JP2001159573A - 圧力検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイアフラムどうしが相対的に位置ずれして
いたとしても所望の検出感度が得られ、また過大な圧力
によるセンサの破損を防止する。 【解決手段】 第１のダイアフラム１４の上面中央に圧
力伝達部１５を設け、その上面を平坦面１５ａとする。
シリコンダイアフラム３４の下面中央に突設部３７を設
け、この突設部３７の下面に前記圧力伝達部１５の平坦
面１５ａを接触させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被測定流体の圧
力、特に微小な圧力の検出に用いて好適な圧力検出装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】被測定流体の圧力検出に用いられるこの
種の圧力検出装置としては、高い検出感度が得られる半
導体圧力センサを用いたものが主流をなしている（例：
実開昭５９−１３５６５４号公報等）。半導体圧力セン
サは、半導体基板（シリコン）の表面側にピエゾ抵抗領
域として作用する拡散ゲージを形成し、裏面の一部をエ
ッチングによって除去することにより厚さ２０μｍ〜５
０μｍ程度の起歪部、すなわちダイアフラム（シリコン
ダイアフラム）を形成したもので、測定時に前記シリコ
ンダイアフラムの片面または両面に被測定流体の圧力を
加えると、その差圧によってシリコンダイアフラムが変
形して拡散ゲージの比抵抗が変化し、このときの抵抗変
化に伴う出力電圧を検出することにより、圧力または差
圧を検出するものである。

【０００３】半導体圧力センサの検出感度を高めるため
には、シリコンダイアフラムの有効受圧面積が同じ場合
は膜厚を薄くし、膜厚が同じ場合は有効受圧面積を大き
くして撓み量を大きくする必要がある。一般に検出感度
は膜厚の三乗に反比例するため、面積よりも膜厚を薄く
する方が効率的である。しかしながら、エッチングによ
る膜厚は２０μｍ程度が限度とされるため、それ以下に
薄く形成することは製造上困難であった。

【０００４】そこで、このような問題を解決するため
に、例えば特開昭６４−２８５２８号公報や特開平２−
２１６０２４号公報に開示された圧力センサが知られて
いる。特開昭６４−２８５２８号公報に開示された圧力
センサは、シリコンダイアフラムに対向してこれより大
きな受圧面積のダイアフラムを配置し、このダイアフラ
ムの中央に突設した突起部によってダイアフラムの変位
を一点集中荷重としてシリコンダイアフラムに直接伝達
するように構成したものである。このような圧力センサ
によれば、大面積のダイアフラムの有効受圧面積をＳ1
、シリコンダイアフラムの有効受圧面積をＳ2 とする
と、検出感度はシリコンダイアフラムのみを用いた場合
と比べて単純計算でＳ1／Ｓ2倍となる。したがって、有
効受圧面積Ｓ1 が大きいダイアフラムを用いると、検出
感度が増大し微小な圧力を検出することができるという
利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の圧力セ
ンサにおいては、大面積のダイアフラムの受けた圧力を
シリコンダイアフラムに伝えるために突起部の先端をシ
リコンダイアフラムの表面中央に直接接触させている。
しかしながら、表面中央に正確に接触させることはきわ
めて難しく、所望の検出感度が得られないという問題が
あった。すなわち、大面積のダイアフラムや圧力センサ
の構成要素には組付誤差、加工誤差等があり、突起部と
シリコンダイアフラムとの間に相対的な位置ずれが常に
存在する。その場合、図６に示すようにシリコンダイア
フラム１に加えられる力Ｐ1 が同じであっても、シリコ
ンダイアフラム１上での突起部２の接触位置が中心Ｏか
らずれるにしたがってシリコンダイアフラム１の撓み量
は減少し（δ→δ’）、外周部の曲がりが小さくなる。
したがって、例えばシリコンダイアフラム１の外周部に
９０°の間隔をおいて４つの拡散ゲージ３を配置した場
合、突起部２が中心Ｏからずれるにしたがって拡散ゲー
ジ３の出力電圧も小さくなり、その結果として検出感度
が低下する。また、過大な圧力が加わるとシリコンダイ
アフラム１が破損するという問題もあった。

【０００６】上記の特開平２−２１６０２４号公報に開
示された圧力センサは、大面積のダイアフラムに設けら
れる突起部（ロッド部）の先端を平坦な面に形成してい
るが、突起部をシリコンダイアフラムに接触させたと
き、両ダイアフラムが相対的に位置ずれしている場合、
シリコンダイアフラムの突起部が接触する接触部位が一
定せず、リコンダイアフラムの撓み量がまちまちで所望
の感度が得られないという問題があった。

【０００７】本発明は上記した従来の問題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、組付作
業が容易で２つのダイアフラムが相対的に位置ずれした
場合でも所望の検出感度が得られ、また過大な圧力によ
るセンサの破損を確実に防止することができるようにし
た圧力検出装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第１の発明は、第１のダイアフラムが受ける圧力をそ
の中央に設けた圧力伝達部により第２のダイアフラムに
集中的な荷重として伝達し、この第２のダイアフラムの
撓みを電気信号に変換する圧力検出装置において、前記
第２のダイアフラムは、前記圧力伝達部が接触する突設
部を備えているものである。

【０００９】第２の発明は上記第１の発明において、前
記圧力伝達部が前記突設部と接触可能な平坦面を備え、
この平坦面を前記突設部の接触部より大きくしたもので
ある。

【００１０】第３の発明は上記第１または第２の発明に
おいて、ハウジングの内部を第１のダイアフラムによっ
て低圧室と高圧室に仕切り、ハウジング内の高圧室側に
第２のダイアフラムを有する半導体圧力センサを配置
し、前記第１のダイアフラムを前記第２のダイアフラム
方向に付勢し前記第２のダイアフラムを変形させる付勢
手段を設けたものである。

【００１１】第１、第２の発明において、第１のダイア
フラムは表裏面に被測定流体が導かれると、その差圧に
よって変位する。第１のダイアフラムが変位すると圧力
伝達部材はこの差圧を集中的な荷重として第２のダイア
フラムに伝達する。第２のダイアフラムは第１のダイア
フラムの圧力伝達部が接触する突設部を有しているの
で、第１のダイアフラムが相対的に位置ずれしていても
常に突設部に荷重が伝達され、位置ずれを吸収する。圧
力伝達部としては先端が平坦面に限らず尖った突起であ
ってもよい。突設部の接触部としては、点と面のいずれ
であってもよい。圧力伝達部と突設部を点状に接触させ
る場合は、いずれか一方を尖った突起とし、他方を平坦
面に形成して凹部を設け、この凹部の底面に尖った突起
を接触させればよい。好ましい形態は、平坦面どうしの
接触で、その場合位置ずれ吸収効果を高めるために圧力
伝達部の平坦面を突設部の平坦面より大きく形成するこ
とが望ましい。第３の発明において、圧力伝達部は付勢
手段によって付勢されることにより第２のダイアフラム
を撓ませている。この状態における第２のダイアフラム
の撓み量は最も大きく、これ以上に撓むことはない。高
圧室の圧力が低圧室の圧力より高くなると、その差圧に
より付勢手段の付勢力が弱められ、第１のダイアフラム
を低圧室側に変位させる。第１のダイアフラムが低圧室
側に変位すると、第２のダイアフラムの撓みは減少す
る。したがって、第１のダイアフラムに過大な圧力が加
えられても第２のダイアフラムは破損することがない。
付勢手段としては、圧縮コイルばね、ゴム等の弾性部
材、磁石などが用いられる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る圧
力検出装置の一実施の形態を示す断面図、図２は圧力伝
達部と半導体圧力センサの拡大断面図、図３は半導体基
板の平面図である。本実施の形態においては、圧力検出
素子としてピエゾ抵抗式の半導体圧力センサを用いた例
を示す。圧力検出装置１０は、ベースプレート１１とカ
バー１２とで構成されたハウジング１３を備え、このハ
ウジング１３の内部に第１のダイアフラム１４が配設さ
れている。

【００１３】前記第１のダイアフラム１４は、通常燐青
銅、ベリリウム銅、ステンレス鋼などの薄膜状金属板ま
たはゴムによってカップ状に製作され、加工時に半径方
向に波形の襞を同心円状に付けることによりコンプライ
アンスを大きくし、言い換えればダイアフラムを柔らか
くし、荷重−変位の式を満足する線形域を広くしてい
る。また、第１のダイアフラム１４は、上面中央に一体
に突設された圧力伝達部１５を有し、開口端側にはフラ
ンジ１４ａが一体に設けられて支持脚を構成し、前記ベ
ースプレート１１とカバー１２とによって挟持されるこ
とによりハウジング１３の内部を高圧室１６と低圧室１
７に仕切っている。前記圧力伝達部１５は円柱状に形成
されており、その上面は平坦面１５ａを形成している。
前記高圧室１６と前記低圧室１７には、圧力がそれぞれ
ＰH ，ＰL の被測定流体１８ａ，１８ｂが前記ベースプ
レート１１とカバー１２に設けた圧力導入口１９，２０
より導かれる。

【００１４】また、前記ハウジング１３の内部で前記低
圧室１７側には、半導体圧力センサ２３がプリント配線
板２２に搭載されることによって配設されている。プリ
ント配線板２２は、前記第１のダイアフラム１４の上方
にこれと近接して対向するように配設され、中央には前
記圧力伝達部１５が貫通する穴２４が形成されており、
この穴２４を覆うように前記半導体圧力センサ２３がプ
リント配線板２２の表面側に配設されている。また、プ
リント配線板２２の適宜箇所には、表面側と裏面側を連
通させる連通孔２６が形成されるとともに、電線２７の
一端が接続されている。

【００１５】前記半導体圧力センサ２３は、前記プリン
ト配線板２２の表面に固定された基台３１と、この基台
３１の上面に静電接合された半導体基板３２を備えてい
る。基台３１は、プレート２９と、このプレート２９の
上面に接合された筒体３０とで構成され、プレート２９
が前記プリント配線板２２の上面で前記穴２４の周縁部
に固定され、筒体３０の上面に前記半導体基板３２が接
合されている。プレート２９は半導体基板３２と略同一
の大きさを有する正方形に形成され、中央に前記穴２４
と略同一の大きさの穴２９ａを有している。筒体３０
は、プレート２９と略同じ大きさの角筒体で、中心に前
記穴２９ａより大きい貫通穴３０ａを有している。この
ようなプレート２９と筒体３０は、半導体基板３２と線
膨張係数が近似した絶縁材料、例えばパイレックスガラ
ス（商品名）、セラミックス等によって形成されてい
る。

【００１６】前記半導体基板３２はｎ型単結晶Ｓｉ（シ
リコン）等からなり、裏面中央部がエッチングによって
除去されることにより形成された厚さ２０μｍ〜５０μ
ｍ程度の起歪部、すなわちシリコンダイアフラム（第２
のダイアフラム）３４と、このシリコンダイアフラム３
４の外周を取り囲む厚肉の固定部３２ａと、シリコンダ
イアフラム３４の裏面中央に突設され後述する突設部３
７の一部を構成する突起３８とからなり、固定部３２ａ
が前記筒体３０の上面に静電接合されている。シリコン
ダイアフラム３４は、第１のダイアフラム１４に比べて
十分に小さく形成され、その表面外周部寄りにはピエゾ
抵抗領域として作用する４つのゲージ３５が不純物の拡
散またはイオン打ち込み技術により形成されている。そ
して、これらのケージ３５はホイートストーンブリッジ
を構成し、リード線３６によって前記プリント配線板２
２の電気回路に接続されている。

【００１７】前記半導体基板３２の裏面中央には、前記
突設部３７が前記第１のダイアフラム１４の圧力伝達部
１５に対応して設けられている。この突設部３７は、前
記シリコンダイアフラム３４の裏面中央に突設された前
記突起３８と、この突起３８の下面に接合されたカップ
状の部材３９と、この部材３９の下面中央に同じく接合
された円柱状の部材４０の３部材によって構成されてい
る。突起３８、部材３９，４０の軸線は略一致してい
る。部材３９，４０は半導体基板３２と線膨張係数が近
似したパイレックスガラスまたはシリコン等の材料によ
って形成されている。部材３９と前記プレート２９、半
導体基板３２との間には、シリコンダイアフラム３４の
最大撓み量以下の隙間Ｇ（１〜２μｍ程度）がそれぞれ
設定されており、プレート２９が部材３９の下方への移
動を制限する下限ストッパとして機能し、半導体基板３
２の固定部３２ａが上方への移動を制限する上限ストッ
パとして機能し、これらによってシリコンダイアフラム
３４の過大圧力保護機構を構成している。部材４０は前
記圧力伝達部１５の平坦面１５ａと接触する接触面（接
触部）４０ａを備えている。この接触面４０ａの面積
は、前記平坦面１５ａより小さい。

【００１８】このような構造からなる圧力検出装置１０
において、被測定流体１８ａ，１８ｂの圧力ＰH ，ＰL
をハウジング１３の高圧室１６と低圧室１７にそれぞれ
導くと、その差圧ΔＰ（＝ＰH −ＰL ）に応じて第１の
ダイアフラム１４が上方へ変位する。この変位は圧力伝
達部１５を介して突設部３７に集中的な荷重として伝達
され、シリコンダイアフラム３４を図２に二点鎖線で示
すように上方へ撓ませる。シリコンダイアフラム３４が
撓むとそれに応じて各拡散ゲージ３５の比抵抗が変化す
るため、このときの抵抗変化に伴う出力電圧を検出する
ことにより差圧ΔＰを測定することができる。

【００１９】ここで、圧力ＰH とＰL の差圧ΔＰが半導
体圧力センサ２３のみでは検出できないほど微小な圧力
であっても、第１のダイアフラム１４によって圧力が増
幅されて半導体圧力センサ２３に伝達されるので、結果
として圧力検出装置１０の検出感度が増大し、微小な圧
力を検出することができる。

【００２０】また、加工誤差、組付誤差等によって第１
のダイアフラム１４と半導体圧力センサ２３が相対的に
位置ずれして組み付けられ、両ダイアフラム１４，３４
の中心が距離ｄ（図２）だけずれている場合でも、シリ
コンダイアフラム３４における荷重伝達面３８（ａ）の
位置（突設部３７の根元）は変化しない。また、圧力伝
達部１５が接触する接触面４０ａの位置も変化しない。
そのため、シリコンダイアフラム３４は常に同じ位置で
荷重の伝達を受けるので、圧力が同じであればシリコン
ダイアフラム３４の撓み量は常に同じになる。したがっ
て、製品毎に検出感度がばらついたりせず、所望の検出
感度が得られる。また、加工誤差、組付誤差等による相
対的な位置ずれに影響されないので、加工および組付作
業が容易である。

【００２１】また、突設部３７の上下動は、プレート２
９、半導体基板３２および部材３９からなる過大圧力保
護機構によってシリコンダイアフラム３４の最大撓み量
以下に制限されているので、第１のダイアフラム１４に
過大な圧力が加わっても半導体圧力センサ２３の破損を
防止することができる。

【００２２】図４は本発明の他の実施の形態を示す断面
図、図５は圧力伝達部と半導体圧力センサの拡大断面図
である。なお、上記した実施の形態と同一構成部材のも
のについては同一符号をもって示し、その説明を適宜省
略する。本実施の形態においては圧力検出素子として静
電容量式半導体圧力センサを用いた例を示す。

【００２３】圧力検出装置５０は、第１のダイアフラム
１４と仕切壁５１によって内部が下から低圧室１７、高
圧室１６およびセンサ室５２に仕切られたハウジング５
３を備え、低圧室１７に第１のダイアフラム１４を高圧
室１６側に付勢する付勢手段５４を配設し、センサ室５
２に静電容量式の半導体圧力センサ５５をプリント配線
板２２とともに配設している。仕切壁５１の中央には、
穴５６が形成されており、この穴５６を第１のダイアフ
ラム１４が受ける力を半導体圧力センサ５５に伝達する
圧力伝達部１５が貫通している。

【００２４】前記圧力伝達部１５は、前記第１のダイア
フラム１４の中央に固定された下方に開放する筒状の第
１の圧力伝達部材５７と、この第１の圧力伝達部材５７
の上方に位置し前記仕切壁５１に固定された第２の圧力
伝達部材５８とで構成されている。第１の圧力伝達部材
５７は、前記付勢手段５４によって前記第２の圧力伝達
部材５８に圧接されている。第２の圧力伝達部材５８
は、柱状部５８ａと、この柱状部５８ａの下端に設けら
れた弾性変形自在な隔壁部５８ｂとからなり、この隔壁
部部５８ｂの外周縁部が前記仕切壁５１の下面に固定さ
れ、穴５６を閉塞している。柱状部５８ａはプリント配
線板２２の穴２４を貫通している。そして、第１、第２
の圧力伝達部材５７，５８の上面は、ともに平坦面５７
ａ，５８ｃに形成されている。

【００２５】前記付勢手段５４としては圧縮コイルばね
６０が用いられ、前記第１の圧力伝達部材５７と、ハウ
ジング５３の下面側に螺合された調整ねじ６１との間に
弾装されている。調整ねじ６１を回転させて上下動させ
ると圧縮コイルばね６０のばね力を可変設定することが
できる。なお、付勢手段５４としては圧縮コイルばね以
外にもゴム等の弾性部材や磁石を用いることが可能であ
る。

【００２６】前記半導体圧力センサ５５は、プリント配
線板２２の上に固定された基台６３と、この基台６３上
に設置された半導体基板６４とで構成されている。プリ
ント配線板２２は、前記第２の圧力伝達部材５８が貫通
する穴２４と、連通孔２６を有している。前記基台６３
はパイレックスガラスやシリコン等の材料によってリン
グ状に形成され、前記プリント配線板２２の上面で穴２
４の周囲に固定されている。

【００２７】前記半導体基板６４はｎ型単結晶Ｓｉ（シ
リコン）等からなり、裏面中央部がエッチングによって
除去されることにより形成された厚さ２０μｍ〜５０μ
ｍ程度のシリコンダイアフラム（第２のダイアフラム）
６５と、シリコンダイアフラム６５を取り囲む厚肉の固
定部６４ａと、シリコンダイアフラム６５の裏面中央に
突設された突設部６８とで構成され、固定部６４ａが前
記基台６３の上面に静電接合されている。基台６３の上
面とシリコンダイアフラム６５の裏面外周部寄りには、
リング状に形成された固定電極６９と可動電極７０が互
いに対向するように設けられている。これらの電極６
９，７０は、リード線３６によってプリント配線板２２
の電気回路に接続されている。前記突設部６８の下面に
は、前記第２の圧力伝達部材５８が付勢手段５４によっ
て圧接されており、これによって前記シリコンダイアフ
ラム６５を上方に向かって凸曲面状に変形させている。
突設部６８の下面は、前記第２の圧力伝達部材５８の平
坦面５８ｃとの接触点（接触部）６８ａを形成してお
り、その面積は前記平坦面５８ｃの面積より十分に小さ
く設定されている。

【００２８】このような構造において、被測定流体１８
ａ，１８ｂの圧力ＰL ，ＰH を低圧室１７と高圧室１６
に導くと、第１のダイアフラム１４はその差圧ΔＰ（Ｐ
H −ＰL ）により圧縮コイルばね６０に抗して下方へ変
位し、圧力伝達部１５を引き下げる。このため、シリコ
ンダイアフラム６５は下方へ変位して固定電極６９と可
動電極７０の間隔を狭める。したがって、両電極間の静
電容量が変化し、その容量変化を検出することにより差
圧ΔＰを測定することができる。

【００２９】また、第１のダイアフラム１４と半導体圧
力センサ５５が相対的に位置ずれしていても、シリコン
ダイアフラム６５における荷重伝達面６８ｂの位置は変
化しない。また、圧力伝達部１５が接触する接触点６８
ａの位置も変化しない。そのため、シリコンダイアフラ
ム６５は常に同じ位置で荷重の伝達を受けるので、上記
した実施の形態と同様に所望の検出感度が得られる。ま
た、製造、組付作業が容易である。

【００３０】また、シリコンダイアフラム６５は、圧力
ＰH と圧力ＰL の差圧ΔＰが零のとき最大に変形してお
り、差圧ΔＰが生じると、撓みが減少する方向に変形す
るので、第１のダイアフラム１４に過大な圧力が加わっ
ても破損することはない。

【００３１】なお、他の実施の形態として、突設部がシ
リコンダイアフラムの表面側に形成されたものであって
もよいし、第１のダイアフラムの圧力伝達部は突設した
ものでなく、ダイアフラムそのものであってもよい。ま
た、図４に示した実施の形態においては、第１のダイア
フラム１４と仕切壁５１によって低圧室１７，高圧室１
６およびセンサ室５２に仕切った例を示したが、これに
限らず第１のダイアフラム１４によって低圧室１６と高
圧室１７に仕切、高圧室１７側に第２のダイアフラムを
有する半導体圧力センサ５５を配置し、第１のダイアフ
ラム１４を付勢手段５４によって高圧室１７側に付勢す
る構成としてもよく、その場合は上記した第２の圧力伝
達部材５８が不要で、第１の圧力伝達部材５７をシリコ
ンダイアフラムの突設部に直接接触させればよく、構造
を簡素化することができる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように第１の発明に係る圧
力検出装置においては、第１のダイアフラムに圧力伝達
部を設け、第２のダイアフラムに圧力伝達部が接触する
突設部を設けたので、組付誤差、部品の加工誤差等によ
り両ダイアフラムが相対的に位置ずれしていても常に第
２のダイアフラムの同じ位置に荷重を伝達することがで
きる。したがって、所望の検出感度が得られ、また製
造、組付作業が容易である。

【００３３】また、第２の発明に係る圧力検出装置にお
いては、圧力伝達部に突設部と接触する平坦面を形成
し、この平坦面を突設部の接触部より大きくしたので、
突設部における接触点が位置ずれせず、大きな位置ずれ
吸収効果が得られる。

【００３４】また、第３の発明に係る圧力検出装置にお
いては、第１の発明と同様な効果を有するとともに、第
１のダイアフラムを付勢手段によって高圧室側に付勢す
ることにより差圧が零のとき第２のダイアフラムを変形
させておき、差圧が生じると第１のダイアフラムを付勢
手段に抗して低圧室側に変形させ、第２のダイアフラム
を撓みが減少する方向に変形させるように構成したの
で、第１のダイアフラムに過大な圧力が加わっても第２
のダイアフラムが破損することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る圧力検出装置の一実施の形態を
示す断面図である。

【図２】 圧力伝達部と半導体圧力センサの拡大断面図
である。

【図３】 半導体基板の平面図である。

【図４】 本発明を静電容量式の圧力検出装置型に適用
した実施の形態を示す断面図である。

【図５】 圧力伝達部と半導体圧力センサの拡大断面図
である。

【図６】 相対的位置ずれがある場合とない場合のダイ
アフラムの撓み方の違いを示す図である。

【符号の説明】

１０…圧力検出装置、１３…ハウジング、１４…第１の
ダイアフラム、１５…圧力伝達部、１５ａ…平坦面、１
６…高圧室、１７…低圧室、１８…被測定流体、２２…
基板、２３…半導体圧力センサ、３４…シリコンダイア
フラム（第２のダイアフラム）、３５…拡散ゲージ、３
７…突設部、４０ａ…接触部、５１…仕切壁、５２…セ
ンサ室、５３…ハウジング、５４…付勢手段、５５…半
導体圧力センサ、５６…穴、５８ｂ…隔壁部、６０…圧
縮コイルばね、６８…突設部、６８ａ…接触点、６９…
固定電極、７０…可動電極。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１のダイアフラムが受ける圧力をその
   中央に設けた圧力伝達部により第２のダイアフラムに集
   中的な荷重として伝達し、この第２のダイアフラムの撓
   みを電気信号に変換する圧力検出装置において、 前記第２のダイアフラムは、前記圧力伝達部が接触する
   突設部を備えていることを特徴とする圧力検出装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の圧力検出装置において、 前記圧力伝達部は、前記突設部と接触可能な平坦面を備
   え、この平坦面は前記突設部の接触部より大きいことを
   特徴とする圧力検出装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の圧力検出装置に
   おいて、 ハウジングの内部を第１のダイアフラムによって低圧室
   と高圧室に仕切り、ハウジング内の高圧室側に第２のダ
   イアフラムを有する半導体圧力センサを配置し、前記第
   １のダイアフラムを前記第２のダイアフラム方向に付勢
   し前記第２のダイアフラムを変形させる付勢手段を設け
   たことを特徴とする圧力検出装置。