JP2001077014A - 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム - Google Patents
基板受け渡し装置及び塗布現像処理システムInfo
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- JP2001077014A JP2001077014A JP2000182000A JP2000182000A JP2001077014A JP 2001077014 A JP2001077014 A JP 2001077014A JP 2000182000 A JP2000182000 A JP 2000182000A JP 2000182000 A JP2000182000 A JP 2000182000A JP 2001077014 A JP2001077014 A JP 2001077014A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光後の基板を加熱処理するまでの時間を正
確に管理することができ、均一な線幅を形成することが
可能な基板受け渡し装置及び塗布現像理システムの提
供。 【解決手段】 インターフェイス部５では、搬送装置１
１０が処理ステーション３における第２冷却処理装置群
８０と対面するように配置され、この搬送装置１１０を
挟むように、その一方には熱処理装置１１１を多段に配
置してなる熱処理装置群１１２が配置され、他方には周
辺露光装置１１３、バッファカセット１１４及びウェハ
保持部１１５が上から順番に積層配置されている。ウェ
ハ保持部１１５と露光装置４との間には２次搬送体１１
６が配置され、これを介して露光装置４におけるインス
テージ４０１及びアウトステージ４０２との間でウェハ
Ｗの搬入出を行うようになっている。
確に管理することができ、均一な線幅を形成することが
可能な基板受け渡し装置及び塗布現像理システムの提
供。 【解決手段】 インターフェイス部５では、搬送装置１
１０が処理ステーション３における第２冷却処理装置群
８０と対面するように配置され、この搬送装置１１０を
挟むように、その一方には熱処理装置１１１を多段に配
置してなる熱処理装置群１１２が配置され、他方には周
辺露光装置１１３、バッファカセット１１４及びウェハ
保持部１１５が上から順番に積層配置されている。ウェ
ハ保持部１１５と露光装置４との間には２次搬送体１１
６が配置され、これを介して露光装置４におけるインス
テージ４０１及びアウトステージ４０２との間でウェハ
Ｗの搬入出を行うようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハやガラス基板等の基板上にレジストを塗布し、現像す
る塗布現像処理装置とレジストが塗布された基板を露光
する露光装置との間に配置される基板受け渡し装置及び
該基板受け渡し装置を備えた塗布現像処理システムに関
する。
ハやガラス基板等の基板上にレジストを塗布し、現像す
る塗布現像処理装置とレジストが塗布された基板を露光
する露光装置との間に配置される基板受け渡し装置及び
該基板受け渡し装置を備えた塗布現像処理システムに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジストを
塗布し、所定のパターンを露光した後に、このウェハに
対して現像液を供給して現像処理している。
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジストを
塗布し、所定のパターンを露光した後に、このウェハに
対して現像液を供給して現像処理している。
【０００３】従来から、これらの処理は、露光装置に対
してレジスト塗布と現像処理を行う塗布現像処理装置を
接続したシステムによって行われている。かかる塗布現
像処理装置には、ウェハの塗布現像処理に必要な一連の
処理、例えばレジストの定着性を向上させるための疎水
化処理（アドヒージョン処理）、レジストを塗布するレ
ジスト塗布処理、レジスト塗布後のウェハを加熱してレ
ジストを硬化させる加熱処理、露光後のウェハを所定の
温度で加熱するための加熱処理、露光後のウェハに対し
て現像処理を施す現像処理等の各処理を個別に行う処理
ユニットが備えられ、ウェハ搬送装置によってこれら処
理ユニット間でのウェハの受け渡しが行われるようにな
っている。そして、かかる塗布現像処理装置と露光装置
との間には、ウェハの受け渡しをするためのインターフ
ェイス部が配置されており、塗布現像処理装置によりレ
ジストが塗布されたウェハはこのインターフェイス部を
介して露光装置に受け渡され、露光装置により露光され
たウェハはこのインターフェイス部を介して塗布現像処
理装置に受け渡されるようになっている。
してレジスト塗布と現像処理を行う塗布現像処理装置を
接続したシステムによって行われている。かかる塗布現
像処理装置には、ウェハの塗布現像処理に必要な一連の
処理、例えばレジストの定着性を向上させるための疎水
化処理（アドヒージョン処理）、レジストを塗布するレ
ジスト塗布処理、レジスト塗布後のウェハを加熱してレ
ジストを硬化させる加熱処理、露光後のウェハを所定の
温度で加熱するための加熱処理、露光後のウェハに対し
て現像処理を施す現像処理等の各処理を個別に行う処理
ユニットが備えられ、ウェハ搬送装置によってこれら処
理ユニット間でのウェハの受け渡しが行われるようにな
っている。そして、かかる塗布現像処理装置と露光装置
との間には、ウェハの受け渡しをするためのインターフ
ェイス部が配置されており、塗布現像処理装置によりレ
ジストが塗布されたウェハはこのインターフェイス部を
介して露光装置に受け渡され、露光装置により露光され
たウェハはこのインターフェイス部を介して塗布現像処
理装置に受け渡されるようになっている。
【０００４】ところで、ウェハ上に形成される配線パタ
ーン等をばらつきがなく均一な線幅とするためには、上
記の一連の処理では特にウェハを露光装置によって露光
した後に加熱処理するまでの時間を管理することが重要
である。
ーン等をばらつきがなく均一な線幅とするためには、上
記の一連の処理では特にウェハを露光装置によって露光
した後に加熱処理するまでの時間を管理することが重要
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光装
置によって露光されたウェハをインターフェイス部を介
して受け取って加熱処理ユニットまで搬送するウェハ搬
送装置は上述したように各種の処理ユニット間でのウェ
ハの受け渡しを行っていることから、非常に忙しく、そ
のため露光後のウェハを直ぐには加熱処理ユニットまで
搬送することができずに待たせる場合もある、という課
題がある。
置によって露光されたウェハをインターフェイス部を介
して受け取って加熱処理ユニットまで搬送するウェハ搬
送装置は上述したように各種の処理ユニット間でのウェ
ハの受け渡しを行っていることから、非常に忙しく、そ
のため露光後のウェハを直ぐには加熱処理ユニットまで
搬送することができずに待たせる場合もある、という課
題がある。
【０００６】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れたもので、露光後の基板を加熱処理するまでの時間を
正確に管理することができ、均一な線幅を形成すること
が可能な基板受け渡し装置及び塗布現像処理システムを
提供することを目的としている。
れたもので、露光後の基板を加熱処理するまでの時間を
正確に管理することができ、均一な線幅を形成すること
が可能な基板受け渡し装置及び塗布現像処理システムを
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点は、基板に対してレジストを塗
布し露光後の基板を現像する塗布現像処理装置と前記レ
ジストが塗布された基板を露光する露光装置との間に配
置され、これらの装置との間で基板を受け渡す基板受け
渡し装置において、前記基板を加熱する加熱部を有する
熱処理部と、前記露光装置から搬入された基板を直接的
に前記熱処理部に搬送し、前記塗布現像処理装置側から
搬入された基板を前記露光装置に搬送する第１の搬送部
とを具備する。
め、本発明の第１の観点は、基板に対してレジストを塗
布し露光後の基板を現像する塗布現像処理装置と前記レ
ジストが塗布された基板を露光する露光装置との間に配
置され、これらの装置との間で基板を受け渡す基板受け
渡し装置において、前記基板を加熱する加熱部を有する
熱処理部と、前記露光装置から搬入された基板を直接的
に前記熱処理部に搬送し、前記塗布現像処理装置側から
搬入された基板を前記露光装置に搬送する第１の搬送部
とを具備する。
【０００８】本発明の第２の観点は、基板に対してレジ
ストを塗布し露光後の基板を現像する塗布現像処理装置
と前記レジストが塗布された基板を露光する露光装置と
の間に配置され、これらの装置との間で基板を受け渡す
基板受け渡し装置において、前記露光装置側への基板の
搬出が可能で、前記露光前の基板を受け入れ一旦保持す
る第１の保持部と、前記第１の保持部と同一の平面上に
配置され、前記露光装置側からの基板の搬入が可能で、
前記露光後の基板を受け入れ一旦保持する第２の保持部
と、前記基板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、前
記塗布現像処理装置と隣接すると共に前記第１の保持部
と前記第２の保持部と前記熱処理部に囲まれるように配
置され、前記塗布現像処理装置と前記第１の保持部と前
記第２の保持部と前記熱処理部との間で基板を搬送する
第１の搬送部と、前記第１の保持部との間で基板の搬出
が可能であり、更に前記第２の保持部との間で基板の搬
入が可能であり、かつ前記露光装置における露光前の基
板が載置されるインステージと露光後の基板が載置され
るアウトステージとの間で基板の搬入出が可能な第２の
搬送部とを具備する。
ストを塗布し露光後の基板を現像する塗布現像処理装置
と前記レジストが塗布された基板を露光する露光装置と
の間に配置され、これらの装置との間で基板を受け渡す
基板受け渡し装置において、前記露光装置側への基板の
搬出が可能で、前記露光前の基板を受け入れ一旦保持す
る第１の保持部と、前記第１の保持部と同一の平面上に
配置され、前記露光装置側からの基板の搬入が可能で、
前記露光後の基板を受け入れ一旦保持する第２の保持部
と、前記基板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、前
記塗布現像処理装置と隣接すると共に前記第１の保持部
と前記第２の保持部と前記熱処理部に囲まれるように配
置され、前記塗布現像処理装置と前記第１の保持部と前
記第２の保持部と前記熱処理部との間で基板を搬送する
第１の搬送部と、前記第１の保持部との間で基板の搬出
が可能であり、更に前記第２の保持部との間で基板の搬
入が可能であり、かつ前記露光装置における露光前の基
板が載置されるインステージと露光後の基板が載置され
るアウトステージとの間で基板の搬入出が可能な第２の
搬送部とを具備する。
【０００９】本発明の第３の観点は、レジストが塗布さ
れた基板を露光する露光装置に接続される塗布現像処理
システムにおいて、前記基板に対してレジストを塗布し
露光後の基板を現像する塗布現像処理装置と、前記露光
装置と前記塗布現像処理装置との間に配置された基板受
け渡し装置とを備え、前記基板受け渡し装置が、前記基
板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、前記露光装置
から搬入された基板を直接的に前記熱処理部に搬送し、
前記塗布現像処理装置側から搬入された基板を前記露光
装置に搬送する搬送部とを具備する。
れた基板を露光する露光装置に接続される塗布現像処理
システムにおいて、前記基板に対してレジストを塗布し
露光後の基板を現像する塗布現像処理装置と、前記露光
装置と前記塗布現像処理装置との間に配置された基板受
け渡し装置とを備え、前記基板受け渡し装置が、前記基
板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、前記露光装置
から搬入された基板を直接的に前記熱処理部に搬送し、
前記塗布現像処理装置側から搬入された基板を前記露光
装置に搬送する搬送部とを具備する。
【００１０】本発明では、露光後の基板を、当該基板受
け渡し装置が有する搬送部を介して熱処理部へ直接的に
受け渡して加熱処理するように構成したので、露光後の
基板を待たせることなく直ぐに熱処理部へ搬送して加熱
処理を行わせることができる。従って、露光後の基板を
加熱処理するまでの時間を正確に管理することができ、
均一な線幅を形成することができる。
け渡し装置が有する搬送部を介して熱処理部へ直接的に
受け渡して加熱処理するように構成したので、露光後の
基板を待たせることなく直ぐに熱処理部へ搬送して加熱
処理を行わせることができる。従って、露光後の基板を
加熱処理するまでの時間を正確に管理することができ、
均一な線幅を形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００１２】図１〜図３は実施の形態にかかる塗布現像
処理システムの外観を示し、図１は平面から、図２、図
３は側面から見た様子を各々示している。
処理システムの外観を示し、図１は平面から、図２、図
３は側面から見た様子を各々示している。
【００１３】この塗布現像処理システム１は、例えば２
５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理
システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対して
ウェハＷを搬入出するためのカセットステーション２
と、塗布現像処理工程の中でウェハＷに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理装置を多段配置してなる処理
ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して
設けられる露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをす
るための基板受け渡し装置としてのインターフェイス部
５とを一体に接続した構成を有している。
５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理
システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対して
ウェハＷを搬入出するためのカセットステーション２
と、塗布現像処理工程の中でウェハＷに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理装置を多段配置してなる処理
ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して
設けられる露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをす
るための基板受け渡し装置としてのインターフェイス部
５とを一体に接続した構成を有している。
【００１４】カセットステーション２では、カセット載
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
【００１５】このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する第１冷却処理装置群７０
の多段ユニット部に属するエクステンション装置７４や
第１加熱処理装置群９０に属するアライメント装置９２
に対してアクセスできるように構成されている。
在に構成されており、後述する第１冷却処理装置群７０
の多段ユニット部に属するエクステンション装置７４や
第１加熱処理装置群９０に属するアライメント装置９２
に対してアクセスできるように構成されている。
【００１６】処理ステーション３では、正面側にレジス
ト塗布装置群２０が、背面側に現像処理装置群３０がそ
れぞれ配置されている。正面側に現像処理装置群３０
を、背面側にレジスト塗布装置群２０をそれぞれ配置し
ても勿論構わない。
ト塗布装置群２０が、背面側に現像処理装置群３０がそ
れぞれ配置されている。正面側に現像処理装置群３０
を、背面側にレジスト塗布装置群２０をそれぞれ配置し
ても勿論構わない。
【００１７】レジスト塗布装置群２０は図２及び図３に
示すように、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャック
に載せてレジスト液を塗布して、該ウェハＷに対してレ
ジスト塗布処理を施すレジスト塗布装置２１、２２が並
列配置され、さらにこれら各レジスト塗布装置２１、２
２の上段にはレジスト塗布装置２３、２４が積み重ねら
れて構成されている。
示すように、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャック
に載せてレジスト液を塗布して、該ウェハＷに対してレ
ジスト塗布処理を施すレジスト塗布装置２１、２２が並
列配置され、さらにこれら各レジスト塗布装置２１、２
２の上段にはレジスト塗布装置２３、２４が積み重ねら
れて構成されている。
【００１８】現像処理装置群３０は、カップＣＰ内でウ
ェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該
ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理装置３１、３
２が並列配置され、さらにこれら各現像処理装置３１、
３２の上段には現像処理装置３３、３４が積み重ねられ
て構成されている。
ェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該
ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理装置３１、３
２が並列配置され、さらにこれら各現像処理装置３１、
３２の上段には現像処理装置３３、３４が積み重ねられ
て構成されている。
【００１９】処理ステーション３の中心部には、ウェハ
Ｗを載置自在な受け渡し台４０が備えられている。
Ｗを載置自在な受け渡し台４０が備えられている。
【００２０】この受け渡し台４０を挟んで上記レジスト
塗布装置群２０と現像処理装置群３０とは相対向してお
り、レジスト塗布装置群２０と受け渡し台４０との間に
は第１搬送装置５０が、現像処理装置群３０と受け渡し
台４０との間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備され
ている。
塗布装置群２０と現像処理装置群３０とは相対向してお
り、レジスト塗布装置群２０と受け渡し台４０との間に
は第１搬送装置５０が、現像処理装置群３０と受け渡し
台４０との間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備され
ている。
【００２１】第１搬送装置５０と第２搬送装置６０とは
基本的に同一の構成を有しており、第１搬送装置５０の
構成を図４に基づいて説明すると、第１搬送装置５０
は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部
５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向
（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４を備えてい
る。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されて
おり、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中
心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転する。従
って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転自在となって
いる。
基本的に同一の構成を有しており、第１搬送装置５０の
構成を図４に基づいて説明すると、第１搬送装置５０
は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部
５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向
（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４を備えてい
る。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されて
おり、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中
心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転する。従
って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転自在となって
いる。
【００２２】ウェハ搬送手段５４の搬送基台５６上に
は、ウェハＷを保持する保持部材としての複数、例えば
２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。
各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有して
おり、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口
部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各
ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモー
タ（図示せず）により前後方向の移動が自在となってい
る。なお、第２搬送装置６０には、ピンセット５７、５
８と同ーの機能及び構成を有するピンセット６７、６８
が備えられている。
は、ウェハＷを保持する保持部材としての複数、例えば
２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。
各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有して
おり、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口
部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各
ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモー
タ（図示せず）により前後方向の移動が自在となってい
る。なお、第２搬送装置６０には、ピンセット５７、５
８と同ーの機能及び構成を有するピンセット６７、６８
が備えられている。
【００２３】第１搬送装置５０の両側には、レジスト塗
布装置群２０近傍に各種冷却系処理装置からなる第１冷
却処理装置群７０及び第２冷却処理装置群８０がそれぞ
れ配置されており、第２搬送装置６０の両側には、現像
処理装置群３０の近傍に各種加熱系処理装置からなる第
１加熱処理装置群９０及び第２加熱処理装置群１００が
それぞれ配置されている。第１冷却処理装置群７０及び
第１加熱処理装置群９０はカセットステーション２側に
配置されており、第２冷却処理装置群８０及び第２加熱
処理装置群１００はインターフェイス部５側に配置され
ている。
布装置群２０近傍に各種冷却系処理装置からなる第１冷
却処理装置群７０及び第２冷却処理装置群８０がそれぞ
れ配置されており、第２搬送装置６０の両側には、現像
処理装置群３０の近傍に各種加熱系処理装置からなる第
１加熱処理装置群９０及び第２加熱処理装置群１００が
それぞれ配置されている。第１冷却処理装置群７０及び
第１加熱処理装置群９０はカセットステーション２側に
配置されており、第２冷却処理装置群８０及び第２加熱
処理装置群１００はインターフェイス部５側に配置され
ている。
【００２４】ここで処理ステーション３をカセットステ
ーション２側から見た図２に基づいて、第１冷却処理装
置群７０及び第１加熱処理装置群９０の構成を説明する
と、第１冷却処理装置群７０は、ウェハＷを所定温度で
冷却処理するクーリング装置７１、７２と、ウェハＷの
位置合わせを行うアライメント装置７３と、ウェハＷを
待機させるエクステンション装置７４と、冷却処理装置
７５、７６、７７、７８とが下から順に、例えば８段に
積み重ねられている。第１加熱処理装置群９０は、レジ
ストとウェハＷとの密着性を向上させるアドヒージョン
装置９１と、アライメント装置９２と、エクステンショ
ン装置９３と、レジスト塗布後のウェハＷを加熱処理す
るプリベーキング装置９４、９５と、現像処理後のウェ
ハＷを加熱処理するポストベーキング装置９６、９７、
９８とが下から順に、例えば８段に積み重ねられてい
る。
ーション２側から見た図２に基づいて、第１冷却処理装
置群７０及び第１加熱処理装置群９０の構成を説明する
と、第１冷却処理装置群７０は、ウェハＷを所定温度で
冷却処理するクーリング装置７１、７２と、ウェハＷの
位置合わせを行うアライメント装置７３と、ウェハＷを
待機させるエクステンション装置７４と、冷却処理装置
７５、７６、７７、７８とが下から順に、例えば８段に
積み重ねられている。第１加熱処理装置群９０は、レジ
ストとウェハＷとの密着性を向上させるアドヒージョン
装置９１と、アライメント装置９２と、エクステンショ
ン装置９３と、レジスト塗布後のウェハＷを加熱処理す
るプリベーキング装置９４、９５と、現像処理後のウェ
ハＷを加熱処理するポストベーキング装置９６、９７、
９８とが下から順に、例えば８段に積み重ねられてい
る。
【００２５】処理ステーション３をインターフェイス部
５側から見た図３に基づいて第２冷却処理装置群８０及
び第２加熱処理装置群１００の構成を説明すると、第２
冷却処理装置群８０は、クーリング装置８１、８２と、
アライメント装置８３と、エクステンション装置８４
と、冷却処理装置８５、８６、８７、８８とが下から順
に、例えば８段に積み重ねられている。第２加熱処理装
置群１００は、プリベーキング装置１０１、１０２と、
露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポー
ジャベーキング装置１０３、１０４と、ポストべーキン
グ装置１０５、１０６、１０７とが下から順に、例えば
７段に積み重ねられている。
５側から見た図３に基づいて第２冷却処理装置群８０及
び第２加熱処理装置群１００の構成を説明すると、第２
冷却処理装置群８０は、クーリング装置８１、８２と、
アライメント装置８３と、エクステンション装置８４
と、冷却処理装置８５、８６、８７、８８とが下から順
に、例えば８段に積み重ねられている。第２加熱処理装
置群１００は、プリベーキング装置１０１、１０２と、
露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポー
ジャベーキング装置１０３、１０４と、ポストべーキン
グ装置１０５、１０６、１０７とが下から順に、例えば
７段に積み重ねられている。
【００２６】インターフェイス部５には、搬送装置１１
０が処理ステーション３における第２冷却処理装置群８
０と対面するように配置されている。図５はこのインタ
ーフェイス部５を側面から見た図であり、インターフェ
イス部５では、この搬送装置１１０を挟むように、その
一方には熱処理装置１１１を多段に配置してなる熱処理
装置群１１２が配置され、他方には周辺露光装置１１
３、バッファカセット１１４及びウェハ保持部１１５が
上から順番に積層配置されている。
０が処理ステーション３における第２冷却処理装置群８
０と対面するように配置されている。図５はこのインタ
ーフェイス部５を側面から見た図であり、インターフェ
イス部５では、この搬送装置１１０を挟むように、その
一方には熱処理装置１１１を多段に配置してなる熱処理
装置群１１２が配置され、他方には周辺露光装置１１
３、バッファカセット１１４及びウェハ保持部１１５が
上から順番に積層配置されている。
【００２７】搬送装置１１０は、図４に示した第１搬送
装置５０（第２搬送装置６０）と基本的に同一の構成を
有しており、従ってウェハＷを垂直方向（Ｚ方向）に移
動可能であり、更にθ方向に回転可能に構成され、その
周囲に配置された処理ステーション３における第２冷却
処理装置群８０のアライメント装置８３及びエクステン
ション装置８４、各熱処理装置１１１、周辺露光装置１
１３、ウェハＷを垂直方向に例えば２５枚収容するバッ
ファカセット１１４並びにウェハ保持部１１５との間で
ウェハＷの受け渡しが可能となっている。
装置５０（第２搬送装置６０）と基本的に同一の構成を
有しており、従ってウェハＷを垂直方向（Ｚ方向）に移
動可能であり、更にθ方向に回転可能に構成され、その
周囲に配置された処理ステーション３における第２冷却
処理装置群８０のアライメント装置８３及びエクステン
ション装置８４、各熱処理装置１１１、周辺露光装置１
１３、ウェハＷを垂直方向に例えば２５枚収容するバッ
ファカセット１１４並びにウェハ保持部１１５との間で
ウェハＷの受け渡しが可能となっている。
【００２８】図６は上述した熱処理装置１１１の平面
図、図７はその断面図である。
図、図７はその断面図である。
【００２９】これらの図に示すように、熱処理装置１１
１は、熱板３４３を有する加熱処理室３４１と、これに
隣接して設けられた基板を温調する温調部としての冷却
処理室３４２とを有している。この熱処理装置１１１
は、さらに搬送装置１１０との間でウェハＷを受け渡し
する際に開閉される第１のゲートシャッター３４４と、
加熱処理室３４１と冷却処理室３４２との間を開閉する
ための第２のゲートシャッター３４５と、熱板３４３の
周囲でウェハＷを包囲しながら第２のゲートシャッター
３４５と共に昇降されるリングシャッター３４６と、後
述する２次搬送体１１６との間でウェハＷを受け渡しす
る際に開閉される第３のゲートシャッター３６１を有し
ている。さらに、熱板３４３には、ウェハＷを載置して
昇降するための３個のリフトピン３４７が昇降自在に設
けられている。
１は、熱板３４３を有する加熱処理室３４１と、これに
隣接して設けられた基板を温調する温調部としての冷却
処理室３４２とを有している。この熱処理装置１１１
は、さらに搬送装置１１０との間でウェハＷを受け渡し
する際に開閉される第１のゲートシャッター３４４と、
加熱処理室３４１と冷却処理室３４２との間を開閉する
ための第２のゲートシャッター３４５と、熱板３４３の
周囲でウェハＷを包囲しながら第２のゲートシャッター
３４５と共に昇降されるリングシャッター３４６と、後
述する２次搬送体１１６との間でウェハＷを受け渡しす
る際に開閉される第３のゲートシャッター３６１を有し
ている。さらに、熱板３４３には、ウェハＷを載置して
昇降するための３個のリフトピン３４７が昇降自在に設
けられている。
【００３０】加熱処理室３４１の下方には、上記３個の
リフトピン３４７を昇降するための昇降機構３４８と、
リングシャッター３４６を第２のゲートシャッター３４
５と共に昇降するための昇降機構３４９と、第１のゲー
トシャッター３４４及び第３のゲートシャッター３６１
を昇降して開閉するための昇降機構３５０とが設けられ
ている。また、この加熱処理室３４１は排気管３５１を
介して排気されるように構成されている。
リフトピン３４７を昇降するための昇降機構３４８と、
リングシャッター３４６を第２のゲートシャッター３４
５と共に昇降するための昇降機構３４９と、第１のゲー
トシャッター３４４及び第３のゲートシャッター３６１
を昇降して開閉するための昇降機構３５０とが設けられ
ている。また、この加熱処理室３４１は排気管３５１を
介して排気されるように構成されている。
【００３１】加熱処理室３４１と冷却処理室３４２と
は、連通口３５２を介して連通されており、ウェハＷを
載置して冷却するための冷却板３５３がガイドプレート
３５４に沿って移動機構３５５により水平方向に移動自
在に構成されている。これにより、冷却板３５３は、連
通口３５２を介して加熱処理室３４１内に進入すること
ができ、加熱処理室３４１内の熱板３４３により加熱さ
れた後のウェハＷをリフトピン３４７から受け取って冷
却処理室３４２内に搬入し、ウェハＷの冷却後、ウェハ
Ｗをリフトピン３４７に戻すようになっている。
は、連通口３５２を介して連通されており、ウェハＷを
載置して冷却するための冷却板３５３がガイドプレート
３５４に沿って移動機構３５５により水平方向に移動自
在に構成されている。これにより、冷却板３５３は、連
通口３５２を介して加熱処理室３４１内に進入すること
ができ、加熱処理室３４１内の熱板３４３により加熱さ
れた後のウェハＷをリフトピン３４７から受け取って冷
却処理室３４２内に搬入し、ウェハＷの冷却後、ウェハ
Ｗをリフトピン３４７に戻すようになっている。
【００３２】図８は上述したウェハ保持部１１５の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００３３】図８に示すように、このウェハ保持部１１
５では、ウェハＷを常温付近の温度となるように温調す
る温調台としての冷却装置３２１が下段に配置されてい
る。冷却装置３２１は、当該冷却装置３２１に載置した
ウェハＷを冷却自在な冷却載置台３２５と、冷却載置台
３２５に設けられた孔３２６からシリンダ３２７の駆動
により上下動自在に形成された例えば３本の昇降ピン３
２８とが備えられている。そして、冷却載置台３２５の
内部には、例えば２３℃に温度調整された恒温水等が流
通する循環路３２９が設けられている。これによって、
冷却載置台３２５上に載置されたウェハＷが冷却される
ようになっている。また、最上段の冷却装置３２１の上
部には、ウェハＷを載置自在な載置台３３０、３３０が
上下２段備えられている。なお、冷却装置３２１には露
光前のウェハＷが一旦保持され、載置台３３０、３３０
には露光後でかつ加熱・冷却処理終了後のウェハＷが一
旦保持されるようになっている。
５では、ウェハＷを常温付近の温度となるように温調す
る温調台としての冷却装置３２１が下段に配置されてい
る。冷却装置３２１は、当該冷却装置３２１に載置した
ウェハＷを冷却自在な冷却載置台３２５と、冷却載置台
３２５に設けられた孔３２６からシリンダ３２７の駆動
により上下動自在に形成された例えば３本の昇降ピン３
２８とが備えられている。そして、冷却載置台３２５の
内部には、例えば２３℃に温度調整された恒温水等が流
通する循環路３２９が設けられている。これによって、
冷却載置台３２５上に載置されたウェハＷが冷却される
ようになっている。また、最上段の冷却装置３２１の上
部には、ウェハＷを載置自在な載置台３３０、３３０が
上下２段備えられている。なお、冷却装置３２１には露
光前のウェハＷが一旦保持され、載置台３３０、３３０
には露光後でかつ加熱・冷却処理終了後のウェハＷが一
旦保持されるようになっている。
【００３４】図１に示したように、熱処理装置群１１２
及びウェハ保持部１１５と露光装置４との間には垂直方
向（Ｚ方向）及びＸ方向に移動可能であり更にθ方向に
回転可能な２次搬送体１１６が搬送路１１７に沿って移
動自在であり、熱処理装置群１１２の各熱処理装置１１
１、ウェハ保持部１１５の冷却装置３２１、露光装置４
における露光前のウェハＷが載置されるインステージ４
０１及び露光後のウェハＷが載置されるアウトステージ
４０２との間でウェハＷの搬入出を行うようになってい
る。
及びウェハ保持部１１５と露光装置４との間には垂直方
向（Ｚ方向）及びＸ方向に移動可能であり更にθ方向に
回転可能な２次搬送体１１６が搬送路１１７に沿って移
動自在であり、熱処理装置群１１２の各熱処理装置１１
１、ウェハ保持部１１５の冷却装置３２１、露光装置４
における露光前のウェハＷが載置されるインステージ４
０１及び露光後のウェハＷが載置されるアウトステージ
４０２との間でウェハＷの搬入出を行うようになってい
る。
【００３５】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理
システム１は以上のように構成されている。次に、塗布
現像処理システム１の動作について説明する。
システム１は以上のように構成されている。次に、塗布
現像処理システム１の動作について説明する。
【００３６】まずカセットステーション２においてウェ
ハ搬送体１１がカセットＣにアクセスして未処理のウェ
ハＷを１枚取り出す。次いで、このウェハＷはウェハ搬
送体１１により第１加熱処理装置群９０のアライメント
装置９２に搬送される。アライメント装置９２で位置合
わせを終了したウェハＷは、第２搬送装置６０により同
じ第１加熱処理装置群９０に属するアドヒージョン装置
９１に搬送される。次いで、この疎水化処理終了後、ウ
ェハＷは第２搬送装置６０により受け渡し台４０に搬送
される。
ハ搬送体１１がカセットＣにアクセスして未処理のウェ
ハＷを１枚取り出す。次いで、このウェハＷはウェハ搬
送体１１により第１加熱処理装置群９０のアライメント
装置９２に搬送される。アライメント装置９２で位置合
わせを終了したウェハＷは、第２搬送装置６０により同
じ第１加熱処理装置群９０に属するアドヒージョン装置
９１に搬送される。次いで、この疎水化処理終了後、ウ
ェハＷは第２搬送装置６０により受け渡し台４０に搬送
される。
【００３７】次いで、ウェハＷは第１搬送装置５０によ
り受け渡し台４０から第１冷却処理装置群７０に搬送さ
れ、第１冷却処理装置群７０の例えばクーリング装置７
２に搬入され、冷却処理が行われる。
り受け渡し台４０から第１冷却処理装置群７０に搬送さ
れ、第１冷却処理装置群７０の例えばクーリング装置７
２に搬入され、冷却処理が行われる。
【００３８】このクーリング装置７２で所定の冷却処理
が終了したウェハＷは、第１搬送装置５０によりレジス
ト塗布装置群２０に搬送される。
が終了したウェハＷは、第１搬送装置５０によりレジス
ト塗布装置群２０に搬送される。
【００３９】レジスト塗布装置群２０に搬送されたウェ
ハＷは、例えばレジスト塗布装置２１に搬入され、レジ
スト膜が形成される。そして、レジスト膜が形成された
ウェハＷは、その後第１搬送装置５０により受け渡し台
４０に搬送される。
ハＷは、例えばレジスト塗布装置２１に搬入され、レジ
スト膜が形成される。そして、レジスト膜が形成された
ウェハＷは、その後第１搬送装置５０により受け渡し台
４０に搬送される。
【００４０】受け渡し台４０に搬送されたウェハＷは、
第２搬送装置６０により今度は第２加熱処理装置群１０
０に搬送される。そして、第２加熱処理装置群１００に
属する、例えばプリベーキング装置１０１に搬入されて
所定の加熱処理が施される。
第２搬送装置６０により今度は第２加熱処理装置群１０
０に搬送される。そして、第２加熱処理装置群１００に
属する、例えばプリベーキング装置１０１に搬入されて
所定の加熱処理が施される。
【００４１】かかる加熱処理終了後のウェハＷは第２搬
送装置６０により第２冷却処理装置群８０に搬送され
る。そして、第２冷却処理装置群８０の例えばクーリン
グ装置８５に搬入されて、冷却処理が施される。クーリ
ング装置８５で冷却処理が終了したウェハＷは、その後
エクステンション装置８４に搬入される。
送装置６０により第２冷却処理装置群８０に搬送され
る。そして、第２冷却処理装置群８０の例えばクーリン
グ装置８５に搬入されて、冷却処理が施される。クーリ
ング装置８５で冷却処理が終了したウェハＷは、その後
エクステンション装置８４に搬入される。
【００４２】エクステンション装置８４に搬入されたウ
ェハＷは、搬送装置１１０によりインターフェイス部５
内に搬入され、まずインターフェイス部５における周辺
露光装置１１３に搬入され、周辺露光処理が施される。
ェハＷは、搬送装置１１０によりインターフェイス部５
内に搬入され、まずインターフェイス部５における周辺
露光装置１１３に搬入され、周辺露光処理が施される。
【００４３】周辺露光処理が施されたウェハＷは、搬送
装置１１０によりバッファカセット１１４に一旦収容さ
れる。
装置１１０によりバッファカセット１１４に一旦収容さ
れる。
【００４４】バッファカセット１１４に収容されている
ウェハＷは、搬送装置１１０によりウェハ保持部１１５
における冷却装置３２１に搬送それ、常温付近の温度例
えば２３℃程度に温調される。これにより、その後この
ウェハＷが露光装置４内に搬送されたときに露光装置４
内の温度を乱すようなことはなくなる。
ウェハＷは、搬送装置１１０によりウェハ保持部１１５
における冷却装置３２１に搬送それ、常温付近の温度例
えば２３℃程度に温調される。これにより、その後この
ウェハＷが露光装置４内に搬送されたときに露光装置４
内の温度を乱すようなことはなくなる。
【００４５】ウェハ保持部１１５における冷却装置３２
１で常温付近に温調されたウェハＷは、２次搬送体１１
６により露光装置４におけるインステージ４０１上に載
置される。
１で常温付近に温調されたウェハＷは、２次搬送体１１
６により露光装置４におけるインステージ４０１上に載
置される。
【００４６】インステージ４０１上に載置されたウェハ
Ｗは、露光装置４内で露光処理が行われ、露光処理が終
了するとアウトステージ４０２上に載置される。
Ｗは、露光装置４内で露光処理が行われ、露光処理が終
了するとアウトステージ４０２上に載置される。
【００４７】アウトステージ４０２上に載置されたウェ
ハＷは、２次搬送体１１６により直接的に熱処理装置群
１１２におけるいずれかの熱処理装置１１１に搬送され
る。ここで、制御部３６２は、露光装置４からウエハＷ
の露光が終了したタイミングを示す露光終了信号を入力
し、この信号に基づき、ウエハＷが露光終了から熱処理
装置１１１に搬送されるまでの時間が常に一定となるよ
うに２次搬送体１１６による搬送動作を制御している。
例えば、２次搬送体１１６がウェハ保持部１１５におけ
る冷却装置３２１から露光装置４におけるインステージ
４０１上にウエハを搬送するタイミングであっても、制
御部３６２は、その動作を中断させ（割り込みをかけ
て）、ウエハＷが露光終了から熱処理装置１１１に搬送
されるまでの時間が常に一定となるように、２次搬送体
１１６に対してアウトステージ４０２から熱処理装置群
１１２にウエハＷを搬送させるように制御している。
ハＷは、２次搬送体１１６により直接的に熱処理装置群
１１２におけるいずれかの熱処理装置１１１に搬送され
る。ここで、制御部３６２は、露光装置４からウエハＷ
の露光が終了したタイミングを示す露光終了信号を入力
し、この信号に基づき、ウエハＷが露光終了から熱処理
装置１１１に搬送されるまでの時間が常に一定となるよ
うに２次搬送体１１６による搬送動作を制御している。
例えば、２次搬送体１１６がウェハ保持部１１５におけ
る冷却装置３２１から露光装置４におけるインステージ
４０１上にウエハを搬送するタイミングであっても、制
御部３６２は、その動作を中断させ（割り込みをかけ
て）、ウエハＷが露光終了から熱処理装置１１１に搬送
されるまでの時間が常に一定となるように、２次搬送体
１１６に対してアウトステージ４０２から熱処理装置群
１１２にウエハＷを搬送させるように制御している。
【００４８】熱処理装置１１１に搬送されたウエハＷ
は、熱処理及び常温への温調が行われる。
は、熱処理及び常温への温調が行われる。
【００４９】熱処理及び常温への温調が行われたウェハ
Ｗは、搬送装置１１０により処理ステーション３におけ
るエクステンション装置８４に搬入される。
Ｗは、搬送装置１１０により処理ステーション３におけ
るエクステンション装置８４に搬入される。
【００５０】エクステンション装置８４に搬入されたウ
ェハＷは、第１搬送装置５０により受け渡し台４０に搬
送される。その後、ウェハＷは第２搬送装置６０により
受け渡し台４０から現像処理装置群３０における、例え
ば現像処理装置３１に搬入されて所定の現像処理が施さ
れる。
ェハＷは、第１搬送装置５０により受け渡し台４０に搬
送される。その後、ウェハＷは第２搬送装置６０により
受け渡し台４０から現像処理装置群３０における、例え
ば現像処理装置３１に搬入されて所定の現像処理が施さ
れる。
【００５１】かかる現像処理が終了したウェハＷは、第
２搬送装置６０により第２加熱処理装置群１００におけ
る、例えばポストベーキング装置１０５に搬入されて現
像処理後の加熱処理が施される。
２搬送装置６０により第２加熱処理装置群１００におけ
る、例えばポストベーキング装置１０５に搬入されて現
像処理後の加熱処理が施される。
【００５２】ポストベーキング装置１０５における加熱
処理が終了したウェハＷは、第２搬送装置６０により受
け渡し台４０に搬送される。
処理が終了したウェハＷは、第２搬送装置６０により受
け渡し台４０に搬送される。
【００５３】受け渡し台４０に搬送されたウェハＷは、
その後第１搬送装置５０により第１冷却処理装置群７０
における、例えばクーリング装置７１に搬入されて冷却
処理される。
その後第１搬送装置５０により第１冷却処理装置群７０
における、例えばクーリング装置７１に搬入されて冷却
処理される。
【００５４】そして、冷却処理されたウェハＷは、その
後エクステンション装置７４に搬入されてその場で待機
する。そして、エクステンション装置７４からウェハ搬
送体１１で搬出され、カセット載置台１０上のカセット
Ｃに収納される。こうして、ウェハＷに対する一連の塗
布現像処理が終了する。
後エクステンション装置７４に搬入されてその場で待機
する。そして、エクステンション装置７４からウェハ搬
送体１１で搬出され、カセット載置台１０上のカセット
Ｃに収納される。こうして、ウェハＷに対する一連の塗
布現像処理が終了する。
【００５５】このように本実施形態の塗布現像処理シス
テム１においては、露光後のウェハＷを待たせることな
く直ぐに熱処理装置１１１へ搬送して加熱処理を行わせ
ることができる。従って、露光後のウェハＷを加熱処理
するまでの時間を正確に管理することができ、均一な線
幅を形成することができる。
テム１においては、露光後のウェハＷを待たせることな
く直ぐに熱処理装置１１１へ搬送して加熱処理を行わせ
ることができる。従って、露光後のウェハＷを加熱処理
するまでの時間を正確に管理することができ、均一な線
幅を形成することができる。
【００５６】また、本実施形態では、特に熱処理装置１
１１には加熱処理室３４１の他に冷却処理室３４２が一
体的に設けられているので、加熱処理が終了したウェハ
Ｗを直ぐに温調することができ、従って温度管理を正確
に行うことができ、これによっても均一な線幅を形成す
ることが可能となる。
１１には加熱処理室３４１の他に冷却処理室３４２が一
体的に設けられているので、加熱処理が終了したウェハ
Ｗを直ぐに温調することができ、従って温度管理を正確
に行うことができ、これによっても均一な線幅を形成す
ることが可能となる。
【００５７】更に、本実施形態では、特にインターフェ
イス部５における搬送装置１１０の周りに処理ステーシ
ョン３、ウェハ保持部１１５及び熱処理装置１１１を配
置するようにしたので、搬送装置１１０はＸＹ方向へ移
動することが不要となり、搬送装置１１０の高速化を図
ることができる。
イス部５における搬送装置１１０の周りに処理ステーシ
ョン３、ウェハ保持部１１５及び熱処理装置１１１を配
置するようにしたので、搬送装置１１０はＸＹ方向へ移
動することが不要となり、搬送装置１１０の高速化を図
ることができる。
【００５８】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００５９】図９は本発明の他の実施形態に係る塗布現
像処理システム３７０の構成を示す平面図である。
像処理システム３７０の構成を示す平面図である。
【００６０】図９に示す塗布現像処理システム３７０で
は、２次搬送体１１６との間でウェハＷの搬出が可能
で、露光前のウェハＷを受け入れ一旦保持する第１の保
持部としての冷却装置３７１と２次搬送体１１６との間
でウェハＷの搬入が可能で、露光後のウェハＷを受け入
れ一旦保持する第２の保持部としての載置台３７２とが
同一の平面上に配置されている。搬送装置１１０は冷却
装置３７１、熱処理装置１１１及び載置台３７２との間
でウェハＷの受け渡しが可能に構成されている。
は、２次搬送体１１６との間でウェハＷの搬出が可能
で、露光前のウェハＷを受け入れ一旦保持する第１の保
持部としての冷却装置３７１と２次搬送体１１６との間
でウェハＷの搬入が可能で、露光後のウェハＷを受け入
れ一旦保持する第２の保持部としての載置台３７２とが
同一の平面上に配置されている。搬送装置１１０は冷却
装置３７１、熱処理装置１１１及び載置台３７２との間
でウェハＷの受け渡しが可能に構成されている。
【００６１】本実施形態に係る塗布現像処理システム３
７０では、特に冷却装置３７１と載置台３７２とが同一
の平面上に配置されているので、２次搬送部１１６にお
いてウェハＷを垂直方向に搬送するストロークが小さく
なり、２次搬送部１１６の小型化及び高速化を図ること
ができる。
７０では、特に冷却装置３７１と載置台３７２とが同一
の平面上に配置されているので、２次搬送部１１６にお
いてウェハＷを垂直方向に搬送するストロークが小さく
なり、２次搬送部１１６の小型化及び高速化を図ること
ができる。
【００６２】また、本実施形態では、特に、載置台３７
２を介してアウトステージ４０２から熱処理装置１１１
に搬送するような構成としたので、載置台３７２がいわ
ばタイミングバッファとしての役割を果し、制御部３６
３が２次搬送体１１６及び搬送装置１１０の搬送タイミ
ングを適宜制御することによってウエハＷがアウトステ
ージ４０２から熱処理装置１１１へ搬送される時間を一
定にすることが簡単にできるようになる。
２を介してアウトステージ４０２から熱処理装置１１１
に搬送するような構成としたので、載置台３７２がいわ
ばタイミングバッファとしての役割を果し、制御部３６
３が２次搬送体１１６及び搬送装置１１０の搬送タイミ
ングを適宜制御することによってウエハＷがアウトステ
ージ４０２から熱処理装置１１１へ搬送される時間を一
定にすることが簡単にできるようになる。
【００６３】次に、本発明の更に別の実施形態を説明す
る。
る。
【００６４】図１０はこの実施形態に係る塗布現像処理
システム３８０の構成を示す平面図である。
システム３８０の構成を示す平面図である。
【００６５】このシステムでは、搬送装置１１０が、処
理ステーション３、熱処理装置群１１２及びウェハ保持
部１１５ばかりでなく、インステージ４０１及びアウト
ステージ４０２に対しても直接的にアクセスできるよう
にしたものである。そして、処理ステーション３側から
搬入された露光前のウエハＷは搬送装置１１０、ウェハ
保持部１１５及び搬送装置１１０を経てインステージ４
０１に受け渡され、アウトステージ４０２から搬出され
た露光後のウエハＷは搬送装置１１０を経て熱処理装置
群１１２に搬送され、その後、搬送装置１１０を経て処
理ステーション３側へ搬出される。本実施形態において
も最初に示した実施形態と同様に、露光後のウエハＷを
搬送装置１１０を経て熱処理装置群１１２に搬送する制
御を優先的に行い、露光終了から熱処理装置への基板の
搬入までの時間を一定とするように制御しても良い。
理ステーション３、熱処理装置群１１２及びウェハ保持
部１１５ばかりでなく、インステージ４０１及びアウト
ステージ４０２に対しても直接的にアクセスできるよう
にしたものである。そして、処理ステーション３側から
搬入された露光前のウエハＷは搬送装置１１０、ウェハ
保持部１１５及び搬送装置１１０を経てインステージ４
０１に受け渡され、アウトステージ４０２から搬出され
た露光後のウエハＷは搬送装置１１０を経て熱処理装置
群１１２に搬送され、その後、搬送装置１１０を経て処
理ステーション３側へ搬出される。本実施形態において
も最初に示した実施形態と同様に、露光後のウエハＷを
搬送装置１１０を経て熱処理装置群１１２に搬送する制
御を優先的に行い、露光終了から熱処理装置への基板の
搬入までの時間を一定とするように制御しても良い。
【００６６】なお、上記実施の形態ではウェハＷを基板
として使用した例を挙げて説明したが、本発明に使用さ
れる基板はこれに限らず、例えばＬＣＤ基板等であって
もよい。
として使用した例を挙げて説明したが、本発明に使用さ
れる基板はこれに限らず、例えばＬＣＤ基板等であって
もよい。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光後の基板を待たせることなく直ぐに熱処理部へ搬送
して加熱処理を行わせることができるので、露光後の基
板を加熱処理するまでの時間を正確に管理することがで
き、均一な線幅を形成することができる。
露光後の基板を待たせることなく直ぐに熱処理部へ搬送
して加熱処理を行わせることができるので、露光後の基
板を加熱処理するまでの時間を正確に管理することがで
き、均一な線幅を形成することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの平面図である。
ムの平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける処
理ステーションの左側面図である。
理ステーションの左側面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおける処
理ステーションの右側面図である。
理ステーションの右側面図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムにおける第
１搬送装置の構成を示す斜視図である。
１搬送装置の構成を示す斜視図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおけるイ
ンターフェイス部を右側図である。
ンターフェイス部を右側図である。
【図６】図１に示した塗布現像処理システムにおける熱
処理装置の平面図である。
処理装置の平面図である。
【図７】図１に示した塗布現像処理システムにおける熱
処理装置の断面図である。
処理装置の断面図である。
【図８】図１に示した塗布現像処理システムにおけるウ
ェハ保持部の構成を示す断面図である。
ェハ保持部の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理シス
テムの構成を示す平面図である。
テムの構成を示す平面図である。
【図１０】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
理システムの構成を示す平面図である。
１ 塗布現像処理システム ３ 処理ステーション ４ 露光装置 ５ インターフェイス部 １１０ 搬送装置 １１１ 熱処理装置 １１２ 熱処理装置群 １１３ 周辺露光装置 １１４ バッファカセット １１５ ウェハ保持部 １１６ ２次搬送体 ３２１ 冷却措置 ３３０ 載置台 ３４１ 加熱処理室 ３４２ 冷却処理室 ４０１ インステージ ４０２ アウトステージ Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７
Claims (14)
- 【請求項１】 基板に対してレジストを塗布し露光後の
基板を現像する塗布現像処理装置と前記レジストが塗布
された基板を露光する露光装置との間に配置され、これ
らの装置との間で基板を受け渡す基板受け渡し装置にお
いて、 前記基板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、 前記露光装置から搬入された基板を直接的に前記熱処理
部に搬送し、前記塗布現像処理装置側から搬入された基
板を前記露光装置に搬送する第１の搬送部とを具備する
ことを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板受け渡し装置にお
いて、 前記露光装置から出力される露光終了信号を入力する手
段と、 前記露光終了信号に基づき、基板が前記露光装置により
露光が終了してから前記熱処理部に搬送されるまでの時
間が一定となるように、前記第１の搬送部を制御する手
段を更に具備することを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の基板受け
渡し装置において、 少なくとも前記露光前の基板を受け入れ一旦保持する保
持部を更に具備することを特徴とする基板受け渡し装
置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか1
項に記載の基板受け渡し装置において、 前記熱処理部が、前記加熱部で加熱された基板を温調す
る温調部を前記加熱部と一体的に有することを特徴とす
る基板受け渡し装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の基板受け渡し装置にお
いて、 前記塗布現像処理装置と隣接すると共に前記保持部と前
記熱処理部との間に配置され、前記塗布現像処理装置と
前記保持部と前記熱処理部との間で基板を搬送する第２
の搬送部を更に具備することを特徴とする基板受け渡し
装置。 - 【請求項６】 請求項３記載の基板受け渡し装置におい
て、 前記保持部が、前記露光前の基板を前記搬送部から受け
入れ一旦保持し基板が常温付近の温度となるように温調
する温調台を垂直方向に多段に有することを特徴とする
基板受け渡し装置。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６のうちいずれか1
項に記載の基板受け渡し装置において、 前記熱処理部が垂直方向に多段に配置されていることを
特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項８】 請求項３記載の基板受け渡し装置におい
て、 前記露光前の基板を周辺露光する周辺露光部と、前記周
辺露光された基板を垂直方向に多段に保持するバッファ
部とが前記保持部と垂直方向に１列に配置され、かつこ
れら周辺露光部及びバッファ部が前記搬送部との間で基
板の受け渡しが可能とされていることを特徴とする基板
受け渡し装置。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８のうちいずれか1
項に記載の基板受け渡し装置において、 前記露光装置と前記第１の搬送部との間に、前記露光装
置における露光前の基板が載置されるインステージ及び
露光後の基板が載置されるアウトステージが配置されて
いることを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項１０】 請求項１から請求項８のうちいずれか
1項に記載の基板受け渡し装置において、 前記第１の搬送部は、前記塗布現像処理装置、前記熱処
理部、前記露光装置における露光前の基板が載置される
インステージ、露光後の基板が載置されるアウトステー
ジにより囲まれて、且つ、これらとの間で基板の受け渡
しが可能であることを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の基板受け渡し装置に
おいて、 前記第１の搬送部と隣接し、少なくとも前記露光前の基
板を受け入れ一旦保持する保持部を更に具備し、 前記第１の搬送部は、前記保持部との間で基板の受け渡
しが可能であることを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項１２】 基板に対してレジストを塗布し露光後
の基板を現像する塗布現像処理装置と前記レジストが塗
布された基板を露光する露光装置との間に配置され、こ
れらの装置との間で基板を受け渡す基板受け渡し装置に
おいて、 前記露光装置側への基板の搬出が可能で、前記露光前の
基板を受け入れ一旦保持する第１の保持部と、 前記第１の保持部と同一の平面上に配置され、前記露光
装置側からの基板の搬入が可能で、前記露光後の基板を
受け入れ一旦保持する第２の保持部と、 前記基板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、 前記塗布現像処理装置と隣接すると共に前記第１の保持
部と前記第２の保持部と前記熱処理部に囲まれるように
配置され、前記塗布現像処理装置と前記第１の保持部と
前記第２の保持部と前記熱処理部との間で基板を搬送す
る第１の搬送部と、 前記第１の保持部との間で基板の搬入が可能であり、更
に前記第２の保持部との間で基板の搬出が可能であり、
かつ前記露光装置における露光前の基板が載置されるイ
ンステージと露光後の基板が載置されるアウトステージ
との間で基板の搬入出が可能な第２の搬送部とを具備す
ることを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の基板受け渡し装置に
おいて、 前記露光装置側から搬入された基板を前記第２の搬送
部、第２の保持部及び第１の搬送部を介して前記熱処理
部へ搬送するまでの時間が一定となるように制御する手
段を更に具備することを特徴とする基板受け渡し装置。 - 【請求項１４】 レジストが塗布された基板を露光する
露光装置に接続される塗布現像処理システムにおいて、 前記基板に対してレジストを塗布し露光後の基板を現像
する塗布現像処理装置と、 前記露光装置と前記塗布現像処理装置との間に配置され
た基板受け渡し装置とを備え、 前記基板受け渡し装置が、 前記基板を加熱する加熱部を有する熱処理部と、 前記露光装置から搬入された基板を直接的に前記熱処理
部に搬送し、前記塗布現像処理装置側から搬入された基
板を前記露光装置に搬送する搬送部とを具備することを
特徴とする塗布現像処理システム。
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| JP18667499 | 1999-06-30 | ||
| JP11-186674 | 1999-06-30 | ||
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