JP2001201466A - Ｒｈｅｅｄ−ａｅｓ装置 - Google Patents
Ｒｈｅｅｄ−ａｅｓ装置Info
- Publication number
- JP2001201466A JP2001201466A JP2000050310A JP2000050310A JP2001201466A JP 2001201466 A JP2001201466 A JP 2001201466A JP 2000050310 A JP2000050310 A JP 2000050310A JP 2000050310 A JP2000050310 A JP 2000050310A JP 2001201466 A JP2001201466 A JP 2001201466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- rheed
- aes
- sample
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＲＨＥＥＤ測定とＡＥＳ（オージェ電子分光）
測定の両方を同時に行なう技術を提供する。 【構成】電子源と静電電子レンズ、静電偏向板で構成さ
れる電子銃から電子ビームを出射して試料を経由して蛍
光スクリーンに到達させるＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置にお
いて、前記試料から放出される二次電子を捕集して電子
分光する検出器を備えていることを特徴とするＲＨＥＥ
Ｄ−ＡＥＳ装置。
測定の両方を同時に行なう技術を提供する。 【構成】電子源と静電電子レンズ、静電偏向板で構成さ
れる電子銃から電子ビームを出射して試料を経由して蛍
光スクリーンに到達させるＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置にお
いて、前記試料から放出される二次電子を捕集して電子
分光する検出器を備えていることを特徴とするＲＨＥＥ
Ｄ−ＡＥＳ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＲＨＥＥＤ（Ｒｅｆｌｅ
ｃｔｉｏｏｎ Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定機能とＡＥＳ（Ａ
ｕｇｅｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）
分光測定機能を備えたＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置に関す
る。
ｃｔｉｏｏｎ Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定機能とＡＥＳ（Ａ
ｕｇｅｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）
分光測定機能を備えたＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＲＨＥＥＤ装置は真空中に保持されてい
る結晶試料に電子ビームを浅い角度で入射させて反射回
折電子を蛍光板に当てて観察する装置である。ＲＨＥＥ
Ｄ電子銃と蛍光スクリーンおよび試料ホルダーで構成さ
れている。蛍光スクリーンに展開する発光パターンは結
晶の状態に関する情報、例えば単結晶、多結晶、アモル
ファスを含んでいる。特に表面の結晶の並び方に敏感で
あるために表面の結晶配列といった物理的情報に関して
貴重な測定手段である。一方、ＡＥＳ装置は試料に電子
ビームを照射した際に試料から放出される二次電子を捕
集して電子分光する装置である。試料は電子ビームが照
射されることによっていろいろな過程で二次電子を放出
する。その１つとしてオージェ過程という物理的過程を
経た電子放出がなされる。このオージェ過程によるオー
ジェ電子は、物質の化学的情報、例えば、物質の元素に
関する情報や元素同士の結合状態に関する情報を含んで
いる。ＡＥＳ装置は物質の化学的状態を調べることに関
して貴重な測定手段である。
る結晶試料に電子ビームを浅い角度で入射させて反射回
折電子を蛍光板に当てて観察する装置である。ＲＨＥＥ
Ｄ電子銃と蛍光スクリーンおよび試料ホルダーで構成さ
れている。蛍光スクリーンに展開する発光パターンは結
晶の状態に関する情報、例えば単結晶、多結晶、アモル
ファスを含んでいる。特に表面の結晶の並び方に敏感で
あるために表面の結晶配列といった物理的情報に関して
貴重な測定手段である。一方、ＡＥＳ装置は試料に電子
ビームを照射した際に試料から放出される二次電子を捕
集して電子分光する装置である。試料は電子ビームが照
射されることによっていろいろな過程で二次電子を放出
する。その１つとしてオージェ過程という物理的過程を
経た電子放出がなされる。このオージェ過程によるオー
ジェ電子は、物質の化学的情報、例えば、物質の元素に
関する情報や元素同士の結合状態に関する情報を含んで
いる。ＡＥＳ装置は物質の化学的状態を調べることに関
して貴重な測定手段である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＲＨＥＥＤ装置
では磁気レンズや磁気偏向版を用いることが一般的であ
ったので、この磁気が試料近傍や真空チャンバー内に漏
れて、電子ビームの軌道を歪める影響があった。このた
め、二次電子の精密な電子分光を必要とするＡＥＳ測定
をＲＨＥＥＤ装置で同時に行うことは難しかった。
では磁気レンズや磁気偏向版を用いることが一般的であ
ったので、この磁気が試料近傍や真空チャンバー内に漏
れて、電子ビームの軌道を歪める影響があった。このた
め、二次電子の精密な電子分光を必要とするＡＥＳ測定
をＲＨＥＥＤ装置で同時に行うことは難しかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のＲＨＥＥＤ−Ａ
ＥＳ装置では、第一に、電子源と静電電子レンズ、静電
偏向板で構成される電子銃から電子ビームを出射して試
料を経由して蛍光スクリーンに到達させる特徴に加え
て、前記試料から放出される二次電子を捕集して電子分
光する検出器を備えていることを、第二に、第一の特徴
に加えて前記電子銃，試料，蛍光スクリーン、検出器の
全てが磁気・静電シールドで囲まれた空間に配置されて
いることを、第三に、第一または第二の特徴に加えて前
記検出器の電子捕集入り口に静電レンズを備えているこ
とを、第四に、第一または第二または第三の特徴に加え
て前記検出器が前記電子銃とは独立に真空中で移動可能
であることを特徴とする。
ＥＳ装置では、第一に、電子源と静電電子レンズ、静電
偏向板で構成される電子銃から電子ビームを出射して試
料を経由して蛍光スクリーンに到達させる特徴に加え
て、前記試料から放出される二次電子を捕集して電子分
光する検出器を備えていることを、第二に、第一の特徴
に加えて前記電子銃，試料，蛍光スクリーン、検出器の
全てが磁気・静電シールドで囲まれた空間に配置されて
いることを、第三に、第一または第二の特徴に加えて前
記検出器の電子捕集入り口に静電レンズを備えているこ
とを、第四に、第一または第二または第三の特徴に加え
て前記検出器が前記電子銃とは独立に真空中で移動可能
であることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は、第一の特徴として、電子源と静電電
子レンズ、静電偏向板で構成される電子銃から電子ビー
ムを出射して試料を経由して蛍光スクリーンに到達させ
る特徴に加えて、前記試料から放出される二次電子を捕
集して電子分光する検出器を備えているＲＨＥＥＤ−Ａ
ＥＳ装置である場合には、静電レンズと静電偏向板であ
ることによって、磁気の影響で電子ビームの軌道が歪む
問題を軽減している。このことで、二次電子を捕集して
電子分光することが精度良く行なえる。第二の特徴とし
て、第一の特徴に加えて前記電子銃，試料，蛍光スクリ
ーン、検出器の全てが磁気・静電シールドで囲まれた空
間に配置されているＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置の場合に
は、上記測定構成物に対して外部からの磁界や電界とい
った外乱要因を磁気と静電界の両方を遮蔽する磁気・静
電シールドによって遮蔽してしまうので、ＲＨＥＥＤ装
置としての発光パターンの発光位置精度が向上する上に
ＡＥＳ分光を精度よく行なえる。第三の特徴として、第
一または第二の特徴に加えて前記検出器の電子捕集入り
口に静電レンズを備えている場合には、試料から放出さ
れた二次電子の軌道を整えて検出器に導入することがで
きる。この作用によって検出器に取り込まれる電子の走
行方向を整えることで電子分光の精度を向上させること
ができる。第四の特徴として、第一または第二または第
三の特徴に加えて前記検出器が前記電子銃とは独立に真
空中で移動可能である場合には、ＲＨＥＥＤ測定として
最適な電子照射を実現するために電子銃を設置して、さ
らにこの条件状態でＡＥＳ分光測定に最適な位置に検出
器を移動することができる。このことで、ＲＨＥＥＤ測
定とＡＥＳ分光測定の両方を最適な条件で同時に行なえ
る。
子レンズ、静電偏向板で構成される電子銃から電子ビー
ムを出射して試料を経由して蛍光スクリーンに到達させ
る特徴に加えて、前記試料から放出される二次電子を捕
集して電子分光する検出器を備えているＲＨＥＥＤ−Ａ
ＥＳ装置である場合には、静電レンズと静電偏向板であ
ることによって、磁気の影響で電子ビームの軌道が歪む
問題を軽減している。このことで、二次電子を捕集して
電子分光することが精度良く行なえる。第二の特徴とし
て、第一の特徴に加えて前記電子銃，試料，蛍光スクリ
ーン、検出器の全てが磁気・静電シールドで囲まれた空
間に配置されているＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置の場合に
は、上記測定構成物に対して外部からの磁界や電界とい
った外乱要因を磁気と静電界の両方を遮蔽する磁気・静
電シールドによって遮蔽してしまうので、ＲＨＥＥＤ装
置としての発光パターンの発光位置精度が向上する上に
ＡＥＳ分光を精度よく行なえる。第三の特徴として、第
一または第二の特徴に加えて前記検出器の電子捕集入り
口に静電レンズを備えている場合には、試料から放出さ
れた二次電子の軌道を整えて検出器に導入することがで
きる。この作用によって検出器に取り込まれる電子の走
行方向を整えることで電子分光の精度を向上させること
ができる。第四の特徴として、第一または第二または第
三の特徴に加えて前記検出器が前記電子銃とは独立に真
空中で移動可能である場合には、ＲＨＥＥＤ測定として
最適な電子照射を実現するために電子銃を設置して、さ
らにこの条件状態でＡＥＳ分光測定に最適な位置に検出
器を移動することができる。このことで、ＲＨＥＥＤ測
定とＡＥＳ分光測定の両方を最適な条件で同時に行なえ
る。
【０００６】
【実施例】本発明の第一の実施例を図１に示す。電子銃
１で出射方向を整えたプローブ電子２は測定試料３に照
射される。結晶情報を含んだ回折電子４は蛍光スクリー
ン５に到達して発光する。前記試料から放出される二次
電子６の一部はチャネルトロン型電子分光機能を備えた
電子検出器７に捕集される。以上の部品は真空容器内に
配置されている。電子検出器は試料の鉛直方向ベクトル
とプローブ電子の走行方向ベクトルで張る面上でかつ、
プローブ電子の走行方向から試料表面側に６０度回転し
た方向に、距離１００ｍｍで配置されている。真空容器
の内側には厚み５ｍｍのニッケル金属の箱型のシールド
８で上記部品が全て囲まれている。このシールドは外部
からの電界と磁界を遮蔽することができる。地磁気を
０．０１％以下に遮蔽する。
１で出射方向を整えたプローブ電子２は測定試料３に照
射される。結晶情報を含んだ回折電子４は蛍光スクリー
ン５に到達して発光する。前記試料から放出される二次
電子６の一部はチャネルトロン型電子分光機能を備えた
電子検出器７に捕集される。以上の部品は真空容器内に
配置されている。電子検出器は試料の鉛直方向ベクトル
とプローブ電子の走行方向ベクトルで張る面上でかつ、
プローブ電子の走行方向から試料表面側に６０度回転し
た方向に、距離１００ｍｍで配置されている。真空容器
の内側には厚み５ｍｍのニッケル金属の箱型のシールド
８で上記部品が全て囲まれている。このシールドは外部
からの電界と磁界を遮蔽することができる。地磁気を
０．０１％以下に遮蔽する。
【０００７】図２は電子分光機能を備えた検出器７の電
子捕集面に静電レンズ９を備えた第二の実施例である。
この静電レンズは試料から放出された電子のうち、検出
器の入射面での軸中心に軸にそった方向に入射する電子
以外を遮断する機能を備えている。この静電レンズによ
って検出器が最も精度良く電子分光できる電子だけを検
出器に取り込むことが出来る。
子捕集面に静電レンズ９を備えた第二の実施例である。
この静電レンズは試料から放出された電子のうち、検出
器の入射面での軸中心に軸にそった方向に入射する電子
以外を遮断する機能を備えている。この静電レンズによ
って検出器が最も精度良く電子分光できる電子だけを検
出器に取り込むことが出来る。
【０００８】第三の実施例を図３に描く。図２に描いた
検出器の位置を変えることができる例である。試料と検
出器（静電レンズの入射口）との距離が１００ｍｍの状
態から０．１ｍｍの近接状態までを真空マニュピュレー
タ１０で移動できる。前記入射口と試料との対向角度も
変更できる回転およびチルト機構を備えている上に、試
料面の対向位置を変更できるＸＹ移動機構も備えてい
る。
検出器の位置を変えることができる例である。試料と検
出器（静電レンズの入射口）との距離が１００ｍｍの状
態から０．１ｍｍの近接状態までを真空マニュピュレー
タ１０で移動できる。前記入射口と試料との対向角度も
変更できる回転およびチルト機構を備えている上に、試
料面の対向位置を変更できるＸＹ移動機構も備えてい
る。
【０００９】
【発明の効果】本発明のＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置を用い
ると原子配列情報と化学結合情報の２つの重要な情報を
同時に得ることが出来る。１回の測定で複数の検出を行
うことで電子線照射による試料ダメージを最小にして測
定できると共に、上記２種類の情報を発するタイミング
が同じであることで測定試料の解析が単純化できる。
ると原子配列情報と化学結合情報の２つの重要な情報を
同時に得ることが出来る。１回の測定で複数の検出を行
うことで電子線照射による試料ダメージを最小にして測
定できると共に、上記２種類の情報を発するタイミング
が同じであることで測定試料の解析が単純化できる。
【図１】は本発明第１の実施例を示す構成図である。
【図２】は本発明第２の実施例を示す構成図である。
【図３】は本発明第３の実施例を示す構成図である。
１は電子銃、２はプローブ電子、３は測定試料４は回折
電子、５は蛍光スクリーン、６は二次電子、７は電子検
出器、８はシールド、９は静電レンズ、１０はマニュピ
ュレータである。
電子、５は蛍光スクリーン、６は二次電子、７は電子検
出器、８はシールド、９は静電レンズ、１０はマニュピ
ュレータである。
Claims (4)
- 【請求項１】電子源と静電電子レンズ、静電偏向板で構
成される電子銃から電子ビームを出射して試料を経由し
て蛍光スクリーンに到達させるＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置
において、前記試料から放出される二次電子を捕集して
電子分光する検出器を備えていることを特徴とするＲＨ
ＥＥＤ−ＡＥＳ装置。 - 【請求項２】請求項１のＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置におい
て、前記電子銃，試料，蛍光スクリーン、検出器の全て
が磁気・静電シールドで囲まれた空間に配置されている
ことを特徴とするＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装置。 - 【請求項３】請求項１または２のＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装
置において、前記検出器の電子捕集入り口に静電レンズ
を備えていることを特徴とするＲＨＥＥＤ−ＡＥＳ装
置。 - 【請求項４】請求項１または２または３のＲＨＥＥＤ−
ＡＥＳ装置において、前記検出器が前記電子銃とは独立
に真空中で移動可能であることを特徴とするＲＨＥＥＤ
−ＡＥＳ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050310A JP2001201466A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Ｒｈｅｅｄ−ａｅｓ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050310A JP2001201466A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Ｒｈｅｅｄ−ａｅｓ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201466A true JP2001201466A (ja) | 2001-07-27 |
| JP2001201466A5 JP2001201466A5 (ja) | 2007-03-01 |
Family
ID=18572107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050310A Pending JP2001201466A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Ｒｈｅｅｄ−ａｅｓ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001201466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113957397A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-01-21 | 埃频(上海)仪器科技有限公司 | 一种脉冲激光分子束外延装置 |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000050310A patent/JP2001201466A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113957397A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-01-21 | 埃频(上海)仪器科技有限公司 | 一种脉冲激光分子束外延装置 |
| CN113957397B (zh) * | 2021-10-22 | 2024-05-14 | 埃频(上海)仪器科技有限公司 | 一种脉冲激光分子束外延装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3500264B2 (ja) | 試料分析装置 | |
| US5315113A (en) | Scanning and high resolution x-ray photoelectron spectroscopy and imaging | |
| US6627889B2 (en) | Apparatus and method for observing sample using electron beam | |
| EP0669635B1 (en) | Scanning imaging high resolution electron spectroscopy | |
| TWI509653B (zh) | 多帶電粒子束裝置與建構具有觀測試片之表面所需複數個功能之裝置的方法 | |
| US20050205807A1 (en) | In-situ monitoring on an ion implanter | |
| US20130126727A1 (en) | Time-of-Flight Electron Energy Analyzer | |
| US10224174B1 (en) | Transmission charged particle microscope with imaging beam rotation | |
| US10832901B2 (en) | EELS detection technique in an electron microscope | |
| US20190057836A1 (en) | Diffraction Pattern Detection In A Transmission Charged Particle Microscope | |
| JP7278983B2 (ja) | マルチビーム走査透過荷電粒子顕微鏡 | |
| JPH05113418A (ja) | 表面分析装置 | |
| JP2001201466A (ja) | Ｒｈｅｅｄ−ａｅｓ装置 | |
| JP4590590B2 (ja) | 位置感度の高い検出器による透過オペレーションに対するｓｅｍ | |
| US8481932B2 (en) | Charged particle beam analyzer and analysis method | |
| JP2525791B2 (ja) | 反射電子エネルギ−損失微細構造測定方法 | |
| JP2000304712A (ja) | 電子線分析・観察装置および電子線マイクロアナライザ | |
| JP2000215841A (ja) | 化学分析用複合放出電子顕微鏡装置 | |
| US10699872B2 (en) | Discriminative imaging technique in scanning transmission charged particle microscopy | |
| US9024275B2 (en) | Specimen holder for charged-particle beam apparatus | |
| EP3809443A1 (en) | Systems and methods of profiling charged-particle beams | |
| JP2653084B2 (ja) | 表面分析装置 | |
| JPH07183343A (ja) | Ｘ線光電子分光分析装置 | |
| JP2001141673A (ja) | 時間分解型表面分析装置 | |
| JPH04233149A (ja) | 試料面分析装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070110 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070110 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070110 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090925 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100302 |