JP2001229805A - 電界放出カソードならびに電界放出型表示装置 - Google Patents
電界放出カソードならびに電界放出型表示装置Info
- Publication number
- JP2001229805A JP2001229805A JP2000036241A JP2000036241A JP2001229805A JP 2001229805 A JP2001229805 A JP 2001229805A JP 2000036241 A JP2000036241 A JP 2000036241A JP 2000036241 A JP2000036241 A JP 2000036241A JP 2001229805 A JP2001229805 A JP 2001229805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- electrode
- emitter
- cathode
- field emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面集束構造の高電圧形ＦＥＤにおいて、ゲ
ート−集束電極間の絶縁不良を防止するとともに、仮に
絶縁不良が生じた場合でも、不良ドットだけのショート
に留まり、全体の集束電極は正常に電位が印加されるよ
うにすること 【解決手段】 １画素を構成するサブピクセル１０は、
隣接する行方向のゲート電極２とゲート電極７、及びゲ
ート電極２と同一平面上に導電性の金属層である集束電
極８がゲート電極７を囲むように形成されている。集束
電極８は、コンタクトホール１１、結線９を介して集束
電極端子１３と電気的に接続され、集束電極端子１３と
コンタクトホール７との間の結線９中に集束保護抵抗層
１２を設けている。
ート−集束電極間の絶縁不良を防止するとともに、仮に
絶縁不良が生じた場合でも、不良ドットだけのショート
に留まり、全体の集束電極は正常に電位が印加されるよ
うにすること 【解決手段】 １画素を構成するサブピクセル１０は、
隣接する行方向のゲート電極２とゲート電極７、及びゲ
ート電極２と同一平面上に導電性の金属層である集束電
極８がゲート電極７を囲むように形成されている。集束
電極８は、コンタクトホール１１、結線９を介して集束
電極端子１３と電気的に接続され、集束電極端子１３と
コンタクトホール７との間の結線９中に集束保護抵抗層
１２を設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出源として
電界放出カソード（ＦＥＣ：Field Emission Cathode）
を使用した表示装置（以下、電界放出型表示装置（ＦＥ
Ｄ：Field Emission Display）という）に関する。
電界放出カソード（ＦＥＣ：Field Emission Cathode）
を使用した表示装置（以下、電界放出型表示装置（ＦＥ
Ｄ：Field Emission Display）という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を１０
9 ［Ｖ／ｍ ］程度にすると、トンネル効果により電子
が障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われ
る。これを電界放出（Field Emission）といい、このよ
うな原理で電子を放出するカソードを電界放出カソード
（ＦＥＣ）と呼んでいる。このような原理を利用するこ
とにより、ＦＥＣを用いた表示装置を作ることができ
る。この表示装置は、電界放出型表示装置（Field Emis
sion Display、ＦＥＤ）と呼ばれている。
9 ［Ｖ／ｍ ］程度にすると、トンネル効果により電子
が障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われ
る。これを電界放出（Field Emission）といい、このよ
うな原理で電子を放出するカソードを電界放出カソード
（ＦＥＣ）と呼んでいる。このような原理を利用するこ
とにより、ＦＥＣを用いた表示装置を作ることができ
る。この表示装置は、電界放出型表示装置（Field Emis
sion Display、ＦＥＤ）と呼ばれている。
【０００３】上述したような従来のＦＥＤにおいては、
アノードを１ｋＶ以下の低い電圧で駆動させているのが
通常である。アノード電圧としてこのような低アノード
電圧を採用することにより、アノードとカソードとの間
隔を１５０μｍ〜３００μｍ程度と狭くすることがで
き、非常に薄型の表示装置を実現することができる。そ
して、カソード−アノード間の距離が短いために、エミ
ッタから放出された電子は比較的小さい広がり幅をもっ
てアノードに到達することとなる。しかしながら、上記
のような低電圧タイプのＦＥＤにおいては、蛍光体の発
光効率が低く、所定の輝度を得るためには大きなアノー
ド電流（例えば、５０ｍＡ／ｃｍ2 〜１００ｍＡ／ｃｍ
2 程度のアノード電流密度）が必要となる。
アノードを１ｋＶ以下の低い電圧で駆動させているのが
通常である。アノード電圧としてこのような低アノード
電圧を採用することにより、アノードとカソードとの間
隔を１５０μｍ〜３００μｍ程度と狭くすることがで
き、非常に薄型の表示装置を実現することができる。そ
して、カソード−アノード間の距離が短いために、エミ
ッタから放出された電子は比較的小さい広がり幅をもっ
てアノードに到達することとなる。しかしながら、上記
のような低電圧タイプのＦＥＤにおいては、蛍光体の発
光効率が低く、所定の輝度を得るためには大きなアノー
ド電流（例えば、５０ｍＡ／ｃｍ2 〜１００ｍＡ／ｃｍ
2 程度のアノード電流密度）が必要となる。
【０００４】そこで、近年、更に低消費電力で高輝度を
得るために、数ｋＶ以上のアノード電圧を用いるＦＥＤ
の開発が進められている。このような高電圧タイプのデ
ィスプレイにおいては、カソード−アノード間、又はグ
リッド−アノード間の放電を防止するために、アノード
基板とカソード基板の間隔を５００μｍ〜５ｍｍ程度と
広くすることが必要となる。このため、エミッタから放
出される電子をアノード電極の画素領域に対して集束す
るための手段が必要となる。図２は高電圧平面集束型Ｆ
ＥＣを示し、カソードガラス基板３１、カソード電極３
２、抵抗層３３、絶縁層３４、スピント型エミッタ３
５、開口部３６、ゲート電極３７、集束電極３８、スペ
ーサ３９、カラー蛍光体４０、アノード電極４１、アノ
ード基板４２から構成されている。
得るために、数ｋＶ以上のアノード電圧を用いるＦＥＤ
の開発が進められている。このような高電圧タイプのデ
ィスプレイにおいては、カソード−アノード間、又はグ
リッド−アノード間の放電を防止するために、アノード
基板とカソード基板の間隔を５００μｍ〜５ｍｍ程度と
広くすることが必要となる。このため、エミッタから放
出される電子をアノード電極の画素領域に対して集束す
るための手段が必要となる。図２は高電圧平面集束型Ｆ
ＥＣを示し、カソードガラス基板３１、カソード電極３
２、抵抗層３３、絶縁層３４、スピント型エミッタ３
５、開口部３６、ゲート電極３７、集束電極３８、スペ
ーサ３９、カラー蛍光体４０、アノード電極４１、アノ
ード基板４２から構成されている。
【０００５】カソード電極３２は、カソード基板３１上
にストライブ状に形成される。このカソード電極３２上
に抵抗層３３、絶縁層３４及びゲート電極層を薄膜技術
によって形成する。そして、ゲート電極層及び絶縁層３
４の所定箇所をエッチングして、開口部３６を形成し、
エミッタ材料を斜め蒸着法によって、蒸着堆積すること
により、コーン状のエミッタ３５が形成される。また、
ゲート電極３７と集束電極３８は、ゲート電極層をホト
レジストでパターニングし、同一レイヤ面にゲート電極
３７、集束電極３８形成される。
にストライブ状に形成される。このカソード電極３２上
に抵抗層３３、絶縁層３４及びゲート電極層を薄膜技術
によって形成する。そして、ゲート電極層及び絶縁層３
４の所定箇所をエッチングして、開口部３６を形成し、
エミッタ材料を斜め蒸着法によって、蒸着堆積すること
により、コーン状のエミッタ３５が形成される。また、
ゲート電極３７と集束電極３８は、ゲート電極層をホト
レジストでパターニングし、同一レイヤ面にゲート電極
３７、集束電極３８形成される。
【０００６】このようなＦＥＤは、ゲート電極３７に電
圧を印加すると、エミッタから放出される電子ｅ-は、
集束電極３８により集束されて、アノード電極４１に到
達し、カラー蛍光体４０により発光する。図示の例の場
合は、例えば、アノード電圧Ｖａ＝３ｋＶ、ゲート電圧
Ｖｇ＝７０Ｖmax、集束電圧Ｖｆ＝−５０Ｖmax、アノー
ド基板４２とカソード基板３１間の対面距離は、０．８
ｍｍとした、従来例を示している。
圧を印加すると、エミッタから放出される電子ｅ-は、
集束電極３８により集束されて、アノード電極４１に到
達し、カラー蛍光体４０により発光する。図示の例の場
合は、例えば、アノード電圧Ｖａ＝３ｋＶ、ゲート電圧
Ｖｇ＝７０Ｖmax、集束電圧Ｖｆ＝−５０Ｖmax、アノー
ド基板４２とカソード基板３１間の対面距離は、０．８
ｍｍとした、従来例を示している。
【０００７】図３は、上記図２のカソード基板３１に形
成されている１ドット分のエミッタ領域（サブピクセ
ル）を斜視図で示したものであり、同一部分は、同一符
号とされている。この図３では、基本画素の１ドットに
対応するエミッタ３５が６個とされているが、エミッタ
３５の間隔は、数μｍとされるので、通常は、数１０個
のエミッタによって、１ドットが形成される。また、ゲ
ート電極３７と集束電極３８の間隔は集束性を向上させ
るために、数μｍ以下に設定される。
成されている１ドット分のエミッタ領域（サブピクセ
ル）を斜視図で示したものであり、同一部分は、同一符
号とされている。この図３では、基本画素の１ドットに
対応するエミッタ３５が６個とされているが、エミッタ
３５の間隔は、数μｍとされるので、通常は、数１０個
のエミッタによって、１ドットが形成される。また、ゲ
ート電極３７と集束電極３８の間隔は集束性を向上させ
るために、数μｍ以下に設定される。
【０００８】高電圧平面集束型ＦＥＣにおいては、十分
な輝度を得るために、従来は１ｋＶ以下（多くは、２０
０Ｖ〜５００Ｖ）であったアノード電圧Ｖａを、数ｋＶ
（多くは２ｋＶ〜５ｋＶ）に上げることを前提としてい
る。一般に、アノード電圧Ｖａが１０倍となれば、アノ
ード電流Ｉａは１／１０であればよいことになり、アノ
ード電流は低電圧動作のときの数％に減少させることが
できる。電流の小さい領域で、かつ、高電圧で用いる場
合には蛍光体の発光効率は一般に５〜２０倍改善され
る。
な輝度を得るために、従来は１ｋＶ以下（多くは、２０
０Ｖ〜５００Ｖ）であったアノード電圧Ｖａを、数ｋＶ
（多くは２ｋＶ〜５ｋＶ）に上げることを前提としてい
る。一般に、アノード電圧Ｖａが１０倍となれば、アノ
ード電流Ｉａは１／１０であればよいことになり、アノ
ード電流は低電圧動作のときの数％に減少させることが
できる。電流の小さい領域で、かつ、高電圧で用いる場
合には蛍光体の発光効率は一般に５〜２０倍改善され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、同一レイヤ
に形成された集束電極３８とゲート電極３７間の距離は
数μとかなり狭く、同じゲートレイヤ内に形成されてい
るため、これらの電極間で絶縁不良の発生する確率は高
くなる。集束電極３８は一般に全体を一つの端子で取り
出し、電圧が印加されるように構成されているため、一
箇所でもゲート電極３７と集束電極３８間に絶縁不良が
あると全体の電位が低下し、フォーカス特性が得られな
くなり、正常な動作ができなくなってしまうという問題
があった。
に形成された集束電極３８とゲート電極３７間の距離は
数μとかなり狭く、同じゲートレイヤ内に形成されてい
るため、これらの電極間で絶縁不良の発生する確率は高
くなる。集束電極３８は一般に全体を一つの端子で取り
出し、電圧が印加されるように構成されているため、一
箇所でもゲート電極３７と集束電極３８間に絶縁不良が
あると全体の電位が低下し、フォーカス特性が得られな
くなり、正常な動作ができなくなってしまうという問題
があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は多層配
線構造を用い、集束電極をドット毎に下層に落とし込
み、抵抗層を介して引き出し線との間を配線する。これ
により、例えばあるドットでゲート−フォーカス絶縁不
良が発生しても、この保護抵抗で集束の引き出し配線の
電位は保護されるので、集束電極の電位ドロップが発生
せず、絶縁不良はそのドットのみで全体に影響しないよ
うにすることができる。
線構造を用い、集束電極をドット毎に下層に落とし込
み、抵抗層を介して引き出し線との間を配線する。これ
により、例えばあるドットでゲート−フォーカス絶縁不
良が発生しても、この保護抵抗で集束の引き出し配線の
電位は保護されるので、集束電極の電位ドロップが発生
せず、絶縁不良はそのドットのみで全体に影響しないよ
うにすることができる。
【００１１】請求項１の発明は、カソード基板上に配設
され、電子を放出するエミッタと、前記エミッタの周囲
に前記カソード基板上に絶縁層を介して配設されエミッ
タから放出された電子を引き出すゲート電極と、前記ゲ
ート電極と同一平面もしくは絶縁層を介してエミッタに
対し前記ゲート電極から遠ざかった位置に形成された集
束電極を有する電界放出型カソードにおいて、前記集束
電極は、保護抵抗を介して集束電圧供給ラインと結線さ
れていることを特徴とするの電界放出カソードであり、
請求項２の発明は、カソード基板上に配設され、電子を
放出するエミッタと、前記エミッタの周囲に前記カソー
ド基板上に絶縁層を介して配設されエミッタから放出さ
れた電子を引き出すゲート電極と、前記ゲート電極と同
一平面もしくは絶縁層を介してエミッタに対し前記ゲー
ト電極から遠ざかった位置に形成された集束電極を有す
る電界放出型カソードと、前記カソード基板と対向して
位置し、内面に陽極導体ならびに蛍光体層を有する陽極
基板と、カソード基板ならびに陽極基板を一定高さに保
持しながら気密容器を形成する側面部とを有する電界放
出型表示装置である。
され、電子を放出するエミッタと、前記エミッタの周囲
に前記カソード基板上に絶縁層を介して配設されエミッ
タから放出された電子を引き出すゲート電極と、前記ゲ
ート電極と同一平面もしくは絶縁層を介してエミッタに
対し前記ゲート電極から遠ざかった位置に形成された集
束電極を有する電界放出型カソードにおいて、前記集束
電極は、保護抵抗を介して集束電圧供給ラインと結線さ
れていることを特徴とするの電界放出カソードであり、
請求項２の発明は、カソード基板上に配設され、電子を
放出するエミッタと、前記エミッタの周囲に前記カソー
ド基板上に絶縁層を介して配設されエミッタから放出さ
れた電子を引き出すゲート電極と、前記ゲート電極と同
一平面もしくは絶縁層を介してエミッタに対し前記ゲー
ト電極から遠ざかった位置に形成された集束電極を有す
る電界放出型カソードと、前記カソード基板と対向して
位置し、内面に陽極導体ならびに蛍光体層を有する陽極
基板と、カソード基板ならびに陽極基板を一定高さに保
持しながら気密容器を形成する側面部とを有する電界放
出型表示装置である。
【００１２】請求項３の発明は、前記カソード基板上に
は、エミッタへ通電するためのカソード電極と、前記カ
ソード電極とエミッタ間に配設される抵抗層と、前記抵
抗層と同一材料からなる保護抵抗と、保護抵抗と結線さ
れた集束電圧ラインと、前記抵抗層ならびに保護抵抗上
に配設される絶縁層と、前記抵抗層の一部が露出するよ
うに絶縁層に形成された開口部内で抵抗層上に形成され
たエミッタと、前記開口部の周囲に形成されたゲート電
極と、前記ゲート電極と同一平面もしくは絶縁層を介し
てエミッタに対しゲート電極から遠ざかった位置に形成
された集束電極とを有し、前記集束電極と前記集束電圧
供給ラインは、コンタクトホールを介して接続されてい
る電界放出カソードであり、請求項４の発明は、前記電
界放出カソードにおいて、前記ゲート電極は、一表示単
位ごとに区分けして形成されるとともに、前記集束電極
は、前記ゲート電極を囲むように一表示単位ごとに形成
され、かつ前記集束電極はそれぞれ個別に形成された保
護抵抗に対し、コンタクトホールを介して接続された電
界放出カソードである。
は、エミッタへ通電するためのカソード電極と、前記カ
ソード電極とエミッタ間に配設される抵抗層と、前記抵
抗層と同一材料からなる保護抵抗と、保護抵抗と結線さ
れた集束電圧ラインと、前記抵抗層ならびに保護抵抗上
に配設される絶縁層と、前記抵抗層の一部が露出するよ
うに絶縁層に形成された開口部内で抵抗層上に形成され
たエミッタと、前記開口部の周囲に形成されたゲート電
極と、前記ゲート電極と同一平面もしくは絶縁層を介し
てエミッタに対しゲート電極から遠ざかった位置に形成
された集束電極とを有し、前記集束電極と前記集束電圧
供給ラインは、コンタクトホールを介して接続されてい
る電界放出カソードであり、請求項４の発明は、前記電
界放出カソードにおいて、前記ゲート電極は、一表示単
位ごとに区分けして形成されるとともに、前記集束電極
は、前記ゲート電極を囲むように一表示単位ごとに形成
され、かつ前記集束電極はそれぞれ個別に形成された保
護抵抗に対し、コンタクトホールを介して接続された電
界放出カソードである。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態とさ
れる電界放出カソードの電極構造の概略を説明するため
の概略図であり、図１（ａ）は、本発明の電界放出カソ
ードの電極構造の断面図、図１（ｂ）は、平面図であ
る。
れる電界放出カソードの電極構造の概略を説明するため
の概略図であり、図１（ａ）は、本発明の電界放出カソ
ードの電極構造の断面図、図１（ｂ）は、平面図であ
る。
【００１４】図１（ａ）、（ｂ）に基づいて本発明を詳
細に説明すると、電界放出カソードの１ドットを構成す
るサブピクセル１０は、カソード基板１、カソード電極
２、エミッタ抵抗層３、絶縁層４、エミッタコーン５、
開口部６、ゲート電極７、集束電極８、結線９、絶縁層
４内を貫通して形成されているコンタクトホール１１、
集束電極の保護抵抗層１２、集束電極端子１３から構成
されている。
細に説明すると、電界放出カソードの１ドットを構成す
るサブピクセル１０は、カソード基板１、カソード電極
２、エミッタ抵抗層３、絶縁層４、エミッタコーン５、
開口部６、ゲート電極７、集束電極８、結線９、絶縁層
４内を貫通して形成されているコンタクトホール１１、
集束電極の保護抵抗層１２、集束電極端子１３から構成
されている。
【００１５】本発明の電界放出カソードは、以下のよう
に作成される。カソード電極２は、カソード基板１上に
ストライブ状に形成される。このカソード電極２上に抵
抗層３、絶縁層４及びゲート電極層を薄膜技術によって
形成する。このとき、集束電極の保護抵抗層１２も同時
に形成される。そして、ゲート電極層及び絶縁層４の所
定箇所をエッチングして、開口部６を形成するととも
に、コンタクトホール１１も同時に形成する。次に、エ
ミッタ材料を斜め蒸着法によって、蒸着堆積することに
より、コーン状のエミッタ５が開口部６に形成される
が、コンタクトホール１１内にもエミッタ材料が蒸着堆
積され、結線９と集束電極８間が導通される。そして、
ゲート電極７と集束電極８は、ゲート電極層をホトレジ
ストでパターニングし、同一レイヤ面にゲート電極７、
集束電極８形成される。
に作成される。カソード電極２は、カソード基板１上に
ストライブ状に形成される。このカソード電極２上に抵
抗層３、絶縁層４及びゲート電極層を薄膜技術によって
形成する。このとき、集束電極の保護抵抗層１２も同時
に形成される。そして、ゲート電極層及び絶縁層４の所
定箇所をエッチングして、開口部６を形成するととも
に、コンタクトホール１１も同時に形成する。次に、エ
ミッタ材料を斜め蒸着法によって、蒸着堆積することに
より、コーン状のエミッタ５が開口部６に形成される
が、コンタクトホール１１内にもエミッタ材料が蒸着堆
積され、結線９と集束電極８間が導通される。そして、
ゲート電極７と集束電極８は、ゲート電極層をホトレジ
ストでパターニングし、同一レイヤ面にゲート電極７、
集束電極８形成される。
【００１６】この図１において、カソード電極２上に
は、エミッタ抵抗層３を介して、複数の開口部６を有す
る絶縁層４が形成され、この開口部６内のカソード電極
２上に多数のエミッタコーン５が形成されている。そし
て、この絶縁層４上に図示するようなゲート電極７が形
成されている。ゲート電極７は、絶縁層４に設けられて
いる開口部６内のエミッタコーン５に対応して複数の孔
が形成されている。
は、エミッタ抵抗層３を介して、複数の開口部６を有す
る絶縁層４が形成され、この開口部６内のカソード電極
２上に多数のエミッタコーン５が形成されている。そし
て、この絶縁層４上に図示するようなゲート電極７が形
成されている。ゲート電極７は、絶縁層４に設けられて
いる開口部６内のエミッタコーン５に対応して複数の孔
が形成されている。
【００１７】１画素を構成するサブピクセル１０は、隣
接する行方向のゲート電極２とゲート電極７、及びゲー
ト電極２と同一平面上に導電性の金属層である集束電極
８がゲート電極７を囲むように形成されている。集束電
極８は、コンタクトホール１１、結線９を介して集束電
極端子１３と電気的に接続されている。
接する行方向のゲート電極２とゲート電極７、及びゲー
ト電極２と同一平面上に導電性の金属層である集束電極
８がゲート電極７を囲むように形成されている。集束電
極８は、コンタクトホール１１、結線９を介して集束電
極端子１３と電気的に接続されている。
【００１８】本発明の電界放出カソードは、サブピクセ
ル１０毎に放出電子を集束している集束電極８が、コン
タクトホール７、結線９を介して、保護抵抗層１２に接
続されていることを特徴としている。本発明は、前述の
ように、従来と同様の多層配線構造の作成技術を応用す
ることにより、１ドットの単位であるサブピクセル１０
に、保護抵抗層１２を形成することができるので、一箇
所でもゲート電極７と集束電極８間にショート等による
不良が発生した場合でも、この保護抵抗層１２が設けら
れているため、他の正常なサブピクセルに印加される電
圧と分離され、正常なサブピクセルには電気的な影響を
与えないようにすることができる。
ル１０毎に放出電子を集束している集束電極８が、コン
タクトホール７、結線９を介して、保護抵抗層１２に接
続されていることを特徴としている。本発明は、前述の
ように、従来と同様の多層配線構造の作成技術を応用す
ることにより、１ドットの単位であるサブピクセル１０
に、保護抵抗層１２を形成することができるので、一箇
所でもゲート電極７と集束電極８間にショート等による
不良が発生した場合でも、この保護抵抗層１２が設けら
れているため、他の正常なサブピクセルに印加される電
圧と分離され、正常なサブピクセルには電気的な影響を
与えないようにすることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、サブピクセル１０毎に保護抵
抗層１２を形成して、これを介して集束電極と集束端子
配線とを結線することにより、ゲート電極７と集束電極
８間に不良、例えば短絡事故が発生した場合でも、保護
抵抗層により他の正常サブピクセルには電気的な影響を
与えないようにすることができる。これにより、歩留ま
り及び動作時の信頼性の向上が期待できる。さらに、従
来の多層配線構造を利用して保護抵抗層を形成するの
で、従来プロセスを大きく変更する必要はなく、コスト
増を最小限に抑えることができる。そして、多層配線構
造のため、配線自由度が大きいので、複雑な配線も形成
可能である。
抗層１２を形成して、これを介して集束電極と集束端子
配線とを結線することにより、ゲート電極７と集束電極
８間に不良、例えば短絡事故が発生した場合でも、保護
抵抗層により他の正常サブピクセルには電気的な影響を
与えないようにすることができる。これにより、歩留ま
り及び動作時の信頼性の向上が期待できる。さらに、従
来の多層配線構造を利用して保護抵抗層を形成するの
で、従来プロセスを大きく変更する必要はなく、コスト
増を最小限に抑えることができる。そして、多層配線構
造のため、配線自由度が大きいので、複雑な配線も形成
可能である。
【図１】図１は、本発明の実施例の電界放出型表示装置
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は、平面図を示す。
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は、平面図を示す。
【図２】図２は、従来の高電圧平面集束型電界放出表示
装置の断面図を示す。
装置の断面図を示す。
【図３】図３は、従来の高電圧平面集束型電界放出表示
装置のエミッタと各電極の位置関係の概要を示す斜視図
である。
装置のエミッタと各電極の位置関係の概要を示す斜視図
である。
１ カソード基板、２ カソード電極、３ エミッタ抵
抗層、４ 絶縁層、５エミッタコーン、６ 開口部、７
ゲート電極、８ 集束電極、９ 結線、１０ サブピ
クセル、１１ コンタクトホール、１２ 集束電極保護
抵抗層、１３集束電極端子
抗層、４ 絶縁層、５エミッタコーン、６ 開口部、７
ゲート電極、８ 集束電極、９ 結線、１０ サブピ
クセル、１１ コンタクトホール、１２ 集束電極保護
抵抗層、１３集束電極端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 円谷 和彦 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 内藤 康之 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 5C031 DD17 5C036 EE04 EE08 EE14 EF01 EF06 EF09 EG12 EG19 EG46 EH04 5C041 AB19 AC50 AD10 AE07
Claims (4)
- 【請求項１】 カソード基板上に配設され、電子を放出
するエミッタと、前記エミッタの周囲に前記カソード基
板上に絶縁層を介して配設されエミッタから放出された
電子を引き出すゲート電極と、前記ゲート電極と同一平
面もしくは絶縁層を介してエミッタに対し前記ゲート電
極から遠ざかった位置に形成された集束電極を有する電
界放出型カソードにおいて、 前記集束電極は、保護抵抗を介して集束電圧供給ライン
と結線されていることを特徴とする電界放出カソード。 - 【請求項２】 カソード基板上に配設され、電子を放出
するエミッタと、前記エミッタの周囲に前記カソード基
板上に絶縁層を介して配設されエミッタから放出された
電子を引き出すゲート電極と、前記ゲート電極と同一平
面もしくは絶縁層を介してエミッタに対し前記ゲート電
極から遠ざかった位置に形成された集束電極を有する電
界放出型カソードと、前記カソード基板と対向して位置
し、内面に陽極導体ならびに蛍光体層を有する陽極基板
と、カソード基板ならびに陽極基板を一定高さに保持し
ながら気密容器を形成する側面部とを有する電界放出型
表示装置。 - 【請求項３】 前記カソード基板上には、エミッタへ通
電するためのカソード電極と、前記カソード電極とエミ
ッタ間に配設される抵抗層と、前記抵抗層と同一材料か
らなる保護抵抗と、保護抵抗と結線された集束電圧供給
ラインと、前記抵抗層ならびに保護抵抗上に配設される
絶縁層と、前記抵抗層の一部が露出するように絶縁層に
形成された開口部内で抵抗層上に形成されたエミッタ
と、前記開口部の周囲に形成されたゲート電極と、前記
ゲート電極と同一平面もしくは絶縁層を介してエミッタ
に対しゲート電極から遠ざかった位置に形成された集束
電極とを有し、前記集束電極と前記集束電圧供給ライン
は、コンタクトホールを介して接続されていることを特
徴とする請求項１記載の電界放出カソード。 - 【請求項４】 前記電界放出カソードにおいて、前記ゲ
ート電極は、一表示単位ごとに区分けして形成されると
ともに、前記集束電極は、前記ゲート電極を囲むように
一表示単位ごとに形成され、かつ前記集束電極はそれぞ
れ個別に形成された保護抵抗に対し、コンタクトホール
を介して接続されたことを特徴とする請求項３記載の電
界放出カソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000036241A JP2001229805A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 電界放出カソードならびに電界放出型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000036241A JP2001229805A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 電界放出カソードならびに電界放出型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001229805A true JP2001229805A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18560312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000036241A Pending JP2001229805A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 電界放出カソードならびに電界放出型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001229805A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094193A1 (fr) * | 2002-05-01 | 2003-11-13 | Sony Corporation | Dispositif d'affichage par emission electronique a champ electrique a cathode froide |
| JP2006286605A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出ディバイスおよび電子放出表示ディバイス |
| KR100766926B1 (ko) * | 2006-06-15 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
| KR100823506B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출형 발광 장치 |
| KR100839419B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 |
| FR2910175A1 (fr) * | 2006-12-19 | 2008-06-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure de cathode pour ecran plat avec grille de refocalisation |
| JP2009164043A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
| US7663297B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-02-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emission device and display device |
| JP2012129182A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Qinghua Univ | 電界放出装置 |
| US8673694B2 (en) | 2006-08-28 | 2014-03-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same |
| CN113606102A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-11-05 | 北京机械设备研究所 | 一种磁聚焦场致发射微电推进装置 |
-
2000
- 2000-02-15 JP JP2000036241A patent/JP2001229805A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839419B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 |
| US7064493B2 (en) * | 2002-05-01 | 2006-06-20 | Sony Corporation | Cold cathode electric field electron emission display device |
| WO2003094193A1 (fr) * | 2002-05-01 | 2003-11-13 | Sony Corporation | Dispositif d'affichage par emission electronique a champ electrique a cathode froide |
| JP2006286605A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出ディバイスおよび電子放出表示ディバイス |
| US7427831B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-09-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device and electron emission display device |
| US7663297B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-02-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emission device and display device |
| KR100766926B1 (ko) * | 2006-06-15 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
| KR100823506B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출형 발광 장치 |
| US8673694B2 (en) | 2006-08-28 | 2014-03-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same |
| FR2910175A1 (fr) * | 2006-12-19 | 2008-06-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure de cathode pour ecran plat avec grille de refocalisation |
| WO2008074825A1 (fr) * | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure de cathode pour ecran plat avec grille de refocalisation |
| JP2009164043A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
| JP2012129182A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Qinghua Univ | 電界放出装置 |
| CN113606102A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-11-05 | 北京机械设备研究所 | 一种磁聚焦场致发射微电推进装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7156715B2 (en) | Triode structure of field emission display and fabrication method thereof | |
| JP3999276B2 (ja) | 電荷散逸型電界放射デバイス | |
| JP2001076649A (ja) | 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 | |
| KR19980033164A (ko) | 전계 방출 소자 | |
| JP2004355947A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| JP2001229805A (ja) | 電界放出カソードならびに電界放出型表示装置 | |
| JP2007227380A (ja) | 放射スクリーン用のナノチューブを有するカソード構造 | |
| JP4129400B2 (ja) | 電界放出表示装置 | |
| US20070159057A1 (en) | Image Display Device | |
| US7459843B2 (en) | Electron emission device with multilayered insulating layers | |
| US20060238106A1 (en) | Electron emission display | |
| JP2005347232A (ja) | 電子放出素子 | |
| JP2000285836A (ja) | 平板ディスプレイ | |
| TW200537541A (en) | Image display equipment | |
| JPH05144370A (ja) | 微小電界放出陰極アレイ | |
| KR20010046802A (ko) | 집속 전극을 갖는 전계 방출 표시 소자, 그 제조방법 및이를 이용한 전자빔 집속 방법 | |
| JP2939151B2 (ja) | 蛍光表示管 | |
| KR100355388B1 (ko) | 아크 방지 전계 방출 소자 | |
| US7468577B2 (en) | Electron emission display having a spacer with inner electrode inserted therein | |
| JP3601275B2 (ja) | 電界電子放出素子 | |
| JP2769860B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0245962Y2 (ja) | ||
| JP2826549B2 (ja) | 電子放出素子及び画像形成装置 | |
| JP2006073496A (ja) | 電界放出型冷陰極装置の製造方法 | |
| JP2007080696A (ja) | 蛍光表示管等の電子管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091208 |