JP2001284281A - レーザ加工装置及び方法 - Google Patents
レーザ加工装置及び方法Info
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- JP2001284281A JP2001284281A JP2000094222A JP2000094222A JP2001284281A JP 2001284281 A JP2001284281 A JP 2001284281A JP 2000094222 A JP2000094222 A JP 2000094222A JP 2000094222 A JP2000094222 A JP 2000094222A JP 2001284281 A JP2001284281 A JP 2001284281A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工の際における照射面の状況に拘わらず、
照射面に照射されるレーザ光の状態を簡易に測定するこ
とができるレーザ加工装置を提供すること。 【解決手段】 ステージ駆動装置３２を動作させて照射
光学系２０に対し蛍光板４０をアライメントする。これ
により、レーザ光ＡＬが蛍光板４０に入射し、蛍光板４
０からレーザ光ＡＬの強度に応じた蛍光ＦＬが発生する
ので、この蛍光ＦＬをカメラ６１で撮影し、処理装置６
２で適当に処理することにより、レーザ光ＡＬのビーム
プロファイルを得ることができる。ここで、レーザ光Ａ
Ｌのビームプロファイルが所定の条件からはずれる場
合、照射光学系２０に入射させる光量を調節したり、ワ
ークＷに照射される線状ビームの強度分布を調節するこ
とができる。
照射面に照射されるレーザ光の状態を簡易に測定するこ
とができるレーザ加工装置を提供すること。 【解決手段】 ステージ駆動装置３２を動作させて照射
光学系２０に対し蛍光板４０をアライメントする。これ
により、レーザ光ＡＬが蛍光板４０に入射し、蛍光板４
０からレーザ光ＡＬの強度に応じた蛍光ＦＬが発生する
ので、この蛍光ＦＬをカメラ６１で撮影し、処理装置６
２で適当に処理することにより、レーザ光ＡＬのビーム
プロファイルを得ることができる。ここで、レーザ光Ａ
Ｌのビームプロファイルが所定の条件からはずれる場
合、照射光学系２０に入射させる光量を調節したり、ワ
ークＷに照射される線状ビームの強度分布を調節するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、レーザアニーリ
ング等に用いられるレーザ加工装置及び方法に関し、特
に被加工体に所望のレーザビームを照射するレーザ加工
装置及び方法に関するものである。
ング等に用いられるレーザ加工装置及び方法に関し、特
に被加工体に所望のレーザビームを照射するレーザ加工
装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ加工装置として、例えばアモルフ
ァスＳｉ膜を形成したガラス基板上にエキシマレーザ等
のアニーリング光を照射し、ガラス基板上のアモルファ
スＳｉ膜を多結晶化するレーザアニーリング装置が存在
する。
ァスＳｉ膜を形成したガラス基板上にエキシマレーザ等
のアニーリング光を照射し、ガラス基板上のアモルファ
スＳｉ膜を多結晶化するレーザアニーリング装置が存在
する。
【０００３】この種のレーザアニーリング装置では、ア
ニーリング光の照射状態を調べるため、ガラス基板が配
置される照射面にイメージセンサを配置することが行わ
れている。
ニーリング光の照射状態を調べるため、ガラス基板が配
置される照射面にイメージセンサを配置することが行わ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記装置で
は、例えばガラス基板が高温に維持される等、加工の前
後においてイメージセンサをレーザ光の照射面に配置す
ることができない事情が生じる場合があり、この場合、
アニーリング光の照射状態を調べることができなくな
る。
は、例えばガラス基板が高温に維持される等、加工の前
後においてイメージセンサをレーザ光の照射面に配置す
ることができない事情が生じる場合があり、この場合、
アニーリング光の照射状態を調べることができなくな
る。
【０００５】そこで、本発明は、加工時及びその前後に
おける照射面の状況に拘わらず、照射面に照射されるレ
ーザ光の状態を簡易に測定することができるレーザ加工
装置及び方法を提供することを目的とする。
おける照射面の状況に拘わらず、照射面に照射されるレ
ーザ光の状態を簡易に測定することができるレーザ加工
装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置は、被加工体を収容する処
理容器と、処理容器中の被加工体にレーザ光を照射する
照射光学系と、処理容器中における照射光学系からのレ
ーザ光の照射位置に配置可能な蛍光板とを備える。
め、本発明のレーザ加工装置は、被加工体を収容する処
理容器と、処理容器中の被加工体にレーザ光を照射する
照射光学系と、処理容器中における照射光学系からのレ
ーザ光の照射位置に配置可能な蛍光板とを備える。
【０００７】この場合、処理容器中における照射光学系
からのレーザ光の照射位置に配置可能な蛍光板を備える
ので、蛍光板を照射位置に配置することによって、この
蛍光板に入射したレーザ光が蛍光に変換される。よっ
て、処理容器外部から蛍光を観察することにより、レー
ザ光のプロファイル等の状態を検出することができ、加
工の前後においてイメージセンサをレーザ光の照射位置
に配置することができない場合であっても、照射位置に
照射されるレーザ光の状態を適当なタイミングで簡易か
つ確実に測定することができる。これにより、レーザ光
の状態を監視しつつ精度の高いレーザ加工が可能にな
る。なお、加工に使用するレーザ光は、例えば紫外光で
あり、観察に利用される蛍光は、例えば可視光である。
また、蛍光の観察のため、処理容器に特別の窓を設ける
こともできるが、レーザ光を処理容器内導くレーザウィ
ンドウを利用して蛍光の観察を行うこともできる。ま
た、蛍光板を照射位置に配置するために、特別の駆動機
構を設けることもできるが、通常は被加工体を支持して
被加工体を必要な位置に移動させるプロセスステージ上
に蛍光板を設置しておけば、プロセスステージの移動に
よって簡易にレーザ光による加工と蛍光の観察とを切替
えることができる。
からのレーザ光の照射位置に配置可能な蛍光板を備える
ので、蛍光板を照射位置に配置することによって、この
蛍光板に入射したレーザ光が蛍光に変換される。よっ
て、処理容器外部から蛍光を観察することにより、レー
ザ光のプロファイル等の状態を検出することができ、加
工の前後においてイメージセンサをレーザ光の照射位置
に配置することができない場合であっても、照射位置に
照射されるレーザ光の状態を適当なタイミングで簡易か
つ確実に測定することができる。これにより、レーザ光
の状態を監視しつつ精度の高いレーザ加工が可能にな
る。なお、加工に使用するレーザ光は、例えば紫外光で
あり、観察に利用される蛍光は、例えば可視光である。
また、蛍光の観察のため、処理容器に特別の窓を設ける
こともできるが、レーザ光を処理容器内導くレーザウィ
ンドウを利用して蛍光の観察を行うこともできる。ま
た、蛍光板を照射位置に配置するために、特別の駆動機
構を設けることもできるが、通常は被加工体を支持して
被加工体を必要な位置に移動させるプロセスステージ上
に蛍光板を設置しておけば、プロセスステージの移動に
よって簡易にレーザ光による加工と蛍光の観察とを切替
えることができる。
【０００８】また、上記レーザ加工装置の好ましい態様
では、蛍光板が冷却装置を備える。
では、蛍光板が冷却装置を備える。
【０００９】この場合、蛍光板が冷却装置を備えるの
で、被加工体を高温下で処理する場合に、蛍光板の蛍光
特性が変化したり、蛍光板にダメージが生じることを防
止することができ、再現性のある測定が可能になる。
で、被加工体を高温下で処理する場合に、蛍光板の蛍光
特性が変化したり、蛍光板にダメージが生じることを防
止することができ、再現性のある測定が可能になる。
【００１０】また、上記レーザ加工装置の好ましい態様
では、処理容器外部から蛍光板を撮影する撮像装置をさ
らに備える。この場合、撮像装置を利用して簡易にレー
ザ光のプロファイルを検出することができる。
では、処理容器外部から蛍光板を撮影する撮像装置をさ
らに備える。この場合、撮像装置を利用して簡易にレー
ザ光のプロファイルを検出することができる。
【００１１】また、上記レーザ加工装置の好ましい態様
では、蛍光板及び冷却装置は、被加工体を支持する支持
体に隣接して配置され、断熱材によって支持体と絶縁さ
れている。この場合、蛍光板と被加工体とを熱的に絶縁
することができ、蛍光板の温度を安定に保つことができ
る。よって、蛍光板の特性が劣化したり、これに熱的な
ダメージが蓄積されたりすることを簡易に防止できる。
では、蛍光板及び冷却装置は、被加工体を支持する支持
体に隣接して配置され、断熱材によって支持体と絶縁さ
れている。この場合、蛍光板と被加工体とを熱的に絶縁
することができ、蛍光板の温度を安定に保つことができ
る。よって、蛍光板の特性が劣化したり、これに熱的な
ダメージが蓄積されたりすることを簡易に防止できる。
【００１２】また、本発明のレーザ加工方法は、処理容
器内部に収容した被加工体に処理容器外部からのレーザ
光を照射することによって被加工体に加工を施すレーザ
加工方法であって、処理容器内部に配置された蛍光板に
照射光学系からのレーザ光を入射させ、この蛍光板から
出射する蛍光を観察することによってレーザ光の状態を
調節することを特徴とする。
器内部に収容した被加工体に処理容器外部からのレーザ
光を照射することによって被加工体に加工を施すレーザ
加工方法であって、処理容器内部に配置された蛍光板に
照射光学系からのレーザ光を入射させ、この蛍光板から
出射する蛍光を観察することによってレーザ光の状態を
調節することを特徴とする。
【００１３】この場合、処理容器内部に配置された蛍光
板に照射光学系からのレーザ光を入射させ、この蛍光板
から出射する蛍光を観察することによってレーザ光の状
態を調節するので、加工の前後においてイメージセンサ
をレーザ光の照射位置に配置することができない場合で
あっても、照射位置に照射されるレーザ光の状態を適当
なタイミングで簡易かつ確実に測定することができ、レ
ーザ光の状態を監視しつつ精度の高いレーザ加工が可能
になる。
板に照射光学系からのレーザ光を入射させ、この蛍光板
から出射する蛍光を観察することによってレーザ光の状
態を調節するので、加工の前後においてイメージセンサ
をレーザ光の照射位置に配置することができない場合で
あっても、照射位置に照射されるレーザ光の状態を適当
なタイミングで簡易かつ確実に測定することができ、レ
ーザ光の状態を監視しつつ精度の高いレーザ加工が可能
になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は、第１実
施形態の加工装置であるレーザアニーリング装置の構造
を説明する側面図である。このレーザアニーリング装置
は、ガラス基板上にアモルファス状Ｓｉ等の半導体薄膜
を形成した被加工体であるワークＷを熱処理するための
もので、かかる半導体薄膜を加熱するためのエキシマレ
ーザその他のレーザ光ＡＬを発生する加工光源であるレ
ーザ光源１０と、このレーザ光ＡＬを線状にして所定の
照度でワークＷ上に入射させる照射光学系２０と、ワー
クＷを支持してこのワークＷをＸ−Ｙ面内で滑らかに並
進移動させることができるとともにＺ軸方向に昇降移動
させることができるプロセスステージ装置３０とを備え
る。
施形態の加工装置であるレーザアニーリング装置の構造
を説明する側面図である。このレーザアニーリング装置
は、ガラス基板上にアモルファス状Ｓｉ等の半導体薄膜
を形成した被加工体であるワークＷを熱処理するための
もので、かかる半導体薄膜を加熱するためのエキシマレ
ーザその他のレーザ光ＡＬを発生する加工光源であるレ
ーザ光源１０と、このレーザ光ＡＬを線状にして所定の
照度でワークＷ上に入射させる照射光学系２０と、ワー
クＷを支持してこのワークＷをＸ−Ｙ面内で滑らかに並
進移動させることができるとともにＺ軸方向に昇降移動
させることができるプロセスステージ装置３０とを備え
る。
【００１５】照射光学系２０は、レーザ光源１０からの
レーザ光ＡＬを均一にして所望のビームプロファイルで
ワークＷ表面すなわち照射位置に投影するホモジナイザ
２１のほか、レーザ光源１０からのレーザ光ＡＬをホモ
ジナイザ２１に導く複数のターンミラー２２ａ、２２
ｂ、２２ｃと、レーザ光源１０及びターンミラー２２ａ
の間に配置されてホモジナイザ２１に入射するレーザ光
ＡＬの光量を調節する減衰フィルタ２３とを備える。
レーザ光ＡＬを均一にして所望のビームプロファイルで
ワークＷ表面すなわち照射位置に投影するホモジナイザ
２１のほか、レーザ光源１０からのレーザ光ＡＬをホモ
ジナイザ２１に導く複数のターンミラー２２ａ、２２
ｂ、２２ｃと、レーザ光源１０及びターンミラー２２ａ
の間に配置されてホモジナイザ２１に入射するレーザ光
ＡＬの光量を調節する減衰フィルタ２３とを備える。
【００１６】プロセスステージ装置３０は、処理容器で
あるプロセスチャンバ５０内に収容されており、ワーク
Ｗを支持する支持体であるステージ３１と、このステー
ジ３１をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に３次元的に移動させるステ
ージ駆動装置３２とを備える。これにより、プロセスチ
ャンバ５０内にワークＷを支持するとともにこれを照射
光学系２０に対して適宜移動させることができる。照射
光学系２０からのレーザ光ＡＬは、ウィンドウ５０ａを
介してプロセスチャンバ５０中に配置されたワークＷ上
の所望の領域に照射される。
あるプロセスチャンバ５０内に収容されており、ワーク
Ｗを支持する支持体であるステージ３１と、このステー
ジ３１をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に３次元的に移動させるステ
ージ駆動装置３２とを備える。これにより、プロセスチ
ャンバ５０内にワークＷを支持するとともにこれを照射
光学系２０に対して適宜移動させることができる。照射
光学系２０からのレーザ光ＡＬは、ウィンドウ５０ａを
介してプロセスチャンバ５０中に配置されたワークＷ上
の所望の領域に照射される。
【００１７】ステージ３１は、ワークＷを下面から支持
するプレート部分３１ａを有している。このプレート部
分３１ａは、ヒータを内蔵しており、ワークＷを例えば
４００℃程度の高温に保持することができる。
するプレート部分３１ａを有している。このプレート部
分３１ａは、ヒータを内蔵しており、ワークＷを例えば
４００℃程度の高温に保持することができる。
【００１８】ステージ３１の一端には、水等の適当な媒
体によって冷却される冷却板３４が固定されている。こ
の冷却板３４は、蛍光板４０を支持するとともに、冷却
装置として蛍光板４０を所定の温度に保持する。蛍光板
４０は、紫外光を可視光に変換する蛍光物質を含むガラ
スからなり、その上面４１ａとワークＷの表面とが一致
して両者の高さ位置がほぼ一致するように配置されてい
る。なお、蛍光板４０は、冷却板３４を介してステージ
３１とともに３次元的に移動する。
体によって冷却される冷却板３４が固定されている。こ
の冷却板３４は、蛍光板４０を支持するとともに、冷却
装置として蛍光板４０を所定の温度に保持する。蛍光板
４０は、紫外光を可視光に変換する蛍光物質を含むガラ
スからなり、その上面４１ａとワークＷの表面とが一致
して両者の高さ位置がほぼ一致するように配置されてい
る。なお、蛍光板４０は、冷却板３４を介してステージ
３１とともに３次元的に移動する。
【００１９】プロセスチャンバ５０の外側には、蛍光板
４０から出射する可視の蛍光ＦＬを観察するため、撮像
装置であるカメラ６１と、カメラ６１からの画像出力を
表示・記憶する処理装置６２とを備える。前者のカメラ
６１は、レンズや撮像素子であるイメージセンサ等から
なり、後者の処理装置６２は、コンピュータ等からな
り、カメラ６１からの画像を解析することができる。つ
まり、これらにより、蛍光板４０に入射したレーザ光Ａ
Ｌのビームプロファイル等を得ることができる。
４０から出射する可視の蛍光ＦＬを観察するため、撮像
装置であるカメラ６１と、カメラ６１からの画像出力を
表示・記憶する処理装置６２とを備える。前者のカメラ
６１は、レンズや撮像素子であるイメージセンサ等から
なり、後者の処理装置６２は、コンピュータ等からな
り、カメラ６１からの画像を解析することができる。つ
まり、これらにより、蛍光板４０に入射したレーザ光Ａ
Ｌのビームプロファイル等を得ることができる。
【００２０】以下、図１に示すレーザアニーリング装置
の動作について説明する。まず、プロセスチャンバ５０
中のステージ３１上にワークＷを搬送して載置し、ワー
クＷを所望の温度まで昇温する。
の動作について説明する。まず、プロセスチャンバ５０
中のステージ３１上にワークＷを搬送して載置し、ワー
クＷを所望の温度まで昇温する。
【００２１】次に、ステージ駆動装置３２を動作させて
照射光学系２０に対し蛍光板４０をアライメントする。
これにより、レーザ光ＡＬが蛍光板４０に入射し、蛍光
板４０から入射したレーザ光ＡＬの強度に応じた蛍光Ｆ
Ｌが発生する。この蛍光ＦＬをカメラ６１で撮影し、処
理装置６２で適当に処理することにより、レーザ光ＡＬ
のビームプロファイルを得ることができる。
照射光学系２０に対し蛍光板４０をアライメントする。
これにより、レーザ光ＡＬが蛍光板４０に入射し、蛍光
板４０から入射したレーザ光ＡＬの強度に応じた蛍光Ｆ
Ｌが発生する。この蛍光ＦＬをカメラ６１で撮影し、処
理装置６２で適当に処理することにより、レーザ光ＡＬ
のビームプロファイルを得ることができる。
【００２２】ここで、レーザ光ＡＬのビームプロファイ
ルが所定の条件からはずれる場合、レーザ光源１０やこ
れに付随して設けたアッティネータ等を調節して照射光
学系２０に入射させる光量（パルス数変の変更を含む）
を調節することができる。さらに、照射光学系２０を構
成するホモジナイザ２１等を調節してワークＷ上に照射
させる線状ビームの強度分布（ビームプロファイル）を
調節することができる。
ルが所定の条件からはずれる場合、レーザ光源１０やこ
れに付随して設けたアッティネータ等を調節して照射光
学系２０に入射させる光量（パルス数変の変更を含む）
を調節することができる。さらに、照射光学系２０を構
成するホモジナイザ２１等を調節してワークＷ上に照射
させる線状ビームの強度分布（ビームプロファイル）を
調節することができる。
【００２３】なお、レーザ光ＡＬのエネルギー密度が高
すぎて蛍光板４０からの蛍光ＦＬが飽和する等の不都合
がある場合、レーザ光源１０とターンミラー２２ａとの
間に減衰フィルタ２３を挿入して蛍光板４０に入射する
レーザ光ＡＬの全体の光量を低減する。
すぎて蛍光板４０からの蛍光ＦＬが飽和する等の不都合
がある場合、レーザ光源１０とターンミラー２２ａとの
間に減衰フィルタ２３を挿入して蛍光板４０に入射する
レーザ光ＡＬの全体の光量を低減する。
【００２４】次に、ステージ駆動装置３２を動作させて
照射光学系２０に対しステージ３１上のワークＷをアラ
イメントする。この際、減衰フィルタ２３をレーザ光源
１０とターンミラー２２ａとの間から待避させる。次
に、ステージ３１を移動させながら、レーザ光源１０か
らのパルス状のレーザ光ＡＬを線状ビームにしてワーク
Ｗ上に入射させる。ワークＷ上には、上記のようにアモ
ルファスＳｉ等の非晶質半導体の薄膜が形成されてお
り、線状ビームの照射及び走査によってワークＷ上の所
定領域で非晶質半導体の薄膜がアニール、再結晶化さ
れ、電気的特性の優れた半導体薄膜すなわちポリシリコ
ン層を提供することができる。
照射光学系２０に対しステージ３１上のワークＷをアラ
イメントする。この際、減衰フィルタ２３をレーザ光源
１０とターンミラー２２ａとの間から待避させる。次
に、ステージ３１を移動させながら、レーザ光源１０か
らのパルス状のレーザ光ＡＬを線状ビームにしてワーク
Ｗ上に入射させる。ワークＷ上には、上記のようにアモ
ルファスＳｉ等の非晶質半導体の薄膜が形成されてお
り、線状ビームの照射及び走査によってワークＷ上の所
定領域で非晶質半導体の薄膜がアニール、再結晶化さ
れ、電気的特性の優れた半導体薄膜すなわちポリシリコ
ン層を提供することができる。
【００２５】〔第２実施形態〕以下、第２実施形態の加
工装置について説明する。第２実施形態の加工装置は、
図１の装置を変形したものであるので、以下では異なる
部分についてのみ説明する。
工装置について説明する。第２実施形態の加工装置は、
図１の装置を変形したものであるので、以下では異なる
部分についてのみ説明する。
【００２６】図２は、第２実施形態の加工装置であるレ
ーザアニーリング装置の要部構造を説明する部分拡大側
面図である。この場合、ステージ３１と冷却板３４との
間に、セラミック断熱板ＣＰを介在させいる。そして、
ステージ３１と冷却板３４とは、セラミック断熱板ＣＰ
を介して相互に固定されている。よって、冷却板３４上
の蛍光板４０は、ステージ３１とともに３次元的に移動
する。
ーザアニーリング装置の要部構造を説明する部分拡大側
面図である。この場合、ステージ３１と冷却板３４との
間に、セラミック断熱板ＣＰを介在させいる。そして、
ステージ３１と冷却板３４とは、セラミック断熱板ＣＰ
を介して相互に固定されている。よって、冷却板３４上
の蛍光板４０は、ステージ３１とともに３次元的に移動
する。
【００２７】セラミック断熱板ＣＰは、耐熱温度が３０
０〜４００℃程度の断熱材であり、冷却板３４をステー
ジ３１から熱的に絶縁して、冷却板３４による蛍光板４
０の冷却の効率化と温度の安定化を図る。これにより、
蛍光板４０の特性が劣化したり、これに熱的なダメージ
が蓄積されたりすることを簡易に防止できる。
０〜４００℃程度の断熱材であり、冷却板３４をステー
ジ３１から熱的に絶縁して、冷却板３４による蛍光板４
０の冷却の効率化と温度の安定化を図る。これにより、
蛍光板４０の特性が劣化したり、これに熱的なダメージ
が蓄積されたりすることを簡易に防止できる。
【００２８】以上、実施形態に即してこの発明を説明し
たが、この発明は、上記実施形態に限定されるものでは
ない。例えば、蛍光板４０は、ガラス製に限らず各種材
料から得ることができる。
たが、この発明は、上記実施形態に限定されるものでは
ない。例えば、蛍光板４０は、ガラス製に限らず各種材
料から得ることができる。
【００２９】また、ワークＷをアニールするレーザ光Ａ
Ｌは、エキシマレーザに限らず、各種のレーザ光とする
ことができる。また、蛍光ＦＬも可視光に限らず、カメ
ラ６１で撮影しやすいものであればよい。ただし、ビー
ムプロファイルを視覚的に観察する場合、蛍光板４０に
含ませる蛍光中心を適宜選択して十分な強度で可視光を
発生するものとする。
Ｌは、エキシマレーザに限らず、各種のレーザ光とする
ことができる。また、蛍光ＦＬも可視光に限らず、カメ
ラ６１で撮影しやすいものであればよい。ただし、ビー
ムプロファイルを視覚的に観察する場合、蛍光板４０に
含ませる蛍光中心を適宜選択して十分な強度で可視光を
発生するものとする。
【００３０】また、レーザ光ＡＬを蛍光板４０に入射さ
せて蛍光板４０からの蛍光ＦＬを検出するタイミング
も、レーザアニールの直前に限らない。例えば、レーザ
アニールの処理中を避けた適当なタイミングで定期的或
いは不定期にビームプロファイルを観察することができ
る。
せて蛍光板４０からの蛍光ＦＬを検出するタイミング
も、レーザアニールの直前に限らない。例えば、レーザ
アニールの処理中を避けた適当なタイミングで定期的或
いは不定期にビームプロファイルを観察することができ
る。
【００３１】また、上記実施形態では、レーザアニーリ
ング装置においてアニーリング光のビームプロファイル
を計測できるものとしたが、例えば液晶や半導体装置の
表面改質等に用いられる各種レーザ加工装置において改
質用のレーザ光のビームプロファイルを上記と同様に計
測することができる。
ング装置においてアニーリング光のビームプロファイル
を計測できるものとしたが、例えば液晶や半導体装置の
表面改質等に用いられる各種レーザ加工装置において改
質用のレーザ光のビームプロファイルを上記と同様に計
測することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のレーザ加工装置によれば、処理容器中における照射光
学系からのレーザ光の照射位置に配置可能な蛍光板を備
えるので、蛍光板を照射位置に配置することによって、
この蛍光板に入射したレーザ光が蛍光に変換され、処理
容器外部から蛍光を観察することにより、レーザ光のプ
ロファイル等の状態を検出することができる。つまり、
加工の前後においてイメージセンサをレーザ光の照射位
置に配置することができない場合であっても、照射位置
に照射されるレーザ光の状態を適当なタイミングで簡易
かつ確実に測定することができる。
のレーザ加工装置によれば、処理容器中における照射光
学系からのレーザ光の照射位置に配置可能な蛍光板を備
えるので、蛍光板を照射位置に配置することによって、
この蛍光板に入射したレーザ光が蛍光に変換され、処理
容器外部から蛍光を観察することにより、レーザ光のプ
ロファイル等の状態を検出することができる。つまり、
加工の前後においてイメージセンサをレーザ光の照射位
置に配置することができない場合であっても、照射位置
に照射されるレーザ光の状態を適当なタイミングで簡易
かつ確実に測定することができる。
【００３３】また、本発明のレーザ加工装置によれば、
処理容器内部に配置された蛍光板に照射光学系からのレ
ーザ光を入射させ、この蛍光板から出射する蛍光を観察
することによってレーザ光の状態を調節するので、加工
の前後においてイメージセンサをレーザ光の照射位置に
配置することができない場合であっても、照射位置に照
射されるレーザ光の状態を適当なタイミングで簡易かつ
確実に測定することができ、レーザ光の状態を監視しつ
つ精度の高いレーザ加工が可能になる。
処理容器内部に配置された蛍光板に照射光学系からのレ
ーザ光を入射させ、この蛍光板から出射する蛍光を観察
することによってレーザ光の状態を調節するので、加工
の前後においてイメージセンサをレーザ光の照射位置に
配置することができない場合であっても、照射位置に照
射されるレーザ光の状態を適当なタイミングで簡易かつ
確実に測定することができ、レーザ光の状態を監視しつ
つ精度の高いレーザ加工が可能になる。
【図１】第１実施形態のレーザ加工装置の側面図であ
る。
る。
【図２】第２実施形態のレーザ加工装置の部分拡大図で
ある。
ある。
１０ レーザ光源 ２０ 照射光学系 ２１ ホモジナイザ ２３ 減衰フィルタ ３０ プロセスステージ装置 ３１ ステージ ３２ ステージ駆動装置 ３４ 冷却板 ４０ 蛍光板 ５０ プロセスチャンバ ５０ａ ウィンドウ ６１ カメラ ６２ 処理装置 Ｗ ワーク
Claims (5)
- 【請求項１】 被加工体を収容する処理容器と、 前記処理容器中の前記被加工体にレーザ光を照射する照
射光学系と、 前記処理容器中における前記照射光学系からのレーザ光
の照射位置に配置可能な蛍光板とを備えるレーザ加工装
置。 - 【請求項２】 前記蛍光板は、冷却装置を備えることを
特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。 - 【請求項３】 前記処理容器外部から前記蛍光板を撮影
する撮像装置をさらに備えることを特徴とする請求項１
記載のレーザ加工装置。 - 【請求項４】 前記蛍光板及び前記冷却装置は、前記被
加工体を支持する支持体に隣接して配置され、断熱材に
よって前記支持体と絶縁されていることを特徴とする請
求項２及び請求項３のいずれか記載のレーザ加工装置。 - 【請求項５】 処理容器内部に収容した被加工体に前記
処理容器外部からのレーザ光を照射することによって前
記被加工体に加工を施すレーザ加工方法であって、 前記処理容器内部に配置された蛍光板に前記レーザ光を
入射させ、当該蛍光板から出射する蛍光を観察すること
によって、前記レーザ光の状態を調節することを特徴と
するレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000094222A JP2001284281A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | レーザ加工装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284281A true JP2001284281A (ja) | 2001-10-12 |
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ID=18609297
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|---|---|---|---|
| JP2000094222A Withdrawn JP2001284281A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | レーザ加工装置及び方法 |
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