JP2001267183A - Capacitor and manufacturing method therefor - Google Patents
Capacitor and manufacturing method thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ及びそ
の製造方法に関し、特に、周波数特性に優れた小型大容
量の固体電解コンデンサおよびフィルムコンデンサなら
びにその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a small and large-capacity solid electrolytic capacitor and a film capacitor having excellent frequency characteristics and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電気機器のデジタル化に伴って、
コンデンサについても、小型大容量で高周波領域でのイ
ンピーダンスの低いものが要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, with the digitization of electric equipment,
As for the capacitor, a capacitor having a small size, a large capacity, and a low impedance in a high frequency region is required.
【０００３】従来、高周波領域で使用されるコンデンサ
には、フィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサがあるが、これらのコンデンサでは
小型大容量化が難しいという課題を抱えている。Conventionally, capacitors used in a high-frequency region include a film capacitor, a mica capacitor, and a multilayer ceramic capacitor, but these capacitors have a problem that it is difficult to increase the size and the capacitance.
【０００４】一方、大容量のコンデンサとしては、アル
ミニウム乾式電解コンデンサ、またはアルミニウムもし
くはタンタル固体電解コンデンサ等の電解コンデンサが
存在する。On the other hand, as capacitors having a large capacity, there are electrolytic capacitors such as an aluminum dry electrolytic capacitor and an aluminum or tantalum solid electrolytic capacitor.
【０００５】これらのコンデンサでは、誘電体となる酸
化皮膜が極めて薄いために、大容量化が実現できるので
あるが、一方酸化皮膜の損傷が起こり易いために、それ
を修復するための真の陰極を兼ねた電解質を設ける必要
がある。In these capacitors, a large capacity can be realized because the oxide film serving as a dielectric is extremely thin. On the other hand, since the oxide film is easily damaged, a true cathode for repairing the oxide film is used. It is necessary to provide an electrolyte that also serves as
【０００６】例えば、アルミニウム乾式コンデンサで
は、エッチングを施した陽極、陰極アルミニウム箔をセ
パレータを介して巻取り、液状の電解質をセパレータに
含浸して用いている。For example, in an aluminum dry capacitor, an etched anode and cathode aluminum foil are wound through a separator, and the separator is impregnated with a liquid electrolyte for use.
【０００７】この液状電解質は、イオン伝導性で比抵抗
が大きいため、損失が大きく、インピーダンスの周波数
特性、温度特性が著しく劣るという課題を有する。[0007] This liquid electrolyte has a problem that loss is large and impedance frequency characteristics and temperature characteristics are remarkably inferior due to ionic conductivity and large specific resistance.
【０００８】さらに加えて、液漏れ、蒸発等が避けられ
ず、時間経過と共に容量の減少及び損失の増加が起こる
といった課題を抱えていた。In addition, there is a problem that liquid leakage, evaporation, and the like are inevitable, and the capacity is reduced and the loss is increased with time.
【０００９】また、タンタル固体電解コンデンサでは、
マンガン酸化物を陰極導電層として用いているため、温
度特性及び容量、損失等の経時変化についての課題は改
善されるが、マンガン酸化物の比抵抗が比較的高いため
損失、インピーダンスの周波数特性が、積層セラミック
コンデンサ、あるいはフィルムコンデンサと比較して劣
っていた。In a tantalum solid electrolytic capacitor,
Since manganese oxide is used as the cathode conductive layer, the issues of temperature characteristics and changes with time such as capacity and loss are improved, but the frequency characteristics of loss and impedance are reduced due to the relatively high specific resistance of manganese oxide. However, it was inferior to a multilayer ceramic capacitor or a film capacitor.
【００１０】さらに加えて、タンタル固体電解コンデン
サでは、マンガン酸化物からなる陰極導電層の形成に当
り、硝酸マンガン溶液に浸漬後、３００℃程度の温度で
熱分解するという工程を数回から十数回繰り返して行う
必要があり、形成工程が煩雑であった。In addition, in the case of a tantalum solid electrolytic capacitor, a step of immersing in a manganese nitrate solution and then thermally decomposing at a temperature of about 300 ° C. is performed several times to form a cathode conductive layer made of manganese oxide. It has to be repeated several times, and the forming process is complicated.
【００１１】そこで、近年、金属、導電性を有する金属
酸化物、ポリピロール等の導電性高分子を誘電体皮膜上
に形成後、それらの導電層を経由して、電解重合によ
り、ポリピロール等の導電性高分子を形成してなる固体
電解コンデンサが、特開昭６３−１５８８２９号公報、
特開昭６３−１７３３１３号公報及び特開平１−２５３
２２６号公報等に提案されている。Therefore, in recent years, after a conductive polymer such as a metal, a conductive metal oxide, or polypyrrole has been formed on a dielectric film, a conductive polymer such as polypyrrole has been formed by electrolytic polymerization through these conductive layers. A solid electrolytic capacitor formed by forming a conductive polymer is disclosed in JP-A-63-158829,
JP-A-63-173313 and JP-A-1-253
No. 226, for example.
【００１２】さらに特公平２−１５６１１号公報におい
て、３、４位に置換基を有する導電性高分子ポリチオフ
ェンを化学重合によって形成してなる固体電解コンデン
サが提案されている。Furthermore, Japanese Patent Publication No. 2-15611 proposes a solid electrolytic capacitor obtained by forming a conductive polymer polythiophene having substituents at the 3- and 4-positions by chemical polymerization.
【００１３】また、電気化学会第５８回大会講演要旨集
２５１〜２５２頁（１９９１年）にはエッチドアルミ箔
上に電着ポリイミド薄膜からなる誘電体を形成した後、
化学重合及び電解重合により、順次導電性高分子層を形
成して電極とする大容量フィルムコンデンサが提案され
ている。[0013] The Abstracts of the 58th Annual Meeting of the Electrochemical Society of Japan, pages 251 to 252 (1991), show that after forming a dielectric consisting of an electrodeposited polyimide thin film on an etched aluminum foil,
There has been proposed a large-capacity film capacitor in which a conductive polymer layer is sequentially formed by chemical polymerization and electrolytic polymerization and used as an electrode.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マンガ
ン酸化物のような導電性の熱分解金属酸化物を経由して
電解重合高分子を形成する場合には、熱による誘電体皮
膜の損傷がおこるため、高耐圧のコンデンサを得るため
には、電解重合前に再度化成を行い、その修復を行うこ
とが必要でもあり、工程がさらに複雑になるという課題
を有していた。However, when an electropolymerized polymer is formed via a conductive pyrolytic metal oxide such as manganese oxide, the dielectric film is damaged by heat. In order to obtain a capacitor with a high withstand voltage, it is necessary to carry out chemical formation again before electrolytic polymerization and to repair the same, which has a problem that the process is further complicated.
【００１５】さらに、タンタル固体電解コンデンサで
は、マンガン酸化物からなる陰極導電層を、熱分解を繰
り返して形成しており、生じた皮膜損傷を修復するため
にその都度化成が必要で、工程がより複雑になるという
課題を有していた。Further, in a tantalum solid electrolytic capacitor, a cathode conductive layer made of manganese oxide is formed by repeating thermal decomposition, and a chemical conversion is required each time to repair the generated film damage. There was a problem that it became complicated.
【００１６】加えて、ポリピロールを用い化学重合で導
電性高分子層を形成する場合、室温付近における重合速
度大きいため、エッチドアルミニウム箔及びタンタル焼
結体の細孔の深部まで浸透する途中で重合する結果、エ
ッチピット及び焼結体の細孔の閉塞が一部で起こり、高
充填率の導電性高分子層を形成することは困難であっ
た。In addition, when the conductive polymer layer is formed by chemical polymerization using polypyrrole, the polymerization rate is high at around room temperature, so that the polymerization proceeds while penetrating deep into the pores of the etched aluminum foil and the tantalum sintered body. As a result, the etch pits and pores of the sintered body were partially blocked, and it was difficult to form a conductive polymer layer having a high filling factor.
【００１７】その結果として、容量達成率（陰極導電層
に電解液を用いた場合との容量比）の高いコンデンサが
得られにくいという課題があった。As a result, there is a problem that it is difficult to obtain a capacitor having a high capacity achievement ratio (capacity ratio with the case where an electrolytic solution is used for the cathode conductive layer).
【００１８】この課題は、重合温度を下げることにより
解決可能であるが、媒体に水を使用する場合、摂氏０度
付近で凍結するため、限界があった。This problem can be solved by lowering the polymerization temperature. However, when water is used as the medium, there is a limit because it freezes at around 0 degrees Celsius.
【００１９】また、ピロールモノマーの濃度を下げるこ
とにより、この課題は解決されるが、一方で被覆に要す
る重合繰り返し回数が多くなるという新たな課題が発生
してしまう。This problem can be solved by lowering the concentration of the pyrrole monomer, but on the other hand, a new problem arises in that the number of times of polymerization required for coating increases.
【００２０】さらにまた、ポリピロール層及び３、４ー
エチレンジオキシチオフェンの重合体（ポリエチレンジ
オキシチオフェン）層を化学重合により形成した場合、
粉体状の重合体が得られ、コンデンサ電極表面、中でも
エッジ部の被覆性が劣り、完全被覆のための重合に長時
間を要することも課題であった。Further, when the polypyrrole layer and the polymer layer of 3,4-ethylenedioxythiophene (polyethylenedioxythiophene) are formed by chemical polymerization,
Another problem was that a powdery polymer was obtained, the coating property of the capacitor electrode surface, especially the edge portion, was poor, and the polymerization for complete coating required a long time.
【００２１】電解重合ポリピロールの場合には、フィル
ム状の重合体が得られるため、このような課題は生じな
いが、一方誘電体表面に導電性を付与しないと高被覆率
の皮膜形成ができないという課題があった。In the case of electrolytically polymerized polypyrrole, such a problem does not arise because a film-like polymer is obtained, but a film having a high coverage cannot be formed unless conductivity is imparted to the dielectric surface. There were challenges.
【００２２】またフィルムコンデンサでは、例えば表面
積の大きいエッチドアルミニウム箔表面に高分子誘電体
を形成して、さらにその上に導電性高分子で対極を形成
することにより、小型大容量化が実現できるが、ここで
も上述の固体電解が抱えている課題と同様の課題が避け
られなかった。In a film capacitor, for example, a polymer dielectric is formed on the surface of an etched aluminum foil having a large surface area, and a counter electrode is formed thereon with a conductive polymer. However, in this case, the same problem as that of the solid electrolysis described above was unavoidable.
【００２３】本発明は、上記従来技術における各課題を
解決するもので、高容量達成率でかつ高周波特性の優れ
た固体電解コンデンサを簡便に得ること、及び小型大容
量のフィルムコンデンサを簡便に得ることを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems in the prior art, and provides a simple method of obtaining a solid electrolytic capacitor having a high capacity achievement ratio and excellent high-frequency characteristics, and a small and large-capacity film capacitor. The purpose is to:
【００２４】[0024]
【課題を解決するための手段】本発明は、対向して設け
られた一対の電極と、前記電極間に設けられた誘電体層
と、前記電極の少なくとも一方において、１，３−ジチ
エニルイソチアナフテン誘導体を繰り返し単位として含
む導電性高分子単独層ないしはピロール、３、４ーエチ
レンジオキシチオフェンまたはアニリンを繰り返し単位
として含む導電性高分子層との積層導電性高分子層を有
するコンデンサである。According to the present invention, a pair of electrodes provided to face each other, a dielectric layer provided between the electrodes, and at least one of the electrodes, are provided with 1,3-dithienyl isothiocyanate. A capacitor having a conductive polymer single layer containing a tianaphthene derivative as a repeating unit or a laminated conductive polymer layer with a conductive polymer layer containing pyrrole, 3,4-ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit. .
【００２５】バンジェネウグデン（Ｄ．Ｖａｎｇｅｎｅ
ｕｇｄｅｎ）他は、アクタ・ポリマー、４９巻（１９９
８）６８７〜９６２頁（Ａｃｔａ Ｐｏｌｙｍ．，Ｖｏ
ｌ．４９（１９９８）ｐｐ６８７〜９６２）に、１，３
−ジチエニルイソチアナフテン誘導体の合成方法ならび
に前記誘導体を繰り返し単位とする導電性高分子の重合
方法を開示している。[0025] D. Vangene
ugden) et al., Acta Polymer, Vol. 49 (199).
8) pp. 687-962 (Acta Polym., Vo)
l. 49 (1998) pp. 687-962), 1,3
A method for synthesizing a dithienylisothianaphthene derivative and a method for polymerizing a conductive polymer having the derivative as a repeating unit are disclosed.
【００２６】さらに上記文献には、この導電性高分子の
内、（化２）に示す構造を有するものは、クロロホル
ム、ジクロロメタン、テトラヒドロフランなどの有機溶
媒に可溶であることが開示されている。Further, the above-mentioned literature discloses that among the conductive polymers, those having the structure shown in Chemical Formula 2 are soluble in organic solvents such as chloroform, dichloromethane and tetrahydrofuran.
【００２７】[0027]
【化２】 Embedded image
【００２８】さらにまた、（化２）記載のポリ（１，３
−ジチエニルイソチアナフテン誘導体）はヨー素ドーピ
ングすることにより高い電気伝導度を発現することが記
載されている。Furthermore, the poly (1,3) described in (Chemical Formula 2)
-Dithienylisothianaphthene derivative) exhibits high electrical conductivity by doping with iodine.
【００２９】(化２)は上記のようにＲ1とＲ2の内容によ
り、３タイプある。つまり、タイプａはＲ1＝ＳＣ8Ｈ17
かつＲ2＝Ｈの場合、タイプｂはＲ1＝Ｃ8Ｈ17かつＲ2＝
Ｈの場合、タイプｃはＲ1＝ＣｌかつＲ2＝Ｃ8Ｈ17の場
合である。As shown above, there are three types according to the contents of R 1 and R 2 . That is, type a is R 1 = SC 8 H 17
And if R 2 = H, type b is R 1 = C 8 H 17 and R 2 =
In the case of H, type c is the case where R 1 = Cl and R 2 = C 8 H 17 .
【００３０】１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子層は、前記導
電性高分子を含有する溶液を塗布することにより、ある
いは１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体をスタ
ート物質として化学重合を用いてその場重合で形成する
製造方法が好適である。The conductive polymer layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit can be formed by applying a solution containing the conductive polymer or by applying a solution containing the 1,3-dithienylisothianaphthene derivative. A production method in which a derivative is formed by in-situ polymerization using chemical polymerization as a starting material is preferable.
【００３１】また本発明は、対向して設けられた一対の
電極と、前記電極間に設けられた誘電体層と、前記電極
の少なくとも一方において、１，３−ジチエニルイソチ
アナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分
子層と、ピロールまたはその誘導体を繰り返し単位とし
て含む導電性高分子層からなる積層導電性高分子層、あ
るいはエチレンジオキシチオフェン、または、アニリン
を繰り返し単位として含む導電性高分子層からなる積層
導電層を有するコンデンサである。Further, according to the present invention, a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative is repeatedly formed on at least one of a pair of electrodes provided facing each other, a dielectric layer provided between the electrodes, and at least one of the electrodes. A conductive polymer layer containing pyrrole or a derivative thereof as a repeating unit; a conductive polymer layer containing pyrrole or a derivative thereof as a repeating unit; or a conductive polymer layer containing ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit. This is a capacitor having a laminated conductive layer composed of molecular layers.
【００３２】さらにまた、ピロール、エチレンジオキシ
チオフェンまたはアニリンの重合をＰ−ニトロフェノー
ル、Ｐーシアノフェノール、ｍーヒドロキシ安息香酸、
ｍ−ヒドロキシフェノール、ｍ−ニトロフェノールなど
のフェノール誘導体を含む水媒体中で行うこともでき
る。Furthermore, the polymerization of pyrrole, ethylenedioxythiophene or aniline is carried out by using P-nitrophenol, P-cyanophenol, m-hydroxybenzoic acid,
It can also be carried out in an aqueous medium containing phenol derivatives such as m-hydroxyphenol and m-nitrophenol.
【００３３】チオフェン誘導体では、これにより重合反
応が促進され、一方ピロール及びその誘導体を含む導電
性高分子では電気伝導度の向上が認められる。In the case of thiophene derivatives, this promotes the polymerization reaction, while in the case of conductive polymers containing pyrrole and its derivatives, an improvement in electrical conductivity is observed.
【００３４】さらにまた本発明は、対向して設けられた
一対の電極と、前記電極間に設けられた誘電体層と、前
記電極の少なくとも一方において、１，３−ジチエニル
イソチアナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導電
性高分子層と、ピロールまたはその誘導体を繰り返し単
位として含む導電性高分子層からなる積層導電性高分子
層、あるいはエチレンジオキシチオフェン、またはアニ
リンを繰り返し単位として含む導電性高分子層からなる
積層導電層と１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子層の３層を有
するコンデンサである。Further, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a pair of electrodes provided to face each other; a dielectric layer provided between the electrodes; and at least one of the electrodes, a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative. A stacked conductive polymer layer including a conductive polymer layer containing a repeating unit and pyrrole or a derivative thereof as a repeating unit, or a conductive polymer layer containing ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit. This is a capacitor having three layers of a laminated conductive layer composed of a molecular layer and a conductive polymer layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit.
【００３５】最外層の、１，３−ジチエニルイソチアナ
フテン誘導体誘導体を繰り返し単位として含む導電性高
分子層は、特にその内層のポリピロール、ポリエチレン
ジオキシチオフェンあるいはポリアニリンが化学重合に
より形成される場合、溶液含浸を用いて形成される製造
方法が好適である。The outermost conductive polymer layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative derivative as a repeating unit is particularly suitable when the inner layer of polypyrrole, polyethylenedioxythiophene or polyaniline is formed by chemical polymerization. A manufacturing method formed by using solution impregnation is preferable.
【００３６】以上の構成により、高容量達成率でかつ高
周波特性の優れた固体電解コンデンサを容易に得るこ
と、及び小型大容量のフィルムコンデンサを簡便に得る
ことができる。With the above configuration, it is possible to easily obtain a solid electrolytic capacitor having a high capacity achievement rate and excellent high frequency characteristics, and to easily obtain a small and large-capacity film capacitor.
【００３７】なお、本発明にかかるコンデンサの優れた
高周波特性は導電層として用いた導電性高分子の電気伝
導度が高いことに起因している。The excellent high-frequency characteristics of the capacitor according to the present invention are due to the high electric conductivity of the conductive polymer used as the conductive layer.
【００３８】[0038]
【発明の実施の形態】請求項１記載の本発明は、誘電体
層と、前記誘電体層を介在させて対向して設けられた一
対の電極と、１，３―ジチエニルイソチアナフテン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子を有する第１
の導電性高分子層を具備するコンデンサである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention according to claim 1 provides a dielectric layer, a pair of electrodes provided to face each other with the dielectric layer interposed therebetween, and a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative. Having a conductive polymer containing as a repeating unit
Is a capacitor provided with the conductive polymer layer.
【００３９】ここで請求項２記載のように、溶媒に可溶
な１，３―ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り返
し単位として含む導電性高分子を用いることができる。Here, as described in claim 2, a conductive polymer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative soluble in a solvent as a repeating unit can be used.
【００４０】さらに請求項３記載のように、溶媒に可溶
な１，３―ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り返
し単位として含む導電性高分子が（化２）に示す構造を
有するものを用いることができる。Further, as described in claim 3, a conductive polymer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative soluble in a solvent as a repeating unit has a structure represented by the following chemical formula (2). Can be.
【００４１】ここで請求項４記載のように、誘電体層を
介在させて対向して設けられた一対の電極の少なくても
一方に、１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を
繰り返し単位として含む第１の導電性高分子層とピロー
ル、３、４エチレンジオキシチオフェンまたはアニリン
を繰り返し単位とする第２の導電性高分子層を備えた構
成のコンデンサであってもよい。Here, at least one of a pair of electrodes provided to face each other with a dielectric layer interposed therebetween includes a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. A capacitor having a structure including a first conductive polymer layer containing a second conductive polymer layer containing pyrrole, 3,4 ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit may be used.
【００４２】またここで請求項５記載のように、１，３
−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り返し単位と
して含む第３の導電性高分子を有する第３の導電性高分
子層を、第２の導電性高分子層に隣接し、かつ第２の導
電性高分子層に対して第１の導電性高分子層の反対側に
具備する請求項４記載のコンデンサであってもよい。Here, as described in claim 5, 1, 3
A third conductive polymer layer having a third conductive polymer containing a dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit, the third conductive polymer layer being adjacent to the second conductive polymer layer and having a second high conductivity; 5. The capacitor according to claim 4, wherein the capacitor is provided on a side opposite to the first conductive polymer layer with respect to the molecular layer.
【００４３】ここで請求項６記載のように、誘電体とし
て電極の一方を構成する弁金属の酸化物皮膜を形成して
用いることができる。Here, an oxide film of a valve metal constituting one of the electrodes can be formed and used as a dielectric.
【００４４】またここで請求項７記載のように、弁金属
がアルミニウムもしくはタンタルであってもよい。Also, the valve metal may be aluminum or tantalum.
【００４５】さらに請求項８記載のように、誘電体層と
して高分子膜を形成して用いることができる。Further, as described in claim 8, a polymer film can be formed and used as the dielectric layer.
【００４６】ここで請求項９記載のように 高分子膜が
ポリイミドであってもよい。Here, the polymer film may be polyimide.
【００４７】また請求項１０記載のように、高分子膜が
アクリル酸とメタクリル酸とスチレン共重合を用いるこ
ともできる。Further, as described in the tenth aspect, the polymer film may use acrylic acid, methacrylic acid and styrene copolymer.
【００４８】第１の導電性高分子層は、請求項１１記載
のように誘電体層に隣接させて設けることができる。The first conductive polymer layer can be provided adjacent to the dielectric layer.
【００４９】一方、具体的なコンデンサの製造方法の一
例としては、請求項１２記載のように、第１の電極に誘
電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記誘電体層の
上に１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子溶液を塗布して導電性
高分子層を形成する工程と、前記導電性高分子層の上に
第２の電極を形成する工程を有するコンデンサの製造方
法である。On the other hand, as an example of a specific method of manufacturing a capacitor, a dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on a first electrode and a method of forming a capacitor on the dielectric layer are described. A step of applying a conductive polymer solution containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit to form a conductive polymer layer, and forming a second electrode on the conductive polymer layer This is a method for manufacturing a capacitor having a step of performing the following.
【００５０】このように、導電性高分子層を塗布法によ
って形成するため、熱による誘電体層の損傷を防止する
ことができる。As described above, since the conductive polymer layer is formed by the coating method, damage to the dielectric layer due to heat can be prevented.
【００５１】また、基本的には同様であるが他の具体的
なコンデンサの製造方法としては、請求項１３記載のよ
うに、対向した一対の電極を配置する工程と、前記電極
間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記電極
間において、１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を化学重合
により形成する導電性高分子層形成工程とを備えたコン
デンサの製造方法である。A method of manufacturing a capacitor, which is basically the same as that of the first embodiment, includes a step of arranging a pair of electrodes facing each other, and a step of arranging a dielectric between the electrodes. A dielectric layer forming step of forming a layer, and a conductive polymer layer forming step of forming a conductive polymer layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit by chemical polymerization between the electrodes. This is a method for manufacturing a capacitor including:
【００５２】この場合も、導電性高分子層を塗布法によ
って形成するため、熱による誘電体層の損傷を防止する
ことができる。Also in this case, since the conductive polymer layer is formed by a coating method, damage to the dielectric layer due to heat can be prevented.
【００５３】また、他の具体的なコンデンサの製造方法
としては、請求項１４記載のように、対向した一対の電
極を配置する工程と、前記電極間に誘電体層を形成する
誘電体層形成工程と、１，３−ジチエニルイソチアナフ
テン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子溶液
を前記誘電体層の上に塗布することにより第１の導電性
高分子層を形成する第１の導電性高分子層形成工程と、
ピロール、３、４ーエチレンジオキシチオフェン又はア
ニリンを繰り返し単位として含む第２の導電性高分子層
を化学重合により前記第１の導電性高分子層の上に形成
する第２の導電性高分子層形成工程を有するコンデンサ
の製造方法である。In another specific method for manufacturing a capacitor, a step of arranging a pair of electrodes facing each other and a step of forming a dielectric layer between the electrodes are described. Forming a first conductive polymer layer by applying a conductive polymer solution containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit onto the dielectric layer; A conductive polymer layer forming step,
A second conductive polymer in which a second conductive polymer layer containing pyrrole, 3,4-ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit is formed on the first conductive polymer layer by chemical polymerization This is a method for manufacturing a capacitor having a layer forming step.
【００５４】さらに、請求項１５のように、ピロール、
３、４ーエチレンジオキシチオフェンまたはアニリンを
繰り返し単位として含む導電性高分子層からなる導電性
高分子層を、電解重合によって形成することもできる。Further, as described in claim 15, pyrrole,
A conductive polymer layer composed of a conductive polymer layer containing 3,4-ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit can also be formed by electrolytic polymerization.
【００５５】電解重合の場合、１，３−ジチエニルイソ
チアナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高
分子層が存在するため、それを介してスムースに導電性
高分子層を形成することができる。In the case of electrolytic polymerization, since there is a conductive polymer layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit, the conductive polymer layer can be formed smoothly through the conductive polymer layer. .
【００５６】後述するように、ピロール、３、４ーエチ
レンジオキシチオフェンまたはアニリンを繰り返し単位
として含む導電性高分子層の形成に無毒性かつ不燃性の
水を媒体として用いることが可能であり、生産プロセス
の構築が容易で量産を容易にすることができる。As described below, non-toxic and non-flammable water can be used as a medium for forming a conductive polymer layer containing pyrrole, 3,4-ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit, The construction of the production process is easy and mass production can be facilitated.
【００５７】また、請求項１６記載のように、１，３−
ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り返し単位とし
て含む導電性高分子層を化学重合により形成することが
できる。Further, as described in claim 16, 1,3-
A conductive polymer layer containing a dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit can be formed by chemical polymerization.
【００５８】さらにまた、請求項１７記載のように、化
学重合された１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子層上にピロー
ル、３、４ーエチレンジオキシチオフェンまたはアニリ
ンを繰り返し単位として含む第２の導電性高分子層を電
解重合により形成してもよい。Further, as described in claim 17, pyrrole, 3,4-ethylenedioxythiophene is formed on a conductive polymer layer containing a chemically polymerized 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. Alternatively, a second conductive polymer layer containing aniline as a repeating unit may be formed by electrolytic polymerization.
【００５９】さらにまた、第２の導電性高分子層の化学
重合工程で、請求項１８記載のように、フェノール誘導
体もしくはニトロベンゼン誘導体を添加した媒体を用い
ることができる。Further, in the chemical polymerization step of the second conductive polymer layer, a medium to which a phenol derivative or a nitrobenzene derivative is added can be used.
【００６０】フェノール誘導体またはニトロベンゼン誘
導体の添加により、チオフェン誘導体及び及びピロール
から得られた導電性高分子の電気伝導度及びその安定性
が、より向上する。The addition of the phenol derivative or nitrobenzene derivative further improves the electric conductivity and the stability of the conductive polymer obtained from the thiophene derivative and pyrrole.
【００６１】これは、フェノール系化合物は、前記両導
電性高分子中にはドーパントとして組み込まれないが、
規則性の高い、したがって共役長の発達した導電性高分
子を生成させるためと考えられるが、その結果、フェノ
ール系の誘導体を添加した重合系から得られたポリピロ
ールを用いたコンデンサの初期特性及び安定性はさらに
向上する。This is because the phenolic compound is not incorporated as a dopant into the amphoteric conductive polymer,
This is thought to be due to the formation of a conductive polymer with a high degree of regularity and therefore a conjugated length.As a result, the initial characteristics and stability of capacitors using polypyrrole obtained from a polymerization system to which a phenolic derivative has been added. Sex is further improved.
【００６２】またポリ（３、４ーエチレンジオキシチオ
フェン）およびポリアニリンの場合は、そのメカニズム
は不明であるが、これらの添加剤により、環境安定性の
向上が見られ、コンデンサの耐熱・耐湿性向上のために
有効である。In the case of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polyaniline, the mechanism is unknown, but the environmental stability is improved by these additives, and the heat and moisture resistance of the capacitor is improved. It is effective for improvement.
【００６３】ここで、請求項１９に記載のように、フェ
ノール誘導体がニトロフェノール、シアノフェノール、
ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェノール若しくはア
セトフェノール、またはそれらの組合せであることが好
適である。Here, as described in claim 19, the phenol derivative is nitrophenol, cyanophenol,
Suitably, it is hydroxybenzoic acid, hydroxyphenol or acetophenol, or a combination thereof.
【００６４】またここで、請求項２０記載のように、ニ
トロベンゼン誘導体がニトロ安息香酸、ニトロベンジル
アルコールまたはそれらの組合せであることが好適であ
る。In this case, it is preferable that the nitrobenzene derivative is nitrobenzoic acid, nitrobenzyl alcohol or a combination thereof.
【００６５】また、第２の導電性高分子層の電解重合工
程で、請求項２１記載のように、フェノール誘導体もし
くはニトロベンゼン誘導体を添加した媒体を用いること
ができる。In the electrolytic polymerization step of the second conductive polymer layer, a medium to which a phenol derivative or a nitrobenzene derivative has been added can be used.
【００６６】ここで、請求項２２に記載のように、フェ
ノール誘導体がニトロフェノール、シアノフェノール、
ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェノール若しくはア
セトフェノール、またはそれらの組合せであることが好
適である。Here, as described in claim 22, the phenol derivative is nitrophenol, cyanophenol,
Suitably, it is hydroxybenzoic acid, hydroxyphenol or acetophenol, or a combination thereof.
【００６７】またここで、請求項２３記載のように、ニ
トロベンゼン誘導体がニトロ安息香酸、ニトロベンジル
アルコールまたはそれらの組合せであることが好適であ
る。In this case, it is preferable that the nitrobenzene derivative is nitrobenzoic acid, nitrobenzyl alcohol, or a combination thereof.
【００６８】さらに、請求項２４記載のように、１，３
−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り返し単位と
して含む導電性高分子層を第３の導電性高分子層を第２
の導電性高分子上に形成してコンデンサを製造すること
もできる。Further, as described in claim 24, 1,3
-A conductive polymer layer containing a dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit as a third conductive polymer layer as a second
A capacitor can also be manufactured by forming the conductive polymer on a conductive polymer.
【００６９】例えば化学重合の場合、粉体状のポリマー
皮膜が形成され、陰極構成材料であるコロイダルグラフ
ァイトの浸透によるショート不良が起こり易いために、
これを防止することが重要である。For example, in the case of chemical polymerization, a powdery polymer film is formed, and short-circuit failure due to penetration of colloidal graphite which is a cathode constituent material is likely to occur.
It is important to prevent this.
【００７０】そのため、形成処理回数を多くして、厚い
ポリマー層を形成することがしばしば行われてきたが、
上記によりそのプロセスを簡略化することができる。For this reason, it has often been performed to form a thick polymer layer by increasing the number of times of forming treatment.
As described above, the process can be simplified.
【００７１】ここで、請求項２５記載のように第３の導
電性高分子層を、可溶型の１，３−ジチエニルイソチア
ナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子
を用いて行うことができる。Here, the third conductive polymer layer is formed by using a conductive polymer containing a soluble 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. be able to.
【００７２】また、必要により後ドープして第３の導電
性高分子層の電気伝導度を向上させることもできる。If necessary, post-doping can be performed to improve the electric conductivity of the third conductive polymer layer.
【００７３】さらに、請求項２６記載のように、誘電体
形成工程を弁金属の陽極酸化によって行うことができ
る。Further, as described in claim 26, the step of forming the dielectric can be performed by anodizing the valve metal.
【００７４】ここで、請求項２７記載のように、弁金属
としてアルミニウムもしくはタンタルを用いることがで
きる。Here, aluminum or tantalum can be used as the valve metal.
【００７５】ここで、請求項２８記載のように、誘電体
形成工程に高分子材料の電着を用いることができる。Here, electrodeposition of a polymer material can be used in the dielectric formation step.
【００７６】さらにここで、請求項２９記載のように、
高分子材料としてポリイミドが好適に用いられる。Here, as described in claim 29,
Polyimide is preferably used as the polymer material.
【００７７】さらにここで、請求項３０記載のように、
高分子材料としてアクリル酸とメタクリル酸とスチレン
共重合体を用いることもできる。Here, as described in claim 30,
Acrylic acid, methacrylic acid and styrene copolymer can also be used as the polymer material.
【００７８】本発明の各実施の形態について、以下図を
参照資ながら詳細に説明をする。Each embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００７９】（実施の形態１）以下、本発明第1の実施
の形態について詳細に説明する。(Embodiment 1) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail.
【００８０】図１は本実施の形態に係るコンデンサの概
念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of a capacitor according to the present embodiment.
【００８１】本実施の形態においては、まず、２ｘ１．
４ｘ０．９ｍｍ3のタンタル線陽極リード付きタンタル
焼結体からなる電極１に対して、燐酸５ｍｌを１０００
ｍｌの水に溶解した溶液を用い、約９０℃で４０Ｖを印
加して、陽極酸化により誘電体層２を形成した。In the present embodiment, first, 2 × 1.
5 ml of phosphoric acid was added to an electrode 1 made of a 4 × 0.9 mm 3 tantalum sintered body with a tantalum wire anode lead,
Using a solution dissolved in ml of water, a voltage of 40 V was applied at about 90 ° C., and the dielectric layer 2 was formed by anodic oxidation.
【００８２】この構成をコンデンサと見立て、化成液中
の容量を測定したところ、１８．５μＦであった。This structure was regarded as a capacitor, and the capacity in the chemical conversion solution was measured to be 18.5 μF.
【００８３】さらに、この構成を用いて、（化２）のタ
イプａに示す分子構造のポリ（１，３−ジチエニルイソ
チアナフテン誘導体）（ＰＤＴＩＴ）のクロロホルム溶
液に５分間浸漬後、８０℃で乾燥した。その後、ヨー素
ドーピングを行った。Further, using this structure, the film was immersed in a chloroform solution of poly (1,3-dithienylisothianaphthene derivative) (PDTIT) having the molecular structure shown in type a of (Chemical Formula 2) for 5 minutes, and then heated at 80 ° C. And dried. After that, iodine doping was performed.
【００８４】ここで得られたＰＤＴＩＴの電気伝導度は
３８Ｓ／ｃｍであった。The electrical conductivity of the PDTIT obtained here was 38 S / cm.
【００８５】上述の浸漬、乾燥、ドーピングの操作を表
面が完全にＰＤＴＩＴで被覆されるまで繰り返すことに
より、ＰＤＴＩＴからなる導電性高分子層３を形成し
た。By repeating the above-described operations of dipping, drying and doping until the surface was completely covered with PDTIT, the conductive polymer layer 3 made of PDTIT was formed.
【００８６】ここで、ＰＤＴＩＴは、バンジェネウグデ
ン（Ｄ．Ｖａｎｇｅｎｅｕｇｄｅｎ）他は、アクタ・ポ
リマー、４９巻（１９９８）６８７〜９６２頁（Ａｃｔ
ａＰｏｌｙｍ．，Ｖｏｌ．４９（１９９８）ｐｐ６８７
〜９６２）記載されている方法に準じて作製した。Here, PDTIT is described in D. Vangeneugden et al., Acta Polymer, Vol. 49 (1998) pp. 687-962 (Act).
aPolym. , Vol. 49 (1998) pp687
962) It was prepared according to the method described.
【００８７】ついで、このように導電性高分子層３が形
成されたタンタル焼結体上に、カーボン層４と銀ペイン
ト層５で陰極を形成すると共に、その上に陰極リード６
を取り付け、合計で１０個のコンデンサ素子を得た。Next, on the tantalum sintered body on which the conductive polymer layer 3 is formed, a cathode is formed by the carbon layer 4 and the silver paint layer 5, and the cathode lead 6 is formed thereon.
Was attached to obtain a total of 10 capacitor elements.
【００８８】さらに、その素子をエポキシ樹脂を用いて
外装して、さらに１０５℃で１３Ｖを印加したエ−ジン
グ処理を行い、コンデンサを完成させた。Further, the element was packaged using an epoxy resin, and an aging treatment at 13 ° C. was applied at 105 ° C. to complete a capacitor.
【００８９】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、それらの平均値を以下の（表
１）に示した。For each of these ten devices, the capacitance at 1 kHz, the loss coefficient, and the impedance at 400 kHz were measured, and their average values are shown in Table 1 below.
【００９０】[0090]
【表１】 [Table 1]
【００９１】（比較例１）次に、比較のため、比較例１
としてＰＤＴＩＴに替えて、硝酸マンガン３０％水溶液
に浸し、２５０℃で熱分解して二酸化マンガンを電解質
として形成した以外、第１の実施の形態と同様の条件で
１０個のコンデンサを完成させた。(Comparative Example 1) Next, Comparative Example 1 was used for comparison.
In place of PDTIT, ten capacitors were completed under the same conditions as in the first embodiment, except that they were immersed in a 30% aqueous solution of manganese nitrate and pyrolyzed at 250 ° C. to form manganese dioxide as an electrolyte.
【００９２】これら１０個の素子についても、第１の実
施の形態と同様に１ｋＨｚにおける容量、損失係数、及
び４００ｋＨｚにおけるインピーダンスを各々測定し、
それらの平均値を前述の（表１）に示した。With respect to these ten elements, the capacitance at 1 kHz, the loss coefficient, and the impedance at 400 kHz were measured in the same manner as in the first embodiment.
The average values are shown in the above (Table 1).
【００９３】第１の実施の形態と本比較例との結果を検
討すると、損失係数及びインピーダンスはＰＤＴＩＴを
用いた場合の方が向上していることが分かる。Examination of the results of the first embodiment and this comparative example shows that the loss coefficient and the impedance are improved when PDTIT is used.
【００９４】また、本比較例では、漏れ電流を下げるた
めに、硝酸マンガンの熱分解処理のたび毎に誘電体皮膜
修復のための化成処理が必要であったが、第１の実施の
形態の方法によれば、加熱処理工程を経ないため、修復
化成することなしに二酸化マンガンを電解質として使用
したコンデンサと同等の漏れ電流を得ることができた。In this comparative example, in order to reduce the leakage current, a chemical conversion treatment for restoring the dielectric film was required every time the manganese nitrate was thermally decomposed. According to the method, since a heat treatment step was not performed, a leakage current equivalent to that of a capacitor using manganese dioxide as an electrolyte could be obtained without repair formation.
【００９５】以上より、ＰＤＴＩＴを電解質として採用
することにより、コンデンサ特性に優れたコンデンサを
容易に製造することができることが判明した。As described above, it has been found that a capacitor excellent in capacitor characteristics can be easily manufactured by employing PDTIT as the electrolyte.
【００９６】さらに、容量達成率においても、第１の実
施の形態におけるコンデンサは９７％（１７．９／１
８．５）と、従来の二酸化マンガンを陰極導電層に用い
たタンタルコンデンサと同等であり、極めて高いことが
実証された。Further, in the capacity achievement ratio, the capacitor of the first embodiment is 97% (17.9 / 1).
8.5), which is equivalent to a conventional tantalum capacitor using manganese dioxide for the cathode conductive layer, and proved to be extremely high.
【００９７】なお、上記の実施の形態では、ＰＤＴＩＴ
からなる導電性高分子層３を溶液塗布により形成した
が、化学重合により設けた場合も同様の効果を得た。In the above embodiment, PDTIT
The conductive polymer layer 3 was formed by solution coating, but the same effect was obtained when it was formed by chemical polymerization.
【００９８】（実施の形態２）本発明第２の実施の形態
では、第１の実施の形態におけるＰＤＴＩＴに替えて、
（化２）のタイプｂに相当するＰＤＴＩＴを用いた以
外、第１の実施の形態と同様の条件で１０個のコンデン
サを完成させ、同様の特性評価を行い、その結果を前述
の（表１）に示した。(Embodiment 2) In the second embodiment of the present invention, instead of PDTIT in the first embodiment,
Ten capacitors were completed under the same conditions as in the first embodiment except that PDTIT corresponding to type b of (Chemical Formula 2) was used, and the same characteristics were evaluated. )Pointing out toungue.
【００９９】なお、ここで用いたＰＤＴＩＴの電気伝導
度はそれぞれ４Ｓ／ｃｍであった。The electric conductivity of the PDTIT used here was 4 S / cm.
【０１００】本実施の形態と比較例１との結果を検討す
ると、損失係数及びインピーダンスは本実施の形成の方
が向上していることが分かる。Examination of the results of the present embodiment and Comparative Example 1 reveals that the loss factor and the impedance are improved in the present embodiment.
【０１０１】（実施の形態３）以下、本発明第３の実施
の形態について詳細に説明する。(Embodiment 3) Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described in detail.
【０１０２】図２は本実施の形態に係るコンデンサの概
念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram of a capacitor according to the present embodiment.
【０１０３】本実施の形態では、第１の実施の形態にお
けるタンタル焼結体に代えてエッチドアルミニウム箔電
極を用いた以外、第１の実施の形態と同様の条件で１０
個のコンデンサを完成させ、同様の特性評価を行い、そ
の結果を前述の（表１）に示した。In the present embodiment, the same conditions as in the first embodiment are used except that an etched aluminum foil electrode is used in place of the tantalum sintered body in the first embodiment.
Each capacitor was completed, and the same characteristics were evaluated. The results are shown in the above (Table 1).
【０１０４】ここで、具体的なコンデンサの作製は次の
通りに行なった。Here, a specific capacitor was manufactured as follows.
【０１０５】まず図２に示すように、４×１０ｍｍ2の
アルミニウムエッチド箔からなる電極１１を、３ｍｍと
６ｍｍの部分に仕切るように、両面に渡って、幅１ｍｍ
のポリイミドテープ１７を貼付けた。First, as shown in FIG. 2, an electrode 11 made of 4 × 10 mm 2 aluminum-etched foil was divided into 3 mm and 6 mm portions over a 1 mm width on both sides.
Of polyimide tape 17 was applied.
【０１０６】次に、アルミニウムエッチド箔の４×６ｍ
ｍ2の部分を、３％アジピン酸アンモニウム水溶液を用
い、約７０℃で５０Ｖを印加して、陽極酸化により誘電
体層１２を形成した。Next, 4 × 6 m of aluminum etched foil
The dielectric layer 12 was formed by anodizing the m 2 portion with an aqueous solution of 3% ammonium adipate and applying 50 V at about 70 ° C.
【０１０７】ここで、この構成をコンデンサと見立て、
化成液中の容量を測定したところ、４．９２μＦであっ
た。Here, this configuration is regarded as a capacitor,
When the volume in the chemical conversion solution was measured, it was 4.92 μF.
【０１０８】その後、第１の実施の形態と同様にして、
導電性高分子層１３、カーボン層１４，銀ペイント層１
５を設け、あらに外装して１０個のコンデンサを完成さ
せた。Thereafter, as in the first embodiment,
Conductive polymer layer 13, carbon layer 14, silver paint layer 1
5 were provided, and they were exteriorly completed to complete 10 capacitors.
【０１０９】その後やはり第１の実施の形態と同様の評
価を行い、結果を（表１）に示した。Thereafter, the same evaluation as in the first embodiment was performed, and the results are shown in (Table 1).
【０１１０】（表１）から本実施の形態においても、低
損失及び高周波インピーダンス特性に優れたコンデンサ
を効率的に得ることができた。As shown in Table 1, in this embodiment also, a capacitor excellent in low loss and high-frequency impedance characteristics could be efficiently obtained.
【０１１１】容量達成率も、９７％（４．７９／４．９
２）と高いことが分かった。The capacity achievement rate was 97% (4.79 / 4.9).
2) was found to be high.
【０１１２】なお、第１の実施の形態におけるコンデン
サより、損失係数に優れ、さらにインピーダンスも容量
の比から推定されるより小さくなっているのは、焼結体
とエッチド箔という電極構造の差に基づくものであると
いえる。It should be noted that the loss coefficient is superior to that of the capacitor according to the first embodiment, and the impedance is smaller than that estimated from the capacitance ratio, because of the difference between the electrode structures of the sintered body and the etched foil. It can be said that it is based on.
【０１１３】（実施の形態４）本実施の形態において
は、電極箔として厚さ約１００μｍ、平均細孔径が約２
μｍ、表面積が約３０倍の電気化学的にエッチングされ
たエッチドアルミニウム箔を用いた。この箔を第３の実
施の形態と同様の寸法形状に成形後、やはり第３の実施
の形態と同様にポリイミドテープを貼付した。(Embodiment 4) In this embodiment, the electrode foil has a thickness of about 100 μm and an average pore diameter of about 2 μm.
An etched aluminum foil having a thickness of 30 μm and an electrochemically etched surface area of about 30 times was used. After the foil was formed into the same dimensions and shape as in the third embodiment, a polyimide tape was affixed in the same manner as in the third embodiment.
【０１１４】この電極箔に電着によりポリイミドからな
る誘電体層を形成した。A dielectric layer made of polyimide was formed on the electrode foil by electrodeposition.
【０１１５】構造的に、本コンデンサは弁金属の陽極酸
化皮膜に替えて、誘電体として高分子膜を用いた以外
は、第３の実施の形態に記載の固体電解コンデンサと同
様である。ただし、誘電体が高分子フィルムで構成され
ているため、無極性コンデンサとして機能する。Structurally, this capacitor is the same as the solid electrolytic capacitor according to the third embodiment except that a polymer film is used as a dielectric instead of the anodized film of valve metal. However, since the dielectric is composed of a polymer film, it functions as a non-polar capacitor.
【０１１６】以下、ポリイミド電着膜形成の一例を示
す。Hereinafter, an example of forming a polyimide electrodeposition film will be described.
【０１１７】ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ
―フェニレンジアミンをＮ−メチルピロリドン中で窒素
還流下で反応させてポリアミック酸を得た。Biphenyltetracarboxylic dianhydride and p
-Phenylenediamine was reacted in N-methylpyrrolidone under nitrogen reflux to obtain a polyamic acid.
【０１１８】このポリアミック酸をＮ，Ｎ−ジメチルア
ミドに希釈し、トリエチルアミンを加えてポリアミック
酸塩溶液を得た。This polyamic acid was diluted with N, N-dimethylamide, and triethylamine was added to obtain a polyamic acid salt solution.
【０１１９】上記溶液にメタノールを添加して最終的に
ポリアミック酸を０．１５％含むように調整を電着液と
した。[0119] Methanol was added to the above solution to prepare an electrodeposition solution so as to finally contain 0.15% of polyamic acid.
【０１２０】この溶液にコンデンサ素子を浸し、これを
陽極として前記コンデンサ素子と離隔して設けた陰極間
に３０Ｖの電圧を印加してポリアミック酸膜を析出させ
た。The capacitor element was immersed in this solution, and a voltage of 30 V was applied between the cathode provided separately from the capacitor element as an anode to deposit a polyamic acid film.
【０１２１】その後、２５０℃で１時間加熱してポリア
ミック酸をポリイミド化した。Thereafter, the mixture was heated at 250 ° C. for 1 hour to convert the polyamic acid into a polyimide.
【０１２２】この電着並びに加熱を３回繰り返した後、
導電性高分子層形成を行った。After repeating this electrodeposition and heating three times,
A conductive polymer layer was formed.
【０１２３】その後、第１の実施の形態と同様にして、
１０個のコンデンサを完成させ、やはり第１の実施の形
態と同様の評価を行い、結果を（表１）に示した。Thereafter, in the same manner as in the first embodiment,
Ten capacitors were completed, and the same evaluation as in the first embodiment was performed. The results are shown in (Table 1).
【０１２４】以上より、本実施の形態においても、低損
失及び高周波インピーダンス特性に優れコンデンサを効
率的に得ることができた。As described above, also in the present embodiment, a capacitor having excellent low-loss and high-frequency impedance characteristics can be efficiently obtained.
【０１２５】（実施の形態５）本実施の形態では、第４
の実施の形態におけるポリイミドに替えて、ポリイミド
アクリル酸とメタクリル酸とスチレンの共重合体を電着
で形成した以外、第４の実施の形態と同様にして１０個
のコンデンサ素子を完成させた。(Embodiment 5) In this embodiment, the fourth
Ten capacitor elements were completed in the same manner as in the fourth embodiment, except that a polyimide acrylic acid, methacrylic acid, and styrene copolymer was formed by electrodeposition instead of the polyimide in the fourth embodiment.
【０１２６】ポリイミドアクリル酸とメタクリル酸とス
チレンの共重合体の電着膜形成法の一例を次に示す。An example of a method for forming an electrodeposited film of a copolymer of polyimide acrylic acid, methacrylic acid and styrene is described below.
【０１２７】用いた電着液組成は、固形分が１０重量
％、イオン交換水８６重量％、ブチルセロソルブ４重量
％である。The composition of the electrodeposition solution used was such that the solid content was 10% by weight, ion-exchanged water was 86% by weight, and butyl cellosolve was 4% by weight.
【０１２８】ここで固形分として、分子量約３万のアク
リル酸とメタクリル酸とスチレンの共重合体とベンゾグ
アナミン系樹脂が重量比で７：３で混合したものを用い
た。As the solid content, a mixture of a copolymer of acrylic acid, methacrylic acid and styrene having a molecular weight of about 30,000 and a benzoguanamine resin in a weight ratio of 7: 3 was used.
【０１２９】この固形分を液中に分散させるため、カル
ボン酸基の５０％をトリメチルアミンにより中和した。To disperse this solid in the liquid, 50% of the carboxylic acid groups were neutralized with trimethylamine.
【０１３０】上記電着液に、粘着テープを貼付した電極
箔を浸し、０．３ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で１０Ｖに達
するまで定電流電着を行い、さらに１０Ｖで１５分間定
電圧電着を行った。次に、アクリル酸系の高分子薄膜が
形成された電極箔を水洗後８０℃で２０分間、１８０℃
で３０分間熱処理することにより、ベンゾグアナミン系
樹脂との間で架橋反応させた。その後、第４の実施の形
態と同様にして１０個のコンデンサを完成させた。An electrode foil having an adhesive tape stuck thereto is immersed in the above electrodeposition solution, and is subjected to constant current electrodeposition at a current density of 0.3 mA / cm 2 until the voltage reaches 10 V. Further, constant voltage electrodeposition is performed at 10 V for 15 minutes. went. Next, the electrode foil on which the acrylic acid-based polymer thin film was formed was washed with water and then at 80 ° C for 20 minutes at 180 ° C.
For 30 minutes, thereby causing a cross-linking reaction with the benzoguanamine-based resin. After that, ten capacitors were completed in the same manner as in the fourth embodiment.
【０１３１】このコンデンサを第１の実施の形態と同様
に評価を行い、その結果を（表１）に示した。This capacitor was evaluated in the same manner as in the first embodiment, and the results are shown in (Table 1).
【０１３２】これから明らかなように、本実施の形態に
おいても低損失及び高周波インピーダンス特性に優れた
コンデンサを効率的に得ることができた。As is clear from the above, in this embodiment also, a capacitor excellent in low loss and high-frequency impedance characteristics could be efficiently obtained.
【０１３３】（実施の形態６）以下、本発明第1の実施
の形態について詳細に説明する。(Embodiment 6) Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described in detail.
【０１３４】図３は本実施の形態に係るコンデンサの概
念図である。本実施の形態では、第１の実施の形態にお
ける構成において、ＰＤＴＩＴのみで導電性高分子層を
形成することに替えて、ＰＤＴＩＴと化学重合ポリピロ
ール（ＰＰｙ）からなる積層導電層を形成した以外は、
第１の実施の形態と同様にして１０個のコンデンサ素子
を完成させた。FIG. 3 is a conceptual diagram of a capacitor according to the present embodiment. This embodiment is different from the first embodiment in that a laminated conductive layer made of PDTIT and chemically polymerized polypyrrole (PPy) is formed instead of forming a conductive polymer layer only with PDTIT. ,
Ten capacitor elements were completed in the same manner as in the first embodiment.
【０１３５】第１の導電性高分子層２３は、第１の実施
の形態に記載した通りの方法で、ＰＤＴＩＴ溶液への一
回の浸漬処理で形成し、ついで、このようにＰＤＴＩＴ
の層が形成された誘電体層２２を有するタンタル焼結体
２１を、ピロールモノマー０．７５ｍｏｌ／ｌとアルキ
ルナフタレンスルホン酸ナトリウム（平均分子量３３
８）０．７５重量％からなる２５℃のモノマー水溶液に
２分間浸漬後、硫酸第二鉄０．１ｍｏｌ／ｌを含む酸化
剤溶液に室温で１０分間浸漬した。The first conductive polymer layer 23 is formed by a single immersion treatment in a PDTIT solution in the same manner as described in the first embodiment.
The tantalum sintered body 21 having the dielectric layer 22 on which the layer of the above was formed was prepared by mixing 0.75 mol / l of a pyrrole monomer and sodium alkylnaphthalenesulfonate (average molecular weight: 33
8) After immersion in an aqueous monomer solution of 0.75% by weight at 25 ° C. for 2 minutes, it was immersed in an oxidizing agent solution containing 0.1 mol / l of ferric sulfate at room temperature for 10 minutes.
【０１３６】この処理を、表面がＰＰｙからなる第２の
導電性高分子層２８で被覆されるまで繰り返した後、第
２の導電性高分子層２８上に、カーボン層２４と銀ペイ
ント層２５と陰極リード２６を第１の実施の形態と同様
に設け、合計で１０個のコンデンサ素子を得た。After repeating this process until the surface is covered with the second conductive polymer layer 28 made of PPy, the carbon layer 24 and the silver paint layer 25 are formed on the second conductive polymer layer 28. And the cathode lead 26 were provided in the same manner as in the first embodiment, and a total of 10 capacitor elements were obtained.
【０１３７】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、それらの平均値を以下の（表
１）に示した。With respect to these ten devices, the capacitance at 1 kHz, the loss coefficient, and the impedance at 400 kHz were measured, and the average values were shown in the following (Table 1).
【０１３８】従来の方法では、化学重合によりその場で
ＰＰｙ層を形成する場合、その重合速度が大きいため、
焼結体の細孔構造の中に充填することは極めて困難であ
る。これは、例えばモノマー濃度と酸化剤濃度を下げる
こと、あるいは重合温度を下げることにより実現できる
が、必要な処理繰り返し回数が多くなるまたはプロセス
の制御が難しくなる等の理由で容易にコンデンサを得る
ことができないという課題がある。In the conventional method, when the PPy layer is formed in situ by chemical polymerization, the polymerization rate is high.
It is extremely difficult to fill the pore structure of the sintered body. This can be achieved, for example, by lowering the monomer concentration and oxidizing agent concentration, or by lowering the polymerization temperature. There is a problem that can not be.
【０１３９】本実施の形態においては、はじめにＰＤＴ
ＩＴ溶液を用いて細孔構造の深部に導電性高分子層を形
成しておくことにより、ＰＰｙ層形成のための工程を上
述のように、室温で行ったように簡略化しても容量達成
率の高いコンデンサを得ることができた。In this embodiment, first, PDT
By forming the conductive polymer layer in the deep part of the pore structure using the IT solution, the capacity achievement ratio can be obtained even if the process for forming the PPy layer is simplified as described above at room temperature. Capacitor with a high capacitance.
【０１４０】（表１）に示した本実施の形態と第１の実
施の形態の結果との比較から明らかなように、本実施の
形態においても高周波特性の優れた、高容量達成率のコ
ンデンサが得られることが実証された。As is clear from the comparison between the results of the present embodiment and the first embodiment shown in (Table 1), also in this embodiment, a capacitor having an excellent high-frequency characteristic and a high capacity achievement ratio is obtained. Was proved to be obtained.
【０１４１】（実施の形態７）本実施の形態では、第６
の実施の形態のＰＤＴＩＴに替えて（化２）のタイプｃ
に相当するＰＤＴＩＴを用いた以外、第６の実施の形態
と同様の条件で１０個のコンデンサを完成させ、同様の
特性評価を行い、その結果を前述の（表１）に示した。(Embodiment 7) In this embodiment, the sixth
In place of the PDTIT of the embodiment, type c of
Ten capacitors were completed under the same conditions as in the sixth embodiment except that PDTIT corresponding to was used, and the same characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1 above.
【０１４２】なお、ここで用いたＰＤＴＩＴの電気伝導
度はそれぞれ０．０１Ｓ／ｃｍであった。The electric conductivity of the PDTIT used here was 0.01 S / cm.
【０１４３】本実施の形態と比較例１との結果を検討す
ると、損失係数及びインピーダンスは本実施の形成の方
が向上していることが明らかであり、本発明の優れた効
果がここでも実証された。Examination of the results of the present embodiment and Comparative Example 1 reveals that the loss factor and impedance are improved in the present embodiment, and the excellent effects of the present invention are also demonstrated here. Was done.
【０１４４】（実施の形態８）本実施の形態では、第６
の実施の形態の構成において、ＰＰｙに替えて、ポリ
（３、４ーエチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯ
Ｔ）からなる導電性高分子層を形成した以外は、第６の
実施の形態と同様にして１０個のコンデンサ素子を完成
させた。(Embodiment 8) In this embodiment, the sixth
In the configuration of the embodiment, instead of PPy, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDO
Ten capacitor elements were completed in the same manner as in the sixth embodiment except that a conductive polymer layer made of T) was formed.
【０１４５】ＰＤＴＩＴは、第１の実施の形態に記載し
た通りの方法で、一回の浸漬処理で形成し、ついで、こ
のようにＰＤＴＩＴ層が形成されたタンタル焼結体上
に、３、４ーエチレンジオキシチオフェンモノマー（Ｅ
ＤＯＴ）０．１ｍｏｌ／ｌとトリイソプロピルナフタレ
ンスルホン酸ナトリウム（平均分子量３３８）４重量％
からなる６５℃のモノマー水溶液に２分間浸漬後、硫酸
第二鉄０．１ｍｏｌ／ｌを含む６５℃の酸化剤溶液に１
００分間浸漬した。The PDTIT is formed by a single immersion treatment in the same manner as described in the first embodiment. Then, the PDTIT is formed on the tantalum sintered body on which the PDTIT layer is formed by three, four or four. -Ethylenedioxythiophene monomer (E
DOT) 0.1 mol / l and sodium triisopropylnaphthalenesulfonate (average molecular weight 338) 4% by weight
For 2 minutes in a monomer aqueous solution at 65 ° C., and 1% in a 65 ° C. oxidant solution containing 0.1 mol / l of ferric sulfate.
Dipped for 00 minutes.
【０１４６】この処理を表面がＰＰｙで被覆されるまで
繰り返し、ＰＰｙが形成されたタンタル焼結体上に、カ
ーボン層と銀ペイント層で陰極を第１の実施の形態と同
様に形成して、合計で１０個のコンデンサ素子を得た。This process is repeated until the surface is covered with PPy, and a carbon layer and a silver paint layer are used to form a cathode on the tantalum sintered body on which PPy is formed in the same manner as in the first embodiment. A total of 10 capacitor elements were obtained.
【０１４７】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、それらの平均値を以下の（表
１）に示した。For each of these ten devices, the capacitance at 1 kHz, the loss coefficient, and the impedance at 400 kHz were measured, and the average values were shown in Table 1 below.
【０１４８】化学重合により、その場でＰＥＤＯＴ層を
形成する場合、焼結体の細孔構造の深部に充填すること
は極めて困難である。When the PEDOT layer is formed in situ by chemical polymerization, it is extremely difficult to fill the deep part of the pore structure of the sintered body.
【０１４９】これは、例えばモノマー濃度と酸化剤濃度
を下げること、あるいは重合温度を下げることにより実
現できるが、必要な処理繰り返し回数が多くなるまたは
プロセスの制御が難しくなる等の理由で容易にコンデン
サを得ることができないという課題がある。This can be realized, for example, by lowering the monomer concentration and the oxidizing agent concentration, or by lowering the polymerization temperature. However, the capacitor can be easily formed because the required number of treatment repetitions increases or the process control becomes difficult. There is a problem that can not be obtained.
【０１５０】はじめにＰＤＴＩＴ溶液を用いて細孔構造
の深部に導電性高分子層を形成しておくことにより、Ｐ
Ｐｙ層形成のための工程を簡略化しても容量達成率の高
いコンデンサを得ることができた。First, by forming a conductive polymer layer deep in the pore structure using a PDTIT solution,
Even if the process for forming the Py layer was simplified, a capacitor with a high capacity achievement rate could be obtained.
【０１５１】ＰＥＤＯＴ層の形成に水媒体を用いたが、
それ以外の有機溶媒を用いることもでき、また酸化剤、
添加剤として本実施の形態で用いた以外のものを用いる
こともできる。An aqueous medium was used for forming the PEDOT layer.
Other organic solvents can be used, and oxidizing agents,
Additives other than those used in the present embodiment can also be used.
【０１５２】（実施の形態９）本実施の形態では、第６
の実施の形態の構成において、ＰＰｙに替えて、ポリア
ニリン（ＰＡ）からなる導電性高分子層を形成した以外
は、第６の実施の形態と同様にして１０個のコンデンサ
素子を完成させた。(Embodiment 9) In this embodiment, the sixth embodiment
In the structure of the sixth embodiment, ten capacitor elements were completed in the same manner as in the sixth embodiment except that a conductive polymer layer made of polyaniline (PA) was formed instead of PPy.
【０１５３】ＰＤＴＩＴは、第１の実施の形態に記載し
た通りの方法で、一回の浸漬処理で形成し、ついで、こ
のようにＰＤＴＩＴ層が形成されたタンタル焼結体上
に、アニリンモノマーと硫酸をそれぞれ０．５ｍｏｌ／
ｌおよび１ｍｏｌ／ｌ含むモノマー溶液に２分間浸漬後
過硫酸アンモニウム３ｍｏｌ／ｌ含む酸化剤溶液に１０
０分間浸漬した。The PDTIT is formed by a single immersion treatment in the same manner as described in the first embodiment. Then, the aniline monomer and the aniline monomer are formed on the tantalum sintered body on which the PDTIT layer is formed. 0.5 mol /
After immersion in a monomer solution containing 1 mol / l and 10 mol / l in an oxidant solution containing 3 mol / l ammonium persulfate
Dipped for 0 minutes.
【０１５４】この処理を表面がＰＡで被覆されるまで繰
り返し、ＰＡが形成されたタンタル焼結体上に、カーボ
ン層と銀ペイント層で陰極を第１の実施の形態と同様に
形成して、合計で１０個のコンデンサ素子を得た。This process was repeated until the surface was covered with PA, and a cathode was formed on the tantalum sintered body on which PA was formed with a carbon layer and a silver paint layer in the same manner as in the first embodiment. A total of 10 capacitor elements were obtained.
【０１５５】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、それらの平均値を以下の（表
１）に示した。With respect to these ten devices, the capacitance at 1 kHz, the loss coefficient, and the impedance at 400 kHz were measured, and the average values were shown in the following (Table 1).
【０１５６】化学重合により、その場でＰＡ層を形成す
る場合、焼結体の細孔構造の深部に充填することは極め
て困難である。When the PA layer is formed in situ by chemical polymerization, it is extremely difficult to fill the deep part of the pore structure of the sintered body.
【０１５７】これは、例えばモノマー濃度と酸化剤濃度
を下げること、あるいは重合温度を下げることにより実
現できるが、必要な処理繰り返し回数が多くなるまたは
プロセスの制御が難しくなる等の理由で容易にコンデン
サを得ることができないという課題がある。This can be realized, for example, by lowering the monomer concentration and the oxidizing agent concentration or by lowering the polymerization temperature. However, the capacitor can be easily formed because the necessary number of treatment repetitions increases or the process control becomes difficult. There is a problem that can not be obtained.
【０１５８】はじめにＰＤＴＩＴ溶液を用いて細孔構造
の深部に導電性高分子層を形成しておくことにより、Ｐ
Ａ層形成のための工程を簡略化しても容量達成率の高い
コンデンサを得ることができた。First, by forming a conductive polymer layer deep in the pore structure using a PDTIT solution,
Even if the process for forming the A layer was simplified, a capacitor with a high capacity achievement ratio could be obtained.
【０１５９】ＰＥＤＯＴ層の形成に水媒体を用いたが、
それ以外の有機溶媒を用いることもでき、また酸化剤、
添加剤として本実施の形態で用いた以外のものを用いる
こともできる。Although an aqueous medium was used for forming the PEDOT layer,
Other organic solvents can be used, and oxidizing agents,
Additives other than those used in the present embodiment can also be used.
【０１６０】（実施の形態１０）本実施の形態では、第
６の実施の形態の構成において、化学重合ＰＰｙに替え
て電解重合ＰＰｙからなる導電性高分子層を形成した以
外は、第６の実施の形態と同様にして１０個のコンデン
サ素子を完成させた。(Embodiment 10) This embodiment is the same as the sixth embodiment except that a conductive polymer layer made of electrolytically polymerized PPy is formed instead of chemically polymerized PPy. Ten capacitor elements were completed in the same manner as in the embodiment.
【０１６１】ＰＰｙの電解重合は下記の方法で行った。The electropolymerization of PPy was carried out by the following method.
【０１６２】まず、電極をポリイミドテープに接触さ
せ、ピロールモノマー０．３Ｍとトリイソプロピルナフ
タレンスルホン酸ナトリウム０．１Ｍを含む水溶液に浸
漬して、前記電極と離隔して設けた第二の電極間に３Ｖ
の直流電圧を印加して電解重合ポリピロールからなる固
体導電層を形成させた。First, the electrode was brought into contact with a polyimide tape, immersed in an aqueous solution containing 0.3 M of a pyrrole monomer and 0.1 M of sodium triisopropylnaphthalenesulfonate, and placed between a second electrode separated from the electrode. 3V
Was applied to form a solid conductive layer made of electrolytically polymerized polypyrrole.
【０１６３】これらについて第１の実施の形態と同様の
評価を行い、その結果を前述の（表１）に示した。The same evaluation as in the first embodiment was performed on these, and the results are shown in the above (Table 1).
【０１６４】（表１）より理解されるように、本実施の
形態においても、優れた特性を有するコンデンサを実現
できることがわかる。As can be understood from Table 1, it is understood that a capacitor having excellent characteristics can be realized also in the present embodiment.
【０１６５】なお、本実施の形態によれば、電解重合膜
成長を媒介する導電層をＰＤＴＩＴで形成できるため、
熱分解二酸化マンガン層形成に際して必要であった熱処
理工程が不要になり、工程が簡略化できる利点も生じ
る。According to the present embodiment, since the conductive layer that mediates the growth of the electrolytically polymerized film can be formed by PDTIT,
The heat treatment step required for the formation of the pyrolytic manganese dioxide layer is not required, and there is an advantage that the step can be simplified.
【０１６６】以上より、本実施の形態においても、低損
失及び高周波インピーダンス特性に優れコンデンサを効
率的に得ることができた。As described above, also in this embodiment, a capacitor having excellent low-loss and high-frequency impedance characteristics could be efficiently obtained.
【０１６７】なお、ＰＰｙに替えてＰＥＤＯＴおよびＰ
Ａを電解重合して用いても同様の結果が得られた。It should be noted that PEDOT and P
Similar results were obtained when A was used by electrolytic polymerization.
【０１６８】（実施の形態１１）第４図は本実施の形態
に係るコンデンサの概念図である。本実施の形態では、
第６の実施の形態の構成において、ＰＤＴＩＴとＰＰｙ
とＰＤＴＩＴからなる積層導電層を形成した以外は、第
６の実施の形態と同様にして１０個のコンデンサ素子を
完成させた。(Embodiment 11) FIG. 4 is a conceptual diagram of a capacitor according to the present embodiment. In the present embodiment,
In the configuration of the sixth embodiment, PDTIT and PPy
Ten capacitor elements were completed in the same manner as in the sixth embodiment, except that a laminated conductive layer made of PDTIT was formed.
【０１６９】ＰＤＴＩＴからなる第１の導電性高分子層
３３は、第１の実施の形態に記載した通りの方法で、１
回の浸漬処理で形成し、ついで、第６の実施の形態記載
と同様な方法でＰＰｙからなる第２の導電性高分子層３
８を化学重合法により形成した。The first conductive polymer layer 33 made of PDTIT is formed by the same method as described in the first embodiment.
The second conductive polymer layer 3 made of PPy in the same manner as described in the sixth embodiment.
8 was formed by a chemical polymerization method.
【０１７０】その後、さらに第１の実施の形態と同様に
して、ＰＤＴＩＴからなる第３の導電性高分子層３９を
表面に形成した。Thereafter, in the same manner as in the first embodiment, a third conductive polymer layer 39 made of PDTIT was formed on the surface.
【０１７１】この形成に要した塗布回数は１回であっ
た。The number of applications required for this formation was one.
【０１７２】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、それらの平均値を以下の（表
１）に示した。With respect to these ten devices, the capacitance at 1 kHz, the loss coefficient, and the impedance at 400 kHz were measured, and their average values are shown in Table 1 below.
【０１７３】従来は、化学重合により、その場でＰＰｙ
層を形成する場合、表面特にエッジ部分のカバレージ性
に難点があり、それを補うために導電性ポリマー層形成
のために必要な浸漬処理回数が増加してしまうという課
題があった。Conventionally, PPy is formed in situ by chemical polymerization.
In the case of forming a layer, there is a problem in coverage of a surface, particularly an edge portion, and there has been a problem that the number of immersion treatments required for forming a conductive polymer layer is increased in order to compensate for the difficulty.
【０１７４】本実施の形態によれば、最外層の導電性高
分子層をＰＤＴＩＴ溶液を塗布して形成することによ
り、電解質形成のための浸漬処理繰り返し回数を低減す
ることができる。According to the present embodiment, by forming the outermost conductive polymer layer by applying the PDTIT solution, the number of times of immersion treatment for forming the electrolyte can be reduced.
【０１７５】以上より、本実施の形態においても、高容
量達成率、低損失及び高周波インピーダンス特性に優れ
コンデンサを効率的に得ることができた。As described above, in the present embodiment as well, a capacitor with excellent high capacity achievement ratio, low loss and excellent high-frequency impedance characteristics could be efficiently obtained.
【０１７６】本実施の形態では、第２の導電性高分子層
に化学重合ＰＰｙを用いた場合についてのみ述べたが、
化学重合ＰＥＤＯＴおよびＰＡを用いた場合でも同様の
効果が得られた。In this embodiment, only the case where the chemically polymerized PPy is used for the second conductive polymer layer has been described.
Similar effects were obtained when using chemically polymerized PEDOT and PA.
【０１７７】（実施の形態１２）本実施の形態では、第
１０の実施の形態で述べた電解重合溶液にさらに０．０
７５Ｍのｐーニトロフェノール（ｐＮＰｈ）を添加した
組成の電解重合溶液を用いた以外は、第１０の実施の形
態と同様にして１０個のコンデンサを完成させた。(Embodiment 12) In the present embodiment, the electrolytic polymerization solution described in the tenth embodiment is further added with 0.0%.
Ten capacitors were completed in the same manner as in the tenth embodiment except that an electrolytic polymerization solution having a composition to which 75M p-nitrophenol (pNPh) was added was used.
【０１７８】これら１０個の素子について、１ｋＨｚに
おける容量、損失係数、及び４００ｋＨｚにおけるイン
ピーダンスを各々測定し、それらの平均値を以下の（表
１）に示した。With respect to these ten devices, the capacitance at 1 kHz, the loss factor, and the impedance at 400 kHz were measured, and their average values are shown in the following (Table 1).
【０１７９】ｐＮＰｈが共存する系で電解重合または化
学重合によって得られたＰＰｙは、電気伝導度および環
境安定性が向上することを発明者らは見出した。The inventors have found that PPy obtained by electrolytic polymerization or chemical polymerization in a system in which pNPh coexists has improved electric conductivity and environmental stability.
【０１８０】そしてこれは、電子供与性置換基のニトロ
基の作用で、規則性の高い骨格構造のＰＰｙが形成され
ることによると考えられている。It is considered that this is due to the formation of PPy having a highly regular skeleton structure by the action of the nitro group of the electron donating substituent.
【０１８１】そして、（表１）から理解されるように、
本実施形態のコンデンサは、第１０の実施の形態におけ
るコンデンサと比較して、損失計数及びインピーダンス
においてさらに優れていることが分かった。Then, as understood from (Table 1),
It has been found that the capacitor of the present embodiment is more excellent in loss count and impedance than the capacitor of the tenth embodiment.
【０１８２】なお、このようにして得られたＰＰｙの環
境安定性が高いことから、このコンデンサは耐熱・耐湿
性においても優れていることが容易に予想される。Since the environmental stability of PPy thus obtained is high, it is easily expected that this capacitor is excellent also in heat resistance and humidity resistance.
【０１８３】（実施の形態１３）本実施の形態において
は、第１２の実施の形態におけるｐ−ニトロフェノール
に代えて、ｐ−シアノフェノール（Ａ）、ｍ−ヒドロキ
シ安息香酸（Ｂ）、ｍ−ヒドロキシフェノール（Ｃ）、
アセトフェノール（Ｄ）、ニトロ安息香酸（Ｅ）、又は
ニトロベンジルアルコール（Ｆ）を添加した以外は、第
１２の実施の形態と同様にして１０個のコンデンサを完
成させた。(Embodiment 13) In this embodiment, instead of p-nitrophenol in the twelfth embodiment, p-cyanophenol (A), m-hydroxybenzoic acid (B), m- Hydroxyphenol (C),
Ten capacitors were completed in the same manner as in the twelfth embodiment except that acetophenol (D), nitrobenzoic acid (E), or nitrobenzyl alcohol (F) was added.
【０１８４】これらについて第１の実施の形態と同様の
評価を行い、その結果を前述の（表１）に示した。The same evaluation as in the first embodiment was performed on these, and the results are shown in the above (Table 1).
【０１８５】（表１）から理解されるように、本実施の
形態におけるコンデンサも、第１２の実施の形態と同様
のコンデンサ特性を呈した。As can be understood from Table 1, the capacitor according to the present embodiment also exhibited the same capacitor characteristics as the twelfth embodiment.
【０１８６】よって、本実施の形態においても、低損失
及び高周波インピーダンス特性に優れたコンデンサ素子
を効率的に得ることができたといえる。Therefore, also in the present embodiment, it can be said that a capacitor element excellent in low loss and high-frequency impedance characteristics can be efficiently obtained.
【０１８７】なお、実施の形態では、第２の導電性高分
子層としてＰＰｙ、ＰＥＤＯＴおよびＰＡを用いた場合
についてのみ述べたが、これらの誘導体を用いることも
できる。[0187] In the embodiment, only the case where PPy, PEDOT and PA are used as the second conductive polymer layer has been described, but these derivatives can also be used.
【０１８８】なお、本実施の形態では陽極弁金属とし
て、アルミニウムおよびタンタルを用いた場合について
のみ述べたが、ニオブなど他の弁金属を用いることもで
き、本発明はその種類に限定されない。In this embodiment, only the case where aluminum and tantalum are used as the anode valve metal has been described. However, other valve metals such as niobium can be used, and the present invention is not limited to this type.
【０１８９】なお、本実施の形態では誘電体高分子とし
て、ポリイミドおよびアクリル酸とメタクリル酸とスチ
レン共重合体を用いた場合についてのみ述べたが、その
他の高分子誘電体を用いることもでき、本発明はその種
類に限定されない。In the present embodiment, only the case where polyimide and acrylic acid, methacrylic acid and styrene copolymer are used as the dielectric polymer has been described, but other polymer dielectrics can be used. The invention is not limited to that type.
【０１９０】[0190]
【発明の効果】以上のように、コンデンサに係る本発明
は、ＥＤＴＴを繰り返し単位として含む導電性高分子単
層またはこれとピロールまたはＥＤＯＴを繰り返し単位
として含む導電性高分子からなる複合導電層、もしくは
前記複合導電層にさらに加えてＥＤＴＴを繰り返し単位
として含む導電性高分子を複合させてなる導電層を用い
て、コンデンサの対向して設けられた少なくても一方の
電極を構成したものである。As described above, the present invention relates to a capacitor comprising a conductive polymer monolayer containing EDTT as a repeating unit or a composite conductive layer comprising a conductive polymer containing pyrrole or EDOT as a repeating unit, Alternatively, at least one electrode provided opposite to the capacitor is formed by using a conductive layer obtained by combining a conductive polymer containing EDTT as a repeating unit in addition to the composite conductive layer. .
【０１９１】ＰＤＴＩＴ層は溶液塗布によって形成でき
るため、エッチングピットあるいは多孔質焼結体からな
るコンデンサ電極深部にも容易に導電性高分子層を形成
することが可能である。Since the PDTIT layer can be formed by applying a solution, it is possible to easily form a conductive polymer layer also in an etching pit or a deep portion of a capacitor electrode made of a porous sintered body.
【０１９２】ＰＤＴＩＴの電気伝導度が低い場合には、
ＰＰｙ、ＰＥＤＯＴまたはＰＡと複合化して陰極導電層
として使用することにより、単独使用の場合と比較し
て、損失係数及び高周波特性の優れたコンデンサを実現
することができる。When the electric conductivity of PDTIT is low,
By combining with PPy, PEDOT, or PA and using it as a cathode conductive layer, it is possible to realize a capacitor having an excellent loss coefficient and high-frequency characteristics as compared with the case of using alone.
【０１９３】さらに特に化学重合の場合問題になるが、
その場重合で得られるＰＰｙ及びＰＥＤＯＴは、エッジ
部のカバーレッジ性が低いため、ポリマー層形成のため
の処理繰り返し回数を多くせざるを得ないが、前述の複
合導電層に加えて最外層をＰＤＴＩＴ溶液を用いて形成
することにより、工程を簡略化することができるいう特
有の効果を奏するものである。[0193] In particular, in the case of chemical polymerization, a problem arises.
Since PPy and PEDOT obtained by in-situ polymerization have low edge coverage, the number of processing repetitions for forming the polymer layer must be increased, but the outermost layer is added in addition to the composite conductive layer described above. The use of the PDTIT solution has a specific effect that the process can be simplified.
【０１９４】そして、本発明のコンデンサの製造方法
は、ＰＤＴＩＴ層を溶液塗布によって形成することが望
ましいが、その他化学重合または電解重合によって形成
してもよい。In the method of manufacturing a capacitor of the present invention, it is desirable that the PDTIT layer is formed by applying a solution, but it may also be formed by chemical polymerization or electrolytic polymerization.
【０１９５】また、ＰＤＴＩＴと複合化するＰＰｙ及び
ＰＥＤＯＴは化学重合または電解重合により形成するこ
とができる。Further, PPy and PEDOT which are complexed with PDTIT can be formed by chemical polymerization or electrolytic polymerization.
【０１９６】さらにまた、ＰＰｙ、ＰＥＤＯＴまたはＰ
Ａの重合をフェノール誘導体あるいはニトロベンゼン誘
導体を共存させた系で行うことにより、コンデンサ特性
向上あるいはコンデンサの製造が容易にできるという効
果を奏する。Furthermore, PPy, PEDOT or P
By performing the polymerization of A in a system in which a phenol derivative or a nitrobenzene derivative coexists, there is an effect that the capacitor characteristics can be improved or the capacitor can be easily manufactured.
【０１９７】そして電解重合によって複合導電層を形成
する場合、ＰＤＴＩＴ層は電解重合膜成長の媒介導電層
として機能する。When the composite conductive layer is formed by electrolytic polymerization, the PDTIT layer functions as a mediating conductive layer for growing the electrolytic polymerization film.
【０１９８】この電解重合膜成長の媒介導電層として、
従来使用されてきた熱分解二酸化マンガン形成の場合の
ように、加熱処理を必要としないため、誘電体皮膜の劣
化が少なくかつまた工程の簡略化が実現できるという効
果を奏する。As a mediating conductive layer for the growth of the electrolytic polymer film,
Unlike the case of forming pyrolytic manganese dioxide, which has been conventionally used, no heat treatment is required, so that there is an effect that the deterioration of the dielectric film is small and the process can be simplified.
【図１】本発明第１の実施の形態に係るコンデンサの断
面図FIG. 1 is a sectional view of a capacitor according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同第３の実施の形態に係るコンデンサの断面図FIG. 2 is a cross-sectional view of the capacitor according to the third embodiment.
【図３】同第６の実施の形態に係るコンデンサの断面図FIG. 3 is a sectional view of a capacitor according to a sixth embodiment;
【図４】同第１１の実施の形態に係るコンデンサの断面
図FIG. 4 is a sectional view of a capacitor according to the eleventh embodiment.
【符号の説明】 １、１１、２１、３１ 電極 ２、１２、２２、２２ 誘電体層 ３、１３、２３、３３ 導電性高分子層 ４、１４、２４、３４ カーボン層 ５、１５、２５、３５ 銀ペイント層 ６、１６、２６、３７ 陰極リード １７ ポリイミドテープ ２８、３８ 第２の導電性高分子層 ３９ 第３の導電性高分子層[Description of Signs] 1, 11, 21, 31 Electrodes 2, 12, 22, 22 Dielectric Layer 3, 13, 23, 33 Conductive Polymer Layer 4, 14, 24, 34 Carbon Layer 5, 15, 25, 35 silver paint layer 6, 16, 26, 37 cathode lead 17 polyimide tape 28, 38 second conductive polymer layer 39 third conductive polymer layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 9/00 Ｈ０１Ｇ 9/02 ３３１Ｈ 9/05 Ｇ 9/24 Ｃ (72)発明者 松家 安恵 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 草柳 弘樹 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 Ｆターム(参考） 4J032 BA04 BA12 BA13 BB01 BC01 BC21 CG01 5E082 AB09 BB05 BC40 EE03 EE14 EE15 EE18 EE23 EE24 EE28 EE30 EE31 FG03 FG27 FG37 FG38 FG41 FG44 GG04 HH25 HH48 LL21 LL35 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01G 9/00 H01G 9/02 331H 9/05 G 9/24 C (72) Inventor Matsue Yasue Kanagawa Matsushita Giken Co., Ltd. 3-10-1, Higashi-Mita, Tama-ku, Kawasaki-shi (72) Inventor Hiroki Kusanagi 3-1-1 Higashi-Mita, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term (reference) 4J032 BA04 BA12 BA13 BB01 BC01 BC21 CG01 5E082 AB09 BB05 BC40 EE03 EE14 EE15 EE18 EE23 EE24 EE28 EE30 EE31 FG03 FG27 FG37 FG38 FG41 FG44 GG04 HH25 HH48 LL21 LL35
Claims (30)
対向して設けられた一対の電極と、１，３―ジチエニル
イソチアナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導電
性高分子を有する第１の導電性高分子層を具備するコン
デンサ。1. A semiconductor device comprising: a dielectric layer; a pair of electrodes provided to face each other with the dielectric layer interposed; and a conductive polymer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. A capacitor comprising a first conductive polymer layer.
導体を繰り返し単位として含む導電性高分子が溶媒可溶
性である請求項１記載のコンデンサ。2. The capacitor according to claim 1, wherein the conductive polymer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit is solvent-soluble.
導体を繰り返し単位として含む導電性高分子が（化１）
に示す構造を有するものである請求項１又は２記載のコ
ンデンサ。 【化１】 3. A conductive polymer comprising a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit,
3. The capacitor according to claim 1, wherein the capacitor has the structure described in (1). Embedded image
フェン又はポリアニリンを繰り返し単位とする第２の導
電性高分子層を有する第２の導電性高分子層を具備する
請求項１から３のいずれか記載のコンデンサ。4. The method according to claim 1, further comprising a second conductive polymer layer having a second conductive polymer layer having pyrrole, 3,4 ethylenedioxythiophene or polyaniline as a repeating unit. The capacitor as described.
導体を繰り返し単位として含む第３の導電性高分子を有
する第３の導電性高分子層を、第２の導電性高分子層に
隣接し、かつ第２の導電性高分子層に対して第１の導電
性高分子層の反対側に具備する請求項４記載のコンデン
サ。5. A third conductive polymer layer having a third conductive polymer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit, the third conductive polymer layer being adjacent to the second conductive polymer layer. 5. The capacitor according to claim 4, wherein the capacitor is provided on the side opposite to the first conductive polymer layer with respect to the second conductive polymer layer.
誘電体層が前記弁金属の酸化物皮膜である請求項１ない
し５のいずれか記載のコンデンサ。6. At least one of the electrodes comprises a valve metal,
The capacitor according to any one of claims 1 to 5, wherein the dielectric layer is an oxide film of the valve metal.
る請求項６記載のコンデンサ。7. The capacitor according to claim 6, wherein the valve metal is aluminum or tantalum.
いし５のいずれかに記載のコンデンサ。8. The capacitor according to claim 1, wherein the dielectric layer is a polymer film.
記載のコンデンサ。9. The polymer film according to claim 8, wherein the polymer film is polyimide.
The capacitor as described.
酸及びスチレンの共重合体である請求項８記載のコンデ
ンサ。10. The capacitor according to claim 8, wherein the polymer film is a copolymer of acrylic acid, methacrylic acid and styrene.
隣接する請求項１ないし１０のいずれか記載のコンデン
サ。11. The capacitor according to claim 1, wherein the first conductive polymer layer is adjacent to the dielectric layer.
体層形成工程と、前記誘電体層の上に１，３−ジチエニ
ルイソチアナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導
電性高分子溶液を塗布して導電性高分子層を形成する工
程と、前記導電性高分子層の上に第２の電極を形成する
工程を有するコンデンサの製造方法。12. A dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on a first electrode, and a conductive polymer solution containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit on the dielectric layer A method for manufacturing a capacitor, comprising: forming a conductive polymer layer by applying a polymer; and forming a second electrode on the conductive polymer layer.
と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
と、前記電極間において、１，３−ジチエニルイソチア
ナフテン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子
層を化学重合により形成する導電性高分子層形成工程と
を備えたコンデンサの製造方法。13. A step of arranging a pair of electrodes facing each other, a step of forming a dielectric layer between the electrodes, and a step of repeating the 1,3-dithienylisothianaphthene derivative between the electrodes. A conductive polymer layer forming step of forming a conductive polymer layer containing as a unit by chemical polymerization.
と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
と、１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子溶液を前記誘電体層の
上に塗布することにより第１の導電性高分子層を形成す
る第１の導電性高分子層形成工程と、ピロール、３、４
ーエチレンジオキシチオフェン又はアニリンを繰り返し
単位として含む第２の導電性高分子層を化学重合により
前記第１の導電性高分子層の上に形成する第２の導電性
高分子層形成工程を有するコンデンサの製造方法。14. A step of arranging a pair of electrodes facing each other, a step of forming a dielectric layer between the electrodes, and a step of forming a conductive layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. A first conductive polymer layer forming step of forming a first conductive polymer layer by applying a polymer solution on the dielectric layer;
A second conductive polymer layer forming step of forming a second conductive polymer layer containing ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit on the first conductive polymer layer by chemical polymerization; Manufacturing method of capacitor.
と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
と、１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子溶液を前記誘電体層の
上に塗布することにより第１の導電性高分子層を形成す
る第１の導電性高分子層形成工程と、ピロール、３、４
ーエチレンジオキシチオフェン又はアニリンを繰り返し
単位として含む第２の導電性高分子層を電解重合により
前記第１の導電性高分子層の上に形成する第２の導電性
高分子層形成工程を有するコンデンサの製造方法。15. A step of arranging a pair of electrodes facing each other, a step of forming a dielectric layer between the electrodes, and a step of forming a conductive layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. A first conductive polymer layer forming step of forming a first conductive polymer layer by applying a polymer solution on the dielectric layer;
A second conductive polymer layer forming step of forming a second conductive polymer layer containing ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit on the first conductive polymer layer by electrolytic polymerization; Manufacturing method of capacitor.
と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
と、１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り
返し単位として含む第１の導電性高分子層を化学重合に
より誘電体層の上に形成する第１の導電性高分子層形成
工程と、ピロール、３、４ーエチレンジオキシチオフェ
ン又はアニリンを繰り返し単位として含む第２の導電性
高分子層を化学重合により前記第１の導電性高分子層の
上に形成する第２の導電性高分子層形成工程を有するコ
ンデンサの製造方法。16. A step of disposing a pair of electrodes facing each other, a step of forming a dielectric layer between the electrodes, and a first step including a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. A conductive polymer layer forming step of forming a conductive polymer layer on the dielectric layer by chemical polymerization, and a second step including pyrrole, 3,4-ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit. A method for manufacturing a capacitor, comprising a second conductive polymer layer forming step of forming a conductive polymer layer on the first conductive polymer layer by chemical polymerization.
と、前記電極間に誘電体層を形成する誘電体層形成工程
と、１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り
返し単位として含む第１の導電性高分子層を化学重合に
より誘電体層の上に形成する第１の導電性高分子層形成
工程と、ピロール、３、４ーエチレンジオキシチオフェ
ン又はアニリンを繰り返し単位として含む第２の導電性
高分子層を電解重合により前記第１の導電性高分子層の
上に形成する第２の導電性高分子層形成工程を有するコ
ンデンサの製造方法。17. A step of disposing a pair of electrodes facing each other, a step of forming a dielectric layer between the electrodes, and a first step including a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit. A conductive polymer layer forming step of forming a conductive polymer layer on the dielectric layer by chemical polymerization, and a second step including pyrrole, 3,4-ethylenedioxythiophene or aniline as a repeating unit. A method for manufacturing a capacitor, comprising a second conductive polymer layer forming step of forming a conductive polymer layer on the first conductive polymer layer by electrolytic polymerization.
る化学重合がフェノール誘導体又はニトロベンゼン誘導
体を含む溶液を用いて行う請求項１４又は１６に記載コ
ンデンサの製造方法。18. The method for manufacturing a capacitor according to claim 14, wherein the chemical polymerization in the second conductive polymer layer forming step is performed using a solution containing a phenol derivative or a nitrobenzene derivative.
ル、シアノフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
シフェノール若しくはアセトフェノール、またはそれら
の組合せである請求項１８記載のコンデンサの製造方
法。19. The method according to claim 18, wherein the phenol derivative is nitrophenol, cyanophenol, hydroxybenzoic acid, hydroxyphenol or acetophenol, or a combination thereof.
酸、ニトロベンジルアルコールまたはそれらの組合せで
ある請求項１８又は１９記載のコンデンサの製造方法。20. The method according to claim 18, wherein the nitrobenzene derivative is nitrobenzoic acid, nitrobenzyl alcohol, or a combination thereof.
る電解重合がフェノール誘導体又はニトロベンゼン誘導
体を含む溶液を用いて行う請求項１５又は１７記載コン
デンサの製造方法。21. The method according to claim 15, wherein the electrolytic polymerization in the second conductive polymer layer forming step is performed using a solution containing a phenol derivative or a nitrobenzene derivative.
ル、シアノフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
シフェノール若しくはアセトフェノール、またはそれら
の組合せである請求項２１記載のコンデンサの製造方
法。22. The method according to claim 21, wherein the phenol derivative is nitrophenol, cyanophenol, hydroxybenzoic acid, hydroxyphenol or acetophenol, or a combination thereof.
酸、ニトロベンジルアルコールまたはそれらの組合せで
ある請求項２１又は２２記載のコンデンサの製造方法。23. The method according to claim 21, wherein the nitrobenzene derivative is nitrobenzoic acid, nitrobenzyl alcohol, or a combination thereof.
誘導体を繰り返し単位として含む第３の導電性高分子層
を第２の導電性高分子層の上に形成する第３の導電性高
分子層形成工程を含む請求項１４ないし２３のいずれか
記載のコンデンサの製造方法。24. A third conductive polymer layer in which a third conductive polymer layer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit is formed on the second conductive polymer layer. 24. The method for manufacturing a capacitor according to claim 14, further comprising a forming step.
１，３−ジチエニルイソチアナフテン誘導体を繰り返し
単位として含む導電性高分子を含む溶液を第２の導電性
高分子層の上に塗布により第３の導電性高分子層を形成
する工程である請求項２４記載のコンデンサの製造方
法。25. The step of forming a third conductive polymer layer,
Forming a third conductive polymer layer by applying a solution containing a conductive polymer containing a 1,3-dithienylisothianaphthene derivative as a repeating unit on the second conductive polymer layer; A method for manufacturing a capacitor according to claim 24.
なくとも一つを構成する弁金属の陽極酸化により誘電体
を形成する請求項１２ないし２５のいずれか記載のコン
デンサの製造方法。26. The method according to claim 12, wherein in the step of forming a dielectric layer, the dielectric is formed by anodizing a valve metal forming at least one of the pair of electrodes.
である請求項２６記載のコンデンサの製造方法。27. The method according to claim 26, wherein the valve metal is aluminum or tantalum.
電体を形成する電着工程である請求項１２ないし２５の
いずれか記載のコンデンサの製造方法。28. The method for manufacturing a capacitor according to claim 12, wherein the dielectric forming step is an electrodeposition step of forming a dielectric using a polymer.
８記載のコンデンサの製造方法。29. The polymer film according to claim 2, wherein the polymer film is polyimide.
9. The method for manufacturing a capacitor according to item 8.
酸及びスチレンの共重合体である請求項２８記載のコン
デンサの製造方法。30. The method according to claim 28, wherein the polymer film is a copolymer of acrylic acid, methacrylic acid and styrene.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000073835A JP3551118B2 (en) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | Capacitor and manufacturing method thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073835A JP3551118B2 (en) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | Capacitor and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267183A true JP2001267183A (en) | 2001-09-28 |
| JP3551118B2 JP3551118B2 (en) | 2004-08-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000073835A Expired - Fee Related JP3551118B2 (en) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | Capacitor and manufacturing method thereof |
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| WO2008035536A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip, semiconductor mounting module, mobile communication device, and process for producing semiconductor chip |
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| WO2008035536A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip, semiconductor mounting module, mobile communication device, and process for producing semiconductor chip |
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