JP2001185511A - 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器Info
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- JP2001185511A JP2001185511A JP36929199A JP36929199A JP2001185511A JP 2001185511 A JP2001185511 A JP 2001185511A JP 36929199 A JP36929199 A JP 36929199A JP 36929199 A JP36929199 A JP 36929199A JP 2001185511 A JP2001185511 A JP 2001185511A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リングをなくして、製造工程に優れる半導体
装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基
板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 一対のリール22、24間に長尺のテー
プ20を掛け渡し、前記テープ20を一方のリール22
から他方のリール24に送り出す間に、複数の半導体素
子を含む被切断部材を前記テープ20に貼り付ける工程
と、前記テープ20に貼り付けられた前記被切断部材
を、前記半導体素子ごとに個片にダイシングする工程
と、を含む。
装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基
板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 一対のリール22、24間に長尺のテー
プ20を掛け渡し、前記テープ20を一方のリール22
から他方のリール24に送り出す間に、複数の半導体素
子を含む被切断部材を前記テープ20に貼り付ける工程
と、前記テープ20に貼り付けられた前記被切断部材
を、前記半導体素子ごとに個片にダイシングする工程
と、を含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】ウェーハから複数の半導体チップを製造
する一連の工程において、リングを用いてダイシングを
行う方法が知られている。例えば、リングで固定したテ
ープにウェーハを接着して、リングを取り扱って各工程
を行っていた。
する一連の工程において、リングを用いてダイシングを
行う方法が知られている。例えば、リングで固定したテ
ープにウェーハを接着して、リングを取り扱って各工程
を行っていた。
【0003】しかし、この場合に、ウェーハの数だけリ
ングを用意しなければならず、また、リングの取り扱い
が煩雑な場合があった。
ングを用意しなければならず、また、リングの取り扱い
が煩雑な場合があった。
【0004】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、リングをなくして、製造工程に優
れる半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装
置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
であり、その目的は、リングをなくして、製造工程に優
れる半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装
置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る半導
体装置の製造方法は、一対のリール間に長尺のテープを
掛け渡し、前記テープを一方のリールから他方のリール
に送り出す間に、複数の半導体素子を含む被切断部材を
前記テープに貼り付ける工程と、前記テープに貼り付け
られた前記被切断部材を、前記半導体素子ごとに個片に
ダイシングする工程と、を含む。
体装置の製造方法は、一対のリール間に長尺のテープを
掛け渡し、前記テープを一方のリールから他方のリール
に送り出す間に、複数の半導体素子を含む被切断部材を
前記テープに貼り付ける工程と、前記テープに貼り付け
られた前記被切断部材を、前記半導体素子ごとに個片に
ダイシングする工程と、を含む。
【0006】本発明によれば、一対のリールによって長
尺のテープを送り出す間にテープ上で各工程を行う。テ
ープはリールで掛け渡されている。これによって、複数
の工程を同一のテープ上において、同時に処理すること
ができるので、効率良く製造工程を行うことができる。
さらに、テープを送り出して複数の工程を一連の流れ作
業で行うことができるので、製造工程を簡略化すること
ができる。
尺のテープを送り出す間にテープ上で各工程を行う。テ
ープはリールで掛け渡されている。これによって、複数
の工程を同一のテープ上において、同時に処理すること
ができるので、効率良く製造工程を行うことができる。
さらに、テープを送り出して複数の工程を一連の流れ作
業で行うことができるので、製造工程を簡略化すること
ができる。
【0007】(2)この半導体装置の製造方法におい
て、前記一対のリール間で、前記テープ上の前記個片を
洗浄する工程と、前記テープの前記個片に対する接着力
を弱める工程と、前記テープ上の前記個片をピックアッ
プする工程と、のうち、少なくともいずれか一つの工程
をさらに含んでもよい。
て、前記一対のリール間で、前記テープ上の前記個片を
洗浄する工程と、前記テープの前記個片に対する接着力
を弱める工程と、前記テープ上の前記個片をピックアッ
プする工程と、のうち、少なくともいずれか一つの工程
をさらに含んでもよい。
【0008】これによって、例えばウェーハから半導体
チップを形成する工程を一連の工程として簡略化するこ
とができる。
チップを形成する工程を一連の工程として簡略化するこ
とができる。
【0009】(3)この半導体装置の製造方法におい
て、前記ダイシング工程では、前記テープを送り出す方
向を固定しておき、前記被切断部材の面上に設定される
二次元座標軸のX軸方向及びY軸方向のいずれか一方向
に沿って前記被切断部材をブレードで切断した後に、前
記ブレードを他方向に向けて、前記他方向に沿って前記
被切断部材を切断してもよい。
て、前記ダイシング工程では、前記テープを送り出す方
向を固定しておき、前記被切断部材の面上に設定される
二次元座標軸のX軸方向及びY軸方向のいずれか一方向
に沿って前記被切断部材をブレードで切断した後に、前
記ブレードを他方向に向けて、前記他方向に沿って前記
被切断部材を切断してもよい。
【0010】これによれば、ブレードの向きをX軸方向
とY軸方向の一方向から他方向に切替えて、被切断部材
を切断する。これによって、向きを固定させたままで、
被切断部材をダイシングすることができる。
とY軸方向の一方向から他方向に切替えて、被切断部材
を切断する。これによって、向きを固定させたままで、
被切断部材をダイシングすることができる。
【0011】(4)この半導体装置の製造方法におい
て、前記ダイシングする工程では、前記テープを送り出
す方向を固定しておき、前記被切断部材の面上に設定さ
れる二次元座標軸のX軸方向及びY軸方向に沿ってダイ
シングを行えるような方向に向いたそれぞれのブレード
で前記被切断部材を切断してもよい。
て、前記ダイシングする工程では、前記テープを送り出
す方向を固定しておき、前記被切断部材の面上に設定さ
れる二次元座標軸のX軸方向及びY軸方向に沿ってダイ
シングを行えるような方向に向いたそれぞれのブレード
で前記被切断部材を切断してもよい。
【0012】これによれば、X軸方向に沿ってダイシン
グを行えるような方向に向いたブレードと、Y軸方向に
沿ってダイシングを行えるような方向に向いたブレード
と、によって被切断部材を切断する。これによって、向
きを固定させたままで、被切断部材をダイシングするこ
とができる。
グを行えるような方向に向いたブレードと、Y軸方向に
沿ってダイシングを行えるような方向に向いたブレード
と、によって被切断部材を切断する。これによって、向
きを固定させたままで、被切断部材をダイシングするこ
とができる。
【0013】(5)この半導体装置の製造方法におい
て、前記被切断部材は、複数の前記半導体素子が形成さ
れたウェーハであり、前記個片は、前記ウェーハを前記
半導体素子ごとにダイシングして形成した半導体チップ
であってもよい。
て、前記被切断部材は、複数の前記半導体素子が形成さ
れたウェーハであり、前記個片は、前記ウェーハを前記
半導体素子ごとにダイシングして形成した半導体チップ
であってもよい。
【0014】これによれば、ウェーハから複数の半導体
チップを形成する工程を、一連の流れ作業で行うことが
できる。
チップを形成する工程を、一連の流れ作業で行うことが
できる。
【0015】(6)この半導体装置の製造方法におい
て、前記被切断部材は、マトリクス状に配置された複数
の半導体チップが一括封止されてもよい。
て、前記被切断部材は、マトリクス状に配置された複数
の半導体チップが一括封止されてもよい。
【0016】これによれば、マトリクス状の複数の半導
体チップが一括して封止されてなるものを複数に個片化
する工程を、一連の流れ作業で行うことができる。
体チップが一括して封止されてなるものを複数に個片化
する工程を、一連の流れ作業で行うことができる。
【0017】(7)本発明に係る半導体装置は、上記半
導体装置の製造方法から製造されてなる。
導体装置の製造方法から製造されてなる。
【0018】(8)本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置が搭載されている。
体装置が搭載されている。
【0019】(9)本発明に係る電子機器は、上記半導
体装置を有する。
体装置を有する。
【0020】(10)本発明に係る半導体装置の製造装
置は、長尺のテープを掛け渡す一対のリールと、複数の
半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り付ける
ステージと、前記テープに貼り付けられた前記被切断部
材を、前記半導体素子ごとに個片にダイシングするステ
ージと、を含み、前記各ステージは一対のリール間に配
置され、一方のリールから他方のリールに前記テープが
送り出される。
置は、長尺のテープを掛け渡す一対のリールと、複数の
半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り付ける
ステージと、前記テープに貼り付けられた前記被切断部
材を、前記半導体素子ごとに個片にダイシングするステ
ージと、を含み、前記各ステージは一対のリール間に配
置され、一方のリールから他方のリールに前記テープが
送り出される。
【0021】本発明によれば、一対のリール間に各ステ
ージが配置され、長尺のテープがリールによって送り出
されて、各ステージに配置されている。テープはリール
で掛け渡されている。これによれば、それぞれのステー
ジにテープの一部が配置されて、各ステージ上で同時に
各工程が行われるので、製造効率が良い。さらに、テー
プを送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行うこと
ができるので、複数の工程を一連の流れ作業で行うこと
ができるので、製造工程を簡略化することができる。
ージが配置され、長尺のテープがリールによって送り出
されて、各ステージに配置されている。テープはリール
で掛け渡されている。これによれば、それぞれのステー
ジにテープの一部が配置されて、各ステージ上で同時に
各工程が行われるので、製造効率が良い。さらに、テー
プを送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行うこと
ができるので、複数の工程を一連の流れ作業で行うこと
ができるので、製造工程を簡略化することができる。
【0022】(11)この半導体装置の製造装置におい
て、前記一対のリール間に、前記テープ上の前記個片を
洗浄するステージと、前記テープの前記個片に対する接
着力を弱めるステージと、前記テープ上の前記個片をピ
ックアップするステージと、のうち、少なくともいずれ
か一つのステージがさらに配置されてもよい。
て、前記一対のリール間に、前記テープ上の前記個片を
洗浄するステージと、前記テープの前記個片に対する接
着力を弱めるステージと、前記テープ上の前記個片をピ
ックアップするステージと、のうち、少なくともいずれ
か一つのステージがさらに配置されてもよい。
【0023】これによって、例えばウェーハから半導体
チップを形成するそれぞれのステージを一連の製造装置
として簡略化することができる。
チップを形成するそれぞれのステージを一連の製造装置
として簡略化することができる。
【0024】(12)この半導体装置の製造装置におい
て、前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材
をダイシングするブレードを含み、前記ブレードは、前
記被切断部材の面上に設定される二次元座標軸のX軸方
向及びY軸方向の双方向に沿ってダイシングを行えるよ
うに方向を切替自在であってもよい。
て、前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材
をダイシングするブレードを含み、前記ブレードは、前
記被切断部材の面上に設定される二次元座標軸のX軸方
向及びY軸方向の双方向に沿ってダイシングを行えるよ
うに方向を切替自在であってもよい。
【0025】これによれば、ブレードの向きは、X軸方
向とY軸方向の双方向に切替自在である。これによっ
て、向きを固定させたままで、被切断部材をダイシング
することができる。
向とY軸方向の双方向に切替自在である。これによっ
て、向きを固定させたままで、被切断部材をダイシング
することができる。
【0026】(13)この半導体装置の製造装置におい
て、前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材
をダイシングするブレードを含み、前記ブレードは、前
記被切断部材の面上に設定される二次元座標軸のX軸方
向及びY軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向
に向いて、それぞれ配置されてもよい。
て、前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材
をダイシングするブレードを含み、前記ブレードは、前
記被切断部材の面上に設定される二次元座標軸のX軸方
向及びY軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向
に向いて、それぞれ配置されてもよい。
【0027】これによれば、X軸方向に沿ってダイシン
グを行えるような方向に向いたブレードと、Y軸方向に
沿ってダイシングを行えるような方向に向いたブレード
と、が設けられている。これによって、向きを固定させ
たままで、被切断部材をダイシングすることができる。
グを行えるような方向に向いたブレードと、Y軸方向に
沿ってダイシングを行えるような方向に向いたブレード
と、が設けられている。これによって、向きを固定させ
たままで、被切断部材をダイシングすることができる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態について図面を参照して説明する。
態について図面を参照して説明する。
【0029】(第1の実施の形態)図1〜図4は、本実
施の形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説
明するための図である。図1は、複数の半導体チップ1
2が一括封止されてなる半導体アセンブリ10から、個
片の半導体装置18を製造する工程を示した図である。
図2及び図3は、半導体アセンブリ10を説明するため
の図である。
施の形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説
明するための図である。図1は、複数の半導体チップ1
2が一括封止されてなる半導体アセンブリ10から、個
片の半導体装置18を製造する工程を示した図である。
図2及び図3は、半導体アセンブリ10を説明するため
の図である。
【0030】図2に示すように、基板14に搭載される
複数の半導体チップ12は、マトリクス状に配置されて
いる。半導体チップ12は基板14にフェースアップボ
ンディングされてもよく、フェースダウンボンディング
であってもよい。前者の場合は、半導体チップ12の電
極と基板14の配線パターンとがワイヤ15によって電
気的に接続されてもよい。また、半導体チップ12を積
み重ねて3次元的に実装した、いわゆるスタックド型に
実装した複数の半導体チップ12を基板14に搭載して
もよい。なお、マトリクス状に配置される半導体チップ
12の配列及び数は特に限定されない。いずれの場合で
あっても、図3に示すように、基板14上の複数の半導
体チップ12は樹脂16で一括封止される。なお、基板
14は、ダイシングされて個片になると半導体装置18
のインターポーザとなる。
複数の半導体チップ12は、マトリクス状に配置されて
いる。半導体チップ12は基板14にフェースアップボ
ンディングされてもよく、フェースダウンボンディング
であってもよい。前者の場合は、半導体チップ12の電
極と基板14の配線パターンとがワイヤ15によって電
気的に接続されてもよい。また、半導体チップ12を積
み重ねて3次元的に実装した、いわゆるスタックド型に
実装した複数の半導体チップ12を基板14に搭載して
もよい。なお、マトリクス状に配置される半導体チップ
12の配列及び数は特に限定されない。いずれの場合で
あっても、図3に示すように、基板14上の複数の半導
体チップ12は樹脂16で一括封止される。なお、基板
14は、ダイシングされて個片になると半導体装置18
のインターポーザとなる。
【0031】図1に示すように、テープ20は、リール
22、24によって掛け渡されている。テープ20に
は、リール22、24間において引張応力を加えてもよ
い。上流側のリール22と下流側のリール24のうち少
なくとも後者のリール24を回転させることによってテ
ープ20を一方から他方のリール24に送り出す。
22、24によって掛け渡されている。テープ20に
は、リール22、24間において引張応力を加えてもよ
い。上流側のリール22と下流側のリール24のうち少
なくとも後者のリール24を回転させることによってテ
ープ20を一方から他方のリール24に送り出す。
【0032】テープ20は、接着力の強弱をコントロー
ルできるものが好ましく、例えば紫外線硬化型樹脂を粘
着材とするUVテープを用いてもよい。UVテープで
は、その接着力を紫外線の照射による樹脂の硬化によっ
て、容易になくすことができる。
ルできるものが好ましく、例えば紫外線硬化型樹脂を粘
着材とするUVテープを用いてもよい。UVテープで
は、その接着力を紫外線の照射による樹脂の硬化によっ
て、容易になくすことができる。
【0033】(貼り付け工程)ステージ30において、
半導体アセンブリ10をテープ20に貼り付ける。冶具
32によって半導体アセンブリ10を把持して、半導体
アセンブリ10をテープ20に貼り付けてもよい。この
場合に、半導体アセンブリ10におけるダイシングする
側とは反対側の面をテープ20に貼り付ける。
半導体アセンブリ10をテープ20に貼り付ける。冶具
32によって半導体アセンブリ10を把持して、半導体
アセンブリ10をテープ20に貼り付けてもよい。この
場合に、半導体アセンブリ10におけるダイシングする
側とは反対側の面をテープ20に貼り付ける。
【0034】ステージ30におけるテーブル(図示しな
い)にテープ20を載置して、半導体アセンブリ10を
貼り付けてもよい。これによって、確実に半導体アセン
ブリ10をテープ20に貼り付けることができる。ま
た、後の工程であるダイシング工程で、半導体アセンブ
リ10に加えられるダイシング時の応力によって、半導
体アセンブリ10がテープ20から剥がれない程度に、
確実に半導体アセンブリ10をテープ20に貼り付ける
ことが好ましい。なお、テープ20に貼り付けられた半
導体アセンブリ10は、リール22、24の回転によっ
て次の工程を行うためのステージ40に搬送される。
い)にテープ20を載置して、半導体アセンブリ10を
貼り付けてもよい。これによって、確実に半導体アセン
ブリ10をテープ20に貼り付けることができる。ま
た、後の工程であるダイシング工程で、半導体アセンブ
リ10に加えられるダイシング時の応力によって、半導
体アセンブリ10がテープ20から剥がれない程度に、
確実に半導体アセンブリ10をテープ20に貼り付ける
ことが好ましい。なお、テープ20に貼り付けられた半
導体アセンブリ10は、リール22、24の回転によっ
て次の工程を行うためのステージ40に搬送される。
【0035】(ダイシング工程)ステージ40におい
て、半導体アセンブリ10を半導体素子ごとにダイシン
グして、テープ20上で半導体装置18に個片化する。
半導体アセンブリ10のダイシングにおいて、カッタ、
レーザ及びブレード42等のいずれを用いてもよい。例
えば、図1に示すようにブレード42を高速に回転させ
ることによって、半導体アセンブリ10を切削切断して
個々の半導体装置18を形成してもよい。
て、半導体アセンブリ10を半導体素子ごとにダイシン
グして、テープ20上で半導体装置18に個片化する。
半導体アセンブリ10のダイシングにおいて、カッタ、
レーザ及びブレード42等のいずれを用いてもよい。例
えば、図1に示すようにブレード42を高速に回転させ
ることによって、半導体アセンブリ10を切削切断して
個々の半導体装置18を形成してもよい。
【0036】ダイシング工程では、半導体アセンブリ1
0の面上に設定される二次元座標軸のX軸方向とY軸方
向の双方向のラインに沿って、半導体アセンブリ10を
ダイシングする。本実施の形態では、リール22、24
によって送り出す方向が定められたテープ20上でダイ
シングを行う。すなわち、半導体アセンブリ10の向き
を固定した状態で、X軸方向及びY軸方向のそれぞれの
ラインに沿ってダイシングを行う。
0の面上に設定される二次元座標軸のX軸方向とY軸方
向の双方向のラインに沿って、半導体アセンブリ10を
ダイシングする。本実施の形態では、リール22、24
によって送り出す方向が定められたテープ20上でダイ
シングを行う。すなわち、半導体アセンブリ10の向き
を固定した状態で、X軸方向及びY軸方向のそれぞれの
ラインに沿ってダイシングを行う。
【0037】例えば、図4に示すように、X軸方向及び
Y軸方向のそれぞれの切削ラインに沿ってダイシングで
きるように切替えることのできるブレード42を用い
て、ダイシングしてもよい。X軸方向及びY軸方向のい
ずれか一方向の切削ラインに沿って半導体アセンブリ1
0を切削切断した後に、ブレード42を、他方向の切削
ラインに沿ってダイシングできるように方向を切替え
て、他方向の切削ラインに沿って半導体アセンブリ10
を切削切断する。ブレード42は一つであっても複数で
あってもよいが、この場合は一つのブレード42を用い
て切削切断できるメリットがある。
Y軸方向のそれぞれの切削ラインに沿ってダイシングで
きるように切替えることのできるブレード42を用い
て、ダイシングしてもよい。X軸方向及びY軸方向のい
ずれか一方向の切削ラインに沿って半導体アセンブリ1
0を切削切断した後に、ブレード42を、他方向の切削
ラインに沿ってダイシングできるように方向を切替え
て、他方向の切削ラインに沿って半導体アセンブリ10
を切削切断する。ブレード42は一つであっても複数で
あってもよいが、この場合は一つのブレード42を用い
て切削切断できるメリットがある。
【0038】また、複数のブレード42をX軸方向及び
Y軸方向の双方向に向けて、半導体アセンブリ10をダ
イシングしてもよい。詳しく言うと、X軸方向に沿って
ダイシングを行えるような方向に向いたブレード42
と、Y軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向に
向いた別のブレード42と、によって被切断部材を切断
する。X軸方向とY軸方向の異なる方向の切削ラインに
沿ってダイシングできるように予めブレード42を配置
しておけば、それぞれのブレード42の切削ラインを一
方向に限ることができるので、既存の装置を用いること
ができる。
Y軸方向の双方向に向けて、半導体アセンブリ10をダ
イシングしてもよい。詳しく言うと、X軸方向に沿って
ダイシングを行えるような方向に向いたブレード42
と、Y軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向に
向いた別のブレード42と、によって被切断部材を切断
する。X軸方向とY軸方向の異なる方向の切削ラインに
沿ってダイシングできるように予めブレード42を配置
しておけば、それぞれのブレード42の切削ラインを一
方向に限ることができるので、既存の装置を用いること
ができる。
【0039】上述のブレード42の形態によって、向き
を固定させたままで、半導体アセンブリ10をダイシン
グすることができる。なお、本工程はテープ20をテー
ブル(図示しない)に載置してダイシングすることが好
ましい。これによって、安定した状態で確実にダイシン
グすることができる。
を固定させたままで、半導体アセンブリ10をダイシン
グすることができる。なお、本工程はテープ20をテー
ブル(図示しない)に載置してダイシングすることが好
ましい。これによって、安定した状態で確実にダイシン
グすることができる。
【0040】(その他の工程)本実施の形態では、上述
の工程のほかに、以下に示す工程をさらに加えてもよ
い。
の工程のほかに、以下に示す工程をさらに加えてもよ
い。
【0041】ステージ50において、テープ20上の複
数の半導体装置18を洗浄する。ダイシングされた半導
体装置18の表面の微粒子、有機物及び無機物などの汚
染物を、洗浄剤などの化学作用や高圧噴射52などの物
理作用を併用して除去してもよい。
数の半導体装置18を洗浄する。ダイシングされた半導
体装置18の表面の微粒子、有機物及び無機物などの汚
染物を、洗浄剤などの化学作用や高圧噴射52などの物
理作用を併用して除去してもよい。
【0042】ステージ60において、テープ20におけ
る複数の半導体装置18に対する接着力を弱める。詳し
く言うと、半導体装置18をテープ20から剥がしやす
くするために、半導体装置18とテープ20との接着力
をなくすようにする。例えば、加熱によってテープ20
を軟らかくして接着力を弱めてもよい。また、テープ2
0がUVテープであれば、ステージ60において、テー
プ20に紫外線62を照射することで、テープ20の接
着力を弱めることができる。なお、テープ20の接着力
を弱めた後でも、半導体装置18をテープ20上に載置
した状態で、次工程に搬送する。
る複数の半導体装置18に対する接着力を弱める。詳し
く言うと、半導体装置18をテープ20から剥がしやす
くするために、半導体装置18とテープ20との接着力
をなくすようにする。例えば、加熱によってテープ20
を軟らかくして接着力を弱めてもよい。また、テープ2
0がUVテープであれば、ステージ60において、テー
プ20に紫外線62を照射することで、テープ20の接
着力を弱めることができる。なお、テープ20の接着力
を弱めた後でも、半導体装置18をテープ20上に載置
した状態で、次工程に搬送する。
【0043】ステージ70において、テープ20上に載
置された半導体装置18をピックアップする。例えば、
図1に示すように半導体装置18におけるテープ20の
貼り付けられた面の側から、テープ20を介して半導体
装置18を持ち上げるように押圧冶具72によってピッ
クアップしてもよい。本工程前に、半導体装置18とテ
ープ20と接着力を弱めた場合は、より簡単にピックア
ップすることができる。本工程によって、テープ20か
ら、複数の半導体装置18を個別に取り出すことができ
る。
置された半導体装置18をピックアップする。例えば、
図1に示すように半導体装置18におけるテープ20の
貼り付けられた面の側から、テープ20を介して半導体
装置18を持ち上げるように押圧冶具72によってピッ
クアップしてもよい。本工程前に、半導体装置18とテ
ープ20と接着力を弱めた場合は、より簡単にピックア
ップすることができる。本工程によって、テープ20か
ら、複数の半導体装置18を個別に取り出すことができ
る。
【0044】上述の工程は、テープ20上で、半導体ア
センブリ10をダイシングして複数の半導体チップ12
を形成する一連の工程について示したが、本発明に係る
半導体装置の製造方法はこれに限定されない。
センブリ10をダイシングして複数の半導体チップ12
を形成する一連の工程について示したが、本発明に係る
半導体装置の製造方法はこれに限定されない。
【0045】本実施の形態の変形例として、図5に示す
ように、被切断部材としてウェーハ80をダイシングし
て複数の半導体チップ12を一連の工程で形成してもよ
い。周知のように、ウェーハ80の一方の面には、複数
の半導体素子が形成されており、個々の半導体素子ごと
にダイシングして半導体チップ12を形成することがで
きる。
ように、被切断部材としてウェーハ80をダイシングし
て複数の半導体チップ12を一連の工程で形成してもよ
い。周知のように、ウェーハ80の一方の面には、複数
の半導体素子が形成されており、個々の半導体素子ごと
にダイシングして半導体チップ12を形成することがで
きる。
【0046】ウェーハ80をダイシングする場合は、一
般的にウェーハ80における半導体素子の形成された能
動面82の側からダイシングを行うので、ウェーハ80
における能動面とは反対側の面をテープ20に貼りつけ
て行うことが好ましい。この場合においても、ブレード
42を用いてダイシングしてもよく、ダイシング工程は
上述と同様であってもよい。その他の工程は、半導体ア
センブリ10におけるものと同様であってもよい。
般的にウェーハ80における半導体素子の形成された能
動面82の側からダイシングを行うので、ウェーハ80
における能動面とは反対側の面をテープ20に貼りつけ
て行うことが好ましい。この場合においても、ブレード
42を用いてダイシングしてもよく、ダイシング工程は
上述と同様であってもよい。その他の工程は、半導体ア
センブリ10におけるものと同様であってもよい。
【0047】本実施の形態によれば、一対のリール2
2、24によって長尺のテープ20を送り出す間にテー
プ20上で各工程を行う。テープ20はリール22、2
4で掛け渡されている。これによって、複数の工程を同
一のテープ20上において、同時に処理することができ
るので、効率良く製造を行うことができる。さらに、テ
ープ20を送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行
うことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。
2、24によって長尺のテープ20を送り出す間にテー
プ20上で各工程を行う。テープ20はリール22、2
4で掛け渡されている。これによって、複数の工程を同
一のテープ20上において、同時に処理することができ
るので、効率良く製造を行うことができる。さらに、テ
ープ20を送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行
うことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。
【0048】上述に本実施の形態に係る半導体装置の製
造方法について示したが、以下に本実施の形態に係る半
導体装置の製造装置について説明する。本実施の形態に
係る半導体装置の製造装置は、一対のリール22、24
と、リール22、24間に配置された各ステージと、を
含む。なお、被切断部材は、半導体アセンブリ10であ
っても、ウェーハ80であってもよい。
造方法について示したが、以下に本実施の形態に係る半
導体装置の製造装置について説明する。本実施の形態に
係る半導体装置の製造装置は、一対のリール22、24
と、リール22、24間に配置された各ステージと、を
含む。なお、被切断部材は、半導体アセンブリ10であ
っても、ウェーハ80であってもよい。
【0049】図1に示すように、テープ20は一対のリ
ール22、24間に掛け渡されており、リール22、2
4間に複数のステージ30、40が配置されている。言
い換えると、テープ20上で各工程を行うことができる
ように、リール22、24間に配置された各ステージ3
0、40のそれぞれにテープ20の一部が配置される。
また、ステージ30、40のほかに、ステージ50、6
0、70がさらにリール22、24間に設けられていて
もよい。
ール22、24間に掛け渡されており、リール22、2
4間に複数のステージ30、40が配置されている。言
い換えると、テープ20上で各工程を行うことができる
ように、リール22、24間に配置された各ステージ3
0、40のそれぞれにテープ20の一部が配置される。
また、ステージ30、40のほかに、ステージ50、6
0、70がさらにリール22、24間に設けられていて
もよい。
【0050】テープ20は、一対のリール22、24に
よって掛け渡されており、テープ20のリール22、2
4間に位置する部分は引張応力が加えられていてもよ
い。言い換えると、テープ20はその両側から引張られ
た状態で常にテンションが掛けられていてもよい。これ
によって、例えば、ダイシング工程では正確にダイシン
グを行うことができ、また、ピックアップ工程では、容
易に個片を取り出すことができる。
よって掛け渡されており、テープ20のリール22、2
4間に位置する部分は引張応力が加えられていてもよ
い。言い換えると、テープ20はその両側から引張られ
た状態で常にテンションが掛けられていてもよい。これ
によって、例えば、ダイシング工程では正確にダイシン
グを行うことができ、また、ピックアップ工程では、容
易に個片を取り出すことができる。
【0051】一つのステージ30での工程が終わると、
リール22、24によってテープ20が送り出されて、
テープ20に貼り付けられた、例えば半導体アセンブリ
10が次のステージ40に搬送される。この半導体アセ
ンブリ10がステージ40に配置されてダイシング工程
が行われるときに、ステージ30では、別の半導体アセ
ンブリ10がテープ20上に貼り付けられる。このよう
にして、各ステージにおいて各工程が同時に処理され得
る。この場合に、当然のことながら各ステージでの処理
時間は工程によって異なる。したがって、同じテープ2
0上で行う各工程のうち最も処理時間のかかる工程が終
わった後に、リール22、24によってテープ20を送
り出すことが好ましい。
リール22、24によってテープ20が送り出されて、
テープ20に貼り付けられた、例えば半導体アセンブリ
10が次のステージ40に搬送される。この半導体アセ
ンブリ10がステージ40に配置されてダイシング工程
が行われるときに、ステージ30では、別の半導体アセ
ンブリ10がテープ20上に貼り付けられる。このよう
にして、各ステージにおいて各工程が同時に処理され得
る。この場合に、当然のことながら各ステージでの処理
時間は工程によって異なる。したがって、同じテープ2
0上で行う各工程のうち最も処理時間のかかる工程が終
わった後に、リール22、24によってテープ20を送
り出すことが好ましい。
【0052】本実施の形態によれば、一対のリール2
2、24間に各ステージが配置され、長尺のテープ20
がリール22、24によって送り出されて、各ステージ
に配置されている。テープ20はリール22、24で掛
け渡されている。これによれば、それぞれのステージに
テープ20の一部が配置されて、各ステージ上で同時に
各工程が行われるので、製造効率が良い。さらに、テー
プ20を送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行う
ことができるので、複数の工程を一連の流れ作業で行う
ことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。
2、24間に各ステージが配置され、長尺のテープ20
がリール22、24によって送り出されて、各ステージ
に配置されている。テープ20はリール22、24で掛
け渡されている。これによれば、それぞれのステージに
テープ20の一部が配置されて、各ステージ上で同時に
各工程が行われるので、製造効率が良い。さらに、テー
プ20を送り出して複数の工程を一連の流れ作業で行う
ことができるので、複数の工程を一連の流れ作業で行う
ことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。
【0053】図6には、本発明を適用して製造されてな
る最終製品の半導体装置1を実装した回路基板100が
示されている。回路基板には例えばガラスエポキシ基板
等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板
には例えば銅等からなる配線パターンが所望の回路とな
るように形成されていて、それらの配線パターンと半導
体装置の外部端子とを機械的に接続することでそれらの
電気的導通を図る。
る最終製品の半導体装置1を実装した回路基板100が
示されている。回路基板には例えばガラスエポキシ基板
等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板
には例えば銅等からなる配線パターンが所望の回路とな
るように形成されていて、それらの配線パターンと半導
体装置の外部端子とを機械的に接続することでそれらの
電気的導通を図る。
【0054】そして、本発明を適用した半導体装置1を
有する電子機器として、図7にはノート型パーソナルコ
ンピュータ200、図8には携帯電話300が示されて
いる。
有する電子機器として、図7にはノート型パーソナルコ
ンピュータ200、図8には携帯電話300が示されて
いる。
【図1】図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図2】図2は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図3】図3は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図4】図4は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。
【図5】図5は、本発明を適用した第1の実施の形態の
変形例に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明
するための図である。
変形例に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明
するための図である。
【図6】図6は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を搭載する回路基板を
示す図である。
法から製造されてなる半導体装置を搭載する回路基板を
示す図である。
【図7】図7は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
【図8】図8は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
10 半導体アセンブリ 12 半導体チップ 14 基板 15 ワイヤ 16 樹脂 18 半導体装置 20 テープ 22 リール 24 リール 32 冶具 42 ブレード 80 ウェーハ 82 能動面
Claims (13)
- 【請求項1】 一対のリール間に長尺のテープを掛け渡
し、前記テープを一方のリールから他方のリールに送り
出す間に、 複数の半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り
付ける工程と、 前記テープに貼り付けられた前記被切断部材を、前記半
導体素子ごとに個片にダイシングする工程と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記一対のリール間で、 前記テープ上の前記個片を洗浄する工程と、 前記テープの前記個片に対する接着力を弱める工程と、 前記テープ上の前記個片をピックアップする工程と、 のうち、少なくともいずれか一つの工程をさらに含む半
導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の半導体装
置の製造方法において、 前記ダイシング工程では、 前記テープを送り出す方向を固定しておき、前記被切断
部材の面上に設定される二次元座標軸のX軸方向及びY
軸方向のいずれか一方向に沿って前記被切断部材をブレ
ードで切断した後に、前記ブレードを他方向に向けて、
前記他方向に沿って前記被切断部材を切断する半導体装
置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1又は請求項2に記載の半導体装
置の製造方法において、 前記ダイシングする工程では、 前記テープを送り出す方向を固定しておき、前記被切断
部材の面上に設定される二次元座標軸のX軸方向及びY
軸方向に沿ってダイシングを行えるような方向に向いた
それぞれのブレードで前記被切断部材を切断する半導体
装置の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記被切断部材は、複数の前記半導体素子が形成された
ウェーハであり、 前記個片は、前記ウェーハを前記半導体素子ごとにダイ
シングして形成した半導体チップである半導体装置の製
造方法。 - 【請求項6】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記被切断部材は、マトリクス状に配置された複数の半
導体チップが一括封止されてなる半導体装置の製造方
法。 - 【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法で製造されてなる半導体装置。 - 【請求項8】 請求項7記載の半導体装置が搭載された
回路基板。 - 【請求項9】 請求項7記載の半導体装置を有する電子
機器。 - 【請求項10】 長尺のテープを掛け渡す一対のリール
と、 複数の半導体素子を含む被切断部材を前記テープに貼り
付けるステージと、 前記テープに貼り付けられた前記被切断部材を、前記半
導体素子ごとに個片にダイシングするステージと、 を含み、 前記各ステージは一対のリール間に配置され、一方のリ
ールから他方のリールに前記テープが送り出される半導
体装置の製造装置。 - 【請求項11】 請求項10記載の半導体装置の製造装
置において、 前記一対のリール間に、 前記テープ上の前記個片を洗浄するステージと、 前記テープの前記個片に対する接着力を弱めるステージ
と、 前記テープ上の前記個片をピックアップするステージ
と、 のうち、少なくともいずれか一つのステージがさらに配
置された半導体装置の製造装置。 - 【請求項12】 請求項10又は請求項11に記載の半
導体装置の製造装置において、 前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材をダ
イシングするブレードを含み、 前記ブレードは、前記被切断部材の面上に設定される二
次元座標軸のX軸方向及びY軸方向の双方向に沿ってダ
イシングを行えるように方向を切替自在である半導体装
置の製造装置。 - 【請求項13】 請求項10又は請求項11に記載の半
導体装置の製造装置において、 前記ダイシングを行うステージで、前記被切断部材をダ
イシングするブレードを含み、 前記ブレードは、前記被切断部材の面上に設定される二
次元座標軸のX軸方向及びY軸方向に沿ってダイシング
を行えるような方向に向いて、それぞれ配置された半導
体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36929199A JP2001185511A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36929199A JP2001185511A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001185511A true JP2001185511A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18494064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36929199A Withdrawn JP2001185511A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001185511A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008823A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切断装置 |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP36929199A patent/JP2001185511A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008823A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切断装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060112 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |