JP2001135889A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 BH型半導体レーザにおいて、閾値電流、動
作電流密度の増大を抑制し、長期信頼性を高く保ち、一
方では、CODレベルの向上による高出力化が達成でき
る新たな窓構造の提供。 【解決手段】 BH型半導体レーザの端面の設ける窓領
域において、ストライプ光導波路を構成する上下のクラ
ッド層と同じ半導体材料層を、同じ上下方向位置に配置
し、活性層、あるいは、活性層ならびに光ガイド層に代
えて、発振レーザ光エネルギーより大きなバンドギャッ
プを有する半導体材料の層を配置する構造とする。
作電流密度の増大を抑制し、長期信頼性を高く保ち、一
方では、CODレベルの向上による高出力化が達成でき
る新たな窓構造の提供。 【解決手段】 BH型半導体レーザの端面の設ける窓領
域において、ストライプ光導波路を構成する上下のクラ
ッド層と同じ半導体材料層を、同じ上下方向位置に配置
し、活性層、あるいは、活性層ならびに光ガイド層に代
えて、発振レーザ光エネルギーより大きなバンドギャッ
プを有する半導体材料の層を配置する構造とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光出射端面に発振
レーザ光を透過する窓構造を設けたBH型発光層を有す
る半導体レーザおよびその製造方法に関する。より具体
的には、光出射端面に設ける窓構造が、発振レーザ光に
相当するエネルギーより大きなバンドギャップを有する
半導体で形成された構造の半導体レーザと、前記窓構造
を形成する方法に関する。
レーザ光を透過する窓構造を設けたBH型発光層を有す
る半導体レーザおよびその製造方法に関する。より具体
的には、光出射端面に設ける窓構造が、発振レーザ光に
相当するエネルギーより大きなバンドギャップを有する
半導体で形成された構造の半導体レーザと、前記窓構造
を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】端面発光型の半導体レーザにおける発振
レーザ光自体に起因する端面の光学損傷(COD:catas
trophic optical damage)は、高出力化、長寿命・高
信頼性の達成に際して、必ず克服すべき課題の一つであ
る。光学損傷(COD)は、端面発光型の半導体レーザ
において、その光共振器を形成する端面ミラーと半導体
の界面における光吸収、それに伴う発熱に起因して、端
面に融解等の結晶損傷を生じる現象である。この端面破
壊(COD)が発生する発振レーザ光強度レベル(CO
Dレベル)の向上を図る手段の一つに、光出射端面に発
振レーザ光に相当するエネルギーより大きなバンドギャ
ップを有する半導体を利用した窓構造(non absorbing
mirror構造:NAM構造)を形成する方法がある。こ
のNAM構造は、窓構造となる部分をエッチングで除去
した後、大きなバンドギャップを有する半導体を埋め込
み再成長する方法で形成される(特開昭63−3164
95号公報、特開昭64−42884号公報などを参
照)。例えば、水平横モード制御、ならびに電流狭窄の
ため電流ブロック層を埋め込み成長し、BH(Buried-H
eterostructure)型のストライプ導波路を形成する半導
体レーザでは、BH構造を形成する際、前記窓構造とな
る部分を含めエッチングを行い、その後、発光層の活性
層や光ガイド層よりバンドギャップが大きな半導体材料
を埋め込み再成長する手法が採用される(エレクトロン
・レターズ 第21巻、第30号 1766頁 (19
94年)などを参照)。その他に、半導体レーザの活性
層に達する深い不純物拡散を行うウインドウストライプ
構造、あるいは、逆に端面近傍に部分的なイオン注入を
行って、半導体レーザの活性層に利用している半導体材
料の実効的バンドギャップを広くし、窓構造として利用
する方法もある。
レーザ光自体に起因する端面の光学損傷(COD:catas
trophic optical damage)は、高出力化、長寿命・高
信頼性の達成に際して、必ず克服すべき課題の一つであ
る。光学損傷(COD)は、端面発光型の半導体レーザ
において、その光共振器を形成する端面ミラーと半導体
の界面における光吸収、それに伴う発熱に起因して、端
面に融解等の結晶損傷を生じる現象である。この端面破
壊(COD)が発生する発振レーザ光強度レベル(CO
Dレベル)の向上を図る手段の一つに、光出射端面に発
振レーザ光に相当するエネルギーより大きなバンドギャ
ップを有する半導体を利用した窓構造(non absorbing
mirror構造:NAM構造)を形成する方法がある。こ
のNAM構造は、窓構造となる部分をエッチングで除去
した後、大きなバンドギャップを有する半導体を埋め込
み再成長する方法で形成される(特開昭63−3164
95号公報、特開昭64−42884号公報などを参
照)。例えば、水平横モード制御、ならびに電流狭窄の
ため電流ブロック層を埋め込み成長し、BH(Buried-H
eterostructure)型のストライプ導波路を形成する半導
体レーザでは、BH構造を形成する際、前記窓構造とな
る部分を含めエッチングを行い、その後、発光層の活性
層や光ガイド層よりバンドギャップが大きな半導体材料
を埋め込み再成長する手法が採用される(エレクトロン
・レターズ 第21巻、第30号 1766頁 (19
94年)などを参照)。その他に、半導体レーザの活性
層に達する深い不純物拡散を行うウインドウストライプ
構造、あるいは、逆に端面近傍に部分的なイオン注入を
行って、半導体レーザの活性層に利用している半導体材
料の実効的バンドギャップを広くし、窓構造として利用
する方法もある。
【0003】埋め込み再成長を利用する端面透明化構造
(NAM構造)は、不純物拡散やイオン注入を利用する
窓構造と異なり、窓層に用いる半導体材料のバンドギャ
ップと発振レーザ光エネルギーとのエネルギー差を十分
大きくでき、一般にCODレベルをより高くできる利点
がある。また、不純物拡散やイオン注入に伴う熱処理工
程は、活性層内部やその近傍の成長界面に、新たな結晶
欠陥を誘起する懸念があり、信頼性の低下をもたらす要
因ともなり得る。埋め込み再成長を利用する窓構造の形
成は、BH構造を形成する電流ブロック層の埋め込み成
長と併せて実施するので、前記の信頼性低下を誘起する
可能性を持つ余剰な熱処理工程を必要としない。
(NAM構造)は、不純物拡散やイオン注入を利用する
窓構造と異なり、窓層に用いる半導体材料のバンドギャ
ップと発振レーザ光エネルギーとのエネルギー差を十分
大きくでき、一般にCODレベルをより高くできる利点
がある。また、不純物拡散やイオン注入に伴う熱処理工
程は、活性層内部やその近傍の成長界面に、新たな結晶
欠陥を誘起する懸念があり、信頼性の低下をもたらす要
因ともなり得る。埋め込み再成長を利用する窓構造の形
成は、BH構造を形成する電流ブロック層の埋め込み成
長と併せて実施するので、前記の信頼性低下を誘起する
可能性を持つ余剰な熱処理工程を必要としない。
【0004】従来の埋め込み再成長を利用する窓構造で
は、窓領域となる部分を基板に達するまでエッチング
し、その溝状部分に埋め込み再成長を行うが、その再成
長表面は、必ずしも平坦ではないものであった。特に、
窓領域を短くするにつれ、前記溝状部分の幅/深さ比は
小さくなり、それに伴い、再成長表面形状を平坦性の高
いものとすることは、ますます困難さを増す。従って、
この埋め込み再成長部中央を劈開して、端面ミラーを形
成する工程は、必ずしも容易なものではない。また、基
板に達するまでエッチングを行うので、光導波路におい
て光閉じ込め作用を果たす構造、具体的には、発光層と
なる活性層や光ガイド層の上下方向に配置されるクラッ
ド層、ならびにBH型ストライプ光導波路の水平横方向
に形成する電流ブロック層のように、屈折率差により光
導波方向に光閉じ込める構造は、この窓領域には本質的
に存在しない。さらには、窓領域は、電流ブロック層と
同じく、発光層となる活性層や光ガイド層と屈折率の異
なる半導体材料が埋め込み成長されており、その界面に
おいて、BH型光導波路を進んできた光は、屈折ならび
に散乱を受ける。その結果、劈開などで形成した端面ミ
ラーで反射される光が、再びBH型光導波路内に戻る比
率は、窓領域が長くなるにつれ、低下することになる。
この実効的な端面反射率の低下は、レーザ発振効率の低
下、閾値電流の上昇を引き起こす。前記の実効的な端面
反射率の低下を許容できる範囲に抑えるためには、窓領
域長をBH型光導波路内の活性層や光ガイド層幅(スト
ライプ幅)の2倍程度を超えないようにする必要があ
る。BH型半導体レーザにおいて、高出力時まで水平横
モードを安定化するために、ストライプ幅の上限は1.
5μm程度とされるため、従来の窓領域長は3μm以下
にする必要があった。そのため、上述する製造上の困難
さはさらに増し、高い歩留まりを達成・維持することは
容易でなく、歩留まり低下による製造コストの増大を起
こす機会も多くなる。
は、窓領域となる部分を基板に達するまでエッチング
し、その溝状部分に埋め込み再成長を行うが、その再成
長表面は、必ずしも平坦ではないものであった。特に、
窓領域を短くするにつれ、前記溝状部分の幅/深さ比は
小さくなり、それに伴い、再成長表面形状を平坦性の高
いものとすることは、ますます困難さを増す。従って、
この埋め込み再成長部中央を劈開して、端面ミラーを形
成する工程は、必ずしも容易なものではない。また、基
板に達するまでエッチングを行うので、光導波路におい
て光閉じ込め作用を果たす構造、具体的には、発光層と
なる活性層や光ガイド層の上下方向に配置されるクラッ
ド層、ならびにBH型ストライプ光導波路の水平横方向
に形成する電流ブロック層のように、屈折率差により光
導波方向に光閉じ込める構造は、この窓領域には本質的
に存在しない。さらには、窓領域は、電流ブロック層と
同じく、発光層となる活性層や光ガイド層と屈折率の異
なる半導体材料が埋め込み成長されており、その界面に
おいて、BH型光導波路を進んできた光は、屈折ならび
に散乱を受ける。その結果、劈開などで形成した端面ミ
ラーで反射される光が、再びBH型光導波路内に戻る比
率は、窓領域が長くなるにつれ、低下することになる。
この実効的な端面反射率の低下は、レーザ発振効率の低
下、閾値電流の上昇を引き起こす。前記の実効的な端面
反射率の低下を許容できる範囲に抑えるためには、窓領
域長をBH型光導波路内の活性層や光ガイド層幅(スト
ライプ幅)の2倍程度を超えないようにする必要があ
る。BH型半導体レーザにおいて、高出力時まで水平横
モードを安定化するために、ストライプ幅の上限は1.
5μm程度とされるため、従来の窓領域長は3μm以下
にする必要があった。そのため、上述する製造上の困難
さはさらに増し、高い歩留まりを達成・維持することは
容易でなく、歩留まり低下による製造コストの増大を起
こす機会も多くなる。
【0005】BH型半導体レーザにおいて、ストライプ
幅の上限を1.5μm程度とすると、BH型ストライプ
光導波路の水平横方向に形成される、電流ブロック層に
漏れ出す電流比率は、ストライプ幅が狭くなるにつれ、
高くなる。この種の漏れ出す電流が本質的に少ないリッ
ジ導波路型半導体レーザと比較すると、BH型半導体レ
ーザは、同一光出力時の電流密度が相対的に高いが、前
記埋め込み成長の窓構造における実効的な端面反射率の
低下は、同一光出力時の電流密度をさらに増大させる。
従来の埋め込み成長の窓構造は、CODレベルの向上に
は極めて好適ではあるものの、閾値電流の上昇、狭幅ス
トライプにおける動作電流密度の増大などは、連続動作
時の素子温度、特に、ストライプ内の活性層とその付近
の温度を上昇させ、熱的劣化を促進させる要因となる。
すなわち、連続動作における素子寿命、長期信頼性の低
下を起こす要因を内に含むものであった。
幅の上限を1.5μm程度とすると、BH型ストライプ
光導波路の水平横方向に形成される、電流ブロック層に
漏れ出す電流比率は、ストライプ幅が狭くなるにつれ、
高くなる。この種の漏れ出す電流が本質的に少ないリッ
ジ導波路型半導体レーザと比較すると、BH型半導体レ
ーザは、同一光出力時の電流密度が相対的に高いが、前
記埋め込み成長の窓構造における実効的な端面反射率の
低下は、同一光出力時の電流密度をさらに増大させる。
従来の埋め込み成長の窓構造は、CODレベルの向上に
は極めて好適ではあるものの、閾値電流の上昇、狭幅ス
トライプにおける動作電流密度の増大などは、連続動作
時の素子温度、特に、ストライプ内の活性層とその付近
の温度を上昇させ、熱的劣化を促進させる要因となる。
すなわち、連続動作における素子寿命、長期信頼性の低
下を起こす要因を内に含むものであった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記するように、BH
型半導体レーザにおいて、従来の埋め込み再成長を利用
する窓構造を設けると、CODレベルの向上による高出
力化は達成されるが、一方では、閾値電流、動作電流密
度の増大により、長期信頼性の低下が懸念されるもので
あった。従って、BH型半導体レーザにおいて、閾値電
流、動作電流密度の増大を抑制し、長期信頼性を高く保
ち、一方では、CODレベルの向上による高出力化が達
成できる新たな窓構造の提案が望まれている。
型半導体レーザにおいて、従来の埋め込み再成長を利用
する窓構造を設けると、CODレベルの向上による高出
力化は達成されるが、一方では、閾値電流、動作電流密
度の増大により、長期信頼性の低下が懸念されるもので
あった。従って、BH型半導体レーザにおいて、閾値電
流、動作電流密度の増大を抑制し、長期信頼性を高く保
ち、一方では、CODレベルの向上による高出力化が達
成できる新たな窓構造の提案が望まれている。
【0007】本発明は、上記の課題を解決するもので、
本発明の目的は、端面破壊レベルが高く、また、長期信
頼性に優れた構造の窓構造付きBH導波路型半導体レー
ザ、ならびにその製造方法を提供することにある。特
に、端面破壊レベルが高く、また、長期信頼性に優れた
構造であり、加えて、高い生産性で製造が可能な窓構造
付きBH導波路型半導体レーザ、ならびにその生産性向
上に適する製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、端面破壊レベルが高く、また、長期信
頼性に優れた構造の窓構造付きBH導波路型半導体レー
ザ、ならびにその製造方法を提供することにある。特
に、端面破壊レベルが高く、また、長期信頼性に優れた
構造であり、加えて、高い生産性で製造が可能な窓構造
付きBH導波路型半導体レーザ、ならびにその生産性向
上に適する製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく、鋭意研究を進めるに際し、従来の埋め込み
再成長を利用する窓構造における閾値電流、動作電流密
度の増大を引き起こす原因につき、詳細な検討を行っ
た。その検討の結果、前記埋め込み成長の窓構造におけ
る実効的な端面反射率の低下は、次に述べる機構で起こ
ると理解された。先ず、活性層ならびに光ガイド層の膜
厚は、その幅より格段に小さいので、光導波路から窓領
域に光が出射する際、実効屈折率差に由来して、回折に
より光ビームが広がるが、主に垂直方向の拡がりが大き
い。それに伴い、端面ミラーで反射された光の内、光導
波路に再び入射する比率が低下する。同じく、水平方向
にも拡がりがあるが、その影響は、垂直方向の拡がりに
起因する実効的反射率の低下より格段に小さなものであ
る。
解決すべく、鋭意研究を進めるに際し、従来の埋め込み
再成長を利用する窓構造における閾値電流、動作電流密
度の増大を引き起こす原因につき、詳細な検討を行っ
た。その検討の結果、前記埋め込み成長の窓構造におけ
る実効的な端面反射率の低下は、次に述べる機構で起こ
ると理解された。先ず、活性層ならびに光ガイド層の膜
厚は、その幅より格段に小さいので、光導波路から窓領
域に光が出射する際、実効屈折率差に由来して、回折に
より光ビームが広がるが、主に垂直方向の拡がりが大き
い。それに伴い、端面ミラーで反射された光の内、光導
波路に再び入射する比率が低下する。同じく、水平方向
にも拡がりがあるが、その影響は、垂直方向の拡がりに
起因する実効的反射率の低下より格段に小さなものであ
る。
【0009】この検討結果に基づき、研究を進める結
果、本発明者は、窓領域において、主に回折により光ビ
ームが垂直方向の拡がる現象を抑制すると、実効的反射
率の低下を大幅に少なくできることを見出した。加え
て、窓領域において、ストライプ光導波路を構成する上
下のクラッド層と同じ半導体材料層を、同じ上下方向位
置に配置し、活性層、あるいは、活性層ならびに光ガイ
ド層に代えて、発振レーザ光エネルギーより大きなバン
ドギャップを有する半導体材料の層を配置する構造とす
ると、光導波路から窓領域に光が出射する際、回折によ
り光ビームが垂直方向に拡がる現象を大部分抑制するこ
とができることを見出し、本発明を完成するに至った。
果、本発明者は、窓領域において、主に回折により光ビ
ームが垂直方向の拡がる現象を抑制すると、実効的反射
率の低下を大幅に少なくできることを見出した。加え
て、窓領域において、ストライプ光導波路を構成する上
下のクラッド層と同じ半導体材料層を、同じ上下方向位
置に配置し、活性層、あるいは、活性層ならびに光ガイ
ド層に代えて、発振レーザ光エネルギーより大きなバン
ドギャップを有する半導体材料の層を配置する構造とす
ると、光導波路から窓領域に光が出射する際、回折によ
り光ビームが垂直方向に拡がる現象を大部分抑制するこ
とができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】すなわち、本発明の半導体レーザは、BH
型ストライプ導波路半導体レーザであって、前記BH型
ストライプ導波路は、活性層、あるいは、活性層とそれ
に付設する光ガイド層、ならびに、前記活性層または前
記活性層と光ガイド層より屈折率の小さな第一の半導体
材料で形成されてなるその上下に設けられるクラッド層
を有し、少なくとも一つの端面が光共振器を形成するミ
ラー面として機能し、前記ミラー面として機能する端面
に埋め込み成長で形成される半導体材料を用いて構成さ
れる窓構造が形成され、前記窓構造は、前記ストライプ
導波路における前記クラッド層と同じ第一の半導体材料
層を有し、上下に配置される前記第一の半導体材料層の
間に、前記活性層、あるいは、前記活性層と光ガイド層
に代えて、前記半導体レーザの発振レーザ光エネルギー
より大きなバンドギャップを有する第二の半導体材料層
が、少なくとも前記活性層と同じ幅で、前記活性層の端
より前記ミラー面へ延伸する領域に設けられている構造
であることを特徴とする。前記第二の半導体材料層は、
前記活性層より屈折率の小さな半導体材料を用いると好
ましく、更には、前記窓構造における前記第二の半導体
材料層の実効的屈折率は、前記クラッド層自体の屈折率
を超える構成がより好ましい。
型ストライプ導波路半導体レーザであって、前記BH型
ストライプ導波路は、活性層、あるいは、活性層とそれ
に付設する光ガイド層、ならびに、前記活性層または前
記活性層と光ガイド層より屈折率の小さな第一の半導体
材料で形成されてなるその上下に設けられるクラッド層
を有し、少なくとも一つの端面が光共振器を形成するミ
ラー面として機能し、前記ミラー面として機能する端面
に埋め込み成長で形成される半導体材料を用いて構成さ
れる窓構造が形成され、前記窓構造は、前記ストライプ
導波路における前記クラッド層と同じ第一の半導体材料
層を有し、上下に配置される前記第一の半導体材料層の
間に、前記活性層、あるいは、前記活性層と光ガイド層
に代えて、前記半導体レーザの発振レーザ光エネルギー
より大きなバンドギャップを有する第二の半導体材料層
が、少なくとも前記活性層と同じ幅で、前記活性層の端
より前記ミラー面へ延伸する領域に設けられている構造
であることを特徴とする。前記第二の半導体材料層は、
前記活性層より屈折率の小さな半導体材料を用いると好
ましく、更には、前記窓構造における前記第二の半導体
材料層の実効的屈折率は、前記クラッド層自体の屈折率
を超える構成がより好ましい。
【0011】本発明の半導体レーザにおいて、実質的
に、前記窓構造部における前記第一の半導体材料層の幅
は、前記ストライプ導波路における前記クラッド層の幅
より狭く、また、前記ストライプ導波路における前記活
性層の幅以上に選択される構造とすると好ましい。さら
に、実質的に、前記窓構造部における前記第一の半導体
材料層の幅は、前記ストライプ導波路における前記クラ
ッド層の幅と前記活性層の幅との差異以下であって、前
記ストライプ導波路における前記活性層の幅以上に選択
される構造とすると一層好ましい。一方、前記窓構造が
形成される端面が、劈開により形成されている、あるい
は、垂直性の高いドライエッチングにより形成されてい
る構造を選択すると好ましい。
に、前記窓構造部における前記第一の半導体材料層の幅
は、前記ストライプ導波路における前記クラッド層の幅
より狭く、また、前記ストライプ導波路における前記活
性層の幅以上に選択される構造とすると好ましい。さら
に、実質的に、前記窓構造部における前記第一の半導体
材料層の幅は、前記ストライプ導波路における前記クラ
ッド層の幅と前記活性層の幅との差異以下であって、前
記ストライプ導波路における前記活性層の幅以上に選択
される構造とすると一層好ましい。一方、前記窓構造が
形成される端面が、劈開により形成されている、あるい
は、垂直性の高いドライエッチングにより形成されてい
る構造を選択すると好ましい。
【0012】なお、前記窓構造のストライプ方向の長さ
は、実質的に、前記ストライプ導波路における前記活性
層の幅の2倍を超えない範囲に選択すると好ましい。ま
た、少なくとも、上に位置する前記クラッド層の上面の
一部に、前記第一の半導体材料層ならびにクラッド層を
構成する半導体材料より、屈折率の高い半導体材料から
なるキャップ層が形成されている構造とすると好まし
い。少なくとも、前記第二の半導体材料層は、前記クラ
ッド層を構成する半導体材料と実質的に同じ格子定数を
有する半導体材料で形成される構造を選択すると好まし
い。その際、前記第二の半導体材料層は、前記クラッド
層を構成する半導体材料を構成する元素と実質的に同じ
元素により構成される半導体材料で形成される構造を選
択するとなお好ましい。
は、実質的に、前記ストライプ導波路における前記活性
層の幅の2倍を超えない範囲に選択すると好ましい。ま
た、少なくとも、上に位置する前記クラッド層の上面の
一部に、前記第一の半導体材料層ならびにクラッド層を
構成する半導体材料より、屈折率の高い半導体材料から
なるキャップ層が形成されている構造とすると好まし
い。少なくとも、前記第二の半導体材料層は、前記クラ
ッド層を構成する半導体材料と実質的に同じ格子定数を
有する半導体材料で形成される構造を選択すると好まし
い。その際、前記第二の半導体材料層は、前記クラッド
層を構成する半導体材料を構成する元素と実質的に同じ
元素により構成される半導体材料で形成される構造を選
択するとなお好ましい。
【0013】上述する本発明の半導体レーザは、例え
ば、以下に述べる製造方法で作製することができる。す
なわち、本発明の半導体レーザの製造方法は、上記する
少なくとも一つの端面が光共振器を形成するミラー面と
して機能し、前記ミラー面として機能する端面に埋め込
み成長で形成される半導体材料を用いて構成される窓構
造が形成されてなるBH型ストライプ導波路半導体レー
ザを製造する方法であって、前記BH型ストライプ導波
路に用いる、少なくとも、活性層、あるいは、活性層と
それに付設する光ガイド層、ならびに、前記活性層また
は前記活性層と光ガイド層より屈折率の小さな第一の半
導体材料で形成され、その上下に設けられるクラッド層
を含んでなるDH構造の半導体積層膜を基板上に形成す
る工程、前記DH構造の半導体積層膜表面に、所定のス
トライプ導波路形状にエッチングするためのエッチング
マスクを形成する工程、その際、前記エッチングマスク
は、ストライプ導波路部における幅より窓構造部におけ
る幅を狭く、また、所定の活性層の幅以上となるように
選択し、前記エッチングマスクを用いて、少なくとも前
記下に位置するクラッド層に達するまで、垂直性の高い
エッチング手段を用いてストライプメサ形状を形成する
工程、形成された前記ストライプメサ側壁面より、前記
クラッド層を構成する半導体材料と比べて、前記活性層
または前記活性層と光ガイド層を構成する半導体材料に
対する高い選択性を有するエッチング液を用いて、前記
ストライプ導波路部における前記活性層の幅が前記する
所定の幅となるように選択的なエッチングを施し、同時
に前記窓構造部において、前記活性層または前記活性層
と光ガイド層を構成する半導体材料を前記選択的なエッ
チングにより消失させる工程、次いで、前記エッチング
マスクと同じ形状の選択成長用マスクを用いて、前記半
導体レーザの発振レーザ光エネルギーより大きなバンド
ギャップを有する半導体材料を、前記窓構造部において
消失させた前記活性層または前記活性層と光ガイド層が
占めていた空隙を満たすに十分な所定の膜厚を埋め込み
成長する工程、その後、前記ストライプメサの両側部に
所定の電流ブロック層となる層を埋め込み成長する工程
とを含み、前記の工程を一連として実施することを特徴
とする製造方法である。
ば、以下に述べる製造方法で作製することができる。す
なわち、本発明の半導体レーザの製造方法は、上記する
少なくとも一つの端面が光共振器を形成するミラー面と
して機能し、前記ミラー面として機能する端面に埋め込
み成長で形成される半導体材料を用いて構成される窓構
造が形成されてなるBH型ストライプ導波路半導体レー
ザを製造する方法であって、前記BH型ストライプ導波
路に用いる、少なくとも、活性層、あるいは、活性層と
それに付設する光ガイド層、ならびに、前記活性層また
は前記活性層と光ガイド層より屈折率の小さな第一の半
導体材料で形成され、その上下に設けられるクラッド層
を含んでなるDH構造の半導体積層膜を基板上に形成す
る工程、前記DH構造の半導体積層膜表面に、所定のス
トライプ導波路形状にエッチングするためのエッチング
マスクを形成する工程、その際、前記エッチングマスク
は、ストライプ導波路部における幅より窓構造部におけ
る幅を狭く、また、所定の活性層の幅以上となるように
選択し、前記エッチングマスクを用いて、少なくとも前
記下に位置するクラッド層に達するまで、垂直性の高い
エッチング手段を用いてストライプメサ形状を形成する
工程、形成された前記ストライプメサ側壁面より、前記
クラッド層を構成する半導体材料と比べて、前記活性層
または前記活性層と光ガイド層を構成する半導体材料に
対する高い選択性を有するエッチング液を用いて、前記
ストライプ導波路部における前記活性層の幅が前記する
所定の幅となるように選択的なエッチングを施し、同時
に前記窓構造部において、前記活性層または前記活性層
と光ガイド層を構成する半導体材料を前記選択的なエッ
チングにより消失させる工程、次いで、前記エッチング
マスクと同じ形状の選択成長用マスクを用いて、前記半
導体レーザの発振レーザ光エネルギーより大きなバンド
ギャップを有する半導体材料を、前記窓構造部において
消失させた前記活性層または前記活性層と光ガイド層が
占めていた空隙を満たすに十分な所定の膜厚を埋め込み
成長する工程、その後、前記ストライプメサの両側部に
所定の電流ブロック層となる層を埋め込み成長する工程
とを含み、前記の工程を一連として実施することを特徴
とする製造方法である。
【0014】その後、BH型ストライプ導波路半導体レ
ーザを形成する工程において、前記窓構造を形成した部
位に、端面を劈開により形成する、あるいは、垂直性の
高いドライエッチングにより形成するなどして、光共振
器を形成するミラー面とすると好ましい。なお、前記ス
トライプメサ形成に用いるエッチングマスクと同じ形状
の選択成長マスクは、誘電体膜からなるマスクを用いる
と好ましい。誘電体膜上には、埋め込み成長において、
成長が生じないので好ましい。
ーザを形成する工程において、前記窓構造を形成した部
位に、端面を劈開により形成する、あるいは、垂直性の
高いドライエッチングにより形成するなどして、光共振
器を形成するミラー面とすると好ましい。なお、前記ス
トライプメサ形成に用いるエッチングマスクと同じ形状
の選択成長マスクは、誘電体膜からなるマスクを用いる
と好ましい。誘電体膜上には、埋め込み成長において、
成長が生じないので好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明のBH型ストライプ導波路
半導体レーザは、端面損傷に対して、窓構造を設けて端
面透明化を図り、CODレベルの向上を達成するもので
ある。用いる窓構造は、ストライプ導波路の活性層を残
す領域(利得領域)のクラッド層と同じ第一の半導体材
料層が上下に配置され、その層間に第二の半導体材料層
が、活性層、あるいは活性層と光ガイド層と対応する配
置に形成される構造とされている。そのため、ストライ
プ導波路の活性層端からこの窓領域に入射したレーザ光
は、前記第一の半導体材料層と第二の半導体材料層間の
屈折率差により、上下方向の光ビーム拡がりは、前記第
一の半導体材料層により区切られた範囲に制限される。
このレーザ光の一部は、端面に形成されたミラー面によ
り反射され、再びストライプ導波路の活性層端から利得
領域に帰還される。この反射光も、大部分前記第一の半
導体材料層により区切られた範囲に閉じ込めがなされ
る。この作用により、窓構造を形成した端面における実
効的反射率の低下が抑制されるので、発振効率の低下、
閾値電流の上昇が有効に抑えられる。加えて、横方向に
関しても、窓領域にも、BH型ストライプ導波路と同様
に側面に電流ブロック層が構成されるので、実効的な屈
折率差が形成される。その効果は、上下方向ほど顕著で
はないが、窓領域に入射したレーザ光の光ビーム拡がり
が抑えられる。
半導体レーザは、端面損傷に対して、窓構造を設けて端
面透明化を図り、CODレベルの向上を達成するもので
ある。用いる窓構造は、ストライプ導波路の活性層を残
す領域(利得領域)のクラッド層と同じ第一の半導体材
料層が上下に配置され、その層間に第二の半導体材料層
が、活性層、あるいは活性層と光ガイド層と対応する配
置に形成される構造とされている。そのため、ストライ
プ導波路の活性層端からこの窓領域に入射したレーザ光
は、前記第一の半導体材料層と第二の半導体材料層間の
屈折率差により、上下方向の光ビーム拡がりは、前記第
一の半導体材料層により区切られた範囲に制限される。
このレーザ光の一部は、端面に形成されたミラー面によ
り反射され、再びストライプ導波路の活性層端から利得
領域に帰還される。この反射光も、大部分前記第一の半
導体材料層により区切られた範囲に閉じ込めがなされ
る。この作用により、窓構造を形成した端面における実
効的反射率の低下が抑制されるので、発振効率の低下、
閾値電流の上昇が有効に抑えられる。加えて、横方向に
関しても、窓領域にも、BH型ストライプ導波路と同様
に側面に電流ブロック層が構成されるので、実効的な屈
折率差が形成される。その効果は、上下方向ほど顕著で
はないが、窓領域に入射したレーザ光の光ビーム拡がり
が抑えられる。
【0016】さらには、ストライプ導波路の活性層の幅
をクラッド層の幅より狭く構成でき、利得領域におい
て、活性層の側部に上記の第二の半導体材料が埋め込み
成長された構成を形成できる。そのため、利得領域にお
いても、水平方向に前記第二の半導体材料と活性層間に
屈折率差を形成することができる。また、前記第二の半
導体材料と活性層間にバンドギャップ差があり、電流狭
窄もより効果的になされる。従って、ストライプ導波路
におけるクラッド層の幅を広く保ちつつ、活性層自体の
幅を狭くできる。ストライプ導波路側部の電流ブロック
層構造により、電流はクラッド層を経て活性層に注入さ
れるが、その際、クラッド層の幅が広くできるので、ク
ラッド層に由来する抵抗を小さくでき、その抵抗に付随
する発熱量の低減もなされる。このように、水平横モー
ドの制御性を維持しつつ、ストライプ導波路自体の幅を
広くできるため、不要な発熱量の低減ができ、閾値電流
をさらに低減する効果ならびに連続動作時の熱的劣化を
さらに抑制できる効果が得られる。
をクラッド層の幅より狭く構成でき、利得領域におい
て、活性層の側部に上記の第二の半導体材料が埋め込み
成長された構成を形成できる。そのため、利得領域にお
いても、水平方向に前記第二の半導体材料と活性層間に
屈折率差を形成することができる。また、前記第二の半
導体材料と活性層間にバンドギャップ差があり、電流狭
窄もより効果的になされる。従って、ストライプ導波路
におけるクラッド層の幅を広く保ちつつ、活性層自体の
幅を狭くできる。ストライプ導波路側部の電流ブロック
層構造により、電流はクラッド層を経て活性層に注入さ
れるが、その際、クラッド層の幅が広くできるので、ク
ラッド層に由来する抵抗を小さくでき、その抵抗に付随
する発熱量の低減もなされる。このように、水平横モー
ドの制御性を維持しつつ、ストライプ導波路自体の幅を
広くできるため、不要な発熱量の低減ができ、閾値電流
をさらに低減する効果ならびに連続動作時の熱的劣化を
さらに抑制できる効果が得られる。
【0017】また、窓構造は埋め込み成長を利用して形
成されているので、利得領域の活性層に深い不純物拡散
を施すウインドウストライプ構造やイオン打ち込みによ
る高抵抗化による端面透明化のように、余剰の熱的処理
を施す必要がない。そのため、前記する余剰の熱的処理
に伴う、活性層等における結晶欠陥の誘発、界面の乱れ
などもなく、素子寿命を短縮させる要因を極力減ずるこ
とができる。
成されているので、利得領域の活性層に深い不純物拡散
を施すウインドウストライプ構造やイオン打ち込みによ
る高抵抗化による端面透明化のように、余剰の熱的処理
を施す必要がない。そのため、前記する余剰の熱的処理
に伴う、活性層等における結晶欠陥の誘発、界面の乱れ
などもなく、素子寿命を短縮させる要因を極力減ずるこ
とができる。
【0018】加えて、窓構造部分も、ストライプ導波路
におけるグラッド層と同じ第一の半導体材料層が残され
ており、埋め込み成長後も表面の平坦性が保たれたもの
となる。そのため、この窓構造部分に端面ミラーを形成
する際、端面を劈開により形成する、あるいは、垂直性
の高いドライエッチングにより形成することが、表面の
平坦性が必ずしも高くない、従来の埋め込み成長を利用
する窓構造と比較して、大幅に容易となる。
におけるグラッド層と同じ第一の半導体材料層が残され
ており、埋め込み成長後も表面の平坦性が保たれたもの
となる。そのため、この窓構造部分に端面ミラーを形成
する際、端面を劈開により形成する、あるいは、垂直性
の高いドライエッチングにより形成することが、表面の
平坦性が必ずしも高くない、従来の埋め込み成長を利用
する窓構造と比較して、大幅に容易となる。
【0019】これらの効果により、本発明のBH型スト
ライプ導波路半導体レーザは、CODレベルが向上し、
レーザ特性にも優れ、長期信頼性にも優れるものとな
り、加えて、その製造における再現性、歩留まりも高い
ものとなる。
ライプ導波路半導体レーザは、CODレベルが向上し、
レーザ特性にも優れ、長期信頼性にも優れるものとな
り、加えて、その製造における再現性、歩留まりも高い
ものとなる。
【0020】以下に、本発明の半導体レーザの構成に関
して、より具体的に説明する。図4は、本発明の半導体
レーザにおける、(A)利得領域となるストライプ導波
路部の構成と(B)窓構造部分の構成の一例を模式的に
示す断面図である。図4に示す例は、窓構造部分におい
て、活性層に代えて、第二の半導体材料層が配置される
構成を採っている。図4(B)に示す窓構造部分には、
ストライプ導波路部のクラッド層と同じ第一の半導体材
料層、その内側に光ガイド層と同じ層、中心部には、埋
め込み成長で形成される第二の半導体材料層が形成され
ている。この第二の半導体材料層は、BH型ストライプ
導波路における電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料からなる。すなわち、図4(A)に示すストライプ導
波路部において、中央にある活性層の側面を埋め込むよ
うに成長される電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料である。窓構造部分の第一の半導体材料層の幅は、ス
トライプ導波路部のクラッド層の幅より狭く、活性層の
幅以上に選択されている。従って、ストライプ導波路の
活性層端から窓構造に入射するレーザ光は、前記第二の
半導体材料層とその上下に配置される光ガイド層に相当
する領域に進む。クラッド層と第一の半導体材料層、光
ガイド層、活性層、電流ブロック層の第一層と第二の半
導体材料層の屈折率を、それぞれnc、ng、na、nbと
する。その際、ストライプ導波路において、光導波路内
に光閉じ込めを行うため、na>ng>ncに選択されて
いる。一方、BH型ストライプ導波路では、水平横方向
においても、屈折率差を設けるので、na>nbとされ
る。
して、より具体的に説明する。図4は、本発明の半導体
レーザにおける、(A)利得領域となるストライプ導波
路部の構成と(B)窓構造部分の構成の一例を模式的に
示す断面図である。図4に示す例は、窓構造部分におい
て、活性層に代えて、第二の半導体材料層が配置される
構成を採っている。図4(B)に示す窓構造部分には、
ストライプ導波路部のクラッド層と同じ第一の半導体材
料層、その内側に光ガイド層と同じ層、中心部には、埋
め込み成長で形成される第二の半導体材料層が形成され
ている。この第二の半導体材料層は、BH型ストライプ
導波路における電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料からなる。すなわち、図4(A)に示すストライプ導
波路部において、中央にある活性層の側面を埋め込むよ
うに成長される電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料である。窓構造部分の第一の半導体材料層の幅は、ス
トライプ導波路部のクラッド層の幅より狭く、活性層の
幅以上に選択されている。従って、ストライプ導波路の
活性層端から窓構造に入射するレーザ光は、前記第二の
半導体材料層とその上下に配置される光ガイド層に相当
する領域に進む。クラッド層と第一の半導体材料層、光
ガイド層、活性層、電流ブロック層の第一層と第二の半
導体材料層の屈折率を、それぞれnc、ng、na、nbと
する。その際、ストライプ導波路において、光導波路内
に光閉じ込めを行うため、na>ng>ncに選択されて
いる。一方、BH型ストライプ導波路では、水平横方向
においても、屈折率差を設けるので、na>nbとされ
る。
【0021】例えば、ng>nb>ncとなるように第二
の半導体材料(電流ブロック層の第一層)を選択する
と、図4(A)に示すストライプ導波路内の上下方向の
屈折率分布は、図5(a)、(b)に示すようになる。
図5(a)は、図4(A)中に点線aで示す部位、活性
層がある利得領域部の屈折率分布を示す。この領域で
は、活性層と光ガイド層が存在するので等価屈折率は、
β1となる。活性層と光ガイド層に光は主に分布し、na
>β1>ngとなる。図5(b)は、図4(A)中に点線
bで示す部位、活性層に代えて、電流ブロック層の第一
層(第二の半導体材料層)が埋め込み成長された領域部
の屈折率分布を示す。この領域でも、光ガイド層と第二
の半導体材料層に光は主に分布し、等価屈折率は、β2
となる。光分布と層厚に従って、ng>β2>nbとな
る。従って、図4(A)に示すストライプ導波路内、水
平方向の等価屈折率分布を模式的に示すと、図5(c)
に示すものとなる。導波路内、活性層がある利得領域部
では、等価屈折率β1、その両側部分では、等価屈折率
β2、導波路の外では、電流ブロック層の第一層のみで
あり、屈折率nbとなり、β1>β2>nbの関係となる。
この屈折率分布に由来して、導波路中央に中心を持つ水
平横モードに制御がなされる。
の半導体材料(電流ブロック層の第一層)を選択する
と、図4(A)に示すストライプ導波路内の上下方向の
屈折率分布は、図5(a)、(b)に示すようになる。
図5(a)は、図4(A)中に点線aで示す部位、活性
層がある利得領域部の屈折率分布を示す。この領域で
は、活性層と光ガイド層が存在するので等価屈折率は、
β1となる。活性層と光ガイド層に光は主に分布し、na
>β1>ngとなる。図5(b)は、図4(A)中に点線
bで示す部位、活性層に代えて、電流ブロック層の第一
層(第二の半導体材料層)が埋め込み成長された領域部
の屈折率分布を示す。この領域でも、光ガイド層と第二
の半導体材料層に光は主に分布し、等価屈折率は、β2
となる。光分布と層厚に従って、ng>β2>nbとな
る。従って、図4(A)に示すストライプ導波路内、水
平方向の等価屈折率分布を模式的に示すと、図5(c)
に示すものとなる。導波路内、活性層がある利得領域部
では、等価屈折率β1、その両側部分では、等価屈折率
β2、導波路の外では、電流ブロック層の第一層のみで
あり、屈折率nbとなり、β1>β2>nbの関係となる。
この屈折率分布に由来して、導波路中央に中心を持つ水
平横モードに制御がなされる。
【0022】図4(B)中に点線cで示す部位は、図4
(A)中に点線bで示す部位と実質的に同じ積層構造で
ある。従って、その屈折率分布は、図5(d)に示すも
のとなり、等価屈折率βcは、β2と実質的に等しい。図
4(B)中に点線dで示す部位は、電流ブロック層の第
一層のみであり、図5(e)に示すように、屈折率n b
である。このように、窓構造部分でも、第一の半導体材
料層に挟まれる領域は、周囲より屈折率が高い領域とな
っており、光ガイド層と第二の半導体材料層に光は主に
分布する。結果として、ストライプ導波路の利得領域か
ら伝播してきたレーザ光ビームの上下方向への拡がりが
抑えられる。
(A)中に点線bで示す部位と実質的に同じ積層構造で
ある。従って、その屈折率分布は、図5(d)に示すも
のとなり、等価屈折率βcは、β2と実質的に等しい。図
4(B)中に点線dで示す部位は、電流ブロック層の第
一層のみであり、図5(e)に示すように、屈折率n b
である。このように、窓構造部分でも、第一の半導体材
料層に挟まれる領域は、周囲より屈折率が高い領域とな
っており、光ガイド層と第二の半導体材料層に光は主に
分布する。結果として、ストライプ導波路の利得領域か
ら伝播してきたレーザ光ビームの上下方向への拡がりが
抑えられる。
【0023】また、窓構造の第二の半導体材料層中央の
水平方向の等価屈折率分布を模式的に示すと、図5
(f)に示すものとなる。窓領域の第一の半導体材料層
に挟まれる領域では、等価屈折率βc=β2であり、その
外側では、屈折率はnbとなる。従って、この窓構造部
分は、βc>nbと周囲より屈折率が高くなり、横方向へ
の光分布の拡がりが抑制される。
水平方向の等価屈折率分布を模式的に示すと、図5
(f)に示すものとなる。窓領域の第一の半導体材料層
に挟まれる領域では、等価屈折率βc=β2であり、その
外側では、屈折率はnbとなる。従って、この窓構造部
分は、βc>nbと周囲より屈折率が高くなり、横方向へ
の光分布の拡がりが抑制される。
【0024】このように、窓領域に光ガイド層に相当す
る層を残す場合には、ストライプ導波路において、水平
横モードを制御するには、β1>β2>nbの関係を満た
す必要があるが、その際、窓領域でも、β2=βc>nb
の関係が満たされ、横方向への光分布の拡がりが抑制さ
れる。具体的には、ng>nbの関係が満たされれば、前
記の条件は十分に満たされる。なお、nc>nbとなる
と、β2=βc>nbの関係は必ずしも満たされないの
で、ng>nb>ncの範囲に選択すると好ましい。
る層を残す場合には、ストライプ導波路において、水平
横モードを制御するには、β1>β2>nbの関係を満た
す必要があるが、その際、窓領域でも、β2=βc>nb
の関係が満たされ、横方向への光分布の拡がりが抑制さ
れる。具体的には、ng>nbの関係が満たされれば、前
記の条件は十分に満たされる。なお、nc>nbとなる
と、β2=βc>nbの関係は必ずしも満たされないの
で、ng>nb>ncの範囲に選択すると好ましい。
【0025】図6は、本発明の半導体レーザにおける、
(A)利得領域となるストライプ導波路部の構成と
(B)窓構造部分の構成の他の一例を模式的に示す断面
図である。図6に示す例は、ストライプ導波路におい
て、光ガイド層を設けず、窓構造部分において、活性層
に代えて、第二の半導体材料層が配置される構成を採っ
ている。この第二の半導体材料層は、BH型ストライプ
導波路における電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料からなる。すなわち、図6(A)に示すストライプ導
波路部において、中央にある活性層の側面を埋め込むよ
うに成長される電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料である。窓構造部分の第一の半導体材料層の幅は、ス
トライプ導波路部のクラッド層の幅より狭く、活性層の
幅以上に選択されている。クラッド層と第一の半導体材
料層、活性層、電流ブロック層の第一層と第二の半導体
材料層の屈折率を、それぞれnc、na、nbとする。そ
の際、ストライプ導波路において、光導波路内に光閉じ
込めを行うため、na>ncに選択されている。一方、B
H型ストライプ導波路では、水平横方向においても、屈
折率差を設けるので、na>nbとされる。
(A)利得領域となるストライプ導波路部の構成と
(B)窓構造部分の構成の他の一例を模式的に示す断面
図である。図6に示す例は、ストライプ導波路におい
て、光ガイド層を設けず、窓構造部分において、活性層
に代えて、第二の半導体材料層が配置される構成を採っ
ている。この第二の半導体材料層は、BH型ストライプ
導波路における電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料からなる。すなわち、図6(A)に示すストライプ導
波路部において、中央にある活性層の側面を埋め込むよ
うに成長される電流ブロック層の第一層と同じ半導体材
料である。窓構造部分の第一の半導体材料層の幅は、ス
トライプ導波路部のクラッド層の幅より狭く、活性層の
幅以上に選択されている。クラッド層と第一の半導体材
料層、活性層、電流ブロック層の第一層と第二の半導体
材料層の屈折率を、それぞれnc、na、nbとする。そ
の際、ストライプ導波路において、光導波路内に光閉じ
込めを行うため、na>ncに選択されている。一方、B
H型ストライプ導波路では、水平横方向においても、屈
折率差を設けるので、na>nbとされる。
【0026】例えば、ng>nb>ncとなるように第二
の半導体材料(電流ブロック層の第一層)を選択する
と、図6(A)に示すストライプ導波路内の上下方向の
屈折率分布は、図7(a)、(b)に示すようになる。
図7(a)は、図6(A)中に点線eで示す部位、活性
層がある利得領域部の屈折率分布を示す。この領域で
は、活性層とクラッド層が存在するので等価屈折率は、
βeとなる。活性層に光分布の中心があり、na>βe>
ncとなる。図7(b)は、図6(A)中に点線fで示
す部位、活性層に代えて、電流ブロック層の第一層(第
二の半導体材料層)が埋め込み成長された領域部の屈折
率分布を示す。この領域でも、光分布の中心は第二の半
導体材料層にあり、等価屈折率は、βfとなる。光分布
と層厚に従って、nb>βf>ncとなる。従って、図6
(A)に示すストライプ導波路内、水平方向の等価屈折
率分布を模式的に示すと、図7(c)に示すものとな
る。導波路内、活性層がある利得領域部では、等価屈折
率β1、その両側部分では、等価屈折率βfとなり、βe
>βfの関係になる。この屈折率分布に由来して、導波
路中央に中心を持つ水平横モードに制御がなされる。
の半導体材料(電流ブロック層の第一層)を選択する
と、図6(A)に示すストライプ導波路内の上下方向の
屈折率分布は、図7(a)、(b)に示すようになる。
図7(a)は、図6(A)中に点線eで示す部位、活性
層がある利得領域部の屈折率分布を示す。この領域で
は、活性層とクラッド層が存在するので等価屈折率は、
βeとなる。活性層に光分布の中心があり、na>βe>
ncとなる。図7(b)は、図6(A)中に点線fで示
す部位、活性層に代えて、電流ブロック層の第一層(第
二の半導体材料層)が埋め込み成長された領域部の屈折
率分布を示す。この領域でも、光分布の中心は第二の半
導体材料層にあり、等価屈折率は、βfとなる。光分布
と層厚に従って、nb>βf>ncとなる。従って、図6
(A)に示すストライプ導波路内、水平方向の等価屈折
率分布を模式的に示すと、図7(c)に示すものとな
る。導波路内、活性層がある利得領域部では、等価屈折
率β1、その両側部分では、等価屈折率βfとなり、βe
>βfの関係になる。この屈折率分布に由来して、導波
路中央に中心を持つ水平横モードに制御がなされる。
【0027】図6(B)中に点線gで示す部位は、図6
(A)中に点線bで示す部位と実質的に同じ積層構造で
ある。従って、その屈折率分布は、図7(d)に示すも
のとなり、等価屈折率βgは、βfと実質的に等しい。図
6(B)中に点線hで示す部位は、電流ブロック層の第
一層のみであり、図7(e)に示すように、屈折率nb
である。窓構造部分でも、第二の半導体材料層は、それ
を挟まむ第一の半導体材料層より屈折率が高い領域とな
っており、第二の半導体材料層に光は主に分布する。結
果として、ストライプ導波路の利得領域から伝播してき
たレーザ光ビームの上下方向への拡がりが抑えられる。
(A)中に点線bで示す部位と実質的に同じ積層構造で
ある。従って、その屈折率分布は、図7(d)に示すも
のとなり、等価屈折率βgは、βfと実質的に等しい。図
6(B)中に点線hで示す部位は、電流ブロック層の第
一層のみであり、図7(e)に示すように、屈折率nb
である。窓構造部分でも、第二の半導体材料層は、それ
を挟まむ第一の半導体材料層より屈折率が高い領域とな
っており、第二の半導体材料層に光は主に分布する。結
果として、ストライプ導波路の利得領域から伝播してき
たレーザ光ビームの上下方向への拡がりが抑えられる。
【0028】一方、窓構造の第二の半導体材料層中央の
水平方向の等価屈折率分布を模式的に示すと、図7
(f)に示すものとなる。窓領域の第一の半導体材料層
に挟まれる領域では、等価屈折率βg=βfであり、その
外側は、屈折率はnbとなる。水平方向では、窓領域の
第一の半導体材料層に挟まれる領域の方が、等価屈折率
が低くなってしまう。しかしながら、窓領域の長さはさ
ほど長くなく、横方向の光ビームの拡がりは、従来の埋
め込み成長の窓構造と大差ない範囲に留まる。少なくと
も、より影響が大きな垂直方向の光ビームの拡がりが抑
えられるため、端面で反射された光が、再び活性層に戻
る比率は向上する。特に、窓領域の第一の半導体材料層
の幅が、活性層の幅より広い際には、横方向の光ビーム
の拡がりはより僅かなものとなり好ましい結果を与え
る。
水平方向の等価屈折率分布を模式的に示すと、図7
(f)に示すものとなる。窓領域の第一の半導体材料層
に挟まれる領域では、等価屈折率βg=βfであり、その
外側は、屈折率はnbとなる。水平方向では、窓領域の
第一の半導体材料層に挟まれる領域の方が、等価屈折率
が低くなってしまう。しかしながら、窓領域の長さはさ
ほど長くなく、横方向の光ビームの拡がりは、従来の埋
め込み成長の窓構造と大差ない範囲に留まる。少なくと
も、より影響が大きな垂直方向の光ビームの拡がりが抑
えられるため、端面で反射された光が、再び活性層に戻
る比率は向上する。特に、窓領域の第一の半導体材料層
の幅が、活性層の幅より広い際には、横方向の光ビーム
の拡がりはより僅かなものとなり好ましい結果を与え
る。
【0029】ストライプ導波路において、光ガイド層を
設け、選択的エッチングにより、活性層と光ガイド層を
除去し、第二の半導体材料(電流ブロック層の第一層)
を埋め込み成長した場合も、前記図6、図7に示す例と
類似したものとなる。何れの場合も、垂直方向の光ビー
ムの拡がりが抑制されるので、本発明の発振効率の低
下、閾値電流の上昇を抑制する作用・効果は十分に達成
される。加えて、窓構造部分にも、クラッド層に相当す
る第一の半導体材料層があるので、埋め込み成長後の平
坦性を維持することができるので、端面を劈開により形
成する、あるいは、垂直性の高いドライエッチングによ
り形成する際の歩留まりは、埋め込み成長による窓構造
を持たないBH型半導体レーザと遜色のないものとな
る。
設け、選択的エッチングにより、活性層と光ガイド層を
除去し、第二の半導体材料(電流ブロック層の第一層)
を埋め込み成長した場合も、前記図6、図7に示す例と
類似したものとなる。何れの場合も、垂直方向の光ビー
ムの拡がりが抑制されるので、本発明の発振効率の低
下、閾値電流の上昇を抑制する作用・効果は十分に達成
される。加えて、窓構造部分にも、クラッド層に相当す
る第一の半導体材料層があるので、埋め込み成長後の平
坦性を維持することができるので、端面を劈開により形
成する、あるいは、垂直性の高いドライエッチングによ
り形成する際の歩留まりは、埋め込み成長による窓構造
を持たないBH型半導体レーザと遜色のないものとな
る。
【0030】本発明の半導体レーザにおいては、上述し
た窓構造と、ストライプ導波路の側部において、活性
層、あるいは、活性層と光ガイド層を選択エッチングに
より除去し、係る部分に埋め込み成長を行う点を除く
と、本質的に従来この種のBH型ストライプ導波路半導
体レーザを製造する工程に準じて、製造を行うことがで
きる。
た窓構造と、ストライプ導波路の側部において、活性
層、あるいは、活性層と光ガイド層を選択エッチングに
より除去し、係る部分に埋め込み成長を行う点を除く
と、本質的に従来この種のBH型ストライプ導波路半導
体レーザを製造する工程に準じて、製造を行うことがで
きる。
【0031】また、BH型ストライプ導波路を構成する
クラッド層、光ガイド層、活性層などは、設計により適
宜変更されるものである。窓構造において、第二の半導
体材料層となる電流ブロック層の第一層は、上に述べた
屈折率範囲に選択されるが、残る電流ブロック層の第二
層以降も、適宜選択することができる。従って、これら
半導体レーザを構成する各種半導体材料は、目的とする
レーザ発振波長などに応じて適宜選択できるものであ
る。また、活性層、あるいは、活性層と光ガイド層を選
択エッチングにより除去するが、例えば、活性層、ある
いは、活性層と光ガイド層が、GaAs、InGaA
s、Al含有量の少ないAlGaAsを利用するもので
ある際には、選択的エッチング液として、クエン酸系選
択エッチング液、例えば、クエン酸−過酸化水素混合液
を用いるとより好ましい。
クラッド層、光ガイド層、活性層などは、設計により適
宜変更されるものである。窓構造において、第二の半導
体材料層となる電流ブロック層の第一層は、上に述べた
屈折率範囲に選択されるが、残る電流ブロック層の第二
層以降も、適宜選択することができる。従って、これら
半導体レーザを構成する各種半導体材料は、目的とする
レーザ発振波長などに応じて適宜選択できるものであ
る。また、活性層、あるいは、活性層と光ガイド層を選
択エッチングにより除去するが、例えば、活性層、ある
いは、活性層と光ガイド層が、GaAs、InGaA
s、Al含有量の少ないAlGaAsを利用するもので
ある際には、選択的エッチング液として、クエン酸系選
択エッチング液、例えば、クエン酸−過酸化水素混合液
を用いるとより好ましい。
【0032】窓構造部分ならびに利得領域において、上
記選択的エッチングで除去した活性層、あるいは、活性
層と光ガイド層に代えて、第二の半導体材料を埋め込み
成長するが、その際、有機金属気相成長法などを用いる
と、この狭い空隙に良好な成長がなされ、好ましい。さ
らに、成長が進む際、表面上で横方向成長が優位に進む
成長条件を選択するとよい。例えば、III−V族化合物
半導体などでは、基板面方位を(001)と選択し、表
面上におけるIII族原子の移動が有効に進む温度条件な
どを選択すると好ましい。
記選択的エッチングで除去した活性層、あるいは、活性
層と光ガイド層に代えて、第二の半導体材料を埋め込み
成長するが、その際、有機金属気相成長法などを用いる
と、この狭い空隙に良好な成長がなされ、好ましい。さ
らに、成長が進む際、表面上で横方向成長が優位に進む
成長条件を選択するとよい。例えば、III−V族化合物
半導体などでは、基板面方位を(001)と選択し、表
面上におけるIII族原子の移動が有効に進む温度条件な
どを選択すると好ましい。
【0033】
【実施例】以下に具体例を上げて、本発明のBH型スト
ライプ導波路半導体レーザと、その製造方法について、
さらに具体的に説明する。なお、以下に挙げる実施例
は、本発明の最良の実施態様の一例を示すものである
が、本発明はこれら最良の実施態様に限定されるもので
はない。
ライプ導波路半導体レーザと、その製造方法について、
さらに具体的に説明する。なお、以下に挙げる実施例
は、本発明の最良の実施態様の一例を示すものである
が、本発明はこれら最良の実施態様に限定されるもので
はない。
【0034】(実施例1)本例は、本発明を980nm
帯BH型半導体レーザに適用する一例である。図1は、
本例の窓構造を有する980nm帯端面発光型半導体レ
ーザの素子構造を模式化して示す図である。BH型スト
ライプ導波路の利得領域として、面方位(001)のn
型GaAs基板1上に、膜厚2000nmのn型Al
0.3Ga0.7Asクラッド層2(Si添加、添加濃度1×
1017cm-3)、膜厚100nmのn型Al0.2Ga0.8
As光ガイド層3(Si添加、添加濃度1×1017cm
-3)、井戸層厚4.5nm、バリア層厚5nmのIn
0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸(無添加)
を、膜厚50nmのn型Al0.1Ga0.9As層(Si添
加、添加濃度1×1017cm-3)および膜厚50nmの
p型Al0.1Ga0.9As層(Mg添加、添加濃度1×1
017cm-3)で挟んだ活性層4、膜厚100nmのp型
Al0.2Ga0.8As光ガイド層5(Mg添加、添加濃度
1×1017cm-3)、膜厚2000nmのp型Al0.3
Ga0.7Asクラッド層6(Mg添加、添加濃度1×1
017cm-3)、膜厚1000nmのp型GaAsキャッ
プ層7(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)を順
次、常圧MOVPE(有機金属気相成長)法を用いて積
層する。p型GaAsキャップ層7上にエッチングマス
クならびに後に選択成長マスクに用いるSiO2薄膜8
をスパッタ装置を用いて、膜厚200nmを堆積する。
帯BH型半導体レーザに適用する一例である。図1は、
本例の窓構造を有する980nm帯端面発光型半導体レ
ーザの素子構造を模式化して示す図である。BH型スト
ライプ導波路の利得領域として、面方位(001)のn
型GaAs基板1上に、膜厚2000nmのn型Al
0.3Ga0.7Asクラッド層2(Si添加、添加濃度1×
1017cm-3)、膜厚100nmのn型Al0.2Ga0.8
As光ガイド層3(Si添加、添加濃度1×1017cm
-3)、井戸層厚4.5nm、バリア層厚5nmのIn
0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸(無添加)
を、膜厚50nmのn型Al0.1Ga0.9As層(Si添
加、添加濃度1×1017cm-3)および膜厚50nmの
p型Al0.1Ga0.9As層(Mg添加、添加濃度1×1
017cm-3)で挟んだ活性層4、膜厚100nmのp型
Al0.2Ga0.8As光ガイド層5(Mg添加、添加濃度
1×1017cm-3)、膜厚2000nmのp型Al0.3
Ga0.7Asクラッド層6(Mg添加、添加濃度1×1
017cm-3)、膜厚1000nmのp型GaAsキャッ
プ層7(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)を順
次、常圧MOVPE(有機金属気相成長)法を用いて積
層する。p型GaAsキャップ層7上にエッチングマス
クならびに後に選択成長マスクに用いるSiO2薄膜8
をスパッタ装置を用いて、膜厚200nmを堆積する。
【0035】図2は、前記エッチングマスクの形状を模
式的に示す図である。ストライプ導波路部分aの幅と比
較し、窓領域の幅は狭くされている。端面は、図2にお
いて、直線bで示す位置において、例えば、劈開により
形成する。他方、隣接する素子間の分離は、図2におい
て、直線cで示す残る劈開方向においてなされる。フォ
トリソグラフィ法を用いて、図2に示す形状にフォトレ
ジストマスク9をSiO2薄膜8上に被覆する。このフ
ォトレジストマスク9を利用して、SiO2薄膜8をフ
ッ酸によりエッチング除去し、SiO2にパターンを転
写する。
式的に示す図である。ストライプ導波路部分aの幅と比
較し、窓領域の幅は狭くされている。端面は、図2にお
いて、直線bで示す位置において、例えば、劈開により
形成する。他方、隣接する素子間の分離は、図2におい
て、直線cで示す残る劈開方向においてなされる。フォ
トリソグラフィ法を用いて、図2に示す形状にフォトレ
ジストマスク9をSiO2薄膜8上に被覆する。このフ
ォトレジストマスク9を利用して、SiO2薄膜8をフ
ッ酸によりエッチング除去し、SiO2にパターンを転
写する。
【0036】図3は、前記のフォトレジストマスク9
(およびSiO2マスク8)を利用し、気相エッチング
法を用いて、ストライプメサ形成する工程、その後、選
択的エッチングを施し、窓領域の活性層4を除去する工
程を模式的に示す図である。図3の(a)は、フォトレ
ジストマスク9を利用して、SiO2薄膜8をフッ酸に
よりエッチング除去し、SiO2にパターンを転写する
工程を模式的に示す。なお、実際のSiO2マスク8
は、図2に示すようにエピタキシャル成長膜の上面全体
に形成される。
(およびSiO2マスク8)を利用し、気相エッチング
法を用いて、ストライプメサ形成する工程、その後、選
択的エッチングを施し、窓領域の活性層4を除去する工
程を模式的に示す図である。図3の(a)は、フォトレ
ジストマスク9を利用して、SiO2薄膜8をフッ酸に
よりエッチング除去し、SiO2にパターンを転写する
工程を模式的に示す。なお、実際のSiO2マスク8
は、図2に示すようにエピタキシャル成長膜の上面全体
に形成される。
【0037】次いで、フォトレジストマスク9(および
SiO2マスク8)を利用し、反応性イオンビームエッ
チング装置を用いて、ストライプメサ形状を形成する。
図3の(b)に、本例におけるエッチング後の形状を模
式的に示す。前記反応性イオンビームエッチング法は、
垂直方向に高い指向性を有するので、エッチングマスク
と一致する形状に積層膜が残される。本例では、エッチ
ング深さは、n型Al 0.2Ga0.8As光ガイド層3を越
えて、n型Al0.3Ga0.7Asクラッド層2の中央に達
する深さとする。すなわち、n型Al0.3Ga0.7Asク
ラッド層2の下にあるn型GaAs基板1が露出しない
ようにする。なお、この後、フォトレジストマスク9
は、ブタノン(エチルメチルケトン)、アルコールなど
の有機溶媒を用いて、超音波洗浄を施し除去する。
SiO2マスク8)を利用し、反応性イオンビームエッ
チング装置を用いて、ストライプメサ形状を形成する。
図3の(b)に、本例におけるエッチング後の形状を模
式的に示す。前記反応性イオンビームエッチング法は、
垂直方向に高い指向性を有するので、エッチングマスク
と一致する形状に積層膜が残される。本例では、エッチ
ング深さは、n型Al 0.2Ga0.8As光ガイド層3を越
えて、n型Al0.3Ga0.7Asクラッド層2の中央に達
する深さとする。すなわち、n型Al0.3Ga0.7Asク
ラッド層2の下にあるn型GaAs基板1が露出しない
ようにする。なお、この後、フォトレジストマスク9
は、ブタノン(エチルメチルケトン)、アルコールなど
の有機溶媒を用いて、超音波洗浄を施し除去する。
【0038】クエン酸、過酸化水素混合液系のエッチン
グ液を利用し、Al組成が0.2未満のAlGaAs混
晶、InGaAs混晶、GaAsを選択的にエッチング
除去する。図3の(c)にエッチング後の形状を模式的
に示す。活性領域のストライプ幅は、窓構造部分におけ
るストライプ幅より十分に広くなっており、窓構造部分
のIn0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸活性層
4がエッチング除去される際にも、活性領域には、二重
量子井戸活性層4がストライプ状に残る。エッチング時
間は、活性領域のみに残る活性層4の幅が所望の値とな
るように選択する。少なくとも、活性領域のみに残る活
性層4の幅が、窓構造部分におけるストライプ幅以下と
なるように、エッチング時間を選択する。その結果、活
性層4の形状は、両端が矢印状になったストライプとな
る。窓構造部分では、SiO2マスク8下のp型GaA
sキャップ層7ならびに二重量子井戸活性層4が除かれ
ている。フッ酸水溶液で10秒間、SiO2マスク8表
面を洗浄し、5分間水洗後、乾燥する。
グ液を利用し、Al組成が0.2未満のAlGaAs混
晶、InGaAs混晶、GaAsを選択的にエッチング
除去する。図3の(c)にエッチング後の形状を模式的
に示す。活性領域のストライプ幅は、窓構造部分におけ
るストライプ幅より十分に広くなっており、窓構造部分
のIn0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸活性層
4がエッチング除去される際にも、活性領域には、二重
量子井戸活性層4がストライプ状に残る。エッチング時
間は、活性領域のみに残る活性層4の幅が所望の値とな
るように選択する。少なくとも、活性領域のみに残る活
性層4の幅が、窓構造部分におけるストライプ幅以下と
なるように、エッチング時間を選択する。その結果、活
性層4の形状は、両端が矢印状になったストライプとな
る。窓構造部分では、SiO2マスク8下のp型GaA
sキャップ層7ならびに二重量子井戸活性層4が除かれ
ている。フッ酸水溶液で10秒間、SiO2マスク8表
面を洗浄し、5分間水洗後、乾燥する。
【0039】SiO2マスク8を選択成長マスクとして
用い、電流ブロック層をMOVPE法を用いて積層す
る。電流ブロック層は、膜厚1000nmのn型Al
0.3Ga0 .7As第一層10(Si添加、添加濃度1×1
017cm-3)、膜厚1000nmのp型Al0.45Ga
0.55As第二層11(Mg添加、添加濃度1×1017c
m-3)、膜厚1000nmのn型Al0.45Ga0.55As
第三層12(Si添加、添加濃度1×1017cm-3)の
n/p/n三層構造からなる。図3の(d)に示すよう
に、このn/p/n三層構造電流ブロック層は、n型A
l0.3Ga0.7As第一層10は、先の選択的エッチング
で活性層4を除去した空隙、p型GaAsキャップ層7
を除去した空隙にも成長し、メサ側面およびp型Al
0.3Ga0.7Asクラッド層6の上表面を覆うように成長
する。次いで、p型Al0.45Ga0.55As第二層11
は、p型GaAsキャップ層7を除去した空隙では、n
型Al0.3Ga0.7As第一層10を覆うように成長す
る。この時点で、先の選択的エッチングで形成された空
隙は埋められ、n型Al0.45Ga0.55As第三層12は
メサ側面のp型Al0.45Ga0.55As第二層11を覆う
ように成長する。
用い、電流ブロック層をMOVPE法を用いて積層す
る。電流ブロック層は、膜厚1000nmのn型Al
0.3Ga0 .7As第一層10(Si添加、添加濃度1×1
017cm-3)、膜厚1000nmのp型Al0.45Ga
0.55As第二層11(Mg添加、添加濃度1×1017c
m-3)、膜厚1000nmのn型Al0.45Ga0.55As
第三層12(Si添加、添加濃度1×1017cm-3)の
n/p/n三層構造からなる。図3の(d)に示すよう
に、このn/p/n三層構造電流ブロック層は、n型A
l0.3Ga0.7As第一層10は、先の選択的エッチング
で活性層4を除去した空隙、p型GaAsキャップ層7
を除去した空隙にも成長し、メサ側面およびp型Al
0.3Ga0.7Asクラッド層6の上表面を覆うように成長
する。次いで、p型Al0.45Ga0.55As第二層11
は、p型GaAsキャップ層7を除去した空隙では、n
型Al0.3Ga0.7As第一層10を覆うように成長す
る。この時点で、先の選択的エッチングで形成された空
隙は埋められ、n型Al0.45Ga0.55As第三層12は
メサ側面のp型Al0.45Ga0.55As第二層11を覆う
ように成長する。
【0040】選択成長マスクとして用いたSiO2マス
ク8を、フッ酸水溶液に2分間浸して除去し、5分間水
洗後、乾燥する。さらに、リン酸、過酸化水素水混合液
系のエッチング液で半導体層表面を浄化処理する。表面
全面に、膜厚500nmのp型GaAsコンタクト層1
3(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)を成長す
る。成長後のp型GaAsコンタクト層13表面を、リ
ン酸、過酸化水素水混合液系のエッチング液で処理し、
水洗、乾燥する。その後、p型GaAsコンタクト層1
3上に、スパッタ法により、Ti(チタニウム)、Pt
(白金)、Au(金)の順に積層して、p電極14を形
成する。一方、基板1の裏面側を研磨し、80μmの厚
さとし、エッチング液で処理し、水洗、乾燥する。基板
1の裏面に、スパッタ法により、Au、Ge(ゲルマニ
ウム)、Ni(ニッケル)を積層して、n電極15を形
成する。
ク8を、フッ酸水溶液に2分間浸して除去し、5分間水
洗後、乾燥する。さらに、リン酸、過酸化水素水混合液
系のエッチング液で半導体層表面を浄化処理する。表面
全面に、膜厚500nmのp型GaAsコンタクト層1
3(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)を成長す
る。成長後のp型GaAsコンタクト層13表面を、リ
ン酸、過酸化水素水混合液系のエッチング液で処理し、
水洗、乾燥する。その後、p型GaAsコンタクト層1
3上に、スパッタ法により、Ti(チタニウム)、Pt
(白金)、Au(金)の順に積層して、p電極14を形
成する。一方、基板1の裏面側を研磨し、80μmの厚
さとし、エッチング液で処理し、水洗、乾燥する。基板
1の裏面に、スパッタ法により、Au、Ge(ゲルマニ
ウム)、Ni(ニッケル)を積層して、n電極15を形
成する。
【0041】この後、窓領域において、図2に直線bで
示す位置で劈開して、端面を形成する。劈開され、レー
ザバーとした後、端面には、レーザ光の出射端とする前
面にAl2O3膜を、モニター光を取り出す裏面にAl2
O3とアモルファスSiからなる誘電体多層膜をスパッ
タ法で形成する。本例では、前面のAl2O3膜は反射率
3%、裏面の誘電体多層膜は反射率95%となるよう
に、それぞれ膜厚を選択する。前面の無反射保護膜、裏
面反射膜を形成により、端面パッシベーションを施した
後、レーザバーを各素子に切断分割し、レーザ素子とす
る。
示す位置で劈開して、端面を形成する。劈開され、レー
ザバーとした後、端面には、レーザ光の出射端とする前
面にAl2O3膜を、モニター光を取り出す裏面にAl2
O3とアモルファスSiからなる誘電体多層膜をスパッ
タ法で形成する。本例では、前面のAl2O3膜は反射率
3%、裏面の誘電体多層膜は反射率95%となるよう
に、それぞれ膜厚を選択する。前面の無反射保護膜、裏
面反射膜を形成により、端面パッシベーションを施した
後、レーザバーを各素子に切断分割し、レーザ素子とす
る。
【0042】なお、劈開に換えて、垂直性の高いドライ
エッチングを用いて、端面を形成することも可能であ
る。その際には、裏面研磨の工程前に、ドライエッチン
グによる共振器ミラー形成を完了し、その後、裏面研磨
工程とn電極形成を行い、レーザバーの作成を行う。ま
た、端面パッシベーションに用いる誘電体膜として、上
記材料の他に、例えば、TiO2、AlN、CaF、Z
rOなどを用いることも可能である。
エッチングを用いて、端面を形成することも可能であ
る。その際には、裏面研磨の工程前に、ドライエッチン
グによる共振器ミラー形成を完了し、その後、裏面研磨
工程とn電極形成を行い、レーザバーの作成を行う。ま
た、端面パッシベーションに用いる誘電体膜として、上
記材料の他に、例えば、TiO2、AlN、CaF、Z
rOなどを用いることも可能である。
【0043】(実施例2)本例は、本発明を980nm
帯BH型半導体レーザに適用する他の一例である。本例
では、BH型ストライプ導波路の利得領域において、光
ガイド層を設けない構造を採用している。図8に示すと
おり、この光ガイド層を設けない点を除き、素子構造
は、図1に示す実施例1のレーザと類似の構成をとる。
先ず、BH型ストライプ導波路の利得領域として、面方
位(001)のn型GaAs基板1上に、膜厚2000
nmのn型Al0.3Ga0.7Asクラッド層2(Si添
加、添加濃度1×1017cm-3)、井戸層厚4.5n
m、バリア層厚5nmのIn0.24Ga0.76As/GaA
s二重量子井戸(無添加)を、膜厚50nmのn型Al
0.1Ga0.9As層(Si添加、添加濃度1×1017cm
-3)および膜厚50nmのp型Al0.1Ga0.9As層
(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)で挟んだ活性
層4、膜厚2000nmのp型Al0.3Ga0.7Asクラ
ッド層6(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)、膜
厚1000nmのp型GaAsキャップ層7(Mg添
加、添加濃度1×1017cm-3)を順次、常圧MOVP
E(有機金属気相成長)法を用いて積層する。p型Ga
Asキャップ層7上にエッチングマスクならびに後に選
択成長マスクに用いるSiO2薄膜をスパッタ装置を用
いて、膜厚200nmを堆積する。
帯BH型半導体レーザに適用する他の一例である。本例
では、BH型ストライプ導波路の利得領域において、光
ガイド層を設けない構造を採用している。図8に示すと
おり、この光ガイド層を設けない点を除き、素子構造
は、図1に示す実施例1のレーザと類似の構成をとる。
先ず、BH型ストライプ導波路の利得領域として、面方
位(001)のn型GaAs基板1上に、膜厚2000
nmのn型Al0.3Ga0.7Asクラッド層2(Si添
加、添加濃度1×1017cm-3)、井戸層厚4.5n
m、バリア層厚5nmのIn0.24Ga0.76As/GaA
s二重量子井戸(無添加)を、膜厚50nmのn型Al
0.1Ga0.9As層(Si添加、添加濃度1×1017cm
-3)および膜厚50nmのp型Al0.1Ga0.9As層
(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)で挟んだ活性
層4、膜厚2000nmのp型Al0.3Ga0.7Asクラ
ッド層6(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)、膜
厚1000nmのp型GaAsキャップ層7(Mg添
加、添加濃度1×1017cm-3)を順次、常圧MOVP
E(有機金属気相成長)法を用いて積層する。p型Ga
Asキャップ層7上にエッチングマスクならびに後に選
択成長マスクに用いるSiO2薄膜をスパッタ装置を用
いて、膜厚200nmを堆積する。
【0044】図2は、前記エッチングマスクの形状を模
式的に示す図である。ストライプ導波路部分aの幅と比
較し、窓領域の幅は狭くされている。端面は、図2にお
いて、直線bで示す位置において、例えば、劈開により
形成する。他方、隣接する素子間の分離は、図2におい
て、直線cで示す残る劈開方向においてなされる。フォ
トリソグラフィ法を用いて、図2に示す形状にフォトレ
ジストマスクをSiO2薄膜上に被覆する。このフォト
レジストマスクを利用して、SiO2薄膜をフッ酸によ
りエッチング除去し、SiO2にパターンを転写する。
次いで、前記のフォトレジストマスク(およびSiO2
マスク)を利用し、気相エッチング法を用いて、ストラ
イプメサ形成する。なお、実際のSiO2マスクは、図
2に示すようにエピタキシャル成長膜の上面全体に形成
される。
式的に示す図である。ストライプ導波路部分aの幅と比
較し、窓領域の幅は狭くされている。端面は、図2にお
いて、直線bで示す位置において、例えば、劈開により
形成する。他方、隣接する素子間の分離は、図2におい
て、直線cで示す残る劈開方向においてなされる。フォ
トリソグラフィ法を用いて、図2に示す形状にフォトレ
ジストマスクをSiO2薄膜上に被覆する。このフォト
レジストマスクを利用して、SiO2薄膜をフッ酸によ
りエッチング除去し、SiO2にパターンを転写する。
次いで、前記のフォトレジストマスク(およびSiO2
マスク)を利用し、気相エッチング法を用いて、ストラ
イプメサ形成する。なお、実際のSiO2マスクは、図
2に示すようにエピタキシャル成長膜の上面全体に形成
される。
【0045】フォトレジストマスク(およびSiO2マ
スク)を利用し、反応性イオンビームエッチング装置を
用いて、ストライプメサ形状を形成する際、前記反応性
イオンビームエッチング法は、垂直方向に高い指向性を
有するので、エッチングマスクと一致する形状に積層膜
が残される。本例では、エッチング深さは、n型Al
0.3Ga0.7Asクラッド層2の中央に達する深さとす
る。すなわち、n型Al0. 3Ga0.7Asクラッド層2の
下にあるn型GaAs基板1が露出しないようにする。
なお、この後、フォトレジストマスクは、ブタノン(エ
チルメチルケトン)、アルコールなどの有機溶媒を用い
て、超音波洗浄を施し除去する。
スク)を利用し、反応性イオンビームエッチング装置を
用いて、ストライプメサ形状を形成する際、前記反応性
イオンビームエッチング法は、垂直方向に高い指向性を
有するので、エッチングマスクと一致する形状に積層膜
が残される。本例では、エッチング深さは、n型Al
0.3Ga0.7Asクラッド層2の中央に達する深さとす
る。すなわち、n型Al0. 3Ga0.7Asクラッド層2の
下にあるn型GaAs基板1が露出しないようにする。
なお、この後、フォトレジストマスクは、ブタノン(エ
チルメチルケトン)、アルコールなどの有機溶媒を用い
て、超音波洗浄を施し除去する。
【0046】クエン酸、過酸化水素混合液系のエッチン
グ液を利用し、Al組成が0.2未満のAlGaAs混
晶、InGaAs混晶、GaAsを選択的にエッチング
除去する。活性領域のストライプ幅は、窓構造部分にお
けるストライプ幅より十分に広くなっており、窓構造部
分のIn0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸活性
層4がエッチング除去される際にも、活性領域には、二
重量子井戸活性層がストライプ状に残る。エッチング時
間は、活性領域のみに残る活性層の幅が所望の値となる
ように選択する。少なくとも、活性領域のみに残る活性
層の幅が、窓構造部分におけるストライプ幅以下となる
ように、エッチング時間を選択する。その結果、活性層
の形状は、両端が矢印状になったストライプとなる。窓
構造部分では、SiO2マスク下のp型GaAsキャッ
プ層7ならびに二重量子井戸活性層4が除かれている。
フッ酸水溶液で10秒間、SiO2マスク表面を洗浄
し、5分間水洗後、乾燥する。
グ液を利用し、Al組成が0.2未満のAlGaAs混
晶、InGaAs混晶、GaAsを選択的にエッチング
除去する。活性領域のストライプ幅は、窓構造部分にお
けるストライプ幅より十分に広くなっており、窓構造部
分のIn0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸活性
層4がエッチング除去される際にも、活性領域には、二
重量子井戸活性層がストライプ状に残る。エッチング時
間は、活性領域のみに残る活性層の幅が所望の値となる
ように選択する。少なくとも、活性領域のみに残る活性
層の幅が、窓構造部分におけるストライプ幅以下となる
ように、エッチング時間を選択する。その結果、活性層
の形状は、両端が矢印状になったストライプとなる。窓
構造部分では、SiO2マスク下のp型GaAsキャッ
プ層7ならびに二重量子井戸活性層4が除かれている。
フッ酸水溶液で10秒間、SiO2マスク表面を洗浄
し、5分間水洗後、乾燥する。
【0047】SiO2マスクを選択成長マスクとして用
い、電流ブロック層をMOVPE法を用いて積層する。
電流ブロック層は、膜厚1000nmのn型Al0.3G
a0.7As第一層10(Si添加、添加濃度1×1017
cm-3)、膜厚1000nmのp型Al0.45Ga0.55A
s第二層11(Mg添加、添加濃度1×1017c
m-3)、膜厚1000nmのn型Al0.45Ga0.55As
第三層12(Si添加、添加濃度1×1017cm-3)の
n/p/n三層構造からなる。このn/p/n三層構造
電流ブロック層は、n型Al0.3Ga0.7As第一層10
は、先の選択的エッチングで活性層を除去した空隙、p
型GaAsキャップ層7を除去した空隙にも成長し、メ
サ側面およびp型Al0.3Ga0.7Asクラッド層2の上
表面を覆うように成長する。次いで、p型Al0.45Ga
0.55As第二層11は、p型GaAsキャップ層を除去
した空隙では、n型Al0.3Ga0.7As第一層10を覆
うように成長する。この時点で、先の選択的エッチング
で形成された空隙は埋められ、n型Al0.45Ga0.55A
s第三層12はメサ側面のp型Al0.45Ga0.55As第
二層11を覆うように成長する。
い、電流ブロック層をMOVPE法を用いて積層する。
電流ブロック層は、膜厚1000nmのn型Al0.3G
a0.7As第一層10(Si添加、添加濃度1×1017
cm-3)、膜厚1000nmのp型Al0.45Ga0.55A
s第二層11(Mg添加、添加濃度1×1017c
m-3)、膜厚1000nmのn型Al0.45Ga0.55As
第三層12(Si添加、添加濃度1×1017cm-3)の
n/p/n三層構造からなる。このn/p/n三層構造
電流ブロック層は、n型Al0.3Ga0.7As第一層10
は、先の選択的エッチングで活性層を除去した空隙、p
型GaAsキャップ層7を除去した空隙にも成長し、メ
サ側面およびp型Al0.3Ga0.7Asクラッド層2の上
表面を覆うように成長する。次いで、p型Al0.45Ga
0.55As第二層11は、p型GaAsキャップ層を除去
した空隙では、n型Al0.3Ga0.7As第一層10を覆
うように成長する。この時点で、先の選択的エッチング
で形成された空隙は埋められ、n型Al0.45Ga0.55A
s第三層12はメサ側面のp型Al0.45Ga0.55As第
二層11を覆うように成長する。
【0048】選択成長マスクとして用いたSiO2マス
クを、フッ酸水溶液に2分間浸して除去し、5分間水洗
後、乾燥する。さらに、リン酸、過酸化水素水混合液系
のエッチング液で半導体層表面を浄化処理する。表面全
面に、膜厚500nmのp型GaAsコンタクト層13
(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)を成長する。
成長後のp型GaAsコンタクト層13表面を、リン
酸、過酸化水素水混合液系のエッチング液で処理し、水
洗、乾燥する。その後、p型GaAsコンタクト層13
上に、スパッタ法により、Ti(チタニウム)、Pt
(白金)、Au(金)の順に積層して、p電極14を形
成する。一方、基板の裏面側を研磨し、80μmの厚さ
とし、エッチング液で処理し、水洗、乾燥する。基板の
裏面に、スパッタ法により、Au、Ge(ゲルマニウ
ム)、Ni(ニッケル)を積層して、n電極15を形成
する。
クを、フッ酸水溶液に2分間浸して除去し、5分間水洗
後、乾燥する。さらに、リン酸、過酸化水素水混合液系
のエッチング液で半導体層表面を浄化処理する。表面全
面に、膜厚500nmのp型GaAsコンタクト層13
(Mg添加、添加濃度1×1017cm-3)を成長する。
成長後のp型GaAsコンタクト層13表面を、リン
酸、過酸化水素水混合液系のエッチング液で処理し、水
洗、乾燥する。その後、p型GaAsコンタクト層13
上に、スパッタ法により、Ti(チタニウム)、Pt
(白金)、Au(金)の順に積層して、p電極14を形
成する。一方、基板の裏面側を研磨し、80μmの厚さ
とし、エッチング液で処理し、水洗、乾燥する。基板の
裏面に、スパッタ法により、Au、Ge(ゲルマニウ
ム)、Ni(ニッケル)を積層して、n電極15を形成
する。
【0049】この後、窓領域において、図2に直線bで
示す位置で劈開して、端面を形成する。劈開され、レー
ザバーとした後、端面には、レーザ光の出射端とする前
面にAl2O3膜を、モニター光を取り出す裏面にAl2
O3とアモルファスSiからなる誘電体多層膜をスパッ
タ法で形成する。本例では、前面のAl2O3膜は反射率
3%、裏面の誘電体多層膜は反射率95%となるよう
に、それぞれ膜厚を選択する。前面の無反射保護膜、裏
面反射膜を形成により、端面パッシベーションを施した
後、レーザバーを各素子に切断分割し、レーザ素子とす
る。
示す位置で劈開して、端面を形成する。劈開され、レー
ザバーとした後、端面には、レーザ光の出射端とする前
面にAl2O3膜を、モニター光を取り出す裏面にAl2
O3とアモルファスSiからなる誘電体多層膜をスパッ
タ法で形成する。本例では、前面のAl2O3膜は反射率
3%、裏面の誘電体多層膜は反射率95%となるよう
に、それぞれ膜厚を選択する。前面の無反射保護膜、裏
面反射膜を形成により、端面パッシベーションを施した
後、レーザバーを各素子に切断分割し、レーザ素子とす
る。
【0050】なお、劈開に換えて、垂直性の高いドライ
エッチングを用いて、端面を形成することも可能であ
る。その際には、裏面研磨の工程前に、ドライエッチン
グによる共振器ミラー形成を完了し、その後、裏面研磨
工程とn電極形成を行い、レーザバーの作成を行う。ま
た、端面パッシベーションに用いる誘電体膜として、上
記材料の他に、例えば、TiO2、AlN、CaF、Z
rOなどを用いることも可能である。
エッチングを用いて、端面を形成することも可能であ
る。その際には、裏面研磨の工程前に、ドライエッチン
グによる共振器ミラー形成を完了し、その後、裏面研磨
工程とn電極形成を行い、レーザバーの作成を行う。ま
た、端面パッシベーションに用いる誘電体膜として、上
記材料の他に、例えば、TiO2、AlN、CaF、Z
rOなどを用いることも可能である。
【0051】
【発明の効果】本発明の半導体レーザにおいては、光出
力端面において、端面透明化を図る窓構造を設けるの
で、CODレベルが高くできる。一方、この窓構造は、
活性層に代えて、それよりバンドギャップが大きな半導
体層を、その上下方向にクラッド層に相当する半導体層
で挟む形状に埋め込み成長で形成されるので、光導波路
構造に類する光ビーム広がりの抑制がなされる効果が得
られる。従って、本発明の半導体レーザでは、高い効率
を維持しつつ、CODレベルを高くでき、長期信頼性に
優れ、高出力化が可能な半導体レーザとなる。
力端面において、端面透明化を図る窓構造を設けるの
で、CODレベルが高くできる。一方、この窓構造は、
活性層に代えて、それよりバンドギャップが大きな半導
体層を、その上下方向にクラッド層に相当する半導体層
で挟む形状に埋め込み成長で形成されるので、光導波路
構造に類する光ビーム広がりの抑制がなされる効果が得
られる。従って、本発明の半導体レーザでは、高い効率
を維持しつつ、CODレベルを高くでき、長期信頼性に
優れ、高出力化が可能な半導体レーザとなる。
【図1】本発明の窓構造を設けたBH型ストライプ導波
路半導体レーザの一例を示し、窓領域における埋め込み
成長される半導体材料層の構成を模式的に説明する図で
ある。
路半導体レーザの一例を示し、窓領域における埋め込み
成長される半導体材料層の構成を模式的に説明する図で
ある。
【図2】本発明の窓構造を設けたBH型ストライプ導波
路半導体レーザの製造に利用されるエッチングマスク、
選択成長マスクの形状aと、窓領域に作成する端面の位
置b、素子間の分離位置cを示す図である。
路半導体レーザの製造に利用されるエッチングマスク、
選択成長マスクの形状aと、窓領域に作成する端面の位
置b、素子間の分離位置cを示す図である。
【図3】本発明の窓構造を設けたBH型ストライプ導波
路半導体レーザの製造工程中、(a)エッチングマス
ク、選択成長マスクの形成工程、(b)ストライプメサ
のエッチング形成工程、(c)選択エッチングによる窓
領域の活性層除去工程、および、(d)最終的なレーザ
素子における端面形状を模式的に示す図である。
路半導体レーザの製造工程中、(a)エッチングマス
ク、選択成長マスクの形成工程、(b)ストライプメサ
のエッチング形成工程、(c)選択エッチングによる窓
領域の活性層除去工程、および、(d)最終的なレーザ
素子における端面形状を模式的に示す図である。
【図4】本発明の半導体レーザの構成の一例であり、
(A)はストライプ導波路利得領域における各半導体層
の屈折率、ならびに活性層とクラッド層の幅の関係、
(B)は窓領域における各半導体層の屈折率を示す概念
図である。
(A)はストライプ導波路利得領域における各半導体層
の屈折率、ならびに活性層とクラッド層の幅の関係、
(B)は窓領域における各半導体層の屈折率を示す概念
図である。
【図5】本発明の半導体レーザにおける屈折率分布を模
式的に説明する図であり、(a)は図4(A)に点線a
で示す縦断面における屈折率分布、(b)は図4(A)
に点線bで示す縦断面における屈折率分布、(c)は活
性層を含む横断面における屈折率分布を示し、(d)は
図4(B)に点線cで示す縦断面における屈折率分布、
(e)は図4(B)に点線dで示す縦断面における屈折
率分布、(f)は第二の半導体材料層を含む横断面にお
ける屈折率分布を示す。
式的に説明する図であり、(a)は図4(A)に点線a
で示す縦断面における屈折率分布、(b)は図4(A)
に点線bで示す縦断面における屈折率分布、(c)は活
性層を含む横断面における屈折率分布を示し、(d)は
図4(B)に点線cで示す縦断面における屈折率分布、
(e)は図4(B)に点線dで示す縦断面における屈折
率分布、(f)は第二の半導体材料層を含む横断面にお
ける屈折率分布を示す。
【図6】本発明の半導体レーザの構成の他の一例であ
り、(A)はストライプ導波路利得領域における各半導
体層の屈折率、ならびに活性層とクラッド層の幅の関
係、(B)は窓領域における各半導体層の屈折率を示す
概念図である。
り、(A)はストライプ導波路利得領域における各半導
体層の屈折率、ならびに活性層とクラッド層の幅の関
係、(B)は窓領域における各半導体層の屈折率を示す
概念図である。
【図7】本発明の半導体レーザにおける屈折率分布を模
式的に説明する図であり、(a)は図6(A)に点線e
で示す縦断面における屈折率分布、(b)は図6(A)
に点線fで示す縦断面における屈折率分布、(c)は活
性層を含む横断面における屈折率分布を示し、(d)は
図6(B)に点線gで示す縦断面における屈折率分布、
(e)は図6(B)に点線hで示す縦断面における屈折
率分布、(f)は第二の半導体材料層を含む横断面にお
ける屈折率分布を示す。
式的に説明する図であり、(a)は図6(A)に点線e
で示す縦断面における屈折率分布、(b)は図6(A)
に点線fで示す縦断面における屈折率分布、(c)は活
性層を含む横断面における屈折率分布を示し、(d)は
図6(B)に点線gで示す縦断面における屈折率分布、
(e)は図6(B)に点線hで示す縦断面における屈折
率分布、(f)は第二の半導体材料層を含む横断面にお
ける屈折率分布を示す。
【図8】本発明の窓構造を設けたBH型ストライプ導波
路半導体レーザの他の一例を示し、窓領域における埋め
込み成長される半導体材料層の構成を模式的に説明する
図である。
路半導体レーザの他の一例を示し、窓領域における埋め
込み成長される半導体材料層の構成を模式的に説明する
図である。
1 n−基板(n-GaAs) 2 n−クラッド層(n-Al0.3Ga0.7As) 3 n−光ガイド層(n-Al0.2Ga0.8) 4 活性層( In0.24Ga0.76As/GaAs二重量子井戸
型) 5 p−光ガイド層(p-Al0.2Ga0.8As) 6 p−クラッド層(p-Al0.3Ga0.7As) 7 p−キャップ層(p-GaAs) 8 誘電体膜(SiO2) 9 フォトレジスト 10 n−電流ブロック層第一層(n-Al0.3Ga0.7As) 11 p−電流ブロック層第二層(p-Al0.45Ga0.55As) 12 n−電流ブロック層第三層(n-Al0.45Ga0.55As) 13 p電極(Ti/Pt/Au) 14 n電極(AuGe/Ni)
型) 5 p−光ガイド層(p-Al0.2Ga0.8As) 6 p−クラッド層(p-Al0.3Ga0.7As) 7 p−キャップ層(p-GaAs) 8 誘電体膜(SiO2) 9 フォトレジスト 10 n−電流ブロック層第一層(n-Al0.3Ga0.7As) 11 p−電流ブロック層第二層(p-Al0.45Ga0.55As) 12 n−電流ブロック層第三層(n-Al0.45Ga0.55As) 13 p電極(Ti/Pt/Au) 14 n電極(AuGe/Ni)
Claims (6)
- 【請求項1】 BH型ストライプ導波路半導体レーザで
あって、 前記BH型ストライプ導波路は、活性層、あるいは、活
性層とそれに付設する光ガイド層、ならびに、前記活性
層または前記活性層と光ガイド層より屈折率の小さな第
一の半導体材料で形成されてなるその上下に設けられる
クラッド層を有し、 少なくとも一つの端面が光共振器を形成するミラー面と
して機能し、 前記ミラー面として機能する端面に埋め込み成長で形成
される半導体材料を用いて構成される窓構造が形成さ
れ、 前記窓構造は、前記ストライプ導波路における前記クラ
ッド層と同じ第一の半導体材料層を有し、 上下に配置される前記第一の半導体材料層の間に、前記
活性層、あるいは、前記活性層と光ガイド層に代えて、
前記半導体レーザの発振レーザ光エネルギーより大きな
バンドギャップを有する第二の半導体材料層が、 少なくとも前記活性層と同じ幅で、前記活性層の端より
前記ミラー面へ延伸する領域に設けられている構造であ
ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項2】 実質的に、前記窓構造部における前記第
一の半導体材料層の幅は、前記ストライプ導波路におけ
る前記クラッド層の幅より狭く、また、前記ストライプ
導波路における前記活性層の幅以上に選択される構造で
あることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 【請求項3】 前記窓構造が形成される端面が、劈開に
より形成されている、あるいは、垂直性の高いドライエ
ッチングにより形成されていることを特徴とする請求項
1または2に記載の半導体レーザ。 - 【請求項4】 少なくとも一つの端面が光共振器を形成
するミラー面として機能し、前記ミラー面として機能す
る端面に埋め込み成長で形成される半導体材料を用いて
構成される窓構造が形成されてなるBH型ストライプ導
波路半導体レーザを製造する方法であって、 前記BH型ストライプ導波路に用いる、少なくとも、活
性層、あるいは、活性層とそれに付設する光ガイド層、
ならびに、前記活性層または前記活性層と光ガイド層よ
り屈折率の小さな第一の半導体材料で形成され、その上
下に設けられるクラッド層を含んでなるDH構造の半導
体積層膜を基板上に形成する工程、 前記DH構造の半導体積層膜表面に、所定のストライプ
導波路形状にエッチングするためのエッチングマスクを
形成する工程、 その際、前記エッチングマスクは、ストライプ導波路部
における幅より窓構造部における幅を狭く、また、所定
の活性層の幅以上となるように選択し、 前記エッチングマスクを用いて、少なくとも前記下に位
置するクラッド層に達するまで、垂直性の高いエッチン
グ手段を用いてストライプメサ形状を形成する工程、 形成された前記ストライプメサ側壁面より、前記クラッ
ド層を構成する半導体材料と比べて、前記活性層または
前記活性層と光ガイド層を構成する半導体材料に対する
高い選択性を有するエッチング液を用いて、前記ストラ
イプ導波路部における前記活性層の幅が前記する所定の
幅となるように選択的なエッチングを施し、 同時に前記窓構造部において、前記活性層または前記活
性層と光ガイド層を構成する半導体材料を前記選択的な
エッチングにより消失させる工程、 次いで、前記エッチングマスクと同形状の選択成長用マ
スクを用いて、前記半導体レーザの発振レーザ光エネル
ギーより大きなバンドギャップを有する半導体材料を、
前記窓構造部において消失させた前記活性層または前記
活性層と光ガイド層が占めていた空隙を満たすに十分な
所定の膜厚を埋め込み成長する工程、その後、前記スト
ライプメサの両側部に所定の電流ブロック層となる層を
埋め込み成長する工程とを含み、前記の工程を一連とし
て実施することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項5】 前記埋め込み成長を有機金属気相成長法
を用いて行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項6】 前記活性層と光ガイド層が、GaAs、
InGaAs、またはAl組成が0.2未満のAlGa
Asから選択される半導体材料からなる際、前記高い選
択性を有するエッチング液として、クエン酸系エッチン
グ液を用いることを特徴とする請求項4または5に記載
の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31107899A JP2001135889A (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31107899A JP2001135889A (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001135889A true JP2001135889A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18012865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31107899A Pending JP2001135889A (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001135889A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002374038A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1999
- 1999-11-01 JP JP31107899A patent/JP2001135889A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002374038A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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