JP2001177132A - Method of cutting globular body, and solar battery using the globular body and method of manufacturing the same - Google Patents
Method of cutting globular body, and solar battery using the globular body and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は球体の切断方法、こ
れを用いた太陽電池およびその製造方法に係り、特に半
球状半導体を用いた太陽電池に関する。The present invention relates to a method for cutting a sphere, a solar cell using the same, and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a solar cell using a hemispherical semiconductor.
【０００２】[0002]
【従来技術】半導体のｐｎ接合部分には内部電界が生じ
ており、これに光を当て、電子正孔対を生成させると、
生成した電子と正孔は内部電界により分離されて、電子
はｎ側に、正孔はｐ側に集められ、外部に負荷を接続す
るとｐ側からｎ側に向けて電流が流れる。この効果を利
用し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子と
して太陽電池の実用化が進められている。2. Description of the Related Art An internal electric field is generated at a pn junction of a semiconductor.
The generated electrons and holes are separated by an internal electric field, the electrons are collected on the n side, and the holes are collected on the p side. When a load is connected to the outside, a current flows from the p side to the n side. Utilizing this effect, solar cells have been put into practical use as elements for converting light energy into electric energy.
【０００３】近年、単結晶シリコン、多結晶シリコンな
どの直径１ｍｍ以下の球状の半導体（Ball Semiconduct
or）上に回路パターンを形成して半導体素子を製造する
技術が開発されている。In recent years, spherical semiconductors such as single crystal silicon and polycrystal silicon having a diameter of 1 mm or less (Ball Semiconductor)
or) A technique for manufacturing a semiconductor device by forming a circuit pattern thereon has been developed.
【０００４】その１つとして、アルミ箔を用いて多数個
の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提
案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法で
は、図９に示すように、第1導電型表皮部と第2導電型内
部を有する半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にアルミ
箔２０１の両側から突出するように配置し、片側の表皮
部２０９を除去し、絶縁層２２１を形成する。次に第2
導電型内部１１１の一部およびその上の絶縁層２２１を
除去し、その除去された領域２１７に第2アルミ箔２１
９を結合する。その平坦な領域２１７が導電部としての
第2アルミ箔２１９に対し良好なオーミック接触を提供
するようにしたものである。As one of the methods, a method of manufacturing a solar array in which a large number of semiconductor particles are connected using an aluminum foil has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-13633). In this method, as shown in FIG. 9, a semiconductor particle 207 having a first conductivity type skin portion and a second conductivity type interior is arranged in an opening of an aluminum foil so as to protrude from both sides of the aluminum foil 201, and the skin on one side is formed. The portion 209 is removed, and an insulating layer 221 is formed. Then the second
A part of the conductive type interior 111 and the insulating layer 221 thereon are removed, and the removed aluminum region 21
Combine 9 The flat region 217 provides a good ohmic contact with the second aluminum foil 219 as a conductive portion.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、高密度配置には限界があり、また、アル
ミ箔への位置決めが困難であり、多数個の半導体粒子を
実装する場合には特に作業性が悪いという問題があっ
た。However, in such a method, there is a limit in high-density arrangement, and it is difficult to position on an aluminum foil, and particularly when a large number of semiconductor particles are mounted. There was a problem that workability was poor.
【０００６】また、電極の形成についても、第1導電型
表皮部と第2導電型内部との両方へのコンタクト端子が
必要であるが、受光面積を減少させることなく、確実な
コンタクト端子の形成を行うのは難しいという問題があ
った。[0006] Also, for the formation of the electrodes, contact terminals to both the skin portion of the first conductivity type and the inside of the second conductivity type are necessary. Was difficult to do.
【０００７】さらにまた、研磨などの方法によって一部
の外側領域を、除去し、露呈した領域に電極を形成する
方法が提案されているが、このような方法では、異なる
導電型の拡散層が同一面内に共存し、これらを独立して
取り出すのが困難であるという問題があった。Furthermore, a method has been proposed in which a part of the outer region is removed by a method such as polishing and an electrode is formed in the exposed region. However, in such a method, a diffusion layer of a different conductivity type is formed. There is a problem in that they coexist in the same plane and it is difficult to take them out independently.
【０００８】さらに、半球状基板を形成する際、位置決
めが極めて困難であり、高精度の切断は不可能であっ
た。Furthermore, when forming a hemispherical substrate, positioning is extremely difficult, and high-precision cutting has been impossible.
【０００９】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、信頼性が高く、小型化の可能な太陽電池を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a highly reliable solar cell which can be miniaturized.
【００１０】また本発明はコンタクト形成が容易で特性
のばらつきの小さい太陽電池を提供することを目的とす
る。Another object of the present invention is to provide a solar cell in which the contact can be easily formed and the characteristics of the solar cell are small.
【００１１】また、本発明は、単位面積当りの起電力の
向上をはかり、高効率の太陽電池を提供することを目的
とする。さらに本発明は、高精度に効率良く球体を切断
することを目的とする。Another object of the present invention is to provide a high-efficiency solar cell by improving the electromotive force per unit area. Another object of the present invention is to cut a sphere efficiently with high accuracy.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の第1は、球体を
トレイに一列に敷き詰める工程と、 前記トレイ内に樹
脂を充填し、敷き詰められた球体と共に硬化せしめ、多
数の球体を一体的に固着する工程と、樹脂で固着された
状態で位置決めを行い、各球体の中心を通る切断面を形
成するように樹脂とともに切断する工程と、この切断面
にテープを貼着する工程と、前記テープで固定したま
ま、前記樹脂を除去し、半球体を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。A first aspect of the present invention is a step of laying spheres in a line in a tray, filling a resin in the tray, curing the spheres together with the laid spheres, and integrating a large number of spheres integrally. Fixing, positioning with the resin fixed, cutting with the resin to form a cut surface passing through the center of each sphere, affixing a tape to this cut surface, the tape Forming the hemisphere by removing the resin while fixing the resin.
【００１３】かかる構成によれば、球体をトレイに敷き
詰めた状態で最密配置状態に整列させ、これを樹脂で固
めることにより、位置精度よく固定し、これを一括して
切断することにより、極めて高精度に切断することが可
能となる。According to this configuration, the spheres are arranged in a close-packed state in a state where the spheres are laid on the tray, and the spheres are fixed with resin so that the spheres are fixed with high positional accuracy, and the spheres are cut in a lump. Cutting can be performed with high precision.
【００１４】そして切断後、切断面をテープなどで固着
し、樹脂を除去することにより、整列状態で半球体を得
ることができる。なお、このような半球体は単結晶シリ
コン球あるいは多結晶シリコン球などの半導体球素体そ
のものでもよいし、ダイオードなどの半導体素子の作り
こまれた半導体装置でもよい。After cutting, the cut surface is fixed with a tape or the like, and the resin is removed, whereby a hemisphere can be obtained in an aligned state. Such a hemisphere may be a semiconductor sphere itself such as a single-crystal silicon sphere or a polycrystalline silicon sphere, or a semiconductor device in which a semiconductor element such as a diode is built.
【００１５】本発明の第２によれば、少なくとも表面が
第１導電型の半導体層を構成する球状基板表面に、ｐｎ
接合を形成するように形成された第２導電型の半導体層
と、前記第2の半導体層表面に形成された透明導電膜か
らなる外側電極とを形成した多数個のセルを用意する工
程と、前記セルを、トレイに一列に敷き詰める工程と、
前記トレイ内に樹脂を充填し、敷き詰められたセルと共
に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する
工程と、樹脂で固着された状態で位置決めを行い、各セ
ルの中心を通る切断面を形成するように樹脂とともに切
断する工程と、この切断面にテープを貼着する工程と、
前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、前記第
１導電型の半導体層にコンタクトするように電極を形成
する工程とを含むことを特徴とする。According to the second aspect of the present invention, at least the surface of the spherical substrate constituting the semiconductor layer of the first conductivity type has a pn
A step of preparing a plurality of cells in which a second conductivity type semiconductor layer formed to form a junction and an outer electrode made of a transparent conductive film formed on the surface of the second semiconductor layer are formed; Laying the cells in a row in a tray;
Filling the tray with resin, curing together with the spread cells, fixing a large number of solar cells integrally, and positioning the resin in a fixed state, and a cut surface passing through the center of each cell. A step of cutting together with the resin to form a, and a step of attaching a tape to the cut surface,
Removing the resin with the tape fixed, and forming an electrode so as to contact the first conductive type semiconductor layer.
【００１６】かかる構成によれば、ｐｎ接合および外側
電極の形成された球体をトレイに敷き詰めた状態で最密
配置状態に整列させ、これを樹脂で固めることにより、
位置精度よく固定し、これを一括して切断することによ
り、極めて高精度に半球体を得ることが可能となる。According to this configuration, the spheres on which the pn junctions and the outer electrodes are formed are arranged in a close-packed state while being spread on the tray, and the spheres are solidified with resin.
It is possible to obtain a hemisphere with extremely high precision by fixing it with high positional accuracy and cutting it all at once.
【００１７】そして切断後、切断面をテープなどで固着
し、樹脂を除去することにより、高精度に整列された状
態で半球体を得ることができる。そしてこれに内側電極
としての導電プレートを形成することにより、最密配置
された半球体からなる高効率の太陽電池を生産性良く形
成することができる。After cutting, the cut surface is fixed with a tape or the like, and the resin is removed, whereby a hemisphere can be obtained in a state of being aligned with high precision. By forming a conductive plate as an inner electrode on this, a highly efficient solar cell composed of hemispheres arranged closest can be formed with high productivity.
【００１８】さらにまた、分断された２つの集合体はそ
れぞれ１つづつの太陽電池として用いられるため、材料
に無駄が無く、生産性も極めて高いものとなる。Furthermore, since the two separated assemblies are used as one solar cell each, there is no waste of material and the productivity is extremely high.
【００１９】また、この方法によれば、マスク工程が不
要である。特に、球状体へのフォトリソグラフィ工程は
露光工程が極めて困難であるが、本発明の方法によれ
ば、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、極
めて高効率の太陽電池を形成することが可能となる。According to this method, a mask step is not required. In particular, the photolithography process for a spherical body is very difficult in the exposure process, but according to the method of the present invention, it is possible to form a solar cell with extremely high efficiency without the need for the photolithography process. Become.
【００２０】本発明の第３によれば、少なくとも表面が
第１導電型の半導体層を構成する球状基板表面に、ｐｎ
接合を形成するように形成された第２導電型の半導体層
と、前記第2の半導体層表面に形成された透明導電膜か
らなる外側電極とを形成した多数個のセルを用意する工
程と、前記セルを、トレイに一列に敷き詰める工程と、
前記トレイ内に樹脂を充填し、敷き詰められたセルと共
に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する
工程と、樹脂で固着された状態で位置決めを行い、各セ
ルの中心を通る切断面を形成するように樹脂とともに切
断する工程と、この切断面にテープを貼着する工程と、
前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、前記テ
ープに貼着された複数のセルを、前記セルが上に位置す
るように水平に配置する工程と、前記セルの上面から樹
脂粉体を振り掛ける工程と、前記セルを加熱し、前記セ
ルと前記テープとの間を樹脂層で固着する工程と、さら
に半田粉体を振り掛ける工程と、前記セルを加熱し、前
記半田粉体を液化し、前記セルと前記テープとの間を半
田で固着する工程と、前記テープを外し、導電プレート
を固着する工程とを含むことを特徴とする。According to the third aspect of the present invention, at least the surface of the spherical substrate constituting the semiconductor layer of the first conductivity type has pn
A step of preparing a plurality of cells in which a second conductivity type semiconductor layer formed to form a junction and an outer electrode made of a transparent conductive film formed on the surface of the second semiconductor layer are formed; Laying the cells in a row in a tray;
Filling the tray with resin, curing together with the spread cells, fixing a large number of solar cells integrally, and positioning the resin in a fixed state, and a cut surface passing through the center of each cell. A step of cutting together with the resin to form a, and a step of attaching a tape to the cut surface,
While fixing with the tape, the resin is removed, and a plurality of cells attached to the tape are horizontally arranged such that the cells are located above, and resin powder is removed from the upper surface of the cells. Sprinkling step, heating the cell, fixing the cell and the tape with a resin layer, further sprinkling the solder powder, heating the cell, liquefying the solder powder And fixing the cell and the tape with solder, and removing the tape and fixing a conductive plate.
【００２１】かかる構成によれば、前記第２の効果に加
え、太陽電池を構成するセルの隙間に入った樹脂を熔融
し、樹脂層で固着した後、さらに半田粉末を溶融し、太
陽電池セル相互を固着するとともに外側電極間の電気的
接続を行うようにしている．従って、樹脂層は導電プレ
ートと外側電極との絶縁に寄与すると共に、半田層と共
に半球体相互間の接続強度を高めているため、信頼性の
高い太陽電池を得る事ができる。According to this structure, in addition to the second effect, the resin in the gap between the cells constituting the solar cell is melted and fixed by the resin layer, and then the solder powder is further melted. The electrodes are fixed to each other and the electrical connection between the outer electrodes is made. Therefore, the resin layer contributes to insulation between the conductive plate and the outer electrode, and also increases the connection strength between the hemispheres together with the solder layer, so that a highly reliable solar cell can be obtained.
【００２２】さらにまた、切断工程における切断くずに
より、若干半球よりも小さい半球体が形成されるが、こ
れにより、半球体間にわずかの間隙が形成され、この間
隙に樹脂が入りこむことにより、外側電極と内側電極と
なる導電プレートとの絶縁が確実なものとなるという効
果も奏効する。Furthermore, the cutting waste in the cutting step forms a hemisphere slightly smaller than the hemisphere. This causes a slight gap to be formed between the hemispheres. The effect of ensuring insulation between the electrode and the conductive plate serving as the inner electrode is also effective.
【００２３】本発明の第４によれば、前記導電プレート
を固着する工程に先立ち、前記半球の裏面側から高濃度
の第１導電型不純物をドーピングする工程を含む事を特
徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, prior to the step of fixing the conductive plate, the method includes a step of doping a high concentration first conductivity type impurity from the back surface side of the hemisphere.
【００２４】かかる構成によれば、導電プレートと第１
導電型半導体層との間に高濃度領域が形成されるため、
コンタクト性が高いものとなる。またバックサーフィス
フィールド効果も奏効し得る上、この高濃度層の形成に
際してはフォトリソグラフィ工程が不要である。According to such a configuration, the conductive plate and the first
Since a high concentration region is formed between the semiconductor layer and the conductive semiconductor layer,
The contact property is high. In addition, a back surface field effect can be exerted, and a photolithography step is not required for forming the high concentration layer.
【００２５】本発明の第５によれば、請求項４に記載の
太陽電池の製造方法において、さらに、前記導電プレー
ト上に保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a solar cell according to the fourth aspect, a step of forming a protective film on the conductive plate is further included.
【００２６】かかる構成によれば、保護膜の存在によ
り、信頼性が向上する。According to such a configuration, the presence of the protective film improves the reliability.
【００２７】本発明の第６の太陽電池によれば、少なく
とも表面が第１導電型の半導体層を構成する半球状基板
と、前記球表面に、ｐｎ接合を形成するように形成され
た第２導電型の半導体と、前記第2の半導体層表面に形
成された透明導電膜からなる外側電極と、前記半球状基
板の底面に形成された内側電極としての導電プレートと
を具備し、前記外側電極の端部と、前記導電プレートと
の間に絶縁樹脂が介在せしめられていることを特徴とす
る。According to the sixth solar cell of the present invention, at least the surface has a hemispherical substrate forming a semiconductor layer of the first conductivity type, and the second solar cell formed so as to form a pn junction on the surface of the sphere. A conductive type semiconductor, an outer electrode made of a transparent conductive film formed on the surface of the second semiconductor layer, and a conductive plate as an inner electrode formed on the bottom surface of the hemispherical substrate, wherein the outer electrode An insulating resin is interposed between the end of the conductive plate and the conductive plate.
【００２８】かかる構成によれば、最小限の材料で、受
光効率が高く発光効率の高い太陽電池を得ることが可能
となる。According to such a configuration, it is possible to obtain a solar cell having high light receiving efficiency and high luminous efficiency with minimum materials.
【００２９】本発明の第７によれば、内側電極としての
導電プレートと、少なくとも表面が第１導電型の半導体
層を構成する半球状基板と、前記球表面に、ｐｎ接合を
形成するように形成された第２導電型の半導体層と、前
記第2の半導体層表面に形成された透明導電膜からなる
外側電極とを具備してなる複数個の半球セルがその底面
を前記導電プレート表面に接するように配列され、前記
導電プレート表面の前記セル間に位置する領域には絶縁
性の樹脂を介して導体層が形成され、この導体層を介し
て前記外側電極同士の電気的接続がなされていることを
特徴とする。かかる構成によれば、寸法精度が高くか
つ、最密配置構造の太陽電池を得ることができる。According to the seventh aspect of the present invention, a conductive plate as an inner electrode, a hemispherical substrate having at least a surface constituting a semiconductor layer of the first conductivity type, and a pn junction formed on the spherical surface. A plurality of hemispherical cells comprising the formed second conductivity type semiconductor layer and an outer electrode made of a transparent conductive film formed on the surface of the second semiconductor layer have their bottom surfaces on the surface of the conductive plate. A conductive layer is formed via an insulating resin in a region located between the cells on the surface of the conductive plate, and the outer electrodes are electrically connected to each other through the conductive layer. It is characterized by being. According to such a configuration, a solar cell having high dimensional accuracy and a close-packed structure can be obtained.
【００３０】また、外側電極側と内側電極側の導電プレ
ートとの間に絶縁層が介在することになり、ショートの
おそれもなく、信頼性の高い太陽電池を形成することが
可能となる。In addition, since an insulating layer is interposed between the outer electrode side and the inner electrode side conductive plate, a highly reliable solar cell can be formed without fear of short circuit.
【００３１】本発明の第８によれば、請求項７に記載の
太陽電池において、前記半球状基板は、第1導電型のシ
リコン球からなり、前記シリコン球の表面に形成された
第2導電型のシリコン層との間にｐｎ接合を形成してな
ることを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the solar cell according to the seventh aspect, the hemispherical substrate is formed of a silicon sphere of a first conductivity type, and a second conductive layer formed on a surface of the silicon sphere. A pn junction is formed between the silicon layer and the silicon layer.
【００３２】本発明の第９によれば、請求項７に記載の
太陽電池において、前記半球状基板は、金属製の球状体
からなり、前記半球状体の球表面に、第1導電型のシリ
コン層と、前記第1導電型のシリコン層表面に形成され
た第2導電型のシリコン層を形成しｐｎ接合を形成して
なり、前記導電プレートは前記半球体の底面にコンタク
トするように形成されていることを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the solar cell according to the seventh aspect, the hemispherical substrate is made of a metal spherical body, and the surface of the hemispherical body is of a first conductivity type. Forming a pn junction by forming a silicon layer and a second conductivity type silicon layer formed on the surface of the first conductivity type silicon layer, wherein the conductive plate is formed so as to contact the bottom surface of the hemisphere It is characterized by having been done.
【００３３】[0033]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。 実施形態１ 本発明の第1の実施形態の太陽電池は、図1に全体図、図
２に断面概要図を示すように、半球状シリコンからなる
太陽電池セル１が、底面を、内側電極としての銅板から
なる導電プレート５上に最密配列されて固着せしめら
れ、外側電極は導電プレート５上のセル１間領域に樹脂
層４を介して形成された半田層３によって電気的接続お
よび固定がなされたものである。すなわち、ｐ型の単結
晶シリコンからなる半球状基板１１と、前記半球状基板
の球表面に、ｐｎ接合を形成するように形成されたｎ型
多結晶シリコン層１２と、ｎ型多結晶シリコン層１２表
面に形成された酸化インジウム錫（ＩＴＯ）からなる透
明の外側電極１３とを具備してなる複数個の半球セルが
その底面を前記導電プレート５表面に接するように配列
され、前記導電プレート５表面の前記セル間に位置する
領域には絶縁性の樹脂層４を介して半田層３が形成さ
れ、この半田層３を介して前記外側電極１３同士の電気
的接続がなされている。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Embodiment 1 A solar cell according to a first embodiment of the present invention has a solar cell 1 made of hemispherical silicon as shown in FIG. The outer electrodes are electrically connected and fixed by a solder layer 3 formed in a region between the cells 1 on the conductive plate 5 via a resin layer 4 on the conductive plate 5 made of a copper plate. It was done. That is, a hemispherical substrate 11 made of p-type single crystal silicon, an n-type polycrystalline silicon layer 12 formed on the spherical surface of the hemispherical substrate so as to form a pn junction, and an n-type polycrystalline silicon layer A plurality of hemispherical cells each including a transparent outer electrode 13 made of indium tin oxide (ITO) formed on the surface of the conductive plate 5 are arranged so that the bottom surface thereof is in contact with the surface of the conductive plate 5. A solder layer 3 is formed in a region on the surface between the cells via an insulating resin layer 4, and the outer electrodes 13 are electrically connected to each other via the solder layer 3.
【００３４】次に、この太陽電池の製造方法について説
明する。まず、太陽電池セルを形成する。図３(ａ)に示
すように、直径１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒またはｐ
型アモルファスシリコン粒を真空中で加熱しつつ落下さ
せ、結晶性の良好な多結晶シリコン球１１を形成し、こ
の表面に、フォスフィンを含むシランなどの混合ガスを
用いたＣＶＤ法により、ｎ型多結晶シリコン層１２を形
成する。ここでＣＶＤ工程は細いチューブ内でシリコン
球を搬送しながら、所望の反応温度に加熱されたガスを
供給排出することにより、薄膜形成を行うものである。
なお、この工程は、ｐ型多結晶シリコン粒またはｐ型ア
モルファスシリコン粒を真空中で加熱しつつ落下させな
がら球状化し、ｐ型多結晶シリコン球を形成するととも
に、落下途上で所望のガスと接触させることにより、ｎ
型多結晶シリコン層１２を形成する様にすることも可能
である。Next, a method for manufacturing this solar cell will be described. First, a solar cell is formed. As shown in FIG. 3 (a), p-type polycrystalline silicon
The amorphous silicon particles are dropped while being heated in a vacuum to form polycrystalline silicon spheres 11 having good crystallinity, and n-type polycrystalline silicon spheres are formed on the surface thereof by a CVD method using a mixed gas such as silane containing phosphine. A crystalline silicon layer 12 is formed. Here, in the CVD process, a thin film is formed by supplying and discharging a gas heated to a desired reaction temperature while conveying a silicon ball in a thin tube.
In this step, the p-type polycrystalline silicon particles or the p-type amorphous silicon particles are heated in a vacuum, dropped and spheroidized to form p-type polycrystalline silicon spheres, and contact with a desired gas while falling. By doing so, n
It is also possible to form the type polycrystalline silicon layer 12.
【００３５】この後、図３(ｂ)に示すように、スパッタ
リング法により、基板表面全体に膜厚1μｍ程度のＩＴ
Ｏ薄膜１３を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 3 (b), an IT film having a thickness of about 1 μm
An O thin film 13 is formed.
【００３６】このようにして形成された、太陽電池セル
１を、図４(ａ)に示すように、トレイＴに一列に敷き詰
めたのち、これのトレイＴにワックス１０を流し込み、
硬化させる。As shown in FIG. 4 (a), the solar cells 1 thus formed are laid in a line on a tray T, and a wax 10 is poured into the tray T.
Let it cure.
【００３７】そして図４(ｂ)に示すように、この底面を
位置決めし、球体のセルを、真ん中で分断するように中
心からダイサーＤＳで切断する。Then, as shown in FIG. 4B, the bottom surface is positioned, and the spherical cell is cut by the dicer DS from the center so as to be divided in the middle.
【００３８】この後、図４(ｃ)に示すように、ポリイミ
ドテープ７で切断面を貼着する。そして、図４(ｄ)に示
すように、前記ポリイミドテープで７固定したまま、前
記ワックス１０を除去する。Thereafter, as shown in FIG. 4C, the cut surface is adhered with a polyimide tape 7. Then, as shown in FIG. 4D, the wax 10 is removed while the polyimide tape 7 is fixed.
【００３９】さらに、図５(ａ)に示すように、ポリイミ
ドテープ７に貼着された複数のセルを、前記セルが上に
位置するように水平に配置し、前記セルの上面からポリ
イミド樹脂粉体４ｐを振り掛け、前記セルを加熱し、前
記セルとセルとの間をポリイミド樹脂層４で固着する。Further, as shown in FIG. 5 (a), a plurality of cells stuck on the polyimide tape 7 are horizontally arranged so that the cells are located above, and the polyimide resin powder is placed on the upper surface of the cells. The body 4p is sprinkled, the cells are heated, and the cells are fixed with the polyimide resin layer 4 between the cells.
【００４０】この後、図５（ｂ）に示すように、前記セ
ルの上面から半田粉体３ｐを振りかけ、前記セルを加熱
し、前記半田粉体３ｐを液化し、前記セルの外側電極１
３間を半田層３で固着し、ポリイミドテープ７を剥離除
去するThereafter, as shown in FIG. 5B, the solder powder 3p is sprinkled from the upper surface of the cell, the cell is heated, the solder powder 3p is liquefied, and the outer electrode 1 of the cell is liquefied.
3 is fixed with a solder layer 3, and the polyimide tape 7 is peeled off.
【００４１】そして、図５（ｃ）に示すように、半球体
の裏面側からｐ型不純物を注入し高濃度層１１ｓを形成
する。Then, as shown in FIG. 5C, a p-type impurity is implanted from the back side of the hemisphere to form a high concentration layer 11s.
【００４２】そして、図５（ｄ）に示すように、この高
濃度層１１ｓにコンタクトするように導電プレート５を
貼りつけ、さらにポリイミド膜からなる保護膜７を形成
する。Then, as shown in FIG. 5D, a conductive plate 5 is attached so as to contact the high-concentration layer 11s, and a protective film 7 made of a polyimide film is formed.
【００４３】このようにして図１および図２に示したよ
うな太陽電池セルが完成する。Thus, the solar cell as shown in FIGS. 1 and 2 is completed.
【００４４】かかる構成によれば、ｐｎ接合および外側
電極の形成された球体をトレイに敷き詰めた状態で最密
配置状態に整列させ、これを樹脂で固めることにより、
位置精度よく固定し、これを一括して切断することによ
り、極めて高精度に半球体を得ることが可能となる。According to this configuration, the spheres on which the pn junctions and the outer electrodes are formed are arranged in a close-packed state in a state where the spheres are laid on the tray, and this is solidified with resin.
It is possible to obtain a hemisphere with extremely high precision by fixing it with high positional accuracy and cutting it all at once.
【００４５】そして切断後、切断面をテープなどで固着
し、樹脂を除去することにより、高精度に整列された状
態で半球体を得ることができる。そしてこれに高濃度層
を形成した後内側電極としての導電プレートを形成する
ことにより、最密配置された半球体からなる高効率の太
陽電池を生産性良く形成することができる。After cutting, the cut surface is fixed with a tape or the like, and the resin is removed, whereby a hemisphere can be obtained in a state of being aligned with high precision. Then, by forming a conductive plate as an inner electrode after forming the high concentration layer thereon, it is possible to form a highly efficient solar cell composed of hemispheres arranged most closely with high productivity.
【００４６】さらにまた、分断された２つの集合体はそ
れぞれ１つづつの太陽電池として用いられるため、材料
に無駄が無く、生産性も極めて高いものとなる。Furthermore, since the two separated assemblies are used as one solar cell, respectively, there is no waste of material and the productivity is extremely high.
【００４７】また、この方法によれば、マスク工程が不
要である。特に、球状体へのフォトリソグラフィ工程は
露光工程が極めて困難であるが、本発明の方法によれ
ば、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、極
めて高効率の太陽電池を形成することが可能となる。According to this method, a mask step is not required. In particular, the photolithography process for a spherical body is very difficult in the exposure process, but according to the method of the present invention, it is possible to form a solar cell with extremely high efficiency without the need for the photolithography process. Become.
【００４８】また、太陽電池を構成するセルの隙間に入
った樹脂を熔融し、樹脂層で固着した後、さらに半田粉
末を溶融し、太陽電池セル相互を固着するとともに外側
電極間の電気的接続を行うようにしており、樹脂層は導
電プレートと外側電極との絶縁に寄与すると共に、半田
層と共に半球体相互間の接続強度を高めているため、信
頼性の高い太陽電池を得る事ができる。Further, the resin in the gaps between the cells constituting the solar cell is melted and fixed by the resin layer, and then the solder powder is further melted to fix the solar cells together and electrically connect the outer electrodes. Since the resin layer contributes to the insulation between the conductive plate and the outer electrode and increases the connection strength between the hemispheres together with the solder layer, a highly reliable solar cell can be obtained. .
【００４９】さらにまた、切断工程における切断くずに
より、若干半球よりも小さい半球体が形成されるが、こ
れにより、半球体間にわずかの間隙が形成され、この間
隙に樹脂が入りこむことにより、外側電極と内側電極と
なる導電プレートとの絶縁が確実なものとなるという効
果も奏効する。Furthermore, the cutting waste in the cutting step forms a hemisphere slightly smaller than the hemisphere. This causes a slight gap to be formed between the hemispheres. The effect of ensuring insulation between the electrode and the conductive plate serving as the inner electrode is also effective.
【００５０】さらに、導電プレートとｐ型多結晶シリコ
ンとの間に高濃度領域が形成されるため、コンタクト性
が高いものとなる。またこの高濃度層の形成に際しても
フォトリソグラフィ工程が不要である。Further, a high-concentration region is formed between the conductive plate and the p-type polycrystalline silicon, so that the contact property is high. Also, a photolithography step is not required for forming this high concentration layer.
【００５１】実施形態２ 前記第１の実施形態ではｐ型多結晶シリコン球を用いて
太陽電池セルを構成したが、図６に示すように、球状基
板１０を、銅球で構成し、球状基板表面に、ｐ型のアモ
ルファスシリコン層１１ａと、ｎ型多結晶シリコン層１
２とを形成しｐｎ接合を形成してなり、導電シート５は
前記銅球にコンタクトするように、外側電極１３、ｎ型
の多結晶シリコン層１２と、ｐ型アモルファスシリコン
層１１ａの一部が除去されていることを特徴とする。Embodiment 2 In the first embodiment, the solar battery cell is formed using p-type polycrystalline silicon spheres. However, as shown in FIG. 6, the spherical substrate 10 is formed of copper spheres, On the surface, a p-type amorphous silicon layer 11a and an n-type polycrystalline silicon layer 1
2 is formed to form a pn junction, and the conductive sheet 5 is formed so that the outer electrode 13, the n-type polycrystalline silicon layer 12, and a part of the p-type amorphous silicon layer 11a are in contact with the copper ball. It is characterized by being removed.
【００５２】かかる構成によれば、内側電極のコンタク
ト抵抗が低く信頼性の高い太陽電池を容易に形成するこ
とが可能となる。前記実施例では、ｎ型層としては、多
結晶シリコン層を用いたがアモルファスシリコン層を用
いてもよいことはいうまでもない。According to such a configuration, a highly reliable solar cell having a low contact resistance of the inner electrode can be easily formed. In the above embodiment, a polycrystalline silicon layer was used as the n-type layer, but it goes without saying that an amorphous silicon layer may be used.
【００５３】なお、太陽電池セルは直列接続してもよい
し、並列接続してもよい。直列接続する際には、ｐ層お
よびｎ層を外面側と内面側とで逆にしたセルを交互に配
列し、同様に接続することにより、直列接続体を形成す
ることも可能である。The solar cells may be connected in series or in parallel. When connecting in series, it is also possible to form a series connection body by alternately arranging cells in which the p-layer and the n-layer are inverted on the outer surface side and the inner surface side and connecting them in the same manner.
【００５４】実施形態３ 前記第１の実施形態ではｐ型多結晶シリコン球を用いて
外側電極まで形成した太陽電池セルをワックスで一体化
し、半球に切断したが、図７（ａ）乃至（ｄ）に示すよ
うに、多結晶シリコン球１１を素材のまま図３に示した
のと同様の方法でワックスで一体化して半球に分断し、
ポリイミドテープ７で一体的に固定した後、ワックス１
０を除去する。Embodiment 3 In the first embodiment, the solar cells formed up to the outer electrodes using p-type polycrystalline silicon spheres were integrated with wax and cut into hemispheres. As shown in FIG. 3, the polycrystalline silicon spheres 11 are integrated with wax in the same manner as shown in FIG.
After integrally fixing with polyimide tape 7, wax 1
Remove 0.
【００５５】こののち図８（ａ）に示すように、ポリイ
ミドテープに貼着されたｐ型多結晶シリコン半球１１
を、ｐ型多結晶シリコン半球１１が上に位置するように
水平に配置し、上面からポリイミド樹脂粉体４ｐを振り
掛け、加熱し、ｐ型多結晶シリコン半球１１間をポリイ
ミド樹脂層４で固着する。After that, as shown in FIG. 8A, the p-type polycrystalline silicon hemisphere 11 adhered to the polyimide tape.
Are horizontally arranged such that the p-type polycrystalline silicon hemisphere 11 is positioned on the upper side, and the polyimide resin powder 4p is sprinkled from the upper surface and heated, and the p-type polycrystalline silicon hemisphere 11 is fixed with the polyimide resin layer 4 between the p-type polycrystalline silicon hemispheres 11. .
【００５６】この後、図８（ｂ）に示すように、不純物
拡散により、リンを拡散し、ｎ型多結晶シリコン層１２
を形成する。ここで不純物拡散は細いチューブ内でシリ
コン球を搬送しながら、所望の反応温度に加熱されたガ
スを供給排出することにより、実行される。この後、ス
パッタリング法により、基板表面全体に膜厚1μｍ程度
のＩＴＯ薄膜１３を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 8B, phosphorus is diffused by impurity diffusion to form n-type polycrystalline silicon layer 12.
To form Here, the impurity diffusion is performed by supplying and discharging a gas heated to a desired reaction temperature while transporting the silicon sphere in a thin tube. Thereafter, an ITO thin film 13 having a thickness of about 1 μm is formed on the entire surface of the substrate by a sputtering method.
【００５７】そして、図８(ｃ)に示すように、外側電極
１３まで形成されたｐ型多結晶シリコン半球１１の上面
から半田粉体３ｐを振りかけ、加熱し、前記半田粉体３
ｐを液化し、セルの外側電極１３間を半田層３で固着
し、ポリイミドテープ７を剥離除去するThen, as shown in FIG. 8 (c), the solder powder 3p is sprinkled from the upper surface of the p-type polycrystalline silicon hemisphere 11 formed up to the outer electrode 13 and heated.
p is liquefied, and the outer electrodes 13 of the cell are fixed with the solder layer 3 and the polyimide tape 7 is peeled off.
【００５８】そして、図８（ｄ）に示すように、半球体
の裏面側からｐ型不純物を注入し高濃度層１１ｓを形成
する。Then, as shown in FIG. 8D, a p-type impurity is implanted from the back side of the hemisphere to form a high concentration layer 11s.
【００５９】そして、図８（ｅ）に示すように、この高
濃度層１１ｓにコンタクトするように導電プレート５を
貼りつけ、さらにポリイミド膜からなる保護膜７を形成
する。このようにして太陽電池セルが完成する。し、太
陽電池が完成する。Then, as shown in FIG. 8E, a conductive plate 5 is attached so as to contact the high-concentration layer 11s, and a protective film 7 made of a polyimide film is formed. Thus, a solar cell is completed. Then, the solar cell is completed.
【００６０】この方法では、ｐ型多結晶シリコン半球１
１間にあらかじめ、樹脂層を介在させ絶縁分離すること
ができるため、より信頼性の高い太陽電池を形成するこ
とが可能となる。また、高濃度層１１ｓを形成している
ため、バックサーフィスフィールド効果を得ることがで
きる。In this method, the p-type polycrystalline silicon hemisphere 1
Since a resin layer can be interposed in advance and separated from one another for insulation, a more reliable solar cell can be formed. Further, since the high concentration layer 11s is formed, a back surface field effect can be obtained.
【００６１】なお、前記実施の形態ではｐｎ接合を形成
する半導体層として、アモルファスシリコン、および多
結晶シリコンを用いたが、これに限定されることなく、
単結晶シリコン層、さらにはＧａＡｓ，ＧａＰなどの化
合物半導体層にも適用可能である。さらには、ｐｎ構造
のみならず、ｐｉｎ構造にも適用可能である。In the above embodiment, amorphous silicon and polycrystalline silicon are used as the semiconductor layer for forming the pn junction. However, the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to a single crystal silicon layer, and further, a compound semiconductor layer such as GaAs and GaP. Further, the present invention can be applied to not only a pn structure but also a pin structure.
【００６２】この球状の半導体素子の製造に際し、各処
理工程を連結してライン化することが可能であるため、
生産性が極めて高いという特徴がある。In the production of this spherical semiconductor device, it is possible to link each processing step to form a line.
It is characterized by extremely high productivity.
【００６３】各工程では、活性ガス、不活性ガス等の気
体のみならず、水や各種溶液等の液体をも含む種々の雰
囲気での処理がなされる。このような処理工程を連結す
る場合、被処理物を搬送する雰囲気を前工程から後工程
に持ち込まないようにしなければならないため、工程間
において被処理物から前工程の雰囲気を除去し、そして
後工程に合わせた雰囲気に変換して被処理物を搬送する
といった作業が必要であるが、雰囲気変換装置を用いる
ことにより搬送しながら各処理工程が実行でき、極めて
高速で作業性よく信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とが可能となる。In each step, treatment is performed in various atmospheres including not only gases such as active gas and inert gas, but also liquids such as water and various solutions. In the case of connecting such processing steps, it is necessary to prevent the atmosphere for transporting the workpiece from being carried from the previous step to the subsequent step. It is necessary to convert the atmosphere according to the process and transport the workpiece, but by using an atmosphere conversion device, it is possible to execute each processing step while transporting it, and it is extremely high speed, high workability and high reliability A semiconductor device can be provided.
【００６４】また、前記実施例では太陽電池の製造方法
について説明したが、球の切断工程は、半導体球の切断
のみならず、ガラス球などの絶縁材料にも適用可能であ
ることはいうまでもない。In the above embodiment, the method of manufacturing a solar cell has been described. However, it goes without saying that the sphere cutting step can be applied not only to semiconductor sphere cutting but also to insulating materials such as glass spheres. Absent.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、極めて容易に、高精度の半球を生産性良く形成する
ことが可能となる。また、位置決めが不要であり、充填
密度も高く、高効率で信頼性の高い太陽電池を提供する
ことが可能となる。As described above, according to the present invention, a highly accurate hemisphere can be formed very easily with high productivity. In addition, positioning is unnecessary, the packing density is high, and a highly efficient and highly reliable solar cell can be provided.
【００６６】また、受光面積を減少することなく、高密
度の配置が可能である。またフォトリソグラフィ工程を
用いることなく高精度で信頼性の高い太陽電池を得るこ
とができる。また低コスト化を図ることが可能となる。Further, high-density arrangement is possible without reducing the light receiving area. In addition, a highly accurate and highly reliable solar cell can be obtained without using a photolithography step. Further, cost reduction can be achieved.
【図１】本発明の第１の実施形態の太陽電池を示す図FIG. 1 is a diagram showing a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施形態の太陽電池を構成する
セルの断面図FIG. 2 is a sectional view of a cell constituting the solar cell according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施形態の太陽電池を構成する
セルの製造工程図FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a cell constituting the solar cell according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施形態の太陽電池の実装工程
を示す図FIG. 4 is a diagram showing a mounting process of the solar cell according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１の実施形態の太陽電池の実装工程
を示す図FIG. 5 is a diagram showing a mounting process of the solar cell according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施形態の太陽電池を示す図FIG. 6 is a diagram showing a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第３の実施形態の太陽電池の製造工程
を示す図FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of the solar cell according to the third embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第３の実施形態の太陽電池の製造工程
を示す図FIG. 8 is a diagram showing a manufacturing process of the solar cell according to the third embodiment of the present invention.
【図９】従来例の太陽電池を示す図FIG. 9 is a diagram showing a conventional solar cell.
【符号の説明】 １ 太陽電池 ３ 半田層 ４ 樹脂層 ５ 導体層 ７ ポリイミドテープ（保護膜） １１ ｐ型多結晶シリコン球 １２ ｎ型多結晶シリコン層 １３ 外側電極[Description of Signs] 1 solar cell 3 solder layer 4 resin layer 5 conductor layer 7 polyimide tape (protective film) 11 p-type polycrystalline silicon sphere 12 n-type polycrystalline silicon layer 13 outer electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 研 福岡県北九州市八幡西区小嶺二丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内 Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA03 CB04 CB27 DA03 DA20 EA18 FA02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Ken Ishida 2-10-1 Komine, Yawatanishi-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka F-term in Mitsui High-Tech Co., Ltd. 5F051 AA02 AA03 CB04 CB27 DA03 DA20 EA18 FA02
Claims (9)
と、 前記トレイ内に樹脂を充填し、敷き詰められた球体と共
に硬化せしめ、多数の球体を一体的に固着する工程と、 樹脂で固着された状態で位置決めを行い、各球体の中心
を通る切断面を形成するように樹脂とともに切断する工
程と、 この切断面にテープを貼着する工程と、 前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、半球体
を形成する工程とを含むことを特徴とする半球体の製造
方法。1. A step of laying spheres in a row in a tray, a step of filling a resin in the tray, curing the spheres together with the laid spheres, and integrally fixing a large number of spheres, and a state of being fixed with the resin. Positioning in the step of cutting along with the resin to form a cut surface passing through the center of each sphere, a step of attaching a tape to this cut surface, removing the resin while fixing with the tape, Forming a hemisphere.
を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を形成するように
形成された第２導電型の半導体層と、前記第2の半導体
層表面に形成された透明導電膜からなる外側電極とを形
成した多数個のセルを用意する工程と、 前記セルを、トレイに一列に敷き詰める工程と、 前記トレイ内に樹脂を充填し、敷き詰められたセルと共
に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する
工程と、 樹脂で固着された状態で位置決めを行い、各セルの中心
を通る切断面を形成するように樹脂とともに切断する工
程と、 この切断面にテープを貼着する工程と、 前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、前記第
１導電型の半導体層にコンタクトするように電極を形成
する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方
法。A second conductive type semiconductor layer formed so as to form a pn junction on at least a surface of the spherical substrate forming a first conductive type semiconductor layer; and a second semiconductor layer surface. A step of preparing a large number of cells formed with an outer electrode formed of a formed transparent conductive film; a step of laying the cells in a row in a tray; and filling a resin in the tray with the laid cells. A step of curing and fixing a large number of solar cells integrally, a step of positioning with the resin fixed and a step of cutting together with the resin to form a cut surface passing through the center of each cell; A step of attaching a tape to a surface, and a step of forming an electrode so as to contact the semiconductor layer of the first conductivity type by removing the resin while keeping the tape fixed. Battery manufacturing method.
を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を形成するように
形成された第２導電型の半導体層と、前記第2の半導体
層表面に形成された透明導電膜からなる外側電極とを形
成した多数個のセルを用意する工程と、 前記セルを、トレイに一列に敷き詰める工程と、 前記トレイ内に樹脂を充填し、敷き詰められたセルと共
に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する
工程と、 樹脂で固着された状態で位置決めを行い、各セルの中心
を通る切断面を形成するように樹脂とともに切断する工
程と、 前記テープに貼着された複数のセルを、前記セルが上に
位置するように水平に配置する工程と、前記セルの上面
から樹脂粉体を振り掛ける工程と、 前記セルを加熱し、前記セルと前記テープとの間を樹脂
層で固着する工程と、 さらに半田粉体を振り掛ける工程と、 前記セルを加熱し、前記半田粉体を液化し、前記セルと
前記テープとの間を半田で固着する工程と、 前記テープを外し、導電プレートを固着する工程とを含
むことを特徴とする太陽電池の製造方法。3. A semiconductor substrate of a second conductivity type formed so as to form a pn junction on at least a surface of a spherical substrate constituting a semiconductor layer of the first conductivity type, and a surface of the second semiconductor layer. A step of preparing a large number of cells formed with an outer electrode formed of a formed transparent conductive film; a step of laying the cells in a row in a tray; and filling a resin in the tray with the laid cells. Curing, integrally fixing a large number of solar cells, positioning with the resin fixed, and cutting with the resin so as to form a cut surface passing through the center of each cell, the tape A plurality of cells attached to the, horizontally arranged so that the cell is located above, and sprinkling resin powder from the upper surface of the cell, heating the cell, the cell and the With tape Fixing the space between the cells with a resin layer, further sprinkling the solder powder, heating the cell, liquefying the solder powder, and fixing the space between the cell and the tape with solder. Removing the tape and fixing the conductive plate.
ち、前記半球の裏面側から高濃度の第１導電型不純物を
ドーピングする工程を含む事を特徴とする請求項３に記
載の太陽電池の製造方法。4. The method for manufacturing a solar cell according to claim 3, further comprising a step of doping a high-concentration first-conductivity-type impurity from the back side of the hemisphere prior to the step of fixing the conductive plate. Method.
形成する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の
太陽電池の製造方法。5. The method according to claim 4, further comprising forming a protective film on the conductive plate.
を構成する半球状基板と、 前記球表面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第
２導電型の半導体層と、 前記第2の半導体層表面に形成された透明導電膜からな
る外側電極と、 前記半球状基板の底面に形成された内側電極としての導
電プレートとを具備し、 前記外側電極の端部と、前記導電プレートとの間に絶縁
樹脂が介在せしめられていることを特徴とする太陽電
池。6. A hemispherical substrate at least a surface of which forms a first conductivity type semiconductor layer; a second conductivity type semiconductor layer formed on the spherical surface to form a pn junction; An outer electrode made of a transparent conductive film formed on the surface of the semiconductor layer, and a conductive plate as an inner electrode formed on the bottom surface of the hemispherical substrate, wherein an end of the outer electrode, the conductive plate, A solar cell, wherein an insulating resin is interposed between the solar cells.
状基板と、 前記球表面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第
２導電型の半導体層と、 前記第2の半導体層表面に形成された透明導電膜からな
る外側電極とを具備してなる複数個の半球セルがその底
面を前記導電プレート表面に接するように配列され、 前記導電プレート表面の前記セル間に位置する領域には
絶縁性の樹脂を介して導体層が形成され、この導体層を
介して前記外側電極同士の電気的接続がなされているこ
とを特徴とする太陽電池。7. A conductive plate as an inner electrode; a hemispherical substrate having at least a surface constituting a semiconductor layer of a first conductivity type; and a second conductivity type formed to form a pn junction on the surface of the sphere. A plurality of hemispherical cells comprising an outer electrode formed of a transparent conductive film formed on the surface of the second semiconductor layer are arranged so that the bottom surface thereof is in contact with the surface of the conductive plate; A conductive layer is formed in a region located between the cells on the surface of the conductive plate via an insulating resin, and the outer electrodes are electrically connected to each other via the conductive layer. battery.
コン球からなり、前記半シリコン球の表面に形成された
第2導電型のシリコン層との間にｐｎ接合を形成してな
ることを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。8. The semi-spherical substrate comprises a semiconducting silicon sphere of a first conductivity type, and a pn junction formed between the semiconducting silicon layer and a second conductivity type silicon layer formed on the surface of the semiconducting sphere. The solar cell according to claim 7, wherein:
なり、前記半球状体の球表面に、第1導電型のシリコン
層と、前記第1導電型のシリコン層表面に形成された第2
導電型のシリコン層を形成しｐｎ接合を形成してなり、
前記導電プレートは前記半球体の底面にコンタクトする
ように形成されていることを特徴とする請求項７に記載
の太陽電池。9. The hemispherical substrate is formed of a metal spherical body, and a first conductive type silicon layer and a first conductive type silicon layer are formed on the spherical surface of the hemispherical body. No. 2
Forming a conductive silicon layer and forming a pn junction,
The solar cell according to claim 7, wherein the conductive plate is formed to contact a bottom surface of the hemisphere.
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|---|---|---|---|
| JP35818099A JP2001177132A (en) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | Method of cutting globular body, and solar battery using the globular body and method of manufacturing the same |
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