JP2001168529A - 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法Info
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スルーホールの配設密度を高め得ると共に、
厚みを薄くできる多層プリント配線板及び該多層プリン
ト配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 コア基板３０に形成されたスルーホール
３６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６
と、第２電解めっき層２８とからなる。スルーホール３
６をめっき充填により形成するため、コア基板３０の強
度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基
板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高め
ることが可能となる。
厚みを薄くできる多層プリント配線板及び該多層プリン
ト配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 コア基板３０に形成されたスルーホール
３６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６
と、第２電解めっき層２８とからなる。スルーホール３
６をめっき充填により形成するため、コア基板３０の強
度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基
板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高め
ることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を
載置するパッケージ基板に用い得る多層プリント配線板
に関し、特にコア基板に層間樹脂絶縁層をビルドアップ
してなる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の
製造方法に関するのもである。
載置するパッケージ基板に用い得る多層プリント配線板
に関し、特にコア基板に層間樹脂絶縁層をビルドアップ
してなる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の
製造方法に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示される方
法にて製造されている。すなわち、スルーホールを形成
したコア基板の上に層間樹脂絶縁層を積層し、該層間樹
脂絶縁層の上に回路パターンを形成する。これを繰り返
すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得ら
れる。
は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示される方
法にて製造されている。すなわち、スルーホールを形成
したコア基板の上に層間樹脂絶縁層を積層し、該層間樹
脂絶縁層の上に回路パターンを形成する。これを繰り返
すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得ら
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在、コア基板にスル
ーホールを形成する際に、ドリルにより通孔を穿設して
いる。このため、通孔の径として、３００μｍが最小限
界であり、スルーホールの密度をドリル径で決定される
値以上高めることができなかった。このため、コア基板
にレーザにより通孔を穿設する方法が検討されている
が、コア基板は１mm程度の厚みがあるため、微細な通孔
を形成することは難しかった。
ーホールを形成する際に、ドリルにより通孔を穿設して
いる。このため、通孔の径として、３００μｍが最小限
界であり、スルーホールの密度をドリル径で決定される
値以上高めることができなかった。このため、コア基板
にレーザにより通孔を穿設する方法が検討されている
が、コア基板は１mm程度の厚みがあるため、微細な通孔
を形成することは難しかった。
【０００４】一方、パッケージ基板として用いられる多
層プリント配線板では、ＩＣチップに発生する熱を効率
良く発散させれる必要がある。ここで、多層プリント配
線板は、１mm程度の積層樹脂板からなるコア基板に、数
１０μｍの層間樹脂絶縁層及び配線層を積層してなる。
このため、多層プリント配線板の厚みとしては、コア基
板が大半を占めることになる。即ち、コア基板が、多層
プリント配線板の厚みを厚くし、熱伝導性を下げさせる
原因となっていた。
層プリント配線板では、ＩＣチップに発生する熱を効率
良く発散させれる必要がある。ここで、多層プリント配
線板は、１mm程度の積層樹脂板からなるコア基板に、数
１０μｍの層間樹脂絶縁層及び配線層を積層してなる。
このため、多層プリント配線板の厚みとしては、コア基
板が大半を占めることになる。即ち、コア基板が、多層
プリント配線板の厚みを厚くし、熱伝導性を下げさせる
原因となっていた。
【０００５】本発明は上述した課題を解決するためなさ
れたものであり、その目的とするところは、スルーホー
ルの配設密度を高め得ると共に、厚みを薄くできる多層
プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を
提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、スルーホー
ルの配設密度を高め得ると共に、厚みを薄くできる多層
プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、請求項１は、スルーホールを設けたコア基板に層
間樹脂絶縁層をビルドアップしてなる多層プリント配線
板において、前記コア基板のスルーホールが、電解めっ
きによる第１金属層と、無電解めっき、スパッタ又は蒸
着による金属膜と、電解めっきによる第２金属層とを充
填してなることを技術的特徴とする。
ため、請求項１は、スルーホールを設けたコア基板に層
間樹脂絶縁層をビルドアップしてなる多層プリント配線
板において、前記コア基板のスルーホールが、電解めっ
きによる第１金属層と、無電解めっき、スパッタ又は蒸
着による金属膜と、電解めっきによる第２金属層とを充
填してなることを技術的特徴とする。
【０００７】請求項１では、スルーホールをめっき充填
により形成するため、スルーホールの上に接続用のバイ
アホールが形成でき、バイアホールの配線密度を高める
ことができる。また、スルーホールを、電解めっきと、
無電解めっきと、電解めっきとを充填するため、スルー
ホール内の充填不足がなくなる。
により形成するため、スルーホールの上に接続用のバイ
アホールが形成でき、バイアホールの配線密度を高める
ことができる。また、スルーホールを、電解めっきと、
無電解めっきと、電解めっきとを充填するため、スルー
ホール内の充填不足がなくなる。
【０００８】請求項２の発明は、少なくとも以下の
（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを特徴とする多層プ
リント配線板の製造方法にある： （Ａ）一方の面に金属層の形成された樹脂絶縁層に、レ
ーザで前記金属層へ至る非貫通孔を形成する工程； （Ｂ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属層を介し
て電流を流し電解めっきにより第１金属層を充填する工
程； （Ｃ）前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形
成する工程： （Ｄ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属膜を介し
て電流を流し電解めっきにより第２金属層を充填する工
程； （Ｅ）前記樹脂絶縁層の金属層と金属膜とエッチングし
て、スルーホールのランドを形成する工程。
（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを特徴とする多層プ
リント配線板の製造方法にある： （Ａ）一方の面に金属層の形成された樹脂絶縁層に、レ
ーザで前記金属層へ至る非貫通孔を形成する工程； （Ｂ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属層を介し
て電流を流し電解めっきにより第１金属層を充填する工
程； （Ｃ）前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形
成する工程： （Ｄ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属膜を介し
て電流を流し電解めっきにより第２金属層を充填する工
程； （Ｅ）前記樹脂絶縁層の金属層と金属膜とエッチングし
て、スルーホールのランドを形成する工程。
【０００９】請求項２では、スルーホールをレーザによ
り形成するため、５０〜２５０μｍ径スルーホールが施
せるので、配線密度を向上させることができる。スルー
ホールをめっき充填により形成するため、コア基板の強
度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基
板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高め
ることが可能となる。スルーホールを電解めっきにより
充填するので、スルーホール内の充填不足がなくなる。
更に、スルーホールのランドとなる金属膜を形成してか
ら、スルーホール内に第２金属層を形成するため、ラン
ドが剥離することがなくなり、スルーホールの信頼性を
高めることができる。更に、接続信頼性が高いため、当
該ランドを薄く形成でき、上層の層間樹脂絶縁層の平滑
性を高めることが可能となり、層間樹脂絶縁層の剥離や
クラックの発生を防げる。
り形成するため、５０〜２５０μｍ径スルーホールが施
せるので、配線密度を向上させることができる。スルー
ホールをめっき充填により形成するため、コア基板の強
度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基
板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高め
ることが可能となる。スルーホールを電解めっきにより
充填するので、スルーホール内の充填不足がなくなる。
更に、スルーホールのランドとなる金属膜を形成してか
ら、スルーホール内に第２金属層を形成するため、ラン
ドが剥離することがなくなり、スルーホールの信頼性を
高めることができる。更に、接続信頼性が高いため、当
該ランドを薄く形成でき、上層の層間樹脂絶縁層の平滑
性を高めることが可能となり、層間樹脂絶縁層の剥離や
クラックの発生を防げる。
【００１０】請求項３では、請求項２において、前記樹
脂絶縁層に、無電解めっき、スパッタ又は蒸着により金
属層を形成する工程を更に有することを技術的特徴とす
る。
脂絶縁層に、無電解めっき、スパッタ又は蒸着により金
属層を形成する工程を更に有することを技術的特徴とす
る。
【００１１】請求項３では、無電解めっきで形成する
と、廉価に金属層を形成することができる。また、スパ
ッタで形成すると、高い密着性を有する金属層を薄く形
成できる。蒸着で形成すると金属層を薄く形成できる。
と、廉価に金属層を形成することができる。また、スパ
ッタで形成すると、高い密着性を有する金属層を薄く形
成できる。蒸着で形成すると金属層を薄く形成できる。
【００１２】請求項４では、請求項２又は３において、
前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形成する
工程において、無電解めっき、スパッタ又は蒸着を用い
ることを技術的特徴とする。
前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形成する
工程において、無電解めっき、スパッタ又は蒸着を用い
ることを技術的特徴とする。
【００１３】請求項４では、無電解めっきで形成する
と、廉価に金属膜を形成することができる。また、スパ
ッタで形成すると、高い密着性を有する金属膜を薄く形
成できる。蒸着で形成すると金属膜を薄く形成できる。
と、廉価に金属膜を形成することができる。また、スパ
ッタで形成すると、高い密着性を有する金属膜を薄く形
成できる。蒸着で形成すると金属膜を薄く形成できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】[第１実施形態]本発明の第１実施
形態に係る多層プリント配線板の構成について、断面図
を示す図７を参照して説明する。第１実施形態の多層プ
リント配線板は、コア基板３０の上面及び下面に導体回
路３４が形成され、該導体回路３４の上には層間樹脂絶
縁層５０、５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁
層５０には、バイアホール６０及び導体回路５８が配設
されている。上面側の下層層間樹脂絶縁層５０の上に
は、バイアホール１６０が形成された上層層間樹脂絶縁
層１５０が配置されている。上面側の上層層間樹脂絶縁
層１５０の上、及び、下面側の下層層間樹脂絶縁層５０
の表面には、ソルダーレジスト層７０が配設されてい
る。
形態に係る多層プリント配線板の構成について、断面図
を示す図７を参照して説明する。第１実施形態の多層プ
リント配線板は、コア基板３０の上面及び下面に導体回
路３４が形成され、該導体回路３４の上には層間樹脂絶
縁層５０、５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁
層５０には、バイアホール６０及び導体回路５８が配設
されている。上面側の下層層間樹脂絶縁層５０の上に
は、バイアホール１６０が形成された上層層間樹脂絶縁
層１５０が配置されている。上面側の上層層間樹脂絶縁
層１５０の上、及び、下面側の下層層間樹脂絶縁層５０
の表面には、ソルダーレジスト層７０が配設されてい
る。
【００１５】多層プリント配線板１０の上面には、ソル
ダーレジスト層７０の開口７１ＵにＩＣチップへの接続
用の半田バンプ７６Ｕが配設される。一方、パッケージ
基板の底面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄ
に、ドータボードへの接続用の半田バンプ７６Ｄが配設
されている。
ダーレジスト層７０の開口７１ＵにＩＣチップへの接続
用の半田バンプ７６Ｕが配設される。一方、パッケージ
基板の底面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄ
に、ドータボードへの接続用の半田バンプ７６Ｄが配設
されている。
【００１６】該半田バンプ７６Ｕは、層間樹脂絶縁層１
５０に形成されたバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁
層５０に形成されたバイアホール６０を介してスルーホ
ール３６へ接続されている。一方、該半田バンプ７６Ｄ
は、層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０
を介してスルーホール３６へ接続されている。
５０に形成されたバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁
層５０に形成されたバイアホール６０を介してスルーホ
ール３６へ接続されている。一方、該半田バンプ７６Ｄ
は、層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０
を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００１７】コア基板３０に形成されたスルーホール３
６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６
と、第２電解めっき層２８とからなる。スルーホール３
６をめっき充填により形成するため、コア基板３０の強
度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基
板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高め
ることが可能となる。また、スルーホール３６を第１電
解めっき層２４と、無電解めっき膜２６と、第２電解め
っき層２８とを充填して形成するため、スルーホール内
の充填不足がなくなる。
６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６
と、第２電解めっき層２８とからなる。スルーホール３
６をめっき充填により形成するため、コア基板３０の強
度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基
板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高め
ることが可能となる。また、スルーホール３６を第１電
解めっき層２４と、無電解めっき膜２６と、第２電解め
っき層２８とを充填して形成するため、スルーホール内
の充填不足がなくなる。
【００１８】後述するように第１実施形態の多層プリン
ト配線板は、スルーホール３６をレーザにより形成する
ため、微細径のスルーホール３６を狭ピッチで配設する
ことができ、高集積化を達成している。
ト配線板は、スルーホール３６をレーザにより形成する
ため、微細径のスルーホール３６を狭ピッチで配設する
ことができ、高集積化を達成している。
【００１９】以下、図７に示す多層プリント配線板１０
の製造方法について図を参照して説明する。
の製造方法について図を参照して説明する。
【００２０】(1)ガラスクロス、アライミドクロスにエ
ポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、
ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、ポリフェノールエー
テル樹脂を含浸させてなる基板３０を出発材料とする
（図１（Ａ））。基板３０の厚さは、２０〜８００μｍ
の範囲がよく、特に、１００〜５００μｍが好適であ
る。これは、コア基板としての強度が保て、レーザによ
り容易に非貫通孔を形成できる厚さだからである。ここ
では、心材に樹脂を含浸させて用いるが、この代わり
に、心材を有さない樹脂、或いは、補強樹脂層をラミネ
ートした樹脂を用いることもできる。
ポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、
ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、ポリフェノールエー
テル樹脂を含浸させてなる基板３０を出発材料とする
（図１（Ａ））。基板３０の厚さは、２０〜８００μｍ
の範囲がよく、特に、１００〜５００μｍが好適であ
る。これは、コア基板としての強度が保て、レーザによ
り容易に非貫通孔を形成できる厚さだからである。ここ
では、心材に樹脂を含浸させて用いるが、この代わり
に、心材を有さない樹脂、或いは、補強樹脂層をラミネ
ートした樹脂を用いることもできる。
【００２１】(2)該基板３０の下面に、スパッタにより
厚さ６〜２０μｍの金属層２２を形成する（図１
（Ｂ））。金属層２２は、銅、ニッケル、クロム、コバ
ルト、アルミニウム等を用いることができ、特に、銅又
は銅を主としてなる合金が、廉価であると共に電気抵抗
が低く好ましい。ここでは、樹脂からなる基板３０への
密着性に優れ薄く形成できるスパッタを用いるが、この
代わりに、廉価な無電解めっき、又は、廉価に薄く金属
層を形成できる蒸着を用いることができ、更に、無電解
めっき、スパッタ、蒸着後に電解めっきを行うことも、
更には、上記コア基板として銅箔のラミネートされた銅
張り積層板を用いることができる。ここで、金属層２２
の厚さは、６〜２０μｍの範囲がよく、特に、８〜１５
μｍの範囲が好適である。この厚みであれば、強度を保
てるので反りもなく、また、後述するように基板３０に
非貫通孔を明ける際に、レーザのエネルギーを吸収し得
るからである。
厚さ６〜２０μｍの金属層２２を形成する（図１
（Ｂ））。金属層２２は、銅、ニッケル、クロム、コバ
ルト、アルミニウム等を用いることができ、特に、銅又
は銅を主としてなる合金が、廉価であると共に電気抵抗
が低く好ましい。ここでは、樹脂からなる基板３０への
密着性に優れ薄く形成できるスパッタを用いるが、この
代わりに、廉価な無電解めっき、又は、廉価に薄く金属
層を形成できる蒸着を用いることができ、更に、無電解
めっき、スパッタ、蒸着後に電解めっきを行うことも、
更には、上記コア基板として銅箔のラミネートされた銅
張り積層板を用いることができる。ここで、金属層２２
の厚さは、６〜２０μｍの範囲がよく、特に、８〜１５
μｍの範囲が好適である。この厚みであれば、強度を保
てるので反りもなく、また、後述するように基板３０に
非貫通孔を明ける際に、レーザのエネルギーを吸収し得
るからである。
【００２２】(3)次に、金属層２２の非形成面から基板
３０に炭酸レーザを照射し、金属層２２に至る非貫通孔
３２を穿設する（図１（Ｃ））。ここで、非貫通孔の径
は、５０〜２５０μｍが好ましく、特に、７５〜１５０
μｍの範囲で４００〜６００μｍのピッチが好適であ
る。非貫通孔３２は小径である方が、配線密度を上げる
上では望ましいが、半径に反比例して歩留まりが下がる
からである。ここで、非貫通孔３２は、炭酸レーザで１
孔毎に穿設することも可能であり、また、通孔を備える
マスクを基板３０に載置し、一括して非貫通孔を形成す
ることもできる。なお、ここでは、廉価で大出力の得ら
れる炭酸レーザを用いているが、この代わりに、エキシ
マ、ＵＶ、ＹＡＧ等を用いることもでき、これらを混合
して使用することもできる。
３０に炭酸レーザを照射し、金属層２２に至る非貫通孔
３２を穿設する（図１（Ｃ））。ここで、非貫通孔の径
は、５０〜２５０μｍが好ましく、特に、７５〜１５０
μｍの範囲で４００〜６００μｍのピッチが好適であ
る。非貫通孔３２は小径である方が、配線密度を上げる
上では望ましいが、半径に反比例して歩留まりが下がる
からである。ここで、非貫通孔３２は、炭酸レーザで１
孔毎に穿設することも可能であり、また、通孔を備える
マスクを基板３０に載置し、一括して非貫通孔を形成す
ることもできる。なお、ここでは、廉価で大出力の得ら
れる炭酸レーザを用いているが、この代わりに、エキシ
マ、ＵＶ、ＹＡＧ等を用いることもでき、これらを混合
して使用することもできる。
【００２３】その後、酸或いは酸化剤で、非貫通孔３２
内のデスミヤ処理を行う。ここで、更に、酸素、４塩化
炭素、窒素などのプラズマ処理、コロナ処理、ＵＶ処理
などのドライ処理を施し、非貫通孔３２の内壁を平滑に
することも可能である。
内のデスミヤ処理を行う。ここで、更に、酸素、４塩化
炭素、窒素などのプラズマ処理、コロナ処理、ＵＶ処理
などのドライ処理を施し、非貫通孔３２の内壁を平滑に
することも可能である。
【００２４】(4)次に、金属膜２０にフィルム２３を密
着させた後、基板３０を電解銅めっき液に浸漬し、金属
層２２を介して電流を流し、非貫通孔３２内に第１めっ
き層２４を形成する（図１（Ｄ））。第１電解めっき層
は、電気抵抗の低い銅めっきが望ましいが、ニッケル、
クロム、コバルト、アルミニウム等を用いることも可能
である。
着させた後、基板３０を電解銅めっき液に浸漬し、金属
層２２を介して電流を流し、非貫通孔３２内に第１めっ
き層２４を形成する（図１（Ｄ））。第１電解めっき層
は、電気抵抗の低い銅めっきが望ましいが、ニッケル、
クロム、コバルト、アルミニウム等を用いることも可能
である。
【００２５】(5)該基板３０の上面に、無電解めっきに
より厚さ０．１〜１０μｍの金属膜２６を形成する（図
２（Ａ））。金属層は、銅、ニッケル、クロム、コバル
ト、アルミニウム等を用いることができ、特に、銅又は
銅を主としてなる合金が、廉価であると共に電気抵抗が
低く好ましい。無電解めっきの代わりに、樹脂からなる
基板３０への密着性に優れるスパッタ、蒸着を用いるこ
とができる。ここで、金属膜２６の厚さは、０．１〜１
０μｍの範囲がよく、この範囲であれば、エッチングし
ても回路が形成できる。特に、０．５〜５μｍの範囲が
好適である。
より厚さ０．１〜１０μｍの金属膜２６を形成する（図
２（Ａ））。金属層は、銅、ニッケル、クロム、コバル
ト、アルミニウム等を用いることができ、特に、銅又は
銅を主としてなる合金が、廉価であると共に電気抵抗が
低く好ましい。無電解めっきの代わりに、樹脂からなる
基板３０への密着性に優れるスパッタ、蒸着を用いるこ
とができる。ここで、金属膜２６の厚さは、０．１〜１
０μｍの範囲がよく、この範囲であれば、エッチングし
ても回路が形成できる。特に、０．５〜５μｍの範囲が
好適である。
【００２６】(6)基板３０を電解銅めっき液に浸漬し、
金属膜２６を介して電流を流し、非貫通孔３２内に第２
めっき層２８を充填してスルーホール３６とする（図２
（Ｂ））。電解めっきは、第１めっき層を構成すると同
じ金属であることが望ましい。また、図７を参照して上
述したように、第１めっき層２４の高さＨ１と、第２め
っき層２８の高さＨ２とはほぼ同様であることが望まし
い。なお、第２めっき層２８の表面を平滑化するため、
エッチング、バフ研磨、ベルトサンダー、砥粒を吹き付
けるジェットスクラブ研磨等を行うことも可能である。
金属膜２６を介して電流を流し、非貫通孔３２内に第２
めっき層２８を充填してスルーホール３６とする（図２
（Ｂ））。電解めっきは、第１めっき層を構成すると同
じ金属であることが望ましい。また、図７を参照して上
述したように、第１めっき層２４の高さＨ１と、第２め
っき層２８の高さＨ２とはほぼ同様であることが望まし
い。なお、第２めっき層２８の表面を平滑化するため、
エッチング、バフ研磨、ベルトサンダー、砥粒を吹き付
けるジェットスクラブ研磨等を行うことも可能である。
【００２７】(7)フィルム２３を剥離した後、所定パタ
ーンのエッチンレジストを施し、パターニングを行い、
コア基板３０の表面に導体回路３４を形成すると共に、
スルーホール３６にランド３６ａを形成する（図２
（Ｃ））。ランドの形状としては、円形、楕円形が望ま
しいが、正方形、長方形でもよい。ランド３６ａは、ス
ルーホール径の１．００〜１．２５倍が望ましい。ラン
ド３６ａ及び導体回路の厚みＨ３は、上層の層間樹脂絶
縁層の平滑化を達成するため、可能な限り薄い方が望ま
しい。
ーンのエッチンレジストを施し、パターニングを行い、
コア基板３０の表面に導体回路３４を形成すると共に、
スルーホール３６にランド３６ａを形成する（図２
（Ｃ））。ランドの形状としては、円形、楕円形が望ま
しいが、正方形、長方形でもよい。ランド３６ａは、ス
ルーホール径の１．００〜１．２５倍が望ましい。ラン
ド３６ａ及び導体回路の厚みＨ３は、上層の層間樹脂絶
縁層の平滑化を達成するため、可能な限り薄い方が望ま
しい。
【００２８】第１実施形態の多層プリント配線板では、
スルーホール３６のランド３６ａとなる金属膜２６を形
成してから、スルーホール内に第２めっき層２８を形成
するため、金属膜２６からなるランド３６ａが剥離する
ことがなくなり、スルーホール３６の信頼性を高めるこ
とができる。更に、接続信頼性が高いため、当該ランド
を薄く形成でき、後述する工程で形成する上層の層間樹
脂絶縁層の平滑性を高めることが可能となり、当該層間
樹脂絶縁層の剥離やクラックの発生を防げる。
スルーホール３６のランド３６ａとなる金属膜２６を形
成してから、スルーホール内に第２めっき層２８を形成
するため、金属膜２６からなるランド３６ａが剥離する
ことがなくなり、スルーホール３６の信頼性を高めるこ
とができる。更に、接続信頼性が高いため、当該ランド
を薄く形成でき、後述する工程で形成する上層の層間樹
脂絶縁層の平滑性を高めることが可能となり、当該層間
樹脂絶縁層の剥離やクラックの発生を防げる。
【００２９】(8)導体回路３４及びランド３６ａを形成
した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板
の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表
面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッチン
グすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３４
βと、スルーホール３６のランド３６ａに３６βを形成
した（図２（Ｄ）参照）。エッチング液として、イミダ
ゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量
部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量
部を混合したものを使用する。
した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板
の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表
面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッチン
グすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３４
βと、スルーホール３６のランド３６ａに３６βを形成
した（図２（Ｄ）参照）。エッチング液として、イミダ
ゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量
部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量
部を混合したものを使用する。
【００３０】なお、本実施形態で、上記(1)の工程では
エッチングにより粗化面を形成しているが、この代わり
に、無電解めっきにより粗化層を形成することもでき
る。この場合には、導体回路３４を形成した基板３０に
アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化
パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐ
ｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．
２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０
−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、
次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホ
ウ酸５．０×１０− １ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化
学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝
９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４
秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体
回路３４及びスルーホール３６のランド３６ａ表面にＣ
ｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を
設ける。粗化層の表面に、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎｉなどの金属
層を設けてもよい。
エッチングにより粗化面を形成しているが、この代わり
に、無電解めっきにより粗化層を形成することもでき
る。この場合には、導体回路３４を形成した基板３０に
アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化
パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐ
ｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．
２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０
−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、
次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホ
ウ酸５．０×１０− １ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化
学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝
９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４
秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体
回路３４及びスルーホール３６のランド３６ａ表面にＣ
ｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を
設ける。粗化層の表面に、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎｉなどの金属
層を設けてもよい。
【００３１】(9)次に、上記工程を経た基板の両面に、
厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シート
を温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃ
ｍ2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂
からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ａ）参
照）。なお、真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇに調
整する。
厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シート
を温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃ
ｍ2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂
からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ａ）参
照）。なお、真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇに調
整する。
【００３２】(10) 次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガ
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショッ
トの条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶
縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設
ける（図３（Ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用い
てデスミア処理を行う。
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショッ
トの条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶
縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設
ける（図３（Ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用い
てデスミア処理を行う。
【００３３】(11) 次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層５０の表面を粗化した（図３（Ｃ）参照）。この
際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２
００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分
間プラズマ処理を実施した。
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層５０の表面を粗化した（図３（Ｃ）参照）。この
際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２
００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分
間プラズマ処理を実施した。
【００３４】(12) 次に、同じ装置を用い、内部のアル
ゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットに
したスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、
電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合
金層５２をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層５０の表面
に形成した。このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層５
２の厚さは０．２μｍであった（図４（Ａ）参照）。
ゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットに
したスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、
電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合
金層５２をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層５０の表面
に形成した。このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層５
２の厚さは０．２μｍであった（図４（Ａ）参照）。
【００３５】(13)上記処理を終えた基板の両面に、市販
の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィ
ルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト５４のパターンを形成した（図４（Ｂ）
参照）。
の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィ
ルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト５４のパターンを形成した（図４（Ｂ）
参照）。
【００３６】(14)次に、以下の条件で電気めっきを施し
て、厚さ１５μｍの電気めっき膜５６を形成した（図４
（Ｃ）参照）。なお、この電気めっき膜５６により、後
述する工程で導体回路５８となる部分の厚付けおよびバ
イアホール６０となる部分のめっき充填等が行われたこ
とになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アト
テックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
て、厚さ１５μｍの電気めっき膜５６を形成した（図４
（Ｃ）参照）。なお、この電気めっき膜５６により、後
述する工程で導体回路５８となる部分の厚付けおよびバ
イアホール６０となる部分のめっき充填等が行われたこ
とになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アト
テックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００３７】〔電気めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電気めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃
【００３８】(15)ついで、めっきレジスト５４を５％Ｎ
ａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４の下
に存在していたＮｉ−Ｃｕ合金層５２を硝酸および硫酸
と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除
去し、電気銅めっき膜５６等からなる厚さ１６μｍの導
体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した（図
５（Ａ）参照）。
ａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４の下
に存在していたＮｉ−Ｃｕ合金層５２を硝酸および硫酸
と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除
去し、電気銅めっき膜５６等からなる厚さ１６μｍの導
体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した（図
５（Ａ）参照）。
【００３９】(16)続いて、上記(10) 〜(16)の工程を繰
り返すことにより、さらに上面側の層間樹脂絶縁層５０
に、上層の層間樹脂絶縁層１５０、導体回路１５８及び
バイアホール１６０を形成した（図５（Ｂ）参照）。
り返すことにより、さらに上面側の層間樹脂絶縁層５０
に、上層の層間樹脂絶縁層１５０、導体回路１５８及び
バイアホール１６０を形成した（図５（Ｂ）参照）。
【００４０】(17)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬
化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．
６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマ
ー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じ
く多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰ
Ｅ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社
製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃
で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ．３によった。
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬
化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．
６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマ
ー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じ
く多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰ
Ｅ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社
製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃
で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ．３によった。
【００４１】(18)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭ
ＴＧ溶液で現像処理し、上面に２００μｍの直径の開口
７１Ｕを、下面に直径５００μｍの開口７１Ｄを形成し
た。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれ
ぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、
はんだパッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソ
ルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した
（図６（Ａ））。スルーホールの半硬化の樹脂フィルム
で圧着して、露光・現像或いはレーザで半田パットを設
けてもよい。
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭ
ＴＧ溶液で現像処理し、上面に２００μｍの直径の開口
７１Ｕを、下面に直径５００μｍの開口７１Ｄを形成し
た。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれ
ぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、
はんだパッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソ
ルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した
（図６（Ａ））。スルーホールの半硬化の樹脂フィルム
で圧着して、露光・現像或いはレーザで半田パットを設
けてもよい。
【００４２】(19)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂
絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０ -1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口７１に厚さ５μｍ
のニッケルめっき層７２を形成した（図６（Ｂ））。さ
らに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3
ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０ -1ｍｏ
ｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層７４を形成した。
絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０ -1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口７１に厚さ５μｍ
のニッケルめっき層７２を形成した（図６（Ｂ））。さ
らに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3
ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０ -1ｍｏ
ｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層７４を形成した。
【００４３】(20)この後、ソルダーレジスト層７０の開
口７１Ｕ、７１Ｄにはんだペーストを印刷して、２００
℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）
７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を完
成する（図７参照）。
口７１Ｕ、７１Ｄにはんだペーストを印刷して、２００
℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）
７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を完
成する（図７参照）。
【００４４】[第２実施形態]引き続き、本発明の第２実
施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法につ
いて説明する。図１２は、パッケージ基板に適用した第
２実施形態に係る多層プリント配線板の断面を示してい
る。この第２実施形態の多層プリント配線板は、図７を
参照して上述した第１実施形態と同様である。但し、第
１実施形態では、ドータボード側にはんだバンプ７６Ｄ
が配設されたが、第２実施形態では、導電性接続ピン７
８が配設されている。
施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法につ
いて説明する。図１２は、パッケージ基板に適用した第
２実施形態に係る多層プリント配線板の断面を示してい
る。この第２実施形態の多層プリント配線板は、図７を
参照して上述した第１実施形態と同様である。但し、第
１実施形態では、ドータボード側にはんだバンプ７６Ｄ
が配設されたが、第２実施形態では、導電性接続ピン７
８が配設されている。
【００４５】第２実施形態の多層プリント配線板の製造
方法について説明する。コア基板の形成方法は、図１及
び図２を参照して上述した第１実施形態の工程(1)〜(8)
と同様であるため、説明を省略する。
方法について説明する。コア基板の形成方法は、図１及
び図２を参照して上述した第１実施形態の工程(1)〜(8)
と同様であるため、説明を省略する。
【００４６】まず、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作
製について説明する。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコ
ート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工
業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジ
ン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水
酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノラ
イトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコール
アセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に
攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリ
ブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ
−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビ
ス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量
部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重
量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。得られた
エポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上
に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーター
を用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥さ
せることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製
した。
製について説明する。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコ
ート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工
業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジ
ン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水
酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノラ
イトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコール
アセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に
攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリ
ブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ
−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビ
ス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量
部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重
量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。得られた
エポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上
に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーター
を用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥さ
せることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製
した。
【００４７】(9)図２（ Ｄ）に示す基板３０の両面に、
基板より少し大きめの上記作製した層間樹脂絶縁層用樹
脂フィルムを載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０
℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さ
らに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて
貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成した
（図８（Ａ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂
フィルムを基板上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本
圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
基板より少し大きめの上記作製した層間樹脂絶縁層用樹
脂フィルムを載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０
℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さ
らに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて
貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成した
（図８（Ａ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂
フィルムを基板上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本
圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００４８】(10) 層間樹脂絶縁層５０上に、厚さ１．
２ｍｍの貫通孔４９ａが形成されたマスク４９を載置す
る。そして、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザに
て、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス
幅５．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショ
ットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバ
イアホール用開口４８を形成した（図８（Ｂ）参照）。
２ｍｍの貫通孔４９ａが形成されたマスク４９を載置す
る。そして、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザに
て、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス
幅５．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショ
ットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバ
イアホール用開口４８を形成した（図８（Ｂ）参照）。
【００４９】(11) バイアホール用開口４８を形成した
基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の
溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗面とした（図８（Ｃ）参照）。
基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の
溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗面とした（図８（Ｃ）参照）。
【００５０】(12) 次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面
に触媒核を付着させた。
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面
に触媒核を付着させた。
【００５１】(13)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．
０μｍの無電解銅めっき膜５１を形成した（図９（Ａ）
参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．
０μｍの無電解銅めっき膜５１を形成した（図９（Ａ）
参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分
【００５２】(14)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜５１に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジ
スト５４を設けた（図９（Ｂ）参照）。
銅めっき膜５１に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジ
スト５４を設けた（図９（Ｂ）参照）。
【００５３】(15)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して
脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの
電解銅めっき膜５６を形成した（図９（Ｃ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃
脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの
電解銅めっき膜５６を形成した（図９（Ｃ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃
【００５４】(16)めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで
剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解め
っき膜５１を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処
理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５１と電解銅めっ
き膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホー
ル６０を含む）５８を形成した（図１０（Ａ）参照）。
剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解め
っき膜５１を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処
理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５１と電解銅めっ
き膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホー
ル６０を含む）５８を形成した（図１０（Ａ）参照）。
【００５５】(17)第１実施形態の導体回路３４粗化の
(8) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有
するエッチング液によって、粗化面６２を形成した（図
１０（Ｂ）参照）。
(8) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有
するエッチング液によって、粗化面６２を形成した（図
１０（Ｂ）参照）。
【００５６】(18)上記 (9)〜(17)の工程を繰り返すこと
により、上面の層間樹脂絶縁層５０の上層に層間樹脂絶
縁層１６０、導体回路１５８及びバイアホール１６０を
形成し、多層配線板を得た（図１０（Ｃ）参照）。
により、上面の層間樹脂絶縁層５０の上層に層間樹脂絶
縁層１６０、導体回路１５８及びバイアホール１６０を
形成し、多層配線板を得た（図１０（Ｃ）参照）。
【００５７】(19)次に、多層配線基板の両面に、第１実
施形態と同様のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚
さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条
件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパ
ターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダ
ーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外
線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し開口７１Ｕ、７
１Ｄを形成した。そしてさらに、８０℃で１時間、１０
０℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の
条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を
硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダー
レジストパターン層７０を形成した（図１１（Ａ））。
上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダー
レジスト組成物を使用することもできる。
施形態と同様のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚
さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条
件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパ
ターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダ
ーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外
線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し開口７１Ｕ、７
１Ｄを形成した。そしてさらに、８０℃で１時間、１０
０℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の
条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を
硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダー
レジストパターン層７０を形成した（図１１（Ａ））。
上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダー
レジスト組成物を使用することもできる。
【００５８】(20)次に、第１実施形態と同様に開口７１
Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
し、さらに、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層７４を形成した（図１１（Ｂ））。
Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
し、さらに、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層７４を形成した（図１１（Ｂ））。
【００５９】(20)この後、基板のＩＣチップを載置する
面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕに、スズ−鉛
を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面の
ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄにスズ−アンチモ
ンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃で
リフローすることにより上面にはんだバンプ７６Ｕを設
けた。そして、下面に導電性接続ピン７８を配設し、プ
リント基板を製造した（図１２参照）。
面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕに、スズ−鉛
を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面の
ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄにスズ−アンチモ
ンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃で
リフローすることにより上面にはんだバンプ７６Ｕを設
けた。そして、下面に導電性接続ピン７８を配設し、プ
リント基板を製造した（図１２参照）。
【００６０】[第３実施形態]第３実施形態の多層プリン
ト配線板の断面を図１３に示す。この第３実施形態は、
第１実施形態と同様の構成である。但し、この第３実施
形態の多層プリント配線板は、層間樹脂絶縁層５０及び
層間樹脂絶縁層１５０が、以下に示す組成の上層用接着
剤５７と下層用接着剤５５からなり、液体状態で塗布し
た後、露光・現像処理により開口を設けてある。 Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用
接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポー
ル）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径
0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮ
ＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得
た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イル
ガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬
製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合
して得た。
ト配線板の断面を図１３に示す。この第３実施形態は、
第１実施形態と同様の構成である。但し、この第３実施
形態の多層プリント配線板は、層間樹脂絶縁層５０及び
層間樹脂絶縁層１５０が、以下に示す組成の上層用接着
剤５７と下層用接着剤５５からなり、液体状態で塗布し
た後、露光・現像処理により開口を設けてある。 Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用
接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポー
ル）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径
0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮ
ＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得
た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イル
ガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬
製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合
して得た。
【００６１】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポー
ル）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合
した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで
攪拌混合して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イル
ガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬
製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合
して得た。
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポー
ル）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合
した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで
攪拌混合して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イル
ガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬
製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合
して得た。
【００６２】[比較例１]比較例１の多層プリント配線板
は、第１実施形態と同様に構成してある。但し、第１実
施形態では、スルーホール３６内にめっきを充填したの
に対して、比較例１では、樹脂充填材を充填してある。
は、第１実施形態と同様に構成してある。但し、第１実
施形態では、スルーホール３６内にめっきを充填したの
に対して、比較例１では、樹脂充填材を充填してある。
【００６３】第１〜第３実施形態と比較例１、比較例２
に対してヒートサイクル試験（−６５℃／３分＋１３０
℃／３分を１サイクルとし、１０００サイクル実施）を
行った結果について、図１４の図表中に示す。第１、第
２、第３実施形態では、ヒートサイクル後も反り及び断
線が発生しなかったが、比較例１では反りが発生した。
なお、反り量は、平坦な基台に基板を置いて、その端部
を測定器により高さを測ることにより測定した。
に対してヒートサイクル試験（−６５℃／３分＋１３０
℃／３分を１サイクルとし、１０００サイクル実施）を
行った結果について、図１４の図表中に示す。第１、第
２、第３実施形態では、ヒートサイクル後も反り及び断
線が発生しなかったが、比較例１では反りが発生した。
なお、反り量は、平坦な基台に基板を置いて、その端部
を測定器により高さを測ることにより測定した。
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の断面図である。
板の断面図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。
【図１０】図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の
第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施
形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る多層プリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図１４】ヒートサイクル試験の結果を示す図表であ
る。
る。
２２ 金属層 ２４ 第１電解めっき層 ２６ 無電解めっき膜 ２８ 第２電解めっき層 ３０ 樹脂基板 ３２ 通孔 ３４ 導体回路 ３６ バイアホール ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ７０ ソルダーレジスト層 ７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB03 AB04 AB08 AB15 AB17 BA12 BB11 BC10 DA10 FA05 GA16 4K044 AA06 AA16 AB02 AB08 BA06 BA08 BA21 BB04 BB05 BB10 BC14 CA13 CA15 CA18 5E317 AA07 AA11 AA24 BB02 BB03 BB12 BB15 CC22 CC25 CC32 CC33 CC53 CD05 CD15 CD25 CD27 CD32 GG09 GG14 5E346 AA02 AA12 AA15 AA26 AA32 AA43 BB06 CC04 CC05 CC09 CC10 CC32 CC34 CC37 CC40 CC54 CC55 DD02 DD13 DD16 DD17 DD23 DD24 EE31 EE38 EE39 FF01 FF03 FF07 FF10 FF13 FF14 FF17 FF27 GG15 GG17 GG27 GG28 HH11 HH17 HH24 HH25
Claims (4)
- 【請求項１】 スルーホールを設けたコア基板に層間樹
脂絶縁層をビルドアップしてなる多層プリント配線板に
おいて、 前記コア基板のスルーホールが、電解めっきによる第１
金属層と、無電解めっき、スパッタ又は蒸着による金属
膜と、電解めっきによる第２金属層とを充填してなるこ
とを特徴とする多層プリント配線板。 - 【請求項２】 少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程
を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法： （Ａ）一方の面に金属層の形成された樹脂絶縁層に、レ
ーザで前記金属層へ至る非貫通孔を形成する工程； （Ｂ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属層を介し
て電流を流し電解めっきにより第１金属層を充填する工
程； （Ｃ）前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形
成する工程： （Ｄ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属膜を介し
て電流を流し電解めっきにより第２金属層を充填する工
程； （Ｅ）前記樹脂絶縁層の金属層と金属膜とエッチングし
て、スルーホールのランドを形成する工程。 - 【請求項３】 前記樹脂絶縁層に、無電解めっき、スパ
ッタ又は蒸着により金属層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項２の多層プリント配線板の製造
方法。 - 【請求項４】 前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金
属膜を形成する工程において、無電解めっき、スパッタ
又は蒸着を用いることを特徴とする請求項２又は３の多
層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35265999A JP4278806B2 (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 |
| EP09156841A EP2086300A1 (en) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| EP06123074A EP1744609B1 (en) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| EP00931571A EP1194022B1 (en) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Multilayer printed wiring board and method of manufacturing multilayer printed wiring board |
| EP09156837A EP2086299A1 (en) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| DE60031680T DE60031680T2 (de) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Mehrschichtige, gedruckte leiterplatte und herstellungsmethode für eine mehrschichtige, gedruckte leiterplatte |
| US09/979,388 US6828510B1 (en) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Multilayer printed wiring board and method of manufacturing multilayer printed wiring board |
| PCT/JP2000/003377 WO2000076281A1 (fr) | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Carte a circuit imprime multicouche et procede de fabrication d'une telle carte |
| MYPI20002406A MY125537A (en) | 1999-06-02 | 2000-05-30 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board. |
| TW089110559A TW471244B (en) | 1999-06-02 | 2000-05-31 | Multilayer printed circuit board and method of manufacturing multilayer printed circuit board |
| US10/921,525 US7985930B2 (en) | 1999-06-02 | 2004-08-19 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| US12/171,794 US8288664B2 (en) | 1999-06-02 | 2008-07-11 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multilayer printed circuit board |
| US12/694,322 US8283573B2 (en) | 1999-06-02 | 2010-01-27 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multilayer printed circuit board |
| US12/887,197 US20110024164A1 (en) | 1999-06-02 | 2010-09-21 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| US12/913,258 US8288665B2 (en) | 1999-06-02 | 2010-10-27 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
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