JP2001144060A - Method of polishing substrate having metallic laminated film - Google Patents
Method of polishing substrate having metallic laminated filmInfo
- Publication number
- JP2001144060A JP2001144060A JP32171899A JP32171899A JP2001144060A JP 2001144060 A JP2001144060 A JP 2001144060A JP 32171899 A JP32171899 A JP 32171899A JP 32171899 A JP32171899 A JP 32171899A JP 2001144060 A JP2001144060 A JP 2001144060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- acid
- metal
- polishing method
- abrasive grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体デバイ
スの配線工程に用いられる金属積層膜を有する基板の研
磨方法に関連し、特に埋め込み配線の形成工程に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for polishing a substrate having a metal laminated film used in a wiring step of a semiconductor device, and more particularly to a step of forming a buried wiring.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路（以下ＬＳＩと記
す）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術
が開発されている。化学機械研磨（以下ＣＭＰと記す）
法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形
成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、
埋め込み配線形成において頻繁に利用される技術であ
る。この技術は、例えば米国特許第４９４４８３６号に
開示されている。2. Description of the Related Art In recent years, a new fine processing technology has been developed in accordance with high integration and high performance of a semiconductor integrated circuit (hereinafter, referred to as LSI). Chemical mechanical polishing (hereinafter referred to as CMP)
The method is one of them. For example, in an LSI manufacturing process, particularly, in a multilayer wiring forming process, an interlayer insulating film is flattened, a metal plug is formed,
This is a technique frequently used in the formation of embedded wiring. This technique is disclosed, for example, in US Pat. No. 4,944,836.
【０００３】また、最近はＬＳＩを高性能化するため
に、配線材料として銅合金の利用が試みられている。し
かし、銅合金は従来のアルミニウム合金配線の形成で頻
繁に用いられたドライエッチング法による微細加工が困
難である。そこで、あらかじめ溝を形成してある絶縁膜
上に銅合金薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の銅合金
薄膜をＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する、
いわゆるダマシン法が主に採用されている。この技術
は、例えば特開平２−２７８８２２号公報に開示されて
いる。Recently, use of a copper alloy as a wiring material has been attempted in order to improve the performance of an LSI. However, it is difficult to finely process a copper alloy by a dry etching method frequently used in forming a conventional aluminum alloy wiring. Therefore, a copper alloy thin film is deposited and buried on an insulating film in which a groove is formed in advance, and a copper alloy thin film other than the groove is removed by CMP to form a buried wiring.
The so-called damascene method is mainly employed. This technique is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-278822.
【０００４】金属のＣＭＰの一般的な方法は、円形の研
磨定盤（プラテン）上に研磨布（パッド）を貼り付け、
研磨パッド表面を研磨液で浸し、基体の金属膜を形成し
た面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（以下研磨
圧力と記す）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨液と
金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜を除
去するものである。A general method of metal CMP is to attach a polishing cloth (pad) on a circular polishing platen (platen),
The surface of the polishing pad is immersed in the polishing liquid, the surface of the base on which the metal film is formed is pressed, and the polishing platen is rotated with a predetermined pressure (hereinafter referred to as polishing pressure) applied from the back surface, and the polishing liquid and the metal film are removed. The metal film of the convex portion is removed by mechanical friction with the convex portion.
【０００５】ＣＭＰに用いられる研磨液は、一般には酸
化剤及び固体砥粒からなっており必要に応じてさらに酸
化金属溶解剤、保護膜形成剤が添加される。まず酸化に
よって金属膜表面を酸化し、その酸化層を固体砥粒によ
って削り取るのが基本的なメカニズムと考えられてい
る。凹部の金属表面の酸化層は研磨パッドにあまり触れ
ず、固体砥粒による削り取りの効果が及ばないので、Ｃ
ＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去されて基体表面
は平坦化される。この詳細についてはジャ−ナル・オブ
・エレクトロケミカルソサエティ誌（Journal of Elect
rochemical Society）の第１３８巻１１号（１９９１年
発行）の３４６０〜３４６４頁に開示されている。The polishing liquid used for CMP generally comprises an oxidizing agent and solid abrasive grains, and a metal oxide dissolving agent and a protective film forming agent are further added as necessary. It is considered that the basic mechanism is to first oxidize the surface of the metal film by oxidation and to scrape off the oxidized layer with solid abrasive grains. The oxide layer on the metal surface of the concave portion does not contact the polishing pad very much, and the effect of the shaving by the solid abrasive grains does not reach.
As the MP progresses, the metal layer on the convex portion is removed, and the surface of the base is flattened. For more information on this, see the Journal of Electrochemical Society.
Rochemical Society, Vol. 138, No. 11, published in 1991, pp. 3460-3364.
【０００６】ＣＭＰによる研磨速度を高める方法として
酸化金属溶解剤を添加することが有効とされている。固
体砥粒によって削り取られた金属酸化物の粒を研磨液に
溶解させてしまうと固体砥粒による削り取りの効果が増
すためであると解釈できる。但し、凹部の金属膜表面の
酸化層も溶解（以下エッチングと記す）されて金属膜表
面が露出すると、酸化剤によって金属膜表面がさらに酸
化され、これが繰り返されると凹部の金属膜のエッチン
グが進行してしまい、平坦化効果が損なわれることが懸
念される。これを防ぐためにさらに保護膜形成剤が添加
される。酸化金属溶解剤と保護膜形成剤の効果のバラン
スを取ることが重要であり、凹部の金属膜表面の酸化層
はあまりエッチングされず、削り取られた酸化層の粒が
効率良く溶解されＣＭＰによる研磨速度が大きいことが
望ましい。As a method of increasing the polishing rate by CMP, it is effective to add a metal oxide dissolving agent. It can be interpreted that dissolving the metal oxide particles removed by the solid abrasive grains in the polishing liquid increases the effect of the solid abrasive grains. However, when the oxide layer on the surface of the metal film in the recess is also dissolved (hereinafter referred to as etching) and the surface of the metal film is exposed, the surface of the metal film is further oxidized by the oxidizing agent. It is feared that the flattening effect is impaired. In order to prevent this, a protective film forming agent is further added. It is important to balance the effects of the metal oxide dissolving agent and the protective film forming agent. The oxide layer on the surface of the metal film in the concave portion is not etched so much, the particles of the cut oxide layer are efficiently dissolved, and polishing by CMP is performed. High speed is desirable.
【０００７】このように酸化金属溶解剤と保護膜形成剤
を添加して化学反応の効果を加えることにより、ＣＭＰ
速度（ＣＭＰによる研磨速度）が向上すると共に、ＣＭ
Ｐされる金属層表面の損傷（ダメ−ジ）も低減される効
果が得られる。As described above, by adding the metal oxide dissolving agent and the protective film forming agent to add the effect of the chemical reaction, the CMP
The speed (polishing speed by CMP) is improved and the CM
The effect of reducing the damage (damage) on the surface of the metal layer to be P is obtained.
【０００８】しかしながら、従来の固体砥粒を含む金属
用研磨液を用いてＣＭＰによる埋め込み配線形成を行う
場合には、（１）埋め込まれた金属配線の表面中央部分
が等方的に腐食されて皿の様に窪む現象（以下ディッシ
ングと記す）の発生、（２）固体砥粒に由来する研磨傷
（スクラッチ）の発生、（３）研磨後の基体表面に残留
する固体砥粒を除去するための洗浄プロセスが複雑であ
ること、（４）固体砥粒そのものの原価や廃液処理に起
因するコストアップ、等の問題が生じる。However, when a buried wiring is formed by CMP using a conventional metal polishing slurry containing solid abrasive grains, (1) the surface central portion of the buried metal wiring is isotropically corroded. Generation of a dish-like phenomenon (hereinafter referred to as dishing), (2) generation of polishing scratches (scratch) derived from solid abrasive grains, and (3) removal of solid abrasive grains remaining on the substrate surface after polishing. The cleaning process is complicated, and (4) the cost of the solid abrasive grains itself and the cost increase due to the waste liquid treatment arise.
【０００９】ディッシングや研磨中の銅合金の腐食を抑
制し、信頼性の高いＬＳＩ配線を形成するために、グリ
シン等のアミノ酢酸又はアミド硫酸からなる酸化金属溶
解剤及びＢＴＡ（ベンゾトリアゾ−ル）を含有する金属
用研磨液を用いる方法が提唱されている。この技術は例
えば特開平８−８３７８０号公報に記載されている。In order to suppress the corrosion of the copper alloy during dishing and polishing and to form a highly reliable LSI wiring, a metal oxide dissolving agent composed of aminoacetic acid or amide sulfuric acid such as glycine and BTA (benzotriazole) are used. A method using a contained metal polishing liquid has been proposed. This technique is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-83780.
【００１０】銅または銅合金のダマシン配線形成やタン
グステン等のプラグ配線形成等の金属埋め込み形成にお
いては、埋め込み部分以外に形成される層間絶縁膜であ
る二酸化シリコン膜の研磨速度も大きい場合には、層間
絶縁膜ごと配線の厚みが薄くなるシニングが発生する。
その結果、配線抵抗の増加やパターン密度等により抵抗
のばらつきが生じるために、研磨される金属膜に対して
二酸化シリコン膜の研磨速度が十分小さい特性が要求さ
れる。そこで、酸の解離により生ずる陰イオンにより二
酸化シリコンの研磨速度を抑制することにより、研磨液
のｐＨをｐＫａ−０．５よりも大きくする方法が提唱さ
れている。この技術は、例えば特許第２８１９１９６号
公報に記載されている。In the formation of a metal buried such as the formation of a damascene wiring of copper or a copper alloy or the formation of a plug wiring of tungsten or the like, when the polishing rate of a silicon dioxide film which is an interlayer insulating film formed in a portion other than the buried portion is high, Thinning occurs in which the thickness of the wiring is thinned together with the interlayer insulating film.
As a result, variations in resistance occur due to an increase in wiring resistance, pattern density, and the like. Therefore, a characteristic in which the polishing rate of the silicon dioxide film is sufficiently low relative to the metal film to be polished is required. Therefore, a method has been proposed in which the polishing rate of the polishing liquid is made higher than pKa-0.5 by suppressing the polishing rate of silicon dioxide by anions generated by dissociation of the acid. This technique is described in, for example, Japanese Patent No. 2819196.
【００１１】一方、配線の銅或いは銅合金等の下層に
は、層間絶縁膜中への銅拡散防止のためにバリア層とし
て、タンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他
のタンタル化合物等が形成される。したがって、銅或い
は銅合金を埋め込む配線部分以外では、露出したバリア
層をＣＭＰにより取り除く必要がある。しかし、これら
のバリア層導体膜は、銅或いは銅合金に比べ硬度が高い
ために、銅または銅合金用の研磨材料の組み合わせでは
十分なＣＭＰ速度が得られない場合が多い。そこで、銅
或いは銅合金を研磨する第１工程と、バリア層導体を研
磨する第２工程からなる２段研磨方法が検討されてい
る。On the other hand, a tantalum, a tantalum alloy, a tantalum nitride, another tantalum compound, or the like is formed as a barrier layer for preventing copper from diffusing into an interlayer insulating film in a lower layer of a wiring such as copper or a copper alloy. . Therefore, it is necessary to remove the exposed barrier layer by CMP except for the wiring portion where copper or copper alloy is embedded. However, since these barrier layer conductor films have higher hardness than copper or copper alloy, a combination of polishing materials for copper or copper alloy often cannot provide a sufficient CMP rate. Therefore, a two-step polishing method including a first step of polishing copper or a copper alloy and a second step of polishing the barrier layer conductor has been studied.
【００１２】銅或いは銅合金を研磨する第１工程と、バ
リア層を研磨する第２工程からなる２段研磨方法では、
被研磨膜の硬度や化学的性質が異なるために、研磨液の
ｐＨ、砥粒及び添加剤等の組成物について、かなり異な
る性質のものが検討されている。In a two-step polishing method comprising a first step of polishing copper or a copper alloy and a second step of polishing a barrier layer,
Because the hardness and chemical properties of the films to be polished are different, compositions having considerably different properties are being studied for the composition of the polishing liquid such as pH, abrasive grains and additives.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】従来の固体砥粒を含む
研磨液を用いてＣＭＰによる埋め込み配線形成を行う場
合の、前記２段研磨方法では、被研磨膜の硬度や化学的
性質が異なるために、研磨剤を変えて研磨せざるを得
ず、配線形成工程が複雑化する要因となった。本発明
は、２段研磨方法で研磨剤を変えて研磨しなくても良い
研磨方法を提供する。In the conventional two-stage polishing method for forming embedded wiring by CMP using a polishing liquid containing solid abrasive grains, the hardness and chemical properties of the films to be polished are different. In addition, the polishing agent must be polished by changing the polishing agent, which is a factor that complicates the wiring forming process. The present invention provides a polishing method that does not require polishing by changing the abrasive in the two-step polishing method.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）表面に
凹凸の有る金属積層膜を有する基板を研磨定盤に貼り付
けた研磨布に押し付け、研磨布上に研磨液を供給しなが
ら前記基板と前記研磨定盤とを相対的に動かすことによ
り、前記金属積層膜を研磨し表面の凹凸を平坦化する研
磨方法において、前記研磨液には砥粒を含まない研磨液
または１重量％以下の砥粒を含む研磨液を使用し、前記
研磨布は金属積層膜の材料によって研磨布を変えて使用
することを特徴とする研磨方法である。（２）銅或いは
銅合金を研磨する第１工程を砥粒を含まない研磨布で、
バリア層導体を研磨する第２工程を砥粒を含有した研磨
布で研磨する上記（１）に記載の研磨方法、（３）研磨
液が金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水
溶性高分子及び水を含有する上記（１）または（２）に
記載の研磨方法、（４）金属の酸化剤が、過酸化水素、
硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水か
ら選ばれる少なくとも１種である上記（３）に記載の研
磨方法、（５）酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エス
テル、有機酸のアンモニウム塩及び硫酸から選ばれる少
なくとも１種である上記（３）または（４）に記載の研
磨方法、（６）有機酸が、リンゴ酸、クエン酸、酒石
酸、グリコール酸から選ばれる少なくとも１種である上
記（５）に記載の研磨方法、（７）保護膜形成剤が、ベ
ンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体から選
ばれる少なくとも１種である上記（３）ないし（６）の
いずれかに記載の研磨方法、（８）水溶性高分子が、ポ
リアクリル酸及びポリアクリル酸の塩から選ばれる少な
くとも１種である上記（３）ないし（７）のいずれかに
記載の研磨方法、（９）研磨布がウレタン、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネー
ト、ポリテトラフルオロエチレン、アイオノマから選ば
れる少なくとも１種である上記（１）ないし（８）のい
ずれかに記載の研磨方法、（１０）砥粒を含有した研磨
布の砥粒が、シリカ、アルミナ、セリア、ダイヤモンド
及び樹脂から選ばれる少なくとも１種である上記（２）
ないし（９）のいずれかに記載の研磨方法、（１１）砥
粒の粒径が、１〜１０００ｎｍである上記（１）ないし
（１０）のいずれかに記載の研磨方法、（１２）研磨さ
れる金属膜が、銅、銅合金から選ばれる少なくとも１種
を含む請求項１ないし上記（１）ないし（１１）のいず
れかに記載の研磨方法、（１３）研磨される金属膜が、
タンタル、タンタル合金から選ばれる少なくとも１種を
含む上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の研磨
方法、（１４）研磨される金属膜が、チタン、チタン合
金から選ばれる少なくとも１種を含む上記（１）ないし
（１１）のいずれかに記載の研磨方法である。According to the present invention, there is provided (1) a method in which a substrate having a metal laminate film having an uneven surface is pressed against a polishing cloth adhered to a polishing platen and a polishing liquid is supplied onto the polishing cloth. In a polishing method for polishing the metal laminated film and flattening surface irregularities by relatively moving the substrate and the polishing platen, the polishing liquid contains no abrasive grains or 1% by weight. A polishing method using a polishing liquid containing the following abrasive grains, wherein the polishing cloth is used while changing the polishing cloth according to the material of the metal laminated film. (2) The first step of polishing copper or copper alloy is performed using a polishing cloth containing no abrasive grains.
The polishing method according to (1) above, wherein the second step of polishing the barrier layer conductor is polished with a polishing cloth containing abrasive grains. (3) The polishing liquid is a metal oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, and a protective film forming agent. The polishing method according to the above (1) or (2), comprising a water-soluble polymer and water, (4) the metal oxidizing agent is hydrogen peroxide,
The polishing method according to the above (3), which is at least one selected from nitric acid, potassium periodate, hypochlorous acid and ozone water; and (5) the metal oxide dissolving agent is an organic acid, an organic acid ester, or an organic acid. (3) The polishing method according to (3) or (4), wherein the organic acid is at least one selected from malic acid, citric acid, tartaric acid, and glycolic acid. (7) The polishing method according to any one of (3) to (6), wherein the protective film forming agent is at least one selected from benzotriazole and benzotriazole derivatives. (8) The polishing method according to any one of (3) to (7) above, wherein the water-soluble polymer is at least one selected from polyacrylic acid and a salt of polyacrylic acid. (10) The polishing method according to any one of (1) to (8) above, wherein the polishing cloth is at least one selected from urethane, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polytetrafluoroethylene, and ionomer. (2) wherein the abrasive grains of the polishing cloth containing at least one are selected from silica, alumina, ceria, diamond and resin.
To (9), (11) the polishing method according to any one of the above (1) to (10), wherein the grain size of the abrasive grains is 1 to 1000 nm, and (12) polishing. The polishing method according to any one of claims 1 to (1), wherein the metal film includes at least one selected from copper and a copper alloy, and (13) the metal film to be polished comprises:
The polishing method according to any one of the above (1) to (11), including at least one selected from tantalum and a tantalum alloy; (14) the metal film to be polished includes at least one selected from titanium and a titanium alloy. The polishing method according to any one of the above (1) to (11).
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明は、表面に凹凸の有る金属
積層膜を有する基板を研磨定盤に貼り付けた研磨布に押
し付け、研磨布上に研磨液を供給しながら前記基板と前
記研磨定盤とを相対的に動かすことにより、前記金属積
層膜を研磨し表面の凹凸を平坦化する研磨方法におい
て、前記研磨液には砥粒を含まない研磨液または１重量
％以下の砥粒を含む研磨液を使用し、前記研磨布は金属
積層膜の材料によって研磨布を変えて使用する研磨方法
である。銅或いは銅合金を研磨する第１工程を砥粒を含
まない研磨布で、バリア層導体を研磨する第２工程を砥
粒を含有した研磨布で２段研磨する研磨方法である。本
発明で使用する研磨液は、金属の酸化剤、酸化金属溶解
剤、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水を含有すると好
ましい。金属の酸化剤としては、過酸化水素、硝酸、過
ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれ
た少なくとも１種が好ましい。酸化金属溶解剤として
は、有機酸、有機酸エステル、有機酸のアンモニウム塩
及び硫酸から選ばれた少なくとも１種が好ましい。有機
酸としては、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グリコール
酸から選ばれた少なくとも１種が好ましい。保護膜形成
剤としては、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾー
ル誘導体から選ばれた少なくとも一種が好ましい。水溶
性高分子としては、ポリアクリル酸及びポリアクリル酸
の塩から選ばれる少なくとも１種が好ましい。本発明で
使用する研磨布としては、ウレタン、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
テトラフルオロエチレン、アイオノマからから選ばれる
少なくとも１種が好ましい。本発明で使用する砥粒を含
有した研磨布の砥粒としては、シリカ、アルミナ、セリ
ア、ダイヤモンド及び樹脂からから選ばれる少なくとも
１種が好ましい。砥粒の粒径としては、１〜１０００ｎ
ｍであることが好ましい。本発明の研磨方法を用いて銅
及び銅合金から選ばれる少なくとも１種の金属層を含む
積層膜からなる金属膜を研磨する工程によって少なくと
も金属膜の一部を除去することができる。本発明の研磨
方法を用いてタンタル及びタンタル合金から選ばれる少
なくとも１種の金属層を含む積層膜からなる金属膜を研
磨する工程によって少なくとも金属膜の一部を除去する
ことができる。本発明の研磨方法を用いてチタン及びチ
タン合金から選ばれる少なくとも１種の金属層を含む積
層膜からなる金属膜を研磨する工程によって少なくとも
金属膜の一部を除去することができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is directed to a polishing method in which a substrate having a metal laminated film having an uneven surface is pressed against a polishing cloth attached to a polishing platen, and the polishing liquid is supplied onto the polishing cloth. In a polishing method for polishing the metal laminated film and flattening surface irregularities by relatively moving a platen, the polishing liquid contains a polishing liquid containing no abrasive grains or 1% by weight or less of abrasive grains. This is a polishing method in which a polishing liquid is used, and the polishing cloth is changed according to the material of the metal laminated film. The first step of polishing copper or a copper alloy is a polishing method in which the second step of polishing a barrier layer conductor is a polishing cloth containing abrasive grains, and the second step of polishing the barrier layer conductor is a two-step polishing with a polishing cloth containing abrasive grains. The polishing liquid used in the present invention preferably contains a metal oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, a water-soluble polymer, and water. As the metal oxidizing agent, at least one selected from hydrogen peroxide, nitric acid, potassium periodate, hypochlorous acid and ozone water is preferable. The metal oxide dissolving agent is preferably at least one selected from organic acids, organic acid esters, ammonium salts of organic acids, and sulfuric acid. As the organic acid, at least one selected from malic acid, citric acid, tartaric acid, and glycolic acid is preferable. As the protective film forming agent, at least one selected from benzotriazole and benzotriazole derivatives is preferable. As the water-soluble polymer, at least one selected from polyacrylic acid and salts of polyacrylic acid is preferable. The polishing cloth used in the present invention is preferably at least one selected from urethane, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polytetrafluoroethylene, and ionomer. As abrasive grains of the abrasive cloth containing abrasive grains used in the present invention, at least one kind selected from silica, alumina, ceria, diamond and resin is preferable. The grain size of the abrasive grains is 1 to 1000 n
m is preferable. By using the polishing method of the present invention, at least a part of the metal film can be removed by the step of polishing a metal film formed of a laminated film including at least one metal layer selected from copper and a copper alloy. By using the polishing method of the present invention, at least a part of the metal film can be removed by the step of polishing a metal film formed of a laminated film including at least one metal layer selected from tantalum and a tantalum alloy. By using the polishing method of the present invention, at least a part of the metal film can be removed by the step of polishing a metal film formed of a laminated film including at least one metal layer selected from titanium and a titanium alloy.
【００１６】本発明者らは、保護膜形成剤と水溶性高分
子を組み合わせた研磨剤を用いて、銅或いは銅合金を研
磨する第１工程を砥粒を含有しない研磨布で研磨し、バ
リア層導体を研磨する第２工程を砥粒を含有した研磨布
で研磨する研磨方法を用いることにより２段研磨工程を
簡素化でき、しかも、このような研磨方法を用いること
により、高いＣＭＰ速度が得られることを見出した。The present inventors performed a first step of polishing copper or a copper alloy using an abrasive in which a protective film-forming agent and a water-soluble polymer were combined, by polishing with a polishing cloth containing no abrasive grains, By using a polishing method in which the second step of polishing the layer conductor is polished with a polishing cloth containing abrasive grains, the two-step polishing step can be simplified, and by using such a polishing method, a high CMP rate can be obtained. It was found that it could be obtained.
【００１７】研磨剤のエッチング速度の値としては１０
ｎｍ／ｍｉｎ以下に抑制できれば好ましい平坦化効果が
得られることが分かった。ＣＭＰ速度の低下が許容でき
る範囲であればエッチング速度はさらに低い方が望まし
く、５ｎｍ／ｍｉｎ以下に抑制できれば例えば５０％程
度の過剰ＣＭＰ（金属膜をＣＭＰ除去するに必要な時間
の１．５倍のＣＭＰを行うこと）を行ってもディッシン
グは問題とならない程度にとまる。さらにエッチング速
度を１ｎｍ／ｍｉｎ以下に抑制できれば、１００％以上
の過剰ＣＭＰを行ってもディッシングは問題とならな
い。本発明の研磨方法は、金属の酸化剤、酸化金属溶解
剤、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水を含有する研磨
剤を用いて銅或いは銅合金を研磨する第１工程を砥粒を
含まない研磨布で、バリア層導体を研磨する第２工程を
砥粒を含有した研磨布で２段研磨する研磨方法で、使用
する研磨剤が、ｐＨが３以下であり、かつ酸化剤の濃度
が０．０１〜３重量％になるように調整すると好まし
い。本発明で使用する研磨液のｐＨは、３を超えて大き
いとタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他
のタンタル化合物のＣＭＰ速度が小さくなる。ｐＨはそ
の添加量により調整することができる。また、アンモニ
ア、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイ
ドライド等のアルカリ成分の添加によっても調整可能で
ある。The value of the etching rate of the abrasive is 10
It has been found that a preferable flattening effect can be obtained if it can be suppressed to not more than nm / min. If the decrease in the CMP rate is within an acceptable range, it is desirable that the etching rate be further lower. If the etch rate can be suppressed to 5 nm / min or less, for example, about 50% of excess CMP (1.5 times the time required for removing the metal film by CMP) Dishing) does not cause any problem. Further, if the etching rate can be suppressed to 1 nm / min or less, dishing does not pose a problem even if excess CMP of 100% or more is performed. The polishing method of the present invention comprises a first step of polishing copper or a copper alloy using a metal oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, a water-soluble polymer and a water-containing polishing agent. In a polishing method in which the second step of polishing the barrier layer conductor with a polishing cloth containing no abrasive cloth is performed in two steps with a polishing cloth containing abrasive grains, the polishing agent used has a pH of 3 or less and the concentration of the oxidizing agent Is preferably adjusted to 0.01 to 3% by weight. When the pH of the polishing liquid used in the present invention exceeds 3 and is large, the CMP rate of tantalum, a tantalum alloy, tantalum nitride and other tantalum compounds becomes low. The pH can be adjusted by the amount added. It can also be adjusted by adding an alkali component such as ammonia, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydride and the like.
【００１８】本発明においては、表面に凹部を有する基
板上に層間絶縁膜中への銅拡散防止のためにバリア層と
して、タンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその
他のタンタル化合物等を形成した後、銅、銅合金（銅／
クロム等）を含む金属膜を形成・充填する。この基板を
同一の研磨液を使用し、銅或いは銅合金を研磨する第１
工程を砥粒を含まない研磨布で、バリア層導体を研磨す
る第２工程を砥粒を含有した研磨布で２段研磨すると基
板の凸部の金属膜が選択的にＣＭＰされて、凹部に金属
膜が残されて所望の導体パタ−ンが得られる。本発明の
研磨方法では、通常の研磨剤を変えて行う２段研磨方法
よりも、研磨剤が固定使用されているために研磨工程が
簡素化する。In the present invention, after forming tantalum, a tantalum alloy, tantalum nitride, another tantalum compound, or the like as a barrier layer on a substrate having a concave portion on the surface to prevent copper diffusion into an interlayer insulating film, Copper, copper alloy (copper /
Chromium etc.) is formed and filled. Using the same polishing liquid for this substrate, the first polishing of copper or copper alloy
When the step is a polishing cloth containing no abrasive grains, and the second step of polishing the barrier layer conductor is a two-step polishing with a polishing cloth containing the abrasive grains, the metal film on the convex portion of the substrate is selectively CMPed, and the concave portion is formed on the concave portion. The desired conductor pattern is obtained by leaving the metal film. In the polishing method of the present invention, the polishing step is simplified because the polishing agent is fixedly used, as compared with the two-step polishing method in which the polishing agent is changed in a usual manner.
【００１９】本発明において好ましく用いる研磨液は、
酸化剤の濃度が０．１５重量％付近でタンタルやタンタ
ル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物のＣ
ＭＰ速度が極大になる。酸化剤によりタンタルやタンタ
ル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物等の
導体膜表面に、機械的に研磨されやすい一次酸化層が形
成され、高いＣＭＰ速度が得られる。一般にｐＨが３よ
り小さい場合には、銅及び銅合金膜のエッチング速度が
大きくなり、ディッシング等が発生し易くなるだけでな
く、タンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他
のタンタル化合物等の導体膜表面に、一次酸化層よりも
研磨されにくい二次酸化層が形成されるためにＣＭＰ速
度が低下する。酸化剤の濃度が０．０１重量％未満であ
ると、酸化層が十分形成されないためにＣＭＰ速度が小
さくなり、タンタル膜の剥離等が発生することもある。The polishing liquid preferably used in the present invention is:
When the concentration of the oxidizing agent is around 0.15% by weight, the carbon content of tantalum, tantalum alloy, tantalum nitride and other tantalum compounds
The MP speed becomes maximum. The oxidizing agent forms a primary oxide layer that is easily mechanically polished on the surface of the conductive film such as tantalum, a tantalum alloy, tantalum nitride, and other tantalum compounds, so that a high CMP rate can be obtained. In general, when the pH is less than 3, the etching rate of the copper and copper alloy film is increased, so that dishing and the like are easily caused, and also the surface of the conductor film such as tantalum, tantalum alloy, tantalum nitride, and other tantalum compounds. In addition, since a secondary oxide layer that is less polished than the primary oxide layer is formed, the CMP rate is reduced. If the concentration of the oxidizing agent is less than 0.01% by weight, the oxide layer is not sufficiently formed, so that the CMP rate is reduced, and the tantalum film may be peeled off.
【００２０】研磨液中の酸化剤の濃度は、水溶性高分子
を含有する場合には、濃度が０．０１〜１．５重量％で
あると好ましい。水溶性高分子は、タンタルやタンタル
合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物或いは
その酸化膜表面に吸着するために、高いＣＭＰ速度が得
られる酸化剤濃度範囲が小さくなる。また、水溶性高分
子は、特に窒化タンタルや窒化チタン等の窒化化合物膜
の表面に吸着し易いために、窒化タンタルや窒化チタン
等の窒化化合物膜のＣＭＰ速度が小さくなる。一方、水
溶性高分子は、金属の表面保護膜形成効果を有し、ディ
ッシングやエロージョン等の平坦化特性を向上させる。
金属の酸化剤としては、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、硝酸、
過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げら
れ、その中でも過酸化水素が特に好ましい。基体が集積
回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金
属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は
望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ま
しい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しいので過
酸化水素が最も適している。但し、適用対象の基板が半
導体素子を含まないガラス基板などである場合は不揮発
成分を含む酸化剤であっても差し支えない。When the water-soluble polymer is contained in the polishing liquid, the concentration of the oxidizing agent is preferably 0.01 to 1.5% by weight. Since the water-soluble polymer is adsorbed on tantalum, a tantalum alloy, tantalum nitride, another tantalum compound, or an oxide film surface thereof, the oxidizing agent concentration range in which a high CMP rate can be obtained is small. In addition, since the water-soluble polymer is easily adsorbed on the surface of a nitride compound film such as tantalum nitride or titanium nitride, the CMP rate of the nitride compound film such as tantalum nitride or titanium nitride decreases. On the other hand, the water-soluble polymer has a metal surface protective film forming effect, and improves flattening characteristics such as dishing and erosion.
Hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), nitric acid,
Examples thereof include potassium periodate, hypochlorous acid, and ozone water, and among them, hydrogen peroxide is particularly preferable. When the base is a silicon substrate including an element for an integrated circuit, contamination by an alkali metal, an alkaline earth metal, a halide, or the like is not desirable. Therefore, an oxidizing agent containing no nonvolatile component is desirable. However, hydrogen peroxide is most suitable because the composition of ozone water changes drastically with time. However, when the substrate to be applied is a glass substrate or the like that does not contain a semiconductor element, an oxidizing agent containing a nonvolatile component may be used.
【００２１】酸化金属溶解剤は、水溶性のものが望まし
い。以下の群から選ばれたものの水溶液が適している。
ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル
酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エ
チル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２
−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキ
サン酸、安息香酸、グリコ−ル酸、サリチル酸、グリセ
リン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、
アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リン
ゴ酸、酒石酸、クエン酸等、及びそれらの有機酸のアン
モニウム塩等の塩、硫酸、硝酸、アンモニア、アンモニ
ウム塩類、例えば過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウ
ム、塩化アンモニウム等、クロム酸等又はそれらの混合
物等が挙げられる。これらの中ではギ酸、マロン酸、リ
ンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸が銅、銅合金
及び銅又は銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも１種
の金属層を含む積層膜に対して好適である。これらは第
１及び第２の保護膜形成剤とのバランスが得やすい点で
好ましい。特に、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸について
は実用的なＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を
効果的に抑制できるという点で好ましい。The metal oxide dissolving agent is preferably water-soluble. Aqueous solutions of those selected from the following groups are suitable.
Formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-heptanoic acid,
-Methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid,
Adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, etc., and salts of such organic acids such as ammonium salts, sulfuric acid, nitric acid, ammonia, ammonium salts such as ammonium persulfate, ammonium nitrate, ammonium chloride And chromic acid and the like, and mixtures thereof. Among these, formic acid, malonic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, and glycolic acid are suitable for a laminated film containing at least one metal layer selected from copper, copper alloys, and oxides of copper or copper alloys. It is. These are preferable in that they can easily obtain a balance with the first and second protective film forming agents. In particular, malic acid, tartaric acid, and citric acid are preferable in that the etching rate can be effectively suppressed while maintaining a practical CMP rate.
【００２２】保護膜形成剤は、以下の群から選ばれたも
のが好適である。アンモニア；ジメチルアミン、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、プロピレンジアミン等
のアルキルアミンや、エチレンジアミンテトラ酢酸（Ｅ
ＤＴＡ）、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム及び
キトサン等のアミン；グリシン、Ｌ−アラニン、β−ア
ラニン、Ｌ−２−アミノ酪酸、Ｌ−ノルバリン、Ｌ−バ
リン、Ｌ−ロイシン、Ｌ−ノルロイシン、Ｌ−イソロイ
シン、Ｌ−アロイソロイシン、Ｌ−フェニルアラニン、
Ｌ−プロリン、サルコシン、Ｌ−オルニチン、Ｌ−リシ
ン、タウリン、Ｌ−セリン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−アロ
トレオニン、Ｌ−ホモセリン、Ｌ−チロシン、３，５−
ジヨ−ド−Ｌ−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシ
フェニル）−Ｌ−アラニン、Ｌ−チロキシン、４−ヒド
ロキシ−Ｌ−プロリン、Ｌ−システィン、Ｌ−メチオニ
ン、Ｌ−エチオニン、Ｌ−ランチオニン、Ｌ−シスタチ
オニン、Ｌ−シスチン、Ｌ−システィン酸、Ｌ−アスパ
ラギン酸、Ｌ−グルタミン酸、Ｓ−（カルボキシメチ
ル）−Ｌ−システィン、４−アミノ酪酸、Ｌ−アスパラ
ギン、Ｌ−グルタミン、アザセリン、Ｌ−アルギニン、
Ｌ−カナバニン、Ｌ−シトルリン、δ−ヒドロキシ−Ｌ
−リシン、クレアチン、Ｌ−キヌレニン、Ｌ−ヒスチジ
ン、１−メチル−Ｌ−ヒスチジン、３−メチル−Ｌ−ヒ
スチジン、エルゴチオネイン、Ｌ−トリプトファン、ア
クチノマイシンＣ１、アパミン、アンギオテンシンＩ、
アンギオテンシンＩＩ及びアンチパイン等のアミノ酸；
ジチゾン、クプロイン（２，２’−ビキノリン）、ネオ
クプロイン（２，９−ジメチル−１，１０−フェナント
ロリン）、バソクプロイン（２，９−ジメチル−４，７
−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）及びキュ
ペラゾン（ビスシクロヘキサノンオキサリルヒドラゾ
ン）等のイミン；ベンズイミダゾール−２−チオール、
２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオプロピオン酸、
２−［２−（ベンゾチアゾリル）チオブチル酸、２−メ
ルカプトベンゾチアゾール、１，２，３−トリアゾー
ル、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−
１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−
ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロ
ピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピ
ルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、
４−メトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、
４−ブトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、
４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾ
ール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール、Ｎ−（１，
２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル）−Ｎ−
（１，２，４−トリアゾリル−１−メチル）−２−エチ
ルヘキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリア
ゾール、ビス［（１−ベンゾトリアゾリル）メチル］ホ
スホン酸等のアゾール；ノニルメルカプタン、ドデシル
メルカプタン、トリアジンチオール、トリアジンジチオ
ール、トリアジントリチオール等のメルカプタン；及び
グルコース、セルロース等の糖類が挙げられる。その中
でもキトサン、エチレンジアミンテトラ酢酸、Ｌ−トリ
プトファン、キュペラゾン、トリアジンジチオール、ベ
ンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル、４−カルボキシルベンゾトリアゾールブチルエステ
ル、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾールが高いＣ
ＭＰ速度と低いエッチング速度を両立する上で好まし
い。The protective film forming agent is preferably selected from the following group. Ammonia; alkylamines such as dimethylamine, trimethylamine, triethylamine and propylenediamine, and ethylenediaminetetraacetic acid (E
DTA), sodium diethyldithiocarbamate and amines such as chitosan; glycine, L-alanine, β-alanine, L-2-aminobutyric acid, L-norvaline, L-valine, L-leucine, L-norleucine, L-isoleucine; L-alloisoleucine, L-phenylalanine,
L-proline, sarcosine, L-ornithine, L-lysine, taurine, L-serine, L-threonine, L-allothreonine, L-homoserine, L-tyrosine, 3,5-
Diiodo-L-tyrosine, β- (3,4-dihydroxyphenyl) -L-alanine, L-thyroxine, 4-hydroxy-L-proline, L-cystine, L-methionine, L-ethionine, L-lanthionine , L-cystathionine, L-cystine, L-cystinic acid, L-aspartic acid, L-glutamic acid, S- (carboxymethyl) -L-cystine, 4-aminobutyric acid, L-asparagine, L-glutamine, azaserine, L -Arginine,
L-canavanine, L-citrulline, δ-hydroxy-L
-Lysine, creatine, L-kynurenine, L-histidine, 1-methyl-L-histidine, 3-methyl-L-histidine, ergothioneine, L-tryptophan, actinomycin C1, apamin, angiotensin I,
Amino acids such as angiotensin II and antipain;
Dithizone, cuproin (2,2′-biquinoline), neocuproin (2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline), bathocuproine (2,9-dimethyl-4,7)
Imines such as -diphenyl-1,10-phenanthroline) and cuperazone (biscyclohexanone oxalyl hydrazone); benzimidazole-2-thiol;
2- [2- (benzothiazolyl)] thiopropionic acid,
2- [2- (benzothiazolyl) thiobutyric acid, 2-mercaptobenzothiazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-
1,2,4-triazole, benzotriazole, 1-
Hydroxybenzotriazole, 1-dihydroxypropylbenzotriazole, 2,3-dicarboxypropylbenzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxyl-1H-benzotriazole,
4-methoxycarbonyl-1H-benzotriazole,
4-butoxycarbonyl-1H-benzotriazole,
4-octyloxycarbonyl-1H-benzotriazole, 5-hexylbenzotriazole, N- (1,
2,3-benzotriazolyl-1-methyl) -N-
Azoles such as (1,2,4-triazolyl-1-methyl) -2-ethylhexylamine, tolyltriazole, naphthotriazole, bis [(1-benzotriazolyl) methyl] phosphonic acid; nonylmercaptan, dodecylmercaptan, triazine Mercaptans such as thiol, triazinedithiol and triazinetrithiol; and saccharides such as glucose and cellulose. Among them, chitosan, ethylenediaminetetraacetic acid, L-tryptophan, cuperazone, triazinedithiol, benzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxylbenzotriazole butyl ester, tolyltriazole, and naphthotriazole have high C.
It is preferable to achieve both the MP rate and the low etching rate.
【００２３】水溶性高分子としては、以下の群から選ば
れたものが好適である。アルギン酸、ペクチン酸、カル
ボキシメチルセルロ−ス、寒天、カ−ドラン及びプルラ
ン等の多糖類；グリシンアンモニウム塩及びグリシンナ
トリウム塩等のアミノ酸塩；ポリアスパラギン酸、ポリ
グルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタク
リル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタク
リル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、
ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカ
ルボン酸）、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリル
アミド、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム
塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリ
アミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及
びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩；
ポリビニルアルコ−ル、ポリビニルピロリドン及びポリ
アクロレイン等のビニル系ポリマ等が挙げられる。但
し、適用する基体が半導体集積回路用シリコン基板など
の場合はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化
物等による汚染は望ましくないため、酸もしくはそのア
ンモニウム塩が望ましい。基板がガラス基板等である場
合はその限りではない。その中でもペクチン酸、寒天、
ポリリンゴ酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸アンモ
ニウム塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール
及びポリビニルピロリドン、それらのエステル及びそれ
らのアンモニウム塩が好ましい。As the water-soluble polymer, those selected from the following groups are preferred. Polysaccharides such as alginic acid, pectic acid, carboxymethyl cellulose, agar, cardran and pullulan; amino acid salts such as glycine ammonium salt and glycine sodium salt; polyaspartic acid, polyglutamic acid, polylysine, polymalic acid, polymethacrylic acid , Polymethacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid sodium salt, polyamic acid, polymaleic acid,
Polyitaconic acid, polyfumaric acid, poly (p-styrenecarboxylic acid), polyacrylamide, aminopolyacrylamide, polyacrylic acid, ammonium polyacrylate, sodium polyacrylate, polyamic acid, ammonium polyamic acid salt, polyamic acid sodium salt And polycarboxylic acids such as polyglyoxylic acid and salts thereof;
And vinyl polymers such as polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone and polyacrolein. However, when the substrate to be applied is a silicon substrate for a semiconductor integrated circuit or the like, an acid or an ammonium salt thereof is preferable because contamination by an alkali metal, an alkaline earth metal, a halide or the like is not desirable. This is not the case when the substrate is a glass substrate or the like. Among them, pectic acid, agar,
Polymalic acid, polyacrylic acid, polymethacrylic acid, ammonium polyacrylate, ammonium polymethacrylate, polyacrylamide, polyvinyl alcohol and polyvinylpyrrolidone, their esters and their ammonium salts are preferred.
【００２４】研磨布としては、ウレタン、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネー
ト、ポリテトラフルオロエチレン、アイオノマ、エチレ
ン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、スチレン・ブタヂ
エン・スチレン共重合体（ＳＢＳ）、アクリル、アクリ
ロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体（ＡＢ
Ｓ）、それらの発泡体が好ましい。Examples of the polishing cloth include urethane, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polytetrafluoroethylene, ionomer, ethylene / vinyl acetate copolymer (EVA), styrene / butadiene / styrene copolymer (SBS), acrylic, Acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (AB
S), those foams are preferred.
【００２５】研磨布に含有する砥粒としては、シリカ、
アルミナ、セリア、ダイヤモンド、樹脂が高研磨速度が
得られる上で好ましく、コロイダルシリカ、コロイダル
アルミナが研磨面に傷が発生しない上でより好ましい。The abrasive grains contained in the polishing cloth include silica,
Alumina, ceria, diamond, and resin are preferable in terms of obtaining a high polishing rate, and colloidal silica and colloidal alumina are more preferable in that scratches do not occur on the polished surface.
【００２６】研磨布に固定する砥粒の粒径は、１〜１０
００ｎｍであることが好ましく、１〜１００ｎｍである
ことが研磨面に傷が発生しない上でより好ましい。The particle size of the abrasive grains fixed to the polishing cloth is 1 to 10
The thickness is preferably 00 nm, and more preferably 1 to 100 nm in order to prevent scratches on the polished surface.
【００２７】酸化剤成分の配合量は、金属の酸化剤、酸
化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水の総
量１００ｇに対して、０．００３〜０．７ｍｏｌとする
ことが好ましく、０．０３〜０．５ｍｏｌとすることが
より好ましく、０．２〜０．３ｍｏｌとすることが特に
好ましい。この配合量が、０．００３ｍｏｌ未満では、
金属の酸化が不十分でＣＭＰ速度が低く、０．７ｍｏｌ
を超えると、研磨面に荒れが生じる傾向がある。The compounding amount of the oxidizing agent component is preferably 0.003 to 0.7 mol based on 100 g of the total amount of the metal oxidizing agent, metal oxide dissolving agent, protective film forming agent, water-soluble polymer and water. Preferably, it is more preferably 0.03 to 0.5 mol, and particularly preferably 0.2 to 0.3 mol. If the amount is less than 0.003 mol,
Insufficient metal oxidation, low CMP rate, 0.7mol
If it exceeds, the polished surface tends to be rough.
【００２８】本発明における酸化金属溶解剤成分の配合
量は、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、
水溶性高分子及び水の総量１００ｇに対して０〜０．０
０５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００００５〜
０．００２５ｍｏｌとすることがより好ましく、０．０
００５〜０．００１５ｍｏｌとすることが特に好まし
い。この配合量が０．００５ｍｏｌを超えると、エッチ
ングの抑制が困難となる傾向がある。In the present invention, the amounts of the metal oxide dissolving agent components are as follows: metal oxidizing agent, metal oxide dissolving agent, protective film forming agent
0 to 0.0 based on 100 g of the total amount of the water-soluble polymer and water.
It is preferable that the content be 0.05 mol, and 0.00005 to
0.0025 mol is more preferable, and 0.025 mol
It is particularly preferred that the amount be from 005 to 0.0015 mol. When the amount exceeds 0.005 mol, it tends to be difficult to suppress the etching.
【００２９】保護膜形成剤の配合量は、金属の酸化剤、
酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水の
総量１００ｇに対して０．０００１〜０．０５ｍｏｌと
することが好ましく０．０００３〜０．００５ｍｏｌと
することがより好ましく、０．０００５〜０．００３５
ｍｏｌとすることが特に好ましい。この配合量が０．０
００１ｍｏｌ未満では、エッチングの抑制が困難となる
傾向があり、０．０５ｍｏｌを超えるとＣＭＰ速度が低
くなってしまう傾向がある。The amount of the protective film forming agent is determined by the oxidizing agent of the metal,
The amount is preferably 0.0001 to 0.05 mol, more preferably 0.0003 to 0.005 mol, and more preferably 0.003 to 0.005 mol based on 100 g of the total amount of the metal oxide dissolving agent, the protective film forming agent, the water-soluble polymer, and water. 0005-0.0035
Particularly preferably, it is mol. If the amount is 0.0
If it is less than 001 mol, the suppression of etching tends to be difficult, and if it exceeds 0.05 mol, the CMP rate tends to be low.
【００３０】水溶性高分子の配合量は、金属の酸化剤、
酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水の
総量１００ｇに対して０．００１〜０．３重量％とする
ことが好ましく０．００３重量％〜０．１重量％とする
ことがより好ましく０．０１重量％〜０．０８重量％と
することが特に好ましい。この配合量が０．００１重量
％未満では、エッチング抑制において保護膜形成剤との
併用効果が現れない傾向があり０．３重量％を超えると
ＣＭＰ速度が低下してしまう傾向がある。水溶性高分子
の重量平均分子量は５００以上とすることが好ましく、
１５００以上とすることがより好ましく５０００以上と
することが特に好ましい。重量平均分子量の上限は特に
規定するものではないが、溶解性の観点から５００万以
下である。重量平均分子量が５００未満では高いＣＭＰ
速度が発現しない傾向にある。本発明では、水溶性高分
子の重量平均分子量が５００以上の重量平均分子量が異
なる少なくとも２種以上を用いることが好ましい。同種
の水溶性高分子であっても、異種の水溶性高分子であっ
てもよい。The compounding amount of the water-soluble polymer is determined by the metal oxidizing agent,
0.001 to 0.3% by weight, preferably 0.003 to 0.1% by weight, based on 100 g of the total amount of the metal oxide dissolving agent, protective film forming agent, water-soluble polymer and water. Is more preferably 0.01% by weight to 0.08% by weight. If the amount is less than 0.001% by weight, the effect of using the protective film-forming agent in suppressing etching tends not to be exhibited, and if it exceeds 0.3% by weight, the CMP rate tends to decrease. The weight average molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 500 or more,
It is more preferably at least 1500 and particularly preferably at least 5,000. The upper limit of the weight average molecular weight is not particularly limited, but is 5,000,000 or less from the viewpoint of solubility. High CMP if the weight average molecular weight is less than 500
Speed does not tend to develop. In the present invention, it is preferable to use at least two kinds of water-soluble polymers having a weight average molecular weight of 500 or more and different weight average molecular weights. The same type of water-soluble polymer or a different type of water-soluble polymer may be used.
【００３１】本発明の研磨方法は、表面に凹凸の有る金
属積層膜を有する基板を研磨定盤に貼り付けた研磨布に
押し付け、研磨布上に研磨液を供給しながら前記基板と
前記研磨定盤とを相対的に動かすことにより、前記金属
積層膜を研磨し表面の凹凸を平坦化する研磨方法におい
て、前記研磨液には砥粒を実質的に含まない研磨液を使
用し、前記研磨布は金属積層膜によって研磨布を変えて
使用する研磨方法である。研磨する装置としては、半導
体基板を保持するホルダと研磨布（パッド）を貼り付け
た（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定
盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨条件に
は制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さない
ように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨膜
を有する半導体基板の研磨布への押し付け圧力が９．８
〜９８ｋＰａ（１００〜１０００ｇｆ／ｃｍ2）である
ことが好ましく、ＣＭＰ速度のウエハ面内均一性及びパ
ターンの平坦性を満足するためには、９．８から４９ｋ
Ｐａ（１００〜５００ｇｆ／ｃｍ2）であることがより
好ましい。研磨している間、研磨布には金属用研磨液を
ポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はない
が、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好
ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中でよく洗浄
後、スピンドライ等を用いて半導体基板上に付着した水
滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。According to the polishing method of the present invention, a substrate having a metal laminated film having an uneven surface is pressed against a polishing cloth adhered to a polishing platen, and the polishing liquid is supplied onto the polishing cloth and the substrate is fixed to the polishing table. In a polishing method for polishing the metal laminate film to flatten surface irregularities by relatively moving a plate, a polishing liquid substantially free of abrasive grains is used as the polishing liquid, Is a polishing method in which a polishing cloth is used depending on a metal laminated film. As an apparatus for polishing, a general polishing apparatus having a holder for holding a semiconductor substrate and a platen on which a polishing cloth (pad) is attached (a motor or the like capable of changing the number of rotations is attached) can be used. The polishing conditions are not limited, but the rotation speed of the platen is preferably low, such as 200 rpm or less so that the substrate does not pop out. The pressure at which the semiconductor substrate having the film to be polished is pressed against the polishing cloth is 9.8.
9.8 to 49 kPa (100 to 1000 gf / cm 2 ). In order to satisfy the uniformity of the CMP speed in the wafer surface and the flatness of the pattern, 9.8 to 49 kF is required.
Pa (100 to 500 gf / cm 2 ) is more preferable. During polishing, a metal polishing liquid is continuously supplied to the polishing cloth by a pump or the like. The supply amount is not limited, but it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing liquid. After the polishing is completed, the semiconductor substrate is preferably washed well in running water, and then dried by spin-drying or the like to remove water droplets attached to the semiconductor substrate.
【００３２】[0032]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。本発明はこれらの実施例により限定されるものでは
ない。 （研磨液作製方法）酸化金属溶解剤としてＤＬ−リンゴ
酸（試薬特級）０．１５重量部に水７０重量部を加えて
溶解し、これに保護膜形成剤としてベンゾトリアゾール
０．２重量部のメタノ−ル０．８重量部溶液を加え、さ
らに、水溶性高分子としてポリアクリル酸アンモニウム
０．０５重量部（固形分量）を加えた。最後に金属の酸
化剤として過酸化水素水（試薬特級、３０重量％水溶
液）３３．２重量部を加えて得られたものを研磨液とし
た。The present invention will be described below in detail with reference to examples. The present invention is not limited by these examples. (Method of preparing polishing liquid) 0.15 parts by weight of DL-malic acid (reagent grade) as a metal oxide dissolving agent was dissolved by adding 70 parts by weight of water, and 0.2 parts by weight of benzotriazole as a protective film forming agent was added thereto. A solution of 0.8 part by weight of methanol was added, and 0.05 part by weight (solid content) of ammonium polyacrylate was added as a water-soluble polymer. Finally, 33.2 parts by weight of aqueous hydrogen peroxide (reagent grade, 30% by weight aqueous solution) was added as a metal oxidizing agent to obtain a polishing liquid.
【００３３】実施例１〜５では、上記の研磨液を用い
て、下記の研磨条件でＣＭＰした。 （第１工程用研磨布作製方法：実施例１）熱可塑性ポリ
ウレタンを湿式凝固させ、さらに１３０℃で熱乾燥した
ものを研磨布とした。 （第２工程用研磨布作製方法：実施例２）熱可塑性ポリ
ウレタンに砥粒（砥粒の種類、配合量については表中に
表記）を混錬した後湿式凝固させ、さらに１３０℃で熱
乾燥したものを研磨布とした。In Examples 1 to 5, CMP was performed using the above polishing liquid under the following polishing conditions. (Method of Producing Polishing Cloth for First Step: Example 1) A thermoplastic polyurethane was wet-coagulated and then thermally dried at 130 ° C. to obtain a polishing cloth. (Method for preparing polishing cloth for second step: Example 2) After kneading abrasive particles (types and amounts of the abrasive particles are shown in the table) with thermoplastic polyurethane, wet-solidify, and further heat dry at 130 ° C. This was used as a polishing cloth.
【００３４】（研磨条件） 基板：厚さ１μｍの銅膜を形成したシリコン基板 厚さ０．２μｍのタンタル膜を形成したタンタル基板 研磨圧力：２０．６ｋＰａ（２１０ｇ／ｃｍ2） 基体と研磨定盤との相対速度：３６ｍ／ｍｉｎ （研磨品の評価） ＣＭＰ速度：銅膜のＣＭＰ前後での膜厚差を電気抵抗値
から換算して求めた。エッチング速度：攪拌した金属用
研磨液（室温、２５℃、攪拌１００ｒｐｍ）への浸漬前
後の銅層膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。ディ
ッシングを評価するため、絶縁層中に深さ０．５μｍの
溝を形成して公知のスパッタ法によって銅膜を形成して
公知の熱処理によって埋め込んだシリコン基板を用いて
ＣＭＰを行った。ＣＭＰ後の基板の目視、光学顕微鏡観
察及び電子顕微鏡観察によりディッシング、エロ−ジョ
ン及び研磨傷発生の有無を確認した。その結果、ディッ
シング、エロ−ジョン及び研磨傷の発生は見られなかっ
た。また、エッチング速度は、０．２ｎｍ／ｍｉｎであ
った。実施例１〜５における、ＣＭＰ速度の評価結果を
表１に示した。(Polishing conditions) Substrate: Silicon substrate on which a 1 μm thick copper film was formed Tantalum substrate on which a 0.2 μm thick tantalum film was formed Polishing pressure: 20.6 kPa (210 g / cm 2 ) Base and polishing platen Relative speed: 36 m / min (Evaluation of the polished product) CMP speed: The thickness difference between before and after the CMP of the copper film was determined by converting from the electrical resistance value. Etching rate: The difference in the thickness of the copper layer before and after immersion in a stirred metal polishing liquid (room temperature, 25 ° C., stirring 100 rpm) was calculated from the electrical resistance value. In order to evaluate dishing, CMP was performed using a silicon substrate in which a groove having a depth of 0.5 μm was formed in the insulating layer, a copper film was formed by a known sputtering method, and embedded by a known heat treatment. The presence or absence of dishing, erosion, and polishing scratches was confirmed by visual observation, optical microscope observation, and electron microscope observation of the substrate after CMP. As a result, no dishing, erosion and polishing scratches were found. The etching rate was 0.2 nm / min. Table 1 shows the evaluation results of the CMP rates in Examples 1 to 5.
【００３５】[0035]
【表１】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 項目 研磨布材料 含有砥粒 砥粒重量部 CMP速度(Ｃｕ／Ｔａ) （％） (nm/min） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例 １ ウレタン 無添加 ― １５６／４ 実施例 ２ ウレタン コロイダルシリカ １０ １９３／１７０ 実施例 ３ ウレタン コロイダルシリカ ３０ ２００／１８３ 実施例 ４ ウレタン コロイダルアルミナ １０ １９６／１７５ 実施例 ５ ウレタン コロイダルアルミナ ３０ ２１０／１９６ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−Table 1 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Item Polishing cloth material Contained abrasive grains Abrasive grain parts by weight CMP rate (Cu / Ta) (%) (nm / min) --------------------------------------------- Example 1 No urethane added-156/4 Example 2 Urethane colloidal silica 10 193/170 Example 3 Urethane colloidal silica 30 200/183 Example 4 Urethane colloidal alumina 10 196/175 Example 5 Urethane colloidal alumina 30 210/196 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００３６】実施例１に示したように砥粒を含有しない
研磨布を使用すると、配線層で用いられる銅（Ｃｕ）が
研磨され、バリア層に用いられるタンタル（Ｔａ）が研
磨されない。これに対し、実施例２〜５に示したよう
に、砥粒を含有した研磨布を使用し研磨すると、Ｔａも
研磨される。When a polishing cloth containing no abrasive grains is used as shown in Example 1, copper (Cu) used for the wiring layer is polished, and tantalum (Ta) used for the barrier layer is not polished. On the other hand, as shown in Examples 2 to 5, when polishing is performed using a polishing cloth containing abrasive grains, Ta is also polished.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明の研磨方法は、砥粒を含まない研
磨剤または砥粒は１重量％以下含有した研磨液を固定し
使用して、金属積膜層の材料によって研磨布を変えるこ
とにより２段研磨工程を簡素化できなお且つ、信頼性の
高い埋め込みパタ−ンを形成することができる。According to the polishing method of the present invention, the polishing cloth is changed according to the material of the metal film layer using a polishing agent containing no abrasive grains or a polishing liquid containing 1% by weight or less of abrasive grains. Accordingly, the two-stage polishing process can be simplified, and a highly reliable buried pattern can be formed.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｂ 37/00 Ｂ２４Ｂ 37/00 Ｈ (72)発明者 内田 剛 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 倉田 靖 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 五十嵐 明子 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CA01 CB03 DA02 DA12 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B24B 37/00 B24B 37/00 H (72) Inventor Go Uchida 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Yasushi Kurata 48 Wadai, Tsukuba-shi, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. (72) Inventor Akiko Igarashi 48 Wadai, Tsukuba-shi, Ibaraki Prefecture F-term in Hitachi Chemical Co., Ltd. (Reference) 3C058 AA07 AA09 CA01 CB03 DA02 DA12
Claims (14)
板を研磨定盤に貼り付けた研磨布に押し付け、研磨布上
に研磨液を供給しながら前記基板と前記研磨定盤とを相
対的に動かすことにより、前記金属積層膜を研磨し表面
の凹凸を平坦化する研磨方法において、前記研磨液には
砥粒を含まない研磨液または１重量％以下の砥粒を含む
研磨液を使用し、前記研磨布は金属積層膜の材料によっ
て研磨布を変えて使用することを特徴とする研磨方法。1. A substrate having a metal layered film having irregularities on its surface is pressed against a polishing cloth attached to a polishing table, and the substrate and the polishing table are relatively moved while supplying a polishing liquid onto the polishing cloth. In the polishing method for polishing the metal laminated film to flatten the unevenness of the surface by moving the polishing liquid, a polishing liquid containing no abrasive grains or a polishing liquid containing 1% by weight or less of abrasive grains is used as the polishing liquid. A polishing method, wherein the polishing cloth is used by changing the polishing cloth according to the material of the metal laminated film.
粒を含まない研磨布で、バリア層導体を研磨する第２工
程を砥粒を含有した研磨布で研磨する請求項１に記載の
研磨方法。2. The polishing method according to claim 1, wherein the first step of polishing copper or copper alloy is polished with a polishing cloth containing no abrasive grains, and the second step of polishing the barrier layer conductor is polished with a polishing cloth containing abrasive grains. Polishing method.
剤、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水を含有する請求
項1または請求項２に記載の研磨方法。3. The polishing method according to claim 1, wherein the polishing liquid contains a metal oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, a water-soluble polymer, and water.
ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれ
る少なくとも１種である請求項３に記載の研磨方法。4. The polishing method according to claim 3, wherein the metal oxidizing agent is at least one selected from hydrogen peroxide, nitric acid, potassium periodate, hypochlorous acid, and ozone water.
テル、有機酸のアンモニウム塩及び硫酸から選ばれる少
なくとも１種である請求項３または請求項４に記載の研
磨方法。5. The polishing method according to claim 3, wherein the metal oxide dissolving agent is at least one selected from an organic acid, an organic acid ester, an ammonium salt of an organic acid, and sulfuric acid.
酸、グリコール酸から選ばれる少なくとも１種である請
求項５に記載の研磨方法。6. The polishing method according to claim 5, wherein the organic acid is at least one selected from malic acid, citric acid, tartaric acid, and glycolic acid.
びベンゾトリアゾール誘導体から選ばれる少なくとも１
種である請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の研
磨方法。7. The protective film forming agent is at least one selected from benzotriazole and benzotriazole derivatives.
7. The polishing method according to claim 3, which is a seed.
リアクリル酸の塩から選ばれる少なくとも１種である請
求項３ないし請求項７のいずれかに記載の研磨方法。8. The polishing method according to claim 3, wherein the water-soluble polymer is at least one selected from polyacrylic acid and a salt of polyacrylic acid.
プロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリテ
トラフルオロエチレン、アイオノマから選ばれる少なく
とも１種である請求項1ないし請求項８のいずれかに記
載の研磨方法。9. The polishing method according to claim 1, wherein the polishing cloth is at least one selected from urethane, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polytetrafluoroethylene, and ionomer.
カ、アルミナ、セリア、ダイヤモンド及び樹脂から選ば
れる少なくとも１種である請求項２ないし請求項９のい
ずれかに記載の研磨方法。10. The polishing method according to claim 2, wherein the abrasive grains of the polishing cloth containing the abrasive grains are at least one selected from silica, alumina, ceria, diamond and resin.
る請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の研磨方
法。11. The polishing method according to claim 1, wherein the abrasive has a particle size of 1 to 1000 nm.
選ばれる少なくとも１種を含む請求項１ないし請求項１
１のいずれかに記載の研磨方法。12. The metal film to be polished contains at least one selected from copper and a copper alloy.
2. The polishing method according to any one of 1 to 1,
タル合金から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１な
いし請求項１１のいずれかに記載の研磨方法。13. The polishing method according to claim 1, wherein the metal film to be polished includes at least one selected from tantalum and a tantalum alloy.
合金から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１ないし
請求項１１のいずれかに記載の研磨方法。14. The polishing method according to claim 1, wherein the metal film to be polished includes at least one selected from titanium and a titanium alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32171899A JP2001144060A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Method of polishing substrate having metallic laminated film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32171899A JP2001144060A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Method of polishing substrate having metallic laminated film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144060A true JP2001144060A (en) | 2001-05-25 |
Family
ID=18135678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32171899A Pending JP2001144060A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Method of polishing substrate having metallic laminated film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144060A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185515A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | Polishing method, wire forming method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor integrated circuit device |
| JP2005072071A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Method of regenerating releasable wafer and regenerated wafer |
| JP2008113015A (en) * | 2001-10-31 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing slurry and polishing method |
| JP2008252110A (en) * | 2002-06-03 | 2008-10-16 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing fluid and polishing method |
| JP2010130009A (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Siltronic Ag | METHOD OF POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER HAVING STRAIN-RELAXED LAYER OF Si1-xGex |
| JP4814784B2 (en) * | 2003-02-27 | 2011-11-16 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | Modular barrier removal polishing slurry |
| US8084363B2 (en) | 2001-10-31 | 2011-12-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing slurry and polishing method |
-
1999
- 1999-11-11 JP JP32171899A patent/JP2001144060A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185515A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | Polishing method, wire forming method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor integrated circuit device |
| JP2008113015A (en) * | 2001-10-31 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing slurry and polishing method |
| US8084363B2 (en) | 2001-10-31 | 2011-12-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing slurry and polishing method |
| US8084362B2 (en) | 2001-10-31 | 2011-12-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing slurry and polishing method |
| US8481428B2 (en) | 2001-10-31 | 2013-07-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing slurry and polishing method |
| JP2008252110A (en) * | 2002-06-03 | 2008-10-16 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing fluid and polishing method |
| JP4814784B2 (en) * | 2003-02-27 | 2011-11-16 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | Modular barrier removal polishing slurry |
| JP2005072071A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Method of regenerating releasable wafer and regenerated wafer |
| JP4492054B2 (en) * | 2003-08-28 | 2010-06-30 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Reclaimed wafer reclaim processing method and reclaimed wafer |
| JP2010130009A (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Siltronic Ag | METHOD OF POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER HAVING STRAIN-RELAXED LAYER OF Si1-xGex |
| US8338302B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-12-25 | Siltronic Ag | Method for polishing a semiconductor wafer with a strained-relaxed Si1−xGex layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100512453B1 (en) | Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method | |
| US8491807B2 (en) | Abrasive liquid for metal and method for polishing | |
| US20030219982A1 (en) | CMP (chemical mechanical polishing) polishing liquid for metal and polishing method | |
| JP2000252242A (en) | Polishing liquid for metal and polishing method using the same | |
| JP2001139937A (en) | Liquid for polishing metal and method for polishing metal | |
| JP2001144060A (en) | Method of polishing substrate having metallic laminated film | |
| JP2001127018A (en) | Metal polishing method | |
| JP2007019531A (en) | Abrasive for chemical mechanical polishing, and polishing method | |
| JP3902897B2 (en) | Substrate polishing method using metal polishing liquid | |
| JP2001144044A (en) | Metal polishing fluid and polishing method using it | |
| JP2002198332A (en) | Metal polishing liquid and polishing method using it | |
| JP2001144052A (en) | Method of polishing substrate | |
| JP2001144047A (en) | Metal polishing fluid and polishing method using it | |
| JP2005142597A (en) | Polishing liquid for metal and method of polishing using same | |
| JP2001127027A (en) | Metal polishing method | |
| JP2001144055A (en) | Method of polishing substrate having metallic laminated film | |
| JP2002208573A (en) | Metal grinding liquid and grinding method | |
| JP2001144043A (en) | Polishing method for board with layered metal film | |
| JP2001127017A (en) | Metal polishing method | |
| JP2002176015A (en) | Polishing liquid for metal and polishing method | |
| JP3902896B2 (en) | Polishing liquid for metal and substrate polishing method using the same | |
| JP4062903B2 (en) | Polishing liquid for metal and polishing method | |
| JP2001144042A (en) | Metal polishing method | |
| JP3627598B2 (en) | Polishing liquid for metal and polishing method | |
| JP2002198333A (en) | Metal polishing liquid and substrate polishing method using it |