JP2001237161A - 荷電粒子線光学系及び電子光学系 - Google Patents
荷電粒子線光学系及び電子光学系Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子線の衝突や吸収による温度上昇が少
ないアパーチャを有し、構造が簡単で温度制御が容易な
荷電粒子線光学系を提供する。 【解決手段】 本発明の荷電粒子線光学系のシェーピン
グアパーチャ９は、荷電粒子線がほとんど吸収されるこ
となく散乱されて通過する導体薄膜からなる。さらに、
シェーピングアパーチャ９より下流側の、成形された荷
電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、厚肉導
体からなる遮蔽アパーチャ１５を有する。シェーピング
アパーチャ９から下方に向かって散乱された荷電粒子
は、遮蔽アパーチャ１５で遮蔽され、散乱された荷電粒
子がウエハ２７に達することを防ぐ。
ないアパーチャを有し、構造が簡単で温度制御が容易な
荷電粒子線光学系を提供する。 【解決手段】 本発明の荷電粒子線光学系のシェーピン
グアパーチャ９は、荷電粒子線がほとんど吸収されるこ
となく散乱されて通過する導体薄膜からなる。さらに、
シェーピングアパーチャ９より下流側の、成形された荷
電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、厚肉導
体からなる遮蔽アパーチャ１５を有する。シェーピング
アパーチャ９から下方に向かって散乱された荷電粒子
は、遮蔽アパーチャ１５で遮蔽され、散乱された荷電粒
子がウエハ２７に達することを防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
のリソグラフィーに用いられる荷電粒子線露光装置の光
学系に関する。特には、荷電粒子線の衝突や吸収による
アパーチャの温度上昇を低減することのできる荷電粒子
線光学系に関する。
のリソグラフィーに用いられる荷電粒子線露光装置の光
学系に関する。特には、荷電粒子線の衝突や吸収による
アパーチャの温度上昇を低減することのできる荷電粒子
線光学系に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
荷電粒子線光学系では、荷電粒子線の絞り、成形、位置
合わせや、散乱電子の吸収を行うアパーチャ板は、Ｍｏ
等の金属で作られていた。
荷電粒子線光学系では、荷電粒子線の絞り、成形、位置
合わせや、散乱電子の吸収を行うアパーチャ板は、Ｍｏ
等の金属で作られていた。
【０００３】上記の金属製アパーチャ板は、荷電粒子の
平均自由工程と比較して十分に大きな厚みを有するた
め、開口部以外に当った荷電粒子が吸収されて、その熱
エネルギーによりアパーチャ板が加熱される。このた
め、アパーチャが熱膨張により変形したり、周囲の構成
部品に対してダメージを与える場合があった。例えば、
アパーチャ付近のゴム製のＯリングに熱による変形を与
えるようなことがあった。このような不具合を防止する
ためには、外部から強制的にアパーチャ板保持部品を水
冷等により冷却する系を設ける必要があった。このた
め、露光装置の構造が複雑になり、鏡筒や部品全体の温
度制御が複雑となっていた。
平均自由工程と比較して十分に大きな厚みを有するた
め、開口部以外に当った荷電粒子が吸収されて、その熱
エネルギーによりアパーチャ板が加熱される。このた
め、アパーチャが熱膨張により変形したり、周囲の構成
部品に対してダメージを与える場合があった。例えば、
アパーチャ付近のゴム製のＯリングに熱による変形を与
えるようなことがあった。このような不具合を防止する
ためには、外部から強制的にアパーチャ板保持部品を水
冷等により冷却する系を設ける必要があった。このた
め、露光装置の構造が複雑になり、鏡筒や部品全体の温
度制御が複雑となっていた。
【０００４】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、荷電粒子線の衝突や吸収による温度上
昇が少ないアパーチャを有し、構造が簡単で温度制御が
容易な荷電粒子線光学系を提供することを目的とする。
たものであって、荷電粒子線の衝突や吸収による温度上
昇が少ないアパーチャを有し、構造が簡単で温度制御が
容易な荷電粒子線光学系を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の第１の荷電粒子線光学系は、 荷電粒子線
源から放射される荷電粒子線束を成形するシェーピング
アパーチャを含む荷電粒子線光学系であって； 該シェ
ーピングアパーチャは、荷電粒子線がほとんど吸収され
ることなく散乱されて通過する導体薄膜からなり、 さ
らに、該シェーピングアパーチャより下流側の、該成形
された荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置
に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を
有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを
特徴とする。
め、本発明の第１の荷電粒子線光学系は、 荷電粒子線
源から放射される荷電粒子線束を成形するシェーピング
アパーチャを含む荷電粒子線光学系であって； 該シェ
ーピングアパーチャは、荷電粒子線がほとんど吸収され
ることなく散乱されて通過する導体薄膜からなり、 さ
らに、該シェーピングアパーチャより下流側の、該成形
された荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置
に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を
有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを
特徴とする。
【０００６】シェーピングアパーチャを導体薄膜で作製
しているため、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパー
チャの数％とすることができ、発熱量が抑えられる。し
たがって、アパーチャ板保持部品を強制的に冷却する系
を設ける必要がなく、装置が簡単になる。さらに、アパ
ーチャの周辺部品の温度制御も容易になる。シェーピン
グアパーチャから下方に向かって散乱された荷電粒子
は、クロスオーバー部に設けられた厚肉導体からなる遮
蔽アパーチャで遮蔽され、散乱された荷電粒子が感応基
板に達することを防ぐことができる。
しているため、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパー
チャの数％とすることができ、発熱量が抑えられる。し
たがって、アパーチャ板保持部品を強制的に冷却する系
を設ける必要がなく、装置が簡単になる。さらに、アパ
ーチャの周辺部品の温度制御も容易になる。シェーピン
グアパーチャから下方に向かって散乱された荷電粒子
は、クロスオーバー部に設けられた厚肉導体からなる遮
蔽アパーチャで遮蔽され、散乱された荷電粒子が感応基
板に達することを防ぐことができる。
【０００７】本発明の第１の電子線光学系は、 電子線
源から放射される電子線束を成形するシェーピングアパ
ーチャを含む電子線光学系であって； 該シェーピング
アパーチャは、電子線がほとんど吸収されることなく散
乱されて通過する導体薄膜からなり、 該薄膜が、該薄
膜を構成する材料中における電子の平均自由工程の１０
〜１００倍の厚さを有する導体薄膜（メンブレン）であ
り、 さらに、該シェーピングアパーチャより下流側
の、該成形された電子線束がクロスオーバーを形成する
位置に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開
口を有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有するこ
とを特徴とする。シェーピングアパーチャの厚さを、ア
パーチャを構成する材料中における電子の平均自由工程
の１０〜１００倍とすることにより電子線はほとんどメ
ンブレンに吸収されることなくメンブレンを通過する。
源から放射される電子線束を成形するシェーピングアパ
ーチャを含む電子線光学系であって； 該シェーピング
アパーチャは、電子線がほとんど吸収されることなく散
乱されて通過する導体薄膜からなり、 該薄膜が、該薄
膜を構成する材料中における電子の平均自由工程の１０
〜１００倍の厚さを有する導体薄膜（メンブレン）であ
り、 さらに、該シェーピングアパーチャより下流側
の、該成形された電子線束がクロスオーバーを形成する
位置に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開
口を有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有するこ
とを特徴とする。シェーピングアパーチャの厚さを、ア
パーチャを構成する材料中における電子の平均自由工程
の１０〜１００倍とすることにより電子線はほとんどメ
ンブレンに吸収されることなくメンブレンを通過する。
【０００８】本発明の第２の荷電粒子線光学系は、 荷
電粒子線源から放射される荷電粒子線束の開き角を決定
するトリムアパーチャを含む荷電粒子線光学系であっ
て；該トリムアパーチャは、荷電粒子線がほとんど吸収
されることなく散乱されて通過する導体薄膜からなり、
さらに、該トリムアパーチャより下流側の、該成形さ
れた荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、
該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有
し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特
徴とする。トリムアパーチャを導体薄膜で作製している
ため、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパーチャの数
％とすることができ、発熱量が抑えられる。
電粒子線源から放射される荷電粒子線束の開き角を決定
するトリムアパーチャを含む荷電粒子線光学系であっ
て；該トリムアパーチャは、荷電粒子線がほとんど吸収
されることなく散乱されて通過する導体薄膜からなり、
さらに、該トリムアパーチャより下流側の、該成形さ
れた荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、
該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有
し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特
徴とする。トリムアパーチャを導体薄膜で作製している
ため、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパーチャの数
％とすることができ、発熱量が抑えられる。
【０００９】本発明の第２の電子線光学系は、 電子線
源から放射される電子線束の開き角を決定するトリムア
パーチャを含む電子線光学系であって； 該トリムアパ
ーチャは、電子線がほとんど吸収されることなく散乱さ
れて通過する導体薄膜からなり、 該薄膜が、該薄膜を
構成する材料中における電子の平均自由工程の１０〜１
００倍の厚さを有する導体薄膜（メンブレン）であり、
さらに、該トリムアパーチャより下流側の、該成形さ
れた電子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該ク
ロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、厚
肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特徴とす
る。トリムアパーチャをメンブレンで作製しているた
め、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパーチャの数％
とすることができ、発熱量が抑えられる。
源から放射される電子線束の開き角を決定するトリムア
パーチャを含む電子線光学系であって； 該トリムアパ
ーチャは、電子線がほとんど吸収されることなく散乱さ
れて通過する導体薄膜からなり、 該薄膜が、該薄膜を
構成する材料中における電子の平均自由工程の１０〜１
００倍の厚さを有する導体薄膜（メンブレン）であり、
さらに、該トリムアパーチャより下流側の、該成形さ
れた電子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該ク
ロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、厚
肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特徴とす
る。トリムアパーチャをメンブレンで作製しているた
め、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパーチャの数％
とすることができ、発熱量が抑えられる。
【００１０】本発明の１つの具体的な態様の電子線照明
光学系は、 カソードから放射される電子線をレチクル
に結像させて照明する電子線光学系であって； 該カソ
ードから放射された電子線がクロスオーバーを形成する
位置に配置された、該カソードから放射される電子線の
開き角を決定するトリムアパーチャと、 該トリムアパ
ーチャの下流側の、該カソードから放射された電子線が
結像する位置に配置された、該カソードから放射された
電子線を成形するシェーピングアパーチャと、を備え、
上記トリムアパーチャ及び／又はシェーピングアパー
チャがメンブレンからなり、該シェーピングアパーチャ
より下流側の、該成形された電子線束がクロスオーバー
を形成する位置に、該クロスオーバーの寸法と同程度の
大きさの開口を有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャ
を有することを特徴とする。
光学系は、 カソードから放射される電子線をレチクル
に結像させて照明する電子線光学系であって； 該カソ
ードから放射された電子線がクロスオーバーを形成する
位置に配置された、該カソードから放射される電子線の
開き角を決定するトリムアパーチャと、 該トリムアパ
ーチャの下流側の、該カソードから放射された電子線が
結像する位置に配置された、該カソードから放射された
電子線を成形するシェーピングアパーチャと、を備え、
上記トリムアパーチャ及び／又はシェーピングアパー
チャがメンブレンからなり、該シェーピングアパーチャ
より下流側の、該成形された電子線束がクロスオーバー
を形成する位置に、該クロスオーバーの寸法と同程度の
大きさの開口を有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャ
を有することを特徴とする。
【００１１】本発明の荷電粒子線露光方法は、 荷電粒
子線を用いてマスク上のパターンを感応基板に転写する
露光方法であって； 荷電粒子線源から放射される荷電
粒子線束を、荷電粒子線がほとんど吸収されることなく
散乱されて通過する導体薄膜からなるシェーピングアパ
ーチャで成形し、 該成形された荷電粒子線束がクロス
オーバーを形成する位置に、該クロスオーバーの寸法と
同程度の大きさの開口を有し、厚肉導体からなる遮蔽ア
パーチャを設け、該遮蔽アパーチャで上記散乱された荷
電粒子線をカットすることを特徴とする。
子線を用いてマスク上のパターンを感応基板に転写する
露光方法であって； 荷電粒子線源から放射される荷電
粒子線束を、荷電粒子線がほとんど吸収されることなく
散乱されて通過する導体薄膜からなるシェーピングアパ
ーチャで成形し、 該成形された荷電粒子線束がクロス
オーバーを形成する位置に、該クロスオーバーの寸法と
同程度の大きさの開口を有し、厚肉導体からなる遮蔽ア
パーチャを設け、該遮蔽アパーチャで上記散乱された荷
電粒子線をカットすることを特徴とする。
【００１２】シェーピングアパーチャを導体薄膜で作製
することにより、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパ
ーチャの数％とすることができるため、発熱量が抑えら
れる。このため、アパーチャ板保持部品を強制的に冷却
する系を設ける必要がなく、より簡単な装置を用いて露
光を行うことができる。シェーピングアパーチャから下
方に向かって散乱された荷電粒子は、クロスオーバー部
に設けられた金属製の遮蔽アパーチャで遮蔽され、散乱
された荷電粒子が感応基板に達することを防ぐことがで
きる。このため、感応基板に露光されたパターンのコン
トラストが低下しない。
することにより、荷電粒子線の電流吸収量を金属製アパ
ーチャの数％とすることができるため、発熱量が抑えら
れる。このため、アパーチャ板保持部品を強制的に冷却
する系を設ける必要がなく、より簡単な装置を用いて露
光を行うことができる。シェーピングアパーチャから下
方に向かって散乱された荷電粒子は、クロスオーバー部
に設けられた金属製の遮蔽アパーチャで遮蔽され、散乱
された荷電粒子が感応基板に達することを防ぐことがで
きる。このため、感応基板に露光されたパターンのコン
トラストが低下しない。
【００１３】本発明のデバイス製造方法は、 荷電粒子
線を感応基板上に結像させる光学系を含む荷電粒子線露
光装置を用いてリソグラフィー工程を行うデバイス製造
方法であって； リソグラフィー工程において、荷電粒
子線源から放射される荷電粒子線束を、荷電粒子線がほ
とんど吸収されることなく散乱されて通過する導体薄膜
からなるシェーピングアパーチャで成形し、 該成形さ
れた電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該
クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、
厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを設け、該遮蔽アパー
チャで上記散乱された荷電粒子線をカットすることを特
徴とする。アパーチャの熱膨張による周辺部品の変形を
生じることがなく、また、装置の複雑化を抑えたデバイ
ス製造方法を提供することができる。
線を感応基板上に結像させる光学系を含む荷電粒子線露
光装置を用いてリソグラフィー工程を行うデバイス製造
方法であって； リソグラフィー工程において、荷電粒
子線源から放射される荷電粒子線束を、荷電粒子線がほ
とんど吸収されることなく散乱されて通過する導体薄膜
からなるシェーピングアパーチャで成形し、 該成形さ
れた電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該
クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、
厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを設け、該遮蔽アパー
チャで上記散乱された荷電粒子線をカットすることを特
徴とする。アパーチャの熱膨張による周辺部品の変形を
生じることがなく、また、装置の複雑化を抑えたデバイ
ス製造方法を提供することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図１は、本発明の第１実施例に係る電子線投影露光
装置の光学系全体の構成例を示す図である。まず、露光
装置全体の構成について説明する。電子銃のカソード１
は光学系の最上流に配置されて、下方に向けて電子線を
放射する。電子線は、電子銃１の下方に配置された第
1、第２コンデンサレンズ３、５で収束され、第２コン
デンサレンズ５の主面と同じ位置でクロスオーバーを結
ぶ。
る。図１は、本発明の第１実施例に係る電子線投影露光
装置の光学系全体の構成例を示す図である。まず、露光
装置全体の構成について説明する。電子銃のカソード１
は光学系の最上流に配置されて、下方に向けて電子線を
放射する。電子線は、電子銃１の下方に配置された第
1、第２コンデンサレンズ３、５で収束され、第２コン
デンサレンズ５の主面と同じ位置でクロスオーバーを結
ぶ。
【００１５】第２コンデンサレンズ５と同じ位置には、
例えば円形のトリムアパーチャ７が設けられている。こ
のトリムアパーチャ９はＳｉ等で作られたメンブレン
（導体薄膜）である。Ｓｉを用いた場合、平均自由工程
は１００ｋｖ電子線に対し１５０ｎｍ程度であるので、
メンブレンの厚さはこの平均自由工程の１０〜１００倍
の２μｍ程度が適当である。メンブレンの材料としては
他にＳｉＯ2、Ｓｉ4Ｎ4等を用いることができる。この
トリムアパーチャ７により、電子線の開き角が決定され
る。トリムアパーチャ９をメンブレンとすることで、電
子線の衝突や吸収による温度上昇による熱膨張を抑え、
アパーチャの変形を防ぐことができる。
例えば円形のトリムアパーチャ７が設けられている。こ
のトリムアパーチャ９はＳｉ等で作られたメンブレン
（導体薄膜）である。Ｓｉを用いた場合、平均自由工程
は１００ｋｖ電子線に対し１５０ｎｍ程度であるので、
メンブレンの厚さはこの平均自由工程の１０〜１００倍
の２μｍ程度が適当である。メンブレンの材料としては
他にＳｉＯ2、Ｓｉ4Ｎ4等を用いることができる。この
トリムアパーチャ７により、電子線の開き角が決定され
る。トリムアパーチャ９をメンブレンとすることで、電
子線の衝突や吸収による温度上昇による熱膨張を抑え、
アパーチャの変形を防ぐことができる。
【００１６】第２コンデンサレンズ５の下方にはシェー
ピングアパーチャ９が配置されている。ここに電子銃の
カソード１の電子放出面の像が結像する。シェーピング
アパーチャ９は、電子線束（ビーム）の周辺部を成形
し、レチクルを照明するビームの面積が決定される。こ
のシェーピングアパーチャ９は、上述のトリムアパーチ
ャ７と同様にＳｉ等で作られたメンブレンである。シェ
ーピングアパーチャ９をメンブレンとすることで、電子
線の衝突や吸収による温度上昇による熱膨張を抑え、ア
パーチャの変形を防ぐことができる。
ピングアパーチャ９が配置されている。ここに電子銃の
カソード１の電子放出面の像が結像する。シェーピング
アパーチャ９は、電子線束（ビーム）の周辺部を成形
し、レチクルを照明するビームの面積が決定される。こ
のシェーピングアパーチャ９は、上述のトリムアパーチ
ャ７と同様にＳｉ等で作られたメンブレンである。シェ
ーピングアパーチャ９をメンブレンとすることで、電子
線の衝突や吸収による温度上昇による熱膨張を抑え、ア
パーチャの変形を防ぐことができる。
【００１７】シェーピングアパーチャ９の下には第三コ
ンデンサレンズ１３が配置されている。第三コンデンサ
レンズ１３の下のクロスオーバー位置には、金属アパー
チャ１５が配置されている。金属アパーチャ１５はＭｏ
やＴａ等の金属製で、厚さが５００〜１０００μm程度
である。この金属アパーチャ１５は、トリムアパーチャ
７やシェーピングアパーチャ９によって散乱された電子
をカットする役割を果たす。
ンデンサレンズ１３が配置されている。第三コンデンサ
レンズ１３の下のクロスオーバー位置には、金属アパー
チャ１５が配置されている。金属アパーチャ１５はＭｏ
やＴａ等の金属製で、厚さが５００〜１０００μm程度
である。この金属アパーチャ１５は、トリムアパーチャ
７やシェーピングアパーチャ９によって散乱された電子
をカットする役割を果たす。
【００１８】金属アパーチャ１５の下方には照明レンズ
１７が配置されている。照明レンズ１７を通過した電子
線は、照明レンズ１７下方に配置されたレチクル１９
に、シェーピングアパーチャ９の像を結像する。レチク
ル１９の下には第１、第２投影レンズ２１、２３が配置
されている。各投影レンズ間のクロスオーバー位置には
金属アパーチャ２５が配置されている。金属アパーチャ
２５はＭｏやＴａ等の金属製で、厚さが５００〜１００
０μm程度である。この金属アパーチャ２５は、レチク
ル１９のＳｉメンブレンで散乱された電子をカットする
役割を果たす。このアパーチャ２５はコントラストアパ
ーチャと呼ばれる。レチクル１９の像は、第１、第２投
影レンズ２１、２３で縮小されてウエハ２７に結像す
る。なお、図１の光学系では図示省略されているが、実
際の電子線露光装置には電子線を偏向させる偏向器や各
種の補正コイル等が設けられている。
１７が配置されている。照明レンズ１７を通過した電子
線は、照明レンズ１７下方に配置されたレチクル１９
に、シェーピングアパーチャ９の像を結像する。レチク
ル１９の下には第１、第２投影レンズ２１、２３が配置
されている。各投影レンズ間のクロスオーバー位置には
金属アパーチャ２５が配置されている。金属アパーチャ
２５はＭｏやＴａ等の金属製で、厚さが５００〜１００
０μm程度である。この金属アパーチャ２５は、レチク
ル１９のＳｉメンブレンで散乱された電子をカットする
役割を果たす。このアパーチャ２５はコントラストアパ
ーチャと呼ばれる。レチクル１９の像は、第１、第２投
影レンズ２１、２３で縮小されてウエハ２７に結像す
る。なお、図１の光学系では図示省略されているが、実
際の電子線露光装置には電子線を偏向させる偏向器や各
種の補正コイル等が設けられている。
【００１９】図２は、金属アパーチャが散乱電子を除去
する過程を模式的に示す図である。この図は、図１のシ
ェーピングアパーチャ９、第３コンデンサレンズ１３、
金属アパーチャ１５の付近を拡大して示している。シェ
ーピングアパーチャ９の開口部を通過した電子線（図中
の実線で示す）は、第３コンデンサレンズ１３により絞
られて、金属アパーチャ１５の開口部を通過する。一
方、シェーピングアパーチャ９に当って散乱された電子
線（図中の鎖線で示す）は、レンズで十分に絞られない
ため、金属アパーチャ１５をほとんど通過することがで
きない。このように金属アパーチャ１５を設けることに
よって、シェーピングアパーチャ９の位置に、高コント
ラストな金属アパーチャを設置するのと同様な機能を持
たせることができる。
する過程を模式的に示す図である。この図は、図１のシ
ェーピングアパーチャ９、第３コンデンサレンズ１３、
金属アパーチャ１５の付近を拡大して示している。シェ
ーピングアパーチャ９の開口部を通過した電子線（図中
の実線で示す）は、第３コンデンサレンズ１３により絞
られて、金属アパーチャ１５の開口部を通過する。一
方、シェーピングアパーチャ９に当って散乱された電子
線（図中の鎖線で示す）は、レンズで十分に絞られない
ため、金属アパーチャ１５をほとんど通過することがで
きない。このように金属アパーチャ１５を設けることに
よって、シェーピングアパーチャ９の位置に、高コント
ラストな金属アパーチャを設置するのと同様な機能を持
たせることができる。
【００２０】図３は、上記のシェーピングアパーチャの
メンブレン製造方法の一例を示す断面図である。まず、
図３（ａ）に示すように、ベースウェハ３１の上面にボ
ロンドープ酸化膜３３Ｄ´及びＳｉメンブレン層３２Ａ
を積層する。そしてその上面の反対面（下面）に、Ｓｉ
Ｎ膜（窒化シリコン膜）３５を成膜する。同ＳｉＮ膜３
５は、ベースウェハ３１の同下面側から同ベースウェハ
３１をエッチングする際のマスクの役割を果たす。
メンブレン製造方法の一例を示す断面図である。まず、
図３（ａ）に示すように、ベースウェハ３１の上面にボ
ロンドープ酸化膜３３Ｄ´及びＳｉメンブレン層３２Ａ
を積層する。そしてその上面の反対面（下面）に、Ｓｉ
Ｎ膜（窒化シリコン膜）３５を成膜する。同ＳｉＮ膜３
５は、ベースウェハ３１の同下面側から同ベースウェハ
３１をエッチングする際のマスクの役割を果たす。
【００２１】次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＮ膜
３５上にレジストを塗布してレジスト膜３６を成膜す
る。次に、ベースウェハ３１に支持部（ストラット）３
１Ａを形成する際のパターンをレジスト膜３６に露光し
たのち現像する。そして、同レジスト膜３６をマスクと
してＳｉＮ膜３５をドライエッチングすることにより、
図に示すように、同ＳｉＮ膜３５に支持部３１Ａの形成
位置パターンが形成される。
３５上にレジストを塗布してレジスト膜３６を成膜す
る。次に、ベースウェハ３１に支持部（ストラット）３
１Ａを形成する際のパターンをレジスト膜３６に露光し
たのち現像する。そして、同レジスト膜３６をマスクと
してＳｉＮ膜３５をドライエッチングすることにより、
図に示すように、同ＳｉＮ膜３５に支持部３１Ａの形成
位置パターンが形成される。
【００２２】次に、図３（ｃ）に示すように、ＳｉＮ膜
３５をマスクとして、上記支持部１Ａの形成位置パター
ンに応じてベースウェハ３１を下面側からウェットエッ
チング（バックエッチング）する、このエッチングによ
り、メンブレン層３２Ａを支持する梁状の支持部（スト
ラット）３１Ａと、同支持部３１Ａに囲まれたメンブレ
ン領域３１Ｂとが形成される。各メンブレン小領域３１
Ｂには、ボロンドープ酸化膜３３Ｄ´が露出する。この
後、各支持部３１Ａの下端（ボロンドープ酸化膜３３Ｄ
´と接触した端部の反対側）に残ったＳｉＮ膜３５及び
レジスト膜３６を剥離する。
３５をマスクとして、上記支持部１Ａの形成位置パター
ンに応じてベースウェハ３１を下面側からウェットエッ
チング（バックエッチング）する、このエッチングによ
り、メンブレン層３２Ａを支持する梁状の支持部（スト
ラット）３１Ａと、同支持部３１Ａに囲まれたメンブレ
ン領域３１Ｂとが形成される。各メンブレン小領域３１
Ｂには、ボロンドープ酸化膜３３Ｄ´が露出する。この
後、各支持部３１Ａの下端（ボロンドープ酸化膜３３Ｄ
´と接触した端部の反対側）に残ったＳｉＮ膜３５及び
レジスト膜３６を剥離する。
【００２３】さらに、図３（ｄ）に示すように、メンブ
レン層３２Ａ上にレジストを塗布してレジスト膜３７を
成膜する。そして、メンブレン層３２Ａにアパーチャパ
ターン（例えば四角形）をレジスト膜３７に露光したの
ち現像する。なお、図３（ｄ）は、レジスト膜３７にア
パーチャパターンが現像された状態を示している。
レン層３２Ａ上にレジストを塗布してレジスト膜３７を
成膜する。そして、メンブレン層３２Ａにアパーチャパ
ターン（例えば四角形）をレジスト膜３７に露光したの
ち現像する。なお、図３（ｄ）は、レジスト膜３７にア
パーチャパターンが現像された状態を示している。
【００２４】次に、図３（ｅ）に示すように、アパーチ
ャパターンが現像されたレジスト膜３７をマスクとして
メンブレン層３２Ａをドライエッチングすることによ
り、アパーチャパターンが同メンブレン層３２Ａに形成
される。この後、同メンブレン層３２Ａ上に残ったレジ
スト膜３７を剥離する。なお、図３（ｅ）は、レジスト
膜３７を剥離した状態を示している。
ャパターンが現像されたレジスト膜３７をマスクとして
メンブレン層３２Ａをドライエッチングすることによ
り、アパーチャパターンが同メンブレン層３２Ａに形成
される。この後、同メンブレン層３２Ａ上に残ったレジ
スト膜３７を剥離する。なお、図３（ｅ）は、レジスト
膜３７を剥離した状態を示している。
【００２５】そして、図３（ｆ）に示すように、各メン
ブレン小領域３１Ｂのボロンドープ酸化膜３３Ｄ´をフ
ッ酸を用いて除去することにより、最終的に所望のメン
ブレンアパーチャが得られる。
ブレン小領域３１Ｂのボロンドープ酸化膜３３Ｄ´をフ
ッ酸を用いて除去することにより、最終的に所望のメン
ブレンアパーチャが得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、シェーピングアパーチャをメンブレンで作製
していることにより、電子線等の荷電粒子線の電流吸収
量を金属製アパーチャの数％とすることができ、アパー
チャの発熱を抑えることができる。したがって、アパー
チャ板保持部品を強制的に冷却する系を設ける必要がな
く、装置が簡単になる。さらに、周辺部品の温度制御も
容易になる。また、シェーピングアパーチャから下方に
向かって散乱された荷電粒子が、クロスオーバー部に設
けられた金属製の遮蔽アパーチャで遮蔽されるため、散
乱された荷電粒子が感応基板に達することを防ぎ、パタ
ーンのコントラスト低下を抑えることができる。
によれば、シェーピングアパーチャをメンブレンで作製
していることにより、電子線等の荷電粒子線の電流吸収
量を金属製アパーチャの数％とすることができ、アパー
チャの発熱を抑えることができる。したがって、アパー
チャ板保持部品を強制的に冷却する系を設ける必要がな
く、装置が簡単になる。さらに、周辺部品の温度制御も
容易になる。また、シェーピングアパーチャから下方に
向かって散乱された荷電粒子が、クロスオーバー部に設
けられた金属製の遮蔽アパーチャで遮蔽されるため、散
乱された荷電粒子が感応基板に達することを防ぎ、パタ
ーンのコントラスト低下を抑えることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る電子線投影露光装置
の光学系全体の構成例を示す図である。
の光学系全体の構成例を示す図である。
【図２】金属アパーチャが散乱電子を除去する過程を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図３】上記のシェーピングアパーチャのメンブレン製
造方法の一例を示す断面図である。
造方法の一例を示す断面図である。
１ カソード ３ 第１コンデ
ンサレンズ ５ 第２コンデンサレンズ ７ トリムアパ
ーチャ ９ シェーピングアパーチャ １３ 第３コンデ
ンサレンズ １５ 金属アパーチャ １７ 照明レン
ズ １９ レチクル ２１ 第１投影
レンズ ２３ 第２投影レンズ ２５ 金属アパ
ーチャ ２７ ウエハ
ンサレンズ ５ 第２コンデンサレンズ ７ トリムアパ
ーチャ ９ シェーピングアパーチャ １３ 第３コンデ
ンサレンズ １５ 金属アパーチャ １７ 照明レン
ズ １９ レチクル ２１ 第１投影
レンズ ２３ 第２投影レンズ ２５ 金属アパ
ーチャ ２７ ウエハ
Claims (7)
- 【請求項１】 荷電粒子線源から放射される荷電粒子線
束を成形するシェーピングアパーチャを含む荷電粒子線
光学系であって；該シェーピングアパーチャは、荷電粒
子線がほとんど吸収されることなく散乱されて通過する
導体薄膜からなり、 さらに、該シェーピングアパーチャより下流側の、該成
形された荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置
に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を
有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを
特徴とする荷電粒子線光学系。 - 【請求項２】 電子線源から放射される電子線束を成形
するシェーピングアパーチャを含む電子線光学系であっ
て；該シェーピングアパーチャは、電子線がほとんど吸
収されることなく散乱されて通過する導体薄膜からな
り、 該薄膜が、該薄膜を構成する材料中における電子の平均
自由工程の１０〜１００倍の厚さを有する導体薄膜（メ
ンブレン）であり、 さらに、該シェーピングアパーチャより下流側の、該成
形された電子線束がクロスオーバーを形成する位置に、
該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有
し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特
徴とする電子線光学系。 - 【請求項３】 荷電粒子線源から放射される荷電粒子線
束の開き角を決定するトリムアパーチャを含む荷電粒子
線光学系であって；該トリムアパーチャは、荷電粒子線
がほとんど吸収されることなく散乱されて通過する導体
薄膜からなり、 さらに、該トリムアパーチャより下流側の、該成形され
た荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該
クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、
厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特徴と
する荷電粒子線光学系。 - 【請求項４】 電子線源から放射される電子線束の開き
角を決定するトリムアパーチャを含む電子線光学系であ
って；該トリムアパーチャは、電子線がほとんど吸収さ
れることなく散乱されて通過する導体薄膜からなり、 該薄膜が、該薄膜を構成する材料中における電子の平均
自由工程の１０〜１００倍の厚さを有する導体薄膜（メ
ンブレン）であり、 さらに、該トリムアパーチャより下流側の、該成形され
た電子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該クロ
スオーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、厚肉
導体からなる遮蔽アパーチャを有することを特徴とする
電子線光学系。 - 【請求項５】 カソードから放射される電子線をレチク
ルに結像させて照明する電子線光学系であって；該カソ
ードから放射された電子線がクロスオーバーを形成する
位置に配置された、該カソードから放射される電子線の
開き角を決定するトリムアパーチャと、 該トリムアパーチャの下流側の、該カソードから放射さ
れた電子線が結像する位置に配置された、該カソードか
ら放射された電子線を成形するシェーピングアパーチャ
と、 を備え、 上記トリムアパーチャ及び／又はシェーピングアパーチ
ャがメンブレンからなり、 該シェーピングアパーチャより下流側の、該成形された
電子線束がクロスオーバーを形成する位置に、該クロス
オーバーの寸法と同程度の大きさの開口を有し、厚肉導
体からなる遮蔽アパーチャを有することを特徴とする電
子線光学系。 - 【請求項６】 荷電粒子線を用いてマスク上のパターン
を感応基板に転写する露光方法であって；荷電粒子線源
から放射される荷電粒子線束を、荷電粒子線がほとんど
吸収されることなく散乱されて通過する導体薄膜からな
るシェーピングアパーチャで成形し、 該成形された荷電粒子線束がクロスオーバーを形成する
位置に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開
口を有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを設け、該
遮蔽アパーチャで上記散乱された荷電粒子線をカットす
ることを特徴とする荷電粒子線露光方法。 - 【請求項７】 荷電粒子線を感応基板上に結像させる光
学系を含む荷電粒子線露光装置を用いてリソグラフィー
工程を行うデバイス製造方法であって；リソグラフィー
工程において、 荷電粒子線源から放射される荷電粒子線束を、荷電粒子
線がほとんど吸収されることなく散乱されて通過する導
体薄膜からなるシェーピングアパーチャで成形し、 該成形された電粒子線束がクロスオーバーを形成する位
置に、該クロスオーバーの寸法と同程度の大きさの開口
を有し、厚肉導体からなる遮蔽アパーチャを設け、該遮
蔽アパーチャで上記散乱された荷電粒子線をカットする
ことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000045811A JP2001237161A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 荷電粒子線光学系及び電子光学系 |
| US09/790,194 US6603131B2 (en) | 2000-02-23 | 2001-02-20 | Charged-particle-beam optical systems and microlithography apparatus comprising a non-absorbing shaping aperture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000045811A JP2001237161A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 荷電粒子線光学系及び電子光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237161A true JP2001237161A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18568342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000045811A Pending JP2001237161A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 荷電粒子線光学系及び電子光学系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6603131B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001237161A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103238202A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-08-07 | 以色列实用材料有限公司 | 粒子光学***及布置，以及用于这种***及布置的粒子光学组件 |
| JP2013544030A (ja) * | 2010-11-13 | 2013-12-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | アパーチャアレイ冷却部を備えた荷電粒子リソグラフィシステム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8244066B2 (en) * | 2008-03-24 | 2012-08-14 | The Aerospace Corporation | Adaptive membrane shape deformation system |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3995954A (en) * | 1975-09-26 | 1976-12-07 | Xerox Corporation | Exposure system |
| US5455427A (en) * | 1993-04-28 | 1995-10-03 | Lepton, Inc. | Lithographic electron-beam exposure apparatus and methods |
| JP3082662B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 荷電ビーム露光装置および露光方法 |
| US6218676B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-04-17 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam image-transfer apparatus exhibiting reduced space-charge effects and device fabrication methods using the same |
| US6433347B1 (en) * | 1998-06-19 | 2002-08-13 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam projection-exposure methods and apparatus that selectively expose desired exposure units of a reticle pattern |
| JP2000173889A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Canon Inc | 電子線露光装置、電子レンズ、ならびにデバイス製造方法 |
| JP2000232052A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写露光装置 |
| US6541783B1 (en) * | 1999-05-28 | 2003-04-01 | Nikon Corporation | Stencil reticle incorporating scattering features for electron beam projection lithography |
| US6437352B1 (en) * | 1999-06-01 | 2002-08-20 | Nikon Corporation | Charged particle beam projection lithography with variable beam shaping |
| US6326634B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | E-beam shape aperature incorporating lithographically defined heater element |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000045811A patent/JP2001237161A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-20 US US09/790,194 patent/US6603131B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103238202A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-08-07 | 以色列实用材料有限公司 | 粒子光学***及布置，以及用于这种***及布置的粒子光学组件 |
| US9384938B2 (en) | 2010-09-28 | 2016-07-05 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| US9653254B2 (en) | 2010-09-28 | 2017-05-16 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| CN107104029A (zh) * | 2010-09-28 | 2017-08-29 | 以色列实用材料有限公司 | 粒子光学***及布置与用于该***及布置的粒子光学组件 |
| JP2013544030A (ja) * | 2010-11-13 | 2013-12-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | アパーチャアレイ冷却部を備えた荷電粒子リソグラフィシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010016299A1 (en) | 2001-08-23 |
| US6603131B2 (en) | 2003-08-05 |
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