JP2001196343A - Substrate treating equipment - Google Patents
Substrate treating equipmentInfo
- Publication number
- JP2001196343A JP2001196343A JP2000321105A JP2000321105A JP2001196343A JP 2001196343 A JP2001196343 A JP 2001196343A JP 2000321105 A JP2000321105 A JP 2000321105A JP 2000321105 A JP2000321105 A JP 2000321105A JP 2001196343 A JP2001196343 A JP 2001196343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- overflow
- tank
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、所定形状のオー
バーフロー処理槽内に基板支持部によって複数枚の処理
対象基板を互いに平行に支持し、この状態において流体
供給部によってオーバーフロー処理槽内に処理用流体を
供給することによって複数枚の基板を処理する基板処理
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for supporting a plurality of substrates to be processed in a predetermined shape in an overflow processing tank in parallel with each other by means of a substrate supporting portion. The present invention relates to a substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates by supplying a fluid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、オーバーフロー処理槽の底部
に処理液供給管を設けて処理液を供給し、この処理液を
整流板により整流して上方に導き、並列状に立設された
複数枚の基板の表面の処理を行う基板処理装置として、
特開平６−２０８９８４号公報に記載された構成のも
の、特開平７−１６１６７８号公報に記載されたものが
提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a processing liquid supply pipe is provided at the bottom of an overflow processing tank to supply a processing liquid, the processing liquid is rectified by a rectifying plate and guided upward, and a plurality of sheets arranged in parallel are provided. As a substrate processing apparatus that processes the surface of the substrate,
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-209884 and a configuration described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-161678 have been proposed.
【０００３】特開平６−２０８９８４号公報に記載され
た基板処理装置は、処理槽の底面のうち、複数枚の基板
の中心軸線の直下を上向きに膨出させているとともに、
この膨出部を中心として両端部に、水平ないし斜め上向
きに処理液を吐出する１対の処理液供給管を設ける構成
を採用している。[0003] The substrate processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-208984 has a processing tank in which the bottom surface of a processing tank is bulged upward just below the central axis of a plurality of substrates.
A configuration is adopted in which a pair of processing liquid supply pipes for discharging the processing liquid horizontally or obliquely upward is provided at both ends with the bulging portion as the center.
【０００４】特開平７−１６１６７８号公報に記載され
た基板処理装置は、処理槽の底面のうち、複数枚の基板
の中心軸線の直下を下向きに凹入させているとともに、
この凹入部を中心として両端部に、水平ないし斜め下向
きに処理液を吐出する１対の処理液供給管を設け、しか
もこの凹入部に対応させて、吐出された処理液を衝突さ
せて流れ方向を上向きに変更する板材を設ける構成を採
用している。In the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-161678, a portion of a bottom surface of a processing tank, which is directly below a central axis of a plurality of substrates, is recessed downward.
A pair of processing liquid supply pipes for discharging the processing liquid horizontally or obliquely downward is provided at both ends around the recess, and the discharged processing liquid is caused to collide with the recess so as to flow in the flow direction. Is adopted to provide a plate member for changing the direction upward.
【０００５】そして、何れの構成の基板処理装置を採用
した場合にも、流体抵抗が最も大きい部分、すなわち、
基板の中央部に対応する部分における流速を最も大きく
して基板の全表面をほぼ均一に処理することができると
思われる。[0005] Regardless of the configuration of the substrate processing apparatus, the portion having the highest fluid resistance, that is, the portion having the highest fluid resistance,
It is believed that the flow rate at the portion corresponding to the central portion of the substrate can be maximized to treat the entire surface of the substrate almost uniformly.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の構成の
基板処理装置を採用した場合には、１対の処理液供給管
が必要であるから、構成が複雑化するのみならず、大型
化するという不都合がある。However, when the substrate processing apparatus having the above configuration is employed, a pair of processing liquid supply pipes is required, which not only complicates the configuration but also increases the size. There is an inconvenience.
【０００７】そして、基板の中央部に対応する部分にお
ける流速を十分には大きくすることができない可能性が
あるという不都合もある。すなわち、特開平６−２０８
９８４号公報に記載された基板処理装置を採用した場合
には、１対の処理液供給管から吐出された処理液どうし
を衝突させて、基板の中央部に対応させて強い上向きの
流れを得ようとしているのであるが、衝突により得られ
る上向き流は強い横向きの成分をも有しているのである
から、処理液は上昇しながら横方向に流れてしまい、基
板どうしの間隔を小さくした状態においては、基板列の
中央部に十分な処理液の流れを形成することができず、
この結果、基板の全表面を均一に処理することが殆ど不
可能になってしまう。Further, there is a disadvantage that the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate may not be sufficiently increased. That is, JP-A-6-208
In the case where the substrate processing apparatus described in Japanese Patent No. 984 is employed, the processing liquid discharged from the pair of processing liquid supply pipes collide with each other to obtain a strong upward flow corresponding to the center of the substrate. However, since the upward flow obtained by the collision also has a strong horizontal component, the processing liquid flows in the horizontal direction while rising, and in a state where the distance between the substrates is reduced. Cannot form a sufficient flow of the processing solution in the center of the substrate row,
As a result, it is almost impossible to uniformly treat the entire surface of the substrate.
【０００８】特開平７−１６１６７８号公報に記載され
た基板処理装置を採用した場合には、１対の処理液供給
管から吐出された処理液を板材に衝突させて、基板の中
央部に対応させて強い上向きの流れを得ようとしている
のであるが、衝突により得られる上向き流は強い横向き
の成分をも有しているのであるから、処理液は上昇しな
がら横方向に流れてしまい、基板どうしの間隔を小さく
した状態においては、基板列の中央部に十分な処理液の
流れを形成することができず、この結果、基板の全表面
を均一に処理することが殆ど不可能になってしまう。When a substrate processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-161678 is employed, the processing liquid discharged from a pair of processing liquid supply pipes is caused to collide with a plate material to correspond to a central portion of the substrate. It is trying to obtain a strong upward flow, but the upward flow obtained by collision also has a strong horizontal component, so the processing liquid flows in the horizontal direction while rising, and the substrate In a state in which the distance between the substrates is reduced, a sufficient flow of the processing liquid cannot be formed in the central portion of the substrate row. As a result, it is almost impossible to uniformly process the entire surface of the substrate. I will.
【０００９】また、上記の構成の基板処理装置において
は、１種類の処理液のみを処理槽に供給して基板の処理
を行うことが可能であるとともに、複数種類の処理液を
順次処理槽に供給して基板の処理を行うことも可能であ
る。Further, in the substrate processing apparatus having the above structure, it is possible to supply only one type of processing liquid to the processing tank and perform the processing of the substrate, and to simultaneously supply a plurality of types of processing liquid to the processing tank. It is also possible to supply and process the substrate.
【００１０】そして、複数種類の処理液を順次処理槽に
供給して基板の処理を行う場合には、例えば、第１の種
類の処理液を供給した後に第２の処理液を供給するに当
たって、処理液供給管および対応する配管から第１の種
類の処理液を完全に排出しなければならないので、これ
らの処理液供給管および対応する配管を洗浄するための
所要時間が長くなるのみならず、洗浄液の必要量が著し
く多くなってしまうという不都合がある。When a plurality of types of processing liquids are sequentially supplied to the processing tank to process the substrate, for example, in supplying the first type of processing liquid and then supplying the second processing liquid, Since the first type of processing liquid must be completely drained from the processing liquid supply pipe and the corresponding pipe, not only the time required for cleaning these processing liquid supply pipe and the corresponding pipe becomes long, but also There is a disadvantage that the required amount of the cleaning liquid is significantly increased.
【００１１】[0011]
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、構成を簡単化できるとともに、小形化す
ることができ、しかも基板の中央部に対応する部分にお
ける流速を十分に大きくすることができる基板処理装置
を提供することを第１の目的とし、複数種類の処理液を
順次処理槽に供給して基板の処理を行う場合において、
洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄液
の必要量を少なくすることができる基板処理装置を提供
することを第２の目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has a structure that can be simplified and downsized, and has a sufficiently large flow velocity in a portion corresponding to the central portion of the substrate. A first object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing a plurality of types of processing liquids sequentially to a processing tank to perform substrate processing.
It is a second object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the time required for cleaning and reducing the required amount of cleaning liquid.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１の基板処理装置
は、所定形状のオーバーフロー処理槽と、オーバーフロ
ー処理槽内に複数枚の処理対象基板を互いに平行に支持
する基板支持部と、オーバーフロー処理槽内に処理用流
体を供給する流体供給部とを含むものであって、前記流
体供給部として、オーバーフロー処理槽の底部近傍にお
いて、処理対象基板の中心と正対し、かつ処理対象基板
の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向き
に処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺
の第１管体を採用し、前記オーバーフロー処理槽の底部
として、長尺の第１管体の処理用流体吐出口を含む所定
範囲を包囲すべく外方に突出する突出空間を有するもの
を採用し、この突出空間の処理槽内部側を狭幅に設定し
たものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, comprising: an overflow processing tank having a predetermined shape; a substrate support for supporting a plurality of substrates to be processed in the overflow processing tank in parallel with each other; A fluid supply unit for supplying a processing fluid into the tank, wherein the fluid supply unit is located near the bottom of the overflow processing tank, facing the center of the substrate to be processed, and the direction in which the substrates to be processed are arranged. A long first tube having a processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward is employed as the bottom of the overflow processing tank. And a projecting space that protrudes outward to surround a predetermined range including the processing fluid discharge port, and the width of the projecting space inside the processing tank is set to be narrow.
【００１３】請求項２の基板処理装置は、前記長尺の第
１管体を基準として互いに対称な位置に、下向きに処理
用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第２
管体をさらに有するものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a long processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward at a position symmetrical with respect to the long first tubular body.
It further has a tubular body.
【００１４】請求項３の基板処理装置は、所定形状のオ
ーバーフロー処理槽と、オーバーフロー処理槽内に複数
枚の処理対象基板を互いに平行に支持する基板支持部
と、オーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給する流
体供給部とを含むものであって、前記流体供給部は、オ
ーバーフロー処理槽の底部近傍において、処理対象基板
の中心と正対し、かつ処理対象基板の並び方向に延びる
ように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出
する処理用流体吐出口を有する長尺の第１管体であり、
この第１管体から吐出された処理用流体を中央部に導き
ながら上方に導く１対の整流板を有するものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, comprising: an overflow processing tank having a predetermined shape; a substrate supporter for supporting a plurality of substrates to be processed in the overflow processing tank in parallel with each other; And a fluid supply unit for supplying the fluid supply unit, wherein the fluid supply unit is disposed so as to face the center of the substrate to be processed and extend in the direction in which the substrates to be processed are arranged in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank. A long first tubular body having a processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward.
It has a pair of straightening plates for guiding the processing fluid discharged from the first tube body upward while guiding it to the center.
【００１５】請求項４の基板処理装置は、前記１対の整
流板として、第１管体を基準として互いに対象な位置に
おいてオーバーフロー処理槽の底面から斜め上方に延び
るように設けられたものを採用するものである。According to a fourth aspect of the present invention, the pair of straightening plates are provided so as to extend obliquely upward from the bottom surface of the overflow processing tank at positions symmetrical to each other with respect to the first pipe body. Is what you do.
【００１６】請求項５の基板処理装置は、前記長尺の第
１管体を基準として互いに対称、かつ整流板よりも外側
の所定位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流
体吐出口を有する長尺の第２管体をさらに有しているも
のである。A substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the processing fluid discharge port discharges the processing fluid downward at a predetermined position symmetrical to each other with respect to the long first tubular body and outside the rectifying plate. And a long second tubular body having the following.
【００１７】請求項６の基板処理装置は、前記１対の整
流板として、第２管体から吐出された処理用流体をオー
バーフロー処理槽の中央部に導きながら上方に導く外面
形状を有するものを採用するものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the pair of rectifying plates has an outer surface shape that guides the processing fluid discharged from the second pipe body upward while guiding the processing fluid to the center of the overflow processing tank. To adopt.
【００１８】請求項７の基板処理装置は、前記１対の整
流板により区画される各空間に対応させてオーバーフロ
ー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設けたも
のである。According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, a processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank so as to correspond to each space defined by the pair of current plates.
【００１９】請求項８の基板処理装置は、前記１対の整
流板により包囲される空間のみに対応させてオーバーフ
ロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設け、
各整流板の下部所定位置に処理用流体の流動を許容する
流動許容開口を形成したものである。In the substrate processing apparatus according to the present invention, a processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank so as to correspond to only the space surrounded by the pair of current plates.
A flow permitting opening for permitting the flow of the processing fluid is formed at a predetermined position below each straightening plate.
【００２０】[0020]
【作用】請求項１の基板処理装置であれば、所定形状の
オーバーフロー処理槽内に基板支持部により複数枚の処
理対象基板を互いに平行に支持した状態において、流体
供給部によりオーバーフロー処理槽内に処理用流体を供
給することによって複数枚の基板の処理を行うに当たっ
て、前記流体供給部としての、オーバーフロー処理槽の
底部近傍において、処理対象基板の中心と正対し、かつ
処理対象基板の並び方向に延びるように配置されるとと
もに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口
を有する長尺の第１管体を、前記オーバーフロー処理槽
の底部に設けた突出空間に対して、長尺の第１管体の処
理用流体吐出口を含む所定範囲を包囲される状態で配置
し、この突出空間の処理槽内部側を狭幅に設定している
ので、第１管体から吐出された処理用流体が一旦突出空
間に保持された後、狭幅部分を通してオーバーフロー処
理槽内に吐出されるることに起因して、基板の中央部に
対応する部分における流速を十分に大きくすることがで
き、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理すること
ができる。また、第１管体が１本のみでよいから、構成
を簡単化することができるとともに、小形化することが
できる。According to the substrate processing apparatus of the present invention, in a state where a plurality of substrates to be processed are supported in parallel with each other by the substrate support in the overflow processing tank of a predetermined shape, the fluid supply unit enters the overflow processing tank. In performing processing of a plurality of substrates by supplying a processing fluid, in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank as the fluid supply unit, facing the center of the processing target substrate, and in the direction in which the processing target substrates are arranged. A long first pipe body having a processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward is disposed so as to extend, and a protruding space provided at the bottom of the overflow processing tank is elongated. A predetermined range including the processing fluid discharge port of the first tubular body is arranged in a state of being surrounded, and the inner side of the processing tank of this protruding space is set to a narrow width. After the discharged processing fluid is once held in the protruding space, it is discharged into the overflow processing tank through the narrow portion, so that the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate is sufficiently increased. Thus, the entire surface of the substrate can be treated substantially uniformly. In addition, since only one first tube is required, the configuration can be simplified and the size can be reduced.
【００２１】請求項２の基板処理装置であれば、前記長
尺の第１管体を基準として互いに対称な位置に、下向き
に処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺
の第２管体をさらに有するのであるから、複数種類の処
理用流体を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の
処理を行う場合に、第１管体、第２管体により互いに異
なる処理用流体を供給することができ、このようにする
ことにより、洗浄所要時間を短縮することができるとと
もに、洗浄用流体の必要量を少なくすることができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a long processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward at a position symmetric with respect to the long first tube body. Since two substrates are further provided, when a plurality of types of processing fluids are sequentially supplied to the overflow processing tank to process the substrate, different processing fluids are supplied by the first and second tubes. By doing so, the time required for cleaning can be shortened, and the required amount of the cleaning fluid can be reduced.
【００２２】請求項３の基板処理装置であれば、所定形
状のオーバーフロー処理槽内に基板支持部により複数枚
の処理対象基板を互いに平行に支持した状態において、
流体供給部によりオーバーフロー処理槽内に処理用流体
を供給することによって複数枚の基板の処理を行うに当
たって、前記流体供給部としての、オーバーフロー処理
槽の底部近傍において、処理対象基板の中心と正対し、
かつ処理対象基板の並び方向に延びるように配置される
とともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐
出口を有する長尺の第１管体に対して、この第１管体か
ら吐出された処理用流体を中央部に導きながら上方に導
く１対の整流板を有するのであるから、基板の中央部に
対応する部分における流速を十分に大きくすることがで
き、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理すること
ができる。また、第１管体が１本のみでよいから、構成
を簡単化することができるとともに、小形化することが
できる。According to the substrate processing apparatus of the third aspect, in a state where a plurality of substrates to be processed are supported in parallel with each other by a substrate supporting portion in an overflow processing tank having a predetermined shape,
In processing a plurality of substrates by supplying a processing fluid into the overflow processing tank by the fluid supply unit, the fluid supply unit, in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank, faces the center of the substrate to be processed. ,
In addition, the liquid is discharged from the first pipe to a long first pipe which is disposed so as to extend in the direction in which the substrates to be processed are arranged and has a processing fluid discharge port for discharging the processing fluid downward. Since the processing fluid has a pair of straightening plates for guiding the processing fluid upward while guiding it to the central portion, the flow velocity at the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and thus the entire surface of the substrate can be reduced. It can be processed almost uniformly. In addition, since only one first tube is required, the configuration can be simplified and the size can be reduced.
【００２３】請求項４の基板処理装置であれば、前記１
対の整流板として、第１管体を基準として互いに対象な
位置においてオーバーフロー処理槽の底面から斜め上方
に延びるように設けられたものを採用するのであるか
ら、オーバーフロー処理槽を大型化することなく、請求
項３と同様の作用を達成することができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus,
Since a pair of straightening plates are provided so as to extend obliquely upward from the bottom surface of the overflow processing tank at positions symmetrical to each other with respect to the first pipe body, the overflow processing tank is not increased in size. The same operation as the third aspect can be achieved.
【００２４】請求項５の基板処理装置であれば、前記長
尺の第１管体を基準として互いに対称、かつ整流板より
も外側の所定位置に、下向きに処理用流体を吐出する処
理用流体吐出口を有する長尺の第２管体をさらに有して
いるのであるから、複数種類の処理用流体を順次オーバ
ーフロー処理槽に供給して基板の処理を行う場合に、第
１管体、第２管体により互いに異なる処理用流体を供給
することができ、このようにすることにより、洗浄所要
時間を短縮することができるとともに、洗浄用流体の必
要量を少なくすることができる。According to a fifth aspect of the present invention, the processing fluid discharges the processing fluid downward at a predetermined position symmetrical to each other with respect to the long first tubular body and outside the rectifying plate. Since it further has a long second pipe having a discharge port, when a plurality of types of processing fluids are sequentially supplied to the overflow processing tank to process the substrate, the first pipe and the second pipe are used. Different processing fluids can be supplied to each other by the two pipes. By doing so, the required cleaning time can be shortened and the required amount of the cleaning fluid can be reduced.
【００２５】請求項６の基板処理装置であれば、前記１
対の整流板として、第２管体から吐出された処理用流体
をオーバーフロー処理槽の中央部に導きながら上方に導
く外面形状を有するものを採用するのであるから、第２
管体から吐出される処理用流体の、基板の中央部に対応
する部分における流速を十分に大きくすることができ、
ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することがで
きるほか、請求項５と同様の作用を達成することができ
る。According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus,
As the pair of flow regulating plates, those having an outer surface shape for guiding the processing fluid discharged from the second pipe body upward while guiding the processing fluid to the central portion of the overflow processing tank are adopted.
The flow rate of the processing fluid discharged from the tube at a portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased,
As a result, the entire surface of the substrate can be treated substantially uniformly, and the same effect as that of the fifth aspect can be achieved.
【００２６】請求項７の基板処理装置であれば、前記１
対の整流板により区画される各空間に対応させてオーバ
ーフロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設
けているので、処理後においてオーバーフロー処理槽か
らの残留流体の排出を達成することができるほか、請求
項３から請求項６の何れかと同様の作用を達成すること
ができる。[0027] In the substrate processing apparatus according to the present invention, the above-mentioned 1
Since the processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank corresponding to each space defined by the pair of straightening plates, it is possible to achieve discharge of residual fluid from the overflow processing tank after processing. Besides, the same operation as any one of claims 3 to 6 can be achieved.
【００２７】請求項８の基板処理装置であれば、前記１
対の整流板により包囲される空間のみに対応させてオー
バーフロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を
設け、各整流板の下部所定位置に処理用流体の流動を許
容する流動許容開口を形成しているので、処理用流体排
出管の数を１つのみにすることができ、しかも請求項３
から請求項６の何れかと同様の作用を達成することがで
きる。[0027] In the substrate processing apparatus of the eighth aspect, the above-mentioned 1
A processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank so as to correspond only to the space surrounded by the pair of straightening plates, and a flow permitting opening for allowing the flow of the processing fluid is provided at a predetermined position below each straightening plate. Since it is formed, the number of processing fluid discharge pipes can be reduced to only one.
Accordingly, the same function as any one of claims 6 can be achieved.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、この
発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the substrate processing apparatus of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００２９】図１はこの発明の基板処理装置の一実施態
様を概略的に示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【００３０】この基板処理装置は、オーバーフロー処理
槽１と、オーバーフロー処理槽１の底部に設けた丸パイ
プ状の第１処理液供給管２と、この第１処理液供給管２
のやや上方に設けた整流板４と、整流板４の上方に並列
に立設させられた状態で支承された複数枚の処理対象基
板５（例えば、半導体ウエハー）と、オーバーフロー処
理槽１から処理液を抜き取るためのドレン管６とを有し
ている。The substrate processing apparatus includes an overflow processing tank 1, a first processing liquid supply pipe 2 having a round pipe shape provided at the bottom of the overflow processing tank 1, and a first processing liquid supply pipe 2.
A current plate 4 provided slightly above the current plate, a plurality of substrates 5 (for example, semiconductor wafers) supported in a state of being erected in parallel above the current plate 4, and And a drain pipe 6 for draining the liquid.
【００３１】前記オーバーフロー処理槽１は、複数枚の
処理対象基板５の中心軸線を含む垂直面を基準として、
その下部が絞り込まれた形状を有し、底壁の中央部に、
上部が狭幅に形成され、かつ第１処理液供給管２の吐出
口を包囲する突出空間１ａが形成されている。この突出
空間１ａは、図１に示すように断面台形状であってもよ
いが、断面がほぼ円形（図２参照）など、他の形状であ
ってもよく、要は、内部の処理液を中央に集中させつつ
上方に吐出できるものであればよい。そして、狭幅部の
幅は、複数枚の処理対象基板５の中心軸線に向かう処理
液の流速が所定の流速になるように設定されている。The overflow processing tank 1 is provided on the basis of a vertical plane including the central axis of a plurality of substrates 5 to be processed.
The lower part has a narrowed shape, and in the center of the bottom wall,
An upper portion is formed to have a narrow width, and a projecting space 1 a surrounding the discharge port of the first processing liquid supply pipe 2 is formed. The projecting space 1a may have a trapezoidal cross section as shown in FIG. 1, but may have another shape such as a substantially circular cross section (see FIG. 2). What is necessary is just to be able to discharge upward while being concentrated at the center. The width of the narrow portion is set such that the flow rate of the processing liquid toward the central axis of the plurality of processing target substrates 5 becomes a predetermined flow rate.
【００３２】前記第１処理液供給管２は、複数枚の処理
対象基板５の中心軸線を含む垂直面内に位置するように
処理槽１の底部中央位置に設けられ、しかも、処理液を
斜め下向きに吐出すべく吐出口の位置が設定されてい
る。The first processing liquid supply pipe 2 is provided at the center of the bottom of the processing tank 1 so as to be located in a vertical plane including the central axis of a plurality of substrates 5 to be processed. The position of the discharge port is set so as to discharge downward.
【００３３】前記整流板４は、処理液の通過を許容する
多数の貫通孔を有する板材である。The rectifying plate 4 is a plate material having a large number of through holes that allow the passage of the processing liquid.
【００３４】そして、処理液タンク（図示せず）からの
処理液を、ポンプ、フィルタ、およびバルブを介在させ
た配管（図示せず）を通して第１処理液供給管２に供給
している。The processing liquid from a processing liquid tank (not shown) is supplied to the first processing liquid supply pipe 2 through a pipe (not shown) having a pump, a filter, and a valve interposed.
【００３５】上記の構成の基板処理装置の作用は次の通
りである。The operation of the substrate processing apparatus having the above configuration is as follows.
【００３６】第１処理液供給管２から吐出される処理液
は突出空間１ａ内において斜め外下向きに導かれ、狭幅
部から上方に向かって吐出される。そして、オーバーフ
ロー処理槽１内の処理液量が徐々に増加し、遂にはオー
バーフロー処理槽１からオーバーフローする状態にな
る。The processing liquid discharged from the first processing liquid supply pipe 2 is guided obliquely outward and downward in the protruding space 1a, and is discharged upward from the narrow portion. Then, the amount of the processing liquid in the overflow processing tank 1 gradually increases, and finally, the overflow processing tank 1 overflows.
【００３７】この状態において、オーバーフロー処理槽
１に収容された複数枚の処理対象基板５は処理液に浸漬
された状態であり、しかも、処理液は絶えず突出空間１
ａの狭幅部から上方に向かって吐出され続ける。In this state, the plurality of substrates 5 to be processed accommodated in the overflow processing tank 1 are in a state of being immersed in the processing liquid, and the processing liquid is constantly in the projecting space 1.
The liquid is continuously discharged upward from the narrow portion a.
【００３８】したがって、図１中に上向き矢印で示すよ
うに、処理対象基板５の中央部に対応する流速が最も大
きくなり、理想的な流速分布に近似できるので、流体抵
抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板５の中央部に十
分な量の処理液を供給して、処理対象基板５の表面をほ
ぼ均一に処理する（例えば、洗浄処理などを行う）こと
ができる。Therefore, as shown by the upward arrow in FIG. 1, the flow velocity corresponding to the central portion of the substrate 5 to be processed becomes maximum, and the flow velocity can be approximated to an ideal flow velocity distribution. By supplying a sufficient amount of the processing liquid to the central portion of the processing target substrate 5, the surface of the processing target substrate 5 can be processed substantially uniformly (for example, a cleaning process is performed).
【００３９】また、第１処理液供給管２を１本設けるだ
けでよいから、構成を簡単化することができるととも
に、小形化することができる。Further, since only one first processing liquid supply pipe 2 is required, the structure can be simplified and the size can be reduced.
【００４０】さらに、図１に示す構成の基板処理装置
は、１種類の処理液のみを供給するようにした基板処理
に好適であるが、２種類の処理液を順次供給するように
した基板処理に適用することもできる。ただし、後者の
場合には、処理液を切り替えるに当たって第１処理液供
給管２および配管の内部を洗浄しなければならないの
で、洗浄所要時間が長くなるとともに、洗浄液の必要量
が多くなる。したがって、この場合には、図３に示す構
成の基板処理装置を採用することにより、洗浄所要時間
が長くなるとともに、洗浄液の必要量が多くなるという
不都合の発生を未然に防止することができる。Further, the substrate processing apparatus having the structure shown in FIG. 1 is suitable for the substrate processing in which only one type of processing liquid is supplied, but the substrate processing apparatus in which two types of processing liquid are sequentially supplied. It can also be applied to However, in the latter case, since the inside of the first processing liquid supply pipe 2 and the inside of the pipe must be cleaned before switching the processing liquid, the required cleaning time increases and the required amount of the cleaning liquid increases. Therefore, in this case, by employing the substrate processing apparatus having the configuration shown in FIG. 3, it is possible to prevent the disadvantage that the cleaning time is increased and the required amount of the cleaning liquid is increased.
【００４１】図３に示す基板処理装置が図１に示す基板
処理装置と異なる点は、複数枚の処理対象基板５の中心
軸線と平行に延びるように処理槽１の端部寄り所定位置
に設けられ、しかも、処理液を斜め下向きに吐出すべく
吐出口の位置が設定された第２処理液供給管３をさらに
設けた点のみである。もちろん、図４に示すように、第
１処理液供給管２に対応させて、該当する処理液を供給
するための処理液タンク（図示せず）およびバルブ２ｂ
を介在させた配管２ａが設けられているとともに、第２
処理液供給管３に対応させて、該当する処理液を供給す
るための処理液タンク（図示せず）およびバルブ３ｂを
介在させた配管３ａが設けられている。また、ドレン管
６に対応させて、バルブ６ｂを介在させた配管６ａが設
けられている。The substrate processing apparatus shown in FIG. 3 is different from the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 in that the substrate processing apparatus is provided at a predetermined position near the end of the processing tank 1 so as to extend in parallel with the central axis of a plurality of substrates 5 to be processed. The only difference is that a second processing liquid supply pipe 3 having a discharge port set to discharge the processing liquid obliquely downward is further provided. Of course, as shown in FIG. 4, a processing liquid tank (not shown) and a valve 2b for supplying a corresponding processing liquid corresponding to the first processing liquid supply pipe 2 are provided.
Pipe 2a is provided with
Corresponding to the processing liquid supply pipe 3, a processing liquid tank (not shown) for supplying the processing liquid and a pipe 3a with a valve 3b interposed therebetween are provided. In addition, a pipe 6a with a valve 6b interposed is provided corresponding to the drain pipe 6.
【００４２】この構成の基板処理装置を採用した場合に
は、第１の処理液を第１処理液供給管２を通して供給
し、次いで第２の処理液を第２処理液供給管３を通して
供給することによって処理対象基板５の処理を行うこと
ができる。なお、第２の処理液によって処理対象基板５
の処理を開始した後は、バルブ６ｂを僅かに開いてドレ
ン管６および配管６ａを通して内部の処理液を少しづつ
排出することによって、第１処理液供給管２から漏出す
る第１の処理液による影響を排除することができる。When the substrate processing apparatus having this configuration is employed, the first processing liquid is supplied through the first processing liquid supply pipe 2 and then the second processing liquid is supplied through the second processing liquid supply pipe 3. Thus, the processing of the processing target substrate 5 can be performed. Note that the substrate 5 to be processed is treated with the second processing liquid.
After the processing is started, the valve 6b is slightly opened to gradually discharge the internal processing liquid through the drain pipe 6 and the pipe 6a, so that the first processing liquid leaking from the first processing liquid supply pipe 2 is used. The effect can be eliminated.
【００４３】したがって、オーバーフロー処理槽１に供
給すべき処理液を切り替える場合には、単に供給系統を
切り替えるだけでよいから、洗浄所要時間を短縮するこ
とができるとともに、洗浄液の所要量を少なくすること
ができる。そして、この場合にも、各処理液に対応させ
て複数本の処理液供給管を設ける場合と比較して構成の
簡単化、および小形化を達成することができる。なお、
この場合には、両処理液の供給速度の差を小さくするた
めに、第１処理液供給管２の内径を第２処理液供給管３
の内径以下に設定することが好ましい。Therefore, when the processing liquid to be supplied to the overflow processing tank 1 is switched, it is only necessary to switch the supply system, so that the required cleaning time can be shortened and the required amount of the cleaning liquid is reduced. Can be. Also in this case, the configuration can be simplified and downsized as compared with the case where a plurality of processing liquid supply pipes are provided corresponding to each processing liquid. In addition,
In this case, in order to reduce the difference between the supply speeds of the two processing liquids, the inner diameter of the first processing liquid supply pipe 2 is changed to the second processing liquid supply pipe 3.
Is preferably set to be equal to or less than the inner diameter of
【００４４】もちろん、図３に示す構成の基板処理装置
において、第１処理液供給管２および第２処理液供給管
３を通して同じ処理液を供給することも可能である。こ
の場合には、洗浄所要時間の短縮、洗浄液必要量の低減
を達成することができないが、図２中に上向き矢印で示
すように、処理対象基板５の中央部に対応する流速が最
も大きくなり、理想的な流速分布により一層近似できる
ので、流体抵抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板５
の中央部に十分な量の処理液を供給して、処理対象基板
５の表面をほぼ均一に処理することができる。なお、こ
の場合には、第１処理液供給管２の内径を第２処理液供
給管３の内径以上に設定することが好ましい。Of course, in the substrate processing apparatus having the structure shown in FIG. 3, the same processing liquid can be supplied through the first processing liquid supply pipe 2 and the second processing liquid supply pipe 3. In this case, it is not possible to achieve a reduction in the time required for cleaning and a reduction in the required amount of cleaning liquid. However, as indicated by an upward arrow in FIG. 2, the flow velocity corresponding to the central portion of the substrate 5 to be processed becomes the largest. Since the flow velocity can be more approximated by the ideal flow velocity distribution, the processing target substrate 5 can be obtained despite the large fluid resistance.
By supplying a sufficient amount of processing liquid to the central portion of the substrate 5, the surface of the processing target substrate 5 can be processed substantially uniformly. In this case, it is preferable to set the inner diameter of the first processing liquid supply pipe 2 to be equal to or larger than the inner diameter of the second processing liquid supply pipe 3.
【００４５】図５はこの発明の基板処理装置のさらに他
の実施態様を概略的に示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【００４６】この基板処理装置は、オーバーフロー処理
槽１と、オーバーフロー処理槽１の底部中央部に設けた
丸パイプ状の第１処理液供給管２と、第１処理液供給管
２を基準として互いに対称になるようにオーバーフロー
処理槽１の底部に設けた丸パイプ状の第２処理液供給管
３と、これらの第１処理液供給管２、第２処理液供給管
３のやや上方に設けた整流板４と、整流板４の上方に並
列に立設させられた状態で支承された複数枚の処理対象
基板５（例えば、半導体ウエハー）と、オーバーフロー
処理槽１から処理液を抜き取るためのドレン管６と、第
１処理液供給管２の吐出口を包囲するとともに、第１処
理液供給管２から吐出される処理用流体を中央に導きな
がら上方に導き、第２処理液供給管３から吐出される処
理用流体を中央に導きながら上方に導く１対の流速調整
板７とを有している。The substrate processing apparatus includes an overflow processing tank 1, a first processing liquid supply pipe 2 having a round pipe shape provided at the bottom center of the overflow processing tank 1, and a first processing liquid supply pipe 2. A round pipe-shaped second processing liquid supply pipe 3 provided at the bottom of the overflow processing tank 1 so as to be symmetrical, and provided slightly above the first processing liquid supply pipe 2 and the second processing liquid supply pipe 3. A current plate 4, a plurality of substrates 5 (for example, semiconductor wafers) supported in a state of being erected in parallel above the current plate 4, and a drain for draining a processing liquid from the overflow processing tank 1. While surrounding the pipe 6 and the discharge port of the first processing liquid supply pipe 2, the processing fluid discharged from the first processing liquid supply pipe 2 is guided upward while being guided to the center, and from the second processing liquid supply pipe 3. Centering the discharged processing fluid And a flow rate adjusting plate 7 a pair of leads upward while come.
【００４７】図６は各流速調整板７の構成を示す側面図
である。FIG. 6 is a side view showing the structure of each flow rate adjusting plate 7.
【００４８】この流速調整板７は、例えば、下部に所定
間隔毎に方形の流体流動許容部７ａを有するものであっ
てもよいが｛図６中（ａ）参照｝、長尺の流体流動許容
部７ｂを有するものであってもよく｛図６中（ｃ）参
照｝、さらに所定間隔毎に円形の流体流動許容部７ｃを
有するものであってもよい｛図６中（ｂ）参照｝。The flow rate adjusting plate 7 may have, for example, rectangular fluid flow permitting portions 7a at predetermined intervals at a lower portion (see FIG. 6 (a)). It may have a portion 7b (see (c) in FIG. 6), and may further have a circular fluid flow permitting portion 7c at predetermined intervals (see (b) in FIG. 6).
【００４９】この実施態様を採用した場合には、第１処
理液供給管２から処理液（例えば、フッ酸）を供給する
ことにより、１対の流速調整板７によって、図５中に上
向き矢印で示すように、中央部における流速を最も大き
くすることができ、流体抵抗が大きいにも拘わらず、処
理対象基板５の中央部に十分な量の処理液を供給して、
処理対象基板５の表面をほぼ均一に処理することができ
る。When this embodiment is adopted, a processing liquid (for example, hydrofluoric acid) is supplied from the first processing liquid supply pipe 2 so that the pair of flow rate adjusting plates 7 causes an upward arrow in FIG. As shown by, the flow velocity in the central portion can be maximized, and despite the large fluid resistance, a sufficient amount of the processing liquid is supplied to the central portion of the substrate 5 to be processed.
The surface of the processing target substrate 5 can be processed substantially uniformly.
【００５０】そして、基板５の処理が終了した後は、第
１処理液供給管２からの処理液の供給を停止するととも
に、ドレン管６を通して処理液を排出する。この場合に
おいて、流速調整板７の下部には流体流動許容部が設け
られているので、流速調整板７よりも外側の空間の処理
液が流速調整板７により包囲される空間に移動し、ドレ
ン管６を通して確実に排出される。After the processing of the substrate 5 is completed, the supply of the processing liquid from the first processing liquid supply pipe 2 is stopped, and the processing liquid is discharged through the drain pipe 6. In this case, since the fluid flow permitting portion is provided below the flow rate adjusting plate 7, the processing liquid in the space outside the flow rate adjusting plate 7 moves to the space surrounded by the flow rate adjusting plate 7, and the drainage is performed. It is reliably discharged through the pipe 6.
【００５１】その後は、第２処理液供給管３から異なる
処理液（例えば、純水）を供給することにより、１対の
流速調整板７によって、図５中に上向き矢印で示すよう
に、中央部における流速を最も大きくすることができ、
流体抵抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板５の中央
部に十分な量の処理液を供給して、処理対象基板５の表
面をほぼ均一に処理することができる。Thereafter, different processing liquids (for example, pure water) are supplied from the second processing liquid supply pipe 3 so that a pair of flow rate adjusting plates 7 are used to supply the processing liquid to the center as shown by the upward arrow in FIG. The flow velocity in the section can be maximized,
Despite the large fluid resistance, a sufficient amount of the processing liquid is supplied to the central portion of the processing target substrate 5 so that the surface of the processing target substrate 5 can be processed substantially uniformly.
【００５２】そして、基板５の処理が終了した後は、第
２処理液供給管３からの処理液の供給を停止するととも
に、ドレン管６を通して処理液を排出する。After the processing of the substrate 5 is completed, the supply of the processing liquid from the second processing liquid supply pipe 3 is stopped, and the processing liquid is discharged through the drain pipe 6.
【００５３】図７はこの発明の基板処理装置のさらに他
の実施態様を示す縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【００５４】この基板処理装置が図５の基板処理装置と
異なる点は、１対の流速調整板７として流体流動許容部
を有していないものを採用するとともに、１対の流速調
整板７により区画される３つの空間のそれぞれに対応さ
せてドレン管６を設けた点のみである。This substrate processing apparatus is different from the substrate processing apparatus shown in FIG. 5 in that a pair of flow velocity adjusting plates 7 which do not have a fluid flow permitting portion are employed and a pair of flow velocity adjusting plates 7 are used. The only difference is that a drain pipe 6 is provided corresponding to each of the three divided spaces.
【００５５】この構成の基板処理装置を採用した場合に
は、ドレン管６の数が多いことに起因して構成の複雑
化、コストアップを招いてしまうが、図５の基板処理装
置と同様に基板処理を行うことができる。When the substrate processing apparatus having this configuration is employed, the configuration is complicated and the cost is increased due to the large number of drain pipes 6. However, similar to the substrate processing apparatus of FIG. Substrate processing can be performed.
【００５６】図５または図７の基板処理装置を用いて処
理液を供給し、処理液の流量（ｌ／ｍｉｎ）を増加させ
て処理液の流れの状態を監視したところ、図８中（ａ）
（ｃ）に示すように、流量が４０（ｌ／ｍｉｎ）までの
範囲において処理液の流れが定常状態であり、基板表面
の均一な処理を達成することができるとともに、所要時
間を短縮することができる。これに対して、流速調整板
を設けていない基板処理装置において同様にして処理液
の流れを監視したところ、図８中（ｂ）（ｄ）に示すよ
うに、流量が約３０（ｌ／ｍｉｎ）までの範囲、約２５
（ｌ／ｍｉｎ）までの範囲において処理液の流れが定常
状態であり、これら以上の範囲において処理液の流れが
非定常状態になるので、流量を抑制することによっての
み基板表面の均一な処理を達成することができ、所要時
間が長くなってしまう。When the processing liquid was supplied using the substrate processing apparatus shown in FIG. 5 or 7, and the flow rate (l / min) of the processing liquid was increased to monitor the state of the flow of the processing liquid, FIG. )
As shown in (c), the flow of the processing liquid is in a steady state in a flow rate range up to 40 (l / min), thereby achieving uniform processing of the substrate surface and shortening the required time. Can be. On the other hand, when the flow of the processing liquid was monitored in the same manner in the substrate processing apparatus having no flow rate adjusting plate, the flow rate was about 30 (l / min) as shown in FIGS. ), About 25
The flow of the processing liquid is in a steady state in the range up to (l / min), and the flow of the processing liquid is in an unsteady state in the range above these ranges. Can be achieved and the time required will be longer.
【００５７】なお、図８中（ａ）（ｂ）は第１処理液供
給管２から処理液を供給する場合を、図８中（ｃ）
（ｄ）は第２処理液供給管３から処理液を供給する場合
を、それぞれ示している。FIGS. 8A and 8B show the case where the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply pipe 2, and FIG.
(D) shows a case where the processing liquid is supplied from the second processing liquid supply pipe 3.
【００５８】したがって、流速調整板を設けることによ
り、定常状態を確保できる流量の上限を高めることがで
きる。Therefore, by providing the flow velocity adjusting plate, the upper limit of the flow rate at which a steady state can be ensured can be increased.
【００５９】前記流速調整板７としては、図９中（ａ）
に示すように、下端部から上端部に至るまで厚みを一定
に設定したもの、図９中（ｂ）に示すように、下端部か
ら上端部に向かって厚みが徐々に小さくなるようにした
もの、図９中（ｃ）に示すように、下端部から上端部に
向かって厚みが徐々に大きくなるようにしたものが例示
でき、同様の作用を達成できる。The flow rate adjusting plate 7 is shown in FIG.
As shown in FIG. 9, the thickness is set to be constant from the lower end to the upper end, and as shown in FIG. 9B, the thickness is gradually reduced from the lower end to the upper end. As shown in FIG. 9 (c), a structure in which the thickness gradually increases from the lower end toward the upper end can be exemplified, and the same operation can be achieved.
【００６０】図５、図７、図９においては、内面および
外面の双方が平面に形成された流速調整板を採用してい
るが、図１０中（ａ）に示すように内面を凸面状に形成
すること、図１０中（ｂ）に示すように内面を凹面状に
形成すること、図１１中（ａ）に示すように外面を凹面
状に形成すること、図１１中（ｂ）に示すように外面を
凸面状に形成することが可能である。もちろん、これら
の任意の形状を組み合わせることも可能である。In FIG. 5, FIG. 7, and FIG. 9, the flow rate adjusting plate in which both the inner surface and the outer surface are formed in a plane is adopted. However, as shown in FIG. Forming, forming the inner surface into a concave shape as shown in FIG. 10 (b), forming the outer surface into a concave shape as shown in FIG. 11 (a), and as shown in FIG. 11 (b). Thus, the outer surface can be formed in a convex shape. Of course, it is also possible to combine these arbitrary shapes.
【００６１】さらに、流速調整板７とオーバーフロー処
理槽１の底面との境界部においては、図１２に示すよう
に、底面と流速調整板の内面、外面とを滑らかにＲを付
けた状態で溶接することが好ましく、処理液の流れをス
ムーズにすることができる。Further, at the boundary between the flow rate adjusting plate 7 and the bottom surface of the overflow treatment tank 1, as shown in FIG. 12, the bottom surface and the inner surface and the outer surface of the flow rate adjusting plate are welded in a state where R is smoothly added. Preferably, the flow of the processing liquid can be made smooth.
【００６２】[0062]
【発明の効果】請求項１の発明は、基板の中央部に対応
する部分における流速を十分に大きくすることができ、
ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することがで
き、また、第１管体が１本のみでよいから、構成を簡単
化することができるとともに、小形化することができる
という特有の効果を奏する。According to the first aspect of the present invention, it is possible to sufficiently increase the flow velocity at a portion corresponding to the central portion of the substrate,
As a result, the entire surface of the substrate can be treated substantially uniformly, and since only one first tube is required, the structure can be simplified and the size can be reduced. To play.
【００６３】請求項２の発明は、複数種類の処理用流体
を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の処理を行
う場合に、第１管体、第２管体により互いに異なる処理
用流体を供給することができ、このようにすることによ
り、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗
浄用流体の必要量を少なくすることができるという特有
の効果を奏する。According to a second aspect of the present invention, when a plurality of types of processing fluids are sequentially supplied to the overflow processing tank to process a substrate, different processing fluids are supplied by the first pipe and the second pipe. By doing so, it is possible to shorten the time required for cleaning and to achieve a specific effect that the required amount of the cleaning fluid can be reduced.
【００６４】請求項３の発明は、基板の中央部に対応す
る部分における流速を十分に大きくすることができ、ひ
いては、基板の全表面をほぼ均一に処理することがで
き、しかも、第１管体が１本のみでよいから、構成を簡
単化することができるとともに、小形化することができ
るという特有の効果を奏する。According to the third aspect of the present invention, the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate can be made sufficiently large, and the entire surface of the substrate can be treated almost uniformly. Since only one body is required, it is possible to simplify the configuration and to achieve a unique effect that the size can be reduced.
【００６５】請求項４の発明は、オーバーフロー処理槽
を大型化することなく、請求項３と同様の効果を奏す
る。According to the fourth aspect of the invention, the same effects as those of the third aspect can be obtained without increasing the size of the overflow treatment tank.
【００６６】請求項５の発明は、複数種類の処理用流体
を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の処理を行
う場合に、第１管体、第２管体により互いに異なる処理
用流体を供給することができ、このようにすることによ
り、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗
浄用流体の必要量を少なくすることができるという特有
の効果を奏する。According to a fifth aspect of the present invention, when a plurality of types of processing fluids are sequentially supplied to an overflow processing tank to process a substrate, different processing fluids are supplied by a first pipe and a second pipe. By doing so, it is possible to shorten the time required for cleaning and to achieve a specific effect that the required amount of the cleaning fluid can be reduced.
【００６７】請求項６の発明は、第２管体から吐出され
る処理用流体の、基板の中央部に対応する部分における
流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の
全表面をほぼ均一に処理することができるほか、請求項
５と同様の効果を奏する。According to the sixth aspect of the present invention, the flow rate of the processing fluid discharged from the second tubular body in the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and the entire surface of the substrate can be substantially reduced. In addition to uniform processing, the same effects as those of the fifth aspect can be obtained.
【００６８】請求項７の発明は、処理後においてオーバ
ーフロー処理槽からの残留流体の排出を達成することが
できるほか、請求項３から請求項６の何れかと同様の効
果を奏する。According to the seventh aspect of the present invention, the residual fluid can be discharged from the overflow processing tank after the processing, and the same effect as any of the third to sixth aspects can be obtained.
【００６９】請求項８の発明は、処理用流体排出管の数
を１つのみにすることができ、しかも請求項３から請求
項６の何れかと同様の効果を奏する。According to the eighth aspect of the present invention, the number of the processing fluid discharge pipes can be reduced to only one, and the same effect as any one of the third to sixth aspects can be obtained.
【図１】この発明の基板処理装置の一実施態様を概略的
に示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
【図２】突出空間の他の構成例を示す縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing another configuration example of the projecting space.
【図３】この発明の基板処理装置の他の実施態様を概略
的に示す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view schematically showing another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【図４】図３の基板処理装置に対する配管を示す配管系
統図である。FIG. 4 is a piping diagram showing piping for the substrate processing apparatus of FIG. 3;
【図５】この発明の基板処理装置のさらに他の実施態様
を概略的に示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【図６】流速調整板の側面図である。FIG. 6 is a side view of a flow rate adjusting plate.
【図７】この発明の基板処理装置のさらに他の実施態様
を概略的に示す縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view schematically showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【図８】処理液の流量（ｌ／ｍｉｎ）を増加させて処理
液の流れの状態を監視した結果を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a result of monitoring a flow state of a processing liquid by increasing a flow rate (l / min) of the processing liquid.
【図９】流速調整板の構成の例を示す正面図である。FIG. 9 is a front view showing an example of the configuration of the flow rate adjusting plate.
【図１０】流速調整板の内面の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of an inner surface of a flow rate adjusting plate.
【図１１】流速調整板の外面の例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of an outer surface of a flow velocity adjusting plate.
【図１２】流速調整板とオーバーフロー処理槽の底面と
の接合構造の一例を示す縦断面図である。FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing an example of a joint structure between a flow rate adjusting plate and a bottom surface of an overflow processing tank.
１ オーバーフロー処理槽 １ａ 突出空間 ２ 第１処理液供給管 ３ 第２処理液供給管 ５ 処理対象基板 ６ ドレン管 ７ 流速調整板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Overflow processing tank 1a Projecting space 2 First processing liquid supply pipe 3 Second processing liquid supply pipe 5 Substrate to be processed 6 Drain pipe 7 Flow velocity adjusting plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷲見 孝治 奈良県大和郡山市今国府町６の２ 東邦化 成株式会社内 (72)発明者 喜 冠南 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社金岡工場内 (72)発明者 大野 正雄 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社金岡工場内 (72)発明者 佐藤 義和 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社金岡工場内 (72)発明者 松本 隆夫 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社金岡工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Koji Sumi, Inventor 6-2, Imokunifu-cho, Yamatokoriyama-shi, Nara Prefecture Toho Kasei Co., Ltd. (72) Kiki Minami 1304, Kanaokacho, Sakai-shi, Osaka Daikin Industries (72) Inventor Masao Ohno 1304 Kanaokacho, Sakai City, Osaka Daikin Industries, Ltd.Kanaoka Factory (72) Inventor Yoshikazu Sato 1304, Kanaokacho, Sakai City, Osaka Daikin Industries, Ltd.Kanaoka Factory (72 Inventor Takao Matsumoto 1304 Kanaokacho, Sakai City, Osaka Daikin Industries, Ltd.
Claims (8)
と、オーバーフロー処理槽内に複数枚の処理対象基板
（５）を互いに平行に支持する基板支持部と、オーバー
フロー処理槽内に処理用流体を供給する流体供給部
（２）とを含む基板処理装置であって、 前記流体供給部（２）は、オーバーフロー処理槽（１）
の底部近傍において、処理対象基板（５）の中心と正対
し、かつ処理対象基板（５）の並び方向に延びるように
配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処
理用流体吐出口を有する長尺の第１管体（２）であり、
前記オーバーフロー処理槽（１）の底部は、長尺の第１
管体（２）の処理用流体吐出口を含む所定範囲を包囲す
べく外方に突出する突出空間（１ａ）を有し、この突出
空間（１ａ）は、処理槽内部側が狭幅に設定されている
ことを特徴とする基板処理装置。1. An overflow treatment tank having a predetermined shape.
A substrate support unit that supports a plurality of substrates to be processed (5) in an overflow processing tank in parallel with each other, and a fluid supply unit (2) that supplies a processing fluid into the overflow processing tank. The fluid supply unit (2) is an overflow treatment tank (1).
In the vicinity of the bottom of the processing fluid discharge port, which is disposed so as to face the center of the processing substrate (5) and extend in the direction in which the processing substrates (5) are arranged, and discharges the processing fluid downward. A long first tubular body (2) having
The bottom of the overflow treatment tank (1) is a long first
The tube (2) has a protruding space (1a) projecting outward to surround a predetermined range including the processing fluid discharge port, and the protruding space (1a) has a narrow width inside the processing tank. A substrate processing apparatus.
互いに対称な位置に、下向きに処理用流体を吐出する処
理用流体吐出口を有する長尺の第２管体（３）をさらに
有している請求項１に記載の基板処理装置。2. A long second tubular body (3) having a processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward at a position symmetric with respect to the long first tubular body (2). The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:
と、オーバーフロー処理槽内に複数枚の処理対象基板
（５）を互いに平行に支持する基板支持部と、オーバー
フロー処理槽内に処理用流体を供給する流体供給部
（２）とを含む基板処理装置であって、 前記流体供給部（２）は、オーバーフロー処理槽（１）
の底部近傍において、処理対象基板（５）の中心と正対
し、かつ処理対象基板（５）の並び方向に延びるように
配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処
理用流体吐出口を有する長尺の第１管体（２）であり、
この第１管体（２）から吐出された処理用流体を中央部
に導きながら上方に導く１対の流速調整板（７）を有す
ることを特徴とする基板処理装置。3. An overflow treatment tank having a predetermined shape.
A substrate support unit that supports a plurality of substrates to be processed (5) in an overflow processing tank in parallel with each other, and a fluid supply unit (2) that supplies a processing fluid into the overflow processing tank. The fluid supply unit (2) is an overflow treatment tank (1).
In the vicinity of the bottom of the processing fluid discharge port, which is disposed so as to face the center of the processing substrate (5) and extend in the direction in which the processing substrates (5) are arranged, and discharges the processing fluid downward. A long first tubular body (2) having
A substrate processing apparatus comprising: a pair of flow velocity adjusting plates (7) for guiding a processing fluid discharged from the first pipe (2) upward while guiding the processing fluid to a central portion.
体（２）を基準として互いに対象な位置においてオーバ
ーフロー処理槽（１）の底面から斜め上方に延びるよう
に設けられている請求項３に記載の基板処理装置。4. The pair of flow velocity adjusting plates (7) are provided so as to extend obliquely upward from the bottom surface of the overflow treatment tank (1) at positions symmetrical with each other with respect to the first pipe (2). The substrate processing apparatus according to claim 3.
互いに対称、かつ流速調整板（７）よりも外側の所定位
置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口
を有する長尺の第２管体（３）をさらに有している請求
項３または請求項４に記載の基板処理装置。5. A processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward at a predetermined position outside of the flow rate adjusting plate symmetrically with respect to the long first tube body (2). The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a long second tubular body having:
体（３）から吐出された処理用流体をオーバーフロー処
理槽（１）の中央部に導きながら上方に導く外面形状を
有している請求項５に記載の基板処理装置。6. The pair of flow rate adjusting plates (7) have an outer surface shape that guides the processing fluid discharged from the second pipe (3) upward while guiding the processing fluid to the center of the overflow processing tank (1). The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising:
される各空間に対応させてオーバーフロー処理槽（１）
の底部所定位置に処理用流体排出管（６）を設けている
請求項３から請求項６の何れかに記載の基板処理装置。7. An overflow processing tank (1) corresponding to each space defined by the pair of flow rate adjusting plates (7).
The substrate processing apparatus according to any one of claims 3 to 6, wherein a processing fluid discharge pipe (6) is provided at a predetermined position at the bottom of the substrate.
される空間のみに対応させてオーバーフロー処理槽
（１）の底部所定位置に処理用流体排出管（６）を設
け、各流速調整板（７）の下部所定位置に処理用流体の
流動を許容する流動許容開口（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）
を形成している請求項３から請求項６の何れかに記載の
基板処理装置。8. A processing fluid discharge pipe (6) is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank (1) so as to correspond only to a space surrounded by the pair of flow rate adjusting plates (7). Flow permitting openings (7a), (7b), (7c) for permitting the flow of the processing fluid at predetermined positions below the plate (7).
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate processing apparatus is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321105A JP3960457B2 (en) | 1999-10-27 | 2000-10-20 | Substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30564699 | 1999-10-27 | ||
| JP11-305646 | 1999-10-27 | ||
| JP2000321105A JP3960457B2 (en) | 1999-10-27 | 2000-10-20 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196343A true JP2001196343A (en) | 2001-07-19 |
| JP3960457B2 JP3960457B2 (en) | 2007-08-15 |
Family
ID=26564390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000321105A Expired - Fee Related JP3960457B2 (en) | 1999-10-27 | 2000-10-20 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3960457B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8043468B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-10-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of processing substrate |
| JP2017069529A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method |
| CN109148284A (en) * | 2018-09-28 | 2019-01-04 | 长江存储科技有限责任公司 | Liquid tank |
| CN109360789A (en) * | 2018-09-28 | 2019-02-19 | 长江存储科技有限责任公司 | Reduce the wet etching method of etch by-products |
| CN110541161A (en) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 三菱电机株式会社 | semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| KR20200034579A (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
-
2000
- 2000-10-20 JP JP2000321105A patent/JP3960457B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8043468B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-10-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of processing substrate |
| JP2017069529A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method |
| CN107017160A (en) * | 2015-09-30 | 2017-08-04 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method |
| CN107017160B (en) * | 2015-09-30 | 2021-10-01 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method |
| CN110541161B (en) * | 2018-05-28 | 2021-11-05 | 三菱电机株式会社 | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| CN110541161A (en) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 三菱电机株式会社 | semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| KR20200034579A (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| KR102294137B1 (en) | 2018-09-21 | 2021-08-25 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| KR20210109493A (en) * | 2018-09-21 | 2021-09-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| KR102408818B1 (en) | 2018-09-21 | 2022-06-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| US11699601B2 (en) | 2018-09-21 | 2023-07-11 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method |
| CN109360789A (en) * | 2018-09-28 | 2019-02-19 | 长江存储科技有限责任公司 | Reduce the wet etching method of etch by-products |
| CN109148284A (en) * | 2018-09-28 | 2019-01-04 | 长江存储科技有限责任公司 | Liquid tank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3960457B2 (en) | 2007-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100195334B1 (en) | A cleaning apparatus | |
| JP3142195B2 (en) | Chemical supply device | |
| KR100274128B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US11417542B2 (en) | Semiconductor processing apparatus and method | |
| JP2001196343A (en) | Substrate treating equipment | |
| US6199568B1 (en) | Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank | |
| EP3613877B1 (en) | Electrolytic polishing method and device | |
| CN111128810A (en) | Wafer cleaning equipment | |
| KR100710803B1 (en) | Apparatus for cleaning substrates | |
| JPH05152273A (en) | Sheet cleaning overflow bath | |
| KR20010049878A (en) | Wet processing apparatus | |
| KR100232998B1 (en) | Chemical bath unit with controlling means for etch rate | |
| JPH11111663A (en) | Equipment and method for chemical liquid treatment | |
| KR20200084152A (en) | Cleaning apparatus for semiconductor components | |
| JPH09181035A (en) | Washer of semiconductor wafer | |
| CN209953345U (en) | Circulation groove structure | |
| JP2690851B2 (en) | Immersion type substrate processing equipment | |
| JP2007105626A (en) | Substrate treatment apparatus | |
| KR100916143B1 (en) | Injection unit and apparatus for treating substrate with the unit | |
| KR100230394B1 (en) | Cleaning bath and cleaning apparatus of wafer | |
| JP3144733B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR20030056702A (en) | An etching apparatus of silicon wafer | |
| JPH0642333Y2 (en) | Processing tank for semiconductor materials | |
| JPH1154466A (en) | Surface-processing method for semiconductor wafer, etc. | |
| KR0125239Y1 (en) | Treating bath of semiconductor wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040628 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061211 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070510 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |