JP2001244140A - Ceramic laminate and manufacturing method thereof, electronic component and electronic device - Google Patents
Ceramic laminate and manufacturing method thereof, electronic component and electronic deviceInfo
- Publication number
- JP2001244140A JP2001244140A JP2000057473A JP2000057473A JP2001244140A JP 2001244140 A JP2001244140 A JP 2001244140A JP 2000057473 A JP2000057473 A JP 2000057473A JP 2000057473 A JP2000057473 A JP 2000057473A JP 2001244140 A JP2001244140 A JP 2001244140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- ceramic layer
- layer
- mol
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、互いに異なる組成
を有した第１セラミック層と第２セラミック層とを中間
層を介して積層してなるセラミック積層体およびその製
造方法、ならびに、このセラミック積層体を用いた電子
部品、この電子部品を備えた電子装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic laminate comprising a first ceramic layer and a second ceramic layer having different compositions laminated through an intermediate layer, a method of manufacturing the same, and a ceramic laminate. The present invention relates to an electronic component using a body and an electronic device including the electronic component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、チップ積層コンデンサやチップ積
層ＬＣフィルタ等の高周波電子部品においては、その小
型化や高性能化がますます要求されている。この要求を
満足するため、たとえばチップ積層ＬＣフィルタは、コ
ンデンサパターンを有する誘電体セラミック層とコイル
パターンを有する磁性体セラミック層とを備えたＬＣ複
合部品として実用化されている。2. Description of the Related Art In recent years, high-frequency electronic components such as chip multilayer capacitors and chip multilayer LC filters have been increasingly required to be reduced in size and improved in performance. In order to satisfy this requirement, for example, a chip laminated LC filter has been put to practical use as an LC composite component having a dielectric ceramic layer having a capacitor pattern and a magnetic ceramic layer having a coil pattern.
【０００３】上述したチップ積層ＬＣフィルタは、コン
デンサパターンを有する誘電体セラミック層用グリ−ン
シ−トと、コイルパターンを有する磁性体セラミック層
用グリ−ンシ−トとを直接に積層・圧着した後、これを
同時に焼成し、しかる後、入出力端子やグランド端子と
なる外部電極を印刷することによって製造される。The above-described chip laminated LC filter is obtained by directly laminating and crimping a green sheet for a dielectric ceramic layer having a capacitor pattern and a green sheet for a magnetic ceramic layer having a coil pattern. This is fired at the same time, and thereafter, it is manufactured by printing external electrodes serving as input / output terminals and ground terminals.
【０００４】しかしながら、誘電体セラミック層と磁性
体セラミック層とを直接に積層したチップ積層ＬＣフィ
ルタにおいては、その焼成時に、誘電体セラミック層−
磁性体セラミック層間（または誘電体グリーンシート−
磁性体グリーンシート間）で各セラミック層の構成成分
が拡散し合うことがあった。[0004] However, in a chip laminated LC filter in which a dielectric ceramic layer and a magnetic ceramic layer are directly laminated, the dielectric ceramic layer-
Magnetic ceramic interlayer (or dielectric green sheet-
The constituent components of each ceramic layer sometimes diffused between the magnetic green sheets).
【０００５】このように、誘電体セラミック層や磁性体
セラミック層の構成成分が相互拡散すると、各セラミッ
ク層の電磁気特性が劣化したり、場合によっては、誘電
体セラミック層と磁性体セラミック層との剥離に至るこ
とがあった。また、数多くの誘電体セラミック原材料の
うち、磁性体セラミック原材料と同時焼結できる材料は
限られているため、各種の電磁気特性を十分に満足する
ようなチップ積層ＬＣフィルタは、その製造が極めて困
難であった。[0005] As described above, when the constituent components of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer interdiffuse, the electromagnetic characteristics of each ceramic layer are degraded, and in some cases, the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer are not separated. Peeling could occur. In addition, among the many dielectric ceramic materials, materials that can be simultaneously sintered with the magnetic ceramic materials are limited, and therefore, it is extremely difficult to manufacture a chip laminated LC filter that sufficiently satisfies various electromagnetic characteristics. Met.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記の問題点を解決す
るためには、誘電体セラミック層と磁性体セラミック層
との間に適当な中間層を介在させる手法が有効である。
たとえば、特開昭５９−９０９１５号公報、特開昭５８
−１７２８０４号公報、特公昭５９−３３２４７号公報
には、未焼成の誘電体セラミック層と同じく未焼成の磁
性体セラミック層との間に、誘電体セラミック原材料と
磁性体セラミック原材料との混合材料層、ガラス材料
層、あるいは金属材料層等を設けた後、それらを同時に
焼成することによってセラミック複合部品を製造する旨
開示されている。In order to solve the above-mentioned problems, it is effective to interpose an appropriate intermediate layer between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer.
For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 59-90915 and 58
JP-A-172804 and JP-B-59-33247 disclose a mixed material layer of a dielectric ceramic raw material and a magnetic ceramic raw material between an unfired dielectric ceramic layer and a similarly unfired magnetic ceramic layer. It is disclosed that a ceramic composite component is manufactured by providing a glass material layer, a metal material layer, and the like, and then firing them simultaneously.
【０００７】しかしながら、上述した構成の中間層を有
したセラミックセラミック複合部品では、その中間層に
おいて、誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との
間の内部応力を十分に緩和することができるものの、各
セラミック層の構成成分の相互拡散を十分に制御するこ
とは難しい。However, in the ceramic-ceramic composite component having the above-described intermediate layer, the internal stress in the intermediate layer between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer can be sufficiently reduced. It is difficult to sufficiently control the interdiffusion of the components of each ceramic layer.
【０００８】たとえば、中間層として金属材料層を用い
た場合、誘電体セラミック原材料または磁性体セラミッ
ク原材料がその焼成サイクル中に中間層を通過してしま
うことがある。また、中間層として誘電体セラミック原
材料および磁性体セラミック原材料の混合粉末層を適用
した場合、各セラミック層間の接着力向上は期待できる
ものの、各セラミック層の構成成分の相互拡散を高精度
に制御することは難しい。また、中間層としてガラス材
料層、特に非晶質ガラス材料層を用いると、誘電体セラ
ミック層または磁性体セラミック層がガラス成分を含有
する場合、その焼成サイクル中に、各セラミック層中の
ガラス成分が、その液相焼結過程で、中間層を通過して
しまうことがある。For example, when a metal material layer is used as the intermediate layer, the dielectric ceramic material or the magnetic ceramic raw material may pass through the intermediate layer during the firing cycle. In addition, when a mixed powder layer of a dielectric ceramic raw material and a magnetic ceramic raw material is applied as an intermediate layer, although the improvement of the adhesive strength between the ceramic layers can be expected, the mutual diffusion of the constituent components of each ceramic layer is controlled with high precision. It is difficult. Further, when a glass material layer, particularly an amorphous glass material layer, is used as the intermediate layer, when the dielectric ceramic layer or the magnetic ceramic layer contains a glass component, the glass component in each ceramic layer during the firing cycle. However, it may pass through the intermediate layer during the liquid phase sintering process.
【０００９】本発明は上述した実情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、互いに異なる組成を有したセラ
ミック層の間に、各セラミック層の構成成分の相互拡散
を抑制し得る中間層を配し、その電磁気特性等の変動が
最小限に抑制されたセラミック積層体およびその製造方
法、ならびに、このセラミック積層体を用いた電子部
品、この電子部品を備えた電子装置を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide an intermediate layer between ceramic layers having different compositions which can suppress the mutual diffusion of the constituent components of each ceramic layer. It is an object of the present invention to provide a ceramic laminate, a method of manufacturing the same, and an electronic component using the ceramic laminate, and an electronic device including the electronic component, in which variations in electromagnetic characteristics and the like are suppressed to a minimum. .
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、互
いに異なる組成を有した第１セラミック層と第２セラミ
ック層とを中間層を介して積層してなるセラミック積層
体において、前記中間層は、前記第１セラミック層およ
び前記第２セラミック層の焼結開始温度以上の結晶溶融
温度を有した結晶化ガラスを主成分としていることを特
徴とするセラミック積層体に係るものである。That is, the present invention provides a ceramic laminate comprising a first ceramic layer and a second ceramic layer having mutually different compositions laminated with an intermediate layer interposed therebetween. The present invention relates to a ceramic laminate comprising, as a main component, crystallized glass having a crystal melting temperature equal to or higher than a sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer.
【００１１】本発明のセラミック積層体において、前記
結晶化ガラスの結晶溶融温度は、前記第１セラミック層
および前記第２セラミック層の焼結開始温度よりも５℃
以上高いことを特徴とする。In the ceramic laminate of the present invention, the crystallizing temperature of the crystallized glass is 5 ° C. lower than the sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer.
Or higher.
【００１２】また、本発明のセラミック積層体におい
て、前記結晶化ガラスの結晶溶融温度は、前記第１セラ
ミック層および前記第２セラミック層の焼結温度以上で
あることを特徴とする。Further, in the ceramic laminate of the present invention, a crystal melting temperature of the crystallized glass is not lower than a sintering temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer.
【００１３】また、本発明のセラミック積層体におい
て、前記第１セラミック層および前記第２セラミック層
は、少なくともガラス成分を含有したガラスセラミック
層であることを特徴とする。Further, in the ceramic laminate of the present invention, the first ceramic layer and the second ceramic layer are glass ceramic layers containing at least a glass component.
【００１４】また、本発明のセラミック積層体におい
て、前記第１セラミック層は誘電体セラミック層であっ
て、前記第２セラミック層は磁性体セラミック層である
ことを特徴とする。In the ceramic laminate of the present invention, the first ceramic layer is a dielectric ceramic layer, and the second ceramic layer is a magnetic ceramic layer.
【００１５】また、本発明のセラミック積層体におい
て、前記中間層は、 アルカリ金属酸化物：１〜１５モル％、 アルカリ土類金属酸化物：２０〜７０モル％、 酸化ケイ素：５〜６０モル％、 酸化ビスマス：０．５〜７０モル％ 酸化チタン：５０モル％以下、 酸化銅：５０モル％以下、 からなる結晶化ガラスを主成分とすることを特徴とす
る。Further, in the ceramic laminate of the present invention, the intermediate layer comprises: alkali metal oxide: 1 to 15 mol%, alkaline earth metal oxide: 20 to 70 mol%, silicon oxide: 5 to 60 mol% Bismuth oxide: 0.5 to 70 mol% Titanium oxide: 50 mol% or less, copper oxide: 50 mol% or less The main component is crystallized glass.
【００１６】また、本発明のセラミック積層体におい
て、前記誘電体セラミック層は、ＢａＯ：８５〜９９モ
ル％、ＣａＯ：１〜１５モル％、ＴｉＯ2：７０〜９５
モル％、ＺｒＯ2：５〜３０モル％、を含有しているこ
とを特徴とする。Further, in the ceramic laminate of the present invention, the dielectric ceramic layer comprises BaO: 85 to 99 mol%, CaO: 1 to 15 mol%, and TiO 2 : 70 to 95 mol%.
Mol%, ZrO 2 : 5 to 30 mol%.
【００１７】また、本発明のセラミック積層体におい
て、前記磁性体セラミック層は、Ｆｅ2Ｏ3：４５〜５０
モル％、ＮｉＯ：１０〜４０モル％、ＺｎＯ：１〜３５
モル％、ＣｕＯ：５〜１５モル％を含有していることを
特徴とする。In the ceramic laminate according to the present invention, the magnetic ceramic layer is formed of Fe 2 O 3 : 45-50.
Mol%, NiO: 10 to 40 mol%, ZnO: 1 to 35
Mol%, CuO: 5 to 15 mol%.
【００１８】また、本発明は、本発明のセラミック積層
体を製造するに際し、前記第１セラミック層、前記第２
セラミック層および前記中間層を同時焼成によって形成
することを特徴とするセラミック積層体の製造方法を提
供するものである。Further, the present invention provides a method for manufacturing the ceramic laminate of the present invention, wherein the first ceramic layer and the second
It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a ceramic laminate, wherein a ceramic layer and the intermediate layer are formed by simultaneous firing.
【００１９】さらに、本発明は、本発明のセラミック積
層体に、所定の導体パターンを備えていることを特徴と
する電子部品を提供するものである。Further, the present invention provides an electronic component characterized in that the ceramic laminate of the present invention is provided with a predetermined conductor pattern.
【００２０】本発明の電子部品において、前記導体パタ
ーンは、Ａｕ系導体材料、Ａｇ系導体材料またはＣｕ系
導体材料で形成されていることを特徴とする。In the electronic component according to the present invention, the conductive pattern is formed of an Au-based conductive material, an Ag-based conductive material, or a Cu-based conductive material.
【００２１】また、本発明の電子部品において、前記セ
ラミック積層体の少なくとも一方主面上には、実装部品
が搭載されていることを特徴とする。Further, in the electronic component according to the present invention, a mounted component is mounted on at least one principal surface of the ceramic laminate.
【００２２】また、本発明は、本発明の電子部品を備え
ることを特徴とする電子装置を提供するものである。Further, the present invention provides an electronic device comprising the electronic component of the present invention.
【００２３】本発明のセラミック積層体によれば、前記
中間層は、前記第１セラミック層および前記第２セラミ
ック層の焼結開始温度以上の結晶溶融温度を有した結晶
化ガラスを主成分としており、前記第１セラミック層お
よび前記第２セラミック層の焼結開始温度では、前記中
間層は結晶化度が高い状態にあるため、前記第１セラミ
ック層および前記第２セラミック層の焼結が開始して、
その流動性が高くなった状態でも、前記中間層がその隔
壁の役割を果たすことになり、前記第１セラミック層、
前記第２セラミック層の相互拡散による特性変動を十分
に抑制することができる。According to the ceramic laminate of the present invention, the intermediate layer is mainly composed of crystallized glass having a crystal melting temperature higher than the sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer. At the sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer, the sintering of the first ceramic layer and the second ceramic layer starts because the intermediate layer has a high crystallinity. hand,
Even in a state where the fluidity is high, the intermediate layer plays a role of the partition wall, and the first ceramic layer,
Variations in characteristics due to mutual diffusion of the second ceramic layer can be sufficiently suppressed.
【００２４】なお、本発明において、結晶化ガラスと
は、その結晶化開始温度にて結晶核を形成し、この結晶
核をもとに結晶が成長、析出し得る結晶質のガラスであ
る。つまり、本発明においては、セラミック積層体の焼
成サイクル中、前記中間層の結晶化ガラスは、結晶化開
始温度以上で結晶化されることによって、もとのガラス
よりも粘度が上昇し、機械的強度が高くなったうえ、他
の材料との反応性の低いものとなる。なお、前記結晶化
ガラスの結晶溶融温度とは、成長した結晶が完全に融解
し、その粘度が最も低下する温度を意味する。In the present invention, the crystallized glass is a crystalline glass capable of forming a crystal nucleus at the crystallization start temperature and growing and precipitating a crystal based on the crystal nucleus. In other words, in the present invention, during the firing cycle of the ceramic laminate, the crystallized glass of the intermediate layer is crystallized at a crystallization start temperature or higher, so that the viscosity is higher than that of the original glass, and The strength is increased and the reactivity with other materials is low. In addition, the crystal melting temperature of the crystallized glass means a temperature at which the grown crystal is completely melted and its viscosity is reduced most.
【００２５】また、本発明において、第１セラミック層
および第２セラミック層の焼結開始温度とは、各セラミ
ック層におけるセラミック粒子間の焼結が開始すること
で、焼成収縮（緻密化）が始まる温度を意味し、また、
第１セラミック層および第２セラミック層の焼結温度と
は、各層の緻密化が達成され、焼結が完了する温度（焼
成サイクルにおける最高温度）を意味する。In the present invention, the sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer refers to the start of sintering between the ceramic particles in each ceramic layer, and the firing shrinkage (densification) starts. Means temperature and also
The sintering temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer means a temperature at which densification of each layer is achieved and sintering is completed (the highest temperature in a firing cycle).
【００２６】また、本発明のセラミック積層体の製造方
法によれば、本発明のセラミック積層体を製造するに際
し、前記第１セラミック層、前記第２セラミック層およ
び前記中間層を同時に焼成するので、第１セラミック
層、第２セラミック層の特性変動を十分に抑制した上
で、接合強度の高いセラミック積層体を製造することが
できる。According to the method for manufacturing a ceramic laminate of the present invention, when manufacturing the ceramic laminate of the present invention, the first ceramic layer, the second ceramic layer, and the intermediate layer are simultaneously fired. It is possible to manufacture a ceramic laminate having high bonding strength while sufficiently suppressing the variation in the characteristics of the first ceramic layer and the second ceramic layer.
【００２７】さらに、本発明の電子部品によれば、本発
明のセラミック積層体に導体パターンや各種の実装部品
を搭載されたものであるため、第１セラミック層および
第２セラミック層の電磁気特性等が十分保持されてお
り、かつ、各セラミック層が高強度に接合されており、
電磁気特性に優れ、信頼性の高い電子部品となる。ま
た、この電子部品を用いた電子装置は、電磁気特性に選
れ、信頼性の高い移動体通信機器等の電子装置となる。Further, according to the electronic component of the present invention, since the conductor pattern and various mounting components are mounted on the ceramic laminate of the present invention, the electromagnetic characteristics and the like of the first ceramic layer and the second ceramic layer. Is sufficiently held, and each ceramic layer is joined with high strength,
It is an electronic component with excellent electromagnetic characteristics and high reliability. Further, an electronic device using this electronic component is an electronic device such as a mobile communication device having high electromagnetic characteristics and high reliability.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】本発明において、前記結晶化ガラ
スの結晶溶融温度は、前記第１セラミック層および前記
第２セラミック層の焼結開始温度よりも５℃以上高いこ
とが望ましい。その差が５℃以上であれば、前記第１セ
ラミック層および前記第２セラミック層の焼結サイクル
中、前記中間層における結晶化ガラスの流動、拡散を抑
制し、前記第１セラミック層および前記第２セラミック
層の構成成分の拡散量を最小限に抑えることができる。
なお、前記結晶溶融温度は、前記第１セラミック層およ
び前記第２セラミック層の焼結開始温度よりも１０℃以
上高いことがさらに望ましい。In the present invention, it is desirable that the crystal melting temperature of the crystallized glass is higher than the sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer by 5 ° C. or more. When the difference is 5 ° C. or more, during the sintering cycle of the first ceramic layer and the second ceramic layer, the flow and diffusion of the crystallized glass in the intermediate layer are suppressed, and the first ceramic layer and the second The diffusion amount of the components of the two ceramic layers can be minimized.
It is more desirable that the crystal melting temperature is higher than the sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer by 10 ° C. or more.
【００２９】さらに、前記結晶化ガラスの結晶溶融温度
は、前記第１セラミック層および前記第２セラミック層
の焼結温度以上であることが望ましい。すなわち、前記
結晶化ガラスの結晶溶融温度が、前記第１セラミック層
および前記第２セラミック層の焼結温度以上であれば、
前記第１セラミック層および前記第２セラミック層の焼
結サイクル中、前記中間層は結晶化度の極めて高い状態
にあり、これが隔壁の役割を十分に果たすことになる。Further, the crystal melting temperature of the crystallized glass is desirably equal to or higher than the sintering temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer. That is, if the crystal melting temperature of the crystallized glass is equal to or higher than the sintering temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer,
During the sintering cycle of the first ceramic layer and the second ceramic layer, the intermediate layer is in a state of extremely high crystallinity, which sufficiently serves as a partition.
【００３０】なお、前記結晶化ガラスは、その結晶化開
始温度が、前記第１セラミック層および前記第２セラミ
ック層の焼結開始温度よりも低いことが望ましい。つま
り、前記第１セラミック層および前記第２セラミック層
の焼結開始の時点で、前記中間層における結晶化ガラス
は結晶化していることが望ましい。Preferably, the crystallized glass has a crystallization start temperature lower than a sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer. That is, the crystallized glass in the intermediate layer is desirably crystallized at the time of starting the sintering of the first ceramic layer and the second ceramic layer.
【００３１】このように、第１セラミック層および第２
セラミック層の焼結開始温度、焼結温度に対して、中間
層の主構成成分である結晶化ガラスの結晶溶融温度を上
述したように設計することによって、各種セラミック層
同士の相互拡散を十分に抑制することができる。特に、
積層するセラミック層について、その原料の選択幅を広
げることが可能であるので、たとえば、チップ多層ＬＣ
フィルタにおいては、その中心周波数、通過帯域幅、帯
域内挿入損失、減衰量、許容電力幅などの電磁気特性や
サイズ等の設計の自由度が向上する。Thus, the first ceramic layer and the second
By designing the crystal melting temperature of the crystallized glass, which is the main component of the intermediate layer, as described above with respect to the sintering temperature and sintering temperature of the ceramic layer, mutual diffusion between the various ceramic layers can be sufficiently achieved. Can be suppressed. In particular,
For the ceramic layers to be laminated, it is possible to widen the selection range of the raw materials.
In the filter, the degree of freedom in designing the electromagnetic characteristics such as the center frequency, the pass band width, the insertion loss in the band, the attenuation, the allowable power width, and the size is improved.
【００３２】さらに、中間層を上述したように設計する
ことによって、特に焼成サイクル初期における各セラミ
ック層と中間層との濡れ性が向上し、互いが強固に接合
されるため、各種の電子部品として信頼性も向上する。Further, by designing the intermediate layer as described above, the wettability of each ceramic layer and the intermediate layer is improved particularly in the early stage of the firing cycle, and the intermediate layer is firmly joined to each other. Reliability is also improved.
【００３３】また、本発明において、前記第１セラミッ
ク層および前記第２セラミック層は、少なくともガラス
成分が含有されているガラスセラミック層であってよ
い。一般に、ガラス成分とセラミック成分とを混合した
ガラスセラミック組成物を焼成してなるガラスセラミッ
ク層は、液相焼結を伴うため、液相形成成分、つまりガ
ラス成分の拡散・流動が大きくなる傾向にある。そのた
め、互いに異なる組成を有するセラミック層同士を接合
した場合、その界面にて、ガラスセラミック組成物中の
ガラス成分が相互拡散し、電磁気特性等が変動し易い。
これに対して、本発明によれば、ガラスセラミック組成
物を焼成する際にも、それらの特性を変動させず、か
つ、接合強度に優れたセラミック積層体を実現できる。In the present invention, the first ceramic layer and the second ceramic layer may be glass ceramic layers containing at least a glass component. Generally, a glass-ceramic layer formed by firing a glass-ceramic composition in which a glass component and a ceramic component are mixed is accompanied by liquid-phase sintering. is there. Therefore, when ceramic layers having different compositions are joined to each other, the glass components in the glass ceramic composition are mutually diffused at the interface, and the electromagnetic characteristics and the like are likely to fluctuate.
On the other hand, according to the present invention, even when firing the glass ceramic composition, it is possible to realize a ceramic laminate that does not change their properties and has excellent bonding strength.
【００３４】また、本発明において、前記第１セラミッ
ク層を、コンデンサパターン等を有する誘電体セラミッ
ク層とし、前記第２セラミック層を、コイルパターン等
を有する磁性体セラミック層とすることができる。つま
り、本発明のセラミック積層体は、誘電体セラミック層
と磁性体セラミック層とを積層してなるＬＣ複合部品
（たとえば、チップ積層ＬＣフィルタ）に適用すること
ができる。なお、ここで言うコイルパターンは、スパイ
ラル状のパターンに限定されるものではない。In the present invention, the first ceramic layer may be a dielectric ceramic layer having a capacitor pattern and the like, and the second ceramic layer may be a magnetic ceramic layer having a coil pattern and the like. That is, the ceramic laminate of the present invention can be applied to an LC composite component (for example, a chip laminated LC filter) formed by laminating a dielectric ceramic layer and a magnetic ceramic layer. In addition, the coil pattern referred to here is not limited to a spiral pattern.
【００３５】特に、本発明をＬＣ複合部品に適用する場
合、前記中間層は、アルカリ金属酸化物：１〜１５モル
％、アルカリ土類金属酸化物：２０〜７０モル％、酸化
ケイ素：５〜６０モル％、酸化ビスマス：０．５〜７０
モル％、酸化チタン：５０モル％以下、酸化銅：５０モ
ル％以下の材料組成比を満たす結晶化ガラスを主成分と
することが望ましい。In particular, when the present invention is applied to an LC composite component, the intermediate layer comprises an alkali metal oxide: 1 to 15 mol%, an alkaline earth metal oxide: 20 to 70 mol%, and silicon oxide: 5 to 5 mol%. 60 mol%, bismuth oxide: 0.5 to 70
It is preferable that the main component be a crystallized glass that satisfies a material composition ratio of mol%, titanium oxide: 50 mol% or less, and copper oxide: 50 mol% or less.
【００３６】この場合、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ等の
アルカリ金属酸化物は、中間層における結晶化ガラスの
粘度を低下させ、第１セラミック層および第２セラミッ
ク層と中間層との濡れ性を向上させる働きを有する。な
お、その含有量が１モル％未満であると、濡れ性が低下
し、中間層と第１セラミック層および第２セラミック層
との接合強度が低下することがある。他方、その含有量
が１５モル％を超えると、第１セラミック層および第２
セラミック層へアルカリ金属酸化物が拡散し、特性劣化
の原因となることがある。In this case, the alkali metal oxides such as Li 2 O, Na 2 O and K 2 O reduce the viscosity of the crystallized glass in the intermediate layer, and the first ceramic layer, the second ceramic layer and the intermediate layer Has the function of improving the wettability of If the content is less than 1 mol%, the wettability may decrease, and the bonding strength between the intermediate layer and the first and second ceramic layers may decrease. On the other hand, if the content exceeds 15 mol%, the first ceramic layer and the second
In some cases, the alkali metal oxide diffuses into the ceramic layer, causing deterioration of characteristics.
【００３７】また、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等
のアルカリ土類金属酸化物は、中間層における結晶化ガ
ラスの焼結性を促進させる働きを有するが、その含有量
が２０モル％未満であると、焼結不足に陥ることがあ
る。他方、その含有量が７０モル％を超えると、結晶化
ガラスの結晶化開始温度が上昇して、１０００℃以下で
の焼結が難しくなることがある。Further, alkaline earth metal oxides such as MgO, CaO, SrO and BaO have a function of promoting the sinterability of crystallized glass in the intermediate layer, but the content thereof is less than 20 mol%. Sintering may occur. On the other hand, if the content exceeds 70 mol%, the crystallization start temperature of the crystallized glass increases, and sintering at 1000 ° C. or lower may be difficult.
【００３８】また、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）は、中間層
における結晶化ガラスの骨組みを構成するが、その含有
量が５モル％未満であると、結晶化ガラスの収縮率のば
らつきが大きくなり、第１セラミック層および第２セラ
ミック層と中間層との接合強度が低下することがある。
他方、その含有量が６０モル％を超えると、結晶化溶融
温度が高くなり、１５００℃以下では結晶化しないこと
がある。Further, silicon oxide (SiO 2 ) forms the framework of the crystallized glass in the intermediate layer. If the content is less than 5 mol%, the variation in the shrinkage of the crystallized glass becomes large, The bonding strength between the first ceramic layer and the second ceramic layer and the intermediate layer may decrease.
On the other hand, if the content exceeds 60 mol%, the crystallization melting temperature becomes high, and crystallization may not occur at 1500 ° C or lower.
【００３９】また、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）は、中間
層のガラス粘度を低下させ、第１セラミック層および第
２セラミック層と中間層との接合強度を向上させる働き
を有する。しかしながら、その含有量が０．５モル％未
満であると、第１セラミック層および第２セラミック層
と中間層との接着強度が若干低下することがある。他
方、その含有量が７０モル％を超えると、この成分が第
１セラミック層および第２セラミック層に形成される内
部電極と反応し、各種の電磁気特性を劣化させることが
ある。Bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) has the function of reducing the glass viscosity of the intermediate layer and improving the bonding strength between the first ceramic layer and the second ceramic layer and the intermediate layer. However, if the content is less than 0.5 mol%, the adhesive strength between the first ceramic layer and the second ceramic layer and the intermediate layer may be slightly reduced. On the other hand, if the content exceeds 70 mol%, this component reacts with the internal electrodes formed in the first ceramic layer and the second ceramic layer, and may degrade various electromagnetic characteristics.
【００４０】また、酸化チタン（ＴｉＯ2）は、中間層
の化学的耐久性を高める働きをする。酸化チタンは、中
間層の構成材料中に全く含有されていなくても構わない
が、その含有量が、ＴｉＯ2換算で、５０モル％を超え
ると、結晶化ガラスの溶融温度が高くなりすぎることが
ある。Titanium oxide (TiO 2 ) also serves to increase the chemical durability of the intermediate layer. Titanium oxide may not be contained in the constituent material of the intermediate layer at all, but if its content exceeds 50 mol% in terms of TiO 2 , the melting temperature of the crystallized glass becomes too high. There is.
【００４１】また、酸化銅（ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ等）は、
結晶化ガラスの結晶化材としての働きを有する。しかし
ながら、その含有量が、ＣｕＯ換算で、５０モル％を超
えると、酸化銅中の銅イオンが第１セラミック層および
第２セラミック層へ拡散し易くなり、その電磁気特性を
劣化させることがある。Further, copper oxide (CuO, Cu 2 O, etc.)
It functions as a crystallizing material for crystallized glass. However, if the content exceeds 50 mol% in terms of CuO, copper ions in copper oxide tend to diffuse into the first ceramic layer and the second ceramic layer, which may deteriorate the electromagnetic characteristics.
【００４２】また、本発明をＬＣ複合部品に適用する場
合、前記誘電体セラミック層は、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｔｉ
Ｏ2−ＺｒＯ2系の誘電体セラミック原材料からなること
が望ましく、その組成比は、ＢａＯ：８５〜９９モル
％、ＣａＯ：１〜１５モル％、ＴｉＯ2：７０〜９５モ
ル％、ＺｒＯ2：５〜３０モル％を満たすことが望まし
い。誘電体セラミック層をこのような材料組成に特定す
ることで、比誘電率８００以上、誘電体損失１％以下を
十分に達成することができる。When the present invention is applied to an LC composite component, the dielectric ceramic layer is made of BaO—CaO—Ti
O 2 -ZrO desirably composed of two systems of the dielectric ceramic raw materials, the composition ratio, BaO: 85 to 99 mol%, CaO: 1 to 15 mol%, TiO 2: 70 to 95 mol%, ZrO 2: It is desirable to satisfy 5 to 30 mol%. By specifying the dielectric ceramic layer with such a material composition, a relative dielectric constant of 800 or more and a dielectric loss of 1% or less can be sufficiently achieved.
【００４３】また、前記磁性体セラミック層は、Ｆｅ2
Ｏ3−ＮｉＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ系の磁性体セラミック原
材料からなることが望ましく、その材料組成比は、Ｆｅ
2Ｏ3：４５〜５０モル％、ＮｉＯ：１０〜４０モル％、
ＺｎＯ：１〜３５モル％、ＣｕＯ：５〜１５モル％を満
たすことが望ましい。磁性体セラミック層をこのような
材料組成に特定することで、磁性体の初透磁率が１５〜
９００を十分に達成でき、使用周波数範囲１０ＭＨｚ〜
５００ＭＨｚに対応することができる。The magnetic ceramic layer is made of Fe 2
It is desirable to use a magnetic ceramic raw material based on O 3 —NiO—ZnO—CuO.
2 O 3 : 45 to 50 mol%, NiO: 10 to 40 mol%,
It is desirable to satisfy ZnO: 1 to 35 mol% and CuO: 5 to 15 mol%. By specifying the magnetic material ceramic layer to such a material composition, the magnetic material has an initial permeability of 15 to
900 can be sufficiently achieved, and the operating frequency range is 10 MHz to
It can correspond to 500 MHz.
【００４４】そして、本発明をＬＣ複合部品に適用する
場合、前記コンデンサパターンおよび前記コイルパター
ンを、Ａｕ系、Ａｇ系またはＣｕ系の導体材料で形成す
ることが望ましい。これらの導体材料は比抵抗が小さ
く、高周波特性に優れたＬＣ複合部品を構成することが
できる。また、第１セラミック層や第２セラミック層に
設けられる電極パターン用原材料は、これらの導体材料
に限定されるものではなく、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ等、種々
の金属あるいは合金を使用することができる。When the present invention is applied to an LC composite component, it is desirable that the capacitor pattern and the coil pattern are formed of an Au-based, Ag-based, or Cu-based conductor material. These conductor materials have a low specific resistance and can constitute an LC composite component having excellent high-frequency characteristics. In addition, the raw material for the electrode pattern provided in the first ceramic layer and the second ceramic layer is not limited to these conductor materials, and various metals or alloys such as Ni, Pd, and Pt can be used. .
【００４５】次に、本発明のセラミック積層体を用いた
電子部品として、チップ積層ＬＣフィルタを例にとって
説明する。Next, a chip laminated LC filter will be described as an example of an electronic component using the ceramic laminate of the present invention.
【００４６】本実施の形態によるチップ積層ＬＣフィル
タ１３は、図１に示すように、上述したＢａＯ−ＣａＯ
−ＴｉＯ2−ＺｒＯ2系の誘電体セラミック原材料からな
る誘電体セラミック層９と、上述したＦｅ2Ｏ3−ＮｉＯ
−ＺｎＯ−ＣｕＯ系の磁性体セラミック原材料からなる
磁性体セラミック層８との間に、上述した材料組成比を
満たす結晶化ガラスを主成分とした中間層７を有したせ
ラミック積層体１０を備えている。As shown in FIG. 1, the chip laminated LC filter 13 according to the present embodiment has the above-described BaO—CaO
A dielectric ceramic layer 9 made of a dielectric ceramic raw materials -TiO 2 -ZrO 2 based, Fe 2 O 3 -NiO described above
A laminating laminate 10 having an intermediate layer 7 mainly composed of crystallized glass satisfying the above-mentioned material composition ratio, between a magnetic ceramic layer 8 made of a ZnO-CuO-based magnetic ceramic raw material. ing.
【００４７】そして、誘電体セラミック層９の内部に
は、キャパシタンスを形成するコンデンサパターン６が
形成されており、他方、磁性体セラミック層８の内部に
は、インダクタンスを形成するコイルパターン５が形成
されている。また、コンデンサパターン６、インダクタ
パターン５は、図示しないビアホールを介して所定のＬ
Ｃ共振回路を形成している。A capacitor pattern 6 for forming a capacitance is formed inside the dielectric ceramic layer 9, while a coil pattern 5 for forming an inductance is formed inside the magnetic ceramic layer 8. ing. The capacitor pattern 6 and the inductor pattern 5 are connected to a predetermined L via a not-shown via hole.
A C resonance circuit is formed.
【００４８】さらに、セラミック積層体１０の端部に
は、入出力端子極１１ａ、１１ｂとなる外部電極がそれ
ぞれ形成されており、誘電体セラミック層９内のコンデ
ンサパターン６がこれら入出力端子１１ａ、１１ｂに導
通している。Further, external electrodes serving as input / output terminal poles 11a and 11b are formed at the ends of the ceramic laminate 10, respectively, and the capacitor pattern 6 in the dielectric ceramic layer 9 is connected to the input / output terminals 11a and 11b. 11b.
【００４９】チップ積層ＬＣフィルタ１３において、中
間層７を主に構成する結晶化ガラスは、誘電体セラミッ
ク層９および磁性体セラミック層８の焼結開始温度以上
の結晶溶融温度（望ましくは、各セラミック層の焼結開
始温度よりも５℃以上高い結晶溶融温度、さらに望まし
くは各セラミック層の焼結温度以上の結晶溶融温度）を
有している。また、この結晶化ガラスは、各セラミック
層の焼結開始温度よりも低い結晶化開始温度、あるい
は、各セラミック層の焼結温度よりも低い結晶化開始温
度を有しており、誘電体セラミック層９および磁性体セ
ラミック層８の焼結開始温度で、中間層７は、結晶化度
の高い状態になっている。In the chip laminated LC filter 13, the crystallized glass mainly forming the intermediate layer 7 is a crystal melting temperature (preferably each ceramic) above the sintering start temperature of the dielectric ceramic layer 9 and the magnetic ceramic layer 8. It has a crystal melting temperature higher than the sintering temperature of the layer by 5 ° C. or more, more preferably a crystal melting temperature higher than the sintering temperature of each ceramic layer. The crystallized glass has a crystallization start temperature lower than the sintering start temperature of each ceramic layer, or a crystallization start temperature lower than the sintering temperature of each ceramic layer. At the sintering start temperature of 9 and the magnetic ceramic layer 8, the intermediate layer 7 is in a state of high crystallinity.
【００５０】すなわち、チップ積層ＬＣフィルタ１３
は、誘電体セラミック層９と磁性体セラミック層８との
間に、その焼成サイクル中、各セラミック層の構成成分
に対して隔壁の役割を果たす中間体７を有している。つ
まり、中間層７は、誘電体セラミック層９側からの誘電
体セラミック成分および磁性体セラミック層８側からの
磁性体セラミック成分（フェライト成分）の拡散を十分
に制御しており、具体的には、中間層７中のＭｅＯ（Ｍ
ｅはアルカリ土類金属）とＴｉＯ2が誘電体セラミック
層９側からの誘電体セラミック成分の拡散と、これに伴
う磁性体セラミック層８側からの磁性体セラミック成分
の相互拡散を制御していると考えられる。但し、中間層
７が良好な接合性を達成するためには、結晶化ガラスの
反応性、ガラス化温度および粘度を制御することが望ま
しく、必要に応じて、Ｌｉ2Ｏ、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃ
ｕＯ等を適量添加する。That is, the chip laminated LC filter 13
Has an intermediate 7 between the dielectric ceramic layer 9 and the magnetic ceramic layer 8, which acts as a partition wall for the components of each ceramic layer during the firing cycle. That is, the intermediate layer 7 sufficiently controls the diffusion of the dielectric ceramic component from the dielectric ceramic layer 9 side and the diffusion of the magnetic ceramic component (ferrite component) from the magnetic ceramic layer 8 side. , MeO (M
e is an alkaline earth metal) and TiO 2 controls the diffusion of the dielectric ceramic component from the dielectric ceramic layer 9 side and the accompanying mutual diffusion of the magnetic ceramic component from the magnetic ceramic layer 8 side. it is conceivable that. However, it is desirable to control the reactivity, vitrification temperature and viscosity of the crystallized glass in order to achieve good bonding properties of the intermediate layer 7, and if necessary, Li 2 O, SiO 2 , Bi 2 O 3 , C
An appropriate amount of uO or the like is added.
【００５１】さらに、チップ積層ＬＣフィルタ１３は、
その焼成サイクル中、中間層７が各セラミック層の強固
な接合に必要な一定量のガラス成分を誘電体セラミック
層９側および磁性体セラミック層８側に拡散させる。こ
の拡散反応は液相反応であり、固相反応による接合と比
較して、接合面にかかる応力を著しく低減することがで
き、誘電体セラミック層９と磁性体セラミック層８の高
い接合強度が実現される。Further, the chip laminated LC filter 13
During the firing cycle, the intermediate layer 7 diffuses a certain amount of glass component necessary for firm joining of the ceramic layers to the dielectric ceramic layer 9 side and the magnetic ceramic layer 8 side. This diffusion reaction is a liquid phase reaction, and can significantly reduce the stress applied to the bonding surface as compared with the bonding by the solid phase reaction, thereby realizing a high bonding strength between the dielectric ceramic layer 9 and the magnetic ceramic layer 8. Is done.
【００５２】次に、図１に示したチップ積層ＬＣフィル
タ１３の製造方法例を図２〜図４を参照に説明する。Next, an example of a method of manufacturing the chip laminated LC filter 13 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
【００５３】まず、誘電体セラミック層９の材料とし
て、上述したＢａＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ 2−ＺｒＯ2系の誘
電体セラミック原料粉末を準備し、この原料粉末に適量
のバインダ、可塑剤、分散剤、溶剤を加えて混合し、誘
電体セラミック層用スラリ−を得る。次に、ドクタ−ブ
レ−ド法等によって、誘電体セラミック層用スラリーを
シート状に成形した後、必要に応じて、このシート状成
形物に、Ａｕ系、Ａｇ系またはＣｕ系の導体ペーストに
よって、ビアホールおよび導体パターンを形成し、図２
に示すように、コンデンサパターン６を有する誘電体セ
ラミック層用グリーンシート３を複数枚作製する。First, the material of the dielectric ceramic layer 9 is
The above-mentioned BaO-CaO-TiO Two-ZrOTwoSystem invitation
Prepare an electric ceramic raw material powder and add an appropriate amount to this raw material powder.
Binder, plasticizer, dispersant, and solvent
A slurry for an electric ceramic layer is obtained. Next, doctor
The slurry for the dielectric ceramic layer is formed by a reed method or the like.
After forming into a sheet, if necessary, this sheet
For shaped objects, Au-based, Ag-based or Cu-based conductor paste
Therefore, a via hole and a conductor pattern are formed, and FIG.
As shown in FIG.
A plurality of green sheets 3 for a lamic layer are produced.
【００５４】また、磁性体セラミック層８の材料とし
て、上述したＦｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ系の磁
性体セラミック原料粉末を準備し、この原料粉末に適量
のバインダ、可塑剤、分散剤、溶剤を加えて混合し、磁
性体セラミック層用スラリ−を得る。次に、ドクタ−ブ
レ−ド法等によって、磁性体セラミック層用スラリーを
シート状に成形した後、必要に応じて、このシート状成
形物に、Ａｕ系、Ａｇ系またはＣｕ系の導体ペーストに
よって、ビアホールおよび導体パターンを形成し、図２
に示すように、コイルパターン５を有する磁性体セラミ
ック層用グリーンシート２を複数枚作製する。As a material of the magnetic ceramic layer 8, the above-mentioned Fe 2 O 3 —NiO—ZnO—CuO-based magnetic ceramic raw material powder is prepared, and an appropriate amount of a binder, a plasticizer, and a dispersant are added to the raw material powder. , A solvent is added and mixed to obtain a slurry for the magnetic ceramic layer. Next, the slurry for the magnetic ceramic layer is formed into a sheet by a doctor blade method or the like, and then, if necessary, an Au-based, Ag-based, or Cu-based conductor paste is added to the sheet-shaped molded product. , Via holes and conductive patterns are formed, and FIG.
As shown in (1), a plurality of green sheets 2 for a magnetic ceramic layer having a coil pattern 5 are prepared.
【００５５】さらに、中間層７の材料として、上述した
材料組成比を満たす結晶化ガラス原料粉末を準備し、こ
の原料粉末に適量のバインダ、可塑剤、分散剤、溶剤を
加えて混合してスラリ−を得る。次に、ドクタ−ブレ−
ド法等によって、前記スラリーをシート状に成形し、図
２に示すように、中間層用グリーンシート１を複数枚作
製する。Further, as a material for the intermediate layer 7, a crystallized glass raw material powder satisfying the above-mentioned material composition ratio is prepared, and an appropriate amount of a binder, a plasticizer, a dispersant, and a solvent are added to the raw material powder and mixed to obtain a slurry. -Is obtained. Next, doctor-blur
The slurry is formed into a sheet shape by a dry method or the like, and a plurality of intermediate layer green sheets 1 are prepared as shown in FIG.
【００５６】そして、中間層用グリーンシート１、磁性
体セラミック層用グリーンシート２および誘電体セラミ
ック層用グリーンシート３を所定の寸法にカットし、こ
れを図２に示す順に、積み重ねた後、これを一括して圧
着することにより、未焼成の積層体ブロックを形成す
る。Then, the green sheet 1 for the intermediate layer, the green sheet 2 for the magnetic ceramic layer, and the green sheet 3 for the dielectric ceramic layer are cut into predetermined dimensions, which are stacked in the order shown in FIG. Are pressed at once to form an unfired laminate block.
【００５７】次いで、この積層体ブロックを、たとえ
ば、空気中、５００℃程度で脱バインダ処理した後、９
００℃で２時間程度、焼成処理を施すことにより、緻密
なセラミック積層体１０を完成する。その後、Ａｕ系、
Ａｇ系またはＣｕ系の導体ペーストによって、コイルパ
ターン５に導通した入出力端子１１ａ、１１ｂ、ならび
にコンデンサパターン６に導通したグランド端子１２
ａ、１２ｂをそれぞれ形成し、これを８００℃程度で焼
き付けることによって、図３に示すような外観のチップ
積層ＬＣフィルタ１３を完成する。なお、このチップ積
層ＬＣフィルタ１３は、図４に示すような等価回路を有
する。Next, the laminate block is subjected to a binder removal treatment at, for example, about 500 ° C. in air.
By performing a baking treatment at 00 ° C. for about 2 hours, the dense ceramic laminate 10 is completed. Then, Au system,
The input / output terminals 11a and 11b electrically connected to the coil pattern 5 and the ground terminal 12 electrically connected to the capacitor pattern 6 by an Ag-based or Cu-based conductive paste.
a and 12b are formed and baked at about 800 ° C. to complete the chip laminated LC filter 13 having the appearance as shown in FIG. The chip laminated LC filter 13 has an equivalent circuit as shown in FIG.
【００５８】上述した方法によれば、セラミック積層体
１０を製造するに際し、誘電体セラミック層９、磁性体
セラミック層８および中間層７を同時焼成によって形成
するので、各セラミック層の接合強度を大幅に改善する
と共に、各セラミック層間の相互拡散を抑制して、特性
変動の少ないセラミック積層体１０、ひいてはチップ積
層ＬＣフィルタ１３を容易にかつ効率良く製造すること
ができる。According to the above-described method, the dielectric ceramic layer 9, the magnetic ceramic layer 8 and the intermediate layer 7 are formed by simultaneous firing when the ceramic laminate 10 is manufactured. In addition, the inter-diffusion between the ceramic layers is suppressed, and the ceramic laminated body 10 with little characteristic fluctuation and the chip laminated LC filter 13 can be easily and efficiently manufactured.
【００５９】以上、本発明をチップ積層ＬＣフィルタ１
３について説明したが、本発明の電子部品は、上述のチ
ップ積層ＬＣフィルタに限定されるものではない。たと
えば、本発明の電子部品は、上述のセラミック積層体に
所定の導体パターンを備えたチップ積層セラミックコン
デンサやチップインダクタなどのチップ部品であっても
よいし、セラミック積層体に所定の導体パターンを備
え、かつ、セラミック積層体の少なくとも一方主面上
に、チップコンデンサやチップコイル、半導体ＩＣ等の
実装部品が搭載されたモジュール部品等にも適用可能で
ある。As described above, the present invention relates to a chip laminated LC filter 1
3 has been described, but the electronic component of the present invention is not limited to the above-described chip laminated LC filter. For example, the electronic component of the present invention may be a chip component such as a chip multilayer ceramic capacitor or a chip inductor provided with a predetermined conductor pattern on the above-described ceramic laminate, or provided with a predetermined conductor pattern on the ceramic laminate. The present invention is also applicable to a module component or the like in which a mounting component such as a chip capacitor, a chip coil, or a semiconductor IC is mounted on at least one main surface of the ceramic laminate.
【００６０】また、上述したように、誘電体セラミック
層、磁性体セラミック層および中間層は、各原料組成物
をシート状に成形したグリーンリートによって形成して
もよいが（グリーンシート積層法）、各原料組成物から
なるペーストを適当な仮焼に塗布して形成してもよい
（厚膜印刷法）。Further, as described above, the dielectric ceramic layer, the magnetic ceramic layer and the intermediate layer may be formed by a green reed in which each raw material composition is formed into a sheet shape (green sheet laminating method). The paste composed of each raw material composition may be formed by applying a suitable calcining (thick film printing method).
【００６１】また、本発明において、セラミック積層体
は、中間層を介して誘電体セラミック層と磁性体セラミ
ック層とを積層したものに限定されるものではなく、た
とえば、異種の誘電体セラミック層、異種の磁性体セラ
ミック層を積層したものや、絶縁性セラミック層と誘電
体セラミック層とを積層したもの等も含む。つまり、第
１セラミック層と第２セラミック層とは、その構成材料
そのものが互いに異なっていてもよいし、あるいは、同
種の構成材料であるが、その成分構成比の異なるもので
あってもよい。Further, in the present invention, the ceramic laminate is not limited to a laminate of a dielectric ceramic layer and a magnetic ceramic layer with an intermediate layer interposed therebetween. It also includes a laminate of different types of magnetic ceramic layers and a laminate of an insulating ceramic layer and a dielectric ceramic layer. That is, the first ceramic layer and the second ceramic layer may be different from each other in the constituent materials themselves, or may be the same type of constituent materials, but may have different component constituent ratios.
【００６２】また、セラミック積層体において、中間層
は１層であってもよいが、複数層設けられていてもよ
い。つまり、３種以上の異種セラミック層を積層する場
合、各セラミック層間に中間層を形成することが望まし
い。また、セラミック積層体は、切り出し前の集合基板
であってもよいし、切り出し後のものであってもよい。In the ceramic laminate, the intermediate layer may be a single layer or a plurality of intermediate layers. That is, when three or more different types of ceramic layers are stacked, it is desirable to form an intermediate layer between the ceramic layers. In addition, the ceramic laminate may be an aggregate substrate before cutting out or may be a substrate after cutting out.
【００６３】[0063]
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例について説明
する。実施例１ まず、誘電体セラミック原材料として、ＢａＯ−ＳｉＯ
2系ガラスを添加したＢａＴｉＯ3系材料を準備し、磁性
体セラミック原材料として、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライ
トを準備した。The present invention will be described below with reference to specific examples. Example 1 First, BaO—SiO was used as a dielectric ceramic raw material.
A BaTiO 3 material to which a second glass was added was prepared, and Ni—Zn—Cu ferrite was prepared as a magnetic ceramic raw material.
【００６４】具体的には、誘電体セラミック原材料とし
て、ＢａＯ：９８．５モル％、ＣａＯ：１．５モル％、
ＴｉＯ2：８１モル％、ＺｒＯ2：１９モル％を混合した
系を使用した。この誘電体セラミック原材料は、それ単
独で、比誘電率が７００、誘電体損失が０．０１％の特
性を有する誘電体セラミック層となる。また、この誘電
体セラミック原材料の焼結開始温度は７８０℃、焼結温
度は８７０℃である。Specifically, as the dielectric ceramic raw materials, BaO: 98.5 mol%, CaO: 1.5 mol%,
A system in which TiO 2 : 81 mol% and ZrO 2 : 19 mol% was used. This dielectric ceramic raw material alone becomes a dielectric ceramic layer having a characteristic of a relative dielectric constant of 700 and a dielectric loss of 0.01%. The dielectric ceramic raw material has a sintering start temperature of 780 ° C. and a sintering temperature of 870 ° C.
【００６５】また、磁性体セラミック原材料として、Ｆ
ｅ2Ｏ3：４８．５モル％、ＮｉＯ：２９．５モル％、Ｚ
ｎＯ：１４．０モル％、ＣｕＯ：８．０モル％を混合し
た系を使用した。この磁性体セラミック原材料は、それ
単独で、初透磁率が４００、使用周波数１ＫＨｚ〜１０
０ＭＨｚに対応可能な磁性体セラミック層となる。ま
た、この磁性体セラミック原材料の焼結開始温度は７９
０℃、焼結温度は８７０℃である。As a magnetic ceramic raw material, F
e 2 O 3: 48.5 mol%, NiO: 29.5 mol%, Z
A system in which 14.0 mol% of nO and 8.0 mol% of CuO were mixed was used. This magnetic ceramic raw material alone has an initial magnetic permeability of 400 and an operating frequency of 1 KHz to 10 KHz.
The magnetic ceramic layer can support 0 MHz. The sintering start temperature of this magnetic ceramic raw material is 79
0 ° C, sintering temperature is 870 ° C.
【００６６】さらに、中間層用の原材料としては、Ｌｉ
2Ｏ−ＢａＯ−ＣａＯ−ＳｒＯ−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｃｕ
Ｏ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3の組成からなる下記表１に示す
材料組成の試料Ｎｏ．１〜６の結晶化ガラス原材料を用
いた。Further, as a raw material for the intermediate layer, Li
2 O-BaO-CaO-SrO -MgO-SiO 2 -Cu
Sample No. having the material composition shown in Table 1 below consisting of the composition of O-TiO 2 -Bi 2 O 3 . 1 to 6 crystallized glass raw materials were used.
【００６７】[0067]
【表１】 [Table 1]
【００６８】そして、上記それぞれの原材料について、
適当量のバインダ、可塑剤、分散剤、溶剤を加えて混合
し、グリーンシート用スラリ−を得た。次に、これらグ
リーンシート用スラリ−を用い、ドクタ−ブレ−ド法に
より厚さ４０μｍの誘電体セラミック層用グリ−ンシ−
ト、磁性体セラミック層用グリーンシート、中間層用グ
リーンシートを得た。Then, for each of the above raw materials,
An appropriate amount of a binder, a plasticizer, a dispersant, and a solvent were added and mixed to obtain a slurry for a green sheet. Next, using these green sheet slurries, a green sheet for a dielectric ceramic layer having a thickness of 40 μm was formed by a doctor blade method.
And a green sheet for a magnetic ceramic layer and a green sheet for an intermediate layer.
【００６９】次いで、誘電体セラミック層用グリ−ンシ
−ト、磁性体セラミック層用グリーンシート、中間層用
グリーンシートの所定箇所にＡｇペーストによってビア
ホールを形成した後、誘電体セラミック層用グリ−ンシ
−トには、静電容量取得のためのコンデンサパタ−ン
を、磁性体セラミック層用グリ−ンシ−トには、インダ
クタンス取得のためのコイルパタ−ンをそれぞれ内部電
極用Ａｇペ−ストのスクリーン印刷によって形成した。Next, via holes are formed in predetermined portions of the green sheet for the dielectric ceramic layer, the green sheet for the magnetic ceramic layer, and the green sheet for the intermediate layer with an Ag paste, and then the green sheet for the dielectric ceramic layer is formed. A capacitor pattern for obtaining capacitance; and a green sheet for a magnetic ceramic layer, a coil pattern for obtaining inductance. Formed by printing.
【００７０】その後、誘電体セラミック層用グリ−ンシ
−トと磁性体セラミック層用グリ−ンシ−トとの間に、
試料Ｎｏ．１〜６の６種類の材料からなる中間層用グリ
−ンシ−トをそれぞれ挟んで積み重ね、１ｍｍの厚さに
圧着して未焼成の積層体ブロックを得た。このとき中間
層の厚みは３０μｍとし、誘電体部分の厚みと磁性体部
分の厚みはそれぞれ５００μｍとした。Then, between the green sheet for the dielectric ceramic layer and the green sheet for the magnetic ceramic layer,
Sample No. The green sheets for the intermediate layer made of the six types of materials 1 to 6 were respectively stacked and stacked, and pressed to a thickness of 1 mm to obtain an unfired laminate block. At this time, the thickness of the intermediate layer was 30 μm, and the thickness of the dielectric portion and the thickness of the magnetic portion were each 500 μm.
【００７１】また、電磁気特性の比較を行うために、上
記積層体ブロックで中間層を除いた構成の積層体ブロッ
クを作製した（試料Ｎｏ．７）。また、コンデンサパタ
−ンを形成した誘電体グリ−ンシ−トのみを上記積層体
の誘電体部分と同じ厚みに積み重ねて圧着した構成の積
層体ブロック（試料Ｎｏ．８）、および、コイルパタ−
ンを形成した磁性体グリ−ンシ−トのみを上記積層体の
磁性体部分と同じ厚みに積み重ねて圧着した構成の積層
体ブロック（試料Ｎｏ．９）も同時に作製した。さら
に、中間層として、Ｌｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−ＳｉＯ2
系の非晶質ガラスを主成分とする中間層を形成した積層
体ブロック（試料Ｎｏ．１０）を作製した。Further, in order to compare the electromagnetic characteristics, a laminated block having a configuration in which the intermediate layer was removed from the laminated block was manufactured (Sample No. 7). Also, a laminate block (sample No. 8) in which only the dielectric green sheet on which the capacitor pattern is formed is stacked to the same thickness as the dielectric portion of the laminate and crimped, and a coil pattern
A laminate block (sample No. 9) was also prepared, in which only the magnetic green sheet having the pin formed thereon was stacked at the same thickness as the magnetic portion of the laminate and pressed. Further, as an intermediate layer, Li 2 O—B 2 O 3 —CaO—SiO 2
A laminate block (Sample No. 10) having an intermediate layer mainly composed of an amorphous glass was formed.
【００７２】次に、得られた各積層体ブロックを所定寸
法に切断後、空気中、所定温度で２時間焼成してセラミ
ック積層体を形成した後、セラミック積層体のコンデン
サパターンあるいはコイルパターンが露出している端部
に、Ａｇの粉末にガラスフリットと有機ビヒクルを加え
て分散させた外部電極用Ａｇペ−ストを塗布し、８００
℃で３０分間焼付けて入出力端子、グランド端子を形成
した。Next, each of the obtained laminate blocks is cut into a predetermined size and fired in air at a predetermined temperature for 2 hours to form a ceramic laminate. Then, the capacitor pattern or the coil pattern of the ceramic laminate is exposed. An Ag paste for an external electrode, in which a glass frit and an organic vehicle were added to an Ag powder and dispersed, was applied to
Baking was performed at 30 ° C. for 30 minutes to form input / output terminals and ground terminals.
【００７３】このようにして、結晶化ガラスを主成分と
する中間層を備えた６種類のチップ積層ＬＣフィルタ、
および、比較のためのチップ積層ＬＣフィルタ、Ｃ部品
サンプル、Ｌ部品サンプルを完成させた。なお、得られ
た試料Ｎｏ．１〜６、試料Ｎｏ．１０のチップ積層ＬＣ
フィルタは図１〜図４に示した構成のものである。As described above, six types of chip laminated LC filters having an intermediate layer mainly composed of crystallized glass,
Further, a chip laminated LC filter, a C component sample, and an L component sample for comparison were completed. In addition, the obtained sample No. 1 to 6, sample No. 10 chip stack LC
The filter has the configuration shown in FIGS.
【００７４】次に、結晶化ガラスからなる中間層を有す
る６種類のチップ積層ＬＣフィルタ（試料Ｎｏ．１〜
６）、および、非晶質ガラスからなる中間層を有するチ
ップ積層ＬＣフィルタ（試料Ｎｏ．１０）について、そ
の中間層部分での接合性を確認した。ここでは、各チッ
プ積層ＬＣフィルタについて、中間層を含んだ状態で中
間層に垂直な方向で引っ張り試験を行った。Next, six types of chip laminated LC filters having an intermediate layer made of crystallized glass (Sample Nos.
6) and a chip laminated LC filter having an intermediate layer made of amorphous glass (Sample No. 10), the joining property of the intermediate layer portion was confirmed. Here, a tensile test was performed on each of the chip laminated LC filters in a direction perpendicular to the intermediate layer while including the intermediate layer.
【００７５】その結果、試料Ｎｏ．１〜６のチップ積層
ＬＣフィルタについて、引っ張り強度は５ｋｇｆ以上で
あり、その破壊モ−ドは磁性体部分の破壊を示し、誘電
体セラミック層と磁性体セラミック層の間の中間層によ
り、良好な接合強度を示した。As a result, the sample No. Regarding the chip laminated LC filters of Nos. 1 to 6, the tensile strength is 5 kgf or more, and the destruction mode indicates the destruction of the magnetic material part, and the favorable mode is achieved by the intermediate layer between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer. The bonding strength is shown.
【００７６】さらに、試料Ｎｏ．１〜７、試料Ｎｏ．１
０のチップ積層ＬＣフィルタについて、誘電体セラミッ
ク層と磁性体セラミック層の相互拡散の程度を、ＷＤＸ
分析（波長分散型Ｘ線分析）に従って測定した。また、
併せて、試料Ｎｏ．１〜１０のチップ積層ＬＣフィル
タ、Ｃ部品サンプル、Ｌ部品サンプルについて、誘電体
セラミック層の電磁気特性（静電容量、誘電損失、絶縁
抵抗）、磁性体セラミック層の電磁気特性（インダクタ
ンス）をそれぞれ測定した。下記表２にその測定結果を
示す。Further, the sample No. 1 to 7, sample No. 1
0 chip laminated LC filter, the degree of mutual diffusion between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer was determined by WDX.
It was measured according to analysis (wavelength dispersive X-ray analysis). Also,
In addition, the sample No. The electromagnetic characteristics (capacitance, dielectric loss, insulation resistance) of the dielectric ceramic layer and the electromagnetic characteristics (inductance) of the magnetic ceramic layer were measured for each of the 1 to 10 chip laminated LC filters, C component samples, and L component samples. did. Table 2 below shows the measurement results.
【００７７】なお、ＷＤＸ分析は、中間層に垂直な切断
面について行い、拡散距離は、中間層から誘電体セラミ
ック層、磁性体セラミック層への拡散分のカウント数が
分析装置の精度の誤差範囲に入る点までとし、各々複数
の拡散成分のうち最も拡散距離が大きいものについての
値を下記表２に示した。The WDX analysis is performed on a cut surface perpendicular to the intermediate layer. The diffusion distance is determined by the number of counts of the diffusion from the intermediate layer to the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer. , And the values of the plurality of diffusion components having the largest diffusion distance are shown in Table 2 below.
【００７８】[0078]
【表２】 [Table 2]
【００７９】表２から、誘電体セラミック層と磁性体セ
ラミック層との間に、各セラミック層の結晶開始温度以
上の結晶溶融温度を有した非晶質ガラスを主成分とする
中間層を設けてなるチップ積層ＬＣフィルタは、試料Ｎ
ｏ．１〜６に示すように、誘電体セラミック層および磁
性体セラミック層の各成分の拡散を、中間層を設けてい
ない試料Ｎｏ．７の場合の５００〜８００μｍと比較し
て、大幅に抑制することができた。From Table 2, it can be seen that an intermediate layer mainly composed of amorphous glass having a crystal melting temperature higher than the crystallization starting temperature of each ceramic layer is provided between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer. The chip laminated LC filter is sample N
o. As shown in Nos. 1 to 6, the diffusion of each component of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer was determined by using Sample No. 1 having no intermediate layer. 7 was significantly suppressed as compared with 500 to 800 μm.
【００８０】また、試料Ｎｏ．１〜６のチップ積層ＬＣ
フィルタでは、電磁気特性の劣化も最小限に抑制されて
おり、単体のＣ部品サンプル（Ｎｏ．８）、および、Ｌ
部品サンプル（試料Ｎｏ．９）と同等の電磁気特性を示
している。The sample No. Chip stack LC of 1-6
In the filter, deterioration of the electromagnetic characteristics is also suppressed to a minimum, and a single C component sample (No. 8) and L
It shows the same electromagnetic characteristics as the component sample (sample No. 9).
【００８１】特に、試料Ｎｏ．２〜６のチップ積層ＬＣ
フィルタでは、中間層における結晶化ガラスの結晶溶融
温度が各セラミック層の焼結開始温度よりも５℃以上
（さらには１０℃以上）高いので、セラミックの焼結初
期段階での相互拡散が中間層によって抑えられ、良好な
電磁気特性を達成できた。さらに、試料Ｎｏ．４〜６の
チップ積層ＬＣフィルタでは、中間層における結晶化ガ
ラスの結晶溶融温度が各セラミック層の焼結温度以上で
あるため、各セラミックの焼結が終了した後に、中間層
の溶融によって誘電体セラミック層と磁性体セラミック
層が強固に接合され、また、焼結に伴う相互拡散が良好
に抑えられ、極めて良好な電磁気特性を達成できた。In particular, for sample no. 2-6 chip stacked LC
In the filter, since the crystal melting temperature of the crystallized glass in the intermediate layer is higher than the sintering start temperature of each ceramic layer by 5 ° C. or more (and further by 10 ° C. or more), the mutual diffusion at the initial stage of sintering of the ceramics is And good electromagnetic characteristics could be achieved. Further, the sample No. In the chip laminated LC filters 4 to 6, since the crystal melting temperature of the crystallized glass in the intermediate layer is equal to or higher than the sintering temperature of each ceramic layer, after the sintering of each ceramic is completed, the dielectric layer is melted by the melting of the intermediate layer. The ceramic layer and the magnetic ceramic layer were firmly joined, and mutual diffusion due to sintering was suppressed well, so that extremely good electromagnetic characteristics could be achieved.
【００８２】これに対して、試料Ｎｏ．１０のチップ積
層ＬＣフィルタでは、中間層が非晶質ガラスからなるの
で、誘電体セラミック層や磁性体セラミック層の相互拡
散が生じてしまい、拡散距離が大きく、電磁気特性の変
動が大きくなってしまった。On the other hand, the sample No. In the chip laminated LC filter of No. 10, since the intermediate layer is made of amorphous glass, mutual diffusion of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer occurs, the diffusion distance is large, and the fluctuation of the electromagnetic characteristics is large. Was.
【００８３】このように、本実施例による試料Ｎｏ．１
〜６のチップ積層ＬＣフィルタは、誘電体セラミック層
と磁性体セラミック層との間に、各セラミック層の結晶
開始温度以上の結晶溶融温度を有した非晶質ガラスを主
成分とした中間層を形成したものであって、誘電体セラ
ミック層と磁性体セラミック層との接合強度が高く、か
つ、誘電体セラミック層と磁性体セラミック層の接合部
で生じる相互拡散を制御し、さらに、同時焼成によって
高信頼性のチップ積層ＬＣフィルタを得ることができ
た。As described above, the sample Nos. 1
In the chip laminated LC filters of Nos. 1 to 6, an intermediate layer mainly composed of amorphous glass having a crystal melting temperature equal to or higher than the crystallization start temperature of each ceramic layer is provided between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer. It has a high bonding strength between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer, and controls the interdiffusion that occurs at the junction between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer. A highly reliable chip laminated LC filter was obtained.
【００８４】[0084]
【発明の効果】本発明のセラミック積層体によれば、第
１セラミック層および第２セラミック層の間に、各セラ
ミック層の焼結開始温度以上の結晶溶融温度を有した結
晶化ガラスを主成分とした中間層が設けられており、し
たがって、その焼成サイクル中、結晶化度の高い中間層
が隔壁の役割を果たして、第１セラミック層、第２セラ
ミック層の相互拡散による特性変動を十分に抑制するこ
とができる。According to the ceramic laminate of the present invention, crystallized glass having a crystal melting temperature equal to or higher than the sintering start temperature of each ceramic layer is mainly contained between the first ceramic layer and the second ceramic layer. Therefore, during the firing cycle, the intermediate layer having a high degree of crystallinity plays a role of a partition wall, and the variation in characteristics due to mutual diffusion between the first ceramic layer and the second ceramic layer is sufficiently suppressed. can do.
【００８５】また、本発明のセラミック積層体の製造方
法によれば、本発明のセラミック積層体を製造するに際
し、第１セラミック層、第２セラミック層および中間層
を同時に焼成するので、第１セラミック層、第２セラミ
ック層の特性変動を十分に抑制した上で、接合強度の高
いセラミック積層体を製造することができる。According to the method of manufacturing a ceramic laminate of the present invention, the first ceramic layer, the second ceramic layer, and the intermediate layer are simultaneously fired in manufacturing the ceramic laminate of the present invention. It is possible to manufacture a ceramic laminate having high bonding strength while sufficiently suppressing the characteristic fluctuation of the layer and the second ceramic layer.
【００８６】本発明の電子部品によれば、本発明のセラ
ミック積層体に導体パターンや各種の実装部品を搭載さ
れたものであるため、第１セラミック層および第２セラ
ミック層の電磁気特性等が十分保持されており、かつ、
各セラミック層が高強度に接合されており、電磁気特性
に優れ、信頼性の高い電子部品となるAccording to the electronic component of the present invention, since the conductor pattern and various mounting components are mounted on the ceramic laminate of the present invention, the first ceramic layer and the second ceramic layer have sufficient electromagnetic characteristics and the like. Is retained, and
Each ceramic layer is bonded with high strength, and it has excellent electromagnetic characteristics and is a highly reliable electronic component
【図１】本実施の形態によるチップ積層ＬＣフィルタの
概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a chip laminated LC filter according to the present embodiment.
【図２】同チップ積層ＬＣフィルタの概略分解斜視図で
ある。FIG. 2 is a schematic exploded perspective view of the chip laminated LC filter.
【図３】同チップ積層ＬＣフィルタの概略斜視図であ
る。FIG. 3 is a schematic perspective view of the chip laminated LC filter.
【図４】同チップ積層ＬＣフィルタの等価回路図であ
る。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the chip laminated LC filter.
５…コイルパターン ６…コンデンサパターン ７…中間層 ８…磁性体セラミック層 ９…誘電体セラミック層 １０…セラミック積層体 １１ａ、１１ｂ…外部電極 １３…チップ積層ＬＣフィルタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... Coil pattern 6 ... Capacitor pattern 7 ... Intermediate layer 8 ... Magnetic ceramic layer 9 ... Dielectric ceramic layer 10 ... Ceramic laminated body 11a, 11b ... External electrode 13 ... Chip laminated LC filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC09 AC10 AD02 AE00 AE02 AE03 AF06 AZ01 5E070 AA05 AB03 AB10 BA12 BB01 CB03 CB13 EA01 5E082 AA01 AB03 BB01 BC14 BC40 DD08 DD09 EE04 EE23 EE35 FG06 FG26 FG54 GG10 GG28 JJ03 JJ23 MM24 PP03 PP06──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01G 4/30 301 H01F 15/00 DF Term (Reference) 5E001 AB03 AC09 AC10 AD02 AE00 AE02 AE03 AF06 AZ01 5E070 AA05 AB03 AB10 BA12 BB01 CB03 CB13 EA01 5E082 AA01 AB03 BB01 BC14 BC40 DD08 DD09 EE04 EE23 EE35 FG06 FG26 FG54 GG10 GG28 JJ03 JJ23 MM24 PP03 PP06
Claims (13)
ク層と第２セラミック層とを中間層を介して積層してな
るセラミック積層体において、 前記中間層は、前記第１セラミック層および前記第２セ
ラミック層の焼結開始温度以上の結晶溶融温度を有した
結晶化ガラスを主成分としていることを特徴とする、セ
ラミック積層体。1. A ceramic laminate in which a first ceramic layer and a second ceramic layer having different compositions are laminated via an intermediate layer, wherein the intermediate layer includes the first ceramic layer and the second ceramic layer. A ceramic laminate comprising, as a main component, crystallized glass having a crystal melting temperature equal to or higher than a sintering start temperature of a ceramic layer.
記第１セラミック層および前記第２セラミック層の焼結
開始温度よりも５℃以上高いことを特徴とする、請求項
１に記載のセラミック積層体。2. The ceramic according to claim 1, wherein a crystal melting temperature of the crystallized glass is higher than a sintering start temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer by 5 ° C. or more. Laminate.
記第１セラミック層および前記第２セラミック層の焼結
温度以上であることを特徴とする、請求項１または２に
記載のセラミック積層体。3. The ceramic laminate according to claim 1, wherein a crystal melting temperature of the crystallized glass is equal to or higher than a sintering temperature of the first ceramic layer and the second ceramic layer. .
ラミック層は、少なくともガラス成分を含有したガラス
セラミック層であることを特徴とする、請求項１乃至３
のいずれかに記載のセラミック積層体。4. The method according to claim 1, wherein the first ceramic layer and the second ceramic layer are glass ceramic layers containing at least a glass component.
The ceramic laminate according to any one of the above.
ク層であって、前記第２セラミック層は磁性体セラミッ
ク層であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれ
かに記載のセラミック積層体。5. The ceramic laminate according to claim 1, wherein the first ceramic layer is a dielectric ceramic layer, and the second ceramic layer is a magnetic ceramic layer. body.
る、請求項５に記載のセラミック積層体。6. The intermediate layer comprises: alkali metal oxide: 1 to 15 mol%, alkaline earth metal oxide: 20 to 70 mol%, silicon oxide: 5 to 60 mol%, bismuth oxide: 0.5 to The ceramic laminate according to claim 5, characterized in that the main component is a crystallized glass consisting of: 70 mol% titanium oxide: 50 mol% or less, copper oxide: 50 mol% or less.
記載のセラミック積層体。7. The dielectric ceramic layer contains: BaO: 85 to 99 mol%, CaO: 1 to 15 mol%, TiO 2 : 70 to 95 mol%, ZrO 2 : 5 to 30 mol%. The ceramic laminate according to claim 5, wherein:
ずれかに記載のセラミック積層体。8. The magnetic ceramic layer contains: Fe 2 O 3 : 45 to 50 mol%, NiO: 10 to 40 mol%, ZnO: 1 to 35 mol%, CuO: 5 to 15 mol%. The ceramic laminate according to any one of claims 5 to 7, wherein:
ミック積層体を製造するに際し、前記第１セラミック
層、前記第２セラミック層および前記中間層を同時焼成
によって形成することを特徴とする、セラミック積層体
の製造方法。9. The method of manufacturing a ceramic laminate according to claim 1, wherein the first ceramic layer, the second ceramic layer, and the intermediate layer are formed by simultaneous firing. , A method of manufacturing a ceramic laminate.
ラミック積層体に、所定の導体パターンを備えているこ
とを特徴とする、電子部品。10. An electronic component, wherein the ceramic laminate according to claim 1 is provided with a predetermined conductor pattern.
料、Ａｇ系導体材料またはＣｕ系導体材料で形成されて
いることを特徴とする、請求項１０に記載の電子部品。11. The electronic component according to claim 10, wherein the conductor pattern is formed of an Au-based conductor material, an Ag-based conductor material, or a Cu-based conductor material.
方主面上には、実装部品が搭載されていることを特徴と
する、請求項１０または１１に記載の電子部品。12. The electronic component according to claim 10, wherein a mounted component is mounted on at least one main surface of the ceramic laminate.
の電子部品を備えることを特徴とする、電子装置。13. An electronic device comprising the electronic component according to claim 10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000057473A JP2001244140A (en) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | Ceramic laminate and manufacturing method thereof, electronic component and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000057473A JP2001244140A (en) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | Ceramic laminate and manufacturing method thereof, electronic component and electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244140A true JP2001244140A (en) | 2001-09-07 |
Family
ID=18578255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000057473A Pending JP2001244140A (en) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | Ceramic laminate and manufacturing method thereof, electronic component and electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001244140A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216635A (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | Composite laminated electronic component |
| JP2007266092A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Tdk Corp | Varistor and light-emitting device |
| JP2009099930A (en) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Ceratech Corp | Magnetic body, and dielectric composite electronic component |
| JP2010228936A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | Magnetic sintered body, composite sintered body of magnetic body and dielectric body, method for manufacturing them and electronic components using them |
| JP2010248055A (en) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | Magnetic sintered compact, composite sintered compact of magnetic material and dielectric material, method for producing them, and electronic components using the sintered compacts |
| JP2013033992A (en) * | 2006-01-05 | 2013-02-14 | Epcos Ag | Sheet laminate and ceramic element manufacturing method |
| WO2017014058A1 (en) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | Lc filter |
| US9905365B2 (en) | 2015-07-21 | 2018-02-27 | Tdk Corporation | Composite electronic device |
| JP2018074132A (en) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | Multilayer thin film capacitor |
-
2000
- 2000-03-02 JP JP2000057473A patent/JP2001244140A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216635A (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | Composite laminated electronic component |
| JP2013033992A (en) * | 2006-01-05 | 2013-02-14 | Epcos Ag | Sheet laminate and ceramic element manufacturing method |
| US9532454B2 (en) | 2006-01-05 | 2016-12-27 | Epcos Ag | Monolithic ceramic component and production method |
| JP2007266092A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Tdk Corp | Varistor and light-emitting device |
| JP2009099930A (en) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Ceratech Corp | Magnetic body, and dielectric composite electronic component |
| JP2010228936A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | Magnetic sintered body, composite sintered body of magnetic body and dielectric body, method for manufacturing them and electronic components using them |
| JP2010248055A (en) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | Magnetic sintered compact, composite sintered compact of magnetic material and dielectric material, method for producing them, and electronic components using the sintered compacts |
| US9905365B2 (en) | 2015-07-21 | 2018-02-27 | Tdk Corporation | Composite electronic device |
| WO2017014058A1 (en) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | Lc filter |
| JPWO2017014058A1 (en) * | 2015-07-22 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | LC filter |
| US10122340B2 (en) | 2015-07-22 | 2018-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter |
| JP2018074132A (en) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | Multilayer thin film capacitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5056528B2 (en) | Insulator ceramic composition and insulator ceramic using the same | |
| JP3680765B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
| US6108192A (en) | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts using the same | |
| US6602616B2 (en) | Composite multilayer ceramic electronic parts and method of manufacturing the same | |
| JPH10338545A (en) | Nonmagnetic ceramic and ceramic laminated parts | |
| JP2001247359A (en) | Insulator ceramic composition | |
| KR100344923B1 (en) | Hybrid Laminate and Manufacturing Method Thereof | |
| JPH11243034A (en) | Bonding agent for electronic part, electronic part and manufacture thereof | |
| JP2001244140A (en) | Ceramic laminate and manufacturing method thereof, electronic component and electronic device | |
| JP3903781B2 (en) | Composite multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing the same | |
| JP2002029827A (en) | Insulator porcelain composition | |
| JP2851966B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
| JP4629525B2 (en) | Multilayer ceramic component and manufacturing method thereof | |
| JP2003037022A (en) | Laminated electronic component | |
| JP2001297946A (en) | Composite electronic parts and its manufacturing method | |
| KR20020008786A (en) | Multilayered board and method for fabricating the same | |
| JPH0782041A (en) | Production of multi-layer ceramic part and multi-layer ceramic part produced thereby | |
| JP2002324730A (en) | Laminated ceramic electronic component and its manufacturing method | |
| JP3645046B2 (en) | Non-magnetic ceramic and ceramic laminated parts | |
| JP4817855B2 (en) | Capacitor built-in wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP2002198225A (en) | Laminated ceramic electronic component and manufacturing method therefor | |
| JP2003026472A (en) | Method for producing multilayer ceramic electronic parts, multilayer ceramic electronic parts and raw composite multilayer body for producing multilayer ceramic electronic parts | |
| JPH0963845A (en) | Layered component and production thereof | |
| JP3697975B2 (en) | Dielectric ceramic composition, ceramic multilayer substrate, ceramic electronic component, and multilayer ceramic electronic component | |
| JP2001247365A (en) | Dielectric substance ceramic composition, electronic part and electronic apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061130 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090828 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100302 |