JP2001307874A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JP2001307874A JP2001307874A JP2000123669A JP2000123669A JP2001307874A JP 2001307874 A JP2001307874 A JP 2001307874A JP 2000123669 A JP2000123669 A JP 2000123669A JP 2000123669 A JP2000123669 A JP 2000123669A JP 2001307874 A JP2001307874 A JP 2001307874A
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- cathode terminal
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電背面電極が断線する虞が少ない電界発光素
子を提供する。 【解決手段】 有機EL素子10は、基板11,積層体
12,封止部材13を有している。積層体12は、透明
電極14,絶縁層15,有機層16,背面電極17から
なるものである。透明電極14は陰極端子部14dを有
している。絶縁層15は、陰極端子部14dに一部重な
るように形成されている。
子を提供する。 【解決手段】 有機EL素子10は、基板11,積層体
12,封止部材13を有している。積層体12は、透明
電極14,絶縁層15,有機層16,背面電極17から
なるものである。透明電極14は陰極端子部14dを有
している。絶縁層15は、陰極端子部14dに一部重な
るように形成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光素子(E
L素子)に関するものである。
L素子)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、図6に示す有機電界発光素子
1(以下、有機EL素子と記す)がある。有機EL素子
1は、ガラス基板2に積層体3を蒸着法で形成したもの
であり、この積層体3は透明電極4,絶縁層5,有機層
6,背面電極7を有する。有機層6は正孔注入層,正孔
輸送層,発光層及び電子輸送層からなるものであり、透
明電極4と背面電極7に挟まれている。積層体3は封止
ガラス8に覆われており、この封止ガラス8はガラス基
板2に接着剤により接着されている。透明電極4は、陽
極端子部4aと陰極端子部4bとを有しており、陰極端
子部4bの一端が背面電極7に導通されるように形成さ
れている。そして、電源9を陽極端子部4aと陰極端子
部4bに接続すれば発光層が発光し、発光セグメントS
が光輝する。
1(以下、有機EL素子と記す)がある。有機EL素子
1は、ガラス基板2に積層体3を蒸着法で形成したもの
であり、この積層体3は透明電極4,絶縁層5,有機層
6,背面電極7を有する。有機層6は正孔注入層,正孔
輸送層,発光層及び電子輸送層からなるものであり、透
明電極4と背面電極7に挟まれている。積層体3は封止
ガラス8に覆われており、この封止ガラス8はガラス基
板2に接着剤により接着されている。透明電極4は、陽
極端子部4aと陰極端子部4bとを有しており、陰極端
子部4bの一端が背面電極7に導通されるように形成さ
れている。そして、電源9を陽極端子部4aと陰極端子
部4bに接続すれば発光層が発光し、発光セグメントS
が光輝する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】背面電極7は全面的に
均一な厚さで形成されることが望ましい。しかしなが
ら、絶縁層5上の背面電極7と、ガラス基板2上の背面
電極7が、段差H1がある絶縁層5の周縁部5aで繋が
っているため、背面電極7が絶縁層5の周縁部5a近傍
で途切れやすいという問題を有していた。この問題は、
絶縁層5の周縁部5a近傍ではガラス基板2との段差H
1が大きいため、蒸着法で背面電極7を形成する場合、
背面電極材料(アルミニウム等)が付着しにくいためで
あると推測される。背面電極7が断線すると、陽極端子
部4aと陰極端子部4bに電源9を接続しても発光セグ
メントSが光輝しないため、その有機EL素子1は不良
品となる。そのため、歩留りが低下するという問題を有
していた。本発明は、この問題に鑑みなされたものであ
り、背面電極が断線する虞が少ない電界発光素子を提供
するものである。
均一な厚さで形成されることが望ましい。しかしなが
ら、絶縁層5上の背面電極7と、ガラス基板2上の背面
電極7が、段差H1がある絶縁層5の周縁部5aで繋が
っているため、背面電極7が絶縁層5の周縁部5a近傍
で途切れやすいという問題を有していた。この問題は、
絶縁層5の周縁部5a近傍ではガラス基板2との段差H
1が大きいため、蒸着法で背面電極7を形成する場合、
背面電極材料(アルミニウム等)が付着しにくいためで
あると推測される。背面電極7が断線すると、陽極端子
部4aと陰極端子部4bに電源9を接続しても発光セグ
メントSが光輝しないため、その有機EL素子1は不良
品となる。そのため、歩留りが低下するという問題を有
していた。本発明は、この問題に鑑みなされたものであ
り、背面電極が断線する虞が少ない電界発光素子を提供
するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、少なくとも透明電極と絶縁層と発光層と背
面電極とを有する積層体を基板に積層した電界発光素子
であって、前記絶縁層は、前記透明電極の陰極端子部に
一部重なるように形成されているものである。
決するため、少なくとも透明電極と絶縁層と発光層と背
面電極とを有する積層体を基板に積層した電界発光素子
であって、前記絶縁層は、前記透明電極の陰極端子部に
一部重なるように形成されているものである。
【0005】また、本発明は、少なくとも透明電極と絶
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記絶縁層は、前記透明電
極の陰極端子部と、前記背面電極が対向する領域の一部
にコンタクトホールを有するものである。
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記絶縁層は、前記透明電
極の陰極端子部と、前記背面電極が対向する領域の一部
にコンタクトホールを有するものである。
【0006】また、本発明は、少なくとも透明電極と絶
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記透明電極は、リード部
と、前記リード部の一端と連なる表示セグメント部と、
前記リード部の他端と連なる陽極端子部と、陰極端子部
と、を有し、前記絶縁層は、前記陰極端子部と前記背面
電極が対向する領域の一部にコンタクトホールを有する
ものである。
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記透明電極は、リード部
と、前記リード部の一端と連なる表示セグメント部と、
前記リード部の他端と連なる陽極端子部と、陰極端子部
と、を有し、前記絶縁層は、前記陰極端子部と前記背面
電極が対向する領域の一部にコンタクトホールを有する
ものである。
【0007】また、本発明は、前記絶縁層は、複数の前
記コンタクトホールを有するものである。
記コンタクトホールを有するものである。
【0008】また、本発明は、前記積層体を覆う凹部を
有し前記基板に接着される封止部材と、を有するもので
ある。
有し前記基板に接着される封止部材と、を有するもので
ある。
【0009】
【発明の実施の形態】有機EL素子10は、基板11,
積層体12,封止部材13を有している。積層体12
は、透明電極14,絶縁層15,有機層16,背面電極
17からなるものである。透明電極14は、リード部1
4a,表示セグメント部14b,陽極端子部14c及び
陰極端子部14d,14eを有している。絶縁層15
は、陰極端子部14d,14eに一部重なるように形成
されている。絶縁層15には、透明電極14の表示セグ
メント部14bに対応する箇所に開口部15aが設けら
れている。また、絶縁層15には、陰極端子部14d,
14eと背面電極17が対向する領域の一部にコンタク
トホール15b,15cが設けられており、このコンタ
クトホール15b,15cで背面電極17が陰極端子部
14d,14eと導通される。
積層体12,封止部材13を有している。積層体12
は、透明電極14,絶縁層15,有機層16,背面電極
17からなるものである。透明電極14は、リード部1
4a,表示セグメント部14b,陽極端子部14c及び
陰極端子部14d,14eを有している。絶縁層15
は、陰極端子部14d,14eに一部重なるように形成
されている。絶縁層15には、透明電極14の表示セグ
メント部14bに対応する箇所に開口部15aが設けら
れている。また、絶縁層15には、陰極端子部14d,
14eと背面電極17が対向する領域の一部にコンタク
トホール15b,15cが設けられており、このコンタ
クトホール15b,15cで背面電極17が陰極端子部
14d,14eと導通される。
【0010】
【実施例】以下、添付の図面に基いて、本発明の一実施
例を説明する。図1乃至図4は第一実施例を示す図であ
る。有機EL素子10は、ガラス基板11(基板),積
層体12,封止ガラス13(封止部材)を有している。
積層体12は、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透
明電極14,ポリイミド系のレジストからなる絶縁層1
5,有機層16,アルミニウム等の金属からなる背面電
極17からなるものであり、ガラス基板11の後面に蒸
着法により積層形成されている。有機層16は少なくと
も発光層16aを有するものであるが、有機層16に正
孔注入層16b,正孔輸送層16c及び電子輸送層16
dを設けても良い(図2参照)。
例を説明する。図1乃至図4は第一実施例を示す図であ
る。有機EL素子10は、ガラス基板11(基板),積
層体12,封止ガラス13(封止部材)を有している。
積層体12は、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透
明電極14,ポリイミド系のレジストからなる絶縁層1
5,有機層16,アルミニウム等の金属からなる背面電
極17からなるものであり、ガラス基板11の後面に蒸
着法により積層形成されている。有機層16は少なくと
も発光層16aを有するものであるが、有機層16に正
孔注入層16b,正孔輸送層16c及び電子輸送層16
dを設けても良い(図2参照)。
【0011】図4に示すように、透明電極14は、リー
ド部14aと、リード部14aの一端と連なる表示セグ
メント部14bと、リード部14aの他端と連なる陽極
端子部14cと、陰極端子部14dとを有している。表
示セグメント部14bは日字形に配設されており、この
表示セグメント部14bに各々リード部14aが連設さ
れている。リード部14aはガラス基板11の一辺側に
引き回されており、陽極端子部14cが連設されてい
る。陽極端子部14c及び陰極端子部14dはガラス基
板11の一辺側に列状に配置されている。
ド部14aと、リード部14aの一端と連なる表示セグ
メント部14bと、リード部14aの他端と連なる陽極
端子部14cと、陰極端子部14dとを有している。表
示セグメント部14bは日字形に配設されており、この
表示セグメント部14bに各々リード部14aが連設さ
れている。リード部14aはガラス基板11の一辺側に
引き回されており、陽極端子部14cが連設されてい
る。陽極端子部14c及び陰極端子部14dはガラス基
板11の一辺側に列状に配置されている。
【0012】透明電極14のリード部14a及び表示セ
グメント部14bは、絶縁層15により背面電極17と
絶縁されている。絶縁層15には、透明電極14の表示
セグメント部14bに対応する箇所に開口部15aが設
けられている。絶縁層15は、表示セグメント部14b
の周縁部と若干重なるように形成されており、発光セグ
メントSの輪郭は、絶縁層15の開口部15aで定めら
れている。つまり、発光セグメントSの形状は、開口部
15aの形状と同一である。絶縁層15は陰極端子部1
4dに一部重なるように形成されており、絶縁層15に
は矩形のコンタクトホール15bが設けられている。コ
ンタクトホール15bは陰極端子部14dに対応する箇
所に形成されており、このコンタクトホール15bで背
面電極17が陰極端子部14dと導通される。
グメント部14bは、絶縁層15により背面電極17と
絶縁されている。絶縁層15には、透明電極14の表示
セグメント部14bに対応する箇所に開口部15aが設
けられている。絶縁層15は、表示セグメント部14b
の周縁部と若干重なるように形成されており、発光セグ
メントSの輪郭は、絶縁層15の開口部15aで定めら
れている。つまり、発光セグメントSの形状は、開口部
15aの形状と同一である。絶縁層15は陰極端子部1
4dに一部重なるように形成されており、絶縁層15に
は矩形のコンタクトホール15bが設けられている。コ
ンタクトホール15bは陰極端子部14dに対応する箇
所に形成されており、このコンタクトホール15bで背
面電極17が陰極端子部14dと導通される。
【0013】18は紫外線硬化型の接着剤であり、この
接着剤18によりガラス基板11の後面と封止ガラス1
3の接着面13aとが接着される。封止ガラス13には
積層体12を覆う凹部13bが形成されており、この凹
部13bを除く封止ガラス13の前面が接着面13aと
なっている。19は吸湿剤であり、この吸湿剤19は封
止ガラス13の注入口(図示しない)から注入され、凹
部13bに充填されている。
接着剤18によりガラス基板11の後面と封止ガラス1
3の接着面13aとが接着される。封止ガラス13には
積層体12を覆う凹部13bが形成されており、この凹
部13bを除く封止ガラス13の前面が接着面13aと
なっている。19は吸湿剤であり、この吸湿剤19は封
止ガラス13の注入口(図示しない)から注入され、凹
部13bに充填されている。
【0014】図5は第二実施例を示す図である。第二実
施例は、陰極端子部14e及びコンタクトホール15c
が第一実施例と違うだけで、他の構成は第一実施例と同
一であるので、図5には第一実施例と同一の箇所に同一
の符号を付し、その説明は省略する。絶縁層15は、透
明電極14の陰極端子部14eに対応する箇所に、コン
タクトホール15cが設けられている。コンタクトホー
ル15cは、1個の陰極端子部14eに対して2個ずつ
形成されている。
施例は、陰極端子部14e及びコンタクトホール15c
が第一実施例と違うだけで、他の構成は第一実施例と同
一であるので、図5には第一実施例と同一の箇所に同一
の符号を付し、その説明は省略する。絶縁層15は、透
明電極14の陰極端子部14eに対応する箇所に、コン
タクトホール15cが設けられている。コンタクトホー
ル15cは、1個の陰極端子部14eに対して2個ずつ
形成されている。
【0015】以上説明した各実施例によれば、絶縁層1
5を陰極端子部14d,14eに一部重なるように形成
したことで段差H2が小さくなり、背面電極17が断線
する虞が少なくなる。また、コンタクトホール15b,
15cで背面電極17と陰極端子部14d,14eを接
触させることにより、絶縁層15上の背面電極17と、
陰極端子部14d,14e上の背面電極17が、矩形の
コンタクトホール15b,15cの4辺全周で繋がるた
め信頼性が増して、歩留りの向上が期待できる。更に、
第二実施例のように、複数のコンタクトホール15cを
設けることで更に信頼性が向上する。
5を陰極端子部14d,14eに一部重なるように形成
したことで段差H2が小さくなり、背面電極17が断線
する虞が少なくなる。また、コンタクトホール15b,
15cで背面電極17と陰極端子部14d,14eを接
触させることにより、絶縁層15上の背面電極17と、
陰極端子部14d,14e上の背面電極17が、矩形の
コンタクトホール15b,15cの4辺全周で繋がるた
め信頼性が増して、歩留りの向上が期待できる。更に、
第二実施例のように、複数のコンタクトホール15cを
設けることで更に信頼性が向上する。
【0016】なお、各実施例は、日字形に配設された発
光セグメントSが光輝する電界発光表示素子であった
が、例えば、液晶表示素子のバックライトとして利用で
きるような略全面が光輝する電界発光照明素子であって
も良い。
光セグメントSが光輝する電界発光表示素子であった
が、例えば、液晶表示素子のバックライトとして利用で
きるような略全面が光輝する電界発光照明素子であって
も良い。
【0017】
【発明の効果】本発明は、少なくとも透明電極と絶縁層
と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層した
電界発光素子であって、前記絶縁層は、前記透明電極の
陰極端子部に一部重なるように形成されているものであ
り、背面電極と陰極端子部の導通信頼性が向上して、歩
留りの向上が期待できる。
と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層した
電界発光素子であって、前記絶縁層は、前記透明電極の
陰極端子部に一部重なるように形成されているものであ
り、背面電極と陰極端子部の導通信頼性が向上して、歩
留りの向上が期待できる。
【0018】また、本発明は、少なくとも透明電極と絶
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記絶縁層は、前記透明電
極の陰極端子部と、前記背面電極が対向する領域の一部
にコンタクトホールを有するものであり、背面電極と陰
極端子部の導通信頼性が向上して、歩留りの向上が期待
できる。
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記絶縁層は、前記透明電
極の陰極端子部と、前記背面電極が対向する領域の一部
にコンタクトホールを有するものであり、背面電極と陰
極端子部の導通信頼性が向上して、歩留りの向上が期待
できる。
【0019】また、本発明は、少なくとも透明電極と絶
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記透明電極は、リード部
と、前記リード部の一端と連なる表示セグメント部と、
前記リード部の他端と連なる陽極端子部と、陰極端子部
と、を有し、前記絶縁層は、前記陰極端子部と前記背面
電極が対向する領域の一部にコンタクトホールを有する
ものであり、背面電極と陰極端子部の導通信頼性が向上
して、歩留りの向上が期待できる。
縁層と発光層と背面電極とを有する積層体を基板に積層
した電界発光素子であって、前記透明電極は、リード部
と、前記リード部の一端と連なる表示セグメント部と、
前記リード部の他端と連なる陽極端子部と、陰極端子部
と、を有し、前記絶縁層は、前記陰極端子部と前記背面
電極が対向する領域の一部にコンタクトホールを有する
ものであり、背面電極と陰極端子部の導通信頼性が向上
して、歩留りの向上が期待できる。
【0020】また、本発明は、前記絶縁層は、複数の前
記コンタクトホールを有するものであり、更に歩留りの
向上が期待できる。
記コンタクトホールを有するものであり、更に歩留りの
向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一実施例を示す要部断面図。
【図2】 同上実施例を示す有機層の拡大断面図。
【図3】 同上実施例を示す正面図。
【図4】 同上実施例を示す分解斜視図。
【図5】 本発明の第二実施例を示す分解斜視図。
【図6】 従来例を示す断面図。
10 有機EL素子(電界発光素子) 11 ガラス基板(基板) 12 積層体 13 封止ガラス(封止部材) 14 透明電極 14d 陰極端子部 14e 陰極端子部 15 絶縁層 15b コンタクトホール 15c コンタクトホール 16 有機層 16a 発光層 17 背面電極
Claims (5)
- 【請求項1】 少なくとも透明電極と絶縁層と発光層と
背面電極とを有する積層体を基板に積層した電界発光素
子であって、 前記絶縁層は、前記透明電極の陰極端子部に一部重なる
ように形成されていることを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項2】 少なくとも透明電極と絶縁層と発光層と
背面電極とを有する積層体を基板に積層した電界発光素
子であって、 前記絶縁層は、前記透明電極の陰極端子部と、前記背面
電極が対向する領域の一部にコンタクトホールを有する
ことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項3】 少なくとも透明電極と絶縁層と発光層と
背面電極とを有する積層体を基板に積層した電界発光素
子であって、 前記透明電極は、リード部と、前記リード部の一端と連
なる表示セグメント部と、前記リード部の他端と連なる
陽極端子部と、陰極端子部と、を有し、 前記絶縁層は、前記陰極端子部と前記背面電極が対向す
る領域の一部にコンタクトホールを有することを特徴と
する電界発光素子。 - 【請求項4】 請求項2または請求項3に記載の電界発
光素子において、前記絶縁層は、複数の前記コンタクト
ホールを有することを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4の何れかに記載の
電界発光素子において、前記積層体を覆う凹部を有し前
記基板に接着される封止部材と、を有することを特徴と
する電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000123669A JP2001307874A (ja) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000123669A JP2001307874A (ja) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | 電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001307874A true JP2001307874A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18633916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000123669A Abandoned JP2001307874A (ja) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001307874A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721844B1 (ko) | 2005-06-09 | 2007-05-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치와 그 제조 방법, 및 화상 형성 장치 |
JP2007335099A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Fujikura Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2012094527A (ja) * | 2011-12-13 | 2012-05-17 | Pentax Ricoh Imaging Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP2016040777A (ja) * | 2004-09-17 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
-
2000
- 2000-04-19 JP JP2000123669A patent/JP2001307874A/ja not_active Abandoned
Cited By (7)
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