JP2001176899A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JP2001176899A
JP2001176899A JP36199899A JP36199899A JP2001176899A JP 2001176899 A JP2001176899 A JP 2001176899A JP 36199899 A JP36199899 A JP 36199899A JP 36199899 A JP36199899 A JP 36199899A JP 2001176899 A JP2001176899 A JP 2001176899A
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wafer
dicing
resin
metal post
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JP36199899A
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Hiroyuki Shinoki
裕之 篠木
Toshimichi Tokushige
利洋智 徳重
Nobuyuki Takai
信行 高井
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップサイズパッケージの信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 メタルポスト８を形成した後、第１のダ
イシング工程で溝２１を形成し全体を樹脂封止する。続
いて、ウエハ裏面を前記溝２１底部に到達する位置まで
研磨して各チップ２０Ａ毎に分割する。更に、前記樹脂
層Ｒを研磨して、前記メタルポスト８の頭部を露出させ
る。そして、前記メタルポスト８上に半田ボールを搭載
した後、第２のダイシング工程で、隣り合うチップ２０
Ａ間の樹脂層Ｒ部分をダイシングすることで、各チップ
２０Ａ毎に分離する工程とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特にチップサイズパッケージの製造方法に
関する。チップサイズパッケージ（Chip Size Packag
e）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わ
ずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目
的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用さ
れるメタルポスト形成における信頼性向上技術に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この分野では、一般にＢＧＡ（Ba
ll Grid Array）と呼ばれ、面状に配列された複数の半
田ボールを持つ構造、ファインピッチＢＧＡと呼ばれ、
ＢＧＡのボールピッチをさらに狭ピッチにして外形がチ
ップサイズに近くなった構造等が知られている。
【０００３】また、最近では、「日経マイクロデバイ
ス」１９９８年８月号 ４４頁〜７１頁に記載されたウ
エハＣＳＰがある。このウエハＣＳＰは、基本的には、
チップのダイシング前に配線やアレイ状のパッドをウエ
ハプロセス（前工程）で作り込むＣＳＰである。この技
術によって、ウエハプロセスとパッケージ・プロセス
（後工程）が一体化され、パッケージ・コストが大幅に
低減できるようになることが期待されている。
【０００４】ウエハＣＳＰの種類には、樹脂封止型と再
配線型がある。樹脂封止型は、従来のパッケージと同様
に表面を封止樹脂材で覆った構造であり、チップ表面の
配線層上にメタルポストを形成し、その周囲を封止樹脂
材で固める構造である。
【０００５】一般にパッケージをプリント基板に搭載す
ると、プリント基板との熱膨張差によって発生した応力
がメタルポストに集中すると言われているが、樹脂封止
型では、メタルポストが長くなるため、応力が分散され
ると考えられている。
【０００６】一方、再配線型は、図１０に示すように、
封止樹脂材を使わず、再配線を形成した構造である。つ
まりチップ５１の表面にＡｌ電極５２、配線層５３、絶
縁層５４が積層され、配線層５３上にはメタルポスト５
５が形成され、その上に半田ボール５６が形成されてい
る。配線層５３は、半田ボール５６をチップ上に所定の
アレイ状に配置するための再配線として用いられる。
【０００７】樹脂封止型は、メタルポストを１００μｍ
程度と長くし、これを封止樹脂材で補強することによ
り、高い信頼性が得られる。しかしながら、封止樹脂材
を形成するプロセスは、後工程において金型を用いて実
施する必要があり、プロセスが複雑になる。
【０００８】一方、再配線型では、プロセスは比較的単
純であり、しかも殆どの工程をウエハプロセスで実施で
きる利点がある。しかし、なんらかの方法で応力を緩和
し信頼性を高めることが必要とされている。
【０００９】また図１１は、図１０の配線層５３を省略
したものであり、Ａｌ電極５２が露出した開口部を形成
し、この開口部には、メタルポスト５５とアルミ電極５
２との間にバリアメタル５８を少なくとも一層形成し、
このメタルポスト５５の上に半田ボール５６が形成され
ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記したよう
なウエハＣＳＰの封止には、例えばエポキシ樹脂を用
い、この樹脂層を研磨して前記メタルポスト５５の頭部
を露出させ、ダイシング工程へとプロセスが続くが、こ
のとき、ウエハストレスと樹脂ストレスの影響によるウ
エハの反りが非常に大きくなるという問題が発生してい
た。
【００１１】そして、このような反りが出たウエハを製
造ライン内で搬送させる場合には、搬送エラーが発生す
ることがあった。このことは、ウエハの大口径化が進む
ことで、より顕著になる。
【００１２】また、信頼性向上を図るためにメタルポス
トをより高くしたくても、この反りの問題が支障となっ
ていた。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされ、図８（ａ）に示すようにメタルポスト８を形
成した後、第１のダイシング工程で溝２１を形成する。
次に、図８（ｂ）に示すように全体を樹脂封止する。続
いて、図８（ｃ）に示すようにウエハ裏面を前記溝２１
底部に到達する位置まで研磨して各チップ２０Ａ毎に分
割する（尚、この際、各チップ２０Ａは樹脂層Ｒにより
一体となっている。）。更に、図９（ａ）に示すように
前記樹脂層Ｒを研磨して、前記メタルポスト８の頭部を
露出させる。そして、図９（ｂ）に示すように前記メタ
ルポスト８上に半田ボール１２を搭載した後、図９
（ｃ）に示すように第２のダイシング工程で、隣り合う
チップ２０Ａ間の樹脂層Ｒ部分をダイシングすること
で、各チップ２０Ａ毎に分離する工程とを有することを
特徴とするものである。
【００１４】また、前記第２のダイシング工程における
ダイシング幅が、第１のダイシング工程におけるダイシ
ング幅よりも狭いことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
半導体装置の製造方法について説明する。
【００１６】図７に於いて、図番１は、通常のワイヤボ
ンディングタイプのＩＣチップにおいて、最上層のメタ
ル（ボンディングパッドとしても機能する部分）の部分
であり、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成さ
れる層間絶縁膜を図番２で示す。
【００１７】また、このコンタクトホールＣの下層に
は、メタルが複数層で形成され、例えばトランジスタ
（ＭＯＳ型のトランジスタまたはＢＩＰ型のトランジス
タ）、拡散領域、ポリＳｉゲートまたはポリＳｉ等とコ
ンタクトしている。
【００１８】ここで、本実施例は、ＭＯＳ型で説明して
いるが、ＢＩＰ型でも実施できることは言うまでもな
い。
【００１９】また本構造は、一般には一層メタル、ニ層
メタル…と呼ばれるＩＣである。
【００２０】更には、パッシベーション膜を図番３で示
す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポ
キシ樹脂またはポリイミド樹脂等でなり、更にこの上に
は、絶縁樹脂層ｒが被覆されている。この絶縁樹脂層ｒ
は、後述するようにフラット性を実現し、半田ボールの
高さを一定にしている。
【００２１】また、Ａｌ電極１上には、キャップメタル
として窒化Ｔｉ膜（ＴｉＮ）５が形成されている。
【００２２】パッシベーション膜３と絶縁樹脂層ｒは、
窒化Ｔｉ膜（ＴｉＮ）５を露出する開口部Ｋが形成さ
れ、ここには、配線層のメッキ電極（シード層）として
Ｃｕの薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕ
メッキにより形成される配線層７が形成される。
【００２３】そして、配線層７を含むチップ全面には、
樹脂から成る樹脂層Ｒが形成される。ただし、図面上で
は省略しているが、樹脂層Ｒと配線層７、樹脂層Ｒとメ
タルポスト８の界面には後述するように樹脂層ＲとＣｕ
との反応を防止するためのシリコン窒化膜（以下、Ｓｉ
３Ｎ４膜という。）を設けても良い。
【００２４】樹脂層Ｒは、熱硬化性、熱可塑性樹脂であ
れば実施可能であり、特に熱硬化性樹脂として、アミッ
ク酸フィルム、ポリイミド、エポキシ系の樹脂が好まし
い。また熱可塑性樹脂であれば、熱可塑性ポリマー（日
立化成：ハイマル）等が好ましい。またアミック酸フィ
ルムは３０〜５０％の収縮率である。
【００２５】ここで、樹脂層Ｒは、液状のアミック酸を
主材料として用意され、ウエハ全面にスピンコートさ
れ、厚さ２０〜６０μｍ程度で形成される。その後、こ
の樹脂層Ｒは、熱硬化反応により重合される。温度は、
３００℃以上である。しかし、熱硬化前のアミック酸よ
り成る樹脂は、前記温度の基で非常に活性に成り、Ｃｕ
と反応し、その界面を悪化させる問題がある。しかし、
配線層の表面に上記Ｓｉ ３Ｎ４膜を被覆することによ
り、このＣｕとの反応を防止することができる。ここで
Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚は、１０００〜３０００Å程度であ
る。
【００２６】また、Ｓｉ３Ｎ４膜は、バリア性が優れた
絶縁膜で良いが、ＳｉＯ２膜は、バリア性に劣る。しか
し、ＳｉＯ２膜を採用する場合は、Ｓｉ３Ｎ４膜よりも
その膜厚を厚くする必要がある。また、Ｓｉ３Ｎ４膜
は、プラズマＣＶＤ法で形成できるので、そのステップ
カバレージも優れ、好ましい。更に、メタルポスト８を
形成した後、樹脂層Ｒを被覆するので、前記Ｓｉ３Ｎ４
膜を形成するとＣｕから成る配線層７とアミック酸を主
材料とする樹脂層の反応を防止するばかりでなく、Ｃｕ
から成るメタルポスト８とアミック酸を主材料とする樹
脂層Ｒの反応も防止できる。
【００２７】Ｃｕから成るメタルポスト８の上に直接半
田ボールが形成されると、酸化されたＣｕが原因で半田
ボールとの接続強度が劣化する。また酸化防止のために
Ａｕを直接形成すると、Ａｕが拡散されるため、間にＮ
ｉが挿入されている。ＮｉはＣｕの酸化防止をし、また
ＡｕはＮｉの酸化防止をしている。従って半田ボールの
劣化および強度の劣化は抑制される。
【００２８】ここでＮｉ、Ａｕは、電解メッキで形成さ
れるが無電解メッキでも良い。
【００２９】最後に、メタルポスト８の頭部に、半田ボ
ール１２が形成される。
【００３０】ここで半田ボールと半田バンプの違いにつ
いて説明する。半田ボールは、予めボール状の半田が別
途用意され、メタルポスト８に固着されるものであり、
半田バンプは、配線層７、メタルポスト８を介して電解
メッキで形成されるものである。半田バンプは、最初は
厚みを有した膜として形成され、後工程の熱処理により
球状に形成されるものである。
【００３１】ここでは、図６でシード層が取り除かれる
ので、電解メッキでは形成できず、実際は半田ボールが
用意される。
【００３２】続いて、図７に示す構造の製造方法につい
て説明する。
【００３３】先ず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成さ
れた半導体基板（ウエハ）を準備する。ここでは、前述
したように一層メタル、ニ層メタル・・のＩＣで、例え
ばトランジスタのソース電極、ドレイン電極が一層目の
メタルとして形成され、ドレイン電極とコンタクトした
Ａｌ電極１がニ層目のメタルとして形成されている。
【００３４】ここでは、ドレイン電極が露出する層間絶
縁膜２のコンタクト孔Ｃを形成した後、ウエハ全面にＡ
ｌを主材料とする電極材料、窒化Ｔｉ膜５を形成し、ホ
トレジスト層をマスクとして、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜
５を所定の形状にドライエッチングしている。
【００３５】ここでは、パッシベーション膜３を形成
し、この後開口したコンタクト孔Ｃにバリアメタルを形
成するのと違い、バリアメタルとしての窒化Ｔｉ膜も含
めてホトレジスト層で一度に形成でき、工程数の簡略が
可能となる。
【００３６】また窒化Ｔｉ膜５は、後に形成するＣｕの
薄膜層６のバリアメタルとして機能している。しかも窒
化Ｔｉ膜は、反射防止膜として有効であることにも着目
している。つまりパターニングの際に使用されるレジス
トのハレーション防止としても有効である。ハレーショ
ン防止として最低１２００Å〜１３００Å程度必要であ
り、またこれにバリアメタルの機能を兼ね備えるために
は、２０００Å〜３０００Å程度が好ましい。これ以上
厚く形成されると、今度は窒化Ｔｉ膜が原因で、ストレ
スが発生する。
【００３７】また、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５がパター
ニングされた後、全面にパッシベーション膜３が被覆さ
れる。パッシベーション膜として、ここではＳｉ３Ｎ４
膜が採用されているが、ポリイミド樹脂等も可能である
（以上図１参照）。
【００３８】続いて、パッシベーション膜３の表面に絶
縁樹脂層ｒが被覆される。この絶縁樹脂層は、ここで
は、ポジ型の感光性ポリイミド膜が採用され、約３〜５
μｍ程度が被覆されている。そして開口部Ｋが形成され
る。
【００３９】この感光性ポリイミド膜を採用すること
で、図２の開口部Ｋのパターニングにおいて、別途ホト
レジスト層を形成して開口部Ｋを形成する必要が無くな
り、メタルマスクの採用により工程の簡略化が実現でき
る。もちろんホトレジスト層でも可能である。しかもこ
のポリイミド膜は、平坦化の目的でも採用されている。
つまり半田ボール１２の高さが全ての領域において均一
である為には、メタルポスト８の高さが全てにおいて均
一である必要があり、配線層７もフラットに精度良く形
成される必要がある。その為にポリイミド樹脂を塗布
し、ある粘度を有した流動性を有する樹脂である故、そ
の表面をフラットにできる。
【００４０】ここでＡｌ電極１はＬＳＩの外部接続用の
パッドも兼ね、半田ボール（半田バンプ）から成るチッ
プサイズパッケージとして形成しない時は、ワイヤボン
ディングパッドとして機能する部分である（以上図２参
照）。
【００４１】続いて、全面にＣｕの薄膜層６を形成す
る。このＣｕの薄膜層６は、後に配線層７のメッキ電極
となり、例えばスパッタリングにより約１０００〜２０
００Å程度の膜厚で形成される。
【００４２】更に、全面に例えばホトレジスト層ＰＲ１
を塗布し、配線層７に対応するホトレジスト層ＰＲ１を
取り除く（以上図３参照）。
【００４３】続いて、このホトレジスト層ＰＲ１の開口
部に露出するＣｕの薄膜層６をメッキ電極とし、配線層
７を形成する。この配線層７は機械的強度を確保するた
めに２〜５μｍ程度に厚く形成する必要がある。ここで
は、メッキ法を用いて形成したが、蒸着やスパッタリン
グ等で形成しても良い。
【００４４】この後、ホトレジスト層ＰＲ１を除去する
（以上図４参照）。
【００４５】次に、配線層７上のメタルポスト８が形成
される領域を露出したホトレジスト層ＰＲ２が形成さ
れ、この露出部に電解メッキでＣｕのメタルポスト８が
３０〜１００μｍ程度の高さに形成される。これもＣｕ
の薄膜層６がメッキ電極として活用される（以上図５参
照）。
【００４６】続いて、ホトレジスト層ＰＲ２を除去し、
配線層７をマスクとしてＣｕの薄膜層６を除去する（以
上図６参照）。
【００４７】次に示す工程は、図面では省略したが、配
線層７、メタルポスト８も含めて全表面にプラズマＣＶ
Ｄ法でＳｉ３Ｎ４膜を被着しても良い。
【００４８】これは、後の工程で形成される硬化前の樹
脂層ＲとＣｕが熱により反応する。そのためこの界面が
劣化する問題を有している。従って配線層７、メタルポ
スト８は、全てこのＳｉ３Ｎ４膜で被覆する必要があ
る。このＳｉ３Ｎ４膜は、界面の劣化が発生しない場合
は、もちろん省略が可能である。
【００４９】以下、樹脂層Ｒを全面に塗布した後に、当
該樹脂層Ｒを研磨して前記メタルポスト８の頭部を露出
させ、その上にＮｉ１０を電解メッキで約１０００Å、
Ａｕ１１を同じく電解メッキで約５０００Å形成し、そ
の上に半田ボール１２を搭載する（以上図７参照）。
【００５０】ここで、本工程は本発明の特徴を為す工程
であり、以下、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５１】先ず、図８（ａ）に示すように前記メタル
ポスト８が形成された状態のウエハ２０に対し、当該ウ
エハ２０を不図示のダイシングカッターを用いて所定深
さまでダイシングして溝２１を形成する。尚、本工程で
は後述するように最終的なウエハ膜厚以上となる位置ま
でダイシングする。
【００５２】続いて、図８（ｂ）に示すように前記溝２
１を含むウエハ２０全面をエポキシ樹脂等で樹脂封止す
る（樹脂層Ｒ）。
【００５３】次に、図８（ｃ）に示すように前記ウエハ
２０裏面を研磨（バックグラインドＢＧ）する。このと
き、前述したダイシング工程により形成した溝２１の底
部に達する位置まで研磨する（これで、前記ウエハ２０
は最終的なウエハ膜厚となり、各チップ２０Ａ毎に分割
される。尚、この際、各チップ２０Ａは樹脂層Ｒにより
一体となっている。）。
【００５４】更に、図９（ａ）に示すように前記樹脂層
Ｒを研磨して前記メタルポスト８の頭部を露出させる。
【００５５】最後に、図９（ｂ）に示すように前記メタ
ルポスト８上に形成した前記Ｎｉ１０，Ａｕ１１（図７
参照）を介して半田ボール１２を位置合わせして搭載
し、リフローする。そして、図９（ｃ）に示すようにウ
エハ（前記溝２１内に埋め込まれた樹脂層Ｒ）をダイシ
ングすることで、スクライブラインに沿ってチップ２０
Ａ毎に分離し、チップサイズ・パッケージが完成する。
【００５６】このときのダイシング工程で用いるダイシ
ングカッターが、前記溝２１形成用のダイシング工程で
用いるダイシングカッターの刃幅よりも狭い刃幅を有す
るものを用いることで、図９（ｃ）に示すように各チッ
プ２０Ａの側面は、樹脂層Ｒにより被覆されるため、チ
ップ２０Ａと樹脂層Ｒとの密着性が向上すると共に、耐
湿性も向上させることができる。
【００５７】以上、説明したように本発明では、メタル
ポスト８形成後、樹脂封止する前にウエハ２０を所定深
さ位置（最終的なウエハ膜厚）までダイシングし、この
ダイシング工程により形成した溝２１を含むウエハ２０
全面を樹脂封止し、ウエハ裏面を前記溝２１の底部に到
達する位置（ダイシングポイント）までＢＧ処理する。
これにより、ＢＧでダイシングポイントに達した時点で
ウエハストレスは開放され、歪みがなくなり、従来発生
していたようなウエハの反りが抑止できる。
【００５８】その結果、製造ラインにおける搬送エラー
の発生が抑止でき、更なる大口径ウエハにも対応可能に
なる。尚、本プロセスを採用することで、例えば６００
μｍ程度の膜厚のウエハを２５０〜２００μｍ程度まで
薄膜化することができるようになる（従来プロセスで
は、３００μｍ程度までが限界であった。）。
【００５９】また、メタルポストの高さをより高いもの
とすることができ、更なる信頼性の向上が図れる。ダイ
シング工程で用いるダイシングカッターの刃幅を前記溝
２１形成用のダイシング工程で用いるダイシングカッタ
ーの刃幅よりも狭いものを用いることで、図９（ｃ）に
示すように各チップ２０Ａの側面は、樹脂層Ｒにより被
覆されるため、チップ２０Ａと樹脂層Ｒとの密着性が向
上すると共に耐湿性も向上させることができる。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハストレスの影響
を低減化するために、メタルポスト形成後、ウエハ全面
を樹脂封止する前にウエハを所定深さ位置までダイシン
グして溝を形成し、この溝を含むウエハ全面を樹脂封止
し、ウエハ裏面をこの溝底部位置までダイシングして、
各チップ毎に分割することで、従来のようなウエハスト
レスと樹脂ストレスによる影響で発生するウエハの反り
が抑止できる。
【００６１】従って、製造ラインにおける搬送エラーの
発生を抑止でき、更なる大口径ウエハにも対応可能にな
る。
【００６２】また、反りの発生が低減するため、より高
いメタルポストを形成することが可能となり、信頼性の
向上が図れる。
【００６３】更には、チップ分割用のダイシング工程で
用いるダイシングカッターの刃幅を前記溝形成用のダイ
シング工程で用いるダイシングカッターの刃幅よりも狭
いものを用いることで、各チップの側面に樹脂層が残膜
するため、チップと樹脂層との密着性が向上すると共
に、耐湿性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する断面図である。
【図１０】従来のチップサイズパッケージを説明する断
面図である。
【図１１】従来のチップサイズパッケージを説明する断
面図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ (72)発明者 高井 信行 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F033 HH11 HH13 JJ11 KK08 KK33 MM01 MM05 MM13 PP15 PP27 QQ11 QQ37 QQ73 QQ75 RR06 RR22 RR27 TT01 VV07 5F061 AA01 BA07 CA05 CB12 CB13

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 メタルポストを形成した後に所定深さま
    でウエハをダイシングする工程と、 前記ウエハ上面を樹脂封止して樹脂層を形成した後に前
    記ウエハ裏面を研磨する工程と、 前記樹脂層を研磨して前記メタルポストの頭部を露出さ
    せる工程と、 前記メタルポスト上に半田ボールを搭載する工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 絶縁層から露出した電極パッド上にシー
    ド層を介して接続され、チップ表面に延在する配線層を
    形成する工程と、 前記配線層上に位置するように開口部が形成されたホト
    レジスト層を形成した後に当該ホトレジスト層を介して
    前記配線層上にメタルポストを形成する工程と、 前記ホトレジスト層及びシード層を除去した後に所定深
    さまでウエハをダイシングする工程と、 前記ウエハ上面を樹脂封止して樹脂層を形成した後に前
    記ウエハ裏面を研磨する工程と、 前記樹脂層を研磨して前記メタルポストの頭部を露出さ
    せる工程と、 前記メタルポスト上に半田ボールを搭載する工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記ダイシング工程では、最終的なウエ
    ハ膜厚以上となる位置までダイシングすることを特徴と
    する請求項１あるいは請求項２に記載の半導体装置の製
    造方法。
  4. 【請求項４】 絶縁層から露出した電極パッド上にシー
    ド層を介して接続され、チップ表面に延在する配線層を
    形成する工程と、 前記配線層上に位置するように開口部が形成されたホト
    レジスト層を形成した後に当該ホトレジスト層を介して
    前記配線層上にメタルポストを形成する工程と、 前記ホトレジスト層及びシード層を除去した後に所定深
    さまでウエハをダイシングする第１のダイシング工程
    と、 前記ウエハ上面を樹脂封止して樹脂層を形成した後に前
    記ウエハ裏面を研磨する工程と、 前記樹脂層を研磨して前記メタルポストの頭部を露出さ
    せる工程と、 前記メタルポスト上に半田ボールを搭載した後に各チッ
    プ毎に分離する第２のダイシング工程とを有することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第２のダイシング工程におけるダイ
    シング幅が、第１のダイシング工程におけるダイシング
    幅よりも狭いことを特徴とする請求項４に記載の半導体
    装置の製造方法。
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