JP2001170788A - レーザー加工方法およびその装置 - Google Patents
レーザー加工方法およびその装置Info
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- JP2001170788A JP2001170788A JP35238499A JP35238499A JP2001170788A JP 2001170788 A JP2001170788 A JP 2001170788A JP 35238499 A JP35238499 A JP 35238499A JP 35238499 A JP35238499 A JP 35238499A JP 2001170788 A JP2001170788 A JP 2001170788A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長の異なる２種類のレーザービームを発振
するために２種類のレーザー光源を用意する必要があ
り、そのための設備投資に要する費用が嵩む上、そのた
めの設置スペースも確保する必要があり、設備のコンパ
クト化が困難である。 【解決手段】 単一のレーザービームＬを発振するレー
ザー光源１１と、このレーザー光源１１から発振したレ
ーザービームＬを２つのレーザービームＬ1,Ｌ2に分け
るビームスプリッタ１２と、一方のレーザービームＬ1
をそのままワークＷの加工面に向けて集光させる第１の
集光光学系１４と、他方のレーザービームＬ2を波長変
換する非線形光学系１８と、この非線形光学系１８によ
って波長変換されたレーザービームＬ2をワークＷの加
工面に向けて集光させる第２の集光光学系２０とを具え
る。
するために２種類のレーザー光源を用意する必要があ
り、そのための設備投資に要する費用が嵩む上、そのた
めの設置スペースも確保する必要があり、設備のコンパ
クト化が困難である。 【解決手段】 単一のレーザービームＬを発振するレー
ザー光源１１と、このレーザー光源１１から発振したレ
ーザービームＬを２つのレーザービームＬ1,Ｌ2に分け
るビームスプリッタ１２と、一方のレーザービームＬ1
をそのままワークＷの加工面に向けて集光させる第１の
集光光学系１４と、他方のレーザービームＬ2を波長変
換する非線形光学系１８と、この非線形光学系１８によ
って波長変換されたレーザービームＬ2をワークＷの加
工面に向けて集光させる第２の集光光学系２０とを具え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービームを
ワークに照射して切断や穴あけなどの除去加工を行うた
めのレーザー加工方法およびこのレーザー加工方法を実
現し得るレーザー加工装置に関する。
ワークに照射して切断や穴あけなどの除去加工を行うた
めのレーザー加工方法およびこのレーザー加工方法を実
現し得るレーザー加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー加工は、あらゆる固体に対する
除去加工をほとんど瞬時に行うことが可能であり、特に
難削材や複合材料の切断あるいは微小な穴あけ加工など
に有効である。このようなレーザー加工に用いられるレ
ーザー光源としては、波長が１０.６μmのＣＯ2レーザ
ー発振器や波長が１.０６μmのＹＡＧレーザー発振器な
どが知られており、これらは連続出力のものおよびパル
ス出力のもの両方がある。
除去加工をほとんど瞬時に行うことが可能であり、特に
難削材や複合材料の切断あるいは微小な穴あけ加工など
に有効である。このようなレーザー加工に用いられるレ
ーザー光源としては、波長が１０.６μmのＣＯ2レーザ
ー発振器や波長が１.０６μmのＹＡＧレーザー発振器な
どが知られており、これらは連続出力のものおよびパル
ス出力のもの両方がある。
【０００３】このようなレーザー加工において、加工効
率の向上や加工面の品質向上などを企図して波長が異な
る２種類のレーザービームを用いて加工を行うことが試
みられており、例えば特開昭６２−２８９３９０号公報
に開示されているように、金属加工においてはワークで
ある金属に対して反射率の低い低出力の短波長レーザー
ビームでワークの表面をまず溶融させ、次に大出力の長
波長レーザービームで所定形状にワークを加工したり、
あるいは大出力の長波長レーザービームでワークを加工
した後、短波長レーザービームを照射して仕上げ加工を
行っている。
率の向上や加工面の品質向上などを企図して波長が異な
る２種類のレーザービームを用いて加工を行うことが試
みられており、例えば特開昭６２−２８９３９０号公報
に開示されているように、金属加工においてはワークで
ある金属に対して反射率の低い低出力の短波長レーザー
ビームでワークの表面をまず溶融させ、次に大出力の長
波長レーザービームで所定形状にワークを加工したり、
あるいは大出力の長波長レーザービームでワークを加工
した後、短波長レーザービームを照射して仕上げ加工を
行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特開昭６２−２８９３
９０号公報に開示された従来のレーザー加工方法では、
加工効率の向上や加工面の品質向上などを企図して波長
の異なる２種類のレーザービームを使用する場合、これ
に対応して２種類、例えば長波長レーザービームを発振
するＣＯ2レーザー発振器やＹＡＧレーザー発振器と、
短波長レーザービームを発振する紫外線レーザー発振器
とを用いる必要があり、そのための設備投資に要する費
用が嵩む上、そのための設置スペースも確保する必要が
あり、設備のコンパクト化が困難である。
９０号公報に開示された従来のレーザー加工方法では、
加工効率の向上や加工面の品質向上などを企図して波長
の異なる２種類のレーザービームを使用する場合、これ
に対応して２種類、例えば長波長レーザービームを発振
するＣＯ2レーザー発振器やＹＡＧレーザー発振器と、
短波長レーザービームを発振する紫外線レーザー発振器
とを用いる必要があり、そのための設備投資に要する費
用が嵩む上、そのための設置スペースも確保する必要が
あり、設備のコンパクト化が困難である。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、単一のレーザー光源か
ら波長の異なる２種類のレーザービームを用いてレーザ
ー加工を行い得る方法およびこの方法を実現し得るレー
ザー加工装置を提供することにある。
ら波長の異なる２種類のレーザービームを用いてレーザ
ー加工を行い得る方法およびこの方法を実現し得るレー
ザー加工装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の形態は、
単一のレーザービームを２つに分けるステップと、一方
のレーザービームをそのままワークの加工領域に集光す
るステップと、他方のレーザービームを波長変換して前
記ワークの加工領域に集光するステップとを具えたこと
を特徴とするレーザー加工方法にある。
単一のレーザービームを２つに分けるステップと、一方
のレーザービームをそのままワークの加工領域に集光す
るステップと、他方のレーザービームを波長変換して前
記ワークの加工領域に集光するステップとを具えたこと
を特徴とするレーザー加工方法にある。
【０００７】本発明によると、２つに分けられたうちの
一方のレーザービームをそのままワークの加工領域に集
光して所定の加工を行い、さらに他方のレーザービーム
を波長変換してワークの加工領域に集光し、所定の加工
を行う。
一方のレーザービームをそのままワークの加工領域に集
光して所定の加工を行い、さらに他方のレーザービーム
を波長変換してワークの加工領域に集光し、所定の加工
を行う。
【０００８】本発明の第２の形態は、単一のレーザービ
ームを発振するレーザー光源と、このレーザー光源から
発振したレーザービームを２つのレーザービームに分け
るビームスプリッタと、一方のレーザービームをそのま
まワークの加工面に向けて集光させる第１の集光光学系
と、他方のレーザービームを波長変換する非線形光学系
と、この非線形光学系によって波長変換されたレーザー
ビームを前記ワークの加工面に向けて集光させる第２の
集光光学系とを具えたことを特徴とするレーザー加工装
置にある。
ームを発振するレーザー光源と、このレーザー光源から
発振したレーザービームを２つのレーザービームに分け
るビームスプリッタと、一方のレーザービームをそのま
まワークの加工面に向けて集光させる第１の集光光学系
と、他方のレーザービームを波長変換する非線形光学系
と、この非線形光学系によって波長変換されたレーザー
ビームを前記ワークの加工面に向けて集光させる第２の
集光光学系とを具えたことを特徴とするレーザー加工装
置にある。
【０００９】本発明によると、レーザー光源から発振さ
れた単一のレーザービームは、ビームスプリッタによっ
て２つのに分けられ、一方のレーザービームを第１の集
光光学系によってワークの加工面に集光して所定の加工
を行う一方、他方のレーザービームを非線形光学系を通
して波長変換し、これを第２の集光光学系によってワー
クの加工面に集光し、所定の加工を行う。
れた単一のレーザービームは、ビームスプリッタによっ
て２つのに分けられ、一方のレーザービームを第１の集
光光学系によってワークの加工面に集光して所定の加工
を行う一方、他方のレーザービームを非線形光学系を通
して波長変換し、これを第２の集光光学系によってワー
クの加工面に集光し、所定の加工を行う。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の第１の形態によるレーザ
ー加工方法において、他方のレーザービームは、一方の
レーザービームの高次高調波であってもよく、この場
合、一方のレーザービームによってワークを加工した
後、他方のレーザービームによってワークを加工するこ
とが好ましい。
ー加工方法において、他方のレーザービームは、一方の
レーザービームの高次高調波であってもよく、この場
合、一方のレーザービームによってワークを加工した
後、他方のレーザービームによってワークを加工するこ
とが好ましい。
【００１１】また、単一のレーザービームは、赤外領域
のレーザービームであってもよく、この場合、波長変換
された他方のレーザービームは、可視領域または紫外領
域のレーザービームであってよい。
のレーザービームであってもよく、この場合、波長変換
された他方のレーザービームは、可視領域または紫外領
域のレーザービームであってよい。
【００１２】本発明の第２の形態によるレーザー加工装
置において、レーザー光源が赤外領域のレーザービーム
を発振するものであってもよく、この場合、非線形光学
系は、赤外領域のレーザービームを可視領域または紫外
領域のレーザービームに変換するものであることが好ま
しい。
置において、レーザー光源が赤外領域のレーザービーム
を発振するものであってもよく、この場合、非線形光学
系は、赤外領域のレーザービームを可視領域または紫外
領域のレーザービームに変換するものであることが好ま
しい。
【００１３】
【実施例】本発明によるレーザー加工方法を実現し得る
本発明によるレーザー加工装置の一実施例について、図
１〜図３を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこ
のような実施例に限らず、この明細書の特許請求の範囲
に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技術に
も応用することができる。
本発明によるレーザー加工装置の一実施例について、図
１〜図３を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこ
のような実施例に限らず、この明細書の特許請求の範囲
に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技術に
も応用することができる。
【００１４】本実施例におけるレーザー加工装置の概念
を表す図１に示すように、本実施例におけるレーザー光
源１１は、ここから発振されるレーザービームＬが１.
０６４μｍの赤外領域の波長を持つ４０ワットの出力の
ＹＡＧレーザー発振器であり、図示しないコリメート光
学系により所定の径の平行光束に変換されている。この
レーザービームＬの光路の途中には、中央部が全反射面
となったビームスプリッタ１２が光路に対して４５度傾
斜して設けられ、このビームスプリッタ１２はレーザー
光源１１から出射したレーザービームＬの中央部分のみ
全反射し、残りはそのまま透過するようになっている。
を表す図１に示すように、本実施例におけるレーザー光
源１１は、ここから発振されるレーザービームＬが１.
０６４μｍの赤外領域の波長を持つ４０ワットの出力の
ＹＡＧレーザー発振器であり、図示しないコリメート光
学系により所定の径の平行光束に変換されている。この
レーザービームＬの光路の途中には、中央部が全反射面
となったビームスプリッタ１２が光路に対して４５度傾
斜して設けられ、このビームスプリッタ１２はレーザー
光源１１から出射したレーザービームＬの中央部分のみ
全反射し、残りはそのまま透過するようになっている。
【００１５】ビームスプリッタ１２の後方には、このビ
ームスプリッタ１２を透過したリング状断面のレーザー
ビームＬ1を全反射する全反射鏡１３がその光路に対し
て４５度傾斜して設けられており、さらに全反射鏡１３
の先には、リング状断面のレーザービームＬ1の光路を
開閉するためのシャッタ１４と、このシャッタを通過し
たリング状断面のレーザービームＬ1をワークであるプ
リント回路板Ｗに集光してそこにスルーホールＨ（図２
参照）を形成させるためのリング状の集光レンズ１５と
が配置されている。
ームスプリッタ１２を透過したリング状断面のレーザー
ビームＬ1を全反射する全反射鏡１３がその光路に対し
て４５度傾斜して設けられており、さらに全反射鏡１３
の先には、リング状断面のレーザービームＬ1の光路を
開閉するためのシャッタ１４と、このシャッタを通過し
たリング状断面のレーザービームＬ1をワークであるプ
リント回路板Ｗに集光してそこにスルーホールＨ（図２
参照）を形成させるためのリング状の集光レンズ１５と
が配置されている。
【００１６】本実施例におけるプリント回路板Ｗは、６
０μmの膜厚の絶縁層ＷBの両面に１８μmの膜厚の銅箔
ＷCをコーティングしたフレキシブルプリント回路板で
あり、集光レンズ１５の光軸に対して垂直な面内を移動
可能な図示しないＸ−Ｙステージに保持され、所定個所
にスルーホールＨが形成される。
０μmの膜厚の絶縁層ＷBの両面に１８μmの膜厚の銅箔
ＷCをコーティングしたフレキシブルプリント回路板で
あり、集光レンズ１５の光軸に対して垂直な面内を移動
可能な図示しないＸ−Ｙステージに保持され、所定個所
にスルーホールＨが形成される。
【００１７】前記ビームスプリッタ１２によって全反射
した円形断面のレーザービームＬ2の光路の途中には、
この光路に対して４５度傾斜した全反射鏡１６が配置さ
れ、さらにこの全反射鏡１６の先には、当該全反射鏡１
６と平行な反射面を有する全反射鏡１７が集光レンズ１
５の光軸上に配置されている。この全反射鏡１７は、前
記シャッタ１４と集光レンズ１５との間のリング状断面
のレーザービームＬ1の光路に対して４５度傾斜した状
態となっており、リング状断面のレーザービームＬ1を
遮らないような寸法に設定されている。前記ビームスプ
リッタ１２と全反射鏡１６との間の円形断面のレーザー
ビームＬ2の光路の途中には、これを例えば３次高調波
である紫外領域の３５５μｍの波長に変換する非線形光
学系１８が介装されている。本実施例における非線形光
学系１８は、ＫＤＰ（リン酸二水素カリウム）を用いて
おり、レーザー光に対する高調波発生素子として周知の
ものであり、他の周知のものを採用することも当然可能
である。また、２つの全反射鏡１６,１７の間の円形断
面のレーザービームＬ2の光路の途中には、円形断面の
レーザービームＬ2の光路を開閉するためのシャッタ１
９が介装され、さらに全反射鏡１７の先にはこの全反射
鏡１７で全反射した円形断面のレーザービームＬ2をプ
リント回路板Ｗに集光し、リング状断面のレーザービー
ムＬ1によって形成されたスルーホールＨの仕上げ加工
を図３に示すように行うための集光レンズ２０が配置さ
れている。
した円形断面のレーザービームＬ2の光路の途中には、
この光路に対して４５度傾斜した全反射鏡１６が配置さ
れ、さらにこの全反射鏡１６の先には、当該全反射鏡１
６と平行な反射面を有する全反射鏡１７が集光レンズ１
５の光軸上に配置されている。この全反射鏡１７は、前
記シャッタ１４と集光レンズ１５との間のリング状断面
のレーザービームＬ1の光路に対して４５度傾斜した状
態となっており、リング状断面のレーザービームＬ1を
遮らないような寸法に設定されている。前記ビームスプ
リッタ１２と全反射鏡１６との間の円形断面のレーザー
ビームＬ2の光路の途中には、これを例えば３次高調波
である紫外領域の３５５μｍの波長に変換する非線形光
学系１８が介装されている。本実施例における非線形光
学系１８は、ＫＤＰ（リン酸二水素カリウム）を用いて
おり、レーザー光に対する高調波発生素子として周知の
ものであり、他の周知のものを採用することも当然可能
である。また、２つの全反射鏡１６,１７の間の円形断
面のレーザービームＬ2の光路の途中には、円形断面の
レーザービームＬ2の光路を開閉するためのシャッタ１
９が介装され、さらに全反射鏡１７の先にはこの全反射
鏡１７で全反射した円形断面のレーザービームＬ2をプ
リント回路板Ｗに集光し、リング状断面のレーザービー
ムＬ1によって形成されたスルーホールＨの仕上げ加工
を図３に示すように行うための集光レンズ２０が配置さ
れている。
【００１８】実際の作業に際しては、プリント回路板Ｗ
を位置決めし、シャッタ１４を開くと共にシャッタ１９
を閉じ、リング状断面のレーザービームＬ1をプリント
回路板Ｗの所定位置に例えば３０ショットパルス照射し
て図２に示すようなスルーホールＨを穿設する。次いで
シャッタ１４,１９の開閉状態を切り換え、円形断面の
レーザービームＬ2を用いて先の加工位置と同じ位置に
例えば３１ショットパルス照射し、図３に示すようにス
ルーホールＨの内壁の凹凸や炭化物を除去して仕上げ加
工を行い、内径が１００μmのスルーホールＨを形成し
た。
を位置決めし、シャッタ１４を開くと共にシャッタ１９
を閉じ、リング状断面のレーザービームＬ1をプリント
回路板Ｗの所定位置に例えば３０ショットパルス照射し
て図２に示すようなスルーホールＨを穿設する。次いで
シャッタ１４,１９の開閉状態を切り換え、円形断面の
レーザービームＬ2を用いて先の加工位置と同じ位置に
例えば３１ショットパルス照射し、図３に示すようにス
ルーホールＨの内壁の凹凸や炭化物を除去して仕上げ加
工を行い、内径が１００μmのスルーホールＨを形成し
た。
【００１９】このように、実施例では円形断面のレーザ
ービームＬ2でスルーホールＨの内壁の仕上げ加工を行
うようにしたが、リング状断面のレーザービームＬ1の
光路の途中に非線形光学系１８を配置し、円形断面のレ
ーザービームＬ2によってプリント回路板Ｗの所定位置
にスルーホールＨを形成し、これに続いてリング状断面
のレーザービームＬ1によりスルーホールＨの仕上げ加
工を行うようにしてもよい。また、ワークやワークに対
する加工の形態によっては２つのレーザービームＬ1,Ｌ
2を同時にワークに照射することも可能である。
ービームＬ2でスルーホールＨの内壁の仕上げ加工を行
うようにしたが、リング状断面のレーザービームＬ1の
光路の途中に非線形光学系１８を配置し、円形断面のレ
ーザービームＬ2によってプリント回路板Ｗの所定位置
にスルーホールＨを形成し、これに続いてリング状断面
のレーザービームＬ1によりスルーホールＨの仕上げ加
工を行うようにしてもよい。また、ワークやワークに対
する加工の形態によっては２つのレーザービームＬ1,Ｌ
2を同時にワークに照射することも可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によると、単一のレーザービーム
を２つに分け、一方のレーザービームをそのままワーク
の加工領域に集光して第１の加工を行い、他方のレーザ
ービームを波長変換してワークの加工領域に集光して第
２の加工を行うようにしたので、高価なレーザー発振器
を２種類用意する必要がなくなり、設備コストや設置ス
ペースを削減することが可能となり、装置のコンパクト
化を企図することができる。
を２つに分け、一方のレーザービームをそのままワーク
の加工領域に集光して第１の加工を行い、他方のレーザ
ービームを波長変換してワークの加工領域に集光して第
２の加工を行うようにしたので、高価なレーザー発振器
を２種類用意する必要がなくなり、設備コストや設置ス
ペースを削減することが可能となり、装置のコンパクト
化を企図することができる。
【図１】本発明によるレーザー加工装置の一実施例の概
略構造を表す概念図である。
略構造を表す概念図である。
【図２】両面銅張り板のプリント基板をＹＡＧレーザの
基本波でプリント基板に穴明け加工した時の加工図であ
る。
基本波でプリント基板に穴明け加工した時の加工図であ
る。
【図３】ＹＡＧレーザの基本波でプリント基板に穴明け
加工後、ＹＡＧレーザの第３高調波で加工した時の加工
図である。
加工後、ＹＡＧレーザの第３高調波で加工した時の加工
図である。
１１ レーザー光源 １２ ビームスプリッタ １３ 全反射鏡 １４ シャッタ １５ 集光レンズ １６,１７ 全反射鏡 １８ 非線形光学系 １９ シャッタ ２０ 集光レンズ Ｌ レーザービーム Ｌ1 リング状断面のレーザービーム Ｌ2 円形断面のレーザービーム Ｈ スルーホール Ｗ プリント回路板 ＷB 絶縁層 ＷC 銅箔
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｆターム(参考） 2K002 AA04 AB12 CA04 HA20 4E068 CA04 CD03 CD05 CD10 5F072 AB01 KK12 MM07 MM08 MM09 QQ02 RR01 RR05 YY06
Claims (8)
- 【請求項１】 単一のレーザービームを２つに分けるス
テップと、 一方のレーザービームをそのままワークの加工領域に集
光するステップと、 他方のレーザービームを波長変換して前記ワークの加工
領域に集光するステップとを具えたことを特徴とするレ
ーザー加工方法。 - 【請求項２】 他方のレーザービームは、一方のレーザ
ービームの高次高調波であることを特徴とする請求項１
に記載のレーザー加工方法。 - 【請求項３】 一方のレーザービームによってワークを
加工した後、他方のレーザービームによってワークを加
工することを特徴とする請求項２に記載のレーザー加工
方法。 - 【請求項４】 前記単一のレーザービームは、赤外領域
のレーザービームであることを特徴とする請求項２また
は請求項３に記載のレーザー加工方法。 - 【請求項５】 波長変換された前記他方のレーザービー
ムは、可視領域または紫外領域のレーザービームである
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザー加工方法。 - 【請求項６】 単一のレーザービームを発振するレーザ
ー光源と、 このレーザー光源から発振したレーザービームを２つの
レーザービームに分けるビームスプリッタと、 一方のレーザービームをそのままワークの加工面に向け
て集光させる第１の集光光学系と、 他方のレーザービームを波長変換する非線形光学系と、 この非線形光学系によって波長変換されたレーザービー
ムを前記ワークの加工面に向けて集光させる第２の集光
光学系とを具えたことを特徴とするレーザー加工装置。 - 【請求項７】 前記レーザー光源は、赤外領域のレーザ
ービームを発振することを特徴とする請求項６に記載の
レーザー加工装置。 - 【請求項８】 前記非線形光学系は、赤外領域のレーザ
ービームを可視領域または紫外領域のレーザービームに
変換することを特徴とする請求項７に記載のレーザー加
工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35238499A JP2001170788A (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | レーザー加工方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35238499A JP2001170788A (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | レーザー加工方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001170788A true JP2001170788A (ja) | 2001-06-26 |
Family
ID=18423714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35238499A Pending JP2001170788A (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | レーザー加工方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001170788A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10201476A1 (de) * | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Siemens Ag | Laserbearbeitungsvorrichtung |
| US7245412B2 (en) | 2001-02-16 | 2007-07-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | On-the-fly laser beam path error correction for specimen target location processing |
| US7289549B2 (en) | 2004-12-09 | 2007-10-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Lasers for synchronized pulse shape tailoring |
| US7425471B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| US7435927B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
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