JP2001176380A - 電界放出表示素子の製造方法 - Google Patents

電界放出表示素子の製造方法

Info

Publication number
JP2001176380A
JP2001176380A JP2000218338A JP2000218338A JP2001176380A JP 2001176380 A JP2001176380 A JP 2001176380A JP 2000218338 A JP2000218338 A JP 2000218338A JP 2000218338 A JP2000218338 A JP 2000218338A JP 2001176380 A JP2001176380 A JP 2001176380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
conductive paste
electron emission
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000218338A
Other languages
English (en)
Inventor
Sokun Ryu
宗勳 柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2001176380A publication Critical patent/JP2001176380A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/02—Manufacture of cathodes
    • H01J2209/022—Cold cathodes
    • H01J2209/0223—Field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造原価が低いながらも画素パターンの高精
細化が可能であり，電子放出効果の向上が可能な平板表
示素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 導電ペーストを製造する段階と，製造さ
れた前記導電ペーストを，厚膜技術を利用して基板に成
膜する段階と，レーザーアブレーション法を利用し，所
望のパターンにしたがって前記導電ペーストの一部を除
去することにより所定のパターンを有する電極を形成す
る段階と，カーボン系列の物質で面電子放出ペーストを
製造する段階と，製造された前記面電子放出ペースト
を，厚膜技術を利用して前記電極が形成された基板の全
面に成膜する段階と，レーザーアブレーション法を利用
し，所望のパターンにしたがって前記面電子放出ペース
トのみを除去してエミッタを形成する段階と，を含むこ
とを特徴とする電界放出表示素子の製造方法を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，電界放出表示素子
の製造方法に係わり，より詳しくは，製造原価を節減し
ながらも，画素パターンの高精細化及び電子放出効果の
向上が可能な電界放出表示素子の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に，電界放出表示素子（ＦＥＤ；Ｆ
ｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）は，量
子力学的なトンネリング効果を利用して負極のエミッタ
から電子を放出させ，放出された電子を正極の蛍光体に
衝突させて所定の画像を具現する表示素子である。ここ
で，負極とは，エミッタ及び前記エミッタに駆動電圧を
認可する電極を意味し，正極とは，蛍光体及び前記蛍光
体に駆動電圧を認可する電極を意味する。電子を放出さ
せるエミッタとしては，先端が尖っているスピント（Ｓ
ｐｉｎｄｔ）タイプのエミッタと平らな面タイプのエミ
ッタとがある。
【０００３】図５は，面タイプのエミッタを有する２極
管構造の電界放出表示素子を示したものである。電界放
出表示素子は，図示したように一定の間隔をおいて対向
配置される第１基板１２及び第２基板１４と，第１基板
１２の一面にライン形状に配置される第１電極１６と，
第１電極１６と垂直に交差するよう第２基板１４の一面
にライン形状に配置される第２電極１８とを含む。
【０００４】そして，第１電極１６の表面には，電子放
出用物質からなる多数個の面タイプエミッタ２０が位置
する。第１電極１６とエミッタ２０とによって負極が構
成される。エミッタ２０と対向する第２電極１８の一面
にはそれぞれの緑，青，赤の蛍光膜２２が位置する。第
２電極１８と蛍光膜２２とによって正極が構成される。
【０００５】ここで，第１電極１６と第２電極１８とが
交差する空間が一つの画素を構成するようになる。
【０００６】これにより，第１電極１６と第２電極１８
とで所定の電圧パターンを認可すると，一つの画素を構
成する第１電極１６と第２電極１８とに認可された電圧
の差によって電界が形成されて，エミッタ２０から矢印
の方向に電子を放出するようになる。放出された電子は
蛍光膜２２に衝突して蛍光膜２２を発光させることによ
って，所定の画像を具現するようになる。
【０００７】このように構成される電界発光表示素子に
おいて，面電子放出物質としては，主にダイアモンド状
カーボン（ＤＬＣ；Ｄｉａｍｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａ
ｒｂｏｎ），カーボン繊維，カーボンナノチューブ（Ｃ
ＮＴ；Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅ）などのカーボ
ン系列の物質が用いられ，第１電極としては，ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜による透明電
極が用いられる。
【０００８】そして，面タイプのエミッタを第１基板に
形成する方法としては，（ａ）薄膜設備を利用して面タ
イプのエミッタを成膜化し，これを湿式食刻技術を利用
して電界発光アレイ（ＦＥＡ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ａｒｒａｙ）を構成したり，または（ｂ）カー
ボン系列の物質をペースト（ｐａｓｔｅ）に製造し，こ
れをスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）やスクリーンプリンティ
ング（ｓｃｒｅｅｎｐｒｉｎｔｉｎｇ）などの厚膜技術
を利用して第１電極の上側に塗布して電界発光アレイに
構成する方法がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前者
（ａ）の方法によれば，画素パターンの形成が容易で画
素パターンの高精細化が可能であるが，製造原価が高く
工程が複雑であるという問題点がある。
【００１０】そして，後者（ｂ）の方法によれば，製造
原価が低く工程が簡単であるが，厚膜技術に使用するマ
スクのメッシュ内の画素間距離及び画素自体の大きさに
制限があるため，１００ミクロン以内の高精細化あるい
は微細パターンの形成が非常に難しいという問題点があ
る。
【００１１】本発明は，このような問題点に鑑みてなさ
れたもので，その目的とするところは，製造原価が低い
ながらも画素パターンの高精細化が可能であり，電子放
出効果の向上が可能な平板表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明は，請求項1に記載のように，導電ペースト
を製造する段階と，製造された前記導電ペーストを，厚
膜技術を利用して基板に成膜する段階と，レーザーアブ
レーション法を利用し，所望のパターンにしたがって前
記導電ペーストの一部を除去することにより所定のパタ
ーンを有する電極を形成する段階と，カーボン系列の物
質で面電子放出ペーストを製造する段階と，製造された
前記面電子放出ペーストを，厚膜技術を利用して前記電
極が形成された基板の全面に成膜する段階と，レーザー
アブレーション法を利用し，所望のパターンにしたがっ
て前記面電子放出ペーストのみを除去してエミッタを形
成する段階と，を含むことを特徴とする電界放出表示素
子の製造方法を提供する。
【００１３】本発明の別の観点によれば，請求項２に記
載のように，導電ペーストを製造する段階と，製造され
た前記導電ペーストを，厚膜技術を利用して基板に成膜
する段階と，カーボン系列の物質で面電子放出ペースト
を製造する段階と，成膜された前記導電ペーストの上側
に，前記面電子放出ペーストを厚膜技術を利用して成膜
する段階と，レーザーアブレーション法を利用し，所望
のパターンにしたがって導電ペーストと面電子放出ペー
ストの一部を除去して電極とエミッタとを同時に形成す
る段階と，を含むことを特徴とする電界放出表示素子の
製造方法が提供される。このように，導電膜と面電子放
出膜とを形成する時には厚膜技術を使用し，この導電膜
と面電子放出膜とをレーザーアブレーション法を使用し
てパターンを形成することによって電極とエミッタを形
成すると，製造原価を節減しながらも画素パターンの高
精細化が可能になる。
【００１４】その際に，請求項３に記載のように，前記
導電ペーストは，スクリーン印刷法またはスラリー法に
よって基板の一側の全面に成膜されることが好ましい。
スクリーン印刷法は，設備が簡単でパターンを形成する
製版過程が比較的容易である。また，請求項４に記載の
ように，前記面電子放出ペーストは，スクリーン印刷法
により前記導電ペーストの表面に成膜してもよい。そし
て，前記面電子放出ペーストは，請求項５に記載のよう
に，黒鉛を含む物質からなるよう構成することが好まし
く，黒鉛はオキサイド（ｏｘｉｄｅ）またはシリコン系
列の他の物質に比べてレーザービームに対するエネルギ
ーの吸収率が高いため，レーザーアブレーション法を利
用する際，効率よく形成することができる。また，前記
面電子放出ペーストは，請求項６に記載のように，カー
ボンナノチューブを含む物質からなるよう構成すること
が好ましく，これにより，レーザービームを食刻部分に
照射してエミッタを形成する時，カーボンナノチューブ
が食刻部分のエミッタの表面に露出し，電子放出作用を
するカーボンナノチューブが増加して面電子放出効果を
極大化させることができる。
【００１５】カーボンナノチューブを含有した物質を使
用する場合は，レーザーアブレーション法に利用される
レーザーは，請求項７に記載のように，５６２〜１０６
４ｎｍの波長帯を有することが好ましい。あるいは，請
求項８に記載のように，カーボン系列物質のうちで特に
エネルギーの吸収率が高いＩＲレーザーを用いることが
好ましい。また，前記導電ペーストは，請求項９に記載
のように，印刷に適合するように高粘度のＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなることが好まし
い。あるいは，請求項１０に記載のように，前記導電ペ
ーストは，金属からなるようにし，請求項１１に記載の
ように，前記金属は，アルミニウムまたはクロムとして
もよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下，添付した図面を参照して，
本発明の好ましい実施例による電界放出表示素子の製造
方法をより詳細に説明する。図１は，本発明の一実施例
による電界放出表示素子の製造方法を順次的に示した工
程のフローチャートである。まず，最初に導電ペースト
を製造する（Ｓ１０）。次に，製造された導電ペースト
を厚膜技術を利用して基板に成膜する（Ｓ１１）。厚膜
技術は，スクリーン印刷法やスラリー法，等を用いるこ
とができる。そして，所望のパターンにしたがって前記
導電ペーストの一部を除去することによって所定のパタ
ーンを有する電極を形成する（Ｓ１２）。次に，面電子
放出ペーストを製造する（Ｓ１３）。前記電極が形成さ
れた基板の全面に，前記面電子放出ペーストを厚膜技術
を利用して成膜する（Ｓ１４）。レーザーアブレーショ
ン法を利用し，所望のパターンにしたがって前記面電子
放出ペーストのみを除去してエミッタを形成する（Ｓ１
５）。
【００１７】これを，図２を参照して詳細に説明する。
導電ペーストは，印刷に適合するように高粘度のＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ），あるいはＡｌ
またはＣｒなどの金属材料からなることが好ましい。
【００１８】特に，導電ペーストがＩＴＯからなる場
合，ＩＴＯペーストは一定の比率以上の固形成分を含む
ことが好ましい。この時，印刷に適合した導電ペースト
は粘度が１万〜１０万ｃｐｓの範囲であり，ペースト内
の固形成分が１０〜８０重量％に存在することが好まし
い。
【００１９】このように製造された導電ペーストを，基
板の一面に厚膜技術（スクリーン印刷法またはスラリー
法など）のうちの１つの方法，本実施例ではスクリーン
印刷法で成膜することにより導電膜を形成する。
【００２０】スクリーン印刷法は，スキージやゴムロー
ラーを利用してスクリーンメッシュの網目を通して導電
ペーストを被印刷体（基板）に押し出して印刷する方法
である。これは設備が簡単でパターンを形成する製版過
程が比較的容易であるので，いろんな分野の印刷に広く
用いられている。
【００２１】導電ペーストのスクリーン印刷は，基板と
スクリーンメッシュとをスクリーン印刷器に固定させ，
スキージを利用して導電ペーストを基板に印刷する過程
からなる。
【００２２】前記の方法を通じて，図２Ａに図示したよ
うに基板２の一側の全面に導電膜４を印刷する。その
後，レーザーアブレーション法を使用して電極６を完成
する。これを図２Ｂに示す。
【００２３】レーザーアブレーション法は，所望の食刻
部分に焦点を合せた後，レーザービームを照射するとレ
ーザービームのエネルギーが食刻対象物質に吸収され，
瞬間的に大きなエネルギーを吸収した微小領域の物質が
プラズマ化されつつ所望の部分が食刻できるようにした
乾燥式食刻技術のひとつである。食刻の領域はレーザー
ビームの直径によって決定される。
【００２４】そして，上記のような電極形成作業は，基
板の移送が可能な加工テーブルの上に基板を載置し，基
板を２軸方向（加工テーブル上の前後左右方向）に移送
させながら実施しても構わないし，基板を固定した状態
でレーザーアブレーションユニットを移送させながら実
施してもいい。
【００２５】このように電極６を形成した後，オキサイ
ド（ｏｘｉｄｅ）またはシリコン系列の他の物質に比べ
てレーザービームに対するエネルギーの吸収率が高い黒
鉛（ｇｒａｐｈｉｔｅ），またはカーボンナノチューブ
などのカーボン系列物質で面電子放出ペーストを製造
し，製造された面電子放出ペーストを，電極が形成され
た基板の一側の全面にスクリーン印刷法により成膜して
面電子放出膜８を形成した後にこれを固着させる。これ
を図２Ｃに示す。
【００２６】ここで，前記面電子放出ペーストの組成比
は，面電子の原ソース物質を１とする時，０．５〜０．
８のグラスパウダー（ｇｌａｓｓ ｐｏｗｄｅｒ）と，
０．５〜０．８の銀（ｓｉｌｖｅｒ）と，２〜２０のバ
インダーとからなることが好ましい。
【００２７】このように，面電子放出膜８を形成した後
には，前述のレーザーアブレーション法を利用してレー
ザービームを照射することにより所望の食刻部分の面電
子放出ペーストのみを除去してエミッタ１０を形成す
る。これを図２Ｄに示す。
【００２８】このようなエミッタの形成時，面電子放出
物質としては，特にカーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏ
ｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）を含むことが好ましい。その理
由は，レーザービームを食刻部分に照射してエミッタ１
０を形成する時，図２Ｄの拡大図に示したように，カー
ボンナノチューブ（ＣＮＴ）が前記食刻部分のエミッタ
１０の表面に露出し，これによって電子放出作用をする
カーボンナノチューブが増加して面電子放出効果が極大
化されるためである。
【００２９】そして，レーザービームは，カーボン系列
物質のうちで特にエネルギーの吸収率が高い赤外線（Ｉ
Ｒ：ｉｎｆｒａｒｅｄ）レーザーを使用し，特に，カー
ボンナノチューブを含有した物質には５６２〜１０６４
ｎｍ程度の波長を有するレーザーを使用する。
【００３０】このようにレーザービームを利用してパタ
ーンを形成すると，１０ミクロン以内のパターニング領
域までパターンを形成することができて，微細パターン
の形成が可能になる。また，レーザービームにより食刻
された部分のエミッタ表面に露出するカーボンナノチュ
ーブによって面電子放出効果を向上させることができ
る。
【００３１】図３は，本発明の他の実施例による電界放
出表示素子の製造方法を順次的に示した工程のフローチ
ャートである。まず，最初に導電ペーストを製造する
（Ｓ２０）。製造された導電ペーストをスクリーン印刷
法を利用して基板に成膜する（Ｓ２１）。次に，面電子
放出ペーストを製造する（Ｓ２２）。成膜された導電ペ
ーストの上側に，前記面電子放出ペーストをスクリーン
印刷法を利用して成膜する（Ｓ２３）。レーザーアブレ
ーション法を利用し，所望のパターンにしたがって導電
ペーストと面電子放出ペーストの一部を除去して電極と
エミッタとを同時に形成する（Ｓ２４）。
【００３２】これを図４を参照して説明すると，導電ペ
ーストは，図１の実施例と同様に高粘度のＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ），またはＡｌまたはＣ
ｒなどの金属からなり，このように製造された導電ペー
ストを基板の一面にスクリーン印刷法で成膜することに
よって導電膜を形成する。
【００３３】前記の方法を通じて，図４Ａに示したよう
に基板２の一側の全面に導電膜４を印刷する。その後，
上記のカーボン系列物質（特にカーボンナノチューブを
含有する物質）で面電子放出ペーストを製造し，製造し
た面電子放出ペーストを導電膜４の上面にスクリーン印
刷法で成膜して面電子放出膜８を形成する。これを図４
Ｂに示す。
【００３４】このように，面電子放出膜８を形成した後
には，前記レーザーアブレーション法を利用し，レーザ
ービームを所望の食刻部分に照射して導電ペーストと面
電子放出ペーストとを同時に除去することにより電極６
とエミッタ１０とを同時に形成する。これを図４Ｃに示
す。
【００３５】この時，レーザービームは，赤外線レーザ
ー（ＩＲ Ｌａｓｅｒ）または５６２〜１０６４ｎｍ程
度の波長を有するレーザーを使用する。導電ペーストと
面電子放出ペーストとを同時に除去することはレーザー
ビームのエネルギーを調節することによって可能であ
る。
【００３６】そして，図示されてはいないが，この場合
にも図２Ｄに示したように，食刻部分のエミッタ表面に
はカーボンナノチューブが露出する。
【００３７】このように，電極とエミッタとを同時に形
成する本実施例によれば，図１及び図２の実施例に比べ
て工程を単純化することができる。
【００３８】上述では本発明の好ましい実施例について
説明したが，本発明はこれに限定されるものではなく，
特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の
範囲で色々と変形して実施することが可能であり，これ
もまた本発明の範囲に属することは当然である。
【００３９】
【発明の効果】このように本発明による電界放出表示素
子の製造方法によれば，製造原価が低い厚膜技術と微細
パターン形成が可能なレーザーアブレーション法とを複
合的に使用するので，製造原価を節減しながらもパター
ンの高精細化が可能になる。
【００４０】したがって，本発明の方法によれば，デス
クトップモニターのような高精細化の製品に適用可能な
電界放出表示素子の生産が可能になる。
【００４１】また，面電子放出物質がカーボンナノチュ
ーブを含有すれば，レーザービームのエネルギーによっ
てカーボンナノチューブが食刻部分のエミッタの表面に
露出するので，面電子放出効果を極大化することができ
る。
【００４２】なお，本発明の方法によれば，ラインパタ
ーニングを２次元的に実施することができ，１つの工程
で同時に多様な製品のパターニングが可能であり，設計
変更時あるいは製品変更時，マスクなどの周辺設備を変
更することなくパターニング絵を入れ替える簡単な作業
だけでも多様なパターンを形成することができる。
【００４３】また，より単純化された工程で電極を形成
することができるので，全体の工程数及び工程に所要す
る時間を短縮させることができ，これによって電界放出
表示素子の生産効率を効果的に向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例による電界放出表示素子の
製造方法を順次的に示した工程のフローチャートであ
る。
【図２】 図１の方法によって製造される電界放出表示
素子の負極を図式的に示す図面である。
【図３】 本発明の他の実施例による電界放出表示素子
の製造方法を順次的に示した工程のフローチャートであ
る。
【図４】 図３の方法によって製造される電界放出表示
素子の負極を図式的に示す図面である。
【図５】 一般的な面タイプのエミッタを有する電界放
出表示素子の断面図である。
【符号の説明】
２ 基板 ４ 導電膜 ６ 電極 ８ 面電子放出膜 １０，２０ エミッタ １２ 第１基板 １４ 第２基板 １６ 第１電極 １８ 第２電極 ２２ 蛍光膜

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電ペーストを製造する段階と，製造さ
    れた前記導電ペーストを，厚膜技術を利用して基板に成
    膜する段階と，レーザーアブレーション法を利用し，所
    望のパターンにしたがって前記導電ペーストの一部を除
    去することにより所定のパターンを有する電極を形成す
    る段階と，カーボン系列の物質で面電子放出ペーストを
    製造する段階と，製造された前記面電子放出ペースト
    を，厚膜技術を利用して前記電極が形成された基板の全
    面に成膜する段階と，レーザーアブレーション法を利用
    し，所望のパターンにしたがって前記面電子放出ペース
    トのみを除去してエミッタを形成する段階と，を含むこ
    とを特徴とする電界放出表示素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 導電ペーストを製造する段階と，製造さ
    れた前記導電ペーストを，厚膜技術を利用して基板に成
    膜する段階と，カーボン系列の物質で面電子放出ペース
    トを製造する段階と，成膜された前記導電ペーストの上
    側に，前記面電子放出ペーストを厚膜技術を利用して成
    膜する段階と，レーザーアブレーション法を利用し，所
    望のパターンにしたがって導電ペーストと面電子放出ペ
    ーストの一部を除去して電極とエミッタとを同時に形成
    する段階と，を含むことを特徴とする電界放出表示素子
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記導電ペーストは，スクリーン印刷法
    またはスラリー法によって基板の一側の全面に成膜され
    ることを特徴とする請求項１又は２に記載の電界放出表
    示素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記面電子放出ペーストは，スクリーン
    印刷法により前記導電ペーストの表面に成膜されること
    を特徴とする請求項１又は２に記載の電界放出表示素子
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記面電子放出ペーストは，黒鉛を含む
    物質からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の
    電界放出表示素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記面電子放出ペーストは，カーボンナ
    ノチューブを含む物質からなることを特徴とする請求項
    １又は２に記載の電界放出表示素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記レーザーアブレーション法に利用さ
    れるレーザーは，５６２〜１０６４ｎｍの波長帯を有す
    ることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記
    載の電界放出表示素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記レーザーアブレーション法に利用さ
    れるレーザーは，ＩＲレーザーからなることを特徴とす
    る請求項１から６のいずれか１項に記載の電界放出表示
    素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記導電ペーストは，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
    ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなることを特徴とする
    請求項１又は２に記載の電界放出表示素子の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記導電ペーストは，金属からなるこ
    とを特徴とする請求項１又は２に記載の電界放出表示素
    子の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記金属は，アルミニウムまたはクロ
    ムからなることを特徴とする請求項１０に記載の電界放
    出表示素子の製造方法。
JP2000218338A 1999-12-10 2000-07-19 電界放出表示素子の製造方法 Withdrawn JP2001176380A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990056716A KR20010055501A (ko) 1999-12-10 1999-12-10 전계 방출 표시 소자의 음극 형성 방법
KR1999P56716 1999-12-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001176380A true JP2001176380A (ja) 2001-06-29

Family

ID=19625018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000218338A Withdrawn JP2001176380A (ja) 1999-12-10 2000-07-19 電界放出表示素子の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6342276B1 (ja)
JP (1) JP2001176380A (ja)
KR (1) KR20010055501A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003037049A1 (en) * 2001-10-22 2003-05-01 Invint Limited Circuit formation by laser ablation of ink
JP2003258256A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Konica Corp 有機ｔｆｔ装置及びその製造方法
JP2005041835A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液
JP2005222952A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Samsung Sdi Co Ltd フィールドエミッタの製造方法
WO2006035565A1 (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Asahi Glass Company, Limited プラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法
US7828620B2 (en) 2003-01-09 2010-11-09 Sony Corporation Method of manufacturing tubular carbon molecule and tubular carbon molecule, method of manufacturing field electron emission device and field electron emission device, and method of manufacturing display unit and display unit

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7566478B2 (en) * 2001-07-25 2009-07-28 Nantero, Inc. Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6919592B2 (en) 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US6835591B2 (en) * 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US7563711B1 (en) * 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
US6924538B2 (en) * 2001-07-25 2005-08-02 Nantero, Inc. Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US7259410B2 (en) * 2001-07-25 2007-08-21 Nantero, Inc. Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US7335395B2 (en) * 2002-04-23 2008-02-26 Nantero, Inc. Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US7858185B2 (en) * 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
US9574290B2 (en) 2003-01-13 2017-02-21 Nantero Inc. Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films
AU2003205098A1 (en) * 2003-01-13 2004-08-13 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US7560136B2 (en) * 2003-01-13 2009-07-14 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US8937575B2 (en) 2009-07-31 2015-01-20 Nantero Inc. Microstrip antenna elements and arrays comprising a shaped nanotube fabric layer and integrated two terminal nanotube select devices
US6762073B1 (en) * 2003-02-24 2004-07-13 Donald P. Cullen Method of fabricating electronic interconnect devices using direct imaging of dielectric composite material
CA2526946A1 (en) * 2003-05-14 2005-04-07 Nantero, Inc. Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element
JP4379002B2 (ja) * 2003-05-30 2009-12-09 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブデバイスの製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体
US7416993B2 (en) * 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7375369B2 (en) * 2003-09-08 2008-05-20 Nantero, Inc. Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films
US7709880B2 (en) * 2004-06-09 2010-05-04 Nantero, Inc. Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element
WO2006121461A2 (en) * 2004-09-16 2006-11-16 Nantero, Inc. Light emitters using nanotubes and methods of making same
EP1792320A4 (en) * 2004-09-21 2010-08-04 Nantero Inc RESISTIVE ELEMENTS USING CARBON NANOTUBES
US7567414B2 (en) * 2004-11-02 2009-07-28 Nantero, Inc. Nanotube ESD protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
US20100147657A1 (en) * 2004-11-02 2010-06-17 Nantero, Inc. Nanotube esd protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
KR100701093B1 (ko) * 2004-12-01 2007-03-28 나노퍼시픽(주) 탄소 나노튜브의 배향 장치, 탄소 나노튜브의 배향 방법 및전계방출 표시장치의 제조 방법
EP1825038B1 (en) * 2004-12-16 2012-09-12 Nantero, Inc. Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof
US8941094B2 (en) 2010-09-02 2015-01-27 Nantero Inc. Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer
US9287356B2 (en) * 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8513768B2 (en) * 2005-05-09 2013-08-20 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7782650B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8183665B2 (en) * 2005-11-15 2012-05-22 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9911743B2 (en) 2005-05-09 2018-03-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7835170B2 (en) 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
US8013363B2 (en) * 2005-05-09 2011-09-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7781862B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same
US7479654B2 (en) * 2005-05-09 2009-01-20 Nantero, Inc. Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
US9196615B2 (en) * 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8217490B2 (en) * 2005-05-09 2012-07-10 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7598127B2 (en) 2005-05-12 2009-10-06 Nantero, Inc. Nanotube fuse structure
TWI264271B (en) * 2005-05-13 2006-10-11 Delta Electronics Inc Heat sink
US7915122B2 (en) * 2005-06-08 2011-03-29 Nantero, Inc. Self-aligned cell integration scheme
US7538040B2 (en) * 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers
CA2621397A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications
WO2008054364A2 (en) 2005-09-06 2008-05-08 Nantero, Inc. Carbon nanotubes for the selective transfer of heat from electronics
WO2007030484A2 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Nanotube fabric-based sensor systems and methods of making same
US8562937B2 (en) * 2005-12-19 2013-10-22 Nantero Inc. Production of carbon nanotubes
KR100787630B1 (ko) * 2006-05-24 2007-12-21 경희대학교 산학협력단 표시 소자 및 그 제조 방법
WO2008127780A2 (en) * 2007-02-21 2008-10-23 Nantero, Inc. Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
US8110883B2 (en) 2007-03-12 2012-02-07 Nantero Inc. Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same
TWI461350B (zh) * 2007-05-22 2014-11-21 Nantero Inc 使用奈米結構物之三極管及其製造方法
EP2062515B1 (en) * 2007-11-20 2012-08-29 So, Kwok Kuen Bowl and basket assembly and salad spinner incorporating such an assembly
WO2009155359A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Nantero, Inc. Nram arrays with nanotube blocks, nanotube traces, and nanotube planes and methods of making same
US7915637B2 (en) 2008-11-19 2011-03-29 Nantero, Inc. Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same
US8128993B2 (en) * 2009-07-31 2012-03-06 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US8574673B2 (en) 2009-07-31 2013-11-05 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US20110034008A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Nantero, Inc. Method for forming a textured surface on a semiconductor substrate using a nanofabric layer
US8351239B2 (en) * 2009-10-23 2013-01-08 Nantero Inc. Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array
US8551806B2 (en) * 2009-10-23 2013-10-08 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US8895950B2 (en) 2009-10-23 2014-11-25 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
DE102009060441B4 (de) * 2009-12-22 2014-11-20 Amg Intellifast Gmbh Sensorelement
US8222704B2 (en) * 2009-12-31 2012-07-17 Nantero, Inc. Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same
JP5896922B2 (ja) 2010-02-12 2016-03-30 ナンテロ，インク． ナノチューブファブリック層又はフィルム内の密度、多孔率及び／又は間隙サイズを制御するための方法
US20110203632A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Rahul Sen Photovoltaic devices using semiconducting nanotube layers
EP2552826A4 (en) 2010-03-30 2013-11-13 Nantero Inc METHOD FOR ARRANGING NANOSCOPIC ELEMENTS IN NETWORKS, FIBERS AND FILMS
US10661304B2 (en) 2010-03-30 2020-05-26 Nantero, Inc. Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics
KR102007129B1 (ko) * 2012-07-20 2019-08-02 도요보 가부시키가이샤 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 도전성 박막 및 도전성 적층체
US9650732B2 (en) 2013-05-01 2017-05-16 Nantero Inc. Low defect nanotube application solutions and fabrics and methods for making same
US10654718B2 (en) 2013-09-20 2020-05-19 Nantero, Inc. Scalable nanotube fabrics and methods for making same
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
US9934848B2 (en) 2016-06-07 2018-04-03 Nantero, Inc. Methods for determining the resistive states of resistive change elements
US9941001B2 (en) 2016-06-07 2018-04-10 Nantero, Inc. Circuits for determining the resistive states of resistive change elements

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003037049A1 (en) * 2001-10-22 2003-05-01 Invint Limited Circuit formation by laser ablation of ink
JP2003258256A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Konica Corp 有機ｔｆｔ装置及びその製造方法
US7828620B2 (en) 2003-01-09 2010-11-09 Sony Corporation Method of manufacturing tubular carbon molecule and tubular carbon molecule, method of manufacturing field electron emission device and field electron emission device, and method of manufacturing display unit and display unit
US7892063B2 (en) 2003-01-09 2011-02-22 Sony Corporation Method of manufacturing tubular carbon molecule and tubular carbon molecule, method of manufacturing recording apparatus and recording apparatus, method of manufacturing field electron emission device and field electron emission device, and method of manufacturing display unit and display unit
JP2005041835A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液
JP2005222952A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Samsung Sdi Co Ltd フィールドエミッタの製造方法
WO2006035565A1 (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Asahi Glass Company, Limited プラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法
JPWO2006035565A1 (ja) * 2004-09-27 2008-05-15 旭硝子株式会社 プラズマディスプレイ基板用、電極および／またはブラックストライプの製造方法
US7772778B2 (en) 2004-09-27 2010-08-10 Asahi Glass Company, Limited Method for forming electrodes and/or black stripes for plasma display substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010055501A (ko) 2001-07-04
US6342276B1 (en) 2002-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001176380A (ja) 電界放出表示素子の製造方法
JP5209911B2 (ja) 電子電界エミッタ製造用ペースト及びその使用
US7365482B2 (en) Field emission display including electron emission source formed in multi-layer structure
JP2005340200A (ja) 電界放出表示装置及びその製造方法
JP2003178703A (ja) 平面ディスプレイ及びその製造方法
JP2005340220A (ja) 電界放出表示装置及びその製造方法
JP2006286611A (ja) 電子放出素子，および電子放出素子の製造方法
JP4047487B2 (ja) 電子放出源の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器
JP2005166643A (ja) 電子放出素子及びその製造方法
JP2005116500A (ja) 電界放出表示装置及びその製造方法
KR20030092730A (ko) 평판 표시장치
US7352123B2 (en) Field emission display with double layered cathode and method of manufacturing the same
JP3760878B2 (ja) 陰極の製造方法
JP4649739B2 (ja) 冷陰極電界電子放出素子の製造方法
JP2000182508A (ja) 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法
KR100786833B1 (ko) 전계방출 디스플레이장치 및 이의 제조방법과 전계방출디스플레이장치의 노말 게이트 구조 형성방법
JP3872750B2 (ja) 平面ディスプレイおよび駆動回路
JP4543604B2 (ja) 電子放出領域の製造方法
JP4622145B2 (ja) 電子放出装置の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
KR20010075970A (ko) 전계 방출 표시 소자 및 그의 제조 방법
JP2002056770A (ja) 電界放出カソード及びその製造方法
KR100560532B1 (ko) 전계 방출 표시소자 및 그의 제조 방법
JP3828397B2 (ja) 電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
JP2006012578A (ja) 表示装置の製造方法
KR20070056614A (ko) 전자 방출 디바이스의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20071002