JP2001242357A - 光半導体装置 - Google Patents
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- G02B6/24—Coupling light guides
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光通信の高速化にしたがって、ますます要求
される高効率化を目指した高ＮＡで、且つ短ＷＤのレン
ズを搭載可能な光半導体装置を提供する。 【解決手段】 上面部１５ａにエッチングにより形成さ
れたＶ字状の第１の溝部１５ｂを有するシリコン基板１
５と、第１の溝部１５ｂの方向に光軸を持ち、この上面
部１５ａに取付けられた発光素子１１と、第１の溝部１
５ｂに取付けられた非球面レンズ２３とを備え、第１の
溝部１５ｂは、対向した第１、第２の傾斜面１５ｅ，１
５ｆ、及び第１及び第２の傾斜面１５ｅ，１５ｆと直交
する第３の傾斜面１５ｇとから構成され、シリコン基板
１５には、第１の溝部１５ｂの方向と直交する方向に、
第１乃至第３の傾斜面１５ｅ〜１５ｇを含んで切り欠い
たスリット１５ｋが形成され、非球面レンズ２３はスリ
ット１５ｋ内に一部を突出させた状態で、第１及び第２
の傾斜面１５ｅ、１５ｆに取付けられ、発光素子１１が
非球面レンズ２３を介して光通信可能にしたものであ
る。
される高効率化を目指した高ＮＡで、且つ短ＷＤのレン
ズを搭載可能な光半導体装置を提供する。 【解決手段】 上面部１５ａにエッチングにより形成さ
れたＶ字状の第１の溝部１５ｂを有するシリコン基板１
５と、第１の溝部１５ｂの方向に光軸を持ち、この上面
部１５ａに取付けられた発光素子１１と、第１の溝部１
５ｂに取付けられた非球面レンズ２３とを備え、第１の
溝部１５ｂは、対向した第１、第２の傾斜面１５ｅ，１
５ｆ、及び第１及び第２の傾斜面１５ｅ，１５ｆと直交
する第３の傾斜面１５ｇとから構成され、シリコン基板
１５には、第１の溝部１５ｂの方向と直交する方向に、
第１乃至第３の傾斜面１５ｅ〜１５ｇを含んで切り欠い
たスリット１５ｋが形成され、非球面レンズ２３はスリ
ット１５ｋ内に一部を突出させた状態で、第１及び第２
の傾斜面１５ｅ、１５ｆに取付けられ、発光素子１１が
非球面レンズ２３を介して光通信可能にしたものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野で使用
される光半導体装置であり、特に、高速・大容量の光通
信に対応した高ＮＡ（開口数）のレンズを備えた光半導
体装置に関する。
される光半導体装置であり、特に、高速・大容量の光通
信に対応した高ＮＡ（開口数）のレンズを備えた光半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に示すように、従来の光半導体装置
５０は、発光素子１１の端面から放射状に広がって出射
される光５２が、ボールレンズ５３を用いて光ファイバ
１４の一端面に集光する光結合構造を構成していた。
５０は、発光素子１１の端面から放射状に広がって出射
される光５２が、ボールレンズ５３を用いて光ファイバ
１４の一端面に集光する光結合構造を構成していた。
【０００３】この光半導体装置５０には、図８Ａ乃至図
８Ｃに示すシリコン（Ｓｉ）基板５５が用いられてい
た。シリコン基板５５は、その上面部５５ａに断面が略
Ｖ状（台形状）をしたＶ溝５５ｂが形成されている。こ
のＶ溝５５ｂは、フォトリソグラィーで形成されたレジ
ストマスクを用いてシリコン基板５５の表面を異方性エ
ッチングすることにより形成されている。そして、シリ
コン基板５５は、そのＶ溝５５ｂの上面部５５ａとの縁
部分がシリコン結晶の構造からくる特有の傾斜角（θ
１、θ２、θ３ともに５４．７度）を持った斜面５５
ｅ、５５ｆ、５５ｇとなっていた。
８Ｃに示すシリコン（Ｓｉ）基板５５が用いられてい
た。シリコン基板５５は、その上面部５５ａに断面が略
Ｖ状（台形状）をしたＶ溝５５ｂが形成されている。こ
のＶ溝５５ｂは、フォトリソグラィーで形成されたレジ
ストマスクを用いてシリコン基板５５の表面を異方性エ
ッチングすることにより形成されている。そして、シリ
コン基板５５は、そのＶ溝５５ｂの上面部５５ａとの縁
部分がシリコン結晶の構造からくる特有の傾斜角（θ
１、θ２、θ３ともに５４．７度）を持った斜面５５
ｅ、５５ｆ、５５ｇとなっていた。
【０００４】そして、光半導体装置５０は、図８に示す
シリコン基板５５において、発光素子１１をＶ溝５５ｂ
近くの上面部５５ａに位置決めし、Ｖ溝５５ｂ内にボー
ルレンズ５３を位置決めし、発光素子１１及びボールレ
ンズ５３の光軸とを一致させて固定して組立てられてい
た。
シリコン基板５５において、発光素子１１をＶ溝５５ｂ
近くの上面部５５ａに位置決めし、Ｖ溝５５ｂ内にボー
ルレンズ５３を位置決めし、発光素子１１及びボールレ
ンズ５３の光軸とを一致させて固定して組立てられてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年の光通
信において、ますます通信速度の高速化が要求されてお
り、発光素子１１と光ファイバ１４との光結合構造を構
成する光半導体装置５０での光結合の損失が大きく影響
し、高速な光通信の妨げとなってきた。そのために、ボ
ールレンズ５３に代わって、低損失な光結合が可能な非
球面レンズを使用することを出願人は提案した。
信において、ますます通信速度の高速化が要求されてお
り、発光素子１１と光ファイバ１４との光結合構造を構
成する光半導体装置５０での光結合の損失が大きく影響
し、高速な光通信の妨げとなってきた。そのために、ボ
ールレンズ５３に代わって、低損失な光結合が可能な非
球面レンズを使用することを出願人は提案した。
【０００６】図９Ａ及び図９Ｂに示すように、光半導体
装置６０は、従来のボールレンズ５３に代わって非球面
レンズ６３をシリコン基板５５のＶ溝５５ｂ内に取付け
固定した構成となっている。図１０に示すように、この
非球面レンズ６３は、光学ガラス製の有限系レンズから
なり、両凸状の非球面を備えたレンズ本体６３ａと、そ
のレンズ本体６３ａ周縁のエッジ部６３ｂとからなり、
その外径寸法（φ）が１．０ｍｍ、レンズ厚（ｔｃ）が
０．８１、光学長（Ｌ＝Ｌ１＋ｔｃ＋Ｌ２）が３．５６
ｍｍ、焦点距離（Ｌ２）が約２ｍｍ、ＮＡ（開口数）が
０．４５、倍率（ｍ）が３の特性値を有している。ま
た、物点からレンズの表面の頂点までの距離（Ｌ１）が
０．３の特性値を有している。ここで、ＮＡは、下記の
式で一般に表示される。 ＮＡ＝ｎ sinθ ここでθは、軸上の物点から出る光線のうち、最大の開
きを持つ光線の、光軸となす角度であり、ｎは、物点の
ある媒質の屈折率である。そして、ＮＡが大きいほど、
分解能が高くなり、光結合の高効率化を図ることができ
る。また、レンズを非球面形状にすることにより、１枚
のレンズにて、収差の影響を抑制することができる。
装置６０は、従来のボールレンズ５３に代わって非球面
レンズ６３をシリコン基板５５のＶ溝５５ｂ内に取付け
固定した構成となっている。図１０に示すように、この
非球面レンズ６３は、光学ガラス製の有限系レンズから
なり、両凸状の非球面を備えたレンズ本体６３ａと、そ
のレンズ本体６３ａ周縁のエッジ部６３ｂとからなり、
その外径寸法（φ）が１．０ｍｍ、レンズ厚（ｔｃ）が
０．８１、光学長（Ｌ＝Ｌ１＋ｔｃ＋Ｌ２）が３．５６
ｍｍ、焦点距離（Ｌ２）が約２ｍｍ、ＮＡ（開口数）が
０．４５、倍率（ｍ）が３の特性値を有している。ま
た、物点からレンズの表面の頂点までの距離（Ｌ１）が
０．３の特性値を有している。ここで、ＮＡは、下記の
式で一般に表示される。 ＮＡ＝ｎ sinθ ここでθは、軸上の物点から出る光線のうち、最大の開
きを持つ光線の、光軸となす角度であり、ｎは、物点の
ある媒質の屈折率である。そして、ＮＡが大きいほど、
分解能が高くなり、光結合の高効率化を図ることができ
る。また、レンズを非球面形状にすることにより、１枚
のレンズにて、収差の影響を抑制することができる。
【０００７】このようにＮＡが０．４５の非球面レンズ
６３を有する光半導体装置６０は、図９に示すように、
発光素子１１の端面から広がって出射した出射光５２が
非球面レンズ６３を通って、光ファイバ１４（図７参
照）の端面に焦点を結んで、ボールレンズ５３に比べて
光結合における損失を改善した光を伝送することができ
る。
６３を有する光半導体装置６０は、図９に示すように、
発光素子１１の端面から広がって出射した出射光５２が
非球面レンズ６３を通って、光ファイバ１４（図７参
照）の端面に焦点を結んで、ボールレンズ５３に比べて
光結合における損失を改善した光を伝送することができ
る。
【０００８】ところで、このような光半導体装置６０に
おいて、光通信の高速・大容量化に対応し、非球面レン
ズの特性を最大限に利用するには、さらに非球面レンズ
のＮＡを高くし、発光素子１１からの非球面レンズまで
の距離であるＷＤ（ワーキングディスタンス＝Ｌ１）を
短くする必要があった。
おいて、光通信の高速・大容量化に対応し、非球面レン
ズの特性を最大限に利用するには、さらに非球面レンズ
のＮＡを高くし、発光素子１１からの非球面レンズまで
の距離であるＷＤ（ワーキングディスタンス＝Ｌ１）を
短くする必要があった。
【０００９】図１２に示す、提案した光半導体装置７０
では、高ＮＡ（開口数）で、短ＷＤにした非球面レンズ
２３をシリコン基板５５に搭載している。図１１に示す
ように、非球面レンズ２３は、光学ガラス製の無限系レ
ンズからなり、両凸状の非球面を備えたレンズ本体２３
ａと、そのレンズ本体２３ａ周縁のエッジ部２３ｂとか
らなり、その外径寸法（φ）が１．０ｍｍ、レンズ厚
（ｔｃ）が０．８１ｍｍ、焦点距離（Ｌ２）が無限大
（∞）、ＮＡ（開口数）が０．６０の特性値を有してい
る。非球面レンズでは、一般に高ＮＡになるに従って光
軸合せの精度が厳しく要求されるが、この非球面レンズ
２３では、一方から出射した光が平行光となるため、光
軸位置合せが比較的容易に行えるようになっている。
では、高ＮＡ（開口数）で、短ＷＤにした非球面レンズ
２３をシリコン基板５５に搭載している。図１１に示す
ように、非球面レンズ２３は、光学ガラス製の無限系レ
ンズからなり、両凸状の非球面を備えたレンズ本体２３
ａと、そのレンズ本体２３ａ周縁のエッジ部２３ｂとか
らなり、その外径寸法（φ）が１．０ｍｍ、レンズ厚
（ｔｃ）が０．８１ｍｍ、焦点距離（Ｌ２）が無限大
（∞）、ＮＡ（開口数）が０．６０の特性値を有してい
る。非球面レンズでは、一般に高ＮＡになるに従って光
軸合せの精度が厳しく要求されるが、この非球面レンズ
２３では、一方から出射した光が平行光となるため、光
軸位置合せが比較的容易に行えるようになっている。
【００１０】しかしながら、図１２に示すように、高Ｎ
Ａの非球面レンズ２３を従来のシリコン基板５５のＶ溝
５５ｂ内にそのまま取付け固定すると、Ｖ溝５５ｂの斜
面５５ｇと干渉する部分（Ｈ）が生じてしまうという問
題があった。そのため、非球面レンズの特性を最大限に
生かした高ＮＡで、且つ短ＷＤの高ＮＡの非球面レンズ
２３をシリコン基板５５に搭載できないという問題があ
る。
Ａの非球面レンズ２３を従来のシリコン基板５５のＶ溝
５５ｂ内にそのまま取付け固定すると、Ｖ溝５５ｂの斜
面５５ｇと干渉する部分（Ｈ）が生じてしまうという問
題があった。そのため、非球面レンズの特性を最大限に
生かした高ＮＡで、且つ短ＷＤの高ＮＡの非球面レンズ
２３をシリコン基板５５に搭載できないという問題があ
る。
【００１１】また、図１３に示すように、非球面レンズ
２３の外径寸法に着目すると、この外径寸法（φ）を小
さくすると、上記干渉部分Ｈが発生しないようにするこ
とが考えられる。しかし、高ＮＡを保持する意図から、
ＷＤをさらに短くする必要があり、結果として、非球面
レンズ２３が単に相似形に縮小されるだけで、レンズの
小形化を図るにつれて、ＷＤがさらに短くなって斜面５
５ｃとの干渉部分（Ｈ）の発生を避けることができない
という問題が発生する。
２３の外径寸法に着目すると、この外径寸法（φ）を小
さくすると、上記干渉部分Ｈが発生しないようにするこ
とが考えられる。しかし、高ＮＡを保持する意図から、
ＷＤをさらに短くする必要があり、結果として、非球面
レンズ２３が単に相似形に縮小されるだけで、レンズの
小形化を図るにつれて、ＷＤがさらに短くなって斜面５
５ｃとの干渉部分（Ｈ）の発生を避けることができない
という問題が発生する。
【００１２】本発明の目的は、光通信の高速・大容量化
にしたがって、ますます要求される高効率化を目指した
高ＮＡで、且つ短ＷＤのレンズを搭載可能な光半導体装
置を提供することにある。
にしたがって、ますます要求される高効率化を目指した
高ＮＡで、且つ短ＷＤのレンズを搭載可能な光半導体装
置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題の少なくとも１
つを解決するための第１の解決手段として、一面にエッ
チングにより形成されたＶ字状の第１の溝部を有するシ
リコン基板と、第１の溝部の方向に光軸を持ち、この一
面に取付けられた光学素子と、第１の溝部に取付けられ
たレンズとを備え、第１の溝部は、対向した第１、第２
の傾斜面、及び第１及び第２の傾斜面と直交する第３の
傾斜面とから構成され、シリコン基板には、第１の溝部
の方向と直交する方向に、第１乃至第３の傾斜面を含ん
で切り欠いた第２の溝部が形成され、レンズは第２の溝
部内に一部を突出させた状態で、第１及び第２の傾斜面
に取付けられ、光学素子がレンズを介して光通信可能に
したものである。
つを解決するための第１の解決手段として、一面にエッ
チングにより形成されたＶ字状の第１の溝部を有するシ
リコン基板と、第１の溝部の方向に光軸を持ち、この一
面に取付けられた光学素子と、第１の溝部に取付けられ
たレンズとを備え、第１の溝部は、対向した第１、第２
の傾斜面、及び第１及び第２の傾斜面と直交する第３の
傾斜面とから構成され、シリコン基板には、第１の溝部
の方向と直交する方向に、第１乃至第３の傾斜面を含ん
で切り欠いた第２の溝部が形成され、レンズは第２の溝
部内に一部を突出させた状態で、第１及び第２の傾斜面
に取付けられ、光学素子がレンズを介して光通信可能に
したものである。
【００１４】また、第２の解決手段として、第２の溝部
は、シリコン基板を横切って凹状に形成されたものであ
る。
は、シリコン基板を横切って凹状に形成されたものであ
る。
【００１５】また、第３の解決手段として、第２の溝部
の側壁に、レンズのエッジ部が当接させて取付けられた
ものである。
の側壁に、レンズのエッジ部が当接させて取付けられた
ものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態である光半導
体装置１０を図１乃至図６に基づいて以下に説明する。
なお、上述した光半導体装置と構成及びその機能が同一
な部分には、同一符号を付して説明を省略する。図１に
示すように、光半導体装置１０は、上面部（一面）１５
ａに形成された略Ｖ字状（台形状）をした第１の溝部１
５ｂを有するシリコン基板１５を備えている。シリコン
基板１５は、シリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その上
面部１５ａは（１１１）結晶面を有していて、第１の溝
部１５ｂの表面は、（１００）結晶面を有している。図
１、図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、第１の溝部１５ｂ
は、矩形状の小底面１５ｄと、その小底面１５ｄを囲
む、互いに対向する第１の傾斜面１５ｅと第２の傾斜面
１５ｆ、及び第１及び第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆと直
交する第３の傾斜面１５ｇとから構成されている。そし
て、第１の溝部１５ｂの（１００）結晶面である第１乃
至第３の傾斜面１５ｅ、１５ｆ、１５ｇは、フォトリソ
グラフィで形成されたレジストマスクを用いて、上面部
１５ａの（１１１）結晶面を異方性エッチングすること
により形成される。そのため、小底面１５ｄと、各傾斜
面１５ｅ、１５ｆ、１５ｇとの傾斜角度は、シリコン結
晶の構造からくる特有の傾斜角（θ１、θ２及びθ３と
もに５４．７度）を持っている。
体装置１０を図１乃至図６に基づいて以下に説明する。
なお、上述した光半導体装置と構成及びその機能が同一
な部分には、同一符号を付して説明を省略する。図１に
示すように、光半導体装置１０は、上面部（一面）１５
ａに形成された略Ｖ字状（台形状）をした第１の溝部１
５ｂを有するシリコン基板１５を備えている。シリコン
基板１５は、シリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その上
面部１５ａは（１１１）結晶面を有していて、第１の溝
部１５ｂの表面は、（１００）結晶面を有している。図
１、図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、第１の溝部１５ｂ
は、矩形状の小底面１５ｄと、その小底面１５ｄを囲
む、互いに対向する第１の傾斜面１５ｅと第２の傾斜面
１５ｆ、及び第１及び第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆと直
交する第３の傾斜面１５ｇとから構成されている。そし
て、第１の溝部１５ｂの（１００）結晶面である第１乃
至第３の傾斜面１５ｅ、１５ｆ、１５ｇは、フォトリソ
グラフィで形成されたレジストマスクを用いて、上面部
１５ａの（１１１）結晶面を異方性エッチングすること
により形成される。そのため、小底面１５ｄと、各傾斜
面１５ｅ、１５ｆ、１５ｇとの傾斜角度は、シリコン結
晶の構造からくる特有の傾斜角（θ１、θ２及びθ３と
もに５４．７度）を持っている。
【００１７】さらに、シリコン基板１５には、第１の溝
部１５ｂの方向と直交する方向に、第１、第２及び第３
の傾斜面１５ｅ、１５ｆ、１５ｇを含んで切り欠いた凹
状のスリット（第２の溝部）１５ｋが横切って形成され
ている。このスリット１５ｋには、上面部１５ａ及び小
底面１５ｄに対して垂直な側壁１５ｊが設けられてい
る。また、このスリット１５Ｋにより、上面部１５ａ
は、第３の傾斜面１５ｇに隣接する大きな第１の領域１
５ｍと、第１、第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆとそれぞれ
隣接する小さな第２、第３の領域１５ｎ、１５ｐとから
なっている。
部１５ｂの方向と直交する方向に、第１、第２及び第３
の傾斜面１５ｅ、１５ｆ、１５ｇを含んで切り欠いた凹
状のスリット（第２の溝部）１５ｋが横切って形成され
ている。このスリット１５ｋには、上面部１５ａ及び小
底面１５ｄに対して垂直な側壁１５ｊが設けられてい
る。また、このスリット１５Ｋにより、上面部１５ａ
は、第３の傾斜面１５ｇに隣接する大きな第１の領域１
５ｍと、第１、第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆとそれぞれ
隣接する小さな第２、第３の領域１５ｎ、１５ｐとから
なっている。
【００１８】図１に示すように、シリコン基板１５の上
面部１５ａの第１の領域１５ｍには、光学素子のひとつ
である半導体レーザ等の発光素子１１が搭載されてい
る。この発光素子１１は、第１の領域１５ｍ上に、第３
の傾斜面１５ｇとの縁部に近接して配置され、その端面
から出射される光１２の光軸が第１の溝部１５ｂの第１
及び第２の傾斜面１５ｅ，１５ｆに沿う方向となってい
る。
面部１５ａの第１の領域１５ｍには、光学素子のひとつ
である半導体レーザ等の発光素子１１が搭載されてい
る。この発光素子１１は、第１の領域１５ｍ上に、第３
の傾斜面１５ｇとの縁部に近接して配置され、その端面
から出射される光１２の光軸が第１の溝部１５ｂの第１
及び第２の傾斜面１５ｅ，１５ｆに沿う方向となってい
る。
【００１９】次に、図１、図４Ａ、図４Ｂに示すよう
に、第１の溝部１５ｂ内には、高ＮＡ（開口数）な非球
面レンズ２３（図１１参照）が配設されている。非球面
レンズ２３は、第１及び第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆに
より位置決めされて、その光軸と発光素子１１の光軸と
が一致するように取付け固定されている。また、発光素
子１１から出射した光１２が非球面レンズ２３を通過し
たときに平行光１２’となるように、スリット１５ｋ内
に非球面レンズ２３の一部が突出して位置される。した
がって、発光素子１１側に近接させて、すなわちワーキ
ングディスタンス（ＷＤ）を短くした状態で、干渉部分
（Ｈ）を発生することなく、非球面レンズ２３が第１の
溝部１５ｂ内及びスリット１５ｋ内に取付け固定されて
いる。そして、非球面レンズ２３から出射された平行光
１２’は、光ファイバ１４の一端面に入射するようにな
っている。
に、第１の溝部１５ｂ内には、高ＮＡ（開口数）な非球
面レンズ２３（図１１参照）が配設されている。非球面
レンズ２３は、第１及び第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆに
より位置決めされて、その光軸と発光素子１１の光軸と
が一致するように取付け固定されている。また、発光素
子１１から出射した光１２が非球面レンズ２３を通過し
たときに平行光１２’となるように、スリット１５ｋ内
に非球面レンズ２３の一部が突出して位置される。した
がって、発光素子１１側に近接させて、すなわちワーキ
ングディスタンス（ＷＤ）を短くした状態で、干渉部分
（Ｈ）を発生することなく、非球面レンズ２３が第１の
溝部１５ｂ内及びスリット１５ｋ内に取付け固定されて
いる。そして、非球面レンズ２３から出射された平行光
１２’は、光ファイバ１４の一端面に入射するようにな
っている。
【００２０】次に、このように構成された光半導体装置
１０の組立て方法を説明する。先ず、図５Ａ乃至図５Ｃ
に示すシリコン基板１５を準備する。このシリコン基板
１５は、シリコン単結晶からなる基板をその上面に異方
性エッチングにより略Ｖ字状（台形状）の第１の溝部１
５ｂを形成する。第１乃至第３の傾斜面１５ｅ，１５
ｆ、１５ｇの傾斜角（θ１、θ２、θ３）はいずれも５
４．７°である。また、シリコン基板１５は、スリット
１５ｋをダイシングソー等によって精密に研削加工され
る。
１０の組立て方法を説明する。先ず、図５Ａ乃至図５Ｃ
に示すシリコン基板１５を準備する。このシリコン基板
１５は、シリコン単結晶からなる基板をその上面に異方
性エッチングにより略Ｖ字状（台形状）の第１の溝部１
５ｂを形成する。第１乃至第３の傾斜面１５ｅ，１５
ｆ、１５ｇの傾斜角（θ１、θ２、θ３）はいずれも５
４．７°である。また、シリコン基板１５は、スリット
１５ｋをダイシングソー等によって精密に研削加工され
る。
【００２１】次に、シリコン基板１５に発光素子１１及
び高ＮＡの非球面レンズ２３を載置する。発光素子１１
は、上面部１５ａの第１の領域１５ｍに図示しない治具
により、精度良く光軸調整され、取付け固定される。ま
た、非球面レンズ２３は、そのエッジ部２３ｂが第１及
び第２の傾斜面１５ｅ，１５ｆによって、光軸との直交
方向の位置決めがなされる。すなわち、光軸との水平方
向（Ｘ軸方向）及び垂直方向（Ｙ軸方向）の位置決め調
整がなされる。さらに、光軸方向に沿うように、非球面
レンズ２３を第１及び第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆ側か
らスリット１５ｋ、及び第３の傾斜面１５ｇ側に光学調
整しながら動かして位置決め（Ｚ軸方向）し、シリコン
基板１５の第１の溝部１５ｂ及びスリット１５ｋの所定
の位置に取付け固定する。
び高ＮＡの非球面レンズ２３を載置する。発光素子１１
は、上面部１５ａの第１の領域１５ｍに図示しない治具
により、精度良く光軸調整され、取付け固定される。ま
た、非球面レンズ２３は、そのエッジ部２３ｂが第１及
び第２の傾斜面１５ｅ，１５ｆによって、光軸との直交
方向の位置決めがなされる。すなわち、光軸との水平方
向（Ｘ軸方向）及び垂直方向（Ｙ軸方向）の位置決め調
整がなされる。さらに、光軸方向に沿うように、非球面
レンズ２３を第１及び第２の傾斜面１５ｅ、１５ｆ側か
らスリット１５ｋ、及び第３の傾斜面１５ｇ側に光学調
整しながら動かして位置決め（Ｚ軸方向）し、シリコン
基板１５の第１の溝部１５ｂ及びスリット１５ｋの所定
の位置に取付け固定する。
【００２２】このようにして構成、組立てした光半導体
装置１０の動作を説明すると、発光素子１１の端面から
放射状に出射した光１２は、高ＮＡの非球面レンズ２３
の一面に何等遮られることなく入射し、さらに非球面レ
ンズ２３の他面から平行光１２’として出射する。そし
て、この平行光１２’は、光ファイバ１４の一端面に入
射する。
装置１０の動作を説明すると、発光素子１１の端面から
放射状に出射した光１２は、高ＮＡの非球面レンズ２３
の一面に何等遮られることなく入射し、さらに非球面レ
ンズ２３の他面から平行光１２’として出射する。そし
て、この平行光１２’は、光ファイバ１４の一端面に入
射する。
【００２３】ところで、光半導体装置１０は、そのスリ
ット１５ｋの形状をシリコン基板１５を完全に横切って
凹状に形成したが、非球面レンズ２３の取付け部分に干
渉部分（Ｈ）がない形状ならば、シリコン基板１５を完
全に横断する必要がなく、例えば、スリットを図６に示
す形状に形成してもよい。つまり、図６に示すように、
半径Ｒ１の寸法を持った回転部材をその回転軸を固定し
て、シリコン基板１５を円形状に掘り込むように切削加
工してもよい。形成されたシリコン基板１５のスリット
１５ｋ’は、光軸方向の直交方向に断面が凹状となり、
光軸方向に断面が湾曲状となる。そのため、スリット１
５ｋ’は、上面部１５ａの第１、第２、第３の領域１５
ｍ、１５ｎ、１５ｐの一部がそれぞれ繋がっている。
ット１５ｋの形状をシリコン基板１５を完全に横切って
凹状に形成したが、非球面レンズ２３の取付け部分に干
渉部分（Ｈ）がない形状ならば、シリコン基板１５を完
全に横断する必要がなく、例えば、スリットを図６に示
す形状に形成してもよい。つまり、図６に示すように、
半径Ｒ１の寸法を持った回転部材をその回転軸を固定し
て、シリコン基板１５を円形状に掘り込むように切削加
工してもよい。形成されたシリコン基板１５のスリット
１５ｋ’は、光軸方向の直交方向に断面が凹状となり、
光軸方向に断面が湾曲状となる。そのため、スリット１
５ｋ’は、上面部１５ａの第１、第２、第３の領域１５
ｍ、１５ｎ、１５ｐの一部がそれぞれ繋がっている。
【００２４】光半導体装置１０は、高ＮＡの非球面レン
ズ２３を搭載したが、必ずしもこれに限定されるもので
はなく、従来の干渉部分を避ける必要がある光学系の非
球面レンズに適用してもよい。例えば、非球面レンズ
が、その外径寸法（φ）が１．０ｍｍ、レンズ厚（ｔ
ｃ）が０．８１、光学長（Ｌ）が３．９８ｍｍ、焦点距
離（ｆ）が約２．９１ｍｍ、ＮＡ（開口数）が０．５、
倍率（ｍ）が５、物点からレンズの表面の頂点までの距
離（Ｌ１）が０．２５の特性値を有する有限系であって
もよい。
ズ２３を搭載したが、必ずしもこれに限定されるもので
はなく、従来の干渉部分を避ける必要がある光学系の非
球面レンズに適用してもよい。例えば、非球面レンズ
が、その外径寸法（φ）が１．０ｍｍ、レンズ厚（ｔ
ｃ）が０．８１、光学長（Ｌ）が３．９８ｍｍ、焦点距
離（ｆ）が約２．９１ｍｍ、ＮＡ（開口数）が０．５、
倍率（ｍ）が５、物点からレンズの表面の頂点までの距
離（Ｌ１）が０．２５の特性値を有する有限系であって
もよい。
【００２５】また、光半導体装置１０では、発光素子１
１を搭載した送信側の光半導体装置を説明したが、フォ
トダイオードなどの受光素子（光学素子）が組み込まれ
た受光側の光半導体装置であってもよい。
１を搭載した送信側の光半導体装置を説明したが、フォ
トダイオードなどの受光素子（光学素子）が組み込まれ
た受光側の光半導体装置であってもよい。
【００２６】また、光半導体装置１０は、シリコン基板
１５の第３の傾斜面１５ｇの一部をカットして形成した
側壁１５ｊを高ＮＡの非球面レンズ２３のエッジ部２３
ｂを当接させて、位置決めするようにしてもよい。
１５の第３の傾斜面１５ｇの一部をカットして形成した
側壁１５ｊを高ＮＡの非球面レンズ２３のエッジ部２３
ｂを当接させて、位置決めするようにしてもよい。
【００２７】以上のように構成された光半導体装置１０
は、以下のような効果を奏する。１）第１の溝部１５ｂ
を形成したシリコン基板１５に、第１の溝部１５ｂの方
向と直交する方向に、第１、第２及び第３の傾斜面１５
ｅ、１５ｆ、１５ｇを含んで切り欠いたスリット１５ｋ
を形成して、非球面レンズ２３をスリット１５ｋ内に一
部を突出させた状態で、第１及び第２の傾斜面１５ｅ，
１５ｆに取付けることにより、発光素子１１近傍の所望
の位置に高ＮＡの非球面レンズ２３を取付けることがで
きるので、非球面レンズ２３の効果を最大限に生かした
高ＮＡで、且つ短ＷＤの非球面レンズ２３をシリコン基
板５５に搭載することができる。したがって、この光半
導体装置１０によって、光通信における高速・大容量化
に対応した、光結合の高効率化を図ることができる。
は、以下のような効果を奏する。１）第１の溝部１５ｂ
を形成したシリコン基板１５に、第１の溝部１５ｂの方
向と直交する方向に、第１、第２及び第３の傾斜面１５
ｅ、１５ｆ、１５ｇを含んで切り欠いたスリット１５ｋ
を形成して、非球面レンズ２３をスリット１５ｋ内に一
部を突出させた状態で、第１及び第２の傾斜面１５ｅ，
１５ｆに取付けることにより、発光素子１１近傍の所望
の位置に高ＮＡの非球面レンズ２３を取付けることがで
きるので、非球面レンズ２３の効果を最大限に生かした
高ＮＡで、且つ短ＷＤの非球面レンズ２３をシリコン基
板５５に搭載することができる。したがって、この光半
導体装置１０によって、光通信における高速・大容量化
に対応した、光結合の高効率化を図ることができる。
【００２８】２）スリット１５ｋは、ダイシングソーな
どの切削加工により、シリコン基板１５を横切るよう
に、切削歯を単に一方向（垂直方向）に動かすだけで良
く、簡単に凹状をした加工ができる。
どの切削加工により、シリコン基板１５を横切るよう
に、切削歯を単に一方向（垂直方向）に動かすだけで良
く、簡単に凹状をした加工ができる。
【００２９】３）スリット１５ｋの側壁１５ｊに、非球
面レンズ２３のエッジ部２３ｂが当接させて取付けられ
たことにより、第１及び第２の傾斜面１５ｅ，１５の他
に、側壁１５ｊにより、光軸方向（Ｚ軸）の位置決めが
出来るので、より正確に位置決め固定することができ
る。
面レンズ２３のエッジ部２３ｂが当接させて取付けられ
たことにより、第１及び第２の傾斜面１５ｅ，１５の他
に、側壁１５ｊにより、光軸方向（Ｚ軸）の位置決めが
出来るので、より正確に位置決め固定することができ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上のように説明してきた本発明の光半
導体装置は、一面にエッチングにより形成されたＶ字状
の第１の溝部を有するシリコン基板と、第１の溝部の方
向に光軸を持ち、この一面に取付けられた光学素子と、
第１の溝部に取付けられたレンズとを備え、第１の溝部
は、対向した第１、第２の傾斜面、及び第１及び第２の
傾斜面と直交する第３の傾斜面とから構成され、シリコ
ン基板には、第１の溝部の方向と直交する方向に、第
１、第２及び第３の傾斜面を含んで切り欠いた第２の溝
部が形成され、レンズは第２の溝部内に一部を突出させ
た状態で、第１及び第２の傾斜面に取付けられ、光学素
子がレンズを介して光通信可能にしたことにより、光学
素子近傍の所望の位置にレンズを取付けることができる
ので、レンズの高ＮＡで、且つ短ＷＤのレンズの特性を
生かすように、シリコン基板に搭載することができる。
したがって、この光半導体装置によって、光通信におけ
る高速・大容量化に対応した、光結合の高効率化を図る
ことができる。
導体装置は、一面にエッチングにより形成されたＶ字状
の第１の溝部を有するシリコン基板と、第１の溝部の方
向に光軸を持ち、この一面に取付けられた光学素子と、
第１の溝部に取付けられたレンズとを備え、第１の溝部
は、対向した第１、第２の傾斜面、及び第１及び第２の
傾斜面と直交する第３の傾斜面とから構成され、シリコ
ン基板には、第１の溝部の方向と直交する方向に、第
１、第２及び第３の傾斜面を含んで切り欠いた第２の溝
部が形成され、レンズは第２の溝部内に一部を突出させ
た状態で、第１及び第２の傾斜面に取付けられ、光学素
子がレンズを介して光通信可能にしたことにより、光学
素子近傍の所望の位置にレンズを取付けることができる
ので、レンズの高ＮＡで、且つ短ＷＤのレンズの特性を
生かすように、シリコン基板に搭載することができる。
したがって、この光半導体装置によって、光通信におけ
る高速・大容量化に対応した、光結合の高効率化を図る
ことができる。
【００３１】また、第２の溝部は、シリコン基板を横切
って凹状に形成されたことにより、単に一方向に切り欠
いて加工するので、簡単で且つ精度良く加工することが
できる。
って凹状に形成されたことにより、単に一方向に切り欠
いて加工するので、簡単で且つ精度良く加工することが
できる。
【００３２】また、第２の溝部の側壁に、レンズのエッ
ジ部が当接させて取付けられたことにより、その側壁に
より、光軸方向（Ｚ軸）の位置決めが出来るので、レン
ズ取付けの際の光学調整が簡単に、且つより正確に位置
決め固定することができる。
ジ部が当接させて取付けられたことにより、その側壁に
より、光軸方向（Ｚ軸）の位置決めが出来るので、レン
ズ取付けの際の光学調整が簡単に、且つより正確に位置
決め固定することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る光半導体装置の全体
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る光半導体装置の左側
面図である。
面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る光半導体装置におい
て、光ファイバ側から見た正面図である。
て、光ファイバ側から見た正面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る光半導体装置におい
て、図４Ａは、その光軸方向に沿った縦断面図、図４Ｂ
は、その光軸と直交する方向の縦断面図である。
て、図４Ａは、その光軸方向に沿った縦断面図、図４Ｂ
は、その光軸と直交する方向の縦断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る光半導体装置におい
て、図５Ａは、レンズを取付ける前の平面図、図５Ｂ
は、その左側面図、図５Ｃは、その正面図である。
て、図５Ａは、レンズを取付ける前の平面図、図５Ｂ
は、その左側面図、図５Ｃは、その正面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る光半導体装置の凹溝
の変形例を示す正面図である。
の変形例を示す正面図である。
【図７】従来の光半導体装置を示す概略断面図である。
【図８】従来の光半導体装置において使用されるシリコ
ン基板を示し、図８Ａは、その平面図、図８Ｂは、その
左側面図、図８Ｃは、その正面図である。
ン基板を示し、図８Ａは、その平面図、図８Ｂは、その
左側面図、図８Ｃは、その正面図である。
【図９】提案された光半導体装置において、図７Ａは、
その光軸方向に沿った縦断面図、図７Ｂは、その光軸と
直交する方向の縦断面図である。
その光軸方向に沿った縦断面図、図７Ｂは、その光軸と
直交する方向の縦断面図である。
【図１０】提案された光半導体装置において使用される
レンズの光学系を説明する説明図である。
レンズの光学系を説明する説明図である。
【図１１】高ＮＡを備えたレンズの光学系を説明する説
明図である。
明図である。
【図１２】提案された高ＮＡレンズを備えた光半導体装
置において、図１１Ａは、その光軸方向に沿った縦断面
図、図１１Ｂは、その光軸と直交する方向の縦断面図で
ある。
置において、図１１Ａは、その光軸方向に沿った縦断面
図、図１１Ｂは、その光軸と直交する方向の縦断面図で
ある。
【図１３】従来のレンズ、または高ＮＡレンズを備えた
光半導体装置を説明するための光軸方向に沿った縦断面
図である。
光半導体装置を説明するための光軸方向に沿った縦断面
図である。
１０ 光半導体装置 １１ 発光素子（光学素子） １５ シリコン基板 １５ａ 上面部（一面） １５ｂ 第１の溝部 １５ｅ 第１の傾斜面 １５ｆ 第２の傾斜面 １５ｇ 第３の傾斜面 １５ｋ スリット（第２の溝部） １５ｊ 側壁 ２３ 非球面レンズ ２３ｂ エッジ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 CA15 DA05 DA12 5F041 AA06 EE04 EE15 FF14 5F073 AB27 AB28 BA02 DA22 DA35 EA29 FA08 FA13 FA16 FA23 5F088 BA03 BB01 GA04 JA03 JA12 JA14
Claims (3)
- 【請求項１】 一面にエッチングにより形成されたＶ字
状の第１の溝部を有するシリコン基板と、前記第１の溝
部の方向に光軸を持ち、前記一面に取付けられた光学素
子と、前記第１の溝部に取付けられたレンズとを備え、 前記第１の溝部は、対向した第１、第２の傾斜面、及び
第１及び第２の傾斜面と直交する第３の傾斜面とから構
成され、 前記シリコン基板には、前記第１の溝部の方向と直交す
る方向に、前記第１、第２及び第３の傾斜面を含んで切
り欠いた第２の溝部が形成され、 前記レンズは前記第２の溝部内に一部を突出させた状態
で、前記第１及び第２の傾斜面に取付けられ、前記光学
素子が前記レンズを介して光通信可能にしたことを特徴
とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記第２の溝部は、前記シリコン基板を
横切って凹状に形成されたことを特徴とする請求項１記
載の光半導体装置。 - 【請求項３】 前記第２の溝部の側壁に、前記レンズの
エッジ部が当接させて取付けられたことを特徴とする請
求項１または２記載の光半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056013A JP2001242357A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光半導体装置 |
| EP01100598A EP1136862A3 (en) | 2000-02-28 | 2001-01-10 | Optical semiconductor device provided with high numerical aperture lens |
| US09/784,592 US6625188B2 (en) | 2000-02-28 | 2001-02-15 | Optical semiconductor device provided with high-NA lens |
| US10/607,475 US6813294B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-06-26 | Optical semiconductor device provided with high-NA lens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056013A JP2001242357A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001242357A true JP2001242357A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18577043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000056013A Withdrawn JP2001242357A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6625188B2 (ja) |
| EP (1) | EP1136862A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001242357A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
| JP2007286211A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Alps Electric Co Ltd | 光学部材及び光通信モジュール |
| JP2008027997A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | New Japan Radio Co Ltd | 受発光素子及びその製造方法 |
| US20200313399A1 (en) * | 2017-10-12 | 2020-10-01 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10042904C2 (de) * | 2000-08-31 | 2003-03-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterlaserchip mit integriertem Strahlformer und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaserchips mit integriertem Strahlformer |
| US9018561B2 (en) * | 2007-05-23 | 2015-04-28 | Cymer, Llc | High power seed/amplifier laser system with beam shaping intermediate the seed and amplifier |
| US8490678B2 (en) * | 2008-06-02 | 2013-07-23 | Gerald Ho Kim | Silicon-based thermal energy transfer device and apparatus |
| US8238401B2 (en) * | 2008-08-25 | 2012-08-07 | Gerald Ho Kim | Silicon-based lens support structure for diode laser |
| WO2010116862A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | アルプス電気株式会社 | コリメートレンズ |
| JP1557566S (ja) * | 2015-10-30 | 2016-08-29 | ||
| JP1552762S (ja) * | 2015-10-30 | 2016-06-27 | ||
| JP1552852S (ja) * | 2015-10-30 | 2016-06-27 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555333A (en) * | 1993-07-12 | 1996-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical module and a fabrication process thereof |
| JPH07199006A (ja) * | 1994-01-11 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | 光サブアセンブリ及び光モジュール |
| KR970704168A (ko) * | 1994-06-29 | 1997-08-09 | 사이몬 크리스토퍼 로버츠 | 광학소자 패키지(Packaged Optical Device) |
| JP3853866B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2006-12-06 | 日本碍子株式会社 | 光ファイバー固定用基板 |
| JP3592406B2 (ja) * | 1995-07-10 | 2004-11-24 | 富士通株式会社 | 光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
| US5706371A (en) * | 1996-12-03 | 1998-01-06 | E-Tek Dynamics, Inc. | Optical isolator array device |
| US5870417A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-09 | Sdl, Inc. | Thermal compensators for waveguide DBR laser sources |
| JPH11264920A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Fujitsu Ltd | 光伝送モジュール |
| JP3429190B2 (ja) | 1998-04-10 | 2003-07-22 | 株式会社日立製作所 | 光半導体装置 |
| US6172997B1 (en) * | 1998-06-16 | 2001-01-09 | Aculight Corporation | Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000056013A patent/JP2001242357A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-01-10 EP EP01100598A patent/EP1136862A3/en not_active Withdrawn
- 2001-02-15 US US09/784,592 patent/US6625188B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-26 US US10/607,475 patent/US6813294B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
| JP2007286211A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Alps Electric Co Ltd | 光学部材及び光通信モジュール |
| JP2008027997A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | New Japan Radio Co Ltd | 受発光素子及びその製造方法 |
| US20200313399A1 (en) * | 2017-10-12 | 2020-10-01 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts |
| US11735887B2 (en) * | 2017-10-12 | 2023-08-22 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts |
| US11870214B2 (en) | 2017-10-12 | 2024-01-09 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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