JP2001296548A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2001296548A JP2001296548A JP2000109340A JP2000109340A JP2001296548A JP 2001296548 A JP2001296548 A JP 2001296548A JP 2000109340 A JP2000109340 A JP 2000109340A JP 2000109340 A JP2000109340 A JP 2000109340A JP 2001296548 A JP2001296548 A JP 2001296548A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- tft
- switching elements
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来の液晶表示装置における構成はスイッチ
ング素子の電流制御能力はチャンネル部の構成（一般に
チャンネル長Ｌ及び幅Ｗ）特にチャンネル幅のＷで大き
く制限される。必要なＴＦＴ能力を得るためにはのＬを
長くする必要があり（ＴＦＴ形成領域の拡大）、結果と
して画素電極領域の縮小による表示性能特に輝度の低下
を引き起こす。ＴＦＴの特性を向上する事によって輝度
向上等の画像表示性能の大幅な改善につなげる。 【解決手段】 このために、ＴＦＴ形成領域となる透明
絶縁性用面を凹状部の構造としＴＦＴ形成領域の面積を
拡大することなくＴＦＴの特性向上が可能となり、液晶
表示装置の輝度向上等の性能向上につなげる。
ング素子の電流制御能力はチャンネル部の構成（一般に
チャンネル長Ｌ及び幅Ｗ）特にチャンネル幅のＷで大き
く制限される。必要なＴＦＴ能力を得るためにはのＬを
長くする必要があり（ＴＦＴ形成領域の拡大）、結果と
して画素電極領域の縮小による表示性能特に輝度の低下
を引き起こす。ＴＦＴの特性を向上する事によって輝度
向上等の画像表示性能の大幅な改善につなげる。 【解決手段】 このために、ＴＦＴ形成領域となる透明
絶縁性用面を凹状部の構造としＴＦＴ形成領域の面積を
拡大することなくＴＦＴの特性向上が可能となり、液晶
表示装置の輝度向上等の性能向上につなげる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ックス方式の液晶表示装置に関する。
ックス方式の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を応用した表示装置は、低電力、軽
量さと従来のディスプレイにない特徴をもち、中でも画
素毎にスイッチング素子をもつ薄膜トランジスタを用い
たアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、クロス
トークの少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノ
ートパソコンやカーナビゲーションのディスプレイ等に
使用され、さらに近年では大型ディスプレイモニタとし
て急速に利用されるようになってきた。
量さと従来のディスプレイにない特徴をもち、中でも画
素毎にスイッチング素子をもつ薄膜トランジスタを用い
たアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、クロス
トークの少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノ
ートパソコンやカーナビゲーションのディスプレイ等に
使用され、さらに近年では大型ディスプレイモニタとし
て急速に利用されるようになってきた。
【０００３】以下、従来のアクティブマトリックス方式
の液晶表示装置の一例について、図面を用いて説明す
る。図３は従来のアクティブマトリックス方式の液晶表
示装置の薄膜トランジスター（以下ＴＦＴと記載）部分
及び蓄積容量部のの概略図であり図４は図３におけるＡ
−Ａ’断面図である。図中、ガラス基板１上にマトリッ
クス状に配列されたＴＦＴのゲート電極２、３はそのＴ
ＦＴのゲート電極に走査信号を供給するソース電極、５
はゲート電極２上に積層した絶縁体層で、４はＴＦＴの
ゲート絶縁膜３の上に形成されたＴＦＴのチャンネル領
域を形成するアモルファスシリコン半導体膜、６は画素
電極に接続したソース電極である。
の液晶表示装置の一例について、図面を用いて説明す
る。図３は従来のアクティブマトリックス方式の液晶表
示装置の薄膜トランジスター（以下ＴＦＴと記載）部分
及び蓄積容量部のの概略図であり図４は図３におけるＡ
−Ａ’断面図である。図中、ガラス基板１上にマトリッ
クス状に配列されたＴＦＴのゲート電極２、３はそのＴ
ＦＴのゲート電極に走査信号を供給するソース電極、５
はゲート電極２上に積層した絶縁体層で、４はＴＦＴの
ゲート絶縁膜３の上に形成されたＴＦＴのチャンネル領
域を形成するアモルファスシリコン半導体膜、６は画素
電極に接続したソース電極である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の液晶表示装置における構成はスイッチング
素子の電流制御能力はチャンネル部の構成（一般にチャ
ンネル長Ｌ及び幅Ｗ）特にチャンネル幅のＷで大きく制
限される。必要なＴＦＴ能力を得るためにはのＬを長く
する必要があり（ＴＦＴ形成領域の拡大）、結果として
画素電極領域の縮小による表示性能特に輝度の低下を引
き起こす事になる。
ような従来の液晶表示装置における構成はスイッチング
素子の電流制御能力はチャンネル部の構成（一般にチャ
ンネル長Ｌ及び幅Ｗ）特にチャンネル幅のＷで大きく制
限される。必要なＴＦＴ能力を得るためにはのＬを長く
する必要があり（ＴＦＴ形成領域の拡大）、結果として
画素電極領域の縮小による表示性能特に輝度の低下を引
き起こす事になる。
【０００５】本発明は、上記問題を解決するもので、Ｔ
ＦＴの特性を向上する事によって輝度向上等の画像表示
性能の大幅な改善につなげることを目的とする。
ＦＴの特性を向上する事によって輝度向上等の画像表示
性能の大幅な改善につなげることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、ＴＦＴ形成領域となる透明絶縁性用面を凹状部の構
造としＴＦＴ形成領域の面積を拡大することなくＴＦＴ
の特性向上が可能となり、液晶表示装置の輝度向上等の
性能向上につなげることを目的とする。
に、ＴＦＴ形成領域となる透明絶縁性用面を凹状部の構
造としＴＦＴ形成領域の面積を拡大することなくＴＦＴ
の特性向上が可能となり、液晶表示装置の輝度向上等の
性能向上につなげることを目的とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁性透明基板上にマトリックス状に配列された複
数の画素電極と、複数の前記画素電極に対応して配列さ
れた薄膜トランジスタからなる複数のスイッチング素子
と、この複数のスイッチング素子のゲート電極を兼ね、
複数の前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査
信号供給配線と、複数の前記スイッチング素子を介して
複数の前記画素電極に映像信号を供給する映像信号供給
配線とを有し、複数の前記スイッチング素子の形成領域
となる前記絶縁性透明基板領表面に１カ所又は複数の凹
状部を有することを特徴とし、液晶表示装置の輝度向上
につなげることができる。
は、絶縁性透明基板上にマトリックス状に配列された複
数の画素電極と、複数の前記画素電極に対応して配列さ
れた薄膜トランジスタからなる複数のスイッチング素子
と、この複数のスイッチング素子のゲート電極を兼ね、
複数の前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査
信号供給配線と、複数の前記スイッチング素子を介して
複数の前記画素電極に映像信号を供給する映像信号供給
配線とを有し、複数の前記スイッチング素子の形成領域
となる前記絶縁性透明基板領表面に１カ所又は複数の凹
状部を有することを特徴とし、液晶表示装置の輝度向上
につなげることができる。
【０００８】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【０００９】（実施の形態）図１は本発明の実施の形態
におけるアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の
概略図である。図１（ａ）はＴＦＴ部を示す一部概略図
である。図１（ｂ）は蓄積容量部を示す一部概略図であ
る。図２は図１におけるＡ−Ａ’の断面図である。図２
（ａ）はＴＦＴ部を示す一部断面図である。図２（ｂ）
は蓄積容量部を示す一部断面図である。従来例を示す図
３、図４と同じ部分については同じ符号を付す。図１、
図２において、ガラス基板１上にマトリックス状に配列
されたＴＦＴのゲート電極２、３はそのＴＦＴのゲート
電極に走査信号を供給するソース電極、５はゲート電極
２上に積層した絶縁体層で、４はＴＦＴのゲート絶縁膜
３の上に形成されたＴＦＴのチャンネル領域を形成する
アモルファスシリコン半導体膜、６画素電極に接続した
ソース電極であり、７はガラス基板表面に形成した凹部
である。
におけるアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の
概略図である。図１（ａ）はＴＦＴ部を示す一部概略図
である。図１（ｂ）は蓄積容量部を示す一部概略図であ
る。図２は図１におけるＡ−Ａ’の断面図である。図２
（ａ）はＴＦＴ部を示す一部断面図である。図２（ｂ）
は蓄積容量部を示す一部断面図である。従来例を示す図
３、図４と同じ部分については同じ符号を付す。図１、
図２において、ガラス基板１上にマトリックス状に配列
されたＴＦＴのゲート電極２、３はそのＴＦＴのゲート
電極に走査信号を供給するソース電極、５はゲート電極
２上に積層した絶縁体層で、４はＴＦＴのゲート絶縁膜
３の上に形成されたＴＦＴのチャンネル領域を形成する
アモルファスシリコン半導体膜、６画素電極に接続した
ソース電極であり、７はガラス基板表面に形成した凹部
である。
【００１０】実施の形態を示す図１および図２と従来例
を示す図３および図４とが異なるところは以下のとうり
である。すなわち、従来の液晶表示装置における構成は
スイッチング素子の特性を向上するためにその専有面積
を広くする必要があり、結果として輝度低下等の画像の
不具合等を引き起こす事になる。
を示す図３および図４とが異なるところは以下のとうり
である。すなわち、従来の液晶表示装置における構成は
スイッチング素子の特性を向上するためにその専有面積
を広くする必要があり、結果として輝度低下等の画像の
不具合等を引き起こす事になる。
【００１１】これに対し、本発明は図１、図２に示すよ
うにＴＦＴ形成領域を凹状部を有したガラス基板状とす
ることを特徴とする。
うにＴＦＴ形成領域を凹状部を有したガラス基板状とす
ることを特徴とする。
【００１２】これによってＴＦＴの性能を決定するチャ
ンネル長のＷを平面的には従来以下であるが実効的には
従来以上の長さを確保することができる。実施例におい
ては幅５μm×深さ約２μmの凹状部を１カ所としたが、
ＴＦＴ特性は約１．５倍となった。
ンネル長のＷを平面的には従来以下であるが実効的には
従来以上の長さを確保することができる。実施例におい
ては幅５μm×深さ約２μmの凹状部を１カ所としたが、
ＴＦＴ特性は約１．５倍となった。
【００１３】蓄積容量部に関してもその実行面積が約
１．８倍と大幅に拡大できる。
１．８倍と大幅に拡大できる。
【００１４】なお、本実施の形態では、凹状部の断面形
状が、底部の平坦な溝状であるが、他の断面形状として
もよく、チャンネル長のＷを大きくする断面形状は設計
的に適宜選択してもよいことはいうまでもない。
状が、底部の平坦な溝状であるが、他の断面形状として
もよく、チャンネル長のＷを大きくする断面形状は設計
的に適宜選択してもよいことはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明の液晶表示装置によ
れば、ＴＦＴおよび蓄積容量形成部のガラス基板表面を
凹形状とすることにより、ＴＦＴの特性の向上、蓄積容
量部の大幅な面積縮小が可能となり、これにより１５．
０インチ画面サイズ液晶表示装置において輝度が約８％
向上し、産業的価値が大きい。
れば、ＴＦＴおよび蓄積容量形成部のガラス基板表面を
凹形状とすることにより、ＴＦＴの特性の向上、蓄積容
量部の大幅な面積縮小が可能となり、これにより１５．
０インチ画面サイズ液晶表示装置において輝度が約８％
向上し、産業的価値が大きい。
【図１】本発明の実施の形態における液晶表示装置の一
部概略図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部概略図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部概略図
部概略図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部概略図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部概略図
【図２】本発明の実施の形態における液晶表示装置の一
部断面図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部断面図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部断面図
部断面図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部断面図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部断面図
【図３】従来の液晶表示装置における液晶表示装置の一
部概略図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部概略図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部概略図
部概略図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部概略図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部概略図
【図４】従来の液晶表示装置における液晶表示装置の一
部断面図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部断面図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部断面図
部断面図 （ａ）はＴＦＴ部を示す一部断面図 （ｂ）は蓄積容量部を示す一部断面図
１ ガラス基板 ２ ゲート電極（走査信号供給配線） ３ ソース電極 ４ アモルファスシリコン半導体膜 ５ 絶縁膜 ６ ドレイン電極 ７ ガラス基板表面の凹領域
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性透明基板上にマトリックス状に配
列された複数の画素電極と、複数の前記画素電極に対応
して配列された薄膜トランジスタからなる複数のスイッ
チング素子と、この複数のスイッチング素子のゲート電
極を兼ね、複数の前記スイッチング素子に走査信号を供
給する走査信号供給配線と、複数の前記スイッチング素
子を介して複数の前記画素電極に映像信号を供給する映
像信号供給配線とを有し、複数の前記スイッチング素子
の形成領域となる前記絶縁性透明基板領表面に１カ所又
は複数の凹状部を有することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 画素電極が電荷を蓄積保持する蓄積容量
部を有し、前記蓄積容量の形成領域となる、絶縁性透明
基板領表面のに１カ所又は複数の凹状部を有することを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２のいずれか一つ
に記載の液晶表示装置の絶縁性透明基板領表面に凹状部
を形成する工程において、フッ素系のガスを用いたドラ
イエッチ工法を採用することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２のいずれか一つ
に記載の液晶表示装置の絶縁性透明基板領表面に凹状部
を形成する工程において、フッ酸またはリン酸をを含む
薬液を用いたウェットエッチ工法を採用することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109340A JP2001296548A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109340A JP2001296548A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001296548A true JP2001296548A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18622045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000109340A Pending JP2001296548A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001296548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100920316B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2009-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| JP2015005738A (ja) * | 2013-05-20 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000109340A patent/JP2001296548A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100920316B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2009-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| JP2015005738A (ja) * | 2013-05-20 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
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