JP2001307851A - 半導体装置のテストソケット - Google Patents
半導体装置のテストソケットInfo
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
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- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波特性の評価が良好に行え、クリーニン
グに手間が掛からずメンテナンス性が良好で扱い易い半
導体装置のテストソケットを提供する。 【解決手段】 IC22のパッケージ24から突出する
外部端子25とテストボード23のコンタクトパッド2
6との間に介在させて両者の対応するもの同士を導通さ
せるコンタクト部材30を有してなる半導体装置のテス
トソケットにおいて、コンタクト部材30が、外部端子
25に凹部32の円錐面で接触する金属製接触部材29
と、コンタクトパッド26に接触する絶縁基材27の上
下面に上接触部28a、下接触部28bが突出するよう
取着された導電性を有する弾性接触体28とを、テスト
時には弾性接触体28を弾性変形させながら互いに圧接
するよう着脱可能に有している。
グに手間が掛からずメンテナンス性が良好で扱い易い半
導体装置のテストソケットを提供する。 【解決手段】 IC22のパッケージ24から突出する
外部端子25とテストボード23のコンタクトパッド2
6との間に介在させて両者の対応するもの同士を導通さ
せるコンタクト部材30を有してなる半導体装置のテス
トソケットにおいて、コンタクト部材30が、外部端子
25に凹部32の円錐面で接触する金属製接触部材29
と、コンタクトパッド26に接触する絶縁基材27の上
下面に上接触部28a、下接触部28bが突出するよう
取着された導電性を有する弾性接触体28とを、テスト
時には弾性接触体28を弾性変形させながら互いに圧接
するよう着脱可能に有している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパッケージ
下面から突出するボール状の外部端子を備えた半導体パ
ッケージとテスト装置を接続する際に用いる半導体装置
のテストソケットに関する。
下面から突出するボール状の外部端子を備えた半導体パ
ッケージとテスト装置を接続する際に用いる半導体装置
のテストソケットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術を図9乃至図11を参照して説
明する。
明する。
【0003】先ず、第1の従来技術を図9により説明す
る。図9は基本構成を示す断面図であり、図9におい
て、1は、例えばFBGA(Flatpackage
BALL Grid Array)のIC(集積回路)
2等の特性評価テストを行うために用いるスプリングプ
ローブピン方式のテストソケットのコンタクト部材であ
り、多数のコンタクト部材1を、図示しないピンサポー
ト部材によってIC2のパッケージ下面に、突出するボ
ール状に形成された半田でなる外部端子3に対応するよ
う保持させることによってテストソケットは構成され
る。そして、テストソケットをIC2とテスト装置のテ
ストボード4の間に配置し、IC2の外部端子3と対応
するテストボード4のコンタクトパッド5とを導通する
よう接続することで、直流特性評価や高周波特性、高速
特性等の交流特性評価がなされる。
る。図9は基本構成を示す断面図であり、図9におい
て、1は、例えばFBGA(Flatpackage
BALL Grid Array)のIC(集積回路)
2等の特性評価テストを行うために用いるスプリングプ
ローブピン方式のテストソケットのコンタクト部材であ
り、多数のコンタクト部材1を、図示しないピンサポー
ト部材によってIC2のパッケージ下面に、突出するボ
ール状に形成された半田でなる外部端子3に対応するよ
う保持させることによってテストソケットは構成され
る。そして、テストソケットをIC2とテスト装置のテ
ストボード4の間に配置し、IC2の外部端子3と対応
するテストボード4のコンタクトパッド5とを導通する
よう接続することで、直流特性評価や高周波特性、高速
特性等の交流特性評価がなされる。
【0004】またコンタクト部材1は、上端が閉塞され
た金属製の円筒状ケース6と、このケース6内に収納さ
れ軸方向に付勢力を発生する圧縮スプリング7と、ケー
ス6の下端開口から外方に接触端部8が延出する共に、
スプリング7によって付勢されるようにして進退可能に
ケース6内に設けられた金属製のプランジャ9を備えて
構成されており、さらにケース6の上端には円錐状凹部
10が形成されている。そして、IC2の特性評価のテ
ストは、IC2の下面の外部端子3をテストソケットに
設けられたコンタクト部材1の上端の円錐状凹部10に
圧接させ、同時に下方に延出するプランジャ9の接触端
部8をテスト装置のテストボード4のコンタクトパッド
5に圧接させるようにして行われる。
た金属製の円筒状ケース6と、このケース6内に収納さ
れ軸方向に付勢力を発生する圧縮スプリング7と、ケー
ス6の下端開口から外方に接触端部8が延出する共に、
スプリング7によって付勢されるようにして進退可能に
ケース6内に設けられた金属製のプランジャ9を備えて
構成されており、さらにケース6の上端には円錐状凹部
10が形成されている。そして、IC2の特性評価のテ
ストは、IC2の下面の外部端子3をテストソケットに
設けられたコンタクト部材1の上端の円錐状凹部10に
圧接させ、同時に下方に延出するプランジャ9の接触端
部8をテスト装置のテストボード4のコンタクトパッド
5に圧接させるようにして行われる。
【0005】しかし、このようなスプリングプローブピ
ン方式のテストソケットのコンタクト部材1では、ケー
ス6内に収納したスプリング7によりプランジャ9を付
勢し、円錐状凹部10と接触端部8をそれぞれ対応する
外部端子3とコンタクトパッド5に圧接させて両者を導
通するように接続するものであるため、例えば3〜5m
m程度の線路長となり、インダクタンスも1nH〜1.
5nH程度のものとなってしまう。このため、数GHz
の高周波での特性を評価する際には、線路長をより短い
ものとしなければならないが、スプリングプローブピン
方式のテストソケットでは構造上短くすることが難し
く、不適当であるため、線路長が短く、インダクタンス
の低い高周波用のテストソケットを用いなければなら
ず、ソケット交換が必要となる。
ン方式のテストソケットのコンタクト部材1では、ケー
ス6内に収納したスプリング7によりプランジャ9を付
勢し、円錐状凹部10と接触端部8をそれぞれ対応する
外部端子3とコンタクトパッド5に圧接させて両者を導
通するように接続するものであるため、例えば3〜5m
m程度の線路長となり、インダクタンスも1nH〜1.
5nH程度のものとなってしまう。このため、数GHz
の高周波での特性を評価する際には、線路長をより短い
ものとしなければならないが、スプリングプローブピン
方式のテストソケットでは構造上短くすることが難し
く、不適当であるため、線路長が短く、インダクタンス
の低い高周波用のテストソケットを用いなければなら
ず、ソケット交換が必要となる。
【0006】次に、第2の従来技術を図10により説明
する。図10は基本構成を示す断面図であり、図10に
おいて、11は、同じくFBGAのIC2等の特性評価
テストを行うために用いるシート方式のテストソケット
のコンタクト部材である。このコンタクト部材11は、
シート状の絶縁基材12の全体に多数の金属ワイヤ13
を細かいピッチでシート面に対し傾斜するよう埋め込む
構成となっている。
する。図10は基本構成を示す断面図であり、図10に
おいて、11は、同じくFBGAのIC2等の特性評価
テストを行うために用いるシート方式のテストソケット
のコンタクト部材である。このコンタクト部材11は、
シート状の絶縁基材12の全体に多数の金属ワイヤ13
を細かいピッチでシート面に対し傾斜するよう埋め込む
構成となっている。
【0007】そして、直流特性評価や高周波特性、高速
特性等の交流特性評価を行う際には、テストソケットの
コンタクト部材11をIC2とテスト装置のテストボー
ド4の間に配置し、さらにIC2の外部端子3と対応す
るテストボード4のコンタクトパッド5とが、コンタク
ト部材11を間に介在させて相対する位置となるように
する。その後、外部端子3とコンタクトパッド5とをコ
ンタクト部材11に圧接する。これにより絶縁基材12
に斜めに埋め込まれている金属ワイヤ13のうち、外部
端子3に接触するものの一部がコンタクトパッド5にも
接触し、外部端子3とコンタクトパッド5とが導通す
る。
特性等の交流特性評価を行う際には、テストソケットの
コンタクト部材11をIC2とテスト装置のテストボー
ド4の間に配置し、さらにIC2の外部端子3と対応す
るテストボード4のコンタクトパッド5とが、コンタク
ト部材11を間に介在させて相対する位置となるように
する。その後、外部端子3とコンタクトパッド5とをコ
ンタクト部材11に圧接する。これにより絶縁基材12
に斜めに埋め込まれている金属ワイヤ13のうち、外部
端子3に接触するものの一部がコンタクトパッド5にも
接触し、外部端子3とコンタクトパッド5とが導通す
る。
【0008】このような構成のテストソケットのコンタ
クト部材11では、例えば絶縁基材12の厚さが約1m
mであると、斜めとなっている金属ワイヤ13の長さ、
すなわち線路長が約1.1mmと第1の従来技術のもの
に比べて短いものとなり、そのインダクタンスも0.2
nH以下程度と低いものとなる。この結果、数GHzの
高周波での特性の評価が可能となる。
クト部材11では、例えば絶縁基材12の厚さが約1m
mであると、斜めとなっている金属ワイヤ13の長さ、
すなわち線路長が約1.1mmと第1の従来技術のもの
に比べて短いものとなり、そのインダクタンスも0.2
nH以下程度と低いものとなる。この結果、数GHzの
高周波での特性の評価が可能となる。
【0009】しかし、こうしたテストソケットでは、I
C2の特性評価テストを多数回行っているうちに、IC
2の外部端子3が接触するコンタクト部材11の表面に
は、外部端子3の表面に付着している、例えば半田ダス
トやパッケージダスト等が付着し、さらにそのまま特性
評価テストを継続すると、付着したダスト等がそのまま
残留し堆積されて行って汚れが増していき、特性評価テ
ストに支障をきたしてしまうことになる。このため、コ
ンタクト回数が、例えば1500回程度となる毎にクリ
ーニングをする必要があり、クリーニングの頻度が高く
て手間が掛かるものとなっていた。
C2の特性評価テストを多数回行っているうちに、IC
2の外部端子3が接触するコンタクト部材11の表面に
は、外部端子3の表面に付着している、例えば半田ダス
トやパッケージダスト等が付着し、さらにそのまま特性
評価テストを継続すると、付着したダスト等がそのまま
残留し堆積されて行って汚れが増していき、特性評価テ
ストに支障をきたしてしまうことになる。このため、コ
ンタクト回数が、例えば1500回程度となる毎にクリ
ーニングをする必要があり、クリーニングの頻度が高く
て手間が掛かるものとなっていた。
【0010】一方、コスト面では、このようなテストソ
ケットはコンタクト部材11が金属ワイヤ13を絶縁基
材12の全面に規則正しく配置された形態となっている
ため、非常に高いものとなっていた。
ケットはコンタクト部材11が金属ワイヤ13を絶縁基
材12の全面に規則正しく配置された形態となっている
ため、非常に高いものとなっていた。
【0011】次に、第3の従来技術を図11により説明
する。図11は基本構成を示す断面図であり、図11に
おいて、14は、同じくFBGAのIC2等の特性評価
テストを行うために用いるシート方式のテストソケット
のコンタクト部材である。このコンタクト部材14は、
シート状の絶縁基材15にIC2のパッケージ下面の外
部端子3に対応する位置に多数の導電性を有する弾性接
触体16を保持させる構成で、弾性接触体16は絶縁基
材15を貫通すると共に絶縁基材15の表裏にそれぞれ
上接触部16aと下接触部16bとが突出するように形
成されている。
する。図11は基本構成を示す断面図であり、図11に
おいて、14は、同じくFBGAのIC2等の特性評価
テストを行うために用いるシート方式のテストソケット
のコンタクト部材である。このコンタクト部材14は、
シート状の絶縁基材15にIC2のパッケージ下面の外
部端子3に対応する位置に多数の導電性を有する弾性接
触体16を保持させる構成で、弾性接触体16は絶縁基
材15を貫通すると共に絶縁基材15の表裏にそれぞれ
上接触部16aと下接触部16bとが突出するように形
成されている。
【0012】そして、直流特性評価や高周波特性、高速
特性等の交流特性評価を行う際には、テストソケットの
コンタクト部材14をIC2とテスト装置のテストボー
ド4の間に、テストボード4のコンタクトパッド5の直
上に弾性接触体16の下接触部16bの接触面が位置す
るようにし、また弾性接触体16の上接触部16aの接
触面直上にIC2の対応する外部端子3が位置するよう
に配置する。その後、外部端子3をコンタクト部材14
に設けられた弾性接触体16の上接触部16aの接触面
に圧接し、さらに弾性接触体16の下接触部16bの接
触面をテストボード4のコンタクトパッド5の上面に圧
接する。これにより弾性接触体16を介して外部端子3
とコンタクトパッド5とが導通する。
特性等の交流特性評価を行う際には、テストソケットの
コンタクト部材14をIC2とテスト装置のテストボー
ド4の間に、テストボード4のコンタクトパッド5の直
上に弾性接触体16の下接触部16bの接触面が位置す
るようにし、また弾性接触体16の上接触部16aの接
触面直上にIC2の対応する外部端子3が位置するよう
に配置する。その後、外部端子3をコンタクト部材14
に設けられた弾性接触体16の上接触部16aの接触面
に圧接し、さらに弾性接触体16の下接触部16bの接
触面をテストボード4のコンタクトパッド5の上面に圧
接する。これにより弾性接触体16を介して外部端子3
とコンタクトパッド5とが導通する。
【0013】このような構成のテストソケットのコンタ
クト部材14では、例えば絶縁基材15に保持された弾
性接触体16の全高さ、すなわち線路長を約0.7mm
とすると、第2の従来技術のものよりもより短いものと
なり、そのインダクタンスも1.0nH程度と低いもの
となる。この結果、第2の従来技術のものよりさらに高
い高周波での特性の評価が可能となる。
クト部材14では、例えば絶縁基材15に保持された弾
性接触体16の全高さ、すなわち線路長を約0.7mm
とすると、第2の従来技術のものよりもより短いものと
なり、そのインダクタンスも1.0nH程度と低いもの
となる。この結果、第2の従来技術のものよりさらに高
い高周波での特性の評価が可能となる。
【0014】しかし、こうしたテストソケットでは、第
2の従来技術の場合と同様にIC2の特性評価テストを
多数回行っているうちに、IC2の外部端子3が接触す
るコンタクト部材14の弾性接触体16の表面には、外
部端子3の表面に付着している、例えば半田ダストやパ
ッケージダスト等が付着し、さらにそのまま特性評価テ
ストを継続すると、付着したダスト等がそのまま残留し
堆積されて行って汚れが増していき、特性評価テストに
支障をきたしてしまうことになる。このため、コンタク
ト回数が、例えば1500回程度となる毎にクリーニン
グをする必要があり、クリーニングの頻度が高くて手間
が掛かるものとなっていた。
2の従来技術の場合と同様にIC2の特性評価テストを
多数回行っているうちに、IC2の外部端子3が接触す
るコンタクト部材14の弾性接触体16の表面には、外
部端子3の表面に付着している、例えば半田ダストやパ
ッケージダスト等が付着し、さらにそのまま特性評価テ
ストを継続すると、付着したダスト等がそのまま残留し
堆積されて行って汚れが増していき、特性評価テストに
支障をきたしてしまうことになる。このため、コンタク
ト回数が、例えば1500回程度となる毎にクリーニン
グをする必要があり、クリーニングの頻度が高くて手間
が掛かるものとなっていた。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
高周波特性の評価が良好に行えると共に、クリーニング
に手間が掛からずメンテナンス性も良好で扱いの容易な
半導体装置のテストソケットを提供することにある。
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
高周波特性の評価が良好に行えると共に、クリーニング
に手間が掛からずメンテナンス性も良好で扱いの容易な
半導体装置のテストソケットを提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のテ
ストソケットは、半導体パッケージから突出する外部端
子と半導体テスト回路のコンタクトパッドとの間に介在
させて両者の対応するもの同士を導通させるコンタクト
部材を有してなる半導体装置のテストソケットにおい
て、コンタクト部材が、外部端子に接触する金属製接触
部材とコンタクトパッドに接触する導電性を有する弾性
接触体とを、テスト時には互いに圧接するよう有してな
ることを特徴とするものであり、さらに、弾性接触体の
圧接側端面が平坦面であると共に、弾性接触体の圧接端
面に圧接する接触部材の圧接部位が内方あるいは外方に
向けての凸面となっていることを特徴とするものであ
り、さらに、弾性接触体の圧接側端面が平坦面であると
共に、弾性接触体の圧接端面に圧接する接触部材の圧接
部位が平坦面となっていることを特徴とするものであ
り、さらに、接触部材が、弾性接触体に対して着脱可能
に設けられていることを特徴とするものであり、さら
に、接触部材は、外部端子との圧接部形状が凹状となっ
ていることを特徴とするものであり、さらに、弾性接触
体が、絶縁基材に所定ピッチで複数支持されていること
を特徴とするものであり、さらに、弾性接触体は、端部
が絶縁基材に該絶縁基材面から突出するように支持され
ていることを特徴とするものであり、さらに、弾性接触
体の圧接側端面が平坦面であると共に、接触部材が圧接
する側に弾性接触体に被せる凹所を有し、かつ該凹所の
前記弾性接触体が圧接する内底面が内方あるいは外方に
向けての凸面となっていることを特徴とするものであ
り、さらに、弾性接触体の圧接側端面が平坦面であると
共に、接触部材が圧接する側に弾性接触体に被せる凹所
を有し、かつ該凹所の前記弾性接触体が圧接する内底面
が平坦面となっていることを特徴とするものであり、さ
らに、接触部材と弾性接触体の少なくとも一方が、対応
する開孔を有する位置決め部材によって外部端子あるい
はコンタクトパッドに対する位置決めが行われているこ
とを特徴とするものである。
ストソケットは、半導体パッケージから突出する外部端
子と半導体テスト回路のコンタクトパッドとの間に介在
させて両者の対応するもの同士を導通させるコンタクト
部材を有してなる半導体装置のテストソケットにおい
て、コンタクト部材が、外部端子に接触する金属製接触
部材とコンタクトパッドに接触する導電性を有する弾性
接触体とを、テスト時には互いに圧接するよう有してな
ることを特徴とするものであり、さらに、弾性接触体の
圧接側端面が平坦面であると共に、弾性接触体の圧接端
面に圧接する接触部材の圧接部位が内方あるいは外方に
向けての凸面となっていることを特徴とするものであ
り、さらに、弾性接触体の圧接側端面が平坦面であると
共に、弾性接触体の圧接端面に圧接する接触部材の圧接
部位が平坦面となっていることを特徴とするものであ
り、さらに、接触部材が、弾性接触体に対して着脱可能
に設けられていることを特徴とするものであり、さら
に、接触部材は、外部端子との圧接部形状が凹状となっ
ていることを特徴とするものであり、さらに、弾性接触
体が、絶縁基材に所定ピッチで複数支持されていること
を特徴とするものであり、さらに、弾性接触体は、端部
が絶縁基材に該絶縁基材面から突出するように支持され
ていることを特徴とするものであり、さらに、弾性接触
体の圧接側端面が平坦面であると共に、接触部材が圧接
する側に弾性接触体に被せる凹所を有し、かつ該凹所の
前記弾性接触体が圧接する内底面が内方あるいは外方に
向けての凸面となっていることを特徴とするものであ
り、さらに、弾性接触体の圧接側端面が平坦面であると
共に、接触部材が圧接する側に弾性接触体に被せる凹所
を有し、かつ該凹所の前記弾性接触体が圧接する内底面
が平坦面となっていることを特徴とするものであり、さ
らに、接触部材と弾性接触体の少なくとも一方が、対応
する開孔を有する位置決め部材によって外部端子あるい
はコンタクトパッドに対する位置決めが行われているこ
とを特徴とするものである。
【0017】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【0018】先ず第1の実施形態を図1乃至図4により
説明する。図1は基本構成を示す断面図であり、図2は
要部の断面図であり、図3は変形形態の基本構成を示す
断面図であり、図4は変形形態の要部の断面図である。
説明する。図1は基本構成を示す断面図であり、図2は
要部の断面図であり、図3は変形形態の基本構成を示す
断面図であり、図4は変形形態の要部の断面図である。
【0019】図1乃至図4において、21は、例えばF
BGA(FlatpackageBALL Grid
Array)等のIC(集積回路)22の特性評価テス
トを行うために用いるテストソケットで、このテストソ
ケット21にIC22を取り付け、さらにテスト装置の
テストボード23に装着することによって特性評価のた
めのテストが行われる。テストするIC22には、パッ
ケージ24の下面にボール状半田でなる外部端子25が
所定ピッチで複数突出しており、またテスト装置のテス
トボード23には、IC22の外部端子25に対応する
表面に金めっきが施された銅材料でなるコンタクトパッ
ド26が、同じく所定ピッチで複数設けられている。
BGA(FlatpackageBALL Grid
Array)等のIC(集積回路)22の特性評価テス
トを行うために用いるテストソケットで、このテストソ
ケット21にIC22を取り付け、さらにテスト装置の
テストボード23に装着することによって特性評価のた
めのテストが行われる。テストするIC22には、パッ
ケージ24の下面にボール状半田でなる外部端子25が
所定ピッチで複数突出しており、またテスト装置のテス
トボード23には、IC22の外部端子25に対応する
表面に金めっきが施された銅材料でなるコンタクトパッ
ド26が、同じく所定ピッチで複数設けられている。
【0020】一方、テストソケット21は、シート状の
絶縁基材27に上下面から上接触部28aと下接触部2
8bが突出するよう取着された弾性接触体28と、弾性
接触体28の上接触部28aに被せるようにして着脱可
能に設けられた金属製のキャップ状接触部材29とを有
してなるコンタクト部材30を備えている。そして、こ
のコンタクト部材30をIC22の外部端子25とテス
トボード23のコンタクトパッド26の間に介在させる
ことで、両者の対応するもの同士を導通させる。
絶縁基材27に上下面から上接触部28aと下接触部2
8bが突出するよう取着された弾性接触体28と、弾性
接触体28の上接触部28aに被せるようにして着脱可
能に設けられた金属製のキャップ状接触部材29とを有
してなるコンタクト部材30を備えている。そして、こ
のコンタクト部材30をIC22の外部端子25とテス
トボード23のコンタクトパッド26の間に介在させる
ことで、両者の対応するもの同士を導通させる。
【0021】また、コンタクト部材30を構成する絶縁
基材27は、寸法変化が少なく耐熱性の高い、例えばポ
リイミド樹脂フィルム等でなるものであり、絶縁基材2
7には弾性接触体28を取着するための取着孔31が、
IC22の外部端子25の配置位置に対応する位置に形
成されている。
基材27は、寸法変化が少なく耐熱性の高い、例えばポ
リイミド樹脂フィルム等でなるものであり、絶縁基材2
7には弾性接触体28を取着するための取着孔31が、
IC22の外部端子25の配置位置に対応する位置に形
成されている。
【0022】さらに、弾性接触体28は、例えばカーボ
ンあるいは金属粉、金属フィラーなどが混入されて導電
性が付与されたシリコンゴム等の合成ゴムや天然ゴム、
あるいは柔軟性を有する合成樹脂などでなるものであ
る。そして両端側の上接触部28aと下接触部28bは
取着孔31より大径の円錐台形状をなしていると共に、
中間部28cが上接触部28a、下接触部28bより小
径の取着部位となっていて、この中間部28cを取着孔
31に挿入することによって弾性接触体28が絶縁基材
27に取着される。
ンあるいは金属粉、金属フィラーなどが混入されて導電
性が付与されたシリコンゴム等の合成ゴムや天然ゴム、
あるいは柔軟性を有する合成樹脂などでなるものであ
る。そして両端側の上接触部28aと下接触部28bは
取着孔31より大径の円錐台形状をなしていると共に、
中間部28cが上接触部28a、下接触部28bより小
径の取着部位となっていて、この中間部28cを取着孔
31に挿入することによって弾性接触体28が絶縁基材
27に取着される。
【0023】またさらに、キャップ状の接触部材29
は、例えば表面に金めっきが施されたベリリウム銅でな
るものであり、そのIC22側の端部は円錐形状の凹部
32となっていて、円錐面に外部端子25は接触して両
者が導通する。一方、テストボード23側には弾性接触
体28の上接触部28aよりも大径の凹所33が形成さ
れていて、その内底面は円錐形状の凹み34となってお
り、さらにテストボード23側の端部には外方に向けて
フランジ35が設けられている。そして接触部材29を
弾性接触体28の上接触部28aに被せることで、凹所
33の内底面の凹み34が持つ円錐面が上接触部28a
の端縁に接触し、テスト時に圧接すると、この端縁から
変形し始めて接触部材29と弾性接触体28とが圧接し
導通する。
は、例えば表面に金めっきが施されたベリリウム銅でな
るものであり、そのIC22側の端部は円錐形状の凹部
32となっていて、円錐面に外部端子25は接触して両
者が導通する。一方、テストボード23側には弾性接触
体28の上接触部28aよりも大径の凹所33が形成さ
れていて、その内底面は円錐形状の凹み34となってお
り、さらにテストボード23側の端部には外方に向けて
フランジ35が設けられている。そして接触部材29を
弾性接触体28の上接触部28aに被せることで、凹所
33の内底面の凹み34が持つ円錐面が上接触部28a
の端縁に接触し、テスト時に圧接すると、この端縁から
変形し始めて接触部材29と弾性接触体28とが圧接し
導通する。
【0024】テストソケット21は、またテストするに
際してコンタクト部材30を支持し位置決めするため
に、例えばガラスフィラー入りのエポキシ樹脂やPAI
(ポリアミドイミド)、PES(ポリエーテルサルフォ
ン)の合成樹脂材料等の絶縁材料で形成された所定厚
さ、所定硬さを有する上位置決め部材36と下位置決め
部材37を備えている。
際してコンタクト部材30を支持し位置決めするため
に、例えばガラスフィラー入りのエポキシ樹脂やPAI
(ポリアミドイミド)、PES(ポリエーテルサルフォ
ン)の合成樹脂材料等の絶縁材料で形成された所定厚
さ、所定硬さを有する上位置決め部材36と下位置決め
部材37を備えている。
【0025】上位置決め部材36は、絶縁基材27上に
載置されて接触部材29の位置決めをすると共にテスト
時にIC22を支持するもので、接触部材29が挿入さ
れる下部側に段差38を有する下部が大径となっている
上位置決め孔39が形成されている。上位置決め孔39
は接触部材29の左右方向の位置決めをなすものである
と共に、段差38によって接触部材29のフランジ35
を上方側から押さえ上方に抜け出ないようにしている。
載置されて接触部材29の位置決めをすると共にテスト
時にIC22を支持するもので、接触部材29が挿入さ
れる下部側に段差38を有する下部が大径となっている
上位置決め孔39が形成されている。上位置決め孔39
は接触部材29の左右方向の位置決めをなすものである
と共に、段差38によって接触部材29のフランジ35
を上方側から押さえ上方に抜け出ないようにしている。
【0026】そして、上位置決め部材36の厚さを、弾
性接触体28の上接触部28aの弾性変形範囲内で適正
に取ることにより、IC22を外部端子25が接触部材
29の凹部32の円錐面に圧接するよう押圧し、IC2
2のパッケージ24の下面が上位置決め部材36の上面
に当接するまで上接触部28aを変形させた時にも、圧
接力が所要の値となるようにしている。
性接触体28の上接触部28aの弾性変形範囲内で適正
に取ることにより、IC22を外部端子25が接触部材
29の凹部32の円錐面に圧接するよう押圧し、IC2
2のパッケージ24の下面が上位置決め部材36の上面
に当接するまで上接触部28aを変形させた時にも、圧
接力が所要の値となるようにしている。
【0027】一方、下位置決め部材37は、テストボー
ド23のコンタクトパッド26上に載置されて弾性接触
体28の位置決めをすると共にテスト時に絶縁基材27
とその上に載せられている上位置決め部材36やIC2
2を支持するもので、弾性接触体28の下接触部28b
が挿入される下位置決め孔40が形成されている。下位
置決め孔40は弾性接触体28の下接触部28bの左右
方向の位置決めをなすことで弾性接触体28が取着され
た絶縁基材27の左右方向の位置を規制するものであ
る。なお、下位置決め部材37の厚さについては、弾性
接触体28の下接触部28bの弾性変形範囲内で適正に
取ることにより、圧接力が所要の値となるようにしてい
る。
ド23のコンタクトパッド26上に載置されて弾性接触
体28の位置決めをすると共にテスト時に絶縁基材27
とその上に載せられている上位置決め部材36やIC2
2を支持するもので、弾性接触体28の下接触部28b
が挿入される下位置決め孔40が形成されている。下位
置決め孔40は弾性接触体28の下接触部28bの左右
方向の位置決めをなすことで弾性接触体28が取着され
た絶縁基材27の左右方向の位置を規制するものであ
る。なお、下位置決め部材37の厚さについては、弾性
接触体28の下接触部28bの弾性変形範囲内で適正に
取ることにより、圧接力が所要の値となるようにしてい
る。
【0028】このような構成のものでは、IC22の特
性評価テストを行う場合、絶縁基材27に取着された弾
性接触体28の各上接触部28aの上にそれぞれ接触部
材29が被せられたコンタクト部材30を、各下接触部
28bを対応する下位置決め孔40に挿し入れて下位置
決め部材37に組み合わせ、さらに各接触部材29を対
応する上位置決め孔39に挿し入れ、フランジ35に段
差38が載るように上位置決め部材36を絶縁基材27
上に載置してテストソケット21を構成する。
性評価テストを行う場合、絶縁基材27に取着された弾
性接触体28の各上接触部28aの上にそれぞれ接触部
材29が被せられたコンタクト部材30を、各下接触部
28bを対応する下位置決め孔40に挿し入れて下位置
決め部材37に組み合わせ、さらに各接触部材29を対
応する上位置決め孔39に挿し入れ、フランジ35に段
差38が載るように上位置決め部材36を絶縁基材27
上に載置してテストソケット21を構成する。
【0029】そして、IC22をテストソケット21
に、外部端子25が対応する上位置決め孔39内の各接
触部材29の凹部32に接触するようにセットする。続
いてテストソケット21をテスト装置のテストボード2
3上に載せ、テストソケット21にセットされたIC2
2をテスト装置の図示しない押圧機構によって押圧し、
IC22のパッケージ24の下面が上位置決め部材36
の上面に当接するまでの範囲で上接触部28aを変形さ
せると共に、絶縁基材27が下位置決め部材37の上面
に当接し、弾性接触体28の下接触部28bの高さが下
位置決め部材37の厚さとなるまでの範囲で弾性変形さ
せる。
に、外部端子25が対応する上位置決め孔39内の各接
触部材29の凹部32に接触するようにセットする。続
いてテストソケット21をテスト装置のテストボード2
3上に載せ、テストソケット21にセットされたIC2
2をテスト装置の図示しない押圧機構によって押圧し、
IC22のパッケージ24の下面が上位置決め部材36
の上面に当接するまでの範囲で上接触部28aを変形さ
せると共に、絶縁基材27が下位置決め部材37の上面
に当接し、弾性接触体28の下接触部28bの高さが下
位置決め部材37の厚さとなるまでの範囲で弾性変形さ
せる。
【0030】これにより下接触部28bの下面がテスト
ボード23のコンタクトパッド26に所定の圧接力で接
触し、IC22の外部端子25がテストボード23の対
応するコンタクトパッド26に導通する。また、こうし
た構成を取っているので、テストソケット21の線路長
は、例えば1mm以下となり、インダクタンスも0.5
nH以下とすることができる。
ボード23のコンタクトパッド26に所定の圧接力で接
触し、IC22の外部端子25がテストボード23の対
応するコンタクトパッド26に導通する。また、こうし
た構成を取っているので、テストソケット21の線路長
は、例えば1mm以下となり、インダクタンスも0.5
nH以下とすることができる。
【0031】以上、説明した通り、本実施形態によれば
テストソケット21の線路長を短くし、インダクタンス
も0.5nH未満の低いものとすることができるので、
数GHzの高周波での特性評価を十分に行うことがで
き、また、IC22のボール状の外部端子25には接触
部材29が、その凹部32の金属製の円錐面で長い接触
長をもって圧接し、接触抵抗の少ない状態で接触するこ
ととなる。
テストソケット21の線路長を短くし、インダクタンス
も0.5nH未満の低いものとすることができるので、
数GHzの高周波での特性評価を十分に行うことがで
き、また、IC22のボール状の外部端子25には接触
部材29が、その凹部32の金属製の円錐面で長い接触
長をもって圧接し、接触抵抗の少ない状態で接触するこ
ととなる。
【0032】さらに、外部端子25に対し接触部材29
は金属面接触となるので、外部端子25の表面に付着し
ている、例えば半田ダストやパッケージダスト等の影響
を受け難く、比較的良好な状態での特性評価テストを行
うことができる。また、このまま特性評価テストを継続
した場合においても、ダスト等がそのまま残留し堆積さ
れ、汚れが増して特性評価テストに支障をきたしてしま
うことがなく、クリーニングをする必要が非常に少なく
なり、手間が掛からないものとなる。
は金属面接触となるので、外部端子25の表面に付着し
ている、例えば半田ダストやパッケージダスト等の影響
を受け難く、比較的良好な状態での特性評価テストを行
うことができる。また、このまま特性評価テストを継続
した場合においても、ダスト等がそのまま残留し堆積さ
れ、汚れが増して特性評価テストに支障をきたしてしま
うことがなく、クリーニングをする必要が非常に少なく
なり、手間が掛からないものとなる。
【0033】なお、上記の実施形態では、外部端子25
と接触部材29の接触長が長くなるよう、接触部材29
のIC22側の端部を円錐形状の凹部32としたが、球
面等の曲面を有する凹部としてもよく、また端部を逆に
クラウン形状や剣山形状、ピン形状等の鋭角な先端を有
する凸部として外部端子25の表面を傷つけて確実に接
触させるようなものであってもよい。さらにまた、接触
部材29と弾性接触体28の圧接部分の形状を変え圧縮
特性が変化させて上接触部28aの接触部分でのストロ
ーク長が大きく取れるよう、接触部材29の凹所33の
内底面を円錐形状の凹み34としているが、これも球面
等の曲面を有する凹みとしてもよく、さらに円錐形状や
球面等の曲面を有する突起としてもよい。
と接触部材29の接触長が長くなるよう、接触部材29
のIC22側の端部を円錐形状の凹部32としたが、球
面等の曲面を有する凹部としてもよく、また端部を逆に
クラウン形状や剣山形状、ピン形状等の鋭角な先端を有
する凸部として外部端子25の表面を傷つけて確実に接
触させるようなものであってもよい。さらにまた、接触
部材29と弾性接触体28の圧接部分の形状を変え圧縮
特性が変化させて上接触部28aの接触部分でのストロ
ーク長が大きく取れるよう、接触部材29の凹所33の
内底面を円錐形状の凹み34としているが、これも球面
等の曲面を有する凹みとしてもよく、さらに円錐形状や
球面等の曲面を有する突起としてもよい。
【0034】また逆に、接触部材29と弾性接触体28
の上接触部28aの接触部分でのストローク長が短くな
るようにする場合には、図3及び図4に示す変形形態の
ようにすればよい。すなわち、テストソケット121の
コンタクト部材130は、接触部材129の凹所133
の内底面が平坦面となっている。こうした凹所133の
内底面に、弾性接触体28の上接触部28aの平坦な上
端面が接触することになり、同じ押圧力では上接触部2
8aの弾性変形する量は少なくなり、ストローク長を短
いものとすることができる。そして、このように形成さ
れた変形形態においても、上記の第1の実施形態と同様
の効果を得ることができる。
の上接触部28aの接触部分でのストローク長が短くな
るようにする場合には、図3及び図4に示す変形形態の
ようにすればよい。すなわち、テストソケット121の
コンタクト部材130は、接触部材129の凹所133
の内底面が平坦面となっている。こうした凹所133の
内底面に、弾性接触体28の上接触部28aの平坦な上
端面が接触することになり、同じ押圧力では上接触部2
8aの弾性変形する量は少なくなり、ストローク長を短
いものとすることができる。そして、このように形成さ
れた変形形態においても、上記の第1の実施形態と同様
の効果を得ることができる。
【0035】次に、第2の実施形態を図5乃至図8によ
り説明する。図5は基本構成を示す断面図であり、図6
は要部の断面図であり、図7は変形形態の基本構成を示
す断面図であり、図8は変形形態の要部の断面図であ
る。なお、第1の実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、第1の実施形態と異なる本実施形態
の構成について説明する。
り説明する。図5は基本構成を示す断面図であり、図6
は要部の断面図であり、図7は変形形態の基本構成を示
す断面図であり、図8は変形形態の要部の断面図であ
る。なお、第1の実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、第1の実施形態と異なる本実施形態
の構成について説明する。
【0036】図5乃至図8において、41はテストソケ
ットで、IC22を取り付けたテストソケット41をテ
スト装置のテストボード23に装着して特性評価のため
のテストが行われる。テストソケット41は、シート状
の弾性を有する絶縁基材42の上下面に上接触端面43
a、下接触端面43bが露出するよう弾性接触体43を
設けたものと、弾性接触体43の上接触端面43aに接
触し、かつ着脱可能に設けられた金属製の接触部材44
とを有してなるコンタクト部材45を備えている。そし
て、このコンタクト部材45をIC22の外部端子25
とテストボード23のコンタクトパッド26の間に介在
させることで、両者の対応するもの同士を導通させる。
ットで、IC22を取り付けたテストソケット41をテ
スト装置のテストボード23に装着して特性評価のため
のテストが行われる。テストソケット41は、シート状
の弾性を有する絶縁基材42の上下面に上接触端面43
a、下接触端面43bが露出するよう弾性接触体43を
設けたものと、弾性接触体43の上接触端面43aに接
触し、かつ着脱可能に設けられた金属製の接触部材44
とを有してなるコンタクト部材45を備えている。そし
て、このコンタクト部材45をIC22の外部端子25
とテストボード23のコンタクトパッド26の間に介在
させることで、両者の対応するもの同士を導通させる。
【0037】また、コンタクト部材45を構成する絶縁
基材42と弾性接触体43は、例えばシリコンゴム等の
合成ゴムや天然ゴム、あるいは柔軟性を有する合成樹脂
などでなり、弾性接触体43は、例えばカーボンあるい
は金属粉、金属フィラーなどが混入されて導電性が付与
された柱状のものとなっている。そして弾性接触体43
は、絶縁基材42の全面、あるいは要部のみのIC22
の外部端子25の配置位置に対応する位置に、絶縁基材
42に形成された取着孔46への固着、2重成形やイン
サート成形などによって一体化されており、こうした弾
性接触体43と絶縁基材42とによりゼブラコネクタが
構成されている。
基材42と弾性接触体43は、例えばシリコンゴム等の
合成ゴムや天然ゴム、あるいは柔軟性を有する合成樹脂
などでなり、弾性接触体43は、例えばカーボンあるい
は金属粉、金属フィラーなどが混入されて導電性が付与
された柱状のものとなっている。そして弾性接触体43
は、絶縁基材42の全面、あるいは要部のみのIC22
の外部端子25の配置位置に対応する位置に、絶縁基材
42に形成された取着孔46への固着、2重成形やイン
サート成形などによって一体化されており、こうした弾
性接触体43と絶縁基材42とによりゼブラコネクタが
構成されている。
【0038】また、接触部材44は、例えば表面に金め
っきが施されたベリリウム銅でなるものであり、そのI
C22側の端部は円錐形状の凹部32となっていて、円
錐面に外部端子25は接触して両者が導通する。一方、
テストボード23側には弾性接触体43の上接触端面4
3aに接触する略球面等の曲面を有する凸部47が形成
されており、さらに中間部には外方に向けてフランジ3
5が設けられている。そして接触部材44を弾性接触体
43の上接触端面43aに接触させ、テスト時に圧接す
ると、接触部材44の凸部47の先端部位が接触する部
分から変形し始めて接触部材44と弾性接触体43とが
圧接し導通する。
っきが施されたベリリウム銅でなるものであり、そのI
C22側の端部は円錐形状の凹部32となっていて、円
錐面に外部端子25は接触して両者が導通する。一方、
テストボード23側には弾性接触体43の上接触端面4
3aに接触する略球面等の曲面を有する凸部47が形成
されており、さらに中間部には外方に向けてフランジ3
5が設けられている。そして接触部材44を弾性接触体
43の上接触端面43aに接触させ、テスト時に圧接す
ると、接触部材44の凸部47の先端部位が接触する部
分から変形し始めて接触部材44と弾性接触体43とが
圧接し導通する。
【0039】テストソケット41は、またテストするに
際してコンタクト部材45を支持し位置決めするため
に、例えばガラスフィラー入りのエポキシ樹脂やPAI
(ポリアミドイミド)、PES(ポリエーテルサルフォ
ン)の合成樹脂材料等の絶縁材料で形成された所定厚
さ、所定硬さを有する位置決め部材48を備えている。
際してコンタクト部材45を支持し位置決めするため
に、例えばガラスフィラー入りのエポキシ樹脂やPAI
(ポリアミドイミド)、PES(ポリエーテルサルフォ
ン)の合成樹脂材料等の絶縁材料で形成された所定厚
さ、所定硬さを有する位置決め部材48を備えている。
【0040】そして位置決め部材48は、絶縁基材42
上に載置されて接触部材44の位置決めをすると共にテ
スト時にIC22を支持するもので、接触部材44が挿
し入れられる位置決め孔49が形成されている。位置決
め孔49は接触部材44の左右方向の位置決めをなすも
のであると共に、位置決め部材48の下面によって接触
部材44のフランジ35を上方側から押さえ上方に抜け
出ないようにしている。また、位置決め部材48は、接
触部材44の凹部32の円錐面に外部端子25が所定の
圧接力で圧接するようIC22を押圧した際の変形が、
弾性接触体43の弾性変形範囲内で適正な値となるよう
な厚さとなっている。
上に載置されて接触部材44の位置決めをすると共にテ
スト時にIC22を支持するもので、接触部材44が挿
し入れられる位置決め孔49が形成されている。位置決
め孔49は接触部材44の左右方向の位置決めをなすも
のであると共に、位置決め部材48の下面によって接触
部材44のフランジ35を上方側から押さえ上方に抜け
出ないようにしている。また、位置決め部材48は、接
触部材44の凹部32の円錐面に外部端子25が所定の
圧接力で圧接するようIC22を押圧した際の変形が、
弾性接触体43の弾性変形範囲内で適正な値となるよう
な厚さとなっている。
【0041】このような構成のものでは、IC22の特
性評価テストを行う場合、絶縁基材42に設けられた弾
性接触体43の各上接触端面43aの上に、それぞれの
凸部47が接触するように接触部材44を載せ、さらに
凹部32側から位置決め部材48を接触部材44に嵌め
込むようにようにしてフランジ35上に載せてテストソ
ケット41を構成する。
性評価テストを行う場合、絶縁基材42に設けられた弾
性接触体43の各上接触端面43aの上に、それぞれの
凸部47が接触するように接触部材44を載せ、さらに
凹部32側から位置決め部材48を接触部材44に嵌め
込むようにようにしてフランジ35上に載せてテストソ
ケット41を構成する。
【0042】そして、IC22をテストソケット41
に、外部端子25が対応する位置決め孔48内の各接触
部材44の凹部32に接触するようにセットする。続い
てテストソケット41をテスト装置のテストボード23
上に載せ、テストソケット41にセットされたIC22
をテスト装置の図示しない押圧機構によって押圧し、I
C22のパッケージ24の下面が位置決め部材44の上
面に当接するまでの範囲で弾性接触体43の上接触端面
43aを弾性変形させる。
に、外部端子25が対応する位置決め孔48内の各接触
部材44の凹部32に接触するようにセットする。続い
てテストソケット41をテスト装置のテストボード23
上に載せ、テストソケット41にセットされたIC22
をテスト装置の図示しない押圧機構によって押圧し、I
C22のパッケージ24の下面が位置決め部材44の上
面に当接するまでの範囲で弾性接触体43の上接触端面
43aを弾性変形させる。
【0043】これにより下接触端面43bがテストボー
ド23のコンタクトパッド26に所定の圧接力で接触
し、IC22の外部端子25がテストボード23の対応
するコンタクトパッド26に導通する。また、こうした
構成を取っているので、テストソケット41の線路長
は、例えば1mm以下となり、インダクタンスも0.5
nH以下と第1の実施形態と同様のものとすることがで
きる。
ド23のコンタクトパッド26に所定の圧接力で接触
し、IC22の外部端子25がテストボード23の対応
するコンタクトパッド26に導通する。また、こうした
構成を取っているので、テストソケット41の線路長
は、例えば1mm以下となり、インダクタンスも0.5
nH以下と第1の実施形態と同様のものとすることがで
きる。
【0044】以上、説明した通り、本実施形態によれ
ば、第1の実施形態と同様、テストソケット41の線路
長を短くし、インダクタンスも0.5nH未満の低いも
のとすることができるので、数GHzの高周波での特性
評価を十分に行うことができ、また、IC22のボール
状の外部端子25には接触部材44が、その凹部32の
金属製の円錐面で長い接触長をもって圧接し、接触抵抗
の少ない状態で接触することとなる。
ば、第1の実施形態と同様、テストソケット41の線路
長を短くし、インダクタンスも0.5nH未満の低いも
のとすることができるので、数GHzの高周波での特性
評価を十分に行うことができ、また、IC22のボール
状の外部端子25には接触部材44が、その凹部32の
金属製の円錐面で長い接触長をもって圧接し、接触抵抗
の少ない状態で接触することとなる。
【0045】さらに、外部端子25に対し接触部材44
は金属面接触となるので、外部端子25の表面に付着し
ている、例えば半田ダストやパッケージダスト等の影響
を受け難く、比較的良好な状態での特性評価テストを行
うことができる。また、このまま特性評価テストを継続
した場合においても、ダスト等がそのまま残留し堆積さ
れ、汚れが増して特性評価テストに支障をきたしてしま
うことがなく、クリーニングをする必要が非常に少なく
なり、手間が掛からないものとなる。
は金属面接触となるので、外部端子25の表面に付着し
ている、例えば半田ダストやパッケージダスト等の影響
を受け難く、比較的良好な状態での特性評価テストを行
うことができる。また、このまま特性評価テストを継続
した場合においても、ダスト等がそのまま残留し堆積さ
れ、汚れが増して特性評価テストに支障をきたしてしま
うことがなく、クリーニングをする必要が非常に少なく
なり、手間が掛からないものとなる。
【0046】なお、上記の実施形態では、外部端子25
と接触部材44の接触長が長くなるよう、接触部材44
のIC22側の端部を円錐形状の凹部32としたが、球
面等の曲面を有する凹部としてもよい。また、上接触端
面43aの接触部分でのストローク長が大きく取れるよ
う接触部材44は圧接部分を凸部47としているが、逆
に接触部材44と弾性接触体43との間の圧縮特性を変
化させてストローク長を短くする場合には、図7及び図
8に示す変形形態のようにすればよい。
と接触部材44の接触長が長くなるよう、接触部材44
のIC22側の端部を円錐形状の凹部32としたが、球
面等の曲面を有する凹部としてもよい。また、上接触端
面43aの接触部分でのストローク長が大きく取れるよ
う接触部材44は圧接部分を凸部47としているが、逆
に接触部材44と弾性接触体43との間の圧縮特性を変
化させてストローク長を短くする場合には、図7及び図
8に示す変形形態のようにすればよい。
【0047】すなわち、テストソケット141のコンタ
クト部材145は、接触部材144のテストボード23
側が、弾性接触体43の上接触端面43aに接触する平
坦な端面を有する凸部147となっている。こうした凸
部147の平坦な端面と、弾性接触体43の平坦な上接
触端面43aとが接触することになり、同じ押圧力では
上接触端面43aの弾性変形する量は少なくなり、スト
ローク長を短いものとすることができる。そして、この
ように形成された変形形態においても、上記の第2の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
クト部材145は、接触部材144のテストボード23
側が、弾性接触体43の上接触端面43aに接触する平
坦な端面を有する凸部147となっている。こうした凸
部147の平坦な端面と、弾性接触体43の平坦な上接
触端面43aとが接触することになり、同じ押圧力では
上接触端面43aの弾性変形する量は少なくなり、スト
ローク長を短いものとすることができる。そして、この
ように形成された変形形態においても、上記の第2の実
施形態と同様の効果を得ることができる。
【0048】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、良好な高周波特性の評価が行えるようにな
り、また特性評価テストを繰り返し使用しても汚れ難い
ために、クリーニングに手間が掛からずメンテナンス性
も良好で取り扱いが容易である等の効果を奏する。
によれば、良好な高周波特性の評価が行えるようにな
り、また特性評価テストを繰り返し使用しても汚れ難い
ために、クリーニングに手間が掛からずメンテナンス性
も良好で取り扱いが容易である等の効果を奏する。
【図1】本発明の第1の実施形態における基本構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態を示す要部の断面図で
ある。
ある。
【図3】本発明の第1の実施形態の変形形態における基
本構成を示す断面図である。
本構成を示す断面図である。
【図4】本発明の第1の実施形態の変形形態を示す要部
の断面図である。
の断面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態における基本構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施形態を示す要部の断面図で
ある。
ある。
【図7】本発明の第2の実施形態の変形形態における基
本構成を示す断面図である。
本構成を示す断面図である。
【図8】本発明の第2の実施形態の変形形態を示す要部
の断面図である。
の断面図である。
【図9】第1の従来技術における基本構成を示す断面図
である。
である。
【図10】第2の従来技術における基本構成を示す断面
図である。
図である。
【図11】第3の従来技術における基本構成を示す断面
図である。
図である。
22…IC 23…テストボード 24…パッケージ 25…外部端子 26…コンタクトパッド 27,42…絶縁基材 28,43…弾性接触体 28a…上接触部 28b…下接触部 29,44,129,144…接触部材 30,45,130,145…コンタクト部材 32…凹部 34…凹み 43a…上接触端面 43b…下接触端面 47…凸部
Claims (10)
- 【請求項1】 半導体パッケージから突出する外部端子
と半導体テスト回路のコンタクトパッドとの間に介在さ
せて両者の対応するもの同士を導通させるコンタクト部
材を有してなる半導体装置のテストソケットにおいて、
前記コンタクト部材が、前記外部端子に接触する金属製
接触部材と前記コンタクトパッドに接触する導電性を有
する弾性接触体とを、テスト時には互いに圧接するよう
有してなることを特徴とする半導体装置のテストソケッ
ト。 - 【請求項2】 弾性接触体の圧接側端面が平坦面である
と共に、弾性接触体の圧接端面に圧接する接触部材の圧
接部位が内方あるいは外方に向けての凸面となっている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置のテストソ
ケット。 - 【請求項3】 弾性接触体の圧接側端面が平坦面である
と共に、弾性接触体の圧接端面に圧接する接触部材の圧
接部位が平坦面となっていることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置のテストソケット。 - 【請求項4】 接触部材が、弾性接触体に対して着脱可
能に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半
導体装置のテストソケット。 - 【請求項5】 接触部材は、外部端子との圧接部形状が
凹状となっていることを特徴とする請求項4記載の半導
体装置のテストソケット。 - 【請求項6】 弾性接触体が、絶縁基材に所定ピッチで
複数支持されていることを特徴とする請求項1記載の半
導体装置のテストソケット。 - 【請求項7】 弾性接触体は、端部が絶縁基材に該絶縁
基材面から突出するように支持されていることを特徴と
する請求項6記載の半導体装置のテストソケット。 - 【請求項8】 弾性接触体の圧接側端面が平坦面である
と共に、接触部材が圧接する側に弾性接触体に被せる凹
所を有し、かつ該凹所の前記弾性接触体が圧接する内底
面が内方あるいは外方に向けての凸面となっていること
を特徴とする請求項1あるいは請求項7記載の半導体装
置のテストソケット。 - 【請求項9】 弾性接触体の圧接側端面が平坦面である
と共に、接触部材が圧接する側に弾性接触体に被せる凹
所を有し、かつ該凹所の前記弾性接触体が圧接する内底
面が平坦面となっていることを特徴とする請求項1ある
いは請求項7記載の半導体装置のテストソケット。 - 【請求項10】 接触部材と弾性接触体の少なくとも一
方が、対応する開孔を有する位置決め部材によって外部
端子あるいはコンタクトパッドに対する位置決めが行わ
れていることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の
テストソケット。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000124208A JP2001307851A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 半導体装置のテストソケット |
US09/839,239 US6426553B2 (en) | 2000-04-25 | 2001-04-23 | Test socket of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000124208A JP2001307851A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 半導体装置のテストソケット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001307851A true JP2001307851A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18634377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000124208A Abandoned JP2001307851A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 半導体装置のテストソケット |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6426553B2 (ja) |
JP (1) | JP2001307851A (ja) |
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JP2003272788A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Enplas Corp | 電気部品用ソケット |
JP2011515817A (ja) * | 2008-03-31 | 2011-05-19 | リノ工業株式会社 | 半導体チップ検査用ソケット |
KR101749711B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-21 | 주식회사 대성엔지니어링 | 테스트 소켓 |
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EP2407013B1 (en) * | 2009-03-10 | 2021-12-22 | JohnsTech International Corporation | Electrically conductive pins for microcircuit tester |
US20130002285A1 (en) | 2010-03-10 | 2013-01-03 | Johnstech International Corporation | Electrically Conductive Pins For Microcircuit Tester |
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US9007082B2 (en) | 2010-09-07 | 2015-04-14 | Johnstech International Corporation | Electrically conductive pins for microcircuit tester |
TWI534432B (zh) | 2010-09-07 | 2016-05-21 | 瓊斯科技國際公司 | 用於微電路測試器之電氣傳導針腳 |
TWM439923U (en) * | 2012-04-09 | 2012-10-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Electrical connector |
KR20150072846A (ko) * | 2013-12-20 | 2015-06-30 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 모듈 |
KR101882209B1 (ko) * | 2016-03-23 | 2018-07-27 | 리노공업주식회사 | 동축 테스트소켓 조립체 |
KR101920855B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2018-11-21 | 주식회사 아이에스시 | 검사용 소켓 |
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US5493237A (en) | 1994-05-27 | 1996-02-20 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit chip testing apparatus |
US6120885A (en) * | 1997-07-10 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Structure, materials, and methods for socketable ball grid |
US6283780B1 (en) * | 1998-04-01 | 2001-09-04 | Molex Incorporated | Test socket lattice |
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-
2000
- 2000-04-25 JP JP2000124208A patent/JP2001307851A/ja not_active Abandoned
-
2001
- 2001-04-23 US US09/839,239 patent/US6426553B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010050427A1 (en) | 2001-12-13 |
US6426553B2 (en) | 2002-07-30 |
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A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050610 |