JP2001261442A - 再結晶ＳｉＣの製造方法 - Google Patents
再結晶ＳｉＣの製造方法Info
- Publication number
- JP2001261442A JP2001261442A JP2000076457A JP2000076457A JP2001261442A JP 2001261442 A JP2001261442 A JP 2001261442A JP 2000076457 A JP2000076457 A JP 2000076457A JP 2000076457 A JP2000076457 A JP 2000076457A JP 2001261442 A JP2001261442 A JP 2001261442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- weight
- recrystallized
- clay
- recrystallized sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形性が良く、耐酸化性、耐食性に優れると
ともに高い熱伝導率を有する高純度の再結晶ＳｉＣ焼結
体が得られるような再結晶ＳｉＣの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上
含むＳｉＣ原料に、外配で１〜１２重量％の粘土を添加
し、混合して、これを所望の形状に成形し、得られた成
形体を２０００℃以上の非活性雰囲気で焼成する再結晶
ＳｉＣの製造方法。
ともに高い熱伝導率を有する高純度の再結晶ＳｉＣ焼結
体が得られるような再結晶ＳｉＣの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上
含むＳｉＣ原料に、外配で１〜１２重量％の粘土を添加
し、混合して、これを所望の形状に成形し、得られた成
形体を２０００℃以上の非活性雰囲気で焼成する再結晶
ＳｉＣの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、耐酸化性、耐食
性、熱伝導性に優れた高純度の再結晶ＳｉＣを製造する
方法に関する。
性、熱伝導性に優れた高純度の再結晶ＳｉＣを製造する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 高純度の再結晶ＳｉＣは、耐酸化性、
耐食性、熱伝導性に優れ、それらの特性が要求される多
様な分野での利用が期待されている。このような再結晶
ＳｉＣの製造方法として、ＵＳＰ２９６４８２３には、
４５〜１５０μｍのＳｉＣ粉１０〜６０重量％と０．１
〜８μｍのＳｉＣ微粉４０〜９０重量％とを水で混ぜ、
スリップキャストで成形し、還元雰囲気中において２１
００〜２４５０℃で焼成する方法が開示されている。
耐食性、熱伝導性に優れ、それらの特性が要求される多
様な分野での利用が期待されている。このような再結晶
ＳｉＣの製造方法として、ＵＳＰ２９６４８２３には、
４５〜１５０μｍのＳｉＣ粉１０〜６０重量％と０．１
〜８μｍのＳｉＣ微粉４０〜９０重量％とを水で混ぜ、
スリップキャストで成形し、還元雰囲気中において２１
００〜２４５０℃で焼成する方法が開示されている。
【０００３】 また、特開昭６１−１７４７２号公報に
は、β型ＳｉＣ微粒に平均粒径が５μｍ以下のα型又は
β型ＳｉＣ微粉末を混合、成形し、１７５０〜２５００
℃で焼成する方法が開示されている。
は、β型ＳｉＣ微粒に平均粒径が５μｍ以下のα型又は
β型ＳｉＣ微粉末を混合、成形し、１７５０〜２５００
℃で焼成する方法が開示されている。
【０００４】 更に、特開平１０−１６７８５４号公報
には、ＳｉＯ2含有率が０．１〜５重量％で平均粒径が
０．３〜５０μｍのＳｉＣ原料粉と有機樹脂バインダー
を混合して成形し、その成形体を酸素含有率が１〜１０
％の雰囲気中において該成形体中の熱分解炭素の含有率
が０．５〜５重量％となるように加熱した後、該成形体
を１５００〜２０００℃の非酸化雰囲気で焼成する方法
が示されている。
には、ＳｉＯ2含有率が０．１〜５重量％で平均粒径が
０．３〜５０μｍのＳｉＣ原料粉と有機樹脂バインダー
を混合して成形し、その成形体を酸素含有率が１〜１０
％の雰囲気中において該成形体中の熱分解炭素の含有率
が０．５〜５重量％となるように加熱した後、該成形体
を１５００〜２０００℃の非酸化雰囲気で焼成する方法
が示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、これ
ら従来の再結晶ＳｉＣの製造法では、原料を所望の製品
形状に成形することが難しく、最終的に得られる再結晶
ＳｉＣ焼結体の純度を低下させることなく成形性を向上
させる製造技術の確立が望まれていた。
ら従来の再結晶ＳｉＣの製造法では、原料を所望の製品
形状に成形することが難しく、最終的に得られる再結晶
ＳｉＣ焼結体の純度を低下させることなく成形性を向上
させる製造技術の確立が望まれていた。
【０００６】 本発明は、このような従来の事情に鑑み
てなされたものであり、その目的とするところは、成形
性が良く、耐酸化性、耐食性に優れるとともに高い熱伝
導率を有する高純度の再結晶ＳｉＣ焼結体が得られるよ
うな再結晶ＳｉＣの製造方法を提供することにある。
てなされたものであり、その目的とするところは、成形
性が良く、耐酸化性、耐食性に優れるとともに高い熱伝
導率を有する高純度の再結晶ＳｉＣ焼結体が得られるよ
うな再結晶ＳｉＣの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 本発明によれば、粒径
５μｍ以下の微粒を１０重量％以上含むＳｉＣ原料に、
外配で１〜１２重量％の粘土を添加し、混合して、これ
を所望の形状に成形し、得られた成形体を２０００℃以
上の非活性雰囲気で焼成することを特徴とする再結晶Ｓ
ｉＣの製造方法、が提供される。
５μｍ以下の微粒を１０重量％以上含むＳｉＣ原料に、
外配で１〜１２重量％の粘土を添加し、混合して、これ
を所望の形状に成形し、得られた成形体を２０００℃以
上の非活性雰囲気で焼成することを特徴とする再結晶Ｓ
ｉＣの製造方法、が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】 前記のとおり、本発明の製造方
法は、粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上含むＳｉ
Ｃ原料に対し所定量の粘土を添加することを特徴として
おり、これにより、ＳｉＣ原料の成形性が大幅に向上す
る。また、再結晶ＳｉＣは通常２０００℃以上の非活性
雰囲気で焼成されるが、このような高温雰囲気で焼成を
行うと、粘土成分であるＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化
物は蒸発するため、最終的に得られる焼結体には、粘土
を添加したことよる純度の低下はほとんど見られず、高
純度の再結晶ＳｉＣが得られる。
法は、粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上含むＳｉ
Ｃ原料に対し所定量の粘土を添加することを特徴として
おり、これにより、ＳｉＣ原料の成形性が大幅に向上す
る。また、再結晶ＳｉＣは通常２０００℃以上の非活性
雰囲気で焼成されるが、このような高温雰囲気で焼成を
行うと、粘土成分であるＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化
物は蒸発するため、最終的に得られる焼結体には、粘土
を添加したことよる純度の低下はほとんど見られず、高
純度の再結晶ＳｉＣが得られる。
【０００９】 ＳｉＣ原料に対する具体的な粘土の添加
量は、外配で１〜１２重量％、好ましくは１〜８重量％
である。粘土の添加量が１２重量％を超えると、焼成時
に粘土成分が蒸発しきれず、残留するＳｉやＡｌの量が
多くなって再結晶ＳｉＣの生成が阻害され、熱伝導率が
低くなる。一方、粘土の添加量が１重量％未満では成形
性の向上がほとんど見られない。
量は、外配で１〜１２重量％、好ましくは１〜８重量％
である。粘土の添加量が１２重量％を超えると、焼成時
に粘土成分が蒸発しきれず、残留するＳｉやＡｌの量が
多くなって再結晶ＳｉＣの生成が阻害され、熱伝導率が
低くなる。一方、粘土の添加量が１重量％未満では成形
性の向上がほとんど見られない。
【００１０】 ＳｉＣ原料は、α型、β型のいずれを用
いてもよいが、粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上
含むものを使用する。ＳｉＣ原料に含まれる粒径５μｍ
以下の微粒が１０重量％未満である場合には、再結晶Ｓ
ｉＣが十分に生成し難く、強度や熱伝導率が低くなる。
いてもよいが、粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上
含むものを使用する。ＳｉＣ原料に含まれる粒径５μｍ
以下の微粒が１０重量％未満である場合には、再結晶Ｓ
ｉＣが十分に生成し難く、強度や熱伝導率が低くなる。
【００１１】 ＳｉＣ原料に添加する粘土としては、可
塑性を有するのもであれば特に限定はされず、例えば、
ガイロメ粘土、木節粘土、カオリン、ハロイサイト、ボ
ールクレイ等を単独で、あるいは２種以上を混合して用
いることができる。
塑性を有するのもであれば特に限定はされず、例えば、
ガイロメ粘土、木節粘土、カオリン、ハロイサイト、ボ
ールクレイ等を単独で、あるいは２種以上を混合して用
いることができる。
【００１２】 このような粘土をＳｉＣ原料に添加して
混合し、更に水を加えて全体を可塑化することによりペ
ーストが作製される。なお、必要に応じて有機質バイン
ダーや、界面活性剤等の成形助剤を加えてもよい。
混合し、更に水を加えて全体を可塑化することによりペ
ーストが作製される。なお、必要に応じて有機質バイン
ダーや、界面活性剤等の成形助剤を加えてもよい。
【００１３】 こうして得られたペーストを、プレス成
形、押出し成形等の成形方法で、所望の形状に成形す
る。例えば、押出し成形によりハニカム形状の成形体を
作製すれば、これを焼成することにより、排ガス浄化用
の触媒担体や、ディーゼルエンジンの排ガスに含まれる
微粒子（パティキュレート）を捕集するためのフィルタ
ー（ディーゼルパティキュレートフィルター）として好
適に使用できるハニカム構造体が得られる。
形、押出し成形等の成形方法で、所望の形状に成形す
る。例えば、押出し成形によりハニカム形状の成形体を
作製すれば、これを焼成することにより、排ガス浄化用
の触媒担体や、ディーゼルエンジンの排ガスに含まれる
微粒子（パティキュレート）を捕集するためのフィルタ
ー（ディーゼルパティキュレートフィルター）として好
適に使用できるハニカム構造体が得られる。
【００１４】 成形体は、乾燥後、必要であればバイン
ダーを仮焼して燃焼又は蒸発させ、その後非活性雰囲気
で焼成する。焼成温度は、２０００℃以上、好ましくは
２１００℃以上とする。このような高温での焼成によ
り、再結晶ＳｉＣが十分に生成されるとともに、粘土を
構成するＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等が蒸発し、高純度な再結
晶ＳｉＣが得られる。なお、焼成温度が２０００℃未満
の場合は、再結晶ＳｉＣが十分に生成せず、強度や熱伝
導率が低くなる。
ダーを仮焼して燃焼又は蒸発させ、その後非活性雰囲気
で焼成する。焼成温度は、２０００℃以上、好ましくは
２１００℃以上とする。このような高温での焼成によ
り、再結晶ＳｉＣが十分に生成されるとともに、粘土を
構成するＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等が蒸発し、高純度な再結
晶ＳｉＣが得られる。なお、焼成温度が２０００℃未満
の場合は、再結晶ＳｉＣが十分に生成せず、強度や熱伝
導率が低くなる。
【００１５】
【実施例】 以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
【００１６】（実施例１）粒径５μｍ以下の粒子を１６
重量％含む平均粒径２０μｍのＳｉＣ粉末１００重量％
に対し、外配でガイロメ粘土５重量％、メチルセルロー
ス３重量％、界面活性剤１重量％、及び水２５重量％を
加え、混合後、押出し成形により、外径φ１００ｍｍ、
長さ１００ｍｍ、セル密度１６セル／ｃｍ2、リブ厚４
３０μｍのハニカム形状の成形体を成形した。この成形
体を酸化雰囲気中にて４００℃で仮焼してバインダー成
分を除去した後、Ａｒ雰囲気中にて２２００℃で焼成し
てハニカム構造の再結晶ＳｉＣ焼結体を得た。こうして
得られた再結晶ＳｉＣ焼結体について、強度、熱伝導
率、及び粘土成分の蒸発せず残留したＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ
3の量を測定し、その結果を表１に示した。
重量％含む平均粒径２０μｍのＳｉＣ粉末１００重量％
に対し、外配でガイロメ粘土５重量％、メチルセルロー
ス３重量％、界面活性剤１重量％、及び水２５重量％を
加え、混合後、押出し成形により、外径φ１００ｍｍ、
長さ１００ｍｍ、セル密度１６セル／ｃｍ2、リブ厚４
３０μｍのハニカム形状の成形体を成形した。この成形
体を酸化雰囲気中にて４００℃で仮焼してバインダー成
分を除去した後、Ａｒ雰囲気中にて２２００℃で焼成し
てハニカム構造の再結晶ＳｉＣ焼結体を得た。こうして
得られた再結晶ＳｉＣ焼結体について、強度、熱伝導
率、及び粘土成分の蒸発せず残留したＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ
3の量を測定し、その結果を表１に示した。
【００１７】 なお、強度は、ハニカムの流路方向に１
セル分を切出し、スパン３５ｍｍの３点曲げで測定し
た。また、残留したＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の量は、湿式化
学分析及びガス分析により測定した。
セル分を切出し、スパン３５ｍｍの３点曲げで測定し
た。また、残留したＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の量は、湿式化
学分析及びガス分析により測定した。
【００１８】（実施例２〜７）表１に示されるＳｉＣ原
料及びガイロメ粘土を使用し、実施例１と同様の方法で
成形、仮焼を行い、表１に示す焼成温度で、実施例１と
同様の焼成を実施した。こうして得られた再結晶ＳｉＣ
焼結体について、実施例１と同様の測定を行い、その結
果を同じく表１に示した。
料及びガイロメ粘土を使用し、実施例１と同様の方法で
成形、仮焼を行い、表１に示す焼成温度で、実施例１と
同様の焼成を実施した。こうして得られた再結晶ＳｉＣ
焼結体について、実施例１と同様の測定を行い、その結
果を同じく表１に示した。
【００１９】（比較例１）粒径５μｍ以下の粒子を１０
重量％含む平均粒径４６μｍのＳｉＣ粉末１００重量％
に対し、外配でガイロメ粘土１５重量％、メチルセルロ
ース３重量％、界面活性剤１重量％、及び水２５重量％
を加え、混合後、押出し成形により、外径φ１００ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍ、セル密度１６セル／ｃｍ2、リブ
厚４３０μｍのハニカム形状の成形体を成形した。この
成形体を酸化雰囲気中にて４００℃で仮焼してバインダ
ー成分を除去した後、Ａｒ雰囲気中にて２０００℃で焼
成してハニカム構造の再結晶ＳｉＣ焼結体を得た。こう
して得られた再結晶ＳｉＣ焼結体について、前記実施例
１と同様に強度、熱伝導率、及び残留したＳｉＯ2とＡ
ｌ2Ｏ3の量を測定し、その結果を表１に示した。
重量％含む平均粒径４６μｍのＳｉＣ粉末１００重量％
に対し、外配でガイロメ粘土１５重量％、メチルセルロ
ース３重量％、界面活性剤１重量％、及び水２５重量％
を加え、混合後、押出し成形により、外径φ１００ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍ、セル密度１６セル／ｃｍ2、リブ
厚４３０μｍのハニカム形状の成形体を成形した。この
成形体を酸化雰囲気中にて４００℃で仮焼してバインダ
ー成分を除去した後、Ａｒ雰囲気中にて２０００℃で焼
成してハニカム構造の再結晶ＳｉＣ焼結体を得た。こう
して得られた再結晶ＳｉＣ焼結体について、前記実施例
１と同様に強度、熱伝導率、及び残留したＳｉＯ2とＡ
ｌ2Ｏ3の量を測定し、その結果を表１に示した。
【００２０】（比較例２及び３）表１に示されるＳｉＣ
原料及びガイロメ粘土を使用し、比較例１と同様の方法
で成形、仮焼を行い、表１に示す焼成温度で、比較例１
と同様の焼成を実施した。こうして得られた再結晶Ｓｉ
Ｃ焼結体について、実施例１と同様の測定を行い、その
結果を同じく表１に示した。
原料及びガイロメ粘土を使用し、比較例１と同様の方法
で成形、仮焼を行い、表１に示す焼成温度で、比較例１
と同様の焼成を実施した。こうして得られた再結晶Ｓｉ
Ｃ焼結体について、実施例１と同様の測定を行い、その
結果を同じく表１に示した。
【００２１】（比較例４）粒径５μｍ以下の粒子を２８
重量％含む平均粒径１５μｍのＳｉＣ粉末１００重量％
に対し、外配でメチルセルロース３重量％、界面活性剤
１重量％、及び水２５重量％を加え、混合後、押出し成
形を試みたが、成形性が悪く、前記実施例１〜７及び比
較例１〜３のようなハニカム形状の成形体を得ることが
できなかった。
重量％含む平均粒径１５μｍのＳｉＣ粉末１００重量％
に対し、外配でメチルセルロース３重量％、界面活性剤
１重量％、及び水２５重量％を加え、混合後、押出し成
形を試みたが、成形性が悪く、前記実施例１〜７及び比
較例１〜３のようなハニカム形状の成形体を得ることが
できなかった。
【００２２】
【表１】
【００２３】 表１に示すとおり、本発明の製造方法で
得られた実施例の再結晶ＳｉＣ焼結体は、成形時におけ
る成形性に優れるとともに、添加した粘土の構成成分で
あるＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の残留もほとんど見られず、比
較例の再結晶ＳｉＣ焼結体に比して強度、熱伝導率とも
優れた結果を示した。
得られた実施例の再結晶ＳｉＣ焼結体は、成形時におけ
る成形性に優れるとともに、添加した粘土の構成成分で
あるＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の残留もほとんど見られず、比
較例の再結晶ＳｉＣ焼結体に比して強度、熱伝導率とも
優れた結果を示した。
【００２４】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明の再結晶
ＳｉＣの製造方法によれば、ＳｉＣ原料に対して所定量
の粘土を添加することにより、従来の製造方法に比べ成
形性が大幅に改善される。また、成形体中の粘土成分は
焼成時に蒸発するので、粘土添加による純度の低下はな
く、耐酸化性、耐食性、熱伝導性に優れた高純度の再結
晶ＳｉＣが得られる。本発明にて得られる再結晶ＳｉＣ
は、耐火物やフィルター等の用途に好適に使用でき、特
に、ハニカム形状に成形し焼成して得られたハニカム構
造体は、触媒担体やディーゼルパティキュレートフィル
ターとして最適である。
ＳｉＣの製造方法によれば、ＳｉＣ原料に対して所定量
の粘土を添加することにより、従来の製造方法に比べ成
形性が大幅に改善される。また、成形体中の粘土成分は
焼成時に蒸発するので、粘土添加による純度の低下はな
く、耐酸化性、耐食性、熱伝導性に優れた高純度の再結
晶ＳｉＣが得られる。本発明にて得られる再結晶ＳｉＣ
は、耐火物やフィルター等の用途に好適に使用でき、特
に、ハニカム形状に成形し焼成して得られたハニカム構
造体は、触媒担体やディーゼルパティキュレートフィル
ターとして最適である。
Claims (5)
- 【請求項１】 粒径５μｍ以下の微粒を１０重量％以上
含むＳｉＣ原料に、外配で１〜１２重量％の粘土を添加
し、混合して、これを所望の形状に成形し、得られた成
形体を２０００℃以上の非活性雰囲気で焼成することを
特徴とする再結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項２】 前記ＳｉＣ原料に対する前記粘土の添加
量が外配で１〜８重量％である請求項１記載の再結晶Ｓ
ｉＣの製造方法。 - 【請求項３】 焼成温度が２１００℃以上である請求項
１又は２に記載の再結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項４】 前記成形体の成形方法が押出し成形であ
る請求項１ないし３のいずれか１項に記載の再結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法。 - 【請求項５】 前記成形体がハニカム形状に成形された
ものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の再
結晶ＳｉＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000076457A JP4468541B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 再結晶ＳｉＣの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000076457A JP4468541B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 再結晶ＳｉＣの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001261442A true JP2001261442A (ja) | 2001-09-26 |
| JP4468541B2 JP4468541B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=18594195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000076457A Expired - Lifetime JP4468541B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 再結晶ＳｉＣの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4468541B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004106265A1 (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-09 | Ngk Insulators, Ltd. | ハニカム構造体の製造方法及びハニカム構造体製造用炭化珪素粒子 |
| WO2016114036A1 (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | イビデン株式会社 | 連続焼成炉 |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000076457A patent/JP4468541B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004106265A1 (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-09 | Ngk Insulators, Ltd. | ハニカム構造体の製造方法及びハニカム構造体製造用炭化珪素粒子 |
| US7569201B2 (en) | 2003-05-29 | 2009-08-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing honeycomb structure and silicon carbide particle for manufacturing the same |
| WO2016114036A1 (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | イビデン株式会社 | 連続焼成炉 |
| JP2016132581A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | イビデン株式会社 | 連続焼成炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4468541B2 (ja) | 2010-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4307781B2 (ja) | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 | |
| JP3581879B2 (ja) | アルミナ多孔体及びその製造方法 | |
| US6815038B2 (en) | Honeycomb structure | |
| JP5587420B2 (ja) | 排ガス浄化フィルタ及びその製造方法 | |
| JPWO2012105478A1 (ja) | 炭化珪素質材料、ハニカム構造体及び電気加熱式触媒担体 | |
| JP2009541187A (ja) | コージエライトの形成 | |
| JP5365794B2 (ja) | 触媒担持用セラミックフィルタ及びその製造方法 | |
| JP4455786B2 (ja) | 多孔質材料の製造方法及びこれに用いる中空状顆粒の製造方法 | |
| JP5208900B2 (ja) | ディーゼルパティキュレートフィルタ用の導電性炭化珪素質多孔体の製造方法 | |
| JP2000016872A (ja) | 多孔質炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH0751459B2 (ja) | コージェライト質ハニカム構造体の製造法 | |
| JP4468541B2 (ja) | 再結晶ＳｉＣの製造方法 | |
| JPS61423A (ja) | 炭化珪素質焼結体のフイルタ− | |
| JP4574044B2 (ja) | 窒化珪素多孔体及びその製造方法 | |
| JP3099195B2 (ja) | 窒化けい素結合炭化けい素質担体及びその製造方法 | |
| WO2011118025A1 (ja) | 柱状チタン酸アルミニウム及びその製造方法 | |
| JP5274209B2 (ja) | 柱状チタン酸アルミニウム及びその製造方法 | |
| JPH11217270A (ja) | ハニカム構造体 | |
| JP5695127B2 (ja) | 柱状チタン酸アルミニウム粉体の製造方法 | |
| JP5120793B2 (ja) | 炭化ケイ素多孔体の製造方法 | |
| JP5445997B2 (ja) | ハニカムフィルタ | |
| JP2001293315A (ja) | アルミナ固溶窒化ケイ素質フィルタの製造方法 | |
| JP2004002130A (ja) | セラミックス多孔体及びその製造方法 | |
| JP5539815B2 (ja) | 導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体 | |
| JP3228890B2 (ja) | 多孔質無機材料の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081002 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090924 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091111 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100223 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4468541 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |