JP2001244561A - 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高度なプロセス技術を必要とすることなく簡
便に窓構造を備えた半導体発光装置を製造方法する方法
を提供する。 【解決手段】 結晶面に対して傾斜させた表面を有する
ＧａＡｓからなる基板１の当該表面上に、マスクパター
ン２を形成し、マスクパターン２で挟まれた基板１の表
面上にエピタキシャル層３を成長させる。エピタキシャ
ル層３をエッチング除去して加工領域１ａを形成し、マ
スクパターン２を除去して加工領域１ａの両側に初期表
面領域１ｂを露出させる。基板１上に下部クラッド層、
活性層及び上部クラッド層からなる多層膜を形成し、こ
の多層膜上に加工領域１ａを横切る状態で加工領域１ａ
の両脇の初期表面領域１ｂにまで延設された電流注入層
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置及
びその製造方法に関し、特には結晶面に対して傾斜させ
た表面を有するガリウム砒素等の化合物半導体基板を用
いた半導体発光装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ（Compact Disk）、ＤＶＤ（Digita
l Versatile disk）などの光学記録媒体に対する書き込
み（記録）や読み取り（再生）に用いられる光学ピック
アップ装置には、半導体発光装置（いわゆる半導体レー
ザ）が搭載されている。

【０００３】図１０には、この半導体発光装置の一構成
例を示す。この図に示す半導体発光装置は、例えばｎ型
のＧａＡｓ（ガリウム−砒素）からなる基板１０１上
に、ここでの図示を省略したバッファ層を介して、Ａｌ
ＧａＡｓ（アルミニウム−ガリウム−砒素）からなるｎ
型の下部クラッド層１０２、ＡｌＧａＡｓからなる量子
井戸構造の活性層１０３、ＡｌＧａＡｓからなるｐ型の
上部クラッド層１０４を順次積層してなる多層膜パター
ンが設けられている。また、上部クラッド層１０４上に
は、ｐ型のＧａＡｓからなる一条の電流注入層１０５
が、例えば絶縁領域１０６に挟まれるようにして図面の
奥行き方向に延設され、これによって活性層１０３内に
電流狭窄層（いわゆるストライプ）１０３ａを形成して
いる。また、電流注入層１０５の延設方向両端側におけ
る多層膜パターンの端面を劈開面とすることで、活性層
１０３を共振器構造とし、ここで発生させたレーザ光が
共振されて劈開面から取り出されるようになっている。

【０００４】このような構成の半導体発光装置において
は、活性層１０３の劈開面付近における界面準位、熱ハ
ケの悪さ、光密度の高さなどにより、この劈開面付近の
バンドギャップが中央領域のバンドギャップよりも小さ
くなると言った問題がある。このため、ストライプ１０
３ａの中央付近で発生した発光光が劈開面付近で吸収さ
れ易く、多量の発熱や、最高発振出力の制限、さらには
端面破壊を引き起こす要因になっていた。

【０００５】そこで、活性層１０３の劈開面付近のバン
ドギャップを上昇させる、いわゆる窓構造が提案されて
いる。この窓構造を有する半導体発光装置は、バンドギ
ャップの高い材料で多層膜パターンの劈開面側を埋め込
んだ構成のものや、多層膜パターンの劈開面側端部に不
純物を拡散させ、活性層１０３の超格子構造を壊してバ
ンドギャップを上げた構成のものに二分される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
構成の窓構造を形成するには、工程が複雑になると共
に、高精度のプロセス技術が必要とされるため、半導体
発光装置の製造コストの増加や歩留まりの低下を招く要
因になっている。

【０００７】例えば、赤色レーザ光を発振する半導体発
光装置を形成する場合、劈開面付近の活性層に不純物と
してＺｎ（亜鉛）を拡散させる。ところが、Ｚｎは活性
層内で非発光センサを作りやすく、発光領域に存在する
と劣化の原因になり信頼性を損なう要因になる。このた
め、拡散させるＺｎの量は、劈開面付近ではバンドギャ
ップを高めるために多めに設定されるものの、発光領域
である活性層の中央領域にはほとんど拡散せてはならな
い。したがって、Ｚｎの拡散領域と拡散距離とを精密に
制御するための高度なプロセス技術が必要とされるので
ある。

【０００８】そこで、本発明は、高度なプロセス技術を
必要とすることなく簡便に窓構造を設けることが可能な
半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の半導体発光装置は、結晶面に対して傾
斜させた表面を有する化合物半導体からなる基板の当該
表面上に、下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層
等が順次積層された多層膜パターンを設け、この上部に
一条の電流注入層を設けたもので、基板の表面が、この
基板上に成長させたエピタキシャル層をエッチング除去
してなる加工領域と、この加工領域の両側に位置する初
期表面領域とを備えていることを特徴としている。そし
て、多層膜パターンは、電流注入層の延設方向の両端部
が初期表面領域上に設けられ、中央部が加工領域上に設
けられている。

【００１０】また、本発明の半導体発光装置の製造方法
は、このような構成の半導体装置を製造する方法であ
り、次のように行うことを特徴としている。先ず、基板
の表面上にマスクパターンを形成し、このマスクパター
ンで挟まれた当該基板の露出表面上にエピタキシャル層
を成長させる。次に、エピタキシャル層をエッチング除
去することによって基板の表面に加工領域を形成し、マ
スクパターンを除去することによって加工領域の両側に
基板の初期表面領域を露出させる。その後、この基板上
に多層膜を形成し、この上部に加工領域上を横切って両
脇の初期表面領域上にまで延設された電流注入層を形成
する。

【００１１】このような構成の半導体発光装置では、電
流注入層に沿って形成される活性層内のストライプの中
央部が、加工領域上に形成された多層膜パターンの活性
層部分によって構成され、同ストライプの両端部が初期
表面領域上に形成された多層膜パターンの活性層部分に
よって構成されることになる。ここで、図５のグラフに
示すように、初期表面領域上に形成された多層膜におけ
る活性層での発光波長λｂと比較して、加工領域上に形
成された多層膜における活性層での発光波長λａが長く
なることが実験的にわかった。このことから、この半導
体発光装置のストライプにおいては、加工領域上に形成
された中央部分での発光波長が長く（つまりバンドギャ
ップが小さく）、初期表面領域１ｂ上に形成された両端
部分での発光波長が短い（つまりバンドギャップが大き
い）ことになる。したがって、この半導体発光装置は、
窓構造を備えたものとなる。

【００１２】そして、本発明の製造方法では、加工領域
上を横切って両脇の初期表面領域上に延設される状態で
電流注入層が多層膜上に形成されるため、初期表面領域
上において電流注入層の延設方向と交わるように当該電
流注入層及び多層膜をパターニング（劈開）すること
で、初期表面領域上に電流注入層の延設方向端部が設け
られた半導体発光装置が得られる。したがって、マスク
パターンの形成、エピタキシャル層の形成、及びこれら
のエッチング除去と言った簡便な工程を追加することの
みによって、上記構成の窓構造を備えた半導体発光装置
が得られることになる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光装置及
びその製造方法の実施形態を、図面に基づいて詳細に説
明する。

【００１４】（第１実施形態）図１乃至図４は、本発明
の第１実施形態を説明するための図であり、以下にこれ
らの図を用いてその製造方法から順に説明を行う。

【００１５】先ず、図１(１)に示すように、例えばＧａ
Ａｓのような化合物半導体からなるｎ型の基板１を用意
する。この基板１は、ＧａＡｓの結晶面に対して傾斜角
（ＯＦＦ角）を持たせた表面を有するいわゆるＯＦＦ基
板であることとする。ここでは、ＧａＡｓの（００１）
面を結晶方位［０１１］または［０１１^-］｛ただし
（−）は反転を意味する論理否定記号であることとす
る｝方向に３度から１５度程度、好ましくは１０度のＯ
ＦＦ角を持たせた表面を有するＯＦＦ基板を用いること
とする。

【００１６】そして、この基板１の表面上に、酸化シリ
コン系材料や窒化シリコン系材料からなるマスクパター
ン２を形成する。このマスクパターン２は、ここで形成
される半導体発光装置のストライプと垂直に交わる方向
に延設されるように設けられ、基板１上に成膜させた酸
化シリコン系膜または窒化シリコン系膜をパターニング
することによって形成されることとする。尚、ここで、
半導体発光装置のストライプは、基板１の結晶方位の傾
斜方向に対して垂直を成す方向に延設されることとす
る。したがって、マスクパターン２は、基板１の結晶方
位の傾斜方向に延設されることになる。

【００１７】次に、図１（２）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ：Metal
Organic Vapor Phase Epitaxial growth）などのエピタ
キシャル成長法によって、基板１の露出表面上に選択的
に、数μｍの膜厚のエピタキシャル層３を成長させる。
このエピタキシャル層３は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓま
たはＡｌＧａＩｎＰ（アルミニウム−ガリウム−インジ
ウム−リン）など、基板１上にエピタキシャル成長可能
な材料層であれば良い。

【００１８】その後、図１（３）に示すように、前の工
程で形成したエピタキシャル層（３）をエッチング除去
することで基板１表面を露出させ、これによって基板１
表面にエピタキシャル層をエッチング除去してなる加工
領域１ａを形成する。この際、エピタキシャル層（３）
がＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰからなる場合に
は、例えば硫酸系のエッチング液またはフッ酸系のエッ
チング液を用いた選択エッチングを行う。また、エピタ
キシャル層（３）がｐ型のＧａＡｓからなる場合には、
フェリシアン化カリウム／水酸化カリウム溶液をエッチ
ング液として用いた選択エッチングを行う。さらに、エ
ピタキシャル層（３）がｎ型のＧａＡｓからなる場合に
は、アンモニア系のエッチング液を用いてエッチング時
間を制御したエッチングを行うこととする。

【００１９】次いで、図１（４）に示すように、基板１
表面からマスクパターン（２）をエッチング除去し、基
板１表面に初期表面領域１ｂを露出させる。尚、マスク
パターンが酸化シリコンからなり、かつエピタキシャル
層のエッチング除去においてフッ酸系のエッチング液を
用いた場合には、エピタキシャル層のエッチング除去工
程においてマスクパターンも同時にエッチング除去され
ることになる。

【００２０】以上によって、図２の平面図に示すよう
に、基板１の表面には、エピタキシャル層（３）のエッ
チング除去によって得られた加工領域１ａと、マスクパ
ターン（２）によって保護されていた初期表面領域１ｂ
とが、交互に配置された状態になる。尚、図２のＡ−
Ａ’断面が、図１（４）に相当する。

【００２１】ここで、図２中の二点鎖線ａに示す領域
が、引き続き行われる以下の工程で形成される導体発光
装置１個分の領域になる。そして、加工領域１ａと初期
表面領域１ｂとの延設方向に交わる方向に、半導体発光
装置のストライプ予定部ｂが配置される。また、図中矢
印ｃの延長線、すなわち初期表面領域１ｂの中央付近
が、将来的に半導体発光装置の端面、すなわち劈開予定
面となる。

【００２２】以上の後、加工領域１ａと初期表面領域１
ｂとを有する基板１上に、例えばここでは図示を省略し
たｎ型ＧａＡｓとｎ型ＩｎＧａＰ（インジウム−ガリウ
ム−リン）を順次積層させてなるバッファ層を形成す
る。そして、図３（図２のＡ−Ａ’断面に相当する）及
び図４（図２のＢ−Ｂ’断面に相当する）に示すよう
に、上述のバッファ層（図示省略）を介して、基板１上
に、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型の下部クラッド
層５、単層または多層のＡｌＧａＩｎＰ（またはＩｎＧ
ａＰ）からなる量子井戸構造（発光波長領域６５０ｎｍ
帯域）の活性層６、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型の上部
クラッド層７、及びＧａＡｓからなるｐ型のキャップ層
８を順次積層させた多層膜を形成する。また、必要に応
じて、下部クラッド層５と活性層６との間にはこれらの
中間組成のガイド層を設け、活性層６と上部クラッド層
７との間にはこれらの中間組成のガイド層を設けること
とする。また、これらの各層の成膜は、例えばＭＯＶＰ
Ｅなどのエピタキシャル成長法によって行われることと
する。

【００２３】次に、レジストパターンによってキャップ
層８の電流注入層８ａとなる部分を保護した状態で、キ
ャップ層８の表面からｐ型のクラッド層７の途中の深さ
までイオン注入によって不純物を導入する。これによっ
て、不純物の導入部に絶縁領域９を形成し、キャップ層
８をパターニングしてなる電流注入層８ａを形成する。
この電流注入層８ａは、図２に示したストライプ予定部
ｂに沿って複数条設けられ、これによって、各半導体発
光装置領域ａ（図２参照）の活性層６内に一条のストラ
イプ６aが形成される。このストライプ６ａは、基板１
表面の加工領域１ａと初期表面領域１ｂとの延設方向に
交わる方向に延設されることになる。

【００２４】以上の後、ここでの図示は省略したが、電
流注入層８ａに接続させる状態でＴｉ（チタン）／Ｐｔ
（プラチナ）／Ａｕ（金）のようなｐ型の電極を形成
し、さらにｎ型の基板１に接続させる状態でＡｕＧｅ
（金−ゲルマニウム）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）
のようなｎ型の電極を形成する。また、基板１上に形成
された複数条の電流注入層８ａを１条ずつに分割する状
態で、上記電極及び各層５〜７をパターニングすると共
に基板１を分離分割する。

【００２５】次に、初期表面領域１ｂ中央の各劈開線ｃ
において、電流注入層（８ａ）及びストライプ（６ａ）
の延設方向と交わる方向に基板１及びその上部の劈開さ
せ、各層５〜７をパターニングしてなる多層膜パターン
Ｐを形成し、これによってＡｌＧａＩｎＰ系の４元系材
料からなる各半導体発光装置を完成させる。

【００２６】このようにして得られた半導体発光装置
は、ストライプ６ａの両端側となる劈開面付近が初期表
面領域１ｂ上に形成され、中央付近が加工領域１ａ上に
形成されたものになる。

【００２７】ここで、図５には、上記第１実施形態と同
様のＡｌＧａＩｎＰ系の各半導体発光装置の多層膜（５
〜７）における活性層６でのフォトルミネッセンスの発
光波長の測定結果を示す。この図において、Ａ部は、加
工領域上に直接形成された多層膜における活性層の各部
の発光波長を示す。また、Ｂ部は、加工領域に隣接させ
て残したエピタキシャル層上の多層膜における活性層の
各部の発光波長を示す。

【００２８】この図に示すように、加工領域上に形成さ
れた多層膜（Ａ部）における活性層の発光波長λａは、
６６６ｎｍ程度になる。これは、基板の初期表面領域上
に形成された多層膜における発光波長λｂ＝６５６ｎｍ
と比較して、１０ｎｍ程度大きな値になっていることが
わかる。つまり、加工領域上には、初期表面領域上より
も発光波長が長くバンドギャップが小さい多層膜が形成
されることになる。

【００２９】このことから、第１実施形態の半導体発光
装置のストライプ６ａにおいては、加工領域１ａ上に形
成された中央部の発光波長が長く（つまりバンドギャッ
プが小さく）、初期表面領域１ｂ上に形成された両端部
の発光波長が短い（つまりバンドギャップが大きい）こ
とになる。したがって、この半導体発光装置は、窓構造
を備えたものとなる。

【００３０】すなわち、第１実施形態によれば、高精度
のプロセスを追加することなく、ラフな位置合わせによ
るマスクパターンの形成、エピタキシャル層の形成、さ
らにはこれらのエッチング除去と言った簡便な工程の追
加のみによって窓構造を有する半導体発光装置を得るこ
とが可能になる。

【００３１】尚、第１実施形態においては、図１（２）
で形成したエピタキシャル層３を全てエッチング除去し
たが、このエピタキシャル層３は部分的に残してエッチ
ングしても良い。例えば、図６に示すように、ストライ
プ予定部ｂの両脇となる基板１上部分にエピタキシャル
層３を残しても良い。このようにした場合、劈開予定線
ｃ付近上のエピタキシャル層３部分を除去することで、
後の劈開工程において、劈開個所を認識し易くなる。

【００３２】（第２実施形態）図７乃至図８は、本発明
の第２実施形態を説明するための図である。ここでは、
異なる波長の半導体レーザ（第１レーザ及び第２レー
ザ）を１チップ上に搭載してなる半導体発光装置に本発
明を適用した実施形態を、その製造方法から順に説明す
る。尚、各図における断面図は、平面図におけるＡ−
Ａ’断面になる。また、第１実施形態と同様の部分には
同一の符号を付して説明を行うこととする。

【００３３】先ず、図７(１)に示すように、第１実施形
態と同様のｎ型のＧａＡｓからなるＯＦＦ基板（基板）
１を用意し、この基板１の表面上に、酸化シリコン系材
料または窒化シリコン系材料からなるマスクパターン
２’（平面図のみに図示）を形成する。ここで、図中の
二点鎖線ａに示す領域を、引き続き行われる以下の工程
で形成される半導体発光装置１個分の領域とした場合、
この半導体発光装置領域ａ内に、半導体発光装置の２条
のストライプ予定部ｂと一対のマスクパターン２’を配
置することとする。これらのマスクパターン２’は、２
条のストライプ予定部ｂのうちの一方が配置される部分
上において、互いに所定間隔を隔てた状態で半導体発光
装置領域ａの両端に設けられることとする。尚、このマ
スクパターン２’は、基板１上に成膜させた酸化シリコ
ン系膜または窒化シリコン系膜をパターニングすること
によって形成される。

【００３４】次に、基板１の露出表面上に、例えばＭＯ
ＶＰＥなどのエピタキシャル成長法によって、選択的に
ｎ型のＡｌＧａＡｓからなるエピタキシャル層３’を成
長させる。このエピタキシャル層３’は、第１下部クラ
ッド層を兼ねるものであり、必要に応じて、ｎ型のＡｌ
ＧａＡｓの下地に、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなるバッフ
ァ層をエピタキシャル成長させた積層構造にしても良
い。

【００３５】その後、図７（２）に示すように、マスク
パターン２’（平面図のみに図示）及びエピタキシャル
層３’を覆う状態で、基板１上に、例えばＭＯＶＰＥな
どのエピタキシャル成長法によって、単層または多層の
ＡｌＧａＡｓからなる量子井戸構造（発振波長７８０ｎ
ｍ帯域）の第１活性層１６、ＡｌＧａＡｓからなるｐ型
の第１上部クラッド層１７、及びＧａＡｓからなるｐ型
の第１キャップ層１８を順次積層させる。また、必要に
応じて、エピタキシャル層３’と第１活性層１６との間
にはこれらの中間組成のガイド層を設け、第１活性層１
６と第１上部クラッド層１７との間にはこれらの中間組
成のガイド層を設けることとする。

【００３６】次に、７（３）に示すように、第１レーザ
として残す領域上にレジストパターン（図示省略）を形
成し、これをマスクに用いた硫酸系の無選択エッチン
グ、及びフッ酸系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングなどの
ウェットエッチングにより、第１レーザ領域以外の領域
において第１キャップ層１８〜エピタキシャル層３’ま
での各層及びマスクパターン（２’）をエッチング除去
する。これによって、ＡｌＧａＡｓのような３元系材料
を用いた第１多層膜パターンＰ１を形成する。

【００３７】この第１多層膜パターンＰ１は、半導体発
光装置領域に配置される２条のストライプ予定部ｂのう
ちのマスクパターン（２’）上に配置された１条を露出
させる状態で設けられる。

【００３８】これによって、第２レーザを形成する領域
の基板１表面を露出させる。この際、基板１の露出表面
には、エピタキシャル層（３’）のエッチング除去によ
って得られた加工領域１ａと、マスクパターン（２’）
によって保護されていた初期表面領域１ｂ（平面図のみ
に図示）とが、ストライプ予定部ｂの延設方向に沿って
交互に配置されることになる。

【００３９】次に、第１多層膜パターンＰ１を覆う状態
で、ＧａＡｓ上にＩｎＧａＰを積層させてなるｎ型のバ
ッファ層（図示省略）を形成する。次いで、図８（１）
に示すように、このバッファ層を介して、基板１上に、
例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型の第２下部クラッド
層２５、単層または多層のＡｌＧａＩｎＰ（またはＩｎ
ＧａＰ）からなる量子井戸構造（発振波長６５０ｎｍ帯
域）の第２活性層２６、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型の
第２上部クラッド層２７、及びＧａＡｓからなるｐ型の
第２キャップ層２８を順次積層させ、４元系材料を用い
た第２多層膜（以上、断面図のみに図示）を形成する。
また、必要に応じて、第２下部クラッド層２５と第２活
性層２６との間にはこれらの中間組成のガイド層を設
け、第２活性層２６と第２上部クラッド層２７との間に
はこれらの中間組成のガイド層を設けることとする。こ
れらの各層の形成は、例えばＭＯＶＰＥ法のようなエピ
タキシャル成長法によって行う。

【００４０】しかる後、第２多層膜の第２レーザとして
残す領域上にレジストパターン（図示省略）を形成し、
これをマスクに用いた硫酸系のキャップエッチング、リ
ン酸塩酸系の４元選択エッチング、塩酸系の分離エッチ
ング等のウェットエッチングにより、第２レーザ領域以
外の領域の第２多層膜部分をエッチング除去する。これ
によって、第１多層膜パターンＰ１間に、これら第１多
層膜パターンＰ１に対して分離させた第２多層膜パター
ンＰ２を形成する。

【００４１】次に、図８（２）に示すように、レジスト
パターン（図示省略）によって第１多層膜パターンＰ１
及び第２多層パターンＰ２の電流注入領域となる部分を
保護した状態で、第１キャップ層１８及び第２キャップ
層２８の表面から第１上部クラッド層１７、及び第２上
部クラッド層２７の途中の深さまでイオン注入によって
不純物を導入する。これによって、不純物の導入部に絶
縁領域１９，２９を形成し、第１キャップ層１８をパタ
ーニングしてなる第１電流注入層１８ａ、及び第２キャ
ップ層２８をパターニングしてなる第２電流注入層２８
ａを形成する。これらの電流注入層１８ａ，２８ａは、
図７（１）に示したストライプ予定部ｂ上に沿って設け
られ、これによって、第１活性層１６内に一条のストラ
イプ１６aが形成され、第２活性層２６内に一条のスト
ライプ２６ａが形成される。これらのストライプ１６
ａ，２６ａは、基板１表面の加工領域１ａと初期表面領
域（１ｂ）とを交互に横切る方向に延設されることにな
る。特に、第２活性層２６内のストライプ２６ａは、加
工領域１ａ上と初期表面領域（１ｂ）上とを交互に横切
るように延設される。

【００４２】以上の後、ここでの図示は省略したが、第
１実施形態と同様に、電流注入層８ａ，１８ａに接続さ
せる状態でＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのようなｐ型の電極を形成
し、さらにｎ型の基板１に接続させる状態でＡｕＧｅ／
Ｎｉ／Ａｕのようなｎ型の電極を形成する。

【００４３】次に、隣り合わせて設けられた第１多層パ
ターンＰ１と第２多層パターンＰ２とを一組にして、基
板１を分割する。

【００４４】その後、図８（２）のＢ−Ｂ’断面に相当
する図９に示すように、電流注入層１８ａ，２８ａの延
設方向と交差し、かつ初期表面領域１ｂ（図２参照）の
中央を通る劈開線ｃにおいて、基板１、第２多層膜パタ
ーンＰ２及びここでの図示を省略した第１多層膜パター
ン（Ｐ１）を劈開して各半導体発光装置を完成させる。

【００４５】このようにして得られた半導体発光装置
は、図８（２）の断面図及び図９に示すように、第１活
性層１６を備えた第１レーザと、この第１活性層１６と
は組成の異なる第２活性層２６を備えた第２レーザとを
有する２波長レーザになる。

【００４６】ここで特に、第２レーザは、第２活性層２
６内のストライプ２６ａの両端側となる劈開面付近が初
期表面領域１ｂ上に形成され、中央付近が加工領域１ａ
上に形成されたものになる。このため、この第２レーザ
は、第１実施形態の半導体発光装置と同様に、窓構造を
有するものとなる。

【００４７】したがって、この第２実施形態によれば、
高精度のプロセスを追加することなく、ラフな位置合わ
せによるマスクパターンの形成、エピタキシャル層の形
成、さらにはこれらのエッチング除去と言った簡便な工
程の追加のみによって第２レーザに窓構造を設けてな
る、２波長の半導体発光装置を得ることができる。ま
た、特に安定した発光光を取り出しにくい４元系（Ａｌ
ＧａＩｎＰ）の第２レーザに窓構造を設けたことで、こ
の第２レーザからも安定した発光光を得ることが可能に
なる。

【００４８】尚、第２実施形態においては、第１レーザ
を構成する第１多層膜パターンＰ１と、第２レーザを構
成する第２多層膜パターンＰ２とを、一定幅を有する直
線条のラインパターンとして示した。しかし、これらの
パターンＰ１、Ｐ２の形状は、直線条のラインパターン
に限定されることはなく、必要に応じて幅の狭いくびれ
部などを形成しても良い。

【００４９】また、第２実施形態においては、本発明を
２波長の半導体発光装置に適用した場合を説明したが、
本発明は、同一波長の半導体レーザが複数搭載された半
導体装置や、アレイレーザ等の他の複合レーザにも適用
可能であり、同様の効果を得ることができる。

【００５０】さらに、上記各実施形態においては、Ｇａ
ＡｓからなるＯＦＦ基板を用いた場合を例示したが、本
発明はこれに限定されることはなく、他の化合物半導
体、例えばガリウムナイトライド（ＧａＮ）からなるＯ
ＦＦ基板を用いた場合にも適用可能であり、同様の効果
を得ることができる。ただし、この場合、クラッド層や
活性層などの材質及びこれらのパターニングの際に用い
られるエッチング液等は、適宜選択されたものを用いる
こととする。

【００５１】

【発明の効果】以上本発明の半導体発光装置及びその製
造方法によれば、ＯＦＦ基板の表面にエピタキシャル層
をエッチング除去してなる加工領域を設けてその両側に
初期表面領域を配置し、加工領域の上部にストライプの
中央付近が配置される構成を採用することによって、高
精度のプロセスを追加することなく、ラフな位置合わせ
によるマスクパターンの形成、エピタキシャル層の形
成、さらにはこれらのエッチング除去と言った簡便な工
程の追加のみによって窓構造を有する半導体発光装置を
得ることが可能になる。この結果、窓構造を有する半導
体発光装置の歩留まりの向上及び製造コストの削減を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態を説明するための断面工程図であ
る。

【図２】第１実施形態を説明するための平面図である。

【図３】第１実施形態を説明するための断面図（その
１）である。

【図４】第１実施形態を説明するための断面図（その
２）である。

【図５】本発明の効果を説明する図である。

【図６】第１実施形態の変形例を示す平面図である。

【図７】第２実施形態を説明するための工程図（その
１）である。

【図８】第２実施形態を説明するための工程図（その
２）である。

【図９】第２実施形態を説明するための断面図である。

【図１０】従来の半導体発光装置の一例を説明する断面
図である。

【符号の説明】

１…基板、１ａ…加工領域、１ｂ…初期表面領域、２，
２’…マスクパターン、３，３’…エピタキシャル層、
５…下部クラッド層、６…活性層、７…上部クラッド
層、８ａ…電流注入層、１６…第１活性層、１７…第１
上部クラッド層、１８ａ…第１電流注入層、２５…第２
下部クラッド層、２６…第２活性層、２７…第２上部ク
ラッド層、２８ａ…第２電流注入層、Ｐ…多層膜パター
ン、Ｐ１…第１多層膜パターン、Ｐ２…第２多層膜パタ
ーン

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶面に対して傾斜させた表面を有する
   化合物半導体からなる基板と、下部クラッド層、活性層
   及び当該下部クラッド層と異なる導電型の上部クラッド
   層が前記基板上に順次積層された多層膜パターンと、当
   該多層膜パターン上に設けられた一条の電流注入層とを
   備えてなる半導体発光装置において、 前記基板の表面は、当該基板上に成長させたエピタキシ
   ャル層をエッチング除去してなる加工領域と、当該加工
   領域の両側に位置する初期表面領域とを備え、前記多層
   膜パターンは、前記電流注入層の延設方向の両端部が前
   記初期表面領域上に設けられ、中央部が前記加工領域上
   に設けられたことを特徴とする半導体発光装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光装置におい
   て、 前記電流注入層の両脇における前記基板上に、前記エピ
   タキシャル層が残されていることを特徴とする半導体発
   光装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体発光装置におい
   て、 前記エピタキシャル層を第２の下部クラッド層とし、こ
   の上部に前記活性層とは異なる組成の第２の活性層、前
   記エピタキシャル層と異なる導電型の第２の上部クラッ
   ド層が順次積層された第２の多層膜パターンと、 前記電流注入層と平行に前記第２の多層膜パターン上に
   設けられた第２の電流注入層とを備えたことを特徴とす
   る半導体発光装置。
4. 【請求項４】 結晶面に対して傾斜させた表面を有する
   化合物半導体からなる基板の当該表面上にマスクパター
   ンを形成し、当該マスクパターンで挟まれた当該基板の
   露出表面上にエピタキシャル層を成長させる工程と、 前記エピタキシャル層をエッチング除去することによっ
   て、前記基板の表面に当該エピタキシャル層をエッチン
   グ除去してなる加工領域を形成する工程と、 前記マスクパターンを除去することによって前記加工領
   域の両側に前記基板の初期表面領域を露出させる工程
   と、 前記基板上に下部クラッド層、活性層及び当該下部クラ
   ッド層と異なる導電型の上部クラッド層が順次積層され
   た多層膜を形成する工程と、 前記多層膜上に、前記加工領域上を横切る状態で当該加
   工領域の両脇の前記初期表面領域上にまで延設された電
   流注入層を形成する工程と、 を行うことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体発光装置の製造方
   法において、 前記エピタキシャル層をエッチング除去する工程では、
   前記電流注入層の両脇になる部分に当該エピタキシャル
   層を残すことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
6. 【請求項６】 結晶面に対して傾斜させた表面を有する
   化合物半導体からなる基板の当該表面上に一対のマスク
   パターンを形成する工程と、 前記マスクパターンが形成された基板上に、第１下部ク
   ラッド層となるエピタキシャル層、第１活性層及び当該
   エピタキシャル層と異なる導電型の第１上部クラッド層
   が順次積層された第１多層膜を形成する工程と、 前記マスクパターン上及び当該マスクパターン間の前記
   第１多層膜をエッチング除去することによって、第１多
   層膜パターンを形成すると共に当該マスクパターン間に
   おける前記基板の表面に前記エピタキシャル層をエッチ
   ング除去してなる加工領域を形成する工程と、 前記マスクパターンを除去することによって前記加工領
   域の両側に前記基板の初期表面領域を露出させる工程
   と、 前記基板上に第２下部クラッド層、前記第１活性層と異
   なる組成の第２活性層及び当該第２下部クラッド層と異
   なる導電型の第２上部クラッド層が積層された第２多層
   膜を形成する工程と、 前記初期表面領域上及び前記加工領域上に前記第２多層
   膜を残し前記第１多層膜パターン上の当該第２多層膜を
   エッチング除去することによって第２多層膜パターンを
   形成する工程と、 前記第１多層パターン上及び第２多層膜パターン上に、
   前記加工領域を横切る状態で当該加工領域の両脇の前記
   初期表面領域上にまで延設された電流注入層を形成する
   工程とを行うことを特徴とする半導体発光装置の製造方
   法。