JP2001168021A - 液膜形成方法 - Google Patents

液膜形成方法

Info

Publication number
JP2001168021A
JP2001168021A JP2000255461A JP2000255461A JP2001168021A JP 2001168021 A JP2001168021 A JP 2001168021A JP 2000255461 A JP2000255461 A JP 2000255461A JP 2000255461 A JP2000255461 A JP 2000255461A JP 2001168021 A JP2001168021 A JP 2001168021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
processed
liquid film
dropping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000255461A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3697389B2 (ja
Inventor
Shinichi Ito
信一 伊藤
Tatsuhiko Ema
達彦 江間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000255461A priority Critical patent/JP3697389B2/ja
Priority to TW089119481A priority patent/TW476121B/zh
Priority to US09/669,725 priority patent/US6410080B1/en
Publication of JP2001168021A publication Critical patent/JP2001168021A/ja
Priority to US10/144,028 priority patent/US6669982B2/en
Priority to US10/697,260 priority patent/US20040091606A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3697389B2 publication Critical patent/JP3697389B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】液体滴下ノズルから液体を滴下しつつ、該ノズ
ルと被処理基板とを相対的に移動させることによって、
該基板上に液膜を形成する液膜形成方法において、処理
時間の短縮化を図ると共に、液体の使用量を削減するこ
と。 【解決手段】液体滴下ノズル１２と被処理基板１１との
相対的な移動は、液体滴下ノズル１２が被処理基板１１
の一端側から基板１１上を経て基板１１の他端側に抜け
る列方向の直線的な移動と、基板１１外での行方向の移
動で構成され、前記列方向の移動距離は、基板１１上で
の滴下長Ｌと加減速区間を加えた距離の加算とであっ
て、前記列方向の該基板上の移動速度ｖが、前記滴下長
Ｌと前記加減速度ａの絶対値との積の平方根に応じで定
められること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板上に液
体を塗布して液膜を形成する液膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィー工程で従来から行われて
きた回転塗布法は、基板に滴下した液体の殆どを基板外
に排出し、残りの数％で成膜するため、使用する薬液の
無駄が多く、排出された薬液が多いことから環境にも悪
影響を及ぼしていた。また、方形の基板や３００ｍｍ以
上の大口径の円盤形状基板では、基板の外周部で乱気流
が生じその部分で膜厚が不均一になるという問題が生じ
ていた。
【０００３】薬液を無駄にせず基板全面に均一に塗布す
る手法として特開平２−２２０４２８号公報には一列に
配置した多数のノズルよりレジストを滴下し、その後方
よりガスまたは液体を成膜面に吹き付けることで均一な
膜を得る手法が記載されている。また、特開平６―１５
１２９５号公報では棒に多数の噴霧口を設け、それより
レジストを基板上に滴下し均一な膜を得ることを目的と
た技術が記載されている。更に特開平７−３２１００１
号公報には、レジストを噴霧するための多数の噴出孔が
形成されたスプレーヘッドを用い、基板と相対的に移動
して塗布する手法が記載されている。
【０００４】これらいずれの塗布装置においても滴下あ
るいは噴霧ノズルを横一列に複数配置し、それを基板表
面にそってスキャンさせて均一な膜を得ることを目的と
している。また、これら複数のノズルを持つ装置を用い
た塗布法の他に一本の液体吐出ノズルを用い、被処理基
板上を走査させることで液膜を形成する手法が有る。
【０００５】これの手法ではノズルの操作法次第では基
板１枚あたりの処理時間が長くなったり、薬液の使用量
が膨大になるという問題が生じていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一本の液体吐出ノズル
を用い、被処理基板上を走査させることで液膜を形成す
る手法が有る。この手法ではノズルの操作法次第では基
板１枚あたりの処理時間が長くなったり、薬液の使用量
が膨大になったりするという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、処理時間の短縮化を図る
と共に、薬液の使用量を抑制し得る液膜形成方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。
【０００９】（１）本発明（請求項１）は、被処理基板
に対して、該基板上で一定量広がるように調整された液
体を滴下部の滴下ノズルから滴下し、滴下された該液体
を該基板上に留めつつ、前記滴下部と前記被処理基板と
を相対的に移動させ、前記被処理基板上に液膜を形成す
る液膜形成方法であって、前記滴下部と前記被処理基板
との相対的な移動は、前記滴下部が前記被処理基板の一
端側から該基板上を経て該基板の他端側に抜ける列方向
の直線的な移動と、該基板外での行方向の移動で構成さ
れ、前記列方向の移動距離は、該基板上での滴下長Ｌと
加減速区間を加えた距離との加算であって、前記列方向
の該基板上の移動速度ｖは、前記滴下長Ｌと前記加減速
区間での加減速度ａの絶対値との積の平方根に応じて定
めることを特徴とする。
【００１０】本発明は、前記被処理基板上に位置する前
記滴下部の滴下ノズルからの滴下量Ｗは、前記移動速度
ｖに比例する量に応じて定めることが好ましい。
【００１１】（２）本発明（請求項３）は、直径Ｄの円
盤形状の被処理基板に対して、該基板上で一定量広がる
ように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴下
し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴下
部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処理
基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、前記滴
下部と前記被処理基板との相対的な移動は、前記滴下部
が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該基板の
他端側に抜ける列方向の直線的な移動と、該基板外での
行方向の移動で構成され、前記列方向の移動速度ｖは、
定数０．４と前記被処理基板の直径Ｄと前記移動速度ｖ
に達する前後の加減速度ａの絶対値との積の平方根に応
じて定めることを特徴とする。
【００１２】本発明は、前記被処理基板上空における前
記滴下部の滴下ノズルからの滴下量が一定であることが
好ましい。
【００１３】上記二つの発明に好ましい実施態様を以下
に記す。
【００１４】前記滴下部は滴下ノズルを複数有し、前記
滴下量は全ての滴下ノズルから滴下される液体の総量で
あること。
【００１５】前記液体が反射防止剤、レジスト剤、低誘
電体材料、絶縁材料、配線材料、金属ペーストのいずれ
かであること。
【００１６】前記液体が該被処理基板の微小な領域に微
量滴下されたときに、前記液体の滴下５秒後から６０秒
に至るまでの該液体の外基板に対する接触角の変化量が
±２度以内である性質を持つ液体を用いて液膜を形成す
ること。
【００１７】（３）本発明（請求項８）に係わる液膜形
成方法は、被処理基板に対して、該基板上で一定量広が
るように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴下
し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴下
部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処理
基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、前記滴
下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記滴下部
が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該基板の
他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板外での行
方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部が前記
被処理基板の略中心から外周部に向かう、または外周部
から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるものであ
って、前記液体が該被処理基板の微小な領域に微量滴下
されたときに、前記液体の滴下後５秒から６０秒に至る
までの、該基板に対する該液体の接触角の変化量が±２
度以内であることを特徴とする。
【００１８】本発明の好ましい実施態様を以下に記す。
前記被処理基板に滴下される液体の前記被処理基板に対
する接触角変化量±２度以内の抑制は、前記液体を構成
する溶剤と塗布材に対する界面活性剤の比率を調整して
成されたものであること。
【００１９】（４）本発明（請求項１０）に係わる塗布
用薬液は、被処理基板に対して、該基板上で一定量広が
るように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴下
し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴下
部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処理
基板上に液膜を形成する液膜形成方法の前記液体として
用いられる塗布用薬液であって、前記液体は、前記溶剤
と、塗布剤と、界面活性剤とを含み、前記溶剤及び塗布
剤に対する前記界面活性剤の比率は、前記液体が該被処
理基板の微小な領域に微量滴下されたときに、前記液体
の滴下後５秒から６０秒に至るまでの、該基板に対する
該液体の接触角の変化量が±２度以内となるように、調
整されていることを特徴とする。
【００２０】（５）本発明（請求項１１）に係わる液膜
形成方法は、被処理基板に対して、該基板上で一定量広
がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴
下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴
下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処
理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、前記
滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記滴下
部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該基板
の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板内での
行方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部が前
記被処理基板の略中心から外周部に向かう、または外周
部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるもので
あって、前記液膜が流動性により広がったときに、被処
理基板の段差端部の膜境界領域にかからないように滴下
範囲を定めることを特徴とする。
【００２１】（６）本発明（請求項１２）に係わる液膜
形成方法は、被処理基板に対して、該基板上で一定量広
がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴
下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴
下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処
理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、前記
滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記滴下
部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該基板
の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板内での
行方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部が前
記被処理基板の略中心から外周部に向かう、または外周
部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるもので
あって、前記行方向の滴下開始位置と滴下終了位置のそ
れぞれの被処理基板の段差端部からの距離の大小関係
を、開始側の方を大きく、終了側の方を小さくし、前記
列方向の液膜線端と該段差端部との距離を滴下開始側か
ら終了側にかけて徐徐に小さくしていくことを特徴とす
る。
【００２２】本発明の好ましい実施態様を以下に記す。
前記記載の液膜形成方法において、前記液膜端と前記段
差端部との距離を、前記薬液が前記被処理基板に滴下さ
れてから該基板上で流動する距離に応じて決定するこ
と。前記液膜端と被処理基板端距離を、液膜端が流動に
より該被処理基板端に達する距離以下とすること。
【００２３】（７）本発明（請求項１５）に係わる液膜
形成方法は、被処理基板に対して、該基板上で一定量広
がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴
下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴
下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処
理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、前記
滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記滴下
部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該基板
の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板内での
行方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部が前
記被処理基板の略中心から外周部に向かう、または外周
部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるもので
あって、前記被処理基板上に形成された液膜の流動が、
該液膜にかかる重力によってほぼ定まる程度となるよう
に液膜厚さを決定することを特徴とする。
【００２４】本発明の好ましい実施態様を以下に記す。
前記液膜の厚さを２０μｍ以下とすること。
【００２５】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。上述した条件で列方向の移動速
度を決定することで、被処理基板上に液膜を形成する時
間を短くすることができると共に、液体の使用量を抑制
することができる。
【００２６】また、前記滴下部からの滴下量Ｗを前記移
動速度ｖに比例する量に応じて定める（請求項２）、或
いは滴下量を一定にする（請求項４）ことで被処理基板
上に形成される液膜の膜厚を均一にすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。
【００２８】［第１実施形態］本発明は液体供給ノズル
（滴下部，滴下ノズル）と被処理基板とを相対的に移動
させて被処理基板上に薬液を供給する。例えば図１に示
す様に、補助板１０上に載置された被処理基板１１上で
液体供給ノズル（滴下部，滴下ノズル）１２を運動させ
ながら液膜１３を形成していく。
【００２９】液膜１３が形成される詳細を図２に示す。
図２において、液膜１３は紙面左側より順次形成され
る。液体供給ノズル１２の往復移動は紙面前後（列方
向）に対して行われ、往復運動の端の部分で移動ピッチ
ｐだけ右（行方向）に移動する。
【００３０】列方向の移動速度は図３のように変化す
る。即ち、加速区間で加速度ａで速度ｖ（＝ａｔ：ｔは
加速時間）まで加速したのち、被処理基板１１上では速
度ｖで等速移動で移動し、更に減速区間で加速度−ａで
減速し速度０になる。ここで、被処理基板１１上を通過
する長さＬと移動速度ｖ、加速区間（往路では第１の助
走区間、復路では第２の助走区間）の加速度ａ、減速区
間（往路では第２の助走区間、復路では第１の助走区
間）の加速度−ａに対し、１列に要する処理時間ｔは ｔ＝Ｌ／ｖ＋２×ｖ／ａ （１） で与えられる。
【００３１】２００ｍｍウエハ（円盤形状）で加速度を
１２Ｇ、１５Ｇ、１８Ｇ（Ｇ＝９．８ｍ／ｓｅｃ2）の
移動速度ｖとしたときの１枚あたりの処理時間を図４に
示す。ここで、移動ピッチｐ＝０．３３ｍｍとした。移
動ピッチＰは、平坦面に吐出された液体が充分広がった
液膜を乾燥させて固形分で膜を形成したときに、ほぼ平
坦になるようで有れば、０．３３ｍｍに限るものではな
い。図４より、列方向の移動（スキャン）速度が速けれ
ば処理時間は短くなるというのではなく、処理時間を短
くするためには列方向の移動速度には最適値（最小値）
がある。これは、移動速度が速くなるほど、加減速距離
（時間）も長くなるためである。
【００３２】処理時間を短くするための移動速度の最適
値は、加（減）速度によっても異なり、加（減）速度が
大きいほど移動速度の最適値は大きくなる。なお、処理
時間は、移動速度を最適値より大きくしてもあまり変わ
らない。しかし、移動速度を大きくすると、薬液の使用
量は、加速（減速）区間でも薬液が供給されるために、
図５に示す如く格段に増える。図５の縦軸は（使用薬液
量／基板薬液量）で、この値が大きいほど薬液の無駄が
多いことを意味する。例えば、（使用薬液量／基板薬液
量）＝２の場合、基板に成膜する薬液量と同じ量だけ基
板外に放出することを示す。
【００３３】図４に示される適正移動速度では（使用薬
液量／基板薬液量）はおおよそ２であるが、移動速度を
速くすると使用薬液量以上の無駄が生じるため、望まし
くは適正移動速度近傍で走査することが好ましい。
【００３４】ところで、（１）式より処理時間ｔが最小
になるときの列方向の移動速度（適正移動速度）は、ｄ
ｔ／ｄｖ＝０となるｖを求めることによって、 ｖ＝（Ｌａ／２）1/2 （２） で与えられる。
【００３５】また、被処理基板上に形成される膜厚ｄ
は、単位時間当たりの滴下量Ｗ（ｍｌ／ｓｅｃ）に速度
ｖ（ｍ／ｓｅｃ）を除算した値に比例した値（ｄ∝Ｗ／
ｖ）となる。従って、被処理基板上に均一な膜厚の液膜
を形成するためには、滴下量Ｗを速度ｖに比例した量と
して定ることが必要となる。但し、被処理基板上のエッ
ジ等の液膜を形成する必要がない領域では、薬液の滴下
量の削減、或いは停止を行うことも可能である。
【００３６】なお、本実施形態において単数のノズルか
ら薬液を滴下していたが、複数のノズルから液体を滴下
する場合は、全てのノズルから滴下された滴下量の総量
が滴下量である。
【００３７】矩形基板の処理では矩形基板の塗布長Ｌが
一定であるので、（２）式から速度ｖを定めると良い。
しかし、円盤形状基板の場合、塗布長Ｌが０から直径ま
で変化するため（２）式で求めたｖが必ずしも適正移動
速度にならない。図４，図６の関係及び（２）式より求
めた直径に相当する部分での適正移動速度との関係を表
１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】それぞれの場合において（Ｖ／Ｖ0）2は略
０．８になることから、円盤形状基板における適正速度
Ｖは円盤形状基板の直径をＤとしたときに ｖ＝（０．８Ｄａ／２）1/2 ＝（０．４Ｄａ）1/2 （３） より定めれば良い。
【００４０】円盤形状の基板の場合、滴下部の速度が一
定なので、被処理基板上に均一な膜厚の液膜を形成する
ためには、薬液の供給量を一定にする必要がある。但
し、被処理基板上のエッジ等の液膜を形成する必要がな
い領域では、薬液の滴下量の削減、或いは停止を行うこ
とも可能である。
【００４１】なお、本実施形態において単数のノズルか
ら薬液を滴下していたが、複数のノズルから液体を滴下
する場合は、全てのノズルから滴下された滴下量の総量
が滴下量である。
【００４２】３００ｍｍ基板（円盤）について同様のグ
ラフを図６、図７に示す。３００ｍｍ基板の場合も（Ｖ
／Ｖ0）2は略０．８となる。この様に（Ｖ／Ｖ0）2は基
板の大きさによらず０．８の値となり、（３）式を如何
なる円盤形状基板についても充てはめることができる。
【００４３】図８は基板サイズと加速度の積、即ちＤ×
ａと適正移動速度の関係を示したものである。円盤形状
基板では、このグラフを用いて適正移動速度を容易に求
めることができる。
【００４４】本実施形態では液体滴下ノズルから滴下さ
れたときの中心線と隣接する滴下膜の中心線のピッチ
（図２）を０．３３ｍｍとしたが、（３）式はこれに限
るもので無く、相対移動ピッチが１ｍｍ以下（ｘ本ノズ
ルではｘｍｍ）であれば（３）式を用いることができ
る。
【００４５】層間絶縁膜材ＳＯＧを固形分４％の塗布
を、従来は加速度１５Ｇで３．８ｍ／ｓｅｃで行ってい
た。この時の薬液使用量は０．８５ｃｃであった。しか
し本実施形態の移動速度決定法を用いたシーケンスでは
薬液使用量は０．７５ｃｃとなり、約１２％薬液を削減
することができた。また、これにより、１工程あたりの
薬液量も同様に１２％削減することができた。
【００４６】［第２実施形態］本実施形態は円盤型３０
０ｍの基板を用い、塗布長に応じて移動速度と滴下量を
変更しながら塗布する手法に関する。塗布は基板の中央
から開始され紙面右方向（行）にピッチｐ＝０．３３ｍ
ｍで塗布を行い、端に達した後、基板中央塗布された線
より紙面左側のピッチｐだけずらした部分から開始し、
端まで塗布を行った。
【００４７】基板中心よりｎｐ（ｎは整数）だけ離れた
部分の列方向の移動速度ｖは加速度ａに対して
【００４８】
【数１】
【００４９】と定めた。
【００５０】また、列方向の滴下速度Ｗは直径部分での
滴下速度Ｗ0(ml/sec)に対して
【００５１】
【数２】
【００５２】として定めた。
【００５３】この様に列移動毎の移動速度と滴下量を最
適した結果を図９及び図１０に示す。なお、点線で示し
た値は第１実施形態で示す設定法で移動速度を最適化
（固定）した場合である。なお、ピッチは０．３３ｍｍ
である。点線の工程で用いた層間絶縁膜ＳＯＧ（固形分
１．５％）の薬液使用量は１．７ｃｃであったが、実線
の工程では１．５ｃｃであった。なお、処理時間につい
ても従来は１０４秒であったものが僅かであるが１０２
秒に短縮できた。薬液使用量の比較を表２に纏める。表
２は３００ｍｍ円盤形状基板で加（減）速度が１５Ｇの
場合である。
【００５４】
【表２】
【００５５】本実施形態の如く第２実施形態（請求項
１）記載の手法を用いることで従来の方式と比べ２０％
以上薬液を削減することが可能になる。
【００５６】本実施形態では層間絶縁膜材料についての
適用例を示したが、これに限るものではない。レジスト
材料、反射防止材料、誘電体材料、配線材料など幅広く
適用可能である。
【００５７】（第３の実施形態）上述した条件によっ
て、処理時間の短縮化を図ると共に、液膜の形成に用い
る薬液の使用量を削減することができる。しかし、半導
体装置に適用する場合、液膜の形成には液膜表面を平坦
化しなければならない。よって、以下に液膜表面が平坦
化される液膜形成方法について説明する。
【００５８】図１１に示すように、被処理基板１１に対
する塗布液１３の接触角θを求める。接触角θは、通常
マイクロシリンジの針の先から薬液を少量押し出し、薬
液がその表面張力により針先端に保持されている状態
で、基板を下方から針先端の液滴に近づけ、液滴が基板
に接触したら直ちに針より遠ざけ（基板を下方に移動す
る）、測定する。
【００５９】針先から離された薬液は、まず液滴に加わ
る重力により変形する。この変形は液滴が基板と接触
し、針から遠ざけた後、約５秒の間で生じる。この後、
接触角は図１２及び図１３に示すような変化を生じた。
これらの変化は大きく分けて３つに分類できる。分類さ
れる変化は、接触角が時間とともに低下していくもの、
ほとんど変化のないもの、時間とともに増加するものの
３つである。これらの変化は時間と供に薬液と基板との
間の界面張力の変化により生じると考えられる。
【００６０】接触角が時間とともに低下していくもの
は、薬液中の固形分や界面活性材が基板表面に作用する
ためである。その結果、界面張力が弱くなる性質を持
つ。このような性質の液体と基板の組み合わせの場合、
基板上を液体が容易に移動できるため、環境の違い、例
えば環境温度、強制的な気流もしくは環境温度差で生じ
る気流などの影響を大きく受け、薬液がこれにより移動
する。このため最終的に得られる固体層の膜厚の均一性
が悪くなる。
【００６１】この様なケースはレジストに多く見られ、
乳酸エチルを主溶剤とする固形分の多い液体を希釈した
場合、そのレジスト溶液中に含まれる界面活性材も希釈
されて時間と供に接触角が小さくなる変化が見られた。
界面活性材の量は回転塗布で用いられるときの量よりむ
しろ多い方が望ましい場合もある。
【００６２】一方、接触角が時間の経過と共に増加する
ものは、薬液中の固形分や界面活性材が基板表面に作用
するためである。その結果界面張力が強くなる、或いは
固形分、界面活性材及び双方の相互作用が強く凝集する
性質を持つ。このような性質の液体と基板の組み合わせ
の場合、基板上で液体が凝集するため、必要領域に塗布
できないという問題が生じていた。
【００６３】図１４に滴下されてからの時間に対する接
触角の変化量と固体層の膜厚均一性（レンジ）との関係
を示す。
【００６４】なお、時間に対する接触角の変化量ｄｃ
は、
【００６５】
【数３】
【００６６】で表わされる。
【００６７】ここで時刻ｔ0 における基板上の薬液の接
触角をθ0 、時刻ｔ1 における接触角をθ1 としてい
る。ｔ0 は５から１０秒、ｔ1 は１０秒〜６０秒程度で
ある。
【００６８】薬液の塗布は、第１又は第２の実施形態に
記載した薬液の塗布条件で行った。形成された液膜の膜
厚は、光学的な膜厚計で面内の分布測定を行った。層間
絶縁膜の成膜や強誘電体膜の成膜では膜厚の均一性５％
以内（±２．５％）を達成する必要がある。この時のｄ
ｃは、 ｜ｄｃ｜＜２ であればよいことが図１４よりわかる。従って滴下後５
秒から６０秒までの薬液の接触角の変化が２度以内であ
れば、液膜の面内均一性が５％以内になることが確認さ
れた。
【００６９】なお、膜厚の均一性を５％以内（±２．５
％）としたが、膜に応じて要求される膜厚均一性を変え
ても良い。要求される膜厚均一性に応じて、接触角の変
化量ｄｃも変換する。
【００７０】滴下後の被処理基板に対する薬液の接触角
の変化を抑えるためには、溶液中の溶剤、固形分、界面
活性剤の種類と量を適切に調整すれば良い。
【００７１】本実施形態では溶剤に乳酸エチルを用い、
固形分にＫｒＦレジストを１〜５重量％とし、このレジ
ストの比率を高めるに従い強まった凝集性を界面活性材
の添加量をレジストの重量％に応じて増やすことで解消
した。
【００７２】なお、薬液の滴下から５秒間において、被
処理基板に対する薬液の接触角が２０゜未満で有ること
が好ましい。接触角が２０゜以上の場合、液膜の乾燥時
に凝集が生じ、膜を形成することが出来なかった。
【００７３】本実施形態は層間絶縁膜材料、レジスト材
料、反射防止材料、誘電体材料、配線材料などあらゆる
塗布材料に適用可能である。また、本発明の塗布方式に
関する適用範囲は第１及び第２の実施形態のような塗布
液を平行な線として供給し、広げて液膜を形成する手法
のほかに、円形基板のほぼ中心から外周、もしくは外周
から中心に向けた螺旋状に塗布液を供給し、広げること
で液膜を形成する手法にも適用可能である。また、従来
から行われている毛細管現象を利用した塗布方式でも、
より良好な膜厚均一性を得られることが確認されてい
る。
【００７４】また、本実施形態の望ましい形態として広
げて得られる液膜の平均膜厚が２０μｍ以下であること
が望ましい。これより液膜が厚い場合には液膜が流動性
を生じ、均一性が悪くなるという問題が生じる。
【００７５】［第４の実施形態］極細ノズルを被処理基
板上で列方向に速度１ｍ／ｓｅｃで往復運動させるとと
もに往復運動の端の部分で行方向に被処理基板を順次移
動させ、薬液を一筆書きに線状に滴下し被処理基板全面
（φ２００ｍｍ）にレジストを滴下することで被処理基
板全面にレジスト液膜を形成する第１及び第２の実施形
態の方法において、被処理基板の段差端部と液膜端との
距離を、レジストが滴下され液膜が形成されてから乾燥
工程までの流動距離に応じて変化させた。具体的には、
流動を起こした液膜端が被処理基板の段差端部にちょう
ど達する距離とした。
【００７６】ここで被処理基板の段差端部について、図
１５を用いて説明する。図１５に示すように、Ｓｉウェ
ハ１５１上に下地膜１５２、反射防止膜１５３が形成さ
れている場合、段差端部とは、Ｓｉウェハ１５１の端
部、Ｓｉウェハ１５１と下地膜１５２との段差部、下地
膜１５２と反射防止膜１５３との端部を指す。凹凸があ
る下地膜上に液膜を形成する場合、下地膜の最外周部と
その外側の膜或いは被処理基板との段差部を段差端部と
する。
【００７７】液状のレジスト剤は、３０μｍ厚の液膜を
被処理基板上で形成した場合、滴下開始側では乾燥処理
になるまでの待機時間中に３ｍｍ流動し、滴下終了側で
は乾燥処理までの待機時間中に１ｍｍ流動する。よっ
て、本実施形態では滴下開始位置を被処理基板端から３
ｍｍ内側とし、滴下終了位置を被処理基板端から１ｍｍ
内側とした。また、その他の被処理基板端部と液膜端と
の距離を、液膜の流動端が被処理基板端に達するタイミ
ングを考慮して、滴下開始部から滴下終了部にかけて３
ｍｍから１ｍｍへと徐々に小さくした（図１６）。
【００７８】図１６は、本発明の第４の実施形態に係わ
る液膜形成方法を説明する図である。図１６に示すよう
に、被処理基板１１には、滴下開始部から滴下終了部に
かけて３ｍｍから１ｍｍへと徐々に小さくなるレジスト
滴下領域Ｒが規定されている。
【００７９】図１７に、本実施形態の被処理基板のレジ
スト滴下領域Ｒに対してレジストを塗布した場合の断面
図を示す。なお、図１７において、参考例として従来法
を用いて形成されたレジストを同時に示す。なお、図１
７に示す断面図は、図１６のＡ−Ａ’部の断面に相当す
る。
【００８０】本方法により液膜を被処理基板全面に形成
した後、次に減圧乾燥法により液膜中の溶剤を除去し、
３００ｎｍ厚の塗布膜の形成を行った。最後にベーカを
用いて１４０℃の熱処理を行ない、最終的に塗布膜を安
定化させた。
【００８１】形成されたレジスト膜の膜厚分布の計測
が、光学的手法により行われた。図１８に膜厚分布の測
定を行った個所を示し、図１８（ａ），（ｂ）に測定結
果を示す。図１９（ａ）は、図１８のＸ−Ｘ’部の膜厚
分布を示し、図１９（ｂ）は図１８のＹ1−Ｙ1’部及び
Ｙ2−Ｙ2’の膜厚分布を示している。なお、図１９
（ａ）、（ｂ）には、液膜端と被処理基板端を塗布開始
側から終了側にかけて一律に２ｍｍとした従来法で形成
した塗布膜厚分布も併せて示している。
【００８２】図１９（ａ），（ｂ）に示すように、従来
法で形成した塗布膜厚分布は、塗布開始部で大きく膜厚
が増大し、塗布終了部でだらだらと減少してしまってい
る。このような膜厚分布となってしまうのは、液膜が形
成されてから乾燥処理が行なわれるまでの流動距離が塗
布開始部と終了部で異なることに原因がある。
【００８３】このことを図２０及び図２１を用いて説明
する。図２０（ａ），（ｂ）及び図２１（ａ），（ｂ）
は、従来の液膜形成方法の場合の、被処理基板端部と液
膜端部との状態を説明する図である。図２０（ａ）は塗
布開始側における滴下時の被処理基板端部と液膜端部と
の状態を示し、図２０（ｂ）は塗布開始側における液膜
形成終了時の被処理基板端部と液膜端部との状態を示
す。図２１（ａ）は塗布終了側における滴下時の被処理
基板端部と液膜端部との状態を示し、図２１（ｂ）は塗
布終了側における液膜形成終了時の被処理基板端部と液
膜端部との状態を示す。
【００８４】塗布開始部では塗布終了部に比べて乾燥処
理までの待機時間が長く、それだけ流動距離も長くな
る。このとき被処理基板端までの距離が流動する距離よ
りも小さい場合、図２０（ａ），図２０（ｂ）に示すよ
うに、被処理基板１１端で液の流動が堰き止められ、後
から流動してくる液とともに液膜１３厚が増大してしま
う。
【００８５】一方、塗布終了側では液膜形成後すぐに所
定の乾燥処理が行なわれるため、流動距離は開始部に比
べて小さくなる。このとき被処理基板端までの距離が流
動する距離より大きい場合、図２１（ａ），（ｂ）に示
すように、液膜厚さは所定の表面接触角で液膜端にかけ
てだらだらと薄くなっていく。
【００８６】以上のように本従来法では滴下されてから
の流動性を無視し、滴下開始側から終了側にかけて一律
に距離を設定したため、図２０（ｂ）、図２１（ｂ）に
見られるような膜厚異常が発生してしまった。
【００８７】一方、本実施形態のように、滴下されてか
らの流動性を考慮して乾燥時に液膜端が被処理基板端に
ちょうど達するように滴下開始部から終了部にかけて被
処理基板端と滴下端との距離を変化させた場合は、被処
理基板全周縁部に渡って対称で均一な塗布膜厚分布を実
現することができる。なお、液膜が被処理基板１１端に
達した時点では、図２２に示すように、液膜１３端の接
触角がθ1→θ2のように大きくなることから、被処理基
板１１端に達しない場合に比べてより急峻なエッジ膜厚
形状となる。
【００８８】本実施形態は、レジスト材料とともに、層
間絶縁膜、反射防止膜、誘電体材料、配線材料、などあ
らゆる塗布剤に対して適用可能である。また、本発明の
塗布方式に関する適用範囲は、本実施形態に記載した範
囲に限るものではなく、被処理基板と同幅のスリット状
の滴下ノズルを用いても良く、また、滴下ノズルと被処
理基板との間にメニスカスを形成して行なうスキャン塗
布方法でもよい。また、被処理基板形状は実施形態に示
したような円形に限るものではなく、レチクルや液晶基
板のような角型のものでも適用可能である。角形の被処
理基板の場合、例えば図２３に示すように、被処理基板
２１に設定された薬液塗布領域Ｒに対して薬液滴下を行
う。
【００８９】液体の滴下範囲と被処理基板の段差端部と
の距離は滴下開始側から終了側にかけて大から小に変化
させるという本実施形態の主旨を逸脱しない限りにおい
ては、使用する液の物性、被処理基板の状態に応じて適
宜設定できる。
【００９０】なお、本実施形態では、液体の流動性によ
り液膜が被処理基板の段差端部に達するように薬液の滴
下範囲を定めると共に、液体の滴下範囲と段差端部との
距離は滴下開始側から終了側にかけて大から小に変化し
ていたが、被処理基板の段差端部に液膜が達しなくても
良い。段差端部に液膜が達しない場合、薬液の滴下範囲
と被処理基板端との距離は、滴下開始側から終了側にか
けて大から小に変化する条件は必ずしも必要ではない。
【００９１】［第５の実施形態］極細ノズルを被処理基
板上で列方向に速度１ｍ／ｓｅｃで往復運動させるとと
もに行方向に被処理基板を順次移動させ、薬液を一筆書
きで線状に滴下し被処理基板全面（φ２００ｍｍ）にレ
ジストを滴下することで被処理基板全面にレジスト液膜
を形成する第１又は第２の実施形態に示した液膜形成方
法において、ＤＵＶレジストを形成する場合、従来は液
膜の厚さを３０μｍ（行方向の線ピッチ０．３ｍｍ）で
行なっていたところ、本実施形態では液膜の厚さを２０
μｍ又は１５μｍと従来より薄膜化した。
【００９２】液膜厚の制御は、線ピッチを変えることで
行ない、２０μｍ及び１５μｍでそれぞれ０．６ｍｍ及
び０．８ｍｍとした。なお、それぞれ被処理基板端と液
膜端との距離は、滴下開始部から終了部にかけて一律に
２ｍｍとした。それぞれのターゲット膜厚で被処理基板
全面に液膜を形成した後、次に減圧乾燥法により液膜中
の溶剤を除去し、それぞれ３００ｎｍ厚、２００ｎｍ
厚、１５０ｎｍ厚の塗布膜の形成を行った。最後にベー
カを用いて１４０℃の熱処理を行ない、最終的に塗布膜
を安定化させた。
【００９３】形成したそれぞれの塗布膜の膜厚分布の計
測が、光学的手法により行われ、その計測結果を図２４
に示す。なお、図２４には被処理基板周辺部の膜厚異常
領域を除いた場合の塗布膜厚の均一性についても併せて
示した。
【００９４】図２４に示すように、従来法の液膜厚さ３
０μｍで形成した塗布膜厚分布は、塗布開始部で大きく
膜厚が増大し、塗布終了部でだらだらと減少してしまっ
ていた。このような膜厚分布となってしまうのは、第４
の実施形態で述べたように、液膜が形成されてから乾燥
処理が行なわれるまでの間に、液膜が流動してしまうこ
とが原因であった。
【００９５】図２５（ａ），（ｂ）を用いて、従来の成
膜方法と本実施形態の成膜方法における、液状膜厚さと
流動性の関係を説明する。図２５（ａ）は従来の成膜方
法における液状膜厚さと流動性の関係を説明する図、図
２５（ｂ）は本実施形態の成膜方法における液状膜厚さ
と流動性の関係を説明する図である。
【００９６】従来の液膜厚さが３０μｍの場合、図２５
（ａ）に示すように、液が滴下されて液膜を形成したと
き、被処理基板が保持できる以上の液膜厚であったた
め、流動を顕著に起こしてしまっていた。このように流
動を起こしやすい状態では、塗布時の環境による影響を
受けやすくなり、被処理基板中央部における膜厚制御性
も困難なり、均一性は悪化する。
【００９７】一方、本発明のように液膜厚を２０μｍ、
１５μｍと薄くしていくと、図２５（ｂ）に示すよう
に、液の表面張力で保持され易くなり、液膜を形成した
ときに流動を起こしにくくなる。従って、流動に伴って
発生していた被処理基板周縁部（特に塗布開始部、終了
部）の膜厚異常が解消するとともに、塗布時・乾燥時な
どの外的な環境要因を受けても液は容易に流動を起こさ
ないため、均一性も良好になる。
【００９８】本実施形態は、レジスト材料とともに、層
間絶縁膜、反射防止膜、誘電体材料、配線材料、などあ
らゆる塗布剤に対して適用可能である。また、本発明の
塗布方式に関する適用範囲は、本実施形態法に限るもの
ではなく、被処理基板と同幅のスリット状の滴下ノズル
を用いても良く、また、滴下ノズルと被処理基板との間
にメニスカスを形成して行なうスキャン塗布方法でもよ
い。また、被処理基板形状は実施形態のような円形に限
るものではなく、レチクルや液晶基板のような角型のも
のでも適用可能である。滴下時の液膜厚は本実施形態に
限るものではなく、スキャン速度や吐出量を変更しても
よいし、使用する液の物性、被処理基板の状態を変更し
てもよく、本発明の主旨を逸脱しない限りにおいては適
宜設定可能である。
【００９９】なお、本実施形態で用いたレジストの液的
の接触角は７〜１０゜であり、液膜の厚さを２０μｍ以
下にすることで流動が抑制され均一性が良くなった。し
かし、接触角がそれより高いレジストを用いた場合、そ
のとき設定する液膜の厚さは２０μｍより大きくなって
も良い。
【０１００】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することが可能である。
【０１０１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、列
方向の被処理基板上の移動速度ｖが、前記滴下長Ｌと前
記加減速度ａの絶対値との積の平方根に応じで定めるこ
とで、被処理基板上に液膜を形成する時間を短くするこ
とができると共に、液体の使用量を抑制することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係わる単一の液体供給ノズルを
用いた液膜形成方法を説明するための図。
【図２】液体供給ノズルの行方向の移動ピッチの説明す
るための図。
【図３】液体供給ノズルの加速・減速域と等速域の説明
するための図。
【図４】液体供給ノズルの列方向の移動速度に対する処
理時間を示す図。
【図５】液体供給ノズルの列方向の移動速度に対する薬
液消費量を示す図。
【図６】液体供給ノズルの列方向の移動速度に対する処
理時間を示す図。
【図７】液体供給ノズルの列方向の移動速度に対する薬
液消費量を示す図。
【図８】（基板サイズ×加速度）に対する適正移動速度
を示す図。
【図９】行毎速度最適化による基板位置に対する移動速
度を示す図。
【図１０】行毎速度最適化による基板位置に対する滴下
量を示す図。
【図１１】第３の実施形態に係わる、被処理基板に対す
る塗布液の接触角を計測する状態を示す図。
【図１２】滴下されてからの時間に対する、被処理基板
に対する塗布液の接触角の変化を示す図。
【図１３】滴下されてからの時間に対する、被処理基板
に対する塗布液の接触角の変化を示す図。
【図１４】滴下されてからの時間に対する接触角の変化
量と固体層の膜厚均一性との関係を示す図。
【図１５】第４の実施形態に係わる、被処理基板の段差
端部を説明するための図。
【図１６】第４の実施形態に係わる液膜形成方法を説明
する図。
【図１７】被処理基板のレジスト滴下領域Ｒに対して滴
下を行って形成されたレジストを示す断面図。
【図１８】膜厚分布の測定個所を示す平面図。
【図１９】レジスト膜の膜厚分布を示す図。
【図２０】図２０（ａ）は従来の成膜方法の場合の塗布
開始側における滴下時の被処理基板端部と液膜端部との
状態を示す図、図２０（ｂ）は従来の成膜方法の場合の
塗布開始側における液膜形成終了時の被処理基板端部と
液膜端部との状態を示す図
【図２１】図２１（ａ）は従来の成膜方法の場合の塗布
終了側における滴下時の被処理基板端部と液膜端部との
状態を示す図、図２１（ｂ）は従来の成膜方法の場合の
塗布終了側における液膜形成終了時の被処理基板端部と
液膜端部との状態を示す図。
【図２２】第４の実施形態の液膜形成方法の場合の被処
理基板端部と液状膜端部状態を説明する図。
【図２３】第４の実施形態に係わる液膜形成方法を角型
基板に適用した例を説明する図。
【図２４】第５の実施形態に係わる液膜形成方法を用い
て形成されたレジストの膜厚分布を示す図。
【図２５】図２５（ａ）は従来の成膜方法における液状
膜厚さと流動性の関係を説明する図、図２５（ｂ）は本
実施形態の成膜方法における液状膜厚さと流動性の関係
を説明する図。
【符号の説明】
１０…補助板 １１…被処理基板 １２…液体供給ノズル １３…液膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB15 AB16 AB17 EA04 4D075 AC11 AC88 AC91 AC92 AC93 AC94 CA23 CB02 DA08 DC22 EC35 EC54 4F042 AA02 AA06 AA08 BA04 BA08 BA12 BA25 5F046 JA01 JA02

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被処理基板に対して、該基板上で一定量広
    がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴
    下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴
    下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処
    理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、 前記滴下部と前記被処理基板との相対的な移動は、前記
    滴下部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該
    基板の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と、該基板
    外での行方向の移動とで構成され、 前記列方向の移動距離は、該基板上での滴下長Ｌと加減
    速区間を加えた距離との加算であって、 前記列方向の該基板上の移動速度ｖは、前記滴下長Ｌと
    前記加減速区間での加減速度ａの絶対値との積の平方根
    に応じて定めることを特徴とする液膜形成方法。
  2. 【請求項２】前記被処理基板上に位置する前記滴下部の
    滴下ノズルからの滴下量Ｗは、前記移動速度ｖに比例す
    る量に応じて定めることを特徴とする請求項１に記載の
    液膜形成方法。
  3. 【請求項３】直径Ｄの円盤形状の被処理基板に対して、
    該基板上で一定量広がるように調整された液体を滴下部
    の滴下ノズルから滴下し、滴下された該液体を該基板上
    に留めつつ、前記滴下部と前記被処理基板とを相対的に
    移動させ、前記被処理基板上に液膜を形成する液膜形成
    方法であって、 前記滴下部と前記被処理基板との相対的な移動は、前記
    滴下部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該
    基板の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と、該基板
    外での行方向の移動とで構成され、 前記列方向の移動速度ｖは、定数０．４と前記被処理基
    板の直径Ｄと前記移動速度ｖに達する前後の加減速度ａ
    の絶対値との積の平方根に応じて定めることを特徴とす
    る液膜形成方法。
  4. 【請求項４】前記被処理基板上空における前記滴下部の
    滴下ノズルからの滴下量が一定であることを特徴とする
    請求項３に記載の液膜形成方法。
  5. 【請求項５】前記滴下部は複数の滴下ノズルを有し、前
    記滴下量は全ての滴下ノズルから滴下される液体の総量
    であることを特徴とする請求項１又は３に記載の液膜形
    成方法。
  6. 【請求項６】前記液体が反射防止剤、レジスト剤、低誘
    電体材料、絶縁材料、配線材料、金属ペーストのいずれ
    かである請求項１又は３に記載の液膜形成方法。
  7. 【請求項７】前記液体が該被処理基板の微小な領域に微
    量滴下されたときに、前記液体の滴下５秒後から６０秒
    に至るまでの該液体の外基板に対する接触角の変化量が
    ±２度以内である性質を持つ液体を用いて液膜を形成す
    ることを特徴とする請求項１又は３に記載の液膜形成方
    法。
  8. 【請求項８】被処理基板に対して、該基板上で一定量広
    がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから滴
    下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記滴
    下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処
    理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、 前記滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記
    滴下部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該
    基板の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板外
    での行方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部
    が前記被処理基板の略中心から外周部に向かう、または
    外周部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるも
    のであって、 前記液体が該被処理基板の微小な領域に微量滴下された
    ときに、前記液体の滴下後５秒から６０秒に至るまで
    の、該基板に対する該液体の接触角の変化量が±２度以
    内であることを特徴とする液膜形成方法。
  9. 【請求項９】前記被処理基板に滴下される液体の前記被
    処理基板に対する接触角変化量±２度以内の抑制は、前
    記液体を構成する溶剤と塗布材に対する界面活性剤の比
    率を調整して成されたものであることを特徴とする請求
    項７又は８記載の液膜形成方法。
  10. 【請求項１０】被処理基板に対して、該基板上で一定量
    広がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから
    滴下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記
    滴下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被
    処理基板上に液膜を形成する液膜形成方法の前記液体と
    して用いられる塗布用薬液であって、 前記液体は、前記溶剤と、塗布剤と、界面活性剤とを含
    み、 前記溶剤及び塗布剤に対する前記界面活性剤の比率は、
    前記液体が該被処理基板の微小な領域に微量滴下された
    ときに、前記液体の滴下後５秒から６０秒に至るまで
    の、該基板に対する該液体の接触角の変化量が±２度以
    内となるように、調整されていることを特徴とする塗布
    用薬液。
  11. 【請求項１１】被処理基板に対して、該基板上で一定量
    広がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから
    滴下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記
    滴下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被
    処理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、 前記滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記
    滴下部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該
    基板の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板内
    での行方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部
    が前記被処理基板の略中心から外周部に向かう、または
    外周部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるも
    のであって、 前記液膜が流動性により広がったときに、被処理基板の
    段差端部の膜境界領域にかからないように滴下範囲を定
    めることを特徴とする液膜形成方法。
  12. 【請求項１２】被処理基板に対して、該基板上で一定量
    広がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから
    滴下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記
    滴下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被
    処理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、 前記滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記
    滴下部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該
    基板の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板内
    での行方向の移動とで構成される、もしくは、前記滴下
    部が前記被処理基板の略中心から外周部に向かう、また
    は外周部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成される
    ものであって、 前記行方向の滴下開始位置と滴下終了位置のそれぞれの
    被処理基板の段差端部からの距離の大小関係を、開始側
    の方を大きく、終了側の方を小さくし、前記列方向の液
    膜線端と該段差端部との距離を滴下開始側から終了側に
    かけて徐徐に小さくしていくことを特徴とする液膜形成
    方法。
  13. 【請求項１３】前記記載の液膜形成方法において、前記
    液膜端と前記段差端部との距離を、前記薬液が前記被処
    理基板に滴下されてから該基板上で流動する距離に応じ
    て決定することを特徴とする請求項１２に記載の液膜形
    成方法。
  14. 【請求項１４】前記液膜端と被処理基板端距離を、液膜
    端が流動により該被処理基板端に達する距離iaｋとする
    ことを特徴とする請求項１２に記載の液膜形成方法。
  15. 【請求項１５】被処理基板に対して、該基板上で一定量
    広がるように調整された液体を滴下部の滴下ノズルから
    滴下し、滴下された該液体を該基板上に留めつつ、前記
    滴下部と前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被
    処理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、 前記滴下部と前記被処理基板との相対的な運動は、前記
    滴下部が前記被処理基板の一端側から該基板上を経て該
    基板の他端側に抜ける列方向の直線的な移動と該基板内
    での行方向の移動で構成される、もしくは、前記滴下部
    が前記被処理基板の略中心から外周部に向かう、または
    外周部から略中心にむかう螺旋状の移動で構成されるも
    のであって、 前記被処理基板上に形成された液膜の流動が、該液膜に
    かかる重力によってほぼ定まる程度となるように液膜厚
    さを決定することを特徴とする液膜形成方法。
  16. 【請求項１６】前記液膜の厚さを２０μｍ以下とするこ
    とを特徴とする請求項１５に記載の液膜形成方法。
JP2000255461A 1999-09-27 2000-08-25 液膜形成方法及び塗布膜形成方法 Expired - Fee Related JP3697389B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000255461A JP3697389B2 (ja) 1999-09-27 2000-08-25 液膜形成方法及び塗布膜形成方法
TW089119481A TW476121B (en) 1999-09-27 2000-09-21 Liquid film forming method
US09/669,725 US6410080B1 (en) 1999-09-27 2000-09-26 Method for forming a liquid film on a substrate
US10/144,028 US6669982B2 (en) 1999-09-27 2002-05-14 Method for forming a liquid film on a substrate
US10/697,260 US20040091606A1 (en) 1999-09-27 2003-10-31 Liquid film forming method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27232799 1999-09-27
JP11-272327 1999-09-27
JP2000255461A JP3697389B2 (ja) 1999-09-27 2000-08-25 液膜形成方法及び塗布膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001168021A true JP2001168021A (ja) 2001-06-22
JP3697389B2 JP3697389B2 (ja) 2005-09-21

Family

ID=26550148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000255461A Expired - Fee Related JP3697389B2 (ja) 1999-09-27 2000-08-25 液膜形成方法及び塗布膜形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6410080B1 (ja)
JP (1) JP3697389B2 (ja)
TW (1) TW476121B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800569B2 (en) 2002-01-30 2004-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
JP2005229115A (ja) * 2001-07-26 2005-08-25 Toshiba Corp 液膜形成方法及び固体膜の形成方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7125584B2 (en) * 1999-09-27 2006-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for forming a liquid film on a substrate
JP3998382B2 (ja) * 1999-12-15 2007-10-24 株式会社東芝 成膜方法及び成膜装置
US6709699B2 (en) * 2000-09-27 2004-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus
US7754291B2 (en) * 2004-03-26 2010-07-13 Auld Technologies Llc Miniature emblems and method of making same
KR100745901B1 (ko) * 2005-05-19 2007-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 패턴 코팅용 조성물 및 이를 이용한 미세패턴형성 방법
EP3776133B1 (en) * 2018-04-12 2022-05-11 Nordson Corporation Systems and methods for dispensing multi-component materials

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151295A (ja) 1992-11-13 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
US5736195A (en) 1993-09-15 1998-04-07 Mobium Enterprises Corporation Method of coating a thin film on a substrate
US5885661A (en) * 1993-11-24 1999-03-23 Semiconductor Systems, Inc. Droplet jet method for coating flat substrates with resist or similar materials
JP3429849B2 (ja) 1994-05-20 2003-07-28 ワイエイシイ株式会社 レジスト塗布装置
JPH0992134A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Dainippon Printing Co Ltd ノズル塗布方法及び装置
JP3333121B2 (ja) 1996-12-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3410342B2 (ja) 1997-01-31 2003-05-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
US6076979A (en) * 1997-07-25 2000-06-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of and apparatus for supplying developing solution onto substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005229115A (ja) * 2001-07-26 2005-08-25 Toshiba Corp 液膜形成方法及び固体膜の形成方法
US6800569B2 (en) 2002-01-30 2004-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
US7312018B2 (en) 2002-01-30 2007-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
US7604832B2 (en) 2002-01-30 2009-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
CN101963759A (zh) * 2002-01-30 2011-02-02 株式会社东芝 成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法
US8071157B2 (en) 2002-01-30 2011-12-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US6669982B2 (en) 2003-12-30
TW476121B (en) 2002-02-11
JP3697389B2 (ja) 2005-09-21
US20040091606A1 (en) 2004-05-13
US6410080B1 (en) 2002-06-25
US20030044542A1 (en) 2003-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5132781B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
CN108472676B (zh) 雾滴涂布成膜装置及雾滴涂布成膜方法
KR100566840B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
US6506453B2 (en) Deposition method, deposition apparatus, and pressure-reduction drying apparatus
US20030072886A1 (en) Liquid film forming method and solid film forming method
US6709699B2 (en) Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus
JP6498006B2 (ja) 塗布方法
JP2001168021A (ja) 液膜形成方法
JP6600510B2 (ja) 塗布方法および塗布装置
WO2015181918A1 (ja) 塗布装置及び塗布方法
US10684548B2 (en) Developing method
JP2002015984A (ja) 成膜方法
JP4256584B2 (ja) 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
JP2002110512A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP3697419B2 (ja) 液膜形成方法及び固形膜形成方法
JP2002239445A (ja) 塗布装置および塗布方法
JP2005334754A (ja) 塗布膜形成装置
JP2005329305A (ja) 枚葉塗布方法、枚葉塗布装置、塗布基板、および枚葉塗布部材の製造方法
US7125584B2 (en) Method for forming a liquid film on a substrate
JP2000015147A (ja) 静電塗布方法及び静電塗布装置
KR101425812B1 (ko) 고속형 슬릿코터의 노즐구조

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050411

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050628

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050704

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees