JP2001131389A - Epoxy resin composition - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、速硬化性及び流動
性に優れた新規なエポキシ樹脂組成物及び、速硬化性及
び流動性に優れ、かつ耐ハンダクラック性に優れた半導
体装置を与える新規な半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に関する。The present invention relates to a novel epoxy resin composition excellent in fast-curing and fluidity, and a novel semiconductor device excellent in fast-curing and fluidity and excellent in solder crack resistance. The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エポキシ樹脂組成物は、その優れた硬化
物性や取扱いの容易さから、接着、注型、封止、積層、
成型、塗装、絶縁等の広い分野で使用されている。ま
た、エポキシ樹脂には、多くの種類があり、その選択に
より硬化物性が大きく変わるため、使用分野や目的に応
じて使い分けられている。2. Description of the Related Art Epoxy resin compositions are used for bonding, casting, sealing, laminating, etc. due to their excellent cured physical properties and ease of handling.
It is used in a wide range of fields such as molding, painting, and insulation. Further, there are many types of epoxy resins, and the curing properties vary greatly depending on the selection, and therefore, they are properly used depending on the field of use and purpose.
【０００３】近年、高分子材料の使用条件が苛酷になる
に従って、高分子材料に対して要求される諸特性は厳し
くなり、一般に用いられている各種のエポキシ樹脂で
は、要求特性を充分に満足できなくなってきた。例え
ば、エポキシ樹脂組成物は半導体封止用に用いられてい
るが、この分野でも要求性能は厳しくなっている。すな
わち、半導体装置の高集積化が進み、半導体素子の大型
化が著しいとともに、パッケージそのものが小型化、薄
型化している。また、半導体装置の実装も表面実装へと
移行している。表面実装においては半導体装置がハンダ
浴に直接浸漬され、高温にさらされる為、吸湿された水
分が急速に膨張し、パッケージ全体に大きな応力がかか
り、封止材にクラックが入ることがある。そのために、
耐ハンダクラック性の良好な封止材用のエポキシ樹脂組
成物には、低吸湿性と低応力性が要求される。In recent years, as the use conditions of polymer materials have become more severe, the properties required for the polymer materials have become severer. Various types of commonly used epoxy resins can sufficiently satisfy the required properties. Is gone. For example, epoxy resin compositions are used for semiconductor encapsulation, but the required performance is strict in this field as well. In other words, the integration of the semiconductor device has been advanced, and the size of the semiconductor element has been significantly increased, and the package itself has been reduced in size and thickness. In addition, the mounting of semiconductor devices has also shifted to surface mounting. In surface mounting, the semiconductor device is directly immersed in a solder bath and exposed to high temperatures, so that the absorbed moisture rapidly expands, applies great stress to the entire package, and cracks the sealing material. for that reason,
An epoxy resin composition for a sealing material having good solder crack resistance is required to have low moisture absorption and low stress.
【０００４】溶融シリカ粉末のような無機充填剤を高充
填することにより、低吸湿性及び低応力性（すなわち低
熱膨張率）を改良することは広く行われており、耐ハン
ダクラック性の改良に大きな効果がある。しかし、無機
充填剤を高充填すると成型時の流動性が損なわれるた
め、封止材用のエポキシ樹脂には低溶融粘度であること
が要求されてきた。さらに、パッケージの小型化、薄型
化に伴い封止材用エポキシ樹脂組成物には高流動性も要
求されてきおり、エポキシ樹脂への低溶融粘度の要求は
さらに厳しくなっている。It has been widely practiced to improve the low moisture absorption and low stress (that is, low coefficient of thermal expansion) by highly filling an inorganic filler such as fused silica powder. It has a great effect. However, when the inorganic filler is highly filled, the fluidity at the time of molding is impaired, so that an epoxy resin for a sealing material has been required to have a low melt viscosity. Furthermore, with the miniaturization and thinning of the package, the epoxy resin composition for a sealing material has also been required to have high fluidity, and the demand for a low melt viscosity of the epoxy resin has become more severe.
【０００５】また、成型速度を上げるため速硬化性も強
く要求されており、他の特性がいくら良くても速硬化性
に劣る材料は使用されないのが現状である。現在、主と
して用いられているノボラック型エポキシ樹脂（特にク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂）は、速硬化性には
優れるが、特に低溶融粘度の点において充分なものとは
言えなくなってきた。[0005] In order to increase the molding speed, fast curability is also strongly required, and at present, materials having poor fast curability are not used no matter how good the other properties are. Currently, novolak-type epoxy resins (especially cresol novolak-type epoxy resins) which are mainly used are excellent in quick-curing properties, but have become insufficient particularly in terms of low melt viscosity.
【０００６】半導体の封止は、常温で固形の成形材料を
使用した低圧トランスファー成形法が通常用いられる。
そのため、その成形材料（組成物）に用いられるエポキ
シ樹脂も常温で固形である必要がある。近年、常温では
結晶であり、低溶融粘度のビフェニル型エポキシ樹脂を
用いることが広く検討されているが、速硬化性に劣り、
溶融粘度も十分には低くない。For semiconductor encapsulation, a low-pressure transfer molding method using a molding material which is solid at normal temperature is usually used.
Therefore, the epoxy resin used for the molding material (composition) also needs to be solid at room temperature. In recent years, the use of biphenyl-type epoxy resins that are crystalline at room temperature and have a low melt viscosity has been widely studied.
The melt viscosity is not low enough.
【０００７】ビスフェノールＡとエピハロヒドリンから
得られるエポキシ樹脂はもっとも一般的に使用されてお
り、物性バランスにも優れているが、低分子量のビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂は常温で液状となり、固形の
エポキシ樹脂を用いる用途には使用できない。分子量を
上げたビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は常温で非晶質
の固体となるが溶融粘度が高く、耐湿性も悪いため使用
できない。また、常温で固形のエポキシ樹脂を用いた組
成物は、粉体塗料、粉体絶縁材料等にも使用されている
が、これらの分野でも速硬化性及び高流動性が求められ
ている。[0007] Epoxy resins obtained from bisphenol A and epihalohydrin are most commonly used and have an excellent balance of physical properties, but low-molecular-weight bisphenol A epoxy resins become liquid at room temperature, and solid epoxy resins are used. It cannot be used for the intended use. A bisphenol A type epoxy resin having an increased molecular weight becomes an amorphous solid at room temperature, but cannot be used because of its high melt viscosity and poor moisture resistance. Further, a composition using an epoxy resin which is solid at room temperature is also used for powder coating materials, powder insulating materials, and the like, but also in these fields, quick curing and high fluidity are required.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、速硬化性及
び流動性に優れた新規なエポキシ樹脂組成物及び、速硬
化性及び流動性に優れ、かつ耐ハンダクラック性に優れ
た半導体装置を与える新規な半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a novel epoxy resin composition excellent in fast curing and fluidity, and a semiconductor device excellent in fast curing and fluidity and excellent in solder crack resistance. It is an object of the present invention to provide a novel epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記の課
題を解決するために種々研究を重ねた結果、エポキシ樹
脂としての純度を高め、さらに結晶化させることによ
り、常温で固形として取り扱えるようにした特定のビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂を使用することによりその
目的を達成できたのである。本発明のエポキシ樹脂組成
物は、以下の各発明を包含する。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted various studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, by increasing the purity as an epoxy resin and further crystallizing it, it can be handled as a solid at room temperature. By using the specific bisphenol A type epoxy resin as described above, the object was achieved. The epoxy resin composition of the present invention includes the following inventions.
【００１０】（１）（ａ）ビスフェノールＡとエピハロ
ヒドリンとの反応で得られるエポキシ樹脂であって、式
（１）で表されるビスフェノールＡジグリシジルエーテ
ルの含有量が９５重量％以上であり、融点が４４℃以上
である結晶エポキシ樹脂成分及び（ｂ）エポキシ樹脂用
硬化剤成分を必須成分として配合してなるエポキシ樹脂
組成物。(1) (a) An epoxy resin obtained by reacting bisphenol A with epihalohydrin, wherein the content of bisphenol A diglycidyl ether represented by the formula (1) is 95% by weight or more, An epoxy resin composition comprising, as essential components, a crystalline epoxy resin component having a temperature of 44 ° C. or higher and a curing agent component for epoxy resin (b).
【００１１】[0011]
【化２】 (1)Embedded image (1)
【００１２】（２）前記（ａ）成分の結晶エポキシ樹脂
は、前記式（１）で表されるビスフェノールＡジグリシ
ジルエーテルの含有量が９５重量％以上の液状ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂に少量の結晶核を添加混合し、
０〜２０℃の温度で結晶化させて得られる結晶エポキシ
樹脂であることを特徴とする（１）項に記載のエポキシ
樹脂組成物。(2) The crystalline epoxy resin of component (a) is prepared by adding a small amount of crystal to a liquid bisphenol A type epoxy resin having a bisphenol A diglycidyl ether content of 95% by weight or more represented by the above formula (1). Add the nuclei and mix,
The epoxy resin composition according to item (1), which is a crystalline epoxy resin obtained by crystallization at a temperature of 0 to 20 ° C.
【００１３】（３）前記（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化
剤は、フェノール樹脂類であることを特徴とする（１）
項又は（２）項に記載のエポキシ樹脂組成物。(3) The epoxy resin curing agent of the component (b) is a phenol resin.
The epoxy resin composition according to item or (2).
【００１４】（４）前記（１）項〜（３）項のいずれか
１項に記載のエポキシ樹脂組成物に、（ｃ）無機充填剤
成分を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （５）前記（ｃ）成分の無機充填剤は、溶融シリカ、結
晶シリカ粉末、ガラス粉、アルミナ及び炭酸カルシウム
より選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする
（４）項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （６）前記（ｃ）成分の無機充填剤は、組成物全体の８
０〜９５重量％、好ましくは８５〜９５重量％配合され
ていることを特徴とする（４）項又は（５）項に記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(4) An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation obtained by mixing (c) an inorganic filler component with the epoxy resin composition according to any one of the above items (1) to (3). . (5) The semiconductor encapsulation according to (4), wherein the inorganic filler of the component (c) is at least one selected from fused silica, crystalline silica powder, glass powder, alumina and calcium carbonate. An epoxy resin composition for stopping. (6) The inorganic filler of the component (c) comprises 8 of the total composition.
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the item (4) or (5), which is contained in an amount of 0 to 95% by weight, preferably 85 to 95% by weight.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂組成物で用
いられるエポキシ樹脂成分は、ビスフェノールＡとエピ
ハロヒドリンとの反応で得られるビスフェノールＡエポ
キシ樹脂においてビスフェノールＡジグリシジルエーテ
ルの含有量を非常に高め、結晶化させることにより、常
温で固形のエポキシ樹脂として使用可能としたものであ
る。高純度のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、超低
溶融粘度で硬化性にも優れる。また、そこに無機充填剤
を高充填し、低吸湿化及び低応力化することにより、速
硬化性、流動性、低吸湿性及び耐ハンダクラック性のす
べての要求性能を満足する半導体封止用エポキシ樹脂組
成物とすることもできる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The epoxy resin component used in the epoxy resin composition of the present invention is a bisphenol A epoxy resin obtained by reacting bisphenol A with epihalohydrin, which greatly increases the content of bisphenol A diglycidyl ether, By crystallizing, it can be used as a solid epoxy resin at normal temperature. High-purity bisphenol A type epoxy resin has an extremely low melt viscosity and excellent curability. In addition, it is filled with inorganic fillers to reduce moisture absorption and stress, so that it can be used for semiconductor encapsulation that satisfies all required properties of fast curing, fluidity, low moisture absorption and solder crack resistance. An epoxy resin composition can also be used.
【００１６】ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、ビス
フェノールＡとエピハロヒドリンとをアルカリの存在下
に、縮合反応させてエポキシ樹脂としたものである。一
般にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂中には、化学式
（１）で表されるビスフェノールＡジグリシジルエーテ
ルに加えて、下記一般式（２）で表される高分子化物等
が含まれる。The bisphenol A type epoxy resin is obtained by subjecting bisphenol A and epihalohydrin to a condensation reaction in the presence of an alkali to form an epoxy resin. In general, the bisphenol A type epoxy resin contains, in addition to bisphenol A diglycidyl ether represented by the chemical formula (1), a polymerized product represented by the following general formula (2).
【００１７】[0017]
【化３】 (2)Embedded image (2)
【００１８】本発明のエポキシ樹脂組成物で用いられる
（ａ）成分のエポキシ樹脂は、ビスフェノールＡジグリ
シジルエーテルの含有量が９５重量％以上であり、好ま
しくは９７重量％以上である。その製造は定法に従って
行うことができるが、そのような高純度のビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂を製造するためには、エピハロヒド
リンをビスフェノールＡに対して大過剰に用いるなどの
反応条件の最適化を行ったり、いったん製造したビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂を蒸留、晶析、抽出などの方
法で精製し、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの
含有量を高める必要がある。それらの方法の中では、蒸
留又は晶析による精製が得られるビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂の純度や、操作の容易性の点から好ましい。
ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの含有量が低い
と結晶化が充分ではなく、溶融粘度も充分に低くならな
い。The epoxy resin (a) used in the epoxy resin composition of the present invention has a bisphenol A diglycidyl ether content of at least 95% by weight, preferably at least 97% by weight. The production can be carried out according to a standard method, but in order to produce such a high-purity bisphenol A type epoxy resin, optimization of reaction conditions such as using epihalohydrin in a large excess with respect to bisphenol A is performed. It is necessary to increase the bisphenol A diglycidyl ether content by purifying the bisphenol A epoxy resin once produced by a method such as distillation, crystallization, or extraction. Among these methods, the bisphenol A type epoxy resin which can be purified by distillation or crystallization is preferable in view of the purity and operability.
When the content of bisphenol A diglycidyl ether is low, crystallization is not sufficient and the melt viscosity does not become sufficiently low.
【００１９】そのようにして得られた高純度のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂は、常温では液状となるため、
結晶化させることにより固形化し、常温で固形の結晶エ
ポキシ樹脂として使用できるようにする必要がある。一
般にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、純度を高めて
も結晶化速度が非常に遅いため、結晶核を加えて良く混
合するなどの結晶化促進の操作を行うことが好ましい。
結晶核としては別途用意したビスフェノールＡジグリシ
ジルエーテルの結晶粉末が好ましいが、本発明の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる無機充填材であ
るシリカ粉末等も使用できる。その結晶核の使用量は液
状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に対して０．１〜
１０重量％である。The high-purity bisphenol A type epoxy resin thus obtained is liquid at room temperature.
It is necessary to solidify by crystallization so that it can be used as a crystalline epoxy resin which is solid at normal temperature. Generally, bisphenol A type epoxy resin has a very low crystallization rate even when the purity is increased. Therefore, it is preferable to perform an operation of accelerating crystallization such as adding a crystal nucleus and mixing well.
As the crystal nucleus, a crystal powder of bisphenol A diglycidyl ether prepared separately is preferable, but silica powder or the like, which is an inorganic filler used in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, can also be used. The amount of the crystal nuclei used is 0.1 to 0.1 with respect to the liquid bisphenol A epoxy resin.
10% by weight.
【００２０】また、結晶化の温度は０〜２０℃が好まし
く、より好ましくは５〜１５℃である。結晶化の温度が
低すぎても高すぎても結晶化速度が遅く、完全な結晶化
が起こりにくい。さらに、その結晶の融点は、４４℃以
上が好ましく、より好ましくは４６℃以上である。融点
が低すぎると粉砕作業や粉体としての取り扱いなどの固
形としての取り扱いが困難になる。The crystallization temperature is preferably from 0 to 20 ° C., more preferably from 5 to 15 ° C. If the crystallization temperature is too low or too high, the crystallization speed is low, and complete crystallization hardly occurs. Further, the melting point of the crystal is preferably at least 44 ° C., more preferably at least 46 ° C. If the melting point is too low, it is difficult to handle as a solid such as a pulverizing operation and a powder.
【００２１】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には
（ａ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂成分以外のエポ
キシ樹脂を混合使用することができる。その混合使用す
ることができる他のエポキシ樹脂としては、たとえば、
つぎのようなものが挙げられる。In the epoxy resin composition of the present invention, an epoxy resin other than the bisphenol A type epoxy resin component (a) may be mixed and used. Other epoxy resins that can be used as a mixture include, for example,
The following are mentioned.
【００２２】ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、
ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、ジブチルハイ
ドロキノン、レゾルシン、メチルレゾルシン、ビフェノ
ール、テトラメチルビフェノール、テトラメチルビスフ
ェノールＦ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒド
ロキシナフタレン、ジヒドロキシスチルベン類、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビス
フェノールＡノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペンフェノール樹
脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂などの種々の
フェノール類とエピハロヒドリンとから製造されるエポ
キシ樹脂。Bisphenol F, bisphenol AD,
Hydroquinone, methylhydroquinone, dibutylhydroquinone, resorcinol, methylresorcinol, biphenol, tetramethylbiphenol, tetramethylbisphenol F, dihydroxydiphenylether, dihydroxynaphthalene, dihydroxystilbenes, phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, naphthol novolak resin And epoxy resins produced from various phenols such as phenol aralkyl resins, terpene phenol resins, dicyclopentadiene phenol resins and epihalohydrin.
【００２３】種々のフェノール類と、ヒドロキシベンズ
アルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオキザールなど
の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られる多価フェ
ノール樹脂類とエピハロヒドリンとから製造されるエポ
キシ樹脂。重質油又はピッチ類とフェノール類とホルム
アルデヒド類との共縮合樹脂とエピハロヒドリンとから
製造されるエポキシ樹脂。ジアミノジフェニルメタン、
アミノフェノール、 キシレンジアミンなどの種々のアミ
ン化合物とエピハロヒドリンとから製造されるエポキシ
樹脂。メチルヘキサヒドロキシフタル酸、ダイマー酸な
どの種々のカルボン酸類とエピハロヒドリンとから製造
されるエポキシ樹脂。An epoxy resin produced from a polyhydric phenol resin obtained by a condensation reaction of various phenols with various aldehydes such as hydroxybenzaldehyde, crotonaldehyde and glyoxal, and epihalohydrin. An epoxy resin produced from a co-condensation resin of heavy oil or pitches, phenols and formaldehydes and epihalohydrin. Diaminodiphenylmethane,
Epoxy resin produced from various amine compounds such as aminophenol and xylene diamine and epihalohydrin. An epoxy resin produced from various carboxylic acids such as methylhexahydroxyphthalic acid and dimer acid and epihalohydrin.
【００２４】また、本発明のエポキシ樹脂組成物に難燃
性を付与するために、臭素化ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂や臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂の
ような臭素化エポキシ樹脂樹脂を添加することができ
る。以上のような、その他のエポキシ樹脂の使用割合
は、（ａ）成分のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１０
０重量部に対して１００重量部以下が好ましく、より好
ましくは、５０重量部以下である。その他のエポキシ樹
脂の使用割合が多すぎると、本発明の効果が充分に発揮
されなくなる。In order to impart flame retardancy to the epoxy resin composition of the present invention, a brominated epoxy resin resin such as a brominated bisphenol A epoxy resin or a brominated phenol novolak epoxy resin may be added. it can. The proportion of the other epoxy resin used as described above is determined according to the bisphenol A type epoxy resin 10 (a).
The amount is preferably 100 parts by weight or less, more preferably 50 parts by weight or less based on 0 parts by weight. If the proportion of the other epoxy resin is too large, the effects of the present invention cannot be sufficiently exhibited.
【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物には、（ｂ）
成分のエポキシ樹脂硬化剤が必須成分として配合される
が、このエポキシ樹脂硬化剤には、特に制約は無く一般
的なエポキシ樹脂用の硬化剤が使用できる。（ｂ）成分
のエポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ基
と反応する基を持つ化合物であり、たとえば、つぎのよ
うなのが挙げられる。The epoxy resin composition of the present invention comprises (b)
The epoxy resin curing agent as a component is blended as an essential component, and the epoxy resin curing agent is not particularly limited, and a general epoxy resin curing agent can be used. The epoxy resin curing agent of the component (b) is a compound having a group that reacts with an epoxy group in the epoxy resin, and examples thereof include the following.
【００２６】ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビ
スフェノールＡＤ、ハイドロキノン、レゾルシン、メチ
ルレゾルシン、ビフェノール、テトラメチルビフェノー
ル、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシジフェニル
エーテル、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペンフェ
ノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂、ビ
スフェノールＡノボラック樹脂、ナフトールノボラック
樹脂、臭素化ビスフェノールＡ、臭素化フェノールノボ
ラック樹脂などの種々の多価フェノール類。Bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, hydroquinone, resorcin, methyl resorcin, biphenol, tetramethylbiphenol, dihydroxynaphthalene, dihydroxydiphenyl ether, phenol novolak resin, cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, terpene phenol resin, dicyclopentadiene Various polyphenols such as phenol resin, bisphenol A novolak resin, naphthol novolak resin, brominated bisphenol A, and brominated phenol novolak resin.
【００２７】種々のフェノール類とベンズアルデヒド、
ヒドロキシベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、グ
リオキザールなどの種々のアルデヒド類との縮合反応で
得られる多価フェノール樹脂類。重質油又はピッチ類と
フェノール類とホルムアルデヒド類との共縮合樹脂等の
各種のフェノール樹脂類。上記の各種のフェノール( 樹
脂) 類のフェノール性水酸基の全部もしくは一部をベン
ゾエート化あるいはアセテート化などのエステル化する
ことによって得られる活性エステル化合物。Various phenols and benzaldehyde,
Polyhydric phenol resins obtained by a condensation reaction with various aldehydes such as hydroxybenzaldehyde, crotonaldehyde and glyoxal. Various phenolic resins such as co-condensation resins of heavy oil or pitches, phenols and formaldehydes. An active ester compound obtained by subjecting all or a part of the phenolic hydroxyl groups of the various phenols (resins) to esterification such as benzoation or acetate formation.
【００２８】メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサ
ヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、メチルナジ
ック酸等の酸無水物類。ジエチレントリアミン、イソホ
ロンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルスルホン、ジシアンジアミド等のアミン類。Acid anhydrides such as methyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride and methylnadic acid. Amines such as diethylenetriamine, isophoronediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, and dicyandiamide.
【００２９】また、エポキシ基の重合を開始するタイプ
の硬化剤としては、たとえば、つぎのようなものが挙げ
られる。トリフェニルホスフィンなどのホスフィン化合
物。テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
トなどのホスホニウム塩。2-メチルイミダゾール、2-フ
ェニルイミダゾール、2-エチル-4- メチルイミダゾー
ル、2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2- メ
チルイミダゾール、2,4-ジシアノ-6-[2-メチルイミダゾ
リル-(1)]-エチル-S- トリアジンなどのイミダゾール
類。Examples of the type of curing agent that initiates the polymerization of epoxy groups include the following. Phosphine compounds such as triphenylphosphine; Phosphonium salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate. 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 2,4-dicyano-6- [2-methylimidazolyl- (1 Imidazoles such as)]-ethyl-S-triazine;
【００３０】1-シアノエチル-2- ウンデシルイミダゾリ
ウムトリメリテ−ト、2-メチルイミダゾリウムイソシア
ヌレート、2-エチル-4- メチルイミダゾリウムテトラフ
ェニルボレート、2-エチル-1,4- ジメチルイミダゾリウ
ムテトラフェニルボレートなどのイミダゾリウム塩。2,
4,6-トリス( ジメチルアミノメチル) フェノール、ベン
ジルジメチルアミンなどのアミン類。トリエチルアンモ
ニウムテトラフェニルボレートなどのアンモニウム塩、
1,5-ジアザビシクロ(5,4,0)-７- ウンデセン、1,5-ジア
ザビシクロ(4,3,0)-5-ノネンなどのジアザビシクロ化合
物、それらジアザビシクロ化合物のテトラフェニルボレ
ート、フェノール塩、フェノールノボラック塩、2-エチ
ルヘキサン酸塩類。1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 2-methylimidazolium isocyanurate, 2-ethyl-4-methylimidazolium tetraphenylborate, 2-ethyl-1,4-dimethylimidazolium Imidazolium salts such as tetraphenylborate. 2,
Amines such as 4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol and benzyldimethylamine. Ammonium salts such as triethylammonium tetraphenylborate,
Diazabicyclo compounds such as 1,5-diazabicyclo (5,4,0) -7-undecene and 1,5-diazabicyclo (4,3,0) -5-nonene; tetraphenylborate, phenol salt and phenol of these diazabicyclo compounds Novolak salts, 2-ethylhexanoates.
【００３１】さらにトリフル酸（Triflic acid）塩、三
弗化硼素エーテル錯化合物、金属フルオロ硼素錯塩、ビ
ス（ペルフルオルアルキルスルホニル）メタン金属塩、
アリールジアゾニウム化合物、芳香族オニウム塩、III
ａ〜Ｖａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウ
ム塩、ＭＦ6 - 陰イオン（ここでＭは燐、アンチモン及
び砒素から選択される）の形のＶIｂ元素、アリールス
ルホニウム錯塩、芳香族ヨードニウム錯塩、芳香族スル
ホニウム錯塩、ビス[ ４−（ジフェニルスルホニオ）フ
ェニル] スルフィド−ビス−ヘキサフルオロ金属塩（例
えば、燐酸塩、砒酸塩、アンチモン酸塩等）、アリール
スルホニウム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スル
ホニウム又はヨードニウム塩等を用いることができる。Further, a triflic acid salt, a boron trifluoride ether complex, a metal fluoroboron complex, a bis (perfluoroalkylsulfonyl) methane metal salt,
Aryldiazonium compounds, aromatic onium salts, III
dicarbonyl chelates of a~Va group elements, thiopyrylium salts, MF 6 - form of VIb elements anion (wherein M is selected from phosphorus, antimony and arsenic), arylsulfonium complex salts, aromatic iodonium complex salts, aromatic Sulfonium complex salt, bis [4- (diphenylsulfonio) phenyl] sulfide-bis-hexafluorometal salt (for example, phosphate, arsenate, antimonate and the like), arylsulfonium complex salt, halogen-containing complex ion aromatic sulfonium or An iodonium salt or the like can be used.
【００３２】本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体の封
止に使用する場合には、それら各種のエポキシ樹脂硬化
剤の中では、硬化物性や取り扱いのしやすさ、硬化物性
などからフェノール樹脂類が好ましく、より好ましく
は、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、テルペンフェノール樹脂、ジシクロペン
タジエンフェノール樹脂である。When the epoxy resin composition of the present invention is used for encapsulating semiconductors, among these various epoxy resin curing agents, phenol resins are used because of their cured properties, ease of handling, and cured properties. Preferred and more preferred are phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, phenol aralkyl resin, terpene phenol resin, and dicyclopentadiene phenol resin.
【００３３】本発明のエポキシ樹脂組成物における
（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化剤の使用量は、エポキシ
基と反応する基を持つ化合物の場合は、全エポキシ樹脂
成分中のエポキシ基１モルに対して、全エポキシ樹脂硬
化剤成分中のエポキシ基と反応する基の合計が０．５〜
２．０モルになる量が好ましく、より好ましくは、０．
７〜１．５モルになる量である。エポキシ基の重合を開
始するタイプの硬化剤の場合は、エポキシ樹脂１００重
量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましく、より好
ましくは、０．３〜５重量部である。In the epoxy resin composition of the present invention, the amount of the epoxy resin curing agent used as the component (b) in the case of a compound having a group that reacts with an epoxy group is based on 1 mol of epoxy group in all epoxy resin components. Thus, the total of the groups that react with the epoxy group in all epoxy resin curing agent components is 0.5 to
The amount is preferably 2.0 mol, more preferably 0.1 mol.
The amount becomes 7 to 1.5 mol. In the case of a type of curing agent that initiates the polymerization of epoxy groups, the amount is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.3 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the epoxy resin.
【００３４】本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じて無機充填剤、硬化促進剤、カップリング剤、可塑
剤、顔料、溶剤、強化用繊維、離型剤、難燃（助）剤、
イオン捕捉剤等を適宜に配合することができる。The epoxy resin composition of the present invention may contain, if necessary, an inorganic filler, a curing accelerator, a coupling agent, a plasticizer, a pigment, a solvent, a reinforcing fiber, a release agent, and a flame retardant (auxiliary) agent. ,
An ion scavenger or the like can be appropriately compounded.
【００３５】本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体の封
止に使用する場合には、（ｃ）無機充填剤成分が必須成
分として配合される。その無機充填剤の種類としては、
たとえば、溶融シリカ、結晶性シリカ、ガラス粉、アル
ミナ、炭酸カルシウムなどが挙げられる。その形状とし
ては、破砕型又は球状である。各種の無機充填剤は、単
独で又は２種以上混合して用いられるが、それらの中で
は溶融シリカ又は結晶性シリカが好ましい。その使用量
は、組成物全体の８０〜９５重量％であり、より好まし
くは、８５〜９５重量％である。（ｃ）成分の無機充填
剤の使用量が少なすぎると低吸湿性及び低応力性の改良
効果が少なく、結果的に耐ハンダクラック性に劣る。
（ｃ）成分の無機充填剤の使用量が多すぎると、成型時
の流動性が損なわれる。When the epoxy resin composition of the present invention is used for encapsulating a semiconductor, (c) an inorganic filler component is blended as an essential component. As a kind of the inorganic filler,
For example, fused silica, crystalline silica, glass powder, alumina, calcium carbonate and the like can be mentioned. Its shape is crushed or spherical. Various inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. Among them, fused silica or crystalline silica is preferable. The amount used is from 80 to 95% by weight of the total composition, more preferably from 85 to 95% by weight. If the amount of the inorganic filler (c) is too small, the effect of improving low moisture absorption and low stress is small, resulting in poor solder cracking resistance.
If the amount of the inorganic filler (c) is too large, the fluidity during molding is impaired.
【００３６】硬化促進剤としては、たとえば、つぎのよ
うなものが挙げられる。トリブチルホスフィン、トリフ
ェニルホスフィン、トリス( ジメトキシフェニル) ホス
フィン、トリス( ヒドロキシプロピル) ホスフィン、ト
リス( シアノエチル) ホスフィンなどのホスフィン化合
物。テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、メチルトリブチルホスホニウムテトラフェニルボレ
ート、メチルトリシアノエチルホスホニウムテトラフェ
ニルボレートなどのホスホニウム塩。2-メチルイミダゾ
ール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4- メチルイ
ミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチ
ル-2- メチルイミダゾール、2,4-ジシアノ-6-[2-メチル
イミダゾリル-(1)]-エチル-S- トリアジン、2,4-ジシア
ノ-6-[2-ウンデシルイミダゾリル-(1)]-エチル-S- トリ
アジンなどのイミダゾール類。Examples of the curing accelerator include the following. Phosphine compounds such as tributylphosphine, triphenylphosphine, tris (dimethoxyphenyl) phosphine, tris (hydroxypropyl) phosphine, and tris (cyanoethyl) phosphine; Phosphonium salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, methyltributylphosphonium tetraphenylborate, and methyltricyanoethylphosphonium tetraphenylborate. 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 2,4-dicyano-6- [2-methylimidazolyl- (1 Imidazoles such as)]-ethyl-S-triazine, 2,4-dicyano-6- [2-undecylimidazolyl- (1)]-ethyl-S-triazine;
【００３７】1-シアノエチル-2- ウンデシルイミダゾリ
ウムトリメリテ−ト、2-メチルイミダゾリウムイソシア
ヌレート、2-エチル-4- メチルイミダゾリウムテトラフ
ェニルボレート、2-エチル-1,4- ジメチルイミダゾリウ
ムテトラフェニルボレートなどのイミダゾリウム塩。2,
4,6-トリス( ジメチルアミノメチル) フェノール、ベン
ジルジメチルアミン、テトラメチルブチルグアニジン、
N-メチルピペラジン、2-ジメチルアミノ-1-ピロリンな
どのアミン類、トリエチルアンモニウムテトラフェニル
ボレートなどのアンモニウム塩、1,5-ジアザビシクロ
(5,4,0)-７- ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ(4,3,0)-
5-ノネン、1,4-ジアザビシクロ(2,2,2)-オクタンなどの
ジアザビシクロ化合物、それらジアザビシクロ化合物の
テトラフェニルボレート、フェノール塩、フェノールノ
ボラック塩、2-エチルヘキサン酸塩などが挙げられる。1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 2-methylimidazolium isocyanurate, 2-ethyl-4-methylimidazolium tetraphenylborate, 2-ethyl-1,4-dimethylimidazolium Imidazolium salts such as tetraphenylborate. 2,
4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, benzyldimethylamine, tetramethylbutylguanidine,
Amines such as N-methylpiperazine, 2-dimethylamino-1-pyrroline, ammonium salts such as triethylammonium tetraphenylborate, 1,5-diazabicyclo
(5,4,0) -7-undecene, 1,5-diazabicyclo (4,3,0)-
Diazabicyclo compounds such as 5-nonene and 1,4-diazabicyclo (2,2,2) -octane; tetraphenylborate, phenol salts, phenol novolak salts, and 2-ethylhexanoates of these diazabicyclo compounds.
【００３８】また、難燃（助）剤として、三酸化アンチ
モン、リン化合物、窒素化合物、酸化モリブデン、水酸
化アルミニウムなどを適宜に配合することができる。As the flame retardant (auxiliary) agent, antimony trioxide, a phosphorus compound, a nitrogen compound, molybdenum oxide, aluminum hydroxide and the like can be appropriately blended.
【００３９】本発明のエポキシ樹脂組成物は、速硬化性
及び流動性に優れるので、封止材料、粉体塗料、粉体絶
縁材料等に使用することができる。また本発明の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物は、速硬化性及び流動性に優
れ、かつ耐ハンダクラック性に優れた半導体装置を与え
るので半導体封止の分野で有利に使用することができ
る。Since the epoxy resin composition of the present invention is excellent in quick-curing property and fluidity, it can be used for sealing materials, powder coating materials, powder insulating materials and the like. In addition, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention provides a semiconductor device excellent in quick-curing property and fluidity and excellent in solder crack resistance, and thus can be advantageously used in the field of semiconductor encapsulation.
【００４０】[0040]
【実施例】以下に、本発明のエポキシ樹脂組成物で用い
られるエポキシ樹脂の製造例、及び本発明の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物の実施例及び比較例をあげてさら
に詳述する。なお、各製造例で用いた分析方法は次のと
おりである。・エポキシ当量：JIS K-7236による。・ビ
スフェノールＡジグリシジルエーテルの含有量：HPLCの
面積％。・融点：DSC の吸熱ピーク温度。The present invention will be described in more detail with reference to Examples of the production of the epoxy resin used in the epoxy resin composition of the present invention, and Examples and Comparative Examples of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention. The analysis method used in each of the production examples is as follows. -Epoxy equivalent: according to JIS K-7236. -Bisphenol A diglycidyl ether content: area% by HPLC. -Melting point: Endothermic peak temperature of DSC.
【００４１】エポキシ樹脂の製造例１ 温度計、撹拌装置、冷却管を備えた内容量３リッターの
三つ口フラスコに、ビスフェノールＡ１１４ｇ、エピク
ロルヒドリン１３００ｇを仕込み、８０℃に昇温して均
一に溶解させたのち、４８．５重量％の水酸化ナトリウ
ム水溶液８２．５ｇを2 時間かけて滴下した。その間に
徐々に昇温し、９３〜９８℃でエピクロルヒドリンと水
を共沸させ、凝縮液を分離し、エピクロルヒドリンだけ
を反応系に戻して脱水した。滴下終了後、３０分間脱水
を継続して反応を行わせた。次いで、生成物から減圧下
で過剰のエピクロルヒドリンを留去して、粗製エポキシ
樹脂を得た。Production Example 1 of Epoxy Resin In a 3-liter three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a condenser, 114 g of bisphenol A and 1300 g of epichlorohydrin were charged and heated to 80 ° C. to be uniformly dissolved. Thereafter, 82.5 g of a 48.5% by weight aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise over 2 hours. During this time, the temperature was gradually raised, and epichlorohydrin and water were azeotropically distilled at 93 to 98 ° C., a condensate was separated, and only epichlorohydrin was returned to the reaction system and dehydrated. After the completion of the dropping, the reaction was performed by continuing dehydration for 30 minutes. Then, excess epichlorohydrin was distilled off from the product under reduced pressure to obtain a crude epoxy resin.
【００４２】この粗製エポキシ樹脂をメチルイソブチル
ケトン２００ｇに溶解させ、２０重量％の水酸化ナトリ
ウム水溶液５０ｇを加え、８０℃の温度で１時間反応さ
せた。その反応終了後に、第一リン酸ナトリウムを加え
て過剰の水酸化ナトリウムを中和し、水洗して副生塩を
除去した。次いで、減圧下でメチルイソブチルケトンを
完全に除去して、常温で液状のビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂を得た。このエポキシ樹脂のエポキシ当量は、
１７８ｇ／ｅｑ．、ビスフェノールＡジグリシジルエー
テルの含有量は、９１．２％であった。This crude epoxy resin was dissolved in 200 g of methyl isobutyl ketone, 50 g of a 20% by weight aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was reacted at a temperature of 80 ° C. for 1 hour. After the completion of the reaction, sodium phosphate monobasic was added to neutralize the excess sodium hydroxide, and washed with water to remove by-product salts. Next, methyl isobutyl ketone was completely removed under reduced pressure to obtain a bisphenol A type epoxy resin which was liquid at room temperature. The epoxy equivalent of this epoxy resin is
178 g / eq. And the content of bisphenol A diglycidyl ether was 91.2%.
【００４３】エポキシ樹脂の製造例２ エポキシ樹脂の製造例１で製造したビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂をメチルエチルケトンとメタノールの１：
１混合液に４０℃で完全に溶解し、濃度５０重量％とし
た。この溶液を５℃に冷却し、１週間保持した。析出し
た結晶を濾別した後、減圧下１５０℃で溶媒を完全に除
去して、常温で液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
を収率３９％で得た。Production Example 2 of Epoxy Resin The bisphenol A-type epoxy resin produced in Production Example 1 of the epoxy resin was prepared by mixing methyl ethyl ketone and methanol in a ratio of 1:
One solution was completely dissolved at 40 ° C. to a concentration of 50% by weight. The solution was cooled to 5 ° C. and kept for one week. After the precipitated crystals were separated by filtration, the solvent was completely removed at 150 ° C. under reduced pressure to obtain a bisphenol A type epoxy resin which was liquid at room temperature with a yield of 39%.
【００４４】このビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に別
途用意したビスフェノールＡジグリシジルエーテルの結
晶粉末を３重量％添加し、良く混合した。このものを８
℃で３日間保持して完全に結晶化させた。このエポキシ
樹脂のエポキシ当量は、１７４ｇ／ｅｑ．、ビスフェノ
ールＡジグリシジルエーテルの含有量は、９６．４％、
融点は４５．１℃であった。また、その結晶化はほぼ完
全であり、粉砕や粉体での取り扱いなど常温で固形のエ
ポキシ樹脂として使用可能であった。A bisphenol A diglycidyl ether crystal powder separately prepared at 3% by weight was added to the bisphenol A type epoxy resin and mixed well. This one 8
C. for 3 days to completely crystallize. The epoxy equivalent of this epoxy resin is 174 g / eq. , Bisphenol A diglycidyl ether content is 96.4%,
The melting point was 45.1 ° C. Further, its crystallization was almost complete, and it could be used as a solid epoxy resin at normal temperature such as pulverization and handling with powder.
【００４５】エポキシ樹脂の製造例３ エポキシ樹脂の製造例１で製造したビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂を内部コンデンサー型フィルムエバポレー
ターを用い、０．１ｍｍＨｇ、１８０〜２００℃で蒸留
した。収率は７６％であった。得られた常温で液状のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂に別途用意したビスフェ
ノールＡジグリシジルエーテルの結晶粉末を1 重量% 添
加し、良く混合した。このものを８℃で１日間保持して
完全に結晶化させた。このエポキシ樹脂のエポキシ当量
は１７２ｇ／ｅｑ．、ビスフェノールＡジグリシジルエ
ーテルの含有量は９８．１％、融点は４８．３℃であっ
た。また、その結晶化はほぼ完全であり、粉砕や粉体で
の取り扱いなど常温で固形のエポキシ樹脂として使用可
能であった。Production Example 3 of Epoxy Resin The bisphenol A type epoxy resin produced in Production Example 1 of the epoxy resin was distilled at 180 to 200 ° C. at 0.1 mmHg using an internal condenser type film evaporator. The yield was 76%. 1% by weight of bisphenol A diglycidyl ether crystal powder separately prepared was added to the obtained bisphenol A type epoxy resin which was liquid at room temperature, and mixed well. This was kept at 8 ° C. for 1 day to completely crystallize. The epoxy equivalent of this epoxy resin is 172 g / eq. , Bisphenol A diglycidyl ether content was 98.1%, and the melting point was 48.3 ° C. Further, its crystallization was almost complete, and it could be used as a solid epoxy resin at normal temperature such as pulverization and handling with powder.
【００４６】エポキシ樹脂の製造例４（比較例） エポキシ樹脂の製造例１で製造した常温で液状のビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂に別途用意したビスフェノー
ルＡジグリシジルエーテルの結晶粉末を３重量％添加
し、良く混合した。このものを８℃で５日間保持して結
晶化させた。このエポキシ樹脂の融点は４２．９℃であ
った。また、その結晶化は不完全であり、一部液状の部
分があるため、粉砕や粉体での取り扱いなどが困難で常
温で固形のエポキシ樹脂として使用不可能であった。Production Example 4 of Epoxy Resin (Comparative Example) Crystalline powder of bisphenol A diglycidyl ether separately prepared at 3% by weight was added to the bisphenol A type epoxy resin at room temperature which was produced in Production Example 1 of epoxy resin. Mix well. This was kept at 8 ° C. for 5 days for crystallization. The melting point of this epoxy resin was 42.9 ° C. Further, its crystallization is incomplete, and there are some liquid portions, so that it is difficult to grind or handle with powder, and it cannot be used as a solid epoxy resin at room temperature.
【００４７】実施例１〜４及び比較例１及び２ （半導体封止用エポキシ樹脂組成物）表１に示したよう
に、（ａ）成分のエポキシ樹脂として、製造例２又は３
で製造した各エポキシ樹脂、市販のクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、市販のテトラメチルビフェノール型
エポキシ樹脂をそれぞれ用い、（ｂ）成分のエポキシ樹
脂硬化剤としてフェノールノボラック樹脂又はフェノー
ルアラルキル樹脂を用い、（ｃ）成分の無機充填剤とし
て球状溶融シリカ粉末を比較例１以外は組成物全体の８
７重量％で用い、比較例１では組成物全体の７８重量％
を用い、（ｄ）成分の硬化促進剤としてトリフェニルホ
スフィンを用い、難燃剤として臭素化ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂をそれぞれに用い、難燃助剤として三酸
化アンチモン、充填剤表面処理剤としてエポキシシラ
ン、また離型剤としてカルナバワックスをそれぞれに用
いて各エポキシ樹脂組成物を配合した。Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 (Epoxy Resin Composition for Encapsulating Semiconductor) As shown in Table 1, as the epoxy resin of the component (a), Production Example 2 or 3
Using each of the epoxy resins produced in the above, a commercially available cresol novolak type epoxy resin, and a commercially available tetramethyl biphenol type epoxy resin, and using a phenol novolak resin or a phenol aralkyl resin as a component (b) epoxy resin curing agent; Spherical fused silica powder was used as the inorganic filler of the component.
In Comparative Example 1, 78% by weight of the total composition was used.
, Triphenylphosphine as a curing accelerator of component (d), and brominated bisphenol A as a flame retardant
Each epoxy resin composition was compounded using each type of epoxy resin, antimony trioxide as a flame retardant aid, epoxysilane as a filler surface treatment agent, and carnauba wax as a release agent.
【００４８】次いで、各配合物をミキシングロールを用
いて７０〜１３０℃の温度で５分間溶融混合した。得ら
れた各溶融混合物はシート状に取り出し、粉砕して各成
形材料を得た。各成形材料の１８０℃でのゲルタイムを
測定した。これらの各成形材料を用い低圧トランスファ
ー成形機で金型温度１８０℃、成形時間１８０秒で成形
して、各試験片を得、１８０℃で８時間ポストキュアー
させた。また、各成形材料のスパイラルフローを測定し
た。Next, each composition was melt-mixed at 70 to 130 ° C. for 5 minutes using a mixing roll. Each of the obtained molten mixtures was taken out in a sheet shape and pulverized to obtain each molding material. The gel time at 180 ° C. of each molding material was measured. Each of these molding materials was molded by a low pressure transfer molding machine at a mold temperature of 180 ° C. and a molding time of 180 seconds to obtain each test piece, which was post-cured at 180 ° C. for 8 hours. Further, the spiral flow of each molding material was measured.
【００４９】各成形材料のゲルタイム、スパイラルフロ
ー及び各試験片のポストキュアー後のガラス転移温度、
吸湿率及び耐ハンダクラック性を試験した結果は表１に
示すとおりであり、実施例１〜４の各成形材料は、比較
例１又は２の成形材料に較べて速硬化性（即ち短ゲルタ
イム）、流動性（即ち高スパイラルフロー）、低吸湿性
及び耐ハンダクラック性のバランスに優れていた。The gel time of each molding material, the spiral flow, and the glass transition temperature of each test piece after post cure,
The results of testing the moisture absorption rate and the solder crack resistance are as shown in Table 1. The molding materials of Examples 1 to 4 have a faster curing property (ie, shorter gel time) than the molding materials of Comparative Examples 1 and 2. It was excellent in balance between fluidity (ie, high spiral flow), low moisture absorption and solder crack resistance.
【００５０】[0050]
【表１】 [Table 1]
【００５1】[0056]
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、速硬化
性及び流動性に優れるので、封止材料、粉体塗料、粉体
絶縁材料等に使用することができる。また本発明の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物は、速硬化性及び流動性に
優れ、かつ耐ハンダクラック性に優れた半導体装置を与
えるので半導体封止の分野で有利に使用することができ
る。The epoxy resin composition of the present invention has excellent fast-curing properties and fluidity, and can be used for sealing materials, powder coatings, powder insulating materials and the like. In addition, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention provides a semiconductor device excellent in quick-curing property and fluidity and excellent in solder crack resistance, and thus can be advantageously used in the field of semiconductor encapsulation.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 通岩 典生 三重県四日市市塩浜町１番地 油化シェル エポキシ株式会社開発研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC04X CC05X CD05W CE00X DJ017 EJ016 EJ036 EJ056 EL136 EN036 EN046 EN076 EN136 ET006 EU116 EV226 EV346 EW016 EW176 EY016 FD017 FD14X FD146 FD150 GQ05 4J036 AD08 FA05 FB07 JA07 KA06 4M109 AA01 BA01 CA21 EA04 EB02 EB03 EB04 EB07 EB08 EB09 EB13 EC01 EC03 EC20 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01L 23/31 (72) Inventor Norio Toiwa 1 No.1, Shiohama-cho, Yokkaichi-shi, Mie Developed Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. F-term in the laboratory (reference) 4J002 CC03X CC04X CC05X CD05W CE00X DJ017 EJ016 EJ036 EJ056 EL136 EN036 EN046 EN076 EN136 ET006 EU116 EV226 EV346 EW016 EW176 EY016 FD017 FD14X FD146 FD150 FD150 GQ05 4J036 EB07 EB07 EB07 EB07 EB07 EB09 EB13 EC01 EC03 EC20
Claims (4)
ンとの反応で得られるエポキシ樹脂であって、式（１）
で表されるビスフェノールＡジグリシジルエーテルの含
有量が９５重量％以上であり、融点が４４℃以上である
結晶エポキシ樹脂成分及び（ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤
成分を必須成分として配合してなるエポキシ樹脂組成
物。 【化１】 （１）1. An epoxy resin obtained by reacting bisphenol A with epihalohydrin, wherein the epoxy resin has the formula (1)
An epoxy resin comprising a crystalline epoxy resin component having a bisphenol A diglycidyl ether content of 95% by weight or more and a melting point of 44 ° C. or more and a curing agent component for epoxy resin (b) as essential components. Resin composition. Embedded image (1)
前記式（１）で表されるビスフェノールＡジグリシジル
エーテルの含有量が９５重量％以上の液状ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂に少量の結晶核を添加混合し、０〜
２０℃の温度で結晶化させて得られる結晶エポキシ樹脂
であることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂
組成物。2. The crystalline epoxy resin of the component (a),
A small amount of crystal nuclei are added to and mixed with a liquid bisphenol A type epoxy resin having a bisphenol A diglycidyl ether content of 95% by weight or more represented by the formula (1), and mixed.
The epoxy resin composition according to claim 1, which is a crystalline epoxy resin obtained by crystallization at a temperature of 20 ° C.
は、フェノール樹脂類であることを特徴とする請求項１
又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。3. The epoxy resin curing agent of the component (b) is a phenol resin.
Or the epoxy resin composition according to 2.
のエポキシ樹脂組成物に、（ｃ）溶融シリカ及び／又は
結晶シリカ粉末よりなる無機充填剤成分を組成物全体の
８０〜９５重量％配合してなる半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。4. The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein (c) an inorganic filler component composed of fused silica and / or crystalline silica powder is added in an amount of 80 to 95 of the total composition. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, which is blended by weight.
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