JP2001052855A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device

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JP2001052855A
JP2001052855A JP22552899A JP22552899A JP2001052855A JP 2001052855 A JP2001052855 A JP 2001052855A JP 22552899 A JP22552899 A JP 22552899A JP 22552899 A JP22552899 A JP 22552899A JP 2001052855 A JP2001052855 A JP 2001052855A
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JP
Japan
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layer
light emitting
light
emitting device
anode
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Application number
JP22552899A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoko Koyama
智子 小山
Takeo Kaneko
丈夫 金子
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device having a spectral band width of emitted wavelengths remarkably narrower than that of a conventional EL element, having directivity, applicable not only to a displaying body but to optical communications, and capable of emitting light of a plurality of different wavelengths. SOLUTION: This light emitting device 1000 has a substrate 10, and luminescence element parts 100a, 100b, 100c formed in parallel the substrate 10. Because the luminescence element parts 100a, 100b, 100c have diffraction gratings 12a, 12b, 12c, respectively, with pitches different in optical length, they can emit light of a plurality of different resonance wavelengths. Positive-electrode layers 20a, 20b, 20c are formed integrally continuous with core layers 30a, 30b, 30c, respectively. Insulation layers (clad layers) 16 of the luminescence element parts 100a, 100b, 100c are formed integrally continuous with clad layers 32a, 32b, 32c of wave-guiding channel parts 200a, 200b, 200c, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）を用いた発光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device using EL (electroluminescence).

【０００２】[0002]

【背景技術および発明が解決しようとする課題】例え
ば、光通信システムで用いられる光源としては、半導体
レーザが用いられる。半導体レーザは、波長選択性に優
れ、単一モードの光を出射できる点で好ましいが、多数
回にわたる結晶成長が必要であり、作成が容易でない。
また、半導体レーザでは、発光材料が限定され、種々の
波長の光を発光することができないという難点を有す
る。2. Description of the Related Art For example, a semiconductor laser is used as a light source used in an optical communication system. A semiconductor laser is preferable because it has excellent wavelength selectivity and can emit a single-mode light, but requires many times of crystal growth and is not easy to fabricate.
Further, the semiconductor laser has a drawback that the light emitting material is limited and light of various wavelengths cannot be emitted.

【０００３】また、従来のＥＬ発光素子は、発光波長の
スペクトル幅が広く、表示体などの一部の用途では適用
されているものの、光通信などのスペクトル幅が狭い光
を要求される用途には不向きであった。Further, the conventional EL light emitting device has a wide spectral width of an emission wavelength and is applied to some uses such as a display body, but is used for an application requiring light with a narrow spectral width such as optical communication. Was unsuitable.

【０００４】本発明の目的は、発光波長のスペクトル幅
が従来のＥＬ発光素子に比べて格段に狭く、かつ指向性
があり、表示体だけでなく光通信などにも適用でき、か
つ複数の異なる波長の光を出射できる、発光装置を提供
することにある。An object of the present invention is to provide a light emitting wavelength spectrum width that is much narrower than that of a conventional EL light emitting element, has directivity, can be applied not only to a display, but also to optical communication and the like. An object of the present invention is to provide a light emitting device that can emit light of a wavelength.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る発光装置
は、基板上に、複数の発光素子部と、前記複数の発光素
子部のそれぞれに対応し、前記複数の発光素子部からの
光を伝達する複数の導波路部と、を一体的に有し、前記
発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって発光
可能な発光層と、前記発光層に電界を印加するための一
対の電極層と、前記発光層において発生した光を伝播す
るための光伝播部と、前記光伝播部に接して配置され、
クラッド層として機能しうる絶縁層と、前記光伝播部を
伝播する光のための回折格子と、を含み、前記導波路部
は、前記光伝播部の少なくとも一部と一体的に連続する
コア層と、前記絶縁層と一体的に連続するクラッド層
と、を含み、前記複数の発光素子部の少なくとも一つの
前記回折格子のピッチの光学長を、他の前記発光素子部
の前記回折格子のピッチの光学長と異ならせることによ
り、少なくとも一つの光の共振波長が他の光の共振波長
と異なる、複数の異なる共振波長の光を出射可能として
いる。According to the present invention, there is provided a light emitting device, comprising: a plurality of light emitting element portions corresponding to a plurality of light emitting element portions on a substrate; A plurality of waveguide sections for transmitting light, the light emitting element section includes: a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence; a pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer; A light propagating portion for propagating light generated in the layer, and disposed in contact with the light propagating portion;
A core layer that includes an insulating layer that can function as a cladding layer, and a diffraction grating for light propagating through the light propagating portion, wherein the waveguide portion is integrally continuous with at least a part of the light propagating portion. And a cladding layer integrally continuous with the insulating layer, wherein the optical length of the pitch of at least one diffraction grating of the plurality of light emitting element units is the pitch of the diffraction grating of another light emitting element unit. Is different from the optical length of the other light, it is possible to emit light of a plurality of different resonance wavelengths in which the resonance wavelength of at least one light is different from the resonance wavelength of the other light.

【０００６】以上のような構成をした本発明にかかる発
光装置の作用効果を説明する。本発明にかかる発光装置
によれば、一対の電極層、すなわち陰極と陽極とからそ
れぞれ電子とホールとが発光層内に注入され、この電子
とホールとを発光層で再結合させて、分子が励起状態か
ら基底状態に戻るときに光が発生する。そして、発光層
で発生した光は、光伝播部を伝播する光のための回折格
子、つまり互いに屈折率の異なる２種の媒質が交互に周
期的に配置された格子により、波長選択性および指向性
を有する。The operation and effect of the light emitting device according to the present invention having the above configuration will be described. According to the light-emitting device of the present invention, electrons and holes are injected into the light-emitting layer from the pair of electrode layers, that is, the cathode and the anode, and the electrons and holes are recombined in the light-emitting layer, so that molecules are formed. Light is generated when returning from the excited state to the ground state. The light generated in the light emitting layer is converted by a diffraction grating for the light propagating through the light propagating portion, that is, a grating in which two kinds of media having different refractive indices are alternately and periodically arranged. Has the property.

【０００７】なお、光伝播部とは、発光素子部の一部分
であって、かつ、発光素子部の発光層において得た光を
導波路部側に供給する部分であって、少なくとも波長選
択性を付与する機能を持つ回折格子部分と、導波路部の
コア層と結合するための部材（例えば一方の電極層）と
を含む。The light propagating portion is a portion of the light emitting element portion and a portion for supplying the light obtained in the light emitting layer of the light emitting element portion to the waveguide portion, and has at least wavelength selectivity. Includes a diffraction grating portion having a function of imparting, and a member (for example, one electrode layer) for coupling to the core layer of the waveguide portion.

【０００８】そして、この発光装置によれば、発光素子
部の光伝播部の少なくとも一部と、導波路部のコア層と
が一体的に連続し、かつ、発光素子部の絶縁層（クラッ
ド層）と、導波路部のクラッド層とが一体的に連続して
いることにより、発光素子部と導波路部とが、高い結合
効率で光学的に結合され、効率のよい光の伝播ができ
る。According to this light emitting device, at least a part of the light propagation section of the light emitting element section and the core layer of the waveguide section are integrally continuous, and the insulating layer (cladding layer) of the light emitting element section is provided. ) And the cladding layer of the waveguide portion are integrally continuous with each other, so that the light emitting element portion and the waveguide portion are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated.

【０００９】また、この発光装置によれば、前記複数の
発光素子の少なくとも一つの前記回折格子のピッチの光
学長を、他の前記発光素子部の前記回折格子のピッチの
光学長と異ならせることにより、少なくとも一つの光の
共振波長が他の光の共振波長と異なる、複数の異なる共
振波長の光を出射可能とする。Further, according to this light emitting device, the optical length of the pitch of at least one of the plurality of light emitting elements is different from the optical length of the pitch of the diffraction gratings of the other light emitting element portions. Accordingly, it is possible to emit light having a plurality of different resonance wavelengths in which the resonance wavelength of at least one light is different from the resonance wavelength of the other light.

【００１０】以上にように本発明にかかる発光装置によ
れば、各回折格子の共振波長に対応する複数の光を効率
よく伝播し、出射することができる。As described above, according to the light emitting device of the present invention, a plurality of lights corresponding to the resonance wavelength of each diffraction grating can be efficiently propagated and emitted.

【００１１】次に、本発明にかかる発光装置の望ましい
態様について説明する。本発明にかかる発光装置におい
て、さらに、前記導波路部は、前記コア層が、前記光伝
播部と一体的に連続し、かつ、前記クラッドが前記絶縁
層と一体的に連続することが望ましい。この発光装置に
よれば、発光素子部の光伝播部と、導波路部のコア層と
が一体的に連続し、かつ、発光素子部の絶縁層と、導波
路部のクラッド層とが一体的に連続していることによ
り、発光素子部と導波路部とが、高い結合効率で光学的
に結合され、効率のよい光の伝播ができる。この構成の
場合、前記絶縁層は、前記光伝播部に対してクラッド層
として機能する材質が選択される。また、この構成の発
光装置によれば、発光素子部の光伝播部と、導波路部の
コア層とは、同一の工程で成膜およびパターニングでき
るので、製造が簡易となる利点を有する。同様に、発光
素子部の絶縁層（クラッド層）と、導波路部のクラッド
層とは、同一の工程で成膜およびパターニングできるの
で、製造が簡易となる利点を有する。Next, preferred embodiments of the light emitting device according to the present invention will be described. In the light emitting device according to the aspect of the invention, it is preferable that, in the waveguide portion, the core layer be continuous with the light propagation portion, and the cladding be continuously continuous with the insulating layer. According to this light emitting device, the light propagation section of the light emitting element section and the core layer of the waveguide section are integrally continuous, and the insulating layer of the light emitting element section and the cladding layer of the waveguide section are integrally formed. The light emitting element portion and the waveguide portion are optically coupled with high coupling efficiency, and efficient light propagation can be achieved. In the case of this configuration, a material that functions as a cladding layer for the light propagation portion is selected for the insulating layer. Further, according to the light emitting device having this configuration, since the light propagation portion of the light emitting element portion and the core layer of the waveguide portion can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that manufacturing is simplified. Similarly, since the insulating layer (cladding layer) of the light emitting element portion and the cladding layer of the waveguide portion can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that the manufacturing is simplified.

【００１２】本発明において、さらに、前記複数の発光
素子部のそれぞれに対応して、前記電極層を独立に制御
可能にすることが望ましい。これを達成することができ
る構成の一例として、前記一対の電極層は、陽極層と陰
極層とから構成され、前記陽極層は、互いに電気的に分
離された複数の陽極層を含み、前記複数の陽極層は、そ
れぞれ、前記複数の発光素子部と対応し、前記複数の発
光素子部は、前記陰極層を共通電極としている、があ
る。In the present invention, it is preferable that the electrode layers can be independently controlled in correspondence with each of the plurality of light emitting element portions. As an example of a configuration that can achieve this, the pair of electrode layers includes an anode layer and a cathode layer, and the anode layer includes a plurality of anode layers electrically separated from each other. The anode layers respectively correspond to the plurality of light emitting element sections, and the plurality of light emitting element sections use the cathode layer as a common electrode.

【００１３】上記構成は、陽極層の材料が、一般に、パ
ターンニングが容易であるということを考慮したもので
ある。また、この構成によれば発光層および陰極層は、
各発光素子部毎にパターンニングする必要がなくなるの
で、発光層および陰極層の位置制御が容易となり、また
微細なパターンニングが困難な材料でも発光層および陰
極層の材料として選択することができる。The above structure takes into account that the material of the anode layer is generally easy to pattern. Further, according to this configuration, the light emitting layer and the cathode layer
Since it is not necessary to perform patterning for each light emitting element portion, the position of the light emitting layer and the cathode layer can be easily controlled, and even a material for which fine patterning is difficult can be selected as a material for the light emitting layer and the cathode layer.

【００１４】また、陰極層を共通電極とすることで、発
光素子部毎に陰極層をパターンニングすることが不要と
なる。これにより、パターンニングを簡略にでき、ま
た、複数の発光素子部の水平方向（面方向）の位置合わ
せが容易となる。By using the cathode layer as a common electrode, it is not necessary to pattern the cathode layer for each light emitting element. Thereby, patterning can be simplified, and horizontal alignment (plane direction) of the plurality of light emitting element units is facilitated.

【００１５】また、本発明にかかる発光装置は、さらに
他の導波路部を備え、前記複数の発光素子部の前記導波
路部は、それぞれ、前記基板上で前記他の導波路部と光
学的に接続され、前記複数の発光素子部で発生した光
は、それぞれ、前記他の導波路部から外部に出射され
る、のが望ましい。Further, the light emitting device according to the present invention further includes another waveguide section, and the waveguide sections of the plurality of light emitting element sections are each optically connected to the other waveguide section on the substrate. And the light generated in the plurality of light emitting element units is preferably emitted from the other waveguide units to the outside.

【００１６】この構成によれば、発光装置内部で波長多
重化が可能となる。また、外部のファイバを必要最小限
にすることができ、波長多重化させた伝送において、装
置のコストを下げることができる。さらに、発光装置を
他の導波路部（ファイバ部）と接続する場合、他の導波
路部と発光装置の導波路部との位置合わせ箇所が少なく
なり、接続を簡易化できる。According to this configuration, wavelength multiplexing can be performed inside the light emitting device. In addition, the number of external fibers can be minimized, and the cost of the apparatus can be reduced in wavelength-multiplexed transmission. Further, when the light emitting device is connected to another waveguide portion (fiber portion), the number of positions where the other waveguide portion and the waveguide portion of the light emitting device are aligned is reduced, and the connection can be simplified.

【００１７】また、本発明にかかる発光装置は、前記複
数の発光素子部で発生した光は、それぞれ、前記複数の
発光素子部のそれぞれの前記導波路部から外部に出射さ
れる、のが望ましい。Further, in the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the light generated in the plurality of light emitting element portions is respectively emitted to the outside from each of the waveguide portions of the plurality of light emitting element portions. .

【００１８】この構成によれば、発光素子部をアレイ化
でき、これにより多量の情報を伝送することが可能とな
り、レーザプリンタ等の用途において有効となる。ま
た、フラットケーブルのような水平方向に所定のピッチ
でコア部が配設された光ファイバケーブルとの接続が可
能である。According to this configuration, the light-emitting element section can be arrayed, so that a large amount of information can be transmitted, which is effective in applications such as a laser printer. Further, connection with an optical fiber cable such as a flat cable in which core portions are arranged at a predetermined pitch in the horizontal direction is possible.

【００１９】また、本発明にかかる発光装置において、
前記絶縁層は、前記一対の電極層の間に配置され、前記
絶縁層は、その一部に開口部を有し、前記発光層の少な
くとも一部は前記開口部に配置される、のが望ましい。Further, in the light emitting device according to the present invention,
Preferably, the insulating layer is disposed between the pair of electrode layers, the insulating layer has an opening in a part thereof, and at least a part of the light emitting layer is disposed in the opening. .

【００２０】前記開口部を有する前記絶縁層は、前記発
光層に供給される電流の流れる領域を規定する電流狭窄
層として機能する。The insulating layer having the opening functions as a current confinement layer that defines a region where a current supplied to the light emitting layer flows.

【００２１】電流狭窄層について詳細に説明する。前記
絶縁層がクラッドとして機能する場合には、コアとして
の発光層とクラッドとしての絶縁層からなる導波路を想
定すると、絶縁層の開口部を規定することで、光伝播部
を介して導波路部側に伝播される光の導波モードをコン
トロールできる。すなわち、前記絶縁層（クラッド）に
より、光が閉じ込められる領域の幅（光の進行方向に対
して垂直な面における幅）を規定することで、発光層
（コア）内を伝播する光の導波モードを所定の値に設定
できる。導波モードと導波路とは、一般に以下の式で示
す関係を有する。The current confinement layer will be described in detail. When the insulating layer functions as a clad, assuming a waveguide composed of a light emitting layer as a core and an insulating layer as a clad, by defining an opening of the insulating layer, a waveguide is formed through a light propagation portion. It is possible to control the waveguide mode of light propagating to the part side. That is, by defining the width of the region where light is confined (the width in a plane perpendicular to the light traveling direction) by the insulating layer (cladding), the light propagating in the light emitting layer (core) is guided. The mode can be set to a predetermined value. The waveguide mode and the waveguide generally have a relationship represented by the following equation.

【００２２】Ｎｍａｘ＋１ ≧ Ｋ0・ａ・（ｎ1 2−ｎ2
2）1/2／（π／２） ここで、 Ｋ0：２π／λ、 ａ：導波路のコアの幅の１／２、 ｎ1：導波路のコアの屈折率、 ｎ2：導波路のクラッドの屈折率、 Ｎｍａｘ：取り得る導波モードの最大値である。Nmax + 1 ≧ K 0 · a · (n 1 2 −n 2
2 ) 1/2 / (π / 2) where, K 0 : 2π / λ, a: の of the width of the waveguide core, n 1 : refractive index of the waveguide core, n 2 : waveguide Nmax: maximum value of possible waveguide modes.

【００２３】したがって、得たい導波モードによって、
上記式のパラメータ、例えばコアおよびクラッドの屈折
率が特定されている場合、電流狭窄層の開口部の幅で規
定される発光層（コア）の幅を選択すればよい。すなわ
ち、電流狭窄層の内部に設けられる発光層の屈折率およ
び電流狭窄層となる絶縁層の屈折率を、それぞれ上記式
の導波路のコアの屈折率およびクラッドの屈折率とし、
得たい導波モードを定めて上記式によってコアに相当す
る発光層の幅（２ａ）を求めることができる。そして、
発光素子部からの光が供給される導波路部側のコア層の
幅についても、上述したように求めた発光層の幅、およ
び得たい導波モードに基づいて上記式によって得られた
計算値などを考慮して、好ましい値を求めることが好ま
しい。このように発光層の幅およびコア層の幅などを適
正な値とすることにより、優れた結合効率で発光素子部
から導波路部側に所望のモードでの光が伝播される。な
お、発光素子部においては、絶縁層で形成された電流狭
窄層内における発光層が必ずしも均一な発光状態となら
ないこともあるため、これを考慮して、上記式で求めた
コア（発光層）の幅（２ａ）を基準として、各部材の結
合効率が良好となるように、発光層、光伝播部および導
波路部などの各部材の設計値が最適に調整されることが
好ましい。Therefore, depending on the desired waveguide mode,
When the parameters of the above equation, for example, the refractive index of the core and the cladding are specified, the width of the light emitting layer (core) defined by the width of the opening of the current confinement layer may be selected. That is, the refractive index of the light-emitting layer provided inside the current confinement layer and the refractive index of the insulating layer serving as the current confinement layer are the refractive index of the core of the waveguide of the above formula and the refractive index of the cladding, respectively.
The width (2a) of the light emitting layer corresponding to the core can be obtained by the above equation by determining the desired waveguide mode. And
The width of the core layer on the side of the waveguide to which light from the light emitting element is supplied is also calculated based on the width of the light emitting layer determined as described above, and the desired waveguide mode. It is preferable to determine a preferable value in consideration of the above. By setting the width of the light emitting layer and the width of the core layer to appropriate values, light in a desired mode is propagated from the light emitting element portion to the waveguide portion with excellent coupling efficiency. In the light-emitting element portion, the light-emitting layer in the current confinement layer formed by the insulating layer may not always be in a uniform light-emitting state. It is preferable that the design value of each member such as the light emitting layer, the light propagation portion, and the waveguide portion is optimally adjusted so that the coupling efficiency of each member becomes good based on the width (2a) of the above.

【００２４】発光装置として、導波モードは好ましくは
０〜１０００、特に通信用途では０〜１０程度であるこ
とが好ましい。このように発光層での光の導波モードを
規定できれば、所定の導波モードの光を効率よく得るこ
とができる。The light emitting device preferably has a waveguide mode of about 0 to 1000, particularly about 0 to 10 for communication use. If the light guide mode of the light in the light emitting layer can be defined in this way, light of a predetermined guide mode can be obtained efficiently.

【００２５】以上のように、本発明によれば、発光波長
のスペクトル幅が従来のＥＬ発光素子に比べて格段に狭
く、かつ指向性があり、表示体だけでなく光通信などに
も適用できる、発光装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, the spectral width of the emission wavelength is much narrower than that of the conventional EL light emitting element, and it has directivity, and can be applied not only to a display but also to optical communication and the like. A light emitting device can be provided.

【００２６】前記絶縁層の前記開口部は、前記回折格子
の周期方向、つまり光の導波方向に延びるスリット形状
を有することが望ましい。また、前記発光層は、少なく
とも一部が前記絶縁層に形成された開口部に存在するこ
とが望ましい。この構成によれば、電流を供給したい発
光層の領域と、電流狭窄層によって規定される領域とを
自己整合的に位置決めできる。It is preferable that the opening of the insulating layer has a slit shape extending in a period direction of the diffraction grating, that is, in a light waveguide direction. Further, it is preferable that at least a part of the light emitting layer exists in an opening formed in the insulating layer. According to this configuration, the region of the light emitting layer to which a current is to be supplied and the region defined by the current constriction layer can be positioned in a self-aligned manner.

【００２７】前記発光層は、発光材料として有機発光材
料を含むことが好ましい。有機発光材料を用いることに
より、例えば半導体材料や無機材料を用いた場合に比べ
て材料の選択の幅が広がり、種々の波長の光を発光する
ことが可能となる。The light emitting layer preferably contains an organic light emitting material as a light emitting material. By using an organic light emitting material, a wider range of materials can be selected than in the case of using a semiconductor material or an inorganic material, and light of various wavelengths can be emitted.

【００２８】本発明の発光装置は、種々の態様をとるこ
とができ、例えば以下に代表的な態様を記載する。The light-emitting device of the present invention can take various modes. For example, representative modes will be described below.

【００２９】（ａ）前記一対の電極層は、陽極層と陰極
層とから構成され、前記陽極層は、透明な材質を含み、
前記陽極層は、前記基板上に形成され、前記陽極層は、
前記光伝播部の少なくとも一部として機能し、前記回折
格子は、前記陽極層の一部に形成されており、前記絶縁
層の開口部は、前記回折格子に面しており、前記発光層
は、少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在してお
り、前記コア層は、前記陽極層と一体的に連続し、前記
クラッド層は、前記コア層の露出部分を覆っている発光
装置。(A) The pair of electrode layers includes an anode layer and a cathode layer, and the anode layer includes a transparent material,
The anode layer is formed on the substrate, and the anode layer includes:
Functioning as at least a part of the light propagation portion, the diffraction grating is formed in a part of the anode layer, an opening of the insulating layer faces the diffraction grating, and the light emitting layer is A light emitting device in which at least a part is present in an opening of the insulating layer, the core layer is integrally continuous with the anode layer, and the cladding layer covers an exposed part of the core layer.

【００３０】（ｂ）前記一対の電極層は、陽極層と陰極
層とから構成され、前記回折格子は、前記基板の一部に
形成され、前記陽極層は、透明な材質を含み、前記陽極
層は、前記回折格子上に形成され、前記陽極層は、前記
光伝播部の少なくとも一部として機能し、前記絶縁層の
開口部は、前記陽極層に面しており、前記発光層は、少
なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在しており、前
記コア層は、前記陽極層と一体的に連続し、前記クラッ
ド層は、前記コア層の露出部分を覆っている発光装置。(B) the pair of electrode layers includes an anode layer and a cathode layer; the diffraction grating is formed on a part of the substrate; the anode layer includes a transparent material; A layer is formed on the diffraction grating, the anode layer functions as at least a part of the light propagation unit, an opening of the insulating layer faces the anode layer, and the light-emitting layer is A light emitting device in which at least a part is present in an opening of the insulating layer, the core layer is integrally continuous with the anode layer, and the cladding layer covers an exposed part of the core layer.

【００３１】（ｃ）前記基板上に配置され、一部に前記
回折格子が形成された格子基板を備え、前記一対の電極
層は、陽極層と陰極層とから構成され、前記陽極層は、
透明な材質を含み、前記陽極層は、前記格子基板の前記
回折格子上に形成され、前記陽極層は、前記光伝播部の
少なくとも一部として機能し、前記絶縁層の開口部は、
前記陽極層に面しており、前記発光層は、少なくとも一
部が前記絶縁層の開口部に存在しており、前記コア層
は、前記格子基板上に形成され、前記コア層は、前記陽
極層と一体的に連続し、前記クラッド層は、前記コア層
の露出部分を覆っている発光装置。(C) a grating substrate disposed on the substrate and partially having the diffraction grating formed thereon, wherein the pair of electrode layers comprises an anode layer and a cathode layer;
Including a transparent material, the anode layer is formed on the diffraction grating of the grating substrate, the anode layer functions as at least a part of the light propagation unit, the opening of the insulating layer,
Facing the anode layer, the light emitting layer is at least partially present in an opening of the insulating layer, the core layer is formed on the lattice substrate, and the core layer is The light emitting device, wherein the light emitting device is continuous with the layer, and the cladding layer covers an exposed portion of the core layer.

【００３２】次に、本発明にかかる発光装置に用いられ
る回折格子について説明する。前記複数の回折格子は、
以下の構成（１）〜（３）を取りうる。 （１）前記複数の前記回折格子の材料は、それぞれ、同
じ材料からなり、かつ異なるピッチ長を有する。 （２）前記複数の前記回折格子の材料は、それぞれ、異
なる材料からなり、かつ同じピッチ長を有する。 （３）前記複数の前記回折格子の材料は、それぞれ、異
なる材料からなり、かつ異なるピッチ長を有する。Next, a diffraction grating used in the light emitting device according to the present invention will be described. The plurality of diffraction gratings,
The following configurations (1) to (3) can be taken. (1) The materials of the plurality of diffraction gratings are each made of the same material and have different pitch lengths. (2) The materials of the plurality of diffraction gratings are respectively made of different materials and have the same pitch length. (3) The materials of the plurality of diffraction gratings are made of different materials and have different pitch lengths.

【００３３】前記回折格子は、分布帰還型または分布ブ
ラッグ反射型の回折格子であることが望ましい。このよ
うに、分布帰還型または分布ブラッグ反射型の回折格子
を形成することにより、発光層で得られた光を共振さ
せ、その結果、波長選択性があり発光スペクトル幅が狭
く、かつ優れた指向性を有する光を得ることができる。
これらの回折格子においては、出射光の波長によって回
折格子のピッチおよび深さが設定される。The diffraction grating is preferably a distributed feedback type or a distributed Bragg reflection type diffraction grating. Thus, by forming a distributed feedback type or a distributed Bragg reflection type diffraction grating, the light obtained in the light emitting layer resonates, and as a result, it has wavelength selectivity, narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Light having a property can be obtained.
In these diffraction gratings, the pitch and depth of the diffraction grating are set according to the wavelength of the emitted light.

【００３４】さらに、分布帰還型の前記回折格子をλ／
４位相シフト構造または利得結合型構造とすることによ
り、出射光をより単一モード化することができる。ここ
で、λは、光伝播部内の光の波長を表す。Furthermore, the diffraction grating of the distributed feedback type has a wavelength of λ /
By using a four-phase shift structure or a gain-coupling type structure, emitted light can be made to have a single mode. Here, λ represents the wavelength of light in the light propagation unit.

【００３５】特に、回折格子が分布帰還型であって、さ
らにλ／４位相シフト構造あるいは利得結合型構造を有
することは、本発明に係る発光装置において共通した望
ましい構成である。そして、この回折格子は、上述した
回折格子の機能を達成できればよく、その形成領域は特
に限定されず、例えば光伝播部内あるいは光伝播部に接
する層であればよい。In particular, it is a desirable configuration common to the light emitting devices according to the present invention that the diffraction grating is a distributed feedback type and further has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. The diffraction grating only needs to be able to achieve the function of the above-described diffraction grating, and the formation region is not particularly limited. For example, the diffraction grating may be a layer in the light propagation portion or a layer in contact with the light propagation portion.

【００３６】次に、本発明に係る発光装置の各部分に用
いることができる材料の一部を例示する。これらの材料
は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したもの
以外の材料を選択できることはもちろんである。Next, some of the materials that can be used for each part of the light emitting device according to the present invention will be described. These materials are only a part of known materials, and it is a matter of course that materials other than those exemplified can be selected.

【００３７】（発光層）発光層の材料は、所定の波長の
光を得るために公知の化合物から選択される。発光層の
材料としては、有機化合物および無機化合物のいずれで
もよいが、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物で
あることが望ましい。(Light Emitting Layer) The material of the light emitting layer is selected from known compounds in order to obtain light having a predetermined wavelength. The material of the light emitting layer may be either an organic compound or an inorganic compound, but is preferably an organic compound from the viewpoint of abundant types and film-forming properties.

【００３８】このような有機化合物としては、例えば、
特開平１０−１５３９６７号公報に開示された、アロマ
ティックジアミン誘導体（ＴＰＤ）、オキシジアゾール
誘導体（ＰＢＤ）、オキシジアゾールダイマー（ＯＸＤ
−８）、ジスチルアリーレン誘導体（ＤＳＡ）、ベリリ
ウム−ベンゾキノリノール錯体（Ｂｅｂｑ）、トリフェ
ニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）、ルブレン、キナク
リドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチ
ン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体などが
使用できる。As such an organic compound, for example,
Aromatic diamine derivatives (TPD), oxydiazole derivatives (PBD), oxydiazole dimers (OXD) disclosed in JP-A-10-153967
-8), distilylylene derivative (DSA), beryllium-benzoquinolinol complex (Bebq), triphenylamine derivative (MTDATA), rubrene, quinacridone, triazole derivative, polyphenylene, polyalkylfluorene, polyalkylthiophene, azomethine zinc complex, Porphyrin zinc complex, benzoxazole zinc complex, phenanthroline europium complex and the like can be used.

【００３９】また、有機発光層の材料としては、特開昭
６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公
報、特開平２−１３５３６１号公報、同２−１３５３５
９号公報、同３−１５２１８４号公報、さらに、同８−
２４８２７６号公報および同１０−１５３９６７号公報
に記載されているものなど、公知のものが使用できる。
これらの化合物は単独で用いてもよく、２種類以上を混
合して用いてもよい。As materials for the organic light emitting layer, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135361, and JP-A-2-13535.
No. 9, No. 3-152184, and further, No. 8-
Known materials such as those described in JP-A-248276 and JP-A-10-153967 can be used.
These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.

【００４０】無機化合物としては、ＺｎＳ：Ｍｎ（赤色
領域）、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ（緑色領域）、ＳｒＳ：Ｃ
ｕ、ＳｒＳ：Ａｇ、ＳｒＳ：Ｃｅ（青色領域）などが例
示される。As inorganic compounds, ZnS: Mn (red region), ZnS: TbOF (green region), SrS: C
u, SrS: Ag, SrS: Ce (blue region), and the like.

【００４１】（光導波路）ここで光導波路とは、コアと
して機能する層、および該コアより屈折率が小さくクラ
ッドとして機能する層を含む。これらの層は、具体的に
は、発光素子部の光伝播部（コア）および絶縁層（クラ
ッド）、導波路部のコア層およびクラッド層、さらに基
板（クラッド）などを含む。光導波路を構成する層は、
公知の無機材料および有機材料を用いることができる。(Optical Waveguide) Here, the optical waveguide includes a layer functioning as a core and a layer having a smaller refractive index than the core and functioning as a clad. Specifically, these layers include a light propagation portion (core) and an insulating layer (cladding) of the light emitting element portion, a core layer and a cladding layer of the waveguide portion, and a substrate (cladding). The layers constituting the optical waveguide are:
Known inorganic materials and organic materials can be used.

【００４２】代表的な無機材料としては、例えば特開平
５−２７３４２７号公報に開示されているような、Ｔｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2混合物、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｓ
ｉ3Ｎ 4、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2またはＺｒＯ2などを例示す
ることができる。Representative inorganic materials include, for example,
As disclosed in JP-A-5-273427, Ti
OTwo, TiOTwo-SiOTwoMixture, ZnO, NbTwoOFive, S
iThreeN Four, TaTwoOFive, HfOTwoOr ZrOTwoFor example
Can be

【００４３】また、代表的な有機材料としては、各種の
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、および光硬化性樹脂な
ど、公知の樹脂を用いることができる。これらの樹脂
は、層の形成方法などを考慮して適宜選択される。例え
ば、熱および光の少なくとも一方のエネルギーによって
硬化することができる樹脂を用いることで、汎用の露光
装置やベイク炉、ホットプレートなどが利用できる。As typical organic materials, known resins such as various thermoplastic resins, thermosetting resins, and photocurable resins can be used. These resins are appropriately selected in consideration of a method of forming a layer and the like. For example, by using a resin that can be cured by at least one of heat and light, a general-purpose exposure apparatus, a baking furnace, a hot plate, or the like can be used.

【００４４】このような物質としては、例えば、本願出
願人による特願平１０−２７９４３９号に開示された紫
外線硬化型樹脂がある。紫外線硬化型樹脂としては、ア
クリル系樹脂が好適である。様々な市販の樹脂や感光剤
を利用することで、透明性に優れ、また、短期間の処理
で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得ること
ができる。As such a material, for example, there is an ultraviolet curable resin disclosed in Japanese Patent Application No. 10-279439 filed by the present applicant. Acrylic resin is suitable as the UV-curable resin. By using various commercially available resins and photosensitizers, it is possible to obtain an ultraviolet-curable acrylic resin which is excellent in transparency and can be cured by a short-term treatment.

【００４５】紫外線硬化型のアクリル系樹脂の基本構成
の具体例としては、プレポリマー、オリゴマー、または
モノマーがあげられる。Specific examples of the basic constitution of the ultraviolet curable acrylic resin include a prepolymer, an oligomer and a monomer.

【００４６】プレポリマーまたはオリゴマーとしては、
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。As the prepolymer or oligomer,
For example, acrylates such as epoxy acrylates, urethane acrylates, polyester acrylates, polyether acrylates, and spiroacetal acrylates; methacrylates such as epoxy methacrylates, urethane methacrylates, polyester methacrylates, and polyether methacrylates; Is available.

【００４７】モノマーとしては、例えば、２−エチルヘ
キシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、１，３−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロバントリアクリ
レート、トリメチロールプロバントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。As the monomer, for example, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, carbitol acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, isovol Monofunctional monomers such as nyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, and 1,3-butanediol acrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate,
Bifunctional monomers such as neopentyl glycol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Polyfunctional monomers such as pentaerythritol triacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate can be used.

【００４８】以上、光の閉じ込めのみを考慮した無機材
料あるいは有機材料を例示した。光導波路を構成する層
としては、発光素子部の構造が、発光層、ホール輸送
層、電子輸送層および電極層を備える場合に、これらの
少なくとも一層がコアあるいはクラッドとして機能する
場合には、これらの層を構成する材料も採用し得る。As described above, the inorganic material or the organic material considering only the confinement of light is exemplified. As a layer constituting the optical waveguide, when the structure of the light emitting element portion includes a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer and an electrode layer, when at least one of these functions as a core or a clad, May be employed.

【００４９】（ホール輸送層）発光素子部において有機
発光層を用いる場合、必要に応じて電極層（陽極）と発
光層との間にホール輸送層を設けることができる。ホー
ル輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホール注
入材料として用いられているもの、あるいは有機発光装
置のホール注入層に使用されている公知のものの中から
選択して用いることができる。ホール輸送層の材料は、
ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機能を
有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれでも
よい。その具体例としては、例えば、特開平８−２４８
２７６号公報に開示されているものを例示することがで
きる。(Hole Transport Layer) When an organic light emitting layer is used in the light emitting element portion, a hole transport layer can be provided between the electrode layer (anode) and the light emitting layer, if necessary. As the material of the hole transport layer, a material used as a hole injection material of a known photoconductive material or a known material used for a hole injection layer of an organic light emitting device can be selected and used. The material of the hole transport layer is
It has either a function of injecting holes or a function of blocking electrons, and may be either an organic substance or an inorganic substance. Specific examples thereof include, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-248.
No. 276 can be exemplified.

【００５０】（電子輸送層）発光素子部において有機発
光層を用いる場合、必要に応じて電極層（陰極）と発光
層との間に電子輸送層を設けることができる。電子輸送
層の材料としては、陰極より注入された電子を有機発光
層に伝達する機能を有していればよく、その材料は公知
の物質から選択することができる。その具体例として
は、例えば、特開平８−２４８２７６号公報に開示され
たものを例示することができる。(Electron Transport Layer) When an organic light emitting layer is used in the light emitting element portion, an electron transport layer can be provided between the electrode layer (cathode) and the light emitting layer, if necessary. The material of the electron transporting layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the organic light emitting layer, and the material can be selected from known substances. Specific examples thereof include those disclosed in JP-A-8-248276.

【００５１】（電極層）陰極としては、仕事関数の小さ
い（例えば４ｅＶ以下）電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平８−２４８
２７６号公報に開示されたものを用いることができる。(Electrode Layer) As the cathode, an electron injecting metal, an alloy electrically conductive compound, or a mixture thereof having a small work function (for example, 4 eV or less) can be used.
Examples of such an electrode material include, for example, JP-A-8-248.
No. 276 can be used.

【００５２】陽極としては、仕事関数の大きい（例えば
４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ
2，ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。As the anode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a large work function (for example, 4 eV or more) can be used. When an optically transparent material is used for the anode, CuI, ITO, SnO
2 , conductive transparent materials such as ZnO can be used,
When transparency is not required, a metal such as gold can be used.

【００５３】本発明において、回折格子の形成方法は特
に限定されるものではなく、公知の方法を用いることが
できる。その代表例を以下に例示する。In the present invention, the method of forming the diffraction grating is not particularly limited, and a known method can be used. Representative examples are shown below.

【００５４】リソブラフィーによる方法 ポジまたはネガレジストを紫外線やＸ線などで露光およ
び現像して、レジスト層をパターニングすることによ
り、回折格子を作成する。ポリメチルメタクリレートあ
るいはノボラック系樹脂などのレジストを用いたパター
ニングの技術としては、例えば特開平６−２２４１１５
号公報、同７−２０６３７号公報などがある。Method by Lithography A positive or negative resist is exposed and developed with ultraviolet rays or X-rays, and the resist layer is patterned to form a diffraction grating. As a patterning technique using a resist such as polymethyl methacrylate or a novolak resin, for example, JP-A-6-224115
And JP-A-7-20637.

【００５５】また、ポリイミドをフォトリソブラフィー
によりパターニングする技術としては、例えば特開平７
−１８１６８９号公報および同１−２２１７４１号公報
などがある。さらに、レーザアブレーションを利用し
て、ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは
酸化チタンの回折格子を形成する技術として、例えば特
開平１０−５９７４３号公報がある。A technique for patterning polyimide by photolithography is disclosed in, for example,
181689 and 1-222141. Furthermore, as a technique for forming a diffraction grating of polymethyl methacrylate or titanium oxide on a glass substrate by using laser ablation, there is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-59743.

【００５６】光照射による屈折率分布の形成による方
法 光導波路の光導波部に屈折率変化を生じさせる波長の光
を照射して、光導波部に屈折率の異なる部分を周期的に
形成することにより回折格子を形成する。このような方
法としては、特に、ポリマーあるいはポリマー前駆体の
層を形成し、光照射などにより部分的に重合を行い、屈
折率の異なる領域を周期的に形成させて回折格子とする
ことが好ましい。この種の技術として、例えば、特開平
９−３１１２３８号公報、同９−１７８９０１号公報、
同８−１５５０６号公報、同５−２９７２０２号公報、
同５−３２５２３号公報、同５−３９４８０号公報、同
９−２１１７２８号公報、同１０−２６７０２号公報、
同１０−８３００号公報、および同２−５１１０１号公
報などがある。Method of Forming Refractive Index Distribution by Light Irradiation Irradiation of light having a wavelength that causes a change in the refractive index to the optical waveguide portion of the optical waveguide to periodically form portions having different refractive indexes in the optical waveguide portion. To form a diffraction grating. As such a method, it is particularly preferable to form a layer of a polymer or a polymer precursor, partially polymerize the layer by light irradiation or the like, and periodically form regions having different refractive indexes to form a diffraction grating. . As this kind of technology, for example, JP-A-9-31238 and JP-A-9-178901,
JP-A-8-15506, JP-A-5-297202,
JP-A-5-32523, JP-A-5-39480, JP-A-9-211728, JP-A-10-26702,
Nos. 10-8300 and 2-51101.

【００５７】スタンピングによる方法 熱可塑性樹脂を用いたホットスタンピング（特開平６−
２０１９０７号公報）、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング（特願平１０−２７９４３９号）、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング（特開平７−２３５０７５
号公報）などのスタンピングによって回折格子を形成す
る。Method by stamping Hot stamping using a thermoplastic resin (Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 201907), stamping using an ultraviolet curable resin (Japanese Patent Application No. 10-279439), stamping using an electron beam curable resin (Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-235075).
A diffraction grating is formed by stamping as described in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. H11-209686.

【００５８】エッチングによる方法 リソグラフィーおよびエッチング技術を用いて、薄膜を
選択的に除去してパターニングし、回折格子を形成す
る。Etching Method A thin film is selectively removed and patterned by lithography and etching techniques to form a diffraction grating.

【００５９】以上、回折格子の形成方法について述べた
が、要するに、回折格子は互いに異なる屈折率を有する
２領域から構成されていればよく、屈折率の異なる２種
の材料により２領域を形成する方法、一種の材料を部分
的に変性させるなどして、屈折率の異なる２領域を形成
する方法、などにより形成することができる。The method of forming the diffraction grating has been described above. In short, the diffraction grating only needs to be composed of two regions having different refractive indices, and the two regions are formed of two materials having different refractive indices. It can be formed by a method, a method of forming two regions having different refractive indexes by partially modifying a kind of material, or the like.

【００６０】また、発光装置の各層は、公知の方法で形
成することができる。たとえば、発光装置の各層は、そ
の材質によって好適な成膜方法が選択され、具体的に
は、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法、インクジェット
法などを例示できる。Each layer of the light emitting device can be formed by a known method. For example, for each layer of the light emitting device, a suitable film forming method is selected depending on its material, and specific examples include a vapor deposition method, a spin coating method, an LB method, and an ink jet method.

【００６１】[0061]

【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］ ｛デバイス｝図１は、本実施の形態に係る発光装置１０
００を模式的に示す斜視図であり、図２（Ａ）は、発光
装置１０００を模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）
は、図２（Ａ）におけるＸ１−Ｘ１線に沿った断面図で
あり、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）のＸ２−Ｘ２に沿った
断面図であり、図３は、図２（Ａ）のＹ−Ｙ線に沿った
断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] {Device} FIG. 1 shows a light emitting device 10 according to the present embodiment.
FIG. 2A is a perspective view schematically showing the light emitting device 1000, and FIG. 2A is a plan view schematically showing the light emitting device 1000, and FIG.
2A is a cross-sectional view along line X1-X1 in FIG. 2A, FIG. 2C is a cross-sectional view along X2-X2 in FIG. 2A, and FIG. It is sectional drawing along the YY line of (A).

【００６２】発光装置１０００は、基板１０と、この基
板１０上に形成された発光素子部１００ａ、１００ｂ、
１００ｃと、導波路部２００ａ、２００ｂ、２００ｃと
を有する。発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００ｃは
並列に形成されている。導波路部２００ａ、２００ｂ、
２００ｃは並列に形成されている。発光素子部１００ａ
は導波路部２００ａと光学的に連続され、発光素子部１
００ｂは導波路部２００ｂと光学的に連続され、発光素
子部１００ｃは導波路部２００ｃと光学的に連続されて
いる。The light emitting device 1000 includes a substrate 10 and light emitting element portions 100a, 100b formed on the substrate 10.
100c and waveguide sections 200a, 200b, 200c. The light emitting element units 100a, 100b, 100c are formed in parallel. Waveguide portions 200a, 200b,
200c are formed in parallel. Light emitting element section 100a
Is optically continuous with the waveguide section 200a, and the light emitting element section 1
00b is optically continuous with the waveguide 200b, and the light emitting element 100c is optically continuous with the waveguide 200c.

【００６３】発光素子部１００ａは、基板１０上に、光
伝播部となる陽極層２０ａおよび回折格子１２ａ、さら
に発光層１４および陰極層２２が、この順序で配置され
ている。そして、回折格子１２ａの周囲には、その一部
を除いて、クラッド層および電流狭窄層としても機能す
る絶縁層１６が形成されている。In the light emitting element section 100a, an anode layer 20a and a diffraction grating 12a serving as a light propagation section, and a light emitting layer 14 and a cathode layer 22 are arranged in this order on the substrate 10. An insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed around the diffraction grating 12a except for a part thereof.

【００６４】発光素子部１００ｂは発光素子部１００ａ
と同様の構成をしている。つまり、発光素子部１００ｂ
は、基板１０上に、光伝播部となる陽極層２０ｂおよび
回折格子１２ｂ、さらに発光層１４および陰極層２２
が、この順序で配置されている。そして、回折格子１２
ｂの周囲には、その一部を除いて、クラッド層および電
流狭窄層としても機能する絶縁層１６が形成されてい
る。The light emitting element section 100b is
It has the same configuration as. That is, the light emitting element unit 100b
Are formed on a substrate 10 by forming an anode layer 20b and a diffraction grating 12b serving as a light propagation portion, and further, a light emitting layer 14 and a cathode layer 22.
Are arranged in this order. And the diffraction grating 12
An insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer except for a part thereof is formed around b.

【００６５】発光素子部１００ｃは発光素子部１００ａ
と同様の構成をしている。つまり、発光素子部１００ｃ
は、基板１０上に、光伝播部となる陽極層２０ｃおよび
回折格子１２ｃ、さらに発光層１４および陰極層２２
が、この順序で配置されている。そして、回折格子１２
ｃの周囲には、その一部を除いて、クラッド層および電
流狭窄層としても機能する絶縁層１６が形成されてい
る。The light emitting element section 100c is the light emitting element section 100a.
It has the same configuration as. That is, the light emitting element unit 100c
Are formed on a substrate 10 by forming an anode layer 20c and a diffraction grating 12c serving as a light propagation portion, and a light emitting layer 14 and a cathode layer 22.
Are arranged in this order. And the diffraction grating 12
An insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer except for a part thereof is formed around c.

【００６６】このように、本実施の形態の発光素子部１
００ａ〜１００ｃにおいて、陽極層および回折格子は発
光素子部毎に分離されており、発光層１４および陰極層
２２は発光素子部毎に分離されていない。As described above, the light emitting element 1 of the present embodiment
In 00a to 100c, the anode layer and the diffraction grating are separated for each light emitting element portion, and the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 are not separated for each light emitting element portion.

【００６７】導波路部２００ａは、基板１０上に、コア
層３０ａと、このコア層３０ａの露出部分を覆うクラッ
ド層３２ａとが配置されている。コア層３０ａの端部は
出射口１３ａとなっている。導波路部２００ｂは導波路
部２００ａと同様の構成であり、基板１０上に、コア層
３０ｂと、このコア層３０ｂの露出部分を覆うクラッド
層３２ｂとが配置されている。コア層３０ｂの端部は出
射口１３ｂとなっている。導波路部２００ｃは導波路部
２００ａと同様の構成であり、基板１０上に、コア層３
０ｃと、このコア層３０ｃの露出部分を覆うクラッド層
３２ｃとが配置されている。コア層３０ｃの端部は出射
口１３ｃとなっている。In the waveguide portion 200a, a core layer 30a and a clad layer 32a covering an exposed portion of the core layer 30a are arranged on the substrate 10. The end of the core layer 30a is an emission port 13a. The waveguide section 200b has the same configuration as the waveguide section 200a, and a core layer 30b and a cladding layer 32b covering an exposed portion of the core layer 30b are arranged on the substrate 10. An end of the core layer 30b is an emission port 13b. The waveguide section 200c has the same configuration as the waveguide section 200a, and the core layer 3
0c and a cladding layer 32c covering the exposed portion of the core layer 30c. An end of the core layer 30c is an emission port 13c.

【００６８】基板１０上には陰極電極取出部２４、陽極
電極取出部２６ａ、２６ｂ、２６ｃが間隔を設けて形成
されている。陰極電極取出部２４と陽極電極取出部２６
ａとの間には導波路部２００ａが位置している。陽極電
極取出部２６ａは、発光素子部１００ａの陽極層２０ａ
と一体的に連続し、陽極の取出電極として機能する。陽
極電極取出部２６ａと陽極電極取出部２６ｂとの間には
導波路部２００ｂが位置している。陽極電極取出部２６
ｂは、発光素子部１００ｂの陽極層２０ｂと一体的に連
続し、陽極の取出電極として機能する。陽極電極取出部
２６ｂと陽極電極取出部２６ｃとの間には導波路部２０
０ｃが位置している。陽極電極取出部２６ｃは、発光素
子部１００ｃの陽極層２０ｃと一体的に連続し、陽極の
取出電極として機能する。On the substrate 10, a cathode electrode extraction portion 24 and anode electrode extraction portions 26a, 26b, 26c are formed at intervals. Cathode extraction section 24 and anode extraction section 26
The waveguide portion 200a is located between the waveguide portion 200a and the waveguide portion 200a. The anode electrode extraction portion 26a is provided on the anode layer 20a of the light emitting element portion 100a.
And functions as an anode extraction electrode. The waveguide part 200b is located between the anode electrode extraction part 26a and the anode electrode extraction part 26b. Anode electrode extraction part 26
b is integrally continuous with the anode layer 20b of the light emitting element portion 100b and functions as an anode extraction electrode. The waveguide section 20 is provided between the anode electrode extraction section 26b and the anode electrode extraction section 26c.
0c is located. The anode electrode extraction part 26c is integrally continuous with the anode layer 20c of the light emitting element part 100c and functions as an anode extraction electrode.

【００６９】陰極電極取出部２４は、発光素子部１００
ａ側に伸びるように形成され、その一部は陰極層２２と
電気的に接続されている。したがって、陰極電極取出部
２４は発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００ｃの共通
の取出電極として機能する。本実施の形態では、陰極電
極取出部２４、陽極電極取出部２６ａ、２６ｂ、２６ｃ
は、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃと同一の成膜工程で
形成される。The cathode electrode extraction section 24 is
It is formed to extend to the side a, and a part thereof is electrically connected to the cathode layer 22. Therefore, the cathode electrode extraction unit 24 functions as a common extraction electrode for the light emitting element units 100a, 100b, and 100c. In the present embodiment, the cathode electrode extraction unit 24 and the anode electrode extraction units 26a, 26b, 26c
Are formed in the same film forming process as the anode layers 20a, 20b, and 20c.

【００７０】さらに、本実施の形態では、発光素子部１
００ａ、１００ｂ、１００ｃを覆うように、保護層６０
が形成されている。保護層６０によって発光素子部１０
０ａ、１００ｂ、１００ｃを覆うことにより、陰極層２
２および発光層１４の劣化を防止することができる。本
実施の形態では、陰極電極取出部２４、陽極電極取出部
２６ａ、２６ｂ、２６ｃを形成するために、保護層６０
を発光装置全体に形成せず、導波路部２００ａ、２００
ｂ、２００ｃが形成されてる部分を露出させている。保
護層６０は、必要に応じ、発光装置の全体を覆うように
形成してもよい。Further, in the present embodiment, the light emitting element 1
00a, 100b, 100c
Are formed. The light emitting element unit 10 is formed by the protective layer 60.
0a, 100b, and 100c, the cathode layer 2
2 and the light emitting layer 14 can be prevented from being deteriorated. In the present embodiment, in order to form the cathode electrode extraction portion 24 and the anode electrode extraction portions 26a, 26b, 26c, the protective layer 60
Are not formed on the entire light emitting device, and the waveguide portions 200a, 200
The portions where b and 200c are formed are exposed. The protective layer 60 may be formed so as to cover the entire light emitting device as needed.

【００７１】陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、光学的
に透明な導電材料で構成され、光伝播部を構成する。そ
して、陽極層２０ａとコア層３０ａとは一体的に連続し
て形成され、陽極層２０ｂとコア層３０ｂとは一体的に
連続して形成され、陽極層２０ｃとコア層３０ｃとは一
体的に連続して形成されている。これらの陽極層２０
ａ、２０ｂ、２０ｃおよびコア層３０ａ、３０ｂ、３０
ｃを構成する透明導電材料としては、ＩＴＯなどの前述
したものを用いることができる。また、発光素子部１０
０ａ、１００ｂ、１００ｃの絶縁層（クラッド層）１６
は、それぞれ、導波路部２００ａ、２００ｂ、２００ｃ
のクラッド層３２ａ、３２ｂ、３２ｃと一体的に連続し
て形成されている。これらの絶縁層１６およびクラッド
層３２ａ、３２ｂ、３２ｃを構成する材料としては、絶
縁性があって、かつ陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃおよ
びコア層３０ａ、３０ｂ、３０ｃより屈折率が小さく、
光の閉じ込めが可能な材料であれば特に限定されない。The anode layers 20a, 20b, and 20c are made of an optically transparent conductive material and constitute a light propagation portion. The anode layer 20a and the core layer 30a are formed integrally and continuously, the anode layer 20b and the core layer 30b are formed integrally and continuously, and the anode layer 20c and the core layer 30c are formed integrally. It is formed continuously. These anode layers 20
a, 20b, 20c and core layers 30a, 30b, 30
As the transparent conductive material constituting c, the above-described materials such as ITO can be used. Further, the light emitting element unit 10
0a, 100b, 100c insulating layer (cladding layer) 16
Are the waveguide portions 200a, 200b, 200c, respectively.
And is formed continuously and integrally with the cladding layers 32a, 32b, 32c. The material constituting the insulating layer 16 and the cladding layers 32a, 32b, 32c is insulating and has a lower refractive index than the anode layers 20a, 20b, 20c and the core layers 30a, 30b, 30c.
The material is not particularly limited as long as the material can confine light.

【００７２】発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００ｃ
において、絶縁層１６は、回折格子１２ａ、１２ｂ、１
２ｃの露出部分を覆うように形成されている。そして、
絶縁層１６は、回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃの周期
方向、すなわち屈折率の異なる媒質層が周期的に配列さ
れる方向に伸びるスリット状の開口部１６ａ、１６ｂ、
１６ｃを有する。開口部１６ａにおいて、回折格子１２
ａおよび発光層１４を介在させた状態で、陽極層２０ａ
と陰極層２２とが配置されている。開口部１６ｂにおい
て、回折格子１２ｂおよび発光層１４を介在させた状態
で、陽極層２０ｂと陰極層２２とが配置されている。開
口部１６ｃにおいて、回折格子１２ｃおよび発光層１４
を介在させた状態で、陽極層２０ｃと陰極層２２とが配
置されている。また、開口部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ以
外の領域においては、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃと
陰極層２２との間に絶縁層１６が介在する。そのため、
絶縁層１６は、電流狭窄層として機能する。したがっ
て、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃおよび陰極層２２に
所定の電圧が印加されると、開口部１６ａ、１６ｂ、１
６ｃのそれぞれに対応する領域ＣＡにおいて主として電
流が流れる。このように絶縁層（電流狭窄層）１６を設
けることにより、光の導波方向に沿って電流を集中させ
ることができ、発光効率をあげることができる。Light emitting element portions 100a, 100b, 100c
, The insulating layer 16 includes diffraction gratings 12a, 12b, 1
2c is formed so as to cover the exposed portion. And
The insulating layer 16 has slit-shaped openings 16a, 16b extending in the periodic direction of the diffraction gratings 12a, 12b, 12c, that is, the direction in which medium layers having different refractive indexes are periodically arranged.
16c. In the opening 16a, the diffraction grating 12
a and the light emitting layer 14 interposed, the anode layer 20a
And a cathode layer 22. In the opening 16b, the anode layer 20b and the cathode layer 22 are arranged with the diffraction grating 12b and the light emitting layer 14 interposed therebetween. In the opening 16c, the diffraction grating 12c and the light emitting layer 14
, The anode layer 20c and the cathode layer 22 are arranged. In regions other than the openings 16a, 16b, and 16c, the insulating layer 16 is interposed between the anode layers 20a, 20b, and 20c and the cathode layer 22. for that reason,
The insulating layer 16 functions as a current confinement layer. Therefore, when a predetermined voltage is applied to the anode layers 20a, 20b, 20c and the cathode layer 22, the openings 16a, 16b, 1
The current mainly flows in region CA corresponding to each of 6c. By providing the insulating layer (current confinement layer) 16 in this manner, current can be concentrated along the light guiding direction, and luminous efficiency can be increased.

【００７３】回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、光伝
播部（陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃおよび回折格子１
２ａ、１２ｂ、１２ｃ）の上部であり、かつ、異なる屈
折率を有する２つの媒質層が周期的に配列して構成され
ている。回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃの一方の媒質
層は、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃを構成する材料か
らなり、他方の媒質層は発光層１４を構成する材料から
なる。The diffraction gratings 12a, 12b, and 12c are provided at the light propagation portions (the anode layers 20a, 20b, and 20c and the diffraction grating 1).
2a, 12b, and 12c), and two medium layers having different refractive indexes are periodically arranged. One medium layer of the diffraction gratings 12a, 12b, 12c is made of a material forming the anode layers 20a, 20b, 20c, and the other medium layer is made of a material forming the light emitting layer 14.

【００７４】図４は回折格子の平面図であり、（Ａ）は
回折格子１２ａ、（Ｂ）は回折格子１２ｂ、（Ｃ）は回
折格子１２ｃを示している。発光層１４の屈折率を
ｎ1、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃの屈折率をｎ2とす
ると、ｎ1＜ｎ2との関係が成立する。回折格子１２ｃの
ピッチＰ１の光学長をＬ１、回折格子１２ｂのピッチＰ
２の光学長をＬ２、回折格子１２ａのピッチＰ３の光学
長をＬ３とすると、Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３の関係が成立す
る。つまり、この例では、三つの回折格子の光学長を変
えることにより、共振波長を変えている。ピッチの光学
長は、回折格子の凹凸の幅ｄと屈折率ｎと、以下の関係
を有する。FIG. 4 is a plan view of the diffraction grating. FIG. 4A shows the diffraction grating 12a, FIG. 4B shows the diffraction grating 12b, and FIG. 4C shows the diffraction grating 12c. N 1 the refractive index of the light-emitting layer 14, an anode layer 20a, 20b, and the refractive index of 20c and n 2, the relationship between n 1 <n 2 is satisfied. The optical length of the pitch P1 of the diffraction grating 12c is L1, and the pitch P of the diffraction grating 12b is P1.
Assuming that the optical length of L2 is L2 and the optical length of the pitch P3 of the diffraction grating 12a is L3, the relationship of L1>L2> L3 holds. That is, in this example, the resonance wavelength is changed by changing the optical lengths of the three diffraction gratings. The optical length of the pitch has the following relationship with the width d of the unevenness of the diffraction grating and the refractive index n.

【００７５】Ｌ１＝ｎ1・ｄ2＋ｎ2・ｄ1 Ｌ２＝ｎ1・ｄ4＋ｎ2・ｄ3 Ｌ３＝ｎ1・ｄ6＋ｎ2・ｄ5 ここで、ｎ1：発光層１４の屈折率 ｎ2：陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃの屈折率 ｄ1：回折格子１２ｃの凸部の幅 ｄ2：回折格子１２ｃの凹部の幅 ｄ3：回折格子１２ｂの凸部の幅 ｄ4：回折格子１２ｂの凹部の幅 ｄ5：回折格子１２ａの凸部の幅 ｄ6：回折格子１２ａの凹部の幅 回折格子１２ｃ、回折格子１２ｂ、回折格子１２ａに対
応して出射される共振波長をそれぞれ、λ１、λ２、λ
３とすると、下記の式が成立する。L1 = n 1 · d 2 + n 2 · d 1 L 2 = n 1 · d 4 + n 2 · d 3 L 3 = n 1 · d 6 + n 2 · d 5 where n 1 : refraction of the light emitting layer 14 Rate n 2 : Refractive index of anode layers 20a, 20b, 20c d 1 : Width of convex portion of diffraction grating 12c d 2 : Width of concave portion of diffraction grating 12c d 3 : Width of convex portion of diffraction grating 12b d 4 : Diffraction width of the recess of the grating 12b d 5: the width of the convex portion of the diffraction grating 12a d 6: width diffraction grating 12c of the concave portion of the diffraction grating 12a, the diffraction grating 12b, and the resonant wavelength is emitted corresponding to the diffraction grating 12a, respectively, λ1, λ2, λ
Assuming that 3, the following equation is established.

【００７６】Ｌ１＝λ１／２・（２ｍ1＋１） Ｌ２＝λ２／２・（２ｍ2＋１） Ｌ３＝λ３／２・（２ｍ3＋１） ここで、ｍ1、ｍ2、ｍ3は０以上の整数である。L1 = λ1 / 2 ・ (2m 1 +1) L2 = λ2 ／ 2 (2m 2 +1) L3 = λ3 ／ 2 (2m 3 +1) where m 1 , m 2 and m 3 are 0 or more Is an integer.

【００７７】回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、分布
帰還型の回折格子であることが好ましい。このように分
布帰還型の回折格子を形成することにより、光を光伝播
部内で共振させ、波長選択性および指向性に優れ、発光
スペクトル幅の狭い光を得ることができる。さらに、回
折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、図示はしないが、λ
／４位相シフト構造または利得結合型構造を有すること
が好ましい。このようにλ／４位相シフト構造または利
得結合型構造を有することにより、出射光をより単一モ
ード化することができる。The diffraction gratings 12a, 12b and 12c are preferably distributed feedback type diffraction gratings. By forming a distributed feedback type diffraction grating in this manner, light can resonate in the light propagation portion, and light with excellent wavelength selectivity and directivity and a narrow emission spectrum width can be obtained. Further, although not shown, the diffraction gratings 12a, 12b, 12c
It is preferable to have a / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. By having the λ / 4 phase shift structure or the gain-coupling type structure as described above, the emitted light can be made into a single mode.

【００７８】発光層１４に電界を印加するための電極層
は、共振波長に対応して発光層１４に異なる強度の電界
を印加するために、陽極層および陰極層の少なくとも一
方が分離されていることが望ましい。この例では、図２
（Ｂ）に示すように、陰極層２２は共通電極として形成
され、陽極層は、絶縁層１６によって陽極層２０ａ、２
０ｂ、２０ｃに分離されている。これらのことは、他の
実施の形態でも同様である。The electrode layer for applying an electric field to the light emitting layer 14 has at least one of an anode layer and a cathode layer separated in order to apply electric fields of different intensities to the light emitting layer 14 corresponding to the resonance wavelength. It is desirable. In this example, FIG.
As shown in (B), the cathode layer 22 is formed as a common electrode, and the anode layer is formed of the anode layers 20a, 20a,
0b and 20c. These are the same in the other embodiments.

【００７９】次に、この発光装置１０００の動作および
作用について説明する。Next, the operation and operation of the light emitting device 1000 will be described.

【００８０】陽極層２０ａと陰極層２２、陽極層２０ｂ
と陰極層２２、陽極層２０ｃと陰極層２２に、それぞれ
所定の電圧が印加されることにより、陰極層２２から電
子が、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃからホールが、そ
れぞれ発光層１４内に注入される。発光層１４内では、
この電子とホールとが再結合されることにより励起子が
生成され、この励起子が失活する際に蛍光や燐光などの
光が発生する。そして、前述したように、陽極層２０ａ
と陰極層２２、陽極層２０ｂと陰極層２２、陽極層２０
ｃと陰極層２２の間に介在する絶縁層１６によって電流
の流れる領域ＣＡが規定されているので、発光させたい
領域に効率よく電流を供給することができる。The anode layer 20a, the cathode layer 22, and the anode layer 20b
When a predetermined voltage is applied to each of the cathode layer 22 and the anode layer 20c and the cathode layer 22, electrons are injected from the cathode layer 22 and holes are injected from the anode layers 20a, 20b and 20c into the light emitting layer 14, respectively. Is done. In the light emitting layer 14,
The electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. Then, as described above, the anode layer 20a
And the cathode layer 22, the anode layer 20b and the cathode layer 22, the anode layer 20
Since the region CA through which the current flows is defined by the insulating layer 16 interposed between c and the cathode layer 22, the current can be efficiently supplied to the region where light emission is desired.

【００８１】発光層１４において発生した光は、一部は
陰極層２２およびクラッド層として機能する絶縁層１６
によって反射されて、陽極層２０ａおよび回折格子１２
ａを含む光伝播部内、陽極層２０ｂおよび回折格子１２
ｂを含む光伝播部内、陽極層２０ｃおよび回折格子１２
ｃを含む光伝播部内のそれぞれに導入される。光伝播部
内に導入された光は、その一部に形成された回折格子１
２ａ、１２ｂ、１２ｃによって分布帰還型の伝播が行わ
れ、光伝播部をその端面（導波路部２００ａ、２００
ｂ、２００ｃ側）に向けて伝播し、さらに、光伝播部の
一部（陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に連続して一体
的に形成された導波路部２００ａのコア層３０ａ内、導
波路部２００ｂのコア層３０ｂ内、導波路部２００ｃの
コア層３０ｃ内のそれぞれを伝播する。そして、回折格
子１２ａによって共振された波長λ３の光、回折格子１
２ｂによって共振された波長λ２の光、回折格子１２ｃ
によって共振された波長λ１の光のそれぞれが、出射口
１３ａ、出射口１３ｂ、出射口１３ｃから外部に出射さ
れる。すなわち、各回折格子に対応する発光層をそれぞ
れ独立に駆動制御し、各回折格子に対応する領域からの
異なる共振波長の光を、異なる出射口から外部に出射さ
せることができる。A part of the light generated in the light emitting layer 14 is the cathode layer 22 and the insulating layer 16 functioning as a cladding layer.
Reflected by the anode layer 20a and the diffraction grating 12
a, the anode layer 20b and the diffraction grating 12
b, the anode layer 20c and the diffraction grating 12
c is introduced into each of the light propagating portions including c. The light introduced into the light propagating portion is a diffraction grating 1 formed in a part thereof.
Propagation of distributed feedback type is performed by 2a, 12b, and 12c, and the light propagating portion is divided into its end faces (waveguide portions 200a, 200c).
b, 200c side), and further within the core layer 30a of the waveguide portion 200a formed integrally and continuously with a part of the light propagation portion (anode layers 20a, 20b, 20c). The light propagates in the core layer 30b of the portion 200b and in the core layer 30c of the waveguide portion 200c. Then, the light of wavelength λ3 resonated by the diffraction grating 12a, the diffraction grating 1
Light of wavelength λ2 resonated by 2b, diffraction grating 12c
Each of the lights having the wavelength λ1 resonated by the light exits from the exit 13a, the exit 13b, and the exit 13c to the outside. That is, the light emitting layers corresponding to the respective diffraction gratings are independently driven and controlled, and the light having the different resonance wavelengths from the regions corresponding to the respective diffraction gratings can be emitted to the outside from the different emission ports.

【００８２】そして、これらの出射光は、光伝播部の回
折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃによって分布帰還されて
出射されるため、波長選択性があり、発光スペクトル幅
が狭く、かつ優れた指向性を有する。さらに、回折格子
１２ａ、１２ｂ、１２ｃをλ／４位相シフト構造または
利得結合型構造とすることにより、出射光をより単一モ
ード化することができる。ここで、λは、光伝播部内の
光の波長を表す。Since these emitted lights are distributed and fed back by the diffraction gratings 12a, 12b, and 12c in the light propagation section, they have wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Have. Furthermore, by making the diffraction gratings 12a, 12b, and 12c have a λ / 4 phase shift structure or a gain-coupling structure, the emitted light can be made into a single mode. Here, λ represents the wavelength of light in the light propagation unit.

【００８３】図示の例では、陰極層２２の反射機能を利
用して、発光層１４で発生した光を反射させているが、
必要に応じて陰極層２２の外側に反射率の大きな反射
膜、例えば誘電体多層膜ミラー等を形成することもでき
る。例えば、陰極層２２の膜厚が薄い場合には、発光層
１４において発生した光が陰極層２２を透過することが
できる。この場合には、陰極層２２の外側に、反射膜を
形成することが望ましい。また、基板１０と陽極層２０
ａ、２０ｂ、２０ｃとの間に反射膜を形成することもで
きる。このような反射膜を形成することにより、光の閉
じ込めをより確実に行うことができるので、出射効率を
高めることができる。この変形例は、他の実施の形態に
ついても同様に適用できる。In the illustrated example, the light generated in the light emitting layer 14 is reflected by utilizing the reflection function of the cathode layer 22.
If necessary, a reflective film having a high reflectance, for example, a dielectric multilayer mirror can be formed outside the cathode layer 22. For example, when the thickness of the cathode layer 22 is small, light generated in the light emitting layer 14 can pass through the cathode layer 22. In this case, it is desirable to form a reflection film outside the cathode layer 22. The substrate 10 and the anode layer 20
A reflective film may be formed between the reflective films a, 20b, and 20c. By forming such a reflective film, light can be more reliably confined, so that emission efficiency can be increased. This modified example can be similarly applied to other embodiments.

【００８４】さらに、回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
を構成する第１の媒質層あるいは第２の媒質層のいずれ
かは、空気などの気体の層であってもよい。このよう
に、気体の層で回折格子を形成する場合には、発光装置
に用いる一般的な材料の選択範囲で、回折格子を構成す
る二媒質の屈折率差を大きくすることができ、所望の光
の波長に対して効率のよい回折格子を得ることができ
る。この変形例は、他の実施の形態についても同様に適
用できる。Further, the diffraction gratings 12a, 12b, 12c
Either the first medium layer or the second medium layer may be a gas layer such as air. As described above, in the case where the diffraction grating is formed of a gas layer, the refractive index difference between the two media constituting the diffraction grating can be increased in the range of selection of a general material used for the light emitting device. An efficient diffraction grating can be obtained for the wavelength of light. This modified example can be similarly applied to other embodiments.

【００８５】また、発光素子部１００ａ、１００ｂ、１
００ｃにおいて、必要に応じて、ホール輸送層および電
子輸送層の少なくとも一方を設けることもできる。この
変形例は、他の実施の形態についても同様に適用でき
る。The light emitting element sections 100a, 100b, 1
In 00c, if necessary, at least one of the hole transport layer and the electron transport layer can be provided. This modified example can be similarly applied to other embodiments.

【００８６】本実施の形態の主要な作用効果を、以下に
あげる。The main functions and effects of this embodiment are as follows.

【００８７】（ａ）本実施の形態にかかる発光装置１０
００によれば、ピッチの光学長が異なる三つの回折格子
１２ａ、１２ｂ、１２ｃが光の伝搬方向に形成されてお
り、回折格子１２ａによって共振された波長λ３の光、
回折格子１２ｂによって共振された波長λ２の光、回折
格子１２ｃによって共振された波長λ１の光が、それぞ
れ、異なる光の出射口から出射される。すなわち、各回
折格子に対応する発光層をそれぞれ独立に駆動制御し、
各回折格子に対応する領域からの異なる共振波長の光
を、それぞれ別の出射口から出射させることが可能であ
る。(A) Light emitting device 10 according to the present embodiment
According to 00, three diffraction gratings 12a, 12b, and 12c having different optical lengths of the pitch are formed in the light propagation direction, and the light of wavelength λ3 resonated by the diffraction grating 12a,
The light of wavelength λ2 resonated by the diffraction grating 12b and the light of wavelength λ1 resonated by the diffraction grating 12c are respectively emitted from different light emission ports. That is, the light emitting layers corresponding to each diffraction grating are independently driven and controlled,
Light of different resonance wavelengths from regions corresponding to the respective diffraction gratings can be emitted from different emission ports.

【００８８】なお、本実施の形態はピッチの光学長が異
なる三つの回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃを備える。
しかしながら本発明において、光学長が異なる回折格子
の数は三つに限定されず、これ以外のピッチの光学長が
異なる複数の回折格子でもよい。This embodiment has three diffraction gratings 12a, 12b and 12c having different optical lengths of the pitch.
However, in the present invention, the number of diffraction gratings having different optical lengths is not limited to three, and a plurality of diffraction gratings having other pitches and different optical lengths may be used.

【００８９】（ｂ）発光素子部１００ａの光伝播部の少
なくとも一部（陽極層２０ａ）と、導波路部２００ａの
コア層３０ａとが、一体的に連続している。このことに
より、発光素子部１００ａと導波路部２００ａとが、高
い結合効率で光学的に結合され、効率のよい光の伝播が
できる。また、陽極層２０ａを含む光伝播部とコア層３
０ａとは、同一の工程で成膜およびパターニングできる
ので、製造が簡易となる利点を有する。(B) At least a part (anode layer 20a) of the light propagation portion of the light emitting element portion 100a and the core layer 30a of the waveguide portion 200a are integrally continuous. Accordingly, the light emitting element unit 100a and the waveguide unit 200a are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated. Further, the light propagation portion including the anode layer 20a and the core layer 3
0a has an advantage that manufacturing can be simplified since film formation and patterning can be performed in the same process.

【００９０】また、発光素子部１００ａの絶縁層（クラ
ッド層）１６と、導波路部２００ａのクラッド層３２ａ
とが一体的に連続している。このことにより、発光素子
部１００ａ（特に光伝播部）と導波路部２００ａとが、
高い結合効率で光学的に結合され、効率のよい光の伝播
ができる。また、絶縁層１６とクラッド層３２ａとは、
同一の工程で成膜およびパターニングできるので、製造
が簡易となる利点を有する。The insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100a and the cladding layer 32a of the waveguide section 200a
And are continuously continuous. Thereby, the light emitting element unit 100a (particularly, the light propagation unit) and the waveguide unit 200a
Optically coupled with high coupling efficiency, light can be transmitted efficiently. Further, the insulating layer 16 and the cladding layer 32a
Since film formation and patterning can be performed in the same process, there is an advantage that manufacturing is simplified.

【００９１】このように、本実施の形態によれば、発光
素子部１００ａと導波路部２００ａとが、高い結合効率
で接続されることにより、高効率な出射光を得ることが
できる。以上説明したことは、発光素子部１００ｂと導
波路部２００ｂの結合および発光素子部１００ｃと導波
路部２００ｃの結合についても言える。As described above, according to the present embodiment, since the light emitting element section 100a and the waveguide section 200a are connected with high coupling efficiency, highly efficient emitted light can be obtained. The above description also applies to the coupling between the light emitting element unit 100b and the waveguide unit 200b and the coupling between the light emitting element unit 100c and the waveguide unit 200c.

【００９２】（ｃ）絶縁層１６の開口部１６ａを介して
陽極層２０ａと陰極層２２とが電気的に接続され、この
開口部１６ａによって電流の流れる領域が規定される。
したがって、絶縁層１６は、電流狭窄層として機能し、
発光領域に効率よく電流を供給し、発光効率を高めるこ
とができる。そして、電流を供給する領域を電流狭窄層
で規定することにより、発光領域をコア層３０ａと位置
合わせした状態で設定でき、この点からも導波路部２０
０ａに対する光の結合効率を高めることができる。以上
説明したことは、絶縁層１６の開口部１６ｂ、１６ｃに
ついても言える。(C) The anode layer 20a and the cathode layer 22 are electrically connected to each other through the opening 16a of the insulating layer 16, and a region through which current flows is defined by the opening 16a.
Therefore, the insulating layer 16 functions as a current confinement layer,
Current can be efficiently supplied to the light emitting region, and the light emitting efficiency can be increased. By defining the current supply region by the current confinement layer, the light emitting region can be set in a state of being aligned with the core layer 30a.
The coupling efficiency of light to Oa can be increased. The above description can be applied to the openings 16b and 16c of the insulating layer 16.

【００９３】（ｄ）陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃを互
いに分離することにより、発光素子部１００ａ、１００
ｂ、１００ｃをそれぞれ独立に制御可能にしている。こ
のため、発光層１４および陰極層２２は発光素子部毎に
分離する必要がない。よって、発光層１４および陰極層
２２の微細なパターンニングが不要となるので、発光層
１４および陰極層２２の位置制御が容易となる。(D) By separating the anode layers 20a, 20b, and 20c from each other, the light emitting element portions 100a, 100b
b and 100c can be independently controlled. Therefore, the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 do not need to be separated for each light emitting element portion. Therefore, fine patterning of the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 is not required, and the position of the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 can be easily controlled.

【００９４】以上の作用効果（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）
は、他の実施の形態でも同様である。The above effects (b), (c) and (d)
Is the same in the other embodiments.

【００９５】｛製造プロセス｝次に、図２、図５〜図９
を参照しながら、本実施の形態に係る発光装置１０００
の製造例を説明する。図５〜図９の各図において、
（Ａ）は平面図である。（Ｂ）は（Ａ）に示す平面図に
おけるＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であり、発光素子部
形成領域を示している。（Ｃ）は（Ａ）に示す平面図に
おけるＸ２−Ｘ２線に沿った断面図であり、導波路部形
成領域を示している。{Manufacturing Process} Next, FIGS. 2, 5 to 9
Light emitting device 1000 according to the present embodiment with reference to FIG.
Will be described. In each of FIGS. 5 to 9,
(A) is a plan view. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line X1-X1 in the plan view of FIG. 1A, and shows a light emitting element portion formation region. (C) is a sectional view taken along line X2-X2 in the plan view shown in (A), and shows a waveguide portion forming region.

【００９６】（１）導電層および回折格子の形成 まず、図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、基板１０上
に、光学的に透明な導電材料によって導電層２０を形成
する。導電層２０の形成方法は、導電層２０の材料など
によって選択され、前述した方法を用いることができ
る。例えば、導電層２０をＩＴＯで形成する場合には、
スパッタリングを好ましく用いることができる。(1) Formation of Conductive Layer and Diffraction Grating First, as shown in FIGS. 5A to 5C, a conductive layer 20 is formed on a substrate 10 using an optically transparent conductive material. The method for forming the conductive layer 20 is selected depending on the material of the conductive layer 20 and the like, and the above-described method can be used. For example, when the conductive layer 20 is formed of ITO,
Sputtering can be preferably used.

【００９７】次いで、発光素子部１００ａ、１００ｂ、
１００ｃが形成される領域の導電層２０の表面部に、そ
れぞれ凹凸部１１ａ、１１ｂ、１１ｃを形成する。凹凸
部１１ａ、１１ｂ、１１ｃは回折格子の一方の媒質層を
構成するためのものである。なお、図５（Ａ）におい
て、凹凸部の凹部にはハッチングを引いている。凹凸部
１１ａの凹部の幅はｄ6であり、凸部の幅はｄ5である。
凹凸部１１ｂの凹部の幅はｄ4であり、凸部の幅はｄ3で
ある。凹凸部１１ｃの凹部の幅はｄ2であり、凸部の幅
はｄ1である。これらの幅ｄ1〜ｄ6の値は図４に示すｄ1
〜ｄ6の値と対応している。Next, the light emitting element units 100a, 100b,
Concavo-convex portions 11a, 11b, and 11c are formed on the surface of conductive layer 20 in the region where 100c is to be formed. The uneven portions 11a, 11b, and 11c are used to form one medium layer of the diffraction grating. Note that in FIG. 5A, the concave portions of the concave and convex portions are hatched. Width of the recess of the uneven portion 11a is d 6, the width of the protrusion is d 5.
Width of the recess of the uneven portion 11b is d 4, the width of the protrusion is d 3. Width of the recess of the uneven portion 11c is d 2, the width of the convex portion is d 1. The values of these widths d 1 to d 6 are d 1 shown in FIG.
And corresponds to the value of ~d 6.

【００９８】凹凸部１１ａ、１１ｂ、１１ｃの形成方法
は、導電層２０の材質などによって選択され、リソグラ
フィーやスタンピングなどの前述した方法を用いること
ができる。例えば導電層２０がＩＴＯから構成される場
合には、リソグラフィーおよびエッチング、あるいは液
状のＩＴＯを用いたインクジェット法などの液相法によ
って形成することができる。The method of forming the concavo-convex portions 11a, 11b, 11c is selected depending on the material of the conductive layer 20, and the above-described method such as lithography or stamping can be used. For example, when the conductive layer 20 is made of ITO, it can be formed by lithography and etching, or a liquid phase method such as an ink jet method using liquid ITO.

【００９９】次いで、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示すよう
に、導電層２０を例えばリソグラフィーによってパター
ニングすることにより、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０
ｃ、陰極電極取出部２４，陽極電極取出部２６ａ、２６
ｂ、２６ｃおよびコア層３０ａ、３０ｂ、３０ｃを形成
する。Next, as shown in FIGS. 6A to 6C, the conductive layer 20 is patterned by, for example, lithography to form the anode layers 20a, 20b, and 20.
c, Cathode electrode extraction section 24, Anode electrode extraction sections 26a, 26
b, 26c and core layers 30a, 30b, 30c.

【０１００】まず、陽極層２０ａ、陽極電極取出部２６
ａおよびコア層３０ａについて説明する。陽極層２０ａ
と陽極電極取出部２６ａとは連続して形成されている。
回折格子のための凹凸部１１ａは陽極層２０ａと一体に
形成され、凹凸部１１ａを含む陽極層２０ａの一部は光
伝播部としても機能する。陽極層２０ａおよび陽極電極
取出部２６ａからなる構造は、開口部２８ａによって、
陰極電極取出部２４と分離されている。さらに、コア層
３０ａは、陽極層２０ａ（凹凸部１１ａ）と一体に連続
して形成されている。コア層３０ａは、陰極電極取出部
２４と開口部２８ａを介して分離され、かつ陽極電極取
出部２６ａと開口部２８ａを介して分離されている。First, the anode layer 20a and the anode electrode extraction portion 26
a and the core layer 30a will be described. Anode layer 20a
And the anode electrode extraction portion 26a are formed continuously.
The uneven portion 11a for the diffraction grating is formed integrally with the anode layer 20a, and a part of the anode layer 20a including the uneven portion 11a also functions as a light propagation portion. The structure including the anode layer 20a and the anode electrode extraction portion 26a is formed by the opening 28a.
It is separated from the cathode electrode outlet 24. Further, the core layer 30a is formed integrally and continuously with the anode layer 20a (the uneven portion 11a). The core layer 30a is separated from the cathode electrode extraction portion 24 via the opening 28a, and is separated from the anode electrode extraction portion 26a via the opening 28a.

【０１０１】陽極層２０ｂ、陽極電極取出部２６ｂおよ
びコア層３０ｂも上記と同様の構成である。つまり、陽
極層２０ｂと陽極電極取出部２６ｂとは連続して形成さ
れている。回折格子のための凹凸部１１ｂは陽極層２０
ｂと一体に形成され、凹凸部１１ｂを含む陽極層２０ｂ
の一部は光伝播部としても機能する。陽極層２０ｂおよ
び陽極電極取出部２６ｂからなる構造は、開口部２８ｂ
によって、陽極層２０ａおよび陽極電極取出部２６ａか
らなる構造と分離されている。さらに、コア層３０ｂ
は、陽極層２０ｂ（凹凸部１１ｂ）と一体に連続して形
成されている。コア層３０ｂは、陽極電極取出部２６ａ
と開口部２８ｂを介して分離され、かつ陽極電極取出部
２６ｂと開口部２８ｂを介して分離されている。The anode layer 20b, the anode electrode extraction portion 26b, and the core layer 30b have the same configuration as described above. That is, the anode layer 20b and the anode electrode extraction portion 26b are formed continuously. The uneven portion 11b for the diffraction grating is formed on the anode layer 20.
and an anode layer 20b integrally formed with a
A part of also functions as a light propagation part. The structure composed of the anode layer 20b and the anode electrode extraction portion 26b
Thereby, it is separated from the structure including the anode layer 20a and the anode electrode extraction portion 26a. Further, the core layer 30b
Is formed continuously and integrally with the anode layer 20b (the uneven portion 11b). The core layer 30b includes an anode electrode extraction portion 26a.
And the opening portion 28b, and is separated from the anode electrode extraction portion 26b and the opening portion 28b.

【０１０２】陽極層２０ｃ、陽極電極取出部２６ｃおよ
びコア層３０ｃも上記と同様の構成である。つまり、陽
極層２０ｃと陽極電極取出部２６ｃとは連続して形成さ
れている。回折格子のための凹凸部１１ｃは陽極層２０
ｃと一体に形成され、凹凸部１１ｃを含む陽極層２０ｃ
の一部は光伝播部としても機能する。陽極層２０ｃおよ
び陽極電極取出部２６ｃからなる構造は、開口部２８ｃ
によって、陽極層２０ｂおよび陽極電極取出部２６ｂか
らなる構造と分離されている。さらに、コア層３０ｃ
は、陽極層２０ｃ（凹凸部１１ｃ）と一体に連続して形
成されている。コア層３０ｃは、陽極電極取出部２６ｂ
と開口部２８ｃを介して分離され、かつ陽極電極取出部
２６ｃと開口部２８ｃを介して分離されている。The anode layer 20c, the anode electrode extraction portion 26c, and the core layer 30c have the same configuration as described above. That is, the anode layer 20c and the anode electrode extraction portion 26c are formed continuously. The uneven portion 11c for the diffraction grating is formed on the anode layer 20.
and an anode layer 20c including the uneven portion 11c.
A part of also functions as a light propagation part. The structure composed of the anode layer 20c and the anode electrode extraction portion 26c has an opening 28c.
Thereby, it is separated from the structure including the anode layer 20b and the anode electrode extraction portion 26b. Further, the core layer 30c
Are formed integrally and continuously with the anode layer 20c (the uneven portion 11c). The core layer 30c includes an anode electrode extraction portion 26b.
And the opening portion 28c, and is separated from the anode electrode extraction portion 26c and the opening portion 28c.

【０１０３】このように、屈折率などの光学特性を考慮
して導電層２０の材料を選択することにより、電極（こ
の例の場合、陽極層および電極取出部）とともに、回折
格子を含む光伝播部およびコア層などの光学部を同時に
形成することができる。As described above, by selecting the material of the conductive layer 20 in consideration of the optical characteristics such as the refractive index, the light propagation including the diffraction grating can be performed together with the electrodes (in this example, the anode layer and the electrode extraction portion). The optical part such as the part and the core layer can be formed simultaneously.

【０１０４】（２）絶縁層の形成 図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、開口部２８ａ、２８
ｂ、２８ｃを埋める状態で、所定のパターンを有する絶
縁層１６を形成する。絶縁層１６は、回折格子のための
凹凸部１１ａの一部が露出する開口部１６ａ、凹凸部１
１ｂの一部が露出する開口部１６ｂ、凹凸部１１ｃの一
部が露出する開口部１６ｃを有する。開口部１６ａ、１
６ｂ、１６ｃは、それぞれ、光の導波方向に沿って伸び
るスリット形状を有する。この開口部１６ａ、１６ｂ、
１６ｃによって、電流の流れる領域が規定されるため、
開口部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの長さや幅は、得たい電
流密度や電流分布などを考慮して設定される。(2) Formation of Insulating Layer As shown in FIGS. 7A to 7C, the openings 28a and 28
An insulating layer 16 having a predetermined pattern is formed in a state where the insulating layers 16 and 28c are buried. The insulating layer 16 includes an opening 16a where a part of the uneven portion 11a for the diffraction grating is exposed, and an uneven portion 1a.
It has an opening 16b where a part of 1b is exposed, and an opening 16c where a part of the uneven part 11c is exposed. Openings 16a, 1
Each of 6b and 16c has a slit shape extending along the light waveguide direction. These openings 16a, 16b,
16c defines the region where the current flows,
The lengths and widths of the openings 16a, 16b, 16c are set in consideration of the desired current density and current distribution.

【０１０５】また、絶縁層１６は、電流狭窄層の機能と
ともに、光を閉じこめるためのクラッド層としても機能
するため、絶縁性とともに屈折率などの光学特性を考慮
してその材料が選択される。導電層として例えばＩＴＯ
を用いた場合には、絶縁層１６としては、例えばポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
エーテルスルホン、ケイ素ポリマーなどを用いることが
できる。Since the insulating layer 16 functions not only as a current confinement layer but also as a cladding layer for confining light, its material is selected in consideration of insulating properties and optical characteristics such as a refractive index. As the conductive layer, for example, ITO
When the insulating layer 16 is used, for example, polyimide, polyamide, polyethylene terephthalate, polyether sulfone, silicon polymer, or the like can be used.

【０１０６】絶縁層１６は、陰極電極取出部２４、陽極
電極取出部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれをお互い
に電気的に分離する。また、絶縁層１６は、回折格子の
ための凹凸部１１ａ、１１ｂ、１１ｃの一部を覆ってク
ラッド層として機能する。また、絶縁層１６は、コア層
３０ａの露出部を覆って、クラッド層３２ａを構成し、
コア層３０ｂの露出部を覆って、クラッド層３２ｂを構
成し、コア層３０ｃの露出部を覆って、クラッド層３２
ｃを構成している。The insulating layer 16 electrically separates each of the cathode electrode extraction portions 24 and the anode electrode extraction portions 26a, 26b, and 26c from each other. Further, the insulating layer 16 functions as a cladding layer by covering a part of the uneven portions 11a, 11b, and 11c for the diffraction grating. The insulating layer 16 covers the exposed portion of the core layer 30a to form a clad layer 32a.
The clad layer 32b is formed by covering the exposed portion of the core layer 30b, and the clad layer 32 is formed by covering the exposed portion of the core layer 30c.
c.

【０１０７】（３）発光層の形成 図２に示す発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００ｃが
形成される領域を含む所定領域において、図８（Ａ）〜
（Ｃ）に示すように、発光層１４を形成する。発光素子
部１００ａが形成される領域において、発光層１４は、
少なくとも絶縁層１６に形成された開口部１６ａに発光
材料が充填された発光部１４ａを有し、さらに、発光層
１４を構成する材料は回折格子のための凹凸部１１ａの
凹部に充填され、回折格子１２ａを構成する。発光素子
部１００ｂが形成される領域も発光素子部１００ａが形
成される領域と同様であり、すなわち、発光層１４は、
少なくとも絶縁層１６に形成された開口部１６ｂに発光
材料が充填された発光部１４ｂを有し、さらに、発光層
１４を構成する材料は回折格子のための凹凸部１１ｂの
凹部に充填され、回折格子１２ｂを構成する。発光素子
部１００ｃが形成される領域も発光素子部１００ａが形
成される領域と同様であり、すなわち、発光層１４は、
少なくとも絶縁層１６に形成された開口部１６ｃに発光
材料が充填された発光部１４ｃを有し、さらに、発光層
１４を構成する材料は回折格子のための凹凸部１１ｃの
凹部に充填され、回折格子１２ｃを構成する。(3) Formation of Light Emitting Layer In a predetermined region including the region where the light emitting element portions 100a, 100b, and 100c shown in FIG. 2 are formed, FIGS.
As shown in (C), the light emitting layer 14 is formed. In the region where the light emitting element portion 100a is formed, the light emitting layer 14
At least an opening 16a formed in the insulating layer 16 has a light-emitting portion 14a filled with a light-emitting material, and the material forming the light-emitting layer 14 is filled in a concave portion of the concave-convex portion 11a for the diffraction grating. The lattice 12a is formed. The region where the light emitting element portion 100b is formed is the same as the region where the light emitting element portion 100a is formed.
At least an opening 16b formed in the insulating layer 16 has a light-emitting portion 14b filled with a light-emitting material. Further, the material forming the light-emitting layer 14 is filled in a concave portion of the concave-convex portion 11b for the diffraction grating, and The lattice 12b is formed. The region where the light emitting element portion 100c is formed is the same as the region where the light emitting element portion 100a is formed.
At least an opening 16c formed in the insulating layer 16 has a light-emitting portion 14c filled with a light-emitting material. Further, the material forming the light-emitting layer 14 is filled in the concave portion of the concave-convex portion 11c for the diffraction grating, and The lattice 12c is formed.

【０１０８】以上のように、発光層１４の機能として
は、発光機能とともに回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
のひとつの媒質層を構成するための光学的機能を有する
ことが要求される。このため、発光層１４を構成するた
めの材料としては、これらの機能を有するものが選択さ
れる。As described above, the function of the light emitting layer 14 is not only the light emitting function but also the diffraction gratings 12a, 12b, and 12c.
It is required to have an optical function for constituting one medium layer. Therefore, a material having these functions is selected as a material for forming the light emitting layer 14.

【０１０９】なお、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
発光層１４は複数の発光素子部のすべてにわたって一体
的に形成されている。しかしながら、インクジェット法
により発光材料を絶縁層１６の開口部１６ａ、１６ｂ、
１６ｃに射出して充填することにより、発光層１４が分
離されるよう形成してもよい。特に、この場合、各開口
部に充填される発光材料を異なるものとすることで、各
回折格子の物理的なピッチを同一にして異なる波長の光
を出射できるようにしてもよい。As shown in FIGS. 8A and 8B,
The light emitting layer 14 is integrally formed over all of the plurality of light emitting element portions. However, the light emitting material is changed by the inkjet method to the openings 16a, 16b,
The light emitting layer 14 may be formed so as to be separated by injecting and filling the light emitting layer 16c. In particular, in this case, the light emitting material filled in each opening may be different so that the physical pitch of each diffraction grating is the same so that light of different wavelengths can be emitted.

【０１１０】（４）陰極層の形成 図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、陰極層２２が、発光
層１４を覆う状態で形成される。陰極層２２は、その一
端が陰極電極取出部２４と重なる状態で形成される。こ
のようにして、発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００
ｃおよび導波路部２００ａ、２００ｂ、２００ｃが形成
される。(4) Formation of Cathode Layer As shown in FIGS. 9A to 9C, the cathode layer 22 is formed so as to cover the light emitting layer 14. The cathode layer 22 is formed such that one end thereof overlaps the cathode electrode extraction portion 24. Thus, the light emitting element units 100a, 100b, 100
c and the waveguide portions 200a, 200b, 200c are formed.

【０１１１】（５）保護層の形成 図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、少なくとも発光素子
部１００ａ、１００ｂ、１００ｃが覆われるように、保
護層６０が形成される。この保護層６０は、陰極層２
２，発光層１４および陽極層（光伝播部）２０ａ、２０
ｂ、２０ｃが外部と接触しないように形成されることが
望ましい。特に、通常活性な金属から構成される陰極層
２２および有機材料からなる発光層１４は雰囲気や水分
で劣化しやすので、保護層６０はこれらの劣化を防止す
るできるように形成される。保護層６０は、エポキシ樹
脂、シリコーン系樹脂、紫外線硬化性樹脂などの樹脂材
料を用いることが好ましい。(5) Formation of Protective Layer As shown in FIGS. 2A to 2C, the protective layer 60 is formed so as to cover at least the light emitting element portions 100a, 100b and 100c. This protective layer 60 is formed of the cathode layer 2
2. Light-emitting layer 14 and anode layer (light propagation section) 20a, 20
It is desirable that b and 20c are formed so as not to contact the outside. In particular, since the cathode layer 22 usually made of an active metal and the light emitting layer 14 made of an organic material are easily deteriorated by an atmosphere or moisture, the protective layer 60 is formed so as to prevent such deterioration. For the protective layer 60, it is preferable to use a resin material such as an epoxy resin, a silicone resin, and an ultraviolet curable resin.

【０１１２】以上の工程によって、発光装置１０００が
形成される。この製造方法によれば、屈折率などの光学
特性を考慮して導電層２０の材料を選択することによよ
り、電極部材（この例の場合、陽極層２０ａ、２０ｂ、
２０ｃ、陰極電極取出部２４および陽極電極取出部２６
ａ、２６ｂ、２６ｃ）とともに、回折格子のための凹凸
部１１ａ、１１ｂ、１１ｃを含む光伝播部（２０）およ
びコア層３０ａ、３０ｂ、３０ｃなどの光学部材を同一
の工程で形成することができ、製造工程を簡易にするこ
とができる。Through the above steps, the light emitting device 1000 is formed. According to this manufacturing method, by selecting the material of the conductive layer 20 in consideration of the optical characteristics such as the refractive index, the electrode member (in this example, the anode layers 20a, 20b,
20c, a cathode electrode extraction section 24 and an anode electrode extraction section 26
a, 26b, and 26c), the optical member such as the light propagation portion (20) including the uneven portions 11a, 11b, and 11c for the diffraction grating and the core layers 30a, 30b, and 30c can be formed in the same process. In addition, the manufacturing process can be simplified.

【０１１３】［第２の実施の形態］ ｛デバイス｝図１０（Ａ）は、本実施の形態に係る発光
装置２０００を模式的に示す平面図であり、図１０
（Ｂ）は、図１０（Ａ）におけるＸ１−Ｘ１線に沿った
断面図であり、図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）のＸ２−Ｘ
２に沿った断面図である。発光装置１０００と実質的に
同様な機能を有する部分には同一の符号を付してある。
第１の実施の形態に係る発光装置１０００との主な相違
点を以下に説明する。発光装置２０００の導波路部２０
０ａ、導波路部２００ｂ、導波路部２００ｃが、それぞ
れ、基板１０上で導波路部２００ｄと光学的に連続され
ている。よって、発光装置２０００の発光素子部１００
ａ、１００ｂ、１００ｃのそれぞれから発生した異なる
共振波長の光は、一本の導波路部２００ｄを通り外部に
出射される。[Second Embodiment] {Device} FIG. 10A is a plan view schematically showing a light emitting device 2000 according to the present embodiment.
10B is a sectional view taken along line X1-X1 in FIG. 10A, and FIG. 10C is a sectional view taken along line X2-X in FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view along 2. Portions having functions substantially similar to those of the light emitting device 1000 are denoted by the same reference numerals.
The main differences from the light emitting device 1000 according to the first embodiment will be described below. Waveguide 20 of light emitting device 2000
0a, the waveguide portion 200b, and the waveguide portion 200c are optically continuous with the waveguide portion 200d on the substrate 10, respectively. Therefore, the light emitting element unit 100 of the light emitting device 2000
Light of different resonance wavelengths generated from each of a, 100b, and 100c is emitted outside through one waveguide portion 200d.

【０１１４】次に、発光装置２０００の構造を詳細に説
明する。発光装置２０００は、基板１０と、この基板１
０上に形成された発光素子部１００ａ、１００ｂ、１０
０ｃと、導波路部２００ａ、２００ｂ、２００ｃとを有
する。発光素子部１００ｂを基準として、発光素子部１
００ａは左側、発光素子部１００ｃは右側に、それぞれ
配置されている。また、導波路部２００ｂを基準とし
て、導波路部２００ａは左側、導波路部２００ｃは右側
に、それぞれ配置されている。発光素子部１００ａは導
波路部２００ａと光学的に連続され、発光素子部１００
ｂは導波路部２００ｂと光学的に連続され、発光素子部
１００ｃは導波路部２００ｃと光学的に連続されてい
る。Next, the structure of the light emitting device 2000 will be described in detail. The light emitting device 2000 includes a substrate 10 and the substrate 1
0, light emitting element portions 100a, 100b, 10
0c, and waveguide sections 200a, 200b, 200c. The light emitting element unit 1 is based on the light emitting element unit 100b.
00a is disposed on the left side, and the light emitting element unit 100c is disposed on the right side. Further, with reference to the waveguide section 200b, the waveguide section 200a is disposed on the left side, and the waveguide section 200c is disposed on the right side. The light emitting element section 100a is optically continuous with the waveguide section 200a.
b is optically continuous with the waveguide 200b, and the light emitting element 100c is optically continuous with the waveguide 200c.

【０１１５】導波路部２００ｂは導波路部２００ｄと接
続され、これらは光学的に連続している。導波路部２０
０ｂと導波路部２００ｄとからなる導波路部は直線状を
している。導波路部２００ａは、導波路部２００ｄの延
びる方向に対して斜め方向から、導波路部２００ｄと接
続されていおり、これらは光学的に連続している。導波
路部２００ｃは、導波路部２００ｄの延びる方向に対し
て斜め方向から、導波路部２００ｄと接続されており、
これらは光学的に連続している。The waveguide section 200b is connected to the waveguide section 200d, and these are optically continuous. Waveguide section 20
The waveguide portion composed of Ob and the waveguide portion 200d is linear. The waveguide section 200a is connected to the waveguide section 200d from a direction oblique to the direction in which the waveguide section 200d extends, and these are optically continuous. The waveguide section 200c is connected to the waveguide section 200d from a direction oblique to the direction in which the waveguide section 200d extends,
These are optically continuous.

【０１１６】導波路部２００ｄは基板１０の側面１０ａ
に向けて延びている。導波路部２００ｄのコア層３０ｄ
の端部は光の出射口１３となる。The waveguide portion 200d is formed on the side surface 10a of the substrate 10.
Extending towards. Core layer 30d of waveguide section 200d
Is an exit 13 for light.

【０１１７】発光素子部１００ａは、基板１０上に、光
伝播部となる陽極層２０ａおよび回折格子１２ａ、さら
に発光層１４および陰極層２２が、この順序で配置され
ている。そして、回折格子１２ａの周囲には、クラッド
層および電流狭窄層としても機能する絶縁層１６が形成
されている。In the light emitting element section 100a, an anode layer 20a and a diffraction grating 12a to be a light propagation section, and a light emitting layer 14 and a cathode layer 22 are arranged in this order on the substrate 10. An insulating layer 16 that also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed around the diffraction grating 12a.

【０１１８】発光素子部１００ｂは発光素子部１００ａ
と同様の構成をしている。つまり、発光素子部１００ｂ
は、基板１０上に、光伝播部となる陽極層２０ｂおよび
回折格子１２ｂ、さらに発光層１４および陰極層２２
が、この順序で配置されている。そして、回折格子１２
ｂの周囲には、クラッド層および電流狭窄層としても機
能する絶縁層１６が形成されている。The light emitting element section 100b is
It has the same configuration as. That is, the light emitting element unit 100b
Are formed on a substrate 10 by forming an anode layer 20b and a diffraction grating 12b serving as a light propagation portion, and further, a light emitting layer 14 and a cathode layer 22.
Are arranged in this order. And the diffraction grating 12
An insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed around b.

【０１１９】発光素子部１００ｃは発光素子部１００ａ
と同様の構成をしている。つまり、発光素子部１００ｃ
は、基板１０上に、光伝播部となる陽極層２０ｃおよび
回折格子１２ｃ、さらに発光層１４および陰極層２２
が、この順序で配置されている。そして、回折格子１２
ｃの周囲には、クラッド層および電流狭窄層としても機
能する絶縁層１６が形成されている。The light emitting element portion 100c is
It has the same configuration as. That is, the light emitting element unit 100c
Are formed on a substrate 10 by forming an anode layer 20c and a diffraction grating 12c serving as a light propagation portion, and a light emitting layer 14 and a cathode layer 22.
Are arranged in this order. And the diffraction grating 12
An insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed around c.

【０１２０】このように、本実施の形態の発光素子部１
００ａ、１００ｂ、１００ｃにおいて、陽極層および回
折格子は発光素子部毎に分離されており、発光層１４お
よび陰極層２２は発光素子部毎に分離されていない。As described above, the light emitting element portion 1 of the present embodiment
In 00a, 100b, and 100c, the anode layer and the diffraction grating are separated for each light emitting element unit, and the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 are not separated for each light emitting element unit.

【０１２１】導波路部２００ａは、基板１０上に、コア
層３０ａと、このコア層３０ａの露出部分を覆うクラッ
ド層として機能する絶縁層１６とが配置されている。導
波路部２００ｂは導波路部２００ａと同様の構成であ
り、基板１０上に、コア層３０ｂと、このコア層３０ｂ
の露出部分を覆うクラッド層として機能する絶縁層１６
とが配置されている。導波路部２００ｃは導波路部２０
０ａと同様の構成であり、基板１０上に、コア層３０ｃ
と、このコア層３０ｃの露出部分を覆うクラッド層とし
て機能する絶縁層１６とが配置されている。In the waveguide section 200a, a core layer 30a and an insulating layer 16 functioning as a clad layer covering an exposed portion of the core layer 30a are arranged on the substrate 10. The waveguide section 200b has the same configuration as the waveguide section 200a, and a core layer 30b and a core layer 30b
Insulating layer 16 functioning as a cladding layer covering the exposed portion of
And are arranged. The waveguide section 200c is the waveguide section 20.
0a, and has a core layer 30c
And an insulating layer 16 functioning as a cladding layer covering the exposed portion of the core layer 30c.

【０１２２】基板１０上には、陽極電極取出部２６ｂ、
陽極電極取出部２６ａ、陰極電極取出部２４、陽極電極
取出部２６ｃが間隔を設けて形成されている。陽極電極
取出部２６ｂ、陽極電極取出部２６ａ、陰極電極取出部
２４、陽極電極取出部２６ｃのそれぞれにおいて、基板
１０の側面１０ａ側に位置する部分は露出されている。
これらの露出部分において電源との電気的接続がなされ
る。On the substrate 10, an anode electrode extraction portion 26b,
An anode electrode extraction part 26a, a cathode electrode extraction part 24, and an anode electrode extraction part 26c are formed at intervals. In each of the anode electrode extraction part 26b, the anode electrode extraction part 26a, the cathode electrode extraction part 24, and the anode electrode extraction part 26c, the part located on the side surface 10a side of the substrate 10 is exposed.
Electrical connection with a power supply is made in these exposed portions.

【０１２３】陽極電極取出部２６ａは、発光素子部１０
０ａの陽極層２０ａと一体的に連続し、陽極の取出電極
として機能する。陽極電極取出部２６ｂは、発光素子部
１００ｂの陽極層２０ｂと一体的に連続し、陽極の取出
電極として機能する。陽極電極取出部２６ｃは、発光素
子部１００ｃの陽極層２０ｃと一体的に連続し、陽極の
取出電極として機能する。陰極電極取出部２４は、その
一部は陰極２２と電気的に接続されている。したがっ
て、陰極電極取出部２４は発光素子部１００ａ、１００
ｂ、１００ｃの共通の取出電極として機能する。本実施
の形態では、陰極電極取出部２４、陽極電極取出部２６
ａ、２６ｂ、２６ｃは、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ
と同一の成膜工程で形成される。The anode electrode extraction section 26a is connected to the light emitting element section 10
The anode layer 20a is integrally continuous with the anode layer 20a and functions as an anode extraction electrode. The anode electrode extraction part 26b is integrally continuous with the anode layer 20b of the light emitting element part 100b and functions as an anode extraction electrode. The anode electrode extraction part 26c is integrally continuous with the anode layer 20c of the light emitting element part 100c and functions as an anode extraction electrode. A part of the cathode electrode take-out part 24 is electrically connected to the cathode 22. Therefore, the cathode electrode extraction unit 24 is connected to the light emitting element units 100a and 100a.
It functions as a common extraction electrode for b and 100c. In the present embodiment, the cathode electrode extraction section 24 and the anode electrode extraction section 26
a, 26b, 26c are the anode layers 20a, 20b, 20c
It is formed by the same film forming process as described above.

【０１２４】さらに、本実施の形態では、発光素子部１
００ａ、１００ｂ、１００ｃを覆うように、保護層６０
が形成されている。保護層６０によって発光素子部１０
０ａ、１００ｂ、１００ｃを覆うことにより、陽極層２
０ａ、２０ｂ、２０ｃ、発光層１４および陰極層２２の
劣化を防止することができる。本実施の形態では、保護
層６０を発光装置全体に形成せずに、部分的に形成する
ことにより陰極電極取出部２４、陽極電極取出部２６
ａ、２６ｂ、２６ｃを露出させている。保護層６０は、
必要に応じ、発光装置の全体を覆うように形成してもよ
い。Further, in the present embodiment, the light emitting element 1
00a, 100b, 100c
Are formed. The light emitting element unit 10 is formed by the protective layer 60.
0a, 100b, and 100c, the anode layer 2
0a, 20b, 20c, the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 can be prevented from being deteriorated. In the present embodiment, the protection layer 60 is not formed on the entire light emitting device, but is formed partially, so that the cathode electrode extraction portion 24 and the anode electrode extraction portion 26 are formed.
a, 26b and 26c are exposed. The protective layer 60
If necessary, the light emitting device may be formed so as to cover the entire light emitting device.

【０１２５】陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、光学的
に透明な導電材料で構成され、光伝播部を構成する。そ
して、陽極層２０ａとコア層３０ａとは一体的に連続し
て形成され、陽極層２０ｂとコア層３０ｂとは一体的に
連続して形成され、陽極層２０ｃとコア層３０ｃとは一
体的に連続して形成されている。コア層３０ａ、コア層
３０ｂ、コア層３０ｃはそれぞれコア層３０ｄと一体的
に連続して形成されている。これらの陽極層２０ａ、２
０ｂ、２０ｃおよびコア層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３
０ｄを構成する透明導電材料としては、ＩＴＯなどの前
述したものを用いることができる。また、発光素子部１
００ａ、１００ｂ、１００ｃのクラッド層（絶縁層１
６）は、それぞれ、導波路部２００ａ、２００ｂ、２０
０ｃのクラッド層（絶縁層１６）と一体的に連続して形
成されている。導波路部２００ａ、導波路部２００ｂ、
導波路部２００ｃのクラッド層（絶縁層１６）は、それ
ぞれ導波路部２００ｄのクラッド層（絶縁層１６）と一
体的に連続して形成されている。これらのクラッド層と
なる絶縁層１６を構成する材料としては、絶縁性であっ
て、かつ陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃおよびコア層３
０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄより屈折率が小さく、光
の閉じ込めが可能な材料であれば特に限定されない。The anode layers 20a, 20b and 20c are made of an optically transparent conductive material, and constitute a light propagation portion. The anode layer 20a and the core layer 30a are formed integrally and continuously, the anode layer 20b and the core layer 30b are formed integrally and continuously, and the anode layer 20c and the core layer 30c are formed integrally. It is formed continuously. Each of the core layer 30a, the core layer 30b, and the core layer 30c is formed integrally and continuously with the core layer 30d. These anode layers 20a, 2
0b, 20c and core layers 30a, 30b, 30c, 3
As the transparent conductive material constituting 0d, the above-described materials such as ITO can be used. Also, the light emitting element section 1
00a, 100b, 100c cladding layers (insulating layer 1
6) are waveguide sections 200a, 200b, and 20 respectively.
It is formed integrally and continuously with the cladding layer 0c (insulating layer 16). Waveguide part 200a, waveguide part 200b,
The cladding layer (insulating layer 16) of the waveguide section 200c is formed integrally and continuously with the cladding layer (insulating layer 16) of the waveguide section 200d. The material constituting the insulating layer 16 serving as the cladding layer is an insulating material, and the anode layer 20a, 20b, 20c and the core layer 3
The material is not particularly limited as long as it has a smaller refractive index than Oa, 30b, 30c, and 30d and can confine light.

【０１２６】スリット状の開口部１６ａ、１６ｂ、１６
ｃを備える絶縁層１６が、電流狭窄層として機能するこ
と、回折格子１２ａ、１２ｂ、１２ｃの構造等は第１の
実施の形態の発光装置１０００と同様なので説明を省略
する。The slit-shaped openings 16a, 16b, 16
The function of the insulating layer 16 including c as a current confinement layer and the structure of the diffraction gratings 12a, 12b, and 12c are the same as those of the light emitting device 1000 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【０１２７】次に、この発光装置２０００の動作および
作用について説明する。Next, the operation and operation of the light emitting device 2000 will be described.

【０１２８】陽極層２０ａと陰極層２２、陽極層２０ｂ
と陰極層２２、陽極層２０ｃと陰極層２２に、それぞれ
所定の電圧が印加されることにより、陰極層２２から電
子が、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０ｃからホールが、そ
れぞれ発光層１４内に注入される。発光層１４内では、
この電子とホールとが再結合されることにより励起子が
生成され、この励起子が失活する際に蛍光や燐光などの
光が発生する。そして、前述したように、陽極層２０ａ
と陰極層２２、陽極層２０ｂと陰極層２２、陽極層２０
ｃと陰極層２２の間に介在する絶縁層１６によって電流
の流れる領域ＣＡが規定されているので、発光させたい
領域に効率よく電流を供給することができる。The anode layer 20a, the cathode layer 22, and the anode layer 20b
When a predetermined voltage is applied to each of the cathode layer 22 and the anode layer 20c and the cathode layer 22, electrons are injected from the cathode layer 22 and holes are injected from the anode layers 20a, 20b and 20c into the light emitting layer 14, respectively. Is done. In the light emitting layer 14,
The electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. Then, as described above, the anode layer 20a
And the cathode layer 22, the anode layer 20b and the cathode layer 22, the anode layer 20
Since the region CA through which the current flows is defined by the insulating layer 16 interposed between c and the cathode layer 22, the current can be efficiently supplied to the region where light emission is desired.

【０１２９】発光層１４において発生した光は、一部は
陰極層２２およびクラッド層として機能する絶縁層１６
によって反射されて、陽極層２０ａおよび回折格子１２
ａを含む光伝播部内、陽極層２０ｂおよび回折格子１２
ｂを含む光伝播部内、陽極層２０ｃおよび回折格子１２
ｃを含む光伝播部内のそれぞれに導入される。光伝播部
内に導入された光は、その一部に形成された回折格子１
２ａ、１２ｂ、１２ｃによって分布帰還型の伝播が行わ
れ、回折格子１２ａによって共振された波長λ３の光、
回折格子１２ｂによって共振された波長λ２の光、回折
格子１２ｃによって共振された波長λ１の光が発生す
る。波長λ３の光、波長λ２の光、波長λ１の光は、そ
れぞれ、光伝播部を導波路部２００ａ、２００ｂ、２０
０ｃ側に向けて伝播し、さらに、光伝播部の一部（陽極
層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に連続して一体的に形成さ
れた導波路部２００ａのコア層３０ａ内、導波路部２０
０ｂのコア層３０ｂ内、導波路部２００ｃのコア層３０
ｃ内のそれぞれを伝播する。そして、波長λ３の光、波
長λ２の光、波長λ１の光は導波路部２００ｄのコア層
３０ｄを通り、出射口１３から外部に出射される。すな
わち、第２の実施の形態では波長λ１、λ２、λ３の光
が異なる出射口から外部に出射されるのではなく、一つ
の出射口１３から外部に出射される。The light generated in the light emitting layer 14 is partially part of the cathode layer 22 and the insulating layer 16 functioning as a cladding layer.
Reflected by the anode layer 20a and the diffraction grating 12
a, the anode layer 20b and the diffraction grating 12
b, the anode layer 20c and the diffraction grating 12
c is introduced into each of the light propagating portions including c. The light introduced into the light propagating portion is a diffraction grating 1 formed in a part thereof.
2a, 12b, and 12c perform distributed feedback propagation, and light of wavelength λ3 resonated by the diffraction grating 12a;
Light of wavelength λ2 resonated by the diffraction grating 12b and light of wavelength λ1 resonated by the diffraction grating 12c are generated. The light having the wavelength λ3, the light having the wavelength λ2, and the light having the wavelength λ1 are respectively transmitted through the light propagation portions to the waveguide portions 200a, 200b, and 20.
0c side, and further in the core layer 30a of the waveguide portion 200a formed integrally and continuously with a part of the light propagation portion (anode layers 20a, 20b, 20c).
0b, the core layer 30b of the waveguide section 200c.
Propagate each in c. Then, the light having the wavelength λ3, the light having the wavelength λ2, and the light having the wavelength λ1 pass through the core layer 30d of the waveguide section 200d and are emitted to the outside from the emission port 13. That is, in the second embodiment, the light beams having the wavelengths λ1, λ2, and λ3 are not emitted from different emission ports to the outside, but emitted from one emission port 13 to the outside.

【０１３０】このように、本実施の形態では三本の導波
路部（導波路部２００ａ、導波路部２００ｂ、導波路部
２００ｃ）が一本の導波路部２００ｄとなっている。こ
の場合、導波路部２００ｄとの結合効率が最もよいの
は、導波路部２００ｂである。しかし、導波路部２００
ａ、導波路部２００ｃはそれぞれ、導波路部２００ｄの
延びる方向に対して斜め方向から、導波路部２００ｄと
接続されているので、光の進行が９０度以上変わること
はなく、光の損失を抑えることができる。As described above, in the present embodiment, three waveguide portions (the waveguide portion 200a, the waveguide portion 200b, and the waveguide portion 200c) form one waveguide portion 200d. In this case, the waveguide section 200b has the best coupling efficiency with the waveguide section 200d. However, the waveguide section 200
a, the waveguide section 200c is connected to the waveguide section 200d from a direction oblique to the direction in which the waveguide section 200d extends, so that the light traveling does not change by more than 90 degrees, and the light loss is reduced. Can be suppressed.

【０１３１】｛製造プロセス｝次に、図１０〜図１５を
参照しながら、本実施の形態に係る発光装置２０００の
製造例を説明する。図１１〜図１５の各図において、
（Ａ）は平面図である。（Ｂ）は（Ａ）に示す平面図に
おけるＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であり、発光素子部
形成領域を示している。（Ｃ）は（Ａ）に示す平面図に
おけるＸ２−Ｘ２線に沿った断面図であり、導波路部形
成領域を示している。<< Manufacturing Process >> Next, an example of manufacturing the light emitting device 2000 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In each of FIGS. 11 to 15,
(A) is a plan view. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line X1-X1 in the plan view of FIG. 1A, and shows a light emitting element portion formation region. (C) is a sectional view taken along line X2-X2 in the plan view shown in (A), and shows a waveguide portion forming region.

【０１３２】（１）導電層および回折格子の形成 まず、図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、基板１０上
に、光学的に透明な導電材料によって導電層２０を形成
する。導電層２０の形成方法は図５を用いて説明した導
電層２０の形成方法と同様の方法を用いることができ
る。次いで、発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００ｃ
が形成される領域の導電層２０の表面部に、それぞれ回
折格子の一方の媒質層を構成するための凹凸部１１ａ、
１１ｂ、１１ｃを形成する。凹凸部１１ａ、１１ｂ、１
１ｃは扇型に配列されている。凹凸部１１ａ、１１ｂ、
１１ｃの形成方法は図５を用いて説明した凹凸部１１
ａ、１１ｂ、１１ｃの形成方法と同様の方法を用いるこ
とができる。(1) Formation of Conductive Layer and Diffraction Grating First, as shown in FIGS. 11A to 11C, a conductive layer 20 is formed on a substrate 10 using an optically transparent conductive material. As a method for forming the conductive layer 20, a method similar to the method for forming the conductive layer 20 described with reference to FIG. 5 can be used. Next, the light emitting element units 100a, 100b, 100c
Are formed on the surface portion of the conductive layer 20 in the region where is formed, respectively, for forming one medium layer of the diffraction grating;
11b and 11c are formed. Uneven portions 11a, 11b, 1
1c is arranged in a fan shape. Uneven portions 11a, 11b,
The method of forming the concave / convex portion 11c is described with reference to FIG.
A method similar to the method for forming a, 11b, and 11c can be used.

【０１３３】次いで、図１２（Ａ）〜（Ｃ）に示すよう
に、導電層２０を例えばリソグラフィーによってパター
ニングすることにより、陽極層２０ａ、２０ｂ、２０
ｃ、陰極電極取出部２４，陽極電極取出部２６ａ、２６
ｂ、２６ｃおよびコア層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０
ｄを形成する。Next, as shown in FIGS. 12A to 12C, the conductive layer 20 is patterned by, for example, lithography to form anode layers 20a, 20b, and 20a.
c, Cathode electrode extraction section 24, Anode electrode extraction sections 26a, 26
b, 26c and core layers 30a, 30b, 30c, 30
forming d.

【０１３４】まず、陽極層２０ａ、陽極電極取出部２６
ａおよびコア層３０ａについて説明する。陽極電極取出
部２６ａはＹ方向に延びるように形成されており、途中
で斜め方向（凹凸部１１ａの繰り返し方向と直角方向）
に曲がり、陽極層２０ａと連続している。陽極電極取出
部２６ａの他方の端部は基板１０の側面１０ａ側に位置
している。回折格子のための凹凸部１１ａは陽極層２０
ａと一体に形成され、凹凸部１１ａを含む陽極層２０ａ
の一部は光伝播部としても機能する。さらに、コア層３
０ａは、陽極層２０ａ（凹凸部１１ａ）の他方の端部と
連続している。First, the anode layer 20a and the anode electrode extraction portion 26
a and the core layer 30a will be described. The anode electrode extraction portion 26a is formed so as to extend in the Y direction, and in the middle thereof, in an oblique direction (perpendicular to the repetition direction of the uneven portion 11a).
And is continuous with the anode layer 20a. The other end of the anode electrode extraction portion 26 a is located on the side surface 10 a of the substrate 10. The uneven portion 11a for the diffraction grating is formed on the anode layer 20.
and an anode layer 20a formed integrally with
A part of also functions as a light propagation part. Further, the core layer 3
0a is continuous with the other end of the anode layer 20a (the uneven portion 11a).

【０１３５】陽極層２０ｂ、陽極電極取出部２６ｂおよ
びコア層３０ｂも上記と同様の構成である。つまり、陽
極電極取出部２６ｂは基板１０の外縁部に沿って形成さ
れている。陽極電極取出部２６ｂの端部は、凹凸部１１
ｂの繰り返し方向に対して直角方向に延びており、陽極
層２０ｂと連続している。陽極電極取出部２６ｂの他方
の端部は基板１０の側面１０ａ側に位置している。回折
格子のための凹凸部１１ｂは陽極層２０ｂと一体に形成
され、凹凸部１１ｂを含む陽極層２０ｂの一部は光伝播
部としても機能する。さらに、コア層３０ｂは、陽極層
２０ｂ（凹凸部１１ｂ）の他方の端部と連続している。The anode layer 20b, the anode electrode extraction portion 26b, and the core layer 30b have the same configuration as described above. That is, the anode electrode extraction portion 26 b is formed along the outer edge of the substrate 10. The end of the anode electrode extraction part 26b is
It extends in a direction perpendicular to the repetition direction of b and is continuous with the anode layer 20b. The other end of the anode electrode extraction portion 26 b is located on the side surface 10 a of the substrate 10. The uneven portion 11b for the diffraction grating is formed integrally with the anode layer 20b, and a part of the anode layer 20b including the uneven portion 11b also functions as a light propagation portion. Further, the core layer 30b is continuous with the other end of the anode layer 20b (the uneven portion 11b).

【０１３６】陽極層２０ｃ、陽極電極取出部２６ｃおよ
びコア層３０ｃも上記と同様の構成である。つまり、陽
極電極取出部２６ｃはＹ方向に延びるように形成されて
おり、途中で斜め方向（凹凸部１１ｃの繰り返し方向と
直角方向）に曲がり、陽極層２０ｃと連続している。陽
極電極取出部２６ｃの他方の端部は基板１０の側面１０
ａ側に位置している。回折格子のための凹凸部１１ｃは
陽極層２０ｃと一体に形成され、凹凸部１１ｃを含む陽
極層２０ｃの一部は光伝播部としても機能する。さら
に、コア層３０ｃは、陽極層２０ｃ（凹凸部１１ｃ）の
他方の端部と連続している。The anode layer 20c, the anode electrode extraction portion 26c, and the core layer 30c have the same configuration as described above. That is, the anode electrode extraction portion 26c is formed so as to extend in the Y direction, bends in an oblique direction (a direction perpendicular to the repetition direction of the uneven portion 11c) on the way, and is continuous with the anode layer 20c. The other end of the anode electrode extraction portion 26c is
It is located on the a side. The uneven portion 11c for the diffraction grating is formed integrally with the anode layer 20c, and a part of the anode layer 20c including the uneven portion 11c also functions as a light propagation portion. Further, the core layer 30c is continuous with the other end of the anode layer 20c (the uneven portion 11c).

【０１３７】陰極電極取出部２４はＹ方向に延びるよう
に形成されいる。陰極電極取出部２４は、上記した陽極
層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、陽極電極取出部２６ａ、２
６ｂ、２６ｃおよびコア層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３
０ｄから分離されている。The cathode electrode extraction portion 24 is formed so as to extend in the Y direction. The cathode electrode extraction unit 24 includes the anode layers 20a, 20b, and 20c, and the anode electrode extraction units 26a and 26a.
6b, 26c and core layers 30a, 30b, 30c, 3
0d.

【０１３８】コア層３０ａ、コア層３０ｂ、コア層３０
ｃは、それぞれ、コア層３０ｄと光学的に連続されてい
る。コア層３０ｄの端部は光の出射口１３となる。Core layer 30a, core layer 30b, core layer 30
c is optically continuous with the core layer 30d, respectively. The end of the core layer 30d becomes the light emission port 13.

【０１３９】（２）絶縁層の形成 図１３（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、所定のパターンを
有する絶縁層１６を形成する。絶縁層１６は、回折格子
のための凹凸部１１ａの一部が露出する開口部１６ａ、
凹凸部１１ｂの一部が露出する開口部１６ｂ、凹凸部１
１ｃの一部が露出する開口部１６ｃを有する。開口部１
６ａ、１６ｂ、１６ｃは、光の導波方向に沿って伸びる
スリット形状を有する。この開口部１６ａ、１６ｂ、１
６ｃによって、電流の流れる領域が規定されるため、開
口部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの長さや幅は、得たい電流
密度や電流分布などを考慮して設定される。(2) Formation of Insulating Layer As shown in FIGS. 13A to 13C, an insulating layer 16 having a predetermined pattern is formed. The insulating layer 16 has an opening 16a that exposes a part of the uneven portion 11a for the diffraction grating,
The opening 16b where a part of the uneven portion 11b is exposed, the uneven portion 1
1c has an opening 16c which is partially exposed. Opening 1
Each of 6a, 16b and 16c has a slit shape extending along the light waveguide direction. These openings 16a, 16b, 1
Since the region through which the current flows is defined by 6c, the lengths and widths of the openings 16a, 16b, 16c are set in consideration of the desired current density and current distribution.

【０１４０】絶縁層１６は、回折格子のための凹凸部１
１ａ、１１ｂ、１１ｃの一部を覆ってクラッド層として
機能する。また、絶縁層１６は、コア層３０ａ、３０
ｂ、３０ｃ、３０ｄを覆って、クラッド層として機能す
る。The insulating layer 16 is provided with an uneven portion 1 for a diffraction grating.
It functions as a clad layer covering a part of 1a, 11b and 11c. The insulating layer 16 includes the core layers 30a, 30
b, 30c, and 30d, and functions as a cladding layer.

【０１４１】陰極電極取出部２４、陽極電極取出部２６
ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれは、絶縁層１６により、
お互いに電気的に分離される。絶縁層１６は、基板１０
の側面１０ａ側に位置する部分において、部分的に除去
されている。これにより、絶縁層１６には除去領域３４
ａ〜３４ｄが形成されている。陽極電極取出部２６ａ
は、除去領域３４ａを介して露出されている。陽極電極
取出部２６ｂは、除去領域３４ｂを介して露出されてい
る。陽極電極取出部２６ｃは、除去領域３４ｃを介して
露出されている。陰極電極取出部２４は、除去領域３４
ｄを介して露出されている。Cathode extraction section 24, anode extraction section 26
a, 26b, and 26c are each formed by the insulating layer 16.
They are electrically separated from each other. The insulating layer 16 is formed on the substrate 10
Are partially removed at the portion located on the side surface 10a side of the. Thereby, the removal region 34 is formed in the insulating layer 16.
a to 34d are formed. Anode electrode extraction part 26a
Are exposed through the removal region 34a. The anode electrode extraction portion 26b is exposed via the removal region 34b. The anode electrode extraction portion 26c is exposed through the removal region 34c. The cathode electrode extraction section 24 includes a removal area 34.
d.

【０１４２】絶縁層１６の材料は図７に示す第１の実施
の形態における絶縁層１６と同様な材料を用いることが
できる。As the material of the insulating layer 16, the same material as the insulating layer 16 in the first embodiment shown in FIG. 7 can be used.

【０１４３】（３）発光層の形成 図１０に示す発光素子部１００ａ、１００ｂ、１００ｃ
が形成される領域を含む所定領域において、図１４
（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、発光層１４を形成する。
この工程は第１の実施の形態の図８に示す工程と同様な
ので説明を省略する。(3) Formation of Light Emitting Layer Light emitting element portions 100a, 100b and 100c shown in FIG.
14 in a predetermined region including a region where
As shown in (A) to (C), the light emitting layer 14 is formed.
Since this step is the same as the step shown in FIG. 8 of the first embodiment, the description is omitted.

【０１４４】（４）陰極層の形成 図１５（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、陰極層２２が、発
光層１４を覆う状態で形成される。陰極層２２は、除去
領域３４ｄを介して陰極電極取出部２４と電気的に接続
されている。このようにして、発光素子部１００ａ、１
００ｂ、１００ｃおよび導波路部が形成される。(4) Formation of Cathode Layer As shown in FIGS. 15A to 15C, the cathode layer 22 is formed so as to cover the light emitting layer 14. The cathode layer 22 is electrically connected to the cathode electrode take-out portion 24 via the removal region 34d. Thus, the light emitting element units 100a, 1
00b, 100c and a waveguide portion are formed.

【０１４５】（５）保護層の形成 図１０（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、発光素子部１００
ａ、１００ｂ、１００ｃ、導波路部２００ａ、２００
ｂ、２００ｃが覆われるように、保護層６０が形成され
る。この保護層６０は陰極層２２，発光層１４および陽
極層（光伝播部）２０ａ、２０ｂ、２０ｃが外部と接触
しないように形成されることが望ましい。保護層６０の
材料は第１の実施の形態の保護層６０の材料と同様の材
料を用いることができる。以上の工程によって、発光装
置２０００が形成される。(5) Formation of Protective Layer As shown in FIGS.
a, 100b, 100c, waveguide sections 200a, 200
A protective layer 60 is formed so as to cover b and 200c. The protective layer 60 is desirably formed so that the cathode layer 22, the light emitting layer 14, and the anode layers (light propagation portions) 20a, 20b, and 20c do not come into contact with the outside. As the material of the protective layer 60, the same material as the material of the protective layer 60 of the first embodiment can be used. Through the above steps, the light emitting device 2000 is formed.

【０１４６】［第３の実施の形態］図１６（Ａ）は、本
実施の形態に係る発光装置３０００の発光素子部１００
ａおよび導波路部２００ａを模式的に示す断面図であ
り、図１６（Ｂ）は発光素子部１００ａを模式的に示す
部分断面図であり、図１６（Ｃ）は導波路部２００ａを
模式的に示す部分断面図である。他の発光素子部および
導波路部はこれらと同様なので図示を省略する。発光装
置１０００と実質的に同様な機能を有する部分には同一
の符号が付されている。発光装置３０００は、回折格子
および陽極層の形成位置がこれまでの実施の形態に係る
発光装置と異なる。[Third Embodiment] FIG. 16A shows a light emitting element section 100 of a light emitting device 3000 according to the present embodiment.
16A is a cross-sectional view schematically showing the waveguide section 200a, FIG. 16B is a partial cross-sectional view schematically showing the light emitting element section 100a, and FIG. 16C is a schematic cross-sectional view showing the waveguide section 200a. FIG. Other light emitting element portions and waveguide portions are the same as those described above, and are not shown. Portions having functions substantially similar to those of the light emitting device 1000 are denoted by the same reference numerals. The light emitting device 3000 is different from the light emitting devices according to the above embodiments in the positions where the diffraction grating and the anode layer are formed.

【０１４７】発光装置３０００は、基板１０と、この基
板１０上に形成された、発光素子部１００ａと、導波路
部２００ａとを有する。The light emitting device 3000 has a substrate 10, a light emitting element 100a, and a waveguide 200a formed on the substrate 10.

【０１４８】発光素子部１００ａは、基板１０上に、光
伝播部を構成する回折格子１２ａおよび陽極層２０ａ、
発光層１４および陰極層２２が、この順序で配置されて
いる。基板１０は、発光素子部１００ａおよび導波路部
２００ａにわたって延びるライン状の凸部１０ｂを有
し、この凸部１０ｂ上に回折格子１２ａが形成されてい
る。そして、回折格子１２ａ上を覆うように陽極層２０
ａが形成されている。さらに、陽極層２０ａおよび露出
する基板１０の上には、その一部を除いて、クラッド層
および電流狭窄層としても機能する絶縁層１６が形成さ
れている。The light emitting element portion 100a is provided on the substrate 10 with the diffraction grating 12a and the anode layer 20a constituting the light propagation portion.
The light emitting layer 14 and the cathode layer 22 are arranged in this order. The substrate 10 has a linear projection 10b extending over the light emitting element 100a and the waveguide 200a, and the diffraction grating 12a is formed on the projection 10b. The anode layer 20 is formed so as to cover the diffraction grating 12a.
a is formed. Further, on the anode layer 20a and the exposed substrate 10, except for a part thereof, an insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed.

【０１４９】このように、第３の実施の形態において、
回折格子１２ａの凹凸部は基板１０に形成されている。
このため、基板１０の材質としては、基板１０の材質と
しては、導電性がなく、かつその屈折率が陽極層２０ａ
より低い材質が望ましく、具体的にはガラスや熱酸化膜
付きシリコン等がある。Thus, in the third embodiment,
The uneven portion of the diffraction grating 12 a is formed on the substrate 10.
Therefore, the material of the substrate 10 is not conductive and has a refractive index of the anode layer 20a.
A lower material is desirable, and specific examples include glass and silicon with a thermal oxide film.

【０１５０】導波路部２００ａは、基板１０上に、コア
層３０ａと、このコア層３０ａの露出部分を覆うクラッ
ド層３２ａとが配置されている。そして、コア層３０ａ
は、基板１０の凸部１０ｂ上に形成されている。導波路
部２００ａに隣接して、陰極電極取出部２４と、陽極電
極取出部２６ａとが配置されている。In the waveguide section 200a, a core layer 30a and a clad layer 32a covering an exposed portion of the core layer 30a are arranged on the substrate 10. Then, the core layer 30a
Are formed on the protrusions 10b of the substrate 10. A cathode electrode extraction section 24 and an anode electrode extraction section 26a are arranged adjacent to the waveguide section 200a.

【０１５１】さらに、本実施の形態では、発光素子部１
００ａを覆うように、保護層６０が形成されている。保
護層６０によって発光素子部１００ａを覆うことによ
り、陰極層１２および発光層１４の劣化を防止すること
ができる。本実施の形態では、陰極電極取出部および陽
極電極取出部を形成するために、保護層６０を発光装置
全体に形成せず、導波路部２００ａの表面を露出させて
いる。Further, in the present embodiment, the light emitting element 1
A protective layer 60 is formed so as to cover 00a. By covering the light emitting element portion 100a with the protective layer 60, the deterioration of the cathode layer 12 and the light emitting layer 14 can be prevented. In the present embodiment, in order to form the cathode electrode extraction portion and the anode electrode extraction portion, the surface of the waveguide portion 200a is exposed without forming the protective layer 60 on the entire light emitting device.

【０１５２】発光素子部１００ａの陽極層２０ａは、光
学的に透明な導電材料で構成され、光伝播部を構成す
る。そして、この陽極層２０ａと導波路部２００ａのコ
ア層３０ａとは一体的に連続して形成されている。これ
らの陽極層２０ａおよびコア層３０ａを構成する透明導
電材料としては、ＩＴＯなどの前述したものを用いるこ
とができる。また、発光素子部１００ａの絶縁層（クラ
ッド層）１６と、導波路部２００ａのクラッド層３２ａ
とは一体的に連続して形成されている。これらの絶縁層
１６およびクラッド層３２ａを構成する材料としては、
絶縁性であって、かつ陽極層２０ａおよびコア層３０ａ
より屈折率が小さく、光の閉じ込めが可能な材料であれ
ば特に限定されない。The anode layer 20a of the light emitting element section 100a is made of an optically transparent conductive material and forms a light propagation section. The anode layer 20a and the core layer 30a of the waveguide section 200a are integrally and continuously formed. As the transparent conductive material forming the anode layer 20a and the core layer 30a, the above-described materials such as ITO can be used. Further, the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100a and the cladding layer 32a of the waveguide section 200a
Are formed integrally and continuously. As a material constituting the insulating layer 16 and the cladding layer 32a,
Insulating, anode layer 20a and core layer 30a
The material is not particularly limited as long as the material has a smaller refractive index and can confine light.

【０１５３】発光素子部１００ａにおいて、絶縁層１６
は、図１６（Ｂ）に示すように、陽極層２０ａおよび基
板１０の露出部分を覆うように形成されている。そし
て、絶縁層１６は、回折格子１２ａの周期方向に伸びる
スリット状の開口部１６ａを有する。この開口部１６ａ
において、発光層１４を介在させた状態で、陽極層２０
ａと陰極層２２とが配置されている。また、開口部１６
ａ以外の領域においては、陽極層２０ａと陰極層２２と
の間に絶縁層１６が介在する。そのため、絶縁層１６
は、電流狭窄層として機能する。したがって、陽極層２
０ａおよび陰極層２２に所定の電圧が印加されると、開
口部１６ａに対応する領域ＣＡにおいて主として電流が
流れる。このように絶縁層（電流狭窄層）１６を設ける
ことにより、光の導波方向に沿って電流を集中させるこ
とができ、発光効率をあげることができる。In the light emitting element section 100a, the insulating layer 16
Is formed so as to cover the anode layer 20a and the exposed portion of the substrate 10, as shown in FIG. The insulating layer 16 has a slit-like opening 16a extending in the periodic direction of the diffraction grating 12a. This opening 16a
In the above, with the light emitting layer 14 interposed, the anode layer 20
a and the cathode layer 22 are arranged. The opening 16
In a region other than a, the insulating layer 16 is interposed between the anode layer 20a and the cathode layer 22. Therefore, the insulating layer 16
Function as a current confinement layer. Therefore, the anode layer 2
When a predetermined voltage is applied to Oa and cathode layer 22, current mainly flows in region CA corresponding to opening 16a. By providing the insulating layer (current confinement layer) 16 in this manner, current can be concentrated along the light guiding direction, and luminous efficiency can be increased.

【０１５４】回折格子１２ａは、図１２（Ｂ）に示すよ
うに、基板１０の凸部１０ｂの上に形成され、異なる２
つの媒質層からなる。回折格子１２のａ一方の媒質層
は、陽極層２０ａを構成する材料からなり、他方の媒質
層は基板１０を構成する材料からなる。この実施の形態
での回折格子１２ａは、第１の実施の形態の場合と異な
り、電流狭窄層１６によって規定される領域ＣＡと重な
る状態で形成される。そして、回折格子１２ａは、分布
帰還型の回折格子であることが好ましく、さらに、回折
格子１２ａは、λ／４位相シフト構造または利得結合型
構造を有することが好ましい。その理由については、第
１の実施の形態と同様であるので、記載を省略する。The diffraction grating 12a is formed on the projection 10b of the substrate 10 as shown in FIG.
It consists of two medium layers. One medium layer of the diffraction grating 12 is made of a material forming the anode layer 20a, and the other medium layer is made of a material forming the substrate 10. Unlike the first embodiment, the diffraction grating 12a in this embodiment is formed so as to overlap the area CA defined by the current confinement layer 16. The diffraction grating 12a is preferably a distributed feedback type diffraction grating, and more preferably, the diffraction grating 12a has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. The reason is the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【０１５５】導波路部２００ａに隣接する陰極電極取出
部２４と陽極電極取出部２６ａとは、図１６（Ｃ）に示
すように、絶縁層１６と連続する絶縁性のクラッド層３
２ａによって電気的に分離されている。陽極電極取出部
２６ａは、発光素子部１００ａの陽極層２０ａと一体的
に連続し、陽極の取出電極として機能する。また、陰極
電極取出部２４は、発光素子部１００ａ側に延びるよう
に形成され、その一部は陰極層２２と電気的に接続され
ている。したがって、陰極電極取出部２６は陰極層２２
の取出電極として機能する。本実施の形態では、陰極電
極取出部２４および陽極電極取出部２６ａは、陽極層２
０ａと同一の成膜工程で形成される。As shown in FIG. 16C, the cathode electrode take-out portion 24 and the anode electrode take-out portion 26a adjacent to the waveguide portion 200a are formed of an insulating cladding layer 3 continuous with the insulating layer 16.
It is electrically separated by 2a. The anode electrode extraction part 26a is integrally continuous with the anode layer 20a of the light emitting element part 100a and functions as an anode extraction electrode. The cathode electrode extraction portion 24 is formed so as to extend toward the light emitting element portion 100a, and a part thereof is electrically connected to the cathode layer 22. Therefore, the cathode electrode extraction section 26 is connected to the cathode layer 22.
Function as an extraction electrode. In the present embodiment, the cathode electrode extraction unit 24 and the anode electrode extraction unit 26a
0a is formed in the same film forming step.

【０１５６】次に、この発光装置３０００の動作および
作用を発光素子部１００ａに着目して説明する。Next, the operation and operation of the light emitting device 3000 will be described with a focus on the light emitting element section 100a.

【０１５７】陽極層２０ａと陰極層２２とに所定の電圧
が印加されることにより、陰極層２２から電子が、陽極
層２０ａからホールが、それぞれ発光層１４内に注入さ
れる。発光層１４内では、この電子とホールとが再結合
されることにより励起子が生成され、この励起子が失活
する際に蛍光や燐光などの光が発生する。そして、前述
したように、陽極層２０ａと陰極層２２との間に介在す
る絶縁層１６によって電流の流れる領域ＣＡが規定され
ているので、発光させたい領域に効率よく電流を供給す
ることができる。When a predetermined voltage is applied to the anode layer 20a and the cathode layer 22, electrons are injected from the cathode layer 22 and holes are injected from the anode layer 20a into the light emitting layer 14, respectively. In the light emitting layer 14, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. As described above, since the region CA through which the current flows is defined by the insulating layer 16 interposed between the anode layer 20a and the cathode layer 22, the current can be efficiently supplied to the region where light emission is desired. .

【０１５８】発光層１４において発生した光は、一部は
陰極層２２およびクラッド層として機能する絶縁層１６
によって反射されて光伝播部内に導入される。光伝播部
内に導入された光は、回折格子１２ａによって分布帰還
型の伝播が行われ、陽極層２０ａを構成する光伝播部内
をその端面側に向けて伝播し、さらに、光伝播部の一部
（陽極層２０ａ）に連続して一体形成された導波路部２
００ａのコア層３０ａ内を伝播し、その出射口から出射
される。この出射光は、回折格子１２ａによって光伝播
部で分布帰還されて出射されるため、波長選択性があ
り、発光スペクトル幅が狭く、かつ優れた指向性を有す
る。なお、他の発光素子部も、上記と同様の動作および
作用をし、これにより、異なる共振波長の光がそれぞれ
の出射口から出射される。The light generated in the light emitting layer 14 is partially part of the cathode layer 22 and the insulating layer 16 functioning as a cladding layer.
And is introduced into the light propagation portion. The light introduced into the light propagating portion is distributed-propagation-type propagating by the diffraction grating 12a, propagates through the light propagating portion forming the anode layer 20a toward the end face side, and further, a part of the light propagating portion. (Anode layer 20a) Continuously and integrally formed waveguide portion 2
The light propagates through the core layer 30a and is emitted from the emission port. The emitted light is distributed and returned in the light propagation section by the diffraction grating 12a, and is emitted. Therefore, the emitted light has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. The other light emitting element sections also operate and operate in the same manner as described above, whereby light having different resonance wavelengths is emitted from the respective emission ports.

【０１５９】本実施の形態の主要な作用効果を、発光素
子部１００ａを用いて説明する。他の発光素子部も、同
様の作用効果を有する。The main operation and effect of this embodiment will be described using the light emitting element portion 100a. Other light emitting element portions have the same function and effect.

【０１６０】（ａ）発光素子部１００ａの光伝播部の少
なくとも一部（陽極層２０ａ）と、導波路部２００ａの
コア層３０ａとが一体的に連続している。このことによ
り、発光素子部１００ａと導波路部２００ａとが、高い
結合効率で光学的に結合され、効率のよい光の伝播がで
きる。また、陽極層２０ａを含む光伝播部とコア層３０
ａとは、同一の工程で成膜およびパターニングできるの
で、製造が簡易となる利点を有する。(A) At least a part (anode layer 20a) of the light propagation part of the light emitting element part 100a and the core layer 30a of the waveguide part 200a are integrally continuous. Accordingly, the light emitting element unit 100a and the waveguide unit 200a are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated. Further, the light propagation portion including the anode layer 20a and the core layer 30
“a” has an advantage that manufacturing can be simplified since film formation and patterning can be performed in the same process.

【０１６１】また、発光素子部１００ａの絶縁層（クラ
ッド層）１６と、導波路部２００ａのクラッド層３２ａ
とが一体的に連続している。このことにより、発光素子
部１００ａと導波路部２００ａとが、高い結合効率で光
学的に結合され、効率のよい光の伝播ができる。また、
絶縁層１６とクラッド層３２ａとは、同一の工程で成膜
およびパターニングできるので、製造が簡易となる利点
を有する。The insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element portion 100a and the cladding layer 32a of the waveguide portion 200a
And are continuously continuous. Accordingly, the light emitting element unit 100a and the waveguide unit 200a are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated. Also,
Since the insulating layer 16 and the cladding layer 32a can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that the manufacturing is simplified.

【０１６２】このように、本実施の形態に係る発光装置
３０００によれば、発光素子部１００ａと導波路部２０
０ａとが、高い結合効率で接続されることにより、高効
率な出射光を得ることができる。As described above, according to the light emitting device 3000 according to the present embodiment, the light emitting element 100a and the waveguide 20
Oa is connected with high coupling efficiency, so that highly efficient emitted light can be obtained.

【０１６３】（ｂ）絶縁層１６の開口部１６ａを介して
陽極層２０ａと陰極層２２とが電気的に接続され、この
開口部１６ａによって電流の流れる領域が規定される。
したがって、絶縁層１６は、電流狭窄層として機能し、
発光領域に効率よく電流を供給し、発光効率を高めるこ
とができる。そして、電流を供給する領域を電流狭窄層
１６で規定することにより、発光領域をコア層３０ａと
位置合わせした状態で設定でき、この点からも導波路部
２００ａに対する光の結合効率を高めることができる。(B) The anode layer 20a and the cathode layer 22 are electrically connected to each other through the opening 16a of the insulating layer 16, and a region through which current flows is defined by the opening 16a.
Therefore, the insulating layer 16 functions as a current confinement layer,
Current can be efficiently supplied to the light emitting region, and the light emitting efficiency can be increased. By defining the current supply region by the current confinement layer 16, the light emitting region can be set in a state of being aligned with the core layer 30a. From this point, the light coupling efficiency to the waveguide portion 200a can be increased. it can.

【０１６４】（ｃ）回折格子１２ａの形成領域と、電流
狭窄層１６によって規定される電流が流れる領域ＣＡと
がほぼ一致するので、より電流効率のよい発光が可能と
なる。(C) Since the area where the diffraction grating 12a is formed almost coincides with the area CA where the current defined by the current constriction layer 16 flows, light emission with higher current efficiency is possible.

【０１６５】｛発光装置の製造方法｝次に、図１７およ
び図１８を参照しながら、本実施の形態に係る発光装置
３０００の製造例を発光素子部１００ａに着目して説明
する。図１７および図１８の各図（Ａ）〜（Ｄ）は図１
６（Ｂ）と対応する。{Manufacturing Method of Light Emitting Device} Next, an example of manufacturing the light emitting device 3000 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 17 and FIG. Each of FIGS. 17 and 18 is shown in FIG.
6 (B).

【０１６６】（１）導電層および回折格子の形成 まず、図１７（Ａ）に示すように、基板１０上の所定領
域に、回折格子の一方の媒質層を構成するための凹凸部
１１ａを形成する。次いで、図１７（Ｂ）に示すよう
に、凹凸部１１ａの一部を残すように、基板１０の所定
部分をリソグラフィーなどによって除去し、基板１０と
連続する凸部１０ｂと、この凸部１０ｂ上に回折格子の
ための凹凸部１１ａを形成する。回折格子のための凹凸
部１１ａは、図１７において、紙面と垂直な方向に所定
のピッチを有する凹凸が連続するように形成される。(1) Formation of Conductive Layer and Diffraction Grating First, as shown in FIG. 17A, an uneven portion 11a for forming one medium layer of the diffraction grating is formed in a predetermined region on the substrate 10. I do. Next, as shown in FIG. 17 (B), a predetermined portion of the substrate 10 is removed by lithography or the like so as to leave a part of the uneven portion 11a, and a convex portion 10b continuous with the substrate 10 and the convex portion 10b are formed. An uneven portion 11a for a diffraction grating is formed on the substrate. In FIG. 17, the uneven portion 11a for the diffraction grating is formed such that unevenness having a predetermined pitch is continuous in a direction perpendicular to the paper surface.

【０１６７】次いで、図１７（Ｃ）に示すように、基板
１０の全面に、光学的に透明な導電材料によって導電層
２０を形成する。次いで、図１７（Ｄ）に示すように、
導電層２０を例えばリソグラフィーによってパターニン
グすることにより、陽極層２０ａ、回折格子１２ａおよ
びコア層３０ａ（図１６（Ｃ）参照）を形成する。図１
６（Ｃ）に示すコア層３０ａは、陽極層２０ａと一体に
連続して形成されている。回折格子１２ａは、第１の媒
質層は基板１０を構成する材料からなり、第２の媒質層
は陽極層２０ａを構成する材料からなる。Next, as shown in FIG. 17C, a conductive layer 20 is formed on the entire surface of the substrate 10 using an optically transparent conductive material. Next, as shown in FIG.
The anode layer 20a, the diffraction grating 12a, and the core layer 30a (see FIG. 16C) are formed by patterning the conductive layer 20 by, for example, lithography. FIG.
The core layer 30a shown in FIG. 6 (C) is formed integrally and continuously with the anode layer 20a. In the diffraction grating 12a, the first medium layer is made of a material forming the substrate 10, and the second medium layer is made of a material forming the anode layer 20a.

【０１６８】このように、屈折率などの光学特性を考慮
して導電層２０ａの材料を選択することにより、電極部
（この例の場合、陽極および電極取出部）とともに、回
折格子、光伝播部の一部およびコア層などの光学部を同
時に形成することができる。As described above, by selecting the material of the conductive layer 20a in consideration of the optical characteristics such as the refractive index, the electrode portion (in this example, the anode and the electrode extraction portion), the diffraction grating, the light propagation portion, and the like. And an optical part such as a core layer can be formed at the same time.

【０１６９】（２）絶縁層の形成 図１８（Ａ）に示すように、所定のパターンを有する絶
縁層１６を形成する。絶縁層１６は、開口部１６ａを有
する。開口部１６ａは、光の導波方向に沿って伸びるス
リット形状を有する。この開口部１６ａによって、電流
の流れる領域が規定されるため、開口部１６ａの長さや
幅は、得たい電流密度や電流分布などを考慮して設定さ
れる。また、絶縁層１６は、電流狭窄層の機能ととも
に、光を閉じこめるためのクラッド層としても機能する
ため、絶縁性とともに屈折率などの光学特性を考慮して
その材料が選択される。(2) Formation of Insulating Layer As shown in FIG. 18A, an insulating layer 16 having a predetermined pattern is formed. The insulating layer 16 has an opening 16a. The opening 16a has a slit shape extending in the light waveguide direction. Since the region through which the current flows is defined by the opening 16a, the length and width of the opening 16a are set in consideration of the current density and current distribution to be obtained. Since the insulating layer 16 functions as a cladding layer for confining light as well as the function of the current confinement layer, the material thereof is selected in consideration of the insulating properties and the optical characteristics such as the refractive index.

【０１７０】絶縁層１６は、陽極層２０ａを他の電極と
電気的に分離するとともに、光伝播部の一部を構成する
陽極層２０ａの一部を覆ってクラッド層として機能し、
さらに、図１６（Ｃ）のコア層３０ａの露出部を覆っ
て、クラッド層３２ａを構成している。The insulating layer 16 electrically separates the anode layer 20a from other electrodes, and also functions as a clad layer covering a part of the anode layer 20a constituting a part of the light propagation portion.
Further, a cladding layer 32a is formed so as to cover the exposed portion of the core layer 30a in FIG.

【０１７１】（３）発光層の形成 図１８（Ｂ）に示すように、発光素子部が形成される領
域に発光層１４を形成する。発光層１４は、少なくとも
絶縁層１６に形成された開口部１６ａに発光材料が充填
された発光部１４ａを有する。(3) Formation of Light Emitting Layer As shown in FIG. 18B, the light emitting layer 14 is formed in a region where the light emitting element portion is formed. The light emitting layer 14 has a light emitting part 14a in which at least an opening 16a formed in the insulating layer 16 is filled with a light emitting material.

【０１７２】（４）陰極層の形成 図１８（Ｃ）に示すように、発光素子部が形成される領
域に陰極層２２を形成する。陰極層２２は、発光層１４
の発光部１４ａを覆う状態で形成される。このようにし
て、発光素子部１００ａが形成される。(4) Formation of Cathode Layer As shown in FIG. 18C, a cathode layer 22 is formed in a region where a light emitting element portion is formed. The cathode layer 22 includes the light emitting layer 14
Is formed so as to cover the light emitting portion 14a of the light emitting device. Thus, the light emitting element section 100a is formed.

【０１７３】（５）保護層の形成 図１８（Ｄ）に示すように、少なくとも発光素子部１０
０ａが覆われるように、保護層６０が形成される。保護
層６０については、第１の実施の形態と同様であるので
記載を省略する。(5) Formation of Protective Layer As shown in FIG.
A protective layer 60 is formed so as to cover Oa. The description of the protective layer 60 is omitted because it is the same as in the first embodiment.

【０１７４】以上の工程によって、発光装置３０００が
形成される。この製造方法によれば、屈折率などの光学
特性を考慮して導電層２０の材料を選択することによ
り、電極部（この例の場合、陽極および電極取出部）と
ともに、回折格子、少なくとも一部の光伝播部およびコ
ア層などの光学部材を同一の工程に形成することがで
き、製造工程を簡易にすることができる。[0174] Through the above steps, the light emitting device 3000 is formed. According to this manufacturing method, by selecting the material of the conductive layer 20 in consideration of the optical characteristics such as the refractive index, the diffraction grating, at least partly, together with the electrode portion (in this example, the anode and the electrode extraction portion). And the optical member such as the core layer can be formed in the same step, and the manufacturing process can be simplified.

【０１７５】［第４の実施の形態］図１９は、本実施の
形態に係る発光装置４０００の発光素子部１００ａおよ
び導波路部２００ａを模式的に示す断面図である。他の
発光素子部および導波路部はこれらと同様なので図示を
省略する。発光装置４０００は、回折格子の形成位置が
これまで説明してきた実施の形態に係る発光装置と異な
る。発光装置１０００、２０００および３０００と実質
的に同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、主
として、発光装置１０００、２０００および３０００と
異なる発光装置４０００の主要な特徴部分のみを説明す
る。[Fourth Embodiment] FIG. 19 is a sectional view schematically showing a light emitting element section 100a and a waveguide section 200a of a light emitting device 4000 according to the present embodiment. Other light emitting element portions and waveguide portions are the same as those described above, and are not shown. The light emitting device 4000 is different from the light emitting device according to the embodiment described above in the formation position of the diffraction grating. Portions having functions substantially similar to those of the light emitting devices 1000, 2000, and 3000 are denoted by the same reference numerals, and mainly, only main features of the light emitting device 4000 different from the light emitting devices 1000, 2000, and 3000 will be described.

【０１７６】発光装置４０００は、基板１０と、この基
板１０上に形成された、発光素子部１００ａと、導波路
部２００ａとを有する。The light emitting device 4000 has a substrate 10, a light emitting element section 100a and a waveguide section 200a formed on the substrate 10.

【０１７７】発光素子部１００ａは、第１の基板１０上
に、光伝播部を構成する回折格子１２ａおよび陽極層２
０ａ、発光層１４および陰極層２２が、この順序で配置
されている。本実施の形態では、第１の基板１０の上
に、回折格子１２ａを形成するための第２の基板（格子
基板）１７が配置されている。第２の基板１７は、第１
の基板１０に比べて回折格子１２ａが形成しやすい材料
や、第１の基板１０より屈折率の高い材料を選択するこ
とが望ましい。このような第２の基板１７としては、前
述したように、リソグラフィー、光照射による屈折率分
布の形成、スタンピングなどの方法を適用できる樹脂、
例えば紫外線や電子線の照射で硬化する樹脂を用いて形
成することができる。図示の例では、回折格子１２ａに
おいて、第１の媒質層は第２の基板１７を構成する材料
からなり、第２の媒質層は光伝播部を構成する陽極層２
０ａを構成する材料からなる。The light emitting element portion 100a is provided on the first substrate 10 with the diffraction grating 12a and the anode layer 2 constituting the light propagation portion.
Oa, the light emitting layer 14 and the cathode layer 22 are arranged in this order. In the present embodiment, a second substrate (grating substrate) 17 for forming the diffraction grating 12a is disposed on the first substrate 10. The second substrate 17 includes the first
It is desirable to select a material which is easier to form the diffraction grating 12a than the substrate 10 and a material having a higher refractive index than the first substrate 10. As described above, as the second substrate 17, as described above, a resin to which a method such as lithography, formation of a refractive index distribution by light irradiation, and stamping can be applied,
For example, it can be formed using a resin that is cured by irradiation with ultraviolet light or an electron beam. In the illustrated example, in the diffraction grating 12a, the first medium layer is made of the material forming the second substrate 17, and the second medium layer is formed as the anode layer 2 forming the light propagation portion.
0a.

【０１７８】この実施の形態では、第２の基板１７の材
質として回折格子１２ａの形成に有利な材質を選択で
き、回折格子１２ａの形成が容易となる利点がある。例
えば、第１の基板１０とは異なりフレキシブルな基板材
料を用いることができる。特に、剛性のある型を用い
て、第２の基板１７の材料を第１の基板１０上に塗布し
加熱により硬化した後、型を剥離して格子部分を形成す
る場合には、型の剥離工程が容易となり格子の精度も向
上する。また、第２の基板１７上に発光素子部のみなら
ず他の部材やデバイスを設ける場合には、当該基板とし
て最適な材料を選択でき、最終的な発光装置において最
適な特性を得ることができる。In this embodiment, as the material of the second substrate 17, a material advantageous for forming the diffraction grating 12a can be selected, and there is an advantage that the formation of the diffraction grating 12a is facilitated. For example, unlike the first substrate 10, a flexible substrate material can be used. In particular, when the material of the second substrate 17 is applied to the first substrate 10 using a rigid mold and cured by heating, and then the mold is peeled off to form a lattice portion, the mold is peeled off. The process is facilitated and the accuracy of the grating is improved. In addition, when other members or devices are provided on the second substrate 17 in addition to the light emitting element portion, an optimal material can be selected for the substrate, and optimal characteristics can be obtained in a final light emitting device. .

【０１７９】本実施の形態に係る発光装置４０００のそ
の他の部分の構成および作用効果は、第３の実施の形態
に係る発光装置３０００と同様であるので、記載を省略
する。The configuration and operation and effects of the other parts of the light emitting device 4000 according to the present embodiment are the same as those of the light emitting device 3000 according to the third embodiment, and therefore description thereof is omitted.

【０１８０】［第５の実施の形態］図２０は、本実施の
形態に係る発光装置５０００の発光素子部１００ａおよ
び導波路部２００ａを模式的に示す斜視図であり、図２
１は図２０におけるＸ−Ｘ線に沿った断面図である。他
の発光素子部および導波路部はこれらと同様なので図示
を省略する。[Fifth Embodiment] FIG. 20 is a perspective view schematically showing a light emitting element portion 100a and a waveguide portion 200a of a light emitting device 5000 according to the present embodiment.
FIG. 1 is a sectional view taken along line XX in FIG. Other light emitting element portions and waveguide portions are the same as those described above, and are not shown.

【０１８１】発光装置５０００は、導波路部の構造がこ
れまで説明してきた実施の形態に係る発光装置と異な
る。発光装置１０００、２０００、３０００および４０
００と実質的に同様な機能を有する部分には同一の符号
を付し、主として、発光装置１０００、２０００、３０
００および４０００と異なる発光装置５０００の主要な
特徴部分のみを説明する。The light emitting device 5000 differs from the light emitting device according to the embodiment described above in the structure of the waveguide section. Light emitting devices 1000, 2000, 3000 and 40
Portions having functions substantially similar to those of the light emitting devices 1000, 2000, 30 are denoted by the same reference numerals.
Only the main features of the light emitting device 5000 different from 00 and 4000 will be described.

【０１８２】発光装置５０００は、基板１０と、この基
板１０上に形成された、発光素子部１００ａと、導波路
部２００ａとを有する。The light emitting device 5000 has a substrate 10, a light emitting element section 100a and a waveguide section 200a formed on the substrate 10.

【０１８３】本実施の形態においては、導波路部２００
ａに光ファイバ３００が搭載されている点に特徴を有す
る。光ファイバ３００は、コア層３１０、クラッド層３
２０および図示しない被覆層を有する。In the present embodiment, the waveguide section 200
It is characterized in that the optical fiber 300 is mounted on a. The optical fiber 300 includes a core layer 310, a clad layer 3
20 and a coating layer (not shown).

【０１８４】導波路部２００には、光ファイバ３００の
端部が載置、固定される光ファイバ収容部３３０が形成
されている。光ファイバ収容部３３０は、クラッド層３
２ａに形成された断面形状が矩形の第１の溝部３２ｄ
と、基板１０に形成された断面形状が三角形の第２の溝
部１０ｃとから構成される。光ファイバ収容部３３０
は、光ファイバ３００の端部を光ファイバ収容部３３０
に収容して位置合わせたときに、少なくとも導波路部２
００ａのコア層３０ａが光ファイバ３００のコア層３１
０に対向するように形成される。光ファイバ３００は、
接着などの方法によって導波路部２００ａに固定するこ
とができる。In the waveguide section 200, an optical fiber accommodating section 330 on which the end of the optical fiber 300 is placed and fixed is formed. The optical fiber accommodating section 330 includes the cladding layer 3
First groove 32d having a rectangular cross section formed in 2a
And a second groove 10c having a triangular cross section formed on the substrate 10. Optical fiber housing 330
Is the end of the optical fiber 300
At least when the waveguide portion 2
The core layer 30a of the optical fiber 300 is the core layer 31 of the optical fiber 300.
0 is formed. The optical fiber 300 is
It can be fixed to the waveguide section 200a by a method such as bonding.

【０１８５】この発光装置５０００によれば、発光素子
部１００ａによって発生させた光を導波路部２００ａを
介して光ファイバ３００に効率よく伝播させることがで
きる。この発光装置５０００は、光ファイバ３００を有
するので、例えば光通信デバイスの用途などに好ましく
適用することができる。According to the light emitting device 5000, the light generated by the light emitting element 100a can be efficiently transmitted to the optical fiber 300 via the waveguide 200a. Since the light emitting device 5000 has the optical fiber 300, it can be preferably applied to, for example, an application of an optical communication device.

【０１８６】本実施の形態に係る発光装置５０００のそ
の他の部分の構成および作用効果は、第１または他の実
施の形態に係る発光装置と同様であるので、記載を省略
する。The configuration, operation, and effect of the other portions of the light emitting device 5000 according to the present embodiment are the same as those of the light emitting device according to the first or other embodiments, and thus description thereof is omitted.

【０１８７】さらに、図示の例では、発光装置５０００
は、光ファイバ３００を一体的に有するが、これに限定
されない。例えば、発光装置５０００は、光ファイバを
有さず、導波路部２００ａに光ファイバ収容部３３０が
形成された構造でもよい。このデバイスの場合、必要な
ときに光ファイバを光ファイバ収容部３３０に接続すれ
ばよい。Further, in the illustrated example, the light emitting device 5000
Has the optical fiber 300 integrally, but is not limited to this. For example, the light emitting device 5000 may have no optical fiber, and may have a structure in which the optical fiber housing 330 is formed in the waveguide 200a. In the case of this device, an optical fiber may be connected to the optical fiber housing 330 when necessary.

【０１８８】また、図２０のように光ファイバ３００が
組み込まれたデバイスでは、保護層６０は、発光素子部
１００ａのみならず、さらに少なくとも光ファイバ３０
０の端部と光導波部２００ａのコア層３０ａとの当接部
を含んだ状態で、光ファイバ３００の一部を被覆するよ
うな構造としてもよい。この場合、光ファイバ３００の
固定がより確保される。In the device in which the optical fiber 300 is incorporated as shown in FIG. 20, the protective layer 60 includes not only the light emitting element 100a but also at least the optical fiber 30.
The optical fiber 300 may be configured to cover a part of the optical fiber 300 in a state where the optical fiber 300 includes an abutting portion between the end of the optical waveguide 200 and the core layer 30a of the optical waveguide 200a. In this case, the fixation of the optical fiber 300 is further ensured.

【０１８９】［第６の実施の形態］図２２は、本実施の
形態に係る発光装置６０００の発光素子部１００ａおよ
び導波路部２００ａの一部を模式的に示す平面図であ
り、図２３は図２２おけるＸ−Ｘ線に沿った断面図であ
る。他の発光素子部および導波路部はこれらと同様なの
で図示を省略する。図２２は、図２３に示す陽極層２０
ａ，絶縁層１６および回折格子１２ａを示し、発光層１
４および陰極層２２を省略して示している。[Sixth Embodiment] FIG. 22 is a plan view schematically showing a part of a light emitting element portion 100a and a waveguide portion 200a of a light emitting device 6000 according to this embodiment, and FIG. FIG. 23 is a sectional view taken along the line XX in FIG. 22. Other light emitting element portions and waveguide portions are the same as those described above, and are not shown. FIG. 22 shows the anode layer 20 shown in FIG.
a, an insulating layer 16 and a diffraction grating 12a;
4 and the cathode layer 22 are omitted.

【０１９０】発光装置６０００は、回折格子および陽極
層の構造が第１の実施の形態に係る発光装置１０００と
異なる。発光装置１０００と実質的に同様な機能を有す
る部分には同一の符号を付し、主として、発光装置１０
００と異なる発光装置６０００の主要な特徴部分のみを
説明する。発光装置６０００は、基板１０と、この基板
１０上に形成された、発光素子部１００ａと、導波路部
２００ａとを有する。Light emitting device 6000 is different from light emitting device 1000 according to the first embodiment in the structure of the diffraction grating and the anode layer. Portions having substantially the same functions as those of the light emitting device 1000 are denoted by the same reference numerals, and mainly the light emitting device 10
Only main features of the light emitting device 6000 different from 00 will be described. The light emitting device 6000 includes a substrate 10, a light emitting element unit 100a, and a waveguide unit 200a formed on the substrate 10.

【０１９１】発光素子部１００ａは、基板１０上に、光
伝播部の少なくとも一部を構成する陽極層２０ａ、回折
格子１２ａ、発光層１４および陰極層２２が、この順序
で配置されている。そして、回折格子１２ａの露出部に
は、クラッド層および電流狭窄層としても機能する絶縁
層１６が形成されている。そして、絶縁層１６は、回折
格子１２ａの周期方向に開口部１６ａを有する。この開
口部１６ａにおいて、回折格子１２ａおよび発光層１４
を介在させた状態で、陽極層２０ａと陰極層２２とが配
置されている。また、開口部１６ａ以外の領域において
は、陽極層２０ａと陰極層２２との間に絶縁層１６が介
在する。In the light emitting element section 100a, an anode layer 20a, a diffraction grating 12a, a light emitting layer 14, and a cathode layer 22 constituting at least a part of a light transmitting section are arranged on a substrate 10 in this order. In addition, an insulating layer 16 that also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed on the exposed portion of the diffraction grating 12a. The insulating layer 16 has an opening 16a in the periodic direction of the diffraction grating 12a. In the opening 16a, the diffraction grating 12a and the light emitting layer 14
, An anode layer 20a and a cathode layer 22 are arranged. In a region other than the opening 16a, the insulating layer 16 is interposed between the anode layer 20a and the cathode layer 22.

【０１９２】回折格子１２ａは、陽極層２０ａの上部に
形成され、かつ、後述する導波路部２００ａのコア層３
０ａと同じ幅を有する。回折格子１２ａの一方の媒質層
は、陽極層２０ａを構成する材料からなり、他方の媒質
層は発光層１４を構成する材料からなる。The diffraction grating 12a is formed on the anode layer 20a, and is formed on the core layer 3 of the waveguide section 200a described later.
It has the same width as 0a. One medium layer of the diffraction grating 12a is made of a material constituting the anode layer 20a, and the other medium layer is made of a material constituting the light emitting layer 14.

【０１９３】導波路部２００ａは、基板１０上に、コア
層３０ａと、このコア層３０ａの露出部分を覆うクラッ
ド層３２ａを有し、この導波路部２００ａに隣接して、
陰極電極取出部２４と、陽極電極取出部２６ａとが配置
されている。The waveguide section 200a has a core layer 30a and a cladding layer 32a covering an exposed portion of the core layer 30a on the substrate 10, and is adjacent to the waveguide section 200a.
A cathode electrode extraction section 24 and an anode electrode extraction section 26a are arranged.

【０１９４】発光素子部１００ａの陽極層２０ａは、光
学的に透明な導電材料で構成され、光伝播部の少なくと
も一部を構成する。そして、この陽極層２０ａと導波路
部２００ａのコア層３０ａとは一体的に連続して形成さ
れている。また、発光素子部１００ａの絶縁層（クラッ
ド層）１６と、導波路部２００ａのクラッド層３２ａと
は一体的に連続して形成されている。The anode layer 20a of the light emitting element section 100a is made of an optically transparent conductive material and forms at least a part of the light propagation section. The anode layer 20a and the core layer 30a of the waveguide section 200a are integrally and continuously formed. Further, the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100a and the cladding layer 32a of the waveguide section 200a are integrally and continuously formed.

【０１９５】本実施の形態で特徴的なことは、図２２に
示すように、絶縁層１６と重なる陽極層２０ａの面積Ｓ
が小さいことである。このことは、例えば第１の実施の
形態に係る発光装置１０００の製造方法を示す図６
（Ａ）と比較するとよくわかる。このように、絶縁層１
６と重なる陽極層２０ａの面積Ｓが小さいことにより、
陽極層２０ａ，絶縁層１６および陰極層２２で形成され
るキャパシタの平面積が小さくなり、そのキャパシタン
スを小さくできる。The feature of this embodiment is that, as shown in FIG. 22, the area S of the anode layer 20a overlapping the insulating layer 16 is small.
Is small. This means that, for example, FIG. 6 shows a method for manufacturing the light emitting device 1000 according to the first embodiment.
It is clearly understood when compared with (A). Thus, the insulating layer 1
Due to the small area S of the anode layer 20a overlapping with No. 6,
The plane area of the capacitor formed by the anode layer 20a, the insulating layer 16 and the cathode layer 22 is reduced, and the capacitance can be reduced.

【０１９６】したがって、この発光装置６０００は、寄
生的に形成されるキャパシタの影響が小さいことが望ま
れるデバイスに好適に用いられる。例えば、このような
発光装置６０００は、高周波が用いられる通信デバイス
において、キャパシタによる遅延効果を抑制できる。Therefore, light emitting device 6000 is suitably used for a device in which the effect of a parasitically formed capacitor is desired to be small. For example, such a light emitting device 6000 can suppress a delay effect due to a capacitor in a communication device using a high frequency.

【０１９７】本実施の形態に係る発光装置６０００のそ
の他の部分の構成および作用効果は、第１または他の実
施の形態に係る発光装置と同様であるので、記載を省略
する。Since the configuration and operation and effect of the other parts of the light emitting device 6000 according to the present embodiment are the same as those of the light emitting device according to the first or other embodiments, description thereof will be omitted.

【０１９８】［第７の実施の形態］図２４は、本実施の
形態に係る発光装置７０００の発光素子部１００ａおよ
び導波路部２００ａを模式的に示す斜視図であり、第１
の実施の形態を示す図１に対応する図である。他の発光
素子部および導波路部はこれらと同様なので図示を省略
する。[Seventh Embodiment] FIG. 24 is a perspective view schematically showing a light emitting element section 100a and a waveguide section 200a of a light emitting device 7000 according to the present embodiment.
FIG. 2 is a diagram corresponding to FIG. 1 and showing the embodiment. Other light emitting element portions and waveguide portions are the same as those described above, and are not shown.

【０１９９】発光装置７０００は、電極取出部の構造が
第１の実施の形態または他の実施の形態に係る発光装置
と異なる。発光装置１０００と実質的に同様な機能を有
する部分には同一の符号を付し、主として、発光装置１
０００と異なる発光装置７０００の主要な特徴部分のみ
を説明する。The light emitting device 7000 differs from the light emitting device according to the first embodiment or the other embodiments in the structure of the electrode extraction portion. Portions having functions substantially similar to those of the light emitting device 1000 are denoted by the same reference numerals, and mainly the light emitting device 1
Only the main features of the light emitting device 7000 different from 000 will be described.

【０２００】発光装置７０００は、基板１０と、この基
板１０上に形成された、発光素子部１００ａと、導波路
部２００ａとを有する。[0200] The light emitting device 7000 has a substrate 10, a light emitting element section 100a and a waveguide section 200a formed on the substrate 10.

【０２０１】導波路部２００ａは、基板１０上に、コア
層３０ａと、このコア層３０ａの露出部分を覆うクラッ
ド層３２ａとを有し、この導波路部２００ａに隣接して
陰極電極取出部２４と、陽極電極取出部２６ａとが配置
されている。そして、本実施の形態で特徴的なことは、
陰極電極取出部および陽極電極取出部の少なくとも一方
に、ＩＣドライバなどの電子素子が実装されていること
である。つまり、電極の露出部を電子素子の実装面とし
て利用することができる。図２４においては、電子素子
４００が陽極電極取出部２６ａ上に搭載されている状態
を模式的に表している。また、図２４には図示しない
が、電極取出部は必要に応じて所定パターンの配線を形
成するようにパターニングされる。The waveguide section 200a has a core layer 30a and a clad layer 32a covering an exposed portion of the core layer 30a on the substrate 10, and the cathode electrode extraction section 24 is disposed adjacent to the waveguide section 200a. And an anode electrode extraction portion 26a. The characteristic of the present embodiment is that
An electronic element such as an IC driver is mounted on at least one of the cathode electrode extraction section and the anode electrode extraction section. That is, the exposed portion of the electrode can be used as a mounting surface of the electronic element. FIG. 24 schematically illustrates a state in which the electronic element 400 is mounted on the anode electrode extraction portion 26a. Although not shown in FIG. 24, the electrode extraction portion is patterned so as to form a wiring of a predetermined pattern as necessary.

【０２０２】この発光装置７０００によれば、電極の露
出部を電子素子の実装面として利用することにより、集
積度の高いデバイスを構成できる。According to the light emitting device 7000, a device with a high degree of integration can be constructed by using the exposed portions of the electrodes as mounting surfaces for electronic elements.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を模
式的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置を模式的に示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ
１−Ｘ１線に沿った断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）のＸ
２−Ｘ２線に沿った断面図である。FIG. 2A is a plan view schematically showing the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a plan view of X in FIG.
It is sectional drawing which followed the 1-X1 line, (C) is X of (A).
It is sectional drawing along line 2-X2.

【図３】図２（Ａ）のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line YY of FIG.

【図４】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置の発光素子部１００ａに備えられる回折格子の平面
図であり、（Ｂ）は発光素子部１００ｂに備えられる回
折格子の平面図であり、（Ｃ）は発光素子部１００ｃに
備えられる回折格子の平面図である。FIG. 4A is a plan view of a diffraction grating provided in a light emitting element unit 100a of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a diffraction grating provided in a light emitting element unit 100b. FIG. 4C is a plan view of a diffraction grating provided in the light emitting element unit 100c.

【図５】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置の第１の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。5A is a plan view showing a first manufacturing step of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図６】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置の第２の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。6A is a plan view showing a second manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図７】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置の第３の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。FIG. 7A is a plan view showing a third manufacturing step of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図８】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置の第４の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。8A is a plan view showing a fourth manufacturing step of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図９】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る発光
装置の第５の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。9A is a plan view showing a fifth manufacturing step of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図１０】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る発
光装置を模式的に示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｘ１−Ｘ１線に沿った断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の
Ｘ２−Ｘ２線に沿った断面図である。FIG. 10A is a plan view schematically showing a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10B is a sectional view taken along line X1-X1 in FIG. (C) is a sectional view taken along line X2-X2 of (A).

【図１１】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る発
光装置の第１の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。11A is a plan view showing a first manufacturing step of the light emitting device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 11B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図１２】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る発
光装置の第２の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。FIG. 12A is a plan view illustrating a second manufacturing step of the light emitting device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 12B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図１３】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る発
光装置の第３の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。13A is a plan view showing a third manufacturing step of the light emitting device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 13B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図１４】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る発
光装置の第４の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図であ
り、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。14A is a plan view showing a fourth manufacturing step of the light emitting device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 14B is a plan view taken along line X1-X1 of FIG. (C) is a cross-sectional view along line X2-X2.

【図１５】（Ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る
発光装置の第５の製造工程を示す平面図であり、（Ｂ）
は（Ａ）に示す平面図のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図で
あり、（Ｃ）はＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。FIG. 15A is a plan view showing a fifth manufacturing step of the light emitting device according to the second embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line X1-X1 of the plan view shown in FIG. 2A, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line X2-X2 in FIG.

【図１６】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係る発
光装置の一部を模式的に示す断面図であり、（Ｂ）は発
光素子部の部分断面図であり、（Ｃ）は導波路部の部分
断面図である。16A is a sectional view schematically showing a part of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 16B is a partial sectional view of a light emitting element portion, and FIG. () Is a partial sectional view of the waveguide portion.

【図１７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第３の実施の形
態に係る発光装置の発光素子部の製造工程を示す断面図
である。FIGS. 17A to 17D are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a light-emitting element portion of a light-emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図１８】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第３の実施の形
態に係る発光装置の発光素子部の製造工程を示す断面図
である。FIGS. 18A to 18D are cross-sectional views illustrating a process for manufacturing a light-emitting element portion of a light-emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の
一部を模式的に示す断面図である。FIG. 19 is a sectional view schematically showing a part of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図２０】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の
一部を模式的に示す斜視図である。FIG. 20 is a perspective view schematically showing a part of a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図２１】図２０のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。FIG. 21 is a sectional view taken along line XX of FIG. 20;

【図２２】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の
一部を模式的に示す平面図である。FIG. 22 is a plan view schematically showing a part of a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図２３】図２２のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。FIG. 23 is a sectional view taken along line XX of FIG. 22;

【図２４】本発明の第７の実施の形態に係る発光装置の
一部を模式的に示す斜視図である。FIG. 24 is a perspective view schematically showing a part of a light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 基板 １２ａ〜１２ｃ 回折格子 １４ 発光層 １６ 絶縁層（クラッド層、電流狭窄層） ２０ａ〜２０ｃ 陽極層 ２２ 陰極層 ２４ 陰極電極取出部 ２６ａ〜２６ｃ 陽極電極取出部 ３０ａ〜３０ｄ コア層 ３２ａ〜３２ｃ クラッド層 ６０ 保護層 １００ａ〜１００ｃ 発光素子部 ２００ａ〜２００ｃ 導波路部 ３００ 光ファイバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12a-12c Diffraction grating 14 Light emitting layer 16 Insulating layer (cladding layer, current confinement layer) 20a-20c Anode layer 22 Cathode layer 24 Cathode electrode extraction part 26a-26c Anode electrode extraction part 30a-30d Core layer 32a-32c Cladding Layer 60 Protective layer 100a-100c Light emitting element part 200a-200c Waveguide part 300 Optical fiber

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H038 AA22 BA25 3K007 AB00 BB00 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA04 5F041 AA04 AA09 AA12 EE01 FF14Continued on the front page F term (reference) 2H038 AA22 BA25 3K007 AB00 BB00 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA04 5F041 AA04 AA09 AA12 EE01 FF14

Claims (28)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に、複数の発光素子部と、前記複
数の発光素子部のそれぞれに対応し、前記複数の発光素
子部からの光を伝達する複数の導波路部と、を一体的に
有し、 前記発光素子部は、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
と、 前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、 前記発光層において発生した光を伝播するための光伝播
部と、 前記光伝播部に接して配置され、クラッド層として機能
しうる絶縁層と、 前記光伝播部を伝播する光のための回折格子と、を含
み、 前記導波路部は、 前記光伝播部の少なくとも一部と一体的に連続するコア
層と、 前記絶縁層と一体的に連続するクラッド層と、を含み、 前記複数の発光素子部の少なくとも一つの前記回折格子
のピッチの光学長を、他の前記発光素子部の前記回折格
子のピッチの光学長と異ならせることにより、 少なくとも一つの光の共振波長が他の光の共振波長と異
なる、複数の異なる共振波長の光を出射可能な発光装
置。1. A plurality of light emitting element sections and a plurality of waveguide sections corresponding to each of the plurality of light emitting element sections and transmitting light from the plurality of light emitting element sections are integrally formed on a substrate. A light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, a pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer, and light propagation for propagating light generated in the light emitting layer. And an insulating layer disposed in contact with the light propagation unit and capable of functioning as a clad layer; and a diffraction grating for light propagating through the light propagation unit. The waveguide unit includes: A core layer that is integrally continuous with at least a part of the portion, and a cladding layer that is continuously continuous with the insulating layer, wherein the optical length of the pitch of at least one of the diffraction gratings of the plurality of light emitting element portions is Of the other light emitting element portion Serial by varying the optical length of the pitch of the diffraction grating, at least one of the resonance wavelength of light is different from the resonant wavelength of the other light emitting light emitting device capable of light of a plurality of different resonance wavelengths. 【請求項２】 請求項１において、 前記絶縁層は、前記一対の電極層の間に配置され、 前記絶縁層は、その一部に開口部を有し、前記発光層の
少なくとも一部は前記開口部に配置される、発光装置。2. The insulating layer according to claim 1, wherein the insulating layer is disposed between the pair of electrode layers, the insulating layer has an opening in a part thereof, and at least a part of the light emitting layer has the opening. A light emitting device arranged in the opening. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記一対の電極層の一方は、透明な導電材料からなり、 前記電極層は前記光伝播部の少なくとも一部および前記
コア層としても機能しうる発光装置。3. The light emitting device according to claim 1, wherein one of the pair of electrode layers is made of a transparent conductive material, and the electrode layer functions as at least a part of the light propagation portion and the core layer. apparatus. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記コア層は、少なくとも前記回折格子の形成領域に連
続する発光装置。4. The light emitting device according to claim 1, wherein the core layer is continuous with at least a region where the diffraction grating is formed. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、 前記回折格子は、前記光伝播部に形成される発光装置。5. The light emitting device according to claim 1, wherein the diffraction grating is formed in the light propagation unit. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかにおいて、 少なくとも前記発光素子部は、保護層によって覆われた
発光装置。6. The light emitting device according to claim 1, wherein at least the light emitting element portion is covered with a protective layer. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかにおいて、 さらに、前記導波路部は、その表面に電極取出部を有す
る発光装置。7. The light emitting device according to claim 1, wherein the waveguide portion has an electrode extraction portion on a surface thereof. 【請求項８】 請求項７において、 前記電極取出部は、陽極および陰極のための第１および
第２の電極取出部からなり、前記第１および第２の電極
取出部は、前記一対の電極層の一方と同じ材料からなる
発光装置。8. The electrode extraction part according to claim 7, wherein the electrode extraction part comprises first and second electrode extraction parts for an anode and a cathode, and the first and second electrode extraction parts are formed of the pair of electrodes. A light emitting device made of the same material as one of the layers. 【請求項９】 請求項１において、 前記一対の電極層は、陽極層と陰極層とから構成され、 前記陽極層は、透明な材質を含み、 前記陽極層は、前記基板上に形成され、 前記陽極層は、前記光伝播部の少なくとも一部として機
能し、 前記回折格子は、前記陽極層の一部に形成されており、 前記絶縁層の開口部は、前記回折格子に面しており、 前記発光層は、少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に
存在しており、 前記コア層は、前記陽極層と一体的に連続し、 前記クラッド層は、前記コア層の露出部分を覆っている
発光装置。9. The method according to claim 1, wherein the pair of electrode layers includes an anode layer and a cathode layer, the anode layer includes a transparent material, and the anode layer is formed on the substrate. The anode layer functions as at least a part of the light propagation unit, the diffraction grating is formed in a part of the anode layer, and the opening of the insulating layer faces the diffraction grating. Wherein the light emitting layer is at least partially present in an opening of the insulating layer; the core layer is integrally continuous with the anode layer; and the cladding layer covers an exposed portion of the core layer. Light emitting device. 【請求項１０】 請求項１において、 前記一対の電極層は、陽極層と陰極層とから構成され、 前記回折格子は、前記基板の一部に形成され、 前記陽極層は、透明な材質を含み、 前記陽極層は、前記回折格子上に形成され、 前記陽極層は、前記光伝播部の少なくとも一部として機
能し、 前記絶縁層の開口部は、前記陽極層に面しており、 前記発光層は、少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に
存在しており、 前記コア層は、前記陽極層と一体的に連続し、 前記クラッド層は、前記コア層の露出部分を覆っている
発光装置。10. The device according to claim 1, wherein the pair of electrode layers includes an anode layer and a cathode layer, the diffraction grating is formed on a part of the substrate, and the anode layer is formed of a transparent material. Wherein the anode layer is formed on the diffraction grating; the anode layer functions as at least a part of the light propagation portion; an opening of the insulating layer faces the anode layer; At least a portion of the light emitting layer is present in the opening of the insulating layer, the core layer is integrally continuous with the anode layer, and the cladding layer covers an exposed portion of the core layer. Light emitting device. 【請求項１１】 請求項１において、 前記基板上に配置され、一部に前記回折格子が形成され
た格子基板を備え、 前記一対の電極層は、陽極層と陰極層とから構成され、 前記陽極層は、透明な材質を含み、 前記陽極層は、前記格子基板の前記回折格子上に形成さ
れ、 前記陽極層は、前記光伝播部の少なくとも一部として機
能し、 前記絶縁層の開口部は、前記陽極層に面しており、 前記発光層は、少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に
存在しており、 前記コア層は、前記格子基板上に形成され、 前記コア層は、前記陽極層と一体的に連続し、 前記クラッド層は、前記コア層の露出部分を覆っている
発光装置。11. The device according to claim 1, further comprising: a grating substrate disposed on the substrate and partially including the diffraction grating, wherein the pair of electrode layers includes an anode layer and a cathode layer, The anode layer includes a transparent material; the anode layer is formed on the diffraction grating of the grating substrate; the anode layer functions as at least a part of the light propagation unit; Faces the anode layer, at least a part of the light emitting layer is present in an opening of the insulating layer, the core layer is formed on the grid substrate, and the core layer is The light emitting device, wherein the light emitting device is integrally continuous with the anode layer, and the clad layer covers an exposed portion of the core layer. 【請求項１２】 請求項９〜１１のいずれかにおいて、 少なくとも前記発光素子部は、保護層によって覆われた
発光装置。12. The light emitting device according to claim 9, wherein at least the light emitting element portion is covered with a protective layer. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかにおいて、 前記導波路部は、光ファイバを位置あわせした状態で配
置できる光ファイバ収容部を有する発光装置。13. The light emitting device according to claim 1, wherein the waveguide section has an optical fiber housing section in which the optical fibers can be arranged in an aligned state. 【請求項１４】 請求項１〜１２のいずれかにおいて、 前記導波路部は、光ファイバを位置あわせした状態で配
置できる光ファイバ収容部を有し、該光ファイバ収容部
に光ファイバの端部が装着された、光ファイバを有する
発光装置。14. The optical waveguide according to claim 1, wherein the waveguide section has an optical fiber housing section in which the optical fiber can be arranged in an aligned state, and the optical fiber housing section has an end portion of the optical fiber. A light emitting device having an optical fiber to which is attached. 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかにおいて、 前記一対の電極層の少なくとも一方は前記回折格子の一
部と接続され、該電極層が前記絶縁層と重なる面積を規
定してキャパシタンスをコントロールした発光装置。15. The capacitance according to claim 1, wherein at least one of the pair of electrode layers is connected to a part of the diffraction grating, and defines an area where the electrode layer overlaps the insulating layer to reduce capacitance. A controlled light emitting device. 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれかにおいて、 さらに、電子素子が実装される面を有する発光装置。16. The light emitting device according to claim 1, further comprising a surface on which an electronic element is mounted. 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれかにおいて、 前記回折格子は、分布帰還型の回折格子である発光装
置。17. The light emitting device according to claim 1, wherein the diffraction grating is a distributed feedback type diffraction grating. 【請求項１８】 請求項１７において、 前記回折格子は、λ／４位相シフト構造を有する発光装
置。18. The light emitting device according to claim 17, wherein the diffraction grating has a λ / 4 phase shift structure. 【請求項１９】 請求項１７において、 前記回折格子は、利得結合型構造を有する発光装置。19. The light emitting device according to claim 17, wherein the diffraction grating has a gain coupling type structure. 【請求項２０】 請求項１〜１６のいずれかにおいて、 前記回折格子は、分布ブラッグ反射型の回折格子である
発光装置。20. The light emitting device according to claim 1, wherein the diffraction grating is a distributed Bragg reflection type diffraction grating. 【請求項２１】 請求項１〜２０のいずれかにおいて、 前記発光層は、発光材料として有機発光材料を含む発光
装置。21. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains an organic light emitting material as a light emitting material. 【請求項２２】 請求項１〜２１のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子は、それぞれ、同じ材料からなり、
かつ異なるピッチ長を有する発光装置。22. The method according to claim 1, wherein each of the plurality of diffraction gratings is made of the same material.
Light emitting devices having different pitch lengths. 【請求項２３】 請求項１〜２１のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子は、それぞれ、異なる材料からな
り、かつ同じピッチ長を有する発光装置。23. The light emitting device according to claim 1, wherein each of the plurality of diffraction gratings is made of a different material and has the same pitch length. 【請求項２４】 請求項１〜２１のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子は、それぞれ、異なる材料からな
り、かつ異なるピッチ長を有する発光装置。24. The light emitting device according to claim 1, wherein each of the plurality of diffraction gratings is made of a different material and has a different pitch length. 【請求項２５】 請求項１〜２４のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子のそれぞれに対応して、前記電極層
を独立に制御可能な発光装置。25. The light emitting device according to claim 1, wherein the electrode layer can be independently controlled corresponding to each of the plurality of diffraction gratings. 【請求項２６】 請求項２５において、 前記陽極層は、互いに電気的に分離された複数の陽極層
を含み、 前記複数の陽極層は、それぞれ、前記複数の発光素子部
と対応し、 前記複数の発光素子部は、前記陰極層を共通電極として
いる発光装置。26. The anode layer according to claim 25, wherein the anode layer includes a plurality of anode layers electrically separated from each other, wherein the plurality of anode layers respectively correspond to the plurality of light emitting element units. A light emitting device according to (1), wherein the cathode layer is a common electrode. 【請求項２７】 請求項１〜２６のいずれかにおいて、 さらに他の導波路部を備え、 前記複数の発光素子部の前記導波路部は、それぞれ、前
記基板上で前記他の導波路部と光学的に接続され、 前記複数の発光素子部で発生した光は、それぞれ、前記
他の導波路部から外部に出射される発光装置。27. The light-emitting device according to claim 1, further comprising another waveguide, wherein the waveguides of the plurality of light emitting element units are each provided on the substrate with the other waveguide. A light emitting device which is optically connected and emits light generated by the plurality of light emitting element portions to the outside from the other waveguide portions, respectively. 【請求項２８】 請求項１〜２６のいずれかにおいて、 前記複数の発光素子部で発生した光は、それぞれ、前記
複数の発光素子部のそれぞれの前記導波路部から外部に
出射される発光装置。28. A light-emitting device according to claim 1, wherein the light generated by the plurality of light-emitting element portions is emitted to the outside from each of the waveguide portions of the plurality of light-emitting element portions. .
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