JP2001291874A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor with an inverted staggered thin film transistor. SOLUTION: This semiconductor device is provided with a gate electrode which consists of alminum on a substrate, films which consist of alminum oxide on the gate electrode, an amorphous silicon film on the film which consists of the alminum oxide, and a silicon nitride film over the gate electrode, and an amorphous silicon film of ntype on the silicon nitride film and the amorphous silicon film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た金属膜に対して、陽極酸化を施すための装置および方
法に関する。The present invention relates to an apparatus and a method for anodizing a metal film formed on a substrate.

【０００２】また本発明は、薄膜半導体素子を有する基
板の配線または電極に対し、陽極酸化を施すための装置
および方法に関する。[0002] The present invention also relates to an apparatus and a method for anodizing a wiring or an electrode of a substrate having a thin film semiconductor element.

【０００３】また本発明は、基板を一枚づつ処理する、
枚葉式の陽極酸化装置および方法に関する。[0003] The present invention also provides a method for processing substrates one by one.
The present invention relates to a single-wafer anodizing apparatus and method.

【０００４】[0004]

【従来の技術】近年、ガラス等の絶縁表面を有する基板
上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード
（ＴＦＤ）等の薄膜半導体素子を用いた集積回路を設け
る技術の研究が盛んである。例えば、アクティブマトリ
クス型の液晶ディスプレイや、イメージセンサ等であ
る。特に、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイ
は、各画素のスイッチング用の薄膜半導体素子と、液晶
ディスプレイを駆動するための周辺駆動回路とを同一基
板上に形成する、モノリシック型の構成が好まれてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, there has been much research into techniques for providing an integrated circuit using a thin film semiconductor element such as a thin film transistor (TFT) or thin film diode (TFD) on a substrate having an insulating surface such as glass. For example, it is an active matrix type liquid crystal display, an image sensor, or the like. In particular, an active matrix type liquid crystal display is preferably of a monolithic type in which a thin film semiconductor element for switching each pixel and a peripheral driving circuit for driving the liquid crystal display are formed on the same substrate.

【０００５】このような、絶縁表面を有する基板上に薄
膜半導体素子を用いた回路を形成するための製造工程に
おいて、陽極酸化技術がしばしば用いられる。陽極酸化
とは、直流電源の正側すなわち陽極に酸化される金属を
接続し、この金属と、直流電源の負側すなわち陰極に接
続された電極とを、陽極酸化液（陽極酸化を行なうため
の電解質を有する液体）中に浸し、両電極間に電流を流
して陽極に接続された金属を酸化させる技術である。In such a manufacturing process for forming a circuit using a thin film semiconductor element on a substrate having an insulating surface, an anodic oxidation technique is often used. Anodization refers to connecting a metal that is oxidized to the positive side of the DC power supply, that is, the anode, and connecting this metal and the electrode connected to the negative side of the DC power supply, that is, the cathode, with an anodizing solution (for performing anodizing). (A liquid having an electrolyte), and a current is passed between both electrodes to oxidize the metal connected to the anode.

【０００６】この陽極酸化により形成される陽極酸化物
は、バリア型の陽極酸化物と、ポーラス型の陽極酸化物
の２種に大別される。バリア型の陽極酸化物は、陽極酸
化液として３〜１０％の酒石酸、蓚酸、酢酸等の中性〜
弱酸性の電解液を用いることで得られる。バリア型の陽
極酸化物は、緻密な組成を有しており、また極めて絶縁
性が高く、ピンホールの少ない、高い耐圧を有する絶縁
物となる。また透光性を有する。薄膜半導体素子を用い
た回路においては、このようなバリア型の陽極酸化物
を、例えば、配線の表面部分に形成し、配線間のリーク
防止に利用する。さらには、ＭＩＭ（金属−絶縁物−金
属）型のダイオードの金属−絶縁物接合を形成する絶縁
物としても用いられる。The anodic oxide formed by this anodic oxidation is roughly classified into two types: a barrier type anodic oxide and a porous type anodic oxide. The barrier type anodic oxide is neutral to 3 to 10% tartaric acid, oxalic acid, acetic acid, etc.
It is obtained by using a weakly acidic electrolytic solution. The barrier type anodic oxide has a dense composition, has extremely high insulating properties, has few pinholes, and has high withstand voltage. In addition, it has translucency. In a circuit using a thin-film semiconductor element, such a barrier-type anodic oxide is formed, for example, on a surface portion of a wiring, and is used for preventing leakage between wirings. Further, it is also used as an insulator for forming a metal-insulator junction of an MIM (metal-insulator-metal) diode.

【０００７】一方、ポーラス型の陽極酸化物は、陽極酸
化液として３〜２０％のクエン酸、硝酸、燐酸、クロム
酸、硫酸等の酸性水溶液を用いることで得られる。ポー
ラス型の陽極酸化物は、多孔質を有し、またエッチング
により容易に加工できる。多孔質であるため、孔に染料
を混入させて着色等にも利用される。On the other hand, a porous type anodic oxide can be obtained by using a 3 to 20% acidic aqueous solution of citric acid, nitric acid, phosphoric acid, chromic acid, sulfuric acid or the like as an anodizing solution. The porous anodic oxide has porosity and can be easily processed by etching. Since it is porous, it is also used for coloring by mixing a dye into the pores.

【０００８】さらに、これら陽極酸化物を、結晶性の半
導体（通常は結晶性を有するが単結晶でない、非単結晶
の半導体）を用いた絶縁ゲイト型の薄膜トランジスタの
作製工程において積極的に利用することが、本出願人に
よる出願である、特願平５−２８９９０号等に示されて
いる。Further, these anodic oxides are positively utilized in a process of manufacturing an insulating gate type thin film transistor using a crystalline semiconductor (usually a non-single-crystal semiconductor which is crystalline but not a single crystal). This is shown in Japanese Patent Application No. 5-28990 filed by the present applicant.

【０００９】この技術は、ゲイト電極の少なくとも側面
を陽極酸化し、この酸化物もしくは酸化物の後を利用し
て自己整合的にドーピングを行ない、均一な幅の高抵抗
領域をソース／ドレイン領域とゲイト電極との間に設
け、ゲイト電極に逆電圧を印加した際のリーク電流の発
生を防ぐ。さらに、陽極酸化される幅を、薄膜トランジ
スタの用途、目的に応じて変化させて所望の特性を得る
ものである。In this technique, at least the side surface of the gate electrode is anodized, and the oxide or the back of the oxide is used to perform doping in a self-aligned manner, so that a high-resistance region having a uniform width is formed as a source / drain region. It is provided between the gate electrode and the gate electrode to prevent generation of a leak current when a reverse voltage is applied to the gate electrode. Further, the width to be anodized is changed according to the use and purpose of the thin film transistor to obtain desired characteristics.

【００１０】例えば、アクティブマトリクス回路と該回
路を駆動するドライバー回路等を同一基板上に有するモ
ノリシック回路において、アクティブマトリクス回路に
おいては、ゲイト電極側面の陽極酸化される幅を広くし
て、低リーク電流の得られる高抵抗領域の幅の広い薄膜
トランジスタとし、高速動作が必要とされるドライバー
回路、デコーダー回路、ＣＰＵ（中央処理装置）、メモ
リー（記憶）回路等においては、陽極酸化される幅を狭
くして、高抵抗領域の幅が狭い薄膜トランジスタを得る
ことができる。このように、薄膜半導体素子を用いた回
路を作製する際にも、陽極酸化技術が用いられている。For example, in a monolithic circuit having an active matrix circuit and a driver circuit for driving the circuit on the same substrate, in the active matrix circuit, the width of the side surface of the gate electrode to be anodized is increased to reduce the leakage current. In a driver circuit, a decoder circuit, a CPU (Central Processing Unit), a memory (storage) circuit, etc., which require high-speed operation, the width to be anodized is reduced. Thus, a thin film transistor having a narrow high resistance region can be obtained. As described above, the anodic oxidation technique is also used when manufacturing a circuit using a thin film semiconductor element.

【００１１】[0011]

【従来技術の問題点】一方、従来の陽極酸化技術は、様
々な問題点を有していた。図１に従来の陽極酸化を行な
う装置の概念図を示す。図２は従来の陽極酸化装置によ
って形成された陽極酸化膜を示す。１は水槽、２は陽極
酸化溶液、３は一方の面に薄膜金属配線を有する基板、
４は陰極電極、５はクリップである。基板３上の金属配
線は、クリップ５を介してそれぞれ直流電源の正側すな
わち陽極に接続されており、また陰極電極４は直流電源
の負側すなわち陰極に接続されている。陰極は、各基板
に対向して一つづつ設けてもよい。2. Prior Art Problems On the other hand, the conventional anodic oxidation technology has various problems. FIG. 1 shows a conceptual diagram of a conventional apparatus for performing anodic oxidation. FIG. 2 shows an anodized film formed by a conventional anodizing apparatus. 1 is a water tank, 2 is an anodizing solution, 3 is a substrate having a thin film metal wiring on one surface,
4 is a cathode electrode and 5 is a clip. The metal wiring on the substrate 3 is connected to the positive side of the DC power supply, that is, the anode, via the clip 5, and the cathode electrode 4 is connected to the negative side of the DC power supply, that is, the cathode. The cathodes may be provided one by one facing each substrate.

【００１２】このような従来の装置において、まず問題
であったのは、陽極酸化工程中において陽極酸化液の攪
拌が行なえなかったことであった。図１に示すように従
来の陽極酸化技術においては、基板３をクリップ５で挟
んで上方から吊るし、陽極酸化液２中に基板３を配置し
ていた。この状態において、特に高抵抗率を有するバリ
ア型の陽極酸化を行なう際に、酸化が進むと、配線の表
面から高抵抗率の陽極酸化膜が形成される。したがって
陽極側のクリップ５が陽極酸化液で濡れてしまうと、陽
極酸化液を介してクリップ５と陰極電極４との間に電流
が流れてしまい、配線への電流の供給が減少、停止して
しまい、その結果配線の陽極酸化が進まなくなってしま
った。[0012] In such a conventional apparatus, the first problem is that the anodizing solution cannot be stirred during the anodizing step. As shown in FIG. 1, in the conventional anodic oxidation technique, the substrate 3 is hung from above with a clip 5 interposed therebetween, and the substrate 3 is placed in the anodic oxidation liquid 2. In this state, particularly when a barrier type anodic oxidation having a high resistivity is performed, if the oxidation proceeds, a high resistivity anodic oxide film is formed from the surface of the wiring. Therefore, when the clip 5 on the anode side is wet with the anodic oxidizing solution, a current flows between the clip 5 and the cathode electrode 4 via the anodic oxidizing solution, and the supply of current to the wiring decreases and stops. As a result, the anodic oxidation of the wiring did not proceed.

【００１３】このような事態を避けるために、従来は、
陽極酸化工程中での陽極酸化液を攪拌しないようにして
液面の揺れを防ぎ、クリップが陽極酸化液で濡れないよ
うにしていた。In order to avoid such a situation, conventionally,
The anodizing solution during the anodizing step was not stirred to prevent the liquid surface from swaying, and the clips were not wetted by the anodizing solution.

【００１４】この結果、基板３上の配線に接する付近の
陽極酸化液の流れが留まり、酸化反応によって発生する
水素や、溶液中のイオン、不純物等により局部的に酸化
効率が低下が発生するなどの事態が発生し、形成される
陽極酸化膜の膜厚や膜質が、同一基板面内において不均
一になり易かった。また特にポーラス型の陽極酸化にお
いて、同一基板の上部と下部において陽極酸化膜の膜厚
が異なり易かった。As a result, the flow of the anodic oxidizing solution near the wiring on the substrate 3 remains, and the oxidation efficiency is locally reduced due to hydrogen generated by the oxidation reaction, ions and impurities in the solution, and the like. Then, the thickness and quality of the formed anodic oxide film tend to be non-uniform within the same substrate surface. In particular, in the porous type anodic oxidation, the thickness of the anodic oxide film tends to be different between the upper portion and the lower portion of the same substrate.

【００１５】さらに、クリップの濡れを防ぐために、コ
ネクター５の位置が陽極酸化液２の液面からある程度離
れるように、基板３の吊り上げ位置を高くしていた。そ
のため、基板全面に陽極酸化される金属を設けた場合、
図２に示すように基板３上において陽極酸化領域１０の
他に陽極酸化されない領域１１が大きく存在してしまっ
た。したがって基板面積の殆どをしめる大きさの陽極酸
化された配線の形成は困難であった。Further, in order to prevent the clip from getting wet, the lifting position of the substrate 3 is raised so that the position of the connector 5 is separated from the liquid surface of the anodic oxidizing liquid 2 to some extent. Therefore, when a metal to be anodized is provided on the entire surface of the substrate,
As shown in FIG. 2, a large region 11 that is not anodized is present on the substrate 3 in addition to the anodized region 10. Therefore, it has been difficult to form an anodically oxidized wiring having a size that occupies most of the substrate area.

【００１６】また陽極酸化されない領域を減らすために
は、クリップが陽極酸化液で濡れないように、液面の安
定化のための制御が必要であった。特に陽極酸化工程中
に陽極酸化液液面が揺れて、陽極酸化されていない領域
に陽極酸化液が付着し、陽極酸化されてしまう。このよ
うな場合、既に厚く陽極酸化膜が形成されていた部分の
酸化が止まり、電圧上昇が不均一になり、高抵抗膜が得
難くなってしまうことがあった。In order to reduce the area that is not anodized, it is necessary to control the liquid surface so that the clip is not wetted by the anodizing solution. In particular, during the anodizing step, the level of the anodizing solution fluctuates, and the anodizing solution adheres to a region that has not been anodized, and is anodized. In such a case, the oxidation of the portion where the thick anodic oxide film has already been formed is stopped, the voltage rise becomes non-uniform, and it may be difficult to obtain a high-resistance film.

【００１７】さらに問題なのは、多数の基板上の配線に
対して陽極酸化を行なう場合である。従来は、多数の基
板を処理しようとした場合、図１のように、多数の基板
をまとめて一つのバッチとして水槽内に入れて処理す
る、バッチ式にて行なっていた。ところが、前述の如
く、陽極酸化液は酸化工程中は攪拌できないため、水槽
内の場所により陽極酸化液の状態が微妙に異なる。その
ために、同一バッチ内であっても、各基板の膜厚、膜質
にバラツキが生じやすかった。仮に攪拌することができ
ても、全ての基板において同一の条件を実現することは
極めて困難であった。Another problem arises when anodic oxidation is performed on wirings on a large number of substrates. Conventionally, when processing a large number of substrates, as shown in FIG. 1, a large number of substrates are collectively put into a water tank and processed in a batch system. However, as described above, since the anodizing solution cannot be stirred during the oxidation step, the state of the anodizing solution slightly differs depending on the location in the water tank. Therefore, even within the same batch, the thickness and quality of each substrate tended to vary. Even if stirring was possible, it was extremely difficult to achieve the same conditions on all substrates.

【００１８】加えて異なるバッチ間においても膜厚、膜
質の相違が生じた。これは陽極酸化溶液の状態が、処理
前と処理後において異なってしまうためと考えられる。In addition, differences in film thickness and film quality occurred between different batches. This is presumably because the state of the anodic oxidation solution differs before and after the treatment.

【００１９】したがって、仮に水槽内に入れる基板を１
枚のみに限定してバッチ内のバラツキの発生を防いだと
しても、複数のバッチ間においてやはり違いが生じるこ
とになる。かといって、バッチ毎に水槽内の陽極酸化液
を入れ換えていては時間がかかり、生産性を上げること
は困難である。Therefore, if the substrate to be put in the water tank is 1
Even if the occurrence of variation within a batch is prevented by limiting the number of batches, a difference still occurs between a plurality of batches. On the other hand, it takes time to replace the anodic oxidizing solution in the water tank for each batch, and it is difficult to increase the productivity.

【００２０】アクティブマトリクス型の液晶ディスプレ
イのような、数〜数１０ｃｍ角といった大きな面積の基
板を使用し、かつ同一基板面内、各製品毎の極めて高い
均一性が求められるものにおいては、このような、同一
基板面内、バッチ内、バッチ間の陽極酸化膜の膜厚、膜
質の不均一性は、薄膜半導体素子の特性を変化させてし
まうため、好ましくない。また、求める特性を得るため
に様々に条件を振って試作する場合においても、狙った
特性、特に複数の基板において同一特性を得ようとした
場合、大きな困難が伴う。In the case of a substrate such as an active matrix type liquid crystal display, which uses a substrate having a large area of several to several tens of cm square, and in which extremely high uniformity is required for each product within the same substrate surface, such a method is used. Note that nonuniformity of the thickness and quality of the anodic oxide film within the same substrate, within the batch, and between batches is not preferable because it changes the characteristics of the thin film semiconductor element. Further, even in the case of producing a prototype under various conditions in order to obtain the desired characteristics, there is a great difficulty in obtaining the target characteristics, especially when trying to obtain the same characteristics on a plurality of substrates.

【００２１】さらなる問題としては、空間利用の問題が
ある。生産現場においては、限られた空間の利用効率を
高めるため、製造装置の設置スペースの減少が求められ
ている。特に、アクティブマトリクス型の液晶ディスプ
レイ等においては表示面積の拡大が進んでおり、かつ、
一枚のガラス基板から２〜９枚またはそれ以上の複数の
基板を多面取りするために、一度に処理する基板の面積
は大型化の一途をたどっている。このような観点からも
装置の設置スペースの減少は重要な事項である。A further problem is that of space utilization. In a production site, there is a demand for a reduction in the installation space of a manufacturing apparatus in order to increase the utilization efficiency of a limited space. In particular, the display area of active matrix type liquid crystal displays and the like has been expanding, and
The area of a substrate to be processed at a time in order to form a plurality of substrates of 2 to 9 or more from a single glass substrate is continuously increasing. From such a viewpoint, reduction of the installation space of the apparatus is an important matter.

【００２２】ところが、従来の陽極酸化装置は水槽を用
いるため、異なる種類の陽極酸化、例えば陽極酸化液を
２種類用いて異なる２回の陽極酸化を連続して行なうと
いった場合であっても、陽極酸化を行なう容器内におい
ては１種類の陽極酸化液しか使用できず、水槽をもう一
つ設けるか、水槽を良く洗浄して陽極酸化液を入れ換え
るしか方法は無かった。純水による基板面の洗浄であっ
ても、陽極酸化液が入った水槽が設けられた場所とは異
なる領域で行なわねばならず、装置の設置スペースを多
く必要としていた。However, since the conventional anodizing apparatus uses a water tank, even if different types of anodizing, for example, two different types of anodizing are successively performed using two types of anodizing solutions, the anodizing may be performed in a different manner. Only one type of anodizing solution can be used in the vessel for oxidizing, and there has been no alternative but to provide another water tank or wash the water tank well and replace the anodizing solution. Even the cleaning of the substrate surface with pure water has to be performed in an area different from the place where the water tank containing the anodic oxidizing solution is provided, which requires a large installation space for the apparatus.

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の様々
な問題を解決するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned various problems.

【００２３】本発明は、基板上の薄膜金属に対して陽極
酸化を行なうに際し、薄膜金属と陽極配線との電気的接
続を維持しつつ、陽極酸化液を流動させるを目的とす
る。An object of the present invention is to make an anodizing liquid flow while maintaining an electrical connection between a thin film metal and an anode wiring when performing anodization on a thin film metal on a substrate.

【００２４】また、本発明は、基板上の薄膜金属に対し
て陽極酸化を行なうに際し、同一基板面内において形成
される陽極酸化膜の膜質、膜厚の均一性を向上させるこ
とを目的とする。Another object of the present invention is to improve the film quality and the uniformity of the thickness of the anodic oxide film formed on the same substrate when performing anodic oxidation on the thin film metal on the substrate. .

【００２５】また、本発明は、多数の基板における、各
基板上の薄膜金属に対して陽極酸化を行なうに際し、各
基板における陽極酸化膜の膜質、膜厚の均一性および制
御性を向上させることを目的とする。Further, the present invention is to improve the film quality, uniformity and controllability of the anodic oxide film on each substrate when performing anodic oxidation on the thin film metal on each of the substrates. With the goal.

【００２６】また、本発明は、同一容器内において、異
なる種類の陽極酸化液を用いた陽極酸化を行なうことを
目的とする。Another object of the present invention is to perform anodization using different types of anodizing solutions in the same container.

【００２７】また、本発明は、同一容器内において、陽
極酸化工程と、それ以外の水洗、レジストの剥離、エッ
チング等の工程を行なうことを目的とする。Another object of the present invention is to perform an anodic oxidation step and other steps such as water washing, resist stripping, etching and the like in the same container.

【００２８】また、本発明は、薄膜半導体素子を有する
基板の、薄膜半導体素子に接続された電極および配線に
適した陽極酸化を行なうことを目的とする。Another object of the present invention is to perform anodic oxidation of a substrate having a thin-film semiconductor element suitable for electrodes and wiring connected to the thin-film semiconductor element.

【００２９】[0029]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、陰極電極と、陽極配線と、前記陽極配線
と電気的に接続された薄膜金属と、前記陰極電極と前記
薄膜金属との間に流出される陽極酸化液とを有し、該陽
極酸化液は、前記陰極電極と前記陽極配線とを電気的に
接続していること、を特徴とする陽極酸化装置である。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention provides a cathode electrode, an anode wiring, a thin film metal electrically connected to the anode wiring, a cathode electrode and the thin film metal. And an anodizing solution flowing out between the cathode electrode and the anode wiring. The anodizing solution electrically connects the cathode electrode and the anode wiring.

【００３０】また、本発明は、陰極電極と、陽極配線
と、回転面上に存在し、前記陽極配線と電気的に接続さ
れた薄膜金属と、前記陰極電極と前記薄膜金属との間に
流出される陽極酸化液とを有し、該陽極酸化液は、前記
陰極電極と前記陽極配線とを電気的に接続しているこ
と、を特徴とする陽極酸化装置である。Further, according to the present invention, there is provided a cathode electrode, an anode wiring, a thin-film metal present on a rotating surface and electrically connected to the anode wiring, and flowing between the cathode electrode and the thin-film metal. An anodic oxidizing solution, wherein the anodic oxidizing solution electrically connects the cathode electrode and the anodic wiring.

【００３１】また、本発明は、陰極電極と、陽極配線
と、前記陽極配線と電気的に接続された薄膜金属と、前
記陰極電極の少なくとも一部分から流出する陽極酸化液
とを有し、該陽極酸化液は、前記薄膜金属上に流出する
こと、を特徴とする陽極酸化装置である。The present invention also includes a cathode electrode, an anode wiring, a thin film metal electrically connected to the anode wiring, and an anodic oxidizing solution flowing out from at least a part of the cathode electrode. The oxidizing liquid flows out onto the thin-film metal.

【００３２】また、本発明は、陰極電極と、陽極配線
と、回転面上に存在し、前記陽極配線と電気的に接続さ
れた薄膜金属と、前記陰極電極の少なくとも一部分から
流出する陽極酸化液とを有し、該陽極配線は、前記薄膜
金属上に流出すること、を特徴とする陽極酸化装置であ
る。The present invention also provides a cathode electrode, an anode wiring, a thin film metal present on a rotating surface and electrically connected to the anode wiring, and an anodizing solution flowing out of at least a part of the cathode electrode. And the anode wiring flows out onto the thin-film metal.

【００３３】また、本発明は、複数の容器と基板搬送手
段とを少なくとも有し、前記容器のうち、少なくとも一
つは、上記の陽極酸化装置を有し、前記基板搬送手段に
より、前記陽極酸化装置を有する容器から他の容器へ、
または他の容器から前記陽極酸化装置を有する容器へ、
基板が搬送されることを特徴とする陽極酸化装置であ
る。Further, the present invention has at least a plurality of containers and a substrate transporting means, at least one of the containers has the above-described anodizing device, and the substrate transporting means causes the anodizing to be performed by the substrate transporting means. From the container with the device to another container,
Or from another container to a container having the anodizing device,
An anodic oxidation apparatus wherein a substrate is transferred.

【００３４】また、本発明は、ステージと第１の陰極電
極と、第２の陰極電極と、陽極配線とを少なくとも有
し、前記ステージは、上面に基板が配置され、該基板
は、上面に薄膜金属を有し、前記薄膜金属は、前記陽極
配線と電気的に接続されており、前記第１の陰極電極
は、該第１の陰極電極の少なくとも一部分より、前記薄
膜金属と前記陰極電極との間に、前記薄膜金属に対しポ
ーラス型の陽極酸化をせしめる酸性の陽極酸化液を流出
し、前記第２の陰極電極は、該第２の陰極電極の少なく
とも一部分より、前記薄膜金属と前記陰極電極との間
に、前記薄膜金属に対しバリア型の陽極酸化をせしめる
中性の陽極酸化液を流出すること、を特徴とする陽極酸
化装置である。Further, the present invention has at least a stage, a first cathode electrode, a second cathode electrode, and an anode wiring, wherein the stage has a substrate disposed on an upper surface, and the substrate has an upper surface. A thin-film metal, wherein the thin-film metal is electrically connected to the anode wiring, and the first cathode electrode is formed of at least a portion of the first cathode electrode; During this time, an acidic anodic oxidizing solution that causes porous anodization of the thin-film metal is discharged, and the second cathodic electrode is formed by the thin-film metal and the cathode from at least a part of the second cathodic electrode. An anodizing apparatus characterized in that a neutral anodizing solution for causing a barrier-type anodizing of the thin-film metal to flow out between electrodes.

【００３５】また、本発明は、陰極電極と、陽極配線と
電気的に接続された薄膜金属との間に陽極酸化液を流出
することを特徴とする陽極酸化方法である。Further, the present invention is an anodizing method characterized by flowing out an anodizing solution between a cathode electrode and a thin film metal electrically connected to an anode wiring.

【００３６】また、本発明は、陰極電極と、陽極配線と
電気的に接続された回転面上の薄膜金属との間に陽極酸
化液を流出することを特徴とする陽極酸化方法である。Further, the present invention is an anodic oxidation method characterized by flowing an anodic oxidizing solution between a cathode electrode and a thin film metal on a rotating surface electrically connected to an anodic wiring.

【００３７】また、本発明は、陰極電極の少なくとも一
部分から陽極酸化液を流出させて、前記陽極酸化液を陽
極配線と電気的に接続された薄膜金属上に流出するこ
と、を特徴とする陽極酸化方法である。Further, the present invention is characterized in that an anodizing solution is caused to flow out from at least a part of a cathode electrode, and the anodizing solution is caused to flow out onto a thin film metal electrically connected to an anode wiring. It is an oxidation method.

【００３８】また、本発明は、陰極電極の少なくとも一
部分から流出した陽極酸化液が、陽極配線と電気的に接
続された、回転面上の薄膜金属に流出されること、を特
徴とする陽極酸化方法である。Further, according to the present invention, the anodic oxidation solution flowing out from at least a part of the cathode electrode is discharged to a thin film metal on a rotating surface electrically connected to the anode wiring. Is the way.

【００３９】[0039]

【作用】本発明の装置は、上記構成の如く、陽極酸化工
程において、陽極酸化液中にて基板上の配線と陽極配線
との接続、陽極酸化液と陽極配線との電気的な絶縁状態
を得、陽極酸化液の流動、攪拌を可能としたことによ
り、基板を配置したステージを回転可能とし、また基板
の一枚づつの処理を可能とし、薄膜金属を有する多数の
基板に対し、陽極酸化膜の膜質、膜圧を、基板面内、各
基板間において均質化できた。以下、実施例により、本
発明を詳細に説明する。According to the apparatus of the present invention, as described above, in the anodic oxidation step, the connection between the wiring on the substrate and the anodic wiring and the electrical insulation between the anodic oxide and the anodic wiring are performed in the anodizing solution. The flow of the anodic oxidizing solution and the agitation allow the stage on which the substrates are arranged to be rotatable, and the processing of the substrates one by one enables the anodic oxidation of a large number of substrates having thin-film metals. The film quality and film pressure of the film could be homogenized within the substrate surface and between the substrates. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.

【００４０】[0040]

【実施例】〔実施例１〕本実施例においては、図３に示
す陽極酸化装置を用い、図４に示す配線パターンを有す
る基板に対し、陽極酸化を行なった例を示す。図４に示
す配線４１、４２は、陽極配線に接続する領域４３、４
４が基板の対角に位置しており、基板上の全配線を同時
に陽極酸化するためには、領域４３、４４のどちらかの
領域は必ず陽極酸化液２２中に存在することになる。こ
のため、従来のクリップを用いたつり下げ型の陽極酸化
装置では、配線４１、４２を同時に酸化することは極め
て困難である。[Embodiment 1] In this embodiment, an example in which an anodizing apparatus shown in FIG. 3 is used to anodize a substrate having a wiring pattern shown in FIG. 4 will be described. The wirings 41 and 42 shown in FIG.
4 is located at the diagonal of the substrate, and in order to simultaneously anodize all the wirings on the substrate, either one of the regions 43 and 44 always exists in the anodizing solution 22. For this reason, it is extremely difficult to oxidize the wirings 41 and 42 at the same time in a hanging type anodic oxidation apparatus using a conventional clip.

【００４１】図３において、水槽２１中に陽極酸化液２
２が入っている。陽極酸化液としては、本実施例におい
ては配線にバリア型の陽極酸化膜を形成するため、陽極
酸化液２２としては、３〜１０％の酒石酸、硼酸、リン
酸をエチレングリコールに溶解し、アンモニア水で中和
したＰＨ≒７の溶液、ここでは３％の酒石酸のエチレン
グリコール溶液を用いた。In FIG. 3, the anodic oxidizing solution 2
Contains two. In this embodiment, a barrier type anodic oxide film is formed on the wiring as an anodic oxidizing solution, and 3 to 10% of tartaric acid, boric acid, and phosphoric acid are dissolved in ethylene glycol, A solution of PH ≒ 7 neutralized with water, here a 3% tartaric acid in ethylene glycol solution was used.

【００４２】この陽極酸化溶液２２中において、６００
０Å厚のアルミニウムよりなる配線を上面にした基板２
３がステージ２４上に固定されている。配線の材料とし
ては、アルミニウムの他にタンタル、チタン、シリコン
等を用いる。配線のパターンとしては、図４に示す配線
パターンを用いた。また基板２３はステージ２４に設け
られた図示しない真空チャックにより、ステージ２４に
固定されている。In this anodic oxidation solution 22, 600
Substrate 2 having a wiring made of 0 mm thick aluminum on its upper surface
3 is fixed on the stage 24. As a material for the wiring, tantalum, titanium, silicon, or the like is used in addition to aluminum. The wiring pattern shown in FIG. 4 was used as the wiring pattern. The substrate 23 is fixed to the stage 24 by a vacuum chuck (not shown) provided on the stage 24.

【００４３】陰極電極２５が基板２３に対向して、平行
に設けられている。このようにすることで、形成される
陽極酸化膜の膜質、膜厚の基板面内における均一性を向
上させることができる。間隔は任意であるが、１〜５０
ｍｍ程度ここでは５ｍｍとした。また陰極電極２５は、
ここでは膜質、膜厚向上のため基板と平行対向している
が、陽極酸化液２２内の任意の場所に設置できる。A cathode electrode 25 is provided in parallel with the substrate 23. By doing so, the uniformity of the film quality and thickness of the formed anodic oxide film in the substrate surface can be improved. The interval is arbitrary, but 1 to 50
Here, it was set to 5 mm. The cathode electrode 25 is
Here, the film is opposed to the substrate in parallel to improve the film quality and thickness, but can be installed at an arbitrary position in the anodic oxidation solution 22.

【００４４】また基板２３上においては、アルミニウム
配線と第１および第２の陽極配線２８、２９がコネクタ
ー２６、２７を介して接続されている。コネクター２
６、２７により、第１の陽極配線２８、第２の陽極配線
２９と、図４に示す配線４１、４２の接触領域４３、４
４とが電気的な接続をしている。かつコネクター２６、
２７によりこの接続を陽極酸化液２２とは電気的に隔絶
し、絶縁できている。On the substrate 23, aluminum wiring and first and second anode wirings 28 and 29 are connected via connectors 26 and 27. Connector 2
6 and 27, the first anode wiring 28 and the second anode wiring 29 and the contact areas 43 and 4 of the wirings 41 and 42 shown in FIG.
4 make an electrical connection. And connector 26,
This connection 27 is electrically insulated from the anodic oxidizing solution 22 and can be insulated.

【００４５】コネクター２６、２７は、図３においては
水槽２１に対し下側から延びて基板上面の配線と接続し
ているが、水槽の上部または側部から設けてもよいし、
陰極電極の内部から基板に向かって延びる構成としても
よい。また、基板２３の側面または下面に、上面の配線
４１、４２から延在した配線を形成しておいて、該配線
とステージ２４上面に形成したコネクターとを接続させ
てもよい。The connectors 26 and 27 extend from the lower side to the water tank 21 in FIG. 3 and are connected to the wiring on the upper surface of the substrate. However, the connectors 26 and 27 may be provided from the top or side of the water tank.
A configuration extending from the inside of the cathode electrode toward the substrate may be adopted. Alternatively, a wiring extending from the wirings 41 and 42 on the upper surface may be formed on the side surface or lower surface of the substrate 23, and the wiring may be connected to a connector formed on the upper surface of the stage 24.

【００４６】コネクター２６、２７は、ここでは図５
（Ａ）に示す構成のものを用いた。図５（Ａ）に示すコ
ネクターは、筒状の本体８４、減圧装置（バキューム）
に接続された内部空間８３、および端子８５を主たる構
成とする。さらに端子８５を閉じ込めた空間の密閉性を
向上させるためのＯリング８２を本体８４の先端と基板
８１との間に設けている。本体周囲にある陽極酸化液２
２が端子８５に触れなければ、Ｏリング８２がなくても
かまわないし、またＯリング以外では、図５（Ｃ）のよ
うな吸盤８８を用いてもよい。その他、プラスチックや
ゴム、ビニール、セラミック、金属、テフロン（登録商
標）等の材料を用いてコネクター本体の先端および／ま
たはその周囲に、端子８５を密閉空間内に閉じ込める手
段（密閉手段）を設けることが可能である。The connectors 26 and 27 are shown in FIG.
The structure shown in (A) was used. The connector shown in FIG. 5A has a cylindrical main body 84 and a decompression device (vacuum).
The main configuration is an internal space 83 and terminals 85 connected to. Further, an O-ring 82 for improving the tightness of the space in which the terminal 85 is confined is provided between the tip of the main body 84 and the substrate 81. Anodizing solution 2 around the body
If the terminal 2 does not touch the terminal 85, the O-ring 82 may be omitted, and a suction cup 88 as shown in FIG. 5C may be used other than the O-ring. In addition, using a material such as plastic, rubber, vinyl, ceramic, metal, or Teflon (registered trademark), providing a means (sealing means) for confining the terminal 85 in a closed space at and / or around the tip of the connector body. Is possible.

【００４７】コネクター２６、２７は、配線が形成され
た基板８１に対し、Ｏリング８２を介して接触し、減圧
装置により吸引８６を行なってコネクター内部８３を減
圧し、基板８１に固定される構成である。またここで
は、端子８５は本体内に設けられたスプリングやゴム等
の弾性体（図示せず）により基板側に押圧され、配線と
の良好な接触が維持できるようになっている。また、コ
ネクター内部８３の減圧状態を解除すれば、コネクター
は容易に取り外すことができる。端子８５は１つのコネ
クター本体８４内に複数存在してもよく、１つのコネク
ターにて異なる複数の電気的接続を構成することもでき
る。The connectors 26 and 27 come into contact with the substrate 81 on which the wiring is formed via the O-ring 82, and perform a suction 86 by a pressure reducing device to reduce the pressure inside the connector 83, so that the connector is fixed to the substrate 81. It is. Further, here, the terminal 85 is pressed toward the substrate by an elastic body (not shown) such as a spring or rubber provided in the main body, so that good contact with the wiring can be maintained. When the decompressed state of the inside 83 of the connector is released, the connector can be easily removed. A plurality of terminals 85 may exist in one connector main body 84, and a single connector may constitute a plurality of different electrical connections.

【００４８】また、ここでは筒状の本体８４の内部空間
８３に端子８５が設けられて、基板を吸引して固定する
ための、吸引される空間が、端子８５が存在する空間を
兼ねているが、端子８５が存在する空間と、吸引される
空間とが別個に１つまたは複数設けられていてもかまわ
ない。In this case, a terminal 85 is provided in the internal space 83 of the cylindrical main body 84, and the sucked space for sucking and fixing the substrate also serves as the space where the terminal 85 exists. However, one or more of the space where the terminal 85 exists and the space to be sucked may be separately provided.

【００４９】また、図５（Ｂ）に示すように、吸引され
る空間を設けずに、基板に対する押圧８７のみで固定し
てもかまわない。押圧は、基板上方からコネクターを基
板に押さえつけてもよいし、基板の裏面（図においては
下面）側に、コネクターと一体化した対向する部材を置
いて、該部材とコネクターとでネジやスプリング等の力
により基板を挟んでもよい。また押圧と吸引の双方を併
用してもよい。またＯリング８２を吸盤にしてもよい。Further, as shown in FIG. 5B, it is also possible to fix only by pressing 87 against the substrate without providing a space to be sucked. For the pressing, the connector may be pressed against the board from above the board, or an opposing member integrated with the connector may be placed on the back surface (the lower surface in the figure) of the board, and the member and the connector may be screwed or springed. The substrate may be sandwiched by the force of. Further, both pressing and suction may be used together. Further, the O-ring 82 may be a suction cup.

【００５０】このようなコネクター２６、２７を用いる
ことにより、基板上の配線と陽極配線との接続、分離が
極めて容易となる。本実施例においては、基板２３の陽
極酸化液２２中への設置は次のように行なった。By using such connectors 26 and 27, connection and separation between the wiring on the substrate and the anode wiring become extremely easy. In this example, the substrate 23 was placed in the anodic oxidizing solution 22 as follows.

【００５１】ステージ２４の上面、コネクター２６、２
７、陰極電極２５は、基板２２設置前においては陽極酸
化液２２の液面より上側に移動している。搬送手段によ
り基板２２がステージ２４上に設置されると、陽極配線
２８、２９に接続された２つのコネクター２６が基板２
２上の配線の接続領域４３、４４上部にそれぞれ移動し
て、吸引により基板上に固定される。陽極配線２８、２
９と配線４１、４２がより接続される。The upper surface of the stage 24, the connectors 26,
7. The cathode electrode 25 has moved above the level of the anodic oxidizing solution 22 before the substrate 22 is installed. When the substrate 22 is set on the stage 24 by the transport means, two connectors 26 connected to the anode wirings 28 and 29 are connected to the substrate 2.
It is moved to the upper part of the connection areas 43 and 44 of the wiring on 2 respectively, and is fixed on the substrate by suction. Anode wiring 28, 2
9 and wires 41 and 42 are further connected.

【００５２】その後、ステージ２４、その上の基板２
３、該基板上に固定されたコネクター２６が陽極酸化液
２２の液面より下側に位置するように移動し、それと同
時またはその後に陰極電極２５の少なくとも基板との対
向面を陽極酸化液２２の液面下に移動する。Thereafter, the stage 24 and the substrate 2 thereon
3. The connector 26 fixed on the substrate is moved so as to be positioned below the level of the anodic oxidizing solution 22, and simultaneously or after that, at least the surface of the cathode electrode 25 facing the substrate is moved to the anodic oxidizing solution 22. Moves below the liquid level.

【００５３】酸化工程後は、この逆の工程、すなわち、
陰極電極２５、ステージ２４の上面、基板２３、コネク
ター２６、２７を陽極酸化液２２の液面上に移動したの
ち、コネクター内の減圧状態を解除してコネクター２
６、２７を配線の接続領域４３、４４から外し、基板２
３を次の処理を行なう場所に移動させる。基板２３を移
動する前に基板２３を高速で回転させ、基板上の陽極酸
化液を除去、乾燥させることは有効である。それと同時
またはその後、つぎに酸化される基板をステージ上に設
置することで連続的に多数の基板に対し陽極酸化を施す
ことができる。新たな基板がステージ上に設置される前
に、ステージ２４を高速で回転させ、ステージ上の陽極
酸化液を、除去、乾燥させることは有効である。After the oxidation step, the reverse step, that is,
After moving the cathode electrode 25, the upper surface of the stage 24, the substrate 23, and the connectors 26 and 27 onto the surface of the anodic oxidizing solution 22, the depressurized state in the connector is released and the connector 2
6 and 27 are removed from the wiring connection areas 43 and 44, and the substrate 2
3 is moved to a place where the next processing is performed. Before moving the substrate 23, it is effective to rotate the substrate 23 at a high speed to remove the anodized liquid on the substrate and to dry the substrate. At the same time or thereafter, anodizing can be continuously performed on a large number of substrates by placing a substrate to be subsequently oxidized on the stage. Before a new substrate is placed on the stage, it is effective to rotate the stage 24 at a high speed to remove and dry the anodized liquid on the stage.

【００５４】ここで、コネクター２６、２７を介して、
配線４１、第１の陽極配線２８で構成される回路系列を
第１の系列、配線４２、第２の陽極配線２９で構成され
る回路系列を第２の系列とする。第１および第２の系列
は、互いに独立制御可能な直流電源の正側に接続されて
いる。また、基板２３に平行に対向して陰極電極２５が
設けられ、直流電源の負側に接続されている。陰極電極
は、白金、金、鉛、炭素、ステンレス、アルミニウム、
またはアルミニウム、チタン、ニッケル、銅を金、白金
で被覆したもの等、陽極酸化液により腐食されない、ま
たはしにくいものであればよい。Here, via connectors 26 and 27,
A circuit series including the wiring 41 and the first anode wiring 28 is referred to as a first series, and a circuit series including the wiring 42 and the second anode wiring 29 is referred to as a second series. The first and second systems are connected to the positive side of a DC power supply that can be controlled independently of each other. Further, a cathode electrode 25 is provided so as to face the substrate 23 in parallel, and is connected to the negative side of the DC power supply. The cathode electrode is platinum, gold, lead, carbon, stainless steel, aluminum,
Alternatively, any material that is not corroded or hardly corroded by an anodizing solution, such as aluminum, titanium, nickel, and copper coated with gold or platinum, may be used.

【００５５】次に、基板上の配線４１、４２に対し、形
成される陽極酸化膜の膜厚を異ならせて陽極酸化を施し
た。第１および第２の系列に対し、同時に一定電流を流
しはじめ、第１の系列においては、第１の電圧Ｖ₁ まで
電圧を上げ、その状態で１時間保持した。その後、第１
の系列は電圧Ｖ₁ を保ったまま、第２の系列には一定の
電流を印加し続け、第２の電圧Ｖ₂ まで電圧を上昇さ
せ、第２の電圧Ｖ₂ を１時間たもった。このように２段
階の陽極酸化をおこなったために、第１の系列の配線４
１と第２の系列の配線４２とでは、配線の側面、および
上面に形成される陽極酸化物の厚さが異なり、後者の方
が厚くなる。Ｖ₁ としては、５０〜１５０Ｖここでは、
１００Ｖとした。Ｖ₂ としては、１００〜２５０Ｖ、こ
こでは、２００Ｖとした。本実施例では定電流状態で
は、電圧の上昇速度は２〜５Ｖ／分が適当であった。当
然ではあるが、Ｖ₁ ＜Ｖ₂ である。この結果、第１の系
列である配線４１には厚さ約１２００Åの陽極酸化物
が、また、第２の系列である配線４２には厚さ２４００
Åの陽極酸化物がそれぞれ形成された。Next, the wirings 41 and 42 on the substrate were anodized by changing the thickness of the formed anodic oxide film. A constant current began to flow simultaneously to the first and second series, and in the first series, the voltage was increased to the _first voltage V1 and held for one hour. Then the first
The sequence while maintaining the voltage V _1, the second series continue to apply a constant current, the voltage is increased to a second voltage V _2, maintaining the second voltage V ₂ for 1 hour. Since the two-stage anodic oxidation was performed in this manner, the first line 4
The thickness of the anodic oxide formed on the side surface and the top surface of the wiring differs between the first and second series wirings 42, and the latter is thicker. The V _1, here 50~150V,
100V. The V _2, 100~250V, here, was a 200V. In the present embodiment, in the constant current state, the voltage rising speed is suitably 2 to 5 V / min. Naturally, V ₁ <V ₂ . As a result, the anodic oxide having a thickness of about 1200 ° is applied to the wiring 41 of the first series, and the anodic oxide having a thickness of 2400 is applied to the wiring 42 of the second series.
陽極 anodic oxides were respectively formed.

【００５６】このようにして、基板２３は完全に陽極酸
化液２２中に存在しているにもかかわらず、第１および
第２の陽極配線と、基板上の配線との電気的な接続を完
全に得ることができた。しかも第１および第２の陽極配
線と陽極酸化液２２は電気的に隔絶され、絶縁状態とな
っていた。したがって酸化が進んで、配線の表面に高抵
抗を有する陽極酸化膜が形成されても、陽極配線から陽
極酸化液中に電流が漏れることはなくなり、良好な陽極
酸化を行なうことが可能となった。また異なる膜厚の陽
極酸化膜を、配線４１と配線４２において形成すること
ができた。Thus, although the substrate 23 is completely present in the anodic oxidizing solution 22, the electrical connection between the first and second anode wirings and the wiring on the substrate is completely completed. I was able to get to. In addition, the first and second anode wirings and the anodic oxidizing solution 22 are electrically isolated from each other and in an insulated state. Therefore, even if the oxidation progresses and an anodic oxide film having a high resistance is formed on the surface of the wiring, current does not leak from the anodic wiring into the anodic oxidizing solution, and good anodic oxidation can be performed. . Further, anodized films having different thicknesses could be formed on the wiring 41 and the wiring 42.

【００５７】陽極酸化液２２は、水槽中の回転翼等によ
り攪拌されている。そして陰極電極２５と基板２３の間
の陽極酸化液２２が留まらずに常に流動しいる。したが
って、基板２３と陰極電極２５との間の陽極酸化液の状
態が常に均一に保たれ、形成される陽極酸化膜は基板面
内において均一な膜圧、膜質を有せしめることができ
た。The anodic oxidizing solution 22 is agitated by a rotating blade or the like in a water tank. The anodic oxidizing solution 22 between the cathode electrode 25 and the substrate 23 always flows without remaining. Therefore, the state of the anodic oxidizing solution between the substrate 23 and the cathode electrode 25 was always kept uniform, and the formed anodic oxide film could have a uniform film pressure and film quality in the substrate surface.

【００５８】なお、本実施例では、陰極電極と陽極酸化
される配線を有する基板は、陽極酸化液のある水槽中に
存在したが、陽極酸化液は、陰極電極と、陽極配線が接
続された陽極酸化される配線との間で、電気的接続をし
て存在すればよい。言い換えれば、陰極電極と、陽極酸
化される基板上の配線との電気的接続が、陽極酸化液を
介して行なわれる状態にあればよい。したがって、陰極
電極と基板との間に陽極酸化液を流しこんでもよいし、
例えば、陰極電極の基板との対向面に穴を１つまたは複
数個設ける、またはメッシュ状の構成として、穴または
メッシュを通して陽極酸化液を流出させてもよい。In this embodiment, the substrate having the cathode electrode and the wiring to be anodized was present in the water tank containing the anodizing solution, but the anodizing solution was used to connect the cathode electrode to the anode wiring. It suffices if there is an electrical connection with the wiring to be anodized. In other words, it is sufficient that the electrical connection between the cathode electrode and the wiring on the substrate to be anodized is made via the anodizing solution. Therefore, an anodizing solution may be poured between the cathode electrode and the substrate,
For example, one or a plurality of holes may be provided on the surface of the cathode electrode facing the substrate, or the anodic oxidizing solution may flow out through the holes or the mesh as a mesh-like configuration.

【００５９】図６（Ａ）に、陰極電極の基板との対向面
の形状の例として、陽極酸化液が流出する穴５０が複数
設けられた例を示す。図６（Ｂ）は、陽極配線と接続さ
れているコネクター５１、５２を、図６（Ａ）の陰極電
極の内部に設けた構成を示す。図７（Ａ）の如く、陽極
酸化液が流出する穴６１の形状を、陰極電極と基板との
間における陽極酸化液の流出する向きを特定できるよう
にしてもよい。また、図６（Ｃ）、（Ｄ）、図７（Ｂ）
の如く、陰極電極を円形としてもよい。陽極酸化液が流
出する穴の配置は任意であるが、基板面内において、陽
極酸化液が均一に流出されるように配置することが望ま
しい。対向面の中心に対し、同心円状、放射状等であっ
てもよい。FIG. 6A shows an example of the shape of the surface of the cathode electrode facing the substrate, in which a plurality of holes 50 through which an anodizing solution flows are provided. FIG. 6B shows a configuration in which connectors 51 and 52 connected to the anode wiring are provided inside the cathode electrode of FIG. 6A. As shown in FIG. 7A, the shape of the hole 61 into which the anodizing solution flows may be such that the direction in which the anodizing solution flows between the cathode electrode and the substrate can be specified. 6 (C), (D), FIG. 7 (B)
, The cathode electrode may be circular. The arrangement of the holes through which the anodizing solution flows out is arbitrary, but it is desirable to arrange the holes such that the anodizing solution flows out uniformly within the substrate surface. It may be concentric, radial, or the like with respect to the center of the facing surface.

【００６０】陰極電極は基板と平行な平板のみならず、
例えば、パイプまたはノズル形状の陰極電極として陽極
酸化液を流出し、基板上の配線と陽極酸化液を介して電
気的に接続させてもよい。The cathode electrode is not limited to a flat plate parallel to the substrate,
For example, the anodizing solution may be discharged as a pipe or nozzle-shaped cathode electrode and may be electrically connected to the wiring on the substrate via the anodizing solution.

【００６１】また基板の角度も水平、垂直、ななめ、い
ずれでも可能である。例えば基板およびそれに平行な陰
極電極をななめに構成し、基板・陰極電極間を上部から
下部に向かって陽極酸化液を流出してもよい。The angle of the substrate may be any of horizontal, vertical and slanted. For example, the substrate and the cathode electrode parallel to the substrate may be slanted, and the anodic oxidizing solution may flow out from the top to the bottom between the substrate and the cathode electrode.

【００６２】これらのように、つねに新しい陽極酸化液
が基板・陰極電極間に流入、供給される構成において
は、陽極酸化液が基板間において全く留まらないため、
形成される陽極酸化膜の面内均一性が得られるほか、多
数のロット間における膜厚、膜質の均一性も確保でき
た。In a configuration in which a new anodizing solution always flows between the substrate and the cathode electrode as described above, the anodizing solution does not stay at all between the substrates.
In-plane uniformity of the formed anodic oxide film was obtained, and uniformity of film thickness and film quality among many lots was also ensured.

【００６３】また、陰極電極、基板の何れか一方または
双方を回転させてもよい。これにより陽極酸化膜の膜
質、膜厚の面内均一性をより向上させることができる。Further, one or both of the cathode electrode and the substrate may be rotated. Thereby, the in-plane uniformity of the film quality and thickness of the anodic oxide film can be further improved.

【００６４】基板の面積に対する陰極電極の面積は、基
板と同程度かそれ以上が好ましいが、酸化される部分の
面積の２０パーセント以上であれば十分に陽極酸化可能
である。The area of the cathode electrode with respect to the area of the substrate is preferably equal to or larger than that of the substrate. However, if the area of the oxidized portion is 20% or more, anodic oxidation can be sufficiently performed.

【００６５】また、本実施例においては基板の上側に陰
極電極が位置している。これにより陽極酸化工程中に陰
極側に発生する水素が基板上に留まることを防ぎ、水素
発生による陽極酸化反応の効率の低下を防ぐことができ
た。In this embodiment, the cathode electrode is located above the substrate. As a result, hydrogen generated on the cathode side during the anodic oxidation step was prevented from remaining on the substrate, and a decrease in the efficiency of the anodic oxidation reaction due to the generation of hydrogen was prevented.

【００６６】〔実施例２〕本実施例においては、同一容
器（チャンバー）において、陽極酸化工程を含めた異な
る複数の作製工程を行なった例を示す。また本実施例で
は、異なる陽極酸化幅を同一工程にて形成した例を示
す。また本実施例では、異なる特性を有する、結晶性半
導体を用いた絶縁ゲイト型の薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を、同一基板上に形成した例を示す。[Embodiment 2] In this embodiment, an example in which a plurality of different manufacturing steps including an anodizing step are performed in the same container (chamber) will be described. In this embodiment, an example is shown in which different anodic oxidation widths are formed in the same step. In this embodiment, an insulating gate thin film transistor (TF) using a crystalline semiconductor having different characteristics is used.
T) shows an example in which T is formed on the same substrate.

【００６７】図８および図９に、本実施例で作製するガ
ラス基板上の結晶性の絶縁ゲイト型薄膜トランジスタの
作製工程を示す。図８は、図９中の一点鎖点線で示され
た部分の断面である。まず、基板（コーニング７０５
９、３００ｍｍ×４００ｍｍもしくは１００ｍｍ×１０
０ｍｍ）２０１上に下地酸化膜２０２として厚さ１００
０〜３０００Å、例えば、２０００Åの酸化珪素膜を形
成した。この酸化膜の形成方法としては、酸素雰囲気中
でのスパッタ法を使用した。しかし、より量産性を高め
るには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶＤ法で分解・堆積した
膜を用いてもよい。FIGS. 8 and 9 show steps of manufacturing a crystalline insulated gate thin film transistor on a glass substrate manufactured in this embodiment. FIG. 8 is a cross section of a portion shown by a dashed dotted line in FIG. First, a substrate (Corning 705)
9, 300mm × 400mm or 100mm × 10
0 mm) A thickness of 100 as a base oxide film 202 on 201
A silicon oxide film of 0 to 3000 °, for example, 2000 ° was formed. As a method for forming this oxide film, a sputtering method in an oxygen atmosphere was used. However, in order to further improve mass productivity, a film in which TEOS is decomposed and deposited by a plasma CVD method may be used.

【００６８】その後、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法
によってアモルファスシリコン膜を３００〜５０００
Å、好ましくは５００〜１０００Å堆積し、これを、５
５０〜６００℃の還元雰囲気に２４時間放置して、結晶
化せしめた。この工程は、レーザー照射によっておこな
ってもよい。そして、このようにして結晶化させた珪素
膜をパターニングして島状の活性層領域２０３および２
０４を形成した。さらに、この上にスパッタ法によって
厚さ７００〜１５００Åの酸化珪素膜２０５を形成し
た。Thereafter, the amorphous silicon film is formed into a thickness of 300 to 5000 by a plasma CVD method or an LPCVD method.
{Preferably 500-1000} and deposit 5
It was left in a reducing atmosphere at 50 to 600 ° C. for 24 hours to be crystallized. This step may be performed by laser irradiation. Then, the silicon film thus crystallized is patterned to form island-like active layer regions 203 and 2.
04 was formed. Further, a silicon oxide film 205 having a thickness of 700 to 1500 ° was formed thereon by sputtering.

【００６９】その後、厚さ１０００Å〜３μｍ、例え
ば、６０００Åのアルミニウム膜（１ｗｔ％のＳｉ、も
しくは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）を電子ビー
ム蒸着法もしくはスパッタ法によって形成した。そし
て、フォトレジスト（例えば、東京応化製、ＯＦＰＲ８
００／３０ｃｐ）をスピンコート法によって形成した。
フォトレジストの形成前に、アルミニウム膜の全表面に
陽極酸化法によって厚さ１００〜１０００Åの酸化アル
ミニウム膜を表面に形成しておくと、フォトレジストと
の密着性が良く、また、フォトレジストからの電流のリ
ークを抑制することにより、後の陽極酸化工程におい
て、多孔質陽極酸化物を側面のみに形成するうえで有効
であった。その後、フォトレジストとアルミニウム膜を
パターニングして、アルミニウム膜と一緒にエッチング
し、配線部２０６、２０９、ゲイト電極部２０７、２０
８、２１０を形成した。（図８（Ａ））Thereafter, an aluminum film (containing 1 wt% of Si or 0.1 to 0.3 wt% of Sc) having a thickness of 1000 to 3 μm, for example, 6000 ° is formed by electron beam evaporation or sputtering. Then, a photoresist (for example, OFPR8 manufactured by Tokyo Ohka)
00/30 cp) by spin coating.
If an aluminum oxide film having a thickness of 100 to 1000 ° is formed on the entire surface of the aluminum film by anodic oxidation before forming the photoresist, adhesion to the photoresist is good, and By suppressing the current leakage, it was effective in forming the porous anodic oxide only on the side surfaces in the subsequent anodic oxidation step. Thereafter, the photoresist and the aluminum film are patterned and etched together with the aluminum film to form wiring portions 206 and 209 and gate electrode portions 207 and 20.
8, 210 were formed. (FIG. 8A)

【００７０】これらの配線、ゲイト電極の上には前記の
フォトレジストが残されており、これは後の陽極酸化工
程において陽極酸化防止のマスクとして機能する。この
状態を上から見た様子を図９に示す。ゲイト電極２０
７、２０８および配線２０９と、配線２０６とゲイト電
極２１０とは電気的に独立しており、前者をＡ系列、後
者をＢ系列と称する。（図９（Ａ））The photoresist is left on these wirings and gate electrodes, and functions as a mask for preventing anodic oxidation in a subsequent anodic oxidation step. FIG. 9 shows this state viewed from above. Gate electrode 20
7, 208 and the wiring 209, and the wiring 206 and the gate electrode 210 are electrically independent, and the former is referred to as an A series and the latter as a B series. (FIG. 9A)

【００７１】図１０に本発明を用いた陽極酸化装置の例
を示す。ここで基板を図１０に示す装置内に移動させ、
配線、ゲイト電極に対する陽極酸化を行なった。図１０
において、側方から図示しないロボットアームにより搬
送された基板２０１がステージ４０１上に配置され、真
空チャックによりステージ４０１上に固定された。ステ
ージ４０１は回転可能であり、いわゆるスピナーを構成
している。FIG. 10 shows an example of an anodizing apparatus using the present invention. Here, the substrate is moved into the apparatus shown in FIG.
Anodization was performed on the wiring and the gate electrode. FIG.
In, the substrate 201 transported from the side by a robot arm (not shown) was arranged on the stage 401 and fixed on the stage 401 by a vacuum chuck. The stage 401 is rotatable and forms a so-called spinner.

【００７２】次にステージ４０１上面より下側に位置し
ていたカップ４００が図に示す位置に戻った。上方から
は、陰極電極４０２が降りてきて、基板２０１上の、Ａ
系列およびＢ系列から延在した接続領域上に、陰極電極
４０２内に設けられたコネクター４０４、４０５が固定
された。ここでは接続領域は、基板２０１の対角線上に
設けた。Next, the cup 400 located below the upper surface of the stage 401 returned to the position shown in the figure. The cathode electrode 402 comes down from above, and A
Connectors 404 and 405 provided in cathode electrode 402 were fixed on connection regions extending from the series and the B series. Here, the connection region is provided on a diagonal line of the substrate 201.

【００７３】また陰極電極４０２の基板との対向面の状
態を、図６（Ｄ）に示す。この対向面には、陽極酸化液
が流出する穴４０３、第１の陽極配線４０６、第２の陽
極配線４０７に接続されたコネクター４０４、４０５が
設けられている。陰極電極は、白金、金、鉛、炭素、ス
テンレス、アルミニウム、またはアルミニウム、チタ
ン、ニッケル、銅を金、白金で被覆したもの等、陽極酸
化液により腐食されない、またはしにくいものであれば
よい。FIG. 6D shows the state of the surface of the cathode electrode 402 facing the substrate. On the opposite surface, there are provided a hole 403 through which an anodizing solution flows, connectors 404 and 405 connected to a first anode wiring 406 and a second anode wiring 407. The cathode electrode may be any material that is not corroded or hardly corroded by an anodizing solution, such as platinum, gold, lead, carbon, stainless steel, aluminum, or aluminum, titanium, nickel, or copper coated with gold or platinum.

【００７４】コネクター４０４、４０５は図５（Ａ）の
構造の物を用い、吸引により固定された。コネクター４
０４は第１の陽極配線４０６と、コネクター４０５は第
２の陽極配線４０７と電気的に接続されている。また陰
極電極４０２と、陽極配線４０６、４０７とは電気的に
絶縁されている。第１および第２の陽極配線４０６、４
０７は、互いに独立制御可能な直流電源の正側に接続さ
れている。The connectors 404 and 405 have the structure shown in FIG. 5A and are fixed by suction. Connector 4
04 is electrically connected to the first anode wiring 406, and the connector 405 is electrically connected to the second anode wiring 407. Further, the cathode electrode 402 and the anode wirings 406 and 407 are electrically insulated. First and second anode wirings 406, 4
Reference numeral 07 is connected to the positive side of a DC power supply that can be controlled independently of each other.

【００７５】ステージ４０１はモータに接続され、回転
機能を有する。基板２０１に固定された陰極電極４０２
は、ステージ４０１の回転により、従属して回転する。
陰極電極４０２にもモータを設けてもよい。このように
して、ステージ、陰極電極が同一軸上を同一方向に回転
する。第１の陽極配線４０６および第２の陽極配線４０
７は、ブラシ接続等、陰極電極が回転しても直流電源と
の電気的接続が途絶えない構造を有している。また基板
２０１と、陰極電極４０２の基板との対向面との距離
は、例えば１〜５０ｍｍ好ましくは１０ｍｍ以下、ここ
では２ｍｍとした。この距離が狭ければ、陰極電極と基
板面との間の間隙を陽極酸化液で満たすことが容易とな
る。The stage 401 is connected to a motor and has a rotation function. Cathode electrode 402 fixed to substrate 201
Rotates dependently due to the rotation of the stage 401.
A motor may be provided for the cathode electrode 402 as well. Thus, the stage and the cathode electrode rotate on the same axis in the same direction. First anode wiring 406 and second anode wiring 40
Reference numeral 7 has a structure such as a brush connection in which the electrical connection with the DC power supply is not interrupted even when the cathode electrode rotates. The distance between the substrate 201 and the surface of the cathode electrode 402 facing the substrate is, for example, 1 to 50 mm, preferably 10 mm or less, and 2 mm here. If this distance is small, it is easy to fill the gap between the cathode electrode and the substrate surface with the anodic oxidizing solution.

【００７６】ステージ４０１、基板２０１および陰極電
極４０２を回転させるとともに、陰極電極４０２の穴４
０３から陽極酸化液４０８を流出させた。回転数は、１
００〜５００ｒｐｍここでは２００ｒｐｍであった。陽
極酸化液は３〜２０％のクエン酸または硝酸、燐酸、ク
ロム酸、硫酸等の酸性水溶液、ここでは３％の硫酸水溶
液を用いた。陽極酸化液は３０〜８０℃ここでは３０℃
に保たれている。陰極電極内にセラミックヒーターやペ
ルチェ素子等を設けて陽極酸化液の温度制御をしてもよ
い。The stage 401, the substrate 201 and the cathode electrode 402 are rotated, and the holes 4 of the cathode electrode 402 are rotated.
The anodic oxidizing solution 408 was flowed out from 03. The rotation speed is 1
It was 200 rpm in this case from 00 to 500 rpm. As the anodic oxidation solution, a 3 to 20% citric acid or an acidic aqueous solution of nitric acid, phosphoric acid, chromic acid, sulfuric acid, or the like, here, a 3% sulfuric acid aqueous solution was used. Anodizing solution is 30-80 ° C, here 30 ° C
It is kept in. A ceramic heater, a Peltier element, or the like may be provided in the cathode electrode to control the temperature of the anodic oxidizing solution.

【００７７】陽極酸化液４０８は基板と陰極電極との間
隙を満たす程度に流出しており、また回転による遠心力
により、基板および陰極電極の周縁から陽極酸化液がカ
ップ４００に向かって飛び散り、排液口４０９よりカッ
プ４００下に流出し、排水管を通って装置の外に排水さ
れた。排水管の系統は液体の種類毎に異ならせることが
好ましい。The anodizing solution 408 flows out to fill the gap between the substrate and the cathode electrode, and the anodizing solution scatters from the periphery of the substrate and the cathode electrode toward the cup 400 due to centrifugal force due to rotation, and is discharged. The liquid flowed out from the liquid port 409 below the cup 400, and was discharged to the outside of the apparatus through a drain pipe. It is preferable that the drainage pipe system be different for each type of liquid.

【００７８】このときは、上記の配線、ゲイト電極のう
ち、Ｂ系列が接続された第２の陽極配線にのみ電流を通
じて陽極酸化し、厚さ３０００Å〜２５μｍ、例えば、
厚さ０．５μｍの陽極酸化物２１１、２１２を配線、ゲ
イト電極の側面に形成した。印加電圧は５〜３０Ｖ、例
えば、８Ｖの一定電圧を５〜２４０分ここでは２０分ゲ
イト電極に印加して行った。At this time, of the above wirings and gate electrodes, only the second anode wiring to which the B-series is connected is anodized by passing an electric current to a thickness of 3000 to 25 μm, for example,
Anodic oxides 211 and 212 having a thickness of 0.5 μm were formed on the side surfaces of the wiring and the gate electrode. The applied voltage was 5 to 30 V, for example, a constant voltage of 8 V was applied to the gate electrode for 5 to 240 minutes, here 20 minutes.

【００７９】ステージ４０１および陰極電極４０２の回
転、および陽極酸化液の流出を停止し、コネクター４０
４、４０５の吸引（減圧）状態を解除して陰極電極４０
２を上方に引き上げた。The rotation of the stage 401 and the cathode electrode 402 and the outflow of the anodic oxidation solution are stopped, and the connector 40 is stopped.
The suction (decompression) state of 4, 405 is released and the cathode electrode 40 is released.
2 was pulled upward.

【００８０】このようにして形成された陽極酸化物は多
孔質を有するポーラス型の陽極酸化物であった。陽極酸
化物の厚さは陽極酸化時間および温度によって制御し
た。この際、Ａ系列には電流が流されていないのでゲイ
ト電極２０７、２０８、配線２０９には陽極酸化物は形
成されなかった。（図８（Ｂ）、図９（Ｂ））The anodic oxide thus formed was a porous anodic oxide having porosity. The thickness of the anodized oxide was controlled by the anodizing time and temperature. At this time, no anodic oxide was formed on the gate electrodes 207 and 208 and the wiring 209 because no current was passed through the A series. (FIG. 8 (B), FIG. 9 (B))

【００８１】次に、ステージ４０１、基板２０１を再び
回転させ、基板２０１上に残存している陽極酸化液を振
り切り、乾燥させた。回転数は２５００〜４０００ｒｐ
ｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間回転させ
た。基板２０１上に陽極酸化液は殆ど存在しなくなって
いた。Next, the stage 401 and the substrate 201 were rotated again, and the anodic oxidation solution remaining on the substrate 201 was shaken off and dried. The number of rotations is 2500-4000 rpm
m, here 3000 rpm, and rotated for 30 seconds. Almost no anodic oxidation liquid was present on the substrate 201.

【００８２】次に、１００〜１０００ｒｐｍ、ここでは
３００ｒｐｍの回転数で再びステージ４０１とその上の
基板２０１を回転させ、第１のノズル４１０を移動し
て、純水を回転している基板２０１上の中心部に流出さ
せ、基板２０１上面の洗浄を行なった。２分間回転させ
た後、純水の流出を停止し、第１のノズル４１０を元の
位置に戻すとともに、ステージの回転数を２５００〜４
０００ｒｐｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間
回転させて、基板２０１上の純水を振り切り、乾燥させ
た。排液口４０９よりカップ４００下側に排出された純
水は、先程使用した陽極酸化液とは別系統の排水管を通
って装置の外に排出された。Next, the stage 401 and the substrate 201 thereon are again rotated at a rotational speed of 100 to 1000 rpm, here 300 rpm, and the first nozzle 410 is moved to move the pure water onto the substrate 201 rotating pure water. And the upper surface of the substrate 201 was washed. After rotating for 2 minutes, the outflow of pure water is stopped, the first nozzle 410 is returned to the original position, and the rotation speed of the stage is set to 2500 to 4
The rotation was performed at 000 rpm, here 3000 rpm, for 30 seconds, and the pure water on the substrate 201 was shaken off and dried. The pure water discharged from the drainage port 409 to the lower side of the cup 400 was discharged out of the apparatus through a drainage pipe of a different system from that of the anodizing solution used previously.

【００８３】次に、レジストよりなるマスクを、レジス
ト剥離液を用いて除去した。ステージおよび基板を１０
０〜１０００ｒｐｍここでは５００ｒｐｍで回転させ、
第２のノズル４１１を移動して、ヒータにより５０〜８
０℃に加熱されたレジスト剥離液を回転している基板２
０１の中心部に流出させた。５分経過の後、レジスト剥
離液の流出を止め、ノズル４１１を元の位置に戻すとと
もに、ステージの回転数を２５００〜４０００ｒｐｍこ
こでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間回転させて、基板
２０１上のレジスト剥離液を振り切り、乾燥させた。排
液口４０９より排出したレジスト剥離液は、陽極酸化
液、純水とは別系統の排水管より装置の外に排出され
た。Next, the resist mask was removed using a resist stripper. 10 stages and substrates
0-1000rpm Here, rotate at 500rpm,
By moving the second nozzle 411, 50 to 8
Substrate 2 rotating resist stripper heated to 0 ° C
01 to the center. After a lapse of 5 minutes, the outflow of the resist stripping solution is stopped, the nozzle 411 is returned to the original position, and the rotation speed of the stage is set to 2500 to 4000 rpm, here 3000 rpm, and the stage is rotated for 30 seconds. Was shaken off and dried. The resist stripping solution discharged from the drain port 409 was discharged out of the apparatus from a drain pipe of a different system from the anodic oxidation solution and pure water.

【００８４】次に、１００〜１０００ｒｐｍ、ここでは
３００ｒｐｍの回転数で再びステージ４０１とその上の
基板２０１を回転させ、第１のノズル４１０を移動し
て、純水を回転している基板２０１上の中心部に流出さ
せ、基板２０１上面の洗浄を行なった。２分間回転させ
た後、純水の流出を停止し、第１のノズル４１０を元の
位置に戻すとともに、ステージの回転数を２５００〜４
０００ｒｐｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間
回転させて、基板２０１上の純水を振り切り、乾燥させ
た。排出された純水は、陽極酸化後の洗浄工程時に排出
された純水と同じ系統の排水管より装置の外に排出され
た。Next, the stage 401 and the substrate 201 thereon are again rotated at a rotation speed of 100 to 1,000 rpm, here 300 rpm, and the first nozzle 410 is moved to move the pure water on the substrate 201 rotating pure water. And the upper surface of the substrate 201 was washed. After rotating for 2 minutes, the outflow of pure water is stopped, the first nozzle 410 is returned to the original position, and the rotation speed of the stage is set to 2500 to 4
The rotation was performed at 000 rpm, here 3000 rpm, for 30 seconds, and the pure water on the substrate 201 was shaken off and dried. The discharged pure water was discharged out of the apparatus through a drain pipe of the same system as the pure water discharged in the cleaning step after the anodization.

【００８５】次に、バリア型の陽極酸化を行なうため、
再び陰極電極４０２を移動し、基板２０１上の接続領域
上に、吸引によりコネクターを固定した。接続する回路
系統は先に行なったポーラス型の陽極酸化と同じく、コ
ネクター４０４にＡ系列と、コネクター４０５にＢ系列
が電気的に接続されたNext, in order to perform barrier type anodic oxidation,
The cathode electrode 402 was moved again, and the connector was fixed on the connection area on the substrate 201 by suction. As for the circuit system to be connected, the A series was electrically connected to the connector 404 and the B series was electrically connected to the connector 405 as in the porous anodic oxidation performed earlier.

【００８６】陰極電極４０２は、ポーラス型の陽極酸化
を行なった時と同じものを用いることもできるが、電極
内に残った溶液が混ざることを防ぐため、同じ構造を有
する他の電極を陰極電極４０２として用いた。また基板
２０１と、陰極電極４０２の基板との対向面との距離
は、１〜５０ｍｍ好ましくは１０ｍｍ以下、ここでは２
ｍｍとした。As the cathode electrode 402, the same electrode as that used in the porous anodic oxidation can be used. However, in order to prevent the solution remaining in the electrode from being mixed, another electrode having the same structure is used as the cathode electrode. 402. Also, the distance between the substrate 201 and the surface of the cathode electrode 402 facing the substrate is 1 to 50 mm, preferably 10 mm or less, and here 2 mm.
mm.

【００８７】ステージ４０１、基板２０１および陰極電
極４０２を回転させるとともに、陰極電極４０２の穴４
０３から陽極酸化液４０８を流出させた。陽極酸化液４
０８は、３〜１０％の酒石液、硼酸、リン酸が含まれ、
アンモニアで中和されたＰＨ≒７のエチレングルコール
溶液を用いた。回転数は、１００〜５００ｒｐｍここで
は２００ｒｐｍであった。同時にゲイト電極・配線に定
電流を印加した。今回は、Ａ系列、Ｂ系列ともに通電し
た。陽極酸化液の温度は１０℃前後の室温より低い方が
良好な酸化膜が得られた。温度制御を陰極電極４０２内
にセラミックヒーターやペルチェ素子等を設けて行なっ
てもよい。The stage 401, the substrate 201 and the cathode electrode 402 are rotated, and the holes 4 of the cathode electrode 402 are rotated.
The anodic oxidizing solution 408 was flowed out from 03. Anodizing solution 4
08 contains 3-10% tartaric acid, boric acid, phosphoric acid,
An ethylene glycol solution of PH ≒ 7 neutralized with ammonia was used. The number of rotations was 100-500 rpm, here 200 rpm. At the same time, a constant current was applied to the gate electrode and wiring. This time, both the A-series and B-series were energized. A better oxide film was obtained when the temperature of the anodic oxidizing solution was lower than room temperature around 10 ° C. Temperature control may be performed by providing a ceramic heater, a Peltier element, or the like in the cathode electrode 402.

【００８８】陽極酸化液４０８は基板と陰極電極との間
隙を満たす程度に流出しており、また回転による遠心力
により、基板および陰極電極の周縁から陽極酸化液がカ
ップ４００に向かって飛び散り、排液口４０９よりカッ
プ４００下に流出し、排水管を通って装置の外に排水さ
れた。The anodizing solution 408 flows out to fill the gap between the substrate and the cathode electrode, and the anodizing solution scatters from the periphery of the substrate and the cathode electrode toward the cup 400 due to the centrifugal force of rotation, and is discharged. The liquid flowed out from the liquid port 409 below the cup 400, and was discharged to the outside of the apparatus through a drain pipe.

【００８９】電圧が１００Ｖに到達するまで電流を印加
した。その後、ステージ４０１および陰極電極４０２の
回転、および陽極酸化液の流出を停止し、コネクター４
０４、４０５の吸引（減圧）状態を解除して陰極電極４
０２を上方に引き上げた。Current was applied until the voltage reached 100V. After that, the rotation of the stage 401 and the cathode electrode 402 and the outflow of the anodizing solution are stopped, and the connector 4
04, 405 is released and the cathode electrode 4
02 was pulled up.

【００９０】このようにして、ゲイト電極・配線２０６
〜２１０の上面および側面にバリヤ型の陽極酸化物２１
３〜２１７が形成された。陽極酸化物２１３〜２１７の
厚さは印加電圧に比例し、例えば、印加電圧が１００Ｖ
で１２００Åの陽極酸化物が形成された。本実施例で
は、電圧は１００Ｖまで上昇させたので、得られた陽極
酸化物の厚さが１２００Åであった。バリヤ型の陽極酸
化物の厚さは任意であるが、あまり薄いと、後で多孔質
陽極酸化物をエッチングする際に、アルミニウムを溶出
させてしまう危険があるので、５００Å以上が好ましか
った。In this manner, the gate electrode / wiring 206
Barrier type anodic oxide 21 on the top and side surfaces
3-217 were formed. The thickness of the anodic oxides 213 to 217 is proportional to the applied voltage.
Formed anodized oxide of 1200 ° C. In this example, since the voltage was increased to 100 V, the thickness of the obtained anodic oxide was 1200 °. The thickness of the barrier type anodic oxide is arbitrary, but if it is too thin, there is a risk that aluminum will be eluted when the porous anodic oxide is etched later, so that 500 mm or more was preferred. .

【００９１】注目すべきは、バリヤ型の陽極酸化物は後
の工程で得られるにもかかわらず、多孔質の陽極酸化物
の外側にバリヤ型の陽極酸化物ができるのではなく、多
孔質陽極酸化物とゲイト電極の間にバリヤ型の陽極酸化
物が形成されることである。（図８（Ｃ））It should be noted that, although the barrier type anodic oxide is obtained in a later step, the barrier type anodic oxide is not formed outside the porous anodic oxide, but the porous anodic oxide is formed. A barrier-type anodic oxide is formed between the oxide and the gate electrode. (FIG. 8 (C))

【００９２】次に、ステージ４０１、基板２０１を再び
回転させ、基板２０１上に残存している陽極酸化液を振
り切り、乾燥させた。回転数は２５００〜４０００ｒｐ
ｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間回転させ
た。基板２０１上に陽極酸化液は殆ど存在しなくなって
いた。Next, the stage 401 and the substrate 201 were rotated again, and the anodized solution remaining on the substrate 201 was shaken off and dried. The number of rotations is 2500-4000 rpm
m, here 3000 rpm, and rotated for 30 seconds. Almost no anodic oxidation liquid was present on the substrate 201.

【００９３】次に、１００〜１０００ｒｐｍ、ここでは
３００ｒｐｍの回転数で再びステージ４０１とその上の
基板２０１を回転させ、第１のノズル４１０を移動し
て、純水を回転している基板２０１上の中心部に流出さ
せ、基板２０１上面の洗浄を行なった。２分間回転させ
た後、純水の流出を停止し、第１のノズル４１０を元の
位置に戻すとともに、ステージの回転数を２５００〜４
０００ｒｐｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間
回転させて、基板２０１上の純水を振り切り、乾燥させ
た。排液口４０９よりカップ４００下側に排出された純
水は、先程使用した純水が排出された排水管を通って装
置の外に排出された。Next, the stage 401 and the substrate 201 thereon are again rotated at a rotation speed of 100 to 1000 rpm, here 300 rpm, and the first nozzle 410 is moved to move the stage 401 onto the substrate 201 rotating pure water. And the upper surface of the substrate 201 was washed. After rotating for 2 minutes, the outflow of pure water is stopped, the first nozzle 410 is returned to the original position, and the rotation speed of the stage is set to 2500 to 4
The rotation was performed at 000 rpm, here 3000 rpm, for 30 seconds, and the pure water on the substrate 201 was shaken off and dried. The pure water discharged from the drain port 409 to the lower side of the cup 400 was discharged out of the apparatus through the drain pipe from which the pure water used previously was discharged.

【００９４】このようにして、陽極酸化工程を終了し、
カップ４００を下側に移動して、ロボットアーム等によ
り基板２０１を搬送用カセットや次の工程を行なう装置
へ搬出、移動した。さらに、新たな基板をステージ上に
配置することで、連続して多数の基板に対し陽極酸化工
程を施すことができた。In this way, the anodic oxidation step is completed.
The cup 400 was moved downward, and the substrate 201 was carried out and moved to a transfer cassette or a device for performing the next step by a robot arm or the like. Further, by arranging a new substrate on the stage, it was possible to continuously perform the anodic oxidation process on a large number of substrates.

【００９５】その後、イオンドーピング法によって、Ｔ
ＦＴの活性層２０３、２０４に、ゲイト電極部（すなわ
ちゲイト電極とその周囲の陽極酸化膜）およびゲイト絶
縁膜をマスクとして自己整合的に不純物を注入し、不純
物（ソース／ドレイン）領域２１８、２１９、２２０を
形成した。ドーピングガスとしてはフォスフィン（ＰＨ
₃ ）およびジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）を用いた。ドーズ量は
５×１０¹⁴〜５×１０ ¹⁵ｃｍ^-2、加速エネルギーは５０
〜９０ｋｅＶとした。領域２１８および２２０はＮ型、
領域２１９はＰ型となるように不純物を導入した。領域
２１８により、ＮＴＦＴ２２８、領域２１９によりＰＴ
ＦＴ２２９、領域２２０により、ＮＴＦＴ２３０が作ら
れる。After that, T was obtained by ion doping.
Gate electrode portions (i.e., wires) are formed on the FT active layers 203 and 204.
Gate electrode and its surrounding anodic oxide film)
Impurities are implanted in a self-aligned manner using the
Object (source / drain) regions 218, 219, 220
Formed. Phosphine (PH
_Three) And diborane (B_TwoH₆) Was used. Dose amount
5 × 10¹⁴~ 5 × 10 ^Fifteencm^-2, Acceleration energy is 50
９０90 keV. Regions 218 and 220 are N-type,
An impurity is introduced into the region 219 so as to be P-type. region
218, PTFT 228 by region 219
NTFT 230 is made by FT 229 and area 220
It is.

【００９６】この結果、図の左側の２つのＴＦＴ（これ
らは相補型ＴＦＴである）２２８、２２９では、ゲイト
電極の側面の陽極酸化物２１４、２１５の厚さが約１２
００Åであるので、ゲイト電極と不純物領域の重ならな
い領域（オフセット領域）の幅ｘ₁ 、ｘ₃ は、イオンド
ーピングの際の回りこみを考慮して約１０００Åであっ
た。一方、右側のＴＦＴ２３０では、陽極酸化物２１２
および２１７の厚さが合わせて約６２００Åなので、オ
フセット幅ｘ₂ は約６０００Åであった。As a result, in the two TFTs 228 and 229 on the left side of the figure (these are complementary TFTs), the thickness of the anodic oxides 214 and 215 on the side surfaces of the gate electrode is about 12
Since it is 00 °, the widths x ₁ and x ₃ of the region (offset region) where the gate electrode and the impurity region do not overlap are about 1000 ° in consideration of the rounding during ion doping. On the other hand, in the right TFT 230, the anodic oxide 212
The offset width x ₂ was about 6000 ° because the thicknesses of and 217 totaled about 6200 °.

【００９７】その後、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用いて
多孔質陽極酸化物２１１、２１３をエッチングした。こ
のエッチングでは陽極酸化物２１１、２１３のみがエッ
チングされ、エッチングレートは約６００Å／分であっ
た。バリヤ型陽極酸化物２１３〜２１７や酸化珪素膜２
０５はそのまま残存した。その後、ＫｒＦエキシマーレ
ーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照
射して、活性層中に導入された不純物イオンの活性化を
おこなった。（図８（Ｅ））After that, the porous anodic oxides 211 and 213 were etched using a mixed acid of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid. In this etching, only the anodic oxides 211 and 213 were etched, and the etching rate was about 600 ° / min. Barrier type anodic oxides 213 to 217 and silicon oxide film 2
05 remained as it was. Thereafter, irradiation with a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm, pulse width: 20 nsec) was performed to activate the impurity ions introduced into the active layer. (FIG. 8 (E))

【００９８】そして、ゲイト電極・配線を分断して、必
要とする大きさ、形状とした。（図９（Ｃ）。さらに、
全面に層間絶縁物２２１として、ＣＶＤ法によって酸化
珪素膜を厚さ６０００Å形成した。次いで、厚さ８００
ÅのＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）膜をスパッタ法に
よって形成し、これをパターニングして、画素電極２２
２を形成した。そして、層間絶縁物２２１およびゲイト
絶縁膜２０５をエッチングして、ＴＦＴのソース／ドレ
インにコンタクトホールを形成し、同時に、層間絶縁物
２２１および陽極酸化物２１３〜２１７をエッチングし
て、ゲイト電極・配線にコンタクトホールを形成した。
最後に、アルミニウム配線・電極２２３〜２２６を形成
し、２００〜４００℃で水素アニールをおこなった。Then, the gate electrode and the wiring were divided to obtain the required size and shape. (FIG. 9 (C).
A silicon oxide film having a thickness of 6000 mm was formed as an interlayer insulator 221 on the entire surface by a CVD method. Next, thickness 800
Å An ITO (indium tin oxide) film is formed by a sputtering method, and is patterned to form a pixel electrode 22.
2 was formed. Then, the interlayer insulator 221 and the gate insulating film 205 are etched to form contact holes in the source / drain of the TFT, and at the same time, the interlayer insulator 221 and the anodic oxides 213 to 217 are etched to form a gate electrode / wiring. A contact hole was formed.
Finally, aluminum wiring / electrodes 223 to 226 were formed, and hydrogen annealing was performed at 200 to 400 ° C.

【００９９】なお、配線２２３は配線２０６と相補型Ｔ
ＦＴのＮチャネル型ＴＦＴのソースを接続し、配線２２
５は相補型ＴＦＴのＴＦＴのＰチャネル型ＴＦＴのソー
スと配線２０９を接続する。また、配線２２４（すなわ
ち２２６）は相補型ＴＦＴの出力端子（すなわち、Ｎチ
ャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴのドレイン）と右
のＴＦＴのドレインとを接続する。さらに、配線２２７
は右のＴＦＴのドレインと画素電極２２２とを接続す
る。以上によって、ＴＦＴを有する集積回路が完成され
た。（図８（Ｆ））The wiring 223 is complementary to the wiring 206
The source of the N-channel TFT of the FT is connected, and the wiring 22 is connected.
5 connects the source of the P-channel TFT of the complementary TFT and the wiring 209. The wiring 224 (that is, 226) connects the output terminal of the complementary TFT (that is, the drain of the N-channel TFT and the drain of the P-channel TFT) to the drain of the right TFT. Further, the wiring 227
Connects the drain of the right TFT to the pixel electrode 222. Thus, an integrated circuit having a TFT is completed. (FIG. 8 (F))

【０１００】また、特にＡ系列において、実施例に示し
たごとく、ドライバーは大電流駆動となるため、ＰＴＦ
Ｔ（高抵抗領域幅をｘ₁ とする ）、ＮＴＦＴ（高抵抗
領域幅をｘ₄ とする）とも劣化が少ない。また、デコー
ダー、ＣＰＵ、シフトレジスタ、メモリーその他の駆動
回路は小消費電力であり、かつ、高周波動作のため、チ
ャネル幅、チャネル長とも小さく、ホットキャリヤによ
る劣化が発生しやすい。これらの回路に用いられるＮＴ
ＦＴの高抵抗領域の幅ｘ₃ は、ＰＴＦＴの高抵抗領域の
幅ｘ₁ よりも大なることが必要である。また、大電圧の
印加されるアクティブマトリクス回路中のＮＴＦＴ（高
抵抗領域幅をｘ₂ とする）は、必要とされる移動度も小
さいため、劣化が非常に発生しやすく、結果として、信
頼性向上のためには、ｘ₂ ＞ｘ₃ ＞ｘ₄ ≧ｘ₁ であるこ
とが求められる。例えば、ｘ₂ は０．５〜１μｍ、ｘ₃
は０．２〜０．３μｍ、ｘ₄ は０〜０．２μｍ、ｘ₁ は
０〜０．１μｍである。かくすると、シフトレジスタは
１〜５０ＭＨｚで動作させることができた。本実施例で
は、画素電極の制御をおこなうＴＦＴ（右のＴＦＴ）の
オフセットの幅が十分に大きいでのリーク電流を抑える
効果が大である。Further, especially in the A series, the driver is driven by a large current as shown in the embodiment, so that the PTF
T (the high resistance region width is x _1), NTFT (the high resistance region width x ₄₎ with little degradation. Further, a decoder, a CPU, a shift register, a memory, and other driving circuits consume low power and operate at high frequency, so that both channel width and channel length are small, and deterioration due to hot carriers easily occurs. NT used in these circuits
The width of the high resistance region of the FT x _3, it is necessary to become larger than the width x ₁ of the high resistance region of PTFT. In addition, NTFTs in the active matrix circuit to which a large voltage is applied (the width of the high-resistance region is x ₂ ) have a small required mobility, so that they are very liable to be deteriorated. For improvement, it is required that x ₂ > x ₃ > x ₄ ≧ x ₁ . For example, x ₂ is 0.5 to 1 [mu] m, x ₃
Is 0.2~0.3μm, x ₄ is 0~0.2μm, x ₁ is 0~0.1μm. Thus, the shift register could operate at 1 to 50 MHz. In this embodiment, the effect of suppressing the leak current when the width of the offset of the TFT (right TFT) for controlling the pixel electrode is sufficiently large is great.

【０１０１】本実施例では、異なる陽極酸化幅の系列を
Ａ、Ｂの２系統としたが、コネクター数またはコネクタ
ー内の端子数を増やして３またはそれ以上の系統数を設
けてもよい。In the present embodiment, the two series of different anodic oxidation widths are A and B. However, three or more systems may be provided by increasing the number of connectors or the number of terminals in the connectors.

【０１０２】以上のように、ポーラス型の陽極酸化、乾
燥、純水による基板洗浄、レジスト剥離、バリア型の陽
極酸化といった工程を、同一容器（チャンバー）内で全
て行なうことができた。すなわち、容器（チャンバー）
から基板を取り出すことなく、これらの工程を実施する
ことができた。従来の陽極酸化装置では考えられないほ
ど空間が有効利用されている。またポーラス型の陽極酸
化工程の前に、同一装置内において、陽極酸化と同様の
要領で電解エッチングを行なうことも可能である。As described above, the steps of porous anodic oxidation, drying, substrate cleaning with pure water, resist stripping, and barrier anodic oxidation could all be performed in the same container (chamber). That is, container (chamber)
These steps could be performed without taking out the substrate from. The space is used more effectively than in the conventional anodizing apparatus. Before the porous anodic oxidation step, it is also possible to perform electrolytic etching in the same apparatus in the same manner as in the anodic oxidation.

【０１０３】また、同一容器内において、通常のウェッ
トエッチングを行ってもよい。この場合、レジスト等が
パターニングしてあるを用いて、ステージおよび基板を
回転させ、基板の回転の中心部分にエッチャントを流出
させればよい。[0103] Ordinary wet etching may be performed in the same container. In this case, the stage and the substrate may be rotated by using a patterned resist or the like, and the etchant may be discharged to the center of rotation of the substrate.

【０１０４】また、基板の回転、多数の穴からの陽極酸
化液の流出、陰極電極と陽極配線に接続された基板上の
配線との間への陽極酸化液の流入、等により、同一基板
面内において、極めて均一な陽極酸化膜の膜圧、膜質を
得ることができた。なお、陽極酸化液の、陰極電極と陽
極配線に接続された基板上の配線との間への流入は、連
続的であっても間欠的であってもよい。また、本実施例
においては、基板と陰極電極を回転させたが、全く回転
させなくても、同一基板面内における均一性の極めて高
い膜厚、膜質を得ることができた。またその場合陰極電
極の基板との対向面の形状を、図７（Ａ）、（Ｂ）に示
すようなパターンとして、流出する陽極酸化液が特定の
方向に向かって流れていくようにしてもよい。The rotation of the substrate, the flow of the anodic oxidizing solution from a large number of holes, the flow of the anodic oxidizing solution between the cathode electrode and the wiring on the substrate connected to the anodic wiring, etc., cause the same substrate surface to be removed. Within, the film pressure and film quality of an extremely uniform anodic oxide film could be obtained. In addition, the inflow of the anodizing solution between the cathode electrode and the wiring on the substrate connected to the anode wiring may be continuous or intermittent. Further, in this example, the substrate and the cathode electrode were rotated. However, even if the substrate and the cathode electrode were not rotated at all, a very uniform film thickness and film quality could be obtained in the same substrate surface. In that case, the shape of the surface of the cathode electrode facing the substrate may be set to a pattern as shown in FIGS. 7A and 7B so that the outflowing anodic oxide flows in a specific direction. Good.

【０１０５】本実施例の構成においては、陽極酸化工程
中の基板の回転により、陽極酸化液は遠心力によりカッ
プへ飛ばされ、基板の裏面（ステージ側）には殆ど触れ
ることがなくなる。そのため、従来しばしば問題となっ
ていた、陽極酸化液（特にポーラス型用の酸性陽極酸化
液）中に基板を浸すことによる基板の裏面の腐食をほぼ
完全に防ぐことができる。In the structure of the present embodiment, the rotation of the substrate during the anodic oxidation step causes the anodic oxidant to fly to the cup due to the centrifugal force, and hardly touches the rear surface (stage side) of the substrate. Therefore, corrosion of the back surface of the substrate caused by immersing the substrate in an anodizing solution (particularly an acidic anodizing solution for a porous type), which has often been a problem in the past, can be almost completely prevented.

【０１０６】更に、連続して多数の基板を処理した場合
においても、常に新しい陽極酸化液、すなわち陽極酸化
工程により発生する不純物の混入のない陽極酸化液が供
給されているために、各基板間における膜厚、膜質も均
一なものとすることができた。なお、本実施例において
は、陰極電極と基板との間に流入した陽極酸化液は全て
排出し廃液としていたが、その一部または全部を、その
まま或いはフィルター等で浄化して、循環させて使用す
ることもできる。Further, even when a large number of substrates are continuously processed, a new anodic oxide solution, that is, an anodic oxide solution free of impurities generated in the anodizing step, is always supplied. The film thickness and the film quality in Example 2 could be made uniform. In the present embodiment, the anodic oxidizing solution flowing between the cathode electrode and the substrate is entirely discharged and used as a waste solution. However, a part or all of the anodic oxidizing solution is used as it is or after being purified by a filter or the like and circulated. You can also.

【０１０７】また、陽極電極の、基板との対向面の穴の
配置は任意である。図６、図７で示した以外には、たと
えば、陰極電極の基板との対向面の、基板回転の中心点
の対向位置にだけ溶液を流出する穴を設けてもよい。The arrangement of the holes on the surface of the anode electrode facing the substrate is arbitrary. 6 and 7, for example, a hole that allows the solution to flow out may be provided only at a position on the surface of the cathode electrode facing the substrate opposite to the center point of substrate rotation.

【０１０８】本実施例においては、液体の流出を、陰極
電極、第１および第２のノズルを用いて行なったが、す
べて陰極電極から流出させる構成とすることも可能であ
る。この場合、陽極酸化液（バリア型用、ポーラス型
用）やレジスト剥離液などの薬液を流出した後に、純水
等を流出して陰極電極内に残っている薬液を洗浄する工
程を行なうとよい。同時に基板を洗浄してもよい。In this embodiment, the outflow of the liquid is performed using the cathode electrode and the first and second nozzles. However, it is also possible to adopt a configuration in which all the liquid flows out of the cathode electrode. In this case, after a chemical solution such as an anodizing solution (for a barrier type or a porous type) or a resist stripping solution flows out, a step of washing out the chemical solution remaining in the cathode electrode by flowing out pure water or the like may be performed. . At the same time, the substrate may be washed.

【０１０９】また、当然のことながら、陰極電極と、陽
極酸化液流出用の穴が別個独立して設けられていてもか
まわない。流出される陽極酸化液が陰極電極と基板上の
配線とで、電気的な接続をさえしていなければ、陽極酸
化は可能である。Further, needless to say, the cathode electrode and the hole for the anodic oxidant outflow may be provided separately and independently. Anodization is possible as long as the discharged anodic oxidation solution does not make an electrical connection between the cathode electrode and the wiring on the substrate.

【０１１０】なお、ステージ、基板、陰極電極等の構成
は、図１０に示したもの以外にも、さまざまなバリエー
ションが可能である。図１１〜図１３に、ステージ、基
板、陰極電極等の他の構成の例を示す。例えば、図１１
に示すように、陰極電極ではなくステージ側にコネクタ
ーを設けてもよい。このようにすると、陰極電極と、基
板・ステージの回転速度、回転方向を独立に決定でき
る。たとえば陰極電極は全く回転させず、基板・ステー
ジのみを回転させることができ、装置としてシンプルな
構成となる。逆に基板を固定して、陰極電極を回転させ
てもよい。また、陰極電極と基板・ステージの回転方向
を相互に異ならせる（同一軸上の逆方向）とすることも
可能である。また、一度基板上の接触領域にコネクター
を固定してしまえば、陽極酸化工程がすべて終了するま
でコネクターをはずす必要がない。したがってバリア型
とポーラス型といった２種あるいはそれ以上の陽極酸化
の工程間において、コネクターの固定・取外し作業は不
要となり、工程数を低減できる。Note that the configuration of the stage, the substrate, the cathode electrode, and the like can be variously changed in addition to the configuration shown in FIG. 11 to 13 show examples of other configurations such as a stage, a substrate, and a cathode electrode. For example, FIG.
As shown in the above, a connector may be provided on the stage side instead of the cathode electrode. In this case, the rotation speed and the rotation direction of the cathode electrode and the substrate / stage can be determined independently. For example, it is possible to rotate only the substrate / stage without rotating the cathode electrode at all, and the device has a simple configuration. Conversely, the substrate may be fixed and the cathode electrode may be rotated. It is also possible to make the directions of rotation of the cathode electrode and the substrate / stage different from each other (the opposite directions on the same axis). Further, once the connector is fixed to the contact area on the substrate, it is not necessary to remove the connector until all the anodizing steps are completed. Therefore, between two or more anodic oxidation processes such as a barrier type and a porous type, there is no need to fix and remove the connector, and the number of processes can be reduced.

【０１１１】さらに、図１２に示すように、ステージ上
面にて基板上の薄膜金属配線と接続させてもよい。この
場合、基板の裏面に、表面側の配線と電気的に連結した
接続領域を設けなければならない。しかしながら、基板
上にコネクターが全く存在しないので、陽極酸化液の流
れを邪魔するものがなくなり、膜圧、膜質の基板面内に
おける均質化を図るには有効な方法である。Further, as shown in FIG. 12, the upper surface of the stage may be connected to a thin film metal wiring on a substrate. In this case, a connection region electrically connected to the wiring on the front surface side must be provided on the back surface of the substrate. However, since there is no connector on the substrate, there is no obstacle to the flow of the anodic oxidizing solution, and this is an effective method for achieving uniform film pressure and film quality in the substrate surface.

【０１１２】また、図１３に示すように基板回転の中心
部にて、基板上の配線と陽極配線とを接触させ、その外
側に陽極酸化液を流出する構成としてもよい。この場
合、遠心力によって陽極酸化液が広がっていき、回転の
中心部分には陽極酸化液は全くふれないため、陽極配線
と基板上の配線との接触領域を陽極酸化液から絶縁、隔
絶するための構成を特に設けなくとも、良好な通電が行
える。また図１２の構成と同様に、陽極酸化液が遠心力
により広がっていく方向に陽極酸化液の流れを邪魔する
ものが全く存在しなくなるため、膜厚、膜質の均質化に
は有効である。この場合、陰極電極は回転させず、コネ
クターまたはその内部の陽極配線のみに対して、回転可
能な構成としてもよい。Further, as shown in FIG. 13, the wiring on the substrate and the anode wiring may be brought into contact with each other at the center of the rotation of the substrate, and the anodic oxidation solution may flow out of the wiring. In this case, the anodizing solution spreads due to the centrifugal force, and the anodizing solution does not touch the center of rotation at all, so that the contact area between the anode wiring and the wiring on the substrate is insulated and isolated from the anodizing solution. Good energization can be performed without particularly providing the above configuration. Further, similarly to the configuration of FIG. 12, there is no obstacle that obstructs the flow of the anodizing solution in the direction in which the anodizing solution spreads due to the centrifugal force, which is effective for homogenizing the film thickness and film quality. In this case, the configuration may be such that the cathode electrode is not rotated, but is rotatable only with respect to the connector or the anode wiring inside the connector.

【０１１３】図１３の構成の場合、基板の中心部分に陽
極配線と基板上の配線との接触領域を設けなけれはなら
ないため、例えば、アクティブマトリクス型の液晶ディ
スプレイ用の基板を処理する場合、多面取り（１枚の基
板を最終的に複数に分割して使用）の基板への陽極酸化
をする場合に特に有効となる。接触領域の基板上の位置
を、最終的に分割された基板の周縁部に位置するように
設けられる。In the case of the structure shown in FIG. 13, since a contact area between the anode wiring and the wiring on the substrate must be provided at the center of the substrate, for example, when processing a substrate for an active matrix type liquid crystal display, there are many cases. This is particularly effective when performing anodic oxidation on a chamfered substrate (one substrate is finally divided into a plurality of parts and used). The position of the contact area on the substrate is provided so as to be located on the peripheral edge of the finally divided substrate.

【０１１４】当然のことであるが、陰極電極またはステ
ージを回転させる際には、回転することで振動等が発生
しないよう、陰極電極やステージの形状、基板やコネク
ターの位置等を考慮し、陰極電極またはステージの中心
部分で水平バランスが取れている必要がある。As a matter of course, when the cathode electrode or the stage is rotated, the shape of the cathode electrode or the stage, the positions of the substrate and the connector, etc. are taken into consideration so that the rotation does not cause vibration or the like. Horizontal balance must be achieved at the center of the electrode or stage.

【０１１５】〔実施例３〕本実施例では、図１４に示
す、複数の容器（チャンバー）を用いて多数の基板を１
枚づつ連続して処理する枚葉式陽極酸化装置を構成し、
該装置を用いて実施例２で示した、ＴＦＴを有する集積
回路に対して陽極酸化工程を行なった例を示す。各処理
において、所要時間、温度、薬液の組成、膜厚その他諸
条件は実施例２と同じである。[Embodiment 3] In this embodiment, as shown in FIG. 14, a large number of substrates are stored in one container by using a plurality of containers (chambers).
Construct a single-wafer anodizing device that processes continuously one by one,
An example in which an anodic oxidation process is performed on an integrated circuit having a TFT shown in Embodiment 2 using this apparatus will be described. In each process, the required time, temperature, composition of the chemical solution, film thickness and other various conditions are the same as those in the second embodiment.

【０１１６】図１４に本実施例の装置の概念図を示す。
装置本体５００上または内部において、洗浄用チャンバ
ー５０１、ポーラス型陽極酸化用チャンバー５０２、レ
ジスト剥離用チャンバー５０３、バリア型陽極酸化用チ
ャンバー５０４、ホットプレート５０５、クールプレー
ト５０６、ロボットアーム５０７が設けられている。FIG. 14 shows a conceptual diagram of the apparatus of this embodiment.
On or inside the apparatus main body 500, a cleaning chamber 501, a porous type anodizing chamber 502, a resist stripping chamber 503, a barrier type anodizing chamber 504, a hot plate 505, a cool plate 506, and a robot arm 507 are provided. I have.

【０１１７】洗浄用チャンバー５０１およびレジスト剥
離用チャンバー５０３は、真空チャック付スピナーがカ
ップ内に配置され、純水またはレジスト剥離液が流出さ
れるノズル（移動式）を有している。また陽極酸化用チ
ャンバー５０２、５０３は、図１０に示す構成を有して
いる。ただし、第１および第２のノズルは設けられてい
ない。各チャンバーは独立した排水管を有しており、各
チャンバーにて排出された水または薬液を混合させるこ
となく収拾、排出可能となっている。The cleaning chamber 501 and the resist stripping chamber 503 each have a spinner with a vacuum chuck disposed in a cup, and have a nozzle (movable type) through which pure water or a resist stripping solution flows out. The anodizing chambers 502 and 503 have the configuration shown in FIG. However, the first and second nozzles are not provided. Each chamber has an independent drain pipe so that the water or the chemical discharged in each chamber can be collected and discharged without mixing.

【０１１８】カセット５０８には、実施例２と同様の工
程で作製された、図８（Ａ）、図９（Ａ）に示される構
成を有する基板２０１が複数枚セットされている。ロボ
ットアーム５０７により、カセット５０８から一枚づつ
取り出された基板２０１が、特定の順序で各チャンバ
ー、プレートに搬出、搬入されて処理が行なわれ、最終
的にカセット５０８に戻される。A plurality of substrates 201 having the configuration shown in FIGS. 8A and 9A manufactured in the same process as in the second embodiment are set in the cassette 508. The substrate 201 taken out one by one from the cassette 508 by the robot arm 507 is carried out and carried into each chamber and plate in a specific order, processed, and finally returned to the cassette 508.

【０１１９】以下に本実施例における陽極酸化工程を示
す。ロボットアーム５０７により、カセット５０８から
基板２０１が１枚取り出され、該基板２０１は先ずホッ
トプレート５０５に移設され、次の工程であるポーラス
型陽極酸化で求められる温度、ここでは３０℃まで加熱
された。The anodic oxidation step in this embodiment will be described below. One substrate 201 is taken out of the cassette 508 by the robot arm 507, and the substrate 201 is first transferred to a hot plate 505, and heated to a temperature required in the next step, porous anodic oxidation, here, 30 ° C. .

【０１２０】次に、基板２０１はポーラス型陽極酸化用
チャンバー５０２に搬入され、ここではＢ系列のみ陽極
酸化を施し、ポーラス型の陽極酸化膜が形成された。陽
極酸化終了の後、ステージの高速回転により基板上の陽
極酸化液が除去、乾燥された。Next, the substrate 201 was carried into the porous type anodizing chamber 502, where only the B-series was anodized to form a porous anodized film. After the anodization was completed, the anodizing solution on the substrate was removed and dried by high-speed rotation of the stage.

【０１２１】次に、基板２０１がチャンバー５０２内か
ら搬出され、洗浄用チャンバー５０１に搬入された。ス
ピナーにより回転させながら純水にて洗浄を行ない、そ
の後高速回転により基板上の純水を除去、乾燥させた。Next, the substrate 201 was unloaded from the chamber 502 and was loaded into the cleaning chamber 501. The substrate was washed with pure water while being rotated by a spinner, and then the pure water on the substrate was removed by high-speed rotation and dried.

【０１２２】次に、基板２０１は、洗浄用チャンバー５
０１からホットプレート５０５に移動され、基板の水分
の更なる乾燥、および次のレジスト剥離工程に必要な温
度、ここでは５０℃まで加熱される。Next, the substrate 201 is placed in the cleaning chamber 5.
The substrate is moved from 01 to a hot plate 505, and heated to a temperature required for further drying of the moisture of the substrate and the next resist stripping step, here 50 ° C.

【０１２３】次に、基板２０１はレジスト剥離用チャン
バー５０３内に搬入され、スピナーによた回転しながら
レジスト剥離液によりレジストが剥離された後、高速回
転によりレジスト剥離液を除去、乾燥させた。Next, the substrate 201 was carried into the resist stripping chamber 503, and after the resist was stripped by the resist stripping solution while being rotated by the spinner, the resist stripping solution was removed by high-speed rotation and dried.

【０１２４】次に、基板２０１がチャンバー５０３内か
ら搬出され、洗浄用チャンバー５０１に搬入された。ス
ピナーにより回転させながら純水にて洗浄を行ない、そ
の後高速回転により基板上の純水を除去、乾燥させた。Next, the substrate 201 was carried out of the chamber 503 and carried into the cleaning chamber 501. The substrate was washed with pure water while being rotated by a spinner, and then the pure water on the substrate was removed by high-speed rotation and dried.

【０１２５】次に、基板２０１はホットプレート５０５
に配置され、基板上の水分の更なる乾燥を施したのち、
クールプレート５０６に配置して、次の工程であるバリ
ア型陽極酸化工程に求められる温度、ここでは１０℃に
下げられた。Next, the substrate 201 is
After further drying of the moisture on the substrate,
It was placed on the cool plate 506 and the temperature was lowered to 10 ° C., which is the temperature required for the next step, the barrier-type anodic oxidation step.

【０１２６】次に、基板２０１はバリア型陽極酸化用チ
ャンバー５０４に搬入され、Ａ、Ｂ系列に対して電流を
流してバリア型の陽極酸化膜を形成する。陽極酸化工程
が終了の後、ステージの高速回転により基板上の陽極酸
化液が除去、乾燥される。Next, the substrate 201 is carried into the barrier type anodic oxidation chamber 504, and a current is applied to the A and B series to form a barrier type anodic oxide film. After the anodizing step is completed, the anodizing solution on the substrate is removed and dried by high-speed rotation of the stage.

【０１２７】次に、基板２０１がチャンバー５０４内か
ら搬出され、洗浄用チャンバー５０１に搬入される。ス
ピナーにより回転させながら純水にて洗浄を行ない、そ
の後高速回転により基板上の純水を除去、乾燥させた。Next, the substrate 201 is carried out of the chamber 504 and carried into the cleaning chamber 501. The substrate was washed with pure water while being rotated by a spinner, and then the pure water on the substrate was removed by high-speed rotation and dried.

【０１２８】搬出された基板２０１は、ホットプレート
５０５により乾燥させたのち、クールプレート５０６に
て冷却され、カセット５０８に収納された。このように
して、陽極酸化工程を終了した。基板が処理された所定
枚数に達したところで、カセット５０８は未処理基板の
入った新たなものに交換され、次の処理が開始した。カ
セット５０８に入った陽極酸化処理済みの基板は、その
後実施例２と同様の工程により、集積回路として完成し
た。The unloaded substrate 201 was dried by a hot plate 505, cooled by a cool plate 506, and stored in a cassette 508. Thus, the anodizing step was completed. When the predetermined number of processed substrates has been reached, the cassette 508 is replaced with a new one containing unprocessed substrates, and the next process is started. The anodized substrate in the cassette 508 was then completed as an integrated circuit by the same steps as in Example 2.

【０１２９】本実施例においては、一枚の基板における
処理工程の流れを説明したが、勿論、各処理工程の流れ
やそれに要する時間を考慮することによって、複数の基
板に対して同時に処理を行なうことが可能であり、連続
して多数の基板を１枚づつ処理するに際し、効率良くか
つ、各基板面内、各基板間における、陽極酸化膜の膜
圧、膜質を極めて均質に、制御性良く形成することがで
きた。In the present embodiment, the flow of the processing steps for one substrate has been described. Of course, the processing is simultaneously performed on a plurality of substrates by considering the flow of each processing step and the time required for the processing steps. When processing a large number of substrates one by one continuously, the film pressure and film quality of the anodic oxide film within each substrate surface and between the substrates can be efficiently and uniformly controlled with good controllability. Could be formed.

【０１３０】また、エッチング用の容器（チャンバー）
を、本体上に設けてもよい。Further, a container (chamber) for etching is used.
May be provided on the main body.

【０１３１】比較的処理時間のかかる陽極酸化工程を行
なうチャンバーを、複数個設ければ、さらなる高速化が
期待できる。本発明の陽極酸化装置は大きな水槽を必要
としないため、極めてコンパクトに構成することがで
き、増設が容易でありかつ場所を取らない。If a plurality of chambers for performing the anodic oxidation step which requires a relatively long processing time are provided, further higher speed can be expected. Since the anodizing apparatus of the present invention does not require a large water tank, it can be configured to be extremely compact, can be easily added, and requires little space.

【０１３２】また、バッチ処理の場合、バッチを大きく
する時には、処理の条件出しが必要だが、本実施例の装
置の場合、各プロセスが独立しているため、増設して
も、再度の条件出しは不要である。In the case of batch processing, it is necessary to set processing conditions when increasing the size of a batch. However, in the case of the apparatus of this embodiment, since each process is independent, even if the number of units is increased, the setting of conditions is repeated. Is unnecessary.

【０１３３】また、基板搬送時には基板がほぼ乾燥して
いるため、他の基板を水分等で汚染することがない。ま
た搬送に用いるロボットアームも簡便なものでよくな
る。 〔実施例４〕本実施例では、逆スタガ型の絶縁ゲイト型
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に対し、本発明を実施し
た例を示す。また、本実施例では、図１３に示す構成を
有する陽極酸化装置を用いて基板上のゲート電極となる
アルミニウム配線に対し陽極酸化を行い、６４０×４８
０のマトリクス構成をして各画素に絶縁ゲイト型薄膜ト
ランジスタを設けたアクティブマトリス回路を形成した
例を示す。なお、本実施例において使用した陽極酸化装
置は、図１３に示す構成以外は、図１０の装置の同じ構
成とした。また、本実施例では、処理する基板の大きさ
を２００ｍｍ×２００ｍｍとし、この基板を１００ｍｍ
×１００ｍｍの大きさの基板４つに分割する、４面取り
構成をした例を示す。Since the substrate is almost dry when the substrate is transported, other substrates are not contaminated with moisture or the like. In addition, a simple robot arm can be used for the transfer. [Embodiment 4] In this embodiment, an example in which the present invention is applied to an inverted staggered insulated gate thin film transistor (TFT) will be described. In this embodiment, anodization is performed on an aluminum wiring serving as a gate electrode on a substrate by using an anodizing apparatus having a configuration shown in FIG.
An example is shown in which an active matrix circuit having a matrix configuration of 0 and an insulating gate thin film transistor provided in each pixel is formed. The anodizing apparatus used in this example had the same configuration as the apparatus in FIG. 10 except for the configuration shown in FIG. In this embodiment, the size of the substrate to be processed is set to 200 mm × 200 mm, and the size of the substrate is set to 100 mm.
An example is shown in which the substrate is divided into four substrates having a size of × 100 mm and a four-chamfer configuration is provided.

【０１３４】図１５に、本実施例で作製したガラス基板
上の絶縁ゲイト型薄膜トランジスタの作製工程を示す。
図においては１つの薄膜トランジスタのみが示されてい
るが、基板上には接続される画素電極と対になりマトリ
クス状に形成されている。まず、基板（コーニング７０
５９、２００ｍｍ×２００ｍｍ）７０１上に下地膜７０
２として厚さ１０００〜３０００Å、例えば２０００Å
の窒化珪素膜をスパッタ法により形成した。窒化珪素膜
の代わりに酸化珪素膜を同程度の厚さに設けてもよい。
この場合、酸化珪素膜の形成方法としては、酸素雰囲気
中でのスパッタ法を使用する。しかしより量産性を高め
るためには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶＤ法で分解・堆積
した膜を用いてもよい。FIG. 15 shows a process for manufacturing an insulated gate thin film transistor on a glass substrate manufactured in this embodiment.
Although only one thin film transistor is shown in the figure, the thin film transistor is formed in a matrix on the substrate so as to be paired with the connected pixel electrode. First, the substrate (Corning 70
59, 200 mm × 200 mm)
2, thickness 1000-3000３, for example, 2000Å
Was formed by a sputtering method. Instead of the silicon nitride film, a silicon oxide film may be provided with a thickness similar to that of the silicon oxide film.
In this case, a sputtering method in an oxygen atmosphere is used as a method for forming the silicon oxide film. However, in order to further improve mass productivity, a film in which TEOS is decomposed and deposited by a plasma CVD method may be used.

【０１３５】次に、厚さ１０００Å〜２μｍ、例えば、
２８００Åのアルミニウム膜（１ｗｔ％のＳｉ、もしく
は０．１〜０．３％ｗｔのＳｃを含む）を電子ビーム蒸
着法もしくはスパッタ法で形成した。形成したアルミニ
ウム膜に対し、リン酸、硝酸、酢酸の混合溶液を用いた
ウェットプロセスによるフォトエッチングにより、断面
をテーパー状にしてパターニングし、ゲイト電極部７０
３を形成した。（図１５（Ａ））Next, a thickness of 1000 to 2 μm, for example,
A 2800 ° aluminum film (containing 1 wt% Si or 0.1 to 0.3 wt% Sc) was formed by an electron beam evaporation method or a sputtering method. The formed aluminum film is patterned into a tapered cross section by photoetching using a wet process using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid.
3 was formed. (FIG. 15 (A))

【０１３６】図１６に、ここで形成された基板７０１上
のアルミニウムのパターン８０１を示す。図１６におい
て、図１３における第１の陽極配線４０６およびコネク
ター４０４が接触する接続領域８０２を、ゲイト電極部
７０３のパターニングとともに基板７０１のほぼ中心部
に形成した。この接続領域は、基板７０１上の全てのゲ
イト電極部７０３に電気的に接続されている。このよう
にして、４面取りする基板に対し、４分の１の各基板そ
れぞれのゲイト電極部７０３に対し、同時に陽極酸化可
能な構成とした。なお本実施例においては、図１３のコ
ネクター４０５、第２の陽極配線４０７は使用せず、陽
極配線は１本とした。FIG. 16 shows an aluminum pattern 801 on the substrate 701 formed here. In FIG. 16, a connection region 802 where the first anode wiring 406 and the connector 404 in FIG. 13 are in contact is formed substantially at the center of the substrate 701 together with the patterning of the gate electrode portion 703. This connection region is electrically connected to all the gate electrode portions 703 on the substrate 701. In this manner, a configuration is made such that anodization can be simultaneously performed on the gate electrode portion 703 of each quarter substrate with respect to the substrate having four chamfers. In this example, the connector 405 and the second anode wiring 407 in FIG. 13 were not used, and only one anode wiring was used.

【０１３７】次に、このゲイト電極部７０３に対し、図
１３の構成を有する装置を用いて陽極酸化を施した。図
１３において、側方からロボットアームにより搬送され
た基板７０１がステージ４０１上に配置され、真空チャ
ックによりステージ４０１上に固定された。ステージ４
０１は回転可能であり、いわゆるスピナーを構成してい
る。Next, the gate electrode portion 703 was anodized using an apparatus having the configuration shown in FIG. In FIG. 13, a substrate 701 transferred from a side by a robot arm is arranged on a stage 401 and fixed on the stage 401 by a vacuum chuck. Stage 4
01 is rotatable and constitutes a so-called spinner.

【０１３８】次にステージ４０１上面より下側に位置し
ていた図１３におけるカップ４００が図に示す位置に戻
った。上方からは、陰極電極４０２が降りてきて、基板
７０１上の中心部分に設けられた接続領域８０２上に、
陰極電極４０２内に設けられたコネクター４０４が固定
された。陽極酸化液は、コネクター４０４の外側に流出
されるように構成されている。Next, the cup 400 in FIG. 13 located below the upper surface of the stage 401 returned to the position shown in the figure. From above, the cathode electrode 402 descends, and on the connection region 802 provided at the central portion on the substrate 701,
The connector 404 provided in the cathode electrode 402 was fixed. The anodizing solution is configured to flow out of the connector 404.

【０１３９】ここでは接続領域は、コネクター４０４は
図５（Ｂ）の構造の物を用い、上部からの押圧によって
固定された。吸引または吸引との併用としてもよい。コ
ネクター４０４は第１の陽極配線４０６と、コネクター
４０５は第２の陽極配線４０７と電気的に接続されてお
り、直流電源の正側に接続されている。Here, in the connection area, the connector 404 has a structure shown in FIG. 5B and is fixed by pressing from above. Suction or combination with suction may be used. The connector 404 is electrically connected to the first anode wiring 406, and the connector 405 is electrically connected to the second anode wiring 407, and is connected to the positive side of the DC power supply.

【０１４０】ステージ４０１はモータに接続され、回転
機能を有する。基板２０１に固定された陰極電極４０２
は、ステージ４０１の回転により、従属して回転する。
陰極電極４０２にもモータを設けてもよい。第１の陽極
配線４０６はブラシ接続等、陰極電極が回転しても直流
電源との電気的接続が途絶えない構造を有している。ま
た基板７０１と、陰極電極４０２の基板との対向面との
距離は、１〜５０ｍｍ好ましくは１０ｍｍ以下、ここで
は２ｍｍとした。The stage 401 is connected to a motor and has a rotation function. Cathode electrode 402 fixed to substrate 201
Rotates dependently due to the rotation of the stage 401.
A motor may be provided for the cathode electrode 402 as well. The first anode wiring 406 has a structure such as a brush connection in which the electrical connection with the DC power supply is not interrupted even when the cathode electrode rotates. The distance between the substrate 701 and the surface of the cathode electrode 402 facing the substrate is 1 to 50 mm, preferably 10 mm or less, and 2 mm here.

【０１４１】ステージ４０１、基板２０１および陰極電
極４０２を回転させるとともに、陰極電極４０２の穴４
０３から陽極酸化液４０８を流出させた。陽極酸化液４
０８としては、３％の酒石酸を溶かしたエチレングリコ
ール液をアンモニアで中和したＰＨ≒７の陽極酸化液を
用いた。回転数は、１００〜５００ｒｐｍここでは２０
０ｒｐｍであった。陽極酸化液４０８の温度は１０℃前
後の室温より低い方が良好な酸化膜が得られた。陰極電
極内にセラミックヒーターやペルチェ素子等を設けて陽
極酸化液の温度制御をしてもよい。While rotating the stage 401, the substrate 201 and the cathode electrode 402, the hole 4
The anodic oxidizing solution 408 was flowed out from 03. Anodizing solution 4
As 08, an anodized solution of PH の 7 obtained by neutralizing an ethylene glycol solution containing 3% tartaric acid with ammonia was used. The rotation speed is 100 to 500 rpm, where 20
It was 0 rpm. A better oxide film was obtained when the temperature of the anodic oxidation solution 408 was lower than room temperature around 10 ° C. A ceramic heater, a Peltier element, or the like may be provided in the cathode electrode to control the temperature of the anodic oxidizing solution.

【０１４２】陽極酸化液４０８は、コネクター４０４の
外側に流出され、かつ回転による遠心力で、コネクター
より遠ざかる方向の力を受けるため、コネクター４０４
に陽極酸化液４０８が触れることはない。したがって、
特に陽極酸化液と絶縁、隔絶するための構成を設けなく
ても陽極酸化が可能である。The anodizing solution 408 flows out of the connector 404 and receives a force in a direction away from the connector due to centrifugal force caused by rotation.
The anodic oxidizing solution 408 does not touch the surface. Therefore,
In particular, anodic oxidation is possible without providing a structure for insulating and isolating from the anodic oxidizing solution.

【０１４３】陽極酸化液４０８は、基板と陰極電極との
間隙を満たす程度に流出しており、また回転による遠心
力により、基板および陰極電極の周縁から陽極酸化液が
カップ４００に向かって飛び散り、排液口４０９よりカ
ップ４００下に流出し、排水管を通って装置の外に排水
された。排水管の系統は液体の種類毎に異ならせること
が好ましい。The anodizing solution 408 flows out to the extent that it fills the gap between the substrate and the cathode electrode, and the anodizing solution scatters from the periphery of the substrate and the cathode electrode toward the cup 400 due to centrifugal force due to rotation. It flowed out from the drain port 409 below the cup 400, and was drained out of the apparatus through a drain pipe. It is preferable that the drainage pipe system be different for each type of liquid.

【０１４４】同時に基板７０１上のアルミニウムの配線
パターン８０１と、陰極電極４０２との間に電流を流
し、陽極酸化を開始した。電流値を一定、ここでは電流
密度０．５ｍＡ／ｃｍ² とし電圧が１２０Ｖに到達する
まで電流を印加した。１２０Ｖに達してから１〜６０分
間、ここでは１０分１２０Ｖを維持した。その後、ステ
ージ４０１および陰極電極４０２の回転、および陽極酸
化液の流出を停止し、コネクター４０４と陰極電極４０
２を上方に引き上げた。At the same time, a current was passed between the aluminum wiring pattern 801 on the substrate 701 and the cathode electrode 402 to start anodic oxidation. The current value was kept constant, here the current density was 0.5 mA / cm ^2, and the current was applied until the voltage reached 120 V. After reaching 120 V, the voltage was maintained at 120 V for 1 to 60 minutes, here for 10 minutes. Thereafter, the rotation of the stage 401 and the cathode electrode 402 and the outflow of the anodic oxidizing solution are stopped, and the connector 404 and the cathode electrode 40 are stopped.
2 was pulled upward.

【０１４５】このようにして、ゲイト電極部７０３は、
ゲイト電極７０４の上面および側面にバリヤ型の陽極酸
化アルミニウム７０５が形成された。陽極酸化アルミニ
ウム７０５の厚さは、電圧を１２０Ｖまで上昇させたの
で約１６００Åであった。As described above, the gate electrode portion 703 is
Barrier type anodic aluminum oxide 705 was formed on the top and side surfaces of gate electrode 704. The thickness of anodized aluminum 705 was about 1600 ° because the voltage was increased to 120V.

【０１４６】次に、ステージ４０１、基板７０１を再び
回転させ、基板７０１上に残存している陽極酸化液を振
り切り、乾燥させた。回転数は２５００〜４０００ｒｐ
ｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間回転させ
た。基板７０１上に陽極酸化液は殆ど存在しなくなって
いた。Next, the stage 401 and the substrate 701 were rotated again, and the anodizing solution remaining on the substrate 701 was shaken off and dried. The number of rotations is 2500-4000 rpm
m, here 3000 rpm, and rotated for 30 seconds. Almost no anodic oxidation solution was present on the substrate 701.

【０１４７】次に、１００〜１０００ｒｐｍ、ここでは
３００ｒｐｍの回転数で再びステージ４０１とその上の
基板７０１を回転させ、第１のノズル４１０を移動し
て、純水を回転している基板７０１上の中心部に流出さ
せ、基板７０１上面の洗浄を行なった。２分間回転させ
た後、純水の流出を停止し、第１のノズル４１０を元の
位置に戻すとともに、ステージの回転数を２５００〜４
０００ｒｐｍ、ここでは３０００ｒｐｍとし、３０秒間
回転させて、基板７０１上の純水を振り切り、乾燥させ
た。排液口４０９よりカップ４００下側に排出された純
水は、先程使用した陽極酸化液とは別系統の排水管を通
って装置の外に排出された。Next, the stage 401 and the substrate 701 thereon are rotated again at a rotation speed of 100 to 1000 rpm, here 300 rpm, and the first nozzle 410 is moved to rotate the stage 701 on the substrate 701 rotating pure water. And the upper surface of the substrate 701 was washed. After rotating for 2 minutes, the outflow of pure water is stopped, the first nozzle 410 is returned to the original position, and the rotation speed of the stage is set to 2500 to 4
The rotation was performed for 30 seconds at 000 rpm, here 3000 rpm, and the pure water on the substrate 701 was shaken off and dried. The pure water discharged from the drainage port 409 to the lower side of the cup 400 was discharged out of the apparatus through a drainage pipe of a different system from that of the anodizing solution used previously.

【０１４８】このようにして、陽極酸化工程を終了し、
カップ４００を下側に移動して、ロボットアーム等によ
り基板７０１を次の工程を行なう装置へ搬出、移動し
た。さらに、新たな基板をステージ上に配置すること
で、連続して多数の基板に対し陽極酸化工程を施すこと
ができた。Thus, the anodic oxidation step is completed,
The cup 400 was moved downward, and the substrate 701 was carried out and moved by a robot arm or the like to an apparatus for performing the next step. Further, by arranging a new substrate on the stage, it was possible to continuously perform the anodic oxidation process on a large number of substrates.

【０１４９】陽極酸化工程の他、洗浄工程の際に陰極電
極の穴４０３から純水を流出してもよい。また、陽極酸
化工程、洗浄工程、乾燥工程を、コネクターを基板上の
接続領域に配置したまま行ってもよい。In addition to the anodizing step, pure water may flow out of the hole 403 of the cathode electrode during the cleaning step. Further, the anodic oxidation step, the cleaning step, and the drying step may be performed with the connector arranged in the connection region on the substrate.

【０１５０】以上の工程により、アルミニウムよりなる
ゲイト電極７０４と、陽極酸化アルミニウムよりなるゲ
イト絶縁膜７０５を形成することができた。（図１５
（Ｂ））Through the above steps, a gate electrode 704 made of aluminum and a gate insulating film 705 made of anodized aluminum could be formed. (FIG. 15
(B))

【０１５１】この後、大気中２００〜３００℃例えば２
００℃で数〜数十分加熱すると、陽極酸化アルミニウム
のリーク電流が一桁以上減少し、好ましかった。Thereafter, at 200 to 300 ° C. in the atmosphere, for example, at 2 ° C.
When heated at 00 ° C. for several to several tens minutes, the leakage current of anodized aluminum oxide was reduced by one digit or more, which was preferable.

【０１５２】次にシランとアンモニアを１：３〜１：８
ここでは１：５の割合で用いてプラズマＣＶＤ法によ
り、２層目のゲイト絶縁膜７０６として窒化珪素膜を１
０００〜３０００Å、例えば２０００Å形成した。窒化
珪素膜の代わりに酸化珪素膜を同程度の厚さに設けても
よい。酸化珪素膜の形成方法としては、酸素雰囲気中で
のスパッタ法またプラズマＣＶＤ法を使用する。プラズ
マＣＶＤ法を用いる場合には、ＴＥＯＳを原料とし、酸
素とともに基板温度１５０〜４００℃、好ましくは２０
０〜２５０℃で、ＲＦ放電させて、原料ガスを分解・堆
積した。ＴＥＯＳと酸素の圧力比は、１：１〜１：１０
また、また、圧力は０．０５〜０．５ｔｏｒｒ、ＲＦパ
ワーは１００〜２５０Ｗとした。あるいはＴＥＯＳを原
料としてオゾンガスとともに、減圧ＣＶＤ法もしくは常
圧ＣＶＤ法によって、基板温度を１５０〜４００℃、好
ましくは２００〜２５０℃として形成してもよい。この
ゲイト絶縁膜７０６は設けなくてもよいが、設けた場
合、電極間短絡の減少、および薄膜トランジスタの相互
コンダクタンスの改善等を図ることができる。Next, silane and ammonia were mixed at a ratio of 1: 3 to 1: 8.
Here, a silicon nitride film is used as the second gate insulating film 706 by plasma CVD using a ratio of 1: 5.
2,000-3000 °, for example, 2000 °. Instead of the silicon nitride film, a silicon oxide film may be provided with a thickness similar to that of the silicon oxide film. As a method for forming the silicon oxide film, a sputtering method in an oxygen atmosphere or a plasma CVD method is used. When using the plasma CVD method, TEOS is used as a raw material, and a substrate temperature is 150 to 400 ° C., preferably 20 ° C. together with oxygen.
RF discharge was performed at 0 to 250 ° C. to decompose and deposit the source gas. The pressure ratio between TEOS and oxygen is 1: 1 to 1:10
The pressure was 0.05 to 0.5 torr, and the RF power was 100 to 250 W. Alternatively, the substrate may be formed at a substrate temperature of 150 to 400 ° C., preferably 200 to 250 ° C. by a low pressure CVD method or a normal pressure CVD method using TEOS as a raw material together with an ozone gas. The gate insulating film 706 may not be provided. However, when the gate insulating film 706 is provided, it is possible to reduce a short circuit between the electrodes, improve a mutual conductance of the thin film transistor, and the like.

【０１５３】ゲイト絶縁膜７０６上に、チャネル形成領
域を構成するＩ型のアモルファスシリコン膜７０７を２
００〜２０００Å、例えば１０００Å形成した。さらに
その上に、５００〜３０００Å、ここでは１０００Åの
窒化珪素膜を形成した。形成した窒化珪素膜に対して純
粋にて１／１０〜１／５０に希釈したフッ酸にてエッチ
ングを行ない、保護膜７０８を形成した。さらにその上
に、リンを含んだｎ⁺ アモルファスシリコン膜７０９を
プラズマＣＶＤ法により２００〜１０００Å、ここでは
３００Å厚に形成した。（図１５（Ｃ））On the gate insulating film 706, two I-type amorphous silicon films 707 forming a channel formation region are formed.
The thickness is from 00 to 2000 °, for example, 1000 °. Furthermore, a silicon nitride film of 500 to 3000 Å, here 1000 Å was formed thereon. The formed silicon nitride film was etched with pure hydrofluoric acid diluted 1/10 to 1/50 to form a protective film 708. Further thereon, an n ⁺ amorphous silicon film 709 containing phosphorus was formed to a thickness of 200 to 1000 °, here 300 °, by a plasma CVD method. (FIG. 15 (C))

【０１５４】次に、Ｉ型のアモルファスシリコン膜７０
７とｎ⁺ アモルファスシリコン膜７０９に対しドライエ
ッチングを行ない、パターニングした。一方、画素電極
となるＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）薄膜も形成し、
パターニングした（図示せず）。その上に、アルミニウ
ム膜を電子ビーム蒸着法またはスパッタ法にて１０００
〜２μｍここでは３０００Å厚に形成した。そして、こ
のアルミニウム膜およびその下のｎ⁺ アモルファスシリ
コン膜をドライエッチングによりエッチング、パターニ
ングし、ソース電極７１０、ドレイン電極７１１を形成
し、かつその下の、ｎ⁺ アモルファスシリコン膜をソー
ス領域とドレイン領域に分割し、薄膜トランジスタが完
成した。（図１５（Ｄ））Next, the I-type amorphous silicon film 70
7 and the n ⁺ amorphous silicon film 709 were dry-etched and patterned. On the other hand, an ITO (indium tin oxide) thin film to be a pixel electrode is also formed,
Patterned (not shown). On top of this, an aluminum film is deposited by electron beam evaporation or sputtering to a thickness of 1000
.About.2 .mu.m. Then, the aluminum film and the n ⁺ amorphous silicon film thereunder are etched and patterned by dry etching to form a source electrode 710 and a drain electrode 711, and the n ⁺ amorphous silicon film thereunder is formed into a source region and a drain region. And the thin film transistor was completed. (FIG. 15D)

【０１５５】このようにして形成されたアクティブマト
リクス回路を、液晶電気光学装置に用いて、良好な特性
を得ることができた。By using the active matrix circuit thus formed in a liquid crystal electro-optical device, good characteristics could be obtained.

【０１５６】本実施例では、４面取りの基板を使用した
が、基板の中心部分にて基板上の配線と陽極配線とが接
続できるのであるならば、６面取り以上の構成であって
も本発明の実施が可能であることはいうまでもない。In this embodiment, a four-chamfered substrate is used. However, if the wiring on the substrate and the anode wiring can be connected at the central portion of the substrate, the present invention can be applied to a structure having six or more chamfers. Needless to say, it is possible to implement the above.

【発明の効果】以上の如く、本発明の陽極酸化装置は様
々な効果を有する。本発明は、コネクターまたは遠心力
を用いることで、陽極配線と基板上の配線との電気的接
続を確実にとりつつ、陽極酸化液から陽極配線を絶縁、
隔絶することができた。したがって、配線の表面に高抵
抗を有する陽極酸化膜が形成されても、陽極配線から陽
極酸化液中に電流が漏れることはなくなり、良好な陽極
酸化を行なうことが可能となった。また、新しい陽極酸
化液が基板・陰極電極間に流入、供給されるようにした
ことで、陽極酸化液が基板間において全く留まらないた
め、形成される陽極酸化膜の面内均一性が得られるほ
か、多数のロット間における膜厚、膜質の均一性も確保
できた。また、ポーラス型の陽極酸化、乾燥、純水によ
る基板洗浄、レジスト剥離、バリア型の陽極酸化といっ
た工程を、同一容器（チャンバー）内で全て行なうこと
ができた。すなわち、容器（チャンバー）から基板を取
り出すことなく、これらの工程を実施することができ
た。従来の陽極酸化装置では考えられないほど空間が有
効利用されている。またポーラス型の陽極酸化工程の前
に、同一容器内において、陽極酸化と同様の要領で電解
エッチングを行なうことも可能である。さらに、同一容
器内において、通常のウェットエッチングも可能であ
る。As described above, the anodizing apparatus of the present invention has various effects. The present invention uses a connector or centrifugal force to insulate the anode wiring from the anodic oxidizing solution while ensuring electrical connection between the anode wiring and the wiring on the substrate,
Could be isolated. Therefore, even if an anodic oxide film having a high resistance is formed on the surface of the wiring, no current leaks from the anodic wiring into the anodic oxidizing solution, and good anodic oxidation can be performed. In addition, since the new anodizing solution flows and is supplied between the substrate and the cathode electrode, the in-plane uniformity of the formed anodized film can be obtained because the anodizing solution does not stay at all between the substrates. In addition, uniformity of film thickness and film quality among many lots could be secured. In addition, all processes such as porous anodic oxidation, drying, substrate cleaning with pure water, resist stripping, and barrier anodic oxidation could be performed in the same container (chamber). That is, these steps could be performed without taking out the substrate from the container (chamber). The space is used more effectively than in the conventional anodizing apparatus. Before the porous anodic oxidation step, electrolytic etching can be performed in the same container in the same manner as in the anodic oxidation. Further, normal wet etching is also possible in the same container.

【０１５７】また、基板の回転、多数の穴からの陽極酸
化液の流出、陰極電極と陽極配線に接続された基板上の
配線との間への陽極酸化液の流入、等により、同一基板
面内において、極めて均一な陽極酸化膜の膜圧、膜質を
得ることができた。The rotation of the substrate, the outflow of the anodizing solution from a large number of holes, the inflow of the anodizing solution between the cathode electrode and the wiring on the substrate connected to the anode wiring, etc., cause the same substrate surface to be exposed. Within, the film pressure and film quality of an extremely uniform anodic oxide film could be obtained.

【０１５８】また、陽極酸化工程中の基板の回転によ
り、陽極酸化液は遠心力によりカップへ飛ばされ、基板
の裏面（ステージ側）には殆ど触れることがなくなる。
そのため、従来しばしば問題となっていた、陽極酸化液
（特にポーラス型用の酸性陽極酸化液）中に基板を浸す
ことによる基板の裏面の腐食をほぼ完全に防ぐことがで
きた。Further, due to the rotation of the substrate during the anodic oxidation step, the anodic oxidizing solution is blown to the cup by centrifugal force, so that the back surface (stage side) of the substrate hardly touches.
Therefore, corrosion of the back surface of the substrate caused by immersing the substrate in an anodizing solution (particularly, an acidic anodizing solution for a porous type), which has often been a problem in the past, could be almost completely prevented.

【０１５９】更に、連続して多数の基板を処理した場合
においても、常に新しい陽極酸化液が供給されているた
めに、各基板間における膜厚、膜質も均一なものとする
ことができた。Furthermore, even when a large number of substrates were continuously processed, a new anodic oxidizing solution was constantly supplied, so that the film thickness and film quality between the substrates could be made uniform.

【０１６０】また、従来であれば、基板一辺に制限され
て設けられていた、陽極配線と基板上の配線との接触領
域が、本発明においては、接触領域を基板上のどの位置
に設けても、陽極配線を接続でき、陽極酸化幅を系列毎
に異ならせる場合等においても、非常に自由度の高い配
線パターンを形成することができた。Further, in the present invention, the contact area between the anode wiring and the wiring on the substrate, which has been provided so far as being limited to one side of the substrate, is provided in any position on the substrate in the present invention. Also, an anode wiring could be connected, and a wiring pattern having a very high degree of freedom could be formed even when the anodic oxidation width was changed for each series.

【０１６１】本明細書においては、基板を１枚づつ処理
する構成を主に示したが、同一容器または水槽内にて、
複数枚の基板を処理してもよいことは言うまでもない。In this specification, the configuration for processing one substrate at a time is mainly shown. However, in the same container or water tank,
It goes without saying that a plurality of substrates may be processed.

【０１６２】本明細書においては、基板として主にガラ
ス基板を用いたが、本発明の陽極酸化装置においては他
に石英基板、シリコンウェハー、金属基板等は勿論のこ
と、導体、絶縁体を問わずさまざまなものが使用でき
る。基板の大きさ、厚さ等も特に制限はない。In this specification, a glass substrate is mainly used as a substrate. However, in the anodic oxidation apparatus of the present invention, not only a quartz substrate, a silicon wafer, a metal substrate, but also a conductor and an insulator may be used. Various things can be used. The size and thickness of the substrate are not particularly limited.

【０１６３】また、本発明により、基板の一方の面に陽
極酸化液が触れない状態が得られるため、例えばアルミ
ニウムや銅のような基板としてそれ自体が陽極酸化され
やすい、または陽極酸化液により酸化されやすい物質、
材料の基板を用いても、一方の面または一方の面に形成
されたパターン等のみを陽極酸化し、他方の面はほとん
ど酸化されないものとすることができる。According to the present invention, a state is obtained in which one surface of the substrate is not in contact with the anodic oxidizing solution. For example, a substrate such as aluminum or copper is easily anodic oxidized or oxidized by the anodic oxidizing solution. Substances,
Even if a substrate made of a material is used, it is possible to anodize only one surface or a pattern formed on one surface, and hardly oxidize the other surface.

【０１６４】また、陽極酸化用の電源として主に直流電
源を用いて説明したが、交流または直流成分を有する交
流の電源を使用してもよい。Although the description has been made mainly using a DC power supply as a power supply for anodic oxidation, an AC power supply having an AC or DC component may be used.

【０１６５】本明細書においては、主にアルミニウム
（Ａｌ）と陽極酸化して得られた酸化アルミニウム（Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ ）について示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、タンタル（Ｔａ）と酸化タン
タル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）、チタン（Ｔｉ）と酸化チタン（Ｔ
ｉＯ₂ ）、珪素（Ｓｉ）と酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）、また
はこれらの多層膜に対しても有効である。In this specification, aluminum oxide (A) mainly obtained by anodic oxidation with aluminum (Al) is used.
l ₂ O ₃ ), but the present invention is not limited to this. For example, tantalum (Ta) and tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ), titanium (Ti) and titanium oxide (T
iO _2), silicon (Si) and silicon oxide (SiO _2), or it is also effective against these multilayer films.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 従来の陽極酸化を行なう装置の概念図を示
す。FIG. 1 shows a conceptual diagram of a conventional apparatus for performing anodic oxidation.

【図２】 従来の陽極酸化装置によって形成された陽極
酸化膜を示す。FIG. 2 shows an anodic oxide film formed by a conventional anodic oxidation apparatus.

【図３】 実施例に用いた陽極酸化装置を示す。FIG. 3 shows an anodizing apparatus used in Examples.

【図４】 配線パターンを有する基板を示す。FIG. 4 shows a substrate having a wiring pattern.

【図５】 コネクターの構成を示す。FIG. 5 shows a configuration of a connector.

【図６】 陰極電極の基板との対向面の形状の例を示
す。FIG. 6 shows an example of the shape of the surface of the cathode electrode facing the substrate.

【図７】 陰極電極の基板との対向面の形状の例を示
す。FIG. 7 shows an example of the shape of the surface of the cathode electrode facing the substrate.

【図８】 実施例で作製したガラス基板上の結晶性の絶
縁ゲイト型薄膜トランジスタの作製工程を示す。FIG. 8 illustrates a process for manufacturing a crystalline insulated gate thin film transistor over a glass substrate manufactured in Example.

【図９】 実施例で作製したガラス基板上の結晶性の絶
縁ゲイト型薄膜トランジスタの作製工程を示す。FIG. 9 illustrates a process for manufacturing a crystalline insulated gate thin film transistor over a glass substrate manufactured in Example.

【図１０】 本発明を用いた陽極酸化装置の例を示す。FIG. 10 shows an example of an anodizing apparatus using the present invention.

【図１１】 ステージ、基板、陰極電極等の他の構成の
例を示す。FIG. 11 shows an example of another configuration such as a stage, a substrate, and a cathode electrode.

【図１２】 ステージ、基板、陰極電極等の他の構成の
例を示す。FIG. 12 shows an example of another configuration such as a stage, a substrate, and a cathode electrode.

【図１３】 ステージ、基板、陰極電極等の他の構成の
例を示す。FIG. 13 shows an example of another configuration such as a stage, a substrate, and a cathode electrode.

【図１４】 複数の容器（チャンバー）を用いて多数の
基板を１枚づつ連続して処理する枚葉式陽極酸化装置を
示す。FIG. 14 shows a single-wafer anodizing apparatus that continuously processes a large number of substrates one by one using a plurality of containers (chambers).

【図１５】 実施例で作製したガラス基板上の絶縁ゲイ
ト型薄膜トランジスタの作製工程を示す。FIG. 15 illustrates a process for manufacturing an insulated gate thin film transistor on a glass substrate manufactured in Example.

【図１６】 基板のアルミニウムのパターンを示す。FIG. 16 shows a pattern of aluminum on a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 水槽 ２ 陽極酸化液 ３ 一方の面に薄膜金属を有する基板 ４ 陰極電極 ５ クリップ １０ 陽極酸化領域 １１ 陽極酸化されない領域 ２１ 水槽 ２２ 陽極酸化液 ２３ 基板 ２４ ステージ ２５ 陰極電極 ２６、２７ コネクター ２８ 第１の陽極配線 ２９ 第２の陽極配線 ４１、４２ 配線４１、４２ ４３、４４ 陽極配線に接続する領域 ５０ 陽極酸化液が流出する穴 ５１、５２ コネクター ６１ 陽極酸化液が流出する穴 ８１ 配線が形成された基板 ８２ Ｏリング ８３ コネクター内部 ８４ 本体 ８５ 端子 ８６ 吸引 ８７ 押圧 ８８ 吸盤 ２０１ 基板 ４０１ ステージ ４０２ 陰極電極 ４０３ 陽極酸化液が流出する穴 ４０４、４０５ コネクター ４０６ 第１の陽極配線 ４０７ 第２の陽極配線 ４０８ 陽極酸化液 ４０９ 排液口 ４１０ 第１のノズル ４１１ 第２のノズル ５００ 装置本体 ５０１ 洗浄用チャンバー ５０２ ポーラス型陽極酸化用チャンバー ５０３ レジスト剥離用チャンバー ５０４ バリア型陽極酸化用チャンバー ５０５ ホットプレート ５０６ クールプレート ５０７ ロボットアーム５０７ ５０８ カセット ７０１ 基板 ７０２ 下地膜 ７０３ ゲイト電極部 ７０４ ゲイト電極 ７０５ 陽極酸化アルミニウム ７０６ 窒化珪素膜 ７０７ Ｉ型アモルファスシリコン膜 ７０８ 保護膜 ７０９ ｎ⁺ アモルファスシリコン ７１０ ソース電極 ７１１ ドレイン電極 ８０１ 基板７０１上のアルミニウムのパターン ８０２ 接触領域DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Water tank 2 Anodizing solution 3 Substrate having thin film metal on one surface 4 Cathode electrode 5 Clip 10 Anodized area 11 Non-anodized area 21 Water tank 22 Anodizing liquid 23 Substrate 24 Stage 25 Cathode electrode 26, 27 Connector 28 First Anode wiring 29 Second anode wiring 41, 42 Wiring 41, 42 43, 44 Area connected to anode wiring 50 Hole for anodizing solution flowing out 51, 52 Connector 61 Hole for anodizing solution flowing out 81 Wiring is formed Substrate 82 O-ring 83 Inside of connector 84 Body 85 Terminal 86 Suction 87 Pressing 88 Suction cup 201 Substrate 401 Stage 402 Cathode electrode 403 Hole through which anodic oxidant flows out 404, 405 Connector 406 First anode wiring 407 Second anode wiring 408 Anodizing solution 409 Drain outlet 410 First nose 411 Second nozzle 500 Device main body 501 Cleaning chamber 502 Porous anodizing chamber 503 Resist stripping chamber 504 Barrier anodizing chamber 505 Hot plate 506 Cool plate 507 Robot arm 507 508 Cassette 701 Substrate 702 Base film 703 Gate Electrode part 704 Gate electrode 705 Anodized aluminum oxide 706 Silicon nitride film 707 I-type amorphous silicon film 708 Protective film 709 n ⁺ amorphous silicon 710 Source electrode 711 Drain electrode 801 Aluminum pattern 801 on substrate 701 Contact area

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成１３年３月２６日（２００１．３．２
６）[Submission date] March 26, 2001 (2001.3.2)
6)

【手続補正１】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 17/08 Ｃ２５Ｄ 21/10 ３０２ 17/10 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｔ 21/10 ３０２ 27/08 ３３１Ｅ Ｈ０１Ｌ 21/316 29/78 ６１７Ｗ 27/08 ３３１ ６１７Ｕ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C25D 17/08 C25D 21/10 302 17/10 H01L 21/316 T 21/10 302 27/08 331E H01L 21 / 316 29/78 617W 27/08 331 617U

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】基板上のアルミニウムから成るゲイト電極
と、前記ゲイト電極上のアルミニウムの酸化物から成る
薄膜と、前記アルミニウムの酸化物から成る薄膜上のア
モルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜
上であって、前記ゲイト電極上方の窒化珪素膜と、前記
窒化珪素膜上および前記アモルファスシリコン膜上のＮ
型のアモルファスシリコン膜とを有することを特徴とす
る半導体装置。A gate electrode made of aluminum on a substrate; a thin film made of an oxide of aluminum on the gate electrode; an amorphous silicon film on the thin film made of the oxide of aluminum; A silicon nitride film above the gate electrode; and N on the silicon nitride film and the amorphous silicon film.
And a semiconductor device comprising: an amorphous silicon film. 【請求項２】基板上にゲイト電極を形成し、前記ゲイト
電極上に陽極酸化物を形成し、前記陽極酸化物上にアモ
ルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコ
ン膜上であって、前記ゲイト電極の上方に窒化珪素膜を
形成し、前記窒化珪素膜上および前記アモルファスシリ
コン膜上にＮ型のアモルファスシリコン膜を形成し、前
記アモルファスシリコン膜と前記Ｎ型のアモルファスシ
リコン膜をパターニングし、前記パターニングによって
前記窒化珪素膜上のＮ型のアモルファスシリコン膜を一
部除去し、前記Ｎ型のアモルファスシリコン膜上および
前記窒化珪素膜上にＩＴＯ膜を形成することを特徴とす
る半導体装置の作製方法。2. A gate electrode is formed on a substrate, an anodic oxide is formed on the gate electrode, an amorphous silicon film is formed on the anodic oxide, and the gate electrode is formed on the amorphous silicon film. Forming a silicon nitride film over the electrode, forming an n-type amorphous silicon film on the silicon nitride film and the amorphous silicon film, patterning the amorphous silicon film and the n-type amorphous silicon film, A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that an N-type amorphous silicon film on the silicon nitride film is partially removed by patterning, and an ITO film is formed on the N-type amorphous silicon film and on the silicon nitride film. .