JP2001153637A - マスク検査装置及び検査方法 - Google Patents
マスク検査装置及び検査方法Info
- Publication number
- JP2001153637A JP2001153637A JP33734199A JP33734199A JP2001153637A JP 2001153637 A JP2001153637 A JP 2001153637A JP 33734199 A JP33734199 A JP 33734199A JP 33734199 A JP33734199 A JP 33734199A JP 2001153637 A JP2001153637 A JP 2001153637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- electron beam
- electron
- inspection
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24435—Microchannel plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子線露光装置を利用してマスク検査を行う
ことを可能とし、これにより検査装置を独立して設ける
必要を無くすことが可能なマスク検査装置とマスク検査
方法を提供する。 【解決手段】 電子線ＥＢを出射する電子銃１１と、出
射された電子線をマスクＭに照射する照射光学系１２
と、マスクＭを透過した電子線をウェハＷに結像するた
めの結像光学系１６とを備える電子線露光装置１におい
て、マスクＭの直下位置にローディング機構２１により
内装及び離脱可能とされ、内装されたときにマスクＭを
透過した電子線を検出する電子検出器２０と、電子検出
器２０で検出した電子線に基づいてマスクＭの欠陥を検
査するコンピュータ３０とを備える。マスク検査装置を
独立した装置として構成する必要がなくなり、半導体装
置の製造工場等における設備スペースの低減、及び半導
体装置を製造する装置全体のコスト削減に有利となる
ことを可能とし、これにより検査装置を独立して設ける
必要を無くすことが可能なマスク検査装置とマスク検査
方法を提供する。 【解決手段】 電子線ＥＢを出射する電子銃１１と、出
射された電子線をマスクＭに照射する照射光学系１２
と、マスクＭを透過した電子線をウェハＷに結像するた
めの結像光学系１６とを備える電子線露光装置１におい
て、マスクＭの直下位置にローディング機構２１により
内装及び離脱可能とされ、内装されたときにマスクＭを
透過した電子線を検出する電子検出器２０と、電子検出
器２０で検出した電子線に基づいてマスクＭの欠陥を検
査するコンピュータ３０とを備える。マスク検査装置を
独立した装置として構成する必要がなくなり、半導体装
置の製造工場等における設備スペースの低減、及び半導
体装置を製造する装置全体のコスト削減に有利となる
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いてパ
ターン転写を行うための電子線露光装置に用いられるマ
スクの欠陥を検査するための検査装置と検査方法に関す
るものである。
ターン転写を行うための電子線露光装置に用いられるマ
スクの欠陥を検査するための検査装置と検査方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子線露光装置で用いられるマス
クのパターンを検査する方法として、マスクに対してレ
ーザ光を照射し、その透過光あるいは反射光により得ら
れるパターンを正規パターンと比較してマスク欠陥を検
出する手法がとられている。しかしながら、近年の電子
線露光装置で用いられているメンブレンマスクやステン
シルマスクのマスク欠陥を検査する場合では、レーザ光
はメンブレンを透過しないため、反射光を用いる方法し
かない。レーザ光の反射光による欠陥検査は簡便である
が、メンブレンマスクの散乱体重金属の膜厚が一般に薄
いためレーザ光の波長を下回り、検出不能となる恐れが
ある。
クのパターンを検査する方法として、マスクに対してレ
ーザ光を照射し、その透過光あるいは反射光により得ら
れるパターンを正規パターンと比較してマスク欠陥を検
出する手法がとられている。しかしながら、近年の電子
線露光装置で用いられているメンブレンマスクやステン
シルマスクのマスク欠陥を検査する場合では、レーザ光
はメンブレンを透過しないため、反射光を用いる方法し
かない。レーザ光の反射光による欠陥検査は簡便である
が、メンブレンマスクの散乱体重金属の膜厚が一般に薄
いためレーザ光の波長を下回り、検出不能となる恐れが
ある。
【０００３】そのため、メンブレンマスクの欠陥検査に
は、電子線を利用して欠陥を検査する透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いている。このＴＥＭは、図７に概略構
成を示すように、マスクＭの上方に配置した電子銃５１
から出射される電子線ＥＢを電子レンズ５３，５４を含
む照射光学系５２により収束させてマスクＭに対して照
射し、マスクＭを透過した電子線をＣｕ材からなるアパ
ーチャ５５を通した上で電子検出器５６で検出し、検出
した電流値に基づいて前記マスクＭのパターンを検出
し、その検出した検出パターンを正規パターンと比較す
ることによりマスク欠陥を検査する。このように電子線
を用いることにより、メンブレンマスクやステンシルマ
スクのマスク欠陥の検査が実現可能になる。このような
技術としては、メンブレンマスクやステンシルマスクに
ついて特に言及されていないが、例えば特開平４−３６
１５４４号公報に記載の技術がある。
は、電子線を利用して欠陥を検査する透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いている。このＴＥＭは、図７に概略構
成を示すように、マスクＭの上方に配置した電子銃５１
から出射される電子線ＥＢを電子レンズ５３，５４を含
む照射光学系５２により収束させてマスクＭに対して照
射し、マスクＭを透過した電子線をＣｕ材からなるアパ
ーチャ５５を通した上で電子検出器５６で検出し、検出
した電流値に基づいて前記マスクＭのパターンを検出
し、その検出した検出パターンを正規パターンと比較す
ることによりマスク欠陥を検査する。このように電子線
を用いることにより、メンブレンマスクやステンシルマ
スクのマスク欠陥の検査が実現可能になる。このような
技術としては、メンブレンマスクやステンシルマスクに
ついて特に言及されていないが、例えば特開平４−３６
１５４４号公報に記載の技術がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のマス
ク欠陥を検査する装置は、マスク検査を行う専用の装置
として構成されている。そのため、半導体装置の製造工
場では、半導体装置の製造装置とは別にマスク検査装置
を装備する必要があり、また製造工場に検査装置を設備
するためのスペースを確保する必要もある。また、この
種のマスク検査装置では、マスクに対して電子線を照射
するための電子銃や照射光学系として、電子線露光装置
と同様な構成が必要であり、マスク検査装置が大型化
し、かつ高価なものになるという問題もある。
ク欠陥を検査する装置は、マスク検査を行う専用の装置
として構成されている。そのため、半導体装置の製造工
場では、半導体装置の製造装置とは別にマスク検査装置
を装備する必要があり、また製造工場に検査装置を設備
するためのスペースを確保する必要もある。また、この
種のマスク検査装置では、マスクに対して電子線を照射
するための電子銃や照射光学系として、電子線露光装置
と同様な構成が必要であり、マスク検査装置が大型化
し、かつ高価なものになるという問題もある。
【０００５】また、従来のマスク欠陥の検査では、マス
クを透過した電子線を電子検出器で検出することでマス
クのパターンを検出し、検出したパターンを正規パター
ンと比較してマスク欠陥を検査しているため、マスク欠
陥検査の信頼性に問題が生じるおそれがある。すなわ
ち、検出パターンを微細化した領域単位で２値化した信
号とし、これを正規パターンの対応する領域単位の２値
化信号と比較し、両者が不一致の部分が欠陥であると判
定する手法がとられるが、この場合に、検出パターンを
２値化する際の基準レベルに誤差が生じていると、検出
パターンの２値化した信号自体の信頼性が低下され、欠
陥の信頼性が低下されることになる。
クを透過した電子線を電子検出器で検出することでマス
クのパターンを検出し、検出したパターンを正規パター
ンと比較してマスク欠陥を検査しているため、マスク欠
陥検査の信頼性に問題が生じるおそれがある。すなわ
ち、検出パターンを微細化した領域単位で２値化した信
号とし、これを正規パターンの対応する領域単位の２値
化信号と比較し、両者が不一致の部分が欠陥であると判
定する手法がとられるが、この場合に、検出パターンを
２値化する際の基準レベルに誤差が生じていると、検出
パターンの２値化した信号自体の信頼性が低下され、欠
陥の信頼性が低下されることになる。
【０００６】本発明の目的は、電子線露光装置を利用し
てマスク検査を行うことを可能とし、これにより検査装
置を独立して設ける必要を無くすことが可能なマスク検
査装置を提供するものである。また、本発明の目的は、
マスク欠陥の検査の信頼性を高めたマスク検査方法を提
供するものである。
てマスク検査を行うことを可能とし、これにより検査装
置を独立して設ける必要を無くすことが可能なマスク検
査装置を提供するものである。また、本発明の目的は、
マスク欠陥の検査の信頼性を高めたマスク検査方法を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のマスク検査装置
は、電子線を出射する電子銃と、前記電子銃から出射さ
れた電子線をマスクに照射する照射光学系と、前記マス
クを透過した電子線をウェハに結像するための結像光学
系とを備える電子線露光装置において、前記電子線露光
装置の前記マスクの直下位置に内装又は離脱可能とさ
れ、内装されたときに前記マスクを透過した電子線を検
出する電子検出器と、前記電子検出器で検出した電子線
に基づいて前記マスクの欠陥を検査するコンピュータと
を備える構成とする。ここで、前記コンピュータは、前
記マスクに対して電子線が照射される位置を設定制御す
る手段と、前記マスクのパターンデータに基づいて当該
電子線が照射される検査領域のパターンの面積率を算出
する手段と、前記電子検出器で発生される電流の電流値
に基づいて前記電子線の入射位置を求める手段と、前記
求められた入射位置と前記マスクの電子線が照射される
検査領域とを対応させた上で前記面積率と電流値とを比
較して当該検査領域のマスク欠陥を判定する手段とを備
えることを特徴とする。
は、電子線を出射する電子銃と、前記電子銃から出射さ
れた電子線をマスクに照射する照射光学系と、前記マス
クを透過した電子線をウェハに結像するための結像光学
系とを備える電子線露光装置において、前記電子線露光
装置の前記マスクの直下位置に内装又は離脱可能とさ
れ、内装されたときに前記マスクを透過した電子線を検
出する電子検出器と、前記電子検出器で検出した電子線
に基づいて前記マスクの欠陥を検査するコンピュータと
を備える構成とする。ここで、前記コンピュータは、前
記マスクに対して電子線が照射される位置を設定制御す
る手段と、前記マスクのパターンデータに基づいて当該
電子線が照射される検査領域のパターンの面積率を算出
する手段と、前記電子検出器で発生される電流の電流値
に基づいて前記電子線の入射位置を求める手段と、前記
求められた入射位置と前記マスクの電子線が照射される
検査領域とを対応させた上で前記面積率と電流値とを比
較して当該検査領域のマスク欠陥を判定する手段とを備
えることを特徴とする。
【０００８】また、前記電子検出器は、平面Ｘ方向及び
Ｙ方向に配列された複数のダイオードで構成され、前記
ダイオードには逆バイアスが掛けられるとともに、前記
ダイオードから出力される電流を増幅するためのアンプ
が接続された構成とする。例えば、前記電子検出器は、
平面Ｘ方向に伸びる短冊状をした複数のダイオードが平
面Ｙ方向に配列した下層ダイオードと、平面Ｙ方向に伸
びる短冊状をした複数のダイオードが平面Ｘ方向に配列
された上層ダイオードとで構成することが好ましい。ま
た、この場合、前記下層ダイオード及び上層ダイオード
は、その長さ方向の両端から当該ダイオードの電気抵抗
に比例した電流を読み出すことにより電子の入射位置を
検出する構成とする。
Ｙ方向に配列された複数のダイオードで構成され、前記
ダイオードには逆バイアスが掛けられるとともに、前記
ダイオードから出力される電流を増幅するためのアンプ
が接続された構成とする。例えば、前記電子検出器は、
平面Ｘ方向に伸びる短冊状をした複数のダイオードが平
面Ｙ方向に配列した下層ダイオードと、平面Ｙ方向に伸
びる短冊状をした複数のダイオードが平面Ｘ方向に配列
された上層ダイオードとで構成することが好ましい。ま
た、この場合、前記下層ダイオード及び上層ダイオード
は、その長さ方向の両端から当該ダイオードの電気抵抗
に比例した電流を読み出すことにより電子の入射位置を
検出する構成とする。
【０００９】本発明のマスク検査方法は、電子銃から出
射した電子線をマスクに照射し、前記マスクを透過した
電子線を電子検出器により検出して前記マスクの欠陥を
検査するマスク検査方法であって、前記マスクのパター
ンデータに基づいて前記電子線が透過する前記マスクの
検査領域内においてパターンの面積率を求める工程と、
前記電子検出器により検出した電流値に基づいて前記マ
スクに対する前記電子線の入射位置を検出する工程と、
前記検出した入射位置を前記マスクの検査領域に対応さ
せた上で前記面積率と前記電流値とを比較し、その比較
結果に基づいて前記マスクの検査領域のパターンの欠陥
を判定する工程とを含むことを特徴としている。
射した電子線をマスクに照射し、前記マスクを透過した
電子線を電子検出器により検出して前記マスクの欠陥を
検査するマスク検査方法であって、前記マスクのパター
ンデータに基づいて前記電子線が透過する前記マスクの
検査領域内においてパターンの面積率を求める工程と、
前記電子検出器により検出した電流値に基づいて前記マ
スクに対する前記電子線の入射位置を検出する工程と、
前記検出した入射位置を前記マスクの検査領域に対応さ
せた上で前記面積率と前記電流値とを比較し、その比較
結果に基づいて前記マスクの検査領域のパターンの欠陥
を判定する工程とを含むことを特徴としている。
【００１０】本発明のマスク検査装置は、電子線露光装
置内に電子検出器を内装すれば、電子線露光装置をその
ままマスク検査装置として構成することが可能になり、
マスク検査装置を独立した装置として構成する必要がな
くなり、半導体装置の製造工場等における設備スペース
の低減、及び半導体装置を製造する装置全体のコスト削
減に有利となる。また、電子線露光装置内にセットした
マスクは、そのままマスク検査が完了した後はウェハに
対する露光に利用することができるため、マスクの装置
間移動による処理時間のロスを減少することも可能にな
る。
置内に電子検出器を内装すれば、電子線露光装置をその
ままマスク検査装置として構成することが可能になり、
マスク検査装置を独立した装置として構成する必要がな
くなり、半導体装置の製造工場等における設備スペース
の低減、及び半導体装置を製造する装置全体のコスト削
減に有利となる。また、電子線露光装置内にセットした
マスクは、そのままマスク検査が完了した後はウェハに
対する露光に利用することができるため、マスクの装置
間移動による処理時間のロスを減少することも可能にな
る。
【００１１】また、本発明のマスク検査方法では、検査
対象となるマスクのパターンデータから求めた「面積
率」と、当該マスクを透過した電子線を検出する電子検
出器から得た「電流値」との比較であるため、データを
２値化する際の基準レベルの誤差に基づく信頼性の低下
が防止でき、高精度でかつ高信頼度のマスクの欠陥検査
が可能になる。
対象となるマスクのパターンデータから求めた「面積
率」と、当該マスクを透過した電子線を検出する電子検
出器から得た「電流値」との比較であるため、データを
２値化する際の基準レベルの誤差に基づく信頼性の低下
が防止でき、高精度でかつ高信頼度のマスクの欠陥検査
が可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は散乱電子により描画を行う電
子線露光装置１に本発明のマスク検査装置２を構成した
場合の模式的な側面図、図２は同じく模式的な斜視図で
ある。これらの図において、電子線を出射する電子銃１
１と、前記電子銃１１から出射される電子線ＥＢを収束
する電子レンズ１３，１４及び電子線束を所要の形状と
するブランキングアパーチャ１５を有する照射光学系１
２と、ウェハＷに対して転写する所要のパターンを有す
る散乱型マスクＭと、前記散乱型マスクＭで散乱される
電子線ＥＢを前記ウェハＷに投射して転写を行うための
電子レンズ１７，１８及び後方焦平面アパーチャ１９を
有する結像光学系１６とを備えている。そして、図１及
び図２では前記散乱型マスクＭの直下位置には、マスク
欠陥検査のための電子検出器２０が配置されているが、
前記電子検出器２０は前記ウェハＷに対してパターンを
転写する際には電子線露光装置１から取り外されて通常
の電子線露光動作が可能にされ、前記マスクＭの欠陥検
査を行う際に図１及び図２のように電子線露光装置１内
に装着配置されるように構成されている。なお、このよ
うに電子検出器２０を電子線露光装置１に対して装着、
離脱可能とするためのローディング機構２１が設けられ
ているが、ここではその詳細については説明を省略す
る。さらに、前記電子線露光装置１（マスク検査装置
２）には、コンピュータ３０が接続されており、前記マ
スクＭの欠陥を検査するように構成されている。
参照して説明する。図１は散乱電子により描画を行う電
子線露光装置１に本発明のマスク検査装置２を構成した
場合の模式的な側面図、図２は同じく模式的な斜視図で
ある。これらの図において、電子線を出射する電子銃１
１と、前記電子銃１１から出射される電子線ＥＢを収束
する電子レンズ１３，１４及び電子線束を所要の形状と
するブランキングアパーチャ１５を有する照射光学系１
２と、ウェハＷに対して転写する所要のパターンを有す
る散乱型マスクＭと、前記散乱型マスクＭで散乱される
電子線ＥＢを前記ウェハＷに投射して転写を行うための
電子レンズ１７，１８及び後方焦平面アパーチャ１９を
有する結像光学系１６とを備えている。そして、図１及
び図２では前記散乱型マスクＭの直下位置には、マスク
欠陥検査のための電子検出器２０が配置されているが、
前記電子検出器２０は前記ウェハＷに対してパターンを
転写する際には電子線露光装置１から取り外されて通常
の電子線露光動作が可能にされ、前記マスクＭの欠陥検
査を行う際に図１及び図２のように電子線露光装置１内
に装着配置されるように構成されている。なお、このよ
うに電子検出器２０を電子線露光装置１に対して装着、
離脱可能とするためのローディング機構２１が設けられ
ているが、ここではその詳細については説明を省略す
る。さらに、前記電子線露光装置１（マスク検査装置
２）には、コンピュータ３０が接続されており、前記マ
スクＭの欠陥を検査するように構成されている。
【００１３】ここで、前記散乱型マスクＭとしては、既
に知られているメンブレンマスクあるいはステンシルマ
スクを用いる。メンブレンマスクは原子番号の小さい低
密度の物質から形成されるメンブレン膜の上に、散乱体
である原子番号の大きい高密度のパターンを形成して、
電子の散乱度の差を利用してビームコントラストを確保
する。ステンシルマスクはパターン部がシリコンなどの
厚膜の材質から構成されている点でメンブレンマスクと
構成が若干相違するが、基本的には同様な構成である。
また、前記マスクＭは図外のマスクステージにより平面
ＸＹ方向に移動可能であり、平面ＸＹ方向に移動されな
がら全マスク面のパターンがウェハに対して転写される
ように構成されている。また、前記ウェハＷも同様に図
外のウェハステージに載置されており、マスクステージ
と同期して平面ＸＹ方向に移動可能とされている。
に知られているメンブレンマスクあるいはステンシルマ
スクを用いる。メンブレンマスクは原子番号の小さい低
密度の物質から形成されるメンブレン膜の上に、散乱体
である原子番号の大きい高密度のパターンを形成して、
電子の散乱度の差を利用してビームコントラストを確保
する。ステンシルマスクはパターン部がシリコンなどの
厚膜の材質から構成されている点でメンブレンマスクと
構成が若干相違するが、基本的には同様な構成である。
また、前記マスクＭは図外のマスクステージにより平面
ＸＹ方向に移動可能であり、平面ＸＹ方向に移動されな
がら全マスク面のパターンがウェハに対して転写される
ように構成されている。また、前記ウェハＷも同様に図
外のウェハステージに載置されており、マスクステージ
と同期して平面ＸＹ方向に移動可能とされている。
【００１４】前記電子検出器２０は、図３（ａ）に模式
構成を示すように、上下２層に配置した薄膜シリコン製
のダイオード２１０，２２０をアレイ状に並べた構成と
される。すなわち、図３（ｂ）に模式断面図を示すよう
に、下層のダイオード２１０及び上層のダイオード２２
０は、それぞれＰ型薄膜シリコン２１１，２２１の表面
にＸ方向、Ｙ方向に伸びる短冊状をした複数のＮ型不純
物層２１２，２２２をＹ方向、Ｘ方向に平行に配列し、
さらに各Ｎ型不純物層２１２，２２２の長さ方向の両端
部にそれぞれトランジスタ等で構成されるアンプ２１
３，２２３を形成したものである。そして、前記Ｐ型薄
膜シリコン２１１，２２１とＮ型不純物層２１２，２２
２の間には逆バイアスを掛けて、電流の流れない定常状
態にしておく。そして、各ダイオード２１０，２２０の
前記Ｎ型不純物層２１２，２２２に入射された電子によ
って生成される二次電子と正孔による電流を各アンプ２
１３，２２３で増幅してその電流値を検出するととも
に、この電流値を利用してコンピュータ３０において前
記入射された電子の位置を検出し、かつマスク欠陥の検
査を行うように構成されている。
構成を示すように、上下２層に配置した薄膜シリコン製
のダイオード２１０，２２０をアレイ状に並べた構成と
される。すなわち、図３（ｂ）に模式断面図を示すよう
に、下層のダイオード２１０及び上層のダイオード２２
０は、それぞれＰ型薄膜シリコン２１１，２２１の表面
にＸ方向、Ｙ方向に伸びる短冊状をした複数のＮ型不純
物層２１２，２２２をＹ方向、Ｘ方向に平行に配列し、
さらに各Ｎ型不純物層２１２，２２２の長さ方向の両端
部にそれぞれトランジスタ等で構成されるアンプ２１
３，２２３を形成したものである。そして、前記Ｐ型薄
膜シリコン２１１，２２１とＮ型不純物層２１２，２２
２の間には逆バイアスを掛けて、電流の流れない定常状
態にしておく。そして、各ダイオード２１０，２２０の
前記Ｎ型不純物層２１２，２２２に入射された電子によ
って生成される二次電子と正孔による電流を各アンプ２
１３，２２３で増幅してその電流値を検出するととも
に、この電流値を利用してコンピュータ３０において前
記入射された電子の位置を検出し、かつマスク欠陥の検
査を行うように構成されている。
【００１５】すなわち、図２において、前記コンピュー
タ３０は、少なくとも前記マスクＭを載置している図外
のマスクステージの平面ＸＹ方向の移動位置を制御する
位置制御部３１と、その制御したＸＹ位置の情報に基づ
いて前記ブランキングアパーチャ１５によって制限され
るマスクＭの開口領域、すなわち検査領域のパターンに
対応するパターンデータを記録ディスク等の記憶装置３
２から読み出し、当該パターンデータの面積率、すなわ
ちマスクの黒パターンと白パターンとの比率である「面
積率」を演算する面積率演算部３３を備えている。ま
た、演算した「面積率」と、前記電子検出器２０の各ア
ンプで増幅された電流を測定した「電流値」とを前記
「面積率」と比較し、その比較結果によりマスクの白欠
陥（パターン領域の抜け）、黒欠陥（余分なパターン）
を判定する欠陥判定部３４を備えている。
タ３０は、少なくとも前記マスクＭを載置している図外
のマスクステージの平面ＸＹ方向の移動位置を制御する
位置制御部３１と、その制御したＸＹ位置の情報に基づ
いて前記ブランキングアパーチャ１５によって制限され
るマスクＭの開口領域、すなわち検査領域のパターンに
対応するパターンデータを記録ディスク等の記憶装置３
２から読み出し、当該パターンデータの面積率、すなわ
ちマスクの黒パターンと白パターンとの比率である「面
積率」を演算する面積率演算部３３を備えている。ま
た、演算した「面積率」と、前記電子検出器２０の各ア
ンプで増幅された電流を測定した「電流値」とを前記
「面積率」と比較し、その比較結果によりマスクの白欠
陥（パターン領域の抜け）、黒欠陥（余分なパターン）
を判定する欠陥判定部３４を備えている。
【００１６】以上の構成の電子線露光装置を用いたマス
クの検査方法を説明する。先ず、通常のマスク転写を行
う前に、図１及び図２に示したように電子線露光装置１
内のマスクＭの直下位置に、電子検出器２０を内装配置
する。しかる上でパターン転写を行うときと同様に、電
子線露光装置１にセットされたマスクＭに電子銃１１か
ら出射された電子線を照射光学系１２により照射する。
ここで、前記したようにメンブレンマスク上のパターン
部は重金属で形成され、ステンシルマスクのパターン部
はシリコンなどの厚膜の材質から形成されているためパ
ターン部に照射された電子は大角度で複数回散乱され
る。従って、照射された電子は電子検出器２０外に散乱
される可能性が高い。あるいは、仮に電子検出器２０に
入射しても同一角度へ散乱される電子の数は相対的に少
ないため、信号は微弱となり検出されない。パターンの
無い部位に照射された電子がマスクＭを透過して電子検
出器２０を構成している各ダイオード２１０，２２０に
入射され、各ダイオードに入射された電子ビームは、一
定の確率で材質のシリコン原子を励起し、二次電子と正
孔を生成する。これらの二次電子及び正孔は、図４にダ
イオード２１０の概念図を示すように、ダイオード２１
０（Ｐ型シリコン２１１とＮ型不純物層２１２）に掛か
っている電界によりアンプ２１３へと移動する。このと
き、シリコンダイオードには一定の抵抗値があるため、
抵抗により電流は一定の割合で減衰する。ダイオード２
１０の両側のアンプ２１３から読み出した電流から減衰
の割合を測定することにより電子の入射位置を同定する
ことができ、またその「電流値」から電子の強度を同定
することが可能になる。なお、前記同定される入射位置
は、下層ダイオード２１０ではＸ方向の位置、上層ダイ
オード２２０ではＹ方向の位置であるため、これらを合
算することで、電子検出器２０の平面ＸＹ上の位置が同
定される。
クの検査方法を説明する。先ず、通常のマスク転写を行
う前に、図１及び図２に示したように電子線露光装置１
内のマスクＭの直下位置に、電子検出器２０を内装配置
する。しかる上でパターン転写を行うときと同様に、電
子線露光装置１にセットされたマスクＭに電子銃１１か
ら出射された電子線を照射光学系１２により照射する。
ここで、前記したようにメンブレンマスク上のパターン
部は重金属で形成され、ステンシルマスクのパターン部
はシリコンなどの厚膜の材質から形成されているためパ
ターン部に照射された電子は大角度で複数回散乱され
る。従って、照射された電子は電子検出器２０外に散乱
される可能性が高い。あるいは、仮に電子検出器２０に
入射しても同一角度へ散乱される電子の数は相対的に少
ないため、信号は微弱となり検出されない。パターンの
無い部位に照射された電子がマスクＭを透過して電子検
出器２０を構成している各ダイオード２１０，２２０に
入射され、各ダイオードに入射された電子ビームは、一
定の確率で材質のシリコン原子を励起し、二次電子と正
孔を生成する。これらの二次電子及び正孔は、図４にダ
イオード２１０の概念図を示すように、ダイオード２１
０（Ｐ型シリコン２１１とＮ型不純物層２１２）に掛か
っている電界によりアンプ２１３へと移動する。このと
き、シリコンダイオードには一定の抵抗値があるため、
抵抗により電流は一定の割合で減衰する。ダイオード２
１０の両側のアンプ２１３から読み出した電流から減衰
の割合を測定することにより電子の入射位置を同定する
ことができ、またその「電流値」から電子の強度を同定
することが可能になる。なお、前記同定される入射位置
は、下層ダイオード２１０ではＸ方向の位置、上層ダイ
オード２２０ではＹ方向の位置であるため、これらを合
算することで、電子検出器２０の平面ＸＹ上の位置が同
定される。
【００１７】以上のように同定された電子の位置と強度
はコンピュータ３０に入力され、ここでマスク欠陥が判
定される。図５はマスク欠陥を判定するアルゴリズムを
示すフローチャートである。先ず、コンピュータ３０
は、マスクＭの検査対象となる検査領域が照射光学系１
２のアパーチャに対応位置するようにマスクステージを
制御する（Ｓ１０１）。これにより、マクスの当該パタ
ーンの検査領域には、電子銃１１から出射されて照射光
学系１２のブランキングアパーチャ１５の開口を透過し
た電子線が照射される（Ｓ１０２）。したがって、マス
クＭを透過した電子線は電子検出器２０に入射され、前
記したように電子検出器２０のアンプから出力される電
流に基づいて電子線の入射位置が同定される。また、測
定された「電流値」からは電子線の強度が同定される
（Ｓ１０３）。
はコンピュータ３０に入力され、ここでマスク欠陥が判
定される。図５はマスク欠陥を判定するアルゴリズムを
示すフローチャートである。先ず、コンピュータ３０
は、マスクＭの検査対象となる検査領域が照射光学系１
２のアパーチャに対応位置するようにマスクステージを
制御する（Ｓ１０１）。これにより、マクスの当該パタ
ーンの検査領域には、電子銃１１から出射されて照射光
学系１２のブランキングアパーチャ１５の開口を透過し
た電子線が照射される（Ｓ１０２）。したがって、マス
クＭを透過した電子線は電子検出器２０に入射され、前
記したように電子検出器２０のアンプから出力される電
流に基づいて電子線の入射位置が同定される。また、測
定された「電流値」からは電子線の強度が同定される
（Ｓ１０３）。
【００１８】一方、コンピュータ３０は、検査対象とし
てのマスクＭのパターンデータの情報が記憶されている
記憶装置３２から当該マスクＭのパターンデータを読み
出す（Ｓ１０４）。そして、マスクＭの検査領域のＸＹ
位置に基づいて、ブランキングアパーチャ１５の開口と
同一面積の領域をメッシュに分割して設定し（Ｓ１０
５）、その上で面積率演算部３３において、当該設定さ
れた領域のパターンデータからマスクの面積率を算出す
る（Ｓ１０６）。この面積率は、前記したように当該マ
スク領域の黒パターンと白パターンとの比率である。次
いで、欠陥判定部３４では、前記ステップＳ１０３で検
出した電子線の入射位置を前記ステップＳ１０５で設定
されたマスクの領域に対応させた上で、前記ステップＳ
１０６で演算した「面積率」と、ステップＳ１０３で測
定した「電流値」とを比較し、その比較結果によりマス
クの白欠陥、黒欠陥を判定する。なお、この比較では各
値の単位を除いた数値のみを比較する。そして、「面積
率＝電流値」の場合には欠陥なし、「面積率＞電流値」
の場合には黒欠陥、「面積率＜電流値」の場合には白欠
陥であると判定する（Ｓ１０８）。なお、この判定を、
マスクの検査対象の全領域について繰り返し行うこと
で、マスク検査が完了する（Ｓ１０９，Ｓ１１０）。
てのマスクＭのパターンデータの情報が記憶されている
記憶装置３２から当該マスクＭのパターンデータを読み
出す（Ｓ１０４）。そして、マスクＭの検査領域のＸＹ
位置に基づいて、ブランキングアパーチャ１５の開口と
同一面積の領域をメッシュに分割して設定し（Ｓ１０
５）、その上で面積率演算部３３において、当該設定さ
れた領域のパターンデータからマスクの面積率を算出す
る（Ｓ１０６）。この面積率は、前記したように当該マ
スク領域の黒パターンと白パターンとの比率である。次
いで、欠陥判定部３４では、前記ステップＳ１０３で検
出した電子線の入射位置を前記ステップＳ１０５で設定
されたマスクの領域に対応させた上で、前記ステップＳ
１０６で演算した「面積率」と、ステップＳ１０３で測
定した「電流値」とを比較し、その比較結果によりマス
クの白欠陥、黒欠陥を判定する。なお、この比較では各
値の単位を除いた数値のみを比較する。そして、「面積
率＝電流値」の場合には欠陥なし、「面積率＞電流値」
の場合には黒欠陥、「面積率＜電流値」の場合には白欠
陥であると判定する（Ｓ１０８）。なお、この判定を、
マスクの検査対象の全領域について繰り返し行うこと
で、マスク検査が完了する（Ｓ１０９，Ｓ１１０）。
【００１９】ここで、前記した「面積率」と「電流値」
との比較においては、マスク欠陥検査に先だってパター
ン欠陥のないことが事前にわかっているマスクを使用
し、電子強度とパターンの有無の関係を予め求めた「補
正値」を定めておくことが好ましい。この「補正値」
は、例えば、「電流値」に加えることで、「電流値＋補
正値」を前記したと同様に「面積率」と比較すること
で、「電流値」の検出誤差の影響を解消して欠陥の判定
精度を高めることが可能になる。
との比較においては、マスク欠陥検査に先だってパター
ン欠陥のないことが事前にわかっているマスクを使用
し、電子強度とパターンの有無の関係を予め求めた「補
正値」を定めておくことが好ましい。この「補正値」
は、例えば、「電流値」に加えることで、「電流値＋補
正値」を前記したと同様に「面積率」と比較すること
で、「電流値」の検出誤差の影響を解消して欠陥の判定
精度を高めることが可能になる。
【００２０】このようにしてマスクの欠陥検査が実現さ
れるので、電子線露光装置１に対して電子検出器２０を
内装すれば、電子線露光装置１をそのままマスク検査装
置２として構成することが可能になる。そのため、半導
体装置の製造工場では、マスク検査装置を独立した装置
として構成する必要がなくなり、設備スペースの低減、
及び半導体装置を製造する装置全体のコスト削減に有利
となる。また、電子線露光装置１内にセットしたマスク
Ｍは、そのままマスク検査が完了した後はウェハＷに対
する露光に利用することができるため、マスクの装置間
移動による処理時間のロスを減少することも可能にな
る。また、マスクの検査に際しては、マスクのパターン
データから求めた「面積率」と、電子検出器から得た
「電流値」との比較であるため、データを２値化する際
の基準レベルの誤差に基づく信頼性の低下が防止でき
る。さらに、表面の影響しか考慮できない反射電子や反
射光の代わりに膜厚によりエネルギー減衰の割合が異な
る透過電子を用いるため、外観検査が不可能な電子散乱
に寄与する値（マスク膜厚等）の影響を考慮することが
できる。
れるので、電子線露光装置１に対して電子検出器２０を
内装すれば、電子線露光装置１をそのままマスク検査装
置２として構成することが可能になる。そのため、半導
体装置の製造工場では、マスク検査装置を独立した装置
として構成する必要がなくなり、設備スペースの低減、
及び半導体装置を製造する装置全体のコスト削減に有利
となる。また、電子線露光装置１内にセットしたマスク
Ｍは、そのままマスク検査が完了した後はウェハＷに対
する露光に利用することができるため、マスクの装置間
移動による処理時間のロスを減少することも可能にな
る。また、マスクの検査に際しては、マスクのパターン
データから求めた「面積率」と、電子検出器から得た
「電流値」との比較であるため、データを２値化する際
の基準レベルの誤差に基づく信頼性の低下が防止でき
る。さらに、表面の影響しか考慮できない反射電子や反
射光の代わりに膜厚によりエネルギー減衰の割合が異な
る透過電子を用いるため、外観検査が不可能な電子散乱
に寄与する値（マスク膜厚等）の影響を考慮することが
できる。
【００２１】ここで、前記実施形態で用いた電子検出器
の変形例として、図６（ａ）に示すように、シリコンで
形成されるダイオードをＸＹ方向にそれぞれ配列した格
子型の電子検出器２０Ａを用いることも可能である。こ
の場合は、Ｘ方向に検出される電流とＹ方向に検出され
る電流とから、どのダイオードにどのくらいの強度の電
子が入射したかという情報を検出することが可能であ
り、これから二次元的位置及び電流値を検出することが
可能である。また、図６（ｂ）に示すように、多数の穴
が空いているシリコン板に電圧を印加したＭＣＰ（Micr
o Channel Plate）４０をマスクＭの直下と前記電子検
出器２０，２０Ａとの間に介挿して位置検出器に利用す
る構成としてもよい。この場合もどの開口に電子が入射
したか、どのくらいの強度の電子が入射したかの情報を
検出することが可能になる。
の変形例として、図６（ａ）に示すように、シリコンで
形成されるダイオードをＸＹ方向にそれぞれ配列した格
子型の電子検出器２０Ａを用いることも可能である。こ
の場合は、Ｘ方向に検出される電流とＹ方向に検出され
る電流とから、どのダイオードにどのくらいの強度の電
子が入射したかという情報を検出することが可能であ
り、これから二次元的位置及び電流値を検出することが
可能である。また、図６（ｂ）に示すように、多数の穴
が空いているシリコン板に電圧を印加したＭＣＰ（Micr
o Channel Plate）４０をマスクＭの直下と前記電子検
出器２０，２０Ａとの間に介挿して位置検出器に利用す
る構成としてもよい。この場合もどの開口に電子が入射
したか、どのくらいの強度の電子が入射したかの情報を
検出することが可能になる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のマスク検査
装置は、マスク検査のためのマスクを透過した電子線を
検出する電子検出器を、当該マスクがセットされている
電子線露光装置内の当該マスクの直下に対して内装、離
脱可能としているので、電子線露光装置内に電子検出器
を内装すれば、電子線露光装置をそのままマスク検査装
置として構成することが可能になる。これにより、マス
ク検査装置を独立した装置として構成する必要がなくな
り、半導体装置の製造工場等における設備スペースの低
減、及び半導体装置を製造する装置全体のコスト削減に
有利となる。また、電子線露光装置内にセットしたマス
クは、そのままマスク検査が完了した後はウェハに対す
る露光に利用することができるため、マスクの装置間移
動による処理時間のロスを減少することも可能になる。
装置は、マスク検査のためのマスクを透過した電子線を
検出する電子検出器を、当該マスクがセットされている
電子線露光装置内の当該マスクの直下に対して内装、離
脱可能としているので、電子線露光装置内に電子検出器
を内装すれば、電子線露光装置をそのままマスク検査装
置として構成することが可能になる。これにより、マス
ク検査装置を独立した装置として構成する必要がなくな
り、半導体装置の製造工場等における設備スペースの低
減、及び半導体装置を製造する装置全体のコスト削減に
有利となる。また、電子線露光装置内にセットしたマス
クは、そのままマスク検査が完了した後はウェハに対す
る露光に利用することができるため、マスクの装置間移
動による処理時間のロスを減少することも可能になる。
【００２３】また、本発明のマスク検査方法では、検査
対象となるマスクのパターンデータから求めた「面積
率」と、当該マスクを透過した電子線を検出する電子検
出器から得た「電流値」との比較であるため、データを
２値化する際の基準レベルの誤差に基づく信頼性の低下
が防止でき、高精度でかつ高信頼度のマスクの欠陥検査
が可能になる。
対象となるマスクのパターンデータから求めた「面積
率」と、当該マスクを透過した電子線を検出する電子検
出器から得た「電流値」との比較であるため、データを
２値化する際の基準レベルの誤差に基づく信頼性の低下
が防止でき、高精度でかつ高信頼度のマスクの欠陥検査
が可能になる。
【図１】本発明のマスク検査装置の模式構成を示す正面
図である。
図である。
【図２】図１のマスク検査装置の模式的な斜視構成図で
ある。
ある。
【図３】電子検出器の構成を示す斜視図と断面図であ
る。
る。
【図４】電子検出器の各ダイオードでの電流検出動作を
説明するための概念図である。
説明するための概念図である。
【図５】本発明のマスク検査方法のアルゴリズムを示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図６】本発明にかかる電子検出器の他の例を示す斜視
図である。
図である。
【図７】従来のマスク検査装置の模式構成を示す正面図
である。
である。
１ 電子線露光装置 ２ マスク検査装置 １１ 電子銃 １２ 照射光学系 １６ 結像光学系 ２０ 電子検出器 ２１ ローディング機構 ３０ コンピュータ ３１ 位置制御部 ３２ 記憶ディスク ３３ 面積率演算部 ３４ 欠陥判定部 ２１０，２２０ ダイオード ２１１，２２１ Ｐ型薄膜シリコン ２１２，２２２ Ｎ型不純物層 ２１３，２２３ アンプ Ｍ マスク Ｗ ウェハ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F067 AA54 BB01 BB04 CC16 EE00 HH06 KK06 LL02 2G001 AA03 BA11 BA14 CA02 DA01 DA06 DA09 FA01 FA06 GA11 HA01 HA13 JA02 KA03 LA11 MA05 SA02 2H095 BA08 BB10 BD04 BD05 BD07 BD09 BD14 BD15 BD19 BD24 BD27 4M106 AA09 BA02 CA39 DB04 DB07 DB11 DJ18 DJ24 DJ40
Claims (6)
- 【請求項１】 電子線を出射する電子銃と、前記電子銃
から出射された電子線をマスクに照射する照射光学系
と、前記マスクを透過した電子線をウェハに結像するた
めの結像光学系とを備える電子線露光装置において、前
記電子線露光装置の前記マスクの直下位置に内装又は離
脱可能とされ、内装されたときに前記マスクを透過した
電子線を検出する電子検出器と、前記電子検出器で検出
した電子線に基づいて前記マスクの欠陥を検査するコン
ピュータとを備えることを特徴とするマスク検査装置。 - 【請求項２】 前記コンピュータは、前記マスクに対し
て電子線が照射される位置を設定制御する手段と、前記
マスクのパターンデータに基づいて当該電子線が照射さ
れる検査領域のパターンの面積率を算出する手段と、前
記電子検出器で発生される電流の電流値に基づいて前記
電子線の入射位置を求める手段と、前記求められた入射
位置と前記マスクの電子線が照射される検査領域とを対
応させた上で前記面積率と電流値とを比較して当該検査
領域のマスク欠陥を判定する手段とを備えることを特徴
とする請求項１に記載のマスク検査装置。 - 【請求項３】 前記電子検出器は、平面Ｘ方向及びＹ方
向に配列された複数のダイオードで構成され、前記ダイ
オードには逆バイアスが掛けられるとともに、前記ダイ
オードから出力される電流を増幅するためのアンプが接
続されていることを特徴とする請求項１または２に記載
のマスク検査装置。 - 【請求項４】 前記電子検出器は、平面Ｘ方向に伸びる
短冊状をした複数のダイオードが平面Ｙ方向に配列した
下層ダイオードと、平面Ｙ方向に伸びる短冊状をした複
数のダイオードが平面Ｘ方向に配列された上層ダイオー
ドとで構成されていることを特徴とする請求項３に記載
のマスク検査装置。 - 【請求項５】 前記下層ダイオード及び上層ダイオード
は、その長さ方向の両端から当該ダイオードの電気抵抗
に比例した電流を読み出すことにより電子の入射位置を
検出することを特徴とする請求項４に記載のマスク検査
装置。 - 【請求項６】 電子銃から出射した電子線をマスクに照
射し、前記マスクを透過した電子線を電子検出器により
検出して前記マスクの欠陥を検査するマスク検査方法で
あって、前記マスクのパターンデータに基づいて前記電
子線が透過する前記マスクの検査領域内においてパター
ンの面積率を求める工程と、前記電子検出器により検出
した電流値に基づいて前記マスクに対する電子線の入射
位置を検出する工程と、前記検出した入射位置を前記マ
スクの検査領域に対応させた上で前記面積率と前記電流
値とを比較し、その比較結果に基づいて前記マスクの検
査領域のパターンの欠陥を判定する工程とを含むことを
特徴とするマスクの検査方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33734199A JP2001153637A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | マスク検査装置及び検査方法 |
| TW089124630A TW475231B (en) | 1999-11-29 | 2000-11-21 | Mask inspection apparatus using electron beam exposure system without installing other mask inspection apparatus independently and the inspection method thereof |
| US09/721,945 US6462346B1 (en) | 1999-11-29 | 2000-11-27 | Mask inspecting apparatus and mask inspecting method which can inspect mask by using electron beam exposure system without independently mounting another mask inspecting apparatus |
| CN00132296A CN1298203A (zh) | 1999-11-29 | 2000-11-28 | 掩膜检测装置和掩膜检测方法 |
| KR10-2000-0071444A KR100395117B1 (ko) | 1999-11-29 | 2000-11-29 | 다른 마스크 검사장치를 독립적으로 설치하지 않고 전자빔 노광장치를 사용하여 마스크를 검사할 수 있는 마스크 검사장치 및 마스크 검사방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33734199A JP2001153637A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | マスク検査装置及び検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001153637A true JP2001153637A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18307728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33734199A Pending JP2001153637A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | マスク検査装置及び検査方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6462346B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001153637A (ja) |
| KR (1) | KR100395117B1 (ja) |
| CN (1) | CN1298203A (ja) |
| TW (1) | TW475231B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8319959B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-11-27 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | System and method for quality assurance for reticles used in manufacturing of integrated circuits |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030014146A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method |
| US20030132382A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-17 | Sogard Michael R. | System and method for inspecting a mask |
| CN100416761C (zh) * | 2004-11-02 | 2008-09-03 | 力晶半导体股份有限公司 | 验证光掩模的方法 |
| JP4675697B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | マスクパターン検査方法、露光条件検証方法、および半導体装置の製造方法 |
| CN100459088C (zh) * | 2006-09-04 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测掺硼硅玻璃膜缺陷的方法 |
| CN101210932B (zh) * | 2006-12-27 | 2011-07-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种可提高缺陷检验可靠性的方法 |
| CN101989038B (zh) * | 2009-07-30 | 2013-05-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩膜板检测装置及检测方法 |
| CN102566291B (zh) * | 2010-12-29 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 投影掩膜版的测试*** |
| US9733366B2 (en) * | 2012-04-27 | 2017-08-15 | Indian Institute Of Technology Kanpur | System and method for characterizing focused charged beams |
| JP5662393B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2015-01-28 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム検出器、電子ビーム処理装置及び電子ビーム検出器の製造方法 |
| KR102267475B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2021-06-21 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법 |
| KR102499036B1 (ko) | 2017-09-22 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | 임계 치수 측정 시스템 및 임계 치수 측정 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338149A (ja) | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン欠陥検査装置 |
| JP2602287B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JP3107593B2 (ja) | 1991-06-10 | 2000-11-13 | 富士通株式会社 | パターン検査装置 |
| US5892224A (en) * | 1996-05-13 | 1999-04-06 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP33734199A patent/JP2001153637A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-21 TW TW089124630A patent/TW475231B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-27 US US09/721,945 patent/US6462346B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-28 CN CN00132296A patent/CN1298203A/zh active Pending
- 2000-11-29 KR KR10-2000-0071444A patent/KR100395117B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8319959B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-11-27 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | System and method for quality assurance for reticles used in manufacturing of integrated circuits |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010052000A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100395117B1 (ko) | 2003-08-21 |
| TW475231B (en) | 2002-02-01 |
| US6462346B1 (en) | 2002-10-08 |
| CN1298203A (zh) | 2001-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7211797B2 (en) | Inspection method and inspection system using charged particle beam | |
| US8319960B2 (en) | Defect inspection system | |
| EP0206633B1 (en) | Method of inspecting masks and apparatus thereof | |
| US6703850B2 (en) | Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument | |
| JP2005526269A (ja) | 空間画像を感知するシステム及び方法 | |
| JP2007053035A (ja) | 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置 | |
| US10698325B2 (en) | Performance monitoring of design-based alignment | |
| US11809090B2 (en) | Composite overlay metrology target | |
| JP2001153637A (ja) | マスク検査装置及び検査方法 | |
| CN111819596B (zh) | 组合模拟及光学显微术以确定检验模式的方法和*** | |
| WO2011001678A1 (ja) | 露光条件設定方法および表面検査装置 | |
| US20100233594A1 (en) | System and method for quality assurance for reticles used in manufacturing of integrated circuits | |
| US11783470B2 (en) | Design-assisted inspection for DRAM and 3D NAND devices | |
| JP6033325B2 (ja) | 半導体検査装置、及び荷電粒子線を用いた検査方法 | |
| US11494895B2 (en) | Detecting defects in array regions on specimens | |
| US11209737B1 (en) | Performance optimized scanning sequence for eBeam metrology and inspection | |
| US11113827B2 (en) | Pattern-to-design alignment for one-dimensional unique structures | |
| US20220328283A1 (en) | Self-differential confocal tilt sensor for measuring level variation in charged particle beam system | |
| US7271890B2 (en) | Method and apparatus for inspecting defects | |
| JP2002006479A (ja) | マスク検査方法及びマスク検査装置 | |
| JP3498030B2 (ja) | マスク検査方法 | |
| JP2008147679A (ja) | 電子線応用装置 | |
| JP2001281159A (ja) | 検査方法、マスクの製造方法および検査装置、マスク | |
| JPH0320649A (ja) | フォトマスク検査装置 |