JP2001217466A - Reflection-type light-emitting device - Google Patents

Reflection-type light-emitting device

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JP2001217466A
JP2001217466A JP2000026226A JP2000026226A JP2001217466A JP 2001217466 A JP2001217466 A JP 2001217466A JP 2000026226 A JP2000026226 A JP 2000026226A JP 2000026226 A JP2000026226 A JP 2000026226A JP 2001217466 A JP2001217466 A JP 2001217466A
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light emitting
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light
emitting element
phosphor
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Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
祐次 ▼高▲橋
Yuji Takahashi
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Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection-type light-emitting device that is in a new configuration and is desirable when the light-emitting device is covered with a light-transmission material in which a phosphor is dispersed as light source. SOLUTION: In the reflection-type light-emitting device that is provided with a light-emitting device, a lead having a mount part for mounting the light- emitting device, and a reflector, the mount part is provided with a recessed part that is open while opposing the center of the reflection mirror on the center axis of the reflector and accommodates the light-emitting device and a phosphor in the recessed part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は反射型発光装置に関す
る。更に詳しくは、反射型発光装置において発光素子を
マウントするマウント部の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type light emitting device. More specifically, the present invention relates to an improvement in a mount for mounting a light emitting element in a reflection type light emitting device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】反射型発光装置として、特開平１１−１
７２２７号公報、特開平１１−１７２２９号公報、特開
平１１−１７７１４５号公報及び特開平１１−１６３４
１１号公報などに開示されたものが知られている。かか
る反射型発光装置はその発光素子から中心軸方向に放射
された光だけでなく、中心軸と直交する方向へ発光素子
から放出された光も十分に利用できることから、特許第
２９２７２７９号公報などに示されるレンズ型発光装置
に比べて外部放射効率が高い。また、レンズ型発光装置
に比べて反射型発光装置はこれを薄型化することができ
る。2. Description of the Related Art Japanese Patent Application Laid-Open No.
7227, JP-A-11-17229, JP-A-11-177145, and JP-A-11-1634
The one disclosed in Japanese Patent Publication No. 11 and the like is known. Such a reflection type light emitting device can sufficiently utilize not only light emitted from the light emitting element in the direction of the central axis but also light emitted from the light emitting element in a direction orthogonal to the central axis. The external radiation efficiency is higher than the lens type light emitting device shown. Further, the reflection type light emitting device can be made thinner than the lens type light emitting device.

【０００３】既述の特許第２９２７２７９号公報には、
レンズ型発光装置においてIII族窒化物系化合物半導体
発光素子を囲繞する透光性樹脂中に特定の蛍光体を分散
させ、もって白色系の発光を可能とした発光装置が開示
されている。[0003] The aforementioned Japanese Patent No. 2927279 discloses that
A light emitting device in which a specific phosphor is dispersed in a translucent resin surrounding a group III nitride compound semiconductor light emitting device in a lens type light emitting device, thereby enabling white light emission is disclosed.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】反射型発光装置につい
ては、発光素子から発せられた光の波長を蛍光体を使っ
て変換することにより発光装置の発光色をその発光素子
の発光色と異なる色とすることの検討ないし提案は従来
行われてきていない。そこで、本発明者らは当該反射型
発光装置において蛍光体による発光色の制御について検
討を始めた。最初は、図１に示すとおり、従来にならっ
て第１のリード５の先端をマウント部６としてその下側
（反射鏡３と対向する部分）に発光ダイオード１をマウ
ントした。そして、発光ダイオード１の周囲をエポキシ
樹脂層２で被覆した。このエポキシ樹脂層２には蛍光体
が分散されている。図中の符号７は第２のリード、符号
８及び９はボンディングワイヤである。かかる構成の発
光装置によれば、発光ダイオード１から発した光はエポ
キシ樹脂層２に分散された蛍光体に吸収されたり蛍光体
により拡散される。発光ダイオード１からの光を吸収し
た蛍光体からは全方向に光が放出され、同様に蛍光体で
拡散された発光ダイオード１の光も全方向へ放出され
る。その結果、エポキシ樹脂層２の全体が発光体、即ち
光源となる。エポキシ樹脂層２から反射鏡３の方向へ放
出された光は反射鏡３で反射されて光軸方向の平行光１
０a、１０ｂとなって、有効に利用される。しかしなが
ら、エポキシ樹脂層２はマウント部６より下方（反射鏡
３側）へ突出しているので、その側面からは反射鏡３よ
り外れる光１２もある。このように制御されない光１２
は有効に利用されないので発光装置の外部反射効率を低
下させるばかりでなく、発光装置の発光態様に悪影響を
及ぼすおそれもある。With respect to a reflection type light emitting device, the wavelength of light emitted from the light emitting element is converted by using a phosphor to change the color of the light emitted from the light emitting device to a color different from that of the light emitting element. No consideration or proposal has been made so far. Therefore, the present inventors have started studying the control of the emission color by the phosphor in the reflection type light emitting device. At first, as shown in FIG. 1, the tip of the first lead 5 was used as a mounting part 6 and the light emitting diode 1 was mounted on the lower side (the part facing the reflecting mirror 3) as in the conventional case. Then, the periphery of the light emitting diode 1 was covered with the epoxy resin layer 2. A phosphor is dispersed in the epoxy resin layer 2. Reference numeral 7 in the figure is a second lead, and reference numerals 8 and 9 are bonding wires. According to the light emitting device having such a configuration, light emitted from the light emitting diode 1 is absorbed by the phosphor dispersed in the epoxy resin layer 2 or diffused by the phosphor. Light is emitted in all directions from the phosphor absorbing the light from the light emitting diode 1, and similarly, the light of the light emitting diode 1 diffused by the phosphor is emitted in all directions. As a result, the entire epoxy resin layer 2 becomes a light emitting body, that is, a light source. The light emitted from the epoxy resin layer 2 in the direction of the reflecting mirror 3 is reflected by the reflecting mirror 3 and becomes parallel light 1 in the optical axis direction.
0a and 10b are used effectively. However, since the epoxy resin layer 2 protrudes downward (toward the reflecting mirror 3) from the mount 6, some of the light 12 departs from the reflecting mirror 3 from the side surface. Light 12 not controlled in this way
Is not effectively used, so that not only the external reflection efficiency of the light emitting device is reduced, but also the light emitting mode of the light emitting device may be adversely affected.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明は上記の事情を
考慮してなされたものであり、その構成は次の通りであ
る。発光素子と、該発光素子をマウントするマウント部
を有するリードと、反射鏡とを備えてなる反射型発光装
置において、前記マウント部は前記反射鏡の中心軸上に
おいて前記反射鏡の中心に対向して開口する凹部を有
し、該凹部内に前記発光素子と前記発光素子が発した光
の波長を変換する蛍光体とが収納される、ことを特徴と
する反射型発光装置。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has the following configuration. In a reflection-type light-emitting device including a light-emitting element, a lead having a mount portion for mounting the light-emitting element, and a reflector, the mount portion faces the center of the reflector on a central axis of the reflector. A light emitting element and a phosphor for converting the wavelength of light emitted by the light emitting element are accommodated in the concave part.

【０００６】このように構成された反射型発光装置によ
れば、蛍光体は凹部内に収納されているので、発光素子
の光が蛍光体に吸収され又は散乱されて蛍光体より全方
向に放出されることとなっても、その光は凹部の開口部
のみから凹部外へ放出される。そしてこの開口部は反射
鏡の中心軸上にあってかつ反射鏡の中心に対向している
ので、開口部から中心軸と直交方向へ放出される光があ
っても、汎用的な反射型発光装置と同様にその光は反射
鏡に全て補足されて、中心軸と平行方向へ反射される。
これにより、発光素子からの光（蛍光体で散乱された直
接光及び蛍光体で波長変換された光）の全部を有効に外
部放射できるとともに放射方向の制御もできることとな
る。[0006] According to the reflection type light emitting device configured as described above, since the phosphor is accommodated in the recess, the light of the light emitting element is absorbed or scattered by the phosphor and emitted from the phosphor in all directions. However, the light is emitted out of the recess only from the opening of the recess. Since this opening is on the central axis of the reflecting mirror and faces the center of the reflecting mirror, even if there is light emitted from the opening in the direction orthogonal to the central axis, a general-purpose reflective light emitting device is used. Like the device, the light is all captured by the reflector and reflected in a direction parallel to the central axis.
Thereby, all of the light (direct light scattered by the phosphor and light whose wavelength is converted by the phosphor) from the light emitting element can be effectively radiated to the outside, and the radiation direction can be controlled.

【０００７】次に、この発明を、図に示した実施例を参
考にしながら、各要素毎に詳細に説明する。発光素子に
はII−VI族やIII−V族など汎用的な発光ダイオードを用
いることができる。その中でも、蛍光体による波長変換
がより有効に行われる比較的短い波長（５５０ｎｍ以
下、紫外線も含む）の光を発生するIII族窒化物系化合
物半導体発光素子を用いることが好ましい。図２に示す
実施例では発光素子として豊田合成株式会社の提供する
発光ダイオード（波長：４６０ｎｍ）を用いる。ここ
に、III族窒化物系化合物半導体は一般式としてＡｌＸ
ＧａＹＩｎ１−Ｘ −ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０
≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮの
いわゆる２元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ
１−ｘＮ及びＧａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０≦ｘ
≦１）のいわゆる３元系を包含する。III族元素の一部
をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良
く、また、窒素（Ｎ）の一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａ
ｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換
できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパ
ントを含むものであっても良い。ｎ型不純物として、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ
型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
等を用いることができる。なお、ｐ型不純物をドープし
た後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラ
ズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも可能であ
る。III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限
定されないが、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）の
ほか、周知の分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド
系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法、電子シャワー法等によっても形成するこ
とができる。なお、発光素子の構成としては、ＭＩＳ接
合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘテロ構
造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができ
る。発光層として量子井戸構造（単一量子井戸構造若し
くは多重量子井戸構造）を採用することもできる。Next, the present invention will be described in detail for each element with reference to the embodiment shown in the drawings. A general-purpose light emitting diode such as a II-VI group or a III-V group can be used for the light emitting element. Among them, it is preferable to use a group III nitride-based compound semiconductor light emitting device that generates light of a relatively short wavelength (550 nm or less, including ultraviolet light) at which wavelength conversion by a phosphor is more effectively performed. In the embodiment shown in FIG. 2, a light emitting diode (wavelength: 460 nm) provided by Toyoda Gosei Co., Ltd. is used as a light emitting element. Here, the group III nitride-based compound semiconductor has a general formula of Al X
Ga Y In 1−X −Y N (0 ≦ X ≦ 1, 0 ≦ Y ≦ 1, 0
≦ X + Y ≦ 1), a so-called binary system of AlN, GaN and InN, Al x Ga 1-x N, Al x In
1-xN and Ga x In 1-x N (where 0 ≦ x
.Ltoreq.1). Some of the group III elements may be replaced with boron (B), thallium (Tl), etc., and some of nitrogen (N) may be replaced with phosphorus (P), arsenic (A
s), antimony (Sb), bismuth (Bi) and the like. The group III nitride compound semiconductor layer may contain any dopant. As an n-type impurity, S
i, Ge, Se, Te, C, etc. can be used. p
Mg, Zn, Be, Ca, Sr, Ba as type impurities
Etc. can be used. After doping with a p-type impurity, the group III nitride compound semiconductor can be exposed to electron beam irradiation, plasma irradiation, or heating by a furnace. The method of forming the group III nitride-based compound semiconductor layer is not particularly limited. In addition to metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), well-known molecular beam crystal growth (MBE) and halide vapor deposition (HVPE) Method), a sputtering method, an ion plating method, an electron shower method, or the like. Note that as the structure of the light-emitting element, a homostructure, a heterostructure, or a double heterostructure having a MIS junction, a PIN junction, or a pn junction can be used. A quantum well structure (single quantum well structure or multiple quantum well structure) can be adopted as the light emitting layer.

【０００８】リードは発光素子に給電するためのもので
あり、正極と負極の少なくとも２種のリードが必要であ
る。図２に示すように、そのうちの一方のリード５のマ
ウント部２１には凹部２３が設けられここに発光素子１
がマウントされる。図２において図１と同一の要素には
同一の符号を付してある。図２に示す発光装置２０にお
いて、凹部２３は円錐台形状（カップ状）であり、その
底壁２６の中央に発光素子１が固定されている。この発
光素子１の固定位置は中心軸１上とすることが好まし
く、更に好ましくは発光素子１の中心軸を反射鏡３の中
心軸Ｃと一致させる。凹部２３の開口部２５において最
も輝度（発光量）の大きい部分が発光素子１の中心軸上
にあるからである。かかる凹部２３は鉄合金や銅合金等
の導電性金属をプレス加工及びポンチング加工してリー
ド５と一体的に形成される。凹部２３の内壁（側壁２６
及び底壁２７）は反射効率を向上させるために鍍金など
の鏡面処理が施される。The leads are used to supply power to the light emitting element, and at least two kinds of leads, a positive electrode and a negative electrode, are required. As shown in FIG. 2, a concave portion 23 is provided in a mount portion 21 of one of the leads 5 and a light emitting element 1 is provided here.
Is mounted. 2, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the light emitting device 20 shown in FIG. 2, the concave portion 23 has a truncated cone shape (cup shape), and the light emitting element 1 is fixed to the center of the bottom wall 26. The fixing position of the light emitting element 1 is preferably on the central axis 1, and more preferably, the central axis of the light emitting element 1 is aligned with the central axis C of the reflecting mirror 3. This is because the portion having the highest luminance (light emission amount) in the opening 25 of the recess 23 is on the central axis of the light emitting element 1. The recess 23 is formed integrally with the lead 5 by pressing and punching a conductive metal such as an iron alloy or a copper alloy. The inner wall (side wall 26) of the recess 23
And the bottom wall 27) is subjected to a mirror surface treatment such as plating to improve the reflection efficiency.

【０００９】図４に他の実施例の凹部３３を示す。この
凹部３３では、発光素子１はフリップチップ型の発光素
子であって矩形のツェナーダイオード基板３４を介して
凹部３３の底面３７に固定されている。即ち発光素子の
ｐ電極及びｎ電極がツェナーダイオード基板３４のｐ領
域及びｎ領域にそれぞれ導電性の金バンプ３１、３２を
介して結合される。ツェナーダイオード基板３４は凹部
３３の底面に導電性接着剤で結合される。ツェナーダイ
オード基板３４のｐ領域は凹部３３を介して直接リード
５へ電気的に接続される。一方、基板３４のｎ領域は金
線などからなるボンディングワイヤにより第２のリード
７（図２参照）へ結合される。ここに、ツェナーダイオ
ード基板３４及び発光素子１の基板はウエハからの切り
だしの制限があるため矩形である。発光素子１の角部は
ツェナーダイオード基板３４の角部とオフセットしてい
る。つまり、発光素子１の角部と基板３４の角部とがず
れて配置されている。この例では、ほぼ４５度ずれてい
る。これにより、図４（Ａ）に示すように、ツェナーダ
イオード基板３４の表面に大きな空き領域が形成され、
この領域に対するボンディングワイヤのボンディング作
業が容易になる。凹部３３は四角錐形であり、当該四角
錐形を形成する周壁、特に側壁３６が反射面となる。側
壁３６の各上縁即ち底壁３７の周縁はツェナーダイオー
ド基板３４の各辺に沿っている。凹部３３の内面はＡｇ
メッキなどにより鏡面処理されている。FIG. 4 shows a concave portion 33 of another embodiment. In the recess 33, the light emitting element 1 is a flip-chip type light emitting element and is fixed to the bottom surface 37 of the recess 33 via a rectangular Zener diode substrate 34. That is, the p-electrode and the n-electrode of the light-emitting element are coupled to the p-region and the n-region of the Zener diode substrate 34 via the conductive gold bumps 31 and 32, respectively. Zener diode substrate 34 is bonded to the bottom surface of recess 33 with a conductive adhesive. The p region of the Zener diode substrate 34 is electrically connected directly to the lead 5 via the recess 33. On the other hand, the n region of the substrate 34 is connected to the second lead 7 (see FIG. 2) by a bonding wire such as a gold wire. Here, the Zener diode substrate 34 and the substrate of the light emitting element 1 are rectangular because there is a restriction on cutting out from the wafer. The corner of the light emitting element 1 is offset from the corner of the Zener diode substrate 34. That is, the corners of the light emitting element 1 and the corners of the substrate 34 are arranged to be shifted from each other. In this example, they are shifted by approximately 45 degrees. Thereby, as shown in FIG. 4A, a large empty area is formed on the surface of the Zener diode substrate 34,
The bonding operation of the bonding wire to this region becomes easy. The concave portion 33 has a quadrangular pyramid shape, and a peripheral wall forming the quadrangular pyramid, in particular, a side wall 36 serves as a reflection surface. Each upper edge of the side wall 36, that is, the periphery of the bottom wall 37 is along each side of the Zener diode substrate 34. The inner surface of the recess 33 is Ag
It is mirror-finished by plating.

【００１０】図５には、矩形基板を省略して発光素子１
を凹部４３に固定するタイプを示した。発光素子のマウ
ント方式は基板側で固定されるタイプである。かかるタ
イプにおいても矩形基板（導電性の必要はない）を介在
させることができる。発光素子の基板自体が導電性の場
合は、矩形基板を導電性としてｐ電極と第１のマウント
リード５とを結合するボンディングワイヤを省略するこ
とができる。FIG. 5 shows a light emitting element 1 with a rectangular substrate omitted.
Is fixed to the recess 43. The mounting method of the light emitting element is of a type fixed on the substrate side. Even in this type, a rectangular substrate (which does not need to be conductive) can be interposed. When the substrate of the light emitting element itself is conductive, the rectangular substrate is made conductive, and a bonding wire for connecting the p-electrode and the first mount lead 5 can be omitted.

【００１１】図６に他の凹部５３の実施例を示す。この
凹部５３は八角錐形状である。図４、５の実施例と比べ
ると、図６の例では凹部底面５７の角部において側壁５
６ｂがより発光素子１に近接することとなり、この点で
反射効率が向上する。側壁５６ａについては図４、５の
それらと同様である。以上説明したように、反射面とな
る凹部の周壁の上縁、即ち底壁の周縁を対応する発光素
子の辺若しくは矩形基板の辺に沿わせることが好まし
い。反射面を発光素子にできる限り近づけて反射面で反
射した光が遮られる反面部の面積を小さくするためであ
る。FIG. 6 shows another embodiment of the recess 53. The recess 53 has an octagonal pyramid shape. As compared with the embodiment of FIGS. 4 and 5, in the example of FIG.
6b comes closer to the light emitting element 1, and the reflection efficiency is improved at this point. The side wall 56a is the same as those in FIGS. As described above, it is preferable that the upper edge of the peripheral wall of the concave portion serving as the reflection surface, that is, the peripheral edge of the bottom wall be along the side of the corresponding light emitting element or the side of the rectangular substrate. This is because the reflection surface is brought as close as possible to the light emitting element to reduce the area of the surface portion where light reflected by the reflection surface is blocked.

【００１２】以上説明したように、凹部の形状は、カッ
プ状（図２、図３参照）、円筒状、半球状、角錐状（四
角錐（図４、図５参照）、八角錐（図６参照など）、角
筒状（四角柱、八角柱など）任意であるが、その開口部
は反射鏡の中心軸Ｃ上にあってかつ反射鏡の中心（中心
軸Ｃと反射鏡３との交点）を向いている。これにより、
開口部から放出された光の全てを反射鏡で制御可能とな
る。また、開口部は反射鏡の周縁と同一平面上に位置す
ることが好ましい。開口部が当該周縁より反射鏡内にあ
ると反射鏡の周縁部には光が届かなくなりこの部分が無
駄となる。他方、開口部が当該周縁より外側にあると全
ての光を反射鏡で補足できなくなる。As described above, the shape of the concave portion is cup-shaped (see FIGS. 2 and 3), cylindrical, hemispherical, pyramidal (quadrangular pyramid (see FIGS. 4 and 5), octagonal pyramid (see FIG. 6). Reference, etc.), rectangular tube (quadratic prism, octagonal prism, etc.), but the opening is on the central axis C of the reflecting mirror and the center of the reflecting mirror (the intersection of the central axis C and the reflecting mirror 3). ), So that
All of the light emitted from the opening can be controlled by the reflecting mirror. Preferably, the opening is located on the same plane as the periphery of the reflecting mirror. If the opening is located within the reflecting mirror from the periphery, light does not reach the periphery of the reflecting mirror, and this part is wasted. On the other hand, if the opening is outside the peripheral edge, all the light cannot be captured by the reflecting mirror.

【００１３】図７には、他の実施例の反射型発光装置６
０を示す。図２〜図６の装置では発光素子のマウント部
を構成する凹部が片持ちばりで支持されていたが、図７
の例ではマウント部６１を両持ちばりで支持している。
これにより、凹部６３の位置ずれが少なくなる。また、
発光素子１が発光する際に放出する熱を一対のはりで外
部へ逃がすことができるので、放熱性が向上する。図７
の例ではカップ型の凹部６３を利用したが、凹部の形状
はこれに限定されるものではない。その他に、円筒状、
半球状、角錐状（四角錐（図４、図５参照）、八角錐
（図６参照など）、角筒状（四角柱、八角柱など）など
の任意の形状の凹部を使用することが出来る。図７にお
いて、符号６５、６６、６７はそれぞれ開口部、側壁、
底壁である。符号６７は第２のリードである。FIG. 7 shows a reflection type light emitting device 6 of another embodiment.
Indicates 0. In the apparatus shown in FIGS. 2 to 6, the concave portion forming the mount portion of the light emitting element is supported by a cantilever beam.
In the example, the mounting portion 61 is supported by both ends.
Thereby, the displacement of the concave portion 63 is reduced. Also,
Since heat released when the light emitting element 1 emits light can be released to the outside by the pair of beams, heat dissipation is improved. FIG.
In the example, the cup-shaped recess 63 is used, but the shape of the recess is not limited to this. In addition, cylindrical,
A concave portion having an arbitrary shape such as a hemispherical shape, a pyramid shape (a quadrangular pyramid (see FIGS. 4 and 5), an octagonal pyramid (see FIG. 6 and the like), and a rectangular cylindrical shape (a quadrangular prism, an octagonal prism, etc.) can be used. 7, reference numerals 65, 66, and 67 denote openings, side walls,
It is the bottom wall. Reference numeral 67 denotes a second lead.

【００１４】図２に示すように、蛍光体は光透過性材料
２０に分散され、少なくとも凹部内に存在する。これに
より、蛍光体から放出された光及び蛍光体で散乱された
光であっても凹部の開口部のみから外部へ放出されるこ
ととなる。蛍光体として次のものを用いることができ
る。ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｅｕ、ＹＶ
Ｏ４：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｃｅ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、及び
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｃｅの中から選ばれる一又は二以上の蛍光
体が用いられる。ここで、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌと
は、ＺｎＳを母体としてＣｕ、Ａｕ、及びＡｌで付活し
たＺｎＳ系のフォトルミネセンス蛍光体であり、Ｚｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ及びＺｎ
Ｓ：Ｅｕとは、同じくＺｎＳを母体としてそれぞれＣｕ
とＡｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＥｕで付活したフォトルミネ
センス蛍光体である。同様に、ＹＶＯ４：Ｅｕ及びＹＶ
Ｏ４：ＣｅはＹＶＯ４を母体としてそれぞれＥｕ及びＣ
ｅで付活した蛍光体であり、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ及びＹ２
Ｏ２Ｓ：ＣｅはＹ２Ｏ２を母体としてそれぞれＥｕ及び
Ｃｅで付活した蛍光体である。これらの蛍光体は、青色
〜緑色の光に対して吸収スペクトルを有し、励起波長よ
りも波長の長い光を発光する。上記蛍光体の中でも、Ｚ
ｎＳ：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｃｅ及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｃｅは、
青色〜緑色の励起光に対する発光波長がその他の蛍光体
と比較して長いため、即ち、これらの蛍光体からの発光
色はより赤色系であって、その結果、これらの蛍光体か
ら発せられる光と一次光源である発光素子からの光との
混合により得られる光はより白色に近い色となる。この
ように、より白色に近い発光色を得るためには、Ｚｎ
Ｓ：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｃｅ及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｃｅの中か
ら選ばれる一又は二以上を蛍光体として選択することが
好ましい。また、ＣａＳ：Ｅｕを蛍光体として使用する
こともできる。かかる蛍光体によれば赤色系の蛍光が得
られる。更には、特許第２９２７２７９号にあるよう
に、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体を使用することもできる。セリウ
ムの付活を省略することもできる。イットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体において、イットリウム
の一部あるいは全体を、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳ
ｍからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素に置換
し、あるいは、アルミニウムの一部あるいは全体を、Ｇ
ａとＩｎの何れかまたは両方で置換することができる。
更に詳しくは、（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ
１−ｙ）５Ｏ１ ２：Ｃｅ（但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも一種）
である。この場合のIII族窒化物系化合物半導体発光素
子から放出された光は４００〜５３０ｎｍにピーク波長
を持つものとすることが好ましい。図２の実施例では蛍
光体としてイットリウム・アルミニウム・ガーネット系
蛍光体を用いる。ピーク波長が３８０ｎｍ付近にある発
光素子（例えば、豊田合成株式会社の提供する波長３８
２ｎｍの発光ダイオードなど）に対する蛍光体として
は、イットリウム・アルミニウム・ガーネット：Ｃｅ
や、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ
及びＺｎＳ：Ｅｕ等を採用することが好ましい。As shown in FIG. 2, the phosphor is dispersed in the light transmitting material 20 and is present at least in the recess. Thereby, even the light emitted from the phosphor and the light scattered by the phosphor are emitted to the outside only from the opening of the concave portion. The following can be used as the phosphor. ZnS: Cu, Au, Al, ZnS: Cu, Al,
ZnS: Cu, ZnS: Mn, ZnS: Eu, YV
One or more phosphors selected from O 4 : Eu, YVO 4 : Ce, Y 2 O 2 S: Eu, and Y 2 O 2 S: Ce are used. Here, ZnS: Cu, Au, Al is a ZnS-based photoluminescent phosphor activated by Cu, Au, and Al using ZnS as a base material.
S: Cu, Al, ZnS: Cu, ZnS: Mn and Zn
S: Eu means ZnS as a parent and Cu
And a photoluminescent phosphor activated with Al, Cu, Mn, and Eu. Similarly, YVO 4 : Eu and YV
O 4 : Ce is composed of Eu and C with YVO 4 as a base.
e, a phosphor activated by Ye and Y 2 O 2 S: Eu and Y 2
O 2 S: Ce is a phosphor activated by Eu and Ce, respectively, using Y 2 O 2 as a base. These phosphors have an absorption spectrum for blue to green light, and emit light having a wavelength longer than the excitation wavelength. Among the above phosphors, Z
nS: Eu, YVO 4 : Ce and Y 2 O 2 S: Ce are
Since the emission wavelength for blue to green excitation light is longer compared to other phosphors, that is, the emission color from these phosphors is more reddish, and as a result, the light emitted from these phosphors And the light obtained by mixing with the light from the light emitting element as the primary light source has a color closer to white. Thus, in order to obtain a light emission color closer to white, Zn
It is preferable to select one or two or more selected from S: Eu, YVO 4 : Ce and Y 2 O 2 S: Ce as the phosphor. Also, CaS: Eu can be used as the phosphor. According to such a phosphor, red-based fluorescence can be obtained. Further, as disclosed in Japanese Patent No. 2927279, a yttrium-aluminum-garnet-based phosphor activated with cerium can also be used. The activation of cerium can be omitted. In the yttrium-aluminum-garnet-based phosphor, a part or the whole of yttrium is made of Lu, Sc, La, Gd and S.
m is substituted by at least one element selected from the group consisting of m.
It can be substituted with either or both of a and In.
More specifically, (RE 1-x Sm x ) 3 (Al y Ga
1-y) 5 O 1 2 : Ce ( where, 0 ≦ x <1,0 ≦ y ≦
1, RE is at least one selected from Y and Gd)
It is. In this case, the light emitted from the group III nitride compound semiconductor light emitting device preferably has a peak wavelength of 400 to 530 nm. In the embodiment shown in FIG. 2, an yttrium / aluminum / garnet-based phosphor is used as the phosphor. A light-emitting element having a peak wavelength near 380 nm (for example, a wavelength 38 provided by Toyoda Gosei Co., Ltd.)
Yttrium Aluminum Garnet: Ce
And ZnS: Cu, Al, ZnS: Cu, ZnS: Mn
And ZnS: Eu or the like.

【００１５】かかる蛍光体は透光性材料２４中に均等に
分散されることが好ましい。透光性材料中において、蛍
光体の分散濃度に傾斜を設けたり、これを徐変させたり
若しくは偏在させることも可能である。透光性材料には
エポキシ樹脂、尿素樹脂などの透明な樹脂材料や金属ア
ルコキシド・セラミック前駆体ポリマー（特開平１１−
２０４８３８号公報参照）などの透明なガラスを用いる
ことができる。透光性材料は少なくとも、発光素子から
の光及び蛍光体から発せられた光を透過させればよい。
透光性材料として樹脂材料を用いるときには、蛍光体の
他に補強剤、充填剤、着色剤、顔料、難燃剤等の添加剤
の併用が好ましい。透光性材料も凹部内に収納されてい
ることが好ましい。即ち、透光性材料の界面が凹部の開
口部から突出していると、当該界面で屈折した光が反射
鏡の外へ放出されるおそれがあるからである。かかる透
光性材料は、発光素子をマウントした凹部へ、予め蛍光
体を分散させた状態で滴下しこれを硬化させる。It is preferable that the phosphor is evenly dispersed in the translucent material 24. In the translucent material, it is possible to provide a gradient in the dispersion concentration of the phosphor, to gradually change or unevenly distribute the phosphor. Transparent materials include transparent resin materials such as epoxy resin and urea resin, and metal alkoxide / ceramic precursor polymers (Japanese Patent Application Laid-Open No.
Transparent glass such as that disclosed in JP-A-204838) can be used. The light-transmitting material may transmit at least light from the light-emitting element and light emitted from the phosphor.
When a resin material is used as the translucent material, it is preferable to use additives such as a reinforcing agent, a filler, a coloring agent, a pigment, and a flame retardant in addition to the phosphor. It is preferable that the translucent material is also stored in the recess. That is, if the interface of the translucent material protrudes from the opening of the concave portion, the light refracted at the interface may be emitted to the outside of the reflecting mirror. Such a translucent material is dropped and cured in a state in which a phosphor is dispersed in advance in a recess in which the light emitting element is mounted.

【００１６】反射鏡３はその中心軸Ｃ上にある光源から
の光を中心軸Ｃと平行に反射させるパラボラ形である。
本願の場合は、光源が一定の幅をもつので、パラボラの
カーブを多少変形して中心軸上から外れた位置にある部
分からの光も中心軸Ｃと実質的に平行となるようにす
る。勿論、発光装置に要求される光学特性に応じて、反
射鏡の形状は任意に設計できる。例えば、反射光を集光
したいときは他の楕円形状としてもよい。この場合、光
放出面４を曲面として凸レンズ形状や凹レンズ形状ある
いはプリズム形状としてもよい。反射鏡３は封止体６の
パラボラ面へＡｇやＡｌを蒸着することにより形成され
る。封止体６は透光性材料により型成形される。封止体
６の透光性材料は凹部内において蛍光体を分散させる透
光性材料と同様に透明な樹脂材料やガラスを利用でき
る。凹部の内外の透光性材料は同一のものであっても異
種のものであってもよい。The reflecting mirror 3 has a parabolic shape that reflects light from a light source on the central axis C in parallel with the central axis C.
In the case of the present application, since the light source has a certain width, the curve of the parabola is slightly deformed so that light from a portion off the central axis is also substantially parallel to the central axis C. Of course, the shape of the reflecting mirror can be arbitrarily designed according to the optical characteristics required for the light emitting device. For example, when it is desired to collect the reflected light, another elliptical shape may be used. In this case, the light emitting surface 4 may be a curved surface to have a convex lens shape, a concave lens shape, or a prism shape. The reflecting mirror 3 is formed by depositing Ag or Al on the parabolic surface of the sealing body 6. The sealing body 6 is molded from a light-transmitting material. As the light-transmitting material of the sealing body 6, a transparent resin material or glass can be used in the same manner as the light-transmitting material for dispersing the phosphor in the concave portion. The translucent materials inside and outside the recess may be the same or different.

【００１７】図８に示す発光装置７０では、封止体７６
内に反射鏡７３が埋設されている。図８において図２と
同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。この反射鏡７３は１枚の金属板をパラボラ形状にプ
レス加工して形成される。また、複数の金属板をつなぎ
合わせてパラボラ形状にすることもできる。金属板には
銅合金や鉄合金を用いることができる。金属板の表面は
Ａｇ鍍金等により鏡面加工されていることが好ましい。
反射鏡７３を金属板で形成することにより、発光装置７
０の耐熱性が向上する。発光素子１を凹部２３にマウン
トして、ボンディングワイヤ８、９を取りつける一連の
工程において発光装置は２００℃程度の温度環境におか
れる。このとき、樹脂製の封止体７６は変形するおそれ
があるが、金属板製の反射鏡７３は殆ど変形しない。し
たがって、封止体７６の変形の如何に拘わらず設計通り
の光学特性が奏される。In the light emitting device 70 shown in FIG.
A reflecting mirror 73 is embedded therein. 8, the same elements as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The reflecting mirror 73 is formed by pressing a single metal plate into a parabolic shape. Also, a plurality of metal plates can be connected to form a parabolic shape. A copper alloy or an iron alloy can be used for the metal plate. It is preferable that the surface of the metal plate is mirror-finished by Ag plating or the like.
By forming the reflecting mirror 73 by a metal plate, the light emitting device 7
0 heat resistance is improved. In a series of steps for mounting the light emitting element 1 in the concave portion 23 and attaching the bonding wires 8 and 9, the light emitting device is placed in a temperature environment of about 200 ° C. At this time, the sealing member 76 made of resin may be deformed, but the reflecting mirror 73 made of metal plate hardly deforms. Therefore, optical characteristics as designed are exhibited regardless of the deformation of the sealing body 76.

【００１８】封止体の形状は特に限定されるものではな
い。単品で使用するときは当該カット面を設けずに、図
３及び図７に示すように、光放出面を円形とすることが
好ましい。なお、発光装置を連結して使用する場合は、
図１１に示すように、一方向（リード５、７の配列方
向）にカット面を設けることが好ましい。なお、図１１
において図３と同一の要素には同一の符号を付してその
説明を省略する。封止体６を確実に支持するために、特
開平１１−１７７１４５号公報に示されるリード（発光
素子から独立なもの）を封止体６へ取りつけることもで
きる。The shape of the sealing body is not particularly limited. When used as a single product, it is preferable that the light emitting surface is circular as shown in FIGS. 3 and 7 without providing the cut surface. When connecting and using light emitting devices,
As shown in FIG. 11, it is preferable to provide the cut surface in one direction (the direction in which the leads 5 and 7 are arranged). Note that FIG.
In FIG. 7, the same elements as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In order to securely support the sealing body 6, a lead (independent of a light emitting element) disclosed in JP-A-11-177145 may be attached to the sealing body 6.

【００１９】図９に他の封止体８６を示す。図９におい
て図８と同一の要素には同一の符号を付してその説明を
省略する。この例の封止体８６は金属製の筐体部８７と
ガラス製の蓋部８８を気密に結合した構成である。筐体
部８７及び透光性の蓋部８８はともに湿気を通過させな
い材料で形成されればよく、両者は充分に乾燥した雰囲
気中で封着剤により気密に結合される。蛍光体の中には
水分で変質し易いものがあるが、かかる構成の封止体８
６を適用することにより、蛍光体に対する水分の影響を
排除できる。図２や図８の例のように樹脂製の封止体を
用いた場合、特に紫外線などの波長の短い光を発する発
光素子を用いたときには封止体自体の黄変の問題もある
が、図９の例では封止体８６を中空とすることができる
ので、かかる封止体の黄変の問題も排除できる。FIG. 9 shows another sealing body 86. 9, the same elements as those in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The sealing body 86 of this example has a configuration in which a metal housing 87 and a glass lid 88 are airtightly connected. Both the casing 87 and the translucent lid 88 may be formed of a material that does not allow moisture to pass through, and both are hermetically bonded by a sealing agent in a sufficiently dry atmosphere. Some of the phosphors are liable to be deteriorated by moisture.
By applying 6, the influence of moisture on the phosphor can be eliminated. When a resin-made sealing body is used as in the examples of FIGS. 2 and 8, particularly when a light-emitting element that emits light having a short wavelength such as ultraviolet light is used, there is also a problem of yellowing of the sealing body itself, In the example of FIG. 9, since the sealing body 86 can be hollow, the problem of yellowing of the sealing body can also be eliminated.

【００２０】図１０に、他のタイプの発光装置９０の構
成を示した。この発光装置９０においてはリード９５に
おいて反射鏡９３と対向する側の面に金属製のカップを
固定し、当該カップを凹部１０３とするものである。カ
ップの周縁（下縁）と反射鏡９３の上縁とは実質的に同
一平面上に位置している。凹部１０３の開口部は反射鏡
の中心軸上に位置してかつ反射鏡と中心軸との交点（中
心点）に対向している。凹部１０３として図４〜６に開
示の形状を採用することができる。リードとして図７に
開示の構成を採用することができる。反射鏡及び封止体
の構成として図８及び９に開示のものを採用することが
できる。図１０において、符号９４は光放出面、符号９
７はリード、符号９８、９９は導電性ワイヤ、符号１０
４は蛍光体を分散させた透光性材料である。なお、凹部
の周壁は蛍光体から放出された光及び蛍光体で拡散され
た光が反射鏡から外れることを防止するものである。即
ち、発光素子の光を受ける蛍光体を囲む光遮断壁であっ
て、その光遮断壁の自由端縁は反射鏡の周縁と実質的に
同一平面上にある。FIG. 10 shows the structure of another type of light emitting device 90. In the light emitting device 90, a metal cup is fixed to the surface of the lead 95 facing the reflecting mirror 93, and the cup is used as the recess 103. The peripheral edge (lower edge) of the cup and the upper edge of the reflecting mirror 93 are located substantially on the same plane. The opening of the recess 103 is located on the central axis of the reflecting mirror and faces the intersection (center point) between the reflecting mirror and the central axis. The shape disclosed in FIGS. 4 to 6 can be adopted as the concave portion 103. The structure disclosed in FIG. 7 can be adopted as the lead. The configuration disclosed in FIGS. 8 and 9 can be adopted as the configuration of the reflecting mirror and the sealing body. In FIG. 10, reference numeral 94 denotes a light emitting surface, and reference numeral 9 denotes a light emitting surface.
7 is a lead, 98 and 99 are conductive wires, 10
Reference numeral 4 denotes a translucent material in which a phosphor is dispersed. The peripheral wall of the concave portion prevents light emitted from the phosphor and light diffused by the phosphor from coming off the reflecting mirror. That is, the light blocking wall surrounds the phosphor that receives the light of the light emitting element, and the free edge of the light blocking wall is substantially coplanar with the peripheral edge of the reflecting mirror.

【００２１】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。The present invention is not at all limited to the description of the above-described embodiments and examples. Various modifications are included in the present invention without departing from the scope of the claims and within the scope of those skilled in the art.

【００２２】以下、次の事項を開示する。 （２０） 発光素子と、該発光素子をマウントするマウ
ント部を有するリードと、反射鏡とを備えてなる反射型
発光装置において、前記発光素子の周囲には発光素子が
発した光の波長を変換する蛍光体が存在し、該蛍光体の
周囲には該蛍光体から放出された光及び蛍光体で拡散さ
れた光が前記反射鏡から外れることを防止する手段が配
置されている、ことを特徴とする反射型発光装置。 （２１） 前記防止手段は光遮断壁からなる、特徴とす
る（２０）に記載の反射型発光装置。 （２２） 前記発光素子はIII族窒化物系化合物半導体
発光素子である、ことを特徴とす（２０）又は（２１）
に記載の反射型発光装置。 （２３） 前記反射鏡の端縁は光遮断壁の自由端縁と実
質的に同一平面上に位置する、ことを特徴とする（２
１）又は（２２）に記載の反射型発光装置。 （２４） 前記マウント部と前記防止手段との間に光透
過性材料が充填されている、ことを特徴とする（２０）
〜（２３）のいずれかに記載の反射型発光装置。 （２５） 前記光遮断壁の周縁は前記発光素子の辺若し
くは該発光素子をマウントした矩形基板の辺に沿ってい
る、ことを特徴とする（２１）〜（２４）のいずれかに
記載の反射型発光装置。 （２６） 前記反射鏡は金属製である、ことを特徴とす
る（２０）〜（２５）のいずれかに記載の反射型発光装
置。 （２７） 前記反射鏡は複数の金属板を連結して形成さ
れたものである、ことを特徴とする（２６）に記載の反
射型発光装置。 （２８） 前記マウント部、前記反射鏡及び前記リード
の一部が気密ケースに収納され、該気密ケースにおいて
前記反射鏡に対向する部分は反射鏡からの光が透過可能
な材料で形成されている、ことを特徴とする（２０）〜
（２７）のいずれかに記載の反射型発光装置。 （２９） 反射型発光装置に用いられるリードであっ
て、発光素子をマウントする部分に発光素子を囲む光遮
断壁を有する、ことを特徴とするリード。 （３０） 前記光遮断壁内にIII族窒化物系化合物半導
体からなる発光素子と該発光素子から発せられた光の波
長を変換する波長変換材料が備えられている、ことを特
徴とする（２９）に記載のリード。Hereinafter, the following matters will be disclosed. (20) In a reflection-type light-emitting device including a light-emitting element, a lead having a mounting portion for mounting the light-emitting element, and a reflector, the wavelength of light emitted by the light-emitting element is converted around the light-emitting element. And a means for preventing light emitted from the phosphor and light diffused by the phosphor from coming off the reflecting mirror is arranged around the phosphor. Reflective light emitting device. (21) The reflection-type light-emitting device according to (20), wherein the prevention unit includes a light blocking wall. (22) The light emitting device is a group III nitride compound semiconductor light emitting device (20) or (21).
3. The reflective light emitting device according to 1. (23) The edge of the reflecting mirror is located substantially on the same plane as the free edge of the light blocking wall (2).
1) or the reflective light emitting device according to (22). (24) A light transmissive material is filled between the mount section and the prevention means (20).
The reflective light-emitting device according to any one of (23) to (23). (25) The reflection according to any one of (21) to (24), wherein a periphery of the light shielding wall is along a side of the light emitting element or a side of a rectangular substrate on which the light emitting element is mounted. Type light emitting device. (26) The reflective light emitting device according to any one of (20) to (25), wherein the reflecting mirror is made of metal. (27) The reflective light-emitting device according to (26), wherein the reflecting mirror is formed by connecting a plurality of metal plates. (28) The mount portion, the reflecting mirror, and a part of the lead are housed in an airtight case, and a portion of the airtight case facing the reflecting mirror is formed of a material through which light from the reflecting mirror can pass. , Characterized by (20)-
(27) The reflection-type light-emitting device according to any of (27). (29) A lead used in a reflection type light emitting device, wherein the lead has a light shielding wall surrounding the light emitting element at a portion where the light emitting element is mounted. (30) The light-shielding wall is provided with a light-emitting device made of a group III nitride compound semiconductor and a wavelength conversion material for converting a wavelength of light emitted from the light-emitting device. ).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１は検討例の反射型発光装置の構成を示す断
面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a reflection type light emitting device of a study example.

【図２】図２は実施例の反射型発光装置の構成を示す断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a reflective light emitting device according to an embodiment.

【図３】図３は同じく平面図である。FIG. 3 is a plan view of the same.

【図４】図４は他の実施例の凹部の構成を示し、（Ａ）
は平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ指示線断面図である。FIG. 4 shows a configuration of a concave portion according to another embodiment, and FIG.
Is a plan view, and (B) is a sectional view taken along the line BB.

【図５】図５は他の実施例の凹部の構成を示し、（Ａ）
は平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ指示線断面図である。FIG. 5 shows a configuration of a concave portion according to another embodiment, and FIG.
Is a plan view, and (B) is a sectional view taken along the line BB.

【図６】図６は他の実施例の凹部の構成を示し、（Ａ）
は平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ指示線断面図である。FIG. 6 shows a configuration of a concave portion according to another embodiment, and (A)
Is a plan view, and (B) is a sectional view taken along the line BB.

【図７】図７は他の実施例の反射型発光装置の構成を示
す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a reflection type light emitting device of another embodiment.

【図８】図８は他の実施例の反射型発光装置の構成を示
す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a reflection type light emitting device according to another embodiment.

【図９】図９は他の実施例の反射型発光装置の構成を示
す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a reflection type light emitting device according to another embodiment.

【図１０】図１０は他の実施例の反射型発光装置の構成
を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a configuration of a reflection type light emitting device of another embodiment.

【図１１】図１１は他の実施例の反射型発光装置の構成
を示す断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing a configuration of a reflection type light emitting device of another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 発光素子 ２ ２４ 透光性材料（蛍光体分散） ３、７３ 反射鏡 ５、７、６７ リード ６、２１、６１ マウント部 ２３、３３、４３、５３、６３ 凹部 ２７、３７、４７、５７、６７ 底壁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting element 2 24 Translucent material (phosphor dispersion) 3, 73 Reflecting mirror 5, 7, 67 Lead 6, 21, 61 Mounting part 23, 33, 43, 53, 63 Recess 27, 37, 47, 57, 67 Bottom wall

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 発光素子と、該発光素子をマウントする
マウント部を有するリードと、反射鏡とを備えてなる反
射型発光装置において、 前記マウント部は前記反射鏡の中心軸上において前記反
射鏡の中心に対向して開口する凹部を有し、該凹部内に
前記発光素子と前記発光素子が発した光の波長を変換す
る蛍光体とが収納される、ことを特徴とする反射型発光
装置。1. A reflection type light emitting device comprising: a light emitting element; a lead having a mounting portion for mounting the light emitting element; and a reflecting mirror, wherein the mounting portion is provided on a central axis of the reflecting mirror. Wherein the light emitting element and a phosphor for converting the wavelength of light emitted by the light emitting element are housed in the concave part. . 【請求項２】 前記発光素子はIII族窒化物系化合物半
導体発光素子である、ことを特徴とする請求項１に記載
の反射型発光装置。2. The reflection type light emitting device according to claim 1, wherein said light emitting element is a group III nitride compound semiconductor light emitting element. 【請求項３】 前記反射鏡の端縁は前記凹部の開口部と
実質的に同一平面上に位置する、ことを特徴とする請求
項１又は２に記載の反射型発光装置。3. The reflection type light emitting device according to claim 1, wherein an edge of the reflection mirror is located substantially on the same plane as an opening of the recess. 【請求項４】 前記マウント部と前記反射鏡との間に光
透過性材料が充填されている、ことを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の反射型発光装置。4. The reflection type light emitting device according to claim 1, wherein a light transmissive material is filled between said mount portion and said reflection mirror. 【請求項５】 前記凹部の底壁の周縁は前記発光素子の
辺若しくは該発光素子をマウントした矩形基板の辺に沿
っている、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
記載の反射型発光装置。5. The light emitting device according to claim 1, wherein a peripheral edge of a bottom wall of the concave portion is along a side of the light emitting element or a side of a rectangular substrate on which the light emitting element is mounted. Reflective light emitting device. 【請求項６】 前記反射鏡は金属製である、ことを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載の反射型発光装
置。6. The reflection type light emitting device according to claim 1, wherein said reflection mirror is made of metal. 【請求項７】 前記反射鏡は複数の金属板を連結して形
成されたものである、ことを特徴とする請求項６に記載
の反射型発光装置。7. The reflection type light emitting device according to claim 6, wherein the reflection mirror is formed by connecting a plurality of metal plates. 【請求項８】 前記マウント部、前記反射鏡及び前記リ
ードの一部が気密ケースに収納され、該気密ケースにお
いて前記反射鏡に対向する部分は反射鏡からの光が透過
可能な材料で形成されている、ことを特徴とする請求項
１〜７のいずれかに記載の反射型発光装置。8. A part of the mount, the reflector and the lead is housed in an airtight case, and a portion of the airtight case facing the reflector is formed of a material through which light from the reflector can pass. The reflective light emitting device according to claim 1, wherein: 【請求項９】 反射型発光装置に用いられるリードであ
って、 発光素子をマウントする部分に反射鏡から離れる方向へ
凹んだ凹部を有する、ことを特徴とするリード。9. A lead used in a reflection type light emitting device, wherein the lead has a concave portion recessed in a direction away from the reflector at a portion where the light emitting element is mounted. 【請求項１０】 前記凹部内にIII族窒化物系化合物半
導体からなる発光素子と該発光素子から発せられた光の
波長を変換する波長変換材料が備えられている、ことを
特徴とする請求項９に記載のリード。10. A light emitting device comprising a group III nitride compound semiconductor and a wavelength conversion material for converting a wavelength of light emitted from the light emitting device are provided in the recess. 9. The lead according to item 9.
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