JP2001305498A - 半導体光変調器 - Google Patents
半導体光変調器Info
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- JP2001305498A JP2001305498A JP2000125510A JP2000125510A JP2001305498A JP 2001305498 A JP2001305498 A JP 2001305498A JP 2000125510 A JP2000125510 A JP 2000125510A JP 2000125510 A JP2000125510 A JP 2000125510A JP 2001305498 A JP2001305498 A JP 2001305498A
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- doped
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外光領域でも使用波可能な半導体光変調器
の提供。 【解決手段】 半導体光変調器の光導波路１１、１２を
ワイドギャップ半導体であるＡｌＮ、ＧａＮ及びＡｌＧ
ａＮを用いて構成する。ｎ型ＧａＮ基板１９に、ｎ型に
ドープしたＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ／ＡｌWNＧａ(1-WN)Ｎ超
格子クラッド層１８を形成し、その上に、不純物をドー
プしていないＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎコア層２０を成長し、
更に、ｐ型にドープしたＡｌBPＧａ(1-BP)Ｎ／ＡｌWPＧ
ａ(1-WP)Ｎ超格子クラッド層２１を成長する。Ａｌx Ｇ
ａ(1-x) Ｎコア層２０の屈折率は、ｎ型及びｐ型の超格
子クラッド層１８、２１の平均屈折率よりも大きい。
の提供。 【解決手段】 半導体光変調器の光導波路１１、１２を
ワイドギャップ半導体であるＡｌＮ、ＧａＮ及びＡｌＧ
ａＮを用いて構成する。ｎ型ＧａＮ基板１９に、ｎ型に
ドープしたＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ／ＡｌWNＧａ(1-WN)Ｎ超
格子クラッド層１８を形成し、その上に、不純物をドー
プしていないＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎコア層２０を成長し、
更に、ｐ型にドープしたＡｌBPＧａ(1-BP)Ｎ／ＡｌWPＧ
ａ(1-WP)Ｎ超格子クラッド層２１を成長する。Ａｌx Ｇ
ａ(1-x) Ｎコア層２０の屈折率は、ｎ型及びｐ型の超格
子クラッド層１８、２１の平均屈折率よりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体光変調器に関
し、紫外光領域でも使用可能なものである。
し、紫外光領域でも使用可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】光の強度や位相を変調する光変調器は、
光情報処理や光通信に重要である。特に、半導体ベース
の導波型光変調器は、光集積回路を構成する上で、不可
欠な回路要素である。光情報処理では波長が短いほど高
密度な情報処理が可能となるため、青色あるいは紫外光
でも動作可能な光変調器は重要である。光変調器の構造
としては、交差型やマッハツェンダー型などが知られて
いる。
光情報処理や光通信に重要である。特に、半導体ベース
の導波型光変調器は、光集積回路を構成する上で、不可
欠な回路要素である。光情報処理では波長が短いほど高
密度な情報処理が可能となるため、青色あるいは紫外光
でも動作可能な光変調器は重要である。光変調器の構造
としては、交差型やマッハツェンダー型などが知られて
いる。
【０００３】まず、交差型光変調器について説明する。
図９に交差型光変調器の構造例を示す。この例では、２
本の光導波路９１、９２が角度２θで交差しており、両
光導波路９１、９２の交差領域において、その交差角２
θの２等分線で区分される一方側の領域１３の屈折率を
局所的に減少させると、ポート１４から入射した信号光
は屈折率変化領域１３の界面で一部反射し、ポート１７
の方向に進行する光は減少し、その分はポート１６の方
向へ進む。これにより信号光を変調することができる。
特に、ｎを光導波路の屈折率、Δｎを屈折率の変化量と
するとき、θ＜９０°− sin-1（１−Δｎ／ｎ）を満た
すときには、入射信号光は屈折率変化領域１３の界面で
全反射し、ポート１７には全く進まず、全ての光はポー
ト１６の方向へ進むことになる。このときは、光変調器
は光スイッチとして働く。１５は他の入力ポートであ
る。
図９に交差型光変調器の構造例を示す。この例では、２
本の光導波路９１、９２が角度２θで交差しており、両
光導波路９１、９２の交差領域において、その交差角２
θの２等分線で区分される一方側の領域１３の屈折率を
局所的に減少させると、ポート１４から入射した信号光
は屈折率変化領域１３の界面で一部反射し、ポート１７
の方向に進行する光は減少し、その分はポート１６の方
向へ進む。これにより信号光を変調することができる。
特に、ｎを光導波路の屈折率、Δｎを屈折率の変化量と
するとき、θ＜９０°− sin-1（１−Δｎ／ｎ）を満た
すときには、入射信号光は屈折率変化領域１３の界面で
全反射し、ポート１７には全く進まず、全ての光はポー
ト１６の方向へ進むことになる。このときは、光変調器
は光スイッチとして働く。１５は他の入力ポートであ
る。
【０００４】次に、マッハツェンダー型光変調器につい
て説明する。図１０にマッハツェンダー光変調器の構造
例を示す。この例では、ポート２７から入射した信号光
は、分岐２９でともに等しい伝搬定数βを有するアーム
３１とアーム３２に２分されて進行する。アーム３１の
斜線を付した部分３３の長さをＬとするとき、この部分
３３の屈折率を変化させて伝搬定数をΔβだけ変化させ
ると、アーム３１側を通ってきた信号光はΔβ・Ｌだけ
位相が変化する。アーム３１とアーム３２をそれぞれ通
ってきた信号光は合流３０で波動的に重ね合わされるた
め、位相変化分だけ出力が小さくなり、光変調器として
動作する。特に、位相差Δβ・Ｌがπの奇数倍になった
ときには、ポート２８からの出力は０となり、この場合
には光スイッチとなる。図１０中、１０１はポート２８
から分岐２９までの光導波路、１０２はアーム３１を構
成する光導波路、１０３はアーム３２を構成する光導波
路、１０４は合流３０からポート２８までの光導波路を
示す。
て説明する。図１０にマッハツェンダー光変調器の構造
例を示す。この例では、ポート２７から入射した信号光
は、分岐２９でともに等しい伝搬定数βを有するアーム
３１とアーム３２に２分されて進行する。アーム３１の
斜線を付した部分３３の長さをＬとするとき、この部分
３３の屈折率を変化させて伝搬定数をΔβだけ変化させ
ると、アーム３１側を通ってきた信号光はΔβ・Ｌだけ
位相が変化する。アーム３１とアーム３２をそれぞれ通
ってきた信号光は合流３０で波動的に重ね合わされるた
め、位相変化分だけ出力が小さくなり、光変調器として
動作する。特に、位相差Δβ・Ｌがπの奇数倍になった
ときには、ポート２８からの出力は０となり、この場合
には光スイッチとなる。図１０中、１０１はポート２８
から分岐２９までの光導波路、１０２はアーム３１を構
成する光導波路、１０３はアーム３２を構成する光導波
路、１０４は合流３０からポート２８までの光導波路を
示す。
【０００５】半導体光集積回路用の光変調器では、通
常、上記のように局所的な屈折率変化を生じさせるため
に、ＧａＡｓあるいはＩｎＰなどのｐｎ接合あるいはｐ
ｉｎ構造に、逆バイアスを印加してバンドギャップ近傍
の屈折率変化を利用している。しかるに、ＧａＡｓ及び
ＩｎＰのバンドギャップ波長は各々８７０ｎｍ及び９２
０ｎｍであるため、これらより短い光に対しては損失が
大きく、光導波路としては使用できなかった。また、半
導体ベースの集積回路には使用できないが、個別の光変
調器としてしばしば使用されるＬｉＮｂＯ3 でさえも、
使用可能波長域は０．４μｍから４．５μｍであるの
で、紫外光では使用できなかった。
常、上記のように局所的な屈折率変化を生じさせるため
に、ＧａＡｓあるいはＩｎＰなどのｐｎ接合あるいはｐ
ｉｎ構造に、逆バイアスを印加してバンドギャップ近傍
の屈折率変化を利用している。しかるに、ＧａＡｓ及び
ＩｎＰのバンドギャップ波長は各々８７０ｎｍ及び９２
０ｎｍであるため、これらより短い光に対しては損失が
大きく、光導波路としては使用できなかった。また、半
導体ベースの集積回路には使用できないが、個別の光変
調器としてしばしば使用されるＬｉＮｂＯ3 でさえも、
使用可能波長域は０．４μｍから４．５μｍであるの
で、紫外光では使用できなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決するために、短波長領域でも透明で紫外光領域にお
いても損失なく光を導波可能で、かつ、半導体としてｐ
ｎ接合が形成可能な、ワイドギャップ半導体であるＡｌ
Ｎ、ＧａＮ及びＡｌＧａＮを用いることにより、紫外光
領域でも使用波可能な半導体光変調器を提供するもので
ある。
解決するために、短波長領域でも透明で紫外光領域にお
いても損失なく光を導波可能で、かつ、半導体としてｐ
ｎ接合が形成可能な、ワイドギャップ半導体であるＡｌ
Ｎ、ＧａＮ及びＡｌＧａＮを用いることにより、紫外光
領域でも使用波可能な半導体光変調器を提供するもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の半
導体光変調器は、第１クラッド層、光導波層及び第２ク
ラッド層が積層した構成を有する半導体光変調器におい
て、前記光導波層は、不純物をドープしていないＡｌx
Ｇａ(1-x) Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１）を有し、第１クラ
ッド層は、ｐ型にドープしたＮＢＰなる屈折率を有する
ＡｌBPＧａ(1-B P)Ｎ層で厚さＤＢＰなる障壁層とｐ型に
ドープしたＮＷＰなる屈折率を有するＡｌWPＧａ(1-WP)
Ｎ層で厚さＤＷＰなる井戸層とが交互に積層され、（Ｎ
ＢＰ×ＤＢＰ＋ＮＷＰ×ＤＷＰ）／（ＤＢＰ＋ＤＷＰ）
の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を有し、第
２クラッド層は、ｎ型にドープしたＮＢＮなる屈折率を
有するＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ層で厚さＤＢＮなる障壁層と
ｎ型にドープしたＮＷＮなる屈折率を有するＡｌWNＧａ
(1-WN)Ｎ層で厚さＤＷＮなる井戸層とが交互に積層さ
れ、（ＮＢＮ×ＤＢＮ＋ＮＷＮ×ＤＷＮ）／（ＤＢＮ＋
ＤＷＮ）の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を
有することを特徴とする。
導体光変調器は、第１クラッド層、光導波層及び第２ク
ラッド層が積層した構成を有する半導体光変調器におい
て、前記光導波層は、不純物をドープしていないＡｌx
Ｇａ(1-x) Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１）を有し、第１クラ
ッド層は、ｐ型にドープしたＮＢＰなる屈折率を有する
ＡｌBPＧａ(1-B P)Ｎ層で厚さＤＢＰなる障壁層とｐ型に
ドープしたＮＷＰなる屈折率を有するＡｌWPＧａ(1-WP)
Ｎ層で厚さＤＷＰなる井戸層とが交互に積層され、（Ｎ
ＢＰ×ＤＢＰ＋ＮＷＰ×ＤＷＰ）／（ＤＢＰ＋ＤＷＰ）
の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を有し、第
２クラッド層は、ｎ型にドープしたＮＢＮなる屈折率を
有するＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ層で厚さＤＢＮなる障壁層と
ｎ型にドープしたＮＷＮなる屈折率を有するＡｌWNＧａ
(1-WN)Ｎ層で厚さＤＷＮなる井戸層とが交互に積層さ
れ、（ＮＢＮ×ＤＢＮ＋ＮＷＮ×ＤＷＮ）／（ＤＢＮ＋
ＤＷＮ）の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を
有することを特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明の半導体光変調器は、
第１クラッド層、光導波層及び第２クラッド層が積層し
た構成を有する半導体光変調器において、前記光導波層
は、不純物をドープしていないＮＣＢなる屈折率を有す
るＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎで厚さＤＣＢなる障壁層とＮＣＷ
なる屈折率を有するＡｌCWＧａ(1-CW)Ｎで厚さＤＣＷな
る井戸層とを交互に積層した超格子もしくは量子井戸を
有し、第１クラッド層は、ｐ型にドープした、（ＮＣＢ
×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣＷ）より
小さいＮＮＰなる屈折率を有するＡｌNPＧａ(1-NP)Ｎ層
を有し、第２クラッド層は、ｎ型にドープした、（ＮＣ
Ｂ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣＷ）よ
り小さいＮＮＮなる屈折率を有するＡｌNNＧａ(1-NN)Ｎ
層を有することを特徴とする。
第１クラッド層、光導波層及び第２クラッド層が積層し
た構成を有する半導体光変調器において、前記光導波層
は、不純物をドープしていないＮＣＢなる屈折率を有す
るＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎで厚さＤＣＢなる障壁層とＮＣＷ
なる屈折率を有するＡｌCWＧａ(1-CW)Ｎで厚さＤＣＷな
る井戸層とを交互に積層した超格子もしくは量子井戸を
有し、第１クラッド層は、ｐ型にドープした、（ＮＣＢ
×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣＷ）より
小さいＮＮＰなる屈折率を有するＡｌNPＧａ(1-NP)Ｎ層
を有し、第２クラッド層は、ｎ型にドープした、（ＮＣ
Ｂ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣＷ）よ
り小さいＮＮＮなる屈折率を有するＡｌNNＧａ(1-NN)Ｎ
層を有することを特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、上記の各半導体光
変調器において、各層間の格子不整合により生じるピエ
ゾ電界が逆バイアスと同じ方向となることを特徴とす
る。
変調器において、各層間の格子不整合により生じるピエ
ゾ電界が逆バイアスと同じ方向となることを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】［第１実施形態例］図１、図２及
び図３を参照して、本発明の第１実施形態例を説明す
る。図１は本発明の第１実施形態例に係る半導体光変調
器を示す平面図、図２は図１中のII−II線断面図、図３
は図１中のIII-III 線断面図である。
び図３を参照して、本発明の第１実施形態例を説明す
る。図１は本発明の第１実施形態例に係る半導体光変調
器を示す平面図、図２は図１中のII−II線断面図、図３
は図１中のIII-III 線断面図である。
【００１１】本例では、光導波路としてリッジ構造を採
用し、光変調器構造としては交差型となっている。即
ち、２本の光導波路１１、１２を角度２θで交差させ、
両光導波路１１、１２の交差領域の一方側に、屈折率変
調領域１３を形成している。１４〜１７はポートを示
す。
用し、光変調器構造としては交差型となっている。即
ち、２本の光導波路１１、１２を角度２θで交差させ、
両光導波路１１、１２の交差領域の一方側に、屈折率変
調領域１３を形成している。１４〜１７はポートを示
す。
【００１２】本例では、ｎ型にドープしたＡｌBNＧａ
(1-BN)Ｎ／ＡｌWNＧａ(1-WN)Ｎ超格子層１８を、ｎ型Ｇ
ａＮ基板１９上に形成する。この超格子層１８はｎ型に
ドープしたＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ層とｎ型にドープしたＡ
ｌWNＧａ(1-WN)Ｎ層とが交互に多数積層されたものであ
り、光導波路１１、１２におけるクラッド層として働
く。
(1-BN)Ｎ／ＡｌWNＧａ(1-WN)Ｎ超格子層１８を、ｎ型Ｇ
ａＮ基板１９上に形成する。この超格子層１８はｎ型に
ドープしたＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ層とｎ型にドープしたＡ
ｌWNＧａ(1-WN)Ｎ層とが交互に多数積層されたものであ
り、光導波路１１、１２におけるクラッド層として働
く。
【００１３】今、ｎ型にドープしたＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ
層は障壁層であり、その屈折率をＮＢＮ、障壁層厚さを
ＤＢＮと表す。又、ｎ型にドープしたＡｌWNＧａ(1-WN)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＷＮ、井戸層厚さ
をＤＷＮと表す。
層は障壁層であり、その屈折率をＮＢＮ、障壁層厚さを
ＤＢＮと表す。又、ｎ型にドープしたＡｌWNＧａ(1-WN)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＷＮ、井戸層厚さ
をＤＷＮと表す。
【００１４】ここで、超格子層１８の各層の組成は例え
ばＢＮ＝０．５、ＷＮ＝０．２５であり、障壁層厚さＤ
ＢＮが４ｎｍ、井戸層厚さＤＷＮが４ｎｍであるとす
る。また、超格子層１８の全体厚さは、コア層（光導波
層）２０に閉じ込められた光の裾部分がｎ型ＧａＮ基板
１９に達しないように、光の波長程度よりは厚くなるよ
うに設計されており、例えば３００ｎｍである。
ばＢＮ＝０．５、ＷＮ＝０．２５であり、障壁層厚さＤ
ＢＮが４ｎｍ、井戸層厚さＤＷＮが４ｎｍであるとす
る。また、超格子層１８の全体厚さは、コア層（光導波
層）２０に閉じ込められた光の裾部分がｎ型ＧａＮ基板
１９に達しないように、光の波長程度よりは厚くなるよ
うに設計されており、例えば３００ｎｍである。
【００１５】ＡｌＮの屈折率を２．０とし、ＧａＮの屈
折率を２．８とすると、Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎの屈折率Ｎ
ＢＮは２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）で
あり、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎの屈折率ＮＷＮは２．６（＝
２．０×０．２５＋２．８×０．７５）となる。
折率を２．８とすると、Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎの屈折率Ｎ
ＢＮは２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）で
あり、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎの屈折率ＮＷＮは２．６（＝
２．０×０．２５＋２．８×０．７５）となる。
【００１６】従って、超格子層１８全体の平均屈折率
は、（ＮＢＮ×ＤＢＮ＋ＮＷＮ×ＤＷＮ）／（ＤＢＮ＋
ＤＷＮ）＝（２．４×４＋２．６×４）（４＋４）＝
２．５となる。
は、（ＮＢＮ×ＤＢＮ＋ＮＷＮ×ＤＷＮ）／（ＤＢＮ＋
ＤＷＮ）＝（２．４×４＋２．６×４）（４＋４）＝
２．５となる。
【００１７】この超格子層１８の上に、不純物をドーピ
ングしないＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１）
層２０を成長する。この層２０は光導波路１１、１２に
おける光導波層（コア層）であり、Ａｌ組成は例えばｘ
＝０．２である。即ち、厚さは、例えば５０ｎｍであ
る。
ングしないＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１）
層２０を成長する。この層２０は光導波路１１、１２に
おける光導波層（コア層）であり、Ａｌ組成は例えばｘ
＝０．２である。即ち、厚さは、例えば５０ｎｍであ
る。
【００１８】このコア層（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層）２０
の屈折率はＡｌ組成が０．２であるから、２．６４（＝
２．０×０．２＋２．８×０．８）となる。
の屈折率はＡｌ組成が０．２であるから、２．６４（＝
２．０×０．２＋２．８×０．８）となる。
【００１９】更に、このコア層２０の上に、クラッド層
２１として、ｐ型にドープしたＡｌ BPＧａ(1-BP)Ｎ／Ａ
ｌWPＧａ(1-WP)Ｎ超格子層を成長する。この超格子層２
１はｐ型にドープしたＡｌBPＧａ(1-BP)Ｎ層とｐ型にド
ープしたＡｌWPＧａ(1-WP)Ｎ層とが交互に多数積層され
たものであり、光導波路１１、１２におけるクラッド層
として働く。
２１として、ｐ型にドープしたＡｌ BPＧａ(1-BP)Ｎ／Ａ
ｌWPＧａ(1-WP)Ｎ超格子層を成長する。この超格子層２
１はｐ型にドープしたＡｌBPＧａ(1-BP)Ｎ層とｐ型にド
ープしたＡｌWPＧａ(1-WP)Ｎ層とが交互に多数積層され
たものであり、光導波路１１、１２におけるクラッド層
として働く。
【００２０】今、ｐ型にドープしたＡｌBPＧａ(1-BP)Ｎ
層は障壁層であり、その屈折率をＮＢＰ、障壁層厚さを
ＤＢＰと表す。又、ｐ型にドープしたＡｌWPＧａ(1-WP)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＷＰ、井戸層厚さ
をＤＷＰと表す。
層は障壁層であり、その屈折率をＮＢＰ、障壁層厚さを
ＤＢＰと表す。又、ｐ型にドープしたＡｌWPＧａ(1-WP)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＷＰ、井戸層厚さ
をＤＷＰと表す。
【００２１】ここで、超格子層２１の各層の組成は例え
ばＢＰ＝０．５、ＷＰ＝０．２５であり、障壁層厚さＤ
ＢＰが４ｎｍ、井戸層厚さＤＷＰが４ｎｍであるとす
る。また、超格子層２１の全体厚さは、コア層（光導波
層）２０に閉じ込められた光の裾部分が外部に達しない
ように、光の波長程度よりは厚くなるように設計されて
おり、例えば３００ｎｍである。
ばＢＰ＝０．５、ＷＰ＝０．２５であり、障壁層厚さＤ
ＢＰが４ｎｍ、井戸層厚さＤＷＰが４ｎｍであるとす
る。また、超格子層２１の全体厚さは、コア層（光導波
層）２０に閉じ込められた光の裾部分が外部に達しない
ように、光の波長程度よりは厚くなるように設計されて
おり、例えば３００ｎｍである。
【００２２】従って、前述のように、ＡｌＮの屈折率を
２．０とし、ＧａＮの屈折率を２．８とすると、Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ｎの屈折率ＮＢＰは２．４（＝２．０×
０．５＋２．８×０．５）であり、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ
の屈折率ＮＷＰは２．６（＝２．０×０．２５＋２．８
×０．７５）となる。
２．０とし、ＧａＮの屈折率を２．８とすると、Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ｎの屈折率ＮＢＰは２．４（＝２．０×
０．５＋２．８×０．５）であり、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ
の屈折率ＮＷＰは２．６（＝２．０×０．２５＋２．８
×０．７５）となる。
【００２３】従って、超格子層２１全体の平均屈折率
は、（ＮＢＰ×ＤＢＰ＋ＮＷＰ×ＤＷＰ）／（ＤＢＰ＋
ＤＷＰ）＝（２．４×４＋２．６×４）（４＋４）＝
２．５となる。
は、（ＮＢＰ×ＤＢＰ＋ＮＷＰ×ＤＷＰ）／（ＤＢＰ＋
ＤＷＰ）＝（２．４×４＋２．６×４）（４＋４）＝
２．５となる。
【００２４】上記において、コア層２０となっているＡ
ｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層の屈折率は２．６４であるから、ク
ラッド層１８となっているｎ型の超格子層の平均屈折率
２．５よりも、また、クラッド層２１となっているｐ型
の超格子層の平均屈折率２．５よりも大きく、十分に光
の閉じ込めが可能であり、全体として光導波路構造とな
っている。
ｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層の屈折率は２．６４であるから、ク
ラッド層１８となっているｎ型の超格子層の平均屈折率
２．５よりも、また、クラッド層２１となっているｐ型
の超格子層の平均屈折率２．５よりも大きく、十分に光
の閉じ込めが可能であり、全体として光導波路構造とな
っている。
【００２５】かくして得られる光導波路１１、１２の幅
は、例えば１μｍ程度にされる。
は、例えば１μｍ程度にされる。
【００２６】光導波路１１、１２の交差領域は、図３に
示すような構造になっており、ｎ型ＧａＮ基板１９上
に、ｎ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎ／Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ｎ超格子層１８、ドーピングしないＡｌ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎコア層２０、ｐ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5
Ｎ／Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ超格子層２１が順に成長してい
る。
示すような構造になっており、ｎ型ＧａＮ基板１９上
に、ｎ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎ／Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ｎ超格子層１８、ドーピングしないＡｌ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎコア層２０、ｐ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5
Ｎ／Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ超格子層２１が順に成長してい
る。
【００２７】このような交差部分の一部１３にｐ電極２
３を形成し、ｎ型ＧａＮ基板１９の裏面に形成したｎ電
極２２とにより、この部分１３、即ち屈折率変調領域１
３にだけ電界を印加できるようにしてある。ＳｉＯ2 層
２４はｐ電極２３を安定に形成するために、超格子層１
８、コア層２０及び超格子層２１に沿って成長させてあ
る。２５は電界印加用電源、２６は印加制御用スイッチ
である。
３を形成し、ｎ型ＧａＮ基板１９の裏面に形成したｎ電
極２２とにより、この部分１３、即ち屈折率変調領域１
３にだけ電界を印加できるようにしてある。ＳｉＯ2 層
２４はｐ電極２３を安定に形成するために、超格子層１
８、コア層２０及び超格子層２１に沿って成長させてあ
る。２５は電界印加用電源、２６は印加制御用スイッチ
である。
【００２８】そして、屈折率変調領域１３に基板１９に
対して負の電界を加えると、ｐｉｎ構造（ｐ型超格子層
２１、ドーピングしないコア層２０、ｎ型超格子層１
８）に対して逆バイアスが加わり、ポッケルス効果（１
次の電気光学効果）により屈折率が減少し、信号光が変
調される。
対して負の電界を加えると、ｐｉｎ構造（ｐ型超格子層
２１、ドーピングしないコア層２０、ｎ型超格子層１
８）に対して逆バイアスが加わり、ポッケルス効果（１
次の電気光学効果）により屈折率が減少し、信号光が変
調される。
【００２９】ポッケルス効果で生じる屈折率変化ΔＮ
は、光導波路１１、１２の実効屈折率をＮ、交差角を２
θ、電圧をＶ、電極ギャップをｄ、印加電界低減係数を
Γ、ポッケルス定数をｒとしたとき、式（１）で表され
る。 ΔＮ＝ΓｒＮ3 Ｖ／２ｄ …式（１）
は、光導波路１１、１２の実効屈折率をＮ、交差角を２
θ、電圧をＶ、電極ギャップをｄ、印加電界低減係数を
Γ、ポッケルス定数をｒとしたとき、式（１）で表され
る。 ΔＮ＝ΓｒＮ3 Ｖ／２ｄ …式（１）
【００３０】更に、式（２）を満たす電圧Ｖを印加する
ことにより、全反射が起きる。 Ｖ≧ｄθ2 ／ΓｒＮ2 …式（２）
ことにより、全反射が起きる。 Ｖ≧ｄθ2 ／ΓｒＮ2 …式（２）
【００３１】本例では、光導波路１１、１２はリッジ型
となっているが、コア層２０の材料よりも屈折率の低い
材料を用いて埋め込むことにより、埋め込み構造の光導
波路、従って、埋め込み構造の半導体光変調器とするこ
とができる。
となっているが、コア層２０の材料よりも屈折率の低い
材料を用いて埋め込むことにより、埋め込み構造の光導
波路、従って、埋め込み構造の半導体光変調器とするこ
とができる。
【００３２】また、本例では、基板としてｎ型ＧａＮ基
板１９を用いているが、ＧａＮ系材料と比較的良好な格
子整合が可能なｎ型ＳｉＣ基板や、サファイヤ基板を用
いても良い。但し、サファイヤ基板を用いる場合には、
サファイヤ基板からの電気的接触を直接取ることができ
ないので、基板上面のｎ型超格子層１８の部分から電気
的接触（ｎ電極２２）を取る必要がある。
板１９を用いているが、ＧａＮ系材料と比較的良好な格
子整合が可能なｎ型ＳｉＣ基板や、サファイヤ基板を用
いても良い。但し、サファイヤ基板を用いる場合には、
サファイヤ基板からの電気的接触を直接取ることができ
ないので、基板上面のｎ型超格子層１８の部分から電気
的接触（ｎ電極２２）を取る必要がある。
【００３３】コア層についてはバルク層に代えて超格子
層を用いることができ、また、クラッド層については超
格子層に代えてバルク層を用いることができるが、これ
らについては、図１１、図１２を参照して後で説明す
る。
層を用いることができ、また、クラッド層については超
格子層に代えてバルク層を用いることができるが、これ
らについては、図１１、図１２を参照して後で説明す
る。
【００３４】［第２実施形態例］図４、図５及び図６を
参照して、本発明の第２実施形態例を説明する。図４は
本発明の第２実施形態例に係る半導体光変調器を示す平
面図、図５は図４中のＶ−Ｖ線断面図、図６は図４中の
ＶI-ＶI 線断面図である。
参照して、本発明の第２実施形態例を説明する。図４は
本発明の第２実施形態例に係る半導体光変調器を示す平
面図、図５は図４中のＶ−Ｖ線断面図、図６は図４中の
ＶI-ＶI 線断面図である。
【００３５】本例では、光導波路としてリッジ構造を採
用し、光変調器構造としてはマッハツェンダー型となっ
ている。即ち、ポート２７からの１つの光導波路３４が
分岐２９で２つのアーム３１、３２をなす光導波路３
５、３６に分岐し、これらが合流３０から１つの光導波
路３７になってポート２８に至る。そして、一方のアー
ム３１をなす光導波路３５上に、屈折率変調領域３３を
形成している。
用し、光変調器構造としてはマッハツェンダー型となっ
ている。即ち、ポート２７からの１つの光導波路３４が
分岐２９で２つのアーム３１、３２をなす光導波路３
５、３６に分岐し、これらが合流３０から１つの光導波
路３７になってポート２８に至る。そして、一方のアー
ム３１をなす光導波路３５上に、屈折率変調領域３３を
形成している。
【００３６】本例では、ｎ型にドープしたＡｌNNＧａ
(1-NN)Ｎ層４０を、ｎ型ＧａＮ基板３８上に形成する。
この層４０は各光導波路３４〜３７におけるｎ型クラッ
ド層として働く。このｎ型クラッド層４０のＡｌ組成は
例えばＮＮ＝０．５である。また、このｎ型クラッド層
４０の厚さは、光導波層（コア層）４１に閉じ込められ
た光の裾部分がｎ型ＧａＮ基板３８に達しないように、
光の波長程度よりは厚くなるように設計されており、例
えば５００ｎｍである。
(1-NN)Ｎ層４０を、ｎ型ＧａＮ基板３８上に形成する。
この層４０は各光導波路３４〜３７におけるｎ型クラッ
ド層として働く。このｎ型クラッド層４０のＡｌ組成は
例えばＮＮ＝０．５である。また、このｎ型クラッド層
４０の厚さは、光導波層（コア層）４１に閉じ込められ
た光の裾部分がｎ型ＧａＮ基板３８に達しないように、
光の波長程度よりは厚くなるように設計されており、例
えば５００ｎｍである。
【００３７】ＡｌＮの屈折率を２．０とし、ＧａＮの屈
折率を２．８とすると、ＮＮ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｎ型クラッド層）４０の屈折率ＮＮＮは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
折率を２．８とすると、ＮＮ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｎ型クラッド層）４０の屈折率ＮＮＮは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
【００３８】このｎ型クラッド層４０の上に、不純物を
ドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ
(1-CW)Ｎ超格子層（もしくは量子井戸層）４１を成長す
る。この層４１はドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ
層とドーピングしないＡｌCWＧａ (1-CW)Ｎ層とが交互に
多数積層されたものであり、光導波路３４〜３７におけ
る光導波層（コア層）として動作する。
ドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ
(1-CW)Ｎ超格子層（もしくは量子井戸層）４１を成長す
る。この層４１はドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ
層とドーピングしないＡｌCWＧａ (1-CW)Ｎ層とが交互に
多数積層されたものであり、光導波路３４〜３７におけ
る光導波層（コア層）として動作する。
【００３９】今、ドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ
層は障壁層であり、その屈折率をＮＣＢ、障壁層厚さを
ＤＣＢと表す。又、ドーピングしないＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＣＷ、井戸層厚さ
をＤＣＷと表す。
層は障壁層であり、その屈折率をＮＣＢ、障壁層厚さを
ＤＣＢと表す。又、ドーピングしないＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＣＷ、井戸層厚さ
をＤＣＷと表す。
【００４０】ここで、コア層４１の各層の組成は例えば
ＣＢ＝０．２、ＣＷ＝０であり、障壁層厚さＤＣＢが４
ｎｍ、井戸層厚さＤＣＷが４ｎｍであるとする。また、
コア層４１の全体厚さは、例えば５０ｎｍである。
ＣＢ＝０．２、ＣＷ＝０であり、障壁層厚さＤＣＢが４
ｎｍ、井戸層厚さＤＣＷが４ｎｍであるとする。また、
コア層４１の全体厚さは、例えば５０ｎｍである。
【００４１】従って、ＡｌＮの屈折率を２．０とし、Ｇ
ａＮの屈折率を２．８とすると、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの
屈折率ＮＣＢは２．６４（＝２．０×０．２＋２．８×
０．８）であり、ＧａＮの屈折率ＮＷＮは２．８（＝
２．０×０＋２．８×１）となる。
ａＮの屈折率を２．８とすると、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの
屈折率ＮＣＢは２．６４（＝２．０×０．２＋２．８×
０．８）であり、ＧａＮの屈折率ＮＷＮは２．８（＝
２．０×０＋２．８×１）となる。
【００４２】従って、コア層４１全体の平均屈折率は、
（ＮＣＢ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣ
Ｗ）＝（２．６４×４＋２．８×４）（４＋４）＝２．
７２となる。
（ＮＣＢ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣ
Ｗ）＝（２．６４×４＋２．８×４）（４＋４）＝２．
７２となる。
【００４３】更に、このコア層４１の上に、ｐ型にドー
プしたＡｌNPＧａ(1-NP)Ｎ層４２を成長する。この層４
０は各光導波路３４〜３７におけるｐ型クラッド層とし
て働く。このｐ型クラッド層４２のＡｌ組成は例えばＮ
Ｐ＝０．５である。また、このｐ型クラッド層４２の厚
さは、光導波層（コア層）４１に閉じ込められた光の裾
部分が外部に達しないように、光の波長程度よりは厚く
なるように設計されており、例えば５００ｎｍである。
プしたＡｌNPＧａ(1-NP)Ｎ層４２を成長する。この層４
０は各光導波路３４〜３７におけるｐ型クラッド層とし
て働く。このｐ型クラッド層４２のＡｌ組成は例えばＮ
Ｐ＝０．５である。また、このｐ型クラッド層４２の厚
さは、光導波層（コア層）４１に閉じ込められた光の裾
部分が外部に達しないように、光の波長程度よりは厚く
なるように設計されており、例えば５００ｎｍである。
【００４４】ＡｌＮの屈折率を２．０とし、ＧａＮの屈
折率を２．８とすると、ＮＰ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｐ型クラッド層）４２の屈折率ＮＮＰは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
折率を２．８とすると、ＮＰ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｐ型クラッド層）４２の屈折率ＮＮＰは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
【００４５】上記において、コア層４１となっているド
ーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ超格子（もしくは量子井戸）層の平均屈折率は２．７
２であるから、ｎ型クラッド層４０の屈折率２．４より
も、また、ｐ型クラッド層４２屈折率２．４よりも大き
く、十分に光の閉じ込めが可能であり、全体として光導
波路構造となっている。
ーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ超格子（もしくは量子井戸）層の平均屈折率は２．７
２であるから、ｎ型クラッド層４０の屈折率２．４より
も、また、ｐ型クラッド層４２屈折率２．４よりも大き
く、十分に光の閉じ込めが可能であり、全体として光導
波路構造となっている。
【００４６】かくして得られる光導波路３４〜３７の幅
は、例えば１μｍ程度にされる。
は、例えば１μｍ程度にされる。
【００４７】マッハツェンダー型半導体光変調器の片側
のアーム３１をなす光導波路３５の一部３３は、図６に
示すような構造になっており、ｎ型ＧａＮ基板３８上
に、ｎ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎクラッド層４
０、ドーピングしないＡｌ0.2Ｇａ0.8 Ｎ／ＧａＮ超格
子コア層４１、ｐ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎク
ラッド層４２が順に成長している。
のアーム３１をなす光導波路３５の一部３３は、図６に
示すような構造になっており、ｎ型ＧａＮ基板３８上
に、ｎ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎクラッド層４
０、ドーピングしないＡｌ0.2Ｇａ0.8 Ｎ／ＧａＮ超格
子コア層４１、ｐ型にドープしたＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎク
ラッド層４２が順に成長している。
【００４８】このような部分３３にｐ電極４３を形成
し、ｎ型ＧａＮ基板３８の裏面に形成したｎ電極３９と
により、この部分３３、即ち屈折率変調領域３３にだけ
電界を印加できるようにしてある。ＳｉＯ2 層４４はｐ
電極４３を安定に形成するために、クラッド層４０、超
格子コア層４１及びクラッド層４２に沿って成長させて
ある。４５は電界印加用電源、４６は印加制御用スイッ
チである。
し、ｎ型ＧａＮ基板３８の裏面に形成したｎ電極３９と
により、この部分３３、即ち屈折率変調領域３３にだけ
電界を印加できるようにしてある。ＳｉＯ2 層４４はｐ
電極４３を安定に形成するために、クラッド層４０、超
格子コア層４１及びクラッド層４２に沿って成長させて
ある。４５は電界印加用電源、４６は印加制御用スイッ
チである。
【００４９】そして、屈折率変調領域３３に基板３８に
対して負の電界を加えると、ｐｉｎ構造（ｐ型クラッド
層４２、超格子コア層４１、ｎ型クラッド層４０）に対
して逆バイアスが加わり、超格子コア層４１中の多重量
子井戸構造の井戸層に垂直な方向に電界を印加するとバ
ンド端近傍にある励起子吸収のピーク波長が長波長側に
変化する「量子閉じ込めシュタルク効果」により、吸収
係数即ち屈折率が変化する。
対して負の電界を加えると、ｐｉｎ構造（ｐ型クラッド
層４２、超格子コア層４１、ｎ型クラッド層４０）に対
して逆バイアスが加わり、超格子コア層４１中の多重量
子井戸構造の井戸層に垂直な方向に電界を印加するとバ
ンド端近傍にある励起子吸収のピーク波長が長波長側に
変化する「量子閉じ込めシュタルク効果」により、吸収
係数即ち屈折率が変化する。
【００５０】この効果により、アーム３１側を通過した
信号光とアーム３２側を通過した信号光との間に位相差
が生じ、出力ポート２８では両アーム３１、３２の位相
差に応じた信号強度の変調が得られる。
信号光とアーム３２側を通過した信号光との間に位相差
が生じ、出力ポート２８では両アーム３１、３２の位相
差に応じた信号強度の変調が得られる。
【００５１】本例では、光導波路３４〜３７はリッジ型
となっているが、コア層４１の材料よりも屈折率の低い
材料を用いて埋め込むことにより、埋め込み構造の光導
波路、従って、埋め込み構造の半導体光変調器とするこ
とができる。
となっているが、コア層４１の材料よりも屈折率の低い
材料を用いて埋め込むことにより、埋め込み構造の光導
波路、従って、埋め込み構造の半導体光変調器とするこ
とができる。
【００５２】また、本例では、基板としてｎ型ＧａＮ基
板３８を用いているが、ＧａＮ系材料と比較的良好な格
子整合が可能なｎ型ＳｉＣ基板や、サファイヤ基板を用
いても良い。但し、サファイヤ基板を用いる場合には、
サファイヤ基板からの電気的接触を直接取ることができ
ないので、基板上面のｎ型クラッド層４１の部分から電
気的接触（ｎ電極３９）を取る必要がある。
板３８を用いているが、ＧａＮ系材料と比較的良好な格
子整合が可能なｎ型ＳｉＣ基板や、サファイヤ基板を用
いても良い。但し、サファイヤ基板を用いる場合には、
サファイヤ基板からの電気的接触を直接取ることができ
ないので、基板上面のｎ型クラッド層４１の部分から電
気的接触（ｎ電極３９）を取る必要がある。
【００５３】コア層については超格子層に代えてバルク
層を用いることができ、また、クラッド層についてはバ
ルク層に代えて超格子層を用いることができるが、これ
らについては、図１３、図１４を参照して後で説明す
る。
層を用いることができ、また、クラッド層についてはバ
ルク層に代えて超格子層を用いることができるが、これ
らについては、図１３、図１４を参照して後で説明す
る。
【００５４】［第３実施形態例］図７、図８を参照し
て、本発明の第３実施形態例を説明する。図７は本発明
の第３実施形態例に係る半導体光変調器を示す斜視図、
図８は量子閉じ込めシュタルク効果の吸収特性の電界依
存性を模式的に示す図である。
て、本発明の第３実施形態例を説明する。図７は本発明
の第３実施形態例に係る半導体光変調器を示す斜視図、
図８は量子閉じ込めシュタルク効果の吸収特性の電界依
存性を模式的に示す図である。
【００５５】本例では、光導波路としてリッジ構造を採
用し、光変調器構造としては最も単純な導波型となって
いる。
用し、光変調器構造としては最も単純な導波型となって
いる。
【００５６】即ち本例では、ｐ型ＧａＮ基板４７上、
［０００１］方向に、ｐ型にドープしたＡｌNPＧａ
(1-NP)Ｎ層４８を形成する。この層４８は光導波路にお
けるクラッド層として働く。このｐ型クラッド層４８の
Ａｌ組成は例えばＮＰ＝０．５である。また、このｎ型
クラッド層４８の厚さは、光導波層（コア層）４９に閉
じ込められた光の裾部分がｐ型ＧａＮ基板４７に達しな
いように、光の波長程度よりは厚くなるように設計され
ており、例えば５００ｎｍである。
［０００１］方向に、ｐ型にドープしたＡｌNPＧａ
(1-NP)Ｎ層４８を形成する。この層４８は光導波路にお
けるクラッド層として働く。このｐ型クラッド層４８の
Ａｌ組成は例えばＮＰ＝０．５である。また、このｎ型
クラッド層４８の厚さは、光導波層（コア層）４９に閉
じ込められた光の裾部分がｐ型ＧａＮ基板４７に達しな
いように、光の波長程度よりは厚くなるように設計され
ており、例えば５００ｎｍである。
【００５７】ＡｌＮの屈折率を２．０とし、ＧａＮの屈
折率を２．８とすると、ＮＰ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｐ型クラッド層）４８の屈折率ＮＮＰは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
折率を２．８とすると、ＮＰ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｐ型クラッド層）４８の屈折率ＮＮＰは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
【００５８】このｐ型クラッド層４８の上に、不純物を
ドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ
(1-CW)Ｎ超格子層４９を成長する。この層４９はドーピ
ングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ層とドーピングしないＡ
ｌCWＧａ(1-CW)Ｎ層とが交互に多数積層されたものであ
り、光導波路における光導波層（コア層）として動作す
る。
ドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ
(1-CW)Ｎ超格子層４９を成長する。この層４９はドーピ
ングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ層とドーピングしないＡ
ｌCWＧａ(1-CW)Ｎ層とが交互に多数積層されたものであ
り、光導波路における光導波層（コア層）として動作す
る。
【００５９】今、ドーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ
層は障壁層であり、その屈折率をＮＣＢ、障壁層厚さを
ＤＣＢと表す。又、ドーピングしないＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＣＷ、井戸層厚さ
をＤＣＷと表す。
層は障壁層であり、その屈折率をＮＣＢ、障壁層厚さを
ＤＣＢと表す。又、ドーピングしないＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ層は井戸層であり、その屈折率をＮＣＷ、井戸層厚さ
をＤＣＷと表す。
【００６０】ここで、コア層４９の各層の組成は例えば
ＣＢ＝０．２、ＣＷ＝０であり、障壁層厚さＤＣＢが４
ｎｍ、井戸層厚さＤＣＷが４ｎｍであるとする。また、
コア層４９の全体厚さは、例えば５０ｎｍである。
ＣＢ＝０．２、ＣＷ＝０であり、障壁層厚さＤＣＢが４
ｎｍ、井戸層厚さＤＣＷが４ｎｍであるとする。また、
コア層４９の全体厚さは、例えば５０ｎｍである。
【００６１】従って、ＡｌＮの屈折率を２．０とし、Ｇ
ａＮの屈折率を２．８とすると、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの
屈折率ＮＣＢは２．６４（＝２．０×０．２＋２．８×
０．８）であり、ＧａＮの屈折率ＮＷＮは２．８（＝
２．０×０＋２．８×１）となる。
ａＮの屈折率を２．８とすると、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎの
屈折率ＮＣＢは２．６４（＝２．０×０．２＋２．８×
０．８）であり、ＧａＮの屈折率ＮＷＮは２．８（＝
２．０×０＋２．８×１）となる。
【００６２】従って、コア層４９全体の平均屈折率は、
（ＮＣＢ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣ
Ｗ）＝（２．６４×４＋２．８×４）（４＋４）＝２．
７２となる。
（ＮＣＢ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣＢ＋ＤＣ
Ｗ）＝（２．６４×４＋２．８×４）（４＋４）＝２．
７２となる。
【００６３】更に、このコア層４９の上に、ｎ型にドー
プしたＡｌNNＧａ(1-NN)Ｎ層５０を成長する。この層５
０は光導波路におけるｎ型クラッド層として働く。この
ｎ型クラッド層５０のＡｌ組成は例えばＮＮ＝０．５で
ある。また、このｎ型クラッド層５０の厚さは、光導波
層（コア層）４９に閉じ込められた光の裾部分が外部に
達しないように、光の波長程度よりは厚くなるように設
計されており、例えば５００ｎｍである。
プしたＡｌNNＧａ(1-NN)Ｎ層５０を成長する。この層５
０は光導波路におけるｎ型クラッド層として働く。この
ｎ型クラッド層５０のＡｌ組成は例えばＮＮ＝０．５で
ある。また、このｎ型クラッド層５０の厚さは、光導波
層（コア層）４９に閉じ込められた光の裾部分が外部に
達しないように、光の波長程度よりは厚くなるように設
計されており、例えば５００ｎｍである。
【００６４】ＡｌＮの屈折率を２．０とし、ＧａＮの屈
折率を２．８とすると、ＮＮ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｎ型クラッド層）５０の屈折率ＮＮＮは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
折率を２．８とすると、ＮＮ＝０．５であるＡｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ｎ層（ｎ型クラッド層）５０の屈折率ＮＮＮは、
２．４（＝２．０×０．５＋２．８×０．５）となる。
【００６５】上記において、コア層４９となっているド
ーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ超格子層の平均屈折率は２．７２であるから、ｐ型ク
ラッド層４８の屈折率２．４よりも、また、ｎ型クラッ
ド層５０の屈折率２．４よりも大きく、十分に光の閉じ
込めが可能であり、全体として光導波路構造となってい
る。
ーピングしないＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎ／ＡｌCWＧａ(1-CW)
Ｎ超格子層の平均屈折率は２．７２であるから、ｐ型ク
ラッド層４８の屈折率２．４よりも、また、ｎ型クラッ
ド層５０の屈折率２．４よりも大きく、十分に光の閉じ
込めが可能であり、全体として光導波路構造となってい
る。
【００６６】かくして得られる光導波路の幅は、例えば
１μｍ程度にされる。
１μｍ程度にされる。
【００６７】本例では、コア層４９の平均の格子定数
は、ｐ型クラッド層４８及びｎ型クラッド層５０の格子
定数より小さいため、各層４８、４９、５０間の格子不
整合により、コア層４９の内面には延長応力が働く。こ
の応力に起因してピエゾ効果が働き、このピエゾ効果に
より、ドーピングしていないコア層４９に対して、無バ
イアス状態でも、既に逆バイアス方向に電界がかかって
いる。
は、ｐ型クラッド層４８及びｎ型クラッド層５０の格子
定数より小さいため、各層４８、４９、５０間の格子不
整合により、コア層４９の内面には延長応力が働く。こ
の応力に起因してピエゾ効果が働き、このピエゾ効果に
より、ドーピングしていないコア層４９に対して、無バ
イアス状態でも、既に逆バイアス方向に電界がかかって
いる。
【００６８】図８に、量子閉じ込めシュタルク効果の吸
収係数スペクトルの電界依存性を模式的に示す。図８に
おいて、無電界状態では５６で示す吸収特性を持ってい
たｐｉｎ構造に、逆バイアスを印加すると５７で示す特
性のように長波長側に吸収ピークがシフトする。
収係数スペクトルの電界依存性を模式的に示す。図８に
おいて、無電界状態では５６で示す吸収特性を持ってい
たｐｉｎ構造に、逆バイアスを印加すると５７で示す特
性のように長波長側に吸収ピークがシフトする。
【００６９】そこで、本例の場合には、通常とは逆にピ
エゾ電界により無バイアス状態でも既に逆バイアスが印
加されている状態であるので、図８中の吸収特性５７を
示し、順バイアスを印加することによってｉ層の電界が
減少して図８中の吸収特性５６を示すことになる。
エゾ電界により無バイアス状態でも既に逆バイアスが印
加されている状態であるので、図８中の吸収特性５７を
示し、順バイアスを印加することによってｉ層の電界が
減少して図８中の吸収特性５６を示すことになる。
【００７０】従って、信号波長を適当な波長にセットし
ておけば、バイアスの印加によって吸収を減少させるこ
とが可能であり、光の変調作用が実現する。
ておけば、バイアスの印加によって吸収を減少させるこ
とが可能であり、光の変調作用が実現する。
【００７１】図７の例においては、ｐ型ＧａＮ基板４７
の裏面にｐ電極５１を形成し、ｎ型クラッド層５０の表
面にｎ電極５２を形成し、両電極５１、５２間に電界を
印加できるようにしてある。ＳｉＯ2 層５３はｎ電極５
２を安定に形成するために、クラッド層４８、超格子コ
ア層４９及びクラッド層５０に沿って成長させてある。
５４は電界印加用電源、５５は印加制御用スイッチであ
る。
の裏面にｐ電極５１を形成し、ｎ型クラッド層５０の表
面にｎ電極５２を形成し、両電極５１、５２間に電界を
印加できるようにしてある。ＳｉＯ2 層５３はｎ電極５
２を安定に形成するために、クラッド層４８、超格子コ
ア層４９及びクラッド層５０に沿って成長させてある。
５４は電界印加用電源、５５は印加制御用スイッチであ
る。
【００７２】本例では、光導波路はリッジ型となってい
るが、コア層４９の材料よりも屈折率の低い材料を用い
て埋め込むことにより、埋め込み構造の光導波路、従っ
て、埋め込み構造の半導体光変調器とすることができ
る。
るが、コア層４９の材料よりも屈折率の低い材料を用い
て埋め込むことにより、埋め込み構造の光導波路、従っ
て、埋め込み構造の半導体光変調器とすることができ
る。
【００７３】また、本例では、基板としてｐ型ＧａＮ基
板４７を用いているが、ＧａＮ系材料と比較的良好な格
子整合が可能なｎ型ＳｉＣ基板や、サファイヤ基板を用
いても良い。但し、サファイヤ基板を用いる場合には、
サファイヤ基板からの電気的接触を直接取ることができ
ないので、基板上面のｐ型クラッド層４８の部分から電
気的接触（ｐ電極５１）を取る必要がある。
板４７を用いているが、ＧａＮ系材料と比較的良好な格
子整合が可能なｎ型ＳｉＣ基板や、サファイヤ基板を用
いても良い。但し、サファイヤ基板を用いる場合には、
サファイヤ基板からの電気的接触を直接取ることができ
ないので、基板上面のｐ型クラッド層４８の部分から電
気的接触（ｐ電極５１）を取る必要がある。
【００７４】また、本例では、コア層４９として超格子
を用いて量子閉じ込めシュタルク効果を利用したが、コ
ア層に、第１実施形態例で示したようなバルクＡｌＧａ
Ｎを用いてフランツケルディッシュ効果を利用しても良
い。
を用いて量子閉じ込めシュタルク効果を利用したが、コ
ア層に、第１実施形態例で示したようなバルクＡｌＧａ
Ｎを用いてフランツケルディッシュ効果を利用しても良
い。
【００７５】更に、本例では、クラッド層４８、５０に
バルクＡｌＧａＮを使用しているが、第１実施形態例で
示したようなドーピングした超格子を使用することがで
きる。
バルクＡｌＧａＮを使用しているが、第１実施形態例で
示したようなドーピングした超格子を使用することがで
きる。
【００７６】［変形例（その１）］図１１、図１２を参
照して、第１実施形態例の変形例を説明する。
照して、第１実施形態例の変形例を説明する。
【００７７】第１実施形態例では光導波路１１、１２の
コア層としてバルクＡｌＧａＮ層２０を使用したが、図
１１、図１２に示すように、第２実施形態例で示したよ
うな超格子コア層４１を用いることができる。この場合
には、量子閉じ込めシュタルク効果により、より効率の
良い光変調が可能となる。
コア層としてバルクＡｌＧａＮ層２０を使用したが、図
１１、図１２に示すように、第２実施形態例で示したよ
うな超格子コア層４１を用いることができる。この場合
には、量子閉じ込めシュタルク効果により、より効率の
良い光変調が可能となる。
【００７８】また、第１実施形態例では光導波路１１、
１２のクラッド層としてｎ型超格子クラッド層１８及び
ｐ型超格子クラッド層２１を使用したが、図１１、図１
２に示すように、第２実施形態例で示したような単なる
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４０及びｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層４２を用いても良い。
１２のクラッド層としてｎ型超格子クラッド層１８及び
ｐ型超格子クラッド層２１を使用したが、図１１、図１
２に示すように、第２実施形態例で示したような単なる
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４０及びｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層４２を用いても良い。
【００７９】更に、第３実施形態例で示したと同様に、
光導波路１１、１２を構成する各層１８、２０、２１間
の格子不整合により生じるピエゾ電界が、逆バイアスと
同じ方向となるように、屈折率変調領域１３を構成する
ことが可能である。第１実施形態例では、例えば、コア
層２０の格子定数をｎ型超格子クラッド層１８及びｐ型
超格子クラッド層２１の平均格子定数より小さくして、
コア層２０の内面に延長応力を働かせるようにすること
ができる。この応力に起因してピエゾ効果が働き、この
ピエゾ効果により、ドーピングしていないコア層２０に
対して、無バイアス状態でも、既に逆バイアス方向に電
界がかかる。また、図１１、図１２に示す例では、例え
ば、超格子コア層４１の平均格子定数を、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層４０及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４２の
格子定数より小さくして、コア層４１の内面に延長応力
を働かせるようにすることができる。
光導波路１１、１２を構成する各層１８、２０、２１間
の格子不整合により生じるピエゾ電界が、逆バイアスと
同じ方向となるように、屈折率変調領域１３を構成する
ことが可能である。第１実施形態例では、例えば、コア
層２０の格子定数をｎ型超格子クラッド層１８及びｐ型
超格子クラッド層２１の平均格子定数より小さくして、
コア層２０の内面に延長応力を働かせるようにすること
ができる。この応力に起因してピエゾ効果が働き、この
ピエゾ効果により、ドーピングしていないコア層２０に
対して、無バイアス状態でも、既に逆バイアス方向に電
界がかかる。また、図１１、図１２に示す例では、例え
ば、超格子コア層４１の平均格子定数を、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層４０及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４２の
格子定数より小さくして、コア層４１の内面に延長応力
を働かせるようにすることができる。
【００８０】［変形例（その２）］図１３、図１４を参
照して、第２実施形態例の変形例を説明する。
照して、第２実施形態例の変形例を説明する。
【００８１】第２実施形態例では光導波路３４〜３７の
コア層として超格子層４１を使用したが、図１３、図１
４に示すように、第１実施形態例で示したようなＡｌＧ
ａＮのバルク層２０を用いることができる。この場合に
は、フランツケルディッシュ効果を利用できる。
コア層として超格子層４１を使用したが、図１３、図１
４に示すように、第１実施形態例で示したようなＡｌＧ
ａＮのバルク層２０を用いることができる。この場合に
は、フランツケルディッシュ効果を利用できる。
【００８２】また、第２実施形態例では光導波路３４〜
３７のクラッド層としてｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４０
及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４２を用いたが、図１
３、図１４に示すように、第１実施形態例で示したよう
なｎ型超格子クラッド層１８及びｐ型超格子クラッド層
２１を使用しても良い。
３７のクラッド層としてｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４０
及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４２を用いたが、図１
３、図１４に示すように、第１実施形態例で示したよう
なｎ型超格子クラッド層１８及びｐ型超格子クラッド層
２１を使用しても良い。
【００８３】更に、第３実施形態例で示したと同様に、
光導波路３４〜３７を構成する各層４０、４１、４２間
の格子不整合により生じるピエゾ電界が、逆バイアスと
同じ方向となるように、屈折率変調領域３３を構成する
ことが可能である。第２実施形態例では、例えば、超格
子コア層４１の平均格子定数を、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層４０及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４２の格子定数
より小さくして、コア層４１の内面に延長応力を働かせ
るようにすることができる。この応力に起因してピエゾ
効果が働き、このピエゾ効果により、ドーピングしてい
ないコア層４１に対して、無バイアス状態でも、既に逆
バイアス方向に電界がかかる。また、図１３、図１４の
例では、例えば、コア層２０の格子定数をｎ型超格子ク
ラッド層１８及びｐ型超格子クラッド層２１の平均格子
定数より小さくして、コア層２０の内面に延長応力を働
かせるようにすることができる。
光導波路３４〜３７を構成する各層４０、４１、４２間
の格子不整合により生じるピエゾ電界が、逆バイアスと
同じ方向となるように、屈折率変調領域３３を構成する
ことが可能である。第２実施形態例では、例えば、超格
子コア層４１の平均格子定数を、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層４０及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４２の格子定数
より小さくして、コア層４１の内面に延長応力を働かせ
るようにすることができる。この応力に起因してピエゾ
効果が働き、このピエゾ効果により、ドーピングしてい
ないコア層４１に対して、無バイアス状態でも、既に逆
バイアス方向に電界がかかる。また、図１３、図１４の
例では、例えば、コア層２０の格子定数をｎ型超格子ク
ラッド層１８及びｐ型超格子クラッド層２１の平均格子
定数より小さくして、コア層２０の内面に延長応力を働
かせるようにすることができる。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体光
変調器によれば、光集積回路内においても紫外光に対す
る変調が可能となるため、高密度な光情報処理回路の実
現が可能となる。
変調器によれば、光集積回路内においても紫外光に対す
る変調が可能となるため、高密度な光情報処理回路の実
現が可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態例に係る交差型半導体光
変調器を示す平面図。
変調器を示す平面図。
【図２】図１中のII−II線断面図。
【図３】図１中のIII-III 線断面図。
【図４】本発明の第２実施形態例に係るマッハツェンダ
ー型半導体光変調器を示す平面図。
ー型半導体光変調器を示す平面図。
【図５】図４中のＶ−Ｖ線断面図。
【図６】図４中のＶI-ＶI 線断面図。
【図７】本発明の第３実施形態例に係る導波型半導体光
変調器を示す斜視図。
変調器を示す斜視図。
【図８】量子閉じ込めシュタルク効果の吸収特性の電界
依存性を模式的に示す図。
依存性を模式的に示す図。
【図９】交差型光変調器の基本的な構成を示す図。
【図１０】マッハツェンダー型光変調器の基本的な構成
を示す図。
を示す図。
【図１１】第１実施形態例の変形例を示す図２相当の断
面図。
面図。
【図１２】第１実施形態例の変形例を示す図３相当の断
面図。
面図。
【図１３】第２実施形態例の変形例を示す図５相当の断
面図。
面図。
【図１４】第２実施形態例の変形例を示す図６相当の断
面図。
面図。
１１、１２、３４、３５、３６、３７ 光導波路 １３、３３ 屈折率変調領域 １４、１５、１６、１７、２７、２８ ポート １８ ｎ型超格子クラッド層 １９、３８ ｎ型ＧａＮ基板 ２０ ＡｌＧａＮコア層 ２１ ｐ型超格子クラッド層 ２２、３９、５２ ｎ電極 ２３、４３、５１ ｐ電極 ２４、４４、５３ ＳｉＯ2 層 ２５、４５、５４ 電源 ２６、４６、５５ スイッチ ２９ 分岐 ３０ 合流 ３１、３２ アーム ４０、５０ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 ４１、４９ 超格子コア層 ４２、４８ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 ４７ ｐ型ＧａＮ基板 ５６ 量子閉じ込めシュタルク効果による吸収スペクト
ル（印加電圧＝０） ５６ 量子閉じ込めシュタルク効果による吸収スペクト
ル（印加電圧＜０）
ル（印加電圧＝０） ５６ 量子閉じ込めシュタルク効果による吸収スペクト
ル（印加電圧＜０）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 弘明 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 小林 直樹 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 BA01 DA16 EA05 EA08 EB04 HA11 2K002 AB04 AB09 BA06 CA13 DA06 DA12 EA04 EA08 EB03 GA10 HA17
Claims (3)
- 【請求項１】 第１クラッド層、光導波層及び第２クラ
ッド層が積層した構成を有する半導体光変調器におい
て、前記光導波層は、不純物をドープしていないＡｌx
Ｇａ(1-x) Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１）を有し、第１クラ
ッド層は、ｐ型にドープしたＮＢＰなる屈折率を有する
ＡｌBPＧａ(1-BP)Ｎ層で厚さＤＢＰなる障壁層とｐ型に
ドープしたＮＷＰなる屈折率を有するＡｌWPＧａ(1-WP)
Ｎ層で厚さＤＷＰなる井戸層とが交互に積層され、（Ｎ
ＢＰ×ＤＢＰ＋ＮＷＰ×ＤＷＰ）／（ＤＢＰ＋ＤＷＰ）
の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を有し、第
２クラッド層は、ｎ型にドープしたＮＢＮなる屈折率を
有するＡｌBNＧａ(1-BN)Ｎ層で厚さＤＢＮなる障壁層と
ｎ型にドープしたＮＷＮなる屈折率を有するＡｌWNＧａ
(1-WN)Ｎ層で厚さＤＷＮなる井戸層とが交互に積層さ
れ、（ＮＢＮ×ＤＢＮ＋ＮＷＮ×ＤＷＮ）／（ＤＢＮ＋
ＤＷＮ）の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を
有することを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項２】 第１クラッド層、光導波層及び第２クラ
ッド層が積層した構成を有する半導体光変調器におい
て、前記光導波層は、不純物をドープしていないＮＣＢ
なる屈折率を有するＡｌCBＧａ(1-CB)Ｎで厚さＤＣＢな
る障壁層とＮＣＷなる屈折率を有するＡｌCWＧａ(1-C W)
Ｎで厚さＤＣＷなる井戸層とを交互に積層した超格子も
しくは量子井戸を有し、第１クラッド層は、ｐ型にドー
プした、（ＮＣＢ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（ＤＣ
Ｂ＋ＤＣＷ）より小さいＮＮＰなる屈折率を有するＡｌ
NPＧａ(1-NP)Ｎ層を有し、第２クラッド層は、ｎ型にド
ープした、（ＮＣＢ×ＤＣＢ＋ＮＣＷ×ＤＣＷ）／（Ｄ
ＣＢ＋ＤＣＷ）より小さいＮＮＮなる屈折率を有するＡ
ｌNNＧａ (1-NN)Ｎ層を有することを特徴とする半導体光
変調器。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体光変調器
において、前記各層間の格子不整合により生じるピエゾ
電界が、逆バイアスと同じ方向となることを特徴とする
半導体光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000125510A JP2001305498A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000125510A JP2001305498A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001305498A true JP2001305498A (ja) | 2001-10-31 |
Family
ID=18635458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000125510A Pending JP2001305498A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001305498A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047895A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | フォトニック結晶半導体デバイス及び半導体レーザ集積デバイス |
| JP2006251089A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
| JP2012083473A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Anritsu Corp | 光ゲート素子 |
| JP2012186410A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子 |
| CN102749726A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-24 | 吉林大学 | GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁条形波导电光调制器及制备方法 |
| JP2013228594A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光位相干渉回路 |
| JP2014002384A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 光学素子 |
| JP2014206699A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-30 | 日本電信電話株式会社 | 光変調導波路の製造方法 |
| CN108141285A (zh) * | 2015-07-10 | 2018-06-08 | 汉阳大学校Erica产学协力团 | 光发送模块、光收发器以及包括其的光通信*** |
| WO2019155679A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000125510A patent/JP2001305498A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2019155679A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| CN111684344A (zh) * | 2018-02-09 | 2020-09-18 | 三菱电机株式会社 | 光半导体元件及其制造方法 |
| JPWO2019155679A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| US11175520B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-11-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN111684344B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-03-21 | 三菱电机株式会社 | 光半导体元件及其制造方法 |
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