JP2001200370A - 高分子成形材のメッキ形成方法 - Google Patents
高分子成形材のメッキ形成方法Info
- Publication number
- JP2001200370A JP2001200370A JP2000009809A JP2000009809A JP2001200370A JP 2001200370 A JP2001200370 A JP 2001200370A JP 2000009809 A JP2000009809 A JP 2000009809A JP 2000009809 A JP2000009809 A JP 2000009809A JP 2001200370 A JP2001200370 A JP 2001200370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- laser
- polymer
- fluence
- molding material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子成形材とメッキ膜間の密着性を向上さ
せる高分子成形材のメッキ形成方法を提供することであ
る。 【解決手段】 高分子材料に無機フィラーを充填した高
分子成形材に第１段階として高フルーエンスのレーザを
照射し、第２段階として、この照射部に低フルーエンス
のレーザを照射して表面粗さを増すようにした。
せる高分子成形材のメッキ形成方法を提供することであ
る。 【解決手段】 高分子材料に無機フィラーを充填した高
分子成形材に第１段階として高フルーエンスのレーザを
照射し、第２段階として、この照射部に低フルーエンス
のレーザを照射して表面粗さを増すようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子成形材、例
えば、基板、電子部品のパッケージ等にレーザ照射した
後、無電解及び電解メッキを施すメッキ形成方法に係
り、特に、高分子成形材とメッキ膜との間の密着性を向
上させる高分子成形材のメッキ形成方法に関するもので
ある。
えば、基板、電子部品のパッケージ等にレーザ照射した
後、無電解及び電解メッキを施すメッキ形成方法に係
り、特に、高分子成形材とメッキ膜との間の密着性を向
上させる高分子成形材のメッキ形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高分子材料からなる成形品に
は、表面を化学薬品によって粗面化し、Ｐｄを吸着させ
た後、無電解メッキを施すようにしている。但し、Ｐｄ
のみの吸着は困難であるので、錫パラジウム化合物を吸
着させた後、還元する必要がある。
は、表面を化学薬品によって粗面化し、Ｐｄを吸着させ
た後、無電解メッキを施すようにしている。但し、Ｐｄ
のみの吸着は困難であるので、錫パラジウム化合物を吸
着させた後、還元する必要がある。
【０００３】ところで、化学薬品による粗面化は選択的
に行うことができないため、特定箇所のみをメッキする
場合には、一旦、全面をメッキした後、フォトレジスト
による露光・現像処理を行う必要があった。このため、
簡単に高分子成形品の表面にメッキ形成する方法が嘱望
されていた。
に行うことができないため、特定箇所のみをメッキする
場合には、一旦、全面をメッキした後、フォトレジスト
による露光・現像処理を行う必要があった。このため、
簡単に高分子成形品の表面にメッキ形成する方法が嘱望
されていた。
【０００４】そこで、特開平４−１８３８７３号公報に
示すように、高分子材料からなる成形品に紫外線レーザ
を照射することにより、特定箇所へのメッキを可能にす
る方法が提案された。
示すように、高分子材料からなる成形品に紫外線レーザ
を照射することにより、特定箇所へのメッキを可能にす
る方法が提案された。
【０００５】この方法によれば、高分子材料からなる成
形品に紫外線レーザを照射し、この成形品をＰｄコロイ
ド水溶液に浸漬した後、無電解メッキを行うだけで特定
箇所のみをメッキすることが可能である。すなわち、紫
外線レーザの照射により、照射領域のみが正に帯電する
ので、陰イオン性のＰｄコロイド水溶液に浸漬すると、
簡単に照射領域のみにＰｄコロイドを付着させることが
できる。そして、Ｐｄコロイド水溶液に還元剤を含有さ
せておくことにより、無電解メッキの触媒となるＰｄの
みを析出させることが可能である。
形品に紫外線レーザを照射し、この成形品をＰｄコロイ
ド水溶液に浸漬した後、無電解メッキを行うだけで特定
箇所のみをメッキすることが可能である。すなわち、紫
外線レーザの照射により、照射領域のみが正に帯電する
ので、陰イオン性のＰｄコロイド水溶液に浸漬すると、
簡単に照射領域のみにＰｄコロイドを付着させることが
できる。そして、Ｐｄコロイド水溶液に還元剤を含有さ
せておくことにより、無電解メッキの触媒となるＰｄの
みを析出させることが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たレーザ照射による方法では、次のような問題点があり
採用されるに至っていないのが現状である。
たレーザ照射による方法では、次のような問題点があり
採用されるに至っていないのが現状である。
【０００７】すなわち、レーザを高フルーエンスで照射
した場合、照射領域（特定箇所）の周囲のみ帯電するた
め、低フルーエンスで行う必要があるが、それでは、帯
電量が不十分となり、Ｐｄコロイドが充分に付着しな
い。また、レーザを相当数照射する必要が生じ、作業性
が悪化する。具体的には、レーザを、０．０５Ｊ／ｃｍ
2 ／パルスの低フルーエンスで照射した場合、充分な帯
電量を得るためには照射回数を１０００回としなければ
ならない。
した場合、照射領域（特定箇所）の周囲のみ帯電するた
め、低フルーエンスで行う必要があるが、それでは、帯
電量が不十分となり、Ｐｄコロイドが充分に付着しな
い。また、レーザを相当数照射する必要が生じ、作業性
が悪化する。具体的には、レーザを、０．０５Ｊ／ｃｍ
2 ／パルスの低フルーエンスで照射した場合、充分な帯
電量を得るためには照射回数を１０００回としなければ
ならない。
【０００８】そして、特に、レーザを低フルーエンスで
照射した場合、照射領域の表面粗さが小さくなり、形成
したメッキ膜が剥離しやすい。
照射した場合、照射領域の表面粗さが小さくなり、形成
したメッキ膜が剥離しやすい。
【０００９】本発明は、上記した問題点を解決するもの
であり、高分子成形材とメッキ膜間の密着性が向上する
高分子成形材のメッキ形成方法を提供することを目的に
している。
であり、高分子成形材とメッキ膜間の密着性が向上する
高分子成形材のメッキ形成方法を提供することを目的に
している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方法は、
高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形材にレ
ーザを照射し、当該照射部にメッキを行う高分子成形材
のメッキ形成方法であって、第１段階として照射部に高
フルーエンスのレーザを照射し、第２段階として、照射
部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗さを増す
ようにしたものである。
めに、本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方法は、
高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形材にレ
ーザを照射し、当該照射部にメッキを行う高分子成形材
のメッキ形成方法であって、第１段階として照射部に高
フルーエンスのレーザを照射し、第２段階として、照射
部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗さを増す
ようにしたものである。
【００１１】そして、メッキが、高分子材料に無機フィ
ラーを充填した高分子成形材にレーザを照射し、照射部
に正の表面電位を生じさせた後、照射部に無電解メッキ
の触媒を析出させ、その後、高分子成形材を無電解メッ
キ液に浸漬して行われる無電解メッキであり、また、メ
ッキが、高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成
形材にレーザを照射し、照射部に導電性を付与した後、
高分子成形材を電解メッキ液に浸漬して行われる電解メ
ッキである。
ラーを充填した高分子成形材にレーザを照射し、照射部
に正の表面電位を生じさせた後、照射部に無電解メッキ
の触媒を析出させ、その後、高分子成形材を無電解メッ
キ液に浸漬して行われる無電解メッキであり、また、メ
ッキが、高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成
形材にレーザを照射し、照射部に導電性を付与した後、
高分子成形材を電解メッキ液に浸漬して行われる電解メ
ッキである。
【００１２】そして、レーザが波長６００ｎｍ以下のレ
ーザであり、高フルーエンスが０．２〜２．０Ｊ／ｃｍ
2 のフルーエンスであり、低フルーエンスが高フルーエ
ンスの半分以下のフルーエンスであることが好ましい。
ーザであり、高フルーエンスが０．２〜２．０Ｊ／ｃｍ
2 のフルーエンスであり、低フルーエンスが高フルーエ
ンスの半分以下のフルーエンスであることが好ましい。
【００１３】このように、第１段階として、高分子材料
に無機フィラーを充填した高分子成形材の表面に高フル
ーエンスのレーザを照射し、第２段階として、当該照射
部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗さを増す
ことができるために、ピール強度値が向上し、高分子成
形材とメッキ膜間の密着性が良好になる。
に無機フィラーを充填した高分子成形材の表面に高フル
ーエンスのレーザを照射し、第２段階として、当該照射
部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗さを増す
ことができるために、ピール強度値が向上し、高分子成
形材とメッキ膜間の密着性が良好になる。
【００１４】このために、メッキ膜が容易に剥離するこ
とがなくなり、ＳＭＴ実装（表面実装）にて部品のシェ
ア強度が低下すること、ＣＯＢ実装にてＤ／Ｂのシェア
強度が低下すること、といった問題を解消することがで
きる。
とがなくなり、ＳＭＴ実装（表面実装）にて部品のシェ
ア強度が低下すること、ＣＯＢ実装にてＤ／Ｂのシェア
強度が低下すること、といった問題を解消することがで
きる。
【００１５】また、高分子成形材として基板、電子部品
のパッケージを使用して、基板やパッケージにおける導
電パターンを無電解メッキもしくは電解メッキで形成す
ることができる。
のパッケージを使用して、基板やパッケージにおける導
電パターンを無電解メッキもしくは電解メッキで形成す
ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高分子成形材
のメッキ形成方法の実施の形態を説明する。
のメッキ形成方法の実施の形態を説明する。
【００１７】図１はメッキ膜のピール強度値とレーザの
フルーエンスとの関係を示す線図、図２の（ａ）は高分
子材料としてのＬＣＰに無機フィラーとしてのガラスフ
ィラーを添加し、この材料を射出成形して得られた高分
子成形材の断面図、図２の（ｂ）〜（ｄ）は、表面にレ
ーザの照射によるパターンを施した高分子成形材の断面
図、図３は第１段階として照射部に高フルーエンスのレ
ーザを照射し、第２段階として、照射部に低フルーエン
スのレーザを照射して表面粗さを増した形状包絡線を有
する高分子成形材の断面図である。
フルーエンスとの関係を示す線図、図２の（ａ）は高分
子材料としてのＬＣＰに無機フィラーとしてのガラスフ
ィラーを添加し、この材料を射出成形して得られた高分
子成形材の断面図、図２の（ｂ）〜（ｄ）は、表面にレ
ーザの照射によるパターンを施した高分子成形材の断面
図、図３は第１段階として照射部に高フルーエンスのレ
ーザを照射し、第２段階として、照射部に低フルーエン
スのレーザを照射して表面粗さを増した形状包絡線を有
する高分子成形材の断面図である。
【００１８】レーザ照射後無電解メッキを施す方法にお
いて、高分子材料中に無機フィラーを混入することによ
り、それらの加工しきい値の差を利用して表面に凹凸を
形成し、高分子材料とメッキ膜間の密着性を高めるよう
にしたものがあるが、このメッキ形成方法では、例え
ば、無機フィラーとしてφ１０μｍのガラスフィラーを
３０％添加したＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｐｏｌｙｍｅｒ：液晶ポリマ）でのピール強度試験に
よる剥離強度は４〜５Ｎ／ｃｍとなる。
いて、高分子材料中に無機フィラーを混入することによ
り、それらの加工しきい値の差を利用して表面に凹凸を
形成し、高分子材料とメッキ膜間の密着性を高めるよう
にしたものがあるが、このメッキ形成方法では、例え
ば、無機フィラーとしてφ１０μｍのガラスフィラーを
３０％添加したＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｐｏｌｙｍｅｒ：液晶ポリマ）でのピール強度試験に
よる剥離強度は４〜５Ｎ／ｃｍとなる。
【００１９】通常の化学薬品（例えば、水酸化カリウム
水溶液）での粗化方法によるＬＣＰへのメッキ形成方法
に比べると未だ弱い。これは、例えば、ＳＭＴ実装（表
面実装）にて、抵抗、コンデンサといった部品のシェア
強度が低下すること、ＣＯＢ実装にてＤ／Ｂのシェア強
度が低下することに繋がる。
水溶液）での粗化方法によるＬＣＰへのメッキ形成方法
に比べると未だ弱い。これは、例えば、ＳＭＴ実装（表
面実装）にて、抵抗、コンデンサといった部品のシェア
強度が低下すること、ＣＯＢ実装にてＤ／Ｂのシェア強
度が低下することに繋がる。
【００２０】本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方
法は、高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形
材にレーザを照射し、当該照射部にメッキを行う高分子
成形材のメッキ形成方法であって、第１段階として、波
長６００ｎｍ以下のレーザであって、０．２〜２．０Ｊ
／ｃｍ2 のフルーエンス（高フルーエンス）で照射部を
照射した後、第２段階として、その半分以下のフルーエ
ンス（低フルーエンス）で照射部を照射して表面粗さを
増すようにしたものである。
法は、高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形
材にレーザを照射し、当該照射部にメッキを行う高分子
成形材のメッキ形成方法であって、第１段階として、波
長６００ｎｍ以下のレーザであって、０．２〜２．０Ｊ
／ｃｍ2 のフルーエンス（高フルーエンス）で照射部を
照射した後、第２段階として、その半分以下のフルーエ
ンス（低フルーエンス）で照射部を照射して表面粗さを
増すようにしたものである。
【００２１】このように、第１段階として、高分子材料
に無機フィラーを充填した高分子成形材の表面に高フル
ーエンスのレーザを照射し、第２段階として、当該照射
部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗さを増す
ことができるために、ピール強度値が向上し、高分子成
形材とメッキ膜間の密着性が良好になり、メッキ膜が容
易に剥離することがなくなり、ＳＭＴ実装（表面実装）
にて部品のシェア強度が低下すること、ＣＯＢ実装にて
Ｄ／Ｂのシェア強度が低下するといったことを防止する
ことができる。
に無機フィラーを充填した高分子成形材の表面に高フル
ーエンスのレーザを照射し、第２段階として、当該照射
部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗さを増す
ことができるために、ピール強度値が向上し、高分子成
形材とメッキ膜間の密着性が良好になり、メッキ膜が容
易に剥離することがなくなり、ＳＭＴ実装（表面実装）
にて部品のシェア強度が低下すること、ＣＯＢ実装にて
Ｄ／Ｂのシェア強度が低下するといったことを防止する
ことができる。
【００２２】そして、メッキが、高分子材料に１０〜５
０％の前記無機フィラーを充填した高分子成形材に波長
６００ｎｍ以下のレーザを照射し、照射部に正の表面電
位を生じさせた後、高分子成形材を陰イオン性のＰｄ化
合物またはＰｄコロイドを含む水溶液に浸漬して、照射
部に無電解メッキの触媒となるＰｄのみを析出させた
後、高分子成形材を無電解メッキ液に浸漬して行われる
無電解メッキであり、また、メッキが、高分子材料に１
０〜５０％の無機フィラーを充填した高分子成形材に波
長６００ｎｍ以下のレーザを照射し、照射部に導電性を
付与した後、高分子成形材を電解メッキ液に浸漬して行
われる電解メッキである。
０％の前記無機フィラーを充填した高分子成形材に波長
６００ｎｍ以下のレーザを照射し、照射部に正の表面電
位を生じさせた後、高分子成形材を陰イオン性のＰｄ化
合物またはＰｄコロイドを含む水溶液に浸漬して、照射
部に無電解メッキの触媒となるＰｄのみを析出させた
後、高分子成形材を無電解メッキ液に浸漬して行われる
無電解メッキであり、また、メッキが、高分子材料に１
０〜５０％の無機フィラーを充填した高分子成形材に波
長６００ｎｍ以下のレーザを照射し、照射部に導電性を
付与した後、高分子成形材を電解メッキ液に浸漬して行
われる電解メッキである。
【００２３】この場合、高分子材料は、液晶ポリマ（Ｌ
ＣＰ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ）等が使用される。無機フィラーとしては、ガラスフ
ィラー、セラミックス粒子等が挙げられ、形状をφ１〜
２０μｍ、長さ１０μｍ以上のファイバー状、または、
φ０．５〜２０μｍの粒子状で、その高分子材料に対す
る添加量を１０〜５０重量％とすると、より一層デブリ
ーの飛散を抑制することが可能になる。
ＣＰ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ）等が使用される。無機フィラーとしては、ガラスフ
ィラー、セラミックス粒子等が挙げられ、形状をφ１〜
２０μｍ、長さ１０μｍ以上のファイバー状、または、
φ０．５〜２０μｍの粒子状で、その高分子材料に対す
る添加量を１０〜５０重量％とすると、より一層デブリ
ーの飛散を抑制することが可能になる。
【００２４】また、レーザとしては、エキシマレーザ
（波長λ＝１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍ）、Ｙ
ＡＧ第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高
調波（波長λ＝３５５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下
のものであれば使用できる。
（波長λ＝１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍ）、Ｙ
ＡＧ第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高
調波（波長λ＝３５５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下
のものであれば使用できる。
【００２５】また、レーザによる全投入エネルギの総計
を、１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 とすると、無電解メッキの
場合、レーザの照射領域の帯電状態を貴金属を析出させ
るのに適した状態にすることができるし、また、電解メ
ッキの場合、レーザの照射領域の導電性を電解メッキ膜
の形成に適した状態にすることが可能である。
を、１０〜５００Ｊ／ｃｍ2 とすると、無電解メッキの
場合、レーザの照射領域の帯電状態を貴金属を析出させ
るのに適した状態にすることができるし、また、電解メ
ッキの場合、レーザの照射領域の導電性を電解メッキ膜
の形成に適した状態にすることが可能である。
【００２６】本発明者は、高分子材料に１０〜５０％の
無機フィラーを充填し、この材料を射出成形し、得られ
た高分子成形材に波長６００ｎｍ以下のレーザを照射
し、照射部に正の表面電位を生じさせた後、陰イオン性
のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを含む水溶液に浸漬し
た後、無電解メッキを行う方法、及び高分子材料に１０
〜５０％の無機フィラーを充填した高分子成形材に波長
６００ｎｍ以下のレーザを照射し、照射部に導電性を付
与した後、直接電解メッキを行うメッキ形成方法におい
て、高分子成形材とメッキ層間の密着性は表面粗さと相
関があり、表面粗さはフルーエンスと相関があるとの新
しい知見を実験から得た。
無機フィラーを充填し、この材料を射出成形し、得られ
た高分子成形材に波長６００ｎｍ以下のレーザを照射
し、照射部に正の表面電位を生じさせた後、陰イオン性
のＰｄ化合物またはＰｄコロイドを含む水溶液に浸漬し
た後、無電解メッキを行う方法、及び高分子材料に１０
〜５０％の無機フィラーを充填した高分子成形材に波長
６００ｎｍ以下のレーザを照射し、照射部に導電性を付
与した後、直接電解メッキを行うメッキ形成方法におい
て、高分子成形材とメッキ層間の密着性は表面粗さと相
関があり、表面粗さはフルーエンスと相関があるとの新
しい知見を実験から得た。
【００２７】フルーエンスとピール強度値との関係は図
１に示すようになり、その時の各フルーエンスと表面粗
さの関係は図２の（ｂ）〜（ｄ）に示すようになる。
１に示すようになり、その時の各フルーエンスと表面粗
さの関係は図２の（ｂ）〜（ｄ）に示すようになる。
【００２８】図１において、領域・は、メッキ形成に必
要な最低フルーエンスＨ以上のフルーエンスの増加に伴
いピール強度値が増加する領域であり、領域・はフルー
エンスの増加でピール強度が減少する領域である。な
お、図１において、投入エネルギ量は各フルーエンスで
一定している。
要な最低フルーエンスＨ以上のフルーエンスの増加に伴
いピール強度値が増加する領域であり、領域・はフルー
エンスの増加でピール強度が減少する領域である。な
お、図１において、投入エネルギ量は各フルーエンスで
一定している。
【００２９】図２の（ａ）は、高分子材料としてのＬＣ
Ｐ（Ｌｉｑｕｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ：液
晶ポリマ）１１に無機フィラーとしてのガラスフィラー
２１を添加し、この材料を射出成形して得られた高分子
成形材３１であり、この高分子成形材３１の表面３１Ａ
には、レーザの照射によるパターン形成は行われておら
ず（図１において、フルーエンス０の場合）、表面３１
Ａは平滑であって、その表面形状包絡線イには凹凸が現
れていないものである。
Ｐ（Ｌｉｑｕｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ：液
晶ポリマ）１１に無機フィラーとしてのガラスフィラー
２１を添加し、この材料を射出成形して得られた高分子
成形材３１であり、この高分子成形材３１の表面３１Ａ
には、レーザの照射によるパターン形成は行われておら
ず（図１において、フルーエンス０の場合）、表面３１
Ａは平滑であって、その表面形状包絡線イには凹凸が現
れていないものである。
【００３０】図２の（ｂ）は、高分子成形材３１の表面
（照射部）３１Ａに、レーザを、０．１Ｊ／ｃｍ2 のフ
ルーエンスで照射し、パターン形成が行われたものであ
り、表面３１ＡにはＬＣＰ１１の凹凸１１Ｂと、ガラス
フィラー２１による凹凸２１Ｂとが生じており、その表
面形状包絡線ロに凹凸が現れていて、表面粗さが出現し
ている。
（照射部）３１Ａに、レーザを、０．１Ｊ／ｃｍ2 のフ
ルーエンスで照射し、パターン形成が行われたものであ
り、表面３１ＡにはＬＣＰ１１の凹凸１１Ｂと、ガラス
フィラー２１による凹凸２１Ｂとが生じており、その表
面形状包絡線ロに凹凸が現れていて、表面粗さが出現し
ている。
【００３１】図２の（ｃ）は、高分子成形材３１の表面
（照射部）３１Ａに、レーザを、０．２Ｊ／ｃｍ2 のフ
ルーエンスで照射し、パターン形成が行われたものであ
り、表面３１ＡにはＬＣＰ１１の凹凸１１Ｂと、ガラス
フィラー２１による凹凸２１Ｂとが図２の（ｂ）の場合
より大きく生じており、その表面形状包絡線ハには凹凸
が現れていて、表面粗さが出現している。
（照射部）３１Ａに、レーザを、０．２Ｊ／ｃｍ2 のフ
ルーエンスで照射し、パターン形成が行われたものであ
り、表面３１ＡにはＬＣＰ１１の凹凸１１Ｂと、ガラス
フィラー２１による凹凸２１Ｂとが図２の（ｂ）の場合
より大きく生じており、その表面形状包絡線ハには凹凸
が現れていて、表面粗さが出現している。
【００３２】図２の（ｄ）は、高分子成形材３１の表面
（照射部）３１Ａに、レーザを、０．６Ｊ／ｃｍ2 のフ
ルーエンスで照射し、パターン形成が行われたものであ
り、表面３１ＡにはＬＣＰ１１の表面は平滑化し、ガラ
スフィラー２１による凹凸２１Ｂが生じており、その表
面形状包絡線ニには凹凸２１Ｂのみの表面粗さになって
いる。
（照射部）３１Ａに、レーザを、０．６Ｊ／ｃｍ2 のフ
ルーエンスで照射し、パターン形成が行われたものであ
り、表面３１ＡにはＬＣＰ１１の表面は平滑化し、ガラ
スフィラー２１による凹凸２１Ｂが生じており、その表
面形状包絡線ニには凹凸２１Ｂのみの表面粗さになって
いる。
【００３３】すなわち、高分子成形材３１の表面（照射
部）３１Ａに照射するレーザのフルーエンスを０．１Ｊ
／ｃｍ2 、０．２Ｊ／ｃｍ2 と増加すると表面粗さは図
２の（ｂ）の形状包絡線ロ、図２の（ｃ）の形状包絡線
ハのように増加し、メッキ形成時のメッキ膜の密着性は
高まる。
部）３１Ａに照射するレーザのフルーエンスを０．１Ｊ
／ｃｍ2 、０．２Ｊ／ｃｍ2 と増加すると表面粗さは図
２の（ｂ）の形状包絡線ロ、図２の（ｃ）の形状包絡線
ハのように増加し、メッキ形成時のメッキ膜の密着性は
高まる。
【００３４】しかしながら、フルーエンスが高分子材料
であるＬＣＰ１１のアブレーションしきい値より充分大
きいと、図２の（ｄ）の形状包絡線ニのようにガラスフ
ィラー２１による凹凸２１Ｂは大きくなるが、高分子成
形材３１の表面３１ＡにおけるＬＣＰ１１の表面は平滑
化されてメッキ形成時のメッキ膜の密着性は低下する。
であるＬＣＰ１１のアブレーションしきい値より充分大
きいと、図２の（ｄ）の形状包絡線ニのようにガラスフ
ィラー２１による凹凸２１Ｂは大きくなるが、高分子成
形材３１の表面３１ＡにおけるＬＣＰ１１の表面は平滑
化されてメッキ形成時のメッキ膜の密着性は低下する。
【００３５】このことから、フルーエンスが０．２〜
０．３Ｊ／ｃｍ2 でピール（剥離）強度は４〜５Ｎ／ｃ
ｍと最大になり、フルーエンスを高めてもメッキ形成時
のメッキ膜の密着性を向上することは困難であることが
分かった。
０．３Ｊ／ｃｍ2 でピール（剥離）強度は４〜５Ｎ／ｃ
ｍと最大になり、フルーエンスを高めてもメッキ形成時
のメッキ膜の密着性を向上することは困難であることが
分かった。
【００３６】そこで、高分子成形材３１の表面３１Ａ
に、第１段階として、高分子成形材３１の表面（照射
部）３１Ａに、レーザを、０．６Ｊ／ｃｍ2 のフルーエ
ンス（高フルーエンス）で照射して図２の（ｄ）の形状
包絡線ニを作り、第２段階として、高分子成形材３１
の、形状包絡線ニを有する表面（照射部）３１Ａに、レ
ーザを、０．２Ｊ／ｃｍ2 のフルーエンス（低フルーエ
ンス）で照射して、図３に示す形状包絡線ホにした。
に、第１段階として、高分子成形材３１の表面（照射
部）３１Ａに、レーザを、０．６Ｊ／ｃｍ2 のフルーエ
ンス（高フルーエンス）で照射して図２の（ｄ）の形状
包絡線ニを作り、第２段階として、高分子成形材３１
の、形状包絡線ニを有する表面（照射部）３１Ａに、レ
ーザを、０．２Ｊ／ｃｍ2 のフルーエンス（低フルーエ
ンス）で照射して、図３に示す形状包絡線ホにした。
【００３７】すなわち、第１段階として、高分子成形材
３１の表面（照射部）３１Ａに高フルーエンスのレーザ
を照射し、第２段階として、低フルーエンスのレーザを
照射することで、図３の形状包絡線ホのように高フルー
エンスのレーザ照射によるガラスフィラー２１での大き
な凹凸２１Ｂを残したまま、低フルーエンスのレーザ照
射により、高フルーエンスのレーザ照射時に平滑化され
た箇所１１Ｃを図２の（ｃ）の形状包絡線ハの大きさで
荒らすために、表面粗さを増すことが可能になる。
３１の表面（照射部）３１Ａに高フルーエンスのレーザ
を照射し、第２段階として、低フルーエンスのレーザを
照射することで、図３の形状包絡線ホのように高フルー
エンスのレーザ照射によるガラスフィラー２１での大き
な凹凸２１Ｂを残したまま、低フルーエンスのレーザ照
射により、高フルーエンスのレーザ照射時に平滑化され
た箇所１１Ｃを図２の（ｃ）の形状包絡線ハの大きさで
荒らすために、表面粗さを増すことが可能になる。
【００３８】なお、本発明に係る高分子成形材のメッキ
形成方法を用いることで、高分子成形材としての基板、
電子部品のパッケージ等における導電パターンを無電解
メッキもしくは電解メッキで形成することが可能にな
る。
形成方法を用いることで、高分子成形材としての基板、
電子部品のパッケージ等における導電パターンを無電解
メッキもしくは電解メッキで形成することが可能にな
る。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高分
子成形材のメッキ形成方法によれば、第１段階として、
高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形材の表
面に高フルーエンスのレーザを照射し、第２段階とし
て、照射部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗
さを増すことができるために、ピール強度値が向上し、
高分子成形材とメッキ膜間の密着性が良好になる。
子成形材のメッキ形成方法によれば、第１段階として、
高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形材の表
面に高フルーエンスのレーザを照射し、第２段階とし
て、照射部に低フルーエンスのレーザを照射して表面粗
さを増すことができるために、ピール強度値が向上し、
高分子成形材とメッキ膜間の密着性が良好になる。
【００４０】このために、メッキ膜が容易に剥離するこ
とがなくなり、ＳＭＴ実装（表面実装）にて部品のシェ
ア強度が低下すること、ＣＯＢ実装にてＤ／Ｂのシェア
強度が低下すること、といった問題を解消することがで
きる。
とがなくなり、ＳＭＴ実装（表面実装）にて部品のシェ
ア強度が低下すること、ＣＯＢ実装にてＤ／Ｂのシェア
強度が低下すること、といった問題を解消することがで
きる。
【図１】メッキ膜のピール強度値とレーザのフルーエン
スとの関係を示す線図である。
スとの関係を示す線図である。
【図２】（ａ）は高分子材料としてのＬＣＰに無機フィ
ラーとしてのガラスフィラーを添加し、この材料を射出
成形して得られた高分子成形材の断面図である。（ｂ）
〜（ｄ）は、表面にレーザの照射によるパターンを施し
た高分子成形材の断面図である。
ラーとしてのガラスフィラーを添加し、この材料を射出
成形して得られた高分子成形材の断面図である。（ｂ）
〜（ｄ）は、表面にレーザの照射によるパターンを施し
た高分子成形材の断面図である。
【図３】第１段階として照射部に高フルーエンスのレー
ザを照射し、第２段階として、照射部に低フルーエンス
のレーザを照射して表面粗さを増した形状包絡線を有す
る高分子成形材の断面図である。
ザを照射し、第２段階として、照射部に低フルーエンス
のレーザを照射して表面粗さを増した形状包絡線を有す
る高分子成形材の断面図である。
１１ ＬＣＰ（高分子材料） １１Ｂ 凹凸 １１Ｃ 平滑化された箇所 ２１ ガラスフィラー（無機フィラー） ２１Ｂ 凹凸 ３１ 高分子成形材 ３１Ａ 表面 イ 表面形状包絡線 ロ 表面形状包絡線 ハ 表面形状包絡線 ニ 表面形状包絡線 ホ 表面形状包絡線
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F073 AA01 AA06 BA23 BA47 CA53 4K022 AA26 AA42 AA51 BA35 CA02 CA06 CA08 CA12 CA21 DA01 4K024 AB01 AB08 BA12 BB09 BB11 DA06 DA07 FA01 GA01
Claims (5)
- 【請求項１】 高分子材料に無機フィラーを充填した高
分子成形材にレーザを照射し、当該照射部にメッキを行
う高分子成形材のメッキ形成方法であって、 第１段階として前記照射部に高フルーエンスの前記レー
ザを照射し、第２段階として、前記照射部に低フルーエ
ンスの前記レーザを照射して表面粗さを増すようにした
ことを特徴とする高分子成形材のメッキ形成方法。 - 【請求項２】 前記メッキが、前記高分子材料に前記無
機フィラーを充填した前記高分子成形材に前記レーザを
照射し、前記照射部に正の表面電位を生じさせた後、前
記照射部に無電解メッキの触媒を析出させ、その後、前
記高分子成形材を無電解メッキ液に浸漬して行われる無
電解メッキである請求項１に記載の高分子成形材のメッ
キ形成方法。 - 【請求項３】 前記メッキが、前記高分子材料に前記無
機フィラーを充填した前記高分子成形材に前記レーザを
照射し、前記照射部に導電性を付与した後、前記高分子
成形材を電解メッキ液に浸漬して行われる電解メッキで
ある請求項１に記載の高分子成形材のメッキ形成方法。 - 【請求項４】 前記レーザが波長６００ｎｍ以下のレー
ザであり、前記高フルーエンスが０．２〜２．０Ｊ／ｃ
ｍ2 のフルーエンスであり、前記低フルーエンスが前記
高フルーエンスの半分以下のフルーエンスである請求項
１乃至請求項３に記載の高分子成形材のメッキ形成方
法。 - 【請求項５】 前記高分子成形材が基板、電子部品のパ
ッケージである請求項１乃至請求項４に記載の高分子成
形材のメッキ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009809A JP2001200370A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 高分子成形材のメッキ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009809A JP2001200370A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 高分子成形材のメッキ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001200370A true JP2001200370A (ja) | 2001-07-24 |
Family
ID=18537912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009809A Pending JP2001200370A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 高分子成形材のメッキ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001200370A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
| WO2007091466A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Lef Technology, Inc. | 液晶ポリマーの改質方法 |
| JP2013545832A (ja) * | 2010-10-26 | 2013-12-26 | サビック・イノベーティブ・プラスチックス・アイピー・ベスローテン・フェンノートシャップ | すべての色特性を有するレーザダイレクトストラクチャリング材料 |
| JP5829746B1 (ja) * | 2014-04-04 | 2015-12-09 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | 導電膜及びその製造方法並びにめっき皮膜付樹脂製品及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-01-19 JP JP2000009809A patent/JP2001200370A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
| WO2007091466A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Lef Technology, Inc. | 液晶ポリマーの改質方法 |
| JPWO2007091466A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-02 | 株式会社レフ・テクノロジー | 液晶ポリマーの改質方法 |
| US7608371B2 (en) | 2006-02-10 | 2009-10-27 | Lef Technology, Inc. | Method of modifying liquid crystal polymers |
| AU2007213255B2 (en) * | 2006-02-10 | 2010-11-18 | Lef Technology, Inc. | Method of modifying liquid crystal polymers |
| JP2013545832A (ja) * | 2010-10-26 | 2013-12-26 | サビック・イノベーティブ・プラスチックス・アイピー・ベスローテン・フェンノートシャップ | すべての色特性を有するレーザダイレクトストラクチャリング材料 |
| JP5829746B1 (ja) * | 2014-04-04 | 2015-12-09 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | 導電膜及びその製造方法並びにめっき皮膜付樹脂製品及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3399434B2 (ja) | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 | |
| JPH028476B2 (ja) | ||
| JP3493703B2 (ja) | 回路板の形成方法 | |
| JPS6317905B2 (ja) | ||
| US8826530B2 (en) | Method for manufacturing substrate with metal film | |
| JP2007180089A (ja) | 回路導体パターンを有する樹脂成形部品の製造方法 | |
| KR100883726B1 (ko) | 부도체 제품의 도금방법 | |
| JP5149805B2 (ja) | 無電解銅めっき方法 | |
| JP3999696B2 (ja) | 無電解めっき方法及びめっき部品 | |
| JP2001200370A (ja) | 高分子成形材のメッキ形成方法 | |
| WO2008119359A1 (en) | Preparation of a polymer article for selective metallization | |
| JP5075157B2 (ja) | 配線基材の製造方法及び該製造方法により得られた配線基材 | |
| JP2004186661A (ja) | フレキシブルプリント基板の製法 | |
| JP2004190104A (ja) | 金属膜形成処理方法、半導体装置及び配線基板 | |
| JP2001192847A (ja) | 高分子成形材のメッキ形成方法 | |
| US3839083A (en) | Selective metallization process | |
| JP3398713B2 (ja) | 無電解めっきの前処理方法 | |
| JPH0454399B2 (ja) | ||
| JPH07207450A (ja) | フッ素樹脂製部分メッキ多孔質シートの製法 | |
| JP3742872B2 (ja) | 光固定された微粒子を触媒とする無電解メッキ法 | |
| JP2004190102A (ja) | 金属膜形成方法、半導体装置及び配線基板 | |
| JPH10168577A (ja) | 成形回路部品などのめっき部品の製法 | |
| JP2006219715A (ja) | 耐熱性絶縁樹脂の金属めっき方法 | |
| JP2005085900A (ja) | プリント配線基板及びその製造方法 | |
| JPH0577748B2 (ja) |