JP2001244181A - 電子線描画データ加工方法および描画データ加工プログラムを記録した記録媒体、ならびに電子線描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 照射位置補正機能で使用できる照射位置補正
式の形式と補正式の係数は、ハードウェアに強く依存し
ており、容易に変更できない。 【解決手段】 ＥＢ描画データ作製ＷＳ１でＥＢ描画デ
ータ２を作製する。ＥＢ描画装置５の描画データ補正プ
ログラム６は、予め設定されている照射補正条件９の内
容に基づいて読み込んだＥＢ描画データ２の照射位置を
補正する。補正されたＥＢ描画データは描画データ転送
プログラム７によってパターンメモリ８に格納される。
描画に際しては、一般的には、ＥＢ描画装置５の各種の
調整・較正作業を実施した後に、パターンメモリ８に格
納されているＥＢ描画データ（パターン）を描画する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、作製された電子線
描画データにおける照射位置を補正するためにデータを
加工する電子線描画データ加工方法、この電子線描画デ
ータ加工プログラムを記録した記録媒体、および加工さ
れた電子線描画データを使用して描画する電子線描画装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子線露光装置を用いた超解像型
フォトマスクあるいは等倍投影式のＸ線マスクのパター
ン描画、あるいは電子線直接描画には、高いパターン配
置精度が要求されている。一般的には光干渉式パターン
座標測定装置などを使用してフォトマスクあるいはＸ線
マスクのパターン位置座標を測定し、所望の位置からの
ずれ量を定量化する。

【０００３】この際の所望の位置とは、設計座標位置，
下層パターン位置などである。パターン位置座標を高精
度に制御しなければならない理由は、半導体集積回路を
作製する上で各層の重ね合わせ精度が非常に重要だから
である。そこで、マスクの作製のためのパターン描画あ
るいは電子線直接描画の場合でも下地層のパターンに対
して高い位置精度で目的層のパターンを重ね合わせて形
成することが重要となる。

【０００４】光リソグラフィーで使用するフォトステッ
パでは、各ステッパごとに収差特性が異なる。収差とは
光学系によって結像または偏向されたビームの形状また
は位置の理想値からのずれのことである。光学的な歪み
のことである。異なる収差特性のため、たとえ理想的な
位置にパターンが配置されたフォトマスクを使用しても
露光に使用するステッパが異なれば、転写されたパター
ンの位置が異なる。

【０００５】集積回路を作製するためには、数回から２
０回程度のリソグラフィー工程を必要とする。そのた
め、各層のフォトマスクの位置精度が直接的に重ね合わ
せ精度に影響することはもちろんのこと、使用するフォ
トステッパの収差特性によりパターン位置が変化する量
も重ね合わせ精度に大きな影響を及ぼす。

【０００６】１つの集積回路を作製するために、同一の
フォトステッパを使用して全てのフォトリソグラフィー
工程を処理できれば、フォトステッパごとの収差特性が
重ね合わせ精度に及ぼす影響をある程度は除外すること
ができる。しかし、実際には同一のフォトステッパを使
用して集積回路を作製することは困難であり、異なるフ
ォトステッパを使用して集積回路を作製している。従来
技術では、フォトステッパ間の収差特性が重ね合わせ精
度に与える影響は無視している。

【０００７】等倍投影式のＸ線露光法に使用されるＸ線
マスクには、フォトマスクに要求される以上に厳しいパ
ターン位置精度が要求されている。しかし、約２μｍと
薄いメンブレン上にＸ線を吸収する重金属からなる吸収
体パターンを形成しているために、パターン位置精度を
低下させる要因が多く存在する。電子線描画工程での基
板を保持したときの基板の変形，エッチング工程での吸
収体の応力変化，成膜時の応力の面内均一性と平均応
力，エッチングマスクとして使用した薄膜の平均応力と
応力の面内均一性，吸収体の除去面積のチップ内均一性
等である。これらの全ての要因がＸ線マスクのパターン
位置精度に影響する。

【０００８】図５は、Ｘ線マスクの作製工程で発生する
補正しなければならないパターン位置変位量を示してい
る。３１は理想的な格子点（細線が交差する点、）の位
置、３２は補正を必要とする格子点（太線が交差する
点、）の位置である。Ｘ線マスクの作製工程では、パタ
ーン面積率のチップ内不均一分布で、有限の応力値を有
する吸収体を部分的に除去するためにパターン位置変位
が生じる。このパターン位置変位は、パターン面積が極
端に不均一な場合にはパターン位置変位がマスク作製プ
ロセスで生じる。

【０００９】Ｘ線マスクの作製に関しては、作製途中の
プロセスで発生するパターン位置変位を電子線描画時に
補正して位置精度を向上させる補正法が提案・実用化さ
れている。この補正法では電子線描画装置のハードウェ
アに実装されている照射位置補正機能を使用している。
照射位置補正機能ではｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結
合させた補正式を使用して照射位置を補正している。補
正式の最高次数は３次であり、補正機能を利用するため
には補正式の各項の係数を予め算出し、描画前にハード
ウェア（例えば、ボード）の所定の記録媒体領域にその
値を格納する必要がある。

【００１０】電子線直接描画法でも、下地層との重ね合
わせ精度を向上させるために、下地層に含まれるパター
ン位置を電子線で測定し、描画する層の所定のパターン
位置と計測されたパターン位置を相対的なずれ量を考慮
して、描画する層のチップイメージを変形させて描画さ
せている。この場合も、電子線描画装置のハードウェア
に実装されているｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結合さ
せた補正式を使用して照射位置を補正している。補正式
の最高次数は一般的には３次である。

【００１１】フォトマスク・Ｘ線マスクを作製する場合
でも、電子線で直接描画を行う場合でも、パターン形成
に電子線描画装置を使用しており、照射位置を補正する
ために、ｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結合させた補正
式を使用している。補正式の最高次数は電子線描画装置
のハードウェアの仕様に依存している。一般的には、補
正式の最高次数は３次であり、直接描画の場合には補正
に使用する項を任意に設定できるようになっており、必
ずしも全ての項を使用するわけではない。

【００１２】図６は、図５で示したＸ線マスクの作製工
程で発生する補正しなければならないパターン位置変位
量を、ｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結合した照射位置
補正式の形式で最高次数が３次の補正式の係数を使用し
て照射位置を補正した際の補正残を示している。３１は
理想的な格子点（細線が交差する点、）の位置、３３は
３次補正式での格子点（太線が交差する点、）の位置で
あり、補正残を示している。理想的なパターン位置から
のずれ量を、そのずれ量を母集団として算出した標準偏
差値の３倍値（３σ値）で定義すると、補正前と補正後
はそれぞれ（１４６，１６８），（８０，７９）であ
る。補正残としてこの値は許容されない。すなわち従来
のハードウェアの仕様で制限される照射位置補正機能で
は、要求されるＸ線マスクの位置精度を達成することが
できない。

【００１３】フォトマスク・Ｘ線マスクの作製あるいは
電子線直接描画のいずれの場合でも、重ね合わせ精度を
向上させるためには、ハードウェアの仕様で制限される
照射位置補正機能を利用することになる。実際のマスク
作製あるいは歪んだ下地層上で直接描画する際には、ｘ
／ｙ座標のべき乗の項を線形結合した照射位置補正式の
形式では補正残が大きすぎて要求精度を達成できない場
合もある。その場合には、補正式の最高次数をより高次
まで取り扱えるように変更したり、補正式を他の関数を
線形結合した補正式に変更することなどで要求精度を満
たすことができる場合が多い。

【００１４】図７は、ｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結
合した照射位置補正式の形式で最高次数が７次の補正式
の係数を使用して照射位置を補正した際の補正残を示し
ている。３１は理想的な格子点（細線が交差する点、）
の位置、３４は７次補正式での格子点（太線が交差する
点、）の位置であり、補正残を示している。補正残は
（４３，３０）となり、明らかに向上することがわか
る。より補正残を少なくしてＸ線マスクの位置精度を向
上させるためには、パターン位置変位をより正確に近似
できる補正式を決定して、この補正式に基づいて照射位
置を補正すればよい。

【００１５】図８は、従来例におけるハードウェアで構
成している照射位置制御系である描画装置制御ＷＳを示
している。ＣＰＵ４１の制御のもとに、ＨＤＤ４８から
読み出されたＥＢ描画データはパターンメモリ４２に格
納され、パターンメモリ４２から読み出されたデータは
データ制御部４３で制御され、副偏向制御回路４４で制
御され、副偏向ＤＡＣ４５で変換されて出力される。一
方、主偏向制御回路４６は、ＣＰＵ４１の制御のもと
に、データ制御部４３からのデータを入力し、制御した
データを副偏向制御回路４４と主偏向ＤＡＣ４７に出力
し、主偏向ＤＡＣ４７で変換されて出力される。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の照
射位置補正機能で使用できる照射位置補正式の形式は、
ハードウェアに強く依存しており、作製するマスク・集
積回路ごとに容易に変更できないという問題があった。
すなわち、描画装置を構成する電磁銃，電子光学系鏡
筒，ステージ，データ制御系，（アンプ，ＤＡＣ回
路），偏向器などはハードウェアであるが、専用のハー
ドウェア（例えばボード）に照射位置補正機能を構成す
る回路がプログラムで変更できないように組み込まれて
使用されている。

【００１７】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、照射位置補正機能で使用できる照射位置補正
式の形式を容易に変更できる電子線描画データ加工方法
を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的
はこの電子線描画データ加工プログラムを記録した記録
媒体、および加工された電子線描画データを使用して描
画する電子線描画装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】理想的なパターン位置か
らのずれ量を、最高次数が３次の補正式を使用して照射
位置を補正した際の補正残は許容できない。これを描画
データ補正プログラムで、ｘ／ｙ座標のべき乗の項を線
形結合した照射位置補正式の形式で最高次数が７次の補
正式の係数を使用して照射位置を補正すると補正残は
（４３，３０）となり、明らかに向上することがわか
る。より補正残を少なくしてＸ線マスクの位置精度を向
上させるためには、パターン位置変位をより正確に近似
できる補正式を決定して、この補正式に基づいて描画デ
ータ補正プログラムで照射位置を修正できるようにすれ
ばよい。

【００１９】実際にＥＢ描画装置でＥＢ描画データから
描画する手順は次のようになる。計算機システムで作製
したＥＢ描画データはＥＢ描画装置のパターンメモリと
呼ばれるＥＢ描画データ格納用ハードウェアに転送され
る。その後ステージ移動量算出・偏向量算出・ショット
分解・露光時間算出などを処理するハードウェアにデー
タが転送される。

【００２０】照射位置補正機能は、最終段階で偏向量を
変更して照射位置を補正する。計算機システムで作製し
たＥＢ描画データ（パターン）の照射位置をＥＢ描画装
置の描画データ補正プログラムで補正する。補正された
ＥＢ描画データは描画データ転送プログラムでＥＢ描画
装置のパターンメモリに転送される。従って、描画デー
タ補正プログラムが有する照射位置補正機能により、照
射位置補正式の形式と補正量設定に必要なパラメータ群
を読み込んでソフトウェアでの処理が可能となり、照射
位置補正式の形式の多様性・複雑化・変更の簡便性を向
上させることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】上記課題を解決するために、本発
明の電子線描画データ加工方法は、電子線描画工程での
パターン配置誤差量，マスク作製過程でのパターン位置
変位量，集積回路作製過程での基板の変形量，下層回路
素子パターンの位置ずれ量などを予め定量化し、所望の
位置からの総合的なずれ量である誤差量を定量化し、予
め定められた関数を用いて当該誤差量を近似したときの
誤差が最小となる関数内の係数を算出し、この関数を使
用して当該誤差量を補償できるように電子線描画工程で
照射位置を補正してパターン配置精度を向上させる電子
線描画データ加工方法において、電子線描画工程で使用
するＥＢ描画データをＥＢ描画装置内に転送する際に、
ＥＢ描画データの記録媒体からデータを読み込む工程
と、読み込んだＥＢ描画データの照射位置を予め設定さ
れている照射位置補正条件を使用して補正する工程と、
補正したＥＢ描画データをＥＢ描画装置の所定のハード
ウェアであるパターンメモリに書き込む工程とからなる
ことに特徴を有している。

【００２２】また、本発明の電子線描画データ加工方法
は、電子線描画工程で使用するＥＢ描画データをＥＢ描
画装置内に転送する際に、ＥＢ描画データの記録媒体か
らデータを読み込む工程と、読み込んだＥＢ描画データ
の照射位置を予め設定されている照射位置補正条件を使
用して補正する工程と、補正したＥＢ描画データをＥＢ
描画装置外の記憶装置に記憶する工程と、この記憶装置
からデータを読み込む工程と、読み込んだＥＢ描画デー
タをＥＢ描画装置の所定のハードウェアであるパターン
メモリに書き込む工程とからなることに特徴を有してい
る。

【００２３】さらに、本発明の描画データ加工プログラ
ムを記録した記録媒体は、描画データ加工プログラムを
記録したコンピータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記描画データ加工プログラムは、計算機システムから
なるＥＢ描画データ作製ＷＳで作製されたＥＢ描画デー
タを記録媒体から読み込み、読み込んだＥＢ描画データ
の照射位置を照射位置補正条件に基づいて補正する描画
データ補正プログラムと、補正したＥＢ描画データをパ
ターンメモリに書き込む描画データ転送プログラムとか
ら構成されていることに特徴を有している。

【００２４】また、本発明の電子線描画装置は、描画デ
ータ補正プログラムを格納した記録媒体と、照射位置補
正条件を格納した記録媒体と、描画データ転送プログラ
ムを格納した記録媒体と、最終補正した描画データを格
納するパターンメモリと、装置全体を制御するＣＰＵと
を構成要素とし、ＥＢ描画データ作製ＷＳで作製された
ＥＢ描画データを記録媒体に格納されているソフトウェ
アによって照射位置補正条件ファイルに記録された照射
位置補正式の形式と補正式の係数を使用して照射位置を
補正するように構成したことに特徴を有している。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の第１実施例における電子線描
画データ加工方法を説明するための描画データの流れを
示している。Ｘ線マスク作製時のプロセス歪みを電子描
画工程で補正する場合を例にとって説明する。

【００２６】ＥＢ描画データ作製ＷＳ１でＥＢ描画デー
タ２を作製する。ＥＢ描画装置５の描画データ補正プロ
グラム６は、予め設定されている照射補正条件９の内容
に基づいて、読み込んだＥＢ描画データ２の照射位置を
補正する。補正されたＥＢ描画データは描画データ転送
プログラム７によってパターンメモリ８に格納される。
描画に際しては、一般的には、ＥＢ描画装置５の各種の
調整・較正作業を実施した後に、パターンメモリ８に格
納されているＥＢ描画データを描画する。ＥＢ描画装置
５は、描画命令により、所定の記憶装置群から目的のＥ
Ｂ描画データを探し出し、ＥＢ描画データの記憶されて
いる媒体・階層名・ファイル名などの情報を描画転送プ
ログラムに伝達する。

【００２７】すなわち、描画データ補正プログラム６
は、予め設定されている照射位置補正条件（ファイル）
９から補正式の係数そのものを読み込む。次にＥＢ描画
データ２を読み込み、予め設定された照射位置補正式の
形式と補正式の係数を使用して読み込んだＥＢ描画デー
タ２内のパターン位置を補正する。補正したＥＢ描画デ
ータをＥＢ描画装置５内のパターンメモリ８に書き込
む。その後、パターンメモリ８からショット制御回路部
にパターンデータが高速パイプラインを通して転送さ
れ、描画される。

【００２８】ＥＢ描画データ２をＥＢ描画装置５内に転
送する際に、照射位置を補正してからパターンメモリ８
に転送するために、ハードウェアで照射位置補正機能を
実現する場合に比べて、より簡便に照射位置補正精度を
向上させることができる。本発明の場合には、図形単位
で照射位置を補正することが容易であり、チップ内のパ
ターン位置を連続的に変形・補正することが可能であ
る。

【００２９】図２は、本発明の第２実施例における電子
線描画データ加工方法を説明するための描画データの流
れを示している。Ｘ線マスク作製時のプロセス歪みを電
子描画工程で補正する場合を例にとって説明する。ＥＢ
描画データ作製ＷＳ１０でＥＢ描画データＡ１１を作製
する。ＥＢ描画データ作製ＷＳ１０の描画データ補正プ
ログラム１２は、予め設定されている照射補正条件１４
の内容に基づいて読み込んだＥＢ描画データＡ１１の照
射位置を補正する。補正されたＥＢ描画データはＥＢ描
画データ作製ＷＳ１０内の記録媒体にＥＢ描画データＢ
１３として格納される。ＥＢ描画装置１５の描画データ
転送プログラム１７はＥＢ描画データ作製ＷＳ１０内の
記録媒体から読み込んだＥＢ描画データＢ１３をパター
ンメモリ１８に格納する。一般的には、描画装置の各種
の調整・較正作業を実施した後、目的パターンデータを
描画する。ＥＢ描画装置１５は、描画命令により、所定
の記憶装置群から目的のＥＢ描画データを探し出し、描
画データの記憶されている媒体・階層名・ファイル名な
どの情報を描画転送プログラムに伝達する。

【００３０】すなわち、描画データ補正プログラム１２
は、予め設定されている照射位置補正条件１４から補正
式の係数そのものを読み込む。次にＥＢ描画データＡ１
１を読み込み、予め設定された照射位置補正式の形式と
補正式の係数を使用して読み込んだＥＢ描画データＡ１
１内のパターン位置を補正する。補正したＥＢ描画デー
タを所定の記憶装置にＥＢ描画データＢ１３として書き
込む。

【００３１】描画データ転送プログラム１７に、書き込
んだ新しい描画データＢ１３の記憶されている媒体・階
層名・ファイル名などの情報を伝達する。描画データ転
送プログラム１７はＥＢ描画データＢ１３を読み込み、
ＥＢ描画装置１５内のパターンメモリ１８に書き込む。
その後、パターンメモリ１８からショット制御回路部に
パターンデータが高速パイプラインを通して転送され、
描画される。

【００３２】ＥＢ描画データＡ１１をＥＢ描画装置１５
内に転送する際に、照射位置を補正してから補正済のＥ
Ｂ描画データＢ１３をパターンメモリ１８に転送するた
めに、ハードウェアで照射位置補正機能を実現する場合
に比べて、より簡便に照射位置補正精度を向上させるこ
とができる。本発明の場合には、図形単位で照射位置を
補正することが容易であり、チップ内のパターン位置を
連続的に変形・補正することが可能である。

【００３３】図３は、本発明の描画データ加工プログラ
ムを格納した記録媒体における描画データ補正プログラ
ムの一例を示している。本発明の描画データ加工プログ
ラムは、計算機システムからなるＥＢ描画データ作製Ｗ
Ｓで作製されたＥＢ描画データを記録媒体から読み込
み、読み込んだＥＢ描画データの照射位置を補正し、補
正したＥＢ描画データをパターンメモリに書き込む一連
のソフトウェアである。 〔Ｓ１〕ＥＢ描画装置５の描画データ補正プログラム６
は照射位置補正条件９の設定ファイルを読み込み、Ｓ２
に進む。 〔Ｓ２〕続いて、描画データ補正プログラム６は照射位
置補正をするＥＢ描画データ２を読み込み、Ｓ３に進
む。 〔Ｓ３〕描画データ補正プログラム６はフィールド中心
座標を計算し、Ｓ４に進む。 〔Ｓ４〕描画データ補正プログラム６はフィールド中心
座標の変更分を加味してサブフィールド中心座標を計算
し、Ｓ５に進む。 〔Ｓ５〕描画データ補正プログラム６はフィールド・サ
ブフィールド中心座標の変更分を加味してパターン位置
を計算し、Ｓ６に進む。 〔Ｓ６〕描画データ補正プログラム６は描画データ転送
プログラム７に補正データを受け渡し、描画データ転送
プログラム７はこの補正データをパターンメモリに書き
込み、Ｓ７に進む。 〔Ｓ７〕補正した描画データのすべてを処理したかどう
かをチェックし、処理されていなければＳ２に戻る。

【００３４】図４は、本発明の一実施例における電子線
描画装置の概要ブロックを示している。記録媒体２３に
格納されている描画データ補正プログラム６によって、
記録媒体２２に格納されているＥＢ描画データ２は読み
込まれる。読み込まれたＥＢ描画データ２は記録媒体２
４格納されている照射位置補正条件９によって位置デー
タは補正される。補正された位置データは、順次データ
転送プログラムに引き渡される。

【００３５】記録媒体２５に格納されている描画データ
転送プログラム７によって、補正された描画データはパ
ターンメモリ２６に格納される。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
照射位置補正式の形式と最高次数が装置的に制限される
ことがなく、装置に何ら変更を施すことなく、唯一ソフ
トウェア内で取り扱うことのできる照射位置補正式の形
式と最高次数を変更するだけで容易に、より高精度な照
射位置補正ができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における電子線描画データ
加工方法を説明するＥＢ描画データの流れを示す図であ
る。

【図２】本発明の第２実施例における電子線描画データ
加工方法を説明するＥＢ描画データの流れを示す図であ
る。

【図３】本発明の電子線描画データ加工プログラムを格
納した記録媒体における描画データ補正プログラムの一
例を示す図である。

【図４】本発明の一実施例における電子線描画装置の概
要ブロック図である。

【図５】Ｘ線マスクの作製工程で発生する補正しなけれ
ばならないパターン位置変位量を示す図である。

【図６】ｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結合した照射位
置補正式の形式で最高次数が３次の補正式の係数を使用
して照射位置を補正した際の補正残を示す図である。

【図７】ｘ／ｙ座標のべき乗の項を線形結合した照射位
置補正式の形式で最高次数が７次の補正式の係数を使用
して照射位置を補正した際の補正残を示す図である。

【図８】従来のハードウェアで構成している照射位置制
御系を示す図である。

【符号の説明】

１ ＥＢ描画データ作製ＷＳ ２ ＥＢ描画データ ５ ＥＢ描画装置 ６ 描画データ補正プログラム ７ 描画データ転送プログラム ８ パターンメモリ ９ 照射位置補正条件 １０ ＥＢ描画データ作製ＷＳ １１ ＥＢ描画データＡ １２ 描画データ補正プログラム １３ ＥＢ描画データＢ １４ 照射位置補正条件 １５ ＥＢ描画装置 １７ 描画データ転送プログラム １８ パターンメモリ ２１ ＣＰＵ ２２ ＥＢ描画データ２が格納されている記録媒体 ２３ 描画データ補正プログラム６が格納されている記
録媒体 ２４ 照射位置補正条件９が格納されている記録媒体 ２５ 描画データ転送プログラム７が格納されている記
録媒体 ２６ 補正されたＥＢ描画データを格納するパターンメ
モリ ３１ 理想的な格子点の位置 ３２ 補正を必要とする格子点の位置 ３３ ３次補正式での格子点の位置 ３４ ７次補正式での格子点の位置 ４１ ＣＰＵ ４２ パターンメモリ ４３ データ制御部 ４４ 副偏向制御回路 ４５ 副偏向ＤＡＣ ４６ 主偏向制御回路 ４７ 主偏向ＤＡＣ ４８ ＨＤＤ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 俊文 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA02 BA10 BB01 BB10 BB33 2H097 AA03 BB01 CA16 LA10 5F056 CA11 CB11 CC01 CD01 EA06

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子線描画工程でのパターン配置誤差
   量，マスク作製過程でのパターン位置変位量，集積回路
   作製過程での基板の変形量，下層回路素子パターンの位
   置ずれ量などを予め定量化し、所望の位置からの総合的
   なずれ量である誤差量を定量化し、予め定められた関数
   を用いて当該誤差量を近似したときの誤差が最小となる
   関数内の係数を算出し、この関数を使用して当該誤差量
   を補償できるように電子線描画工程で照射位置を補正し
   てパターン配置精度を向上させる電子線描画データ加工
   方法において、 電子線描画工程で使用するＥＢ（電子ビーム）描画デー
   タをＥＢ描画装置内に転送する際に、 ＥＢ描画データの記録媒体からデータを読み込む工程
   と、 読み込んだＥＢ描画データの照射位置を予め設定されて
   いる照射位置補正条件（照射位置補正式の形式と補正式
   の係数）を使用して補正する工程と、 補正したＥＢ描画データをＥＢ描画装置の所定のハード
   ウェアであるパターンメモリに書き込む工程とからなる
   ことを特徴とする電子線描画データ加工方法。
2. 【請求項２】 電子線描画工程でのパターン配置誤差
   量，マスク作製過程でのパターン位置変位量，集積回路
   作製過程での基板の変形量，下層回路素子パターンの位
   置ずれ量などを予め定量化し、所望の位置からの総合的
   なずれ量である誤差量を定量化し、予め定められた関数
   を用いて当該誤差量を近似したときの誤差が最小となる
   関数内の係数を算出し、この関数を使用して当該誤差量
   を補償できるように電子線描画工程で照射位置を補正し
   てパターン配置精度を向上させる電子線描画データ加工
   方法において、 電子線描画工程で使用するＥＢ描画データをＥＢ描画装
   置内に転送する際に、 ＥＢ描画データの記録媒体からデータを読み込む工程
   と、 読み込んだＥＢ描画データの照射位置を予め設定されて
   いる照射位置補正条件を使用して補正する工程と、 補正したＥＢ描画データをＥＢ描画装置外の記憶装置に
   記憶する工程と、 この記憶装置からデータを読み込む工程と、 読み込んだＥＢ描画データをＥＢ描画装置の所定のハー
   ドウェアであるパターンメモリに書き込む工程とからな
   ることを特徴とする電子線描画データ加工方法。
3. 【請求項３】 描画データ加工プログラムを記録したコ
   ンピータ読み取り可能な記録媒体であって、 前記描画データ加工プログラムは、 計算機システムからなるＥＢ描画データ作製ＷＳ（work
   station）で作製されたＥＢ描画データを記録媒体から
   読み込み、読み込んだＥＢ描画データの照射位置を照射
   位置補正条件に基づいて補正する描画データ補正プログ
   ラムと、 補正したＥＢ描画データをパターンメモリに書き込む描
   画データ転送プログラムとから構成されていることを特
   徴とする描画データ加工プログラムを記録した記録媒
   体。
4. 【請求項４】 描画データ補正プログラムを格納した記
   録媒体と、 照射位置補正条件を格納した記録媒体と、 描画データ転送プログラムを格納した記録媒体と、 最終補正した描画データを格納するパターンメモリと、 装置全体を制御するＣＰＵとを構成要素とし、 ＥＢ描画データ作製ＷＳで作製されたＥＢ描画データを
   記録媒体に格納されているソフトウェアによって照射位
   置補正条件ファイルに記録された照射位置補正式の形式
   と補正式の係数を使用して照射位置を補正するように構
   成したことを特徴とする電子線描画装置。