JP2001308166A

JP2001308166A - 静電吸着装置及び真空処理装置

Info

Publication number: JP2001308166A
Application number: JP2000121952A
Authority: JP
Inventors: Ko Fuwa; 耕不破; Ken Maehira; 謙前平; Toshio Hayashi; 俊雄林; Junpei Yuyama; 純平湯山
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2000-04-24
Filing date: 2000-04-24
Publication date: 2001-11-02
Anticipated expiration: 2020-04-24
Also published as: JP4342691B2

Abstract

(57)【要約】【課題】静電吸着装置に関し、特に、絶縁性基板を静電
吸着可能な静電吸着装置の静電吸着力の向上に関する。【解決手段】本発明の静電吸着装置２１は基体２３とそ
の表面に形成された第１、第２の電極２７₁、２７₂を有
しており、第１、第２の電極２７₁、２７₂は、その厚み
が従来に比して薄い２μｍ以下になっている。第１、第
２の電極２７ ₁、２７₂の間に電圧を印加すると、互いに
対向する第１、第２の電極２７₁、２７₂の側面積が小さ
くなるので、各電極２７₁、２７₂の側面間に生じ、グラ
ディエント力に寄与しない電界が少なくなり、その分グ
ラディエント力に寄与する電界が大きくなるので、グラ
ディエント力が大きくなり、電極の厚みが比較的厚い従
来に比して静電吸着力が更に大きくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電吸着装置及び
真空処理装置に関し、特に、絶縁性基板を静電吸着する
ことが可能な静電吸着装置と、その静電吸着装置を備え
た真空処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７の符号１０１に、従来のスパッタリ
ング装置を示す。このスパッタリング装置１０１は、図
示しない真空排気系に接続された真空槽１０２を有し、
この真空槽１０２の上部に例えば金属からなるターゲッ
ト１０３が配設されている。

【０００３】このターゲット１０３は、真空槽１０２の
外部に設けられた直流電源１０４に接続され、この直流
電源１０４によって負電圧が印加されるように構成され
ている。

【０００４】一方、真空槽１０２の下部には、例えばガ
ラス基板等の絶縁性基板を吸着保持するための静電吸着
装置１２１が固定されている。静電吸着装置１２１の構
成を図８(ａ)、(ｂ)に示す。この静電吸着装置１２１
は、金属板１２４と、該金属板１２４上に配置された誘
電体層１２５を有している。この誘電体層１２５はＡｌ
₂Ｏ₃を主成分とするセラミックス製であり、その表面
に、導電性のカーボンからなる第１、第２の電極１２７
₁、１２７₂が、スクリーン印刷により形成されている。

【０００５】第１、第２の電極１２７₁、１２７₂の平面
図を同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極１２７₁、１２
７₂は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛
み合うように配置されている。同図(ａ)は同図(ｂ)のＸ
−Ｘ線断面図に相当する。第１、第２の電極１２７₁、
１２７₂の幅は４ｍｍ、電極間の間隔は１ｍｍとしてお
り、電極の厚みを２０μｍとしている。

【０００６】第１、第２の電極１２７₁、１２７₂はそれ
ぞれ真空槽１０２外に設けられた静電チャック電源１２
２に接続されており、その静電チャック電源１２２を駆
動すると、第１、第２の電極１２７₁、１２７₂の間に直
流電圧を印加することができるように構成されている。
第１、第２の電極１２７₁、１２７₂上には、第１、第２
の電極１２７₁、１２７₂と誘電体層１２５表面とを被覆
するように保護膜１３０が形成されている。

【０００７】このような構成を有するスパッタリング装
置１０１においては、まず、真空槽１０２を真空排気し
て予め真空状態にした状態で、真空槽１０２内に基板を
搬入する。そして、図示しない昇降機構によって基板を
静電吸着装置１２１上の所定の位置に載置する。静電吸
着装置１２１の表面に載置された状態の基板を図７の符
号１０５に示す。

【０００８】次に、静電チャック電源１２２を起動し、
第１、第２の電極１２７₁、１２７₂に対してそれぞれ正
負の電圧を印加する。一般に、不均一な電場Ｅ中に分極
率αの誘電体を置いたとき、その誘電体には、単位面積
当たり次式で表されるグラディエント力が働く。

【０００９】ｆ＝１／２・α・ｇｒａｄ(Ｅ²) 静電吸着装置１２１は、上述したように、第１、第２の
電極１２７₁、１２７₂がともに櫛状に成形され、その歯
の部分が互いに噛み合うように配置されており、互いに
隣接する第１、第２の電極１２７₁、１２７₂の間の距離
が非常に小さくなっている。その結果、誘電体からなる
基板がその表面に載置されたときに、上式のｇｒａｄ
(Ｅ²)が大きくなっている。

【００１０】基板１０５が、静電吸着装置１２１の表面
方向に上述したグラディエント力を受け、基板１０５の
裏面全面が静電吸着装置１２１表面に吸着される。図９
は、その状態を模式的に示した図である。図９において
符号Ｅは電場を示している。また、符号ｆは基板１０５
に働くグラディエント力の方向を示している。

【００１１】静電吸着装置１２１の内部には、図示しな
いヒータが設けられ、静電吸着装置１２１は予め所定温
度まで加熱されており、基板１０５が静電吸着装置１２
１の表面に静電吸着されると、基板１０５は加熱されて
昇温する。

【００１２】基板１０５が所定温度まで昇温されたら、
真空槽１０２内に例えばアルゴンガス等のスパッタリン
グガスを導入し、直流電源１０４を起動してターゲット
１０３に負電圧を印加すると、真空槽１０２内にプラズ
マが生成され、基板１０５の表面においてスパッタリン
グが行われる。

【００１３】そして、基板１０５の表面に所定の厚さの
薄膜が形成された後に直流電源１０４を停止させ、プラ
ズマを消滅させる。以上のようにして、スパッタリング
装置１０１で基板１０５の表面に薄膜を成膜することが
できる。

【００１４】しかしながら、上記従来の静電吸着装置に
おいては、さらに静電吸着力を大きくして、確実に基板
を静電吸着したいという要求があった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の要求に応じるために創作されたものであり、その目的
は、絶縁性基板用の静電吸着装置において、更に静電吸
着力を大きくする技術を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の発明者等は、更
に静電吸着力を大きくするために、研究した結果、第
１、第２の電極の厚みが静電吸着力に寄与することを発
見した。

【００１７】図５(ａ)に、従来の静電吸着装置１２１に
おいて互いに隣接する一組の第１、第２の電極１２
７₁、１２７₂を示している。第１、第２の電極１２
７₁、１２７₂間に電圧を印加すると、図５(ａ)に示すよ
うに、第１、第２の電極１２７₁、１２７₂の表面の間に
電界Ｅ₁が発生すると共に、第１、第２の電極１２７₁、
１２７₂の側面の間にも、電界Ｅ₂が発生する。

【００１８】このうち、第１、第２の電極１２７₁、１
２７₂の表面の間の電界Ｅ₁は、第１、第２の電極１２７
₁、１２７₂上に載置された基板内部を通過し、グラディ
エント力による静電吸着に寄与するが、互いに対向する
第１、第２の電極１２７₁、１２７₂の側面の間の電界Ｅ
₂は、基板内部を通過せずに、静電吸着力には寄与しな
い。

【００１９】そこで、第１、第２の電極を、従来に比し
て薄く形成した。薄く形成された第１、第２の電極を図
５(ｂ)の符号２７₁、２７₂に示す。従来の第１、第２の
電極１２７₁、１２７₂に誘起された電荷と同じ電荷量の
電荷が誘起されるような電圧を、薄く形成された第１、
第２の電極２７₁、２７₂に印加した場合には、互いに対
向する第１、第２の電極２７₁、２７₂の側面積は、従来
の第１、第２の電極１２７₁、１２７₂の側面積に比して
小さくなるので、第１、第２の電極２７₁、２７₂の側面
間に生じる電界Ｅ₂′は、従来の第１、第２の電極１２
７₁、１２７₂の側面間に生じる電界Ｅ₂に比して小さく
なり、その分、第１、第２の電極２７₁、２７₂の表面間
に生じる電界Ｅ₁′が従来の電界Ｅ₁に比して大きくな
る。第１、第２の電極２７₁、２７₂の表面間に生じる電
界Ｅ₁′は、上述したように静電吸着力に寄与するの
で、従来に比して静電吸着力が大きくなる。

【００２０】以上のように、第１、第２の電極を薄く形
成することにより、従来に比して、静電吸着力を大きく
することができることが確認された。特に、第１、第２
の電極の厚みを、従来の１０μｍ〜数百μｍ程度よりも
薄い２μｍ以下にすることで、顕著な効果を得ることが
できることが確認された。

【００２１】本発明は、かかる調査研究に基づいて創作
されたものであり、請求項１記載の発明は、基体と、前
記基体表面に互いに絶縁した状態で配置された第１、第
２の電極とを有する静電吸着装置であって、前記第１、
第２の電極は、その厚みが２μｍ以下に形成されたこと
を特徴とする。

【００２２】このように第１、第２の電極は、その厚み
が２μｍ以下に形成され、従来の第１、第２の電極に比
して薄く形成されているので、静電吸着力が従来に比し
て大きくなる。第１、第２の電極は、基体表面に電極材
料が全面形成された後、エッチング又はサンドブラスト
等の方法でパターニングされることで形成されており、
スクリーン印刷で電極を形成していた従来に比して、微
細なパターンで膜厚の薄い電極を容易に形成することが
できる。

【００２３】また、本発明において、請求項２に記載す
るように、請求項１記載の静電吸着装置であって、少な
くとも前記第１、第２の電極表面を被覆するように配置
された保護膜を有するように構成してもよい。この場合
には、第１、第２の電極が露出していないので、第１、
第２の電極が腐食しにくくなる。

【００２４】さらに、請求項３に記載するように、真空
排気可能な真空槽と、前記真空槽内に配置された静電吸
着装置とを有し、前記静電吸着装置表面に処理対象物を
載置した状態で、前記処理対象物を真空処理することが
できるように構成された真空処理装置であって、前記静
電吸着装置は、請求項１又は請求項２記載の静電吸着装
置であるように構成してもよい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１の符号１に、本発明の一
実施形態のスパッタリング装置を示す。このスパッタリ
ング装置１は、図示しない真空排気系に接続された真空
槽２を有し、この真空槽２の上部に例えば金属からなる
ターゲット３が配設されている。このターゲット３は、
真空槽２の外部に設けられた直流電源４に接続され、こ
の直流電源４によって負電圧に印加されるように構成さ
れている。

【００２６】一方、真空槽２の下部には、例えばガラス
基板等の絶縁性基板（処理対象物）を吸着保持するため
の静電吸着装置２１が固定されている。静電吸着装置２
１の構成を図２(ａ)、(ｂ)に示す。この静電吸着装置２
１は、金属板２４と、該金属板２４上に配置された誘電
体層２５からなる基体２３を有している。誘電体層２５
はＡｌ₂Ｏ₃を主成分とするセラミックス製であり、その
表面には、Ａｌから成る第１、第２の電極２７₁、２７₂
が形成されている。

【００２７】第１、第２の電極２７₁、２７₂の平面図を
同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極２７₁、２７₂は櫛状
に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うよう
に配置されている。同図(ａ)は同図(ｂ)のＡ−Ａ線断面
図に相当する。第１、第２の電極２７₁、２７₂の幅は４
ｍｍ、電極間の間隔は１ｍｍとしており、電極の厚みを
１．５μｍとしている。

【００２８】第１、第２の電極２７₁、２７₂はそれぞれ
真空槽２外に設けられた静電チャック電源２２に接続さ
れており、その静電チャック電源２２を駆動すると、第
１、第２の電極２７₁、２７₂の間に直流電圧を印加する
ことができるように構成されている。

【００２９】第１、第２の電極２７₁、２７₂上には、第
１、第２の電極２７₁、２７₂と誘電体層２５表面とを被
覆するように、シリコン窒化物からなる保護膜３０が形
成されている。

【００３０】かかる構成の静電吸着装置２１を製造する
には、まず、図３(ａ)に示すように金属板２４上に誘電
体層２５を形成して基体２３を形成した後、図３(ｂ)に
示すように、誘電体層２５の表面にスパッタリング法で
Ａｌ層２６を１．５μｍの厚さに形成する。

【００３１】次に、図３(ｃ)に示すようにＡｌ層２６の
表面全面にレジストを塗布してレジスト膜４１を形成し
た後、フォトマスク４２を用いてレジスト膜４１を露光
すると、フォトマスク４２に形成されたパターンに応じ
た潜像がレジスト膜４１に形成される。

【００３２】次いで、レジスト膜４１を現像すると、フ
ォトマスク４２に形成されたパターンに応じてレジスト
膜４１がパターニングされる。パターニングされたレジ
スト膜を図４(ｄ)の符号４３に示す。

【００３３】こうしてパターニングされたレジスト膜４
３をマスクにしてＡｌ層２６をドライエッチングにより
エッチング・除去すると、図４(ｅ)に示すように第１、
第２の電極２７₁、２７₂が形成される。この状態から図
４(ｆ)に示すようにパターニングされたレジスト膜４３
を除去すると、第１、第２の電極２７₁、２７₂が露出す
る。その後、図４(ｇ)に示すように、プラズマＣＶＤ法
で全面にシリコン窒化物を形成すると、第１、第２の電
極２７₁、２７₂及び誘電体層２５の表面を被覆する保護
膜３０が形成される。以上の工程を経て、図２(ａ)、
(ｂ)にその構造を示す静電吸着装置２１が完成する。

【００３４】従来では、スクリーン印刷でカーボンある
いはタングステン等の導電性電極材からなる第１、第２
の電極１２７₁、１２７₂を形成していたため、ごく微細
なパターンを形成することは困難であったが、本実施形
態の静電吸着装置２１では、第１、第２の電極２７₁、
２７₂をエッチングでパターニングしているため、極め
て微細なパターンでも容易に加工することができる。

【００３５】このような構成を有するスパッタリング装
置１においては、まず、真空槽２を真空排気して予め真
空状態にした状態で、真空槽２内に基板を搬入する。そ
して、図示しない昇降機構によって基板を静電吸着装置
２１上の所定の位置に載置する。静電吸着装置２１の表
面に載置された状態の基板を図２の符号５に示す。

【００３６】次に、静電チャック電源２２を起動し、第
１、第２の電極２７₁、２７₂に対してそれぞれ正負の電
圧を印加する。第１、第２の電極２７₁、２７₂は上述し
たようにともに櫛状に成形され、その歯の部分が互いに
噛み合うように配置されており、互いに隣接する第１、
第２の電極２７₁、２７₂間の距離が極く小さくなってい
る。その結果、誘電体からなる基板５がその表面に載置
されたときに、静電吸着装置２１の表面方向に、大きな
グラディエント力を受け、基板５の裏面全面が静電吸着
装置２１表面に吸着される。

【００３７】本実施形態では、第１、第２の電極２
７₁、２７₂を、従来の第１、第２の電極１２７₁、１２
７₂に比して薄く形成しており、その結果、隣接する第
１、第２の電極２７₁、２７₂の表面間に発生する電界で
あって、基板５に作用し、静電吸着力に寄与する電界の
成分が従来に比して増えるため、従来に比して更に静電
吸着力が大きくなる。従って、絶縁性基板を従来よりも
確実に静電吸着することができる。

【００３８】静電吸着装置２１の内部には、図示しない
ヒータが設けられ、静電吸着装置２１は予め所定温度ま
で加熱されており、基板５が静電吸着装置２１の表面に
静電吸着されると、基板５は加熱されて昇温する。

【００３９】基板５が所定温度まで昇温されたら、真空
槽２内に例えばアルゴンガス等のスパッタリングガスを
導入し、直流電源４を起動してターゲット３に負電圧を
印加すると、真空槽２内にプラズマが生成され、基板５
の表面においてスパッタリングが行われる。

【００４０】そして、基板５の表面に所定の厚さの薄膜
が形成された後に直流電源４を停止させ、プラズマを消
滅させる。以上の工程を経て、基板５の表面に薄膜を成
膜することができる。その後、静電チャック電源２２を
停止し、第１、第２の電極２７₁、２７₂への電圧印加を
停止して、基板５の静電吸着状態を解除した後に、基板
５を装置１外へ取り出す。

【００４１】なお、本実施形態では静電吸着装置２１を
図２(ａ)、(ｂ)に示す構造としているが、本発明の静電
吸着装置はかかる構造に限られるものではない。以下
で、ガラス等の絶縁性基板を静電吸着可能な静電吸着装
置について説明する。かかる静電吸着装置の第一例の吸
着装置３１の模式的な断面図を図６(ａ)に示す。この静
電吸着装置３１では、保護膜３０が設けられておらず、
第１、第２の電極２７₁、２７₂は誘電体層２５上に形成
されており、電極表面は誘電体層２５の表面よりも高く
なっている。

【００４２】この静電吸着装置３１では、第１、第２の
電極２７₁、２７₂上に保護膜が設けられておらず、第
１、第２の電極２７₁、２７₂が基板と密着するので、保
護膜が設けられている静電吸着装置に比して、更に静電
吸着力が大きくなる。

【００４３】同図(ｂ)〜(ｄ)に、第二例〜第四例の静電
吸着装置３２〜３４の断面図を示す。第二例〜第四例の
静電吸着装置３２〜３４は、各誘電体層２５の表面に、
金属板２４にまで達しないように凹部が形成されてお
り、それぞれの凹部には、第１、第２の電極２７₁、２
７₂が互いに絶縁された状態で配置されており、各第
１、第２の電極２７₁、２７₂の下端部は、各凹部の底面
上に配置されている。

【００４４】同図(ｂ)の第二例の静電吸着装置３２で
は、第１、第２の電極２７₁、２７₂の上端部は誘電体層
２５上から突き出されている。この第二例の静電吸着装
置３２では、その上に基板を配置すると、基板裏面は第
１、第２の電極２７₁、２７₂の上端部と接触すると共に
基板裏面と誘電体層２５との間には隙間が形成される。

【００４５】同図(ｃ)の第三例の静電吸着装置３３で
は、第１、第２の電極２７₁、２７₂の上端部は、誘電体
層２５の表面と同じ高さに形成されている。即ち、誘電
体層２５表面と第１、第２の電極２７₁、２７₂の上端部
は面一に形成されている。この静電吸着装置３３上に基
板を配置した場合、基板裏面は第１、第２の電極２
７₁、２７₂の上端部と誘電体層２５表面との両方に接触
する。

【００４６】これら第一例〜第三例の静電吸着装置３１
〜３３では、上述したように、ともに基板が配置された
状態で、基板裏面が第１、第２の電極２７₁、２７₂の先
端部分に接触するが、基板がガラス等の絶縁性基板であ
るため、基板を介して第１、第２の電極２７₁、２７₂は
短絡せずに、その間に電界が発生するので、基板を静電
吸着することができる。

【００４７】同図(ｄ)の第四例の静電吸着装置３４で
は、第１、第２の電極２７₁、２７₂の上端部は、誘電体
層２５の表面よりも低く形成されている。即ち、第１、
第２の電極２７₁、２７₂の上端部は凹部内の奥まった部
分に位置しており、第１、第２の電極２７₁、２７₂間に
は、誘電体層２５の表面部分で構成された突部２９が形
成されている。

【００４８】この静電吸着装置３４では、その表面に基
板を配置すると基板裏面は突部２９の上端部と接触する
が、第１、第２の電極２７₁、２７₂とは接触しないよう
になっている。

【００４９】従って、基板が比較的耐磨耗性の低い第
１、第２の電極２７₁、２７₂と接触しないため、第一例
〜第三例の静電吸着装置３１〜３３に比して、第１、第
２の電極２７₁、２７₂の寿命が長くなる。

【００５０】なお、本実施形態では第１、第２の電極２
７₁、２７₂の厚みを１．５μｍとしているが、本発明は
これに限らず、これらの厚みが２μｍ以下であればよ
く、例えば、１μｍでもよいし、０．５μｍでもよい。

【００５１】また、本実施形態では、第１、第２の電極
２７₁、２７₂を形成する際にドライエッチングでＡｌ層
２６をパターニングしているが、本発明はこれに限られ
るものではなく、ウエットエッチングで行ってもよい
し、またサンドブラストを行ってもよい。

【００５２】さらに、第１、第２の電極２７₁、２７₂の
電極材料としてＡｌを用いているが、本発明の電極材料
はこれに限られるものではなく、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ等の金
属でもよい。さらにまた、電極材料は金属に限られるも
のでもなく、例えば導電性カーボン材を用いてもよい。
この場合には、導電性カーボン材を熱ＣＶＤ法等で誘電
体層２５の表面全面に形成した後、サンドブラストでパ
ターニングすることにより、微細なパターンで膜厚の薄
い第１、第２の電極２７₁、２７₂を形成することもでき
る。

【００５３】また、保護膜３０として、シリコン窒化物
を用いているが、本発明はこれに限らず、例えば、Ａｌ
Ｎ、ＴａＮ、ＷＮ、ＧａＮ、ＢＮ、ＩｎＮ、ＳｉＡｌＯ
Ｎ等の窒化物を用いてもよいし、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、
Ｃｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＴｉＯ、ＺｎＯ等の酸化物を用い
てもよい。さらに又、ダイヤモンド、ＴｉＣ、ＴａＣ、
ＳｉＣなどの炭化物を用いてもよいし、ポリイミド、ポ
リ尿素、シリコーンゴムなどの有機重合体を用いてもよ
い。

【００５４】また、誘電体層２５の例として、Ａｌ₂Ｏ₃
を主成分とするとしているが、本発明はこれに限らず、
例えば、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＧａＮ、ＢＮ、Ｉｎ
Ｎ、ＳｉＡｌＯＮ等の窒化物を用いてもよいし、ＳｉＯ
₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＴｉＯ、ＺｎＯ等の
酸化物を用いてもよい。さらに又、ダイヤモンド、Ｔｉ
Ｃ、ＴａＣ、ＳｉＣなどの炭化物を用いてもよいし、ポ
リイミド、ポリ尿素、シリコーンゴムなどの有機重合体
を用いてもよい。

【００５５】

【発明の効果】絶縁性基板を静電吸着する際の静電吸着
力が従来に比して大きくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の真空処理装置の構成を説
明する図

【図２】(ａ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置の一
例を説明する断面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置の一例を説明
する平面図

【図３】(ａ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置の製
造工程を説明する断面図 (ｂ)：その続きの工程を説明する断面図 (ｃ)：その続きの工程を説明する断面図

【図４】(ｄ)：その続きの工程を説明する断面図 (ｅ)：その続きの工程を説明する断面図 (ｆ)：その続きの工程を説明する断面図 (ｇ)：その続きの工程を説明する断面図

【図５】(ａ)：第１、第２の電極の厚みが厚い場合にお
ける両電極間の電界分布を示す図 (ｂ)：第１、第２の電極の厚みが薄い場合における両電
極間の電界分布を示す図

【図６】(ａ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置の
第一例を説明する断面図 (ｂ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置の第二例を
説明する断面図 (ｃ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置の第三例を
説明する断面図 (ｄ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置の第四例を
説明する断面図

【図７】従来の真空処理装置を説明する断面図

【図８】(ａ)：従来の静電吸着装置の一例を説明する断
面図 (ｂ)：従来の静電吸着装置の一例を説明する平面図

【図９】絶縁性基板が静電吸着された状態を示す図

【符号の説明】

１……スパッタリング装置(真空処理装置) ５……基
板(処理対象物) ２３……基体２７₁……第１の
電極２７₂……第２の電極３０……保護膜

フロントページの続き (72)発明者林俊雄神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内 (72)発明者湯山純平神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA09 CA05 DA02 DC34 JA01 5F031 CA05 HA03 HA08 HA17 HA18 MA29 NA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体と、前記基体表面に互いに絶縁した状態で配置された第１、
第２の電極とを有する静電吸着装置であって、前記第１、第２の電極は、その厚みが２μｍ以下に形成
されたことを特徴とする静電吸着装置。
【請求項２】請求項１記載の静電吸着装置であって、少
なくとも前記第１、第２の電極表面を被覆するように配
置された保護膜を有することを特徴とする静電吸着装
置。
【請求項３】真空排気可能な真空槽と、前記真空槽内に
配置された静電吸着装置とを有し、前記静電吸着装置表
面に処理対象物を載置した状態で、前記処理対象物を真
空処理することができるように構成された真空処理装置
であって、前記静電吸着装置は、請求項１又は請求項２記載の静電
吸着装置であることを特徴とする真空処理装置。