JP2001297874A - Luminescence device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminescence device being applicable not only for a display object but for optical communications, of which the spectrum width of luminescence wavelength is sharply narrow compared with a conventional organic EL light emission element, the wavelength selection nature excels, and the light emission has directivity. SOLUTION: An end-surface light emitting type luminescence device 1000 has a substrate 10, an anode 12, an organic luminescence layer 16 that can emit light by electroluminescence, and a negative electrode 18. A diffraction grating 14 is arranged between the anode 12 and the luminescence layer 16. The diffraction grating 14 has a 1st medium layer 14a comprising materials constituting the anode 12, and a 2nd medium layer 14b comprising materials constituting the organic luminescence layer 16. The anode 12 has a thickness T defined with a formula of T<=(λ/550)×T0 (nm). Here, λ shows the wavelength of the emitted light, and T0 shows the thickness of the anode in which a combination efficiency of the diffraction grating becomes not less than 10-2 (μm-1) in case the wavelength λis 550 nm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）を用いた発光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device using EL (electroluminescence).

【０００２】[0002]

【背景技術および発明が解決しようとする課題】例え
ば、光通信システムで用いられる光源としては、半導体
レーザが用いられる。半導体レーザは、波長選択性に優
れ、単一モードの光を出射できる点で好ましいが、多数
回にわたる結晶成長が必要であり、作成が容易でない。
また、半導体レーザでは、発光材料が限定され、種々の
波長の光を発光することができないという難点を有す
る。2. Description of the Related Art For example, a semiconductor laser is used as a light source used in an optical communication system. A semiconductor laser is preferable because it has excellent wavelength selectivity and can emit a single-mode light, but requires many times of crystal growth and is not easy to fabricate.
Further, the semiconductor laser has a drawback that the light emitting material is limited and light of various wavelengths cannot be emitted.

【０００３】また、従来のＥＬ発光素子は、発光波長の
スペクトル幅が広く、表示体などの一部の用途では適用
されているものの、光通信などのスペクトル幅が狭い光
を要求される用途には不向きであった。Further, the conventional EL light emitting device has a wide spectral width of an emission wavelength and is applied to some uses such as a display body, but is used for an application requiring light with a narrow spectral width such as optical communication. Was unsuitable.

【０００４】本発明の目的は、発光波長のスペクトル幅
が従来のＥＬ発光素子に比べて格段に狭く、かつ指向性
があり、表示体だけでなく光通信などにも適用できる、
発光装置を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a light emitting device having a spectral width of an emission wavelength which is much narrower than that of a conventional EL light emitting device, and has directivity, which can be applied not only to a display but also to optical communication.
A light emitting device is provided.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る発光装置
は、基板と、陽極と、エレクトロルミネッセンスによっ
て発光可能な発光層と、陰極と、前記陽極と前記発光層
との間に配置された回折格子と、を含み、前記陽極は、
下記式（１）を満たす厚さＴを有する。A light emitting device according to the present invention comprises a substrate, an anode, a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, a cathode, and a diffraction element disposed between the anode and the light emitting layer. A grid, wherein the anode comprises:
It has a thickness T that satisfies the following equation (1).

【０００６】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） ここで、λは出射光の波長を示し、Ｔ0は、波長λが550
ｎｍのときの、回折格子の結合効率が１０^-2（μｍ^-1）
以上（１０^-2〜１０⁰（μｍ^-1））となる陽極の厚さを
示す。T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Equation (1) where λ indicates the wavelength of the emitted light, and T0 indicates that the wavelength λ is 550.
The coupling efficiency of the diffraction grating at 10 nm is 10 ⁻² (μm ⁻¹ ).
Above shows a ^{(10 -2 ~10 0 (μm -1} )) to become a thickness of the anode.

【０００７】この発光装置によれば、一対の電極層、す
なわち陰極と陽極とからそれぞれ電子とホールとが発光
層内に注入され、この電子とホールとを発光層で再結合
させて、分子が励起状態から基底状態に戻るときに光が
発生する。そして、発光層で発生した光は、回折格子、
つまり互いに屈折率の異なる２種の媒質層が交互に周期
的に配置された格子により、波長選択性および指向性を
有する。According to this light emitting device, electrons and holes are injected into the light emitting layer from a pair of electrode layers, that is, a cathode and an anode, and the electrons and holes are recombined in the light emitting layer to form molecules. Light is generated when returning from the excited state to the ground state. And the light generated in the light emitting layer is a diffraction grating,
That is, a grating in which two types of medium layers having different refractive indexes are alternately and periodically arranged has wavelength selectivity and directivity.

【０００８】そして、本発明で特徴的なことは、陽極が
前述した所定範囲の厚さを有することにより、回折格子
の結合効率を大きくできるとともに、陰極での光の閉込
め係数を小さくできる。その結果、本発明の発光装置
は、発光層で発光した光を効率よく回折格子で帰還させ
ることができ、さらに、陰極での光の吸収も少ないた
め、スペクトル幅の小さい、所望の波長の光を高い効率
で得ることができる。What is characteristic of the present invention is that the coupling efficiency of the diffraction grating can be increased and the light confinement coefficient of the cathode can be reduced by making the anode have the above-mentioned predetermined thickness. As a result, the light-emitting device of the present invention can efficiently return the light emitted from the light-emitting layer by the diffraction grating, and further, because the light absorption at the cathode is small, the light of the desired wavelength having a small spectral width is obtained. Can be obtained with high efficiency.

【０００９】さらに、陽極の厚さを制御することによ
り、ＴＥモードとＴＭモードとの偏光制御が容易にで
き、特に伝播モードがシャープなＴＥ波を効率よく得る
ことができる。これらの理由の詳細は、後述する。Further, by controlling the thickness of the anode, the polarization control between the TE mode and the TM mode can be easily performed, and in particular, a TE wave having a sharp propagation mode can be efficiently obtained. Details of these reasons will be described later.

【００１０】前記回折格子は、分布帰還型または分布ブ
ラッグ反射型の回折格子であることが望ましい。このよ
うに、分布帰還型または分布ブラッグ反射型の回折格子
を形成することにより、発光層で得られた光を共振さ
せ、その結果、波長選択性があり発光スペクトル幅が狭
く、かつ優れた指向性を有する光を得ることができる。
これらの回折格子においては、出射光の波長によって回
折格子のピッチおよび深さが設定される。The diffraction grating is preferably a distributed feedback type or a distributed Bragg reflection type diffraction grating. Thus, by forming a distributed feedback type or a distributed Bragg reflection type diffraction grating, the light obtained in the light emitting layer resonates, and as a result, it has wavelength selectivity, narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Light having a property can be obtained.
In these diffraction gratings, the pitch and depth of the diffraction grating are set according to the wavelength of the emitted light.

【００１１】さらに、分布帰還型の前記回折格子をλ／
４位相シフト構造または利得結合型構造とすることによ
り、出射光をより単一モード化することができる。ここ
で、λは、光導波路内の光の波長を表す。Further, the diffraction grating of the distributed feedback type has a wavelength of λ /
By using a four-phase shift structure or a gain-coupling type structure, emitted light can be made to have a single mode. Here, λ represents the wavelength of light in the optical waveguide.

【００１２】特に、回折格子が分布帰還型であって、さ
らにλ／４位相シフト構造あるいは利得結合型構造を有
することは、本発明に係る発光装置において共通した望
ましい構成である。In particular, it is a desirable configuration common to the light emitting devices according to the present invention that the diffraction grating is of a distributed feedback type and further has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure.

【００１３】前記発光層は、発光材料として有機発光材
料を含むことが好ましい。有機発光材料を用いることに
より、例えば半導体材料や無機材料を用いた場合に比べ
て材料の選択の幅が広がり、種々の波長の光を発光する
ことが可能となる。The light emitting layer preferably contains an organic light emitting material as a light emitting material. By using an organic light emitting material, a wider range of materials can be selected than in the case of using a semiconductor material or an inorganic material, and light of various wavelengths can be emitted.

【００１４】このような発光装置は、例えば、以下の
（ａ）および（ｂ）の態様をとることができる。Such a light emitting device can take the following modes (a) and (b), for example.

【００１５】（ａ）第１の態様の発光装置は、450〜650
ｎｍの範囲の波長λの光を出射できる発光装置であっ
て、基板と、光学的に透明な陽極と、エレクトロルミネ
ッセンスによって発光可能な発光層と、陰極と、前記陽
極と前記発光層との間に配置され、前記陽極を構成する
材質からなる第１の媒質層と前記発光層を構成する材質
からなる第２の媒質層とを有する回折格子と、を含み、
前記陽極の屈折率ｎ（anode）と、前記発光層の屈折率
ｎ（EL）とが、ｎ（anode）＞ｎ（EL）の関係にあると
き、前記陽極は、下記式（１）および（２）を満たす厚
さＴを有する。(A) The light-emitting device according to the first aspect has a light-emitting device of 450 to 650.
a light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of nm, a substrate, an optically transparent anode, a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, a cathode, and a light emitting device between the anode and the light emitting layer. And a diffraction grating having a first medium layer made of a material constituting the anode and a second medium layer made of a material constituting the light emitting layer,
When the refractive index n (anode) of the anode and the refractive index n (EL) of the light emitting layer have a relationship of n (anode)> n (EL), the anode has the following formulas (1) and (1). 2) has a thickness T that satisfies 2).

【００１６】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝600 …式（２） （ｂ）第２の態様の発光装置は、450〜650ｎｍの範囲の
波長λの光を出射できる発光装置であって、基板と、光
学的に透明な陽極と、エレクトロルミネッセンスによっ
て発光可能な発光層と、陰極と、前記陽極と前記発光層
との間に配置され、前記陽極を構成する材質からなる第
１の媒質層と前記発光層を構成する材質からなる第２の
媒質層とを有する回折格子と、を含み、前記陽極の屈折
率ｎ（anode）と、前記発光層の屈折率ｎ（EL）とが、
ｎ（anode）＜ｎ（EL）の関係にあるとき、前記陽極
は、下記式（１）および（３）を満たす厚さＴを有す
る。T ≦ (λ / 550) × T 0 (nm) Formula (1) T 0 = 600 Formula (2) (b) The light emitting device of the second embodiment has a light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm. A substrate, an optically transparent anode, a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, a cathode, and disposed between the anode and the light emitting layer to form the anode. A diffraction grating having a first medium layer made of a material to be formed and a second medium layer made of a material forming the light emitting layer, wherein the refractive index n (anode) of the anode and the refractive index of the light emitting layer The rate n (EL) is
When n (anode) <n (EL), the anode has a thickness T that satisfies the following equations (1) and (3).

【００１７】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝1000 …式（３） （ｃ）第３の態様の発光装置は、450〜650ｎｍの範囲の
波長λの光を出射できる発光装置であって、基板と、光
学的に透明な陽極と、エレクトロルミネッセンスによっ
て発光可能な発光層と、陰極と、前記陽極と前記発光層
との間に配置され、前記陽極を構成する材質からなる第
１の媒質層と前記発光層を構成する材質からなる第２の
媒質層とを有する回折格子と、を含み、前記陽極は、波
長λに応じて、最大の厚さが約820〜1200ｎｍである。T ≦ (λ / 550) × T 0 (nm) Expression (1) T 0 = 1000 Expression (3) (c) The light emitting device of the third embodiment has a light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm. A substrate, an optically transparent anode, a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, a cathode, and disposed between the anode and the light emitting layer to form the anode. A diffraction grating having a first medium layer made of a material to be formed and a second medium layer made of a material constituting the light emitting layer, wherein the anode has a maximum thickness of about 820-1200 nm.

【００１８】これらの態様の発光装置では、前記回折格
子は、前記陽極と前記発光層との間に配置される。この
構成の装置によれば、発光層で発生した光は、発光層を
含む領域で直接回折格子により共振し、その結果、波長
選択がなされ、かつ優れた指向性をもって出射される。[0018] In the light emitting device according to these aspects, the diffraction grating is disposed between the anode and the light emitting layer. According to the device having this configuration, light generated in the light emitting layer resonates directly with the diffraction grating in a region including the light emitting layer, and as a result, wavelength is selected and emitted with excellent directivity.

【００１９】前記発光層が有機発光材料を用いた有機発
光層の場合には、さらに、ホール輸送層および電子輸送
層の少なくともひとつを有することができる。また、ク
ラッド層として機能する層は、光伝搬層（コア層）より
屈折率が小さい層であればよく、光の閉じ込めのみを目
的とする層のみならず、電極層、基板、ホール輸送層お
よび電子輸送層などを兼ねることができる。When the light emitting layer is an organic light emitting layer using an organic light emitting material, the light emitting layer may further include at least one of a hole transport layer and an electron transport layer. The layer functioning as the cladding layer may be a layer having a lower refractive index than the light propagation layer (core layer), and is not limited to a layer only for confining light, but may also be an electrode layer, a substrate, a hole transport layer, It can also serve as an electron transport layer and the like.

【００２０】次に、本発明に係る発光装置の各部分に用
いることができる材料の一部を例示する。これらの材料
は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したもの
以外の材料を選択できることはもちろんである。Next, some of the materials that can be used for each part of the light emitting device according to the present invention will be described. These materials are only a part of known materials, and it is a matter of course that materials other than those exemplified can be selected.

【００２１】（発光層）発光層の材料は、所定の波長の
光を得るために公知の化合物から選択される。発光層の
材料としては、有機化合物および無機化合物のいずれで
もよいが、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物で
あることが望ましい。(Light Emitting Layer) The material of the light emitting layer is selected from known compounds in order to obtain light having a predetermined wavelength. The material of the light emitting layer may be either an organic compound or an inorganic compound, but is preferably an organic compound from the viewpoint of abundant types and film-forming properties.

【００２２】このような有機化合物としては、例えば、
特開平１０−１５３９６７号公報に開示された、アロマ
ティックジアミン誘導体（ＴＰＤ）、オキシジアゾール
誘導体（ＰＢＤ）、オキシジアゾールダイマー（ＯＸＤ
−８）、ジスチルアリーレン誘導体（ＤＳＡ）、ベリリ
ウム−ベンゾキノリノール錯体（Ｂｅｂｑ）、トリフェ
ニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）、ルブレン、キナク
リドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチ
ン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体などが
使用できる。Such organic compounds include, for example,
Aromatic diamine derivatives (TPD), oxydiazole derivatives (PBD), oxydiazole dimers (OXD) disclosed in JP-A-10-153967
-8), distilylylene derivative (DSA), beryllium-benzoquinolinol complex (Bebq), triphenylamine derivative (MTDATA), rubrene, quinacridone, triazole derivative, polyphenylene, polyalkylfluorene, polyalkylthiophene, azomethine zinc complex, Porphyrin zinc complex, benzoxazole zinc complex, phenanthroline europium complex and the like can be used.

【００２３】より具体的には、有機発光層の材料として
は、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８
６０号公報、特開平２−１３５３６１号公報、同２−１
３５３５９号公報、同３−１５２１８４号公報、さら
に、同８−２４８２７６号公報および同１０−１５３９
６７号公報に記載されているものなど、公知のものが使
用できる。これらの化合物は単独で用いてもよく、２種
類以上を混合して用いてもよい。More specifically, as a material for the organic light emitting layer, JP-A-63-70257 and JP-A-63-1758 can be used.
No. 60, JP-A-2-135361, 2-1.
JP-A-35359, JP-A-3-152184, JP-A-8-248276 and JP-A-10-1539
Known materials such as those described in JP-A-67 can be used. These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.

【００２４】無機化合物としては、ＺｎＳ：Ｍｎ（赤色
領域）、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ（緑色領域）、ＳｒＳ：Ｃ
ｕ、ＳｒＳ：Ａｇ、ＳｒＳ：Ｃｅ（青色領域）などが例
示される。As inorganic compounds, ZnS: Mn (red region), ZnS: TbOF (green region), SrS: C
u, SrS: Ag, SrS: Ce (blue region), and the like.

【００２５】（基板）基板あるいは必要に応じて設けら
れるクラッド層は、公知の無機材料および有機材料を用
いることができる。(Substrate) Known inorganic and organic materials can be used for the substrate or the cladding layer provided if necessary.

【００２６】代表的な無機材料としては、例えば特開平
５−２７３４２７号公報に開示されているような、Ｔｉ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂混合物、ＺｎＯ、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｓ
ｉ₃Ｎ ₄、Ｔａ₂Ｏ₅、ＨｆＯ₂またはＺｒＯ₂などを例示す
ることができる。Representative inorganic materials include, for example,
As disclosed in JP-A-5-273427, Ti
O_Two, TiO_Two-SiO_TwoMixture, ZnO, Nb_TwoO_Five, S
i_ThreeN _Four, Ta_TwoO_Five, HfO_TwoOr ZrO_TwoFor example
Can be

【００２７】また、代表的な有機材料としては、各種の
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、および光硬化性樹脂な
ど、公知の樹脂を用いることができる。これらの樹脂
は、層の形成方法などを考慮して適宜選択される。例え
ば、熱および光の少なくとも一方のエネルギーによって
硬化することができる樹脂を用いることで、汎用の露光
装置やベイク炉、ホットプレートなどが利用できる。As typical organic materials, known resins such as various thermoplastic resins, thermosetting resins, and photocurable resins can be used. These resins are appropriately selected in consideration of a method of forming a layer and the like. For example, by using a resin that can be cured by at least one of heat and light, a general-purpose exposure apparatus, a baking furnace, a hot plate, or the like can be used.

【００２８】このような物質としては、例えば、本願出
願人による特願平１０−２７９４３９号に開示された紫
外線硬化型樹脂がある。紫外線硬化型樹脂としては、ア
クリル系樹脂が好適である。様々な市販の樹脂や感光剤
を利用することで、透明性に優れ、また、短期間の処理
で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得ること
ができる。As such a substance, for example, there is an ultraviolet curable resin disclosed in Japanese Patent Application No. 10-279439 filed by the present applicant. Acrylic resin is suitable as the UV-curable resin. By using various commercially available resins and photosensitizers, it is possible to obtain an ultraviolet-curable acrylic resin which is excellent in transparency and can be cured by a short-term treatment.

【００２９】紫外線硬化型のアクリル系樹脂の基本構成
の具体例としては、プレポリマー、オリゴマー、または
モノマーがあげられる。Specific examples of the basic constitution of the ultraviolet-curable acrylic resin include a prepolymer, an oligomer and a monomer.

【００３０】プレポリマーまたはオリゴマーとしては、
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。As the prepolymer or oligomer,
For example, acrylates such as epoxy acrylates, urethane acrylates, polyester acrylates, polyether acrylates, and spiroacetal acrylates; methacrylates such as epoxy methacrylates, urethane methacrylates, polyester methacrylates, and polyether methacrylates; Is available.

【００３１】モノマーとしては、例えば、２−エチルヘ
キシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、１，３−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロバントリアクリ
レート、トリメチロールプロバントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。As the monomer, for example, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, carbitol acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, isovol Monofunctional monomers such as nyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, and 1,3-butanediol acrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate,
Bifunctional monomers such as neopentyl glycol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Polyfunctional monomers such as pentaerythritol triacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate can be used.

【００３２】（ホール輸送層）必要に応じて設けられる
ホール輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホー
ル注入材料として用いられているもの、あるいは有機発
光装置のホール注入層に使用されている公知のものの中
から選択して用いることができる。ホール輸送層の材料
は、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機
能を有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれ
でもよい。その具体例としては、例えば、特開平８−２
４８２７６号公報に開示されているものを例示すること
ができる。(Hole transporting layer) As a material of the hole transporting layer provided as necessary, a material used as a hole injecting material of a known photoconductive material or a hole injecting layer of an organic light emitting device can be used. It can be used by selecting from known ones. The material of the hole transport layer has a function of injecting holes or blocking electrons, and may be an organic substance or an inorganic substance. As a specific example, see, for example,
No. 48276 can be exemplified.

【００３３】（電子輸送層）必要に応じて設けられる電
子輸送層の材料としては、陰極より注入された電子を有
機発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料
は公知の物質から選択することができる。その具体例と
しては、例えば、特開平８−２４８２７６号公報に開示
されたものを例示することができる。(Electron transporting layer) The material of the electron transporting layer provided as needed may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the organic light emitting layer, and the material may be a known substance. You can choose from. Specific examples thereof include those disclosed in JP-A-8-248276.

【００３４】（電極層）陰極としては、仕事関数の小さ
い（例えば４ｅＶ以下）電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平８−２４８
２７６号公報に開示されたものを用いることができる。(Electrode layer) As the cathode, an electron-injecting metal, an alloy electrically conductive compound having a small work function (for example, 4 eV or less), and a mixture thereof can be used.
Examples of such an electrode material include, for example, JP-A-8-248.
No. 276 can be used.

【００３５】陽極としては、仕事関数の大きい（例えば
４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ
₂，ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。As the anode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a large work function (for example, 4 eV or more) can be used. When an optically transparent material is used for the anode, CuI, ITO, SnO
₂ , conductive transparent materials such as ZnO can be used,
When transparency is not required, a metal such as gold can be used.

【００３６】本発明において、回折格子の形成方法は特
に限定されるものではなく、公知の方法を用いることが
できる。その代表例を以下に例示する。In the present invention, the method of forming the diffraction grating is not particularly limited, and a known method can be used. Representative examples are shown below.

【００３７】リソブラフィーによる方法 ポジまたはネガレジストを紫外線やＸ線などで露光およ
び現像して、レジスト層をパターニングするこにより、
回折格子を作成する。ポリメチルメタクリレートあるい
はノボラック系樹脂などのレジストを用いたパターニン
グの技術としては、例えば特開平６−２２４１１５号公
報、同７−２０６３７号公報などがある。Lithography Method A positive or negative resist is exposed and developed with ultraviolet rays or X-rays to pattern the resist layer.
Create a diffraction grating. As a patterning technique using a resist such as polymethyl methacrylate or a novolak resin, there are, for example, JP-A-6-224115 and JP-A-7-20637.

【００３８】また、ポリイミドをフォトリソブラフィー
によりパターニングする技術としては、例えば特開平７
−１８１６８９号公報および同１−２２１７４１号公報
などがある。さらに、レーザアブレーションを利用し
て、ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは
酸化チタンの回折格子を形成する技術として、例えば特
開平１０−５９７４３号公報がある。A technique for patterning polyimide by photolithography is disclosed in, for example,
181689 and 1-222141. Furthermore, as a technique for forming a diffraction grating of polymethyl methacrylate or titanium oxide on a glass substrate by using laser ablation, there is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-59743.

【００３９】光照射による屈折率分布の形成による方
法 光伝播部に屈折率変化を生じさせる波長の光を照射し
て、光伝播部に屈折率の異なる部分を周期的に形成する
ことにより回折格子を形成する。このような方法として
は、特に、ポリマーあるいはポリマー前駆体の層を形成
し、光照射などにより部分的に重合を行い、屈折率の異
なる領域を周期的に形成させて回折格子とすることが好
ましい。この種の技術として、例えば、特開平９−３１
１２３８号公報、同９−１７８９０１号公報、同８−１
５５０６号公報、同５−２９７２０２号公報、同５−３
２５２３号公報、同５−３９４８０号公報、同９−２１
１７２８号公報、同１０−２６７０２号公報、同１０−
８３００号公報、および同２−５１１０１号公報などが
ある。Method of Forming Refractive Index Distribution by Light Irradiation A light having a wavelength that causes a change in the refractive index is radiated to a light propagating portion, and a portion having a different refractive index is periodically formed in the light propagating portion. To form As such a method, it is particularly preferable to form a layer of a polymer or a polymer precursor, partially polymerize the layer by light irradiation or the like, and periodically form regions having different refractive indexes to form a diffraction grating. . As this kind of technology, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-31
1238, 9-178901, 8-1
Nos. 5506, 5-297202, 5-3
No. 2523, No. 5-39480, No. 9-21
Nos. 1728, 10-26702, 10-
Nos. 8300 and 2-51101.

【００４０】スタンピングによる方法 熱可塑性樹脂を用いたホットスタンピング（特開平６−
２０１９０７号公報）、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング（特願平１０−２７９４３９号）、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング（特開平７−２３５０７５
号公報）などのスタンピングによって回折格子を形成す
る。Hot stamping method using a thermoplastic resin
No. 201907), stamping using an ultraviolet curable resin (Japanese Patent Application No. 10-279439), stamping using an electron beam curable resin (Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-235075).
A diffraction grating is formed by stamping as described in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. H11-209686.

【００４１】エッチングによる方法 リソグラフィーおよびエッチング技術を用いて、薄膜を
選択的に除去してパターニングし、回折格子を形成す
る。Etching Method A thin film is selectively removed and patterned by using lithography and etching techniques to form a diffraction grating.

【００４２】以上、回折格子の形成方法について述べた
が、要するに、回折格子は互いに異なる屈折率を有する
２領域から構成されていればよく、屈折率の異なる２種
の材料により２領域を形成する方法、一種の材料を部分
的に変性させるなどして、屈折率の異なる２領域を形成
する方法、などにより形成することができる。The method of forming the diffraction grating has been described above. In short, the diffraction grating only needs to be composed of two regions having different refractive indices, and the two regions are formed by two kinds of materials having different refractive indices. It can be formed by a method, a method of forming two regions having different refractive indexes by partially modifying a kind of material, or the like.

【００４３】また、発光装置の各層は、公知の方法で形
成することができる。たとえば、発光層は、その材質に
よって好適な成膜方法が選択され、具体的には、蒸着
法、スピンコート法、ＬＢ法、インクジェット法などを
例示できる。Each layer of the light emitting device can be formed by a known method. For example, a suitable film forming method is selected for the light emitting layer depending on its material, and specific examples include a vapor deposition method, a spin coating method, an LB method, and an ink jet method.

【００４４】[0044]

【発明の実施の形態】図１は、本実施の形態に係る端面
発光型発光装置（以下、「有機発光装置」という）１０
００を模式的に示す斜視図であり、図２は、図１のＡ−
Ａ線に沿った要部の断面図である。FIG. 1 shows an edge-emitting type light emitting device (hereinafter referred to as "organic light emitting device") 10 according to the present embodiment.
FIG. 2 is a perspective view schematically showing 00, and FIG.
It is sectional drawing of the principal part along the A line.

【００４５】（構造）有機発光装置１０００は、基板１
０上に、陽極１２、有機発光層１６および陰極１８が、
この順序によって積層されている。この有機発光装置１
０００は、基板１０の屈折率が、陽極１２の屈折率より
小さく設定されている。(Structure) The organic light emitting device 1000 comprises a substrate 1
0, the anode 12, the organic light emitting layer 16 and the cathode 18
The layers are stacked in this order. This organic light emitting device 1
000, the refractive index of the substrate 10 is set smaller than the refractive index of the anode 12.

【００４６】陽極１２と有機発光層１６との間に回折格
子１４が配置されている。この回折格子１４は、互いに
屈折率の異なる第１の媒質層１４ａと第２の媒質層１４
ｂとからなる。第１の媒質層１４ａは、陽極１２を構成
する物質からなり、第２の媒質層１４ｂは有機発光層１
６を構成する物質からなる。The diffraction grating 14 is provided between the anode 12 and the organic light emitting layer 16. The diffraction grating 14 has a first medium layer 14 a and a second medium layer 14 having different refractive indexes.
b. The first medium layer 14a is made of a material constituting the anode 12, and the second medium layer 14b is made of the organic light emitting layer 1
6 is composed of the substance.

【００４７】陽極１２は、回折格子１４の第１の媒質層
１４ａを構成するので、出射光に対して透明な導電材料
で構成される。このような透明電極の材料としては、前
述したものを用いることができる。また、陽極１２は、
伝播モードの観点より、所定範囲の厚さを有することが
望ましい。伝播モードおよび陽極１２の厚さについて
は、後述する。Since the anode 12 constitutes the first medium layer 14a of the diffraction grating 14, it is made of a conductive material transparent to emitted light. As the material of such a transparent electrode, the above-mentioned materials can be used. Also, the anode 12
It is desirable to have a thickness in a predetermined range from the viewpoint of the propagation mode. The propagation mode and the thickness of the anode 12 will be described later.

【００４８】回折格子１４は、分布帰還型の回折格子で
あることが好ましい。このように分布帰還型の回折格子
を形成することにより、光を光導波路内で共振させ、波
長選択性および指向性に優れ、発光スペクトル幅の狭い
光を得ることができる。さらに、回折格子１４は、図示
はしないが、λ／４位相シフト構造または利得結合型構
造を有することが好ましい。このようにλ／４位相シフ
ト構造または利得結合型構造を有することにより、出射
光をより単一モード化することができる。The diffraction grating 14 is preferably a distributed feedback type diffraction grating. By forming a distributed feedback type diffraction grating in this manner, light can resonate in the optical waveguide, and light with excellent wavelength selectivity and directivity and a narrow emission spectrum width can be obtained. Further, although not shown, the diffraction grating 14 preferably has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. By having the λ / 4 phase shift structure or the gain-coupling type structure as described above, the emitted light can be made into a single mode.

【００４９】有機発光層１６および陰極１８は、前述し
た材料から構成される。また、有機発光層１６および陰
極１８の厚さは特に限定されない。有機発光層１６は、
たとえば発光機能、導電性などを考慮して、１００〜１
０００ｎｍの厚さを有することができる。また、陰極１
８は、たとえば導電性などを考慮して、５０〜１０００
ｎｍの厚さを有することができる。The organic light emitting layer 16 and the cathode 18 are made of the above-mentioned materials. Further, the thicknesses of the organic light emitting layer 16 and the cathode 18 are not particularly limited. The organic light emitting layer 16
For example, considering light emission function, conductivity, etc., 100 to 1
It can have a thickness of 000 nm. In addition, cathode 1
8 is 50 to 1000 in consideration of, for example, conductivity.
nm.

【００５０】有機発光装置１０００は、主として、陽極
１２、回折格子１４および有機発光層１６によってコア
層１００が構成され、基板１０および陰極１８によって
クラッド層が構成される。In the organic light emitting device 1000, the core layer 100 is mainly constituted by the anode 12, the diffraction grating 14 and the organic light emitting layer 16, and the cladding layer is constituted by the substrate 10 and the cathode 18.

【００５１】他の構成；有機発光装置１０００において
は、図１に示すように、一方の端面には低反射率の第１
のコーティング層２０ａが形成され、他方の端面には高
反射率の第２のコーティング層２０ｂが形成されてい
る。これらのコーティング層は、例えば一般的に半導体
ＤＦＢレーザで用いられる誘電体多層ミラーなどを用い
ることができる。Another structure: In the organic light emitting device 1000, as shown in FIG.
Is formed, and a second coating layer 20b having high reflectivity is formed on the other end face. For these coating layers, for example, a dielectric multilayer mirror generally used in a semiconductor DFB laser can be used.

【００５２】有機発光装置１０００の回折格子や有機発
光層などの製造方法および各層を構成する材料について
は、前述した方法あるいは材料などを適宜用いることが
できる。例えば、回折格子１４の形成においては、工程
が比較的シンプルなスタンピングによる方法などを好ま
しく用いることができる。For the method of manufacturing the organic light emitting device 1000 such as the diffraction grating and the organic light emitting layer, and the materials constituting each layer, the above-described methods and materials can be appropriately used. For example, in forming the diffraction grating 14, a method using stamping, which has a relatively simple process, can be preferably used.

【００５３】（伝播モードの解析）次に、本実施の形態
の有機発光装置１０００の基本的構成を有する発光装置
の伝播モードについて、図３を参照して説明する。図３
には、発光装置の基本的構成と、その各構成部分に対応
する伝播モードとが示されている。発光装置の構成は、
図１および図２示す部分と同一部分には同一の符号を付
してある。図３において、符号「ａ」で示す領域は、回
折格子１４に対応し、符号「ｂ」で示す領域は陰極１８
に対応している。(Analysis of Propagation Mode) Next, the propagation mode of the light emitting device having the basic configuration of the organic light emitting device 1000 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG.
3 shows a basic configuration of the light emitting device and propagation modes corresponding to each component thereof. The configuration of the light emitting device is
1 and 2 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 3, a region indicated by reference numeral “a” corresponds to the diffraction grating 14, and a region indicated by reference numeral “b” corresponds to the cathode 18.
It corresponds to.

【００５４】伝播モードから、回折格子１４での結合効
率および陰極１８での光の閉込め係数などを解析するこ
とができる。伝播モードは、たとえば文献「Internatio
nalJournal of Optoelectronics ，１９９５，ｖｏ
ｌ．１０，Ｎｏ．５，pages３３１−３３５」に記載さ
れている、一般的なモード計算によって求めることがで
きる。以下、結合効率および閉込め係数などについて詳
述する。From the propagation mode, the coupling efficiency at the diffraction grating 14, the light confinement coefficient at the cathode 18, and the like can be analyzed. The propagation mode is, for example, the document "Internatio
nalJournal of Optoelectronics, 1995, vo
l. 10, No. 5, pages 331-335 ". Hereinafter, the coupling efficiency and the confinement coefficient will be described in detail.

【００５５】回折格子の結合効率；本発明の発光装置の
ように、多層構造の一部に周期的な凹凸（本実施の形態
での回折格子１４に対応する）を設けて光の波長分散を
制御する場合には、回折格子１４に伝播モードが効率よ
く結合することが重要である。伝播モードと回折格子と
の結合の度合を示す指標として、通常、結合効率（Coup
ling Coefficient）が用いられる。結合効率は、たと
えば、上記文献に記載の式（１４）、（１５）で表され
る。回折格子の結合効率は、図３の符号「ａ」で示す領
域の面積Ｓ１００の大きさを反映したものとなる。すな
わち、回折格子を構成する２媒質層の条件および回折格
子の形状に関するファクターが固定された場合には、回
折格子の結合効率は、面積Ｓ１００が大きいほど大きく
なる。そして、この結合効率が大きいほど、伝播モード
に対する回折格子１４の寄与が大きい。Coupling efficiency of diffraction grating: As in the light emitting device of the present invention, periodic unevenness (corresponding to the diffraction grating 14 in this embodiment) is provided in a part of the multilayer structure to reduce the wavelength dispersion of light. When controlling, it is important that the propagation mode is efficiently coupled to the diffraction grating 14. Coupling efficiency (Coup) is usually used as an index indicating the degree of coupling between the propagation mode and the diffraction grating.
ling Coefficient) is used. The coupling efficiency is represented by, for example, equations (14) and (15) described in the above-mentioned literature. The coupling efficiency of the diffraction grating reflects the size of the area S100 of the region indicated by the symbol “a” in FIG. In other words, when the conditions for the two medium layers constituting the diffraction grating and the factors relating to the shape of the diffraction grating are fixed, the coupling efficiency of the diffraction grating increases as the area S100 increases. The contribution of the diffraction grating 14 to the propagation mode increases as the coupling efficiency increases.

【００５６】伝播モードは、発光装置を構成する層の
数、層の材質、厚さなどによって変化し、それに伴って
結合効率も変化する。発光装置において、発光した光を
回折格子内で効率よく帰還させ、所定波長の光を効率よ
く得るためには、回折格子１４での結合効率大きくする
ことが重要である。そのためには、結合効率は、好まし
くは１０^-2（μｍ^-1）以上（１０^-2〜１０⁰（μ
ｍ^-1））、より好ましくは１０^{- 1}（μｍ^-1）以上であ
る。The propagation mode changes depending on the number of layers constituting the light emitting device, the material and thickness of the layers, and the coupling efficiency also changes accordingly. In the light emitting device, it is important to increase the coupling efficiency in the diffraction grating 14 in order to efficiently return emitted light in the diffraction grating and efficiently obtain light of a predetermined wavelength. To that end, the coupling efficiency is preferably 10 ^-2 (μm ^-1) or more (10 ^-2 ~10 ⁰ (μ
is ^{1 (μm -1)} or more ^- m ^-1)), more preferably 10.

【００５７】陰極での閉込め係数；発光装置１０００に
おいて、通常、陰極１８は金属で構成されるため、光の
吸収が非常に大きくなる。ディスプレイのように発光を
陽極側から観察する場合には、陰極１８における光の吸
収はそれほど問題にならない。しかし、本発明のように
端面発光型の発光装置においては、陰極１８での光の吸
収は、発光効率の点から大きな問題となることが推測さ
れる。したがって、発光装置の発光効率を高めるために
は、伝播モードがなるべく陰極１８に重ならないことが
必要となる。Confinement Coefficient at Cathode: In the light emitting device 1000, the cathode 18 is usually made of metal, so that light absorption becomes very large. When light emission is observed from the anode side as in a display, light absorption at the cathode 18 is not so problematic. However, in the light emitting device of the edge emission type as in the present invention, it is presumed that the absorption of light at the cathode 18 becomes a serious problem in terms of luminous efficiency. Therefore, in order to increase the luminous efficiency of the light emitting device, it is necessary that the propagation mode does not overlap with the cathode 18 as much as possible.

【００５８】陰極と伝播モードとの重なりを示す指標と
して、通常、陰極での閉込め係数が用いられる。ここ
で、閉込め係数は、図３の符号「ｂ」で示す領域の伝播
モードの積分値であり、この領域の面積Ｓ２００を反映
したものとなる。すなわち、閉込め係数は、前記面積Ｓ
２００に比例して大きくなる。そして、陰極での光の吸
収を少なくするためには、陰極での閉込め係数をできる
だけゼロに近づけることが必要である。As an index indicating the overlap between the cathode and the propagation mode, the confinement coefficient at the cathode is usually used. Here, the confinement coefficient is an integral value of the propagation mode of the region indicated by the symbol “b” in FIG. 3 and reflects the area S200 of this region. That is, the confinement coefficient is determined by the area S
It increases in proportion to 200. Then, in order to reduce light absorption at the cathode, it is necessary to make the confinement coefficient at the cathode as close to zero as possible.

【００５９】伝播モードは、発光装置を構成する層の
数、層の材質、厚さなどによって変化し、それに伴って
閉込め係数も変化する。発光装置において、より高い発
光効率を達成するためには、陰極１６での光の閉込め係
数を小さくすることが重要である。そのためには、閉込
め係数は、好ましくは０．１以下、より好ましくは０．
０５以下である。The propagation mode changes depending on the number of layers constituting the light emitting device, the material and thickness of the layers, and the confinement coefficient changes accordingly. In the light emitting device, in order to achieve higher luminous efficiency, it is important to reduce the light confinement coefficient at the cathode 16. For that purpose, the confinement coefficient is preferably 0.1 or less, more preferably 0.
05 or less.

【００６０】陽極１２の厚さ；陽極１２の厚さは、前述
した回折格子の結合効率および陰極での閉込め係数に影
響を与え、ある相関関係を有する。さらに、これらの結
合効率および閉込め係数は、陽極１２の屈折率と有機発
光層１６の屈折率との大小関係に依存する。具体的に
は、陽極１２の厚さと結合効率および閉込め係数との関
係は、以下のようである。陽極１２の厚さの主な根拠と
なるシミュレーションの結果については、後述する。The thickness of the anode 12; the thickness of the anode 12 affects the coupling efficiency of the diffraction grating and the confinement coefficient at the cathode, and has a certain correlation. Further, their coupling efficiency and confinement coefficient depend on the magnitude relationship between the refractive index of the anode 12 and the refractive index of the organic light emitting layer 16. Specifically, the relationship between the thickness of the anode 12 and the coupling efficiency and confinement coefficient is as follows. The result of the simulation, which is the main basis for the thickness of the anode 12, will be described later.

【００６１】（ａ）450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を
出射できる発光装置において、回折格子での結合効率を
考慮すると、以下の関係が成立することが望ましい。(A) In a light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, it is desirable that the following relationship be satisfied in consideration of the coupling efficiency at the diffraction grating.

【００６２】陽極１２の屈折率ｎ（anode）と、有機発
光層１６の屈折率ｎ（EL）とが、ｎ（anode）＞ｎ（E
L）の関係にあるとき、陽極１２は、下記式（１）およ
び（２）を満たす厚さＴを有することが望ましい。The refractive index n (anode) of the anode 12 and the refractive index n (EL) of the organic light emitting layer 16 are such that n (anode)> n (E
In the relationship of L), the anode 12 preferably has a thickness T that satisfies the following equations (1) and (2).

【００６３】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝600 …式（２） ここで、Ｔ０は、結合効率が１０^-2（μｍ^-1）以上（１
０^-2〜１０⁰（μｍ^-1））であるために好ましい数値で
ある。さらに、結合効率が１０^-1（μｍ^-1）以上である
ためには、Ｔ0＝150ｎｍであることが好ましい。T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Formula (1) T0 = 600 Formula (2) Here, T0 has a coupling efficiency of 10 ⁻² (μm ⁻¹ ) or more (1
0 ^-2 10 ⁰ preferable numerical order is (μm ^-1)). Further, in order for the coupling efficiency to be 10 ⁻¹ (μm ⁻¹ ) or more, it is preferable that T0 = 150 nm.

【００６４】（ｂ）450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を
出射できる発光装置において、陽極１２の屈折率ｎ（an
ode）と、有機発光層１６の屈折率ｎ（EL）とが、ｎ（a
node）＜ｎ（EL）の関係にあるとき、陽極１２は、下記
式（１）および（３）を満たす厚さＴを有することが望
ましい。(B) In a light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, the refractive index n (an
ode) and the refractive index n (EL) of the organic light emitting layer 16 is n (a
node) <n (EL), the anode 12 preferably has a thickness T that satisfies the following equations (1) and (3).

【００６５】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝1000 …式（３） ここで、Ｔ０は、結合効率が１０^-2（μｍ^-1）以上（１
０^-2〜１０⁰（μｍ^-1））であるために好ましい数値で
ある。さらに、結合効率が１０^-1（μｍ^-1）以上である
ためには、Ｔ0＝250ｎｍであることが好ましい。T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Formula (1) T0 = 1000 Formula (3) Here, T0 has a coupling efficiency of 10 ⁻² (μm ⁻¹ ) or more (1)
0 ^-2 10 ⁰ preferable numerical order is (μm ^-1)). Further, it is preferable that T0 = 250 nm so that the coupling efficiency is 10 ^-1 (μm ^-1 ) or more.

【００６６】（ｃ）450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を
出射できる発光装置において、ＴＥモードとＴＭモード
との関係、すなわちＴＥモードとＴＭモードでの閉込め
係数の差を考慮すると、以下の関係が成立することが望
ましい。なお、ＴＥモードとＴＭモードにおける、電
場、磁場および光伝播の方向については、図１に示す。(C) In a light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, considering the relationship between the TE mode and the TM mode, that is, the difference in the confinement coefficient between the TE mode and the TM mode, It is desirable that the following relationship be established. FIG. 1 shows the electric field, the magnetic field, and the direction of light propagation in the TE mode and the TM mode.

【００６７】陽極１２の屈折率ｎ（anode）と、有機発
光層１６の屈折率ｎ（EL）とが、ｎ（anode）＞ｎ（E
L）の関係にあるとき、陽極１２は、下記式（１）およ
び（２）を満たす厚さＴを有することが望ましい。The refractive index n (anode) of the anode 12 and the refractive index n (EL) of the organic light emitting layer 16 are such that n (anode)> n (E
In the relationship of L), the anode 12 preferably has a thickness T that satisfies the following equations (1) and (2).

【００６８】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝350 …式（２） ここで、Ｔ０は、ＴＥモードとＴＭモードとの差が０．
１以上であるために好ましい数値である。さらに、ＴＥ
モードとＴＭモードとの差が０．３以上であるために
は、Ｔ0＝200ｎｍであることが好ましい。T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Expression (1) T0 = 350 Expression (2) Here, T0 is a difference between the TE mode and the TM mode.
This is a preferable value because it is 1 or more. Furthermore, TE
In order for the difference between the mode and the TM mode to be 0.3 or more, it is preferable that T0 = 200 nm.

【００６９】（ｄ）450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を
出射できる発光装置において、ＴＥモードとＴＭモード
との関係、すなわちＴＥモードとＴＭモードでの閉込め
係数の差を考慮すると、以下の関係が成立することが望
ましい。(D) In a light emitting device capable of emitting light with a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, considering the relationship between the TE mode and the TM mode, that is, the difference in the confinement coefficient between the TE mode and the TM mode, It is desirable that the following relationship be established.

【００７０】陽極１２の屈折率ｎ（anode）と、有機発
光層１６の屈折率ｎ（EL）とが、ｎ（anode）＜ｎ（E
L）の関係にあるとき、陽極１２は、下記式（１）およ
び（３）を満たす厚さＴを有することが望ましい。The refractive index n (anode) of the anode 12 and the refractive index n (EL) of the organic light emitting layer 16 are such that n (anode) <n (E
In the relationship of L), the anode 12 preferably has a thickness T that satisfies the following equations (1) and (3).

【００７１】 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝700 …式（３） ここで、Ｔ０は、ＴＥモードとＴＭモードとの差が０．
１以上であるために好ましい数値である。さらに、ＴＥ
モードとＴＭモードとの差が０．３以上であるために
は、Ｔ0＝250ｎｍであることが好ましい。T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Expression (1) T0 = 700 Expression (3) Here, T0 is 0.
This is a preferable value because it is 1 or more. Furthermore, TE
In order for the difference between the mode and the TM mode to be 0.3 or more, it is preferable that T0 = 250 nm.

【００７２】以上のことを総合的に勘案すると、450〜6
50ｎｍの範囲の波長λの光を出射できる発光装置におい
て、陽極１２は、波長λに依存するが、最大の厚さが約
820〜1200ｎｍであることが望ましい。Considering the above comprehensively, 450 to 6
In a light emitting device that can emit light with a wavelength λ in the range of 50 nm, the anode 12 has a maximum thickness of about
Desirably, it is 820 to 1200 nm.

【００７３】（動作および作用）次に、この有機発光装
置１０００の動作および作用について説明する。(Operation and Function) Next, the operation and function of the organic light emitting device 1000 will be described.

【００７４】陽極１２と陰極１８とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極１８から電子が、陽極１２から
ホールが、それぞれ有機発光層１６内に注入される。有
機発光層１６内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成され、この励起子が失活する
際に蛍光や燐光などの光が発生する。光の波長λは、可
視光の波長（450〜650ｎｍ）の範囲であることが望まし
い。When a predetermined voltage is applied to the anode 12 and the cathode 18, electrons are injected from the cathode 18 and holes are injected from the anode 12 into the organic light emitting layer 16. In the organic light emitting layer 16, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. The wavelength λ of light is desirably in the range of the wavelength of visible light (450 to 650 nm).

【００７５】有機発光層１６において発生した光は、一
部は基板１０および陰極１８によって反射されて、一部
はそのまま陽極１２および有機発光層１６内を伝搬す
る。コア層１００内では、光は、回折格子１４によって
分布帰還型の伝搬が行われ、コア層１００内をその端面
に向けて伝搬し、低反射率の第１のコーティング層１０
０ａより、出射する。この出射光は、回折格子１４によ
ってコア層１００で分布帰還されて出射されるため、波
長選択性があり、発光スペクトル幅が狭く、かつ優れた
指向性を有する。さらに、回折格子１４をλ／４位相シ
フト構造または利得結合型構造とすることにより、出射
光をより単一モード化することができる。ここで、λ
は、光導波路内の光の波長を表す。Light generated in the organic light emitting layer 16 is partially reflected by the substrate 10 and the cathode 18, and partially propagates as it is in the anode 12 and the organic light emitting layer 16. In the core layer 100, light is distributed-propagation-type propagated by the diffraction grating 14, propagates in the core layer 100 toward the end face, and forms the first coating layer 10 having a low reflectance.
0a. Since the emitted light is distributed and fed back by the core layer 100 by the diffraction grating 14, the emitted light has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Furthermore, by making the diffraction grating 14 a λ / 4 phase shift structure or a gain-coupling structure, the outgoing light can be made into a single mode. Where λ
Represents the wavelength of light in the optical waveguide.

【００７６】そして、本実施の形態で特徴的なことは、
陽極１２が前述した所定範囲の厚さを有することによ
り、回折格子１４の結合効率を大きくできるとともに、
陰極での閉込め係数を小さくできる。その結果、発光装
置１０００は、有機発光層１６で発光した光を効率よく
回折格子１４で帰還させることができ、さらに、陰極１
８での光の吸収も少ない。したがって、発光装置１００
０によれば、スペクトル幅の小さい、所望の波長の光を
高い効率で得ることができる。The characteristic features of this embodiment are as follows.
When the anode 12 has a thickness in the above-described predetermined range, the coupling efficiency of the diffraction grating 14 can be increased,
The confinement coefficient at the cathode can be reduced. As a result, the light emitting device 1000 can efficiently return the light emitted from the organic light emitting layer 16 by the diffraction grating 14, and furthermore, the cathode 1
8 also absorbs less light. Therefore, the light emitting device 100
According to 0, light of a desired wavelength having a small spectral width can be obtained with high efficiency.

【００７７】さらに、陽極１２が前述した範囲の厚さを
有することにより、ＴＥモードとＴＭモードとの偏光制
御が容易にでき、特に伝播モードがシャープなＴＥ波を
効率よく得ることができる。Further, when the anode 12 has the thickness in the above-described range, the polarization control between the TE mode and the TM mode can be easily performed, and in particular, a TE wave having a sharp propagation mode can be efficiently obtained.

【００７８】（シミュレーション例）本発明の発光装置
について、陰極での光の閉じ込め係数および回折格子の
結合効率と、陽極の厚さとの関係を、それぞれシミュレ
ーションによって調べた。シミュレーションに用いた発
光装置は、図１および図２に示す発光装置１０００の基
本構造、すなわち、基板１０，陽極１２，回折格子（陽
極と有機発光層とから構成されている）１４，有機発光
層１６および陰極１８の積層構造を有する。(Simulation Example) With respect to the light emitting device of the present invention, the relationship between the light confinement coefficient at the cathode, the coupling efficiency of the diffraction grating, and the thickness of the anode was examined by simulation. The light-emitting device used for the simulation is the basic structure of the light-emitting device 1000 shown in FIGS. 1 and 2, that is, a substrate 10, an anode 12, a diffraction grating (consisting of an anode and an organic light-emitting layer) 14, an organic light-emitting layer. 16 and a cathode 18.

【００７９】（１）発光装置のサンプル 陽極としてはＩＴＯを用い、その厚さＴ１を150ｎｍ
（回折格子の部分を含む）、回折格子の厚さＴ２を50ｎ
ｍ、有機発光層の厚さＴ３を100ｎｍ（回折格子の部分
を含む）、および陰極の厚さＴ４を５０００ｎｍに設定
した。基板は、他の層の厚さに比べて十分に厚く、たと
えば５０００ｎｍに設定した。(1) Sample of Light Emitting Device ITO was used as the anode, and its thickness T1 was 150 nm.
(Including the portion of the diffraction grating), and the thickness T2 of the diffraction grating is 50 n
m, the thickness T3 of the organic light emitting layer was set to 100 nm (including the portion of the diffraction grating), and the thickness T4 of the cathode was set to 5000 nm. The substrate was sufficiently thicker than other layers, for example, set to 5000 nm.

【００８０】また、サンプルとしては、（Ａ）陽極の屈
折率ｎ（anode）（以下、屈折率ｎ（ITO）と表す）が有
機発光層の屈折率ｎ（EL）より大きいもの、すなわちｎ
（ITO）＞ｎ（EL）のサンプル（以下、これを「サンプ
ルＡ」という）、および（Ｂ）陽極の屈折率ｎ（ITO）
が有機発光層の屈折率ｎ（EL）より小さいもの、すなわ
ちｎ（ITO）＜ｎ（EL）のサンプル（以下、これを「サ
ンプルＢ」という）、を用いた。As a sample, (A) a sample in which the refractive index n (anode) of the anode (hereinafter referred to as the refractive index n (ITO)) is larger than the refractive index n (EL) of the organic light emitting layer, ie, n
(ITO)> n (EL) sample (hereinafter referred to as “sample A”), and (B) anode refractive index n (ITO)
Is smaller than the refractive index n (EL) of the organic light emitting layer, that is, a sample of n (ITO) <n (EL) (hereinafter, this is referred to as “sample B”).

【００８１】（２）シミュレーションの方法 以下に述べる各特性については、伝播モードは０次のみ
で評価し、さらにＴＥ波およびＴＭ波の両者について求
めた。伝播モードは、文献 「InternationalJournal
of Optoelectronics ，１９９５，ｖｏｌ．１０，Ｎ
ｏ．５，pages３３１−３３５」に記載されている、一
般的なモード計算によって求めた。(2) Method of Simulation For each of the characteristics described below, only the 0th-order propagation mode was evaluated, and both the TE wave and the TM wave were obtained. The propagation mode is described in the document "InternationalJournal
of Optoelectronics, 1995, vol. 10, N
o. 5, pages 331-335 ".

【００８２】（３）シミュレーションの結果 陰極での光の閉込め係数 図４は、サンプルＡおよびＢについて求めた、ＴＥモー
ドにおける、閉込め係数と、陽極（ITO層）の厚さとの
関係をそれぞれ示す。図４において、横軸は陽極の厚
さ、縦軸は陰極の閉込め係数を示す。(3) Results of Simulation Light Confinement Coefficient at Cathode FIG. 4 shows the relationship between the confinement coefficient and the thickness of the anode (ITO layer) in the TE mode obtained for samples A and B, respectively. Show. In FIG. 4, the horizontal axis represents the thickness of the anode, and the vertical axis represents the confinement coefficient of the cathode.

【００８３】発光装置における陰極の閉込め係数は、前
述した理由により、好ましくは0.1以下である。このこ
とを考慮すると、陰極の閉込め係数の観点からは、陽極
の厚さはあまり制限を受けない。The confinement coefficient of the cathode in the light emitting device is preferably 0.1 or less for the above-mentioned reason. Considering this, the thickness of the anode is not so limited from the viewpoint of the confinement coefficient of the cathode.

【００８４】回折格子の結合効率 図５は、サンプルＡおよびＢについて求めた、回折格子
の結合効率と、陽極（ITO層）の厚さとの関係をそれぞ
れ示す。図５において、横軸は陽極の厚さ、縦軸は回折
格子の結合効率を示す。FIG. 5 shows the relationship between the coupling efficiency of the diffraction grating and the thickness of the anode (ITO layer) obtained for Samples A and B, respectively. In FIG. 5, the horizontal axis represents the thickness of the anode, and the vertical axis represents the coupling efficiency of the diffraction grating.

【００８５】発光装置における回折格子の結合効率（対
数表示）は、前述した理由により、好ましくは１０
^-2（μｍ^-1）以上、より好ましくは１０^-1（μｍ^-1）以
上であればよい。このことを考慮すると、回折格子の結
合効率の観点からは、陽極の厚さは、サンプルＡの場
合、好ましくは600ｎｍ以下、より好ましくは150ｎｍ以
下である。同様に、陽極の厚さは、サンプルＢの場合、
好ましくは1000ｎｍ以下、より好ましくは250ｎｍ以下
である。The coupling efficiency (logarithmic representation) of the diffraction grating in the light emitting device is preferably 10
^-2 (μm ^-1 ) or more, more preferably 10 ^-1 (μm ^-1 ) or more. Considering this, from the viewpoint of the coupling efficiency of the diffraction grating, the thickness of the anode in the case of the sample A is preferably 600 nm or less, more preferably 150 nm or less. Similarly, the thickness of the anode is, in the case of sample B,
Preferably it is 1000 nm or less, more preferably 250 nm or less.

【００８６】ＴＥ波とＴＭ波との対比からの考察 −１；回折格子の結合効率 図６は、サンプルＡおよびＢについて求めた、ＴＭモー
ドとＴＥモードでの結合効率の差（ＴＥ波の値−ＴＭ波
の値：Δc.c.）を陽極の厚さに対してプロットしたもの
である。この結合効率の差Δc.c.が大きいほど、偏光制
御が効率よく行われ、伝播モードがシャープなＴＥ波の
みを効率的に取り出すことができる。Consideration from Comparison of TE Wave and TM Wave -1; Coupling Efficiency of Diffraction Grating FIG. 6 shows the difference between the coupling efficiency in the TM mode and the TE mode (the value of the TE wave) obtained for samples A and B. −TM wave value: Δc.c.) is plotted against the thickness of the anode. As the difference Δc.c. in the coupling efficiency is larger, the polarization control is performed more efficiently, and only a TE wave having a sharp propagation mode can be efficiently extracted.

【００８７】図６から、サンプルＢは、結合効率の差Δ
c.c.が大きく、ＴＥ波を選択的に取り出すことができる
ことがわかる。As shown in FIG. 6, the sample B has a difference Δ 、 in the coupling efficiency.
It can be seen that cc is large and that the TE wave can be selectively extracted.

【００８８】−２；陰極での閉込め係数 図７は、サンプルＡおよびＢについて求めた、ＴＭモー
ドとＴＥモードでの閉込め係数の差（ＴＭ波の値−ＴＥ
波の値：Δc.f.）を陽極の厚さに対してプロットしたも
のである。FIG. 7 shows the difference between the confinement coefficient in the TM mode and the TE mode obtained for samples A and B (TM wave value−TE
Wave value: Δc.f.) is plotted against anode thickness.

【００８９】この閉込め係数の差Δc.f.が大きいほど、
偏光制御が効率よく行われ、伝播モードがシャープなＴ
Ｅ波のみを効率的に取り出すことができる。The larger the difference Δc.f. in the confinement coefficient, the more
Polarization control is performed efficiently and the propagation mode is sharp T
Only the E wave can be efficiently extracted.

【００９０】前述した理由から、閉込め係数の差Δc.f.
は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.3以上であ
る。このことを考慮すると、陽極の厚さは、サンプルＡ
の場合、好ましくは350ｎｍ以下、より好ましくは200ｎ
ｍ以下である。同様に、陽極の厚さは、サンプルＢの場
合、好ましくは700ｎｍ以下、より好ましくは350ｎｍ以
下である。For the reason described above, the difference Δc.f.
Is preferably 0.1 or more, more preferably 0.3 or more. Taking this into account, the thickness of the anode is the same as that of sample A
Is preferably 350 nm or less, more preferably 200 n
m or less. Similarly, the thickness of the anode for sample B is preferably 700 nm or less, more preferably 350 nm or less.

【００９１】また、図７から、陽極の厚さが200ｎｍ以
下での場合では、サンプルＡ（ｎ（ITO）＞ｎ（EL））
が好ましく、陽極の厚さが200ｎｍより大きい場合で
は、サンプルＡ（ｎ（ITO）＞ｎ（EL））が好ましいこ
とがわかる。Also, from FIG. 7, when the thickness of the anode is 200 nm or less, the sample A (n (ITO)> n (EL))
It is understood that when the thickness of the anode is larger than 200 nm, sample A (n (ITO)> n (EL)) is preferable.

【００９２】以上述べた実施の形態では、発光層として
有機発光層を用いたものについて述べたが、有機発光層
の代わりに無機材料からなる発光層を用いてもよい。In the above-described embodiment, the case where the organic light emitting layer is used as the light emitting layer has been described, but a light emitting layer made of an inorganic material may be used instead of the organic light emitting layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態に係る有機発光装置を模式
的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１に示す有機発光装置の要部を、Ａ−Ａ線に
沿って模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a main part of the organic light emitting device shown in FIG. 1 along line AA.

【図３】本発明に係る発光装置の伝播モードを示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a propagation mode of the light emitting device according to the present invention.

【図４】本発明に係る発光装置について求めた、陽極の
厚さと陰極での光の閉込め係数との関係を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the thickness of the anode and the light confinement coefficient at the cathode obtained for the light emitting device according to the present invention.

【図５】本発明に係る発光装置について求めた、陽極の
厚さと回折格子の結合効率との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the thickness of the anode and the coupling efficiency of the diffraction grating, obtained for the light emitting device according to the present invention.

【図６】本発明に係る発光装置について求めた、陽極の
厚さと、ＴＥモードとＴＭモードでの結合効率の差との
関係を示す図である。FIG. 6 is a graph showing the relationship between the thickness of the anode and the difference between the coupling efficiency in the TE mode and the coupling efficiency in the TM mode, obtained for the light emitting device according to the present invention.

【図７】本発明に係る発光装置について求めた、陽極の
厚さと、ＴＥモードとＴＭモードでの閉込め係数の差と
の関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the thickness of the anode and the difference between the confinement coefficient in the TE mode and the difference in the confinement coefficient in the TM mode obtained for the light emitting device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 基板 １２ 陽極 １４ 回折格子 １４ａ，１４ｂ 媒質層 １６ 有機発光層 １８ 陰極 １００ コア層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12 Anode 14 Diffraction grating 14a, 14b Medium layer 16 Organic light emitting layer 18 Cathode 100 Core layer

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板と、 陽極と、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
と、 陰極と、 前記陽極と前記発光層との間に配置された回折格子と、
を含み、 前記陽極は、下記式（１）を満たす厚さＴを有する、発
光装置。 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） ここで、λは出射光の波長を示し、Ｔ0は、波長λが550
ｎｍのときの、回折格子の結合効率が１０^-2（μｍ^-1）
以上となる陽極の厚さを示す。1. A substrate, an anode, a light-emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, a cathode, a diffraction grating disposed between the anode and the light-emitting layer,
The light emitting device, wherein the anode has a thickness T that satisfies the following equation (1). T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Formula (1) Here, λ indicates the wavelength of the emitted light, and T0 indicates that the wavelength λ is 550.
The coupling efficiency of the diffraction grating at 10 nm is 10 ⁻² (μm ⁻¹ ).
The following shows the thickness of the anode. 【請求項２】 請求項１において、 前記波長λは、450〜650ｎｍの範囲にある、発光装置。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the wavelength λ is in a range of 450 to 650 nm. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記回折格子は、前記陽極を構成する材質からなる第１
の媒質層と前記発光層を構成する材質からなる第２の媒
質層とを有する、発光装置。3. The first diffraction grating according to claim 1, wherein the diffraction grating is made of a material constituting the anode.
And a second medium layer made of a material constituting the light emitting layer. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記陽極の屈折率ｎ（anode）と、前記発光層の屈折率
ｎ（EL）とが、 ｎ（anode）＞ｎ（EL）の関係にあるとき、Ｔ0＝600ｎ
ｍである、発光装置。4. The relation according to claim 1, wherein a refractive index n (anode) of the anode and a refractive index n (EL) of the light emitting layer are such that n (anode)> n (EL). , T0 = 600n
m, a light emitting device. 【請求項５】 請求項４において、 Ｔ0＝500ｎｍである、発光装置。5. The light emitting device according to claim 4, wherein T0 = 500 nm. 【請求項６】 請求項４において、 Ｔ0＝150ｎｍである、発光装置。6. The light emitting device according to claim 4, wherein T0 = 150 nm. 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記陽極の屈折率ｎ（anode）と、前記発光層の屈折率
ｎ（EL）とが、 ｎ（anode）＜ｎ（EL）の関係にあるとき、Ｔ0＝1000ｎ
ｍである、発光装置。7. The relation according to claim 1, wherein a refractive index n (anode) of the anode and a refractive index n (EL) of the light emitting layer are n (anode) <n (EL). , T0 = 1000n
m, a light emitting device. 【請求項８】 請求項７において、 Ｔ0＝250ｎｍである、発光装置。8. The light emitting device according to claim 7, wherein T0 = 250 nm. 【請求項９】 450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を出射
できる発光装置であって、 基板と、 光学的に透明な陽極と、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
と、 陰極と、 前記陽極と前記発光層との間に配置され、前記陽極を構
成する材質からなる第１の媒質層と前記発光層を構成す
る材質からなる第２の媒質層とを有する回折格子と、を
含み、 前記陽極の屈折率ｎ（anode）と、前記発光層の屈折率
ｎ（EL）とが、 ｎ（anode）＞ｎ（EL）の関係にあるとき、 前記陽極は、下記式（１）および（２）を満たす厚さＴ
を有する、発光装置。 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝600 …式（２）9. A light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, comprising: a substrate; an optically transparent anode; a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence; a cathode; And a diffraction grating having a first medium layer made of a material forming the anode and a second medium layer made of a material forming the light emitting layer, disposed between the light emitting layer and the light emitting layer, When the refractive index n (anode) of the anode and the refractive index n (EL) of the light emitting layer are in a relationship of n (anode)> n (EL), the anode has the following formulas (1) and (2). Thickness T that satisfies
A light emitting device comprising: T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Formula (1) T0 = 600 Formula (2) 【請求項１０】 請求項９において、 Ｔ0＝500ｎｍである、発光装置。10. The light emitting device according to claim 9, wherein T0 = 500 nm. 【請求項１１】 請求項９において、 Ｔ0＝150ｎｍである、発光装置。11. The light emitting device according to claim 9, wherein T0 = 150 nm. 【請求項１２】 450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を出
射できる発光装置であって、 基板と、 光学的に透明な陽極と、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
と、 陰極と、 前記陽極と前記発光層との間に配置され、前記陽極を構
成する材質からなる第１の媒質層と前記発光層を構成す
る材質からなる第２の媒質層とを有する回折格子と、を
含み、 前記陽極の屈折率ｎ（anode）と、前記発光層の屈折率
ｎ（EL）とが、 ｎ（anode）＜ｎ（EL）の関係にあるとき、 前記陽極は、下記式（１）および（３）を満たす厚さＴ
を有する、発光装置。 Ｔ≦（λ／550）×Ｔ0（ｎｍ） …式（１） Ｔ0＝1000 …式（３）12. A light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, comprising: a substrate; an optically transparent anode; a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence; a cathode; And a diffraction grating having a first medium layer made of a material forming the anode and a second medium layer made of a material forming the light emitting layer, disposed between the light emitting layer and the light emitting layer, When the refractive index n (anode) of the anode and the refractive index n (EL) of the light-emitting layer satisfy a relationship of n (anode) <n (EL), the anode has the following formulas (1) and (3). Thickness T that satisfies
A light emitting device comprising: T ≦ (λ / 550) × T0 (nm) Expression (1) T0 = 1000 Expression (3) 【請求項１３】 請求項１２において、 Ｔ0＝250ｎｍである、発光装置。13. The light emitting device according to claim 12, wherein T0 = 250 nm. 【請求項１４】 450〜650ｎｍの範囲の波長λの光を出
射できる発光装置であって、 基板と、 光学的に透明な陽極と、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
と、 陰極と、 前記陽極と前記発光層との間に配置され、前記陽極を構
成する材質からなる第１の媒質層と前記発光層を構成す
る材質からなる第２の媒質層とを有する回折格子と、を
含み、 前記陽極は、波長λに応じて、最大の厚さが約820〜120
0ｎｍである、発光装置。14. A light emitting device capable of emitting light having a wavelength λ in the range of 450 to 650 nm, comprising: a substrate; an optically transparent anode; a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence; a cathode; And a diffraction grating having a first medium layer made of a material forming the anode and a second medium layer made of a material forming the light emitting layer, disposed between the light emitting layer and the light emitting layer, The anode has a maximum thickness of about 820-120, depending on the wavelength λ.
A light emitting device that is 0 nm. 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかにおいて、 前記発光層の厚さは、１００〜１０００ｎｍである、発
光装置。15. The light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the light emitting layer is 100 to 1000 nm. 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれかにおいて、 前記回折格子は、分布帰還型の回折格子である発光装
置。16. The light emitting device according to claim 1, wherein the diffraction grating is a distributed feedback diffraction grating. 【請求項１７】 請求項１６において、 前記回折格子は、λ／４位相シフト構造を有する発光装
置。17. The light emitting device according to claim 16, wherein the diffraction grating has a λ / 4 phase shift structure. 【請求項１８】 請求項１６において、 前記回折格子は、利得結合型構造を有する発光装置。18. The light emitting device according to claim 16, wherein the diffraction grating has a gain coupling type structure. 【請求項１９】 請求項１〜１５のいずれかにおいて、 前記回折格子は、分布ブラッグ反射型の回折格子である
発光装置。19. The light emitting device according to claim 1, wherein the diffraction grating is a distributed Bragg reflection type diffraction grating. 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかにおいて、 前記発光層は、発光材料として有機発光材料を含む発光
装置。20. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains an organic light emitting material as a light emitting material.