JP2001209190A - フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法Info
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- JP2001209190A JP2001209190A JP2000015238A JP2000015238A JP2001209190A JP 2001209190 A JP2001209190 A JP 2001209190A JP 2000015238 A JP2000015238 A JP 2000015238A JP 2000015238 A JP2000015238 A JP 2000015238A JP 2001209190 A JP2001209190 A JP 2001209190A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に
抑制する。 【解決手段】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
と、極性有機溶剤と、水と、２，３，６−トリメチルフ
ェノール又は２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール
のうち１種又はそれらの混合物とを主成分としてフォト
レジスト剥離剤組成物を構成する。
抑制する。 【解決手段】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
と、極性有機溶剤と、水と、２，３，６−トリメチルフ
ェノール又は２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール
のうち１種又はそれらの混合物とを主成分としてフォト
レジスト剥離剤組成物を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関するもの
である。更に詳しくは、薄膜トランジスタの構成金属で
あるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、
ポリシリコン（以下、ｐ−Ｓｉと記す）の溶解を抑制す
るフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関す
るものである。
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関するもの
である。更に詳しくは、薄膜トランジスタの構成金属で
あるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、
ポリシリコン（以下、ｐ−Ｓｉと記す）の溶解を抑制す
るフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上にａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ
等の金属膜をＣＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。
その上面にフォトレジストを膜付けし、それを露光、現
像等の処理でパターン形成する。パターン形成されたフ
ォトレジストをマスクとして金属膜をエッチングする。
その後、不要となったフォトレジストを剥離剤組成物を
用いて剥離・除去する。その操作を繰り返すことで素子
の形成が行われる。
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上にａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ
等の金属膜をＣＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。
その上面にフォトレジストを膜付けし、それを露光、現
像等の処理でパターン形成する。パターン形成されたフ
ォトレジストをマスクとして金属膜をエッチングする。
その後、不要となったフォトレジストを剥離剤組成物を
用いて剥離・除去する。その操作を繰り返すことで素子
の形成が行われる。
【０００３】従来、剥離剤組成物としては、有機アルカ
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液、又はこれらの水溶液が用いら
れている。また、レジスト剥離性を向上させるために、
アミンと水との混合液を剥離剤として用いることも良く
知られている。
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液、又はこれらの水溶液が用いら
れている。また、レジスト剥離性を向上させるために、
アミンと水との混合液を剥離剤として用いることも良く
知られている。
【０００４】また、特開平５−２５９０６６号公報に
は、アミンと水との混合液に防食剤を添加した剥離剤の
記載もある。具体的には、芳香環式フェノール化合物お
よび芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる
少なくとも１種の化合物と有機アミンを含有する水溶液
からなるフォトレジスト剥離液が記載されている。
は、アミンと水との混合液に防食剤を添加した剥離剤の
記載もある。具体的には、芳香環式フェノール化合物お
よび芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる
少なくとも１種の化合物と有機アミンを含有する水溶液
からなるフォトレジスト剥離液が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】例えば、現在、良く知
られているモノエタノールアミン（ＭＥＡ）と溶剤との
混合物からなる非水の剥離剤では、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ
を腐蝕しない。しかしながら、非水の剥離剤は、レジス
トの剥離・除去性が水含有の剥離剤より劣り、また熱あ
るいは酸等の薬液での処理、あるいはプラズマ状態に曝
されることにより変質したレジスト膜の剥離・除去性が
水含有の剥離剤より劣る。更に、非水の剥離剤はより高
い温度条件下で使用しなければならない。一方、モノエ
タノールアミンと水との混合液からなる剥離剤は、液晶
ディスプレー（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓ
ｐｌａｙ、ＬＣＤ）の薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆ
ｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）素子の構成金
属であるａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉを腐蝕しやすいので好まし
くない。
られているモノエタノールアミン（ＭＥＡ）と溶剤との
混合物からなる非水の剥離剤では、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ
を腐蝕しない。しかしながら、非水の剥離剤は、レジス
トの剥離・除去性が水含有の剥離剤より劣り、また熱あ
るいは酸等の薬液での処理、あるいはプラズマ状態に曝
されることにより変質したレジスト膜の剥離・除去性が
水含有の剥離剤より劣る。更に、非水の剥離剤はより高
い温度条件下で使用しなければならない。一方、モノエ
タノールアミンと水との混合液からなる剥離剤は、液晶
ディスプレー（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓ
ｐｌａｙ、ＬＣＤ）の薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆ
ｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）素子の構成金
属であるａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉを腐蝕しやすいので好まし
くない。
【０００６】また特開平５−２５９０６６号公報におい
ては、極性有機溶剤が含まれていないことによりレジス
ト除去性能が十分ではない。また、この公報の請求項４
に記載されている有機アミンとして四級アンモニウム化
合物を使用した場合、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉを腐蝕させて
しまう。
ては、極性有機溶剤が含まれていないことによりレジス
ト除去性能が十分ではない。また、この公報の請求項４
に記載されている有機アミンとして四級アンモニウム化
合物を使用した場合、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉを腐蝕させて
しまう。
【０００７】これらの点に鑑み、本発明者は種々の実験
を重ねた結果、四級アンモニウム化合物以外のアルキル
アミン又はアルカノールアミンと極性有機溶剤と水との
混合液からなる剥離剤に、防食効果のある化合物を添加
することにより、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は
大幅に抑制し、なおかつ優れた剥離・除去性を維持でき
ることを見出した。
を重ねた結果、四級アンモニウム化合物以外のアルキル
アミン又はアルカノールアミンと極性有機溶剤と水との
混合液からなる剥離剤に、防食効果のある化合物を添加
することにより、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は
大幅に抑制し、なおかつ優れた剥離・除去性を維持でき
ることを見出した。
【０００８】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、本発明の目的は、一級、二級もしくは三級のア
ルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノー
ルアミンと極性有機溶剤と水とを主成分とする剥離剤組
成物に、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ防食剤として適当な化合物
を添加することにより、薄膜トランジスタの構成金属で
あるａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制
し、なおかつ、優れた剥離・除去性を維持することがで
きるフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提
供することにある。
もので、本発明の目的は、一級、二級もしくは三級のア
ルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノー
ルアミンと極性有機溶剤と水とを主成分とする剥離剤組
成物に、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ防食剤として適当な化合物
を添加することにより、薄膜トランジスタの構成金属で
あるａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制
し、なおかつ、優れた剥離・除去性を維持することがで
きるフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、一級、
二級もしくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もし
くは三級のアルカノールアミンと、極性有機溶剤と、水
と、２，３，６−トリメチルフェノール又は２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又はそれらの
混合物とを主成分とするように構成されている。
めに、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、一級、
二級もしくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もし
くは三級のアルカノールアミンと、極性有機溶剤と、水
と、２，３，６−トリメチルフェノール又は２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又はそれらの
混合物とを主成分とするように構成されている。
【００１０】上記のフォトレジスト剥離剤組成物におい
て、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含有量が
３．０〜５０．０重量％、望ましくは５．０〜３０．０
重量％、極性有機溶剤の含有量が２０．０〜８５．０重
量％、望ましくは４０．０〜８０．０重量％、水の含有
量が５．０〜６０．０重量％、望ましくは１０．０〜４
０．０重量％、２，３，６−トリメチルフェノール又は
２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又
はそれらの混合物の含有量が０．０１〜１０．０重量
％、望ましくは０．０５〜５．０重量％である。
て、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含有量が
３．０〜５０．０重量％、望ましくは５．０〜３０．０
重量％、極性有機溶剤の含有量が２０．０〜８５．０重
量％、望ましくは４０．０〜８０．０重量％、水の含有
量が５．０〜６０．０重量％、望ましくは１０．０〜４
０．０重量％、２，３，６−トリメチルフェノール又は
２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又
はそれらの混合物の含有量が０．０１〜１０．０重量
％、望ましくは０．０５〜５．０重量％である。
【００１１】一級、二級もしくは三級のアルキルアミン
又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含
有量が下限未満の場合は、レジスト又は変質したレジス
ト膜の除去性が低下するという不都合があり、一方、上
限を超える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下する
ため、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低下
するという不都合がある。また、極性有機溶剤の含有量
が下限未満の場合は、レジスト又は変質したレジスト膜
の除去性が低下するという不都合があり、一方、上限を
超える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するた
め、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低下す
るという不都合がある。また、水の含有量が下限未満の
場合は、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低
下するという不都合があり、一方、上限を超える場合
は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、レジスト
又は変質したレジスト膜の除去性が低下するという不都
合がある。
又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含
有量が下限未満の場合は、レジスト又は変質したレジス
ト膜の除去性が低下するという不都合があり、一方、上
限を超える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下する
ため、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低下
するという不都合がある。また、極性有機溶剤の含有量
が下限未満の場合は、レジスト又は変質したレジスト膜
の除去性が低下するという不都合があり、一方、上限を
超える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するた
め、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低下す
るという不都合がある。また、水の含有量が下限未満の
場合は、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低
下するという不都合があり、一方、上限を超える場合
は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、レジスト
又は変質したレジスト膜の除去性が低下するという不都
合がある。
【００１２】２，３，６−トリメチルフェノール又は
２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又
はそれらの混合物の含有量が下限未満の場合は、ａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を抑制する効果、すなわち、ａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉの防食性が小さく、一方、上限を超える場
合は、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低下
するという不都合がある。
２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又
はそれらの混合物の含有量が下限未満の場合は、ａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を抑制する効果、すなわち、ａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉの防食性が小さく、一方、上限を超える場
合は、レジスト又は変質したレジスト膜の除去性が低下
するという不都合がある。
【００１３】フェノールがメチル基（炭素数１のアルキ
ル基）、又はｔ−ブチル基（炭素数４のアルキル基）に
より置換される場合、オルト位、パラ位のうち１つだけ
メチル基、又はｔ−ブチル基に置換されている化合物で
は、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの溶解を抑えることが出来な
い。また、フェノールに置換基がついていない場合や、
一方のオルト位のみ水酸基により置換された化合物（＝
カテコール）の場合や、一方のオルト位のみメチル基に
より置換された化合物（＝ｏ−クレゾール）の場合は、
ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの溶解を抑えることが出来ない。更
に、フェノールのメタ位にのみ、水酸基、炭素数１〜６
のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基が、置換さ
れている化合物（レゾルシノール、３、５−キシレノー
ル、フロログルシノール）については、ａ−Ｓｉ、ｐ−
Ｓｉの溶解を抑えることが出来ない。
ル基）、又はｔ−ブチル基（炭素数４のアルキル基）に
より置換される場合、オルト位、パラ位のうち１つだけ
メチル基、又はｔ−ブチル基に置換されている化合物で
は、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの溶解を抑えることが出来な
い。また、フェノールに置換基がついていない場合や、
一方のオルト位のみ水酸基により置換された化合物（＝
カテコール）の場合や、一方のオルト位のみメチル基に
より置換された化合物（＝ｏ−クレゾール）の場合は、
ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの溶解を抑えることが出来ない。更
に、フェノールのメタ位にのみ、水酸基、炭素数１〜６
のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基が、置換さ
れている化合物（レゾルシノール、３、５−キシレノー
ル、フロログルシノール）については、ａ−Ｓｉ、ｐ−
Ｓｉの溶解を抑えることが出来ない。
【００１４】これらのフォトレジスト剥離剤組成物にお
いて、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンとしては、
モノメチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミ
ン、ブチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エ
チルヘキシルオキシプロピルアミン、２−エトシキプロ
ピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロ
ピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミ
ン、３−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−２−エチ
ルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テ
トラメチルエチレンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミ
ン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチル
アミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミ
ン、メチルイミノビスプロピルアミン、３−メトシキプ
ロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリア
リルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミ
ン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミ
ン、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン（ＮＭＥＡ）、３
−アミノ−１−プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミン（ＢＨＥＣ
ＨＡ）等を用いることができる。
いて、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンとしては、
モノメチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミ
ン、ブチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エ
チルヘキシルオキシプロピルアミン、２−エトシキプロ
ピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロ
ピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミ
ン、３−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−２−エチ
ルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テ
トラメチルエチレンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミ
ン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチル
アミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミ
ン、メチルイミノビスプロピルアミン、３−メトシキプ
ロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリア
リルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミ
ン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミ
ン、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン（ＮＭＥＡ）、３
−アミノ−１−プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミン（ＢＨＥＣ
ＨＡ）等を用いることができる。
【００１５】また、極性有機溶剤としては、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピ
オネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソ
プロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−
メチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ブタノー
ル、２−メチル−２−ブタノール、メチルジグライム、
メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロ
ヘキサノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル（ブチルジグリコール、ＢＤ
Ｇ）、ピリジン、ジメチルスルホキサイド（ＤＭＳ
Ｏ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、γ−ブチロラクトン、スルホラン、１，２−エタ
ンジオール（ＥＧ）、１，２−プロパンジオール（Ｐ
Ｇ）、３−メチル−１，３−ブタンジオール（ＭＢ
Ｄ）、２−メチル−１，３−プロパンジオール（ＭＰ
Ｄ）、１，３−ブタンジオール、１，４−ブンタンジオ
ール、グリセリン等を用いることができる。
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピ
オネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソ
プロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−
メチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ブタノー
ル、２−メチル−２−ブタノール、メチルジグライム、
メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロ
ヘキサノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル（ブチルジグリコール、ＢＤ
Ｇ）、ピリジン、ジメチルスルホキサイド（ＤＭＳ
Ｏ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、γ−ブチロラクトン、スルホラン、１，２−エタ
ンジオール（ＥＧ）、１，２−プロパンジオール（Ｐ
Ｇ）、３−メチル−１，３−ブタンジオール（ＭＢ
Ｄ）、２−メチル−１，３−プロパンジオール（ＭＰ
Ｄ）、１，３−ブタンジオール、１，４−ブンタンジオ
ール、グリセリン等を用いることができる。
【００１６】上記のフォトレジスト剥離剤組成物におい
て、２，３，６−トリメチルフェノール又は２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又はそれらの
混合物を用いることが好ましい。
て、２，３，６−トリメチルフェノール又は２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又はそれらの
混合物を用いることが好ましい。
【００１７】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の使
用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線
を形成する際に生成するレジスト残渣を、上記の本発明
のフォトレジスト剥離組成物を用いて剥離・除去して配
線を形成することを特徴としている。
用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線
を形成する際に生成するレジスト残渣を、上記の本発明
のフォトレジスト剥離組成物を用いて剥離・除去して配
線を形成することを特徴としている。
【００１８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特
徴とするところをより一層明確にする。 実施例１〜６０、比較例１〜３２ ガラス基板上にプラズマＣＶＤの方法により膜厚３００
Åのａ−Ｓｉ膜を形成し、レーザーアニール処理して、
ｐ−Ｓｉを成長させ、ｐ−Ｓｉ膜を形成させた。この基
板を０．５％ＨＦ水溶液（２４℃）中に２分間浸漬し、
Ｓｉ表面の自然酸化膜を除去して基板前処理を行った。
ついで、表１〜表３に示す組成を有する剥離剤組成物中
に４０℃で１０分間浸漬した後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガ
スを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし、自然乾燥さ
せた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてＳｉ表面の状態を
観察し、Ｓｉ防食性を比較した。結果を表１〜表３に示
す。表１〜３において、◎印は「Ｓｉ腐蝕腐食無し」、
○印は「僅かにＳｉ腐蝕あり」、×印は「Ｓｉ腐蝕が確
認される」、××印は「Ｓｉ膜が消失する」を示してい
る。なお、表１〜３において、ＢＨＥＣＨＡはＮ，Ｎ−
ビス（２−ヒドロキエチル）シクロヘキシルアミンを示
し、ＭＥＡはモノエタノールアミンを示し、ＤＥＡＥは
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ジエチルアミノエ
タノール）を示し、ＮＭＥＡはＮ−メチルエタノールア
ミンを示し、ＢＤＧはジエチレングリコールモノブチル
エーテル（ブチルジグリコール）を示し、ＮＭＰはＮ−
メチル−２−ピロリドンを示し、ＤＥＧＭＥＥはジエチ
レングリコールモノエチルエーテルを示し、ＥＧは１，
２−エタンジオールを示し、ＴＭＡＨはテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを示している。
徴とするところをより一層明確にする。 実施例１〜６０、比較例１〜３２ ガラス基板上にプラズマＣＶＤの方法により膜厚３００
Åのａ−Ｓｉ膜を形成し、レーザーアニール処理して、
ｐ−Ｓｉを成長させ、ｐ−Ｓｉ膜を形成させた。この基
板を０．５％ＨＦ水溶液（２４℃）中に２分間浸漬し、
Ｓｉ表面の自然酸化膜を除去して基板前処理を行った。
ついで、表１〜表３に示す組成を有する剥離剤組成物中
に４０℃で１０分間浸漬した後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガ
スを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし、自然乾燥さ
せた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてＳｉ表面の状態を
観察し、Ｓｉ防食性を比較した。結果を表１〜表３に示
す。表１〜３において、◎印は「Ｓｉ腐蝕腐食無し」、
○印は「僅かにＳｉ腐蝕あり」、×印は「Ｓｉ腐蝕が確
認される」、××印は「Ｓｉ膜が消失する」を示してい
る。なお、表１〜３において、ＢＨＥＣＨＡはＮ，Ｎ−
ビス（２−ヒドロキエチル）シクロヘキシルアミンを示
し、ＭＥＡはモノエタノールアミンを示し、ＤＥＡＥは
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ジエチルアミノエ
タノール）を示し、ＮＭＥＡはＮ−メチルエタノールア
ミンを示し、ＢＤＧはジエチレングリコールモノブチル
エーテル（ブチルジグリコール）を示し、ＮＭＰはＮ−
メチル−２−ピロリドンを示し、ＤＥＧＭＥＥはジエチ
レングリコールモノエチルエーテルを示し、ＥＧは１，
２−エタンジオールを示し、ＴＭＡＨはテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを示している。
【００１９】一方、ガラス基板上に１μm の膜厚で膜付
けされたレジストを１００℃で２分間ベークし露光した
後、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド）水溶液で現像した。さらに、１４０
℃で２分間ベークした後、Ｃｌ2 ガスによりドライエッ
チングした。ついで、表１〜表３に示す組成を有する剥
離剤組成物中に４０℃で２分間浸漬した後、純水で洗浄
し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし、
自然乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてレジス
ト除去程度を観察し、レジスト剥離性を比較した。結果
を表１〜表３に示す。表１〜３において、◎印は「レジ
スト残渣無し」、○印は「ほぼレジスト残渣なし」、×
印は「レジスト残渣が多く観察される」を示している。
けされたレジストを１００℃で２分間ベークし露光した
後、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド）水溶液で現像した。さらに、１４０
℃で２分間ベークした後、Ｃｌ2 ガスによりドライエッ
チングした。ついで、表１〜表３に示す組成を有する剥
離剤組成物中に４０℃で２分間浸漬した後、純水で洗浄
し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし、
自然乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてレジス
ト除去程度を観察し、レジスト剥離性を比較した。結果
を表１〜表３に示す。表１〜３において、◎印は「レジ
スト残渣無し」、○印は「ほぼレジスト残渣なし」、×
印は「レジスト残渣が多く観察される」を示している。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】表１〜表３の結果から、一級、二級もしく
は三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級の
アルカノールアミンと極性有機溶剤と水とからなる剥離
剤組成物（比較例１〜９、１３〜２１）では、レジスト
剥離性は優れているが、Ｓｉの腐蝕は抑制できないこと
がわかる。また、一級、二級もしくは三級のアルキルア
ミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
を含有せず、有機溶剤と水とからなる剥離剤組成物（比
較例１０〜１２）では、Ｓｉの腐蝕は認められないが、
レジスト剥離性が悪いことがわかる。さらに、有機溶剤
を含有せず、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン
又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと水
とからなる剥離剤組成物（比較例２９、３０）では、レ
ジスト剥離性も悪く、Ｓｉも腐蝕させることがわかる。
また、四級アンモニウム化合物であるＴＭＡＨ（テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド）と極性有機溶
剤と水とからなる剥離剤組成物に、２，３，６−トリメ
チルフェノールを添加しても、Ｓｉの腐蝕を抑えること
ができないことがわかる（比較例３１、３２）。また、
比較例の２２、２３、２７に示すように、フェノールに
置換基がついていない場合、オルト位のみ水酸基により
置換された化合物（＝カテコール）の場合、一方のオル
ト位のみメチル基により置換された化合物（＝ｏ−クレ
ゾール）の場合は、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの溶解を抑える
ことが出来ない。更に比較例２４、２５、２８に示すよ
うに、フェノールのメタ位にのみ、水酸基、炭素数１〜
６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基が、置換
されている化合物（レゾルシノール、３、５−キシレノ
ール、フロログルシノール）については、ａ−Ｓｉ、ｐ
−Ｓｉの溶解を抑えることが出来ない。
は三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級の
アルカノールアミンと極性有機溶剤と水とからなる剥離
剤組成物（比較例１〜９、１３〜２１）では、レジスト
剥離性は優れているが、Ｓｉの腐蝕は抑制できないこと
がわかる。また、一級、二級もしくは三級のアルキルア
ミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
を含有せず、有機溶剤と水とからなる剥離剤組成物（比
較例１０〜１２）では、Ｓｉの腐蝕は認められないが、
レジスト剥離性が悪いことがわかる。さらに、有機溶剤
を含有せず、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン
又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと水
とからなる剥離剤組成物（比較例２９、３０）では、レ
ジスト剥離性も悪く、Ｓｉも腐蝕させることがわかる。
また、四級アンモニウム化合物であるＴＭＡＨ（テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド）と極性有機溶
剤と水とからなる剥離剤組成物に、２，３，６−トリメ
チルフェノールを添加しても、Ｓｉの腐蝕を抑えること
ができないことがわかる（比較例３１、３２）。また、
比較例の２２、２３、２７に示すように、フェノールに
置換基がついていない場合、オルト位のみ水酸基により
置換された化合物（＝カテコール）の場合、一方のオル
ト位のみメチル基により置換された化合物（＝ｏ−クレ
ゾール）の場合は、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの溶解を抑える
ことが出来ない。更に比較例２４、２５、２８に示すよ
うに、フェノールのメタ位にのみ、水酸基、炭素数１〜
６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基が、置換
されている化合物（レゾルシノール、３、５−キシレノ
ール、フロログルシノール）については、ａ−Ｓｉ、ｐ
−Ｓｉの溶解を抑えることが出来ない。
【００２４】これに対して、一級、二級もしくは三級の
アルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノ
ールアミンと極性有機溶剤と水とを主成分とする組成に
２，３，６−ドリメチルフェノール又は２，４−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又はそれらの混合
物を添加した剥離剤組成物（実施例１〜６０）では、Ｓ
ｉの腐蝕を阻止でき、しかも、優れたレジスト剥離性を
維持できることがわかる。
アルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノ
ールアミンと極性有機溶剤と水とを主成分とする組成に
２，３，６−ドリメチルフェノール又は２，４−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種又はそれらの混合
物を添加した剥離剤組成物（実施例１〜６０）では、Ｓ
ｉの腐蝕を阻止でき、しかも、優れたレジスト剥離性を
維持できることがわかる。
【００２５】つぎに、本発明のフォトレジスト剥離剤組
成物の使用方法の一例について説明する。半導体基板上
又は液晶ガラス基板上にａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉの薄膜を
ＣＶＤやスパッタ等により形成させる。その上面にフォ
トレジストを膜付けした後、露光、現像等の処理でパタ
ーン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマ
スクとしてａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉの薄膜をエッチングす
る。その後、不要となったフォトレジストを本発明の剥
離剤組成物を用いて剥離・除去して配線等が形成された
半導体素子が製造される。
成物の使用方法の一例について説明する。半導体基板上
又は液晶ガラス基板上にａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉの薄膜を
ＣＶＤやスパッタ等により形成させる。その上面にフォ
トレジストを膜付けした後、露光、現像等の処理でパタ
ーン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマ
スクとしてａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉの薄膜をエッチングす
る。その後、不要となったフォトレジストを本発明の剥
離剤組成物を用いて剥離・除去して配線等が形成された
半導体素子が製造される。
【００２６】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は
一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと極性有
機溶剤と水とを主成分とする剥離剤組成物に、ａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉ防食剤として適当な化合物を添加すること
により、薄膜トランジスタの構成金属であるａ−Ｓｉ、
ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制することができ、
なおかつ、優れた剥離・除去性を維持することができ
る。
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は
一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと極性有
機溶剤と水とを主成分とする剥離剤組成物に、ａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉ防食剤として適当な化合物を添加すること
により、薄膜トランジスタの構成金属であるａ−Ｓｉ、
ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制することができ、
なおかつ、優れた剥離・除去性を維持することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小谷 武 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ電子 化学株式会社兵庫工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA25 AA27 LA02 LA03 5F046 MA02
Claims (3)
- 【請求項１】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
と、極性有機溶剤と、水と、２，３，６−トリメチルフ
ェノール又は２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール
のうち１種又はそれらの混合物とを主成分とすることを
特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの
含有量が３．０〜５０．０重量％、極性有機溶剤の含有
量が２０．０〜８５．０重量％、水の含有量が５．０〜
６０．０重量％、２，３，６−トリメチルフェノール又
は２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのうち１種
又はそれらの混合物の含有量が０．０１〜１０．０重量
％である請求項１記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項３】 半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に
配線を形成する際に生成するレジスト残渣を、請求項１
又は２記載のフォトレジスト剥離剤組成物を用いて剥離
・除去して配線を形成することを特徴とするフォトレジ
スト剥離剤組成物の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015238A JP2001209190A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015238A JP2001209190A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001209190A true JP2001209190A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18542569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000015238A Pending JP2001209190A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001209190A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000015238A patent/JP2001209190A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP4608664B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-01-12 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2014063186A (ja) * | 2010-12-02 | 2014-04-10 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| TWI465564B (zh) * | 2010-12-02 | 2014-12-21 | Ltc Co Ltd | 用於液晶顯示器製造過程中之含初級醇胺的光阻剝除組成 |
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