JP2001258170A - 電源装置 - Google Patents
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Abstract
出を含む処理回路の共有化を図ることができる電源装置
を提供する。 【解決手段】直列に接続される複数の蓄電器101a,
101b,101c,101dの各直流電圧を、複数の
直交変換回路102a,102b,102c,102d
で、前記直流電圧に、前記各蓄電器の端子間直流電圧に
相当する交流成分を重畳した交流信号に変換し、複数の
コンデンサカプラ103a,103b,103c,10
3dで、前記直流電圧を遮断して前記交流成分を各出力
し、処理回路104で、各出力を選択し、選択した前記
交流成分より、対応する蓄電器の端子間直流電圧を検出
する。
Description
池,鉛蓄電池,リチウム二次電池,電気二重層キャパシ
タなどの電気エネルギー貯蔵デバイスまたは燃料電池な
どの発電素子からなる蓄電器が複数直列に接続された電
源装置に関する。
各電圧を検出する電池回路が、例えば、特開平8−78
060公報に開示されている。
図である。図11において、1101,1101は二次
電池、1102,1102は電圧検出回路、1103,
1103,1103,1103は抵抗、1104,11
04はコンパレータ、1105はFETである。
接続され、二次電池1101,1101のそれぞれの両
端に、電圧検出回路1102,1102が接続されてい
る。また、直列接続された二次電池1101の両端に、
2個のコンパレータ1104,1104の電源がそれぞ
れ接続されている。コンパレータ1104,1104の
各々の入力には、直列接続された抵抗1103,110
3の抵抗分圧による基準電圧および電圧検出回路110
2,1102の出力が、それぞれ接続されている。
は、ともに、二次電池1101,1101と直列に挿入
されたFET1105のゲートに接続されている。
れぞれ電圧検出回路1102,1102で検出し、検出
値と抵抗分圧による基準電圧とをコンパレータ110
4,1104で比較する。そして、いずれかの二次電池
1101,1101が満充電に達し、いずれかの電圧検
出回路1102,1102の検出値が、基準電圧を越え
たら、いずれかのコンパレータ1104,1104の出
力はローとなり、FET1105をOFFして、充電を
停止する。
個直列に接続された二次電池1101,1101に対し
て、それぞれ専用の電圧検出回路1102,1102を
必要としている。それは、各電圧検出回路1102の検
出値の電位レベルが、直列接続された二次電池110
1,1101の最下マイナス端子を基準として、それぞ
れ異なるからである。
列接続された分圧抵抗1103,1103も、各二次電
池1101,1101に対してそれぞれ専用に設ける必
要がある。
に対してある範囲のばらつきが必ず存在するため、満充
電を規定する基準電圧もばらつき、基準電圧の精度が低
下する。そして、これを補正する手段がないため、抵抗
1103,1103は値のばらつきが小さい部品を選択
する必要があり高価となる。
02の検出値の電位レベルを、レベルシフトして同一の
レベルにするため、コンパレータ1104,1104
が、各二次電池1101,1101に対してそれぞれ専
用に設ける必要がある。しかもこのコンパレータ110
4,1104の耐圧は直列接続された電池1101,1
101の合計の電圧が必要である。
果たす回路であっても、それぞれの電位レベルに合った
回路がそれぞれの二次電池毎に必要である。
列接続すると、それぞれの電位レベルに合わせた回路の
数が増加し、これを実現する際のコスト及びサイズ,消
費電力も増加してしまう。また、直列接続された電池の
合計電圧を満たす耐圧のコンパレータ1104などの部
品は、現実的に存在しなくなり、この回路を実現するこ
とは困難でなる。
電器に対する電圧検出を含む処理回路の共有化を図るこ
とができる電源装置を提供することにある。
れる複数の蓄電器と、前記複数の蓄電器の各直流電圧
を、前記直流電圧に、前記各蓄電器の端子間直流電圧に
相当する交流成分を重畳した交流信号に変換して各出力
する複数の直交変換回路と、前記複数の直交変換回路の
各出力より、前記直流電圧を遮断して前記交流成分を各
出力する複数のコンデンサカプラと、前記複数のコンデ
ンサカプラの各出力を選択し、選択した前記交流成分よ
り、対応する蓄電器の端子間直流電圧を検出する処理回
路とを備えてなることを特徴とする電源装置である。
蓄電器と、前記複数の蓄電器の各直流電圧を、前記直流
電圧に、前記各蓄電器の端子間直流電圧に相当する交流
成分を重畳した交流信号に変換して各出力する複数の直
交変換回路と、前記複数の直交変換回路の各出力より、
前記直流電圧を遮断して前記交流成分を各出力する複数
のコンデンサカプラと、前記複数のコンデンサカプラの
各出力を選択し、選択した前記交流成分をディジタル信
号に変換すると共に、前記ディジタル信号より、対応す
る蓄電器の端子間直流電圧を検出する処理回路とを備え
てなることを特徴とする電源装置である。
数のコンデンサカプラの出力を選択する選択回路と、選
択した前記交流成分をディジタル信号に変換するA/D
変換回路と、前記ディジタル信号より、対応する蓄電器
の端子間直流電圧を検出するマイコンとを備えてなるこ
とを特徴とする電源装置である。
択回路で選択した前記交流成分を全波整流した直流電圧
に変換する交直変換回路を備え、変換した前記直流電圧
を、前記A/D変換回路に供給することを特徴とする電
源装置である。
が、前記複数の蓄電器の端子間電圧より高い電圧を出力
する複数の制御電源を有し、前記複数の制御電源の出力
により前記複数の直交変換回路の変換動作をすることを
特徴とする電源装置である。
数の蓄電器の各蓄電器の端子間電圧に比例する電圧を出
力する複数の電圧制御電圧源を有し、前記複数の電圧制
御電圧源の出力を、前記交直変換回路の電源とすること
を特徴とする電源装置である。
を記憶する記憶回路を備え、前記記憶回路の記憶内容に
基づいて、前記A/D変換回路の出力を前記マイコンで
補正演算することを特徴とする電源装置である。
コンデンサカプラと前記制御回路の少なくとも一部の各
回路が、基板に形成の各絶縁トレンチで囲まれているこ
とを特徴とする電源装置である。
実施の形態を示す図である。図1において、100は電
機装置、101a,101b,101c,101dは蓄
電器、102a,102b,102c,102dは直交
変換回路、103a,103b,103c,103dは
コンデンサカプラ、104は処理回路である。また、1
05は選択回路、106はA/D変換回路、107はマ
イコン、108a,108b,108c,108dはコ
ンデンサカプラである。
c,101dが直列接続され、各蓄電器101a,10
1b,101c,101d に、直交変換回路102
a,102b,102c,102d が、それぞれ並列
に接続されている。また、直交変換回路102a,10
2b,102c,102d は、それぞれ、コンデンサ
カプラ103a,103b,103c,103d を介
して、処理回路104の選択回路105に接続されてい
る。選択回路105はA/D変換回路106に接続さ
れ、 A/D変換回路106はマイコン107に接続さ
れている。また、マイコン107より、制御信号が出力
され、コンデンサカプラ108a,108b,108
c,108dに供給され、直交変換回路102a,10
2b,102c,102dの変換動作を制御する。そし
てこれらにより電源装置が構成されている。
b,101c,101dの両端は、電機装置100に接
続され、電力の授受が行われる。また、処理回路104
のマイコン107の出力は電機装置100に接続され、
蓄電器101a,101b,101c,101dの直流
電圧状態を電機装置100に伝える。これを受けて、電
機装置100は電力の授受を制御する。
置,エレベータや自動車等のモータシステム,一般電機
器機である。
c,101dはニッケル水素電池や鉛蓄電池,リチウム
二次電池,電気二重層キャパシタなどの電気エネルギー
貯蔵デバイスまたは燃料電池などの発電素子である。
c,102dは、各蓄電器101a,101b,101
c,101dの各両端子を、交互に、その出力に切替接
続するスイッチであり、蓄電器101a,101b,1
01c,101dの直流端子間電圧を、交流電圧に変換
して出力する。
b,102c,102dは、それぞれ、例えば図示のP
―MOS,N―MOSが直列接続されたインバータ回路
で構成され、その入力となるP―MOS,N―MOSの
両ゲートはコンデンサカプラ108a,108b,10
8c,108dを介してマイコン107より制御信号が
供給される。
うに、直流電圧に交流成分が重畳された交流電圧であ
り、コンデンサカプラ108a,108b,108c,
108dで、直流電圧を遮断して、交流成分を、P―M
OS,N―MOSの両ゲートに供給して、P―MOS,
N―MOSを交互にオン、オフして、直交変換回路10
2a,102b,102c,102dの出力として、例
えば図3(B)に図示のように、各蓄電器101a,1
01b,101c,101dの端子間直流電圧に、交流
成分が重畳された交流電圧を出力する。
03c,103dは、それぞれ、コンデンサと抵抗の直
列接続からなり、その共通接続点が出力である。ここ
で、コンデンサは直流電圧を遮断するが、交流成分は伝
送可能であり、例えば図3(C)に図示の出力波形を伝
送する。
102a,102b,102c,102dの出力を、選
択回路105で受けて、その中の一出力交流成分をマイ
コン107からの制御信号で選択する。または手動で切
替選択してもよい。
D変換回路106でディジタル信号に変換され、マイコ
ン107に入力され、マイコン107で、各蓄電器10
1a,101b,101c,101dの端子間電圧の検
出や、充電状態の推定,異常の判定,各蓄電器101
a,101b,101c,101d間の電圧アンバラン
スの判定等、蓄電器101a,101b,101c,1
01d の監視や管理を行う。
接続される複数の蓄電器101a,101b,101c
の最下マイナス端子を基礎とする各蓄電器101a,1
01b,101c,101d の電位レベルの異なる各
直交変換回路102a,102b,102c,102d
が、コンデンサカプラ103a,103b,103c,
103dを介して機能的に処理回路104に接続され、
各蓄電器101a,101b,101c,101d端子
間電圧の検出 や蓄電器全体の状態を監視,管理可能な
電源装置を実現できる。
b,102c,102dはコンデンサカプラ103a,
103b,103c,103dで電気的に絶縁され、そ
れぞれの電位レベルで動作する。このため各直交変換回
路102a,102b,102c,102dは最低限の
耐圧で実現できる。
a,101b,101c,101dに対する電圧検出を
含む処理回路104の共有化を図ることができる電源装
置を提供することができる。また、回路数や部品点数,
消費電力の削減,小型,低コスト化を図ることができ
る。
態を示す図である。図2において、図1の第1の実施の
形態と異なる点は、選択回路105とA/D変換回路1
06の間に、交直変換回路203を新設していることで
ある。交直変換回路203は、反転回路204と、スイ
ッチ205と、CRフィルタ206から構成されてい
る。
の一出力交流成分を正負反転させる。スイッチ205は
この反転値と非反転値を交互に選択して、例えば図3
(D)に図示のように、全波整流を行う。そしてCRフ
ィルタ206は全波整流の振動分を平滑する。このよう
にして、交直変換回路203はコンデンサカプラ103
の一出力交流成分を直流に復元する。
ば、より正確な蓄電器101a,101b,101c,
101dの端子間電圧を検出することができる。
態を示す図である。図4において、401aは電源回
路、402aは制御電源である。
08aを含むブートストラップ回路で構成され、蓄電器
101aの端子間電圧より高い電圧を出力する。
プレクサ回路からなり、制御電源402aを有する。こ
の制御電源402aは電源回路401aに接続されてい
る。
は、制御電源電圧より低い値となる。また、制御電源が
変化すると、入出力特性(立上り時間や立下り時間等の
電圧伝達特性)が変化する。
デンサカプラ103aの反転値と非反転値を交互に選択
して全波整流を行うため、直交変換回路102の電圧伝
達特性が変化すると、直流電圧への変換の際に誤差が生
じる。
設けて制御電源402aに供給し,蓄電器101aの電
圧が変化しても、直交変換回路102あの電圧伝達特性
が変化しない様にしている。そして、交直変換回路20
3の交直変換動作の安定化を図っている。これにより、
直交変換回路102aは蓄電器101aの端子間電圧情
報を安定して正確に変換することが可能となる。
トストラップ回路で構成したが、絶縁トランスを用いた
スイッチング電源等でも構成可能である。
代表として図示しているが、図1、図2に図示のよう
に、蓄電器は蓄電器101a,101b,101c,1
01dの4個の蓄電器の直列接続からなるので、他の蓄
電器101b,101c,101dに対しても図4に図
示と同様の電源回路、制御電源を構成し且つ有すること
はいうまでもない。
態を示す図である。図5において、501aは電圧制御
電圧源,502aは交直変換回路用電源である。
aが含まれている。ここで、電圧制御電圧源501a
は、絶縁トランスを用いたスイッチング電源で示されて
いるが、絶縁アンプ等でも実現可能である。また、一端
の一次側は代表の蓄電器101aと接続されているが、
直列接続された蓄電器101列の両端子間と接続するこ
とも可能である。
の端子間電圧に応じた電圧を出力する。そして、その出
力は交直変換回路203の交直変換回路用電源502a
に供給される。
5は直交変換回路102aと同じマルチプレクサで構成
され、その制御電源も電圧制御電圧源501aから供給
されている。
源402が蓄電器101aに接続されている。このた
め、蓄電器101aの端子間電圧が変化すると、直交変
換回路102aの電圧伝達特性が変化し、交直変換回路
203の交直変換動作が不安定となる。
回路102aの電源に比例した電源を供給し、両者の電
圧伝達特性を一致させて、交直変換動作の安定化を実現
している。
態を示す図である。図6において、602は記憶回路で
ある。電圧検出回路107及び記憶回路602は、マイ
コン107に接続されている。
aからA/D変換回路106までのパスの電圧伝達誤差
や誤差補正式等を予め記憶させてある。そして、マイコ
ン107ではA/D変換回路106のディジタル信号の
値を、記憶回路602の記憶内容に基づいて補正演算す
る。
が正確に検出可能となり、電源装置の信頼性を向上させ
ることが可能となる。
実施の形態の各回路を集積した基板の実施の形態を示す
図である。図7において、701はSOI(Silicon on
Insulator)基板、702は絶縁トレンチ、703はボ
ンディングパッドである。
内に形成した溝を、絶縁物で埋め込むことによって形成
される。この絶縁トレンチ702で、図1乃至図6です
でに説明の直交変換回路102a,…、コンデンサカプ
ラ103a,…と201a,…、制御回路104が囲ま
れ、同一のSOI基板701に集積されている。
サカプラ103で電気的に絶縁することが可能である。
また、各回路は最低限の耐圧で実現することが可能であ
る。このため、絶縁トレンチ702で回路間を絶縁する
構成に好適であり、SOI基板701での実現が可能と
なる。
おいて、801は絶縁層、802は半導体層、803は
保護層であり、多くの絶縁トレンチ702によって半導
体層802が分割され、左から、直交変換回路102の
領域、コンデンサカプラ103,201の領域、制御回
路104の領域を配列している。
を絶縁層801として内層としたSOI基板701を用
意し、この上にホトマスクを使用した薄膜プロセスを用
いて各領域を作成している。
板に、SiO2一層、あるいはさらに表面を酸化したポ
リシリコンを重ねた多層の絶縁層801を重ね、さらに
単結晶シリコンの半導体層を重ねた構成になっている。
張り合わせは、この実施の形態では、ポリシリコン表面
のシリコン酸化膜の表面を鏡面研磨して重ね合わせた後
に、特定温度で熱処理によって接合する方法を用いる。
り、絶縁物である。一旦、溝(トレンチ)を掘ってSi
O2やBPSGで埋め込む方法、トレンチ側壁を薄く酸
化してからポリシリコンを埋め込む方法、あるいは,P
IQやSOGを塗布する方法、あるいは、上面からの酸
素イオン照射で半導体層を絶縁体に変えるなどの方法で
形成する。
はSiNなどの絶縁物であり、この層の中にポリシリコ
ンやアルミニウムによる配線層を含んでいる。
ミクロンの正方形で約2pF、耐圧は直流耐圧試験で1
絶縁トレンチ702当たり約750Vの絶縁性能が得ら
れている。なお、絶縁トレンチ702のパターンを形成
するに当たっては、鋭角のパターンが生じないように、
折りたたむ部分や角部分には、可能な限り円弧パターン
(半径2ないし5ミクロン)を用いる。これにより絶縁
耐圧の低下を防ぐことができる。
絶縁トレンチ702及び絶縁層801によって物理的に
絶縁しているので、この集積回路は、パッケージ実装に
際して、フレームに直接接着することができ、熱放散が
良い利点がある。また、多層構造のICには反りが少な
からず見られるが、絶縁層を多層とし各層の厚さを調節
することで、応力を分散して反りを軽減する効果もあ
る。
池が10個直列に接続されたモジュール電池として、そ
の公称起電圧を12Vとすると、直交変換回路102の
耐圧はマージンを取り18V程度とする。また、制御回
路104の耐圧は5V程度である。そこで絶縁トレンチ
702で囲まれる各回路の素子耐圧は18V程度とす
る。また,上記モジュール電池を25個直列に接続した
場合の電圧は300Vであり、絶縁トレンチ702の絶
縁性能より十分に低い。よって、コンデンサカプラ10
3,201及びその他の回路を、SOI基板701に集
積することが可能である。
ることにより、部品数が少なく安価で小型,低消費電力
で,かつ制御精度,ノイズマージンが高く信頼性の高い
電源装置の実現が可能となる。
適用した、太陽光の電力変換装置の実施の形態を示す図
である。図9において、901は商用電源、902は太
陽光発電装置、903は負荷装置、904は制御変換
器、905は切替器である。
の、複数の蓄電器101a,…が直列接続され、直交変
換回路102a,…が各蓄電器101a,…の両端にそ
れぞれ接続され、その出力はコンデンサカプラ103
a,…を介して制御回路104の選択回路105、交直
変換回路203、電圧検出回路106、マイコン10
7、記憶回路602に接続されて、構成されている。
器904が接続され、制御回路104内のマイコン60
1と制御変換器904内のMCUが接続されている。
903、制御変換器904は、それぞれ切替器905を
介して、共通の商用電源901に接続されている。同時
に、太陽光発電装置902、負荷装置903、制御変換
器904、切替器905、制御回路104は、双方向通
信で結ばれている。
り、太陽光を直流電力に変換し、インバータ装置により
交流電力を出力する装置である。
庫、電子レンジ、照明などの家電品や、モータ,エレベ
ータ,コンピュータ、医療機器などの電気機器や、第2
の電源装置である。そして、制御変換器904は、交流
電力を直流電力に変換、または、直流電力を交流電力に
変換する充放電器である。また、これら充放電の制御や
上述の太陽光発電装置902、負荷装置903などの機
器を制御する制御器を兼ねる。
05を有することもある。また、本発明の電源装置は、
図示した構成以外の制御変換器904や、その他の機器
の接続形態をとることも可能である。
必要とする電力を、商用電源901や太陽光発電装置9
02で賄い切れない時、制御変換器904を介して、蓄
電器101から電力を供給する。そして、商用電源90
1や太陽光発電装置902からの電力供給が過剰となっ
ている時に、制御変換器904を介して、蓄電器101
に蓄電する。
間電圧が、放電停止や充電停止レベルに達すると、制御
回路104はその信号を制御変換器904に送り、制御
変換器904は充放電等を制御する。
の契約電力や消費電力,太陽光発電装置902の発電定
格を下げることが可能となり、設備費やランニングコス
トの削減を図ることができる。
る時に、蓄電器101から商用電源901に電力を供給
し、消費電力が少ない時に、電源装置に蓄電すること
で、消費電力の集中を緩和し、消費電力の平準化を図る
ことが可能となる。
3の電力消費を監視し、負荷装置903を制御するた
め、省エネや電力の有効利用が達成できる。
を適用した、自動車の一部の実施の形態を示す図であ
る。図10において、1001はオルタネータ、100
2は直流負荷装置である。図10は構成の一部を抜粋し
たものである。
を介して蓄電器101a…列に接続されている。
駆動力のアシスト(力行)や発電(回生)を行う。そし
て、力行時には蓄電器101a…列から制御変換器90
4を介してオルタネータ1001に電力が供給される。
回生時には逆にオルタネータ1001から制御変換器9
04を介して蓄電器101a…列に電力が供給される。
ーディオ等の電気負荷や鉛バッテリー等の第2の電源装
置である。直流負荷装置1002は切換器905を介し
て蓄電器101a…列に接続されている。
シストしたり、ブレーキ時に運動エネルギーを電力に変
換して蓄えたりすることが可能な自動車が実現できる。
の蓄電器に対する電圧検出を含む処理回路の共有化を図
ることができる電源装置を提供することができる。
である。
である。
である。
である。
である。
の各回路を集積した基板の実施の形態を示す図である。
太陽光の電力変換装置の実施の形態を示す図である。
適用した、自動車の一部の実施の形態を示す図である。
回路、103…コンデンサカプラ、104…処理回路、
105…選択回路、106…A/D変換回路、107…
マイコン、108…コンデンサカプラ、203…交直変
換回路、204…反転回路、205…スイッチ、206
…CRフィルタ、401…電源回路、402…制御電
源、501…電圧制御電圧源、502…交直変換回路用
電源、601…マイコン、602…記憶回路、701…
SOI基板、702…絶縁トレンチ、703…ボンディ
ングパッド、801…絶縁層、802…半導体層、80
3…保護層、901…商用電源、902…太陽光発電装
置、903…負荷装置、904…制御変換器、905…
切替器、1001…オルタネータ、1002…直流負荷
装置、1101…二次電池、1102…電圧検出回路,
1103…抵抗,1104…コンパレータ、1105…
FET。
Claims (8)
- 【請求項1】直列に接続される複数の蓄電器と、 前記複数の蓄電器の各直流電圧を、前記直流電圧に、前
記各蓄電器の端子間直流電圧に相当する交流成分を重畳
した交流信号に変換して各出力する複数の直交変換回路
と、 前記複数の直交変換回路の各出力より、前記直流電圧を
遮断して前記交流成分を各出力する複数のコンデンサカ
プラと、 前記複数のコンデンサカプラの各出力を選択し、選択し
た前記交流成分より、対応する蓄電器の端子間直流電圧
を検出する処理回路とを備えてなることを特徴とする電
源装置。 - 【請求項2】直列に接続される複数の蓄電器と、 前記複数の蓄電器の各直流電圧を、前記直流電圧に、前
記各蓄電器の端子間直流電圧に相当する交流成分を重畳
した交流信号に変換して各出力する複数の直交変換回路
と、 前記複数の直交変換回路の各出力より、前記直流電圧を
遮断して前記交流成分を各出力する複数のコンデンサカ
プラと、 前記複数のコンデンサカプラの各出力を選択し、選択し
た前記交流成分をディジタル信号に変換すると共に、前
記ディジタル信号より、対応する蓄電器の端子間直流電
圧を検出する処理回路とを備えてなることを特徴とする
電源装置。 - 【請求項3】請求項2記載において、前記処理回路が、
前記複数のコンデンサカプラの出力を選択する選択回路
と、選択した前記交流成分をディジタル信号に変換する
A/D変換回路と、前記ディジタル信号より、対応する
蓄電器の端子間直流電圧を検出するマイコンとを備えて
なることを特徴とする電源装置。 - 【請求項4】請求項3記載において、前記処理回路が、
前記選択回路で選択した前記交流成分を全波整流した直
流電圧に変換する交直変換回路を備え、変換した前記直
流電圧を、前記A/D変換回路に供給することを特徴と
する電源装置。 - 【請求項5】請求項4記載において、前記複数の直交変
換回路が、前記複数の蓄電器の端子間電圧より高い電圧
を出力する複数の制御電源を有し、前記複数の制御電源
の出力により前記複数の直交変換回路の変換動作をする
ことを特徴とする電源装置。 - 【請求項6】請求項4記載において、前記制御回路が、
前記複数の蓄電器の各蓄電器の端子間電圧に比例する電
圧を出力する複数の電圧制御電圧源を有し、前記複数の
電圧制御電圧源の出力を、前記交直変換回路の電源とす
ることを特徴とする電源装置。 - 【請求項7】請求項4記載において、前記制御回路が、
補正式を記憶する記憶回路を備え、前記記憶回路の記憶
内容に基づいて、前記A/D変換回路の出力を前記マイ
コンで補正演算することを特徴とする電源装置。 - 【請求項8】請求項1乃至7のいずれか一項記載の前記
直交変換回路と前記コンデンサカプラと前記制御回路の
少なくとも一部の各回路が、基板に形成の各絶縁トレン
チで囲まれていることを特徴とする電源装置。
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