JP2001154215A

JP2001154215A - 導電性フィルムおよびその作製方法

Info

Publication number: JP2001154215A
Application number: JP33912899A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Tani; 善夫谷; Ken Kawada; 憲河田
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-11-30
Filing date: 1999-11-30
Publication date: 2001-06-08

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な工程により作製し得る、良好な導電性
能を有する導電性フィルムを提供する。【解決手段】支持体１２と、該支持体１２上に金属ア
セチリドを含有する塗布液を塗布し、加熱処理してなる
導電層１４とを有し、該導電層１４の表面電気抵抗が５
００Ω／□以下である導電性フィルム１０である。好ま
しくは、金属アセチリドに含まれる金属元素が、銀、
金、銅、アルミニウム、ニッケル、およびパラジウムか
らなる金属元素群から選ばれるいずれかの金属元素であ
る導電性フィルム１０である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性フィルム、
およびその作製方法に関し、より詳細には、フレキシブ
ル配線板（ＰＷＢ）、フレキシブル銅張積層板（ＦＣ
Ｌ）、電磁波シールド（ＥＭＩ）フィルタとして利用し
得る導電性フィルタおよびその作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】導電性フィルムは、一般的に、フレキシ
ブルな高分子フィルム上に導電性薄膜を形成したもので
あり、柔軟性、および軽量性を有し、且つ、小型化およ
び薄型化が容易である。近年、ディスプレイ機器、通信
機器をはじめとする民生機器に対する、小型化および軽
量化への要求が強く、導電性フィルムについては、種々
の民生機器の電子部品としての用途が拡大している。例
えば、高分子フィルム上に、銅導体を接着したフレキシ
ブル銅張積層板は、小型電子機器のプリント配線板とし
て種々使用されている。また、金属からなるメッシュパ
ターンを有する導電性フィルムは、電磁波シールドフィ
ルタの部材として利用されている。

【０００３】前記フレキシブル銅張積層板（ＦＣＬ）に
は、銅導体と基板フィルムとを接着する接着層を有する
３層ＦＣＬと、接着層が設けられていない２層ＦＣＬと
がある。耐熱性が必要な回路板への適用や、超薄型の用
途には、接着剤が不要な２層ＦＣＬが有利である。従
来、２層ＦＣＬの製造方法としては、スパッタリング法
を利用して高分子フィルム上に導体層を形成する方法が
知られている。しかし、前記スパッタリング法は、導体
層と高分子フィルム支持体との密着性が充分でなく、性
能信頼性が低いという問題がある。また、生産工程が煩
雑であるととともに、生産コスト高になるという問題が
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
に鑑みなされたものであって、簡易な工程により作製し
得る、良好な導電性能を有する導電性フィルムを提供す
ることを目的とする。また、本発明は、簡易な工程によ
り、且つ低コストで、良好な導電性能を有する導電性フ
ィルムを安定的に製造する方法を提供することを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段は以下の通りである。＜１＞支持体と、該支持体上に金属アセチリドを含有
する塗布液を塗布し、加熱処理してなる導電層とを有
し、該導電層の表面電気抵抗が５００Ω／□以下である
導電性フィルム。＜２＞金属アセチリドに含まれる金属元素が、銀、
金、銅、アルミニウム、ニッケル、およびパラジウムか
らなる金属元素群から選ばれるいずれかの金属元素であ
る＜１＞に記載の導電性フィルム。＜３＞支持体が、短期耐熱温度が１５０℃以上である
＜１＞または＜２＞に記載の導電性フィルム。＜４＞導電層上に、導電層をメッキ核として形成して
なるメッキ層を有する＜１＞から＜３＞までのいずれか
に記載の導電性フィルム。＜５＞導電層が合金を含有する＜１＞から＜４＞まで
のいずれかに記載の導電性フィルム。

【０００６】＜６＞少なくとも金属アセチリドを含有
する塗布液を支持体上に塗布し、加熱処理して、導電層
を形成する第１の工程と、形成された前記導電層を、パ
ラジウム、錫、および銀からなる金属元素群から選ばれ
るいずれかの金属元素のイオンを含有する酸性溶液に少
なくとも接触させて処理する第２の工程とを有する導電
性フィルムの作製方法。＜７＞第２の工程の後、導電層をメッキ核として、前
記導電層上にメッキ層を形成する第３の工程を有する＜
６＞に記載の導電性フィルムの作製方法。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の導電性フィルムの第１の
実施形態の概略断面図を図１に示す。導電性フィルム１
０は、高分子フィルムからなる支持体１２と、その上
に、導電層１４とを有する。導電層１４は、その表面１
４ａの電気抵抗は５００Ω／□以下、好ましくは２００
Ω／□以下である。前記導電層１４は、金属アセチリド
を含有する塗布液を塗布し、加熱処理してなるので、支
持体１２との密着性が高いとともに、高い導電性を有す
る。また、金属アセチリドを含む塗布液は塗布適正に優
れているので、生産性が良好である。

【０００８】以下、導電性フィルム１０の作製方法につ
いて説明する。まず、金属アセチリドを含有する塗布液
を調製する。金属アセチリドを含有する塗布液は、炭
素−炭素三重結合を有するモノマーおよび金属元素を有
する金属化合物を所定の溶媒に分散および／または溶解
する（以下、「塗布液」という）ことによって、ある
いは金属アセチリドを所定の溶媒に分散および／また
は溶解する（以下、「塗布液」という）ことによって
調製することができる。塗布液では、溶媒中で炭素−
炭素結合を有するモノマーと金属元素が反応することに
よって、前記モノマーの一部または全部が金属アセチリ
ドに変化する。前記塗布液において、前記炭素−炭素
三重結合を有するモノマーとしては下記一般式（１）で
表される化合物が好ましい。

【０００９】

【化１】

【００１０】前記一般式（１）中、Ａはポリオキシエー
エル基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテ
ル基を表し、Ｒ¹は水素元素、カルボキシル基もしくは
その塩、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、または
複素環基を表し、Ｌは炭素−炭素三重結合とＡとを連結
する化学結合、もしくは（ｋ＋ｍ）価の基を表し、ｋお
よびｎは各々１以上の整数を表し、ｍは０以上の整数を
表す。

【００１１】また、前記一般式（１）において、Ａはさ
らに水酸基、アミノ基、メルカプト基、スルフィノ基も
しくはその塩、スルホ基もしくはその塩、カルボキシル
基もしくはその塩、または重合性の基で置換されていて
もよい。前記重合性の基としては、例えば、グリシジル
基、ビニル基、イソシアナート基等が挙げられる。

【００１２】前記一般式（１）において、Ｒ¹は水素元
素、カルボキシル基もしくはその塩、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール
基、アラルキル基、または複素環基を表す。前記一般式
（１）中、Ｒ¹が表すアルキル基としては、炭素原子数
１〜１０のアルキル基が好ましく、アルキル基は直鎖状
であっても分岐していてもよい。また、Ｒ¹が表すシク
ロアルキル基としては、炭素原子数５〜６のシクロアル
キル基が好ましい。Ｒ¹が表すアルケニル基としては、
炭素原子数２〜１０のアルケニル基が好ましく、アルケ
ニル基は直鎖状であっても分岐していてもよい。Ｒ¹が
表すアルキニル基としては、炭素原子数２〜１０のアル
キニル基が好ましく、アルキニル基は直鎖状であっても
分岐していてもよい。Ｒ¹が表すアリール基しては、炭
素原子数６〜１０のアリール基が好ましい。Ｒ¹が表す
アラルキル基としては、炭素原子数７〜１０のアラルキ
ル基が好ましい。Ｒ¹が表す複素環基としては、窒素原
子、硫黄原子、または酸素原子等を含む、５〜６員環か
らなる複素環基が好ましい。Ｒ¹が表すアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリー
ル基、アラルキル基、および複素環基は各々置換されて
いてもよく、置換基としては、水酸基、アセチル基、エ
ポキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられ
る。

【００１３】前記一般式（１）において、Ｌは炭素−炭
素三重結合とＡを連結する化学結合、もしくは（ｋ＋
ｍ）価の基を表す。例えば、Ｌは、各々置換されていて
もよいアルキレン基、アリール基、アラルキレン基、ビ
ニレン基、シクロアルキレン基、グルタロイル基、フタ
ロイル基、ヒドラゾ基、ウレイレン基、チオ基、カルボ
ニル基、オキシ基、イミノ基、スルフィニル基、スルホ
ニル基、チオカルボニル基、オキザリル基、アゾ基等を
表す。また、前記いずれかの基を２種以上組み合わせた
基であってもよい。尚、Ｌは、さらに種々の置換基で置
換されていてもよく、該置換基としては、Ａの置換基と
して例示した基が挙げられる。

【００１４】前記一般式（１）において、ｋおよびｌ
は、各々、１以上の整数を表す。ｋは１〜４の整数であ
るのが好ましく、ｌは１〜２の整数であるのが好まし
い。また、前記一般式（１）において、ｍは０以上の整
数を表し、中でも、１〜３の整数であるのが好ましい。

【００１５】前記一般式（１）で表される化合物につい
て、以下に、具体例（１）〜（１６）を示す。

【００１６】

【化２】

【００１７】

【化３】

【００１８】炭素−炭素三重結合を有するモノマーとし
ては、具体例（１）が好ましい。

【００１９】前記塗布液に含有される金属元素は、周
期律表８族および１Ｂ族元素から選ばれるいずれかの元
素であるのが好ましい。周期律表８族元素としては、例
えば、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、
白金等が挙げられ、また１Ｂ族元素としては銅、銀、金
が挙げられる。中でも、金属元素は、銀、金、銅、アル
ミニウム、ニッケル、またはパラジウムであるのが好ま
しく、銀または銅であるのがより好ましい。また、前記
元素は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用
してもよい。前記金属元素は、金属塩および金属錯体の
形態で前記塗布液の調製に用いられるのが好ましい。前
記金属塩としては、硝酸銀、酢酸銀、四フッ化ホウ素酸
銀、塩化パラジウム、塩化第一銅、塩化白金等が挙げら
れる。前記金属錯体としては、ジ−μ−クロロビス（η
−２−メチルアリル）ジパラジウム（II）錯体、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム錯体、ジ−
μ−クロロテトラカルボニルジロジウム（Ｉ）錯体、
１，４，７，１０，１３−ペンタオキシシクロドデカン
・ナトリウムテトラクロルバナジナイト、ジシクロペン
タジエン−金（Ｉ）クロリド等が挙げられる。尚、塗
布液にも、前記金属元素の金属塩および／または金属錯
体を含有させてもよい。

【００２０】前記塗布液に用いられる金属アセチリド
は、下記一般式（２）で表される化合物であるのが好ま
しい。

【００２１】

【化４】

【００２２】前記一般式（２）中、Ａはポリオキシエー
エル基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテ
ル基を表し、Ｒ²は金属元素を表し、Ｌは炭素−炭素三
重結合とＡとを連結する化学結合、もしくは（ｋ＋ｍ）
価の基を表し、ｋおよびｎは各々１以上の整数を表し、
ｍは０以上の整数を表す。前記一般式（２）中の、Ａ、
Ｌ、ｋ、ｎ、およびｍについては、前記一般式（１）の
各々と同義であり、好ましい例も同様である。

【００２３】前記一般式（２）中、Ｒ²は金属元素を表
す。Ｒ²が表す金属元素としては、水素を除く１Ａ族
（アルカリ元素）、１Ｂ族（銅族）、２Ａ族（アルカリ
土類元素）、２Ｂ族（亜鉛族）、ホウ素を除く３Ｂ族、
炭素とケイ素を除く４Ｂ族、８族（鉄族および白金
族）、３Ａ族、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族および７Ａ族に
属する元素とアンチモン、ビスマス、ポロニウムが挙げ
られる。中でも、Ｒ²は、銀、金、銅、アルミニウム、
ニッケル、またはパラジウム原子であることが好まし
く、銀または銅原子であるのが好ましい。尚、前記塗
布液には、前記塗布液と同様に金属元素を含有させて
もよい。

【００２４】前記一般式（２）で表される化合物の具体
例としては、前記一般式（１）の具体例で示した化合物
（１）〜（１６）において、Ｒ¹に相当する基を金属元
素に置換した化合物が挙げられる。中でも、具体例
（１）のアセチレン基の末端水素原子が金属元素、特に
銀元素に置換された化合物が好ましい。

【００２５】尚、前記一般式（１）および一般式（２）
中、Ｒ¹およびＲ²とアセチレン基との結合は、各々、σ
結合であってもπ結合であってもよい。

【００２６】前記および塗布液の調製に用いられる
溶媒としては、純水、または有機溶媒を用いることがで
きる。特に、塗布液に含有される金属アセチリドは、
純水に対しても分散性および／または溶解性が高いの
で、純水を溶媒として塗布液を調製することができ、生
産工程の環境安全性が向上するので好ましい。前記有機
溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトンのようなケトン類、クロロホルム、塩化メチレン
のようなハロゲン化合物、酢酸エチルのようなエステル
類、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンのようなアミド類、アセトニ
トリルのようなニトリル類、ジエチルエーテル、エチル
メチルエーテル等のエーテル類、メトキシエチルアセテ
ート、メトキシプロピルアセテートの様なアセテート類
が挙げられる。

【００２７】前記塗布液においては、金属アセチリド
は溶解または０．１μｍ以下の分散粒子径で溶媒中に分
散しているのが、導電層１４を均一な層厚で形成できる
ので好ましい。尚、前記塗布液の調製時には、塗布液
中に含有される金属元素とモノマーとが反応して金属ア
セチリドが生成するが、生成した金属アセチリドは溶解
または前記範囲の分散粒子径で溶媒中に分散しているの
が好ましい。

【００２８】前記および塗布液中におけるモノマー
等の分散性および／または溶解性を向上させることを目
的として、各々の塗布液中に界面活性剤を含有させても
よい。界面活性剤としては、フッ素系、アンモニウム塩
系、スルホン酸塩系、エチレンオキサイド系界面活性剤
等が挙げられる。その他、前記および塗布液中に
は、各々、バインダ樹脂、可塑剤、増粘剤等を含有させ
てもよい。

【００２９】調製した前記塗布液を、高分子フィルムか
らなる支持体１２の表面に塗布し、その後、加熱する。
加熱時には、金属アセチリド（塗布液では、塗布液中
に生成した金属アセチリド）が重合して導電層１４が形
成されるとともに、導電層１４に含まれる有機成分の一
部が分解する。その結果、導電層１４と高分子フィルム
からなる支持体１２との間は極めて高い密着力により密
着し、且つ導電層１４に含有される金属成分の割合が増
大し、導電層１４は高い導電性を示す。特に、本実施の
形態では、高分子フィルムを支持体１２として用いてい
るが、金属アセチリド（塗布液では塗布液中で生成す
る金属アセチリド）は低温分解性を有するので、高分子
フィルムの耐熱温度範囲で加熱することによって、高い
導電性を有する導電層１４を形成できる。加熱温度は、
１５０℃〜３００℃であるのが好ましく、１７０℃〜２
００℃であるのがより好ましい。さらに、加熱時間は３
０秒〜５分が好ましく、より好ましくは１０秒〜３分で
ある。

【００３０】支持体１２は、導電層１４形成時の熱処理
に耐える必要があるので、支持体１２に用いられる高分
子フィルムとしては、短期耐熱温度が１５０℃以上であ
るのが好ましい。例えば、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる高分子フィ
ルムが好ましい。尚、短期耐熱温度とは、非晶性ポリマ
ーではガラス転移温度（Ｔｇ）を、結晶性ポリマーでは
Ｔｍ−５０℃（Ｔｍは融点℃）をいう。

【００３１】次に、形成された導電層１４を、パラジウ
ム、錫、および銀からなる金属元素群から選ばれるいず
れかの金属元素のイオンを含有する酸性溶液に少なくと
も接触させ、例えば、浸漬して処理する。この処理によ
って、酸性溶液中に含まれる前記金属元素イオンが、導
電層１４の表面にイオン的に析出し、導電層１４中の金
属と合金化する。その結果、導電層１４の表面電気抵抗
は５００Ω／□以下、好ましくは２００Ω／□以下にな
る。金属元素イオンを含有する前記酸性溶液は、金属塩
を酸性溶液に溶解することによって調製できる。用いる
金属塩としては、塩化パラジウム、塩化錫、臭化銀等が
挙げられる。

【００３２】中でも、パラジウムのイオンを含有する酸
性溶液を用いるのが好ましい。特に、銀の金属アセチリ
ドから導電層１４を形成した場合は、銀とパラジウムの
合金が形成されることで、導電層回路間に生じるマイグ
レーションを軽減することができる。

【００３３】前記酸性溶液による処理後、導電層１４の
表面を純水等で洗浄するのが好ましい。また、洗浄後、
室温〜１５０℃で乾燥するのが好ましい。

【００３４】前記酸性溶液による処理後、導電層１４中
に含有される金属元素の量は０．２ｇ／ｍ²以上である
と、表面電気抵抗を低下させることができるので好まし
く、０．５ｇ／ｍ²以上であるのがより好ましい。

【００３５】導電層１４の層厚は、０．０５μｍ以上１
μｍ以下であるのが好ましく、０．１μｍ以上０．５μ
ｍ以下であるのがより好ましい。導電層１４の層厚は、
塗布液の塗布量を調整することによって、好ましい範囲
にすることができる。また、支持体１２として透明なフ
ィルムを用いるとともに、導電層１４を光透過性とする
と、例えば、電磁波シールドフィルム等の光透過性が要
求される部材に利用することができる。塗布液（金属
塩粒子を別途添加しない塗布液）を用いて導電層１４を
形成することによって、導電層１４を光透過性とするこ
とができる。

【００３６】本実施の形態において、支持体１２と導電
層１４との密着性をより向上させることを目的として、
支持体１２と導電層１４との間に下塗り層を設けてもよ
い。下塗り層の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、フェノール樹脂、およびポリエステル樹脂が好ま
しい。また、本実施の形態では、支持体１２の片面にの
み導電層１４を形成したが、これに限定されず、用途に
応じて、支持体１２の両面に導電層１４を形成してもよ
い。

【００３７】前記作製方法の各工程は、真空室等で行う
必要はなく、スパッタリングによる作製工程と比較し
て、工程が簡易であるとともに、導電性フィルムの生産
コストを軽減することができる。また、接着剤を使用し
ていないので、耐熱性が要求される部材、例えば、回路
板等の部材として使用することができる。

【００３８】本発明の導電性フィルムの第２の実施の形
態の概略断面図を図２に示す。導電性フィルム２０は、
導電性フィルム１０の導電層１４上に、導電層１４をメ
ッキ核として形成してなるメッキ層１６を有する。導電
層１４の表面１４ａの表面電気抵抗は５００Ω／□以下
であるので、メッキ核として機能させることができ、導
電層１４上にメッキ層を容易に形成することができる。

【００３９】電解メッキ処理は、通常の方法に従って実
施することができる。メッキ浴に含有させる金属として
は、ニッケル、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム
が好ましい。本実施の形態の導電性フィルムを、フレキ
シブル銅張積層板、あるいは電磁波シールドフィルタに
適用する場合は、メッキ浴として銅メッキ浴を使用する
のが好ましい。銅メッキ浴としては、硫酸銅浴、ピロリ
ン酸銅浴が挙げられる。また、銀メッキ浴としては、シ
アン化銀カリウム浴が一般的である。メッキ浴のｐＨは
８〜９、メッキ処理時のメッキ浴の温度は５０℃〜７０
℃に維持されるのが好ましい。また、メッキ処理時に
は、電流密度を３０〜８０Ａ／ｄｍ²で実施するのが好
ましい。尚、メッキ層１６の層厚は、メッキ処理時の電
流値、メッキ処理時間によって適宜設定できる。

【００４０】前記工程は、真空室等で行う必要はなく、
スパッタリングによる作製工程と比較して、工程が簡易
であるとともに、導電性フィルムの生産コストを軽減す
ることができる。また、接着剤を使用していないので、
耐熱性が要求される部材、例えば、回路板等の部材とし
て使用することができる。

【００４１】本発明の導電性フィルムの第３の実施の形
態の概略断面図を図３に示す。導電性フィルム３０は、
導電性フィルム２０の導電層１４およびメッキ層１６が
各々パターニング処理されてなる導電層１４’およびメ
ッキ層１６’とを有する。例えば、本実施の形態をフレ
キシブル銅張積層板に適用する場合は、パターン化さた
導電層１４’およびメッキ層１６’は、微細回路を構成
する。また、例えば、本実施の形態を電磁波シールドフ
ィルタに適用する場合は、パターン化さた導電層１４’
およびメッキ層１６’は、電磁波をシールドするための
メシュパターンを構成する。

【００４２】前記導電層１４’およびメッキ層１６’
は、第２の実施の形態の導電性フィルム２０を作製した
後、即ちメッキ層１６を形成した後に導電層１４とメッ
キ層１６を同時にパターニング処理して形成してもよい
し、第１の実施の形態の導電性フィルム２０を作製した
後に、導電層１４をパターニング処理し、パターン化さ
れた導電層１４’をメッキ核としてメッキ層１６’を形
成してもよい。

【００４３】図４に、第２の実施の形態の導電性フィル
ム２０を形成した後、導電層１４およびメッキ層１６を
同時にパターニング処理する例を示す。導電性フィルム
２０を用意し（図４（ａ））、メッキ層１６上に、フォ
トレジス材料を含有する感光層２２をラミネート処理に
より形成する（図４（ｂ））。次に、感光層２２上か
ら、フォトマスク２４を介して光を照射する（図４
（ｃ））。光照射によって、感光層２２の光照射部は硬
化して、現像液に対する溶解性が低下する。その後、ア
ルカリ性の現像液等で現像すると、感光層２２の非光照
射部のみが除去される（図４（ｄ））さらに、エッチン
グ処理を施し、感光層２２によって保護されていない領
域の導電層１４およびメッキ層１６を除去する（図４
（ｅ））。次に、アセトン、メタノール、メチルエチル
ケトン等の有機溶媒で洗浄し、残存する感光層２２を除
去して、導電性フィルム３０が得られる（図４
（ｆ））。尚、光照射は、フォトマスクを使用せずに、
レーザによってパターン状に光照射してもよい。

【００４４】図５に、第１の実施の形態の導電性フィル
ム１０を作製した後、導電層１４をパターニング処理し
て導電層１４’を形成し、導電層１４’をメッキ核とし
てメッキ層１６’を形成する例を示す。導電性フィルム
１０を用意し（図５（ａ））、導電層１４上に、フォト
レジス材料を含有する感光層２２をラミネート処理によ
り形成する（図５（ｂ））。次に、感光層２２上から、
フォトマスク２４を介して光を照射する（図５
（ｃ））。光照射によって、感光層２２の光照射部は硬
化して、現像液に対する溶解性が低下する。その後、ア
ルカリ性の現像液等で現像すると、感光層２２の非光照
射部のみが除去される（図５（ｄ））。さらに、塩化第
二銅水溶液等でエッチング処理を施し、感光層２２によ
って保護されていない領域の導電層１４を除去する（図
５（ｅ））。次に、アセトン、メタノール、メチルエチ
ルケトン等の有機溶媒で洗浄し、残存する感光層２２を
除去することによって、支持体１２上に、パターン化さ
れた導電層１４’を形成することができる（図５
（ｆ））。さらに、導電層１４’をメッキ核として、前
記第２の実施の形態で示した方法によりメッキ処理を施
すと、導電性フィルム３０が得られる（図５（ｇ））。
尚、光照射は、フォトマスクを使用せずに、レーザによ
ってパターン状に光照射してもよい。

【００４５】この様にして形成された導電性フィルム３
０は、導電層１４’とメッキ層１６’との密着性が良好
で、高い性能信頼性を有する。前記工程は、真空室等で
行う必要はなく、スパッタリングによる作製工程と比較
して、工程が簡易であるとともに、生産コストを軽減す
ることができる。

【００４６】この様にして作製した導電性フィルム３０
は、２層タイプの銅張積層板として利用できる。さら
に、導電層１４の形成、メッキ層１６の形成、およびパ
ターニング（導電層１４’およびメッキ層１６’の形
成）、あるいは導電層１４の形成、パターニングによる
導電層１４’の形成、およびメッキ層１６’の形成工程
を繰り返すことによって、微細で且つ緻密な回路のフレ
キシブルプリント基板とすることができる。フレキシブ
ルプリント基板として使用する場合、導電層１４、１
４’上に、所望により、耐水性、耐熱性、絶縁性等を有
する被覆層を形成してもよい。

【００４７】また、導電層１４’およびメッキ層１６’
を光透過性とすることで、微細なメッシュパターンを有
する磁気シールドフィルターに利用することができる。
導電性フィルム３０を利用した磁気シールドフィルター
は、例えば、メッキ層１６’上にさらに、接着層を形成
し、該接着層を、フィルタの基板となるアクリル板等の
表面に接着して作製することができる。導電性フィルム
３０を利用した磁気シールドフィルタ−は、良好な磁気
シールド性能を有するとともに、高い性能信頼性を有す
る。

【００４８】

【実施例】以下、実施例によって、本発明の効果を明ら
かにするが、本発明は、下記の実施例によって、なんら
制限されるものではない。尚、「部」は「重量部」示す
ものとする。＜下塗り層用塗布液の調製＞下記に示す組成の下塗り層
用塗布液を調製した。エポキシ樹脂５部（油化シェルエポキシ（株）製、「エピコート１００１Ｂ８０」）イミダゾール系硬膜剤０．０２部（油化シェルエポキシ（株）製、「エピキューアＢＭＩ−１２」）メチルエチルケトン１００部

【００４９】＜導電層用塗布液の調製＞・導電層用塗布液ａの調製下記に示す組成の導電層用塗布液ａを調製した。尚、塗
布液は、０．５μｍφのポアサイズのフィルターで濾過
した後に使用した。導電剤２０部（下記構造式１で表される化合物）界面活性剤０．１部（ノニオン型フッ素系界面活性剤）純水８０部

【００５０】・導電層用塗布液ｂの調製下記に示す組成の導電層用塗布液ｂを調製した。尚、塗
布液は、０．５μｍφのポアサイズのフィルターで濾過
した後に使用した。導電剤１３．１部（下記構造式１で表される化合物）硝酸銀溶液（１規定）４５．９部界面活性剤０．１部（ノニオン型フッ素系界面活性剤）メタノール４１部

【００５１】

【化５】

【００５２】［実施例１］ポリイミド樹脂（厚さ５０μ
ｍ、短期耐熱温度４２０℃）フィルム上に、前記下塗り
層用塗布液を、乾燥膜厚が０．２５μｍとなる様にバー
コータにより塗布した。次に、１５０℃で１時間熱処理
し、下塗り層を形成した。該下塗り層上に、前記導電層
用塗布液ａを、乾燥膜厚が０．５μｍになる様にバーコ
ータにより塗布した。次に、１８５℃で５分間熱処理を
行い導電層を形成した。次に、形成された導電層を塩化
パラジウムの１規定塩酸溶液に浸漬し、水洗した後、１
時間１００℃で乾燥した。

【００５３】その後、導電層の表面電気抵抗および透過
率を測定した。表面電気抵抗は、ＪＩＳ規格Ｃ−６４
８１に従って測定した。また、光透過率は分光光度計を
用いて測定した。測定結果を下記表１に示す。

【００５４】次に、希塩酸水溶液で表面処理を施した
後、導電層をメッキ核とし、硫酸銅水溶液をメッキ浴と
して、導電層上に、約１０μｍの厚みを有する銅メッキ
層を形成し、フレキシブル銅張積層板（ＦＣＬ）を作製
した。

【００５５】［実施例２］導電層用塗布液ａの代わりに
導電層用塗布液ｂを用いた以外は、実施例１と同様にし
て、ＦＣＬを作製した。ＦＣＬの作製工程の途中で、実
施例１と同様にして、導電層の表面電気抵抗および透過
率を測定した。測定結果を下記表１に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】［比較例１］比較例用試料として、東洋メ
タライジング（株）製の「メタロイヤル」の２層タイプ
のＦＣＬを使用した。このＦＣＬは、ポリイミド樹脂の
フィルム（厚さ５０μｍ）上に、銅の無電解メッキ層、
およびさらにその上に、銅メッキ層が形成された構成で
あった。［比較例２］比較例用試料として、ニッカン工業製の
「ニカフレックス」の３層タイプのＦＣＬを使用した。
このＦＣＬは、ポリイミド樹脂のフィルム（厚さ５０μ
ｍ）上に、アクリル樹脂接着剤からなる接着層、および
さらにその上に、圧延銅層が形成された構成であった。

【００５８】作製した実施例１〜２のＦＣＬについて、
および市販の比較例１〜２のＦＣＬについて、各々、ピ
ール強度、およびピンホールの発生の有無を調べた。ピ
ール強度については、ＪＩＳ規格Ｃ−６４７１に従っ
て測定した。また、ピンホールについては、透過型顕微
鏡を使用して、１０ｃｍ×１０ｃｍの面積内に発生して
いるピンホールの数を数えた。評価結果を下記表２に各
々示した。

【００５９】次に、作製した実施例１〜２のＦＣＬにつ
いて、および市販の比較例１〜２のＦＣＬについて、導
電性フィルム富士写真フイルム社製のＤＦＲ（「ＨＬ−
０２０」）をラミネーターを用いて、メッキ層上に各々
積層した。次に、対抗櫛型のネガパターン（Ｓ／Ｌ＝５
０μｍ／５０μｍ）を介して、５０ｍＪでＤＦＲを露光
した。その後、Ｎａ₂ＣＯ₃（１％濃度）水溶液で現像処
理し、更に、塩化第二銅の溶液で５０秒間エッチング処
理した。更に、アセトンで残存するＤＦＲを除去した。
次に、パターン化された銅メッキ層上および露出してい
る下塗り層上に、ソルダーレジスト（ＤｕＰｏｎｔ社
製）を含有する層をスクリーン印刷により形成し（厚
さ、約２０μｍ）、１５０℃で１時間熱処理して、微細
パターンの櫛型の回路が形成されたプリント基板を各々
作製した。

【００６０】作製した各々のプリント基板に直流電圧５
Ｖを印可して、配線間の絶縁抵抗を測定した。さらに、
直流電圧５Ｖを連続的に印可して、温度１００℃、湿度
９０％ＲＨ、１．３Ｋｇ／ｃｍ²の荷重下において、配
線間の絶縁抵抗の耐久性を調べた。評価結果を下記表２
に各々示した。

【００６１】

【表２】

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、簡易な工程により作製
し得る、良好な導電性能を有する導電性フィルムを提供
することができる。また、本発明によれば、簡易な工程
により、且つ低コストで、良好な導電性能を有する導電
性フィルムを安定的に製造する方法を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の導電性フィルムの層
構成を模式的に示す概略断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態の導電性フィルムの層
構成を模式的に示す概略断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態の導電性フィルムの層
構成を模式的に示す概略断面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態の導電性フィルムの作
製工程例を模式的に示す図である。

【図５】本発明の第３の実施形態の導電性フィルムの作
製工程の他の例を模式的に示す図である。

【符号の説明】

１０２０３０導電性フィルム１２支持体１４１４’ 導電層１６１６’ メッキ層２２感光層２４マスク

フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 GA50 GA51 GA64 HA18 MA10 MA11 NA28 4F100 AB10B AB10H AB16B AB16H AB17B AB17H AB24B AB24H AB31B AB40B AB40H AH02B AH02H AH08B AH08H AK49A AT00A BA02 BA10A BA10B CC00B EH461 EH462 EH662 EJ421 EJ422 EJ681 EJ682 GB43 JG01B JG04B JJ03A JL02 YY00A YY00B 4K022 AA13 AA18 AA32 AA41 BA01 BA02 BA03 BA08 BA14 BA18 CA15 CA17 CA19 CA20 CA21 DA06 DB01 5G307 GA06 GB01 GC01 GC02 5G435 AA17 HH02 HH12 KK07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体と、該支持体上に金属アセチリド
を含有する塗布液を塗布し、加熱処理してなる導電層と
を有し、該導電層の表面電気抵抗が５００Ω／□以下で
ある導電性フィルム。
【請求項２】金属アセチリドに含まれる金属元素が、
銀、金、銅、アルミニウム、ニッケル、およびパラジウ
ムからなる金属元素群から選ばれるいずれかの金属元素
である請求項１に記載の導電性フィルム。
【請求項３】支持体が、短期耐熱温度が１５０℃以上
である請求項１または請求項２に記載の導電性フィル
ム。
【請求項４】導電層上に、導電層をメッキ核として形
成してなるメッキ層を有する請求項１から請求項３まで
のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
【請求項５】導電層が合金を含有する請求項１から請
求項４までのいずれか１項に記載の導電性フィルム。
【請求項６】少なくとも金属アセチリドを含有する塗
布液を支持体上に塗布し、加熱処理して、導電層を形成
する第１の工程と、形成された前記導電層を、パラジウ
ム、錫、および銀からなる金属元素群から選ばれるいず
れかの金属元素のイオンを含有する酸性溶液に少なくと
も接触させて処理する第２の工程とを有する導電性フィ
ルムの作製方法。
【請求項７】第２の工程の後、導電層をメッキ核とし
て、前記導電層上にメッキ層を形成する第３の工程を有
する請求項６に記載の導電性フィルムの作製方法。