JP2001291607A - 白金薄膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
白金薄膜抵抗体の製造方法Info
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- JP2001291607A JP2001291607A JP2000102452A JP2000102452A JP2001291607A JP 2001291607 A JP2001291607 A JP 2001291607A JP 2000102452 A JP2000102452 A JP 2000102452A JP 2000102452 A JP2000102452 A JP 2000102452A JP 2001291607 A JP2001291607 A JP 2001291607A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対する白金薄膜の密着性を低下させる
ことなく、高温アニールによる白金薄膜の抵抗温度係数
向上の可能な白金薄膜抵抗体の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミナ基板２の表面上にスパッタリン
グによるチタン層４の形成を行い、チタン層４上にスパ
ッタリングによる白金薄膜６の形成を行った後に、白金
薄膜６の抵抗温度係数を調整あるいは増大させるアニー
ルを行って白金薄膜抵抗体を製造する。その際、白金薄
膜６の形成及びチタン層４の形成のうちの少なくとも一
方をアルゴンガス中に酸素ガスを混合したスパッタリン
グガス中で行い、アニールを大気中で温度１０００℃の
条件下で行う。白金薄膜６を両端の電極パッド部７ａ，
７ｂ間で蛇行形状にパターニングする。
ことなく、高温アニールによる白金薄膜の抵抗温度係数
向上の可能な白金薄膜抵抗体の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミナ基板２の表面上にスパッタリン
グによるチタン層４の形成を行い、チタン層４上にスパ
ッタリングによる白金薄膜６の形成を行った後に、白金
薄膜６の抵抗温度係数を調整あるいは増大させるアニー
ルを行って白金薄膜抵抗体を製造する。その際、白金薄
膜６の形成及びチタン層４の形成のうちの少なくとも一
方をアルゴンガス中に酸素ガスを混合したスパッタリン
グガス中で行い、アニールを大気中で温度１０００℃の
条件下で行う。白金薄膜６を両端の電極パッド部７ａ，
７ｂ間で蛇行形状にパターニングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜抵抗体に関す
るものであり、特に抵抗温度係数が大きく且つ温度変化
に対する抵抗値変化の直線性の良好な白金薄膜抵抗体に
関するものである。
るものであり、特に抵抗温度係数が大きく且つ温度変化
に対する抵抗値変化の直線性の良好な白金薄膜抵抗体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
周囲温度の変化による抵抗体の電気抵抗値の変化を検知
して温度測定を行うための感温抵抗素子は、幅広い分野
で利用されており、この感温抵抗素子としては、抵抗体
を薄膜に形成し、しかもその寸法（パターン面積）を微
小にしたものが使用されている。このような薄膜感温抵
抗素子としては、流体の流量測定で使用される流量セン
サーの流量検知用感温素子や温度補償用感温素子が例示
される。
周囲温度の変化による抵抗体の電気抵抗値の変化を検知
して温度測定を行うための感温抵抗素子は、幅広い分野
で利用されており、この感温抵抗素子としては、抵抗体
を薄膜に形成し、しかもその寸法（パターン面積）を微
小にしたものが使用されている。このような薄膜感温抵
抗素子としては、流体の流量測定で使用される流量セン
サーの流量検知用感温素子や温度補償用感温素子が例示
される。
【０００３】以上のような感温抵抗素子として利用され
る薄膜抵抗体としては、温度変化に対する抵抗値の変化
（抵抗温度係数）が大きく、その変化の直線性に優れて
いること、及び使用可能温度範囲が−２００℃〜＋８０
０℃と耐久性に優れていることから、白金薄膜抵抗体が
好ましいものとされている。白金薄膜抵抗体は、表面が
絶縁性の基板（例えばガラスやアルミナや表面に酸化シ
リコン膜を形成したシリコン基板）の絶縁性表面上に、
スパッタリングにより白金薄膜を形成した後に、エッチ
ングまたはリフトオフなどの微細パターン形成技術を用
いて白金薄膜のパターンを形成することで製造されてい
る。
る薄膜抵抗体としては、温度変化に対する抵抗値の変化
（抵抗温度係数）が大きく、その変化の直線性に優れて
いること、及び使用可能温度範囲が−２００℃〜＋８０
０℃と耐久性に優れていることから、白金薄膜抵抗体が
好ましいものとされている。白金薄膜抵抗体は、表面が
絶縁性の基板（例えばガラスやアルミナや表面に酸化シ
リコン膜を形成したシリコン基板）の絶縁性表面上に、
スパッタリングにより白金薄膜を形成した後に、エッチ
ングまたはリフトオフなどの微細パターン形成技術を用
いて白金薄膜のパターンを形成することで製造されてい
る。
【０００４】以上のような白金薄膜抵抗体の製造の際に
は、白金薄膜と基板との密着性を向上させるために基板
と白金薄膜との間にこれらの密着性を向上させるための
層たとえばチタン層を介在させることが行われている
（特開平１１−３５４３０２号公報参照）。
は、白金薄膜と基板との密着性を向上させるために基板
と白金薄膜との間にこれらの密着性を向上させるための
層たとえばチタン層を介在させることが行われている
（特開平１１−３５４３０２号公報参照）。
【０００５】ところで、白金薄膜抵抗体では、スパッタ
リングによって作製された白金薄膜の抵抗温度係数（Ｔ
ＣＲ）の値を調整し或は向上させるために、１０００℃
程度またはそれ以上の高温でのアニールを大気中で行っ
ている（特開平８−２１９９０１号公報参照）。
リングによって作製された白金薄膜の抵抗温度係数（Ｔ
ＣＲ）の値を調整し或は向上させるために、１０００℃
程度またはそれ以上の高温でのアニールを大気中で行っ
ている（特開平８−２１９９０１号公報参照）。
【０００６】しかし、このような高温アニールの際に
は、白金薄膜と基板との間に介在するチタン層の構成成
分の一部が白金薄膜へと移行することで白金薄膜の抵抗
温度係数を低下させるという問題のあることが指摘され
ている（特開平１１−１４２２０１号公報参照）。これ
は、高温アニール時にチタン層中のチタン原子が白金薄
膜中に拡散し、白金薄膜中に取り込まれる酸素と結合し
てＴｉＯとして白金薄膜中にとどまり、このＴｉＯは抵
抗温度特性において負の寄与をなすため、白金薄膜のも
つ抵抗温度係数の値を低下させるからであると考えられ
ている。
は、白金薄膜と基板との間に介在するチタン層の構成成
分の一部が白金薄膜へと移行することで白金薄膜の抵抗
温度係数を低下させるという問題のあることが指摘され
ている（特開平１１−１４２２０１号公報参照）。これ
は、高温アニール時にチタン層中のチタン原子が白金薄
膜中に拡散し、白金薄膜中に取り込まれる酸素と結合し
てＴｉＯとして白金薄膜中にとどまり、このＴｉＯは抵
抗温度特性において負の寄与をなすため、白金薄膜のも
つ抵抗温度係数の値を低下させるからであると考えられ
ている。
【０００７】そこで、本発明は、基板に対する白金薄膜
の密着性を低下させることなく、高温アニールによる白
金薄膜の抵抗温度係数向上の可能な白金薄膜抵抗体の製
造方法を提供することを目的とするものである。
の密着性を低下させることなく、高温アニールによる白
金薄膜の抵抗温度係数向上の可能な白金薄膜抵抗体の製
造方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、基板の電気絶縁性表面
上にスパッタリングによるチタン層の形成を行い、該チ
タン層上にスパッタリングによる白金薄膜の形成を行っ
た後に、該白金薄膜の抵抗温度係数を調整あるいは増大
させるアニールを行って白金薄膜抵抗体を製造する方法
において、前記白金薄膜の形成及び前記チタン層の形成
のうちの少なくとも一方を雰囲気中の酸素の存在下で行
うことを特徴とする、白金薄膜抵抗体の製造方法、が提
供される。
如き目的を達成するものとして、基板の電気絶縁性表面
上にスパッタリングによるチタン層の形成を行い、該チ
タン層上にスパッタリングによる白金薄膜の形成を行っ
た後に、該白金薄膜の抵抗温度係数を調整あるいは増大
させるアニールを行って白金薄膜抵抗体を製造する方法
において、前記白金薄膜の形成及び前記チタン層の形成
のうちの少なくとも一方を雰囲気中の酸素の存在下で行
うことを特徴とする、白金薄膜抵抗体の製造方法、が提
供される。
【０００９】本発明の一態様においては、前記酸素は不
活性ガス中に酸素ガスを混合することで供給される。本
発明の一態様においては、前記白金薄膜の形成の際のス
パッタリングまたは前記チタン層の形成の際のスパッタ
リングを不活性ガスの存在下で行う。本発明の一態様に
おいては、前記アニールを大気中で温度９００℃〜１１
００℃の条件下で行う。
活性ガス中に酸素ガスを混合することで供給される。本
発明の一態様においては、前記白金薄膜の形成の際のス
パッタリングまたは前記チタン層の形成の際のスパッタ
リングを不活性ガスの存在下で行う。本発明の一態様に
おいては、前記アニールを大気中で温度９００℃〜１１
００℃の条件下で行う。
【００１０】本発明の一態様においては、前記白金薄膜
をパターニングする。
をパターニングする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。図１は本発明による白金薄
膜抵抗体の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
面を参照しながら説明する。図１は本発明による白金薄
膜抵抗体の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【００１２】先ず、図１（ａ）に模式的断面図を示すよ
うに、絶縁基板２の表面にスパッタリングによりチタン
層４を形成する。基板２は、例えば酸化アルミニウムを
主体とするアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の酸化物系の絶縁
体からなる。このチタン層形成のスパッタリングは、例
えば、次のような条件： 装置：マグネトロンスパッタリング装置 到達真空度＜６．０×１０-5Ｐａ 成膜圧力：０．６Ｐａ ガス流量：１２０ＳＣＣＭ［Ａｒ：Ｏ2 ＝９：１］ 成膜電力：１４００Ｗ（ＤＣ） 成膜温度：２５０℃ 膜厚：５ｎｍ で行うことができる。
うに、絶縁基板２の表面にスパッタリングによりチタン
層４を形成する。基板２は、例えば酸化アルミニウムを
主体とするアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の酸化物系の絶縁
体からなる。このチタン層形成のスパッタリングは、例
えば、次のような条件： 装置：マグネトロンスパッタリング装置 到達真空度＜６．０×１０-5Ｐａ 成膜圧力：０．６Ｐａ ガス流量：１２０ＳＣＣＭ［Ａｒ：Ｏ2 ＝９：１］ 成膜電力：１４００Ｗ（ＤＣ） 成膜温度：２５０℃ 膜厚：５ｎｍ で行うことができる。
【００１３】次に、図１（ｂ）に模式的断面図を示すよ
うに、チタン層４の表面にスパッタリングにより白金薄
膜６を形成する。この白金薄膜形成のスパッタリング
は、例えば、次のような条件： 装置：マグネトロンスパッタリング装置 到達真空度＜６．０×１０-5Ｐａ 成膜圧力：０．１８Ｐａ ガス流量：１０ＳＣＣＭ［Ａｒ：Ｏ2 ＝９：１］ 成膜電力：５００Ｗ（ＲＦ） 成膜温度：２５０℃ 膜厚：４００ｎｍ で行うことができる。
うに、チタン層４の表面にスパッタリングにより白金薄
膜６を形成する。この白金薄膜形成のスパッタリング
は、例えば、次のような条件： 装置：マグネトロンスパッタリング装置 到達真空度＜６．０×１０-5Ｐａ 成膜圧力：０．１８Ｐａ ガス流量：１０ＳＣＣＭ［Ａｒ：Ｏ2 ＝９：１］ 成膜電力：５００Ｗ（ＲＦ） 成膜温度：２５０℃ 膜厚：４００ｎｍ で行うことができる。
【００１４】続いて、温度１０００℃で５時間大気雰囲
気下でのアニールを行う。このアニールにより、基板２
との密着性が損なわれることなしに白金薄膜６の抵抗温
度係数の向上が実現する。
気下でのアニールを行う。このアニールにより、基板２
との密着性が損なわれることなしに白金薄膜６の抵抗温
度係数の向上が実現する。
【００１５】そして、図１（ｃ）に模式的平面図を示す
ように、エッチング法などにより、白金薄膜６を、両端
に１対の電極パッド部７ａ，７ｂを有する幅が例えば５
〜２５μｍで、全長が例えば４〜２３ｃｍの蛇行パター
ン形状とすることができる。
ように、エッチング法などにより、白金薄膜６を、両端
に１対の電極パッド部７ａ，７ｂを有する幅が例えば５
〜２５μｍで、全長が例えば４〜２３ｃｍの蛇行パター
ン形状とすることができる。
【００１６】以上の実施形態ではチタン（Ｔｉ）層４の
形成の際のスパッタリングと白金（Ｐｔ）薄膜６の形成
の際のスパッタリングとの双方において不活性ガス（Ａ
ｒガス）中に酸素（Ｏ2 ）ガスを混合しているが、本発
明では、Ｔｉ層４の形成の際のスパッタリング及びＰｔ
薄膜６の形成の際のスパッタリングのうちのいずれか一
方で不活性ガス中にＯ2 ガスを混合してもよい。
形成の際のスパッタリングと白金（Ｐｔ）薄膜６の形成
の際のスパッタリングとの双方において不活性ガス（Ａ
ｒガス）中に酸素（Ｏ2 ）ガスを混合しているが、本発
明では、Ｔｉ層４の形成の際のスパッタリング及びＰｔ
薄膜６の形成の際のスパッタリングのうちのいずれか一
方で不活性ガス中にＯ2 ガスを混合してもよい。
【００１７】以上の実施形態では不活性ガス中への酸素
ガスの混合量は１０体積％とされているが、本発明で
は、不活性ガス中への酸素ガスの混合量は例えば０．５
〜３０体積％の範囲内とすることができ、好ましくは２
〜２０体積％の範囲内である。
ガスの混合量は１０体積％とされているが、本発明で
は、不活性ガス中への酸素ガスの混合量は例えば０．５
〜３０体積％の範囲内とすることができ、好ましくは２
〜２０体積％の範囲内である。
【００１８】また、以上の実施形態ではアニール温度を
１０００℃としているが、本発明では、アニール温度を
例えば９００℃〜１１００℃の範囲内とすることができ
る。アニール温度が９００℃未満で低過ぎる場合には得
られる白金薄膜抵抗体の抵抗温度係数の特性が低下する
傾向にあり、アニール温度が１１００℃を越えて高過ぎ
る場合には得られる白金薄膜抵抗体の表面状態が劣化す
る傾向にある。
１０００℃としているが、本発明では、アニール温度を
例えば９００℃〜１１００℃の範囲内とすることができ
る。アニール温度が９００℃未満で低過ぎる場合には得
られる白金薄膜抵抗体の抵抗温度係数の特性が低下する
傾向にあり、アニール温度が１１００℃を越えて高過ぎ
る場合には得られる白金薄膜抵抗体の表面状態が劣化す
る傾向にある。
【００１９】また、以上の実施形態ではアニール時間を
５時間としているが、本発明では、アニール時間を例え
ば４時間以上とすることができる。アニール時間が４時
間未満で短過ぎる場合には得られる白金薄膜抵抗体の抵
抗値の経時変化率が大きくなる傾向にある。
５時間としているが、本発明では、アニール時間を例え
ば４時間以上とすることができる。アニール時間が４時
間未満で短過ぎる場合には得られる白金薄膜抵抗体の抵
抗値の経時変化率が大きくなる傾向にある。
【００２０】図２は、以上のようにして製造された白金
薄膜抵抗体の抵抗値と抵抗温度係数との関係の具体例を
示すものである。図２において： ・Ａ群は、Ｔｉ層４形成時にＡｒガス中にＯ2 ガスを混
合し、Ｐｔ薄膜６形成時にはＡｒガス中にＯ2 ガスを混
合しない場合 ・Ｂ群は、Ｔｉ層４形成時にはＡｒガス中にＯ2 ガスを
混合せず、Ｐｔ薄膜６形成時にＡｒガス中にＯ2 ガスを
混合した場合 ・Ｃ群は、Ｔｉ層４形成時及びＰｔ薄膜６形成時の双方
でＡｒガス中にＯ2ガスを混合した場合 ・Ｄ群（比較例）は、Ｔｉ層４形成時及びＰｔ薄膜６形
成時の双方でＡｒガス中にＯ2 ガスを混合しない場合 であり、各群について３つの試料を測定した。
薄膜抵抗体の抵抗値と抵抗温度係数との関係の具体例を
示すものである。図２において： ・Ａ群は、Ｔｉ層４形成時にＡｒガス中にＯ2 ガスを混
合し、Ｐｔ薄膜６形成時にはＡｒガス中にＯ2 ガスを混
合しない場合 ・Ｂ群は、Ｔｉ層４形成時にはＡｒガス中にＯ2 ガスを
混合せず、Ｐｔ薄膜６形成時にＡｒガス中にＯ2 ガスを
混合した場合 ・Ｃ群は、Ｔｉ層４形成時及びＰｔ薄膜６形成時の双方
でＡｒガス中にＯ2ガスを混合した場合 ・Ｄ群（比較例）は、Ｔｉ層４形成時及びＰｔ薄膜６形
成時の双方でＡｒガス中にＯ2 ガスを混合しない場合 であり、各群について３つの試料を測定した。
【００２１】図２から分かるように、得られた白金薄膜
抵抗体のＴＣＲ値は、従来法のＤ群のものでは３５００
ｐｐｍ／Ｋ程度であったが、本発明に属するＣ群のもの
では３７９０ｐｐｍ／Ｋ程度まで向上し、また本発明に
属するＡ群及びＢ群のものでも３６５０ｐｐｍ／Ｋ程度
まで向上させることができた。
抵抗体のＴＣＲ値は、従来法のＤ群のものでは３５００
ｐｐｍ／Ｋ程度であったが、本発明に属するＣ群のもの
では３７９０ｐｐｍ／Ｋ程度まで向上し、また本発明に
属するＡ群及びＢ群のものでも３６５０ｐｐｍ／Ｋ程度
まで向上させることができた。
【００２２】これは、酸素の存在下でスパッタリング成
膜することで、アニールの際のＰｔ薄膜６へのチタン原
子の拡散が抑制されること、及び、ゲッター効果により
Ｐｔ薄膜６中の不純物の悪影響が低減されることに基づ
くものと推測される。
膜することで、アニールの際のＰｔ薄膜６へのチタン原
子の拡散が抑制されること、及び、ゲッター効果により
Ｐｔ薄膜６中の不純物の悪影響が低減されることに基づ
くものと推測される。
【００２３】上記Ｃ群の白金薄膜抵抗体についてＴＥＭ
分析を行ったところ、白金薄膜６中へのチタンの拡散は
確認されなかった。また、白金薄膜６中の元素分析の結
果においても、チタンは一切検出されなかった。この結
果から、酸素存在下で成膜することには、高温アニール
後においても白金薄膜６中へのチタンの拡散を抑制する
効果があることがわかる。
分析を行ったところ、白金薄膜６中へのチタンの拡散は
確認されなかった。また、白金薄膜６中の元素分析の結
果においても、チタンは一切検出されなかった。この結
果から、酸素存在下で成膜することには、高温アニール
後においても白金薄膜６中へのチタンの拡散を抑制する
効果があることがわかる。
【００２４】尚、ピールテスト（カプトンテープによ
る）の結果、上記Ａ〜Ｃ群のいずれについても、白金薄
膜６と基板２との剥離は確認されず、膜の密着強度は少
なくとも従来法によるものと同等以上であることが確認
された。
る）の結果、上記Ａ〜Ｃ群のいずれについても、白金薄
膜６と基板２との剥離は確認されず、膜の密着強度は少
なくとも従来法によるものと同等以上であることが確認
された。
【００２５】図３に、上記Ａ〜Ｄ群について、１５０℃
での抵抗値Ｒ0 の経時変化の具体例を示す。また、図４
に、上記Ａ〜Ｄ群について、１５０℃でのＴＣＲの経時
変化の具体例を示す。これらの図から分かる様に、本発
明方法により製造された白金薄膜抵抗体は、抵抗値Ｒ0
やＴＣＲの経時変化においても、従来法によるものと同
等以上である。特に、Ｂ群のものは、Ｒ0 の７５０時間
経時変化で０．０８％以内であり、ＴＣＲの７５０時間
経時変化で０．１％以内であり、従来法によるもの（Ｄ
群）に対して優れている。
での抵抗値Ｒ0 の経時変化の具体例を示す。また、図４
に、上記Ａ〜Ｄ群について、１５０℃でのＴＣＲの経時
変化の具体例を示す。これらの図から分かる様に、本発
明方法により製造された白金薄膜抵抗体は、抵抗値Ｒ0
やＴＣＲの経時変化においても、従来法によるものと同
等以上である。特に、Ｂ群のものは、Ｒ0 の７５０時間
経時変化で０．０８％以内であり、ＴＣＲの７５０時間
経時変化で０．１％以内であり、従来法によるもの（Ｄ
群）に対して優れている。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の白金薄膜
抵抗体の製造方法によれば、白金薄膜と基板との間にチ
タン層を介在させることで基板に対する白金薄膜の密着
性の向上をはかりながら、白金薄膜形成またはチタン層
形成のためのスパッタリングガス中に酸素ガスを混入し
ておくことで、高温アニールによる白金薄膜の抵抗温度
係数の十分な向上が可能となる。
抵抗体の製造方法によれば、白金薄膜と基板との間にチ
タン層を介在させることで基板に対する白金薄膜の密着
性の向上をはかりながら、白金薄膜形成またはチタン層
形成のためのスパッタリングガス中に酸素ガスを混入し
ておくことで、高温アニールによる白金薄膜の抵抗温度
係数の十分な向上が可能となる。
【図１】本発明による白金薄膜抵抗体の製造方法の一実
施形態を示す工程図である。
施形態を示す工程図である。
【図２】白金薄膜抵抗体の抵抗値と抵抗温度係数との関
係の具体例を示すグラフである。
係の具体例を示すグラフである。
【図３】白金薄膜抵抗体の１５０℃での抵抗値Ｒ0 の経
時変化の具体例を示すグラフである。
時変化の具体例を示すグラフである。
【図４】白金薄膜抵抗体の１５０℃でのＴＣＲの経時変
化の具体例を示すグラフである。
化の具体例を示すグラフである。
２ 絶縁基板 ４ チタン層 ６ 白金薄膜 ７ａ，７ｂ 白金薄膜の電極パッド部
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の電気絶縁性表面上にスパッタリン
グによるチタン層の形成を行い、該チタン層上にスパッ
タリングによる白金薄膜の形成を行った後に、該白金薄
膜の抵抗温度係数を調整あるいは増大させるアニールを
行って白金薄膜抵抗体を製造する方法において、 前記白金薄膜の形成及び前記チタン層の形成のうちの少
なくとも一方を雰囲気中の酸素の存在下で行うことを特
徴とする、白金薄膜抵抗体の製造方法。 - 【請求項２】 前記酸素は不活性ガス中に酸素ガスを混
合することで供給されることを特徴とする、請求項１に
記載の白金薄膜抵抗体の製造方法。 - 【請求項３】 前記白金薄膜の形成の際のスパッタリン
グまたは前記チタン層の形成の際のスパッタリングを不
活性ガスの存在下で行うことを特徴とする、請求項１に
記載の白金薄膜抵抗体の製造方法。 - 【請求項４】 前記アニールを大気中で温度９００℃〜
１１００℃の条件下で行うことを特徴とする、請求項１
〜３のいずれかに記載の白金薄膜抵抗体の製造方法。 - 【請求項５】 前記白金薄膜をパターニングすることを
特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の白金薄膜
抵抗体の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000102452A JP2001291607A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 白金薄膜抵抗体の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000102452A JP2001291607A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 白金薄膜抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291607A true JP2001291607A (ja) | 2001-10-19 |
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|---|---|---|---|
| JP2000102452A Pending JP2001291607A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 白金薄膜抵抗体の製造方法 |
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|---|---|
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Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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