JP2001203314A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電力素子が搭載されたパワー部からのノイズ
及び発熱が、電力素子を制御する制御用素子が搭載され
た制御部に影響を与えることがなく、一枚の基板として
取り扱える低価格の半導体装置を提供する。 【解決手段】 電力素子４は金属基板１に、制御用素子
５は樹脂絶縁基板２に、それぞれ搭載される。基板１，
２は、それぞれ基板接続のための金属薄膜１ｅ，２ｃを
一つ以上有する。基板１と基板２は隣接し、金属薄膜１
ｅと金属薄膜２ｃとが金属板６で接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体素子
（パワー半導体素子、以下、「電力素子」と称する）お
よび制御用集積回路素子（以下、「制御用素子」と称す
る）等を搭載して、大電力を扱う半導体装置に関する。
特にそのような半導体装置の基板構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】電力素子と制御用素子等とを搭載し、大
電力を扱う半導体装置の代表例としてインテリジェント
パワーモジュール（以下「ＩＰＭ」と称す）と呼ばれる
ものが知られている。一般的にＩＰＭに使われる基板は
アルミニウムからなる金属板上に絶縁性樹脂からなる絶
縁層を被膜形成し、その上に金属薄膜の配線パターンを
形成した、アルミベース金属基板である。

【０００３】ＩＰＭの概略構成を図９に示す。図示した
ように、アルミベース金属基板１は、放熱用の金属支持
板としてのアルミニウム板１ａと、アルミニウム板１ａ
上に設けられた樹脂から成る絶縁層１ｂと、絶縁層１ｂ
上の所望する箇所に銅箔等を所定パターンに形成した導
電性薄膜回路パターン１ｄとからなる。電力素子４を載
置した銅ブロック３と、電力素子４を制御する制御用素
子５を載置した樹脂基板２とがアルミベース金属基板１
上に載置される。電力素子４が載置された部分（パワー
部）と制御用素子５が載置された部分（制御部）とはア
ルミニウムなどの金属細線８で電気的に接続される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電力素
子４を搭載するパワー部と制御用素子５を搭載する制御
部とが１枚のアルミベース金属基板１上に形成されてい
るため、電力素子４が作動する際、アルミベース金属基
板１を介して制御部がノイズの影響を受けやすく、また
電力素子４からの発熱がアルミベース金属基板１全体に
広がるため、制御部が加熱されるという問題があった。

【０００５】また電力素子４の搭載部分は放熱のためア
ルミニウム基板を使用する必要がある。これに対して制
御部の搭載部分は基板構造上放熱性があまり要求されな
いが、電力素子４の搭載部分と共通する１枚の基板上に
形成されている。この結果、アルミベース金属基板１の
面積が増えて基板価格が高くなるという問題もあった。

【０００６】上記の問題を解決する手法として、パワー
部と制御部とを分離し、放熱性を考慮する必要のあるパ
ワー部のみに価格の高いアルミベース金属基板を使用
し、放熱性の必要性が薄い制御部を樹脂絶縁基板で構成
する方法が考えられる。この構成によれば、電力素子の
動作時のノイズが樹脂絶縁基板に搭載されている制御部
へ影響することも少なく、かつ制御部がパワー部からの
発熱で加熱されることも少ない。さらに価格的に高いア
ルミベース金属基板の面積を小さくできるため、基板の
コストダウンに対しても有効である。しかしながら、個
々の基板単独では半導体装置として機能しないため、何
らかの方法で双方の基板を一体化して電気的に接続する
構造が必要である。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、パワー部から
のノイズ及び発熱が制御部に影響を与えることがなく、
簡単な方法でパワー部のアルミベース金属基板と制御部
の樹脂絶縁基板とをあたかも一枚の基板として扱えるよ
うに接続した、低価格の半導体装置を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために以下の構成とする。

【０００９】本発明の半導体装置は、電力素子と、前記
電力素子を制御する制御用素子と、前記電力素子を搭載
する金属基板と、前記制御用素子を搭載する樹脂絶縁基
板とを有し、前記金属基板および前記樹脂絶縁基板は、
それぞれ基板接続のための金属薄膜を一つ以上有し、前
記金属基板と前記樹脂絶縁基板とが隣接し、前記金属基
板の前記金属薄膜と前記樹脂絶縁基板の前記金属薄膜と
が金属板で接続されてなることを特徴とする。

【００１０】かかる構成によれば、電力素子を搭載する
金属基板と制御用素子を搭載する樹脂絶縁基板とを分離
することで、電力素子の動作時に発生するノイズの制御
用素子への影響、及び電力素子からの発熱による制御用
素子への熱的影響の問題が解消できる。さらに一般的に
電力素子の搭載基板にはアルミベース金属基板が使われ
るが、価格的に高価なアルミベース金属基板の面積を小
さくできるため、コストダウンについても有効な手段と
なる。双方の基板が金属板（厚みの薄い、いわゆる金属
薄膜を含む）で接続されるので、１枚の基板として取り
扱うことができる。

【００１１】上記の構成において、前記金属基板と前記
樹脂絶縁基板とは、隣接部において嵌合していることが
好ましい。かかる構成によれば、接続部の強度を向上さ
せることができる。

【００１２】また、上記の構成において、前記金属基板
と前記樹脂絶縁基板とは、一方の少なくとも２辺が他方
と隣接していてもよい。かかる構成によれば、素子の配
置や回路パターンに関して設計自由度が向上する。

【００１３】また、上記の構成において、前記金属基板
上に形成された素子搭載用回路パターンが前記金属薄膜
と電気的に接続され、前記樹脂絶縁基板上に形成された
素子搭載用回路パターンが前記金属薄膜と電気的に接続
され、両基板の前記金属薄膜が前記金属板と電気的に接
続されていることが好ましい。かかる構成によれば、電
力素子を搭載する金属基板の素子搭載用回路パターンと
同一面内の基板接続用金属薄膜とが金属薄膜または金属
細線などで電気的に接続されており、かつ制御用素子を
搭載する樹脂絶縁基板の素子搭載用回路パターンと同一
面内の基板接続用金属薄膜とが金属薄膜または金属細線
などで電気的に接続されているため、双方の基板の基板
接続用金属薄膜を金属板で電気的に接続することによ
り、双方の基板を固定するとともに金属基板（パワー
部）と樹脂絶縁基板（制御部）とを電気的に接続するこ
とができる。

【００１４】また、上記の構成において、前記金属板
は、前記金属薄膜との接続部を除いて絶縁性樹脂中に埋
め込まれていることが好ましい。かかる構成によれば、
双方の基板を樹脂成型体に埋め込まれた金属板で接続す
ることで、あたかも１枚の基板として扱える形態にで
き、絶縁性樹脂に金属板が埋め込まれた成型体で接続す
るため金属板だけで接続した場合より基板の接続強度が
向上する。さらに双方の基板の基板接続用金属薄膜間を
樹脂成型体の表面に露出した金属板を介してハンダ等の
金属で接続すれば、双方の基板を電気的に接続できる。
さらに、接続に必要な箇所以外が樹脂で被覆されている
ので双方の基板の必要箇所を電気的に接続しつつ、必要
箇所以外においては双方の基板間の絶縁性を確保するこ
とができる。

【００１５】また、上記の構成において、前記金属基板
および前記樹脂絶縁基板は、それぞれ前記金属薄膜を複
数個有し、前記金属基板の複数の前記金属薄膜と、前記
樹脂絶縁基板の複数の前記金属薄膜とが複数の金属板で
電気的に接続され、前記複数の金属板は、前記金属薄膜
との接続部を除いて絶縁性樹脂中に相互に絶縁して埋め
込まれていることが好ましい。かかる構成によれば、双
方の基板を樹脂成型体に埋め込まれた金属板で接統する
ことで、あたかも１枚の基板として扱える形態にでき、
絶縁性樹脂に金属板が埋め込まれた成型体で接続するた
め金属板だけで接続した場合より基板の接続強度が向上
する。さらに双方の基板の基板接続用金属薄膜間を、樹
脂成型体の表面に露出した複数の金属板を介して電気的
に接続しているため、双方の基板の任意の箇所を選択的
に電気接続することができる。樹脂成型体には複数個の
金属板が相互に絶縁された状態で埋め込まれ、１個の金
属板は少なくとも２箇所以上が樹脂表面に露出して金属
薄膜との接続部を形成する。そのため、双方の基板の基
板接続用金属薄膜間を金属板で個々に接続することで、
金属基板と樹脂絶縁基板の任意の基板接続用金属薄膜間
を選択的に電気的接続することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の第１の
実施の形態を図１により説明する。図１は実施の形態１
の半導体装置の構成を示す概略図で、図１（ａ）は斜視
図、図１（ｂ）は側面図である。

【００１７】実施の形態１の半導体装置は、電力素子
（パワー半導体素子）４を搭載するアルミベース金属基
板１（以下「アルミ基板」と呼称）と制御用素子（制御
用集積回路素子）５を搭載するガラスクロスエポキシ基
板２（以下「ガラエポ基板」と呼称）を金属板６で接続
して一体化して構成される。

【００１８】アルミ基板１は６６×１９ｍｍの大きさを
有し、２ｍｍの板厚のアルミニウム板１ａと、１００μ
ｍ厚のエポキシ樹脂からなる絶縁層１ｂと、１０５μｍ
厚の銅の薄膜とが順に積層されてなる。銅薄膜は、所定
パターンに形成されて、回路パターン１ｄと基板接用パ
ターン（大きさ：５０×１ｍｍ）１ｅとを構成してい
る。ｌＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）や
ＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート電界効果型トランジスタ）等
の電力素子４は銅ブロック３に搭載され、これらは回路
パターン１ｄ上に搭載されている。また、電力素子４は
回路パターン１ｄと金属細線８を用いて接続されていて
もよい。

【００１９】一方、制御用素子５を搭載するガラエポ基
板２は６６×２１ｍｍの大きさを有し、２ｍｍの板厚の
ガラエポ基材上に３５μｍ厚の銅箔が積層されてなる。
銅箔は、所定パターンに形成されて、回路パターン２ｂ
と基板接続用パターン（大きさ：５０×１ｍｍ）２ｃと
を構成している。電力素子４を制御するｌＣやチップ抵
抗、チップコンデンサ等の制御用素子５は回路パターン
２ｂ上に搭載されている。

【００２０】電力素子４が搭載されたアルミ基板１と制
御用素子５が搭載されたガラエポ基板２とは構造的に一
体化される。具体的には、図１に示したように、アルミ
基板１及びガラエポ基板２の突き合わせる辺をそれぞれ
階段状に形成して、両者が厚み方向で重ね合わさるよう
に嵌合させて接合する。そして、その状態で、金属板６
と、アルミ基板１の基板接続用パターン１ｅおよびガラ
エポ基板２の基板接続用パターン２ｃとを、それぞれハ
ンダ等の金属で接続し、双方の基板を固定、一体化す
る。

【００２１】金属板６は、５０（幅）×１０ｍｍ（奥行
き）、板厚１ｍｍの銅板を中央部が高くなるようコの字
に折り曲げ加工したもので、双方の基板１、２とハンダ
付け接続する両端部６ａは１ｍｍ幅だけ直角に外方向に
折り返されている。

【００２２】金属板６と基板１，２双方との接続方法
は、ハンダ等の金属に限らず、エポキシ樹脂等の接着剤
でも同様の効果が得られる。

【００２３】また、基板１，２の接合方法は、図１のよ
うに両基板の端部を階段状に形成して両基板を重ね合わ
せるように嵌合させて接合する方法の他に、両基板の接
合面に厚み方向に凹凸部をそれぞれ形成して嵌め合わせ
る方法など、特に限定されない。また、図１のように両
基板を１辺で接合する方法の他に、２辺以上で接合する
方法であってもよい。図２にこのような接合方法の１例
を示す。図２の半導体装置では、アルミ基板１の３辺を
コの字状のガラエポ基板２が囲むようにして、両基板が
接合されている。図２において、図１と同一の機能を有
する部材には同一の符号を付してあり、詳細な説明を省
略する。

【００２４】また、図１，２に示した金属板６は一枚の
板形状を有するが、基板１，２間を複数の金属板６で接
続した場合においても基板固定に関して同等の効果が得
られる。金属板６の形状に関しても、平板状のもの、中
央部が円弧状（円筒面状）になったもの、段差がつけら
れたもの等の種々の形状において同等の効果が得られ
る。図３に平板状の金属板６で接続した半導体装置を、
図４に中央部が円弧状（円筒面状）にふくらんだ金属板
６で接続した半導体装置をそれぞれ示す。図３、４にお
いて、図１と同一の機能を有する部材には同一の符号を
付してあり、詳細な説明を省略する。

【００２５】図５は本実施の形態の別の変形例であり、
制御用素子５が搭載されたガラエポ基板２の対向する２
辺に、それぞれ電力素子４が搭載されたアルミ基板１が
接合されている。基板１，２の双方の接合部は図１と同
様に階段状に形成されて厚み方向に重ね合わさるように
嵌合させて接続され、基板接続用パターン１ｅ，２ｃ間
が金属板６でハンダ接続されて、基板１，２，１が固
定、一体化される。図５では複数枚のアルミ基板１と１
枚のガラエポ基板２とを接続した例を示したが、１枚の
アルミ基板１と複数枚のガラエポ基板２とを接続した
り、複数枚のアルミ基板１と複数枚のガラエポ基板２と
を接続したりすることもできる。

【００２６】以上のように、本実施の形態１によれば、
電力素子４を１枚又は２枚以上のアルミ基板１に搭載
し、電力素子４を制御する制御用素子５をガラエポ基板
２に搭載する。双方の基板１，２は、基板接続用パター
ン１ｅ，２ｃを有しているから、金属板６により容易に
固定、一体化することができる。半導体装置の基板を、
電力素子４が載るアルミ基板１と制御用素子５が載るガ
ラエポ基板２とに分離したことで、電力素子４の動作時
に制御用素子５が受けるノイズと熱の影響を最小限にす
ることができる。また価格面で高価なアルミ基板を電力
素子４が載る基板１にのみ使用することで、アルミ基板
面積が減少し、コストダウン化においても大変有効な手
段となりうる。さらに、図５のように電力素子４が載る
アルミ基板１を２枚に分けることにより、制御用素子５
の載るガラエポ基板２との接続レイアウトの自由度が増
し、半導体装置の基板設計の自由度が増す。更に、金属
板６で双方の基板１，２を容易に固定、一体化できるの
で、基板としての取り扱いが容易である。

【００２７】（実施の形態２）本発明の第２の実施の形
態を図６により説明する。電力素子４が載置されたアル
ミ基板１は、電力素子４を搭載する回路パターン１ｄと
基板接続用パターン１ｅとを持ち、双方のパターンはア
ルミ基板１上の銅箔パターン（回路接続用銅箔パター
ン）１ｆにより電気的に接続されている。また、制御用
素子５が載置されたガラエポ基板２は、制御用素子５を
搭載する回路パターン２ｂと基板接続用パターン２ｃと
を持ち、双方のパターンはガラエポ基板２上の銅箔パタ
ーン（回路接続用銅箔パターン）２ｄにより電気的に接
続されている。

【００２８】アルミ基板１上にはＩＧＢＴおよびＭＯＳ
ＦＥＴ等の電力素子４が搭載され、ガラエポ基板１上に
は電力素子４を制御するＩＣおよびチップ抵抗等の制御
用素子５が搭載される。アルミ基板１とガラエポ基板２
の隣接する辺を接触または嵌合させた状態で、金属板６
をアルミ基板１の基板接続用パターン１ｅおよびガラエ
ポ基板２の基板接続用パターン２ｃにハンダ等の金属で
接続し、双方の基板を固定、一体化する。基板１、２の
大きさ、金属板６の形状等は第１の実施の形態と同じで
ある。図６において、上記以外の実施の形態１と同一の
機能を有する部材には同一の符号を付して、詳細な説明
を省略する。

【００２９】本実施の形態２によれば、アルミ基板１面
内の回路パターン１ｄと基板接続用パターン１ｅが銅箔
パターン１ｆにより電気的に接続され、かつガラエポ基
板２面内の回路パターン２ｂと基板接続用パターン２ｃ
が銅箔パターン２ｄにより電気的に接続されているた
め、双方の基板の基板接続用パターン１ｅ，２ｃを金属
板６で電気的に接続することにより、基板を固定、一体
化する際にアルミ基板１とガラエポ基板２を電気的に接
続することができ、第１の実施の形態と比べて基板をさ
らに小型化することができる。回路パターンと基板接続
用パターンとの接続を銅箔パターン１ｆ，２ｄに代えて
アルミ細線等の金属線８で行なった場合でも同様の効果
が得られる。その他の効果は第１の実施の形態と同一で
ある。

【００３０】（実施の形態３）本発明の第３の実施の形
態を図７により説明する。電力素子４が載置されたアル
ミ基板１は、電力素子４を搭載する回路パターン１ｄと
基板接続用パターン１ｅとを持ち、双方のパターンは同
アルミ基板上の銅箔パターン１ｆにより電気的に接続さ
れている。また、制御用素子５が載置されたガラエポ基
板２は、制御用素子５を搭載する回路パターン２ｂと基
板接続用パターン２ｃとを持ち、双方のパターンは銅箔
パターン２ｄにより電気的に接続されている。

【００３１】アルミ基板１上にはＩＧＢＴおよびＭＯＳ
ＦＥＴ等の電力素子４が搭載され、ガラエポ基板２上に
は電力素子４を制御するＩＣおよびチップ抵抗等の制御
用素子５が搭載される。アルミ基板１とガラエポ基板２
の隣接する辺を接触または嵌合させた状態で、双方の基
板接続用パターン１ｅ、２ｃを金属板６を介してハンダ
等の金属で接続する。

【００３２】このとき金属板６は基板接続用パターン１
ｅ、２ｃとの接続部６ａを除いて絶縁性の樹脂成型体７
内に埋め込まれている。樹脂成型体７の大きさは、幅６
６ｍｍ、高さ５ｍｍ、奥行き６ｍｍである。樹脂成型体
７はＰＰＳ樹脂（ポリフェニレンサルファイド）又はＰ
ＢＴ樹脂（ポリブチレンテレフタレート）等の熱可塑性
樹脂で形成されており、板厚１ｍｍの銅板６が、成型体
表面に露出する２箇所の接続部６ａを除き、樹脂中に埋
め込まれている。金属板６が露出する部分の数、形状は
アルミ基板１の基板接続用パターン１ｅおよびガラエポ
基板２の基板接続用パターン２ｃの配置形状に合わせて
設計でき、双方の基板１，２の電気的接続の必要本数に
合わせて、一つの樹脂成型体７に複数の金属板６が相互
に導通して又は絶縁して内蔵されていてもよい。第３の
実施の形態では樹脂成型体７の底面に２（幅）×１（奥
行き）ｍｍの大きさの銅板が樹脂成型体７の底面より
０．５ｍｍ飛び出した形状で埋め込まれている。この樹
脂成型体７の金属板露出部６ａをアルミ基板１の基板接
続用パターン１ｅおよびガラエポ基板２の基板接続用パ
ターン２ｃにハンダ等の金属で接続し、双方の基板を固
定、一体化する。基板１，２の大きさは第１の実施の形
態と同じである。図７において、上記以外の実施の形態
１と同一の機能を有する部材には同一の符号を付して、
詳細な説明を省略する。

【００３３】本実施の形態３によれば、絶縁性樹脂に金
属板６を埋め込んだ成型体構造のため、接続構造体が強
固になり、双方の基板１，２を金属板だけで接続した場
合よりも基板の接続強度が向上する。さらに双方の基板
１，２の接続用パターン１ｅ、２ｃ間を樹脂成型体の表
面に露出した金属板を介してハンダ等の金属で接続する
ため、基板接続の際にアルミ基板１とガラエポ基板２を
電気的に接続することができる。また、接続に必要な箇
所以外を樹脂で被覆した成型体７を使用するため、双方
の基板の必要箇所を電気的に接続しつつ、接続の不要箇
所もしくは絶縁したい部分を選択的に形成することがで
きる。その他の効果は第１の実施の形態と同一である。

【００３４】（実施の形態４）本発明の第４の実施の形
態を図８により説明する。アルミ基板１の基板接続用パ
ターン１ｅ、及びガラエポ基板２の基板接続用パターン
２ｃは、双方の基板の回路接続に必要な箇所にそれぞれ
複数個設けられている。アルミ基板１とガラエポ基板２
の各基板接続パターン１ｅ，２ｃは、樹脂成型体７に埋
め込まれ、双方のパターン位置に合致させた形状の複数
個の金属板６で接続されて、両基板は接続、一体化され
ている。樹脂成型体７はＰＢＴ、ＰＰＳ等の熱可塑性樹
脂に銅等の金属板６を複数個埋め込んで構成されてお
り、樹脂表面から個々の金属板６の端部６ａが１個の金
属板あたり２箇所以上露出している。樹脂表面に露出し
た金属板６の端部６ａは、アルミ基板１の複数の基板接
続用パターン１ｅおよびガラエポ基板２の複数の基板接
続用パターン２ｃの位置に合致するように成形されてい
る。双方の基板接続に必要な数の金属板６が、相互に電
気的に絶縁された状態で樹脂成型体７中に埋め込まれて
いる。第４の実施の形態では樹脂成型体７に３個の銅板
６が埋め込めれており、成型体底面に２（幅）×１（奥
行き）ｍｍの大きさの銅板端部６ａが６箇所、底面より
０．５ｍｍ突き出した形状をしている。アルミ基板１と
ガラエポ基板２の隣接する辺を接触または嵌合させた状
態で、樹脂成型体７の金属板露出部６ａをアルミ基板１
の基板接続用パターン１ｅ及びガラエポ基板の基板接続
用パターン２ｃにハンダ等の金属で接続し、双方の基板
１，２を固定、一体化する。基板１、２の大きさは第１
の実施の形態と同じである。図８において、上記以外の
実施の形態１と同一の機能を有する部材には同一の符号
を付して、詳細な説明を省略する。

【００３５】本実施の形態４によれば、絶縁性樹脂に金
属板６を埋め込んだ成型体構造のため、接続構造体が強
固になり、双方の基板１，２を金属板だけで接続した場
合よりも基板の接続強度が向上する。さらに双方の基板
１，２の接続用パターン１ｅ、２ｃ間を樹脂成型体の表
面に露出した金属板を介してハンダ等の金属で接続する
ため、双方の基板の任意の箇所を選択的に接続すること
ができる。樹脂成型体７には複数個の金属板６が相互に
絶縁された状態で埋め込まれ、１個の金属板６あたり少
なくとも２箇所以上の端部が樹脂表面に露出する構造を
有する。そのため、樹脂成型体７で双方の基板の基板接
続用パターン１ｅ、２ｃ間を接続することで、選択的に
電力素子搭載基板と制御用素子搭載基板の任意の接続用
パターン１ｅ、２ｃ間を電気的に接続することができ
る。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電力素
子を搭載する金属基板と制御用素子を搭載する樹脂絶縁
基板とを分離することで、電力素子の動作時に発生する
ノイズの制御用素子への影響、及び電力素子からの発熱
による制御用素子への熱的影響の問題が解消できる。さ
らに一般的に電力素子の搭載基板にはアルミベース金属
基板が使われるが、価格的に高価なアルミベース金属基
板の面積を小さくできるため、コストダウンについても
有効な手段となる。双方の基板が金属板で接続されるの
で、１枚の基板として取り扱うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態の半導体装置を示
し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。

【図２】 本発明の第１の実施の形態の半導体装置の別
の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図であ
る。

【図３】 本発明の第１の実施の形態の半導体装置の更
に別の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図
である。

【図４】 本発明の第１の実施の形態の半導体装置の更
に別の構成例の斜視図である。

【図５】 本発明の第１の実施の形態の半導体装置の更
に別の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図
である。

【図６】 本発明の第２の実施の形態の半導体装置を示
し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。

【図７】 本発明の第３の実施の形態の半導体装置を示
し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。

【図８】 本発明の第４の実施の形態の半導体装置を示
し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。

【図９】 従来の半導体装置の側面図である。

【符号の説明】

１ アルミベース金属基板（アルミ基板） １ａ アルミニウム板 １ｂ 絶縁層 １ｄ 回路パターン １ｅ 基板接続用パターン（基板接続のための金属薄
膜） １ｆ 回路接続用銅箔パターン ２ ガラスクロスエポキシ基板（ガラエポ基板） ２ｂ 回路パターン ２ｃ 基板接続用パターン（基板接続のための金属薄
膜） ２ｄ 回路接続用銅箔パターン ３ 銅ブロック ４ 電力素子（パワー半導体素子） ５ 制御用素子（制御用集積回路素子） ６ 金属板 ６ａ 金属板両端部 ７ 樹脂成型体 ８ 金属細線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電力素子と、前記電力素子を制御する制
   御用素子と、前記電力素子を搭載する金属基板と、前記
   制御用素子を搭載する樹脂絶縁基板とを有し、 前記金属基板および前記樹脂絶縁基板は、それぞれ基板
   接続のための金属薄膜を一つ以上有し、 前記金属基板と前記樹脂絶縁基板とが隣接し、前記金属
   基板の前記金属薄膜と前記樹脂絶縁基板の前記金属薄膜
   とが金属板で接続されてなることを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 前記金属基板と前記樹脂絶縁基板とは、
   隣接部において嵌合している請求項１に記載の半導体装
   置。
3. 【請求項３】 前記金属基板と前記樹脂絶縁基板とは、
   一方の少なくとも２辺が他方と隣接している請求項１に
   記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記金属基板上に形成された素子搭載用
   回路パターンが前記金属薄膜と電気的に接続され、 前記樹脂絶縁基板上に形成された素子搭載用回路パター
   ンが前記金属薄膜と電気的に接続され、 両基板の前記金属薄膜が前記金属板と電気的に接続され
   ている請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記金属板は、前記金属薄膜との接続部
   を除いて絶縁性樹脂中に埋め込まれている請求項１〜４
   のいずれかに記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記金属基板および前記樹脂絶縁基板
   は、それぞれ前記金属薄膜を複数個有し、 前記金属基板の複数の前記金属薄膜と、前記樹脂絶縁基
   板の複数の前記金属薄膜とが複数の金属板で電気的に接
   続され、 前記複数の金属板は、前記金属薄膜との接続部を除いて
   絶縁性樹脂中に相互に絶縁して埋め込まれている請求項
   １〜５のいずれかに記載の半導体装置。