JP2001235873A - テーパ形状の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトリソグラフィ法のみを用いた高精度な
テーパ形状の形成方法を得る。 【解決手段】 感光層３を有する基板１上に３次元のテ
ーパ形状を形成する方法において、基板と感光層との間
に反射防止膜２を形成する第１のステップと、光遮断部
分４ｂを有するマスク４を介して、基板に対して光軸が
傾斜された光線５により感光層を露光する第２のステッ
プと、感光層の露光部分３ａまたは非露光部分３ｂの一
方を除去してテーパ形状を得る第３のステップとを含
む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光集積回路など
の３次元形状のマイクロパーツに用いられるテーパ形状
の形成方法に関し、特に感光層を傾斜露光するとともに
基板からの反射波による露光を抑制して精度を向上させ
たテーパ形状の形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６はたとえば特開平６−２１０３９号
公報に示された従来のテーパ形状の形成方法を段階的
（ａ）〜（ｇ）に示す側断面図である。

【０００３】図６において、１０は半導体基板（以下、
単に「基板」という）、１１は基板１０上に形成された
ＳｉＯ₂からなる熱酸化膜、１２、１３は熱酸化膜１１
上に形成されたＳｉＯＮ（光導波路層）からなる第１、
第２の薄膜層、１５は第２の薄膜層１３上に配設された
フォトレジスト層からなるマスクである。

【０００４】図６（ｇ）において、１６は第１の薄膜層
１２上に形成された光導波路層であり、第２の薄膜層１
３の除去後に、第１の薄膜層１２のテーパ形状にならっ
て形成される。光導波路層１６の屈折率は、第１の薄膜
層１２のテーパ部分での屈折率よりも小さく設定されて
いる。１７は導波光であり、光導波路層１６から第１の
薄膜層１２に結合する。

【０００５】以下、図６（ａ）〜（ｇ）を参照しなが
ら、従来のテーパ形状の形成方法について具体的に説明
する。まず、図６（ａ）のように、熱酸化膜１１が施さ
れた基板１０上に、同一エッチング溶液でエッチングさ
れた第１、第２の薄膜層１２、１３を形成し、第２の薄
膜層１３の上にマスク１５を形成する。

【０００６】このとき、第１、第２の薄膜層１２、１３
の２層は、上層側ほどエッチング溶液に対するエッチレ
ートが大きくなるように、第１、第２の薄膜層１２、１
３の順で積層される。

【０００７】次に、マスク１５を用いて、エッチング溶
液により第２の薄膜層１３および第１の薄膜層１２を選
択的にエッチングして、図６（ｂ）〜（ｅ）のようにテ
ーパ形状を形成する。

【０００８】このときの薄膜テーパ形状の形成におい
て、エッチング溶液によるエッチングとこれに続くリン
ス工程とが複数回繰り返され、これにより、第２の薄膜
層１３および第１の薄膜層１２は選択的にエッチングさ
れる。

【０００９】次に、図６（ｆ）のように、マスク１５を
除去した後、フッ酸系溶液などで第２の薄膜層１３を除
去する。このとき、第２の薄膜層１３のエッチレートが
第１の薄膜層１２のエッチレートよりもはるかに大きい
ので、第１の薄膜層１２は変化しない。

【００１０】最後に、図６（ｇ）にように、第１の薄膜
層１２の上に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、プラズ
マＣＶＤ法などにより、別の光導波路層１６を形成す
る。図中左側から光導波路層１６の端面に入射した導波
光１７は、テーパ形状部分において、光導波路層１６よ
りも大きい屈折率の第１の薄膜層１２に結合する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来のテーパ形状の形
成方法は以上のように、エッチング溶液によるエッチン
グとこれに続くリンス工程とを複数回（図６（ｂ）〜
（ｅ）参照）繰り返すことによりテーパ形状を形成して
いる。

【００１２】したがって、所望のテーパ形状を得るため
には、複数の薄膜層１２、１３のエッチングレートの条
件設定が必要であり、また、プロセス工程数が非常に多
くなるうえ、大きなテーパ角度を実現することができ
ず、テーパ形状の精度を向上させることができないとい
う問題点があった。

【００１３】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、フォトリソグラフィ法のみを用
いて、所望のテーパ形状を高精度に形成することのでき
るテーパ形状の形成方法を得ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るテーパ形状の形成方法は、感光層を有する基板上に３
次元のテーパ形状を形成する方法において、基板と感光
層との間に反射防止膜を形成する第１のステップと、光
遮断部分を有するマスクを介して、基板に対して光軸が
傾斜された光線により感光層を露光する第２のステップ
と、感光層の露光部分または非露光部分の一方を除去し
てテーパ形状を得る第３のステップとを含むものであ
る。

【００１５】また、この発明の請求項２に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項１において、反射防止膜は、ポ
リイミドまたは金属の表面の面粗さを大きくした膜によ
り形成されたものである。

【００１６】また、この発明の請求項３に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項１において、反射防止膜は、光
を吸収する膜により形成されたものである。

【００１７】また、この発明の請求項４に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項３において、反射防止膜は、基
板からの反射光を感光層に到達させない程度の厚さを有
するものである。

【００１８】また、この発明の請求項５に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項１において、反射防止膜は、感
光層よりも大きい屈折率を有する膜により形成されたも
のである。

【００１９】また、この発明の請求項６に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項１から請求項５までのいずれか
において、第２のステップは、基板に対する光軸の傾斜
角度を変更して感光層を多重露光する第４のステップを
含むものである。

【００２０】また、この発明の請求項７に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項１から請求項６までのいずれか
において、第２のステップは、基板を回転することによ
りテーパ形状の回転体を形成する第５のステップを含む
ものである。

【００２１】また、この発明の請求項８に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項１から請求項７までのいずれか
において、第３のステップにより得られたテーパ形状を
転写用の型として使用し、テーパ形状の部分に転写物を
形成する第６のステップと、テーパ形状を形成していた
感光層の残り部分を除去する第７のステップとを含むも
のである。

【００２２】また、この発明の請求項９に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項８において、第１のステップ
は、反射防止膜の上面に導電膜を電極層として形成する
第８のステップを含むものである。

【００２３】また、この発明の請求項１０に係るテーパ
形状の形成方法は、請求項９において、電極層は、反射
防止膜の上面に蒸着された銅により構成され、転写物
は、電気メッキにより形成された銅により構成されたも
のである。

【００２４】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図について説明する。図１はこの発明の
実施の形態１によるテーパ形状の形成方法を説明するた
めの図であり、図１（ａ）は露光時の状態を示す側断面
図、図１（ｂ）は図１（ａ）の現像により形成された後
のテーパ形状を示す側断面図である。

【００２５】図１において、１はたとえばＳｉからなる
基板、２は基板１の上に形成された反射防止膜である。
反射防止膜２の表面は、たとえばポリイミドの表面をサ
ンドブラスタで適当な粗さに設定されており、入射光を
反射させないように構成されている。

【００２６】３は反射防止膜２の上に形成された感光層
であり、たとえばネガレジスト（ＩＢＭ社製のＥＰＯＮ
ＳＵ−８）により構成される。３ａは感光層３の露光
部分、３ｂは感光層３の非露光部分である。

【００２７】４はたとえば所望の形状がＣｒで描かれた
ガラスマスクであり、４ａはガラスマスク４の光透過部
分、４ｂはガラスマスク４の光遮断部分（Ｃｒ部分）で
ある。

【００２８】５は感光層３を露光する光線であり、たと
えば、水銀ランプなどの光源（図示せず）から出射さ
れ、さらに平行光に変換されているものとする。

【００２９】次に、図１を参照しながら、この発明の実
施の形態１を具体的に説明する。まず、第１のステップ
として、基板１と感光層３との間に反射防止膜２が形成
される。

【００３０】続いて、第２のステップとして、図１
（ａ）のように、光線５の光軸に対して基板１を斜めに
配置し、光遮断部分４ｂを有するガラスマスク４を介し
て、所望の角度θだけ傾けた状態で露光を行う。なお、
ここでは図示しないが、基板１の傾斜角度θを設定する
ためには、周知の位置決め機構が用いられる。

【００３１】最後に、第３のステップとして、感光層３
の非露光部分３ｂを除去してテーパ形状を形成する。す
なわち、ネガレジストからなる感光層３の非露光部分３
ｂを現像液で現像して除去し、図１（ｂ）のように、感
光層３の露光部分３ａに傾斜角度θのテーパ形状を形成
する。

【００３２】このように、感光層３（ネガレジスト）が
形成された基板１を光線５の光軸に対して斜めに傾けて
露光し、感光層３を露光した後に感光層３を現像するの
みで、容易にテーパ形状を得ることができる。したがっ
て、所望のテーパ形状を有する基板１を大量且つ安価に
製造することができる。

【００３３】また、基板１と感光層３の間に反射防止膜
２を形成することにより、テーパ形状を形成する際の露
光時に、反射防止膜２を介して基板１からの反射波を減
少させることができるので、反射波による露光を防止す
ることができ、より精密なテーパ形状を構成することが
できる。

【００３４】したがって、フォトリソグラフィ法を用い
ることのみで、所望のテーパ形状を構成することができ
る。なお、図１においては、１つのパターンのテーパ形
状のみが示されているが、２つ以上のパターンがあって
も同様に形成することができる。

【００３５】また、基板１をＳｉで構成したが、Ｓｉに
限定されることはなく、アルミナ、ガラス、銅などで構
成することができ、上述と同様の作用効果を奏すること
は言うまでもない。

【００３６】また、反射防止膜２として、ポリイミドの
表面をサンドブラスタなどで適当な表面粗さに構成した
ものを用いたが、サンドブラスタに限定されることはな
く、イオンビームやラッピングなどで適当な表面粗さに
構成してもよい。

【００３７】また、反射防止膜２として、樹脂製のポリ
イミドを用いたが、ポリイミドに限定されることはな
く、たとえば金属の表面を適当な表面粗さに構成しても
よく、上述と同様の作用効果が得られる。

【００３８】さらに、感光層３としてネガレジストを用
いたが、ネガレジストに限定されることはなく、ポジレ
ジストを用いても同様の作用効果が得られる。この場
合、非露光部分３ｂではなく、露光部分３ａがレジスト
除去されることになる。

【００３９】実施の形態２．なお、上記実施の形態１で
は、図１に示すように、１回の露光により、両側面で平
行の傾斜角度θのテーパ形状を形成したが、複数回（た
とえば、２回）の露光により、任意のテーパ形状を形成
してもよい。

【００４０】図２は２回の露光により断面台形のテーパ
形状を形成するようにしたこの発明の実施の形態２を説
明するための側断面図であり、テーパ形成後の状態を示
している。

【００４１】図２において、１〜３、３ａ、θは前述
（図１参照）と同様のものであり、図２に示されない露
光工程は、図１（ａ）に示した方法と同様である。

【００４２】この場合、感光層３の露光部分３ａにおい
ては、基板１の傾き方向を反転させて、それぞれ逆方向
の傾斜角度θで２回の露光が実行され、これにより、対
称形の傾斜角度θを有する断面台形のテーパ形状が形成
されている。

【００４３】次に、図１および図２を参照しながら、こ
の発明の実施の形態２を具体的に説明する。まず、図１
（ａ）と同様に、光線５に対して基板１を所定の角度θ
に傾けて露光した後、基板１の傾斜方向を逆（対称方
向）に変更して、同様に傾斜角度θで露光する。これに
より、非露光部分３ｂの断面形状は台形のテーパ形状と
なる。

【００４４】こうして、２回の露光を実行した後、前述
と同様に現像液で現像することにより、非露光部分３ｂ
のネガレジストが除去される。したがって、図２に示す
ように、露光部分３ａにより、対称形の傾斜角度θを有
するテーパ形状が形成される。

【００４５】このように、光線５に対して基板１を斜め
に傾けてレジストを多重（２重）露光した後に現像する
ことのみで、対称形の傾斜角度θを有するテーパ形状が
得られるので、所望のテーパ形状を有する基板１を大量
且つ安価に製造することができる。

【００４６】また、前述と同様に、テーパ形状のパター
ン数は任意に形成することができ、基板１、反射防止膜
２および感光層３は、任意に構成され得ることは言うま
でもない。

【００４７】実施の形態３．なお、上記実施の形態２で
は、２重露光により台形形状のテーパ溝を形成したが、
２重露光を利用した場合、台形形状のテーパ溝に限らず
様々のテーパ形状が形成可能であり、たとえば断面Ｖ字
形のテーパ溝を形成してもよい。

【００４８】すなわち、露光ステップ（第２のステッ
プ）において、光軸に対する基板１の傾斜角度θを任意
に変更して感光層３を多重露光することにより、対称形
のテーパ形状のみならず任意の傾斜角度を有するテーパ
形状を形成することができる。

【００４９】図３は断面Ｖ字形のテーパ溝を形成するよ
うにしたこの発明の実施の形態３を説明するための側断
面図であり、テーパ形成用の露光工程時の基板状態を示
している。図３において、１〜４およびθは前述（図１
参照）と同様のものである。

【００５０】この場合、反射防止膜２は、感光層３と同
様のネガレジストにより形成されており、感光層３と同
時に基板１上に塗布されるものとする。反射防止膜２
は、反射波に対して光吸収性を有する層により形成され
ており、また、基板１からの反射光を感光層３に到達さ
せない程度の厚さを有している。

【００５１】また、ガラスマスク４の光遮断部分４ｂの
幅は、前述（図１参照）よりも短く設定されており、基
板１の傾き方向を反転して２回の露光を実行した場合
に、傾斜角度θの大きさおよび感光層３の厚さに関連し
て、光線５（図１参照）の反転光路の端部が反射防止膜
２の表面で一致するようになっている。

【００５２】したがって、光線５に対して基板１を所定
の角度θに傾けて露光した後、基板１の傾きを逆（対
称）方向の角度θに変更して露光すると、非露光部分３
ｂの断面形状は、図３のようにＶ字形のテーパ形状とな
る。

【００５３】また、反射防止膜２に入射された光線は、
基板１との境界面で反射防止される（図３内の破線参
照）。以下、前述と同様に現像液で現像することによ
り、非露光部分３ｂのネガレジストが除去され、図３の
ように、断面Ｖ字形のテーパ形状が形成される。

【００５４】この場合も、反射防止膜２は、基板１から
の反射光を感光層３に到達させないので、基板からの反
射波による露光を防ぎ、より精密なテーパ形状を形成す
ることができる。

【００５５】なお、ここでは、反射防止膜２および感光
層３を同一の材料を用いて一度に塗布するものとしてい
るが、種類の異なるレジストを別々に塗布してもよい。
また、反射防止膜２および感光層３は、ネガレジストに
限らず、ポジレジストであっても同様の効果が得られ
る。

【００５６】実施の形態４．なお、上記実施の形態３で
は、反射防止膜２を光吸収層により形成したが、反射防
止膜２の屈折率を感光層３の屈折率よりも大きく設定し
てもよい。

【００５７】この場合、基板１からの反射波は、反射防
止膜２と感光層３との境界面において、反射防止膜２か
ら感光層３への入射が抑制されるので、反射光による露
光が防止され、より精密なテーパ形状を形成することが
できる。

【００５８】実施の形態５．また、上記実施の形態２で
は、非露光部分３ｂを断面台形に形成したが、逆に露光
部分３ａを断面台形に形成してもよい。さらに、露光中
に基板１を回転させることにより、露光部分３ａを円錐
台形状としてもよい。

【００５９】図４（ａ）、（ｂ）は露光部分３ａを円錐
台形状としたこの発明の実施の形態５を説明するための
側断面図および斜視図であり、図４（ａ）は露光時の状
態を示し、図（ｂ）は現像後のテーパ形状を示してい
る。図４において、１〜４およびθは前述と同様のもの
である。

【００６０】この場合、光源からの光線５（図１参照）
に対して、基板１を所定の角度θに傾け、さらに基板１
を回転しながら露光した後に、現像液で現像する。これ
により、非露光部分３ｂのネガレジストが除去され、図
４（ｂ）に示す円錐台形状の突起が形成される。

【００６１】このように、光源に対して基板１を斜めに
傾けながら回転させて、レジストを露光した後に現像す
ることにより、テーパ部を有する円錐台形状（回転体）
のパターン（露光部分３ａ）を大量に且つ安価に製造す
ることができる。

【００６２】なお、上記実施の形態５では、反射防止膜
２を光吸収層により構成したが、前述と同様に、表面粗
さの大きいポリイミドまたは金属を用いてもよく、感光
層３とは屈折率の異なる膜を用いてもよい。

【００６３】また、露光ステップ（基板１の回転中）で
の感光層３と光線５との傾斜角度θおよび光遮断部分４
ｂの形状は、任意に設定することができ、これにより、
任意のテーパ形状の回転体を形成することができる。

【００６４】たとえば、ガラスマスク４の光遮断部分４
ｂの形状を変更することにより、任意形状の円錐台（ま
たは、円錐）パターンを形成することもできる。さら
に、図４においては、基板１上に１つのパターンのみを
形成したが、同時に多数のパターンを形成してもよい。

【００６５】実施の形態６．なお、上記実施の形態１〜
５では、感光層３の非露光部分３ｂを除去した後に何ら
追加処理を施さなかったが、たとえば金属メッキなどに
より転写物を注入した後に、感光層３の露光部分３ａを
除去してもよい。

【００６６】図５はレジスト除去後のテーパ形状を型と
して使用して転写物を形成したこの発明の実施の形態６
を説明すための側断面図であり、転写物によるテーパ形
状を形成する前の状態を示している。

【００６７】図５において、１〜３およびθは前述と同
様のものである。また、この場合、非露光部分（除去さ
れた部分）は、光線５の入射側が狭い形状の断面台形を
有するものとする。

【００６８】６はたとえば銅からなる電極層であり、反
射防止膜２と感光層３との境界面において、反射防止膜
２の上面に蒸着により形成されている。７はたとえば銅
からなるテーパ形状の転写物であり、非露光部分３ｂを
除去した後の電極層６上にメッキにより形成される。

【００６９】この場合、第１のステップとして、反射防
止膜２の上面に銅を蒸着して電極層６を形成するステッ
プを含み、反射防止膜２が成膜された上に電極層６が成
膜される。

【００７０】続いて、電極層６の上に感光層３を塗布し
た後、前述と同様の露光処理を実行する。このとき、反
射防止膜２の表面の粗さが大きければ、反射防止膜２上
に蒸着された電極層６も表面の粗さが大きくなるので、
その後の露光ステップにおいて、反射防止膜２としての
機能が損なわれることはない。

【００７１】すなわち、光線５の光軸に対して基板１を
所望の角度θに斜めに傾けた状態で露光し、続いて、傾
ける方向を反転して露光した後に現像液で現像すること
により、非露光部分３ｂのネガレジストを除去して傾斜
角度θのテーパ形状を形成する。

【００７２】その後、非露光部分３ｂの除去部分に電気
メッキで銅メッキすることにより、図５に示すように、
たとえば銅からなるテーパ形状の転写物７を形成する。
最後に、テーパ形状を形成していた感光層３の残り部分
（露光部分３ａ）を除去することにより、転写物７から
なるテーパ形状が基板１上に形成される。

【００７３】したがって、基板１上に転写物７からなる
テーパ形状を形成することができ、なた、電極層６を有
する場合などであっても、任意のテーパ形状を形成する
ことができ、広い用途に適用することができる。

【００７４】このとき、図５のように銅蒸着により電極
層６が形成されている場合には、銅メッキからなる転写
物７は、電極層６に電気的および機械的に一体に接続さ
れ、基板１に対しても強固に一体形成される。

【００７５】これにより、感光層３のテーパ形状（非露
光部分３ｂの除去部分）は、転写物７を形成するための
型として用いられ、感光層３のテーパ形状を転写物７に
転写することができる。

【００７６】このように、光源に対して基板１を斜めに
傾けて感光層３（レジスト）を露光した後、現像および
メッキすることのみにより、任意形状の転写物７を容易
に得ることができるので、大量に且つ安価にテーパ形状
を製造することができる。

【００７７】なお、上記実施の形態６では、反射防止膜
２上の電極層６として銅を蒸着した場合を示したが、電
極層６は他の金属または導電膜であってもよく、蒸着以
外の方法で反射防止膜２上に形成されてもよい。

【００７８】また、図５においては、転写物７からなる
テーパ形状として１つのパターンのみを示したが、前述
と同様に、２つ以上のパターンを形成可能なことは言う
までもない。

【００７９】

【発明の効果】以上のようにこの発明の請求項１によれ
ば、感光層を有する基板上に３次元のテーパ形状を形成
する方法において、基板と感光層との間に反射防止膜を
形成する第１のステップと、光遮断部分を有するマスク
を介して、基板に対して光軸が傾斜された光線により感
光層を露光する第２のステップと、感光層の露光部分ま
たは非露光部分の一方を除去してテーパ形状を得る第３
のステップとを含むので、フォトリソグラフィ法のみを
用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成することので
きるテーパ形状の形成方法が得られる効果がある。

【００８０】また、この発明の請求項２によれば、請求
項１において、反射防止膜は、ポリイミドまたは金属の
表面の面粗さを大きくした膜により形成されたので、フ
ォトリソグラフィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を
高精度に形成することのできるテーパ形状の形成方法が
得られる効果がある。

【００８１】また、この発明の請求項３によれば、請求
項１において、反射防止膜は、光を吸収する膜により形
成されたので、フォトリソグラフィ法のみを用いて、所
望のテーパ形状を高精度に形成することのできるテーパ
形状の形成方法が得られる効果がある。

【００８２】また、この発明の請求項４によれば、請求
項３において、反射防止膜は、基板からの反射光を感光
層に到達させない程度の厚さを有するので、フォトリソ
グラフィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に
形成することのできるテーパ形状の形成方法が得られる
効果がある。

【００８３】また、この発明の請求項５によれば、請求
項１において、反射防止膜は、感光層よりも大きい屈折
率を有する膜により形成されたので、フォトリソグラフ
ィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成す
ることのできるテーパ形状の形成方法が得られる効果が
ある。

【００８４】また、この発明の請求項６によれば、請求
項１から請求項５までのいずれかにおいて、第２のステ
ップは、基板に対する光軸の傾斜角度を変更して感光層
を多重露光する第４のステップを含むので、フォトリソ
グラフィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に
形成するとともに、種々のテーパ形状を容易に実現可能
なテーパ形状の形成方法が得られる効果がある。

【００８５】また、この発明の請求項７によれば、請求
項１から請求項６までのいずれかにおいて、第２のステ
ップは、基板を回転することによりテーパ形状の回転体
を形成する第５のステップを含むので、フォトリソグラ
フィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成
するとともに、種々のテーパ形状を容易に実現可能なテ
ーパ形状の形成方法が得られる効果がある。

【００８６】また、この発明の請求項８によれば、請求
項１から請求項７までのいずれかにおいて、第３のステ
ップにより得られたテーパ形状を転写用の型として使用
し、テーパ形状の部分に転写物を形成する第６のステッ
プと、テーパ形状を形成していた感光層の残り部分を除
去する第７のステップとを含むので、フォトリソグラフ
ィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成す
るとともに、種々のテーパ形状を容易に実現可能なテー
パ形状の形成方法が得られる効果がある。

【００８７】また、この発明の請求項９によれば、請求
項８において、第１のステップは、反射防止膜の上面に
導電膜を電極層として形成する第８のステップを含むの
で、フォトリソグラフィ法のみを用いて、所望のテーパ
形状を高精度に形成するとともに、種々の用途に適用可
能なテーパ形状の形成方法が得られる効果がある。

【００８８】また、この発明の請求項１０によれば、請
求項９において、電極層は、反射防止膜の上面に蒸着さ
れた銅により構成され、転写物は、電気メッキにより形
成された銅により構成されたので、フォトリソグラフィ
法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成する
とともに、種々の用途に適用可能なテーパ形状の形成方
法が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１を説明するための側
断面図であり、（ａ）は露光状態を示し、（ｂ）はレジ
スト除去後のテーパ形状を示している。

【図２】 この発明の実施の形態２により形成されたテ
ーパ形状を示す側断面図である。

【図３】 この発明の実施の形態３を説明するための側
断面図であり、露光時の感光層内の光路を示している。

【図４】 この発明の実施の形態５を説明するための図
であり、（ａ）は時の感光層内の光路を示す側断面図で
あり、（ｂ）はレジスト除去後のテーパ形状を示す斜視
図である。

【図５】 この発明の実施の形態６を説明するための側
断面図であり、テーパ形状の型内に転写物を形成した状
態を示している。

【図６】 従来のテーパ形状の形成方法を段階的に示す
側断面図である。

【符号の説明】

１ 基板、２ 反射防止膜、３ 感光層、３ａ 露光部
分、３ｂ 非露光部分、４ ガラスマスク、４ａ 光透
過部分、４ｂ 光遮断部分、５ 光線、６ 電極層、７
転写物、θ 傾斜角度。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１４Ｃ ５７４ ５７６ (72)発明者 太田 斎 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AB14 AB17 AB20 AC01 AD01 BC13 BC31 DA34 DA40 FA03 FA04 FA39 2H096 AA28 AA30 BA01 CA05 EA12 EA30 2H097 BB03 CA13 LA10 4K024 AA09 AB08 BA09 BB12 FA05 GA16 5F046 CB25 CC01 DA12 PA05 PA06 PA07

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 感光層を有する基板上に３次元のテーパ
   形状を形成する方法において、 前記基板と前記感光層との間に反射防止膜を形成する第
   １のステップと、 光遮断部分を有するマスクを介して、前記基板に対して
   光軸が傾斜された光線により前記感光層を露光する第２
   のステップと、 前記感光層の露光部分または非露光部分の一方を除去し
   てテーパ形状を得る第３のステップとを含むことを特徴
   とするテーパ形状の形成方法。
2. 【請求項２】 前記反射防止膜は、ポリイミドまたは金
   属の表面の面粗さを大きくした膜により形成されたこと
   を特徴とする請求項１に記載のテーパ形状の形成方法。
3. 【請求項３】 前記反射防止膜は、光を吸収する膜によ
   り形成されたことを特徴とする請求項１に記載のテーパ
   形状の形成方法。
4. 【請求項４】 前記反射防止膜は、前記基板からの反射
   光を前記感光層に到達させない程度の厚さを有すること
   を特徴とする請求項３に記載のテーパ形状の形成方法。
5. 【請求項５】 前記反射防止膜は、前記感光層よりも大
   きい屈折率を有する膜により形成されたことを特徴とす
   る請求項１に記載のテーパ形状の形成方法。
6. 【請求項６】 前記第２のステップは、前記基板に対す
   る前記光軸の傾斜角度を変更して前記感光層を多重露光
   する第４のステップを含むことを特徴とする請求項１か
   ら請求項５までのいずれかに記載のテーパ形状の形成方
   法。
7. 【請求項７】 前記第２のステップは、前記基板を回転
   することによりテーパ形状の回転体を形成する第５のス
   テップを含むことを特徴とする請求項１から請求項６ま
   でのいずれかに記載のテーパ形状の形成方法。
8. 【請求項８】 前記第３のステップにより得られたテー
   パ形状を転写用の型として使用し、前記テーパ形状の部
   分に転写物を形成する第６のステップと、前記テーパ形
   状を形成していた前記感光層の残り部分を除去する第７
   のステップとを含むことを特徴とする請求項１から請求
   項７までのいずれかに記載のテーパ形状の形成方法。
9. 【請求項９】 前記第１のステップは、前記反射防止膜
   の上面に導電膜を電極層として形成する第８のステップ
   を含むことを特徴とする請求項８に記載のテーパ形状の
   形成方法。
10. 【請求項１０】 前記電極層は、前記反射防止膜の上面
    に蒸着された銅により構成され、 前記転写物は、電気メッキにより形成された銅により構
    成されたことを特徴とする請求項９に記載のテーパ形状
    の形成方法。