JP2001236641A - 薄膜磁気テープ用蒸着装置 - Google Patents

薄膜磁気テープ用蒸着装置

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JP2001236641A
JP2001236641A JP2000045839A JP2000045839A JP2001236641A JP 2001236641 A JP2001236641 A JP 2001236641A JP 2000045839 A JP2000045839 A JP 2000045839A JP 2000045839 A JP2000045839 A JP 2000045839A JP 2001236641 A JP2001236641 A JP 2001236641A
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JP
Japan
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crucible
base film
thin film
width
vapor deposition
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Masaru Segawa
勝 瀬川
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Victor Company of Japan Ltd
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Victor Company of Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベースフィルム上に金属磁性薄膜を成膜する
時に、製品歩留まりと蒸着材料利用効率を向上させる。 【解決手段】 真空槽2内で帯状のベースフィルム8を
冷却キャンロール7の周面に沿って走行させ、且つ、冷
却キャンロール7の下方でベースフィルム8の幅方向に
沿って設置したルツボ9B内で溶融させた金属磁性材料
10を該ルツボ9Bの開口部から蒸発させて、ベースフ
ィルム8の一方の面に金属磁性薄膜を成膜する薄膜磁気
テープ用蒸着装置1Bにおいて、ルツボ9Bの開口部
は、ベースフィルム9の幅方向の略中央部と対応する長
さ方向の略中央部を幅狭く形成し、且つ、長さ方向の略
中央部から両端部に向かって徐々に幅広く形成したこと
を特徴とする薄膜磁気テープ用蒸着装置1Bを提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、斜方蒸着法を適用
した薄膜磁気テープ用蒸着装置において、とくに、ルツ
ボの開口部の形状に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ディジタル・ビデオ・テープレコ
ーダなどに適用される磁気テープは、高密度及び薄膜化
を達成するために、とくに、薄膜磁気テープ,垂直磁気
テープなどが注目されている。
【0003】図5は斜方蒸着法を適用した一般的な薄膜
磁気テープ用蒸着装置の構成を示した構成図、図6は一
般的な薄膜磁気テープ蒸着装置内の冷却キャンロール近
傍を示した斜視図、図7(a)〜(c)は一般的な薄膜
磁気テープ用蒸着装置内に設置したルツボの開口部の形
状を説明するための斜視図,平面図、縦断面図である。
【0004】図5に示した如く、斜方蒸着法を適用した
一般的な薄膜磁気テープ用蒸着装置1Aの真空槽2内は
真空状態に保たれている。この真空槽2内には、供給ロ
ール3と、巻取ロール4と、ガイドロール5,6と、冷
却キャンロール7とが回転自在に配置されている。
【0005】そして、真空槽2内で、供給ロール3に巻
回した帯状のベースフィルム8は、供給側のガイドロー
ル5、冷却キャンロール7の周面、巻取側のガイドロー
ル6に沿いながら巻取ロール4に向かって矢印方向に走
行している。
【0006】ここで、ベースフィルム8はポリエチレン
テレフタレート(PET)フィルムなどを使用してお
り、このベースフィルム8は供給ロール3にロール状に
数千〜数万m巻いたものを真空槽2内にセットし、ベー
スフィルム8の一方の面に冷却キャンロール7の下方に
設置した後述のルツボ9Aから蒸発した金属磁性材料1
0を連続して1ロール蒸着を行う方法が一般的に取られ
ている。
【0007】即ち、冷却キャンロール7の斜め下方に
は、ルツボ材料としてMgO(マグネシア)を用いて箱
状に形成したルツボ9Aが設置されている。このルツボ
9A内には、Co又はCoNiなどの強磁性材料(以
下、金属磁性材料と記す)10が収容されている。
【0008】また、真空槽2の側壁2aには、ルツボ9
A内に収容した金属磁性材料10を溶融させて、このル
ツボ9Aの開口部から溶融した金属磁性材料10を蒸発
させるピアス型電子銃11が取り付けられている。この
ピアス型電子銃11は、ルツボ9A内の金属磁性材料1
0に向かって電子ビーム12が出射されており、金属磁
性材料10を溶融してベースフィルム8の一方の面側に
蒸発させている。
【0009】また、冷却キャンロール7の下方部位に沿
って入射角規制マスク部材13がルツボ9A側と対向し
て取り付けられており、この入射角規制マスク部材13
は、ベースフィルム8が冷却キャンロール7に沿って走
行する時に、ルツボ9Aから蒸着した金属磁性材料10
のベースフィルム8に対する最大入射角θmax及び最
小入射角θminを規制している。
【0010】また、冷却キャンロール7の下方部位に沿
い、且つ、入射角規制マスク部材13のうちで最小入射
角θmin側の内側には酸素ガス導入パイプ14が取り
付けられている。そして、酸素ガス導入パイプ14に導
入した酸素ガスが、ベースフィルム8の幅方向に沿って
複数形成した酸素ガス吹き出し用の微細孔から蒸発した
金属磁性材料10に向かって吹き出されており、この酸
素ガスにより蒸発した金属磁性材料10を酸化させるこ
とにより後述の金属磁性薄膜に対して静磁気特性の向上
と信頼性(耐久性や耐食性)とを確保することが主流に
なっている。
【0011】また、ピアス型電子銃11から出射される
電子ビーム12は、軌道に偏向磁界を印加するための偏
向用マグネット15と、ルツボ9Aに近設した偏向用マ
グネット16とにより制御されている。従って、ルツボ
9Aの長手方向に電子ビーム12を走査することにより
ベースフィルム8の幅方向にスキャンされて、蒸発した
Co又はCoNiなどの金属磁性材料10がベースフィ
ルム8の幅方向にCoO又はCoNiOなどの金属磁性
薄膜として成膜され、これをベースフィルム8の長さ方
向に繰り返すことにより長尺な薄膜磁気テープが巻取ロ
ール4側に巻き取れている。
【0012】ここで、ルツボ9Aから蒸発した金属磁性
材料10をベースフィルム8上に金属磁性薄膜として成
膜する際、ベースフィルム8への耐熱性を考慮して、図
6に示したように、矢印方向に回転する冷却キャンロー
ル7の内部には、冷却器(図示せず)が設置され、蒸着
時にベースフィルム8の温度上昇による変形などを抑制
している。そして、この様な斜方蒸着方法では、冷却し
た回転自在な冷却キャンロール7の周面にルツボ9Aか
らの金属磁性材料10が付着しない様に、ベースフィル
ム8のエッジ部分を入射角規制マスク部材13によって
覆っており、ベースフィルム8の幅寸法に対して入射角
規制マスク部材13の幅方向の開口寸法が狭く設定され
ている。
【0013】また、図6及び図7に示した如く、ルツボ
9Aの開口部の形状は、ベースフィルム8の幅方向に沿
ってこのベースフィルム8の幅Bによりも僅かに長い長
さLに設定され、且つ、この長さ方向と直角な方向が一
定の幅Wに設定されており、ルツボ9Aの開口部はL×
Wの矩形状に形成されている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところで、斜方蒸着法
を適用した一般的な薄膜磁気テープ用蒸着装置1Aを用
いて、ルツボ9Aから蒸発したCo又はCoNiなどの
金属磁性材料10をベースフィルム8上に金属磁性薄膜
として成膜する場合に、上述したように入射角規制マス
ク部材13のマスク開口部はかなり狭く制限が加えられ
るため、蒸発した金属磁性材料(蒸発金属磁性材料)1
0の利用効率は10〜15%程度で残りの大部分は不要
な付着物となっていた。このため、この入射角規制マス
ク部材13のマスク開口部を少しでも最小入射角側に広
げ、蒸発金属磁性材料の利用効率を向上させるには静磁
気特性の更なる向上が必要となっていた。
【0015】また、斜方蒸着法ではベースフィルム8の
一方の面への蒸発飛来粒子の入射角度が諸特性を概ね決
定しており、特に金属磁性薄膜の初期成長層の入射角度
のバラツキや分布はベースフィルム8の幅方向に対する
金属磁性薄膜への特性分布に多大な影響を及ぼしてい
た。とくに、ルツボ9Aの開口部の形状がベースフィル
ム8の幅方向に対して長さ方向と直角な幅寸法が一定の
幅Wに形成されているため、電子ビーム12をルツボ9
Aの長さ方向に沿って走査した時に、ルツボ9Aの長さ
方向の端部ではこの端部で蒸発した蒸発飛来粒子の入射
角度が略一定の方向に揃うものの、ルツボ9Aの長さ方
向の略中央部ではこの部位から蒸発した蒸発飛来粒子と
両端部から蒸発した蒸発飛来粒子とが混在してしまい蒸
発飛来粒子の入射角度が略一定の方向に揃わないなどの
問題が発生している。このため、金属磁性薄膜を成膜し
た後に、薄膜磁気テープの良品歩留まりが悪く、また、
品質上安全を確保するため、静磁気特性の分布やバラツ
キを考慮して膜厚を厚めに製造する必要があり、蒸着金
属磁性材料の利用効率の更なる低下に伴う製造コストの
上昇につながっていた。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、真空槽内で帯状のベースフィル
ムを冷却キャンロールの周面に沿って走行させ、且つ、
前記冷却キャンロールの下方で前記ベースフィルムの幅
方向に沿って設置したルツボ内で溶融させた金属磁性材
料を該ルツボの開口部から蒸発させて、前記ベースフィ
ルムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜する薄膜磁気テー
プ用蒸着装置において、前記ルツボの開口部は、前記ベ
ースフィルムの幅方向の略中央部と対応する長さ方向の
略中央部を幅狭く形成し、且つ、前記長さ方向の略中央
部から両端部に向かって徐々に幅広く形成したことを特
徴とする薄膜磁気テープ用蒸着装置を提供する。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る薄膜磁気テー
プ用蒸着装置の一実施例を図1乃至図4を参照して詳細
に説明する。
【0018】図1は本発明に係る薄膜磁気テープ用蒸着
装置内の冷却キャンロール近傍を示した斜視図、図2
(a)〜(c)は本発明に係る薄膜磁気テープ用蒸着装
置内に設置したルツボの開口部の形状を説明するための
斜視図,平面図,縦断面図、図3はルツボ中央部の幅寸
法と静磁気特性の関係を示した図、図4はフィルム基材
(ベースフィルム)幅方向の静磁気特性分布を示した図
である。
【0019】尚、説明の都合上、先に従来例で説明した
構成部材と同じ機能の構成部材について同一の符号を付
して適宜説明し、且つ、従来例と異なる構成部材に新た
な符号を付す共に、この実施例では従来例と異なる点を
中心に説明する。
【0020】図1に示した如く、本発明に係る薄膜磁気
テープ用蒸着装置1Bでは、斜方蒸着法を適用して真空
槽2内でベースフィルム8の一方の面に金属磁性薄膜を
成膜する際に、先に図5〜図7を用いて説明した一般的
な薄膜磁気テープ用蒸着装置1Aの真空槽2内に設置し
たルツボ9Aに代えて、新たに開発したルツボ9Bを冷
却キャンロール7の斜め下方に設置したことが特徴であ
る。
【0021】ここで、新たに開発したルツボ9Bの形状
は図2(a)に拡大して示した如く、溶融した金属磁性
材料10を蒸発させるためのルツボ9Bの開口部は、ベ
ースフィルム8(図1)の幅方向の略中央部と対応する
長さ方向の略中央部を幅狭く形成し、且つ、長さ方向の
略中央部から両端部に向かって徐々に幅広く形成してい
る。すなわち、ルツボ9Bの開口部の長さLはベースフ
ィルム8の幅B(図1)によりも僅かに長く設定されて
おり、且つ、開口部の長さ方向の略中央部の幅Wcは幅
狭く形成され、略中央部から両端部に向かって徐々に幅
広くなり、両端部の幅Wは従来例と同じ広い幅寸法に形
成されている。
【0022】また、上記した薄膜磁気テープ用蒸着装置
1Bの概要を説明すると、冷却キャンロール7の直径は
1000mm,冷却キャンロール7の幅は600mm,
ベースフィルム8の幅は560mm,ベースフィルム8
への成膜幅は500mm,ルツボ9B内の強磁性材料
(純Co)の溶融,蒸着は出力300kWの90゜偏向
ピアス型電子銃11(図5)を用いた。入射角規制マス
ク部材13は15mm厚さのステンレス製で成膜エリア
外周を囲んでいる。また、ルツボ9Bの付近には電子ビ
ームの適正な入射に必要な偏向用マグネット16(図
5)を設置した。更に、ルツボ9Bの片端部分からは連
続的に強磁性材料(純Co)が一定量供給されるように
供給機(図示せず)を設置した。この装置1Bを用いて
以下の実験を行った。
【0023】[実験]図2(b),(c)に示すよう
に、ルツボ9Bの開口部の長さ:Lは700mm、ルツ
ボ9Bの両端部の幅:Wは140mmとし、ルツボ9B
の略中央部の幅:Wcが電子ビーム径φ10mmから考
慮して限度と推定される30mmから120mmまで寸
法を可変して、両端部から略中央部に向かって徐々に幅
狭くした7種類のルツボ9Bを用意した。
【0024】一方、図7(b),(c)に示すように、
比較の為に従来のルツボ9Aを用意し、ルツボ9Aの略
中央部の幅:Wcがルツボ9Aの両端部の幅:Wと同じ
140mmに設定した。
【0025】上記7種類のルツボ9Bと,従来のルツボ
9Aを使用して、ルツボ9B,9A内で溶融させたCo
(金属磁性材料)を開口部から蒸発させて、最小入射角
側からの酸素ガス導入量1800ccmで、CoO膜を
膜厚0.2μmになるよう透過型膜厚モニターで制御し
ながら処理長5000mをそれぞれ成膜した。
【0026】そして、上記7種類のルツボ9Bと,従来
のルツボ9Aとを使用して成膜したそれぞれ5000m
のロールからサンプリングし、希硝酸にてCoO膜の一
部分をエッチングした後、接触型段差計(タリステッ
プ)によりCoO膜の成膜幅センター部の膜厚が約0.
2μmになっていることを確かめた。
【0027】その後、各サンプルのエッチングしていな
い残り部分の静磁気特性を振動型磁力計(VSM)によ
り測定した。その結果を図3に示す。Hcは保磁力、M
sは飽和磁化量、Rsは角形比を示す。
【0028】図3より明らかなように、ルツボ中央部の
幅:Wcが140mmの場合は従来例のルツボ9Aの形
状に対応した特性であり、ルツボ中央部の幅:Wcを狭
めた場合が本発明による特性である。ここでは、ルツボ
中央部の幅:Wcが80mm以下では飽和磁化量Msの
変化がないにも関わらず、保磁力Hcが向上し、特に角
形比Rsが良好な値を示している。
【0029】これは、ルツボ中央部に近づくほどその幅
を狭くしたことにより、ベースフィルム8のへの蒸発飛
来粒子の入射角度の分散が小さくなって入射角度が略中
央部でも揃うようになり、とくに、ルツボ中央部の幅を
80mm以下にすることで顕著な効果が得られ、良好な
CoO膜の初期成長層および粒成長が形成された結果と
考えられる。
【0030】また、同様のサンプルのフィルム基材(ベ
ースフィルム)幅方向の静磁気特性分布を、VSMによ
り測定した結果の一部を図4に示す。この図4におい
て、ルツボ中央部の幅:Wcを140mmに設定した従
来例のルツボ9Aでは略中央部で保磁力Hc及び角形比
Rsが急激に落ち込むの対して、ルツボ中央部の幅:W
cを狭めて80mm以下では良好な静磁気特性分布を示
すことが判った。
【0031】
【発明の効果】以上詳述した本発明に係る薄膜磁気テー
プ用蒸着装置によれば、とくに、ルツボの開口部は、ベ
ースフィルムの幅方向の略中央部と対応する長さ方向の
略中央部を幅狭く形成し、且つ、長さ方向の略中央部か
ら両端部に向かって徐々に幅広く形成したため、ベース
フィルムの一方の面上に金属磁性薄膜を良好に成膜で
き、且つ、金属磁性薄膜の静磁気特性をも向上でき、更
に、フィルム基材(ベースフィルム)幅方向の静磁気特
性分布も大幅に改善される。これにより、薄膜磁気テー
プの歩留まりと蒸発した磁性金属材料の利用効率を向上
することができ、薄膜磁気テープを低コストで提供でき
るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜磁気テープ用蒸着装置内の冷
却キャンロール近傍を示した斜視図である。
【図2】(a)〜(c)は本発明に係る薄膜磁気テープ
用蒸着装置内に設置したルツボの開口部の形状を説明す
るための斜視図,平面図,縦断面図である。
【図3】ルツボ中央部の幅寸法と静磁気特性の関係を示
した図である。
【図4】フィルム基材(ベースフィルム)幅方向の静磁
気特性分布を示した図である。
【図5】斜方蒸着法を適用した一般的な薄膜磁気テープ
用蒸着装置の構成を示した構成図である。
【図6】一般的な薄膜磁気テープ蒸着装置内の冷却キャ
ンロール近傍を示した斜視図である。
【図7】(a)〜(c)は一般的な薄膜磁気テープ用蒸
着装置内に設置したルツボの開口部の形状を説明するた
めの斜視図,平面図、縦断面図である。
【符号の説明】
1B…本発明に係る薄膜磁気テープ用蒸着装置、2…真
空槽、7…冷却キャンロール、8…ベースフィルム、9
B…ルツボ、10…金属磁性材料、11…ピアス型電子
銃、12…電子ビーム、13…入射角規制マスク部材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空槽内で帯状のベースフィルムを冷却キ
    ャンロールの周面に沿って走行させ、且つ、前記冷却キ
    ャンロールの下方で前記ベースフィルムの幅方向に沿っ
    て設置したルツボ内で溶融させた金属磁性材料を該ルツ
    ボの開口部から蒸発させて、前記ベースフィルムの一方
    の面に金属磁性薄膜を成膜する薄膜磁気テープ用蒸着装
    置において、 前記ルツボの開口部は、前記ベースフィルムの幅方向の
    略中央部と対応する長さ方向の略中央部を幅狭く形成
    し、且つ、前記長さ方向の略中央部から両端部に向かっ
    て徐々に幅広く形成したことを特徴とする薄膜磁気テー
    プ用蒸着装置。
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