JP2001217678A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JP2001217678A JP2001217678A JP2000028917A JP2000028917A JP2001217678A JP 2001217678 A JP2001217678 A JP 2001217678A JP 2000028917 A JP2000028917 A JP 2000028917A JP 2000028917 A JP2000028917 A JP 2000028917A JP 2001217678 A JP2001217678 A JP 2001217678A
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- acoustic wave
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装面積を低減した小型タイプとすることが
でき、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供すること。 【解決手段】 圧電基板1上に励振電極3を形成して成
る弾性表面波素子K1,K2の2つを各々の励振電極3
が互いに対向する状態で枠状体4に固定し、各弾性表面
波素子の励振電極3を枠状体4に形成した外部回路基板
に接続される導電体5に電気的に接続させた弾性表面波
装置S1とする。
でき、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供すること。 【解決手段】 圧電基板1上に励振電極3を形成して成
る弾性表面波素子K1,K2の2つを各々の励振電極3
が互いに対向する状態で枠状体4に固定し、各弾性表面
波素子の励振電極3を枠状体4に形成した外部回路基板
に接続される導電体5に電気的に接続させた弾性表面波
装置S1とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話及び自動
車電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタに用いられる弾性表面波装置に関する。
車電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタに用いられる弾性表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の弾性表面波(Surface Acoustic W
ave、以下、SAWと略す)装置の模式的な端面図を図
5、6に示す。図5に示すSAW装置J1において、H
1はSAW素子、51は圧電基板、52は入出力電極の
導電体、53はパッケージ表面に形成された導電体であ
って、外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続さ
れる。また、54は1対の櫛歯状電極から成るIDT
(Inter Digital Transducer)電極、55〜57はセラ
ミックス、樹脂等の絶縁性材料から成るパッケージ構成
部材、58はセラミックス、金属(コバール、42合
金、Al、またはCuなど)等からなる蓋体である。5
9は導電体52、53を接続するワイヤである。同図の
構成では、パッケージ構成部材55〜57の内部にSA
W素子H1を接着剤で載置固定し、導電体52、53を
Al、Au等のワイヤ59により電気的に接続し、さら
に蓋体58をはんだ、接着剤等によりパッケージ構成部
材57上に接着して気密を保持していた。
ave、以下、SAWと略す)装置の模式的な端面図を図
5、6に示す。図5に示すSAW装置J1において、H
1はSAW素子、51は圧電基板、52は入出力電極の
導電体、53はパッケージ表面に形成された導電体であ
って、外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続さ
れる。また、54は1対の櫛歯状電極から成るIDT
(Inter Digital Transducer)電極、55〜57はセラ
ミックス、樹脂等の絶縁性材料から成るパッケージ構成
部材、58はセラミックス、金属(コバール、42合
金、Al、またはCuなど)等からなる蓋体である。5
9は導電体52、53を接続するワイヤである。同図の
構成では、パッケージ構成部材55〜57の内部にSA
W素子H1を接着剤で載置固定し、導電体52、53を
Al、Au等のワイヤ59により電気的に接続し、さら
に蓋体58をはんだ、接着剤等によりパッケージ構成部
材57上に接着して気密を保持していた。
【0003】また、図6に示すSAW装置J2も知られ
ている。ここで、H2はSAW素子、62は入出力電極
の導電体、63は導電体62と導電体64を電気的に接
続するバンプ等の接続体、64は基板67表面に形成さ
れ、外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続され
る導電体、65はIDT電極、66はSAW装置全体に
モールドされた保護膜としての絶縁性樹脂、67はセラ
ミックス、樹脂等の絶縁性材料からなる基板である。
ている。ここで、H2はSAW素子、62は入出力電極
の導電体、63は導電体62と導電体64を電気的に接
続するバンプ等の接続体、64は基板67表面に形成さ
れ、外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続され
る導電体、65はIDT電極、66はSAW装置全体に
モールドされた保護膜としての絶縁性樹脂、67はセラ
ミックス、樹脂等の絶縁性材料からなる基板である。
【0004】SAW装置J2は、IDT電極65が設け
られた機能面が基板67に対面したフェースダウン構成
をなすものであり、絶縁性樹脂66がIDT電極65の
振動空間にまで入り込んでいる。
られた機能面が基板67に対面したフェースダウン構成
をなすものであり、絶縁性樹脂66がIDT電極65の
振動空間にまで入り込んでいる。
【0005】ここで、接続体63は、Au、Al等の金
属のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなる
ように形成するか、Au、はんだ等からなるバンプを蒸
着法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ
法等により、導電体62上に形成して得られる。そし
て、接続体63を設けた圧電基板を、接続体63と導電
体64とを位置合わせして、導電性接着剤の塗布やはん
だのリフロー溶融法により接続し、基板67上に固定す
る。
属のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなる
ように形成するか、Au、はんだ等からなるバンプを蒸
着法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ
法等により、導電体62上に形成して得られる。そし
て、接続体63を設けた圧電基板を、接続体63と導電
体64とを位置合わせして、導電性接着剤の塗布やはん
だのリフロー溶融法により接続し、基板67上に固定す
る。
【0006】また、図7に示すSAW装置J3も知られ
ている。ここで、K3及びK4はSAW素子、3はID
T電極、15はK3及びK4の密接部での衝突による衝
撃を吸収するための吸音材、16はK3とK4を接続す
るための粘着テープである。このように、SAW装置J
3は、複数のSAW素子を、そのSAW素子の対向する
側面において接着材により接着し一体化した上で実装容
器に実装したものである(特開平10−215143号
公報を参照)。
ている。ここで、K3及びK4はSAW素子、3はID
T電極、15はK3及びK4の密接部での衝突による衝
撃を吸収するための吸音材、16はK3とK4を接続す
るための粘着テープである。このように、SAW装置J
3は、複数のSAW素子を、そのSAW素子の対向する
側面において接着材により接着し一体化した上で実装容
器に実装したものである(特開平10−215143号
公報を参照)。
【0007】さらに、図8に示すSAW装置J4も知ら
れている。ここで、K5及びK6はSAW素子、3はI
DT電極、9は絶縁性基板、10は接続用の導電体、1
2は容器体、13は導電性接続部材、14は封止部材で
ある。
れている。ここで、K5及びK6はSAW素子、3はI
DT電極、9は絶縁性基板、10は接続用の導電体、1
2は容器体、13は導電性接続部材、14は封止部材で
ある。
【0008】SAW装置J4は2つのSAW素子を備
え、容器体12の内部空間に2つのSAW素子を裏面側
を互いに対向させた状態で立設させて収容するととも
に、容器体12の内部空間に位置する導電体10の一部
に各SAW素子の電極を導電性接続部材13を介して接
続し、固定したものである(特開平9−214282号
公報を参照)。
え、容器体12の内部空間に2つのSAW素子を裏面側
を互いに対向させた状態で立設させて収容するととも
に、容器体12の内部空間に位置する導電体10の一部
に各SAW素子の電極を導電性接続部材13を介して接
続し、固定したものである(特開平9−214282号
公報を参照)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記S
AW装置J1においては、ワイヤ59を使用しているた
め、ワイヤ59が存在する横方向と高さ方向の距離の分
だけSAW装置の体積が大きくなり、小型軽量化や薄型
化に不利である。また、ワイヤボンディング装置により
ワイヤを1本ずつ接続しているので、製造工程が煩雑に
なり、製造コストも大きくなる。さらに、ワイヤ59が
存在することにより、不要なインダクタンス成分を付加
することになり、SAW装置の周波数特性が変化し、設
計上それを考慮する手間が生じるという問題があった。
AW装置J1においては、ワイヤ59を使用しているた
め、ワイヤ59が存在する横方向と高さ方向の距離の分
だけSAW装置の体積が大きくなり、小型軽量化や薄型
化に不利である。また、ワイヤボンディング装置により
ワイヤを1本ずつ接続しているので、製造工程が煩雑に
なり、製造コストも大きくなる。さらに、ワイヤ59が
存在することにより、不要なインダクタンス成分を付加
することになり、SAW装置の周波数特性が変化し、設
計上それを考慮する手間が生じるという問題があった。
【0010】また、SAW装置J2においては、絶縁性
樹脂66が振動空間(IDT電極65が存在する空間)
に入り込み、IDT電極65が形成されている機能面に
接しているため、SAWの伝搬を阻害しており、SAW
装置としての所望の特性を得るのが困難となる。
樹脂66が振動空間(IDT電極65が存在する空間)
に入り込み、IDT電極65が形成されている機能面に
接しているため、SAWの伝搬を阻害しており、SAW
装置としての所望の特性を得るのが困難となる。
【0011】また、SAW装置J3においては、2つの
弾性表面波素子を横方向に並べて配置し、端部を接続し
た構造であるため、実装面積が大きくなり小型化には不
利な構造である。
弾性表面波素子を横方向に並べて配置し、端部を接続し
た構造であるため、実装面積が大きくなり小型化には不
利な構造である。
【0012】さらに、SAW装置J4においては、容器
体12を用いているため、製造工程が煩雑になり、製造
コストが大きくなる。また、容器体12の高さと、導電
性接続部材13にてSAW素子と基板側を接続するため
の横方向の余裕が必要となり、薄型化や小型化において
不利な構造である。また、SAW素子の裏面側を互いに
対向させた状態で立設させて収容するので、バルク波が
SAW素子の裏面で反射して出力されることを防止する
ために、SAW素子の裏面にダンピング材を配設するこ
とが行われ、このダンピング材としてダイボンド材にそ
の機能を持たせることがあるが、上記の場合にはそれを
行うことができない。
体12を用いているため、製造工程が煩雑になり、製造
コストが大きくなる。また、容器体12の高さと、導電
性接続部材13にてSAW素子と基板側を接続するため
の横方向の余裕が必要となり、薄型化や小型化において
不利な構造である。また、SAW素子の裏面側を互いに
対向させた状態で立設させて収容するので、バルク波が
SAW素子の裏面で反射して出力されることを防止する
ために、SAW素子の裏面にダンピング材を配設するこ
とが行われ、このダンピング材としてダイボンド材にそ
の機能を持たせることがあるが、上記の場合にはそれを
行うことができない。
【0013】以上の問題点に鑑み、本発明では実装面積
を低減した小型タイプとすることができ、信頼性に優れ
た弾性表面波装置を提供することを目的とする。
を低減した小型タイプとすることができ、信頼性に優れ
た弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性波装置は、
圧電基板上に励振電極を形成して成る弾性表面波素子の
2つを各々の励振電極が互いに対向する状態で枠状体に
固定し、各弾性表面波素子の励振電極を枠状体に形成し
た外部回路に接続される導電体に電気的に接続させたこ
とを特徴とする。
圧電基板上に励振電極を形成して成る弾性表面波素子の
2つを各々の励振電極が互いに対向する状態で枠状体に
固定し、各弾性表面波素子の励振電極を枠状体に形成し
た外部回路に接続される導電体に電気的に接続させたこ
とを特徴とする。
【0015】また特に、弾性表面波素子と枠状体とを、
外部回路に接続される端子電極が形成された保護体内に
収容するとともに、端子電極に枠状体に形成した導電体
を電気的に接続したことを特徴とする。
外部回路に接続される端子電極が形成された保護体内に
収容するとともに、端子電極に枠状体に形成した導電体
を電気的に接続したことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るSAW装置の
実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
【0017】図1は、本発明に係るSAW装置S1の斜
視図である。また、図2〜図4は本発明に係る他実施形
態のSAW装置S2〜S4において、各々の中央部で後
記する枠状体に形成された導電体部分を切断した場合の
端面図である。なお、図1〜4で、同様な部材には同一
の符号を付し説明を省略する。
視図である。また、図2〜図4は本発明に係る他実施形
態のSAW装置S2〜S4において、各々の中央部で後
記する枠状体に形成された導電体部分を切断した場合の
端面図である。なお、図1〜4で、同様な部材には同一
の符号を付し説明を省略する。
【0018】図1において、K1、K2は、圧電基板1
上に入出力電極の導電パターン2とこれに接続される励
振電極のIDT電極3を形成したSAW素子である。S
AW装置S1は、上記SAW素子の2つを、IDT電極
3の振動空間17を形成し、かつ外部回路に接続される
導電体5が形成された枠状体(スペーサ)4に固定した
構成を備えるものである。
上に入出力電極の導電パターン2とこれに接続される励
振電極のIDT電極3を形成したSAW素子である。S
AW装置S1は、上記SAW素子の2つを、IDT電極
3の振動空間17を形成し、かつ外部回路に接続される
導電体5が形成された枠状体(スペーサ)4に固定した
構成を備えるものである。
【0019】ここで、2つのSAW素子は、各々のID
T電極3が互いに対向する状態で枠状体4の配設面4
a,4bに固定されている。また、各SAW素子のID
T電極3は導電体5に導電パターン2を介して電気的に
されている。
T電極3が互いに対向する状態で枠状体4の配設面4
a,4bに固定されている。また、各SAW素子のID
T電極3は導電体5に導電パターン2を介して電気的に
されている。
【0020】以下に、SAW装置S1の作製方法につい
て説明する。
て説明する。
【0021】IDT電極3は蒸着法、スパッタリング
法、又はCVD法等の薄膜形成法により形成する。枠状体
4は例えばセラミック基板、又は枠状セラミック基板を
積層することによって作製するか、樹脂やガラス等の基
板の一主面を、エッチング法、フォトリソグラフィ法と
エッチング法、機械的研削法、又はレーザー加工法等に
より加工して、各SAW素子のIDT電極3の振動空間
を確保するための貫通孔を容易に形成できる。
法、又はCVD法等の薄膜形成法により形成する。枠状体
4は例えばセラミック基板、又は枠状セラミック基板を
積層することによって作製するか、樹脂やガラス等の基
板の一主面を、エッチング法、フォトリソグラフィ法と
エッチング法、機械的研削法、又はレーザー加工法等に
より加工して、各SAW素子のIDT電極3の振動空間
を確保するための貫通孔を容易に形成できる。
【0022】また、枠状体4に形成された導電体5上に
予め導電性接着剤を塗布しておき、SAW素子K1とS
AW素子K2の機能面(IDT電極形成面)がお互いに
対向する状態で、枠状体4を挟んで前記導電性接着剤を
加熱硬化させて接続をとり、SAW装置S1を完成させ
る。
予め導電性接着剤を塗布しておき、SAW素子K1とS
AW素子K2の機能面(IDT電極形成面)がお互いに
対向する状態で、枠状体4を挟んで前記導電性接着剤を
加熱硬化させて接続をとり、SAW装置S1を完成させ
る。
【0023】本発明のSAW装置は、SAW素子と枠状
体とを、外部回路に電気的に接続される端子電極が形成
された保護体内に収容したものでもよく、さらに、この
端子電極に枠状体に形成した導電体を電気的に接続する
ようにしてもよい。これらの実施形態について以下に説
明する。
体とを、外部回路に電気的に接続される端子電極が形成
された保護体内に収容したものでもよく、さらに、この
端子電極に枠状体に形成した導電体を電気的に接続する
ようにしてもよい。これらの実施形態について以下に説
明する。
【0024】図2〜図3に示すSAW装置は、図1で示
したSAW装置S1の構造において直接ダイボンド材と
接続材料の役割を兼ねた保護体である絶縁性樹脂8でモ
ールドした構造となっている。
したSAW装置S1の構造において直接ダイボンド材と
接続材料の役割を兼ねた保護体である絶縁性樹脂8でモ
ールドした構造となっている。
【0025】図2に示すSAW装置S2においては、7
はセラミックス、樹脂等からなる蓋体、8は封止に用い
る絶縁性樹脂、9はセラミックス、樹脂等からなる絶縁
性基板、10は外部の駆動回路、共振回路、接地回路等
に接続され絶縁性基板9に設けられた端子電極20に接
続するための導電体である。11は導電性接着剤、半田
等からなる前記接続用の導電体10と枠状体4に設けら
れた接続用の導電体との接続体である。19は枠状体4
とSAW素子を接続するための導電性接着材である。端
子電極20は外部回路に接続される。
はセラミックス、樹脂等からなる蓋体、8は封止に用い
る絶縁性樹脂、9はセラミックス、樹脂等からなる絶縁
性基板、10は外部の駆動回路、共振回路、接地回路等
に接続され絶縁性基板9に設けられた端子電極20に接
続するための導電体である。11は導電性接着剤、半田
等からなる前記接続用の導電体10と枠状体4に設けら
れた接続用の導電体との接続体である。19は枠状体4
とSAW素子を接続するための導電性接着材である。端
子電極20は外部回路に接続される。
【0026】SAW装置S2の作製もSAW装置S1と
同様に行う。ただし、最後の工程において、枠状体4の
導電体5上に予め導電性接着材19を塗布しておき、S
AW素子K1とK2の機能面(IDT電極形成面)が互
いに対向する状態で、枠状体4を挟んで絶縁性基板9の
凹部9aに搭載する。その後、導電性接着材19を加熱
硬化させて接続をとる。
同様に行う。ただし、最後の工程において、枠状体4の
導電体5上に予め導電性接着材19を塗布しておき、S
AW素子K1とK2の機能面(IDT電極形成面)が互
いに対向する状態で、枠状体4を挟んで絶縁性基板9の
凹部9aに搭載する。その後、導電性接着材19を加熱
硬化させて接続をとる。
【0027】次に、枠状体4を介して立設したSAW素
子K1、K2上にセラミックス製の蓋体7を載置し、封
止及びダイボンド材の役割をする保護体である絶縁性樹
脂8により接着固定され、絶縁性樹脂8がIDT電極3
の形成された機能面に浸入しない構成とした、SAW装
置S2を完成させる。
子K1、K2上にセラミックス製の蓋体7を載置し、封
止及びダイボンド材の役割をする保護体である絶縁性樹
脂8により接着固定され、絶縁性樹脂8がIDT電極3
の形成された機能面に浸入しない構成とした、SAW装
置S2を完成させる。
【0028】図3に示すSAW装置S3は、SAW素子
K1、K2を枠状体4を介して立設したものに、セラミ
ック製の蓋体7を載置し、封止及びダイボンド材を役割
をする保護体である絶縁性樹脂8により接着固定して完
成させたものである。
K1、K2を枠状体4を介して立設したものに、セラミ
ック製の蓋体7を載置し、封止及びダイボンド材を役割
をする保護体である絶縁性樹脂8により接着固定して完
成させたものである。
【0029】図4に示すSAW装置S4は、SAW素子
K1、K2を、枠状体4を介して立設した構造で絶縁性
基板9の凹部9aに実装し、SAW素子の裏面側を絶縁
性樹脂13で接着固定し、最後にセラミックス、樹脂等
からなる蓋体12を、シーム溶接またはAu−Sn系半
田等により接着固定してSAW装置S4を完成させたも
のである。なお、このSAW装置S4においては導電体
5が外部回路に接続される。
K1、K2を、枠状体4を介して立設した構造で絶縁性
基板9の凹部9aに実装し、SAW素子の裏面側を絶縁
性樹脂13で接着固定し、最後にセラミックス、樹脂等
からなる蓋体12を、シーム溶接またはAu−Sn系半
田等により接着固定してSAW装置S4を完成させたも
のである。なお、このSAW装置S4においては導電体
5が外部回路に接続される。
【0030】SAW装置S2,S4は、いずれも凹部9
aの設けられた絶縁性基板9上にセルフアライメント可
能であり、SAW素子K1とK2を落とし込むことで位
置合わせを容易に行うことができる。
aの設けられた絶縁性基板9上にセルフアライメント可
能であり、SAW素子K1とK2を落とし込むことで位
置合わせを容易に行うことができる。
【0031】また、SAW装置S2〜S4は、絶縁性樹
脂8が振動空間17に入り込まない確実な気密構造が得
られる。
脂8が振動空間17に入り込まない確実な気密構造が得
られる。
【0032】SAW装置S1〜S3において、振動空間
17内に低湿度の空気を封入し密閉することにより、I
DT電極3の酸化による劣化を極力抑制でき好ましい。
また、空気の代わりに、窒素ガス、アルゴンガスなどの
不活性ガス等を封入し密閉すればより効果的である。
17内に低湿度の空気を封入し密閉することにより、I
DT電極3の酸化による劣化を極力抑制でき好ましい。
また、空気の代わりに、窒素ガス、アルゴンガスなどの
不活性ガス等を封入し密閉すればより効果的である。
【0033】なお、IDT電極3は、所望の特性を得る
ために、複数対の櫛歯状電極を、直列接続、並列接続、
継続接続等の方式で接続して構成してもよい。
ために、複数対の櫛歯状電極を、直列接続、並列接続、
継続接続等の方式で接続して構成してもよい。
【0034】また、上記実施形態ではSAW素子K1、
K2を用いたが、どちらか一方が、SAW素子と同サイ
ズのセラミックスや樹脂からなる平板の基体でも構わな
い。
K2を用いたが、どちらか一方が、SAW素子と同サイ
ズのセラミックスや樹脂からなる平板の基体でも構わな
い。
【0035】また、SAW素子は複数の素子を枠状体の
スペーサを挟んで、構成しても構わない。
スペーサを挟んで、構成しても構わない。
【0036】また、絶縁性樹脂8の材料としては、熱硬
化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、低融点ガラス及び熱可塑性ポリフ
ェニレンサルファイド等が用いられるが、特にエポキシ
樹脂が接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強度、耐
薬品性、耐熱性の点で好ましい。
化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、低融点ガラス及び熱可塑性ポリフ
ェニレンサルファイド等が用いられるが、特にエポキシ
樹脂が接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強度、耐
薬品性、耐熱性の点で好ましい。
【0037】また、枠状体4の導電体5とSAW素子の
入出力電極の導電パターン2との接続、枠状体4の導電
体5と絶縁性基板9に形成した導電体10との接続、及
びSAW素子と絶縁性基板9との接続は、絶縁性樹脂8
の加熱接続時に同時に行ってもよい。
入出力電極の導電パターン2との接続、枠状体4の導電
体5と絶縁性基板9に形成した導電体10との接続、及
びSAW素子と絶縁性基板9との接続は、絶縁性樹脂8
の加熱接続時に同時に行ってもよい。
【0038】本発明において、IDT電極3はAlある
いはAl合金(Al−Cu系、Al−Ti系等)からな
り、特にAlが励振効率が高く、材料コストが低いため
好ましい。
いはAl合金(Al−Cu系、Al−Ti系等)からな
り、特にAlが励振効率が高く、材料コストが低いため
好ましい。
【0039】また、IDT電極3の形状は、互いに噛み
合うように形成された櫛歯状であるが、IDT電極3の
対数は50〜200程度、電極指の幅は0.1〜10μ
m程度、電極指の間隔は0.1〜10.0μm程度、電
極指の交差幅は10〜80μm程度、IDT電極3の厚
みは0.2〜0.4μm程度とすることが、共振器ある
いはフィルタとしての所期の特性を得るうえで好適であ
る。
合うように形成された櫛歯状であるが、IDT電極3の
対数は50〜200程度、電極指の幅は0.1〜10μ
m程度、電極指の間隔は0.1〜10.0μm程度、電
極指の交差幅は10〜80μm程度、IDT電極3の厚
みは0.2〜0.4μm程度とすることが、共振器ある
いはフィルタとしての所期の特性を得るうえで好適であ
る。
【0040】また、IDT電極3のSAW伝搬路の両端
に、SAWを反射し効率よく共振させるための反射器を
設けてもよく、さらには、電極指間にZnO等の圧電材
料を成膜すれば、SAWの共振効率が向上し好適であ
る。
に、SAWを反射し効率よく共振させるための反射器を
設けてもよく、さらには、電極指間にZnO等の圧電材
料を成膜すれば、SAWの共振効率が向上し好適であ
る。
【0041】SAW素子K1、K2用の圧電基板1とし
ては、42°若しくは36°Yカット−X伝搬のLiT
aO3結晶、64°Yカット−X伝搬のLiNbO3結
晶、45°Xカット−Z伝搬のLiB4O7結晶は電気機
械結合係数が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいた
め好ましい。圧電基板の厚みは0.3〜0.5mm程度が
よく、0.3mm未満では圧電基板が脆くなり、0.5
mm超では材料コストが大きくなる。
ては、42°若しくは36°Yカット−X伝搬のLiT
aO3結晶、64°Yカット−X伝搬のLiNbO3結
晶、45°Xカット−Z伝搬のLiB4O7結晶は電気機
械結合係数が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいた
め好ましい。圧電基板の厚みは0.3〜0.5mm程度が
よく、0.3mm未満では圧電基板が脆くなり、0.5
mm超では材料コストが大きくなる。
【0042】かくして、本発明のSAW装置によれば、
励振電極(SAW)の振動空間への絶縁性樹脂の入り込
みを完全に阻止でき、振動空間を確実に形成できる。そ
の結果、SAW装置の特性劣化がなく、また薄型化及び
小型軽量化を図ることができる。
励振電極(SAW)の振動空間への絶縁性樹脂の入り込
みを完全に阻止でき、振動空間を確実に形成できる。そ
の結果、SAW装置の特性劣化がなく、また薄型化及び
小型軽量化を図ることができる。
【0043】なおまた、本発明は上記の実施形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
で種々の変更は何等差し支えない。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
で種々の変更は何等差し支えない。
【0044】
【実施例】以下に、本発明のより具体的な実施例につい
て図1に基づいて説明する。
て図1に基づいて説明する。
【0045】本実施例では、SAW素子K1、K2用の
圧電基板として42°Yカット−X伝搬のLiTaO3
単結晶を用い、そのチップサイズは、0.9mm×1.
5mm、厚み0.35mmであった。また、枠状体4と
してSAW素子と同サイズの0.9mm×1.5mm、
厚み0.5mmのセラミック基体を作製し、接続用の導
電体5を合計1μm膜厚のAu及びNiを無電解めっき
にて形成した。
圧電基板として42°Yカット−X伝搬のLiTaO3
単結晶を用い、そのチップサイズは、0.9mm×1.
5mm、厚み0.35mmであった。また、枠状体4と
してSAW素子と同サイズの0.9mm×1.5mm、
厚み0.5mmのセラミック基体を作製し、接続用の導
電体5を合計1μm膜厚のAu及びNiを無電解めっき
にて形成した。
【0046】枠状体4に形成した導電体5と、SAW素
子の入出力電極である導電パターン2との接続には、A
gを含む熱硬化性のエポキシ系導電性接着剤を用いて、
窒素雰囲気中で100℃で加熱接着した。
子の入出力電極である導電パターン2との接続には、A
gを含む熱硬化性のエポキシ系導電性接着剤を用いて、
窒素雰囲気中で100℃で加熱接着した。
【0047】このような工程で作製した弾性表面波装置
の高さ1.5mm、幅1.5mm、奥行き0.9mmの
十分小型化を実現したSAW装置を完成させた。
の高さ1.5mm、幅1.5mm、奥行き0.9mmの
十分小型化を実現したSAW装置を完成させた。
【0048】本発明の構造によれば、従来のワイヤボン
ディング工程が不要となり、ワイヤの横方向の空間及び
ワイヤの高さ方向のサイズを縮小でき、縦方向に立設さ
せた構造にすることにより、小型化を図ることができ
る。
ディング工程が不要となり、ワイヤの横方向の空間及び
ワイヤの高さ方向のサイズを縮小でき、縦方向に立設さ
せた構造にすることにより、小型化を図ることができ
る。
【0049】また、RF−SAWフィルタを従来のセラ
ミックパッケージに実装するとベアチップエレメント
(SAW素子のみ)と比較して高周波側の減衰量が著し
く劣化し、通過帯域内の低周波側の減衰特性がフィルタ
仕様により劣化することがある。これは、パッケージ及
びAuワイヤの容量成分やインダクタンス成分による影
響であり、フリップチップ実装を適用することにより、
ベアチップエレメント特性に近い良好なフィルタの電気
周波数特性が得られた。
ミックパッケージに実装するとベアチップエレメント
(SAW素子のみ)と比較して高周波側の減衰量が著し
く劣化し、通過帯域内の低周波側の減衰特性がフィルタ
仕様により劣化することがある。これは、パッケージ及
びAuワイヤの容量成分やインダクタンス成分による影
響であり、フリップチップ実装を適用することにより、
ベアチップエレメント特性に近い良好なフィルタの電気
周波数特性が得られた。
【0050】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の弾性表面
波装置によれば、枠状体を介して2つ弾性表面波素子を
固定したので、励振電極(SAW)の振動空間の気密性
を確実に形成できる。これにより、振動空間への絶縁性
樹脂や異物等の入り込みを完全に阻止し、また、励振電
極の劣化による特性劣化を極力防止した信頼性に優れた
弾性表面波装置を提供できる。
波装置によれば、枠状体を介して2つ弾性表面波素子を
固定したので、励振電極(SAW)の振動空間の気密性
を確実に形成できる。これにより、振動空間への絶縁性
樹脂や異物等の入り込みを完全に阻止し、また、励振電
極の劣化による特性劣化を極力防止した信頼性に優れた
弾性表面波装置を提供できる。
【0051】また、弾性表面波素子及び枠状体を保護体
内に収容することができ、これによりいっそう信頼性の
高い弾性表面波装置を提供できる。また、複数の弾性表
面波素子を立設し、さらに樹脂モールドして封止した構
造を採用することができるので、これにより、底面積を
低減でき小型化も可能となる。
内に収容することができ、これによりいっそう信頼性の
高い弾性表面波装置を提供できる。また、複数の弾性表
面波素子を立設し、さらに樹脂モールドして封止した構
造を採用することができるので、これにより、底面積を
低減でき小型化も可能となる。
【0052】さらに、保護体として例えば凹部を形成し
た絶縁性基板を用い、これに圧電基板を載置する場合
は、セルフアライメントで精度良く実装できる優れた弾
性表面波装置を提供できる。
た絶縁性基板を用い、これに圧電基板を載置する場合
は、セルフアライメントで精度良く実装できる優れた弾
性表面波装置を提供できる。
【0053】そして、例えば2つのSAW素子の裏面を
保護体である絶縁性樹脂により封止した構造を採用する
ことにより、この絶縁性樹脂がダンピング材の役割を兼
ねさせることができる。
保護体である絶縁性樹脂により封止した構造を採用する
ことにより、この絶縁性樹脂がダンピング材の役割を兼
ねさせることができる。
【図1】本発明に係る弾性表面波装置の実施形態を模式
的に説明するための斜視図である。
的に説明するための斜視図である。
【図2】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
模式的に説明するための端面図である。
模式的に説明するための端面図である。
【図3】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
模式的に説明するための端面図である。
模式的に説明するための端面図である。
【図4】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
模式的に説明するための端面図である。
模式的に説明するための端面図である。
【図5】従来の弾性表面波装置を模式的に説明するため
の端面図である。
の端面図である。
【図6】従来の他の弾性表面波装置を模式的に説明する
ための端面図である。
ための端面図である。
【図7】従来の他の弾性表面波装置を模式的に説明する
ための端面図である。
ための端面図である。
【図8】従来の他の弾性表面波装置を模式的に説明する
ための端面図である。
ための端面図である。
1:圧電基板 2:入出力電極パッド 3:IDT電極(励振電極) 4:枠状体 5:電極リードパターン(導電体) 6:導電性接着剤 7:蓋体 8:絶縁性樹脂(保護体) 9:絶縁性基板 10:導電体 11:導電性接着剤 12:蓋体 13:絶縁性樹脂 14:半田接合材 15:吸音材 16:粘着テープ 17:振動空間 20:端子電極 K1,K2:SAW素子 S1〜S4:SAW装置
Claims (2)
- 【請求項1】 圧電基板上に励振電極を形成して成る弾
性表面波素子の2つを各々の励振電極が互いに対向する
状態で枠状体に固定し、各弾性表面波素子の励振電極を
前記枠状体に形成した外部回路に接続される導電体に電
気的に接続させたことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項2】 前記弾性表面波素子と前記枠状体とを、
外部回路に接続される端子電極が形成された保護体内に
収容するとともに、前記端子電極に前記枠状体に形成し
た導電体を電気的に接続したことを特徴とする請求項1
に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000028917A JP2001217678A (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000028917A JP2001217678A (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001217678A true JP2001217678A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=18554251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000028917A Pending JP2001217678A (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001217678A (ja) |
-
2000
- 2000-02-01 JP JP2000028917A patent/JP2001217678A/ja active Pending
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