JP2001313364A - Overheat protector for power mos transistor and recording medium - Google Patents
Overheat protector for power mos transistor and recording mediumInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車に装
備されている回路や電気部品等の負荷への電力を遮断す
るパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overheat protection device for a power MOS transistor which shuts off power to a load such as a circuit or an electric component mounted on an automobile.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、自動車に装備されている回路
や電気部品等の負荷への電力を遮断するために、パワー
ＭＯＳトランジスタが使用されている。このパワーＭＯ
Ｓトランジスタは、負荷の故障（例えば端子等のショー
ト）などにより過熱することがあるが、パワーＭＯＳト
ランジスタが過熱すると、パワーＭＯＳトランジスタ自
体の劣化を招いたり周囲の素子の温度を上昇させて、そ
れらに悪影響を及ぼしてしまうので、過熱したパワーＭ
ＯＳトランジスタを強制的にオフする技術が提案されて
いる（特開平６−５８４８号公報参照）。2. Description of the Related Art Conventionally, a power MOS transistor has been used to cut off power to a load such as a circuit or an electric component mounted on an automobile. This power MO
The S transistor may be overheated due to a load failure (for example, short-circuiting of a terminal or the like). However, if the power MOS transistor overheats, the power MOS transistor itself may be deteriorated or the temperature of surrounding elements may be increased. Overheated power M
A technique for forcibly turning off an OS transistor has been proposed (see JP-A-6-5848).
【０００３】ところが、近年では、高集積を目的とし
て、複数のパワーＭＯＳトランジスタを同一パッケージ
に収容することがあり、この場合には、例えば複数のパ
ワーＭＯＳトランジスタに対し過熱保護回路を共通にし
たり、１パッケージに複数の過熱保護回路を設けてそれ
らの出力信号をＯＲ回路を介して出力することが考えら
れる。In recent years, however, a plurality of power MOS transistors may be housed in the same package for the purpose of high integration. In this case, for example, an overheat protection circuit may be shared for the plurality of power MOS transistors, It is conceivable to provide a plurality of overheat protection circuits in one package and output their output signals via an OR circuit.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た過熱保護回路を共通にする技術や複数の過熱保護回路
の出力信号をＯＲ出力する技術の場合には、パッケージ
内のいずれかのパワーＭＯＳトランジスタが過熱したと
きに他のパワーＭＯＳトランジスタまでもオフにされて
しまうので好ましくない。However, in the case of the above-mentioned technique for sharing the overheat protection circuit or the technique for OR-outputting the output signals of a plurality of overheat protection circuits, any one of the power MOS transistors in the package is not used. It is not preferable because other power MOS transistors are turned off when overheated.
【０００５】つまり、パワーＭＯＳトランジスタにより
電力を通断される負荷（即ち通電制御対象）には、自動
車の走行に直接影響する重要なもの（例えば燃料ポン
プ、インジェクタ等）から、走行には直接影響しない重
要度の低いもの（例えばランプ、吸気ＶＳＶ等）までさ
まざまであり、重要度の低い通電制御対象のパワーＭＯ
Ｓトランジスタが過熱したことで重要な通電制御対象の
パワーＭＯＳトランジスタまでもがオフにされてしまう
のは、各種の制御等の観点から好ましくない。[0005] In other words, the load that is cut off by the power MOS transistor (that is, the object to be energized) is an important load (for example, a fuel pump, an injector, etc.) that directly affects the running of the vehicle. The power MO of the power supply control object having a low importance is various, including a low importance (for example, a ramp, an intake VSV, etc.).
It is not preferable from the viewpoint of various controls and the like that turning off even the power MOS transistor of the important energization control due to overheating of the S transistor.
【０００６】本発明は、複数のパワーＭＯＳトランジス
タを同一パッケージに収容する場合に予想される前記の
様な問題を防止することを目的としている。An object of the present invention is to prevent the above-mentioned problem expected when a plurality of power MOS transistors are housed in the same package.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段及び発明の効果】（１）請
求項１の発明のパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装
置は、電源から回路や電気部品等の負荷への電力を通断
するパワーＭＯＳトランジスタの過熱を防止する過熱保
護装置に関するものであり、ここでは、同一パッケージ
内に、複数のパワーＭＯＳトランジスタと、複数のパワ
ーＭＯＳトランジスタのいずれかが過熱状態にあると過
熱信号を出力する過熱信号出力手段とを収容した場合に
ついて開示している。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention (1) The overheat protection device for a power MOS transistor according to the first aspect of the present invention is a power MOS transistor that cuts off power from a power supply to a load such as a circuit or an electric component. More specifically, the present invention relates to an overheat protection device for preventing overheating of a plurality of power MOS transistors and an overheat signal output for outputting an overheat signal when any of the plurality of power MOS transistors is in an overheat state in the same package. The case where the means is accommodated is disclosed.
【０００８】特に本発明では、過熱信号が入力される
と、予め設定されているオフ順序に従って複数のパワー
ＭＯＳトランジスタのいずれかをオフにさせる（ソフト
及び／又はハードによる）強制オフ手段を備えている。 従って、本発明によれば、強制オフ手段によってパワ
ーＭＯＳトランジスタを順次オフすることにより、パワ
ーＭＯＳトランジスタの過熱を防止することができる。In particular, according to the present invention, when an overheat signal is input, a forced off means (by software and / or hardware) for turning off any of the plurality of power MOS transistors according to a preset off order is provided. I have. Therefore, according to the present invention, overheating of the power MOS transistor can be prevented by sequentially turning off the power MOS transistor by the forced off means.
【０００９】つまり、複数のパワーＭＯＳトランジスタ
は、それぞれ電源から負荷への電力を通断するが、各パ
ワーＭＯＳトランジスタは、負荷の故障（例えばショー
ト故障）などにより過熱することがある。よって、複数
のパワーＭＯＳトランジスタのいずれかが過熱状態にあ
る場合には（温度が例えば過熱判定値以上になると）、
過熱信号出力手段は、過熱信号を出力するので、この過
熱信号が入力されると、強制オフ手段は、予め設定され
ているオフ順序に従って複数のパワーＭＯＳトランジス
タのいずれかをオフにさせる。これにより、オフしたパ
ワーＭＯＳトランジスタ（従ってそれに接続されている
負荷）が過熱の原因であった場合には、過熱状態は解消
されることになる。That is, each of the plurality of power MOS transistors cuts off power from the power supply to the load, but each power MOS transistor may overheat due to a load failure (for example, a short-circuit failure). Therefore, when any of the plurality of power MOS transistors is in an overheated state (when the temperature becomes equal to or higher than the overheat determination value, for example),
Since the overheat signal output means outputs an overheat signal, when the overheat signal is input, the forced off means turns off any of the plurality of power MOS transistors in accordance with a preset off order. As a result, if the power MOS transistor that has been turned off (therefore, the load connected to it) causes overheating, the overheating state is eliminated.
【００１０】次に、予め設定されているオフ順序に従
ってパワーＭＯＳトランジスタをオフにさせることによ
る効果を、具体的な例により説明する。上述した様に、
パワーＭＯＳトランジスタにより電力を通断される負荷
（即ち通電制御対象）には、自動車の走行に直接影響す
る重要なもの（例えば燃料ポンプ、インジェクタ等）か
ら、走行には直接影響しない重要度の低いもの（例えば
ランプ、吸気ＶＳＶ等）まで各種ある。Next, the effect of turning off the power MOS transistor in accordance with a preset off order will be described with reference to a specific example. As mentioned above,
Loads that are cut off by the power MOS transistors (that is, objects to be energized) include those that directly affect the running of the vehicle (for example, fuel pumps, injectors, etc.), and those that do not directly affect the running. (For example, ramp, intake VSV, etc.).
【００１１】例えば１個のパッケージに４個のパワーＭ
ＯＳトランジスタ（ＭＯＳ１〜４）が収容されていて、
ＭＯＳ１が燃料ポンプ、ＭＯＳ２がランプ、ＭＯＳ３が
吸気制御ＶＳＶ、ＭＯＳ４がシフトインジケータを通電
制御対象としているとする。この場合、自動車の走行を
維持するという点では、燃料ポンプはランプ、吸気制御
ＶＳＶ及びシフトインジケータよりもあきらかに重要で
ある。ランプ、吸気制御ＶＳＶ及びシフトインジケータ
は、一概に決められない要素もあるので、ランプがより
重要度が高く、吸気制御ＶＳＶがこれに続き、シフトイ
ンジケータの重要度が低いと仮定する。つまり、重要度
はＭＯＳ１、ＭＯＳ２、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４の順であ
る。そして、オフ順序をこの重要度の逆、すなわちＭＯ
Ｓ４、ＭＯＳ３、ＭＯＳ２、ＭＯＳ１の順に設定してお
く。[0011] For example, four powers M in one package
OS transistors (MOS1 to 4) are housed,
It is assumed that MOS1 is a fuel pump, MOS2 is a ramp, MOS3 is an intake control VSV, and MOS4 is a shift indicator as an energization control target. In this case, the fuel pump is obviously more important than the ramp, the intake control VSV and the shift indicator in keeping the vehicle running. The ramp, the intake control VSV, and the shift indicator have some uncertain factors, so it is assumed that the ramp is more important, followed by the intake control VSV, and the shift indicator is less important. That is, the importance is in the order of MOS1, MOS2, MOS3, and MOS4. Then, the off order is changed to the opposite of this importance, that is, MO
S4, MOS3, MOS2, and MOS1 are set in this order.
【００１２】このパッケージのＭＯＳ１〜４がすべてオ
ンであるときに、過熱信号出力手段が過熱信号を出力し
たなら、強制オフ手段は、その際にオンになっているパ
ワーＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳ１〜４）の中でオフ順
序の早いもの、この場合ＭＯＳ４をオフにさせる。If the overheat signal output means outputs an overheat signal when all of the MOS1 to MOS4 of this package are on, the forcible off means includes the power MOS transistors (MOS1 to MOS4) which are on at that time. Among them, the one having the earlier OFF order, in this case, MOS4 is turned off.
【００１３】従って、ＭＯＳ４が過熱の原因であったな
ら、過熱状態は解消される。また、ＭＯＳ４のオフ後に
再度過熱信号出力手段が過熱信号を出力したなら、強制
オフ手段は、その際にオンになっているパワーＭＯＳト
ランジスタ（この場合はＭＯＳ１〜３）の中でオフ順序
の早いもの、すなわちＭＯＳ３をオフにさせる。Therefore, if the MOS 4 causes overheating, the overheating state is eliminated. If the overheat signal output means outputs the overheat signal again after the MOS4 is turned off, the forcible off means turns off the power MOS transistors (in this case, MOS1 to 3) which are on at that time in the order of the fastest. One, that is, the MOS3 is turned off.
【００１４】以後も同様にして、過熱信号出力手段が過
熱信号を出力したなら、強制オフ手段は、ＭＯＳ２、Ｍ
ＯＳ１の順でオフにする。すなわち、過熱信号が入力さ
れると、その際にオンになっているパワーＭＯＳトラン
ジスタの中でオフ順序の早いものから順にオフにさせ
る。[0014] Similarly, if the overheat signal output means outputs an overheat signal, the forcible off means is turned on by the MOS2, M
Turn off in the order of OS1. That is, when the overheat signal is input, the power MOS transistors that are turned on at that time are turned off in order from the one with the earliest off order.
【００１５】このように、通電制御対象となる負荷の重
要度が低い順にパワーＭＯＳトランジスタをオフにして
行くので、パッケージ内のいずれかのパワーＭＯＳトラ
ンジスタが過熱状態になっても、パッケージに含まれる
全部のパワーＭＯＳトランジスタを一気にオフにしない
から、重要な負荷（例えば燃料ポンプやインジェクタ
等）の動作を継続させることができる。As described above, the power MOS transistors are turned off in ascending order of the importance of the load to be energized, so that even if any of the power MOS transistors in the package becomes overheated, it is included in the package. Since all the power MOS transistors are not turned off at once, the operation of important loads (for example, a fuel pump and an injector) can be continued.
【００１６】よって、本発明によれば、高集積を目的と
して複数のパワーＭＯＳトランジスタを同一パッケージ
に収容する場合に予想される問題が解決できる。即ち、
パワーＭＯＳトランジスタの過熱を防止して、通電制御
対象を好適に制御することが可能になる。Therefore, according to the present invention, the problem expected when a plurality of power MOS transistors are accommodated in the same package for the purpose of high integration can be solved. That is,
By preventing overheating of the power MOS transistor, it becomes possible to appropriately control the energization control target.
【００１７】更に、本発明によれば、複数のパワーＭ
ＯＳトランジスタと過熱信号出力手段とが同一のパッケ
ージに収容されているので、高集積が可能になるという
効果が得られる。 （２）請求項２の発明では、前記オフ順序は、負荷の重
要度の高低に応じて、相対的に重要度が高いほどオフ順
序が後になるように設定されている。Further, according to the present invention, a plurality of powers M
Since the OS transistor and the overheat signal output means are housed in the same package, an effect of enabling high integration can be obtained. (2) In the invention according to claim 2, the off-order is set so that the off-order becomes later as the importance becomes relatively higher according to the degree of importance of the load.
【００１８】つまり、パッケージに含まれるパワーＭＯ
Ｓトランジスタの過熱防止の目的から、相対的に負荷の
重要度が高いほどオフ順序が後になるように設定される
のが望ましい。ただし、同一のパッケージに収容されて
いるパワーＭＯＳトランジスタの重要度、すなわちそれ
らによって電力を通断される負荷の重要度は、燃料ポン
プとランプのように明らかに重要度に差がある場合もあ
れば、ランプと吸気制御ＶＳＶのように単純に甲乙を付
けがたい場合もある。したがって、負荷の重要度の高低
に応じてオフ順序を設定するといっても、ランプと吸気
制御ＶＳＶの比較のように、例えば設計者の判断（絶対
的な基準ではなくて相対的な基準）により設定される場
合もある。That is, the power MO included in the package
For the purpose of preventing overheating of the S-transistor, it is desirable that the off-order is set so that the higher the load is relatively important, the later the off-order. However, the importance of the power MOS transistors housed in the same package, that is, the importance of the load that cuts off the power by them, may be clearly different in importance like the fuel pump and the lamp. For example, there is a case where it is difficult to simply attach the insteps like the ramp and the intake control VSV. Therefore, even if the turn-off sequence is set in accordance with the level of importance of the load, it can be determined by the designer (for example, a relative reference instead of an absolute reference), such as a comparison between a ramp and intake control VSV. May be set.
【００１９】（３）請求項３の発明では、一個のパッケ
ージに設けられる過熱信号出力手段は１つである。この
様に過熱信号出力手段を１つにすると、過熱信号を出力
するための端子を１パッケージにつき１端子にできるの
で、パッケージの大型化を防止できる。(3) According to the third aspect of the present invention, the number of the overheat signal output means provided in one package is one. When the number of the overheat signal output means is one, the number of terminals for outputting the overheat signal can be one per package, so that the package can be prevented from being enlarged.
【００２０】１パッケージの過熱信号出力手段を１つに
する構成としては、感知した温度が設定値に達したなら
信号を出力する（例えば信号レベルが変化する）信号出
力手段を１つ備える構成（この場合、信号出力手段が過
熱信号出力手段に該当する。）、このような信号出力手
段をパッケージ内の適宜の位置に複数配置し、それらの
信号をＯＲ回路を介して出力する構成（この場合、複数
の信号出力手段とＯＲ回路とで過熱信号出力手段が構成
される。）等が例示される。As a configuration in which the number of the overheat signal output means in one package is one, a signal output means for outputting a signal (for example, a signal level is changed) when the sensed temperature reaches a set value is provided ( In this case, the signal output means corresponds to the overheat signal output means.), A configuration in which a plurality of such signal output means are arranged at appropriate positions in the package and their signals are output via an OR circuit (in this case, , A plurality of signal output means and an OR circuit constitute an overheat signal output means).
【００２１】（４）請求項４の発明では、過熱信号出力
手段の温度検出位置は、複数のパワーＭＯＳトランジス
タについて１箇所の割合で、対応する複数のパワーＭＯ
Ｓトランジスタからほぼ均等となる位置に設定されてい
る。温度検出位置は、複数のパワーＭＯＳトランジスタ
について１箇所の割合であるので、例えば上述の信号出
力手段をパワーＭＯＳトランジスタの個数よりも少なく
でき、それだけ集積度を高めることができる。しかも、
温度検出位置は、対応する複数のパワーＭＯＳトランジ
スタからほぼ均等となる位置に設定されているので、検
出誤差も小さくできる。(4) According to the fourth aspect of the present invention, the temperature detection position of the overheat signal output means corresponds to a plurality of power MOS transistors corresponding to one of a plurality of power MOS transistors.
It is set at a position substantially equal to the S transistor. Since the number of temperature detection positions is one for a plurality of power MOS transistors, for example, the number of the above-described signal output means can be smaller than the number of power MOS transistors, and the degree of integration can be increased accordingly. Moreover,
Since the temperature detection position is set at a position substantially equal to the plurality of corresponding power MOS transistors, the detection error can be reduced.
【００２２】（５）請求項５の発明では、過熱信号出力
手段の温度検出位置は、複数のパワーＭＯＳトランジス
タのそれぞれに１箇所の対応で設定されているので、請
求項４に記載の構成に比べれば集積度がやや劣るもの
の、各パワーＭＯＳトランジスタの温度を個別に検出で
きるから正確さでは優れている。(5) According to the fifth aspect of the present invention, the temperature detection position of the overheat signal output means is set at one location for each of the plurality of power MOS transistors. Although the degree of integration is slightly inferior, the accuracy is excellent because the temperature of each power MOS transistor can be individually detected.
【００２３】（６）請求項６の発明のパワーＭＯＳトラ
ンジスタの過熱保護装置は、電源から回路や電気部品等
の負荷への電力を通断するパワーＭＯＳトランジスタの
過熱を防止する過熱保護装置に関するものであり、ここ
では、同一パッケージ内に、複数のパワーＭＯＳトラン
ジスタと、複数のパワーＭＯＳトランジスタのいずれか
が過熱状態であることを検出する過熱状態検出手段とを
収容している。(6) An overheat protection device for a power MOS transistor according to a sixth aspect of the present invention relates to an overheat protection device for preventing overheating of a power MOS transistor that cuts off power from a power supply to a load such as a circuit or an electric component. Here, a plurality of power MOS transistors and overheat state detection means for detecting that one of the plurality of power MOS transistors is in an overheat state are housed in the same package.
【００２４】特に本発明では、複数のパワーＭＯＳトラ
ンジスタに対応した入力部及び出力部、並びに過熱状態
検出手段の検出信号を出力する１個の検出信号出力部を
設けた集積回路と、検出信号を入力し、検出信号が過熱
状態を示す信号である時に、予め設定されたオフ順序に
従っていずれかのパワーＭＯＳトランジスタの入力部に
オフさせる信号を与え、検出信号が継続して過熱状態を
示す場合はオフ順序によって定められたパワーＭＯＳト
ランジスタの入力部にオフさせる信号を与える強制オフ
手段とを備えている。In particular, according to the present invention, an integrated circuit provided with an input section and an output section corresponding to a plurality of power MOS transistors, and one detection signal output section for outputting a detection signal of an overheat state detection means, When the detection signal is a signal indicating an overheating state, a signal for turning off the input portion of any of the power MOS transistors is given in accordance with a preset off order, and the detection signal continuously indicates the overheating state. Forcibly turning off the input portion of the power MOS transistor determined by the turn-off order.
【００２５】従って、本発明では、例えば複数のパワー
ＭＯＳトランジスタのいずれかが、負荷の故障（例えば
ショート故障）により過熱すると、過熱信号出力手段の
検出信号が過熱状態を示す信号となる。これにより、強
制オフ手段は、予め設定されたオフ順序に従って複数の
パワーＭＯＳトランジスタの入力部にオフさせる信号を
与えるので、そのパワーＭＯＳトランジスタがオフにな
る。ここで、オフになったパワーＭＯＳトランジスタが
過熱の原因であった場合には、過熱状態は解消される。Therefore, in the present invention, for example, when one of the plurality of power MOS transistors is overheated due to a load failure (for example, a short circuit failure), the detection signal of the overheat signal output means becomes a signal indicating an overheat state. Thus, the forcible off means gives a signal to turn off the input portions of the plurality of power MOS transistors in accordance with a preset off order, so that the power MOS transistors are turned off. Here, if the turned off power MOS transistor causes overheating, the overheated state is eliminated.
【００２６】また、このパワーＭＯＳトランジスタが過
熱の原因ではなかった場合には、過熱状態が解消され
ず、検出信号が継続して過熱状態を示すから、強制オフ
手段は、オフ順序によって定められたパワーＭＯＳトラ
ンジスタの入力部にオフさせる信号を与える。この様
に、パワーＭＯＳトランジスタを順々にオフにさせて行
くので、パッケージ内のいずれかのパワーＭＯＳトラン
ジスタが過熱状態になっても、パッケージに含まれる全
部のパワーＭＯＳトランジスタを一気にオフにしないか
ら、重要な負荷（例えば燃料ポンプやインジェクタ等）
の動作を継続させることができる。If the power MOS transistor is not the cause of overheating, the overheated state is not resolved and the detection signal continues to indicate the overheated state. A signal to be turned off is supplied to the input portion of the power MOS transistor. As described above, since the power MOS transistors are sequentially turned off, even if any of the power MOS transistors in the package is overheated, all the power MOS transistors included in the package are not turned off at once. Important loads (eg fuel pumps and injectors)
Operation can be continued.
【００２７】よって、本発明によれば、高集積を目的と
して複数のパワーＭＯＳトランジスタを同一パッケージ
に収容する場合に予想される問題が解決できる。即ち、
パワーＭＯＳトランジスタの過熱を防止して、通電制御
対象を好適に制御することが可能になる。Therefore, according to the present invention, the problem expected when a plurality of power MOS transistors are accommodated in the same package for the purpose of high integration can be solved. That is,
By preventing overheating of the power MOS transistor, it becomes possible to appropriately control the energization control target.
【００２８】尚、オフ順序は、請求項２について述べた
ように、負荷の重要度の高低に応じて、相対的に重要度
が高いほどオフ順序が後になるように設定されるのが望
ましい。 （７）請求項７の発明では、パワーＭＯＳトランジスタ
の過熱保護装置は、自動車用制御装置に適用されるもの
であり、ここでは、複数のパワーＭＯＳトランジスタは
自動車の電気負荷に接続されており、そのオフ順序は、
電気負荷の自動車の制御上の重要度に応じて設定され
る。As described in the second aspect, it is desirable that the off-order is set such that the higher the relative importance is, the later the off-order is, according to the degree of importance of the load. (7) In the invention according to claim 7, the overheat protection device for a power MOS transistor is applied to a control device for a vehicle, wherein a plurality of power MOS transistors are connected to an electric load of the vehicle. The off order is
The setting is made according to the importance of the electric load in controlling the vehicle.
【００２９】つまり、本発明のパワーＭＯＳトランジス
タの過熱保護装置を、自動車用制御装置に適用すること
により、自動車の制御上の重要度に応じてオフ順序を設
定するから、自動車の各種の制御を好適に行うことがで
きる。 （８）請求項８の発明では、過熱状態検出手段は、１個
の温度検出素子からなる。よって、構成を単純化でき集
積度も高まる。That is, by applying the overheat protection device for a power MOS transistor of the present invention to a control device for a vehicle, the off sequence is set in accordance with the degree of importance in controlling the vehicle. It can be suitably performed. (8) In the invention of claim 8, the overheat state detecting means comprises one temperature detecting element. Therefore, the configuration can be simplified and the degree of integration can be increased.
【００３０】（９）請求項９の発明では、温度検出素子
は、各パワーＭＯＳトランジスタに対してほぼ等距離と
なる位置に配置される。よって、１個の温度検出素子で
ありながら検出誤差を小さくできる。 （１０）請求項１０の発明では、過熱状態検出手段は、
複数のパワーＭＯＳトランジスタのそれぞれに設けられ
た温度検出素子からなり、各温度検出素子の検出信号は
ＯＲ回路を介して検出信号出力部から出力される。(9) According to the ninth aspect of the present invention, the temperature detecting element is disposed at a position which is substantially equidistant from each power MOS transistor. Therefore, the detection error can be reduced while using only one temperature detecting element. (10) According to the tenth aspect, the overheat state detecting means includes:
The temperature detection element is provided for each of the plurality of power MOS transistors, and the detection signal of each temperature detection element is output from the detection signal output unit via the OR circuit.
【００３１】本発明では、複数のパワーＭＯＳトランジ
スタのそれぞれに温度検出素子を設けているので、各パ
ワーＭＯＳトランジスタの温度を正確に検出でき、しか
も各温度検出素子の検出信号はＯＲ回路を介して出力部
から出力されるので、出力部は１つで済みパッケージの
大型化を防止できる。In the present invention, since the temperature detecting element is provided for each of the plurality of power MOS transistors, the temperature of each power MOS transistor can be accurately detected, and the detection signal of each temperature detecting element is supplied via the OR circuit. Since the output is performed from the output unit, only one output unit is required, so that the size of the package can be prevented from increasing.
【００３２】（１１）請求項１１の発明では、過熱状態
検出手段は、パワーＭＯＳトランジスタの個数より少な
い複数個の温度検出素子からなり、各温度検出素子は、
各パワーＭＯＳトランジスタに対して均等な位置関係に
配置されており、且つ各温度検出素子の検出信号は、Ｏ
Ｒ回路を介して検出信号出力部から出力される。(11) In the eleventh aspect, the overheat state detecting means comprises a plurality of temperature detecting elements smaller than the number of power MOS transistors, and each of the temperature detecting elements is
The power MOS transistors are arranged in an equal positional relationship, and the detection signal of each temperature detection element is O
It is output from the detection signal output unit via the R circuit.
【００３３】よって、請求項１０に記載のパワーＭＯＳ
トランジスタの過熱保護装置よりも集積度を高めること
ができる。また、各温度検出素子は各パワーＭＯＳトラ
ンジスタに対して均等な位置関係に配置されているの
で、検出誤差も小さい。 （１２）請求項１２の発明では、強制オフ手段は、検出
信号が過熱状態を示す信号である時に、予め設定された
オフ順序に従ってい何れかのパワーＭＯＳトランジスタ
の入力部にオフさせる信号を与えた後、所定時間を置い
て検出信号が過熱状態を示すかを判定する。Therefore, the power MOS according to claim 10
The degree of integration can be higher than that of a transistor overheat protection device. Further, since each temperature detecting element is arranged in an equal positional relationship with each power MOS transistor, a detection error is small. (12) In the twelfth aspect of the present invention, when the detection signal is a signal indicating an overheating state, the forcible off means gives a signal to be turned off to an input portion of any of the power MOS transistors in accordance with a preset off order. After a predetermined time, it is determined whether the detection signal indicates an overheating state.
【００３４】そのため、強制オフ手段の作動周期を長く
できるので、強制オフ手段をＣＰＵによって実現する場
合には、ＣＰＵの負担を小さくできる。 （１３）請求項１３の発明では、予め設定されたオフ順
序に従ってパワーＭＯＳトランジスタをオフした後に、
パワーＭＯＳトランジスタの過熱状態を判定し、過熱状
態が解消したと判断された場合には、パワーＭＯＳトラ
ンジスタのオフを解除する。Therefore, since the operation cycle of the forced off means can be lengthened, when the forced off means is realized by the CPU, the load on the CPU can be reduced. (13) According to the thirteenth aspect, after the power MOS transistor is turned off in accordance with a preset off order,
The overheated state of the power MOS transistor is determined, and when it is determined that the overheated state has been eliminated, the power MOS transistor is turned off.
【００３５】従って、あるパワーＭＯＳトランジスタを
オフした後に、過熱状態が解消した場合には、そのオフ
したパワーＭＯＳトランジスタ（従ってそれに接続され
た負荷やその端子等）に過熱の原因があることが分か
る。よって、その後は、例えば過熱の原因であるパワー
ＭＯＳトランジスタをオフしておくことにより、過熱を
防止することができる。Therefore, if the overheat condition is resolved after turning off a certain power MOS transistor, it can be understood that the turned off power MOS transistor (accordingly, a load connected thereto, its terminal, etc.) has a cause of overheating. . Therefore, after that, overheating can be prevented by, for example, turning off the power MOS transistor that causes overheating.
【００３６】（１４）請求項１４の発明では、過熱状態
が解消したと判断された場合には、予め設定されたオフ
解除の順番に従ってパワーＭＯＳトランジスタのオフを
解除する。つまり、順番にパワーＭＯＳトランジスタを
オフしてゆくと、過熱の原因でないパワーＭＯＳトラン
ジスタもオフされてしまうことがあるが、本発明によれ
ば、例えば過熱の原因でないパワーＭＯＳトランジスタ
のオフを解除できるので、制御性が向上するという効果
がある。(14) According to the fourteenth aspect, when it is determined that the overheat state has been resolved, the power MOS transistor is released in accordance with a preset release release order. That is, if the power MOS transistors are turned off in order, the power MOS transistors that do not cause overheating may be turned off. According to the present invention, for example, the power MOS transistors that do not cause overheating can be released. Therefore, there is an effect that controllability is improved.
【００３７】即ち、過熱の原因でないパワーＭＯＳトラ
ンジスタを復帰させることにより、当該パワーＭＯＳト
ランジスタに接続された負荷を作動させることができる
ので、その負荷の動作により例えば車両の制御性が向上
することになる。 （１５）請求項１５の発明では、パワーＭＯＳトランジ
スタのオフ及びその解除を、負荷の重要度が低いものか
ら順に１つづつ行う。That is, by restoring the power MOS transistor which does not cause overheating, the load connected to the power MOS transistor can be operated, and the operation of the load improves, for example, the controllability of the vehicle. Become. (15) In the invention of claim 15, the power MOS transistors are turned off and released one by one in ascending order of load importance.
【００３８】例えば負荷の重要度が最も低いパワーＭＯ
Ｓトランジスタをオフし、そのオフにより過熱状態が解
消しなければ、オフしたパワーＭＯＳトランジスタのオ
フを解除（復帰）し、以後、同様なオフ及び復帰の動作
を、重要度が低い負荷から順に１つづつ実行する。For example, a power MO having the lowest load importance
If the S transistor is turned off and the overheat condition is not eliminated by the turning off, the turning off of the turned off power MOS transistor is released (restored). Run one by one.
【００３９】これにより、過熱の原因であるパワーＭＯ
Ｓトランジスタが分かるので、過熱の原因であるパワー
ＭＯＳトランジスタのみをオフし、その他は復帰させれ
ば、過熱を防止できるとともに、制御性を改善できると
いう効果がある。 （１６）請求項１６の発明では、パワーＭＯＳトランジ
スタのオフは、負荷の重要度の低いものから順に行うよ
うに設定されている。As a result, the power MO
Since the S transistor is known, if only the power MOS transistor that causes overheating is turned off and the others are restored, there is an effect that overheating can be prevented and controllability can be improved. (16) According to the sixteenth aspect of the invention, the power MOS transistors are set to be turned off in ascending order of load importance.
【００４０】例えば自動車の走行にあまり支障のない負
荷から順に、パワーＭＯＳトランジスタをオフしてい
る。従って、重要度の低いパワーＭＯＳトランジスタを
オフした段階で、過熱の原因が当該パワーＭＯＳトラン
ジスタであることが分かった場合には、重要度の高いパ
ワーＭＯＳトランジスタをオフする必要がないので、例
えば走行制御に与える影響を低減することが可能であ
る。For example, the power MOS transistors are turned off in order from the load that does not hinder the driving of the automobile. Therefore, if it is found that the cause of overheating is the power MOS transistor at the stage when the power MOS transistor with low importance is turned off, it is not necessary to turn off the power MOS transistor with high importance. It is possible to reduce the influence on the control.
【００４１】（１７）請求項１７の発明では、パワーＭ
ＯＳトランジスタのオフの解除（復帰）は、負荷の重要
度の高いものから順に行う。つまり、負荷の重要度の高
いパワーＭＯＳトランジスタから順に復帰させてゆけ
ば、例えば自動車の走行制御に与える影響を速やかに改
善することができる。(17) According to the seventeenth aspect, the power M
The release (return) of the OFF state of the OS transistor is performed in ascending order of load importance. In other words, if the power MOS transistors are returned in order from the one with the highest load importance, for example, the effect on the driving control of the automobile can be promptly improved.
【００４２】また、本発明によれば、復帰を順番に行う
ことにより、複数の過熱の原因を検出することができ
る。つまり、（重要度の高い）上位の過熱の原因である
パワーＭＯＳトランジスタをオフしておいて、下位のパ
ワーＭＯＳトランジスタを復帰させてゆくと、再度過熱
状態となることがある。その場合には、復帰させたパワ
ーＭＯＳトランジスタが過熱の原因であると見なすこと
ができる。よって、この手法により、２以上のパワーＭ
ＯＳトランジスタの過熱の原因を検出することができ
る。Further, according to the present invention, by performing the return in order, it is possible to detect a plurality of causes of overheating. That is, if the power MOS transistor that causes the overheating of the (higher importance) upper level is turned off and the lower power MOS transistor is restored, the overheating state may occur again. In that case, the restored power MOS transistor can be considered to be the cause of overheating. Therefore, by this method, two or more powers M
The cause of overheating of the OS transistor can be detected.
【００４３】（１８）請求項１８の発明では、パワーＭ
ＯＳトランジスタのオフにより、過熱状態が解消した場
合には、パワーＭＯＳトランジスタの順次オフ（順番に
オフすること）を停止し、以後、オフの順次解除（順番
に復帰させること）を行う。つまり、パワーＭＯＳトラ
ンジスタを（重要度が低いものから順に）オフすること
により、過熱が解除された場合には、それ以上パワーＭ
ＯＳトランジスタをオフする必要がないので、その後の
順次オフを停止する。そして、以後、オフの順次解除を
行うことにより（但し過熱の原因であるものはオフした
まま）、制御性を改善することができる。(18) According to the eighteenth aspect, the power M
When the overheat state is resolved by turning off the OS transistor, the power MOS transistors are sequentially turned off (turned off in order), and then the power MOS transistors are sequentially turned off (turned back in order). That is, by turning off the power MOS transistors (in ascending order of importance), when overheating is released, the power M
Since it is not necessary to turn off the OS transistor, the subsequent turning off is stopped. Thereafter, by sequentially releasing the OFF state (however, the cause of overheating remains OFF), the controllability can be improved.
【００４４】（１９）請求項１９の発明では、パワーＭ
ＯＳトランジスタのオフの順次解除を開始する場合に
は、直前にオフしたパワーＭＯＳトランジスタのオフの
解除から開始し、それによって、再度過熱状態と判定さ
れた場合には、当該パワーＭＯＳトランジスタをオフし
た後に、次の順番のパワーＭＯＳトランジスタのオフを
解除する。(19) According to the nineteenth aspect, the power M
When the sequential release of the OS transistor is started, the power MOS transistor that was turned off immediately before is started from the release, and when it is determined that the overheated state is reached again, the power MOS transistor is turned off. Thereafter, the power MOS transistors in the next order are turned off.
【００４５】本発明は、オフを解除する手順を例示した
ものである。これにより、過熱状態を確実に判定して、
過熱の原因であるパワーＭＯＳトランジスタをオフする
とともに、過熱の原因ではないパワーＭＯＳトランジス
タのオフを解除して、制御性を改善することができる。The present invention exemplifies a procedure for releasing the OFF state. With this, it is possible to reliably determine the overheating state,
The controllability can be improved by turning off the power MOS transistor that is the cause of overheating and releasing the power MOS transistor that is not the cause of overheating.
【００４６】（２０）請求項２０の発明では、パワーＭ
ＯＳトランジスタのオフの順次解除を開始する場合に
は、直前にオフしたパワーＭＯＳトランジスタのオフを
維持し、次の順番のパワーＭＯＳトランジスタのオフを
解除する。本発明は、オフを解除する手順を例示したも
のである。(20) According to the twentieth aspect, the power M
When the sequential release of the OFF state of the OS transistor is started, the power MOS transistor that was turned off immediately before is kept off, and the power MOS transistor in the next order is released. The present invention exemplifies a procedure for releasing the OFF state.
【００４７】これにより、過熱状態を確実に判定して、
過熱の原因であるパワーＭＯＳトランジスタをオフする
とともに、過熱の原因ではないパワーＭＯＳトランジス
タのオフを解除して、制御性を改善することができる。
尚、本発明では、前記請求項１９の発明に比べて、過熱
の原因と見なしたものを復帰させないので、処理を迅速
に行うことができる。Thus, the overheating state is reliably determined,
The controllability can be improved by turning off the power MOS transistor that is the cause of overheating and releasing the power MOS transistor that is not the cause of overheating.
In the present invention, compared to the invention of the nineteenth aspect, what is considered to be the cause of overheating is not restored, so that the processing can be performed quickly.
【００４８】（２１）請求項２１の発明は、上述した過
熱保護装置の機能を実現するための手段（例えばプログ
ラム）を記憶していることを特徴とする記録媒体であ
る。つまり、上述した様な過熱保護装置のうち、前記強
制オフ手段、過熱判定手段、オフ解除手段などの機能
を、をコンピュータシステムにて実現する機能は、例え
ば、コンピュータシステム側で起動するプログラムとし
て備えることができる。このようなプログラムの場合、
例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、光磁気ディ
スク、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク等のコンピュータ
読み取り可能な記録媒体に記録し、必要に応じてコンピ
ュータシステムにロードして起動することにより用いる
ことができる。この他、ＲＯＭやバックアップＲＡＭを
コンピュータ読み取り可能な記録媒体として前記プログ
ラムを記録しておき、このＲＯＭあるいはバックアップ
ＲＡＭをコンピュータシステムに組み込んで用いても良
い。(21) A recording medium according to a twenty-first aspect of the present invention is a recording medium storing means (for example, a program) for realizing the function of the overheat protection device. That is, among the overheat protection devices as described above, the function of realizing the functions of the forced off unit, the overheat determination unit, the off release unit, and the like in the computer system is provided as, for example, a program activated on the computer system side. be able to. For such a program,
For example, it can be used by recording it on a computer-readable recording medium such as a floppy (registered trademark) disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, or a hard disk, and loading and activating the computer system as needed. Alternatively, the program may be recorded in a ROM or a backup RAM as a computer-readable recording medium, and the ROM or the backup RAM may be incorporated in a computer system and used.
【００４９】[0049]
【発明の実施の形態】次に、本発明のパワーＭＯＳトラ
ンジスタの過熱保護装置及び記録媒体の実施の形態の例
（実施例）について、図面に基づいて説明する。 （実施例１）本実施例は、本発明のパワーＭＯＳトラン
ジスタの過熱保護装置を、自動車のエンジン制御用電子
制御ユニット（エンジン制御用ＥＣＵ）に適用した例で
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment (embodiment) of a power MOS transistor overheat protection device and a recording medium according to the present invention will be described with reference to the drawings. (Embodiment 1) This embodiment is an example in which the overheat protection device for a power MOS transistor according to the present invention is applied to an electronic control unit for engine control of an automobile (engine control ECU).
【００５０】ａ）図１に示すように、エンジン制御用電
子制御ユニット１０（以下、単にＥＣＵ１０）は、ＣＰ
Ｕ１０ａ、入力回路１０ｂ、出力回路１０ｃ等から構成
されている。この構成自体は公知であるので詳細の説明
は省略するが、入力回路１０ｂには、例えば吸気温セン
サ１２ａ、回転数センサ１２ｂ、Ｏ2 センサ１２ｃ及び
シフトレバーセンサ１２ｄの検出信号、各種のスイッチ
信号１２ｅやその他の信号１２ｆが入力される。A) As shown in FIG. 1, the electronic control unit 10 for engine control (hereinafter simply referred to as ECU 10)
U10a, an input circuit 10b, an output circuit 10c, and the like. Since the configuration itself is publicly known, its detailed description is omitted. However, the input circuit 10b includes, for example, detection signals of an intake air temperature sensor 12a, a rotation speed sensor 12b, an O2 sensor 12c, a shift lever sensor 12d, and various switch signals 12e. And other signals 12f are input.
【００５１】ＣＰＵ１０ａは、内蔵のＲＯＭ（図示は省
略）に格納されているプログラムに従い、これらセンサ
等からの入力に基づいて、エンジン制御のための処理を
実行する。ＣＰＵ１０ａの制御出力は、出力回路１０ｃ
を介して制御対象となる燃料ポンプ１４ａ、インジェク
タ１４ｂ、ランプ１４ｃ、吸気制御ＶＳＶ１４ｄ、シフ
トインジケータ１４ｅ、その他の制御対象１４ｆの動作
を制御する。The CPU 10a executes a process for controlling the engine based on inputs from these sensors and the like in accordance with a program stored in a built-in ROM (not shown). The control output of CPU 10a is output circuit 10c.
, The operation of the fuel pump 14a, the injector 14b, the lamp 14c, the intake control VSV 14d, the shift indicator 14e, and the other control target 14f to be controlled.
【００５２】詳しくは、出力回路１０ｃには、図２に例
示される構造の駆動ＩＣ１６が備わっている。この駆動
ＩＣ１６は、１個のパッケージ２４に１枚のチップ２２
を封入した形式である。チップ２２には、４つの駆動回
路１８ａ〜１８ｄとそれらのほぼ中心に配された過熱検
出回路２０が設けられている。各駆動回路１８ａ〜１８
ｄには、それぞれ１個のパワーＭＯＳトランジスタ１〜
４（以下、ＭＯＳ１〜４）が含まれている。More specifically, the output circuit 10c includes a drive IC 16 having the structure illustrated in FIG. The driving IC 16 includes one chip 22 in one package 24.
This is the format in which is enclosed. The chip 22 is provided with four drive circuits 18a to 18d and an overheat detection circuit 20 arranged substantially at the center thereof. Drive circuits 18a to 18
d denotes one power MOS transistor 1 to 1
4 (hereinafter, MOSs 1 to 4) are included.
【００５３】駆動回路１８ａ〜１８ｄの概要は図３に示
すとおりであり、パワーＭＯＳトランジスタのドレイン
には、負荷を介して電源が接続され、ソースはアースさ
れている。また、パワーＭＯＳトランジスタのゲートに
はＣＰＵ１０ａの制御信号が入力される。The outline of the driving circuits 18a to 18d is as shown in FIG. 3. The power supply is connected to the drain of the power MOS transistor via a load, and the source is grounded. The control signal of the CPU 10a is input to the gate of the power MOS transistor.
【００５４】前記負荷は、上述の燃料ポンプ１４ａ、イ
ンジェクタ１４ｂ、ランプ１４ｃ、吸気制御ＶＳＶ１４
ｄ、シフトインジケータ１４ｅ、その他の制御対象１４
ｆのいずれかである。従って、本実施例の場合、ＭＯＳ
１（駆動回路１８ａ）が燃料ポンプ１４ａ、ＭＯＳ２
（駆動回路１８ｂ）がランプ１４ｃ、ＭＯＳ３（駆動回
路１８ｃ）が吸気制御ＶＳＶ１４ｄ、ＭＯＳ４（駆動回
路１８ｄ）がシフトインジケータ１４ｅに接続されてい
る。尚、インジェクタ１４ｂ及びその他の制御対象１４
ｆは、他の駆動ＩＣに接続されている。The loads are the above-mentioned fuel pump 14a, injector 14b, ramp 14c, intake control VSV 14
d, shift indicator 14e, other control target 14
f. Therefore, in the case of this embodiment,
1 (drive circuit 18a) is the fuel pump 14a, MOS2
The (drive circuit 18b) is connected to the lamp 14c, the MOS3 (drive circuit 18c) is connected to the intake control VSV 14d, and the MOS4 (drive circuit 18d) is connected to the shift indicator 14e. Note that the injector 14b and the other control target 14
f is connected to another driving IC.
【００５５】特に本実施例では、後に詳述する様に、各
ＭＯＳ１〜４をオフする優先順位は、車両の制御におい
てその重要度が低いとみなされる方から先にオフするよ
うに設定されている。即ち、ＭＯＳ４＞ＭＯＳ３＞ＭＯ
Ｓ２＞ＭＯＳ１の様に、ＭＯＳの区別を示す番号の大き
いものから先にオフする様に設定されている。Particularly, in this embodiment, as will be described in detail later, the priority of turning off each of the MOSs 1 to 4 is set such that the MOS transistors 1 to 4 are turned off first in the order of their importance in vehicle control. I have. That is, MOS4>MOS3> MO
As in the case of S2> MOS1, the setting is made so that the MOS having the larger number indicating the distinction of the MOS is turned off first.
【００５６】また、図２に示すように、各ＭＯＳ１〜４
は、過熱検出回路２０からほぼ等距離に配されている。
前記過熱検出回路２０は、例えばサーミスタのように、
温度の変化によって電気的な物性値が変化する素子を備
えており、その素子の物性値が設定値（本実施例の場合
ＭＯＳ１〜４の過熱状態に相当する値）以上になると、
過熱信号を出力する（正確には信号レベルを例えばハイ
からローに変化させる。）。この過熱信号は、駆動ＩＣ
１６の複数の端子２６の中の１つ（端子２６ａ）からＣ
ＰＵ１０ａに入力される。Further, as shown in FIG.
Are disposed at substantially the same distance from the overheat detection circuit 20.
The overheat detection circuit 20 is, for example, a thermistor,
An element whose electrical property value changes due to a change in temperature is provided, and when the property value of the element exceeds a set value (a value corresponding to the overheated state of the MOSs 1 to 4 in this embodiment),
An overheat signal is output (more precisely, the signal level is changed, for example, from high to low). This overheat signal is output to the drive IC
From one of the 16 terminals 26 (terminal 26a) to C
It is input to the PU 10a.
【００５７】尚、他の端子２６は、それぞれＣＰＵ１０
ａからの制御信号の入力用、負荷との接続用またはアー
ス用に割り当てられる。ＣＰＵ１０ａからの制御信号の
入力用に割り当てられた端子２６が入力部に該当し、負
荷との接続用に割り当てられた端子２６が出力部に該当
し、過熱信号用の端子２６ａが検出信号出力部に該当す
る。The other terminals 26 are connected to the CPU 10
a for the input of the control signal from a, the connection to the load, or the ground. The terminal 26 assigned for input of a control signal from the CPU 10a corresponds to an input unit, the terminal 26 assigned for connection to a load corresponds to an output unit, and the terminal 26a for an overheat signal corresponds to a detection signal output unit. Corresponds to.
【００５８】ｂ）次に、ＣＰＵ１０ａが過熱からの保護
するためにＭＯＳ１〜４を強制的にオフにする過熱保護
処理を、図４のフローチャートに従って説明する。尚、
この過熱保護処理は、例えばタイマ割込によって繰り返
し実行される。ＣＰＵ１０ａは、過熱保護処理を開始す
ると、まず、Ｓ（ステップ）１１０にて、過熱信号を読
み込む。B) Next, a description will be given of an overheat protection process in which the CPU 10a forcibly turns off the MOSs 1 to 4 in order to protect it from overheating, with reference to the flowchart of FIG. still,
This overheat protection process is repeatedly executed by, for example, a timer interrupt. When starting the overheat protection process, the CPU 10a first reads an overheat signal in S (step) 110.
【００５９】続くＳ１２０では、過熱検出回路２０がＭ
ＯＳ１〜４の過熱状態を検出したか否かを判断する。こ
こで、過熱状態になっていない（ＮＯ）と判断されると
Ｓ１３０に進み、一方、過熱状態になっている（ＹＥ
Ｓ）と判断されるとＳ１４０に進む。In the following S120, the overheat detection circuit 20 sets M
It is determined whether an overheating state of OS1 to OS4 has been detected. Here, if it is determined that it is not overheated (NO), the process proceeds to S130, and on the other hand, it is overheated (YE
If S) is determined, the process proceeds to S140.
【００６０】Ｓ１２０では、負荷を特定する番号（負荷
数）Ｎを４にセットし、一旦本処理を終了する。本実施
例の場合、負荷の番号Ｎは、燃料ポンプ１４ａ（すなわ
ちＭＯＳ１）が１、ランプ１４ｃ（ＭＯＳ２）が２、吸
気制御ＶＳＶ１４ｄ（ＭＯＳ３）が３、シフトインジケ
ータ１４ｅ（ＭＯＳ４）が４に設定されている。したが
って、Ｎ＝４ならＭＯＳ４が選択されたことになる。In S120, the number (the number of loads) N for specifying the load is set to 4, and the process is once ended. In this embodiment, the load number N is set to 1 for the fuel pump 14a (that is, MOS1), 2 for the lamp 14c (MOS2), 3 for the intake control VSV 14d (MOS3), and 4 for the shift indicator 14e (MOS4). ing. Therefore, if N = 4, it means that MOS4 has been selected.
【００６１】一方、Ｓ１４０では、過熱状態になってい
るので、セットされている負荷番号Ｎに対応するＭＯＳ
をオフにさせて、その負荷への通電を遮断する。続くＳ
１５０では、負荷番号ＮをＮ−１にセットして、一旦本
処理を終了する。On the other hand, in S140, the MOS transistor corresponding to the set load number N
Is turned off to cut off the power supply to the load. The following S
At 150, the load number N is set to N-1, and the process is once ended.
【００６２】つまり、ＥＣＵ１０の起動時に、過熱検出
回路２０がＭＯＳ１〜４の過熱状態を検出していること
は、回路の故障等は別として普通はあり得ないから、通
常は、ここでセットされている負荷番号Ｎ＝４であり、
対応するＭＯＳ４がオフにされて、シフトインジケータ
１４ｅへの通電が遮断される。That is, the fact that the overheat detecting circuit 20 detects the overheated state of the MOSs 1 to 4 when the ECU 10 is started is normally impossible except for a failure of the circuit. Load number N = 4,
The corresponding MOS 4 is turned off, and the power supply to the shift indicator 14e is cut off.
【００６３】従って、ＭＯＳ４が過熱の原因であったな
ら、これをオフにしたことで過熱状態は解消される。ま
た、ＭＯＳ４のオフ後に実行される過熱保護処理におい
て、再度過熱信号が入力されていれば（Ｓ１２０：ＹＥ
Ｓ）、ＣＰＵ１０ａは、その際にセットされている負荷
番号ＮのＭＯＳ、この場合はＮ＝３であるからＭＯＳ３
をオフにさせ（Ｓ１４０）、負荷番号ＮをＮ−１（この
場合Ｎ＝２）にセットする（Ｓ１５０）。Therefore, if the MOS 4 is the cause of overheating, turning it off turns off the overheating state. Further, in the overheat protection process executed after the MOS 4 is turned off, if the overheat signal is input again (S120: YE
S), the CPU 10a sets the MOS of the load number N set at that time, in this case, the MOS 3
Is turned off (S140), and the load number N is set to N-1 (N = 2 in this case) (S150).
【００６４】よって、この後さらに過熱信号が入力され
た場合には（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、ＭＯＳ２がオフにさ
れ（Ｓ１４０）、負荷番号Ｎ＝１にセットされる（Ｓ１
５０）。そして、なおも過熱信号が入力された場合には
（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、ＭＯＳ１がオフにされる（Ｓ１
４０）。つまり、駆動ＩＣ１６に含まれている４個のＭ
ＯＳ１〜４が全てオフにされる。Therefore, when an overheat signal is further input thereafter (S120: YES), MOS2 is turned off (S140) and the load number N = 1 is set (S1).
50). If the overheat signal is still input (S120: YES), MOS1 is turned off (S1).
40). That is, the four Ms included in the drive IC 16
OS1 to OS4 are all turned off.
【００６５】このように、ＭＯＳ４、ＭＯＳ３、ＭＯＳ
２、ＭＯＳ１の順でオフされるが、各ＭＯＳによって給
電される負荷（燃料ポンプ１４ａ、ランプ１４ｃ、吸気
制御ＶＳＶ１４ｄ、シフトインジケータ１４ｅ）の中で
は、自動車の走行における重要度は、燃料ポンプ１４ａ
が最も高く、他の３つはこれよりも低い。As described above, MOS4, MOS3, MOS
The MOS 1 is turned off in the order of the MOS 1. Among the loads (the fuel pump 14a, the lamp 14c, the intake control VSV 14d, and the shift indicator 14e) supplied by each MOS, the importance of the fuel pump 14a during running of the vehicle is as follows.
Is the highest, and the other three are lower.
【００６６】このように負荷の重要度が低い順にＭＯＳ
１〜４をオフにして行くので、パッケージ２４内のいず
れかのＭＯＳ１〜４が過熱状態になっても、パッケージ
２４に含まれる全部のＭＯＳ１〜４を一気にオフにしな
いから、重要な負荷（この例では燃料ポンプ１４ａ）の
動作を継続させることができる。As described above, the MOS transistors are arranged in the order of decreasing load importance.
1 to 4 are turned off, so that even if any of the MOSs 1 to 4 in the package 24 becomes overheated, all the MOSs 1 to 4 included in the package 24 are not turned off at once, so that an important load (this In the example, the operation of the fuel pump 14a) can be continued.
【００６７】特に、上記のようにＭＯＳ４、ＭＯＳ３、
ＭＯＳ２、ＭＯＳ１の順でオフすることにより、ＭＯＳ
１すなわちこの中では重要度が最も高い燃料ポンプ１４
ａを最後まで残すことができる。なお、この過熱保護処
理は、対照のＭＯＳをオフして、そのＭＯＳが過熱状態
にあるＭＯＳならば温度が下がって過熱信号が無くなる
と想定される時間間隔を空けて実行することが好まし
い。In particular, as described above, MOS4, MOS3,
By turning off MOS2 and MOS1 in this order, MOS
1, ie, the most important fuel pump 14
a can be left to the end. It is preferable that this overheat protection process be performed with the time interval assumed that the control MOS is turned off, and if the MOS is in an overheated state, the temperature drops and the overheat signal disappears.
【００６８】よって、本実施例によれば、高集積を目的
として複数のパワーＭＯＳトランジスタを同一パッケー
ジに収容する場合に予想される問題が解決できる。即
ち、パワーＭＯＳトランジスタの過熱を防止して、通電
制御対象を好適に制御することが可能になるので、自動
車の走行時の制御を良好に行うことができる。Therefore, according to the present embodiment, the problem expected when a plurality of power MOS transistors are accommodated in the same package for the purpose of high integration can be solved. In other words, overheating of the power MOS transistor can be prevented, and it is possible to appropriately control the energization control target, so that control during driving of the automobile can be favorably performed.
【００６９】また、この実施例では、一個のパッケージ
２４に設けられる過熱検出回路２０は１つであるから、
過熱信号を出力するための端子２６ａも１つで済み、パ
ッケージ２４の大型化を防止でき、集積度も高めること
ができる。しかも、過熱検出回路２０の位置すなわち温
度検出位置は、複数のＭＯＳ１〜４からほぼ均等となる
位置に設定されているので、温度の検出誤差も小さくで
きる。In this embodiment, since only one overheat detecting circuit 20 is provided for one package 24,
Only one terminal 26a for outputting an overheat signal is required, so that it is possible to prevent the package 24 from becoming large and to increase the degree of integration. In addition, since the position of the overheat detection circuit 20, that is, the temperature detection position is set to a position substantially equal to the plurality of MOSs 1 to 4, the temperature detection error can be reduced.
【００７０】尚、この実施例では、過熱検出回路２０が
過熱信号出力手段に該当し、その配置位置がすなわち温
度検出位置である。また、ＣＰＵ１０ａが強制オフ手段
として機能している。 （実施例２）本実施例は、前記実施例１と同じ１チップ
形式であるが、各駆動回路に過熱検出回路を組み込んだ
例である。尚、以下に説明する駆動ＩＣ３０以外は実施
例１と同じ構成であるので、図示と説明は省略する。In this embodiment, the overheat detection circuit 20 corresponds to the overheat signal output means, and the arrangement position thereof is the temperature detection position. Further, the CPU 10a functions as a forced off unit. (Embodiment 2) The present embodiment is an example in which the same one-chip type as that of Embodiment 1 is used, but an overheat detection circuit is incorporated in each drive circuit. Except for the drive IC 30 described below, the configuration is the same as that of the first embodiment, so that illustration and description are omitted.
【００７１】図５に示すように、この駆動ＩＣ３０は、
実施例１と同じく１個のパッケージ２４に１枚のチップ
２２を封入した形式である。チップ２２には、４つの駆
動回路３１ａ〜３１ｄが設けられている。各駆動回路３
１ａ〜３１ｄには、実施例１と同様にパワーＭＯＳトラ
ンジスタが含まれ（図示は省略）、またそれぞれに過熱
検出回路２０ａ〜２０ｄが組み込まれている。尚、過熱
検出回路２０ａ〜２０ｄ自体は、実施例１の過熱検出回
路２０と同じ構成である。As shown in FIG. 5, the driving IC 30
This is a type in which one chip 22 is sealed in one package 24 as in the first embodiment. The chip 22 is provided with four drive circuits 31a to 31d. Each drive circuit 3
As in the first embodiment, the power MOS transistors 1a to 31d include power MOS transistors (not shown), and overheat detection circuits 20a to 20d are respectively incorporated therein. The overheat detection circuits 20a to 20d themselves have the same configuration as the overheat detection circuit 20 of the first embodiment.
【００７２】そして、過熱検出回路２０ａ〜２０ｄの出
力はＯＲ回路３２に入力され、ＯＲ回路３２の出力が過
熱信号として端子２６ａからＣＰＵ１０ａに入力され
る。この駆動ＩＣ３０においては、駆動回路３１ａ〜３
１ｄのいずれかが過熱状態になると、その駆動回路３１
ａ〜３１ｄの過熱検出回路２０ａ〜２０ｄの信号レベル
が変化するので、ＯＲ回路３２から過熱信号が出力され
る（ＯＲ回路３２の信号レベルが変化する。）。The outputs of the overheat detection circuits 20a to 20d are input to the OR circuit 32, and the output of the OR circuit 32 is input from the terminal 26a to the CPU 10a as an overheat signal. In this drive IC 30, drive circuits 31a to 3a
If any one of 1d becomes overheated, its drive circuit 31
Since the signal levels of the overheat detection circuits 20a to 20d a to 31d change, an overheat signal is output from the OR circuit 32 (the signal level of the OR circuit 32 changes).
【００７３】ＣＰＵ１０ａは、実施例１と同様に過熱保
護処理を実行し、実施例１と同様に４個のＭＯＳを順々
にオフにして行く。ＭＯＳがオフされる順番を負荷の重
要度とは逆に設定しておくことにより、実施例１と同じ
効果が得られる。ただし、本実施例の場合、実施例１と
比べれば過熱検出回路２０ａ〜２０ｄの数が多く、また
ＯＲ回路３２もあるので、集積度ではやや劣る。しか
し、駆動回路３１ａ〜３１ｄに過熱検出回路２０ａ〜２
０ｄが組み込まれて、各ＭＯＳと過熱検出回路２０ａ〜
２０ｄとが一対一で対応しているので、過熱状態の検出
精度は高くなっている。The CPU 10a executes the overheat protection process as in the first embodiment, and sequentially turns off the four MOSs as in the first embodiment. By setting the order in which the MOSs are turned off in reverse to the importance of the load, the same effect as in the first embodiment can be obtained. However, in the case of the present embodiment, the number of overheat detection circuits 20a to 20d is larger than that of the first embodiment, and the OR circuit 32 is also provided. However, the drive circuits 31a to 31d include overheat detection circuits 20a to 20d.
0d is incorporated, and each MOS and the overheat detection circuits 20a to 20d
20d corresponds one-to-one, so that the detection accuracy of the overheat state is high.
【００７４】尚、この実施例の場合、過熱検出回路２０
ａ〜２０ｄとＯＲ回路３２とによって過熱信号出力手段
が構成されている。また、過熱検出回路２０ａ〜２０ｄ
の位置がすなわち温度検出位置であり、ＣＰＵ１０ａが
強制オフ手段として機能している。In this embodiment, the overheat detecting circuit 20
Overheat signal output means is constituted by a to 20d and the OR circuit 32. Also, overheat detection circuits 20a to 20d
Is a temperature detection position, and the CPU 10a functions as a forced off unit.
【００７５】（実施例３）本実施例は、複数チップを１
つのパッケージに封入した例である。尚、以下に説明す
る駆動ＩＣ４０以外は実施例１と同じ構成であるので、
図示と説明は省略する。(Embodiment 3) In this embodiment, a plurality of chips
This is an example of being enclosed in one package. Since the configuration is the same as that of the first embodiment except for the drive IC 40 described below,
Illustration and description are omitted.
【００７６】図６に示すように、本実施例の駆動ＩＣ４
０は、それぞれが１枚のチップに形成された駆動回路４
１ａ〜４１ｄ及び過熱検出回路４２を１つのパッケージ
４４に封入してある。駆動回路４１ａ〜４１ｄの構成
は、実施例１の駆動回路１８ａ〜１８ｄと同じであり、
過熱検出回路４２の構成は実施例１の過熱検出回路２０
と同じである。ただ、それぞれが独立のチップとされて
いる点でのみ異なる。As shown in FIG. 6, the driving IC 4 of this embodiment is
0 is a drive circuit 4 each formed on one chip
1 a to 41 d and the overheat detection circuit 42 are sealed in one package 44. The configurations of the drive circuits 41a to 41d are the same as those of the drive circuits 18a to 18d of the first embodiment.
The configuration of the overheat detection circuit 42 is the overheat detection circuit 20 of the first embodiment.
Is the same as The only difference is that each is an independent chip.
【００７７】本実施例においても、ＣＰＵ１０ａは実施
例１と同様に過熱保護処理を実行し、実施例１と同様に
４個のＭＯＳを順々にオフにして行く。ＭＯＳがオフさ
れる順番を負荷の重要度とは逆に設定しておくことによ
り、実施例１と同じ効果を得ることができる。Also in the present embodiment, the CPU 10a executes the overheat protection process as in the first embodiment, and sequentially turns off the four MOSs as in the first embodiment. By setting the order in which the MOSs are turned off in reverse to the importance of the load, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００７８】尚、この実施例の場合、過熱検出回路４２
が過熱信号出力手段に該当し、その位置が温度検出位置
であり、ＣＰＵ１０ａが強制オフ手段として機能してい
る。 （実施例４）本実施例は、複数チップを１つのパッケー
ジに封入した点で実施例３と同様であり、各駆動回路に
過熱検出回路を組み込んみ、ＯＲ回路を設けた点では実
施例２と同様である。尚、以下に説明する駆動ＩＣ５０
以外は実施例１と同じ構成であるので、図示と説明は省
略する。In this embodiment, the overheat detecting circuit 42
Corresponds to the overheat signal output means, the position of which is the temperature detection position, and the CPU 10a functions as the forced off means. (Embodiment 4) This embodiment is the same as Embodiment 3 in that a plurality of chips are sealed in one package. Embodiment 2 is that an overheat detection circuit is incorporated in each drive circuit and an OR circuit is provided. Is the same as The driving IC 50 described below is used.
Except for this point, the configuration is the same as that of the first embodiment, and the illustration and description are omitted.
【００７９】図７に示すように、本実施例の駆動ＩＣ５
０は、それぞれが１枚のチップに形成された駆動回路５
１ａ〜５１ｄ及びＯＲ回路５２を１つのパッケージ５４
に封入してある。駆動回路５１ａ〜５１ｄの構成は、実
施例２の駆動回路３１ａ〜３１ｄと同じであり、それぞ
れ実施例２と同様の過熱検出回路５３ａ〜５３ｄが組み
込まれている。また、実施例２と同様に、各過熱検出回
路５３ａ〜５３ｄの出力はＯＲ回路５２に入力され、Ｏ
Ｒ回路５２の出力が過熱信号として端子２６ａからＣＰ
Ｕ１０ａに入力される。As shown in FIG. 7, the driving IC 5 of this embodiment is
0 is a drive circuit 5 each formed on one chip.
1a to 51d and the OR circuit 52 in one package 54
It is enclosed in. The configurations of the drive circuits 51a to 51d are the same as those of the drive circuits 31a to 31d of the second embodiment, and include the same overheat detection circuits 53a to 53d as those of the second embodiment. As in the second embodiment, the outputs of the overheat detection circuits 53a to 53d are input to the OR circuit 52,
The output of the R circuit 52 is supplied from the terminal 26a to the CP
It is input to U10a.
【００８０】この実施例の場合も、ＣＰＵ１０ａは実施
例１と同様に過熱保護処理を実行し、実施例１と同様に
４個のＭＯＳを順々にオフにして行く。ＭＯＳがオフさ
れる順番を負荷の重要度とは逆に設定しておくことによ
り、実施例１と同じ効果を得ることができる。Also in this embodiment, the CPU 10a executes the overheat protection process as in the first embodiment, and sequentially turns off the four MOSs as in the first embodiment. By setting the order in which the MOSs are turned off in reverse to the importance of the load, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００８１】また、駆動回路５１ａ〜５１ｄに過熱検出
回路５３ａ〜５３ｄが組み込まれて、各ＭＯＳと過熱検
出回路５３ａ〜５３ｄとが一対一で対応しているので、
実施例２と同様に過熱状態の検出精度は高くなってい
る。尚、この実施例の場合、過熱検出回路５３ａ〜５３
ｄとＯＲ回路５２とによって過熱信号出力手段が構成さ
れている。また、過熱検出回路５３ａ〜５３ｄの位置が
すなわち温度検出位置であり、ＣＰＵ１０ａが強制オフ
手段として機能している。Further, since overheating detection circuits 53a to 53d are incorporated in the driving circuits 51a to 51d, and each MOS corresponds to one of the overheating detection circuits 53a to 53d,
As in the second embodiment, the detection accuracy of the overheat state is high. In the case of this embodiment, the overheat detection circuits 53a-53
The d and the OR circuit 52 constitute an overheat signal output unit. The positions of the overheat detection circuits 53a to 53d are temperature detection positions, and the CPU 10a functions as a forcible off unit.
【００８２】（実施例５）本実施例は、複数のＭＯＳと
複数の過熱検出回路を備える例である。図８に示すよう
に、この駆動ＩＣ６０のパッケージ６２には、６個のＭ
ＯＳ１〜６、２つの過熱検出回路６２ａ、６２ｂ及び１
つのＯＲ回路６４が封入されている。尚、各ＭＯＳ１〜
６は、上述の実施例１〜４と同様に駆動回路内に組み込
まれているが、その点の図示は省略する。(Embodiment 5) This embodiment is an example in which a plurality of MOSs and a plurality of overheat detecting circuits are provided. As shown in FIG. 8, the package 62 of the driving IC 60 includes six M
OS1 to OS6, two overheat detection circuits 62a, 62b and 1
Two OR circuits 64 are enclosed. In addition, each MOS1 ~
6 is incorporated in the drive circuit similarly to the above-described first to fourth embodiments, but the illustration of that point is omitted.
【００８３】この実施例では、過熱検出回路６２ａが４
個のＭＯＳ１〜４のほぼ中心に、過熱検出回路６２ｂが
４個のＭＯＳ３〜６のほぼ中心に配されている。つま
り、過熱検出回路６２ａは、主にＭＯＳ１〜４の過熱状
態を検出し、過熱検出回路６２ｂは主にＭＯＳ３〜６の
過熱状態を検出する。そして、過熱検出回路６２ａ、６
２ｂの出力がＯＲ回路６４に入力され、ＯＲ回路６４の
出力が過熱信号としてＣＰＵ１０ａに入力される。In this embodiment, the overheat detecting circuit 62a
The overheat detection circuit 62b is arranged substantially at the center of the four MOSs 1 to 4, and substantially at the center of the four MOSs 3 to 6. That is, the overheat detection circuit 62a mainly detects the overheat state of the MOSs 1 to 4, and the overheat detection circuit 62b mainly detects the overheat state of the MOSs 3 to 6. Then, the overheat detection circuits 62a, 62
The output of 2b is input to the OR circuit 64, and the output of the OR circuit 64 is input to the CPU 10a as an overheat signal.
【００８４】この実施例の場合も、実施例１〜４と同様
に、ＭＯＳ１〜６によって給電を制御される負荷の重要
度に応じてＭＯＳ１〜６をオフする順番を設定してお
き、過熱信号が入力された際には、その順序に従ってＣ
ＰＵ１０ａがＭＯＳ１〜６を強制的にオフにすること
で、実施例１〜４と同様の効果が得られる。In this embodiment, as in the first to fourth embodiments, the order in which the MOSs 1 to 6 are turned off is set according to the importance of the load whose power is controlled by the MOSs 1 to 6, and the overheat signal is set. Is input in the order of C
When the PU 10a forcibly turns off the MOSs 1 to 6, the same effects as those of the first to fourth embodiments can be obtained.
【００８５】上述の実施例１や実施例３はＭＯＳの個数
が４個と少なかったので（３個以下でも同様である
が）、１つの過熱検出回路で十分に検出できたが、この
実施例のようにＭＯＳの個数が多くなると、１つの過熱
検出回路では不十分となる場合がある。しかしながら、
本実施例の場合は、多数のＭＯＳ１〜６が配置されてい
る領域に、ほぼ均等な分散割合となるように過熱検出回
路６２ａ、６２ｂを配置しているので、多数のＭＯＳ１
〜６の過熱状態を好適に検出できる。In the first and third embodiments described above, the number of MOSs was as small as four (though the same applies to three or less). As described above, when the number of MOSs increases, one overheat detection circuit may not be sufficient. However,
In the case of the present embodiment, since the overheat detecting circuits 62a and 62b are arranged in the region where the large number of MOSs 1 to 6 are arranged so as to have a substantially equal dispersion ratio, the large number of MOSs 1
6 to 6 can be suitably detected.
【００８６】また、ＭＯＳ１〜６によって給電を制御さ
れる負荷の重要度に応じてＭＯＳ１〜６をオフする順番
を設定しておけば、実施例１〜４と同様の効果が得られ
る。尚、ＭＯＳの個数をもっと多くする場合も、同様に
ほぼ均等な分散割合となるように過熱検出回路を分散配
置すればよい。If the order in which the MOSs 1 to 6 are turned off is set in accordance with the importance of the load whose power is controlled by the MOSs 1 to 6, the same effects as in the first to fourth embodiments can be obtained. Even when the number of MOSs is further increased, the overheat detection circuits may be arranged in a distributed manner so that the dispersion ratios are substantially equal.
【００８７】本実施例の場合、過熱検出回路６２ａ〜６
２ｂとＯＲ回路６４とによって過熱信号出力手段が構成
されている。また、過熱検出回路６２ａ、６２ｂの位置
がすなわち温度検出位置であり、ＣＰＵ１０ａが強制オ
フ手段として機能している。 （実施例６）本実施例は、ハード構成は前記実施例１と
ほぼ同様であるが、過熱保護処理が大きく異なる。In the case of this embodiment, the overheat detecting circuits 62a to 62
2b and the OR circuit 64 constitute an overheat signal output unit. Further, the positions of the overheat detection circuits 62a and 62b are the temperature detection positions, and the CPU 10a functions as a forced off unit. (Embodiment 6) In this embodiment, the hardware configuration is almost the same as that of Embodiment 1, but the overheat protection processing is greatly different.
【００８８】ａ）図９に示すように、本実施例では、エ
ンジン制御用電子制御ユニット７０（以下、単にＥＣＵ
７０）は、前記実施例１と同様に、入力回路（図示せ
ず）、ＣＰＵ７０ａ、出力回路７０ｂ等から構成されて
いる。前記出力回路７０ｂには、制御対象（負荷）とな
る燃料ポンプ７２ａ、エアコンマグネットクラッチリレ
ー７２ｂ（エアコンをオン・オフするリレー）、吸気制
御ＶＳＶ７２ｃ、シフトインジケータ７２ｄ等が接続さ
れている。A) In this embodiment, as shown in FIG. 9, an electronic control unit 70 for engine control (hereinafter simply referred to as ECU
70) includes an input circuit (not shown), a CPU 70a, an output circuit 70b, and the like, as in the first embodiment. The output circuit 70b is connected to a fuel pump 72a to be controlled (load), an air conditioner magnet clutch relay 72b (relay for turning on / off the air conditioner), an intake control VSV 72c, a shift indicator 72d, and the like.
【００８９】詳しくは、駆動ＩＣ７４のチップに設けら
れた４つの駆動回路７６ａ〜７６ｄのほぼ中心に過熱検
出回路７８が設けられ、各駆動回路７６ａ〜７６ｄに
は、それぞれ１個のパワーＭＯＳトランジスタ１〜４
（以下、ＭＯＳ１〜４）が含まれている。More specifically, an overheat detecting circuit 78 is provided substantially at the center of the four driving circuits 76a to 76d provided on the chip of the driving IC 74, and each of the driving circuits 76a to 76d has one power MOS transistor 1 ~ 4
(Hereinafter, MOSs 1 to 4) are included.
【００９０】従って、本実施例の場合、ＭＯＳ１が燃料
ポンプ７２ａ、ＭＯＳ２がエアコンマグネットクラッチ
リレー７２ｂ、ＭＯＳ３が吸気制御ＶＳＶ７２ｃ、ＭＯ
Ｓ４がシフトインジケータ７２ｄに接続されている。ま
た、各負荷の重要度は、燃料ポンプ７２ａ＞エアコンマ
グネットクラッチリレー７２ｂ＞吸気制御ＶＳＶ７２ｃ
＞シフトインジケータ７２ｄの順に設定されている。即
ち前者ほど重要度が高く設定されている。Therefore, in the case of this embodiment, MOS1 is the fuel pump 72a, MOS2 is the air conditioner magnet clutch relay 72b, MOS3 is the intake control VSV 72c, MO
S4 is connected to the shift indicator 72d. In addition, the importance of each load is determined as fuel pump 72a> air conditioner magnet clutch relay 72b> intake control VSV 72c.
> Shift indicator 72d. That is, the former is set to have a higher importance.
【００９１】ｂ）次に、本実施例における過熱保護処理
を、図１０のフローチャートに従って説明する。尚、こ
の過熱保護処理は、例えばタイマ割込によって繰り返し
実行される。つまり、過熱原因の負荷（従ってパワーＭ
ＯＳトランジスタ）を遮断した場合に、過熱を検出しな
い温度まで下がることができる期間を開ける様に、割り
込み時間を設定する。B) Next, the overheat protection processing in this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. This overheat protection process is repeatedly executed by, for example, a timer interrupt. That is, the load due to overheating (therefore, power M
When the OS transistor (OS transistor) is shut off, an interrupt time is set so as to open a period in which the temperature can be lowered to a temperature at which overheating is not detected.
【００９２】本処理は、重要度の低い負荷から順に、そ
の遮断（オフ）・復帰（オフの解除）を一つづつ繰り返
してゆくものである。例えばＭＯＳ４を遮断・復帰した
後に、ＭＯＳ３を遮断・復帰するという手順で処理を行
う。 ・図１０に示す様に、Ｓ２１０では、負荷を特定する番
号（負荷数）Ｎが「０」であるか否かを判定する。即ち
負荷が全部オフ（遮断）の状態であるか否かを判定す
る。ここで肯定判断されるとＳ２２０に進み、一方否定
判断されるとＳ２９０に進む。In this processing, the interruption (off) and the restoration (off release) are repeated one by one in order from the load having the lowest importance. For example, the process is performed in such a manner that the MOS 3 is shut off and restored, and then the MOS 3 is shut off and restored. As shown in FIG. 10, in S210, it is determined whether or not the number (load number) N for specifying the load is “0”. That is, it is determined whether or not the loads are all off (cut off). If an affirmative determination is made here, the process proceeds to S220, while if a negative determination is made, the process proceeds to S290.
【００９３】Ｓ２９０では、フラグＸを「０」にセット
（クリア）し、一旦本処理を終了する。尚、フラグＸと
は、初期値が「０」に設定され、過熱状態が検出されて
負荷が遮断された場合に「１」に設定されるものであ
る。本実施例では、負荷数Ｎの初期値は最大の負荷数Ｎ
と同じく「４」と設定されている。従って、最初のルー
チンでは、Ｎ＝４であるので、Ｓ２１０にて否定判断さ
れてＳ２２０に進む。In S290, the flag X is set (cleared) to "0", and this processing is once ended. Note that the flag X has an initial value set to “0” and is set to “1” when an overheating state is detected and the load is cut off. In this embodiment, the initial value of the number of loads N is the maximum number of loads N
Is set to "4" in the same manner as the above. Therefore, in the first routine, since N = 4, a negative determination is made in S210 and the process proceeds to S220.
【００９４】Ｓ２２０では、過熱信号を読み込む。続く
Ｓ２３０では、読み込んだ過熱信号に基づいて、ＭＯＳ
１〜４のいずれかが過熱状態であるか否かを判定する。
ここで肯定判断されるとＳ２４０に進み、一方否定判断
されるとＳ２９０に進む。In step S220, an overheat signal is read. At S230, based on the read overheat signal, the MOS
It is determined whether or not any of 1 to 4 is overheated.
Here, if a positive determination is made, the process proceeds to S240, while if a negative determination is made, the process proceeds to S290.
【００９５】Ｓ２４０では、ＭＯＳ１〜４のいずれかが
過熱状態であるので、フラグＸが「０」か否かを判定す
る。ここで肯定判断されるとＳ２５０に進み、一方否定
判断されるとＳ２７０に進む。最初のルーチン（Ｎ＝４
の場合）では、フラグＸは「０」であるので、Ｓ２５０
に進む。In S240, it is determined whether or not the flag X is "0" because one of the MOSs 1 to 4 is overheated. If the determination is affirmative, the process proceeds to S250, while if the determination is negative, the process proceeds to S270. First routine (N = 4
), Since the flag X is “0”, S250
Proceed to.
【００９６】Ｓ２５０では、負荷数Ｎの負荷を遮断す
る。最初のルーチンでは、負荷数Ｎの初期値は「４」で
あるので、ＭＯＳ４をオフにして、シフトインジケータ
７２ｄへの電力の回路を遮断する。続くＳ２６０では、
遮断した動作を行ったことを示すために、フラグＸを
「１」にセットし、一旦本処理を終了する。In S250, the loads of the number of loads N are cut off. In the first routine, since the initial value of the load number N is “4”, the MOS 4 is turned off, and the circuit of the power to the shift indicator 72d is cut off. In the following S260,
The flag X is set to "1" in order to indicate that the cutoff operation has been performed, and the present process is terminated once.
【００９７】つまり、上述した処理により、過熱が検出
された場合には、所定の順番の負荷の切断が実施される
ことになる。 ・次にタイマ割込が実施されると、そのルーチンでは、
Ｎ＝０でない限りは、Ｓ２２０、Ｓ２３０に進む。That is, when overheating is detected by the above-described processing, the load is cut off in a predetermined order.・ The next time a timer interrupt is executed,
Unless N = 0, the process proceeds to S220 and S230.
【００９８】Ｓ２３０では、過熱状態を判定し、過熱状
態が解消しない場合には、前回のＳ２５０にて切断され
た負荷やその端子等（以下単に負荷等と記す）が過熱の
原因ではないと見なせるので、Ｓ２４０に進む。Ｓ２４
０では、フラグＸは「０」ではないので、即ち、前回の
Ｓ２６０にてフラグＸは「１」にセットされているの
で、Ｓ２７０に進む。In S230, the overheating state is determined, and if the overheating state is not resolved, the load disconnected in the previous step S250 and its terminals (hereinafter simply referred to as loads, etc.) can be regarded as not causing overheating. Therefore, the process proceeds to S240. S24
At 0, the flag X is not “0”, that is, since the flag X has been set to “1” at the previous S260, the process proceeds to S270.
【００９９】Ｓ２７０では、前回のルーチンのＳ２５０
の処理で切断した負荷数Ｎ（「４」）の負荷等、即ち過
熱の原因でない負荷等（従ってＭＯＳ４）を再度接続
（復帰）する。続くＳ２８０では、負荷数Ｎをデクリメ
ントする。従って、前回が初期値の「４」であった場合
には、この処理にて、負荷数Ｎは「３」となる。In S270, S250 of the previous routine is executed.
The load or the like of the number of loads N ("4") disconnected in the above process, that is, the load that does not cause overheating (therefore, the MOS 4) is connected (restored) again. In subsequent S280, the load number N is decremented. Therefore, if the previous time was the initial value “4”, the load number N becomes “3” in this processing.
【０１００】続くＳ２９０では、フラグＸを初期値の
「０」に戻し、一旦本処理を終了する。つまり、上述し
た処理により、一旦切断した（過熱の原因でないと見な
すことができる）負荷等の接続を復帰させるのである。In the following S290, the flag X is returned to the initial value "0", and this processing is once ended. In other words, the connection such as the load once disconnected (which can be regarded as not causing overheating) is restored by the above-described processing.
【０１０１】一方、前記Ｓ２３０で過熱ではないと判断
されると、前回のＳ２５０にて遮断した負荷等が過熱の
原因であると見なせるので、フラグを「０」にセット
し、一旦本処理を終了する。これにより、過熱の原因で
あった負荷等を遮断できるので、以後、過熱の発生を防
止することができる。On the other hand, if it is determined in S230 that the heat is not overheating, the load or the like interrupted in the previous S250 can be considered to be the cause of overheating, so that the flag is set to “0” and the process is terminated once. I do. As a result, the load or the like that caused the overheating can be cut off, so that the occurrence of overheating can be prevented thereafter.
【０１０２】・以下、同様に、負荷数Ｎを低減する毎
に、その負荷の接続を切断して、過熱状態の解消の有無
を一つづつ確認する。そして、過熱状態が解消しない場
合には復帰させ、逆に過熱状態が解消した場合には、当
該切断した負荷等が過熱の原因であることがわかるの
で、その切断の状態を保持するようにする。Similarly, every time the number of loads N is reduced, the connection of the load is disconnected, and it is confirmed one by one whether or not the overheat state has been eliminated. If the overheated state is not resolved, the state is restored. If the overheated state is resolved, it is known that the cut load or the like is the cause of the overheating. .
【０１０３】つまり、本実施例では、過熱原因のある負
荷等を見つけるために、重要度の低い負荷等から順番
に、即ち、ＭＯＳ４、ＭＯＳ３、ＭＯＳ２、ＭＯＳ１の
順番で、切断及び復帰を繰り返し、その切断により過熱
状態が解消したなら、当該負荷等が過熱原因であると見
なして、過熱を防止するものである。That is, in the present embodiment, in order to find a load or the like that causes an overheat, disconnection and restoration are repeated in order from the load of low importance, that is, in the order of MOS4, MOS3, MOS2, and MOS1. If the overheating condition is eliminated by the cutting, the load or the like is regarded as the cause of the overheating, and the overheating is prevented.
【０１０４】本実施例においても、前記実施例１と同様
な効果を奏するとともに、過熱の原因でないことが分か
った負荷等の遮断を解除（復帰）しているので、動作を
停止する負荷を最小限に抑えることができ、車両の制御
などを一層好適に行うことができるという顕著な効果を
奏する。In this embodiment as well, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the interruption of the load or the like that is not the cause of overheating is released (restored). This has a remarkable effect that vehicle control and the like can be more suitably performed.
【０１０５】（実施例７）本実施例は、ハード構成は前
記実施例６と同様であるが、過熱保護処理が異なる。以
下に、本実施例における過熱保護処理を、図１１のフロ
ーチャート及び図１２の説明図に従って説明する。(Embodiment 7) In this embodiment, the hardware configuration is the same as that of Embodiment 6, but the overheat protection processing is different. Hereinafter, the overheat protection processing in the present embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. 11 and the explanatory diagram of FIG.
【０１０６】尚、この過熱保護処理は、前記実施例６と
同様なタイマ割込によって繰り返し実行される。本処理
は、図１２に示す様に、重要度の低い負荷から順に負荷
の遮断を行い、過熱が検出された場合には、重要度の高
い負荷から順に負荷の接続を復帰させて、過熱のチェッ
クを行うものである。The overheat protection process is repeatedly executed by the same timer interrupt as in the sixth embodiment. In this process, as shown in FIG. 12, the loads are cut off in order from the load having the lowest importance, and if overheating is detected, the connection of the load is restored in order from the load having higher importance, and the overheating is detected. Checking is performed.
【０１０７】・図１１に示す様に、タイマ割込が実施さ
れると、その最初のルーチンでは、Ｓ３１０にて、過熱
信号を読み込む。続くＳ３２０では、過熱状態であるか
否かを判定する。ここで、過熱状態である場合には、Ｓ
３３０に進む。As shown in FIG. 11, when the timer interrupt is executed, in the first routine, an overheat signal is read in S310. In subsequent S320, it is determined whether or not an overheat state is present. Here, if it is overheated, S
Proceed to 330.
【０１０８】Ｓ３３０では、負荷数Ｎの負荷を遮断す
る。つまり、重要度の低い負荷から遮断するので、最初
は、負荷数Ｎが「４」の負荷を遮断する。続くＳ３４０
では、フラグＸが「０」であるか否かを判定する。この
フラグＸとは、負荷が遮断された場合に「０」にセット
され、負荷が接続された場合に「１」に設定されるもの
である。ここでは、フラグＸの初期値は「０」であるの
で、Ｓ３５０に進む。In S330, the loads of the number of loads N are cut off. In other words, since the loads with low importance are cut off, the loads whose load number N is "4" are cut off at first. Following S340
Then, it is determined whether or not the flag X is “0”. The flag X is set to “0” when the load is cut off, and is set to “1” when the load is connected. Here, since the initial value of the flag X is “0”, the process proceeds to S350.
【０１０９】Ｓ３５０では、負荷数Ｎをデクリメントす
る。例えば最初の負荷数Ｎが「４」の場合には、ここで
負荷数Ｎは「３」となる。続くステップ３６０では、過
熱状態があったことを示す過熱履歴フラグを「１」にセ
ット（オン）する。In S350, the load number N is decremented. For example, when the initial load number N is “4”, the load number N is “3” here. In the following step 360, an overheat history flag indicating that there is an overheat condition is set (turned on) to “1”.
【０１１０】続くＳ３７０では、フラグＸを「０」にセ
ットし、一旦本処理を終了する。以下同様なタイマ割込
により、過熱状態が解消されるまでは、重要度の低い負
荷から順次遮断を行ってゆく。 ・その後、あるタイマ割込のＳ３２０にて、過熱状態で
はないと判断されると、Ｓ４００に進む。In the following S370, the flag X is set to "0", and this processing is once ended. Thereafter, until the overheat condition is eliminated by the same timer interruption, the load is sequentially cut off from the load of lower importance. -Thereafter, if it is determined in S320 of a certain timer interrupt that the vehicle is not in the overheat state, the process proceeds to S400.
【０１１１】Ｓ４００では、フラグＸが「０」か否かを
判定する。ここでは、前回のＳ３７０にてフラグＸが
「０」にセットされているので、Ｓ４１０に進む。Ｓ４
１０では、過熱履歴フラグを読み込み、続くＳ４２０で
は、過熱履歴フラグがオンであるか否かを判定する。こ
こでは、前回のＳ３６０にて過熱履歴フラグがオンとさ
れているので、Ｓ４３０に進む。In S400, it is determined whether the flag X is "0". Here, since the flag X has been set to “0” in the previous S370, the process proceeds to S410. S4
At 10, the overheat history flag is read, and at S420, it is determined whether the overheat history flag is on. Here, since the overheating history flag was turned on in the previous S360, the process proceeds to S430.
【０１１２】Ｓ４３０では、負荷数Ｎをインクリメント
する。例えば負荷数Ｎが２であった場合には、負荷数Ｎ
は３となる。続くＳ４４０では、負荷数Ｎの負荷（例え
ばＮ＝３の負荷）のオフを解除（復帰）する。つまり、
ここでは、前回Ｓ３３０にて切断したその負荷、即ち過
熱の原因と見なされる負荷（及びその端子等）を再度接
続することになる。In S430, the number of loads N is incremented. For example, if the load number N is 2, the load number N
Becomes 3. In subsequent S440, the off of the loads of the load number N (for example, the load of N = 3) is released (returned). That is,
Here, the load disconnected in the previous step S330, that is, the load (and its terminals, etc.) regarded as the cause of overheating is connected again.
【０１１３】続くＳ４５０では、負荷を接続したことを
示すために、フラグＸを「１」にセットし、一旦本処理
を終了する。 ・次のタイマ割込では、再度Ｓ３２０にて、過熱状態を
判定する。ここでは、前回のＳ４４０にて、過熱の原因
である負荷等を接続したので、過熱状態であると判定さ
れてＳ３３０に進む。In the following S450, the flag X is set to "1" to indicate that the load has been connected, and the process is once ended. -In the next timer interruption, the overheating state is determined again in S320. Here, since the load or the like that caused the overheating was connected in the previous S440, it is determined that the overheating state is present, and the process proceeds to S330.
【０１１４】Ｓ３３０では、再度、過熱原因である負荷
数Ｎの負荷等（例えばＮ＝３の負荷）を遮断する。続く
Ｓ３４０では、フラグＸが「０」か否かを判定する。こ
こでは、前回のＳ４５０にて「１」と設定されているの
で、否定判断されてＳ３８０に進む。In S330, the load of the number of loads N, which is the cause of overheating, and the like (for example, the load of N = 3) are cut off again. In subsequent S340, it is determined whether or not the flag X is “0”. Here, since “1” was set in the previous S450, a negative determination is made and the process proceeds to S380.
【０１１５】Ｓ３８０では、Ｎ＝４であるか否か、即ち
全ての負荷に対する最終判定であるか否かを判定し、こ
こで肯定判断されるとＳ３９０に進み、一方否定判断さ
れるとＳ３７０に進む。Ｓ３７０では、フラグＸを
「０」にセットし、一旦本処理を終了する。In S380, it is determined whether or not N = 4, that is, whether or not the final determination is made for all loads. If the determination is affirmative, the process proceeds to S390. If the determination is negative, the process proceeds to S370. move on. In S370, the flag X is set to “0”, and the process is temporarily terminated.
【０１１６】尚、前記Ｓ３２０にて、過熱状態ではない
と判断された場合には、Ｓ４００にてＮＯと判定され
て、同様にＳ３８０以降の処理に進む。 ・次のタイマ割込では、再度Ｓ３２０にて、過熱状態を
判定する。ここでは、既に過熱の原因である負荷等（例
えばＮ＝３の負荷）が遮断されているので、Ｓ４００に
てＹＥＳと判断されてＳ４１０に進み、Ｓ４２０にてＹ
ＥＳと判断されてＳ４３０にて進む。If it is determined in S320 that the vehicle is not overheated, the determination in S400 is NO, and the process proceeds to S380 and subsequent steps. -In the next timer interruption, the overheating state is determined again in S320. Here, since a load or the like (for example, a load of N = 3) that causes overheating has already been interrupted, YES is determined in S400, the process proceeds to S410, and Y is determined in S420.
It is determined as ES, and the process proceeds to S430.
【０１１７】Ｓ４３０では、負荷数Ｎをインクリメント
する。例えば前回負荷数Ｎが３の場合には、Ｎを４と設
定する。Ｓ４４０では、その負荷数Ｎの負荷を接続し、
次のタイマ割込の処理のＳ３２０にて、過熱状態を判定
する。In S430, the number of loads N is incremented. For example, if the previous load number N is 3, N is set to 4. In S440, the loads of the load number N are connected,
At S320 of the next timer interrupt process, an overheating state is determined.
【０１１８】以下同様な処理を繰り返し、負荷数Ｎの小
さなものから順に、即ち重要度の高いものから順に復帰
させてゆく。この様に、本実施例では、過熱状態が検出
された場合には、図１２に示す様に、重要度の低いもの
から順に負荷を遮断してゆき、過熱状態が解消した場合
には、当該遮断した負荷等が過熱の原因であることを見
出して、その負荷を遮断状態に設定し、その後、重要度
の高い方からその遮断を復帰してゆく。Thereafter, the same processing is repeated, and the load is restored in ascending order of the load number N, that is, in descending order of importance. As described above, in the present embodiment, when an overheated state is detected, as shown in FIG. 12, the loads are cut off in descending order of importance, and when the overheated state is resolved, the load is removed. When it is found that the interrupted load or the like is the cause of overheating, the load is set to the interrupted state, and then the interrupted state is restored from the one with the higher importance.
【０１１９】本実施例においても、前記実施例６と同様
に、異常な負荷等以外はその作動を復帰させることがで
きるとともに、複数の負荷等の異常に対応することがで
きる。例えば過熱の原因が２つある場合、例えばＭＯＳ
４とＭＯＳ２が過熱の原因である場合には、最初にＭＯ
Ｓ４を遮断しても過熱は解消されず、ＭＯＳ２を遮断し
た段階で過熱が解消される。従って、ＭＯＳ２の遮断ま
で進んだ段階で、反転して、重要度が高いものから復帰
させる。この場合には、ＭＯＳ２は遮断されているの
で、ＭＯＳ４を接続した段階で、過熱が発生することに
なり、ＭＯＳ４も過熱の原因であることが分かる。よっ
て、ＭＯＳ４も遮断することにより、全ての過熱原因の
負荷等を遮断することができる。In this embodiment, as in the case of the sixth embodiment, the operation can be restored except for abnormal loads and the like, and abnormalities such as a plurality of loads can be dealt with. For example, if there are two causes of overheating, for example, MOS
4 and MOS2 cause overheating, first the MO
Even if S4 is shut off, overheating is not eliminated, and the overheating is eliminated when MOS2 is shut off. Therefore, at the stage where the MOS2 has been cut off, it is inverted to return from the one with the highest importance. In this case, since MOS2 is shut off, overheating occurs when MOS4 is connected, and it is understood that MOS4 is also the cause of overheating. Therefore, all the loads caused by overheating can be cut off by also cutting off the MOS 4.
【０１２０】（実施例８）本実施例は、ハード構成は前
記実施例６、７と同様であるが、過熱保護処理が異な
る。以下に、本実施例における過熱保護処理を、図１３
のフローチャートに従って説明する。(Embodiment 8) In this embodiment, the hardware configuration is the same as in Embodiments 6 and 7, but the overheat protection processing is different. The overheat protection processing in this embodiment is described below with reference to FIG.
This will be described according to the flowchart of FIG.
【０１２１】尚、この過熱保護処理は、前記実施例６と
同様なタイマ割込によって繰り返し実行される。本処理
は、前記実施例７と同様に、重要度の低い負荷から順に
負荷の遮断を行い、過熱が検出された場合には、重要度
の高い負荷から順に負荷の接続を復帰させて、過熱のチ
ェックを行うものであるが、その処理を一層簡易化した
ものである。This overheat protection process is repeatedly executed by the same timer interrupt as in the sixth embodiment. In this processing, as in the seventh embodiment, the load is cut off in the order of lower importance, and if overheating is detected, the connection of the load is restored in the order of higher importance and the overheating is performed. Is checked, but the processing is further simplified.
【０１２２】・図１３に示す様に、タイマ割込が実施さ
れると、その最初のルーチンでは、Ｓ５１０にて、過熱
信号を読み込む。続くＳ５２０では、過熱状態であるか
否かを判定する。ここで、過熱状態である場合には、Ｓ
５３０に進む。As shown in FIG. 13, when a timer interrupt is executed, in the first routine, an overheat signal is read in S510. In subsequent S520, it is determined whether or not an overheating state is present. Here, if it is overheated, S
Proceed to 530.
【０１２３】Ｓ５３０では、負荷数Ｎの負荷を遮断す
る。つまり、重要度の低い負荷から遮断するので、最初
は、負荷数Ｎが「４」の負荷を遮断する。続くＳ５４０
では、フラグＸが「０」であるか否かを判定する。ここ
では、フラグＸの初期値は「０」であるので、Ｓ５５０
に進む。In S530, the loads of the number of loads N are cut off. In other words, since the loads with low importance are cut off, the loads whose load number N is "4" are cut off at first. Following S540
Then, it is determined whether or not the flag X is “0”. Here, since the initial value of the flag X is “0”, S550
Proceed to.
【０１２４】Ｓ５５０では、負荷数Ｎをデクリメントす
る。続くステップ５６０では、過熱状態があったことを
示す過熱履歴フラグを「１」にセット（オン）する。続
くＳ５７０では、負荷数Ｎをインクリメントし、カウン
タ値Ｍとして設定する。In S550, the number of loads N is decremented. In the following step 560, an overheat history flag indicating that there is an overheat state is set (turned on) to “1”. In S570, the number of loads N is incremented and set as a counter value M.
【０１２５】続くＳ５８０では、フラグＸを「０」にセ
ットし、一旦本処理を終了する。以下同様にして、過熱
状態が解消されるまでは、重要度の低い負荷から順次遮
断を行ってゆく。 ・その後、あるタイマ割込のＳ５２０にて、過熱状態で
はないと判断されると、Ｓ６１０に進む。In the following S580, the flag X is set to "0", and this processing is once ended. In the same manner, the load is sequentially cut off from the loads of lower importance until the overheat state is eliminated. After that, if it is determined in S520 of a certain timer interrupt that the vehicle is not in the overheated state, the process proceeds to S610.
【０１２６】Ｓ６１０では、フラグＸが「０」か否かを
判定する。ここでは、前回のＳ５８０にてフラグＸが
「０」にセットされているので、Ｓ６２０に進む。Ｓ６
２０では、過熱履歴フラグを読み込み、続くＳ６３０で
は、過熱履歴フラグがオンであるか否かを判定する。こ
こでは、前回のＳ５６０にて過熱履歴フラグがオンとさ
れているので、Ｓ６５０に進む。In S610, it is determined whether or not the flag X is "0". Here, since the flag X has been set to “0” in the previous S580, the process proceeds to S620. S6
At 20, the overheat history flag is read, and at S630, it is determined whether the overheat history flag is on. Here, since the overheat history flag was turned on in the previous S560, the process proceeds to S650.
【０１２７】Ｓ６５０では、カウンタ値Ｍをインクリメ
ントし、負荷数Ｎとして設定する。例えば遮断した負荷
数Ｎが２の場合には、Ｓ５５０にてＮは１となり、Ｓ５
７０にてＭは２となるので、このＳ６５０でＮは３とな
る。続くＳ６６０では、負荷数Ｎ（例えばＮ＝３の負
荷）を接続する。つまり、前記実施例７の様に、一旦遮
断した負荷（即ち過熱の原因である負荷やその端子等）
を次に接続するのではなく、一旦遮断した負荷の次の負
荷（より重要度の低い負荷）を接続するのである。In S650, the counter value M is incremented and set as the load number N. For example, if the number of interrupted loads N is 2, N becomes 1 in S550, and S5
Since M becomes 2 at 70, N becomes 3 at S650. In subsequent S660, the number of loads N (for example, a load of N = 3) is connected. That is, as in the seventh embodiment, the load once interrupted (that is, the load that causes overheating, its terminals, and the like).
Instead of connecting the load next, the load next to the load that has been interrupted once (load of lower importance) is connected.
【０１２８】続くＳ６７０では、負荷を接続したことを
示すために、フラグＸを「１」にセットし、一旦本処理
を終了する。その後の処理は、前記実施例７と基本的に
は同様であり、重要度の高い方から順に負荷を復帰させ
てゆく。In the following S670, the flag X is set to "1" to indicate that the load has been connected, and the present process is ended once. Subsequent processing is basically the same as that of the seventh embodiment, and the load is restored in descending order of importance.
【０１２９】本実施例においても、前記実施例７と同様
に、異常な負荷等以外はその作動を復帰させることがで
きるとともに、複数の負荷等の異常に対応することがで
きるが、特に、一旦過熱の原因であることが分かった負
荷等は、再度接続することなく、次の負荷を復帰させる
ので、復帰の処理を速やかに行うことができるという効
果がある。In the present embodiment, as in the seventh embodiment, the operation can be resumed except for an abnormal load and the like, and abnormalities such as a plurality of loads can be dealt with. A load or the like that has been found to be the cause of overheating restores the next load without reconnecting, so that there is an effect that the restoration process can be performed promptly.
【０１３０】以上、いくつかの実施例に従って、本発明
の実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲でさまざまに実施できることは言うまでもな
い。 （１）例えば、前記実施例では強制オフ手段をＣＰＵ
（ソフトウエア）にて実現しているが、これをハードウ
エアとすることも可能である。一例を示せば、１回目の
過熱信号が入力されるとＭＯＳ４のゲート電位を切り換
えてオフにさせ、２回目の過熱信号が入力されるとＭＯ
Ｓ３をオフにさせ、３回目の過熱信号でＭＯＳ２を、４
回目の過熱信号でＭＯＳ１をオフにする回路を、駆動Ｉ
Ｃの内部または外部に設ければよい。Although the embodiments of the present invention have been described with reference to some embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and various embodiments may be made without departing from the scope of the present invention. It goes without saying that you can do it. (1) For example, in the above-described embodiment, the forced off
(Software), but it is also possible to use hardware. For example, when the first overheating signal is input, the gate potential of the MOS 4 is switched to be turned off, and when the second overheating signal is input, the MO 4 is turned on.
S3 is turned off, and MOS2 is set to 4 by the third overheat signal.
The circuit for turning off MOS1 by the second overheat signal is a drive I
It may be provided inside or outside C.
【０１３１】（２）また、前記実施例では、パワーＭＯ
Ｓ過熱保護装置について述べたが、本発明は、それらに
限らず、上述した処理を実行させる手段を記憶している
記録媒体にも適用できる。この記録媒体としては、マイ
クロコンピュータとして構成される電子制御装置、マイ
クロチップ、フロッピィディスク、ハードディスク、光
ディスク等の各種の記録媒体が挙げられる。つまり、上
述したパワーＭＯＳ過熱保護装置における過熱を防止す
るための演算処理を実行させることができる例えばプロ
グラム等の手段を記憶したものであれば、特に限定はな
い。(2) In the above embodiment, the power MO
Although the S overheat protection device has been described, the present invention is not limited thereto, and can also be applied to a recording medium storing means for executing the above-described processing. Examples of the recording medium include various recording media such as an electronic control unit configured as a microcomputer, a microchip, a floppy disk, a hard disk, and an optical disk. That is, there is no particular limitation as long as it stores means such as a program capable of executing an arithmetic process for preventing overheating in the power MOS overheat protection device described above.
【０１３２】また、本発明は、例えば上述した記録媒体
などに記録されたプログラム自体にも適用できることは
勿論である。The present invention can, of course, be applied to the program itself recorded on, for example, the recording medium described above.
【図１】 実施例１のＥＣＵの構成を説明するブロック
図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an ECU according to a first embodiment.
【図２】 実施例１の駆動ＩＣの構成を模式的に示す説
明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically illustrating a configuration of a drive IC according to the first embodiment.
【図３】 実施例１の駆動回路の要部説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a main part of the drive circuit according to the first embodiment.
【図４】 実施例１のＣＰＵが実行する過熱保護処理の
フローチャートである。FIG. 4 is a flowchart of an overheat protection process executed by a CPU according to the first embodiment.
【図５】 実施例２の駆動ＩＣの構成を模式的に示す説
明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram schematically illustrating a configuration of a drive IC according to a second embodiment.
【図６】 実施例３の駆動ＩＣの構成を模式的に示す説
明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram schematically illustrating a configuration of a drive IC according to a third embodiment.
【図７】 実施例４の駆動ＩＣの構成を模式的に示す説
明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram schematically illustrating a configuration of a drive IC according to a fourth embodiment.
【図８】 実施例５の駆動ＩＣの構成を模式的に示す説
明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram schematically showing a configuration of a drive IC according to a fifth embodiment.
【図９】 実施例６のＥＣＵの構成を説明するブロック
図である。FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of an ECU according to a sixth embodiment.
【図１０】 実施例６のＣＰＵが実行する過熱保護処理
のフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart of an overheat protection process executed by a CPU according to a sixth embodiment.
【図１１】 実施例７のＣＰＵが実行する過熱保護処理
のフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart of an overheat protection process executed by a CPU according to a seventh embodiment.
【図１２】 実施例７の負荷の遮断・復帰の手順を示す
説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing a procedure for shutting off and returning a load according to the seventh embodiment.
【図１３】 実施例８のＣＰＵが実行する過熱保護処理
のフローチャートである。FIG. 13 is a flowchart of an overheat protection process executed by a CPU according to an eighth embodiment.
ＭＯＳ１〜６…パワーＭＯＳトランジスタ １０…エンジン制御用電子制御ユニット １０ａ…ＣＰＵ（強制オフ手段） １４ａ…燃料ポンプ（負荷） １４ｂ…インジェクタ（負荷） １４ｃ…ランプ（負荷） １４ｄ…吸気制御ＶＳＶ（負荷） １４ｅ…シフトインジケータ（負荷） １４ｆ…他の制御対象（負荷） ２０、２０ａ〜２０ｄ…過熱検出回路（過熱信号出力手
段） ２４、４４、５４、６２…パッケージ ３２…ＯＲ回路（過熱信号出力手段） ４２…過熱検出回路（過熱信号出力手段） ５２…ＯＲ回路（過熱信号出力手段） ５３ａ〜５３ｄ…過熱検出回路（過熱信号出力手段） ６２ａ〜６２ｂ…過熱検出回路（過熱信号出力手段） ６４…ＯＲ回路（過熱信号出力手段） ７２…エアコンマグネットクラッチリレー（負荷）MOS 1-6 Power MOS transistor 10 Engine control electronic control unit 10a CPU (forced off means) 14a Fuel pump (load) 14b Injector (load) 14c Lamp (load) 14d Intake control VSV (load) 14e: shift indicator (load) 14f: other control target (load) 20, 20a to 20d: overheat detection circuit (overheat signal output means) 24, 44, 54, 62: package 32: OR circuit (overheat signal output means) 42 ... Overheat detection circuit (overheat signal output means) 52 ... OR circuit (overheat signal output means) 53a-53d ... Overheat detection circuit (overheat signal output means) 62a-62b ... Overheat detection circuit (overheat signal output means) 64 ... OR Circuit (overheat signal output means) 72 ... Air conditioner magnet clutch relay (load)
Claims (21)
力を通断するパワーＭＯＳトランジスタの過熱を防止す
る過熱保護装置において、 同一パッケージ内に、複数の前記パワーＭＯＳトランジ
スタと、前記複数のパワーＭＯＳトランジスタのいずれ
かが過熱状態にあると過熱信号を出力する過熱信号出力
手段と、を収容した場合に、 前記過熱信号が入力されると、予め設定されているオフ
順序に従って前記複数のパワーＭＯＳトランジスタのい
ずれかをオフにさせる強制オフ手段を備えたことを特徴
とするパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置。1. An overheat protection device for preventing overheating of a power MOS transistor that passes power from a power supply to a load such as a circuit or an electric component, comprising: a plurality of the power MOS transistors; And overheating signal output means for outputting an overheating signal when any of the power MOS transistors is in an overheating state. When the overheating signal is input, the plurality of powers are output in accordance with a preset off order. An overheat protection device for a power MOS transistor, comprising a forced off means for turning off one of the MOS transistors.
スタの過熱保護装置において、 前記オフ順序は、前記負荷の重要度の高低に応じて、相
対的に重要度が高いほど前記オフ順序が後になるように
設定されていることを特徴とするパワーＭＯＳトランジ
スタの過熱保護装置。2. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 1, wherein the off-order is higher when the importance is relatively higher in accordance with the degree of importance of the load. An overheat protection device for a power MOS transistor, which is set as follows.
ランジスタの過熱保護装置において、 前記一個のパッケージに設けられる前記過熱信号出力手
段は１つであることを特徴とするパワーＭＯＳトランジ
スタの過熱保護装置。3. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 1, wherein the one overheat signal output means provided in the one package is one. apparatus.
ＭＯＳトランジスタの過熱保護装置において、 前記過熱信号出力手段の温度検出位置は、複数の前記パ
ワーＭＯＳトランジスタについて１箇所の割合で、対応
する複数の前記パワーＭＯＳトランジスタからほぼ均等
となる位置に設定されていることを特徴とするパワーＭ
ＯＳトランジスタの過熱保護装置。4. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 1, wherein the temperature detection position of the overheat signal output means corresponds to one of the plurality of power MOS transistors. A plurality of power MOS transistors which are set at positions substantially equal to each other.
OS transistor overheat protection device.
ＭＯＳトランジスタの過熱保護装置において、 前記過熱信号出力手段の温度検出位置は、前記複数のパ
ワーＭＯＳトランジスタのそれぞれに１箇所の対応で設
定されていることを特徴とするパワーＭＯＳトランジス
タの過熱保護装置。5. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 1, wherein a temperature detection position of said overheat signal output means corresponds to one of each of said plurality of power MOS transistors. An overheat protection device for a power MOS transistor, which is set.
力を通断するパワーＭＯＳトランジスタの過熱を防止す
る過熱保護装置において、 同一パッケージ内に、複数の前記パワーＭＯＳトランジ
スタと、前記複数のパワーＭＯＳトランジスタの何れか
が過熱状態であることを検出する過熱状態検出手段と、
を収容するとともに、 前記複数のパワーＭＯＳトランジスタに対応した入力部
及び出力部、並びに前記過熱状態検出手段の検出信号を
出力する１個の検出信号出力部を設けた集積回路を備
え、 更に、前記検出信号を入力し、前記検出信号が過熱状態
を示す信号である時に、予め設定されたオフ順序に従っ
ていずれかのパワーＭＯＳトランジスタの前記入力部に
オフさせる信号を与え、前記検出信号が継続して過熱状
態を示す場合は前記オフ順序によって定められたパワー
ＭＯＳトランジスタの前記入力部にオフさせる信号を与
える強制オフ手段と、 を備えたことを特徴とするパワーＭＯＳトランジスタの
過熱保護装置。6. An overheat protection device for preventing overheating of a power MOS transistor that passes power from a power supply to a load such as a circuit or an electric component, comprising: a plurality of the power MOS transistors; Overheat state detecting means for detecting that any of the power MOS transistors is in an overheat state;
And an integrated circuit provided with an input unit and an output unit corresponding to the plurality of power MOS transistors, and one detection signal output unit that outputs a detection signal of the overheat state detection unit. A detection signal is input, and when the detection signal is a signal indicating an overheating state, a signal for turning off the input portion of any one of the power MOS transistors is given in accordance with a preset off order, and the detection signal is continuously output. A power MOS transistor overheat protection device, comprising: a forced off means for giving a signal to turn off the input portion of the power MOS transistor determined by the off sequence when an overheat state is indicated.
スタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置は自動車
用制御装置に適用され、前記複数のパワーＭＯＳトラン
ジスタは自動車の電気負荷に接続されており、前記オフ
順序は前記電気負荷の自動車の制御上の重要度に応じて
設定されることを特徴とするパワーＭＯＳトランジスタ
の過熱保護装置。7. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 6, wherein the overheat protection device for the power MOS transistor is applied to a control device for a vehicle, and the plurality of power MOS transistors are connected to an electric load of the vehicle. The power-off transistor overheat protection device is characterized in that the turn-off sequence is set according to the importance of the electric load in controlling the vehicle.
ランジスタの過熱保護装置において、 前記過熱状態検出手段は、１個の温度検出素子からなる
ことを特徴とするパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護
装置。8. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 6, wherein said overheat state detection means comprises one temperature detection element.
スタの過熱保護装置において、 前記温度検出素子は、各パワーＭＯＳトランジスタに対
してほぼ等距離となる位置に配置されることを特徴とす
るパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置。9. The power MOS transistor overheat protection device according to claim 8, wherein said temperature detecting element is arranged at a position substantially equidistant from each power MOS transistor. Transistor overheat protection device.
トランジスタの過熱保護装置において、 前記過熱状態検出手段は、前記複数のパワーＭＯＳトラ
ンジスタのそれぞれに設けられた温度検出素子からな
り、各温度検出素子の検出信号はＯＲ回路を介して前記
検出信号出力部から出力されることを特徴とするパワー
ＭＯＳトランジスタの過熱保護装置。10. The power MOS according to claim 6, wherein
In the overheat protection device for a transistor, the overheat state detection means includes a temperature detection element provided in each of the plurality of power MOS transistors, and a detection signal of each temperature detection element is output from the detection signal output unit via an OR circuit. Overheat protection device for a power MOS transistor.
トランジスタの過熱保護装置において、 前記過熱状態検出手段は、前記パワーＭＯＳトランジス
タの個数より少ない複数個の温度検出素子からなり、各
温度検出素子は、各パワーＭＯＳトランジスタに対して
均等な位置関係に配置されており、且つ各温度検出素子
の検出信号は、ＯＲ回路を介して前記検出信号出力部か
ら出力されることを特徴とするパワーＭＯＳトランジス
タの過熱保護装置。11. The power MOS according to claim 6, wherein
In the overheat protection device for a transistor, the overheat state detection means includes a plurality of temperature detection elements smaller than the number of the power MOS transistors, and each of the temperature detection elements is arranged in a uniform positional relationship with respect to each power MOS transistor. And a detection signal of each temperature detection element is output from the detection signal output unit via an OR circuit.
ワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置において、 前記強制オフ手段は、前記検出信号が過熱状態を示す信
号である時に、予め設定されたオフ順序に従ってい何れ
かのパワーＭＯＳトランジスタの前記入力部にオフさせ
る信号を与えた後、所定時間を置いて前記検出信号が過
熱状態を示すかを判定することを特徴とするパワーＭＯ
Ｓトランジスタの過熱保護装置。12. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 6, wherein said forcible off means sets a predetermined off order when said detection signal is a signal indicating an overheating state. A power OFF transistor is supplied to the input section of any one of the power MOS transistors, and after a predetermined time, it is determined whether the detection signal indicates an overheat state.
Overheat protection device for S transistor.
ワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置において、 前記予め設定されたオフ順序に従って前記パワーＭＯＳ
トランジスタをオフした後に、前記パワーＭＯＳトラン
ジスタの過熱状態を判定する過熱判定手段を備えたこと
を特徴とするパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装
置。13. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 1, wherein the power MOS transistor is turned on in accordance with the preset off order.
An overheat protection device for a power MOS transistor, comprising overheat determination means for determining an overheat state of the power MOS transistor after turning off the transistor.
ンジスタの過熱保護装置において、 前記過熱判定手段によって過熱状態が解消したと判断さ
れた場合には、予め設定されたオフ解除の順番に従って
前記パワーＭＯＳトランジスタのオフを解除するオフ解
除手段を備えたことを特徴とするパワーＭＯＳトランジ
スタの過熱保護装置。14. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 13, wherein when the overheat determination means determines that the overheat state has been eliminated, the power MOS transistor follows a preset turn-off release order. An overheat protection device for a power MOS transistor, comprising: an off-release means for releasing the off state of the transistor.
ンジスタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタのオフ及びその解除を、
前記負荷の重要度が低いものから順に１つづつ行うよう
に設定されていることを特徴とするパワーＭＯＳトラン
ジスタの過熱保護装置。15. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 14, wherein the power MOS transistor is turned off and released.
An overheat protection device for a power MOS transistor, wherein the load is set one by one in ascending order of importance.
ＯＳトランジスタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタのオフは、前記負荷の重
要度の低いものから順に行うように設定されていること
を特徴とするパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装
置。16. The power M according to claim 13 or 14.
In the overheat protection device for an OS transistor, the power MOS transistor is set to be turned off in order from the one with the lowest importance of the load.
ンジスタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタのオフの解除は、前記負
荷の重要度の高いものから順に行うように設定されてい
ることを特徴とするパワーＭＯＳトランジスタの過熱保
護装置。17. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 16, wherein the turning off of the power MOS transistor is set so as to be performed in descending order of importance of the load. Overheat protection device for a power MOS transistor.
ンジスタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタのオフにより、前記過熱
状態が解消した場合には、前記パワーＭＯＳトランジス
タの順次オフを停止し、以後、前記オフの順次解除を行
うように設定されていることを特徴とするパワーＭＯＳ
トランジスタの過熱保護装置。18. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 17, wherein the turning off of the power MOS transistor stops the sequential turning off of the power MOS transistor when the overheating state is resolved by turning off the power MOS transistor. Characterized in that the power MOS is set so as to release the off sequentially.
Transistor overheat protection device.
ンジスタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタのオフの順次解除を開始
する場合には、直前にオフしたパワーＭＯＳトランジス
タのオフの解除から開始し、それによって、再度過熱状
態と判定された場合には、当該パワーＭＯＳトランジス
タをオフした後に、次の順番のパワーＭＯＳトランジス
タのオフを解除するように設定されていることを特徴と
するパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置。19. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 18, wherein when sequentially turning off the power MOS transistor is started, the power MOS transistor is turned off immediately before the power MOS transistor is turned off. When the overheated state is determined again, the power MOS transistor is turned off, and then the power MOS transistor in the next order is set to be turned off. Overheat protection device.
ンジスタの過熱保護装置において、 前記パワーＭＯＳトランジスタのオフの順次解除を開始
する場合には、直前にオフしたパワーＭＯＳトランジス
タのオフを維持し、次の順番のパワーＭＯＳトランジス
タのオフを解除するように設定されていることを特徴と
するパワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置。20. The overheat protection device for a power MOS transistor according to claim 18, wherein when sequentially turning off the power MOS transistor is started, the power MOS transistor that was turned off immediately before is kept off, The overheat protection device for a power MOS transistor is set so as to release the off state of the power MOS transistor in the order of:
の過熱保護装置の機能を実現するための手段を記憶して
いることを特徴とする記録媒体。21. A recording medium storing means for realizing the function of the overheat protection device according to any one of claims 1 to 20.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048391A JP2001313364A (en) | 2000-02-23 | 2001-02-23 | Overheat protector for power mos transistor and recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP2000-45906 | 2000-02-23 | ||
| JP2000045906 | 2000-02-23 | ||
| JP2001048391A JP2001313364A (en) | 2000-02-23 | 2001-02-23 | Overheat protector for power mos transistor and recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001313364A true JP2001313364A (en) | 2001-11-09 |
Family
ID=26585907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001048391A Pending JP2001313364A (en) | 2000-02-23 | 2001-02-23 | Overheat protector for power mos transistor and recording medium |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001313364A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003204028A (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Toyota Motor Corp | Semiconductor module |
| US7173802B2 (en) | 2002-10-16 | 2007-02-06 | Anden Co., Ltd. | Temperature protection device for power devices |
| JP2007134485A (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Toyota Motor Corp | Electronic control unit for vehicle |
| JP2007328761A (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Giga-Byte Technology Co Ltd | Temperature control method and temperature control system for electronic component |
| KR100965953B1 (en) * | 2002-08-01 | 2010-06-24 | 소니 주식회사 | Multichip module and multichip module shutdown method |
| WO2014081028A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 矢崎総業株式会社 | Electronic control device |
| WO2016063495A1 (en) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | 株式会社デンソー | Temperature protection device |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048391A patent/JP2001313364A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003204028A (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Toyota Motor Corp | Semiconductor module |
| KR100965953B1 (en) * | 2002-08-01 | 2010-06-24 | 소니 주식회사 | Multichip module and multichip module shutdown method |
| US7173802B2 (en) | 2002-10-16 | 2007-02-06 | Anden Co., Ltd. | Temperature protection device for power devices |
| JP2007134485A (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Toyota Motor Corp | Electronic control unit for vehicle |
| JP4626492B2 (en) * | 2005-11-10 | 2011-02-09 | トヨタ自動車株式会社 | Electronic control device for vehicle |
| JP2007328761A (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Giga-Byte Technology Co Ltd | Temperature control method and temperature control system for electronic component |
| WO2014081028A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 矢崎総業株式会社 | Electronic control device |
| JP2014104795A (en) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Yazaki Corp | Electronic control device |
| WO2016063495A1 (en) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | 株式会社デンソー | Temperature protection device |
| JP2016086453A (en) * | 2014-10-22 | 2016-05-19 | 株式会社デンソー | Temperature protection device |
| US10389348B2 (en) | 2014-10-22 | 2019-08-20 | Denso Corporation | Temperature protection device |
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