JP2001185511A - 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器

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JP2001185511A
JP2001185511A JP36929199A JP36929199A JP2001185511A JP 2001185511 A JP2001185511 A JP 2001185511A JP 36929199 A JP36929199 A JP 36929199A JP 36929199 A JP36929199 A JP 36929199A JP 2001185511 A JP2001185511 A JP 2001185511A
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Osamu Omori
治 大森
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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リングをなくして、製造工程に優れる半導体
装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基
板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 一対のリール２２、２４間に長尺のテー
プ２０を掛け渡し、前記テープ２０を一方のリール２２
から他方のリール２４に送り出す間に、複数の半導体素
子を含む被切断部材を前記テープ２０に貼り付ける工程
と、前記テープ２０に貼り付けられた前記被切断部材
を、前記半導体素子ごとに個片にダイシングする工程
と、を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】ウェーハから複数の半導体チップを製造
する一連の工程において、リングを用いてダイシングを
行う方法が知られている。例えば、リングで固定したテ
ープにウェーハを接着して、リングを取り扱って各工程
を行っていた。
【０００３】しかし、この場合に、ウェーハの数だけリ
ングを用意しなければならず、また、リングの取り扱い
が煩雑な場合があった。
【０００４】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、リングをなくして、製造工程に優
れる半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装
置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、一対のリール間に長尺のテープを
掛け渡し、前記テープを一方のリールから他方のリール
に送り出す間に、複数の半導体素子を含む被切断部材を
前記テープに貼り付ける工程と、前記テープに貼り付け
られた前記被切断部材を、前記半導体素子ごとに個片に
ダイシングする工程と、を含む。
【０００６】本発明によれば、一対のリールによって長
尺のテープを送り出す間にテープ上で各工程を行う。テ
ープはリールで掛け渡されている。これによって、複数
の工程を同一のテープ上において、同時に処理すること
ができるので、効率良く製造工程を行うことができる。
さらに、テープを送り出して複数の工程を一連の流れ作
業で行うことができるので、製造工程を簡略化すること
ができる。
【０００７】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記一対のリール間で、前記テープ上の前記個片を
洗浄する工程と、前記テープの前記個片に対する接着力
を弱める工程と、前記テープ上の前記個片をピックアッ
プする工程と、のうち、少なくともいずれか一つの工程
をさらに含んでもよい。
【０００８】これによって、例えばウェーハから半導体
チップを形成する工程を一連の工程として簡略化するこ
とができる。
【０００９】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ダイシング工程では、前記テープを送り出す方
向を固定しておき、前記被切断部材の面上に設定される
二次元座標軸のＸ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方向
に沿って前記被切断部材をブレードで切断した後に、前
記ブレードを他方向に向けて、前記他方向に沿って前記
被切断部材を切断してもよい。
【００１０】これによれば、ブレードの向きをＸ軸方向
とＹ軸方向の一方向から他方向に切替えて、被切断部材
を切断する。これによって、向きを固定させたままで、
被切断部材をダイシングすることができる。
【００１１】（４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ダイシングする工程では、前記テープを送り出
す方向を固定しておき、前記被切断部材の面上に設定さ
れる二次元座標軸のＸ軸方向及びＹ軸方向に沿ってダイ
シングを行えるような方向に向いたそれぞれのブレード
で前記被切断部材を切断してもよい。
【００１２】これによれば、Ｘ軸方向に沿ってダイシン
グを行えるような方向に向いたブレードと、Ｙ軸方向に
沿ってダイシングを行えるような方向に向いたブレード
と、によって被切断部材を切断する。これによって、向
きを固定させたままで、被切断部材をダイシングするこ
とができる。
【００１３】（５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記被切断部材は、複数の前記半導体素子が形成さ
れたウェーハであり、前記個片は、前記ウェーハを前記
半導体素子ごとにダイシングして形成した半導体チップ
であってもよい。
【００１４】これによれば、ウェーハから複数の半導体
チップを形成する工程を、一連の流れ作業で行うことが
できる。
【００１５】（６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記被切断部材は、マトリクス状に配置された複数
の半導体チップが一括封止されてもよい。
【００１６】これによれば、マトリクス状の複数の半導
体チップが一括して封止されてなるものを複数に個片化
する工程を、一連の流れ作業で行うことができる。
【００１７】（７）本発明に係る半導体装置は、上記半
導体装置の製造方法から製造されてなる。
【００１８】（８）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置が搭載されている。
【００１９】（９）本発明に係る電子機器は、上記半導
体装置を有する。
【００２０】（１０）本発明に係る半導体装置の製造装
置は、長尺のテープを掛け渡す一対のリールと、複数の
半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り付ける
ステージと、前記テープに貼り付けられた前記被切断部
材を、前記半導体素子ごとに個片にダイシングするステ
ージと、を含み、前記各ステージは一対のリール間に配
置され、一方のリールから他方のリールに前記テープが
送り出される。
【００２１】本発明によれば、一対のリール間に各ステ
ージが配置され、長尺のテープがリールによって送り出
されて、各ステージに配置されている。テープはリール
で掛け渡されている。これによれば、それぞれのステー
ジにテープの一部が配置されて、各ステージ上で同時に
各工程が行われるので、製造効率が良い。さらに、テー
プを送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行うこと
ができるので、複数の工程を一連の流れ作業で行うこと
ができるので、製造工程を簡略化することができる。
【００２２】（１１）この半導体装置の製造装置におい
て、前記一対のリール間に、前記テープ上の前記個片を
洗浄するステージと、前記テープの前記個片に対する接
着力を弱めるステージと、前記テープ上の前記個片をピ
ックアップするステージと、のうち、少なくともいずれ
か一つのステージがさらに配置されてもよい。
【００２３】これによって、例えばウェーハから半導体
チップを形成するそれぞれのステージを一連の製造装置
として簡略化することができる。
【００２４】（１２）この半導体装置の製造装置におい
て、前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材
をダイシングするブレードを含み、前記ブレードは、前
記被切断部材の面上に設定される二次元座標軸のＸ軸方
向及びＹ軸方向の双方向に沿ってダイシングを行えるよ
うに方向を切替自在であってもよい。
【００２５】これによれば、ブレードの向きは、Ｘ軸方
向とＹ軸方向の双方向に切替自在である。これによっ
て、向きを固定させたままで、被切断部材をダイシング
することができる。
【００２６】（１３）この半導体装置の製造装置におい
て、前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材
をダイシングするブレードを含み、前記ブレードは、前
記被切断部材の面上に設定される二次元座標軸のＸ軸方
向及びＹ軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向
に向いて、それぞれ配置されてもよい。
【００２７】これによれば、Ｘ軸方向に沿ってダイシン
グを行えるような方向に向いたブレードと、Ｙ軸方向に
沿ってダイシングを行えるような方向に向いたブレード
と、が設けられている。これによって、向きを固定させ
たままで、被切断部材をダイシングすることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態について図面を参照して説明する。
【００２９】（第１の実施の形態）図１〜図４は、本実
施の形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説
明するための図である。図１は、複数の半導体チップ１
２が一括封止されてなる半導体アセンブリ１０から、個
片の半導体装置１８を製造する工程を示した図である。
図２及び図３は、半導体アセンブリ１０を説明するため
の図である。
【００３０】図２に示すように、基板１４に搭載される
複数の半導体チップ１２は、マトリクス状に配置されて
いる。半導体チップ１２は基板１４にフェースアップボ
ンディングされてもよく、フェースダウンボンディング
であってもよい。前者の場合は、半導体チップ１２の電
極と基板１４の配線パターンとがワイヤ１５によって電
気的に接続されてもよい。また、半導体チップ１２を積
み重ねて３次元的に実装した、いわゆるスタックド型に
実装した複数の半導体チップ１２を基板１４に搭載して
もよい。なお、マトリクス状に配置される半導体チップ
１２の配列及び数は特に限定されない。いずれの場合で
あっても、図３に示すように、基板１４上の複数の半導
体チップ１２は樹脂１６で一括封止される。なお、基板
１４は、ダイシングされて個片になると半導体装置１８
のインターポーザとなる。
【００３１】図１に示すように、テープ２０は、リール
２２、２４によって掛け渡されている。テープ２０に
は、リール２２、２４間において引張応力を加えてもよ
い。上流側のリール２２と下流側のリール２４のうち少
なくとも後者のリール２４を回転させることによってテ
ープ２０を一方から他方のリール２４に送り出す。
【００３２】テープ２０は、接着力の強弱をコントロー
ルできるものが好ましく、例えば紫外線硬化型樹脂を粘
着材とするＵＶテープを用いてもよい。ＵＶテープで
は、その接着力を紫外線の照射による樹脂の硬化によっ
て、容易になくすことができる。
【００３３】（貼り付け工程）ステージ３０において、
半導体アセンブリ１０をテープ２０に貼り付ける。冶具
３２によって半導体アセンブリ１０を把持して、半導体
アセンブリ１０をテープ２０に貼り付けてもよい。この
場合に、半導体アセンブリ１０におけるダイシングする
側とは反対側の面をテープ２０に貼り付ける。
【００３４】ステージ３０におけるテーブル（図示しな
い）にテープ２０を載置して、半導体アセンブリ１０を
貼り付けてもよい。これによって、確実に半導体アセン
ブリ１０をテープ２０に貼り付けることができる。ま
た、後の工程であるダイシング工程で、半導体アセンブ
リ１０に加えられるダイシング時の応力によって、半導
体アセンブリ１０がテープ２０から剥がれない程度に、
確実に半導体アセンブリ１０をテープ２０に貼り付ける
ことが好ましい。なお、テープ２０に貼り付けられた半
導体アセンブリ１０は、リール２２、２４の回転によっ
て次の工程を行うためのステージ４０に搬送される。
【００３５】（ダイシング工程）ステージ４０におい
て、半導体アセンブリ１０を半導体素子ごとにダイシン
グして、テープ２０上で半導体装置１８に個片化する。
半導体アセンブリ１０のダイシングにおいて、カッタ、
レーザ及びブレード４２等のいずれを用いてもよい。例
えば、図１に示すようにブレード４２を高速に回転させ
ることによって、半導体アセンブリ１０を切削切断して
個々の半導体装置１８を形成してもよい。
【００３６】ダイシング工程では、半導体アセンブリ１
０の面上に設定される二次元座標軸のＸ軸方向とＹ軸方
向の双方向のラインに沿って、半導体アセンブリ１０を
ダイシングする。本実施の形態では、リール２２、２４
によって送り出す方向が定められたテープ２０上でダイ
シングを行う。すなわち、半導体アセンブリ１０の向き
を固定した状態で、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの
ラインに沿ってダイシングを行う。
【００３７】例えば、図４に示すように、Ｘ軸方向及び
Ｙ軸方向のそれぞれの切削ラインに沿ってダイシングで
きるように切替えることのできるブレード４２を用い
て、ダイシングしてもよい。Ｘ軸方向及びＹ軸方向のい
ずれか一方向の切削ラインに沿って半導体アセンブリ１
０を切削切断した後に、ブレード４２を、他方向の切削
ラインに沿ってダイシングできるように方向を切替え
て、他方向の切削ラインに沿って半導体アセンブリ１０
を切削切断する。ブレード４２は一つであっても複数で
あってもよいが、この場合は一つのブレード４２を用い
て切削切断できるメリットがある。
【００３８】また、複数のブレード４２をＸ軸方向及び
Ｙ軸方向の双方向に向けて、半導体アセンブリ１０をダ
イシングしてもよい。詳しく言うと、Ｘ軸方向に沿って
ダイシングを行えるような方向に向いたブレード４２
と、Ｙ軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向に
向いた別のブレード４２と、によって被切断部材を切断
する。Ｘ軸方向とＹ軸方向の異なる方向の切削ラインに
沿ってダイシングできるように予めブレード４２を配置
しておけば、それぞれのブレード４２の切削ラインを一
方向に限ることができるので、既存の装置を用いること
ができる。
【００３９】上述のブレード４２の形態によって、向き
を固定させたままで、半導体アセンブリ１０をダイシン
グすることができる。なお、本工程はテープ２０をテー
ブル（図示しない）に載置してダイシングすることが好
ましい。これによって、安定した状態で確実にダイシン
グすることができる。
【００４０】（その他の工程）本実施の形態では、上述
の工程のほかに、以下に示す工程をさらに加えてもよ
い。
【００４１】ステージ５０において、テープ２０上の複
数の半導体装置１８を洗浄する。ダイシングされた半導
体装置１８の表面の微粒子、有機物及び無機物などの汚
染物を、洗浄剤などの化学作用や高圧噴射５２などの物
理作用を併用して除去してもよい。
【００４２】ステージ６０において、テープ２０におけ
る複数の半導体装置１８に対する接着力を弱める。詳し
く言うと、半導体装置１８をテープ２０から剥がしやす
くするために、半導体装置１８とテープ２０との接着力
をなくすようにする。例えば、加熱によってテープ２０
を軟らかくして接着力を弱めてもよい。また、テープ２
０がＵＶテープであれば、ステージ６０において、テー
プ２０に紫外線６２を照射することで、テープ２０の接
着力を弱めることができる。なお、テープ２０の接着力
を弱めた後でも、半導体装置１８をテープ２０上に載置
した状態で、次工程に搬送する。
【００４３】ステージ７０において、テープ２０上に載
置された半導体装置１８をピックアップする。例えば、
図１に示すように半導体装置１８におけるテープ２０の
貼り付けられた面の側から、テープ２０を介して半導体
装置１８を持ち上げるように押圧冶具７２によってピッ
クアップしてもよい。本工程前に、半導体装置１８とテ
ープ２０と接着力を弱めた場合は、より簡単にピックア
ップすることができる。本工程によって、テープ２０か
ら、複数の半導体装置１８を個別に取り出すことができ
る。
【００４４】上述の工程は、テープ２０上で、半導体ア
センブリ１０をダイシングして複数の半導体チップ１２
を形成する一連の工程について示したが、本発明に係る
半導体装置の製造方法はこれに限定されない。
【００４５】本実施の形態の変形例として、図５に示す
ように、被切断部材としてウェーハ８０をダイシングし
て複数の半導体チップ１２を一連の工程で形成してもよ
い。周知のように、ウェーハ８０の一方の面には、複数
の半導体素子が形成されており、個々の半導体素子ごと
にダイシングして半導体チップ１２を形成することがで
きる。
【００４６】ウェーハ８０をダイシングする場合は、一
般的にウェーハ８０における半導体素子の形成された能
動面８２の側からダイシングを行うので、ウェーハ８０
における能動面とは反対側の面をテープ２０に貼りつけ
て行うことが好ましい。この場合においても、ブレード
４２を用いてダイシングしてもよく、ダイシング工程は
上述と同様であってもよい。その他の工程は、半導体ア
センブリ１０におけるものと同様であってもよい。
【００４７】本実施の形態によれば、一対のリール２
２、２４によって長尺のテープ２０を送り出す間にテー
プ２０上で各工程を行う。テープ２０はリール２２、２
４で掛け渡されている。これによって、複数の工程を同
一のテープ２０上において、同時に処理することができ
るので、効率良く製造を行うことができる。さらに、テ
ープ２０を送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行
うことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。
【００４８】上述に本実施の形態に係る半導体装置の製
造方法について示したが、以下に本実施の形態に係る半
導体装置の製造装置について説明する。本実施の形態に
係る半導体装置の製造装置は、一対のリール２２、２４
と、リール２２、２４間に配置された各ステージと、を
含む。なお、被切断部材は、半導体アセンブリ１０であ
っても、ウェーハ８０であってもよい。
【００４９】図１に示すように、テープ２０は一対のリ
ール２２、２４間に掛け渡されており、リール２２、２
４間に複数のステージ３０、４０が配置されている。言
い換えると、テープ２０上で各工程を行うことができる
ように、リール２２、２４間に配置された各ステージ３
０、４０のそれぞれにテープ２０の一部が配置される。
また、ステージ３０、４０のほかに、ステージ５０、６
０、７０がさらにリール２２、２４間に設けられていて
もよい。
【００５０】テープ２０は、一対のリール２２、２４に
よって掛け渡されており、テープ２０のリール２２、２
４間に位置する部分は引張応力が加えられていてもよ
い。言い換えると、テープ２０はその両側から引張られ
た状態で常にテンションが掛けられていてもよい。これ
によって、例えば、ダイシング工程では正確にダイシン
グを行うことができ、また、ピックアップ工程では、容
易に個片を取り出すことができる。
【００５１】一つのステージ３０での工程が終わると、
リール２２、２４によってテープ２０が送り出されて、
テープ２０に貼り付けられた、例えば半導体アセンブリ
１０が次のステージ４０に搬送される。この半導体アセ
ンブリ１０がステージ４０に配置されてダイシング工程
が行われるときに、ステージ３０では、別の半導体アセ
ンブリ１０がテープ２０上に貼り付けられる。このよう
にして、各ステージにおいて各工程が同時に処理され得
る。この場合に、当然のことながら各ステージでの処理
時間は工程によって異なる。したがって、同じテープ２
０上で行う各工程のうち最も処理時間のかかる工程が終
わった後に、リール２２、２４によってテープ２０を送
り出すことが好ましい。
【００５２】本実施の形態によれば、一対のリール２
２、２４間に各ステージが配置され、長尺のテープ２０
がリール２２、２４によって送り出されて、各ステージ
に配置されている。テープ２０はリール２２、２４で掛
け渡されている。これによれば、それぞれのステージに
テープ２０の一部が配置されて、各ステージ上で同時に
各工程が行われるので、製造効率が良い。さらに、テー
プ２０を送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行う
ことができるので、複数の工程を一連の流れ作業で行う
ことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。
【００５３】図６には、本発明を適用して製造されてな
る最終製品の半導体装置１を実装した回路基板１００が
示されている。回路基板には例えばガラスエポキシ基板
等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板
には例えば銅等からなる配線パターンが所望の回路とな
るように形成されていて、それらの配線パターンと半導
体装置の外部端子とを機械的に接続することでそれらの
電気的導通を図る。
【００５４】そして、本発明を適用した半導体装置１を
有する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコ
ンピュータ２００、図８には携帯電話３００が示されて
いる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態の
変形例に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明
するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を搭載する回路基板を
示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体アセンブリ １２ 半導体チップ １４ 基板 １５ ワイヤ １６ 樹脂 １８ 半導体装置 ２０ テープ ２２ リール ２４ リール ３２ 冶具 ４２ ブレード ８０ ウェーハ ８２ 能動面

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対のリール間に長尺のテープを掛け渡
    し、前記テープを一方のリールから他方のリールに送り
    出す間に、 複数の半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り
    付ける工程と、 前記テープに貼り付けられた前記被切断部材を、前記半
    導体素子ごとに個片にダイシングする工程と、 を含む半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記一対のリール間で、 前記テープ上の前記個片を洗浄する工程と、 前記テープの前記個片に対する接着力を弱める工程と、 前記テープ上の前記個片をピックアップする工程と、 のうち、少なくともいずれか一つの工程をさらに含む半
    導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
    置の製造方法において、 前記ダイシング工程では、 前記テープを送り出す方向を固定しておき、前記被切断
    部材の面上に設定される二次元座標軸のＸ軸方向及びＹ
    軸方向のいずれか一方向に沿って前記被切断部材をブレ
    ードで切断した後に、前記ブレードを他方向に向けて、
    前記他方向に沿って前記被切断部材を切断する半導体装
    置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
    置の製造方法において、 前記ダイシングする工程では、 前記テープを送り出す方向を固定しておき、前記被切断
    部材の面上に設定される二次元座標軸のＸ軸方向及びＹ
    軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向に向いた
    それぞれのブレードで前記被切断部材を切断する半導体
    装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法において、 前記被切断部材は、複数の前記半導体素子が形成された
    ウェーハであり、 前記個片は、前記ウェーハを前記半導体素子ごとにダイ
    シングして形成した半導体チップである半導体装置の製
    造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法において、 前記被切断部材は、マトリクス状に配置された複数の半
    導体チップが一括封止されてなる半導体装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法で製造されてなる半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置が搭載された
    回路基板。
  9. 【請求項９】 請求項７記載の半導体装置を有する電子
    機器。
  10. 【請求項１０】 長尺のテープを掛け渡す一対のリール
    と、 複数の半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り
    付けるステージと、 前記テープに貼り付けられた前記被切断部材を、前記半
    導体素子ごとに個片にダイシングするステージと、 を含み、 前記各ステージは一対のリール間に配置され、一方のリ
    ールから他方のリールに前記テープが送り出される半導
    体装置の製造装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体装置の製造装
    置において、 前記一対のリール間に、 前記テープ上の前記個片を洗浄するステージと、 前記テープの前記個片に対する接着力を弱めるステージ
    と、 前記テープ上の前記個片をピックアップするステージ
    と、 のうち、少なくともいずれか一つのステージがさらに配
    置された半導体装置の製造装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１０又は請求項１１に記載の半
    導体装置の製造装置において、 前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材をダ
    イシングするブレードを含み、 前記ブレードは、前記被切断部材の面上に設定される二
    次元座標軸のＸ軸方向及びＹ軸方向の双方向に沿ってダ
    イシングを行えるように方向を切替自在である半導体装
    置の製造装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１０又は請求項１１に記載の半
    導体装置の製造装置において、 前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材をダ
    イシングするブレードを含み、 前記ブレードは、前記被切断部材の面上に設定される二
    次元座標軸のＸ軸方向及びＹ軸方向に沿ってダイシング
    を行えるような方向に向いて、それぞれ配置された半導
    体装置の製造装置。
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JP2013008823A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切断装置

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