JP2001305750A - Method for etching polytmide film - Google Patents
Method for etching polytmide filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミドフィル
ムのエッチング方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for etching a polyimide film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、周知のように、片面銅張りポリイ
ミドフィルムは、多層基板等の製造の為に広く用いられ
ている。2. Description of the Related Art As is well known, a single-sided copper-clad polyimide film has been widely used for manufacturing a multilayer substrate and the like.
【０００３】その為、片面銅張りポリイミドフィルムの
エッチングについても各種の方法が広く実用に供されて
いるが、その代表例として、片面銅張りポリイミドフィ
ルムの樹脂面上に形成された感光性樹脂層にフォトマス
クを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パタ
ーンマスクを形成した後、アルカリ性エッチング液で前
記ポリイミドフィルムのエッチングを行う方法が挙げら
れる。[0003] For this reason, various methods are widely used for etching of a single-sided copper-clad polyimide film, and a typical example thereof is a photosensitive resin layer formed on a resin surface of a single-sided copper-clad polyimide film. After irradiating ultraviolet rays using a photomask and developing to form a resin layer pattern mask, the polyimide film is etched with an alkaline etchant.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来方
法においては、経済性及び作業環境等を考慮して、感光
性樹脂層を、アルカリ性エッチング液に対する耐溶剤性
が十分とは言い切れない感光性ドライフィルムで構成し
ている関係上、アルカリ性エッチング液で穴加工等を行
うと樹脂（フィルム自体）が膨潤し、従って、穴等のエ
ッチング寸法及び形状が不安定になり易いといった欠点
を有していた。However, in the conventional method, in consideration of economy and working environment, the photosensitive resin layer is formed of a photosensitive resin layer having insufficient solvent resistance to an alkaline etching solution. Due to the dry film configuration, if holes are formed with an alkaline etching solution, the resin (the film itself) swells, and thus the etching size and shape of the holes and the like tend to be unstable. Was.
【０００５】そこで、かかる欠点を解消する為に加熱に
よるポストキュアが必要とされていたが、それを行うと
フィルム全体が硬くなってしまう為に、それをリールツ
ーリール式に搬送しようとする場合等において曲げの力
が作用し、これに起因してひび割れが発生したり或いは
一部が剥がれてしまうといった致命的なトラブルが惹起
され、従って、樹脂層パターンマスクとしての役割りが
不十分になって製品の歩留まりが問題視されていた。[0005] Therefore, post-curing by heating has been required in order to solve such a drawback. However, if this is done, the whole film becomes hard. In such a case, a bending force acts, and as a result, a fatal trouble such as cracking or partial peeling is caused, and therefore, the role as a resin layer pattern mask becomes insufficient. Therefore, the yield of products was regarded as a problem.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の欠点
に鑑みて発明されたものであって、その目的とするとこ
ろは、ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂
層の可撓性を損わないでリールツーリール方式の搬送等
に適した可撓性を保持し、しかも、穴等のエッチング寸
法及び形状が安定化したエッチング製品を得ることがで
きるようにすることである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and has as its object to improve the flexibility of a photosensitive resin layer formed on a polyimide film surface. Therefore, it is possible to obtain an etching product which maintains flexibility suitable for reel-to-reel type conveyance without impairing the etching and has a stable etching size and shape of holes and the like.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明においては、請求項１に記載するように、ポ
リイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フ
ォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹
脂層パターンマスクを形成した後、アルカリ性エッチン
グ液でエッチングを行うポリイミドフィルムのエッチン
グ方法において、前記樹脂層パターンマスクの形成に引
き続いて、前記樹脂層パターンマスクの表面のみを硬化
せしめるように再度の紫外線照射を行うようにしてい
る。In order to achieve the above object, according to the present invention, a photosensitive mask is formed on a photosensitive resin layer formed on a polyimide film surface by using a photomask. Irradiation with ultraviolet light, and after forming a resin layer pattern mask by developing, in the polyimide film etching method of etching with an alkaline etchant, subsequent to the formation of the resin layer pattern mask, the resin layer pattern mask Ultraviolet irradiation is performed again so as to cure only the surface.
【０００８】なお、再度の紫外線照射は、樹脂層パター
ンマスクの全表面を硬化（全表面硬化）せしめるように
行うよりも、リールツーリール方式の搬送に適した可撓
性保持の為に、樹脂層パターンマスクの開口部表面をも
硬化（局部的表面硬化）せしめるように行うのが好まし
い。[0008] It should be noted that the re-irradiation of ultraviolet rays is not performed so as to cure the entire surface of the resin layer pattern mask (to cure the entire surface). It is preferable to cure the surface of the opening of the layer pattern mask (local surface curing).
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明においては、ポリイミドフ
ィルムをエッチングするが、ここにおいていう「ポリイ
ミドフィルム」とは、単体基材としてのポリイミドフィ
ルムのみならず、その片面に銅膜（又は銅箔）を積層し
た片面銅張りポリイミドフィルムも包含し、かつ、かか
る片面銅張りポリイミドフィルムは、接着剤を使用しな
いで例えば、スパッダ等により銅膜（又は銅箔）を積層
した所謂、二層材の片面銅張りポリイミドフィルムのみ
ならず、接着剤を使用の三層の片面銅張りポリイミドフ
ィルムであってもよい。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In the present invention, a polyimide film is etched. The term "polyimide film" as used herein means not only a polyimide film as a single base material but also a copper film (or copper foil) on one side thereof. And a single-sided copper-clad polyimide film, which is obtained by laminating a copper film (or copper foil) with a spadder or the like without using an adhesive. Not only a copper-clad polyimide film but also a three-layer single-sided copper-clad polyimide film using an adhesive may be used.
【００１０】また、本発明においては、ポリイミドフィ
ルム面上（片面銅張りポリイミドフィルムにあっては銅
張りされていない方のフィルム面上）に、マスク材料と
しての感光性樹脂層を形成するが、かかる樹脂層は、一
般には、ポリイミドフィルム面上にラミネートされた感
光性ドライフィルムで構成される。In the present invention, a photosensitive resin layer as a mask material is formed on the surface of the polyimide film (on the single-sided copper-clad polyimide film, on the film surface which is not copper-clad). Such a resin layer is generally composed of a photosensitive dry film laminated on a polyimide film surface.
【００１１】しかし、それ以外の例えば、感光性液状樹
脂を塗布し乾燥せしめた塗膜で構成されるものであって
もよく、要するに、感光性樹脂層の形成に用いられる樹
脂は、紫外線に感光して橋かけ硬化し得ると共にアルカ
リ性水溶液で現像し得る樹脂であれば、フィルム体又は
液状体のいずれであってもよい。However, other than that, for example, it may be composed of a coating film formed by applying and drying a photosensitive liquid resin. In short, the resin used for forming the photosensitive resin layer is sensitive to ultraviolet rays. Any of a film and a liquid may be used as long as the resin can be cross-linked and cured and developed with an alkaline aqueous solution.
【００１２】なお、それらの樹脂は、一般にはアクリル
系のものが多いが、これに該当するものとして、日合モ
ートン株式会社製の「ラミナーＡＸ」や「ＮＩＴ」等が
挙げられ、かつ、感光性ドライフィルムは、マスク材料
として価格が安いと共に作業環境の面においても優れて
いるアクリル系のアルカリ現像ネガ型のものが好まし
い。In general, many of these resins are acrylic resins. Examples of such resins include "Laminar AX" and "NIT" manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd. The acrylic dry film is preferably an acrylic alkali developing negative type, which is inexpensive as a mask material and excellent in working environment.
【００１３】また、本発明においては、感光性樹脂層に
対してフォトマスクを用いて紫外線を照射するが、その
為の紫外線ランプは、感光性樹脂中に含まれる増感剤に
対応して所定のものが選択、すなわち、通常は、高圧水
銀灯が選択されるが、必要に応じて低圧水銀灯を選択し
てもよい。In the present invention, the photosensitive resin layer is irradiated with ultraviolet rays by using a photomask. An ultraviolet lamp for this purpose is provided in accordance with a sensitizer contained in the photosensitive resin. Is selected, that is, a high-pressure mercury lamp is usually selected, but a low-pressure mercury lamp may be selected as necessary.
【００１４】また、その為の紫外線照射量も、感光性樹
脂層の厚みやパターン寸法等に応じて最適な照射量が選
択されると共にフォトマスクも適当なものが選択され、
更に、フォトマスクを用いて紫外線を照射した後の現像
においても、適当な現像液が選択される。For the amount of irradiation of ultraviolet rays therefor, an optimum amount of irradiation is selected according to the thickness of the photosensitive resin layer, the pattern size, and the like, and an appropriate photomask is selected.
Further, an appropriate developing solution is selected also in the development after irradiating ultraviolet rays using a photomask.
【００１５】かかる現像液は、各種の樹脂に対応して、
それ専用のものが市販されており、その組成は異なる
が、基本的には、アルカリ金属水酸化物又は炭酸塩の水
溶液か、この水溶液に水溶性アルコールやアミン化合物
を溶解したものが多い。[0015] Such a developer corresponds to various resins,
Dedicated ones are commercially available and have different compositions, but basically there are many aqueous solutions of alkali metal hydroxides or carbonates, or those in which a water-soluble alcohol or amine compound is dissolved in this aqueous solution.
【００１６】また、本発明においては、ポリイミドフィ
ルム面上（片面銅張りポリイミドフィルムにあっては銅
張りされていない方のフィルム面上）に樹脂層パターン
マスクを形成した後、それに引き続いて、樹脂層パター
ンマスクの表面のみを硬化せしめるように再度の紫外線
照射を行うが、その際における紫外線照射も感光性樹脂
層の厚みなどに応じて最適な照射量が選択される。In the present invention, a resin layer pattern mask is formed on a polyimide film surface (on a single-sided copper-clad polyimide film, on a film surface which is not copper-clad). Ultraviolet irradiation is performed again so as to cure only the surface of the layer pattern mask, and an optimum irradiation amount is selected according to the thickness of the photosensitive resin layer and the like.
【００１７】通常は、上述の現像前のフォトマスク露光
における照射量よりも、これの方が多く、一般には、そ
の照射量は１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2 である。しか
し、耐溶剤性の向上効果と経済性の面からみて数百ｍＪ
／ｃｍ2 程度が適当である。Usually, the irradiation amount is larger than the irradiation amount in the photomask exposure before the development, and the irradiation amount is generally 100 to 3000 mJ / cm 2 . However, from the viewpoint of improving solvent resistance and economy, several hundred mJ
/ Cm 2 is appropriate.
【００１８】なお、ここにおいていう「樹脂層パターン
マスクの表面のみを硬化」とは、樹脂層パターンマスク
の内部を硬化させない状態のことであって、かつ、「開
口部表面をも硬化」は、樹脂層パターンマスクの全表面
の硬化（全表面硬化）だけでなく、樹脂層パターンマス
クの開口部表面、すなわち、露光・現像部のマスク表面
のみの硬化（局部的表面硬化）も包含することをいう。Note that the term "hardening only the surface of the resin layer pattern mask" as used herein refers to a state in which the interior of the resin layer pattern mask is not hardened, and "hardening the surface of the opening also". In addition to curing of the entire surface of the resin layer pattern mask (full surface curing), it also includes curing of only the opening surface of the resin layer pattern mask, that is, curing of only the mask surface of the exposure and development section (local surface curing). Say.
【００１９】このように、本発明においては、樹脂層パ
ターンマスクの表面のみを硬化させる為に、リールツー
リール方式の搬送に適した可撓性を保持した状態でエッ
チング操作をすることができる。As described above, in the present invention, since only the surface of the resin layer pattern mask is cured, the etching operation can be performed while maintaining the flexibility suitable for reel-to-reel transport.
【００２０】なお、単体基材としてのポリイミドフィル
ムを使用するか、或るいは、その片面に銅膜（又は銅
箔）を積層した片面銅張りポリイミドフィルムを使用す
るかによって、スルーホールやブラインドビアホール
等、種々の穴を形成することができる。Depending on whether a polyimide film is used as a single base material or a single-sided copper-clad polyimide film having a copper film (or copper foil) laminated on one side thereof, a through-hole or a blind via hole is formed. Various holes can be formed.
【００２１】また、本発明においては、樹脂層パターン
マスクの表面のみを硬化せしめるように再度の紫外線照
射を行った後に、アルカリ性エッチング液を用いてポリ
イミドフィルムのエッチングを行うが、かかるエッチン
グ液も、所定のものが選択される。In the present invention, the polyimide film is etched again using an alkaline etching solution after the irradiation of ultraviolet rays again so as to cure only the surface of the resin layer pattern mask. A predetermined one is selected.
【００２２】通常のポリイミドエッチング液は、そのほ
とんどがアルカリ性の水溶液であるが、それらの内、ア
ルカリ金属水酸化物とヒドラジンとアルコールとの水溶
液系のエッチング液は、毒性や液安定性の面で好ましく
ない。Most of ordinary polyimide etchants are aqueous alkaline solutions, and among them, an aqueous etchant of an alkali metal hydroxide, hydrazine, and alcohol is preferred in terms of toxicity and liquid stability. Not preferred.
【００２３】しかし、苛性アルカリ（例えば、アルカリ
金属水酸化物）と有機アミン化合物（例えば、水溶性ア
ミン）を主成分とするアルカリ水溶液である東レエンジ
ニアリング株式会社製のポリイミドエッチング液「ＴＰ
Ｅ−３０００」は、エッチング性能、液の安全性及び安
定性の面において優れているから、これが好ましい。However, a polyimide etching solution “TP” manufactured by Toray Engineering Co., Ltd., which is an aqueous alkali solution containing caustic alkali (eg, alkali metal hydroxide) and organic amine compound (eg, water-soluble amine) as main components.
E-3000 "is preferable because it is excellent in etching performance, liquid safety and stability.
【００２４】なお、エッチング条件（温度、処理時間）
は、使用するエッチング液組成、ポリイミドの種類或い
はフィルムの厚さ等に対応して所定に設定されるが、通
常は６０℃〜９０℃で２分から２０分程度で行われる。The etching conditions (temperature, processing time)
Is set to a predetermined value in accordance with the composition of the etching solution to be used, the type of polyimide, the thickness of the film, etc., but is usually performed at 60 ° C. to 90 ° C. for about 2 to 20 minutes.
【００２５】このような条件下では、一般に広く用いら
れているアクリル系のアルカリ現像ネガ型の感光性ドラ
イフィルムは、そのエッチング中において膨潤する。そ
の為、マスク（樹脂層パターンマスク）のパターン寸法
が変化し易いので、穴等のエッチング加工寸法及び形状
が不安定になり易い。Under these conditions, an acrylic alkali-developed negative photosensitive dry film, which is generally widely used, swells during the etching. For this reason, the pattern size of the mask (resin layer pattern mask) tends to change, and the etching process size and shape of holes and the like are likely to be unstable.
【００２６】しかし、本発明においては、上述のよう
に、ポリイミドフィルム面上（片面銅張りポリイミドフ
ィルムにあっては銅張りされていない方のフィルム面
上）に樹脂層パターンマスクを形成した後、これに引き
続いて樹脂層パターンマスクの表面のみを硬化せしめる
ように再度の紫外線照射を行うようにしているから、樹
脂層パターンマスクの寸法安定化を図ることができ、そ
の為、穴等のエッチング加工寸法及び形状が安定化した
エッチング製品を得ることができる。However, in the present invention, as described above, after forming the resin layer pattern mask on the surface of the polyimide film (on the single-sided copper-clad polyimide film, on the film surface which is not copper-clad), Subsequent to this, the ultraviolet irradiation is performed again so as to harden only the surface of the resin layer pattern mask, so that the dimensional stability of the resin layer pattern mask can be achieved. An etched product having a stabilized size and shape can be obtained.
【００２７】なお、本発明においては、樹脂層パターン
マスクの表面のみの硬化を促進する為に、樹脂中に含ま
れる橋かけ型のモノマーを樹脂表面に塗布してもよい。In the present invention, a cross-linking monomer contained in the resin may be applied to the resin surface in order to promote the curing of only the surface of the resin layer pattern mask.
【００２８】また、本発明においては、上述のように、
紫外線照射を２回行うが、一般に、紫外線の露光効果
は、照射量が多いほど現像後のマスク穴径は小さくな
る。従って、後露光でも同じ傾向を示し、このことは、
後述の実施例７からして明らかである。In the present invention, as described above,
Ultraviolet irradiation is performed twice. Generally, the effect of ultraviolet exposure is such that the larger the irradiation amount, the smaller the mask hole diameter after development. Therefore, the same tendency is observed in post-exposure,
This is apparent from Example 7 described later.
【００２９】なお、照射量が多くなると、マスク下部で
のサイドエッチングが防止される為か同じエッチング時
間で得られる穴の径が小さくなる一方においてテーパー
角はより大きくなる特性を有している。It should be noted that when the irradiation amount is increased, the diameter of the hole obtained in the same etching time is reduced because the side etching at the lower portion of the mask is prevented, or the taper angle is increased.
【００３０】[0030]
【実施例】次に、本発明にかかる実施例について述べ
る。Next, an embodiment according to the present invention will be described.
【００３１】（実施例１）片面銅張りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
５０μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフィル
ム（日合モートン株式会社製のラミナーＡＸ２５μｍ）
を１３０℃でラミネート（樹脂層を形成）し、次いで、
穴径３３０μｍのパターンを形成したフィルムフォトマ
スクを用いて、高圧水銀灯で照射量８０ｍＪ／ｃｍ2 の
紫外線を照射した。Example 1 Single-sided copper-clad polyimide film (Cu 18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
50 μm) After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (Laminar AX 25 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) is applied to the polyimide surface.
At 130 ° C. (forming a resin layer),
Using a film photomask in which a pattern having a hole diameter of 330 μm was formed, ultraviolet rays having an irradiation amount of 80 mJ / cm 2 were irradiated with a high-pressure mercury lamp.
【００３２】次いで、前記ドライフィルムをラミナー専
用の現像液で現像し、開口穴径が３３３μｍ、底部穴径
が３５０μｍの逆テーパー穴を有するドライフィルムパ
ターンマスク（樹脂層パターンマスク）を形成した。Next, the dry film was developed with a developer for laminator to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask) having an inverse tapered hole having an opening hole diameter of 333 μm and a bottom hole diameter of 350 μm.
【００３３】次いで、このドライフィルムパターンマス
ク面に高圧水銀灯から照射量が４００ｍＪ／ｃｍ2 にな
るように紫外線を照射し、パターン部分の橋かけ硬化を
行った。Next, the dry film pattern mask surface was irradiated with ultraviolet rays from a high pressure mercury lamp so that the irradiation amount became 400 mJ / cm 2 , and the pattern portion was cross-linked and cured.
【００３４】次いで、東レエンジニアリング株式会社製
のポリイミドエッチング液（ＴＰＥ−３０００）を用
い、８０℃で６分間エッチング処理と水洗を行い、片面
銅張りポリイミドフィルムのポリイミドフィルムにブラ
インドビアホールパターンを形成した。Then, using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd., etching treatment and washing with water were performed at 80 ° C. for 6 minutes to form a blind via hole pattern on the polyimide film of the copper-clad polyimide film on one side.
【００３５】ブラインドビアホールの穴径は、開口部が
４８８μｍ、穴底部が３１８μｍであり、形状は円形で
あって崩れのない良好なものであった（図１参照）。The hole diameter of the blind via hole was 488 μm at the opening and 318 μm at the bottom of the hole, and the shape was circular and good without collapse (see FIG. 1).
【００３６】（実施例２）片面銅貼りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
７５μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフィル
ム（日合モートン株式会社製のラミナーＡＸ２５μｍ）
を１３０℃でラミネートした。Example 2 Single-sided copper-clad polyimide film (Cu 18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
75 μm) After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (Laminator AX 25 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) is applied to the polyimide surface.
Was laminated at 130 ° C.
【００３７】次いで、穴径３３０μｍのパターンを形成
したフィルムフォトマスクを用いて、高圧水銀灯で照射
量８０ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を照射した。Next, using a film photomask on which a pattern having a hole diameter of 330 μm was formed, ultraviolet rays having an irradiation amount of 80 mJ / cm 2 were irradiated with a high-pressure mercury lamp.
【００３８】次いで、前記ドライフィルムをラミナー専
用の現像液で現像し、開口穴径が３３３μｍ、底部穴径
が３５０μｍの逆テーパー穴を有するドライフィルムパ
ターンマスク（樹脂層パターンマスク）を形成した。Then, the dry film was developed with a developer for laminator to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask) having an inversely tapered hole having an opening hole diameter of 333 μm and a bottom hole diameter of 350 μm.
【００３９】次いで、このドライフィルムパターンマス
ク面に高圧水銀灯から照射量が４００ｍＪ／ｃｍ2 にな
るように紫外線を照射し、パターン部分の橋かけ硬化を
行った。Next, the dry film pattern mask surface was irradiated with ultraviolet rays from a high pressure mercury lamp so that the irradiation amount became 400 mJ / cm 2 , and the pattern portion was cross-linked and cured.
【００４０】次いで、東レエンジニアリング株式会社製
のポリイミドエッチング液（ＴＰＥ−３０００）を用
い、８０℃で１５分間エッチング処理と水洗を行い、片
面銅張りポリイミドフィルムのポリイミドフィルムにブ
ラインドビアホールパターンを形成した。Then, using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd., etching treatment and washing with water were performed at 80 ° C. for 15 minutes to form a blind via hole pattern in the polyimide film of a copper-clad polyimide film on one side.
【００４１】ブラインドビアホールの穴径は、開口部が
５６１μｍ、穴底部が３０６μｍであり、形状は円形で
あって崩れのない良好なものであった。The hole diameter of the blind via hole was 561 μm at the opening and 306 μm at the bottom of the hole, and the shape was circular and good without collapse.
【００４２】（実施例３）片面銅貼りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
２５μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄した後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフ
ィルム（日合モートン株式会社製のラミナーＡＸ２５μ
ｍ）を１３０℃でラミネートした。Example 3 Single-sided copper-coated polyimide film (Cu18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
25 μm) After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (Laminar AX25μ manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was applied to the polyimide surface.
m) was laminated at 130 ° C.
【００４３】次いで、穴径３３０μｍのフォトマスクを
用いて高圧水銀灯で露光を行い、６０ｍＪ／ｃｍ2 の紫
外線を照射した。Next, exposure was performed with a high-pressure mercury lamp using a photomask having a hole diameter of 330 μm, and ultraviolet light of 60 mJ / cm 2 was irradiated.
【００４４】次いで、専用のアルカリ現像液で現像水洗
し、ドライフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマ
スク）を形成した。なお、得られたドライフィルムパタ
ーンマスクの底穴径は３５０μｍであった。Next, development water washing was performed with a dedicated alkali developing solution to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask). The bottom hole diameter of the obtained dry film pattern mask was 350 μm.
【００４５】次いで、このドライフィルムパターンマス
クに更に高圧水銀灯から照射量４００ｍＪ／ｃｍ2の紫
外線を照射した。Next, the dry film pattern mask was further irradiated with ultraviolet rays having an irradiation amount of 400 mJ / cm 2 from a high-pressure mercury lamp.
【００４６】次いで、かかるドライフィルムパターンマ
スクを形成した片面銅張りポリイミドフィルムを、東レ
エンジニアリング株式会社製のポリイミドエッチング液
（ＴＰＥ−３０００）を用いて８０℃で３分間エッチン
グ処理と水洗を行い、ポリイミドフィルムにブラインド
ビアホールパターンを形成した。Next, the single-sided copper-clad polyimide film on which the dry film pattern mask was formed was subjected to etching treatment and washing with water at 80 ° C. for 3 minutes using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd. A blind via hole pattern was formed in the film.
【００４７】ブラインドビアホールは、ほぼ真円でその
穴径は、開口部が４３９μｍ、穴底部が３７０μｍであ
った。The blind via hole was almost a perfect circle and had a hole diameter of 439 μm at the opening and 370 μm at the bottom of the hole.
【００４８】（実施例４）片面銅貼りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
２５μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄した後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフ
ィルム（日合モートン株式会社製のＮＩＴ２５μｍ）を
１３０℃でラミネートした。Example 4 Single-sided copper-coated polyimide film (Cu 18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (NIT 25 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was laminated on the polyimide surface at 130 ° C.
【００４９】次いで、穴径３３０μｍのフォトマスクを
用いて高圧水銀灯で露光を行い、１００ｍＪ／ｃｍ2 の
紫外線を照射した。Next, exposure was performed with a high-pressure mercury lamp using a photomask having a hole diameter of 330 μm, and irradiation with ultraviolet rays at 100 mJ / cm 2 was performed.
【００５０】次いで、専用のアルカリ現像液で現像水洗
し、ドライフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマ
スク）を形成した。なお、得られたドライフィルムパタ
ーンマスクの底穴径は３３０μｍであった。Then, the film was washed with developing water with a dedicated alkali developing solution to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask). The bottom hole diameter of the obtained dry film pattern mask was 330 μm.
【００５１】次いで、このドライフィルムパターンマス
クに更に高圧水銀灯から照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2の
紫外線を照射した。Next, the dry film pattern mask was further irradiated with ultraviolet rays of 1500 mJ / cm 2 from a high pressure mercury lamp.
【００５２】次いで、かかるドライフィルムパターンマ
スクを形成した片面銅張りポリイミドフィルムを、東レ
エンジニアリング株式会社製のポリイミドエッチング液
（ＴＰＥ−３０００）を用いて８０℃で２分間エッチン
グ処理と水洗を行い、ポリイミドフィルムに、ほぼ真円
に近いブラインドビアホールパターンを形成した。Next, the single-sided copper-clad polyimide film on which the dry film pattern mask was formed was subjected to etching treatment and washing with water at 80 ° C. for 2 minutes using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd. A blind via hole pattern almost close to a perfect circle was formed on the film.
【００５３】ブラインドビアホールの穴径は、エッチン
グ時間が２分間で開口部が３９２μｍ、穴底部が３２６
μｍであった。The hole diameter of the blind via hole was 392 μm at the opening and 326 μm at the bottom at an etching time of 2 minutes.
μm.
【００５４】（実施例５）片面銅貼りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
５０μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄した後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフ
ィルム（日合モートン株式会社製のＮＩＴ４０μｍ）を
１３０℃でラミネートした。Example 5 Single-sided copper-coated polyimide film (Cu 18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
(50 μm) After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (NIT 40 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was laminated on the polyimide surface at 130 ° C.
【００５５】次いで、穴径３３０μｍのフォトマスクを
用いて高圧水銀灯で露光を行い、１３０ｍＪ／ｃｍ2 の
紫外線を照射した。Next, exposure was performed with a high pressure mercury lamp using a photomask having a hole diameter of 330 μm, and an ultraviolet ray of 130 mJ / cm 2 was irradiated.
【００５６】次いで、専用のアルカリ現像液で現像水洗
し、ドライフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマ
スク）を形成した。なお、得られたドライフィルムパタ
ーンマスクの底穴径は３３２μｍであった。Next, development water washing was performed with a dedicated alkali developing solution to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask). The bottom hole diameter of the obtained dry film pattern mask was 332 μm.
【００５７】次いで、このドライフィルムパターンマス
クに更に高圧水銀灯から照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2の
紫外線を照射した。Next, the dry film pattern mask was further irradiated with ultraviolet rays having an irradiation amount of 1500 mJ / cm 2 from a high-pressure mercury lamp.
【００５８】次いで、かかるドライフィルムパターンマ
スクを形成した片面銅張りポリイミドフィルムを、東レ
エンジニアリング株式会社製のポリイミドエッチング液
（ＴＰＥ−３０００）を用いて８０℃で９分間エッチン
グ処理と水洗を行い、ポリイミドフィルムにブラインド
ビアホールパターンを形成した。Next, the single-sided copper-clad polyimide film on which the dry film pattern mask was formed was subjected to etching treatment and washing with water at 80 ° C. for 9 minutes using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd. A blind via hole pattern was formed in the film.
【００５９】ブラインドビアホールの穴径は、開口部が
４５６μｍ、穴底部３３５μｍであった。The diameter of the blind via hole was 456 μm at the opening and 335 μm at the bottom of the hole.
【００６０】（実施例６）片面銅貼りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
５０μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄した後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフ
ィルム（日合モートン株式会社製のＮＩＴ５０μｍ）を
１３０℃でラミネートした。Example 6 Single-sided copper-coated polyimide film (Cu 18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (NIT 50 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was laminated on the polyimide surface at 130 ° C.
【００６１】次いで、穴径３３０μｍのフォトマスクを
用いて高圧水銀灯で露光を行い、１６０ｍＪ／ｃｍ2 の
紫外線を照射した。Next, exposure was performed with a high-pressure mercury lamp using a photomask having a hole diameter of 330 μm, and ultraviolet rays of 160 mJ / cm 2 were irradiated.
【００６２】次いで、専用のアルカリ現像液で現像水洗
し、ドライフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマ
スク）を形成した。なお、得られたドライフィルムパタ
ーンマスクの底穴径は３３２μｍであった。Then, the film was developed and washed with a dedicated alkaline developer to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask). The bottom hole diameter of the obtained dry film pattern mask was 332 μm.
【００６３】次いで、このドライフィルムパターンマス
クに更に高圧水銀灯から照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2の
紫外線を照射した。Next, the dry film pattern mask was further irradiated with ultraviolet rays of 1500 mJ / cm 2 from a high-pressure mercury lamp.
【００６４】次いで、かかるドライフィルムパターンマ
スクを形成した片面銅張りポリイミドフィルムを、東レ
エンジニアリング株式会社製のポリイミドエッチング液
（ＴＰＥ−３０００）を用いて８０℃で１１分間エッチ
ング処理と水洗を行い、ポリイミドフィルムにブライン
ドビアホールパターンを形成した。Next, the single-sided copper-clad polyimide film on which the dry film pattern mask was formed was subjected to etching treatment and washing with water at 80 ° C. for 11 minutes using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd. A blind via hole pattern was formed in the film.
【００６５】ブラインドビアホールの穴径は、開口部が
４６５μｍ、穴底部が３５７μｍであった。The hole diameter of the blind via hole was 465 μm at the opening and 357 μm at the bottom of the hole.
【００６６】（実施例７）片面銅貼りポリイミドフィル
ム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ
５０μｍ）１００ｍｍ×１００ｍｍを１％のＮａＯＨで
洗浄した後、ポリイミド面にアクリル系感光性ドライフ
ィルム（日合モートン株式会社製のラミナーＡＸ２５μ
ｍ）を１３０℃でラミネートした。Example 7 Single-sided copper-coated polyimide film (Cu 18 μm / Kapton EN manufactured by DuPont, USA)
After washing 100 mm × 100 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (Laminar AX25 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was applied to the polyimide surface.
m) was laminated at 130 ° C.
【００６７】次いで、穴径３３０μｍのフォトマスクを
用いて高圧水銀灯で露光を行い、１００ｍＪ／ｃｍ2 の
紫外線を照射した。Next, exposure was performed with a high-pressure mercury lamp using a photomask having a hole diameter of 330 μm, and an ultraviolet ray of 100 mJ / cm 2 was irradiated.
【００６８】次いで、専用のアルカリ現像液で現像水洗
し、ドライフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマ
スク）を形成した。なお、得られたドライフィルムパタ
ーンマスクの開口穴径は３３２μｍであった。Next, development water washing was performed with a dedicated alkali developing solution to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask). The opening diameter of the obtained dry film pattern mask was 332 μm.
【００６９】次いで、このドライフィルムパターンマス
クに更に高圧水銀灯から照射量４００ｍＪ／ｃｍ2 の紫
外線を照射した。Next, this dry film pattern mask was further irradiated with ultraviolet rays of 400 mJ / cm 2 from a high pressure mercury lamp.
【００７０】次いで、かかるドライフィルムパターンマ
スクを形成した片面銅張りポリイミドフィルムを、東レ
エンジニアリング株式会社製のポリイミドエッチング液
（ＴＰＥ−３０００）を用いて８０℃で７分間エッチン
グ処理と水洗を行い、ポリイミドフィルムにブラインド
ビアホールパターンを形成した。Next, the single-sided copper-clad polyimide film on which the dry film pattern mask was formed was subjected to etching treatment and washing with water at 80 ° C. for 7 minutes using a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd. A blind via hole pattern was formed in the film.
【００７１】ブラインドビアホールの穴径は、開口部が
４９９μｍ、穴底部が３４５μｍであった。The hole diameter of the blind via hole was 499 μm at the opening and 345 μm at the bottom of the hole.
【００７２】（実施例８）上記実施例７において、ドラ
イフィルムパターンマスクに対する紫外線照射量を４０
０ｍＪ／ｃｍ2 から１５００ｍＪ／ｃｍ2 にしたこと以
外の条件は上記実施例７と同一条件で処理した結果、ブ
ラインドビアホールの穴径は、開口部が４８０μｍ、穴
底部が３２８μｍであった。(Embodiment 8) In the above-mentioned Embodiment 7, the irradiation amount of the ultraviolet ray to the dry film pattern
As a result of processing under the same conditions as in Example 7 except that the value was changed from 0 mJ / cm 2 to 1500 mJ / cm 2 , the hole diameter of the blind via hole was 480 μm at the opening and 328 μm at the bottom of the hole.
【００７３】（実施例９）ポリイミドフィルム（米国の
デュポン社製のカプトンＥＮ７５μｍ）１００ｍｍ×１
００ｍｍを１％のＮａＯＨで洗浄した後、両面にアクリ
ル系感光性ドライフィルム（日合モートン株式会社製の
ラミナーＡＸ２５μｍ）を１３０℃でカバーフィルムを
つけたままでラミネートした。Example 9 Polyimide film (Kapton EN 75 μm manufactured by DuPont, USA) 100 mm × 1
After washing 00 mm with 1% NaOH, an acrylic photosensitive dry film (Laminator AX 25 μm manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was laminated on both sides at 130 ° C. with a cover film attached.
【００７４】次いで、片面のカバーフィルムをはがし、
穴径３３０μｍのフォトマスクを用いて高圧水銀灯で露
光を行い、６０ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を照射した。Next, the cover film on one side is peeled off,
Exposure was performed with a high-pressure mercury lamp using a photomask having a hole diameter of 330 μm, and irradiation with ultraviolet rays of 60 mJ / cm 2 was performed.
【００７５】次いで、専用のアルカリ現像液で現像水洗
し、ドライフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマ
スク）を形成した。なお、得られたドライフィルムパタ
ーンマスクの穴底径は３５０μｍであった。Next, development water washing was performed with a dedicated alkali developing solution to form a dry film pattern mask (resin layer pattern mask). The hole bottom diameter of the obtained dry film pattern mask was 350 μm.
【００７６】次いで、この得られたドライフィルムパタ
ーンマスクに更に高圧水銀灯から照射量４００ｍＪ／ｃ
ｍ2 の紫外線を照射した。Next, the obtained dry film pattern mask was further irradiated from a high pressure mercury lamp with an irradiation amount of 400 mJ / c.
Irradiated with m 2 ultraviolet rays.
【００７７】次いで、その一方の面にドライフィルムパ
ターンマスクを形成し、他方の面にカバーフィルムをつ
けたままのポリイミドフィルムを、東レエンジニアリン
グ株式会社製のポリイミドエッチング液（ＴＰＥ−３０
００）を用いて８０℃で１５分間エッチング処理と水洗
を行い、ポリイミドフィルムにスルーホールパターンを
形成した。貫通した穴は、ほぼ真円でその穴径は、開口
部が５５０μｍ、穴底部が３２０μｍであった。Next, a dry film pattern mask is formed on one surface, and the polyimide film with the cover film attached on the other surface is coated with a polyimide etching solution (TPE-30 manufactured by Toray Engineering Co., Ltd.).
Using (00), etching treatment and washing with water were performed at 80 ° C. for 15 minutes to form a through-hole pattern in the polyimide film. The penetrated hole was almost a perfect circle, and the hole diameter was 550 μm at the opening and 320 μm at the bottom of the hole.
【００７８】[0078]
【比較例】次に、比較例について述べる。Next, a comparative example will be described.
【００７９】（比較例１）上記実施例１において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後に、高圧水銀灯で紫外線照射を行わなかった
こと以外の条件は上記実施例１と同一条件で処理した結
果、東レエンジニアリング株式会社製のポリイミドエッ
チング液（ＴＰＥ−３０００）でエッチング中に、ドラ
イフィルムパターンマスクの穴の部分、特に、ポリイミ
ドフィルムとの接触部で膨潤が起こり、開口部の穴径が
拡大したものや形状が変化したブラインドビアホールし
か得られなかった。(Comparative Example 1) The same conditions as in Example 1 described above except that, after forming the dry film pattern mask (resin layer pattern mask), no ultraviolet irradiation was performed with a high-pressure mercury lamp. As a result, during etching with a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd., swelling occurs at the holes of the dry film pattern mask, particularly at the contact portions with the polyimide film, and the holes at the openings are formed. Only blind via holes with an enlarged diameter or a changed shape could be obtained.
【００８０】（比較例２）上記実施例２において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後に、高圧水銀灯で紫外線照射を行わなかった
こと以外の条件は上記実施例２と同一条件で処理した結
果、上記比較例１と同様にポリイミドフィルムとの接触
部で膨潤が起こり、開口部の穴径が拡大したものや形状
が変化したブラインドビアホールしか得られなかった。(Comparative Example 2) The same conditions as in Example 2 above except that after forming the dry film pattern mask (resin layer pattern mask), irradiation with ultraviolet light by a high-pressure mercury lamp was not performed. As a result, swelling occurred in the contact portion with the polyimide film as in Comparative Example 1, and only a blind via hole having an enlarged hole diameter or a changed shape was obtained.
【００８１】（比較例３）上記実施例３において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後に、高圧水銀灯で紫外線照射を行わなかった
こと以外の条件は上記実施例３と同一条件で処理した結
果、比較例１と同様にポリイミドフィルムとの接触部で
膨潤が起こり、開口部の穴径が拡大したものや形状が変
化したブラインドビアホールしか得られなかった。(Comparative Example 3) The same conditions as in Example 3 above except that the irradiation of ultraviolet rays with a high-pressure mercury lamp was not performed after forming the dry film pattern mask (resin layer pattern mask) in Example 3 above. As a result, swelling occurred in the contact portion with the polyimide film as in Comparative Example 1, and only a blind via hole having an enlarged hole diameter or a changed shape was obtained.
【００８２】（比較例４）上記実施例４において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後に、高圧水銀灯で紫外線照射を行わなかった
こと以外の条件は上記実施例１と同一条件で処理した結
果、東レエンジニアリング株式会社製のポリイミドエッ
チング液（ＴＰＥ−３０００）でエッチング中に、ドラ
イフィルムパターンマスクの穴の部分、特に、ポリイミ
ドフィルムとの接触部においてエッチング液の浸透と樹
脂の膨潤が起こり、ポリイミドフィルム表面部分が溶解
したものしか得られなかった（図２参照）。(Comparative Example 4) The same conditions as in Example 1 described above except that, after forming the dry film pattern mask (resin layer pattern mask), no ultraviolet irradiation was performed with a high-pressure mercury lamp. As a result, during etching with a polyimide etching solution (TPE-3000) manufactured by Toray Engineering Co., Ltd., the etching solution penetrates and swells the resin in the hole portions of the dry film pattern mask, particularly in the contact portion with the polyimide film. Occurred, and only the polyimide film surface portion dissolved was obtained (see FIG. 2).
【００８３】（比較例５）上記実施例５において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後に、高圧水銀灯で紫外線照射を行わなかった
こと以外の条件は上記実施例１と同一条件で処理した結
果、上記比較例１と同様にポリイミドフィルムとの接触
部で膨潤が起こり、開口部の穴径が拡大したものや形状
が変化したブラインドビアホールしか得られなかった
（図３参照）。(Comparative Example 5) The same conditions as in Example 1 described above except that, after forming a dry film pattern mask (resin layer pattern mask), no ultraviolet irradiation was performed with a high-pressure mercury lamp. As a result, in the same manner as in Comparative Example 1, swelling occurred at the contact portion with the polyimide film, and only a blind via hole having an enlarged hole diameter or a changed shape was obtained (see FIG. 3).
【００８４】（比較例６）上記実施例６において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後に、高圧水銀灯で紫外線照射を行わなかった
こと以外の条件は上記実施例６と同一条件で処理した結
果、上記比較例１と同様にポリイミドフィルムとの接触
部で膨潤が起こり、開口部の穴径が拡大したものや形状
が変化したブラインドビアホールしか得られなかった。(Comparative Example 6) The same conditions as in Example 6 described above except that, after forming the dry film pattern mask (resin layer pattern mask), no ultraviolet irradiation was performed with a high-pressure mercury lamp. As a result, swelling occurred in the contact portion with the polyimide film as in Comparative Example 1, and only a blind via hole having an enlarged hole diameter or a changed shape was obtained.
【００８５】（比較例７）上記実施例１において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後の高圧水銀灯による紫外線照射に代えて、１
５０℃で３０分間加熱して樹脂硬化を行ったこと以外の
条件は上記実施例１と同一条件で処理した結果、加熱処
理後のドライフィルムパターンマスクの穴径が、加熱処
理前に比べてやや拡大していたと共に前記マスクがかな
り硬くなって脆弱化されており、従って、わずかな力で
ひび割れや剥がれが生じ、かつ、そこにエッチング液が
浸透する為、満足するパターンが得られなかった（図４
参照）。(Comparative Example 7) In Example 1 described above, instead of UV irradiation by a high-pressure mercury lamp after forming a dry film pattern mask (resin layer pattern mask), 1
As a result of processing under the same conditions as in Example 1 except that the resin was cured by heating at 50 ° C. for 30 minutes, the hole diameter of the dry film pattern mask after the heat treatment was slightly larger than that before the heat treatment. As the mask was enlarged, the mask was considerably hardened and weakened. Accordingly, cracking and peeling occurred with a slight force, and the etching solution penetrated there, so that a satisfactory pattern was not obtained ( FIG.
reference).
【００８６】（比較例８）上記実施例４において、ドラ
イフィルムパターンマスク（樹脂層パターンマスク）を
形成した後の高圧水銀灯による紫外線照射に代えて、１
５０℃で３０分間加熱して樹脂硬化を行ったこと以外の
条件は上記実施例４と同一条件で処理した結果、比較例
７と同様に満足するパターンが得られなかった。(Comparative Example 8) In Example 4 described above, instead of irradiating ultraviolet rays with a high-pressure mercury lamp after forming a dry film pattern mask (resin layer pattern mask), 1
As a result of processing under the same conditions as in Example 4 except that the resin was cured by heating at 50 ° C. for 30 minutes, no satisfactory pattern was obtained as in Comparative Example 7.
【００８７】（比較例９）上記実施例９において、ドラ
イフィルムパターンマスクを形成した後にマスクへの紫
外線照射を行わなかったこと以外の条件は上記実施例９
と同一条件で処理した結果、比較例１と同様にエッチン
グでマスクが膨潤し、変形した穴しか得られなかった。Comparative Example 9 The conditions of Example 9 were the same as those of Example 9 except that the mask was not irradiated with ultraviolet rays after forming the dry film pattern mask.
As a result, the mask swelled by etching as in Comparative Example 1, and only deformed holes were obtained.
【００８８】以上の実施例１〜９及び比較例１〜９の結
果を表１に示す。The results of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 9 are shown in Table 1.
【００８９】[0089]
【表１】 [Table 1]
【００９０】表１中、ＰＩはポリイミドフィルムを、ま
た、（ ）内はエッチング穴の開口径／穴底径を示して
いる。なお、実施例１〜９及び比較例１〜９において、
紫外線照度の測定は、オーク製作所製の紫外線照度計Ｕ
Ｖ−１０２、受光器ＵＶ−３５、測定波長範囲が３２０
〜３９０ｎｍ中心波長３６０ｎｍで行った。In Table 1, PI indicates a polyimide film, and () indicates the opening diameter / hole bottom diameter of the etching hole. In Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 9,
The UV illuminance is measured using a UV illuminometer U
V-102, receiver UV-35, measurement wavelength range is 320
390 nm at a center wavelength of 360 nm.
【００９１】このように、樹脂層パターンマスクを形成
した後で紫外線で再露光する本発明に係る実施例１〜９
においては、いずれも正常な穴パターンを持ったポリイ
ミドフィルムが得られているのに対し、再露光を行わな
かったり或いは再露光に代えて従来通りの熱硬化を行っ
たりする比較例１〜９においては、樹脂層パターンマス
クの膨潤によるエッチング寸法や穴形状が変化したり或
るいはマスクにひび割れが発生したりしているから、本
発明に係るエッチング方法の方が有利であることがわか
る。Thus, Examples 1 to 9 according to the present invention in which the resin layer pattern mask is formed and then re-exposed with ultraviolet light
In Comparative Examples 1 to 9 in which a polyimide film having a normal hole pattern is obtained, whereas re-exposure is not performed or conventional heat curing is performed instead of re-exposure. Since the etching size and hole shape are changed due to the swelling of the resin layer pattern mask or the mask is cracked, it can be seen that the etching method according to the present invention is more advantageous.
【００９２】[0092]
【発明の効果】上述のように、本発明においては、単体
基材としてのポリイミドフィルムや片面銅貼りポリイミ
ドフィルムをアルカリ性液でエッチングする場合におい
て、樹脂層パターンマスクの形成に引き続いて、前記樹
脂層パターンマスクの表面のみを硬化せしめるように再
度の紫外線照射を行うようにしているから、リールツー
リール方式の搬送等に適した可撓性を保持し得ると共に
穴等のエッチング加工寸法及び形状が安定化したエッチ
ング製品を得ることができる。As described above, according to the present invention, when a polyimide film as a single base material or a single-sided copper-applied polyimide film is etched with an alkaline solution, the resin layer pattern mask is formed following the formation of the resin layer pattern mask. Since ultraviolet irradiation is performed again so as to cure only the surface of the pattern mask, it is possible to maintain flexibility suitable for reel-to-reel transport, etc., and the etching processing size and shape of holes etc. are stable. Thus, it is possible to obtain an etched product.
【図１】実施例１におけるブラインドビアホールの拡大
した姿を示す写真である。FIG. 1 is a photograph showing an enlarged view of a blind via hole in Example 1.
【図２】比較例４におけるブラインドビアホールの拡大
した姿を示す写真である。FIG. 2 is a photograph showing an enlarged view of a blind via hole in Comparative Example 4.
【図３】比較例５におけるブラインドビアホールの拡大
した姿を示す写真である。FIG. 3 is a photograph showing an enlarged view of a blind via hole in Comparative Example 5.
【図４】比較例７におけるドライフィルムパターンマス
クの拡大した姿を示す写真である。FIG. 4 is a photograph showing an enlarged view of a dry film pattern mask in Comparative Example 7.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/09 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/09 ５０１ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｋ // Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｃ０８Ｌ 79:08 (72)発明者 浦島 利夫 滋賀県大津市大江一丁目１番45号 東レエ ンジニアリング株式会社内 (72)発明者 小山 稔 神奈川県茅ヶ崎市松風台11−13 (72)発明者 鈴木 篤 埼玉県川越市芳野台一丁目103番54 レイ テック株式会社内 (72)発明者 橋野 優子 埼玉県川越市芳野台一丁目103番54 レイ テック株式会社内 (72)発明者 金子 美晴 埼玉県川越市芳野台一丁目103番54 レイ テック株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA06 AA13 AA14 AB11 AB15 AB17 AC01 AD01 DA18 FA17 FA30 FA40 2H096 AA26 AA27 BA05 CA01 EA02 GA08 HA03 HA17 JA04 4F073 AA06 BA31 BB01 BB08 BB09 CA45 EA41 EA44 GA11 HA11 4F100 AB17C AK01B AK49A BA03 BA07 BA10A BA10C BA13 EJ15B JB14B ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/09 501 G03F 7/09 501 H05K 3/00 H05K 3/00 K // C08L 79:08 C08L 79 : 08 (72) Inventor Toshio Urashima 1-1-45 Oe, Otsu City, Shiga Prefecture Toray Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Minoru Oyama 11-13 Matsukazedai, Chigasaki-shi, Kanagawa Prefecture (72) Inventor Atsushi Suzuki 103-54 Yoshinodai, Kawagoe-shi, Saitama Prefecture Ray Tech Co., Ltd. (72) Inventor Yuko Hashino 103-54, Yoshinodai, Kawagoe-shi, Saitama Prefecture Ray Tech Co., Ltd. (72) Miharu Kaneko Kawagoe, Saitama Prefecture 103-54 Yoshinodai 1-chome Ray Tech Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA03 AA06 AA13 AA14 AB11 AB15 AB17 AC01 AD01 DA18 FA17 FA30 FA40 2H096 AA26 AA27 BA05 CA01 EA02 GA08 HA03 HA17 JA04 4F073 AA06 BA31 BB01 BB08 BB09 CA45 EA41 EA44 GA11 HA11 4F100 AB17C AK01B AK49A BA03 BA07 BA10A BA10C BA13 EJ15B JB14B
Claims (5)
光性樹脂層にフォトマスクを用いて紫外線を照射し、か
つ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、アル
カリ性エッチング液でエッチングを行うポリイミドフィ
ルムのエッチング方法において、前記樹脂層パターンマ
スクの形成に引き続いて、前記樹脂層パターンマスクの
表面のみを硬化せしめるように再度の紫外線照射を行う
ことを特徴とするポリイミドフィルムのエッチング方
法。1. A polyimide in which a photosensitive resin layer formed on a surface of a polyimide film is irradiated with ultraviolet rays using a photomask and developed to form a resin layer pattern mask, and then etched with an alkaline etchant. A method of etching a polyimide film, comprising, following the formation of the resin layer pattern mask, performing ultraviolet irradiation again so as to cure only the surface of the resin layer pattern mask.
硬化せしめるように再度の紫外線照射を行うことを特徴
とする請求項１に記載のポリイミドフィルムのエッチン
グ方法。2. The method for etching a polyimide film according to claim 1, wherein the ultraviolet irradiation is performed again so as to cure the surface of the opening of the resin layer pattern mask.
構成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のポリ
イミドフィルムのエッチング方法。3. The method for etching a polyimide film according to claim 1, wherein the photosensitive resin layer is formed of a photosensitive dry film.
ッチング液を用いることを特徴とする請求項１，２又は
３に記載のポリイミドフィルムのエッチング方法。4. The method for etching a polyimide film according to claim 1, wherein an alkaline etching solution containing an organic amine compound is used.
ミドフィルムであることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか一つに記載のポリイミドフィルムのエッチング方
法。5. The method for etching a polyimide film according to claim 1, wherein the polyimide film is a single-sided copper-clad polyimide film.
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