JP2001184508A - 外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法Info
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- JP2001184508A JP2001184508A JP36676299A JP36676299A JP2001184508A JP 2001184508 A JP2001184508 A JP 2001184508A JP 36676299 A JP36676299 A JP 36676299A JP 36676299 A JP36676299 A JP 36676299A JP 2001184508 A JP2001184508 A JP 2001184508A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】明るさの変化や検査領域の位置補正によって生
じる明るい部分の画素数の急激な変化を無くして安定し
て外観検査を行うこと。 【解決手段】画像データ上に位置補正された検査領域Ｐ
内の明度の総和を、検査領域Ｐのエッジを含む１画素サ
イズ以下のサブ画素（微小エッジ領域Ｗ）における明度
の合計と、このサブ画素の領域を除く検査領域Ｐ内の明
度の合計とを総和して求め、この明度の総和Ｓａに基づ
いて被検査物の欠陥３の有無を検査する。
じる明るい部分の画素数の急激な変化を無くして安定し
て外観検査を行うこと。 【解決手段】画像データ上に位置補正された検査領域Ｐ
内の明度の総和を、検査領域Ｐのエッジを含む１画素サ
イズ以下のサブ画素（微小エッジ領域Ｗ）における明度
の合計と、このサブ画素の領域を除く検査領域Ｐ内の明
度の合計とを総和して求め、この明度の総和Ｓａに基づ
いて被検査物の欠陥３の有無を検査する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検査物として例
えばＩＣチップのバンプやパッド部分又はＩＣパッケー
ジのモールド部分の傷、ダストなどの欠陥を検査する外
観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法に
関する。
えばＩＣチップのバンプやパッド部分又はＩＣパッケー
ジのモールド部分の傷、ダストなどの欠陥を検査する外
観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップのバンプやパッド部分又はＩ
Ｃパッケージのモールド部分などの被検査物の傷、ダス
トなどの欠陥を検査する技術として画像処理を用いるも
のがある。この技術は、被検査物をＩＴＶ（工業用テレ
ビジョン）カメラにより撮像し、その得られた画像デー
タに対して画像処理を施すことによってＩＣチップのバ
ンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモールド部分の
傷、ダストを検出するものである。
Ｃパッケージのモールド部分などの被検査物の傷、ダス
トなどの欠陥を検査する技術として画像処理を用いるも
のがある。この技術は、被検査物をＩＴＶ（工業用テレ
ビジョン）カメラにより撮像し、その得られた画像デー
タに対して画像処理を施すことによってＩＣチップのバ
ンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモールド部分の
傷、ダストを検出するものである。
【０００３】例えば、図９は被検査物をＩＴＶカメラの
撮像により得られた画像データの模式図である。この画
像データでは、位置決め用パターン１と被検査対象パタ
ーン２とが撮像され、被検査対象パターン２には傷など
の欠陥３がある。なお、被検査対象パターン２は、ＩＣ
チップのバンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモー
ルド部分である。
撮像により得られた画像データの模式図である。この画
像データでは、位置決め用パターン１と被検査対象パタ
ーン２とが撮像され、被検査対象パターン２には傷など
の欠陥３がある。なお、被検査対象パターン２は、ＩＣ
チップのバンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモー
ルド部分である。
【０００４】この画像データを用いての外観検査は、先
ず、図１０に示すように位置決め用パターン１に対して
位置決め領域４を設定し、被検査対象パターン２に対し
て検査領域５を設定する。このうち検査領域５は、位置
決め領域４を用いて検査時に画素単位で位置補正する。
ず、図１０に示すように位置決め用パターン１に対して
位置決め領域４を設定し、被検査対象パターン２に対し
て検査領域５を設定する。このうち検査領域５は、位置
決め領域４を用いて検査時に画素単位で位置補正する。
【０００５】次に、検査領域５内の各画素の明度を設定
したしきい値で２値化し、明るい部分の画素数を計数す
る。これは欠陥３が画像データ上で明るい値となるから
である。この結果、欠陥３が無ければ画素数が少ない
が、欠陥３がある場合には画素数が多くなるので、画素
数の大小から欠陥３の有無を判定している。
したしきい値で２値化し、明るい部分の画素数を計数す
る。これは欠陥３が画像データ上で明るい値となるから
である。この結果、欠陥３が無ければ画素数が少ない
が、欠陥３がある場合には画素数が多くなるので、画素
数の大小から欠陥３の有無を判定している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では、画像データの明るさが少し変化しただけでも、
明るい部分の画素数が急激に増加する場合がある。この
ため、安定して欠陥３の有無を判定することが困難とな
っている。
法では、画像データの明るさが少し変化しただけでも、
明るい部分の画素数が急激に増加する場合がある。この
ため、安定して欠陥３の有無を判定することが困難とな
っている。
【０００７】又、検査時における検査領域５の位置補正
は画素単位で行っているので、検査領域５が検査対象パ
ターン２のエッジ近くにある場合などでは、検査時の位
置が少し変わっただけで１画素分の明るい部分の画素数
が加わり、急激に明るい部分の画素数が増加する場合が
ある。このため、安定して欠陥３の有無を判定すること
が困難となっている。
は画素単位で行っているので、検査領域５が検査対象パ
ターン２のエッジ近くにある場合などでは、検査時の位
置が少し変わっただけで１画素分の明るい部分の画素数
が加わり、急激に明るい部分の画素数が増加する場合が
ある。このため、安定して欠陥３の有無を判定すること
が困難となっている。
【０００８】そこで本発明は、明るさの変化や検査領域
の位置補正によって生じる明るい部分の画素数の急激な
変化を無くして安定して外観検査ができる外観検査方法
及びその装置並びに半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
の位置補正によって生じる明るい部分の画素数の急激な
変化を無くして安定して外観検査ができる外観検査方法
及びその装置並びに半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、被検査物を撮像して得られた画像データに対して検
査領域を設定し、この検査領域内の明度の総和に基づい
て被検査物の外観検査を行う外観検査方法において、検
査領域内の明度の総和を、検査領域のエッジを含む所定
の画素サイズ以下の微小エッジ領域における明度の合計
と微小エッジ領域を除く検査領域内の明度の合計とを総
和して求める外観検査方法である。
は、被検査物を撮像して得られた画像データに対して検
査領域を設定し、この検査領域内の明度の総和に基づい
て被検査物の外観検査を行う外観検査方法において、検
査領域内の明度の総和を、検査領域のエッジを含む所定
の画素サイズ以下の微小エッジ領域における明度の合計
と微小エッジ領域を除く検査領域内の明度の合計とを総
和して求める外観検査方法である。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
外観検査方法において、検査領域内の明度の総和は、検
査領域のエッジを含む１画素サイズ以下の微小エッジ領
域における明度の合計と微小エッジ領域を除く検査領域
内の明度の合計とを加算して求めるものである。
外観検査方法において、検査領域内の明度の総和は、検
査領域のエッジを含む１画素サイズ以下の微小エッジ領
域における明度の合計と微小エッジ領域を除く検査領域
内の明度の合計とを加算して求めるものである。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１記載の
外観検査方法において、画像データに対して検査領域を
設定する工程と、検査領域を画像データの検査対象パタ
ーンとのずれに基づいて位置補正する工程とを有するも
のである。
外観検査方法において、画像データに対して検査領域を
設定する工程と、検査領域を画像データの検査対象パタ
ーンとのずれに基づいて位置補正する工程とを有するも
のである。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１記載の
外観検査方法において、検査領域内の明度の総和に基づ
いて被検査物の欠陥の有無を検査するものである。
外観検査方法において、検査領域内の明度の総和に基づ
いて被検査物の欠陥の有無を検査するものである。
【００１３】請求項５に記載の発明は、被検査物を撮像
して得られた画像データに対して検査領域を設定し、こ
の検査領域内の明度の総和に基づいて被検査物の外観検
査を行う外観検査装置において、検査領域内の明度の総
和を、検査領域のエッジを含む所定の画素サイズ以下の
微小エッジ領域における明度の合計と微小エッジ領域を
除く検査領域内の明度の合計とを総和する明度総和手段
を備えた外観検査装置である。
して得られた画像データに対して検査領域を設定し、こ
の検査領域内の明度の総和に基づいて被検査物の外観検
査を行う外観検査装置において、検査領域内の明度の総
和を、検査領域のエッジを含む所定の画素サイズ以下の
微小エッジ領域における明度の合計と微小エッジ領域を
除く検査領域内の明度の合計とを総和する明度総和手段
を備えた外観検査装置である。
【００１４】請求項６に記載の発明は、請求項５記載の
外観検査装置において、画像データに対して検査領域を
設定する検査領域設定手段と、この検査領域設定手段に
より設定された検査領域を画像データの検査対象パター
ンとのずれに基づいて位置補正する位置補正手段とを有
するものである。
外観検査装置において、画像データに対して検査領域を
設定する検査領域設定手段と、この検査領域設定手段に
より設定された検査領域を画像データの検査対象パター
ンとのずれに基づいて位置補正する位置補正手段とを有
するものである。
【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項５記載の
外観検査装置において、検査領域内の明度の総和に基づ
いて被検査物の欠陥の有無を検査する欠陥検査手段を備
えたものである。
外観検査装置において、検査領域内の明度の総和に基づ
いて被検査物の欠陥の有無を検査する欠陥検査手段を備
えたものである。
【００１６】請求項８に記載の発明は、半導体装置を撮
像して得られた画像データに対して検査領域を設定し、
この検査領域内の明度の総和に基づいて半導体装置の外
観検査を行って半導体装置を製造する半導体装置の製造
方法において、検査領域内の明度の総和を、検査領域の
エッジを含む所定画素サイズ以下の微小エッジ領域にお
ける明度の合計と微小エッジ領域を除く検査領域内の明
度の合計とを総和して求め、この明度の総和に基づいて
半導体装置の外観検査を行なって半導体装置を製造する
半導体装置の製造方法である。
像して得られた画像データに対して検査領域を設定し、
この検査領域内の明度の総和に基づいて半導体装置の外
観検査を行って半導体装置を製造する半導体装置の製造
方法において、検査領域内の明度の総和を、検査領域の
エッジを含む所定画素サイズ以下の微小エッジ領域にお
ける明度の合計と微小エッジ領域を除く検査領域内の明
度の合計とを総和して求め、この明度の総和に基づいて
半導体装置の外観検査を行なって半導体装置を製造する
半導体装置の製造方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、図９と同一部分に
は同一符号を付してある。
いて図面を参照して説明する。なお、図９と同一部分に
は同一符号を付してある。
【００１８】図１は外観検査装置の構成図である。例え
ば、半導体装置の一種としてＩＣチップやＩＣパッケー
ジがあるが、これらＩＣチップのバンプやパッド部分又
はＩＣパッケージのモールド部分などの被検査物１０の
上方には、ＩＴＶカメラ１１が配置されている。このＩ
ＴＶカメラ１１は、被検査物１０を撮像してその画像信
号を出力するものとなっている。
ば、半導体装置の一種としてＩＣチップやＩＣパッケー
ジがあるが、これらＩＣチップのバンプやパッド部分又
はＩＣパッケージのモールド部分などの被検査物１０の
上方には、ＩＴＶカメラ１１が配置されている。このＩ
ＴＶカメラ１１は、被検査物１０を撮像してその画像信
号を出力するものとなっている。
【００１９】画像処理・演算装置１２は、ＩＴＶカメラ
１１から出力された画像信号を入力し、デジタル変換し
て画像データとして画像メモリ１３に記憶する機能を有
している。又、画像処理・演算装置１２は、画像メモリ
１３に記憶された画像データから被検査物１０の欠陥の
有無を判定するもので、検査領域設定手段１４、位置補
正手段１５、明度総和手段１６及び欠陥検査手段１７の
各機能を有している。
１１から出力された画像信号を入力し、デジタル変換し
て画像データとして画像メモリ１３に記憶する機能を有
している。又、画像処理・演算装置１２は、画像メモリ
１３に記憶された画像データから被検査物１０の欠陥の
有無を判定するもので、検査領域設定手段１４、位置補
正手段１５、明度総和手段１６及び欠陥検査手段１７の
各機能を有している。
【００２０】検査領域設定手段１４は、画像メモリ１３
に記憶されている画像データ上に、図２に示すように位
置決め用パターン１に対して検査領域Ｐを設定する機能
を有している。
に記憶されている画像データ上に、図２に示すように位
置決め用パターン１に対して検査領域Ｐを設定する機能
を有している。
【００２１】位置補正手段１５は、検査領域設定手段１
４により設定された検査領域Ｐを画像データの検査対象
パターン２とのずれに基づいて位置補正する機能を有し
ている。
４により設定された検査領域Ｐを画像データの検査対象
パターン２とのずれに基づいて位置補正する機能を有し
ている。
【００２２】明度総和手段１６は、図３に示すように位
置補正手段１５により位置補正された検査領域Ｐ内の明
度の総和を、検査領域Ｐのエッジを含む１画素サイズ以
下の微小エッジ領域（斜線部分）Ｗにおける明度の合計
と、この微小エッジ領域Ｗを除く検査領域Ｐ内の明度の
合計とを総和して求める機能を有している。なお、図３
において画像データ上の欠陥３は点線で示している。
置補正手段１５により位置補正された検査領域Ｐ内の明
度の総和を、検査領域Ｐのエッジを含む１画素サイズ以
下の微小エッジ領域（斜線部分）Ｗにおける明度の合計
と、この微小エッジ領域Ｗを除く検査領域Ｐ内の明度の
合計とを総和して求める機能を有している。なお、図３
において画像データ上の欠陥３は点線で示している。
【００２３】欠陥検査手段１７は、明度総和手段１６に
より求められた検査領域Ｐ内の明度の総和に基づいて被
検査物の欠陥３の有無を検査する機能を有している。
より求められた検査領域Ｐ内の明度の総和に基づいて被
検査物の欠陥３の有無を検査する機能を有している。
【００２４】次に、上記の如く構成された装置の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２５】ＩＴＶカメラ１１は、例えばＩＣチップの
バンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモールド部分
などの被検査物１０を撮像してその画像信号を出力す
る。この画像信号は、画像処理・演算装置１２に送られ
る。
バンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモールド部分
などの被検査物１０を撮像してその画像信号を出力す
る。この画像信号は、画像処理・演算装置１２に送られ
る。
【００２６】この画像処理・演算装置１２は、ＩＴＶカ
メラ１１から出力された画像信号を入力し、デジタル変
換して画像データとして画像メモリ１３に記憶する。
メラ１１から出力された画像信号を入力し、デジタル変
換して画像データとして画像メモリ１３に記憶する。
【００２７】この画像処理・演算装置１２において検査
領域設定手段１４は、画像メモリ１３に記憶されている
画像データ上に、図２に示すように位置決め用パターン
１に対して検査領域Ｐを設定する。
領域設定手段１４は、画像メモリ１３に記憶されている
画像データ上に、図２に示すように位置決め用パターン
１に対して検査領域Ｐを設定する。
【００２８】次に、この位置補正手段１５は、検査領域
設定手段１４により設定された検査領域Ｐを画像データ
の検査対象パターン２とのずれに基づいて位置補正す
る。
設定手段１４により設定された検査領域Ｐを画像データ
の検査対象パターン２とのずれに基づいて位置補正す
る。
【００２９】次に、明度総和手段１６は、図３に示すよ
うに位置補正手段１５により位置補正された検査領域Ｐ
内の明度の総和を、検査領域Ｐのエッジを含む１画素サ
イズ以下の微小エッジ領域（斜線部分）Ｗにおける明度
の合計と、この微小エッジ領域Ｗを除く検査領域Ｐ内の
明度の合計とを総和して求める。
うに位置補正手段１５により位置補正された検査領域Ｐ
内の明度の総和を、検査領域Ｐのエッジを含む１画素サ
イズ以下の微小エッジ領域（斜線部分）Ｗにおける明度
の合計と、この微小エッジ領域Ｗを除く検査領域Ｐ内の
明度の合計とを総和して求める。
【００３０】これら位置補正手段１５及び明度総和手段
１６の作用を具体的に説明する。
１６の作用を具体的に説明する。
【００３１】図４に示すような画像データＧ（ｘ，ｙ）
に設定された検査領域Ｐ｛（Ｐｘ，Ｐｙ）−（Ｑｘ，Ｑ
ｙ）｝内の欠陥の有無を検査する場合について説明す
る。
に設定された検査領域Ｐ｛（Ｐｘ，Ｐｙ）−（Ｑｘ，Ｑ
ｙ）｝内の欠陥の有無を検査する場合について説明す
る。
【００３２】先ず、上記の如く検査領域Ｐの位置補正を
行う。図４においてＰが元の検査領域であり、Ｐ’が位
置補正された検査領域である。この位置補正の結果、図
４に示すようにｘ方向にＡｘ、ｙ方向にＡｙの位置ずれ
が検出された。ここで、位置ずれＡｘの整数部をＡｘ
ｉ、小数部をＡｘｓとし、位置ずれＡｙの整数部をＡｙ
ｉ、小数部をＡｙｓとする。
行う。図４においてＰが元の検査領域であり、Ｐ’が位
置補正された検査領域である。この位置補正の結果、図
４に示すようにｘ方向にＡｘ、ｙ方向にＡｙの位置ずれ
が検出された。ここで、位置ずれＡｘの整数部をＡｘ
ｉ、小数部をＡｘｓとし、位置ずれＡｙの整数部をＡｙ
ｉ、小数部をＡｙｓとする。
【００３３】次に、明度総和手段１６は、位置補正され
た検査領域Ｐ’内の明度の総和を算出する。先ず、１画
素サイズ以下（サブ画素と称する）の微小エッジ領域Ｗ
での位置ずれを考慮しない場合の検査領域Ｐ’内の明度
の総和Ｓａは、次の通り求められる。
た検査領域Ｐ’内の明度の総和を算出する。先ず、１画
素サイズ以下（サブ画素と称する）の微小エッジ領域Ｗ
での位置ずれを考慮しない場合の検査領域Ｐ’内の明度
の総和Ｓａは、次の通り求められる。
【００３４】
【数１】
【００３５】次に、サブ画素サイズ以下の位置ずれを考
慮する場合の検査領域Ｐ’内の明度の総和Ｓａは、検査
領域Ｐ’のエッジを含むサブ画素における明度の合計
と、このサブ画素を除く検査領域Ｐ’内の明度の合計と
の総和して求める。
慮する場合の検査領域Ｐ’内の明度の総和Ｓａは、検査
領域Ｐ’のエッジを含むサブ画素における明度の合計
と、このサブ画素を除く検査領域Ｐ’内の明度の合計と
の総和して求める。
【００３６】具体的には、次の通り１次補間法を用いて
求められる。図５に示すように検査領域Ｐ’を１画素サ
イズ大きくした画像データＧの実検査領域｛（Ｐｘ＋Ａ
ｘｉ，Ｐｙ＋Ａｙｉ）−（Ｑｘ＋Ａｘｉ＋１，Ｑｙ＋Ａ
ｙｉ＋１）｝のｘ軸及びｙ軸への投影処理を行う。これ
ら投影処理のｘ軸及びｙ軸の各結果をそれぞれＵ
（ｘ）、Ｖ（ｙ）とすると、検査領域Ｐ’内の明度の総
和Ｓｂは、例えば次の通りとなる。
求められる。図５に示すように検査領域Ｐ’を１画素サ
イズ大きくした画像データＧの実検査領域｛（Ｐｘ＋Ａ
ｘｉ，Ｐｙ＋Ａｙｉ）−（Ｑｘ＋Ａｘｉ＋１，Ｑｙ＋Ａ
ｙｉ＋１）｝のｘ軸及びｙ軸への投影処理を行う。これ
ら投影処理のｘ軸及びｙ軸の各結果をそれぞれＵ
（ｘ）、Ｖ（ｙ）とすると、検査領域Ｐ’内の明度の総
和Ｓｂは、例えば次の通りとなる。
【００３７】 Ｓｂ＝Ｓｃ＋Ｓｘｓ＋Ｓｘｅ＋Ｓｙｓ＋Ｓｙｅ …(2)
【数２】
【００３８】 Ｓｘｓ＝Ａｘｓ＊Ｕ（Ｐｘ＋Ａｘｉ） ＋（１−Ａｘｓ）＊Ｕ（Ｐｘ＋Ａｘｉ＋１） …(4) Ｓｘｅ＝Ａｘｓ＊Ｕ（Ｑｘ＋Ａｘｉ） ＋（１−Ａｘｓ）＊Ｕ（Ｑｘ＋Ａｘｉ＋１） …(5) Ｓｙｓ＝Ａｘｓ＊Ｖ（Ｐｘ＋Ａｙｉ） ＋（１−Ａｙｓ）＊Ｖ（Ｐｘ＋Ａｙｉ＋１） …(6) Ｓｙｅ＝Ａｘｓ＊Ｖ（Ｑｘ＋Ａｙｉ） ＋（１−Ａｙｓ）＊Ｕ（Ｑｘ＋Ａｙｉ＋１） …(7) すなわち、図６に示すようにＳｃは検査領域Ｐ’内のサ
ブ画素の領域を除く領域の明度の合計、Ｓｘｓ，Ｓｘ
ｅ，Ｓｙｓ，Ｓｙｅは、それぞれ検査領域Ｐ’の４辺の
各エッジを含むサブ画素の領域での明度の合計である。
ブ画素の領域を除く領域の明度の合計、Ｓｘｓ，Ｓｘ
ｅ，Ｓｙｓ，Ｓｙｅは、それぞれ検査領域Ｐ’の４辺の
各エッジを含むサブ画素の領域での明度の合計である。
【００３９】次に、欠陥検査手段１７は、明度総和手段
１６により求められた検査領域Ｐ’内の明度の総和Ｓａ
に基づいて被検査物の欠陥３の有無を検査する。検査領
域Ｐ’内の明度の総和Ｓａが予め決められた範囲外であ
れば不良とする。
１６により求められた検査領域Ｐ’内の明度の総和Ｓａ
に基づいて被検査物の欠陥３の有無を検査する。検査領
域Ｐ’内の明度の総和Ｓａが予め決められた範囲外であ
れば不良とする。
【００４０】実際のＩＣチップのバンプに対する検査で
は、図７に示すようにバンプのパターン２０の各４辺の
エッジに対して検査領域Ｐを設定する。このバンプ検査
では、バンプのパターン２０に例えば針跡２１がその中
央に付くことがある。この針跡２１は、欠陥ではないの
で、検査領域Ｐは、中央部を除いて設定することで傷や
ダストの検査を行うものとなる。すなわち、検査領域Ｐ
内の明度の総和Ｓａは、検査領域Ｐのエッジを含むサブ
画素における明度の合計と、このサブ画素及び中央部を
除く検査領域Ｐ内の明度の合計との総和して求める。そ
して、この明度の総和Ｓａに基づいて被検査物の欠陥３
の有無を検査し、検査領域Ｐ内の明度の総和Ｓａが予め
決められた範囲外であれば傷やダストなどが存在すると
して不良とする。
は、図７に示すようにバンプのパターン２０の各４辺の
エッジに対して検査領域Ｐを設定する。このバンプ検査
では、バンプのパターン２０に例えば針跡２１がその中
央に付くことがある。この針跡２１は、欠陥ではないの
で、検査領域Ｐは、中央部を除いて設定することで傷や
ダストの検査を行うものとなる。すなわち、検査領域Ｐ
内の明度の総和Ｓａは、検査領域Ｐのエッジを含むサブ
画素における明度の合計と、このサブ画素及び中央部を
除く検査領域Ｐ内の明度の合計との総和して求める。そ
して、この明度の総和Ｓａに基づいて被検査物の欠陥３
の有無を検査し、検査領域Ｐ内の明度の総和Ｓａが予め
決められた範囲外であれば傷やダストなどが存在すると
して不良とする。
【００４１】ＩＣパッケージのモールド部分２２に対す
る検査では、ＩＣパッケージには品種名、ロットなどの
文字（図示省略）がマーキングされているので、図８に
示すようにモールド部分２２の４辺に検査領域Ｐを設定
する。検査領域Ｐ内の明度の総和Ｓａは、検査領域Ｐの
エッジを含むサブ画素における明度の合計と、このサブ
画素を除く検査領域Ｐ内の明度の合計との総和して求め
る。そして、この明度の総和Ｓａに基づいて被検査物の
欠陥３の有無を検査し、検査領域Ｐ内の明度の総和Ｓａ
が予め決められた範囲外であればモールドの欠けなどが
存在するとして不良とする。
る検査では、ＩＣパッケージには品種名、ロットなどの
文字（図示省略）がマーキングされているので、図８に
示すようにモールド部分２２の４辺に検査領域Ｐを設定
する。検査領域Ｐ内の明度の総和Ｓａは、検査領域Ｐの
エッジを含むサブ画素における明度の合計と、このサブ
画素を除く検査領域Ｐ内の明度の合計との総和して求め
る。そして、この明度の総和Ｓａに基づいて被検査物の
欠陥３の有無を検査し、検査領域Ｐ内の明度の総和Ｓａ
が予め決められた範囲外であればモールドの欠けなどが
存在するとして不良とする。
【００４２】このように上記一実施の形態においては、
位置補正された検査領域Ｐ内の明度の総和を、検査領域
Ｐのエッジを含む１画素サイズ以下のサブ画素における
明度の合計と、このサブ画素の領域を除く検査領域Ｐ内
の明度の合計とを総和して求め、この明度の総和Ｓａに
基づいて被検査物の欠陥３の有無を検査するので、被検
査物の明るさの変化に対して急激に明度の総和Ｓａが変
化することが無く、安定して欠陥３の有無を判定するこ
とができる。又、検査領域Ｐの位置決めの変化に対して
も急激に明度の総和Ｓａが変化することが無く、安定し
て欠陥３の有無を判定することができる。
位置補正された検査領域Ｐ内の明度の総和を、検査領域
Ｐのエッジを含む１画素サイズ以下のサブ画素における
明度の合計と、このサブ画素の領域を除く検査領域Ｐ内
の明度の合計とを総和して求め、この明度の総和Ｓａに
基づいて被検査物の欠陥３の有無を検査するので、被検
査物の明るさの変化に対して急激に明度の総和Ｓａが変
化することが無く、安定して欠陥３の有無を判定するこ
とができる。又、検査領域Ｐの位置決めの変化に対して
も急激に明度の総和Ｓａが変化することが無く、安定し
て欠陥３の有無を判定することができる。
【００４３】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通りに変形してもよい。
されるものでなく次の通りに変形してもよい。
【００４４】例えば、上記一実施の形態では、ＩＣチッ
プのバンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモールド
部分の傷、ダストなどの欠陥の検査に適用した場合につ
いて説明したが、他の各種被検査物の外観検査に適用で
きることは言うまでもない。
プのバンプやパッド部分又はＩＣパッケージのモールド
部分の傷、ダストなどの欠陥の検査に適用した場合につ
いて説明したが、他の各種被検査物の外観検査に適用で
きることは言うまでもない。
【００４５】又、サブ画素での明度を求める方法は、上
記一実施の形態のように１次補間法を用いたものに限ら
ず、他の補間法を用いてもよい。
記一実施の形態のように１次補間法を用いたものに限ら
ず、他の補間法を用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、明
るさの変化や検査領域の位置補正によって生じる明るい
部分の画素数の急激な変化を無くして安定して外観検査
ができる外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の
製造方法を提供できる。
るさの変化や検査領域の位置補正によって生じる明るい
部分の画素数の急激な変化を無くして安定して外観検査
ができる外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の
製造方法を提供できる。
【図１】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図２】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態に
おける画像データに対する検査領域の設定を示す模式
図。
おける画像データに対する検査領域の設定を示す模式
図。
【図３】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態に
おける検査領域Ｐの位置補正を示す模式図。
おける検査領域Ｐの位置補正を示す模式図。
【図４】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態に
おける検査領域の位置補正を説明するための図。
おける検査領域の位置補正を説明するための図。
【図５】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態に
おける検査領域内のサブ画素の領域を除く領域の明度の
合計を求めるための投影処理を示す図。
おける検査領域内のサブ画素の領域を除く領域の明度の
合計を求めるための投影処理を示す図。
【図６】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態に
おける検査領域内のサブ画素の領域を除く領域の明度の
合計を説明するための模式図。
おける検査領域内のサブ画素の領域を除く領域の明度の
合計を説明するための模式図。
【図７】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態を
用いての実際のＩＣチップのバンプに対する検査を説明
するための図。
用いての実際のＩＣチップのバンプに対する検査を説明
するための図。
【図８】本発明に係わる外観検査装置の一実施の形態を
用いてのＩＣパッケージのモールド部分に対する検査を
説明するための図。
用いてのＩＣパッケージのモールド部分に対する検査を
説明するための図。
【図９】従来の外観検査方法を説明するための被検査物
の画像データの模式図。
の画像データの模式図。
【図１０】同方法による欠陥などの外観検査方法を説明
するための図。
するための図。
１０：被検査物 １１：ＩＴＶカメラ １２：画像処理・演算装置 １３：画像メモリ １４：検査領域設定手段 １５：位置補正手段 １６：明度総和手段 １７：欠陥検査手段
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０６Ｆ 15/70 ３３０Ｎ Ｆターム(参考） 2F065 AA49 BB27 CC25 DD11 EE00 FF01 FF04 JJ03 JJ19 JJ26 QQ03 QQ24 QQ27 QQ31 QQ36 2G051 AA61 AB02 AB14 CA04 CB01 DA05 EA09 EA14 ED07 ED22 4M106 AA02 AA04 AA11 CA38 DB04 DB20 DB21 DJ11 DJ21 5B057 AA03 BA02 CA08 CA12 CA16 CC01 CD02 DA03 DB02 DB09 DC19 DC22 5L096 AA06 BA03 DA02 EA14 EA33 EA35 FA37 GA28 GA41
Claims (8)
- 【請求項１】 被検査物を撮像して得られた画像データ
に対して検査領域を設定し、この検査領域内の明度の総
和に基づいて前記被検査物の外観検査を行う外観検査方
法において、 前記検査領域内の明度の総和を、前記検査領域のエッジ
を含む所定の画素サイズ以下の微小エッジ領域における
明度の合計と前記微小エッジ領域を除く前記検査領域内
の明度の合計とを総和して求めることを特徴とする外観
検査方法。 - 【請求項２】 前記検査領域内の明度の総和は、前記検
査領域のエッジを含む１画素サイズ以下の微小エッジ領
域における明度の合計と前記微小エッジ領域を除く前記
検査領域内の明度の合計とを加算して求めることを特徴
とする請求項１記載の外観検査方法。 - 【請求項３】 前記画像データに対して前記検査領域を
設定する工程と、 前記検査領域を前記画像データの検査対象パターンとの
ずれに基づいて位置補正する工程と、 を有することを特徴とする請求項１記載の外観検査方
法。 - 【請求項４】 前記検査領域内の明度の総和に基づいて
前記被検査物の欠陥の有無を検査することを特徴とする
請求項１記載の外観検査方法。 - 【請求項５】 被検査物を撮像して得られた画像データ
に対して検査領域を設定し、この検査領域内の明度の総
和に基づいて前記被検査物の外観検査を行う外観検査装
置において、 前記検査領域内の明度の総和を、前記検査領域のエッジ
を含む所定の画素サイズ以下の微小エッジ領域における
明度の合計と前記微小エッジ領域を除く前記検査領域内
の明度の合計とを総和する明度総和手段、を具備したこ
とを特徴とする外観検査装置。 - 【請求項６】 前記画像データに対して前記検査領域を
設定する検査領域設定手段と、 この検査領域設定手段により設定された前記検査領域を
前記画像データの検査対象パターンとのずれに基づいて
位置補正する位置補正手段と、を有することを特徴とす
る請求項５記載の外観検査装置。 - 【請求項７】 前記検査領域内の明度の総和に基づいて
前記被検査物の欠陥の有無を検査する欠陥検査手段を備
えたことを特徴とする請求項５記載の外観検査装置。 - 【請求項８】 半導体装置を撮像して得られた画像デー
タに対して検査領域を設定し、この検査領域内の明度の
総和に基づいて前記半導体装置の外観検査を行って半導
体装置を製造する半導体装置の製造方法において、 前記検査領域内の明度の総和を、前記検査領域のエッジ
を含む所定画素サイズ以下の微小エッジ領域における明
度の合計と前記微小エッジ領域を除く前記検査領域内の
明度の合計とを総和して求め、この明度の総和に基づい
て前記半導体装置の外観検査を行なって半導体装置を製
造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36676299A JP2001184508A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36676299A JP2001184508A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001184508A true JP2001184508A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18487611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36676299A Pending JP2001184508A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 外観検査方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001184508A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007108101A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Olympus Corporation | 情報端末 |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36676299A patent/JP2001184508A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007108101A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Olympus Corporation | 情報端末 |
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