JP2001196166A - Electroluminescent substrate and manufacturing method of electroluminescent element - Google Patents
Electroluminescent substrate and manufacturing method of electroluminescent elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセント基板もしくはエレクトロルミネッセント素子に
おけるエレクトロルミネッセント層の形成に際して、転
写シートを用いた転写法を利用する、エレクトロルミネ
ッセント基板もしくはエレクトロルミネッセント素子の
新規な製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent substrate or an electroluminescent substrate formed by using a transfer method using a transfer sheet when forming an electroluminescent layer in an electroluminescent substrate or an electroluminescent element. The present invention relates to a novel method for manufacturing a luminescent element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エレクトロルミネッセント素子は、固体
に電圧を印可することにより、発光性を有するものであ
り、このための発光性材料として種々のものが検討され
てきたが、現在では有機化合物もしくは有機高分子から
なる有機系発光材料が主流となっている。2. Description of the Related Art An electroluminescent device has a luminous property by applying a voltage to a solid, and various luminescent materials have been studied for this purpose. Alternatively, an organic light-emitting material made of an organic polymer is mainly used.
【０００３】基本的なエレクトロルミネッセント素子
は、一対の電極間に、有機系発光材料を含む発光層を有
した構造からなっており、これら電極間に電圧を印可す
ると、発光層に正孔および電子が注入され、注入された
正孔および電子は、再結合して有機系発光材料を励起さ
せ、その後の遷移により、蛍光（ルミネッセンス）が発
生するものであリ、１００〜１，０００，０００ｃｄ／
ｍ2程度の高輝度の面発光が得られる。A basic electroluminescent element has a structure in which a light emitting layer containing an organic light emitting material is provided between a pair of electrodes. When a voltage is applied between these electrodes, holes are formed in the light emitting layer. The injected holes and electrons are recombined to excite the organic light emitting material, and the subsequent transition generates fluorescence (luminescence). 000cd /
Surface emission with high luminance of about m 2 can be obtained.
【０００４】このエレクトロルミネッセント素子は、発
光材料を選択することにより、種々の発色が可能であ
り、特に赤、青、緑の光の三原色にそれぞれ発光する発
光材料を選択して用いることにより、カラー画像の表示
も可能である。また、他の方式の表示素子と比較し、発
光層を薄くでき、ピンホール等の欠陥も生じにくい利点
がある。The electroluminescent device can generate various colors by selecting a light emitting material. In particular, by selecting and using light emitting materials that emit light in three primary colors of red, blue, and green light, respectively. It is also possible to display a color image. Further, as compared with other types of display elements, there are advantages that the light emitting layer can be made thinner and defects such as pinholes are less likely to occur.
【０００５】ところで、有機系発光材料を用いてエレク
トロルミネッセント素子を製造する際、特に発光層をパ
ターン状に形成するには、次のような種々の方式で行な
うことができる。例えば、（１）発光性材料をメタルマ
スクを介して蒸着する方法、（２）インクジェットによ
る方法、（３）紫外線照射により特定の発光材料を破壊
する方法、もしくは（４）スクリーン印刷による方法が
あり、これらの方法は、パターン発光素子、もしくはフ
ルカラー発光素子のいずれにも応用が図られている。ま
た、フルカラー発光素子を得る場合には、（５）白色発
光素子にカラーフィルタを組み合わせるか、もしくは
（６）青色発光素子に色変換フィルタを組み合わせる場
合もある。[0005] When an electroluminescent device is manufactured using an organic light-emitting material, the formation of a light-emitting layer in a pattern can be performed by the following various methods. For example, there are (1) a method of vapor-depositing a light-emitting material through a metal mask, (2) a method of inkjet, (3) a method of destroying a specific light-emitting material by ultraviolet irradiation, and (4) a method of screen printing. These methods are applied to either a pattern light emitting device or a full color light emitting device. When a full-color light-emitting element is obtained, (5) a white light-emitting element may be combined with a color filter, or (6) a blue light-emitting element may be combined with a color conversion filter.
【０００６】しかし、上記（１）の方法では蒸着のプロ
セスをさらに複雑化する、上記（２）の方法では、イン
キ製造上の制約が大きく、上記（３）の方法では、発光
材料が無駄になる、もしくは上記（４）の方法では得ら
れるパターンの精度が不十分である、等の欠点があり、
また、上記（５）もしくは（６）の場合には、カラーフ
ィルタを製作する煩雑さに加えて、発光した光の利用効
率が低い欠点が避けられない。However, the method (1) further complicates the vapor deposition process. The method (2) imposes great restrictions on ink production, and the method (3) wastes luminescent materials. Or the accuracy of the obtained pattern is insufficient with the above method (4).
In the case of the above (5) or (6), in addition to the complexity of manufacturing a color filter, a drawback that the utilization efficiency of emitted light is low is inevitable.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明においては、よ
り簡便で、得られるパターンの精度が充分得られるエレ
クトロルミネッセント基板もしくはエレクトロルミネッ
セント素子の製造方法を提供することを課題とするもの
である。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an electroluminescent substrate or an electroluminescent element which is simpler and can obtain a sufficient precision of an obtained pattern. It is.
【０００８】[0008]
【課題を解決する手段】本発明においては、エレクトロ
ルミネッセント基板もしくはエレクトロルミネッセント
素子の発光層を、まず、発光材料を含む層を電極上に形
成しておき、発光材料の発光（波長等）を制御するため
のドーピング物質を転写層中に含有させた別体の転写シ
ートを用いて、入力情報に応じて転写することにより、
ドーピング物質を昇華転写もしくは熱移行させるか、転
写層ごと転写することにより、発光層中にドーピング物
質を移行させて、上記の課題を解決することができた。In the present invention, a light-emitting layer of an electroluminescent substrate or an electroluminescent element is formed by first forming a layer containing a light-emitting material on an electrode. Transfer) according to input information using a separate transfer sheet containing a doping substance for controlling the transfer layer in the transfer layer.
By sublimation transfer or heat transfer of the doping substance, or transfer of the entire transfer layer, the doping substance was transferred into the light emitting layer, and the above-mentioned problem could be solved.
【０００９】第１の発明は、上面に少なくとも電極層を
有する基板の上方に、有機発光材料の薄膜を形成し、次
に、前記薄膜上に、有機発光材料の発光を制御し得るド
ーピング物質を転写層中に含む転写シートを、前記転写
層が前記薄膜に接するようにして重ね、重ねられた界面
を入力情報に応じて加熱し、その後、前記転写シートを
除去することにより、前記転写層中の前記ドーピング物
質を前記薄膜中に移行させることを行なうことを特徴と
するエレクトロルミネッセント基板の製造方法に関する
ものである。第２の発明は、第１の発明において、前記
ドーピング物質を前記薄膜中に移行させた後、移行した
前記ドーピング物質を拡散させることを行なうことを特
徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセント基板
の製造方法に関するものである。第３の発明は、第１ま
たは第２の発明において、前記ドーピング物質が昇華性
を有するものであることを特徴とする請求項１または２
記載のエレクトロルミネッセント基板の製造方法に関す
るものである。第４の発明は、第１または第２の発明に
おいて、前記転写層が熱溶融転写性を有するものである
ことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロル
ミネッセント基板の製造方法に関するものである。第５
の発明は、上面に少なくとも電極層を有する基板の上方
に、有機発光材料の薄膜を形成し、次に、前記薄膜上
に、有機発光材料の発光を制御し得るドーピング物質を
転写層中に含む転写シートを、前記転写層が前記薄膜に
接するようにして重ね、重ねられた界面を入力情報に応
じて加熱し、その後、前記転写シートを除去することに
より、前記転写層中の前記ドーピング物質を前記薄膜中
に移行させた後、前記薄膜上に電極層を形成することを
行なうことを特徴とするエレクトロルミネッセント素子
の製造方法に関するものである。第６の発明は、第５の
発明において、前記ドーピング物質を前記薄膜中に移行
させた後、移行した前記ドーピング物質を拡散させるこ
とを行なうことを特徴とするエレクトロルミネッセント
素子の製造方法に関するものである。第７の発明は、第
５または第６の発明において、前記ドーピング物質が昇
華性を有するものであることを特徴とするエレクトロル
ミネッセント素子の製造方法に関するものである。第８
の発明は、第５または第６の発明において、前記転写層
が熱溶融転写性を有するものであることを特徴とするエ
レクトロルミネッセント素子の製造方法に関するもので
ある。According to a first aspect of the present invention, a thin film of an organic light emitting material is formed on a substrate having at least an electrode layer on an upper surface, and then a doping substance capable of controlling light emission of the organic light emitting material is formed on the thin film. The transfer sheet included in the transfer layer is overlapped so that the transfer layer is in contact with the thin film, the overlapped interface is heated according to the input information, and then the transfer sheet is removed, whereby the transfer sheet is removed. And transferring the doping material into the thin film. 2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein in the first invention, after the doping material is transferred into the thin film, the transferred doping material is diffused. 3. The present invention relates to a method for manufacturing a substrate. In a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the doping substance has sublimability.
The present invention relates to a method for manufacturing the described electroluminescent substrate. A fourth invention relates to the method for producing an electroluminescent substrate according to the first or second invention, wherein in the first or second invention, the transfer layer has a hot-melt transfer property. It is. Fifth
In the invention, a thin film of an organic light emitting material is formed above a substrate having at least an electrode layer on an upper surface, and then, on the thin film, a doping substance capable of controlling light emission of the organic light emitting material is included in a transfer layer. Transfer sheet, the transfer layer is overlapped so that the transfer layer is in contact with the thin film, the overlapped interface is heated according to input information, then, by removing the transfer sheet, the doping material in the transfer layer The present invention relates to a method for manufacturing an electroluminescent element, wherein an electrode layer is formed on the thin film after the transfer into the thin film. A sixth invention relates to a method of manufacturing an electroluminescent device according to the fifth invention, wherein after the doping material is transferred into the thin film, the transferred doping material is diffused. Things. A seventh invention relates to the method for producing an electroluminescent device according to the fifth or sixth invention, wherein the doping substance has sublimability. 8th
The invention of the fifth aspect relates to the method for producing an electroluminescent element according to the fifth or sixth aspect, wherein the transfer layer has a hot-melt transfer property.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法における
転写の様子を示す説明図であり、図２は本発明の製造方
法で得られるエレクトロルミネッセント素子の構造を示
す断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view showing a state of transfer in a manufacturing method of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structure of an electroluminescent device obtained by the manufacturing method of the present invention. .
【００１１】図２に示すように、本発明の製造方法によ
り得られるエレクトロルミネッセント素子１０は、基本
的には、基板１１上に、第１の電極層１２ａ、エレクト
ロルミネッセント層１３、および第２の電極層１２ｂと
が順に積層されたものである。As shown in FIG. 2, an electroluminescent element 10 obtained by the manufacturing method of the present invention basically includes a first electrode layer 12a, an electroluminescent layer 13, And the second electrode layer 12b are sequentially laminated.
【００１２】基板１１は、本発明のエレクトロルミネッ
セント基板もしくはエレクトロルミネッセント素子を構
成する各層を支持し得るものであればよく、用途に応じ
て、板状の硬いものであっても、柔らかいものであって
もよい。また、基板１１は、無色透明、有色透明、もし
くは不透明のいずれの場合もあり得る。The substrate 11 may be any substrate as long as it can support each layer constituting the electroluminescent substrate or the electroluminescent element of the present invention. It may be soft. Further, the substrate 11 may be any of colorless and transparent, colored and transparent, or opaque.
【００１３】基板１１を構成する素材としては、ガラ
ス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、もしくはポリカーボネート等が挙げられ
る。これらの素材からなる基板１１は、携帯可能なカー
ド状、用途に応じて、その一部もしくは全部を曲げたり
巻き付けたりすることが可能なフィルム状もしくはシー
ト状、フィルムもしくはシートを狭い巾にカットしたテ
ープ状、またはチップ状等である。The material constituting the substrate 11 includes glass, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and polycarbonate. The substrate 11 made of these materials is a portable card, a film or a sheet in which a part or the whole can be bent or wound depending on the application, and the film or the sheet is cut into a narrow width. It has a tape shape or a chip shape.
【００１４】第１の電極層１２ａは、原則として基板１
１上に、第２の電極層１２ｂは、原則としてエレクトロ
ルミネッセント層１３上に積層されたものである。第１
の電極層１２ａの役割は通常陽極であり、第２の電極層
１２ｂの役割は通常陰極であるが、必ずしもそれに限定
されない。なお、第１の電極層１２ａは、第１の電極層
自身が十分な強度を備えている場合には、基板１１を兼
ねることができ、即ち、基板１１を省くことができる。The first electrode layer 12a is formed on the substrate 1 in principle.
On the first, the second electrode layer 12 b is, in principle, laminated on the electroluminescent layer 13. First
The role of the electrode layer 12a is usually an anode, and the role of the second electrode layer 12b is usually a cathode, but is not necessarily limited to this. Note that the first electrode layer 12a can also serve as the substrate 11 if the first electrode layer itself has sufficient strength, that is, the substrate 11 can be omitted.
【００１５】電極層のうち、陽極を構成する材料として
は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム、も
しくは金のような仕事関数の大きな金属、または、ポリ
アニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘
導体、もしくはポリシラン誘導体のような導電性高分子
等が例示される。また、陰極を構成する材料としては、
ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、
もしくはＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａを
始めとするアルカリ金属類、もしくはそれらアルカリ金
属類の合金のような仕事関数の小さな金属等が例示され
る。In the electrode layer, the material constituting the anode is a metal having a large work function such as indium tin oxide (ITO), indium oxide, or gold, or polyaniline, polyacetylene, a polyalkylthiophene derivative, or polysilane. Examples thereof include conductive polymers such as derivatives. Also, as a material constituting the cathode,
Magnesium alloys such as MgAg, AlLi, AlCa,
Alternatively, an aluminum alloy such as AlMg, an alkali metal such as Li or Ca, or a metal having a small work function such as an alloy of the alkali metals is exemplified.
【００１６】上記の素材を用いて電極層を形成するに
は、蒸着もしくはスパッタリング等によって行なうこと
ができ、また、塗料組成物を調製してコーティングによ
って行なうこともできる。第１の電極層１２ａは、基板
１１に対して全面もしくは大部分に一様に形成するほ
か、マスクパターンを介してパターン状に形成するか、
もしくは一様に形成した後に、エッチングすることによ
りパターン状に形成することができる。The formation of the electrode layer using the above-mentioned materials can be carried out by vapor deposition or sputtering, or it can be carried out by preparing a coating composition and coating. The first electrode layer 12a is formed uniformly over the entire surface or most of the substrate 11, and is formed in a pattern via a mask pattern.
Alternatively, after forming uniformly, it can be formed in a pattern by etching.
【００１７】前記した電極層を構成する材料のうち、ポ
リアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン
誘導体、もしくはポリシラン誘導体のような導電性高分
子を使用する場合は、塗料組成物を調製してコーティン
グによっても電極層の形成を行なうことができ、その他
の材料を使用する場合にも、溶剤で溶解するか、もしく
は樹脂溶液中に分散させることにより塗料組成物を調製
して同様に行なうことができる。電極層は、単一の層か
らなるだけではなく、複数の層の積層構造からなってい
てもよく、複数の層からなるときは、前記した材料の内
から異なる材料を選択して使用し、異なる形成方法によ
ってもよい。When a conductive polymer such as polyaniline, polyacetylene, polyalkylthiophene derivative, or polysilane derivative is used among the materials constituting the above-mentioned electrode layer, a coating composition is prepared and the electrode is formed by coating. The layer can be formed, and when other materials are used, the coating composition can be prepared by dissolving with a solvent or dispersing in a resin solution. The electrode layer is not only composed of a single layer, but may have a laminated structure of a plurality of layers, and when composed of a plurality of layers, a different material is selected from the above-described materials and used. Different formation methods may be used.
【００１８】第１の電極層１２ａ、および第２の電極層
１２ｂの両方を透明な材料で構成すると、直視型エレク
トロルミネッセント素子とすることができ、また、いず
れか一方の電極層を反射電極、他方の電極層を透明電極
とすることにより、反射型エレクトロルミネッセント素
子とすることができる。なお、両電極層を、互いに直行
するストライプパターン状に形成することにより、単純
マトリックス型のエレクトロルミネッセント素子とする
ことができ、一方の電極層を薄膜トランジスタを有する
基板上に形成することにより、アクティブマトリックス
型エレクトロルミネッセント素子としてもよい。If both the first electrode layer 12a and the second electrode layer 12b are made of a transparent material, a direct-view type electroluminescent device can be obtained, and one of the electrode layers can be made to reflect light. By forming the electrode and the other electrode layer as transparent electrodes, a reflective electroluminescent device can be obtained. Note that by forming both electrode layers in a stripe pattern perpendicular to each other, a simple matrix-type electroluminescent element can be obtained, and by forming one electrode layer on a substrate having a thin film transistor, An active matrix type electroluminescent element may be used.
【００１９】エレクトロルミネッセント層１３は基本的
には発光層からなっており、発光層は、色素系発光材
料、金属錯体系発光材料、もしくは高分子系発光材料等
の有機発光材料等を含有するものである。The electroluminescent layer 13 basically comprises a light emitting layer, and the light emitting layer contains an organic light emitting material such as a dye light emitting material, a metal complex light emitting material, or a polymer light emitting material. Is what you do.
【００２０】色素系発光材料としては、シクロペンタジ
エン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフ
ェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾ
ロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチ
リルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環
化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン
誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン
誘導体、オキサジアゾールダイマー、もしくはピラゾリ
ンダイマー等がある。Examples of the dye-based luminescent materials include cyclopentadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, and thiophene ring compounds. Pyridine ring compound, perinone derivative, perylene derivative, oligothiophene derivative, trifmanylamine derivative, oxadiazole dimer, or pyrazoline dimer.
【００２１】金属錯体系発光材料としては、アルミキノ
リノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベ
ンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯
体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、もし
くはユーロピウム錯体等の、中心金属としてＡｌ、Ｚ
ｎ、もしくはＢｅ等、または、Ｔｂ、Ｅｕ、もしくはＤ
ｙ等の希土類金属を有し、配位子として、オキサジアゾ
ール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベ
ンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等
が例示される。Examples of the metal complex-based light-emitting materials include aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex, and europium complex.
n or Be or Tb, Eu or D
Examples of the ligand include a metal complex having a rare earth metal such as y and having a ligand such as oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, or a quinoline structure.
【００２２】高分子系発光材料としては、ポリパラフェ
ニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパ
ラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレ
ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン
誘導体、ポリフルオレン誘導体、もしくはポリキノキサ
リン誘導体等、またはこれらの共重合体等が例示され
る。Examples of the high molecular light emitting material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyvinylcarbazole, polyfluorenone derivatives, polyfluorene derivatives, and polyquinoxaline derivatives, or the like. And the like.
【００２３】上記の発光層には、ドーピングを行なっ
て、発光効率を向上させる、および／もしくは発光波長
を変化させるドーピング物質を拡散させることができ
る。ドーピング物質としては、ペリレン誘導体、クマリ
ン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スク
アリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル色素、
テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、テカシクレン、
フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘
導体、もしくはフルオレン誘導体等が例示される。The above-mentioned light emitting layer can be doped with a doping substance for improving luminous efficiency and / or changing the luminous wavelength by doping. Doping substances include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squarium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes,
Tetracene derivative, pyrazoline derivative, tekacyclene,
Examples thereof include phenoxazone, quinoxaline derivatives, carbazole derivatives, and fluorene derivatives.
【００２４】本発明においては、上記の有機発光材料を
主体とする薄膜に、ドーピングを行なって、発光層を構
成するのに対し、ドーピング物質を転写層中に含有する
転写シートを用いるものである。In the present invention, the thin film mainly composed of the organic light emitting material is doped to form a light emitting layer, whereas a transfer sheet containing a doping substance in the transfer layer is used. .
【００２５】転写の対象である、有機発光材料を主体と
する薄膜１３の形成は、蒸着もしくはスパッタリング等
により、また、塗料組成物を調製して公知のコーティン
グ方法やインキジェット、あるいはスピンナーコーティ
ングによって行なうことができる。薄膜１３は、第１の
電極層１２ａと第２の電極層１２ｂとの間に、全面もし
くは大部分に一様に形成するほか、マスクパターンを介
してパターン状に形成するか、もしくは一様に形成した
後に、エッチングすることによりパターン状に形成する
ことができる。The thin film 13 mainly composed of an organic light-emitting material to be transferred is formed by vapor deposition or sputtering, or by preparing a coating composition and using a known coating method, ink jet, or spinner coating. be able to. The thin film 13 is formed uniformly between the first electrode layer 12a and the second electrode layer 12b over the entire surface or a large part thereof, or is formed in a pattern via a mask pattern, or is formed uniformly. After the formation, it can be formed in a pattern by etching.
【００２６】薄膜１３の形成のための塗料組成物は、水
溶液または有機溶剤溶液等として得ることができ、薄膜
１３の厚みとしては、１ｎｍ〜２μｍ、より好ましくは
１０ｎｍ〜２００ｎｍである。The coating composition for forming the thin film 13 can be obtained as an aqueous solution or an organic solvent solution, and the thickness of the thin film 13 is 1 nm to 2 μm, more preferably 10 nm to 200 nm.
【００２７】図１に示すように、上記の薄膜１３にドー
ピングを行なうための転写シート２０は、シート状基材
２１上に転写層２２が積層されたものである。As shown in FIG. 1, a transfer sheet 20 for doping the thin film 13 is formed by stacking a transfer layer 22 on a sheet-like substrate 21.
【００２８】シート状基材２１としては、コンデンサー
紙、もしくはパラフィン紙等の紙、金属箔もしくは金属
シート、プラスチックフィルムまたはプラスチックシー
ト等、あるいはそれらの複合体が使用できるが、通常の
熱転写シートに使用されているものと同様なものを用い
ることが出来る。具体的には、ポリエステル、ポリプロ
ピレン、セロハン、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポ
リアミド（またはナイロン）、ポリイミド、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂、塩化ゴ
ム、アイオノマー等のプラスチックフィルムもしくはプ
ラスチックシートが適しており、その厚みは２〜２５μ
ｍである。As the sheet-like substrate 21, paper such as condenser paper or paraffin paper, metal foil or metal sheet, plastic film or plastic sheet, or a composite thereof can be used. The same ones as described above can be used. Specifically, plastic films such as polyester, polypropylene, cellophane, polycarbonate, cellulose acetate, polyethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyamide (or nylon), polyimide, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, fluororesin, chlorinated rubber, and ionomer Or a plastic sheet is suitable and its thickness is 2-25μ
m.
【００２９】転写層２２は、ドーピング物質をそのまま
真空蒸着等により真空成膜するか、もしくはドーピング
物質を熱溶融性のバインダ中に溶解ないし分散させて形
成することができる。また、前記したドーピング物質は
いずれも昇華性もしくは熱移行性であるので、ドーピン
グ物質の昇華もしくは熱移行を妨げないバインダ樹脂中
に溶解ないし分散させて形成することが好ましい。The transfer layer 22 can be formed by depositing a doping substance in a vacuum by vacuum deposition or the like, or by dissolving or dispersing the doping substance in a thermally fusible binder. Further, since all of the above-mentioned doping substances are sublimable or heat-migrating, it is preferable that the doping substance is formed by dissolving or dispersing in a binder resin which does not hinder sublimation or heat transfer of the doping substance.
【００３０】ドーピング物質を溶解ないし分散させる熱
溶融性のバインダとしては、各種のワックスに、乾性
油、樹脂、鉱油、セルロース、もしくはゴム誘導体を混
合して用いることが出来る。なお、バインダ樹脂ごと転
移させる場合、バインダ樹脂としては、電荷輸送能を有
するものを使用することが好ましく、例えば、高分子系
発光材料として前記したもの、または、導電性高分子、
もしくは高分子半導体が使用できる。As a hot-melt binder for dissolving or dispersing the doping substance, various waxes may be used by mixing a drying oil, a resin, a mineral oil, cellulose, or a rubber derivative. In the case where the binder resin is transferred together, it is preferable to use a binder resin having a charge transporting property. For example, those described above as the polymer light emitting material, or a conductive polymer,
Alternatively, a polymer semiconductor can be used.
【００３１】ドーピング物質の昇華もしくは熱移行を妨
げないバインダ樹脂としては、染料の転移に必要な熱量
を与えても、自身は転移しない、エチルセルロース、ヒ
ドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロ
ース、メチルセルロース、酢酸セルロース、酢酪酸セル
ロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルピロリドン、ポリエステル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリアクリルアミド等樹脂が使用できる。As the binder resin which does not hinder the sublimation or heat transfer of the doping substance, the binder resin does not transfer itself even if the heat required for the transfer of the dye is given. Ethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, methyl cellulose, cellulose acetate, acetate Resins such as cellulose butyrate, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyvinyl pyrrolidone, polyester, polyvinyl acetate, and polyacrylamide can be used.
【００３２】転写層２２は、上記したように、ドーピン
グ物質単独を真空蒸着等により真空成膜して、またはド
ーピング物質とバインダ樹脂とを、溶剤もしくは希釈剤
を用いて、溶解もしくは分散し、シート状基材２１上に
塗付もしくは印刷して、転写層を形成する。カラー画像
出力用の昇華転写シートと同様、異なるドーピング物質
を与える複数の区域を同一のシート状基材２１上に繰り
返し並べて形成しておくとよい。またシート状基材２１
の転写層２２のない側には、スリップ剤を塗布しておく
とよい。As described above, the transfer layer 22 is formed by depositing a doping substance alone in a vacuum film by vacuum evaporation or the like, or dissolving or dispersing the doping substance and a binder resin using a solvent or a diluent. The transfer layer is formed by applying or printing on the base material 21. Similar to the sublimation transfer sheet for outputting a color image, a plurality of sections to which different doping materials are applied may be repeatedly formed on the same sheet-like substrate 21. In addition, the sheet-like substrate 21
It is preferable to apply a slip agent on the side where the transfer layer 22 is not provided.
【００３３】上記の転写シート２０を、その転写層２２
側が、基板１１上の発光材料を主体として構成された薄
膜１３に接するようにして重ね、熱転写プリンタのサー
マルヘッド３０により、転写シート２０の背面よりドッ
ト状の加熱し、加熱部において、ドーピング物質を薄膜
１３中に昇華もしくは熱移行させるか、またはバインダ
樹脂ごと溶融させて薄膜１３上に転移させる。上記の加
熱においては、転写層２２と薄膜１３との界面が加熱さ
れることが必要であり、サーマルヘッド以外の手段、例
えばレーザー光等でも加熱が可能である。The transfer sheet 20 is transferred to its transfer layer 22
The side is overlapped with the thin film 13 mainly composed of the luminescent material on the substrate 11 and is heated in the form of dots from the back of the transfer sheet 20 by the thermal head 30 of the thermal transfer printer. Either sublimation or heat transfer into the thin film 13 or melting on the binder resin and transfer onto the thin film 13. In the above-mentioned heating, the interface between the transfer layer 22 and the thin film 13 needs to be heated, and heating by means other than the thermal head, for example, laser light or the like is possible.
【００３４】熱転写プリンタのように、入力された文字
情報、画像情報に応じて、ドット状に加熱できるものを
使用することにより、入力情報を適宜に変更すれば、所
望のパターン状にドーピング物質を転移させることが出
来る。また、異なるドーピング物質を、所定の大きさ
で、所定の配列、例えば、ストライプ状、モザイク状、
もしくは三角形配列等に配列することができる。By using a material such as a thermal transfer printer that can be heated in the form of dots in accordance with input character information and image information, if the input information is appropriately changed, the doping substance can be formed in a desired pattern. Can be transferred. In addition, different doping substances, in a predetermined size, a predetermined arrangement, for example, stripe, mosaic,
Alternatively, they can be arranged in a triangular arrangement or the like.
【００３５】転写シートを用いて薄膜１３にドーピング
物質の転写を行なっただけでは、転写されたドーピング
物質が偏在して、効果を発揮しないため、転写後に、加
熱することにより、拡散を行なわせることが必要であ
る。拡散は、取り扱う素材にもよるが、例えば、温度４
０〜６０℃で３０分〜５時間程度保持することにより行
なわせるとよい。If the doping material is simply transferred to the thin film 13 using the transfer sheet, the transferred doping material is unevenly distributed and has no effect. Therefore, after the transfer, the diffusion is performed by heating. is necessary. Diffusion depends on the material to be treated,
It is preferable to carry out the treatment by maintaining the composition at 0 to 60 ° C. for about 30 minutes to 5 hours.
【００３６】エレクトロルミネッセント層１３は、上記
した発光層のほか、正孔注入層（またはバッファー
層）、正孔輸送層、電子注入層（またはバッファー
層）、および電子輸送層から選択した一層以上を伴なっ
ていてもよい。これらの層には、適当な有機または無機
の添加剤を加えることができ、正孔輸送性、電子輸送
性、もしくは発光色の調整を行なうことができる。The electroluminescent layer 13 includes a layer selected from a hole injection layer (or buffer layer), a hole transport layer, an electron injection layer (or buffer layer), and an electron transport layer, in addition to the above-described light emitting layer. The above may be accompanied. An appropriate organic or inorganic additive can be added to these layers, and the hole transport property, the electron transport property, or the emission color can be adjusted.
【００３７】正孔注入層（バッファー層）は図２中の層
１２ａ〜１３間に、真空蒸着、もしくは、可能であれば
塗付により形成し、構成する材料としては、発光層を構
成するものとして例示した化合物以外に、フェニルアミ
ン系、スターバースト型アミン類、フタロシアニン系、
酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等
の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、もし
くはポリチオフェン等の誘導体、または、それらにＦｅ
Ｃｌ3等のルイス酸をドープしたものが使用できる。The hole injection layer (buffer layer) is formed between the layers 12a to 13 in FIG. 2 by vacuum deposition or, if possible, by coating. Other than the compounds exemplified as, phenylamine-based, starburst-type amines, phthalocyanine-based,
Oxides such as vanadium oxide, ruthenium oxide and aluminum oxide, amorphous carbon, derivatives such as polyaniline or polythiophene, or Fe
A material doped with a Lewis acid such as Cl 3 can be used.
【００３８】電子注入層（バッファー層）は図２中の層
１３〜１２ｂ間に、真空蒸着、もしくは可能であれば塗
付により、前記の転写の後に形成し、構成する材料とし
ては、発光層を構成するものとして例示した化合物以外
に、ＡｌＬｉ、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化
マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチ
ウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミ
ニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチル
メタクリレートポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リ
チウム、セシウム、もしくは、フッ化セシウム等のよう
に、アルカリ金属類および、アルカリ金属類のハロゲン
化物、またはリチウムキノリノールのような有機金属錯
体等が使用できる。The electron injection layer (buffer layer) is formed between the layers 13 to 12b in FIG. 2 after the above-mentioned transfer by vacuum deposition or, if possible, by coating. In addition to the compounds exemplified as constituting, AlLi, lithium fluoride, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride, aluminum oxide, strontium oxide, calcium, polymethyl methacrylate polystyrene Alkali metals and halides of alkali metals, such as sodium sulfonate, lithium, cesium or cesium fluoride, or organometallic complexes such as lithium quinolinol can be used.
【００３９】[0039]
【実施例】（実施例１）縦横が、２５．４ｍｍ×２５．
４ｍｍで、厚みが１．１ｍｍの透明ガラス板の表面に酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電導性膜（第１電極）
を有するＩＴＯ基板を洗浄した後、ＩＴＯ膜上の中心
に、下記組成のエレクトロルミネッセント層形成用組成
物０．０５ｍｌを滴下し、スピンナーを用い、２１５０
回転／分の回転数で３秒間保持し、厚み１００ｎｍのエ
レクトロルミネッセント薄膜を形成した。 （エレクトロルミネッセント層形成用組成物） ・ポリビニルカルバゾール（下記「化１」） ７０質量部 ・オキサジアゾール（下記「化１」） ３０質量部 ・１，１，２−トリクロロエタン ４９００質量部(Embodiment 1) The height and width are 25.4 mm × 25.
4 mm, transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) on the surface of a transparent glass plate having a thickness of 1.1 mm (first electrode)
Was washed, 0.05 ml of an electroluminescent layer-forming composition having the following composition was dropped at the center of the ITO film, and 2150
The number of revolutions per minute was maintained for 3 seconds to form an electroluminescent thin film having a thickness of 100 nm. (Composition for forming an electroluminescent layer) 70 parts by mass of polyvinyl carbazole (the following "Chemical formula 1") 30 parts by mass of oxadiazole (the following "Chemical formula 1") 4900 parts by mass of 1,1,2-trichloroethane
【００４０】縦横が、７６．２ｍｍ×７６．２ｍｍのガ
ラス板に貼り付けた、縦横が、２５．４ｍｍ×２５．４
ｍｍで、厚み９μｍのポリイミドフィルム上の中心に、
下記組成の転写層形成用組成物０．０５ｍｌを滴下し、
スピンナーを用い、３秒間で１５００回転／分まで回転
数を高め、そのまま３秒間保持し、厚み１５０ｎｍの転
写層薄膜を形成して転写シートを作成した。 （転写層形成用組成物） ・ポリビニルカルバゾール ５０質量部 ・クマリン６（下記「化１」） ５０質量部 ・１，１，２−トリクロロエタン ４９００質量部[0040] The vertical and horizontal dimensions were 25.4 mm x 25.4, which were attached to a glass plate measuring 76.2 mm x 76.2 mm.
mm, at the center on a 9 μm thick polyimide film,
0.05 ml of a composition for forming a transfer layer having the following composition was added dropwise,
Using a spinner, the number of revolutions was increased to 1500 revolutions / minute in 3 seconds, and held for 3 seconds to form a transfer layer thin film having a thickness of 150 nm to prepare a transfer sheet. (Composition for forming transfer layer) 50 parts by mass of polyvinyl carbazole 50 parts by mass of coumarin 6 (the following "Chemical formula 1") 4900 parts by mass of 1,1,2-trichloroethane
【００４１】[0041]
【化１】 Embedded image
【００４２】上記で得られたＩＴＯ基板上の薄膜に、上
記の転写シートの転写層側が接するようにして昇華転写
プリンターを用いて、エレクトロルミネッセント薄膜に
対して昇華転写を行ない、昇華転写終了後の基板を５０
℃の温度に設定した真空オーブン中で２時間保持してエ
ージング処理し、クマリン６をエレクトロルミネッセン
ト薄膜内に拡散させた。Sublimation transfer is performed on the electroluminescent thin film using a sublimation transfer printer so that the transfer layer side of the transfer sheet is in contact with the thin film on the ITO substrate obtained above, and the sublimation transfer is completed. 50 substrates after
Aging treatment was performed by holding for 2 hours in a vacuum oven set at a temperature of ° C., and coumarin 6 was diffused into the electroluminescent thin film.
【００４３】次いで、エレクトロルミネッセント薄膜上
に、第２電極としてＭｇＡｇ合金（Ｍｇ：Ａｇ＝１
０：）を厚み１５０ｎｍになるよう蒸着し、さらにその
上に、保護層としてＡｇを２００ｎｍの厚みになるよう
蒸着して、エレクトロルミネッセント素子を得た。Next, a MgAg alloy (Mg: Ag = 1) was formed on the electroluminescent thin film as a second electrode.
0 :) was deposited to a thickness of 150 nm, and Ag was further deposited thereon as a protective layer to a thickness of 200 nm to obtain an electroluminescent device.
【００４４】得られたエレクトロルミネッセント素子の
ＩＴＯ電極を正極に接続し、ソースメーターにより直流
電流を印加したところ、１０Ｖの電位を印加したときに
発光が認められ、その発光スペクトルをスペクトロフォ
トメーター（大塚電子（株）製、ＩＭＵＣ−７０００）
で発光特性を測定したところ、クマリン６に由来すると
ころの、５０１ｎｍをピークに持つ緑色の発光が認めら
れた。When the ITO electrode of the obtained electroluminescent device was connected to the positive electrode and a direct current was applied by a source meter, light emission was observed when a potential of 10 V was applied, and the emission spectrum was measured by a spectrophotometer. (Otsuka Electronics Co., Ltd., IMUC-7000)
As a result, the emission of green light having a peak at 501 nm derived from coumarin 6 was observed.
【００４５】（実施例２）実施例１と同様に、ただし、
クマリン６を下記のペリレン（下記「化２」）に替えて
得られたエレクトロルミネッセント素子は、ペリレンに
由来するところの、４６０〜４７０ｎｍをピークに持つ
青色の発光が得られた。(Example 2) As in Example 1, except that
The electroluminescent device obtained by replacing Coumarin 6 with the following perylene (the following “Chemical Formula 2”) emitted blue light having a peak at 460 to 470 nm, which is derived from perylene.
【００４６】（実施例３）実施例１と同様に、ただし、
クマリン６を４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−
６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン；
下記「化２」、以降、ＤＣＭと言う。）に替えて得られ
たエレクトロルミネッセント素子は、ＤＣＭに由来する
ところの、５７０ｎｍをピークに持つ赤色の発光が得ら
れた。(Embodiment 3) As in Embodiment 1, except that
Coumarin 6 is converted to 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-
6- (4-dimethylaminostyryl) -4H-pyran;
Hereinafter, the compound is referred to as DCM. ), Red light emission having a peak at 570 nm derived from DCM was obtained.
【００４７】[0047]
【化２】 Embedded image
【００４８】（実施例４）縦横が、２５．４ｍｍ×２
５．４ｍｍで、厚みが１．１ｍｍの透明ガラス板の表面
に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電導性膜（第１電
極）を有するＩＴＯ基板を洗浄した後、ＩＴＯ膜上の中
心に、下記組成のエレクトロルミネッセント層形成用組
成物０．０５ｍｌを滴下し、スピンナーを用い、２１５
０回転／分の回転数で３秒間保持し、厚み１００ｎｍの
エレクトロルミネッセント薄膜を形成した。 （エレクトロルミネッセント層形成用組成物） ・ポリビニルカルバゾール １００質量部 ・１，１，２−トリクロロエタン ４９００質量部(Embodiment 4) The height and width are 25.4 mm × 2
After cleaning an ITO substrate having a transparent conductive film (first electrode) of indium tin oxide (ITO) on the surface of a transparent glass plate having a thickness of 5.4 mm and a thickness of 1.1 mm, the following process is performed at the center of the ITO film. 0.05 ml of the composition for forming an electroluminescent layer having the composition was dropped, and 215
The rotation was maintained at 0 rpm for 3 seconds to form an electroluminescent thin film having a thickness of 100 nm. (Composition for forming an electroluminescent layer) 100 parts by mass of polyvinyl carbazole 4900 parts by mass of 1,1,2-trichloroethane
【００４９】縦横が、７６．２ｍｍ×７６．２ｍｍのガ
ラス板に貼り付けた、縦横が、２５．４ｍｍ×２５．４
ｍｍで、厚み９μｍのポリイミドフィルム上の中心に、
下記組成の転写層形成用組成物２ｍｌを滴下し、スピン
ナーを用い、３秒間で１３００回転／分まで回転数を高
め、そのまま３秒間保持し、厚み１５０ｎｍの転写層薄
膜を形成して転写シートを作成した。 （転写層形成用組成物） ・オキサジアゾール系ビニルポリマー（下記「化３」） ９５質量部 ・クマリン６ ５質量部 ・１，１，２−トリクロロエタン ４９００質量部The height and width are 25.4 mm × 25.4 attached to a glass plate of 76.2 mm × 76.2 mm.
mm, at the center on a 9 μm thick polyimide film,
2 ml of a composition for forming a transfer layer having the following composition was dropped, and the number of revolutions was increased to 1300 rpm in 3 seconds using a spinner, and held for 3 seconds to form a transfer layer thin film having a thickness of 150 nm. Created. (Composition for forming transfer layer) ・ 95 parts by mass of oxadiazole-based vinyl polymer (hereinafter “Chemical Formula 3”) 5 parts by mass of coumarin 6 ・ 4900 parts by mass of 1,1,2-trichloroethane
【００５０】[0050]
【化３】 Embedded image
【００５１】上記で得られたＩＴＯ基板上の薄膜に、上
記の転写シートの転写層側が接するようにして熱転写プ
リンターを用いて、エレクトロルミネッセント薄膜に対
して転写層の熱転写を行なった。以降の第２電極、およ
び保護層の形成を実施例１と同様におこなって、エレク
トロルミネッセント素子を得て、やはり実施例１と同様
にして発光特性を測定し、転写部分において、クマリン
６に由来するところの、５０１ｎｍをピークに持つ緑色
の発光が認められた。The transfer layer was thermally transferred to the electroluminescent thin film using a thermal transfer printer such that the transfer layer side of the transfer sheet was in contact with the thin film on the ITO substrate obtained above. The subsequent formation of the second electrode and the protective layer was performed in the same manner as in Example 1 to obtain an electroluminescent element, and the light emission characteristics were measured in the same manner as in Example 1. And green light emission having a peak at 501 nm was observed.
【００５２】（実施例５）実施例４と同様に、ただし、
クマリン６を下記のペリレン（下記「化２」）に替えて
得られたエレクトロルミネッセント素子は、ペリレンに
由来するところの、４６０〜４７０ｎｍをピークに持つ
青色の発光が認められた。(Example 5) As in Example 4, except that
In the electroluminescent device obtained by replacing Coumarin 6 with the following perylene (the following “Chemical Formula 2”), blue light emission having a peak at 460 to 470 nm derived from perylene was observed.
【００５３】（実施例６）実施例４と同様に、ただし、
クマリン６をＤＣＭに替えて得られたエレクトロルミネ
ッセント素子は、ＤＣＭに由来するところの、５７０ｎ
ｍをピークに持つ赤色の発光が得られた。(Example 6) As in Example 4, except that
The electroluminescent device obtained by replacing coumarin 6 with DCM is 570n, which is derived from DCM.
Red light emission having a peak at m was obtained.
【００５４】（比較例）実施例１と同様に、ただし、転
写シートを用いた転写を行なわないで、エレクトロルミ
ネッセント素子を得た。得られたエレクトロルミネッセ
ント素子は１５Ｖの電位の印加時に発光が認められ、ポ
リビニルカルバゾールに由来する４６３ｎｍをピークと
する弱い青色発光が認められた。Comparative Example An electroluminescent device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the transfer using the transfer sheet was not performed. In the obtained electroluminescent device, light emission was observed when a potential of 15 V was applied, and weak blue light emission having a peak at 463 nm derived from polyvinyl carbazole was observed.
【００５５】[0055]
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ドーピング物
質は、転写シートの含有する転写層はごく薄く形成すれ
ばよいので、ドーピング物質の無駄が少なく、転写の際
の入力情報を変更することにより、発光を行なわせるべ
き部分の形状、大きさ、もしくは配列を自由に変更で
き、転写の際にサーマルヘッドを使用すれば、精密なパ
ターンの形成も支障無く行なえるエレクトロルミネッセ
ント基板の製造方法を提供できる。請求項２の発明によ
れば、請求項１の発明の効果に加え、ドーピング物質を
転写後、拡散させる工程を伴なうことにより、ドーピン
グ物質が転写された区域の発光をより確実に行なわせる
ことが可能になるエレクトロルミネッセント基板の製造
方法を提供できる。請求項３の発明によれば、請求項１
または２の発明の効果に加え、ドーピング物質のみを薄
膜中に転写できるので、効率的であり、また、転写の際
に与える熱の制御により、ドーピング物質の転移量の制
御も可能なエレクトロルミネッセント基板の製造方法を
提供できる。請求項４の発明によれば、請求項１または
２の発明の効果に加え、ドーピング物質を転写層の熱溶
融によって薄膜上に転写するので、ムラの無い転写が安
定して行なえ、得られる製品のばらつきの少ないエレク
トロルミネッセント基板の製造方法を提供できる。請求
項５〜８の各々の発明によれば、それぞれが順に対応す
る請求項１〜４の各々の発明に、さらに第２電極層の形
成工程が加わっているので、対応する請求項１〜４の各
々の発明の効果と同様な効果のあるエレクトロルミネッ
セント素子の製造方法を提供できる。According to the first aspect of the present invention, since the doping material needs only to be formed with a very thin transfer layer contained in the transfer sheet, there is little waste of the doping material and the input information at the time of transfer is changed. In this way, the shape, size, or arrangement of the part that should emit light can be freely changed, and if a thermal head is used during transfer, the formation of a precise pattern can be performed without any problem. A manufacturing method can be provided. According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, the step of diffusing the doping material after the transfer is performed, so that the light emission in the area where the doping material is transferred can be performed more reliably. And a method of manufacturing an electroluminescent substrate. According to the invention of claim 3, claim 1
In addition to the effect of the second aspect of the invention, since only the doping substance can be transferred into the thin film, it is efficient, and the amount of transfer of the doping substance can be controlled by controlling the heat applied during the transfer. A method of manufacturing a cent board can be provided. According to the invention of claim 4, in addition to the effect of the invention of claim 1 or 2, the doping material is transferred onto the thin film by thermal melting of the transfer layer, so that the transfer without unevenness can be performed stably and the product obtained. It is possible to provide a method for manufacturing an electroluminescent substrate having less variation in the thickness of the electroluminescent substrate. According to each of the inventions of Claims 5 to 8, each of the inventions of Claims 1 to 4 correspond to the inventions of Claims 1 to 4 in addition to the step of forming the second electrode layer. Can provide a method of manufacturing an electroluminescent device having the same effects as the effects of the respective inventions.
【図１】本発明の製造方法を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing a manufacturing method of the present invention.
【図２】本発明の製造方法で得られるエレクトロルミネ
ッセント素子の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an electroluminescent device obtained by the manufacturing method of the present invention.
１０ エレクトロルミネッセント素子 １１ 基板 １２ 電極（１２ａ；第１電極、１２ｂ；第２電極） １３ エレクトロルミネッセント層 ２０ 転写シート ２１ シート状基材 ２２ 転写層 ３０ サーマルヘッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electroluminescent element 11 Substrate 12 Electrode (12a; 1st electrode, 12b; 2nd electrode) 13 Electroluminescent layer 20 Transfer sheet 21 Sheet base material 22 Transfer layer 30 Thermal head
Claims (8)
上方に、有機発光材料の薄膜を形成し、次に、前記薄膜
上に、有機発光材料の発光を制御し得るドーピング物質
を転写層中に含む転写シートを、前記転写層が前記薄膜
に接するようにして重ね、重ねられた界面を入力情報に
応じて加熱し、その後、前記転写シートを除去すること
により、前記転写層中の前記ドーピング物質を前記薄膜
中に移行させることを行なうことを特徴とするエレクト
ロルミネッセント基板の製造方法。1. A thin film of an organic light emitting material is formed above a substrate having at least an electrode layer on an upper surface, and a doping substance capable of controlling light emission of the organic light emitting material is formed on the thin film in a transfer layer. Transfer sheet including the transfer layer is in contact with the thin film, the overlapped interface is heated according to the input information, and then the transfer sheet is removed, whereby the doping material in the transfer layer is removed. Is transferred into the thin film.
させた後、移行した前記ドーピング物質を拡散させるこ
とを行なうことを特徴とする請求項１記載のエレクトロ
ルミネッセント基板の製造方法。2. The method for manufacturing an electroluminescent substrate according to claim 1, further comprising, after transferring the doping material into the thin film, diffusing the transferred doping material.
のであることを特徴とする請求項１または２記載のエレ
クトロルミネッセント基板の製造方法。3. The method for manufacturing an electroluminescent substrate according to claim 1, wherein the doping substance has a sublimation property.
であることを特徴とする請求項１または２記載のエレク
トロルミネッセント基板の製造方法。4. The method for producing an electroluminescent substrate according to claim 1, wherein the transfer layer has a heat-melt transfer property.
上方に、有機発光材料の薄膜を形成し、次に、前記薄膜
上に、有機発光材料の発光を制御し得るドーピング物質
を転写層中に含む転写シートを、前記転写層が前記薄膜
に接するようにして重ね、重ねられた界面を入力情報に
応じて加熱し、その後、前記転写シートを除去すること
により、前記転写層中の前記ドーピング物質を前記薄膜
中に移行させた後、前記薄膜上に電極層を形成すること
を行なうことを特徴とするエレクトロルミネッセント素
子の製造方法。5. A thin film of an organic light emitting material is formed above a substrate having at least an electrode layer on the upper surface, and a doping substance capable of controlling light emission of the organic light emitting material is formed on the thin film in the transfer layer. Transfer sheet including the transfer layer is in contact with the thin film, the overlapped interface is heated according to the input information, and then the transfer sheet is removed, whereby the doping material in the transfer layer is removed. Transferring an electrode layer into the thin film, and then forming an electrode layer on the thin film.
させた後、移行した前記蛍光色素を拡散させることを行
なうことを特徴とする請求項５記載のエレクトロルミネ
ッセント素子の製造方法。6. The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 5, wherein, after transferring the doping substance into the thin film, the transferred fluorescent dye is diffused.
のであることを特徴とする請求項５または６記載のエレ
クトロルミネッセント素子の製造方法。7. The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 5, wherein the doping substance has a sublimability.
であることを特徴とする請求項５または６記載のエレク
トロルミネッセント素子の製造方法。8. The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 5, wherein the transfer layer has a heat melting transfer property.
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