drying may be caused to revolve, move up and down, and swing as well as rotate (self-rotate). In particular, by injecting the drying gas to the center of rotation of the wafer, the cleaning liquid remaining at the center of rotation of the wafer where no centrifugal force acts can be removed, so that the wafer W can be uniformly cleaned and dried.
【００５６】また、ウエハWを保持手段９０から搬出し
た後、洗浄手段および乾燥手段によって、保持手段９０
を洗浄および乾燥してもよい。保持手段９０にはウエハ
Wのエッジ部および裏面にめっき液が回り込まないよう
にするためのシールド部９５と、電流を流すためのカソ
ード電極９１があり（図４参照）、めっき液が付着して
あるのでこれらを洗浄する。これによって、めっき液や
洗浄液による保持手段９０の腐食を防止することができ
るさらに、保持手段９０全体を洗浄することもできる。
これにより保持手段９０に付着しためっき液や洗浄液を
取り除くことができる。これによって、めっき液や洗浄
液による保持手段９０全体の腐食を防止することができ
る。保持手段９０の洗浄はめっき処理され洗浄、乾燥さ
れたウエハWが保持手段９０から搬出され、次のめっき
処理を行うウエハWが保持手段９０に搬入されるまでに
行われるのがより好ましい。これにより、スループット
の低下を防ぐことができる。After the wafer W has been carried out of the holding means 90, the holding means 90 is washed by the cleaning means and the drying means.
May be washed and dried. The holding means 90 has a wafer
There is a shield portion 95 for preventing the plating solution from flowing around the edge portion and the back surface of the W, and a cathode electrode 91 for flowing an electric current (see FIG. 4). Since the plating solution is attached, these are cleaned. . Thereby, the corrosion of the holding means 90 by the plating solution or the cleaning liquid can be prevented, and the entire holding means 90 can be cleaned.
As a result, the plating solution and the cleaning solution attached to the holding means 90 can be removed. Thereby, corrosion of the entire holding means 90 by the plating solution or the cleaning solution can be prevented. More preferably, the cleaning of the holding unit 90 is performed before the wafer W subjected to the plating process, washed and dried is carried out of the holding unit 90, and the wafer W to be subjected to the next plating process is carried into the holding unit 90. As a result, a decrease in throughput can be prevented.
【００５７】なお、本発明の液処理装置および液処理方
法は、上述の実施例にのみ限定されるものではなく、ウ
エハＷの濡れ性を上げるための前処理、またはウエハＷ
のシード層の酸化膜除去処理等その他の液処理に適用す
ることができる。It should be noted that the liquid processing apparatus and the liquid processing method of the present invention are not limited to the above-described embodiment, but include a pre-treatment for increasing the wettability of the wafer W or a wafer W
It can be applied to other liquid treatments such as an oxide film removal treatment of a seed layer.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
汚染源の拡散を抑制し、半導体製造における歩留まりを
向上させることができる。また、半導体製造装置内の汚
染や腐食を抑制し、半導体製造ラインの汚染や腐食を抑
制することによって、半導体装置を安定して製造でき
る、という優れた効果を奏する。As described above, according to the present invention,
It is possible to suppress the diffusion of the contamination source and improve the yield in semiconductor manufacturing. Further, the present invention has an excellent effect that the semiconductor device can be stably manufactured by suppressing contamination and corrosion in the semiconductor manufacturing apparatus and by suppressing contamination and corrosion in the semiconductor manufacturing line.
【図１】本発明のめっき処理システムの概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a plating system of the present invention.
【図２】図１に示しためっき処理システムの１段目部を
上から見た概略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a first stage portion of the plating system shown in FIG. 1 as viewed from above.
【図３】本発明のめっき処理部の概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a plating section according to the present invention.
【図４】本発明の第１実施例による洗浄手段の概略構成
図。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a cleaning unit according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例によるめっき処理外槽を上
から見た概略構成図。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a plating outer tank according to the first embodiment of the present invention as viewed from above.
【図６】図６（ａ）はウエハＷの搬送位置を、図６
（ｂ）はウエハＷのめっき処理位置、図６（ｃ）はウエ
ハＷの洗浄位置を示した図。FIG. 6A shows a transfer position of a wafer W, and FIG.
6B is a diagram illustrating a plating position of the wafer W, and FIG. 6C is a diagram illustrating a cleaning position of the wafer W.
【図７】本発明の第２実施例の洗浄部の概略構成図。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a cleaning unit according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第３実施例の洗浄部の概略構成図。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a cleaning unit according to a third embodiment of the present invention.
Ｗ ウエハ １０ めっき処理システム ２０ キャリアカセットステーション ２１ キャリアカセット ３０ 搬送部 ３１ 搬送ロボット ４０ めっき処理部 ５０ 洗浄部 ６０ バッファ部 ７０ 搬送アーム ８０ ファンフィルターユニット ９０ 保持手段 ９１ カソード電極 ９２ 回転機構 ９３ 上下移動機構 ９４ 支持部 ９５ シールド部 １００ 液処理槽 １１０ アノード電極 １２０ メッキ液供給口 １３０ めっき内槽 １４０ めっき外槽 １５０ 排出ライン １６０ 液管理部 １７０ ポンプ １８０ 第１の排気手段 １８１ 第２の排気手段 １８３ 排気ライン １８５ 排気ポンプ １８７ トラップ ２００ 洗浄ノズル ２１０ 乾燥ノズル ３００ ノズル ３１０ 洗浄液供給部 ３２０ 乾燥用ガス供給部 ３３０ 供給管 W wafer 10 plating processing system 20 carrier cassette station 21 carrier cassette 30 transport unit 31 transport robot 40 plating process unit 50 cleaning unit 60 buffer unit 70 transport arm 80 fan filter unit 90 holding means 91 cathode electrode 92 rotating mechanism 93 vertical movement mechanism 94 Support part 95 Shield part 100 Liquid treatment tank 110 Anode electrode 120 Plating solution supply port 130 Inner plating tank 140 Outer plating tank 150 Drain line 160 Liquid management unit 170 Pump 180 First exhaust means 181 Second exhaust means 183 Exhaust line 185 Exhaust pump 187 Trap 200 Cleaning nozzle 210 Drying nozzle 300 Nozzle 310 Cleaning liquid supply unit 320 Drying gas supply unit 330 Supply pipe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１Ｌ 21/306 21/306 Ｊ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 651 H01L 21/304 651L 21/306 21/306 J
Claims (20)
に構成した液処理槽と、液処理した被処理体を洗浄する
ための洗浄手段とを備え、前記洗浄手段が前記被処理体
の下方側から洗浄液を供給可能に構成されていることを
特徴とする液処理装置。A liquid processing tank configured to store a processing liquid so as to perform liquid processing on the object to be processed, and a cleaning unit for cleaning the object to be processed with the liquid; A liquid processing apparatus configured to supply a cleaning liquid from a lower side of a body.
よび洗浄位置に移動可能に構成した保持手段をさらに備
えたことを特徴とする請求項１の液処理装置。2. The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a holding unit configured to hold the object to be processed and to be movable to a liquid processing position and a cleaning position.
を被処理体に対して施す液処理槽と、前記被処理体を保
持可能に構成した保持手段と、液処理後の被処理体に洗
浄液を供給して洗浄処理を施す洗浄手段と、前記液処理
槽の雰囲気を排気可能に構成した排気手段と、を備えた
ことを特徴とする液処理装置。3. A liquid processing tank configured to be capable of storing a processing liquid and performing predetermined liquid processing on an object to be processed, holding means configured to be capable of holding the object to be processed, and an object to be processed after the liquid processing. A liquid processing apparatus comprising: a cleaning unit that supplies a cleaning liquid to a body to perform a cleaning process; and an exhaust unit configured to exhaust an atmosphere of the liquid processing tank.
に構成したトラップを備えたことを特徴とする請求項３
の液処理装置。4. A trap provided in said exhaust means so as to recover liquid and gas.
Liquid processing equipment.
て保持可能に構成した保持手段と、被処理体を洗浄する
洗浄手段と、を備えたことを特徴とする液処理装置。5. A liquid processing apparatus comprising: a liquid processing tank; holding means configured to be able to hold the processing object with the processing surface down; and cleaning means for cleaning the processing object. .
洗浄液を供給するよう構成したことを特徴とする請求項
５の液処理装置。6. A liquid processing apparatus according to claim 5, wherein said cleaning means is configured to supply a cleaning liquid from below the object to be processed.
ら７０°の仰角θで洗浄液を供給することを特徴とする
請求項５あるいは６の液処理装置。7. The liquid processing apparatus according to claim 5, wherein the cleaning means supplies the cleaning liquid to the object at an elevation angle θ of 5 ° to 70 °.
ら３０°の分散角ωで洗浄液を供給することを特徴とす
る請求項５から７のいずれか1項の液処理装置。8. The liquid processing apparatus according to claim 5, wherein the cleaning means supplies the cleaning liquid to the object at a dispersion angle ω of 3 ° to 30 °.
れ，被処理体を所定速度で回転可能に構成されているこ
とを特徴とする請求項５から８のいずれか1項の液処理
装置。9. The liquid processing apparatus according to claim 5, wherein said holding means is configured to be movable up and down, and is configured to be able to rotate the object to be processed at a predetermined speed.
を供給する乾燥手段を備えたことを特徴とする請求項1
から９のいずれか1項の液処理装置。10. A drying apparatus for supplying a predetermined gas or liquid to the object to be processed.
10. The liquid processing apparatus according to any one of items 1 to 9.
構成し、洗浄液および乾燥ガスを交互に供給できるよう
にしたことを特徴とする請求項１０の液処理装置。11. The liquid processing apparatus according to claim 10, wherein said cleaning means and said drying means are integrally formed so that a cleaning liquid and a drying gas can be supplied alternately.
カリ溶液を用いることを特徴とする請求項１から１１の
いずれか1項の液処理装置。12. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein said cleaning means uses an acid or alkali solution as a cleaning liquid.
とを特徴とする請求項１から１２のいずれか1項の液処
理装置。13. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid processing tank is a plating tank.
処理装置と、キャリアカセットステーションと、搬送部
と、洗浄部と、からなることを特徴とする液処理システ
ム。14. A liquid processing system comprising: the liquid processing apparatus according to claim 1; a carrier cassette station; a transport unit; and a cleaning unit.
に所定の液処理を行う液処理工程と、被処理体と処理液
を離間させる工程と、被処理体の下方から洗浄液を供給
し被処理体の洗浄を行う洗浄工程と、からなる被処理体
に液処理を行う液処理方法。15. A liquid processing step of bringing a processing object into contact with a processing liquid to perform predetermined liquid processing on the processing object, a step of separating the processing object from the processing liquid, and supplying a cleaning liquid from below the processing object. And a cleaning step of cleaning the object to be processed.
に所定の液処理を行う液処理工程と、洗浄液により洗浄
を行う洗浄工程と、少なくとも洗浄工程と同時または洗
浄工程の後、液処理装置内の雰囲気を排気する排気工程
と、からなる被処理体に液処理を行う液処理方法。16. A liquid processing step of bringing a target object into contact with a processing liquid to perform a predetermined liquid treatment on the target object, a cleaning step of cleaning with a cleaning liquid, and a cleaning step at least simultaneously with or after the cleaning step. A liquid processing method for performing liquid processing on an object to be processed, comprising: an exhaust step of exhausting an atmosphere in the processing apparatus.
を処理液に接触させ被処理体に所定の液処理を行う液処
理工程と、被処理体と処理液を離間させる工程と、被処
理体表面の処理液を取り除く工程と、被処理体の下方か
ら洗浄液を供給し被処理体の洗浄を行う工程とからなる
被処理体に液処理を行う液処理方法。A step of holding the object to be processed, a liquid processing step of bringing the object into contact with the processing liquid and performing a predetermined liquid treatment on the object, and a step of separating the object and the processing liquid from each other; A liquid processing method for performing liquid processing on a target object, comprising: a step of removing a processing liquid from a surface of the target object; and a step of supplying a cleaning liquid from below the target object to clean the target object.
理体の処理面を下にして保持した被処理体に液処理を行
うことを特徴とする請求項１５から１７のいずれか1項
の液処理方法。18. The method according to claim 15, wherein in the step of holding the object to be processed, liquid processing is performed on the object to be processed held with the processing surface of the object to be turned down. Liquid treatment method.
を処理液に接触させ、被処理体に所定の液処理を行う液
処理工程と、被処理体と処理液を離間させる工程と、被
処理体の下方から洗浄液を供給し、被処理体の洗浄を行
う工程と、からなる被処理体に液処理を行う液処理方
法。19. A liquid processing step of bringing a processing surface of a processing object down with a processing liquid into contact with the processing liquid to perform a predetermined liquid processing on the processing object, and separating the processing liquid from the processing object. And a step of supplying a cleaning liquid from below the object to be cleaned and cleaning the object to be processed.
液を取り除く乾燥工程を含む請求項１５から１９のいず
れか１項の液処理方法。20. The liquid processing method according to claim 15, further comprising, after the cleaning step, a drying step of removing a cleaning liquid of the object to be processed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001316878A true JP2001316878A (en) | 2001-11-16 |
| JP2001316878A5 JP2001316878A5 (en) | 2007-04-05 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000133460A Pending JP2001316878A (en) | 2000-05-02 | 2000-05-02 | Equipment, system and method for liquid treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001316878A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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