JP2001131737A - スパッタリングターゲット及びその研削方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット及びその研削方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲット、特にセラミックスターゲットの
製造工程において、ターゲット自体の反りによる割れを
効果的に低減又は防止し、搬送中、装置への取付け中又
はスパッタリング時においても、反りによる割れを効果
的に低減又は防止できるスパッタリングターゲットを得
ることを課題とする。 【解決手段】 表面粗さＲａ≦０．５μｍであり、方向
性のない研削面を備えていることを特徴とするスパッタ
リングターゲット及び回転体の回転方向に平行な面を用
いて研削し、方向性のない研削面を備えたスパッタリン
グターゲットの研削方法。
製造工程において、ターゲット自体の反りによる割れを
効果的に低減又は防止し、搬送中、装置への取付け中又
はスパッタリング時においても、反りによる割れを効果
的に低減又は防止できるスパッタリングターゲットを得
ることを課題とする。 【解決手段】 表面粗さＲａ≦０．５μｍであり、方向
性のない研削面を備えていることを特徴とするスパッタ
リングターゲット及び回転体の回転方向に平行な面を用
いて研削し、方向性のない研削面を備えたスパッタリン
グターゲットの研削方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ターゲットのバッ
キングプレートへのボンディング工程時、搬送中、成膜
装置への取付け中又は成膜時に発生するターゲットの欠
けや割れを効果的に低減又は防止できるスパッタリング
ターゲット及びその研削方法に関する。
キングプレートへのボンディング工程時、搬送中、成膜
装置への取付け中又は成膜時に発生するターゲットの欠
けや割れを効果的に低減又は防止できるスパッタリング
ターゲット及びその研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置や各種電子機器等の薄
膜の形成にスパッタリングが使用されているが、生産性
向上のためにより高速でスパッタリングすることが行わ
れている。上記スパッタリング法は周知のように、荷電
粒子をターゲットに向けて照射し、その粒子衝撃力によ
りターゲットから粒子を叩き出して、これをターゲット
に対向させた例えばウエハ等の基板にターゲット材料か
ら構成される物質を中心成分とする薄膜を形成する成膜
方法である。
膜の形成にスパッタリングが使用されているが、生産性
向上のためにより高速でスパッタリングすることが行わ
れている。上記スパッタリング法は周知のように、荷電
粒子をターゲットに向けて照射し、その粒子衝撃力によ
りターゲットから粒子を叩き出して、これをターゲット
に対向させた例えばウエハ等の基板にターゲット材料か
ら構成される物質を中心成分とする薄膜を形成する成膜
方法である。
【０００３】ターゲットはスパッタリング中に荷電粒子
の大量の衝撃を受けるので、ターゲットに投入される熱
量が次第に増大蓄積されてくる。このため、ターゲット
を冷却させる必要があり、多くはターゲットの裏面に純
銅や銅合金等の熱伝導性の良い材料（バッキングプレー
ト）をろう付け、拡散接合、圧着、アンカー効果を利用
した接合等の手段により接合し、かつこのバッキングプ
レートを外部からの冷却手段を通じて冷却し、ターゲッ
トの熱を吸収するようにしている。
の大量の衝撃を受けるので、ターゲットに投入される熱
量が次第に増大蓄積されてくる。このため、ターゲット
を冷却させる必要があり、多くはターゲットの裏面に純
銅や銅合金等の熱伝導性の良い材料（バッキングプレー
ト）をろう付け、拡散接合、圧着、アンカー効果を利用
した接合等の手段により接合し、かつこのバッキングプ
レートを外部からの冷却手段を通じて冷却し、ターゲッ
トの熱を吸収するようにしている。
【０００４】上記のように、ターゲットをバッキングプ
レートに接合する場合には、各種接合方法における適性
温度まで加熱する必要があり、接合した後は冷却され
る。このような接合の際の加熱冷却過程で受ける熱影響
により、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率
の差から反りによる割れが発生するという問題を生じ
た。また、割れない場合でも、ターゲット内部に歪が蓄
えられた状態となり、その後の工程で割れる確率が高く
なるといった問題があった。
レートに接合する場合には、各種接合方法における適性
温度まで加熱する必要があり、接合した後は冷却され
る。このような接合の際の加熱冷却過程で受ける熱影響
により、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率
の差から反りによる割れが発生するという問題を生じ
た。また、割れない場合でも、ターゲット内部に歪が蓄
えられた状態となり、その後の工程で割れる確率が高く
なるといった問題があった。
【０００５】また、ターゲットがバッキングプレートに
接着率９０％以上で問題なく接合された場合でも、スパ
ッタリング中の熱的応力によってターゲットに割れが発
生する場合がある。スパッタリング中の割れの場合に
は、ターゲットが割れた瞬間に多量のパーティクルが発
生し、膜が不良となったり、ターゲットが欠落してスパ
ッタリングの継続が不可能になるとともに、スパッタリ
ング装置に多大な損傷を与えるといった大きな問題とな
ることがある。ターゲット材料の種類から見ると、セラ
ミックスターゲットは脆性材料で熱膨張率が小さく、純
銅や銅合金等のバッキングプレート材料との熱膨張率の
差が大きい材料なので、ＡｌやＴｉ等の金属ターゲット
よりも反りによる割れが発生し易い。
接着率９０％以上で問題なく接合された場合でも、スパ
ッタリング中の熱的応力によってターゲットに割れが発
生する場合がある。スパッタリング中の割れの場合に
は、ターゲットが割れた瞬間に多量のパーティクルが発
生し、膜が不良となったり、ターゲットが欠落してスパ
ッタリングの継続が不可能になるとともに、スパッタリ
ング装置に多大な損傷を与えるといった大きな問題とな
ることがある。ターゲット材料の種類から見ると、セラ
ミックスターゲットは脆性材料で熱膨張率が小さく、純
銅や銅合金等のバッキングプレート材料との熱膨張率の
差が大きい材料なので、ＡｌやＴｉ等の金属ターゲット
よりも反りによる割れが発生し易い。
【０００６】このような問題を解決しようとして、従来
ターゲットとバッキングプレートとに高温度に熱がかか
らないように、接合用に低融点はんだを使用する提案が
なされた。しかし、この場合は接合力が弱く、またスパ
ッタリングを実施して高温にターゲットが加熱されたよ
うな場合には、接合用のはんだが溶け出すという問題が
あり、解決に至っていない。また、ターゲットとバッキ
ングプレートとの熱膨張を緩和させるために、段階的に
熱膨張の異なる複数の接合層を形成するという提案もな
された（特開昭６１−２５０１６７）。しかし、このよ
うな手段は作業工程が煩雑となり製造コストが増大する
ため実用的ではない。
ターゲットとバッキングプレートとに高温度に熱がかか
らないように、接合用に低融点はんだを使用する提案が
なされた。しかし、この場合は接合力が弱く、またスパ
ッタリングを実施して高温にターゲットが加熱されたよ
うな場合には、接合用のはんだが溶け出すという問題が
あり、解決に至っていない。また、ターゲットとバッキ
ングプレートとの熱膨張を緩和させるために、段階的に
熱膨張の異なる複数の接合層を形成するという提案もな
された（特開昭６１−２５０１６７）。しかし、このよ
うな手段は作業工程が煩雑となり製造コストが増大する
ため実用的ではない。
【０００７】さらに、ターゲットとバッキングプレート
との接合工程で、反りが入ったターゲットを機械的に逆
方向の力を与えて矯正する手法、あるいは接合の前に、
反りの発生量を見込んで、予めターゲットに逆反りを与
えてから接合するという提案（特許第２５７３６５３）
もなされた。しかし、特にセラミックスのような脆性材
料ではこのように機械的な矯正や変形を与える過程で材
料強度以上の機械的応力を負荷してしまうことによっ
て、かえって割れを発生する場合があり、これらも有効
な解決の手段とは言えなかった。
との接合工程で、反りが入ったターゲットを機械的に逆
方向の力を与えて矯正する手法、あるいは接合の前に、
反りの発生量を見込んで、予めターゲットに逆反りを与
えてから接合するという提案（特許第２５７３６５３）
もなされた。しかし、特にセラミックスのような脆性材
料ではこのように機械的な矯正や変形を与える過程で材
料強度以上の機械的応力を負荷してしまうことによっ
て、かえって割れを発生する場合があり、これらも有効
な解決の手段とは言えなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らはターゲッ
ト、特にセラミックスターゲットの製造工程において、
割れが発生し易い方向があるという特有の現象を抗折試
験等により、具体的に確認し、ターゲットとバッキング
プレートとの接合工程において、ターゲット自体の反り
による割れを効果的に低減又は防止し、搬送中、装置へ
の取付け中又はスパッタリング時においても、反りによ
る割れを効果的に低減又は防止できるスパッタリングタ
ーゲットを得ることを課題とする。
ト、特にセラミックスターゲットの製造工程において、
割れが発生し易い方向があるという特有の現象を抗折試
験等により、具体的に確認し、ターゲットとバッキング
プレートとの接合工程において、ターゲット自体の反り
による割れを効果的に低減又は防止し、搬送中、装置へ
の取付け中又はスパッタリング時においても、反りによ
る割れを効果的に低減又は防止できるスパッタリングタ
ーゲットを得ることを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、通常のターゲ
ットの研削あるいは研磨等の加工工程に着目し、この操
作を改善してターゲットの欠け又は割れを防止又は低減
するものであり、 １） 表面粗さＲａ≦０．５μｍであり、方向性のない
研削面を備えていることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット ２）表面粗さＲａ≦０．３μｍであることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリングターゲット ３）表面粗さＲａ≦０．１μｍであることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリングターゲット ４）セラミックスターゲットであることを特徴とする請
求項１〜３のそれぞれに記載のスパッタリングターゲッ
ト、を提供する。
ットの研削あるいは研磨等の加工工程に着目し、この操
作を改善してターゲットの欠け又は割れを防止又は低減
するものであり、 １） 表面粗さＲａ≦０．５μｍであり、方向性のない
研削面を備えていることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット ２）表面粗さＲａ≦０．３μｍであることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリングターゲット ３）表面粗さＲａ≦０．１μｍであることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリングターゲット ４）セラミックスターゲットであることを特徴とする請
求項１〜３のそれぞれに記載のスパッタリングターゲッ
ト、を提供する。
【００１０】またさらに、本発明は、 ５）回転体を用いて研削する際に、該回転体の回転方向
に平行な面を用いて研削することを特徴とするスパッタ
リングターゲットの研削方法 ６）回転体を用いて研削する際に、該回転体の回転方向
に平行な面を用いて研削し、表面粗さＲａ≦０．５μｍ
に研削することを特徴とするスパッタリングターゲット
の研削方法 ７）表面粗さＲａ≦０．３μｍであることを特徴とする
請求項６記載のスパッタリングターゲットの研削方法 ８）表面粗さＲａ≦０．１μｍであることを特徴とする
請求項６記載のスパッタリングターゲットの研削方法 ９）方向性のない研削を行うことを特徴とする請求項５
〜８のそれぞれに記載のスパッタリングターゲットの研
削方法 １０）回転体又はターゲットの相対移動により、ターゲ
ットの一部又は全面に亘って研削することを特徴とする
請求項５〜９のそれぞれに記載のスパッタリングターゲ
ットの研削方法、を提供するものである。
に平行な面を用いて研削することを特徴とするスパッタ
リングターゲットの研削方法 ６）回転体を用いて研削する際に、該回転体の回転方向
に平行な面を用いて研削し、表面粗さＲａ≦０．５μｍ
に研削することを特徴とするスパッタリングターゲット
の研削方法 ７）表面粗さＲａ≦０．３μｍであることを特徴とする
請求項６記載のスパッタリングターゲットの研削方法 ８）表面粗さＲａ≦０．１μｍであることを特徴とする
請求項６記載のスパッタリングターゲットの研削方法 ９）方向性のない研削を行うことを特徴とする請求項５
〜８のそれぞれに記載のスパッタリングターゲットの研
削方法 １０）回転体又はターゲットの相対移動により、ターゲ
ットの一部又は全面に亘って研削することを特徴とする
請求項５〜９のそれぞれに記載のスパッタリングターゲ
ットの研削方法、を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】通常、セラミックスターゲットは
熱膨張率が小さく、銅製等のバッキングプレートとの熱
膨張率との差が大きい。このため、金属系のターゲット
に比べ反りや割れの発生が多いが、特に割れについては
表面の欠陥に大きく影響されることが知られている。タ
ーゲットの製作段階において表面研削が施されるが、本
発明者はこの研削の方向によってバッキングプレートと
の接合の際にある特有の現象を見出した。それは研削方
向に対して平行な方向には割れの発生が多く、逆に研削
方向に対して直角な方向には割れが少なくなることを抗
折試験等により具体的に確認した。つまり、同じ品質の
材料が研削方向によって方向性を有してしまうという事
実である。
熱膨張率が小さく、銅製等のバッキングプレートとの熱
膨張率との差が大きい。このため、金属系のターゲット
に比べ反りや割れの発生が多いが、特に割れについては
表面の欠陥に大きく影響されることが知られている。タ
ーゲットの製作段階において表面研削が施されるが、本
発明者はこの研削の方向によってバッキングプレートと
の接合の際にある特有の現象を見出した。それは研削方
向に対して平行な方向には割れの発生が多く、逆に研削
方向に対して直角な方向には割れが少なくなることを抗
折試験等により具体的に確認した。つまり、同じ品質の
材料が研削方向によって方向性を有してしまうという事
実である。
【００１２】一般に、特にセラミックスターゲットにお
いては上記のように表面欠陥が割れの発生原因となり易
いので、鏡面研磨又はそれに近い仕上げ加工をするのが
理想である。ところが、このような加工を行うには、工
程時間が長くなり製造コストも増大する。また、従来は
接合工程での反りによる割れ防止のためのターゲットの
配置について、特に考慮されることはなかった。又、各
工程での様々な力（変形）に対して、予め、反り方向を
予想することは困難であった。本発明は、ターゲットと
バッキングプレートの接合工程、搬送工程、装置への取
付け時又はスパッタリング操作時におけるターゲットの
欠けや割れを容易かつ効果的に低減又は防止するもので
ある。これによって、ターゲットの生産性が向上し製品
の歩留りが改善され、かつ割れの低減につながるので、
スパッタ膜のスパッタリングプロセスにおける不良やト
ラブルも低減できるといった電子機器等の製品の歩留り
の改善も得られる効果を有する。
いては上記のように表面欠陥が割れの発生原因となり易
いので、鏡面研磨又はそれに近い仕上げ加工をするのが
理想である。ところが、このような加工を行うには、工
程時間が長くなり製造コストも増大する。また、従来は
接合工程での反りによる割れ防止のためのターゲットの
配置について、特に考慮されることはなかった。又、各
工程での様々な力（変形）に対して、予め、反り方向を
予想することは困難であった。本発明は、ターゲットと
バッキングプレートの接合工程、搬送工程、装置への取
付け時又はスパッタリング操作時におけるターゲットの
欠けや割れを容易かつ効果的に低減又は防止するもので
ある。これによって、ターゲットの生産性が向上し製品
の歩留りが改善され、かつ割れの低減につながるので、
スパッタ膜のスパッタリングプロセスにおける不良やト
ラブルも低減できるといった電子機器等の製品の歩留り
の改善も得られる効果を有する。
【００１３】ターゲットの割れ又は欠けを防止又は低減
するには、研削に方向性を持たせないことが極めて有効
である。また、表面粗さをできるだけ小さくすること
も、さらに効果的であり、表面粗さＲａ≦０．５μｍ、
好ましくはＲａ≦０．３μｍ、より好ましくはＲａ≦
０．１μｍとすることが有効である。特に、矩形のセラ
ミックスターゲットにおいては、長板方向への反りによ
り幅方向への割れが発生し易いが、この等方性の研削に
より幅方向の割れを効果的に防止又は低減できる。
するには、研削に方向性を持たせないことが極めて有効
である。また、表面粗さをできるだけ小さくすること
も、さらに効果的であり、表面粗さＲａ≦０．５μｍ、
好ましくはＲａ≦０．３μｍ、より好ましくはＲａ≦
０．１μｍとすることが有効である。特に、矩形のセラ
ミックスターゲットにおいては、長板方向への反りによ
り幅方向への割れが発生し易いが、この等方性の研削に
より幅方向の割れを効果的に防止又は低減できる。
【００１４】本発明による等方性の研削は、図１に示す
ように回転方向３に平行な下面に研削用砥粒を備えた回
転体２を用いてターゲット１研削するのが有効である。
すなわち、回転体２の回転方向３に平行な面を用いて研
削する。回転体２の下面には固定砥粒を装着し研削する
が、遊離砥粒用スポンジを装着し、遊離砥粒により研削
を行うことも可能である。これにより、表面粗さＲａ≦
０．５μｍ、好ましくはＲａ≦０．３μｍ、より好まし
くはＲａ≦０．１μｍに調整することができる。
ように回転方向３に平行な下面に研削用砥粒を備えた回
転体２を用いてターゲット１研削するのが有効である。
すなわち、回転体２の回転方向３に平行な面を用いて研
削する。回転体２の下面には固定砥粒を装着し研削する
が、遊離砥粒用スポンジを装着し、遊離砥粒により研削
を行うことも可能である。これにより、表面粗さＲａ≦
０．５μｍ、好ましくはＲａ≦０．３μｍ、より好まし
くはＲａ≦０．１μｍに調整することができる。
【００１５】研削に際し、被研削体であるターゲット１
を固定し、研削用砥粒を備えた回転体２の位置を移動さ
せてターゲット１の一部又は全面を研削しても良いし、
また逆に同回転体２の位置を固定し、被研削体であるタ
ーゲット１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させて、研削
しても良い。また、被研削体であるターゲット１と回転
体２を同時に移動させてターゲット１の一部又は全面を
研削しても良い。また、研削用砥粒を備えた回転体２を
複数個取付け、又は交換可能に設置し、研削の進行と共
にこれらを段階的に、例えば砥粒の粗いものから順次細
かいものに移行（交換）させながら、半連続的に研削す
るようにしても良い。
を固定し、研削用砥粒を備えた回転体２の位置を移動さ
せてターゲット１の一部又は全面を研削しても良いし、
また逆に同回転体２の位置を固定し、被研削体であるタ
ーゲット１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させて、研削
しても良い。また、被研削体であるターゲット１と回転
体２を同時に移動させてターゲット１の一部又は全面を
研削しても良い。また、研削用砥粒を備えた回転体２を
複数個取付け、又は交換可能に設置し、研削の進行と共
にこれらを段階的に、例えば砥粒の粗いものから順次細
かいものに移行（交換）させながら、半連続的に研削す
るようにしても良い。
【００１６】このように、回転体２及び又はターゲット
１の相対移動により、ターゲット１の一部又は全面に亘
って研削することにより、方向性のない研削面が得ら
れ、ターゲット１の欠け又は割れを効果的に防止又は低
減することができる。セラミックスターゲットは脆性材
料で熱膨張率が小さく、純銅や銅合金等のバッキングプ
レート材料との熱膨張率の差が大きい材料なので、反り
による割れの生ずる確率は高いが、本発明はこのような
セラミックスターゲットにおける割れの発生防止は極め
て有効である。
１の相対移動により、ターゲット１の一部又は全面に亘
って研削することにより、方向性のない研削面が得ら
れ、ターゲット１の欠け又は割れを効果的に防止又は低
減することができる。セラミックスターゲットは脆性材
料で熱膨張率が小さく、純銅や銅合金等のバッキングプ
レート材料との熱膨張率の差が大きい材料なので、反り
による割れの生ずる確率は高いが、本発明はこのような
セラミックスターゲットにおける割れの発生防止は極め
て有効である。
【００１７】
【実施例および比較例】以下、実施例および比較例に基
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例のみに制限されるものではない。すなわち、
本発明の技術思想に含まれる他の態様または変形を包含
するものである。
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例のみに制限されるものではない。すなわち、
本発明の技術思想に含まれる他の態様または変形を包含
するものである。
【００１８】（実施例１〜６及び比較例１〜４）ＩＴＯ
（Ｉｎ２Ｏ３−１０ｗｔ％ＳｎＯ２）のターゲット素
材（焼結体）について、、図２に示す下面に研削用砥粒
を備えた回転体を用い、該回転体の回転方向に平行な面
を用いて研削した。砥粒にはダイヤモンドを使用した。
回転体の速度は３００ｒｐｍであり、押し付け圧力を３
ｋｇ／ｃｍ２とした。表面粗さＲａは、それぞれ０．５
μｍ以下、０．３μｍ以下、０．１μｍ以下となるよう
に複数枚ターゲットについて研削を実施した。いずれも
等方的に研削した本発明の実施例である。比較例とし
て、ターゲットの長手方向に平行に研削を施しＲａが
０．５μｍ以下のもの及びＲａが０．５μｍ以上のも
の、幅方向に研削を施し同じくＲａが０．５μｍ以下の
もの及びＲａが０．５μｍ以上のものを示す。図２に実
施例のターゲット表面の粗さ測定の概念を示す。符号５
は長手方向、符号６は幅方向の測定を示す。また、図３
に比較例のターゲット表面の粗さ測定の概念図を示す。
符号７は研削方向を示す。符号８の長手方向に粗さ測定
を実施した。
（Ｉｎ２Ｏ３−１０ｗｔ％ＳｎＯ２）のターゲット素
材（焼結体）について、、図２に示す下面に研削用砥粒
を備えた回転体を用い、該回転体の回転方向に平行な面
を用いて研削した。砥粒にはダイヤモンドを使用した。
回転体の速度は３００ｒｐｍであり、押し付け圧力を３
ｋｇ／ｃｍ２とした。表面粗さＲａは、それぞれ０．５
μｍ以下、０．３μｍ以下、０．１μｍ以下となるよう
に複数枚ターゲットについて研削を実施した。いずれも
等方的に研削した本発明の実施例である。比較例とし
て、ターゲットの長手方向に平行に研削を施しＲａが
０．５μｍ以下のもの及びＲａが０．５μｍ以上のも
の、幅方向に研削を施し同じくＲａが０．５μｍ以下の
もの及びＲａが０．５μｍ以上のものを示す。図２に実
施例のターゲット表面の粗さ測定の概念を示す。符号５
は長手方向、符号６は幅方向の測定を示す。また、図３
に比較例のターゲット表面の粗さ測定の概念図を示す。
符号７は研削方向を示す。符号８の長手方向に粗さ測定
を実施した。
【００１９】以上の研削例を採用し、かつ表面粗さを調
節した研削面の表面粗さＲａと平均強度を下記に示す。
強度は、３点曲げ試験（ＪＩＳＲ１６０１）による抗折
試験である。そして、この抗折試験の強度によりターゲ
ットの割れに対する抵抗を評価した。 ターゲット（焼結体）の曲げ試験条件は次の通りであ
る。 ターゲット素材：ＩＴＯ （Ｉｎ２Ｏ３−１０ｗｔ％Ｓ
ｎＯ２） ターゲット密度：７．１２ｇ／ｃｍ３ 使用研削砥石：＃４００、＃８００、＃４０００の各ダ
イヤモンド固定砥粒砥石 支点間距離 ：７０ｍｍ 板厚 ：６ｍｍ 板幅 ：２０ｍｍ テストスピード ：０．５ｍｍ／ｍｉｎ
節した研削面の表面粗さＲａと平均強度を下記に示す。
強度は、３点曲げ試験（ＪＩＳＲ１６０１）による抗折
試験である。そして、この抗折試験の強度によりターゲ
ットの割れに対する抵抗を評価した。 ターゲット（焼結体）の曲げ試験条件は次の通りであ
る。 ターゲット素材：ＩＴＯ （Ｉｎ２Ｏ３−１０ｗｔ％Ｓ
ｎＯ２） ターゲット密度：７．１２ｇ／ｃｍ３ 使用研削砥石：＃４００、＃８００、＃４０００の各ダ
イヤモンド固定砥粒砥石 支点間距離 ：７０ｍｍ 板厚 ：６ｍｍ 板幅 ：２０ｍｍ テストスピード ：０．５ｍｍ／ｍｉｎ
【００２０】以上の結果を表１及び表２に示す。表１に
おいて、実施例１〜３は試験片の長さ方向に対するＲａ
と抗折試験の結果、及び長手方向に研削した比較例１、
２の長さ方向に対するＲａと抗折試験の結果を示す。ま
た表２において、実施例４〜６は試験片の幅方向に対す
るＲａと抗折試験の結果、及び試験片を幅方向に研削し
た場合である比較例３、４の長さ方向に対するＲａと抗
折試験の結果を示す。これらの表１及び表２から明らか
なように、実施例１〜６において、＃４００、＃８０
０、＃４０００にて実施した粗さ測定の結果、長手方向
と幅方向に殆ど差がなかった。また、抗折強度にも差は
見られなかった。これに対し、比較例１〜４に示すよう
に、＃４００及び＃８０にて一方向研削を実施したもの
については、粗さ測定の結果、長手方向に研削した場合
と幅方向に研削した場合とに差が見られ、抗折強度にも
明らかな差が見られた。
おいて、実施例１〜３は試験片の長さ方向に対するＲａ
と抗折試験の結果、及び長手方向に研削した比較例１、
２の長さ方向に対するＲａと抗折試験の結果を示す。ま
た表２において、実施例４〜６は試験片の幅方向に対す
るＲａと抗折試験の結果、及び試験片を幅方向に研削し
た場合である比較例３、４の長さ方向に対するＲａと抗
折試験の結果を示す。これらの表１及び表２から明らか
なように、実施例１〜６において、＃４００、＃８０
０、＃４０００にて実施した粗さ測定の結果、長手方向
と幅方向に殆ど差がなかった。また、抗折強度にも差は
見られなかった。これに対し、比較例１〜４に示すよう
に、＃４００及び＃８０にて一方向研削を実施したもの
については、粗さ測定の結果、長手方向に研削した場合
と幅方向に研削した場合とに差が見られ、抗折強度にも
明らかな差が見られた。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】上記に示すように、表面粗さが粗い場合に
は強度の低下が大きくなり、方向性のある研磨、特に曲
げ方向に直角な方向に研削したケースでは極端に強度が
低下しているが、等方的にターゲットを研削した場合に
は、ターゲットの全ての方向に対して、強度が一様に改
善していることが確認できた。
は強度の低下が大きくなり、方向性のある研磨、特に曲
げ方向に直角な方向に研削したケースでは極端に強度が
低下しているが、等方的にターゲットを研削した場合に
は、ターゲットの全ての方向に対して、強度が一様に改
善していることが確認できた。
【００２４】
【発明の効果】回転体の回転方向に平行な面を用いて研
削し、方向性のない研削を行うことにより、また必要に
応じて表面粗さＲａを適宜調整することにより、ターゲ
ット、特にセラミックスターゲットの製造工程におい
て、ターゲット自体の反りによる割れや欠けを効果的に
低減又は防止し、搬送中、装置への取付け中又はスパッ
タリング時においても、反りによる割れや欠けを低減又
は防止できる優れた効果を有する。
削し、方向性のない研削を行うことにより、また必要に
応じて表面粗さＲａを適宜調整することにより、ターゲ
ット、特にセラミックスターゲットの製造工程におい
て、ターゲット自体の反りによる割れや欠けを効果的に
低減又は防止し、搬送中、装置への取付け中又はスパッ
タリング時においても、反りによる割れや欠けを低減又
は防止できる優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研削の概念を示す説明図（Ａ：正面の
断面図、Ｂ：平面図）である。
断面図、Ｂ：平面図）である。
【図２】ターゲット表面の粗さ測定の位置を示す説明図
である。
である。
【図３】反り方向と研削方向の関係を示す説明図（Ｃ：
長手方向に研削、Ｄ：幅方向に研削）である。
長手方向に研削、Ｄ：幅方向に研削）である。
１ ターゲット ２ 回転体 ３ 回転方向 ４ ターゲット又は回転体の移動方向 ５ ターゲットの最大反り方向 ６ ターゲットの研削方向 ７ 長手方向 ８ 幅方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA11 AB01 BA07 CA01 CB02 CB10 4K029 BA45 BA47 BC09 BD02 CA05 DC01 DC05 DC09 DC12
Claims (10)
- 【請求項１】 表面粗さＲａ≦０．５μｍであり、方向
性のない研削面を備えていることを特徴とするスパッタ
リングターゲット。 - 【請求項２】 表面粗さＲａ≦０．３μｍであることを
特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 表面粗さＲａ≦０．１μｍであることを
特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 セラミックスターゲットであることを特
徴とする請求項１〜３のそれぞれに記載のスパッタリン
グターゲット。 - 【請求項５】 回転体を用いて研削する際に、該回転体
の回転方向に平行な面を用いて研削することを特徴とす
るスパッタリングターゲットの研削方法。 - 【請求項６】 回転体を用いて研削する際に、該回転体
の回転方向に平行な面を用いて研削し、表面粗さＲａ≦
０．５μｍに研削することを特徴とするスパッタリング
ターゲットの研削方法。 - 【請求項７】 表面粗さＲａ≦０．３μｍであることを
特徴とする請求項６記載のスパッタリングターゲットの
研削方法。 - 【請求項８】 表面粗さＲａ≦０．１μｍであることを
特徴とする請求項６記載のスパッタリングターゲットの
研削方法。 - 【請求項９】 方向性のない研削を行うことを特徴とす
る請求項５〜８のそれぞれに記載のスパッタリングター
ゲットの研削方法。 - 【請求項１０】 回転体又はターゲットの相対移動によ
り、ターゲットの一部又は全面に亘って研削することを
特徴とする請求項５〜９のそれぞれに記載のスパッタリ
ングターゲットの研削方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31820899A JP2001131737A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | スパッタリングターゲット及びその研削方法 |
| PCT/JP2000/005173 WO2001034870A1 (fr) | 1999-11-09 | 2000-08-02 | Cible de pulverisation et procede de broyage d'une cible de pulverisation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31820899A JP2001131737A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | スパッタリングターゲット及びその研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131737A true JP2001131737A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=18096652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31820899A Pending JP2001131737A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | スパッタリングターゲット及びその研削方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001131737A (ja) |
| WO (1) | WO2001034870A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001026863A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JP2002322560A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| EP2163662A1 (en) * | 2007-07-02 | 2010-03-17 | Tosoh Corporation | Tubular sputtering target |
| CN104723186A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钨硅合金的机械加工方法 |
| WO2016027599A1 (ja) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法および円筒形スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3418422B1 (en) * | 2016-03-25 | 2022-06-22 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Ti-nb alloy sputtering target and method for manufacturing same |
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| JPH10182151A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4081840B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2008-04-30 | 東ソー株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1999
- 1999-11-09 JP JP31820899A patent/JP2001131737A/ja active Pending
-
2000
- 2000-08-02 WO PCT/JP2000/005173 patent/WO2001034870A1/ja unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05214523A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-24 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JPH10182151A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
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| JP2001026863A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| EP1116800A1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-07-18 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target |
| EP1116800A4 (en) * | 1999-07-15 | 2004-09-08 | Nikko Materials Co Ltd | sputtering Target |
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| EP2163662A4 (en) * | 2007-07-02 | 2014-09-17 | Tosoh Corp | TARGET OF TUBULAR SPRAY |
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| CN104723186A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钨硅合金的机械加工方法 |
| WO2016027599A1 (ja) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法および円筒形スパッタリングターゲット |
| CN105683408A (zh) * | 2014-08-22 | 2016-06-15 | 三井金属矿业株式会社 | 圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶 |
| JP5941232B1 (ja) * | 2014-08-22 | 2016-06-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法 |
| JP2016176148A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法 |
| TWI558504B (zh) * | 2014-08-22 | 2016-11-21 | 三井金屬鑛業股份有限公司 | 圓筒形濺鍍靶用靶材之製造方法及圓筒形濺鍍靶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2001034870A1 (fr) | 2001-05-17 |
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